KR20140041351A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140041351A
KR20140041351A KR1020130113264A KR20130113264A KR20140041351A KR 20140041351 A KR20140041351 A KR 20140041351A KR 1020130113264 A KR1020130113264 A KR 1020130113264A KR 20130113264 A KR20130113264 A KR 20130113264A KR 20140041351 A KR20140041351 A KR 20140041351A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
substrate
module
chamber
washing
Prior art date
Application number
KR1020130113264A
Other languages
English (en)
Inventor
미츠루 미야자키
겐이치 고바야시
데루아키 홈보
아키라 이마무라
보유 동
히로유키 시노자키
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20140041351A publication Critical patent/KR20140041351A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는, 처리량의 향상 및 공간 절약화를 도모하면서, 예를 들어 산화막 등의 막질 등의 차이에 대응한 세정 패턴의 변경에 플렉시블하게 대응할 수 있도록 하는 것이다.
적어도 1개 이상의 제1 세정 모듈(200a)과 2개의 제2 세정 모듈(201a, 201b)을 종방향으로 나열하여 배치한 제1 세정실(190)과, 2개의 제3 세정 모듈(202a, 202b)을 종방향으로 배치한 제2 세정실(192)과, 제1 세정실(190)과 제2 세정실(192) 사이의 제1 반송실(191) 내에 수납되고, 제1 세정 모듈(200a), 제2 세정 모듈(201a, 201b) 및 제3 세정 모듈(202a, 202b)의 상호간에서 기판의 전달을 행하는 제1 반송 로봇(240)을 갖는다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정하는 세정부를 갖고, 예를 들어 연마 장치로서 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들어, 기판 표면의 산화막을 세정하는 세정 프로세스에서는, 산성 약액에 의한 세정 스텝과 알칼리성 약액에 의한 세정 스텝을 조합하고, 또한 마무리 세정을 거쳐, 린스ㆍ건조 처리를 행할 필요가 있다. 이로 인해, 세정 프로세스를 행하기 위해서는 다수의 세정 모듈을 구비할 필요가 있다.
세정 모듈로서 롤 스크럽 세정 모듈을 사용하여, 기판 표면의 산화막 등을 산성 약액을 사용한 롤 스크럽 세정하면, 제거되어야 할 파티클이 기판에 재부착될 뿐만 아니라, 롤 스크럽 세정 모듈 자체의 손상이나, 기판으로부터 산을 제거하는 문제가 발생한다. 그로 인해, 산성 약액을 사용하여 기판 표면을 롤 스크럽 세정 모듈에 의해 롤 스크럽 세정하는 경우에는, 롤 스크럽 세정 후의 기판을 순수 등에 의해 린스 세정하는 것이 요구되고 있다.
반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 브러시 세정 유닛이나 제트수 세정 장치 등의 복수의 세정 모듈을 직렬로 배치하고, 기판을 일방향으로 반송하면서 처리(세정)하도록 한 것이 널리 알려져 있다.
이와 같이, 복수의 세정 모듈을 직선 형상으로 배치한 경우, 세정 모듈의 수를 증가시켜 처리량을 높이거나, 세정 스텝을 증가시키려고 하면, 장치의 풋 프린트(설치 면적)가 증가하고, 또한 기판을 일방향으로 이동시키면서 처리를 행하고 있으므로, 세정의 순서가 항상 일정해져, 기판 표면의 막질 등의 변화에 대응시킨 세정을 행할 수 없다.
출원인은, 풋 프린트를 증대시키는 일 없이, 처리량을 향상시키기 위해, 복수의 제1 세정 모듈을 종방향으로 배치한 제1 세정실과, 복수의 제2 세정 모듈을 종방향으로 배치한 제2 세정실과, 제1 세정실과 제2 세정실 사이의 반송실 내에 수납되고, 제1 세정실 내의 제1 세정 모듈과 제2 세정실 내의 제2 세정 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 반송 로봇을 갖는 기판 처리 장치를 제안하고 있다(특허문헌 1 참조).
일본 특허 출원 공개 제2010-50436호 공보
특허문헌 1에 기재된 발명에 있어서, 기판은, 우선 제1 세정 모듈로 반송되어 제1 세정 모듈에서 세정(1차 세정)된 후, 제2 세정 모듈로 반송되어 제2 세정 모듈에서 세정(2차 세정)된다. 이로 인해, 특허문헌 1에 기재된 발명은, 기판을, 제2 세정 모듈로 반송하여 세정(1차 세정)한 후, 제1 세정 모듈로 반송하여 세정(2차 세정)할 수는 없다.
또한, 제1 세정 모듈을 롤 스크럽 세정 모듈로 구성하고, 기판 표면의 산화막 등을 산성 약액을 사용한 롤 스크럽 세정으로 세정하도록 한 경우, 전술한 바와 같이, 롤 스크럽 세정 후의 기판을 순수 등에 의해 린스 세정하는 것이 요구된다. 또한, 예를 들어 연마가 종료된 기판에 다량의 슬러리나 연마 부스러기 등이 부착되어 있는 경우, 기판에 부착되어 있는 슬러리나 연마 부스러기 등을 린스 세정 처리 등에 의해 미리 제거한 후, 기판을 롤 스크럽 세정함으로써, 롤 스크럽 세정 중에 기판이 손상되거나, 기판에 파티클이 재부착되는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 발명은, 이러한 요청에 대응할 수 없다.
본 발명은 상기 사정에 비추어 이루어진 것으로, 처리량의 향상 및 공간 절약화를 도모하면서, 예를 들어 기판 상의 산화막 등의 막질 등의 차이에 대응한 세정 패턴의 변경에 플렉시블하게 대응할 수 있도록 한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 적어도 1개 이상의 제1 세정 모듈과 2개의 제2 세정 모듈을 종방향으로 나열하여 배치한 제1 세정실과, 2개의 제3 세정 모듈을 종방향으로 배치한 제2 세정실과, 상기 제1 세정실과 상기 제2 세정실 사이의 제1 반송실 내에 수납되고, 상기 제1 세정 모듈, 상기 제2 세정 모듈 및 상기 제3 세정 모듈의 상호간에서 기판의 전달을 행하는 제1 반송 로봇을 갖는다.
본 발명에 따르면, 제1 세정실 내의 제1 세정 모듈에 의해 기판을 세정한 후에 2개의 제2 세정 모듈 중 어느 한쪽에 의해 기판을 세정하고, 또한 제2 세정실 내의 제3 세정 모듈에 의해 기판을 세정할 수 있고, 또한 제1 세정실 내의 2개의 제2 세정 모듈 중 어느 한쪽에 의해 기판을 세정한 후에 제1 세정실 내의 제1 세정 모듈에 의해 기판을 세정하고, 또한 제2 세정실 내의 제3 세정 모듈에 의해 세정할 수 있다. 즉, 최초의 세정에, 제1 세정 모듈을 사용하는 경우와, 2개의 제2 세정 모듈 중 어느 한쪽을 사용하는 경우가 있다. 이에 의해, 최초의 세정에 사용하는 세정 모듈을 임의로 선택하여, 예를 들어 기판 상의 산화막 등의 막질 등의 차이에 대응한 세정 패턴의 변경에 플렉시블하게 대응할 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에 있어서, 상기 제1 반송 로봇은, 승강 가능한 승강대에 구비되고, 서로 독립적으로 동작하여 기판을 보유 지지하는 2개의 핸드를 갖는다.
이에 의해, 기판의 복잡한 전달을 1대의 제1 반송 로봇에 의해 행하여, 오버헤드 시간을 삭감할 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에 있어서, 상기 제1 세정 모듈은 린스 세정 모듈이고, 상기 제2 세정 모듈은 롤 스크럽 세정 모듈이다.
이에 의해, 예를 들어 산성 약액을 사용한 롤 스크럽 세정 모듈에 의해 기판을 롤 스크럽 세정한 후, 린스 세정 모듈에 의해 롤 스크럽 세정 후의 기판을 린스 세정하는 제1 세정 패턴과, 다량의 슬러리나 연마 부스러기 등이 부착되어 있는 기판을 린스 세정 모듈에 의해 린스 세정하여 기판에 부착된 슬러리나 연마 부스러기 등을 미리 제거한 후, 기판을 롤 스크럽 세정 모듈에 의해 롤 스크럽 세정하는 제2 세정 패턴을, 산화막 등의 막질 등의 차이에 대응시켜 플렉시블하게 선택할 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에 있어서, 상기 제1 세정실에는 상기 제1 세정 모듈이 1개 구비되고, 상기 제2 세정실에는 1개의 상기 제1 세정 모듈이 상기 제3 세정 모듈과 함께 종방향으로 배치되어 구비되어 있다.
이에 의해, 제1 세정 모듈을 2개 사용하여, 제1 세정 모듈, 제2 세정 모듈 및 제3 세정 모듈을 연속해서 통과하는 2개의 세정 라인을 형성하는 경우에, 높이가 높은 제1 세정 모듈을 사용해도, 제1 세정실의 전체 높이가 제2 세정실의 전체 높이보다도 높아지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에 있어서, 기판 처리 장치는, 2개의 건조 모듈을 종방향으로 배치한 건조실과, 상기 건조실과 상기 제2 세정실 사이의 제2 반송실 내에 배치되고, 상기 제2 세정실 내의 제3 세정 모듈과 상기 건조실 내의 건조 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 제2 반송 로봇을 더 갖는다.
이에 의해, 기판을 세정 후, 건조시킨 상태에서 세정부로부터 반출할 수 있다.
본 발명의 다른 기판 처리 장치는, 복수의 세정 모듈을 종방향으로 배치하는 세정실을 구비하고, 상기 세정실에는 상기 세정 모듈을 지지하는 한 쌍의 레일이, 상기 세정 모듈의 하면 양측에는 상기 한 쌍의 레일 상을 주행하는 3세트 이상의 롤러가 각각 설치되고, 상기 세정 모듈이 상기 세정실 내의 소정 위치에 위치할 때에 상기 한 쌍의 레일의 상면의 상기 3세트 이상의 롤러에 각각 대응하는 위치에는 오목부가 형성되고, 상기 세정 모듈이 상기 세정실 내의 소정 위치에 위치하는 일 없이, 1세트의 롤러만이 상기 한 쌍의 레일에 형성된 1개의 오목부에 대향하는 위치에 위치할 때에, 다른 2세트 이상의 롤러는, 상기 한 쌍의 레일에 접촉하도록 구성되어 있다.
이에 의해, 세정실 내의 소정 위치에 위치할 때의 세정 모듈을 안정시키고, 또한 세정 모듈을 세정실 내의 소정 위치에 세트하거나 세정실로부터 반출할 때에, 세정실의 레일을 따라 롤러를 주행시켜 세정 모듈을 이동시키고, 이 이동시에 2세트 이상의 롤러가 레일에 형성된 오목부 내에 낙하하지 않도록 함으로써, 세정 모듈의 이동을 용이하고 또한 원활하게 행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 처리량의 향상 및 공간 절약화를 도모하면서, 제1 세정실 내의 제1 세정 모듈에 의해 기판을 세정한 후에 2개의 제2 세정 모듈 중 어느 한쪽에 의해 기판을 세정하고, 또한 제2 세정실 내의 제3 세정 모듈에 의해 기판을 세정할 수 있고, 또한 제1 세정실 내의 2개의 제2 세정 모듈 중 어느 한쪽에 의해 기판을 세정한 후에 제1 세정실 내의 제1 세정 모듈에 의해 기판을 세정하고, 또한 제2 세정실 내의 제3 세정 모듈에 의해 세정할 수 있다. 즉, 최초의 세정에, 제1 세정 모듈을 사용하는 경우와, 2개의 제2 세정 모듈 중 어느 한쪽을 사용하는 경우가 있다. 이에 의해, 최초의 세정에 사용하는 세정 모듈을 임의로 선택하여, 예를 들어 기판 상의 산화막 등의 막질 등의 차이에 대응한 세정 패턴의 변경에 플렉시블하게 대응할 수 있다.
도 1은 연마 장치에 적용한 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 세정부를 도시하는 평면도.
도 3은 세정부를 도시하는 정면도.
도 4는 제1 세정실의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈이 제1 세정실 내의 소정 위치에 위치할 때의 상부 레일과 상기 제2 세정 모듈의 관계를 도시하는 도면.
도 5는 제1 세정실의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈이 제1 세정실 내의 소정 위치에 위치하고 있지 않을 때의 상부 레일과 상기 제2 세정 모듈의 관계를 도시하는 도면.
도 6은 제1 세정실의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈이 제1 세정실 내의 소정 위치에 위치하고 있지 않을 때의 상부 레일과 상기 제2 세정 모듈의 다른 관계를 도시하는 도면.
도 7은 제1 세정실의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈을 제1 세정실 내의 소정 위치에 세트할 때의 개요를 도시하는 도면.
도 8은 제1 세정 모듈을 도시하는 평면도.
도 9는 제1 세정 모듈을 도시하는 종단 정면도.
도 10은 제2 세정 모듈 내부의 롤 스크럽 세정기를 도시하는 사시도.
도 11은 건조 모듈 내부의 로타고니 건조기를 도시하는 종단면도.
도 12는 건조 모듈 내부의 로타고니 건조기를 도시하는 평면도.
도 13은 도 11에 도시하는 베이스의 평면도.
도 14의 (a)는 도 13에 도시하는 기판 지지 부재 및 베이스의 일부를 도시하는 평면도, 도 14의 (b)는 도 13의 A-A선 단면도, 도 14의 (c)는 도 14의 (b)의 B-B선 단면도.
도 15는 제2 자석과 제3 자석의 배치를 설명하기 위한 모식도로, 기판 지지 부재의 축 방향으로부터 본 도면.
도 16의 (a)는 리프트 기구에 의해 기판 지지 부재를 상승시켰을 때의 기판 지지 부재 및 아암의 일부를 도시하는 평면도, 도 16의 (b)는 리프트 기구에 의해 기판 지지 부재를 상승시켰을 때의 도 13의 A-A선 단면도, 도 16의 (c)는 도 16의 (b)의 C-C선 단면도.
도 17은 세정부에 있어서의 기판의 세정 라인을 도시하는 도면.
도 18은 세정부에 있어서의 기판의 다른 세정 라인을 도시하는 도면.
도 19는 다른 세정부를 도시하는 정면도.
도 20은 도 19에 도시하는 세정부에 있어서의 기판의 세정 라인을 도시하는 도면.
도 21은 도 19에 도시하는 세정부에 있어서의 기판의 다른 세정 라인을 도시하는 도면.
도 22는 또 다른 세정부를 도시하는 정면도.
도 23은 도 22에 도시하는 세정부에 있어서의 기판의 세정 라인을 도시하는 도면.
도 24는 도 22에 도시하는 세정부에 있어서의 기판의 다른 세정 라인을 도시하는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 이하의 각 예에 있어서, 동일 또는 상당하는 구성 요소에는, 동일한 번호를 부여하여 중복된 설명을 생략한다. 이하의 예에서는, 세정부를 구비한 연마 장치에 본 발명을 적용하고 있지만, 세정부를 구비한 도금 장치 등, 다른 기판 처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있는 것은 물론이다.
도 1은 연마 장치에 적용한 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 이 연마 장치(기판 처리 장치)는, 대략 직사각 형상의 하우징(1)을 구비하고 있고, 하우징(1)의 내부는, 격벽(1a, 1b)에 의해 로드/언로드부(2), 연마부(3) 및 세정부(4)로 구획되어 있다. 이들 로드/언로드부(2), 연마부(3) 및 세정부(4)는 각각 독립적으로 조립되어 독립적으로 배기된다. 또한, 연마 장치는, 기판 처리 동작을 제어하는 제어부(5)를 갖고 있다.
로드/언로드부(2)는, 다수의 반도체 웨이퍼 등의 기판을 스톡하는 기판 카세트가 적재되는 2개 이상(본 실시 형태에서는 4개)의 프론트 로드부(20)를 구비하고 있다. 이들 프론트 로드부(20)는, 하우징(1)에 인접하여 배치되고, 연마 장치의 폭 방향(길이 방향에 수직한 방향)을 따라 배열되어 있다. 프론트 로드부(20)에는, 오픈 카세트, SMIF(Standard Manufacturing Interface) 포드, 또는 FOUP(Front Opening Unified Pod)를 탑재할 수 있다. 여기서, SMIF, FOUP는 내부에 기판 카세트를 수납하고, 격벽으로 덮음으로써, 외부 공간과는 독립된 환경을 유지할 수 있는 밀폐 용기이다.
로드/언로드부(2)에는, 프론트 로드부(20)의 배열을 따라 주행 기구(21)가 부설되어 있고, 이 주행 기구(21) 상에 기판 카세트의 배열 방향을 따라 이동 가능한 2대의 반송 로봇(로더)(22)이 설치되어 있다. 반송 로봇(22)은, 주행 기구(21) 상을 이동함으로써, 프론트 로드부(20)에 탑재된 기판 카세트에 액세스할 수 있다. 각 반송 로봇(22)은, 상하에 2개의 핸드를 구비하고 있고, 상측의 핸드를, 처리된 기판을 기판 카세트에 복귀시킬 때에 사용하고, 하측의 핸드를 처리 전의 기판을 기판 카세트로부터 취출할 때에 사용함으로써, 상하의 핸드를 구분하여 사용할 수 있도록 되어 있다. 또한, 반송 로봇(22)의 하측의 핸드는, 그 축심 주위로 회전함으로써, 기판을 반전시킬 수 있도록 구성되어 있다.
로드/언로드부(2)는, 가장 깨끗한 상태를 유지할 필요가 있는 영역이므로, 로드/언로드부(2)의 내부는, 연마 장치 외부, 연마부(3) 및 세정부(4) 중 어느 것보다도 높은 압력으로 상시 유지되어 있다. 연마부(3)는, 연마액으로서 슬러리를 사용하므로 가장 더러운 영역이다. 따라서, 연마부(3)의 내부에는 부압(負壓)이 형성되고, 그 압력은 세정부(4)의 내부 압력보다도 낮게 유지되어 있다. 로드/언로드부(2)에는, HEPA 필터, ULPA 필터, 또는 케미컬 필터 등의 클린 에어 필터를 갖는 필터 팬 유닛(도시하지 않음)이 설치되어 있고, 이 필터 팬 유닛으로부터는 파티클이나 유독 증기, 유독 가스가 제거된 클린 에어가 상시 분출되고 있다.
연마부(3)는, 기판 표면의 연마(평탄화)가 행해지는 영역이며, 제1 연마 유닛(3A), 제2 연마 유닛(3B), 제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D)을 구비하고 있다. 이들 제1 연마 유닛(3A), 제2 연마 유닛(3B), 제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D)은 연마 장치의 길이 방향을 따라 배열되어 있다.
제1 연마 유닛(3A)은, 연마면을 갖는 연마 패드(10)가 장착된 연마 테이블(30A)과, 기판을 보유 지지하고, 또한 기판을 연마 테이블(30A) 상의 연마 패드(10)에 압박하면서 연마하기 위한 톱 링(31A)과, 연마 패드(10)에 연마액이나 드레싱액(예를 들어, 순수)을 공급하기 위한 연마액 공급 노즐(32A)과, 연마 패드(10)의 연마면의 드레싱을 행하기 위한 드레서(33A)와, 액체(예를 들어, 순수)와 기체(예를 들어, 질소 가스)의 혼합 유체 또는 액체(예를 들어, 순수)를 안개상으로 하여 연마면에 분사하는 아토마이저(34A)를 구비하고 있다.
마찬가지로, 제2 연마 유닛(3B)은, 연마 패드(10)가 장착된 연마 테이블(30B)과, 톱 링(31B)과, 연마액 공급 노즐(32B)과, 드레서(33B)와, 아토마이저(34B)를 구비하고 있다. 제3 연마 유닛(3C)은, 연마 패드(10)가 장착된 연마 테이블(30C)과, 톱 링(31C)과, 연마액 공급 노즐(32C)과, 드레서(33C)와, 아토마이저(34C)를 구비하고 있다. 제4 연마 유닛(3D)은, 연마 패드(10)가 장착된 연마 테이블(30D)과, 톱 링(31D)과, 연마액 공급 노즐(32D)과, 드레서(33D)와, 아토마이저(34D)를 구비하고 있다.
기판(W)은, 제1 연마 유닛(3A), 제2 연마 유닛(3B), 제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D) 중 어느 하나에 의해 연마되어도 되고, 또는 이들 연마 유닛(3A∼3D)으로부터 미리 선택된 복수의 연마 유닛에 의해 연속적으로 연마되어도 된다. 예를 들어, 기판을 제1 연마 유닛(3A)→제2 연마 유닛(3B)의 순으로 연마해도 되고, 또는 기판(W)을 제3 연마 유닛(3C)→제4 연마 유닛(3D)의 순으로 연마해도 된다. 또한, 기판을 제1 연마 유닛(3A)→제2 연마 유닛(3B)→제3 연마 유닛(3C)→제4 연마 유닛(3D)의 순으로 연마해도 된다. 어느 경우라도, 연마 유닛(3A∼3D)의 모든 연마 시간을 평준화함으로써, 처리량을 향상시킬 수 있다.
제1 연마 유닛(3A) 및 제2 연마 유닛(3B)에 인접하여, 제1 리니어 트랜스포터(6)가 배치되어 있다. 이 제1 리니어 트랜스포터(6)는, 연마 유닛(3A, 3B)이 배열되는 방향을 따른 4개의 반송 위치[로드/언로드부측으로부터 차례로 제1 반송 위치(TP1), 제2 반송 위치(TP2), 제3 반송 위치(TP3), 제4 반송 위치(TP4)로 함]의 사이에서 기판을 반송하는 기구이다.
제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D)에 인접하여, 제2 리니어 트랜스포터(7)가 배치되어 있다. 이 제2 리니어 트랜스포터(7)는, 연마 유닛(3C, 3D)이 배열되는 방향을 따른 3개의 반송 위치[로드/언로드부측으로부터 차례로 제5 반송 위치(TP5), 제6 반송 위치(TP6), 제7 반송 위치(TP7)로 함]의 사이에서 기판을 반송하는 기구이다.
기판은, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 의해, 연마 유닛(3A, 3B)으로 반송된다. 제1 연마 유닛(3A)의 톱 링(31A)은, 연마 위치와 제2 반송 위치(TP2) 사이를 이동한다. 따라서, 톱 링(31A)으로의 기판의 전달은 제2 반송 위치(TP2)에서 행해진다. 마찬가지로, 제2 연마 유닛(3B)의 톱 링(31B)은, 연마 위치와 제3 반송 위치(TP3) 사이를 이동하고, 톱 링(31B)으로의 기판의 전달은 제3 반송 위치(TP3)에서 행해진다. 제3 연마 유닛(3C)의 톱 링(31C)은, 연마 위치와 제6 반송 위치(TP6) 사이를 이동하고, 톱 링(31C)으로의 기판의 전달은 제6 반송 위치(TP6)에서 행해진다. 제4 연마 유닛(3D)의 톱 링(31D)은, 연마 위치와 제7 반송 위치(TP7) 사이를 이동하고, 톱 링(31D)으로의 기판의 전달은 제7 반송 위치(TP7)에서 행해진다.
제1 반송 위치(TP1)에는, 반송 로봇(22)으로부터 기판을 수취하기 위한 리프터(11)가 배치되어 있다. 기판은, 이 리프터(11)를 통해 반송 로봇(22)으로부터 제1 리니어 트랜스포터(6)로 전달된다. 리프터(11)와 반송 로봇(22) 사이에 위치하여, 셔터(도시하지 않음)가 격벽(1a)에 설치되어 있고, 기판의 반송시에는 셔터가 개방되어 반송 로봇(22)으로부터 리프터(11)로 기판이 전달된다. 또한, 제1 리니어 트랜스포터(6), 제2 리니어 트랜스포터(7) 및 세정부(4)의 사이에는 스윙 트랜스포터(12)가 배치되어 있다. 이 스윙 트랜스포터(12)는, 제4 반송 위치(TP4)와 제5 반송 위치(TP5) 사이를 이동 가능한 핸드를 갖고 있고, 제1 리니어 트랜스포터(6)로부터 제2 리니어 트랜스포터(7)로의 기판의 전달은, 스윙 트랜스포터(12)에 의해 행해진다. 기판은, 제2 리니어 트랜스포터(7)에 의해, 제3 연마 유닛(3C) 및 /또는 제4 연마 유닛(3D)으로 반송된다. 또한, 연마부(3)에서 연마된 기판은, 스윙 트랜스포터(12)를 경유하여 세정부(4)로 반송된다.
스윙 트랜스포터(12)의 측방에는, 도시하지 않은 프레임에 설치된 기판의 가배치대(180)가 배치되어 있다. 이 가배치대(180)는, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 인접하여 배치되어 있고, 제1 리니어 트랜스포터(6)와 세정부(4) 사이에 위치하고 있다. 가배치대(180)에 적재된 기판은, 다음에 설명하는, 세정부(4)의 반송 로봇에 의해 세정부(4)로 반송된다.
도 2는 세정부(4)를 도시하는 평면도이고, 도 3은 세정부(4)를 도시하는 정면도이다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 세정부(4)는 제1 세정실(190), 제1 반송실(191), 제2 세정실(192), 제2 반송실(193) 및 건조실(194)로 구획되어 있다. 제1 세정실(190) 내에는, 1개의 제1 세정 모듈(200a)과 2개의 제2 세정 모듈(201a, 201b)이 제1 세정 모듈(200a)을 사이에 두고 이 상하에 제2 세정 모듈(201a, 201b)이 위치하도록 종방향으로 배치되어 있다. 제2 세정실(192) 내에는, 2개의 제3 세정 모듈(202a, 202b)이 종방향으로 배치되어 있다.
제1 세정 모듈(200a), 제2 세정 모듈(201a, 201b) 및 제3 세정 모듈(202a, 202b)은, 세정액을 사용하여 기판을 세정하는 세정기를 내부에 갖는 상자 형상의 세정 모듈이며, 이와 같이, 모두 상자 형상의 제1 세정 모듈(200a)과 제2 세정 모듈(201a, 201b) 및 제3 세정 모듈(202a, 202b)을 각각 종방향으로 배치함으로써, 풋 프린트(설치 면적)를 작게 할 수 있다. 또한, 후술(도 4∼도 7 참조)하는 바와 같이, 세정 모듈을 세정실 내에 세트하거나 세정실로부터 배출할 때에, 세정 모듈의 이동을 원활하게 행할 수 있으므로, 용이하게 세정 모듈을 세정부(4)로부터 취출하여, 메인터넌스 작업을 행할 수 있다. 장치 가동 중에 있어서도, 장치를 멈추는 일 없이, 메인터넌스가 필요한 세정 모듈만을 세정부로부터 취출하여, 메인터넌스를 행할 수도 있다.
제2 세정실(192) 내에는, 제3 세정 모듈(202a, 202b)의 사이에 위치하여, 기판을 가배치하는 기판 스테이션(203)이 설치되어 있다. 건조실(194) 내에는, 건조기를 내부에 갖는 2개의 상자 형상의 건조 모듈(205a, 205b)이, 서로 소정 간격 이격되어 종방향으로 배치되어 있다. 건조 모듈(205a, 205b)의 상부에는, 청정한 공기를 건조 모듈(205a, 205b) 내에 공급하는 필터 팬 유닛(207)이 각각 설치되어 있다.
제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)은, 제1 세정실(190)의 양 측면을 따라 수평으로 연장되는 한 쌍의 상부 레일(210)에 의해 하면이 지지되어 있다. 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)은, 제1 세정실(190)의 양 측면을 따라 수평으로 연장되는 한 쌍의 하부 레일(212)에 의해 하면이 지지되어 있다. 제1 세정실(190)의 중간부에 위치하는 제1 세정 모듈(200a)은, 제1 세정실(190)의 양 측면을 따라 수평으로 연장되는 한 쌍의 중간 레일(214)에 의해 하면이 지지되어 있다. 상부 레일(210), 하부 레일(212) 및 중간 레일(214)은 프레임을 구성한다.
도 4는 제1 세정실(190) 내의 제2 세정 모듈(201a)과 상부 레일(210)의 관계를 도시하는 측면도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)의 하면에는, 상부 레일(210) 상을 주행하는 3세트 이상, 본 예에서는 4세트의 롤러(216a, 216b, 216c, 216d)가 구비되어 있다. 상부 레일(210)의 상면에는, 제2 세정 모듈(201a)이 제1 세정실(190) 내의 소정 위치에 위치할 때에 각 롤러(216a, 216b, 216c, 216d)에 각각 대응하는 위치에, 오목부(210a, 210b, 210c, 210d)가 각각 형성되어 있다. 이에 의해, 제2 세정 모듈(201a)이, 스토퍼(218)에 접촉하여, 제1 세정실(190) 내의 소정 위치에 위치할 때, 모든 롤러(216a∼216d)가 상부 레일(210)에 형성된 오목부(210a∼210d) 내로 각각 들어가, 제2 세정 모듈(201a)의 하면이 상부 레일(210)의 상면에 착좌하여 제2 세정 모듈(201a)이 안정되도록 되어 있다.
제2 세정 모듈(201a)이 제1 세정실(190) 내의 소정 위치에 위치할 때에는, 4세트의 롤러(216a∼216d)는, 상부 레일(210)에 설치된 각 오목부(210a∼210d) 내로 모두 들어가지만, 제2 세정 모듈(201a)이 제1 세정실(190) 내의 소정 위치에 위치하지 않을 때에는, 4세트의 롤러(216a∼216d) 중, 적어도 3세트 이상이 상부 레일(210)의 상면에 접촉하도록 되어 있다. 예를 들어, 도 5에 도시하는 바와 같이, 1세트의 롤러(216d)가 1개의 오목부(210c)에 대응하는 위치에 위치할 때, 다른 3세트의 롤러(216a, 216b, 216c)는, 상부 레일(210)의 상면에 접촉하도록 되어 있다. 또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 1세트의 롤러(216b)가 1개의 오목부(210a)에 대응하는 위치에 위치할 때, 다른 3세트의 롤러(216a, 216c, 216d)는 상부 레일(210)의 상면에 접촉하도록 되어 있다.
이에 의해, 제1 세정실(190) 내의 소정 위치에 위치할 때의 제2 세정 모듈(201a)을 안정시키고, 또한 제2 세정 모듈(201a)을 제1 세정실(190) 내의 소정 위치에 세트하거나 제1 세정실(190)로부터 반출할 때에는, 제1 세정실(190)의 상부 레일(210)을 따라 롤러(216a∼216d)를 주행시켜 제2 세정 모듈(201a)을 이동시킬 수 있다. 이 이동시에, 3세트 이상의 롤러가 상부 레일(210)에 형성된 오목부(210a∼210d) 내에 낙하하지 않도록 함으로써, 제2 세정 모듈(201a)의 이동을 용이하고 또한 원활하게 행할 수 있다.
도 7은 제2 세정 모듈을 제1 세정실 내의 소정 위치에 세트할 때의 상태를 도시하는 도면이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 제2 세정 모듈(201a)을 제1 세정실(190) 내의 소정의 위치에 세트할 때에는, 전술한 상부 레일(210)과 마찬가지로, 소정 위치에 오목부가 형성된 대차 레일(220)을 갖는 대차(222)에, 상기 대차 레일(220)에 형성된 오목부 내에 모든 롤러(216a∼216d)를 위치시켜, 제2 세정 모듈(201a)을 태운다. 핸들(224)을 회전시킴으로써 승강하는 포크(226)를 갖는 리프터(228)가 배치되어 있고, 제2 세정 모듈(201a)을 태운 대차(222)는 리프터(228)의 포크(226)에 의해 지지된다. 포크(226)를 상승시키고, 대차(222)를, 대차 레일(220)과 제1 세정실(190)의 상부 레일(210)이 동일한 높이로 될 때까지 상승시키고, 또한 대차 레일(220)과 상부 레일(210)이 서로 연속되도록 리프터(228)를 이동시킨다.
이 상태에서, 대차(222) 상의 제2 세정 모듈(201a)을 제1 세정실(190)을 향해 압박함으로써, 롤러(216a∼216d)를 통해, 제2 세정 모듈(201a)을 대차 레일(220)로부터 제1 세정실(190)의 상부 레일(210)을 따라 이동시킨다. 그리고, 모든 롤러(216a∼216d)가 상부 레일(210)에 형성된 오목부(210a∼210d) 내로 각각 들어가, 2차 세정 모듈(210a)의 하면이 상부 레일(210)의 상면에 착좌하여, 제2 세정 모듈(201a)이 스토퍼(218)에 접촉하였을 때에, 이 이동을 정지시킨다.
이에 의해, 제2 세정 모듈(201a)을 제1 세정실(190) 내의 소정의 위치에 확실하게 세트하고, 또한 이 제2 세정 모듈(201a)의 이동시에, 4세트의 롤러(216a∼216d) 중, 적어도 3세트 이상을 대차 레일(220) 상 및 제1 세정실(190)의 상부 레일(210) 상에 항상 접촉시킴으로써, 이 제2 세정 모듈(201a)의 이동을 원활하게 행할 수 있다.
제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)이나 제1 세정실(190)의 중간부에 위치하는 제1 세정 모듈(200a)에 있어서도 마찬가지로, 하면측에 3세트 이상의 롤러가 설치되고, 제2 세정 모듈(201b)을 지지하는 하부 레일(212)이나 제1 세정 모듈(200a)을 지지하는 중간 레일(214)의 소정 위치에는 3세트 이상의 오목부가 형성되어 있다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)은, 제2 세정실(192)의 양 측면을 따라 수평으로 연장되는 한 쌍의 상부 레일(230)에 의해 하면이 지지되어 있다. 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)은, 제2 세정실(192)의 양 측면을 따라 수평하게 연장되는 한 쌍의 하부 레일(232)에 의해 하면이 지지되어 있다. 상부 레일(230) 및 하부 레일(232)은 프레임을 구성한다.
이들 제3 세정 모듈(202a, 202b)에 있어서도 마찬가지로, 하면에 3세트 이상의 롤러가 설치되고, 제3 세정 모듈(202a)을 지지하는 상부 레일(230)이나, 제3 세정 모듈(202b)을 지지하는 하부 레일(232)의 소정 위치에는 3세트 이상의 오목부가 형성되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 제1 반송실(191) 내에는, 제1 반송 로봇(240)이 배치되어 있다. 이 제1 반송 로봇(240)은, 연직 방향으로 연장되는 지지축(242)을 따라 승강 가능한 승강대(244)를 갖고, 이 승강대(244)에는, 서로 독립적으로 동작하여 기판을 보유 지지하는 2개의 핸드(246a, 246b)가 각각 구비되어 있다. 제1 반송 로봇(240)은, 도 2의 점선으로 나타내는 바와 같이, 그 하측의 핸드(246b)가 가배치대(180)에 액세스 가능한 위치에 배치되어 있다. 제1 반송 로봇(240)의 하측의 핸드(246b)가 가배치대(180)에 액세스할 때에는, 격벽(1b)에 설치되어 있는 셔터(도시하지 않음)가 개방되도록 되어 있다.
이와 같이, 제1 반송 로봇(240)으로서, 승강 가능한 승강대(244)에 구비되고, 서로 독립적으로 동작하여 기판을 보유 지지하는 2개의 핸드(246a, 246b)를 갖는 것을 사용함으로써, 기판의 복잡한 전달을 1대의 제1 반송 로봇(240)으로 행하여, 오버헤드 시간을 삭감할 수 있다.
제2 반송실(193)의 내부에는, 제2 반송 로봇(250)이 배치되어 있다. 이 제2 반송 로봇(250)은, 연직 방향으로 연장되는 지지축(252)을 따라 승강 가능한 승강대(254)를 갖고, 이 승강대(254)에는, 기판을 지지하는 1개의 핸드(256)가 구비되어 있다.
제1 반송 로봇(240)은, 가배치대(180)와 기판 스테이션(203) 사이, 기판 스테이션(203)과 제1 세정 모듈(200a) 사이, 제1 세정 모듈(200a)과 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b) 사이 및 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b)과 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b) 사이에서 기판의 전달을 행하도록 동작한다. 또한, 제1 반송 로봇(240)은, 기판 스테이션(203)과 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b) 사이에서 기판의 전달을 행하도록 동작한다. 제1 반송 로봇(240)은, 가배치대(180)와 제1 세정 모듈(200a) 사이, 가배치대(180)와 제2 세정 모듈(201a 또는 201b) 사이에서의 기판의 전달을 행할 수도 있다.
제2 반송 로봇(250)은, 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)과 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b) 사이에서 기판의 전달을 행하도록 동작한다. 제2 반송 로봇(250)은, 세정된 기판만을 반송하므로, 1개의 핸드(256)만을 구비하고 있다.
도 1에 도시하는 반송 로봇(22)은, 그 상측의 핸드를 사용하여, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)에 의해 기판을 취출하고, 그 기판을 기판 카세트로 복귀시킨다. 반송 로봇(22)의 상측 핸드가 건조 모듈(205a, 205b)에 액세스할 때에는, 격벽(1a)에 설치되어 있는 셔터(도시하지 않음)가 개방되도록 되어 있다.
세정부(4)는, 1대의 제1 세정 모듈(200a), 2대의 제2 세정 모듈(201a, 201b) 및 2대의 제3 세정 모듈(202a, 202b)을 구비하고 있고, 복수의 기판을 병렬하여 세정하는 복수의 세정 라인을 구성할 수 있다. 「세정 라인」이라 함은, 세정부(4)의 내부에 있어서, 1매의 기판이 복수의 세정 모듈에 의해 세정될 때의 이동 경로이다.
도 8 및 도 9는, 제1 세정 모듈(200a)을 도시한다. 제1 세정 모듈(200a)은, 외벽에 의해 둘러싸인 상자 형상의 형상을 이루고 있다. 제1 세정 모듈(200a)의 외벽에는, 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 개구가 설치되고, 이 개구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다(도시하지 않음). 세정 모듈에 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 개구는, 세정부에 세정 모듈을 설치하였을 때에, 반송실에 면하는 측에 설치되어 있다. 이 제1 세정 모듈(200a)은, 본 예에서는, 내부에 린스 세정기를 갖는 린스 세정 모듈에서, 기판(W)을 수평으로 파지하여 회전시키는 회전 척(260)과, 이 회전 척(260)에 의해 파지되는 기판(W)의 상방에 배치되고, 기판(W)의 표면(상면)에 HF 등의 약액을 공급하는 약액 공급 노즐(262)과, 기판(W)의 표면에 린스용 순수를 공급하는 순수 공급 노즐(264)을 갖고 있다.
이에 의해, 회전 척(260)에 의해 파지하여 기판을 수평 회전시키면서, 이 수평 회전 중인 기판(W)의 표면(상면)에, 우선 HF 등의 약액을 공급하여 기판(W)의 표면을 세정하고, 그 후, 기판(W)의 표면에 린스액으로서의 순수를 공급함으로써, 기판(W)의 표면을 린스 세정하도록 되어 있다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 제1 세정 모듈(200a)의 외벽에는, 순수 공급 노즐(264)에 순수를 공급하는 배관(401)이 설치되고, 또한 약액 공급 노즐(262)에 약액을 공급하는 배관(402)이 설치되어 있다.
또한, 기판(W)의 하방에는 기판(W)의 하면에 HF 등의 약액을 공급하는 약액 공급 노즐(도시하지 않음)과, 기판(W)의 하면에 린스용 순수를 공급하는 순수 공급 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 제1 세정 모듈(200a)의 외벽 또는 저부에는, 각각 순수 및 약액이 공급되는 배관이 설치되어 있고, 이들 배관에 상기 노즐이 접속되어 있다. 또한, 상자 형상의 제1 세정 모듈(200a)의 저부에는, 세정 후에 저류된 폐액을 배출하는 배출구와, 배출구에 이어지는 배관(403)이 설치되어 있다.
본 예에서는, 제2 세정 모듈(201a, 201b) 및 제3 세정 모듈(202a, 202b)로서, 내부에 롤 스크럽 세정기를 갖는, 동일한 구성을 갖는 롤 스크럽 세정 모듈을 사용하고 있다. 이하, 제2 세정 모듈(201a)에 대해 설명한다.
도 10은, 제2 세정 모듈(201a)의 내부의 롤 스크럽 세정기를 도시하는 사시도이다. 제2 세정 모듈(201a)은, 외벽에 의해 둘러싸인 상자 형상의 형상을 이루고 있다. 제2 세정 모듈(201a)의 외벽에는, 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 개구가 설치되고, 이 개구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다(도시하지 않음). 이 롤 스크럽 세정기는, 기판(W)을 보유 지지하여 회전시키는 4개의 롤러(301, 302, 303, 304)와, 기판(W)의 상하면에 접촉하는 롤 스펀지(세정구)(307, 308)와, 이들 롤 스펀지(307, 308)를 회전시키는 회전 기구(310, 311)와, 기판(W)의 상하면에 세정액(예를 들어, 순수)을 공급하는 세정액 공급 노즐(315, 316)과, 기판(W)의 상하면에 에칭액(약액)을 공급하는 에칭액 공급 노즐(317, 318)을 구비하고 있다. 롤러(301, 302, 303, 304)는 도시하지 않은 구동 기구(예를 들어, 에어 실린더)에 의해, 서로 근접 및 이격되는 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.
상측의 롤 스펀지(307)를 회전시키는 회전 기구(310)는, 그 상하 방향의 움직임을 가이드하는 가이드 레일(320)에 장착되어 있다. 또한, 이 회전 기구(310)는 승강 구동 기구(321)에 지지되어 있고, 회전 기구(310) 및 상측의 롤 스펀지(307)는 승강 구동 기구(321)에 의해 상하 방향으로 이동되도록 되어 있다. 또한, 도시하지 않았지만, 하측의 롤 스펀지(308)를 회전시키는 회전 기구(311)도 가이드 레일에 지지되어 있고, 승강 구동 기구에 의해 회전 기구(311) 및 하측의 롤 스펀지(308)가 상하 이동하도록 되어 있다. 또한, 승강 구동 기구로서는, 예를 들어 볼 나사를 사용한 모터 구동 기구 또는 에어 실린더가 사용된다.
기판(W)의 반입 반출시에는, 롤 스펀지(307, 308)는 서로 이격된 위치에 있다. 기판(W)의 세정시에는, 이들 롤 스펀지(307, 308)는 서로 근접하는 방향으로 이동하여 기판(W)의 상하면에 접촉한다. 롤 스펀지(307, 308)가 기판(W)의 상하면을 압박하는 힘은, 각각 승강 구동 기구(321) 및 도시하지 않은 승강 구동 기구에 의해 조정된다. 상측의 롤 스펀지(307) 및 회전 기구(310)는 승강 구동 기구(321)에 의해 하방으로부터 지지되어 있으므로, 상측의 롤 스펀지(307)가 기판(W)의 상면에 가하는 압박력은 0〔N〕으로부터의 조정이 가능하다.
롤러(301)는, 보유 지지부(301a)와 견부(지지부)(301b)의 2단 구성으로 되어 있다. 견부(301b)의 직경은 보유 지지부(301a)의 직경보다도 크고, 견부(301b) 상에 보유 지지부(301a)가 형성되어 있다. 롤러(302, 303, 304)도, 롤러(301)와 동일한 구성을 갖고 있다. 제1 반송 로봇(209)의 하측 아암에 의해 반송되어 온 기판(W)은, 우선 견부(301b, 302b, 303b, 304b) 상에 적재되고, 그 후 롤러(301, 302, 303, 304)가 기판(W)을 향해 이동함으로써 보유 지지부(301a, 302a, 303a, 304a)에 보유 지지된다. 4개의 롤러(301, 302, 303, 304) 중 적어도 1개는 도시하지 않은 회전 기구에 의해 회전 구동되도록 구성되고, 이에 의해 기판(W)은, 그 외주부가 롤러(301, 302, 303, 304)에 보유 지지된 상태로 회전한다. 견부(301b, 302b, 303b, 304b)는 하방으로 경사진 테이퍼면으로 되어 있고, 보유 지지부(301a, 302a, 303a, 304a)에 의해 보유 지지되어 있는 동안, 기판(W)은, 견부(301b, 302b, 303b, 304b)와 비접촉으로 유지된다.
세정 동작은 다음과 같이 행해진다. 우선, 기판(W)은, 롤러(301, 302, 303, 304)에 보유 지지되고, 회전된다. 이어서, 세정액 공급 노즐(315, 316)로부터 기판(W)의 상면 및 하면에 세정수가 공급된다. 그리고, 롤 스펀지(307, 308)가 그 축심 주위로 회전하면서 기판(W)의 상하면에 미끄럼 접촉함으로써, 기판(W)의 상하면을 롤 스크럽 세정한다. 롤 스크럽 세정 후, 롤 스펀지(307, 308)를 상방 및 하방으로 대피시키고, 에칭액 공급 노즐(317, 318)로부터 각각 기판(W)의 상면, 하면에 에칭액을 공급하여, 기판(W)의 상하면의 에칭(화학적 세정)을 행한다.
본 예에서는, 제3 세정 모듈(202a, 202b)로서, 제2 세정 모듈(201a)과 동일한 구성의 롤 스크럽 세정 모듈을 사용하고 있지만, 제3 세정 모듈(202a, 202b)로서, 예를 들어 펜슬 스크럽 세정 모듈이나 2유체 제트 세정 모듈을 사용해도 된다. 2유체 제트 세정 모듈은, 소량의 CO2 가스(탄산 가스)를 용해시킨 순수(DIW)와 N2 가스를 혼합하고, 그 혼합 유체를 기판의 표면에 분사하는 세정 모듈이다. 이 타입의 세정 모듈은, 미소한 액적과 충격 에너지에 의해 기판 상의 미소한 파티클을 제거할 수 있다. 특히, N2 가스의 유량 및 순수의 유량을 적절하게 조정함으로써, 손상이 없는 기판 세정을 실현할 수 있다. 또한, 탄산 가스를 용해시킨 순수를 사용함으로써, 정전기가 원인으로 되는 기판의 부식의 영향이 완화된다.
다음에, 건조 모듈(205a, 205b)의 구성에 대해 설명한다. 건조 모듈(205a, 205b)은, 모두 로타고니 건조를 행하는 로타고니 건조기를 내부에 갖는 모듈로, 동일한 구성을 갖고 있다. 이하, 건조 모듈(205a)에 대해 설명한다.
도 11은 건조 모듈(205a)의 내부의 로타고니 건조기를 도시하는 종단면도이고, 도 12는 로타고니 건조기를 도시하는 평면도이다. 건조 모듈(205a)은, 외벽에 의해 둘러싸인 상자 형상의 형상을 이루고 있다. 건조 모듈(205a)의 외벽에는, 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 개구가 설치되고, 이 개구를 개폐하는 셔터가 설치되어 있다(도시하지 않음). 로타고니 건조기는, 베이스(401)와, 이 베이스(401)에 지지된 4개의 원통 형상의 기판 지지 부재(402)를 구비하고 있다. 베이스(401)는 회전축(405)의 상단부에 고정되어 있고, 이 회전축(405)은 베어링(406)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 베어링(406)은 회전축(405)과 평행하게 연장되는 원통체(407)의 내주면에 고정되어 있다. 원통체(407)의 하단부는 가대(409)에 장착되어 있고, 그 위치는 고정되어 있다. 회전축(405)은, 풀리(411, 412) 및 벨트(414)를 통해 모터(415)에 연결되어 있고, 모터(415)를 구동시킴으로써, 베이스(401)는 그 축심을 중심으로 하여 회전하도록 되어 있다.
베이스(401)의 상면에는 회전 커버(450)가 고정되어 있다. 또한, 도 11은 회전 커버(450)의 종단면을 도시하고 있다. 회전 커버(450)는 기판(W)의 전체 둘레를 둘러싸도록 배치되어 있다. 회전 커버(450)의 종단면 형상은 직경 방향 내측으로 경사져 있다. 또한, 회전 커버(450)의 종단면은 매끄러운 곡선으로 구성되어 있다. 회전 커버(450)의 상단부는 기판(W)에 근접하고 있고, 회전 커버(450)의 상단부의 내경은 기판(W)의 직경보다 약간 크게 설정되어 있다. 또한, 회전 커버(450)의 상단부에는, 기판 지지 부재(402)의 외주면 형상을 따른 절결부(450a)가 각 기판 지지 부재(402)에 대응하여 형성되어 있다. 회전 커버(450)의 저면에는, 비스듬히 연장되는 액체 배출 구멍(451)이 형성되어 있다.
기판(W)의 상방에는, 기판(W)의 표면(프론트면)에 세정액으로서 순수를 공급하는 프론트 노즐(454)이 배치되어 있다. 프론트 노즐(454)은, 기판(W)의 중심을 향해 배치되어 있다. 이 프론트 노즐(454)은, 도시하지 않은 순수 공급원(세정액 공급원)에 접속되고, 프론트 노즐(454)을 통해 기판(W)의 표면의 중심에 순수가 공급되도록 되어 있다. 세정액으로서는, 순수 이외에 약액을 들 수 있다. 또한, 기판(W)의 상방에는, 로타고니 건조를 실행하기 위한 2개의 노즐(460, 461)이 병렬되어 배치되어 있다. 노즐(460)은, 기판(W)의 표면에 IPA 증기(이소프로필알코올과 N2 가스의 혼합기)를 공급하기 위한 것이고, 노즐(461)은 기판(W)의 표면의 건조를 방지하기 위해 순수를 공급하는 것이다. 이들 노즐(460, 461)은 기판(W)의 직경 방향을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다.
회전축(405)의 내부에는, 세정액 공급원(465)에 접속된 백 노즐(463)과, 건조 기체 공급원(466)에 접속된 가스 노즐(464)이 배치되어 있다. 세정액 공급원(465)에는, 세정액으로서 순수가 저류되어 있고, 백 노즐(463)을 통해 기판(W)의 이면에 순수가 공급되도록 되어 있다. 또한, 건조 기체 공급원(466)에는, 건조 기체로서, N2 가스 또는 건조 공기 등이 저류되어 있고, 가스 노즐(464)을 통해 기판(W)의 이면에 건조 기체가 공급되도록 되어 있다.
원통체(407)의 주위에는, 기판 지지 부재(402)를 들어올리는 리프트 기구(470)가 배치되어 있다. 이 리프트 기구(470)는, 원통체(407)에 대해 상하 방향으로 슬라이드 가능하게 구성되어 있다. 리프트 기구(470)는, 기판 지지 부재(402)의 하단부에 접촉하는 접촉 플레이트(470a)를 갖고 있다. 원통체(407)의 외주면과 리프트 기구(470)의 내주면 사이에는, 제1 기체 챔버(471)와 제2 기체 챔버(472)가 형성되어 있다. 이들 제1 기체 챔버(471)와 제2 기체 챔버(472)는, 각각 제1 기체 유로(474) 및 제2 기체 유로(475)에 연통되어 있고, 이들 제1 기체 유로(474) 및 제2 기체 유로(475)의 단부는, 도시하지 않은 가압 기체 공급원에 연결되어 있다. 제1 기체 챔버(471) 내의 압력을 제2 기체 챔버(472) 내의 압력보다도 높게 하면, 리프트 기구(470)가 상승한다. 한편, 제2 기체 챔버(472) 내의 압력을 제1 기체 챔버(471) 내의 압력보다도 높게 하면, 리프트 기구(470)가 하강한다. 또한, 도 12는 리프트 기구(470)가 하강 위치에 있는 상태를 도시하고 있다.
도 13은 도 11에 도시하는 베이스(401)의 평면도이다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 베이스(401)는 4개의 아암(401a)을 갖고, 각 아암(401a)의 선단에 기판 지지 부재(402)가 상하 이동 가능하게 지지되어 있다. 도 14의 (a)는 도 13에 도시하는 기판 지지 부재(402) 및 베이스(401)의 일부를 도시하는 평면도이고, 도 14의 (b)는 도 13의 A-A선 단면도이고, 도 14의 (c)는 도 14의 (b)의 B-B선 단면도이다.
베이스(401)의 아암(401a)은 기판 지지 부재(402)를 슬라이드 가능하게 보유 지지하는 보유 지지부(401b)를 갖고 있다. 또한, 이 보유 지지부(401b)는 아암(401a)과 일체로 구성해도 된다. 보유 지지부(401b)에는 상하로 연장되는 관통 구멍이 형성되어 있고, 이 관통 구멍에 기판 지지 부재(402)가 삽입되어 있다. 관통 구멍의 직경은 기판 지지 부재(402)의 직경보다도 약간 크고, 따라서 기판 지지 부재(402)는 베이스(401)에 대해 상하 방향으로 상대 이동 가능하게 되어 있고, 또한 기판 지지 부재(402)는 그 축심 주위로 회전 가능하게 되어 있다.
기판 지지 부재(402)의 하부에는, 스프링 받침(402a)이 장착되어 있다. 기판 지지 부재(402)의 주위에는 스프링(478)이 배치되어 있고, 스프링 받침(402a)에 의해 스프링(478)이 지지되어 있다. 스프링(478)의 상단부는 보유 지지부(401b)[베이스(401)의 일부]를 압박하고 있다. 따라서, 스프링(478)에 의해 기판 지지 부재(402)에는 하향의 힘이 작용하고 있다. 기판 지지 부재(402)의 외주면에는, 관통 구멍의 직경보다도 큰 직경을 갖는 스토퍼(402b)가 형성되어 있다. 따라서, 기판 지지 부재(402)는 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이, 하방으로의 이동이 스토퍼(402b)에 의해 제한된다.
기판 지지 부재(402)의 상단부에는, 기판(W)이 적재되는 지지 핀(479)과, 기판(W)의 주위 단부에 접촉하는 기판 파지부로서의 원통 형상의 클램프(480)가 설치되어 있다. 지지 핀(479)은 기판 지지 부재(402)의 축심 상에 배치되어 있고, 클램프(480)는 기판 지지 부재(402)의 축심으로부터 이격된 위치에 배치되어 있다. 따라서, 클램프(480)는 기판 지지 부재(402)의 회전에 수반하여 기판 지지 부재(402)의 축심 주위로 회전 가능하게 되어 있다. 여기서, 기판(W)과 접촉하는 부분의 부재로서는, 대전 방지를 위해, 도전성 부재(적합하게는, 철, 알루미늄, SUS)나, PEEK, PVC 등의 탄소 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
베이스(401)의 보유 지지부(401b)에는 제1 자석(481)이 장착되어 있고, 이 제1 자석(481)은 기판 지지 부재(402)의 측면에 대향하여 배치되어 있다. 한편, 기판 지지 부재(402)에는 제2 자석(482) 및 제3 자석(483)이 배치되어 있다. 이들 제2 자석(482) 및 제3 자석(483)은, 상하 방향으로 이격되어 배열되어 있다. 이들 제1∼제3 자석(481, 482, 483)으로서는, 네오디뮴 자석이 적합하게 사용된다.
도 15는 제2 자석(482)과 제3 자석(483)의 배치를 설명하기 위한 모식도로, 기판 지지 부재(402)의 축 방향으로부터 본 도면이다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 제2 자석(482)과 제3 자석(483)은 기판 지지 부재(402)의 주위 방향에 있어서 어긋나게 배치되어 있다. 즉, 제2 자석(482)과 기판 지지 부재(402)의 중심을 잇는 선과, 제3 자석(483)과 기판 지지 부재(402)의 중심을 잇는 선은, 기판 지지 부재(402)의 축 방향으로부터 보았을 때에 소정의 각도 α로 교차하고 있다.
기판 지지 부재(402)가, 도 14의 (b)에 도시하는 하강 위치에 있을 때, 제1 자석(481)과 제2 자석(482)이 서로 대향한다. 이때, 제1 자석(481)과 제2 자석(482) 사이에는 흡인력이 작용한다. 이 흡인력은, 기판 지지 부재(402)에 그 축심 주위로 회전하는 힘을 부여하고, 그 회전 방향은, 클램프(480)가 기판(W)의 주위 단부를 압박하는 방향이다. 따라서, 도 14의 (b)에 도시하는 하강 위치는, 기판(W)을 파지하는 클램프 위치라고 할 수 있다.
또한, 제1 자석(481)과 제2 자석(482)은 충분한 파지력이 발생할 정도로 서로 근접해 있기만 하면, 기판(W)을 파지할 때에 반드시 서로 대향하고 있지 않아도 된다. 예를 들어, 제1 자석(481)과 제2 자석(482)이 서로 기울어진 상태에서 근접하고 있는 경우라도, 그들 사이에 자력은 발생한다. 따라서, 이 자력이 기판 지지 부재(402)를 회전시켜 기판(W)을 파지시키는 데 충분한 정도로 크면, 제1 자석(481)과 제2 자석(482)은 반드시 서로 대향하고 있지 않아도 된다.
도 16의 (a)는 리프트 기구(470)에 의해 기판 지지 부재(402)를 상승시켰을 때의 기판 지지 부재(402) 및 아암(401a)의 일부를 도시하는 평면도이고, 도 16의 (b)는 리프트 기구(470)에 의해 기판 지지 부재(402)를 상승시켰을 때의 도 13의 A-A선 단면도이고, 도 16의 (c)는 도 16의 (b)의 C-C선 단면도이다.
리프트 기구(470)에 의해 기판 보유 지지 부재(402)를 도 16의 (b)에 도시하는 상승 위치까지 상승시키면, 제1 자석(481)과 제3 자석(483)이 대향하고, 제2 자석(482)은 제1 자석(481)으로부터 이격된다. 이때, 제1 자석(481)과 제3 자석(483) 사이에는 흡인력이 작용한다. 이 흡인력은 기판 지지 부재(402)에 그 축심 주위로 회전하는 힘을 부여하고, 그 회전 방향은, 클램프(480)가 기판(W)으로부터 이격되는 방향이다. 따라서, 도 16의 (b)에 도시하는 상승 위치는, 기판을 릴리스하는 언클램프 위치라고 할 수 있다. 이 경우도, 제1 자석(481)과 제3 자석(483)은 기판(W)의 파지를 개방할 때에 반드시 서로 대향하고 있지는 않아도 되고, 클램프(480)를 기판(W)으로부터 이격시키는 방향으로 기판 지지 부재(402)를 회전시킬 정도의 회전력(자력)을 발생시킬 정도로 서로 근접하고 있으면 된다.
제2 자석(482)과 제3 자석(483)은 기판 지지 부재(402)의 주위 방향에 있어서 어긋난 위치에 배치되어 있으므로, 기판 지지 부재(402)의 상하 이동에 수반하여 기판 지지 부재(402)에는 회전력이 작용한다. 이 회전력에 의해 클램프(480)에 기판(W)을 파지하는 힘과 기판(W)을 개방하는 힘이 부여된다. 따라서, 기판 지지 부재(402)를 상하 이동시키는 것만으로, 기판(W)을 파지하고, 또한 개방할 수 있다. 이와 같이, 제1 자석(481), 제2 자석(482) 및 제3 자석(483)은, 기판 지지 부재(402)를 그 축심 주위로 회전시켜 클램프(480)에 의해 기판(W)을 파지시키는 파지 기구(회전 기구)로서 기능한다. 이 파지 기구(회전 기구)는, 기판 지지 부재(402)의 상하 이동에 의해 동작한다.
리프트 기구(470)의 접촉 플레이트(470a)는 기판 지지 부재(402)의 하방에 위치하고 있다. 접촉 플레이트(470a)가 상승하면, 접촉 플레이트(470a)의 상면이 기판 지지 부재(402)의 하단부에 접촉하고, 기판 지지 부재(402)는 스프링(478)의 압박력에 저항하여 접촉 플레이트(470a)에 의해 들어 올려진다. 접촉 플레이트(470a)의 상면은 평탄한 면이고, 한편, 기판 지지 부재(402)의 하단부는 반구 형상으로 형성되어 있다. 본 예에서는, 리프트 기구(470)와 스프링(478)에 의해, 기판 지지 부재(402)를 상하 이동시키는 구동 기구가 구성된다. 또한, 구동 기구로서는, 예를 들어 서보 모터를 사용한 구성으로 할 수도 있다.
기판 지지 부재(402)의 측면에는, 그 축심을 따라 연장되는 홈(484)이 형성되어 있다. 이 홈(484)은 원호 형상의 수평 단면을 갖고 있다. 베이스(401)의 아암(401a)[본 예에서는 보유 지지부(401b)]에는, 홈(484)을 향해 돌출되는 돌기부(485)가 형성되어 있다. 이 돌기부(485)의 선단은, 홈(484)의 내부에 위치하고 있고, 돌기부(485)는 홈(484)에 느슨하게 결합되어 있다. 이 홈(484) 및 돌기부(485)는 기판 지지 부재(402)의 회전 각도를 제한하기 위해 형성되어 있다.
다음에, 상술한 바와 같이 구성된 건조 모듈(205a)의 동작에 대해 설명한다.
우선, 모터(415)에 의해 기판(W) 및 회전 커버(450)를 일체로 회전시킨다. 이 상태에서, 프론트 노즐(454) 및 백 노즐(463)로부터 순수를 기판(W)의 표면(상면) 및 이면(하면)에 공급하여, 기판(W)의 전체면을 순수로 린스한다. 기판(W)에 공급된 순수는, 원심력에 의해 기판(W)의 표면 및 이면 전체로 확산되고, 이에 의해 기판(W) 전체가 린스된다. 회전하는 기판(W)으로부터 떨쳐내어진 순수는, 회전 커버(450)에 포착되어 액체 배출 구멍(451)으로 유입된다. 기판(W)의 린스 처리의 동안, 2개의 노즐(460, 461)은 기판(W)으로부터 이격된 소정의 대기 위치에 있다.
다음에, 프론트 노즐(454)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 프론트 노즐(454)을 기판(W)으로부터 이격된 소정의 대기 위치로 이동시키는 동시에, 2개의 노즐(460, 461)을 기판(W)의 상방의 작업 위치로 이동시킨다. 그리고, 기판(W)을 30∼150min-1의 속도로 저속 회전시키면서, 노즐(460)로부터 IPA 증기를, 노즐(461)로부터 순수를 기판(W)의 표면을 향해 공급한다. 이때, 기판(W)의 이면에도 백 노즐(463)로부터 순수를 공급한다. 그리고, 2개의 노즐(460, 461)을 동시에 기판(W)의 직경 방향을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 표면(상면)이 건조된다.
그 후, 2개의 노즐(460, 461)을 소정의 대기 위치로 이동시켜, 백 노즐(463)로부터의 순수의 공급을 정지한다. 그리고, 기판(W)을 1000∼1500min-1의 속도로 고속 회전시켜, 기판(W)의 이면에 부착되어 있는 순수를 떨쳐낸다. 이때, 가스 노즐(464)로부터 건조 기체를 기판(W)의 이면에 분사한다. 이와 같이 하여 기판(W)의 이면이 건조된다. 건조된 기판(W)은, 도 1에 도시하는 반송 로봇(22)에 의해 건조 모듈(205a)로부터 취출되어, 기판 카세트로 복귀된다. 이와 같이 하여, 연마, 세정 및 건조를 포함하는 일련의 처리가 기판에 대해 행해진다.
상술한 바와 같이 구성된 건조 모듈(205a)에 따르면, 기판(W)의 양면을 신속하고 또한 효과적으로 건조시킬 수 있고, 또한 정확하게 건조 처리의 종료 시점을 제어할 수 있다. 따라서, 건조 처리를 위한 처리 시간이 세정 프로세스 전체의 율속 공정으로 되는 일은 없다. 또한, 세정부(4)에 형성되는 상술한 복수의 세정 라인에서의 처리 시간은 평준화할 수 있으므로, 프로세스 전체의 처리량을 향상시킬 수 있다.
다음에, 세정부(4)의 기판 스테이션(203)으로 반송한 기판을, 제1 세정 모듈(200a), 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b) 및 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)의 순으로 반송하면서 세정하고, 그 후, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)로 반송할 때까지의 경로에 대해, 도 17을 참조하여 설명한다. 또한, 기판 스테이션(203)을 거치는 일 없이, 가배치대(180)로부터 제1 세정 모듈(200a)로 기판을 제1 반송 로봇(240)에 의해 직접 반송하는 경우도 마찬가지이다. 이 경로는, 예를 들어 연마가 종료된 기판의 표면에 다량의 슬러리나 연마 부스러기 등이 부착되어 있는 경우의 세정에 적합하고, 이 경로를 따라 기판을 반송하여, 기판에 부착되어 있는 슬러리나 연마 부스러기 등을 린스 세정 처리에 의해 미리 제거한 후, 기판을 롤 스크럽 세정함으로써, 롤 스크럽 세정 중에 기판이 손상되거나, 기판에 파티클이 재부착되는 것을 방지할 수 있다.
우선, 기판 스테이션(203)으로부터 취출한 기판을, 제1 세정 모듈(200a)로 반송하고[경로 (1)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 기판의 린스 세정을 행한다. 이 린스 세정 후의 기판은, 2개의 세정 라인을 따라 반송된다.
즉, 제1 세정 라인에서는, 기판은, 우선 제1 세정 모듈(200a)로부터 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)로 반송되어[경로 (2-a)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201a)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)로 반송되어[경로 (3-a)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202a)에서 다시 롤 스크럽 세정된다. 그리고, 건조실(194)의 상부에 위치하는 건조 모듈(205a)로 반송된다[경로 (4-a)].
한편, 제2 세정 라인에서는, 기판은, 우선 제1 세정 모듈(200a)로부터 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)로 반송되어[경로 (2-b)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201b)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)로 반송되어[경로 (3-b)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202b)에서 다시 롤 스크럽 세정된다. 그리고, 건조실(194)의 하부에 위치하는 건조 모듈(205b)로 반송된다[경로 (4-b)]. 이와 같이 2개의 병렬되는 세정 라인에 의해, 복수(전형적으로는 2매)의 기판을 거의 동시에 세정 및 건조시킬 수 있다.
다음에, 세정부(4)의 기판 스테이션(203)으로 반송한 기판을, 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 한쪽, 제1 세정 모듈(200a) 및 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)의 순으로 반송하면서 세정하고, 그 후, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)로 반송할 때까지의 경로에 대해 도 18을 참조하여 설명한다. 또한, 기판 스테이션(203)을 거치는 일 없이, 가배치대(180)로부터 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 한쪽으로 기판을 제1 반송 로봇(240)에 의해 직접 반송하는 경우도 마찬가지이다. 이 경로는, 기판 표면의 산화막 등을 산성 약액을 사용한 롤 스크럽 세정에 의해 세정한 후, 롤 스크럽 세정 후의 기판을 순수 등으로 린스 세정하는 것에의 요망에 대응할 수 있다. 이 경로에 있어서, 기판은 2개의 세정 라인을 따라 반송된다.
즉, 제1 세정 라인에서는, 기판 스테이션(203)으로부터 취출된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)로 반송되어[경로 (1-a)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201a)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제1 세정 모듈(200a)로 반송되어[경로 (2-a)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 린스 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)로 반송되어[경로 (3-a)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202a)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 상부에 위치하는 건조 모듈(205a)로 반송된다[경로 (4-a)].
한편, 제2 세정 라인에서는, 기판 스테이션(203)으로부터 취출된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)로 반송되어[경로 (1-b)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201b)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제1 세정 모듈(200a)로 반송되어[경로 (2-b)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 린스 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)로 반송되어[경로 (3-b)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202b)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 하부에 위치하는 건조 모듈(205b)로 반송된다[경로 (4-b)].
이 세정부(4)에 따르면, 2대의 제2 세정 모듈(201a, 201b)이 설치되어 있으므로, 선행하는 기판이 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 한쪽에서 세정되고 있는 경우라도, 다른 쪽의 제2 세정 모듈에 기판을 반입하여 이것을 세정할 수 있다. 따라서, 고 처리량을 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 연마 후의 기판을 즉시 세정할 수 있다.
제2 세정 모듈(201a, 201b)에 사용되는 세정액의 농도와, 제3 세정 모듈(202a, 202b)에 사용되는 세정액의 농도는 다르게 해도 된다. 예를 들어, 제2 세정 모듈(201a, 201b)에 사용되는 세정액의 농도를, 제3 세정 모듈(202a, 202b)에 사용되는 세정액의 농도보다도 높게 한다. 통상, 세정 효과는, 세정액의 농도와 세정 시간에 거의 비례한다고 생각된다. 따라서, 제2 세정 모듈(201a, 201b)에서 농도가 높은 세정액을 사용함으로써, 기판의 오염이 심한 경우라도, 제2 세정 모듈(201a, 201b)에 의한 세정 시간과 제3 세정 모듈(202a, 202b)에 의한 세정 시간을 거의 동등하게 할 수 있다.
도 19는 다른 세정부(4a)를 도시하는 정면도이다. 이 세정부(4a)가 전술한 세정부(4)와 다른 점은, 제1 세정 모듈(200a)과 동일 구성의 2대째의 제1 세정 모듈(200b)을 더 구비하고, 이 제1 세정 모듈(200b)을 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)의 하방에 종방향으로 배치한 점에 있다.
본 예의 세정부(4a)의 기판 스테이션(203)으로 반송한 기판을, 한쪽의 제1 세정 모듈(200a 또는 200b), 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b) 및 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)의 순으로 반송하면서 세정하고, 그 후, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)로 반송할 때까지의 경로에 대해, 도 20을 참조하여 설명한다. 이 경로에 있어서, 기판은 2개의 세정 라인을 따라 반송된다.
즉, 제1 세정 라인에서는, 기판 스테이션(203)으로부터 취출된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제1 세정 모듈(200a)로 반송되어[경로 (1-a)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 린스 세정된 후, 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)로 반송되어[경로 (2-a)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201a)에서 롤 스크럽 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)로 반송되어[경로 (3-a)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202a)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 상부에 위치하는 건조 모듈(205a)로 반송된다[경로 (4-a)].
한편, 제2 세정 라인에서는, 기판 스테이션(203)으로부터 취출된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제1 세정 모듈(200b)로 반송되어[경로 (1-b)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200b)에서 린스 세정된 후, 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)로 반송되어[경로 (2-b)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201b)에서 롤 스크럽 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)로 반송되어[경로 (3-b)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202b)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 하부에 위치하는 건조 모듈(205b)로 반송된다[경로 (4-b)].
다음에, 세정부(4a)의 기판 스테이션(203)으로 반송한 기판을, 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b), 한쪽의 제1 세정 모듈(200a 또는 200b) 및 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)의 순으로 반송하면서 세정하고, 그 후, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)로 반송할 때까지의 경로에 대해, 도 21을 참조하여 설명한다. 이 경로에 있어서 기판은, 2개의 세정 라인을 따라 반송된다.
즉, 제1 세정 라인에서는, 기판 스테이션(203)으로부터 취출된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)로 반송되어[경로 (1-a)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201a)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제1 세정 모듈(200a)로 반송되어[경로 (2-a)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 린스 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)로 반송되어[경로 (3-a)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202a)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 상부에 위치하는 건조 모듈(205a)로 반송된다[경로 (4-a)].
한편, 제2 세정 라인에서는, 기판 스테이션(203)으로부터 취출된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)로 반송되어[경로 (1-b)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201b)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제1 세정 모듈(200b)로 반송되어[경로 (2-b)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200b)에서 린스 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)로 반송되어[경로 (3-b)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202b)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 하부에 위치하는 건조 모듈(205b)로 반송된다[경로 (4-b)].
이와 같이, 세정부(4a)는 2대의 제1 세정 모듈(200a, 200b)을 구비하고, 제1 세정 모듈로부터 제3 세정 모듈까지를 1대 1로 대응시킴으로써, 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 22는 또 다른 세정부(4b)를 도시하는 정면도이다. 이 세정부(4b)가 전술한 세정부(4)와 다른 점은, 기판 스테이션을 구비하는 일 없이, 제1 세정 모듈(200a)과 동일 구성의 2대째의 제1 세정 모듈(200b)을 더 구비하고, 이 제1 세정 모듈(200b)을 제3 세정 모듈(202a, 202b)의 사이에 위치시켜 종방향으로 배치한 점에 있다.
본 예에 있어서, 제1 반송실(191) 내에 배치되는 제1 반송 로봇(240)은, 제1 세정실(190) 내의 제1 세정 모듈(200a) 및 제2 세정실(192) 내의 제1 세정 모듈(200b) 중 한쪽으로의 기판의 전달, 제1 세정실(190) 내의 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 한쪽으로의 기판의 전달 및 제2 세정실(192) 내의 제1 세정 모듈(200b)과 제3 세정 모듈(202a, 202b) 중 한쪽과의 사이의 기판의 전달을 또한 행하도록 동작한다.
본 예에 있어서는, 기판 스테이션이 구비되어 있지 않으므로, 가배치대(180)에 가배치된 기판이 세정부(4b)의 내부에 반입된다.
본 예의 세정부(4b)에 있어서의, 가배치대(180)에 가배치된 기판을, 한쪽의 제1 세정 모듈(200a 또는 200b), 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b) 및 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)의 순으로 반송하면서 세정하고, 그 후, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)로 반송할 때까지의 경로에 대해, 도 23을 참조하여 설명한다. 이 경로에 있어서 기판은, 2개의 세정 라인을 따라 반송된다.
즉, 제1 세정 라인에서는, 가배치대(180)에 가배치된 기판은, 우선 제1 세정실(190) 내의 제1 세정 모듈(200a)로 반송되어[경로 (1-a)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 린스 세정된 후, 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)로 반송되어[경로 (2-a)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201a)에서 롤 스크럽 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)로 반송되어[경로 (3-a)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202a)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 상부에 위치하는 건조 모듈(205a)로 반송된다[경로 (4-a)].
한편, 제2 세정 라인에서는, 가배치대(180)에 가배치된 기판은, 우선 제2 세정실(192) 내의 제1 세정 모듈(200b)로 반송되어[경로 (1-b)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200b)에서 린스 세정된 후, 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)로 반송되어[경로 (2-b)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201b)에서 롤 스크럽 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)로 반송되어[경로 (3-b)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202b)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 하부에 위치하는 건조 모듈(205b)로 반송된다[경로 (4-b)].
다음에, 가배치대(180)에 가배치된 기판을, 한쪽의 제2 세정 모듈(201a 또는 201b), 한쪽의 제1 세정 모듈(200a 또는 200b) 및 한쪽의 제3 세정 모듈(202a 또는 202b)의 순으로 반송하면서 세정하고, 그 후, 한쪽의 건조 모듈(205a 또는 205b)로 반송할 때까지의 경로에 대해, 도 24를 참조하여 설명한다. 이 경로에 있어서, 기판은 2개의 세정 라인을 따라 반송된다.
즉, 제1 세정 라인에서는, 가배치대(180)에 가배치된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 상부에 위치하는 제2 세정 모듈(201a)로 반송되어[경로 (1-a)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201a)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제1 세정실(190) 내의 제1 세정 모듈(200a)로 반송되어[경로 (2-a)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200a)에서 린스 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 상부에 위치하는 제3 세정 모듈(202a)로 반송되어[경로 (3-a)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202a)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 상부에 위치하는 건조 모듈(205a)로 반송된다[경로 (4-a)].
한편, 제2 세정 라인에서는, 가배치대(180)에 가배치된 기판은, 우선 제1 세정실(190)의 하부에 위치하는 제2 세정 모듈(201b)로 반송되어[경로 (1-b)], 이 제2 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(201b)에서 롤 스크럽 세정된 후, 제2 세정실(192) 내의 제1 세정 모듈(200b)로 반송되어[경로 (2-b)], 이 제1 세정 모듈(린스 세정 모듈)(200b)에서 린스 세정된다. 다음에, 제2 세정실(192)의 하부에 위치하는 제3 세정 모듈(202b)로 반송되어[경로 (3-b)], 이 제3 세정 모듈(롤 스크럽 세정 모듈)(202b)에서 다시 롤 스크럽 세정된 후, 건조실(194)의 하부에 위치하는 건조 모듈(205b)로 반송된다[경로 (4-b)].
이상과 같이, 본 발명의 기판 처리 장치에 따르면, 처리량의 향상 및 공간 절약화를 도모하면서, 제1 세정실(190) 내의 제1 세정 모듈(200a)에서 기판을 세정한 후에 2개의 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 어느 한쪽에서 기판을 세정하고, 또한 제2 세정실(192) 내의 제3 세정 모듈(202a, 202b) 중 어느 한쪽에서 기판을 세정할 수 있고, 또한 제1 세정실(190) 내의 2개의 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 어느 한쪽에서 기판을 세정한 후에 제1 세정실(190) 내의 제1 세정 모듈(200a)에서 기판을 세정하고, 또한 제2 세정실(192) 내의 제3 세정 모듈(202a, 202b) 중 어느 한쪽에서 세정할 수 있다. 즉, 최초의 세정에, 제1 세정 모듈(200a)을 사용하는 경우와, 2개의 제2 세정 모듈(201a, 201b) 중 어느 한쪽을 사용하는 경우가 있다. 이에 의해, 예를 들어 산화막 등의 막질 등의 차이에 대응한 세정 패턴의 변경에 플렉시블하게 대응할 수 있다.
상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자가 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은, 기재된 실시 형태에 한정되는 일은 없고, 특허청구범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해야 한다.
3 : 연마부
3A, 3B, 3C, 3D : 연마 유닛
4 : 세정부
5 : 제어부
6 : 제1 리니어 트랜스포터
7 : 제2 리니어 트랜스포터
10 : 연마 패드
12 : 스윙 트랜스포터
22 : 반송 로봇
30A, 30B, 30C, 30D : 연마 테이블
31A, 31B, 31C, 31D : 톱 링
190 : 제1 세정실
191 : 제1 반송실
192 : 제2 세정실
193 : 제2 반송실
194 : 건조실
200a, 200b : 제1 세정 모듈
201a, 201b : 제2 세정 모듈
202a, 202b : 제3 세정 모듈
203 : 기판 스테이션
205a, 205b : 건조 모듈
210 : 상부 레일
210a∼210d : 오목부
216a∼216d : 롤러
220 : 대차 레일
222 : 대차
224 : 핸들
226 : 포크
228 : 리프터
240 : 제1 반송 로봇
244 : 승강대
246, 246a, 246b : 핸드
250 : 제2 반송 로봇
254 : 승강대
256 : 핸드
260 : 회전 척
262 : 약액 공급 노즐
264 : 순수 공급 노즐
301∼304 : 롤러
307, 308 : 롤 스펀지
321 : 승강 구동 기구
401 : 베이스
402 : 기판 지지 부재
415 : 모터
450 : 회전 커버
454 : 프론트 노즐
460, 461 : 노즐
463 : 백 노즐
464 : 가스 노즐
470 : 리프트 기구
481, 482, 483 : 자석

Claims (6)

  1. 적어도 1개 이상의 제1 세정 모듈과 2개의 제2 세정 모듈을 종방향으로 나열하여 배치한 제1 세정실과,
    2개의 제3 세정 모듈을 종방향으로 배치한 제2 세정실과,
    상기 제1 세정실과 상기 제2 세정실 사이의 제1 반송실 내에 수납되고, 상기 제1 세정 모듈, 상기 제2 세정 모듈 및 상기 제3 세정 모듈의 상호간에서 기판의 전달을 행하는 제1 반송 로봇을 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 반송 로봇은, 승강 가능한 승강대에 구비되고, 서로 독립적으로 동작하여 기판을 보유 지지하는 2개의 핸드를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정 모듈은 린스 세정 모듈이고, 상기 제2 세정 모듈은 롤 스크럽 세정 모듈인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 세정실에는 상기 제1 세정 모듈이 1개 구비되고, 상기 제2 세정실에는 1개의 상기 제1 세정 모듈이 상기 제3 세정 모듈과 함께 종방향으로 배치되어 구비되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 2개의 건조 모듈을 종방향으로 배치한 건조실과,
    상기 건조실과 상기 제2 세정실 사이의 제2 반송실 내에 배치되고, 상기 제2 세정실 내의 제3 세정 모듈과 상기 건조실 내의 건조 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하는 제2 반송 로봇을 더 갖는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  6. 복수의 세정 모듈을 종방향으로 배치하는 세정실을 구비하고,
    상기 세정실에는 상기 세정 모듈을 지지하는 한 쌍의 레일이, 상기 세정 모듈의 하면에는 상기 한 쌍의 레일 상을 주행하는 3세트 이상의 롤러가 각각 설치되고,
    상기 세정 모듈이 상기 세정실 내의 소정 위치에 위치할 때에 상기 한 쌍의 레일의 상면의 상기 3세트 이상의 롤러에 각각 대응하는 위치에는 오목부가 형성되고,
    상기 세정 모듈이 상기 세정실 내의 소정 위치에 위치하는 일 없이, 1세트의 롤러만이 상기 한 쌍의 레일에 형성된 1개의 오목부에 대향하는 위치에 위치할 때에, 다른 2세트 이상의 롤러는, 상기 한 쌍의 레일에 접촉하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
KR1020130113264A 2012-09-27 2013-09-24 기판 처리 장치 KR20140041351A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012213962 2012-09-27
JPJP-P-2012-213962 2012-09-27
JP2013193712A JP2014082470A (ja) 2012-09-27 2013-09-19 基板処理装置
JPJP-P-2013-193712 2013-09-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140041351A true KR20140041351A (ko) 2014-04-04

Family

ID=50337656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130113264A KR20140041351A (ko) 2012-09-27 2013-09-24 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140083468A1 (ko)
JP (1) JP2014082470A (ko)
KR (1) KR20140041351A (ko)
CN (1) CN103700606A (ko)
TW (1) TW201425191A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200000814A (ko) * 2018-06-25 2020-01-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220001770A (ko) * 2020-06-30 2022-01-06 주식회사 케이씨텍 수직 배열 구조를 갖는 기판 처리 시스템

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101958874B1 (ko) * 2008-06-04 2019-03-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법
KR101147192B1 (ko) * 2011-11-11 2012-05-25 주식회사 엘에스테크 웨이퍼 표면상의 증착 이물 제거 장치
WO2016024346A1 (ja) * 2014-08-13 2016-02-18 株式会社東京精密 プローバ及びプローブ検査方法
JP2017108113A (ja) * 2015-11-27 2017-06-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法ならびに基板処理装置の制御プログラム
JP2017103431A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置の排気装置
JP6727044B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6403722B2 (ja) * 2016-07-21 2018-10-10 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
JP6710129B2 (ja) * 2016-09-02 2020-06-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP6863788B2 (ja) * 2017-03-21 2021-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス フィルタ連結装置およびこれを備えた基板処理装置
JP7002874B2 (ja) * 2017-07-21 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
KR102020235B1 (ko) * 2017-10-30 2019-11-04 세메스 주식회사 반도체 이송 장치용 세정 장치
TWI789842B (zh) * 2020-09-11 2023-01-11 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置
US20220111485A1 (en) * 2020-10-08 2022-04-14 Kctech Co., Ltd. Substrate processing system
US20220111486A1 (en) * 2020-10-08 2022-04-14 Kctech Co., Ltd. Substrate processing system
US11728185B2 (en) 2021-01-05 2023-08-15 Applied Materials, Inc. Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200000814A (ko) * 2018-06-25 2020-01-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220001770A (ko) * 2020-06-30 2022-01-06 주식회사 케이씨텍 수직 배열 구조를 갖는 기판 처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN103700606A (zh) 2014-04-02
JP2014082470A (ja) 2014-05-08
US20140083468A1 (en) 2014-03-27
TW201425191A (zh) 2014-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140041351A (ko) 기판 처리 장치
KR102432238B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI654698B (zh) 擦光處理組件、基板處理裝置及擦光墊清洗方法
TW201442092A (zh) 研磨裝置及研磨方法
WO2013133401A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
TWI681449B (zh) 研磨方法及研磨裝置
US6358131B1 (en) Polishing apparatus
JP6987184B2 (ja) 基板処理装置
WO2019031590A1 (ja) 基板処理装置
US11541502B2 (en) Substrate processing apparatus
JP7394821B2 (ja) 基板処理装置
WO2023037716A1 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、及び基板洗浄装置のメンテナンス方法
US20240286245A1 (en) Substrate treatment apparatus and method for treating substrate
JP2000317827A (ja) ポリッシング装置
JP2022043176A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid