KR20140038397A - 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 - Google Patents
간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140038397A KR20140038397A KR1020137028575A KR20137028575A KR20140038397A KR 20140038397 A KR20140038397 A KR 20140038397A KR 1020137028575 A KR1020137028575 A KR 1020137028575A KR 20137028575 A KR20137028575 A KR 20137028575A KR 20140038397 A KR20140038397 A KR 20140038397A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- beams
- substrate
- transducer
- layer
- cantilever
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 5
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001683 neutron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
- H04R31/003—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor for diaphragms or their outer suspension
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
- H04R7/04—Plane diaphragms
- H04R7/06—Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
- H04R17/02—Microphones
- H04R17/025—Microphones using a piezoelectric polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2410/00—Microphones
- H04R2410/03—Reduction of intrinsic noise in microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
바람직한 실시예의 변환기는, 변환기 및 복수의 인접하는 테이퍼진 캔틸레버 빔들을 포함한다. 각 빔은 빔 베이스와, 빔 팁과, 빔 베이스 및 빔 팁 사이에 배치되는 빔 바디를 정의한다. 빔들은 각 빔 팁이 공통 영역을 향하여 연장되도록 배열된다. 각 빔은 빔 베이스를 따라 기판에 접합되고, 빔 바디를 따라 기판으로부터 벗어난다. 변환기를 제조하는 바람직한 방법은, 블록에서 기판상으로 교번적인 압전층 및 전극층을 증착시키는 단계와, 블록에서 캔틸레버 구조를 정의하기 위해 증착된 층들을 처리하는 단계와, 블록에서 금속 트레이스들을 증착시키는 단계와, 블록에서 기판으로부터 캔틸레버 빔들을 해제시키는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 출원은 2011년 3월 31일에 출원된 미국 가출원 번호 제61/470,384호 "간극 제어 구조를 구비한 음향 센서 및 음향 센서를 제조하는 방법(Acoustic Sensor with Gap-Controlling Geometry and Method of Manufacturing an Acoustic Sensor)"의 우선권을 주장하며, 그 전부가 여기에 참조로 포함된다.
음향 변환기 기술의 현재 동향은 보다 작은 마이크로폰을 향하고 있다. 현재, 대부분의 응용에서는 얇은 전하 운반막(charge-carrying membrane)을 기반으로 하는 일렉트릿(electret) 마이크로폰이 사용되고 있다. 그러나, 이러한 마이크로폰은 고온에 노출된 후에 열화되는 문제를 갖는다. 용량성(capacitive) MEMS 마이크로폰은, 솔더 리플로우 과정에서 경험하는 고온에 견딜 수 있고, 이에 따라 제조 비용을 절감할 수 있기 때문에, 인기를 얻고 있다. 압전 MEMS 마이크로폰은, 30년 이상 연구되어 왔고, 일렉트릿 마이크로폰 및 MEMS 용량성 마이크로폰의 장점들을 비용 효율적 방식으로 잠재적으로 조합할 수 있다. 불행하게도, 전통적으로 압전 MEMS 마이크로폰은 부분적으로 박막 내의 잔류 응력에 의하여 초래되는 다이어프램 장력으로 인한 높은 잡음 플로어(noise floor)에 따른 문제를 갖는다. 예를 들면, 다이어프램 마이크로폰은 모든 에지에서 제한을 받아 높은 다이어프램 장력이 초래되어 민감도를 저하시킨다. 또한, 직사각형 캔틸레버 빔 마이크로폰과 같은 종래의 캔틸레버 디자인은 주변 기판으로부터 실질적으로 해제되어 있음에도 불구하고 잔류 응력의 영향에 따른 문제를 가지며, 대신, 작은 잔류 응력량은 캔틸레버를 기판 평면으로부터 멀어지도록 상측 또는 하측으로 구부러지게 한다. 이러한 구부러짐은 캔틸레버 둘레의 간극을 증가시켜, 음향 저항을 감소시키고, 저주파 민감도의 바람직하지 않은 저하를 야기한다.
그러므로, 압전 MEMS 음향 변환기 분야에서 잔류 응력에도 불구하고 저주파 민감도를 갖는 새롭고 유용한 음향 변환기를 생성할 것이 요구된다.
도 l은 종래 기술의 대표적인 변환기를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 캔틸레버 빔의 평면에 대한 현미경 사진이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d, 및 도 3e는 각각 본 발명의 바람직한 제1, 제2, 제3, 제4, 및 제5 실시예들을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 변환기의 일부를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변환기를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6a 내지 도 6h는 본 바람직한 실시예의 방법의 일 변형예에 따라 제조된 변환기의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 캔틸레버 빔의 평면에 대한 현미경 사진이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d, 및 도 3e는 각각 본 발명의 바람직한 제1, 제2, 제3, 제4, 및 제5 실시예들을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 변환기의 일부를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변환기를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6a 내지 도 6h는 본 바람직한 실시예의 방법의 일 변형예에 따라 제조된 변환기의 일례를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예들에 대한 아래의 설명은 본 발명을 이 바람직한 실시예들에 한정하고자 하는 것이 아니며, 오히려 MEMS 음향 변환기의 통상의 기술자가 본 발명을 실시 및 사용할 수 있게 하고자 하는 것이다.
음향 변환기
도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 바람직한 실시예의 변환기(100)는 기판(160)과, 간극 제어 배열로 배열된 다수의 캔틸레버 빔들(120)을 포함할 수 있고, 각 빔(120)은 간극 제어 구조(130)를 포함한다. 바람직한 변환기(100)의 구조 및 배열은 간극 저항이 제어될 수 있도록 하여, 결국 마이크로폰의 응답이 롤 오프 또는 약화되는 주파수 미만의 주파수의 제어를 가능하게 한다. 변환기(100)는 바람직하게는 압전 변환기이나, 대안적으로 용량성 변환기, 광학 변환기(예를 들면, 광학 음향 센서), 또는 응력이 인가된 캔틸레버에 따른 문제를 갖고 있는 기타 다른 적합한 변환기일 수 있다. 바람직한 변환기(100)는 바람직하게는 음향 변환기이고, 보다 바람직하게는 음향 센서(즉, 마이크로폰)이나, 대안적으로 전압 또는 전류로 구동되고, 스피커로서 사용될 수 있다. 바람직한 변환기(100)는 바람직하게는 휴대 전화기와 같은 가전제품(consumer electronics)에 포함되지만, 의료 용도(예를 들면 보청기), 광음향 검출, 초음파 응용, 또는 센서 또는 스피커와 같은 기타 다른 변환기-기반 응용에 사용될 수 있다. 바람직한 변환기(100)의 캔틸레버 배열은 간극 크기를 인접하는 캔틸레버 빔들(120) 사이의 분리 거리로 제한하는 기능을 한다. 이는, 캔틸레버 빔들 내의 잔류 응력이, 때때로 기판 및 캔틸레버 빔들 사이의 거리만큼, 빔들을 분리 후 심하게 휘어지게 하는 종래 디자인과 대조적이다. 바람직한 실시예들의 변환기(100)에서, 기판(160)상의 다수의 캔틸레버 빔들(120) 사이의 근접성은 빔들(120) 사이의 잔류 응력들을 유사하게 만든다. 인접하는 캔틸레버 빔들 사이의 유사한 응력 프로파일들은, 결국 간극 크기를 인접하는 캔틸레버 빔들(120) 사이의 분리 거리로 제한하는 유사한 캔틸레버 곡률을 야기한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 바람직한 변환기(100)는 기판(160)을 포함할 수 있다. 바람직한 변환기(100)의 기판(160)은 동작 중 변환기(100)의 캔틸레버 빔(120)을 지지할 뿐만 아니라 제조 공정 중 변환기(100)를 지지하는 기능을 한다. 바람직한 변환기(100)의 일 변형예에서, 기판(160)은, 적어도 부분적으로 실리콘 또는 기타 적합한 실리콘계 화합물 또는 유도체(예를 들면 Si 웨이퍼, SOI, polySi on SiO2/Si, 등)로 구성된다. 또는, 기판(160)은 적어도 부분적으로 유리섬유, 유리, 또는 기타 적합한 재료들의 조합으로 구성될 수 있다. 바람직한 변환기(100)의 다른 변형예에서, 기판(160)이 제조 공정 중 캔틸레버 빔들(120)의 활성 영역으로부터 실질적으로 제거되어, 캔틸레버 빔들(120)이 최대화된 이동(travel) 및 응답을 갖는다.
도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 바람직한 변환기(100)는 적어도 하나의 캔틸레버 빔(120)을 포함할 수 있다. 보다 바람직하게는, 바람직한 변환기(100)는, 예를 들면 도 3a 내지 도 3e에 도시된 바와 같은 적합한 구조로 배열된 복수의 캔틸레버 빔들(120) 또는 캔틸레버 빔들(120)의 배열을 포함할 수 있다. 바람직한 변환기(100)의 캔틸레버 빔들(120)은 음압을 전자 신호로 변환하는 기능을 한다. 캔틸레버 빔들(120)은 바람직하게는 보다 많은 복수의 캔틸레버 빔들(120) 또는 캔틸레버 빔들(120)의 배열 각각의 사이의 결과적인 간극들을 최소화하는 간극 제어 구조(130)를 포함한다. 캔틸레버 빔(120)의 간극 제어 구조(130)는 바람직하게는 팁(132)과, 베이스(134)를 포함한다. 바람직한 캔틸레버 빔(120)에서, 팁(132)은 베이스(134)에 비하여 실질적으로 작아 캔틸레버 빔(120)이 베이스(134)로부터 팁(132)까지 점점 가늘어진다. 바람직하게는 기판(160)에 실질적으로 결합된 베이스(134)를 제외하고, 캔틸레버 빔(120)의 전체는 바람직하게는 실질적으로 주변 기판(160)으로부터 분리되어 전달된 응력을 경감하기 위해 팽창하거나 수축할 수 있다.
도 3a 내지 도 3e에 도시된 바와 같이, 캔틸레버 빔(120)이 바람직하게는 실질적으로 뾰족한 간극 제어 구조(130)를 가짐으로써, 베이스(134)는 캔틸레버 빔(120)의 이동(travel) 방향에 수직을 이루는 방향을 따라 팁(132)에 비하여 실질적으로 보다 폭이 넓어진다. 예를 들면, 바람직한 변환기(100)의 일 변형예에서, 도 3a, 도 3b 및 도 3c에 도시된 캔틸레버 빔(120)은 실질적으로 삼각형 구조를 가질 수 있다. 바람직한 변환기(100)의 다른 변형예에서, 캔틸레버 빔(120)은, 도 3d에 도시된 바와 같이, 실질적으로 구부러진 베이스(134)를 구비한 부채꼴 또는 쐐기와 유사한 구조(130)를 가질 수 있다. 바람직한 변환기(100)의 다른 변형예에서, 캔틸레버 빔(120)은, 도 3e에 도시된 바와 같이, 정사각형 구조를 가질 수 있다. 바람직한 실시예의 변환기(100)의 다른 변형예들에서, 캔틸레버 빔(120)은 팁(132)이, 캔틸레버 빔(120)의 이동 방향에 수직인 방향을 따라, 베이스(134)에 비하여 너비가 좁은 임의의 적합한 구조를 가질 수 있다. 적합한 대안적인 구조들은 다각형 형상 또는 부채꼴 중 임의의 형태를 포함할 수 있고, 배열을 갖는 각 캔틸레버 빔(120)은 실질적으로 동일하거나 실질적으로 동일하지 않은 구조들을 가질 수 있다. 캔틸레버 빔(120)의 길이는 바람직하게는 마이크로폰의 원하는 공진 주파수에 맞게 조절되지만, 대안적으로 보다 길거나 보다 짧을 수 있다. 베이스(134)는 바람직하게는 길이에 비하여 두 배 넓지만, 대안적으로 변환기(100)의 원하는 외측 둘레(102) 구조가 달성되도록 하는 임의의 폭을 가질 수 있다.
캔틸레버 빔(120)은 바람직하게는 교번적인 압전층 및 전극층(142)으로 이루어진다. 압전층들(144)은 인가된 압력을 전압으로 변환시키는 기능을 할 수 있고, 전극층들(142)은 발생된 전압을 JFET, 전하 증폭기, 또는 집적 회로와 같은 증폭기로 전달하는 기능을 할 수 있다. 압전층들(144)은 그 CMOS 호환성으로 인하여 바람직하게는 질화알루미늄(AlN)을 포함하지만, 대안적으로 티탄산 지르콘산 납(PZT: lead zirconate titanate), 산화 아연(ZnO), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF: polyvinylidene fluoride), 니오브산 마그네슘 납-티탄산 납(PMN-PT: lead magnesium niobate-lead titanate), 또는 기타 다른 적합한 압전 재료를 포함할 수 있다. 전극층들(142)은 바람직하게는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 또는 백금(Pt)을 포함하지만, 대안적으로 기타 다른 적합한 전극 재료를 포함할 수 있다. 캔틸레버 빔(120)은 바람직하게는 세 개의 전극층들(142) 사이에 배치된 두 개의 압전층들(144)을 포함한다. 그러나, 캔틸레버 빔(120)은 세 개의 전극층들(142) 사이에 배치된 세 개의 압전층들(144)을 포함할 수 있고, 총 세 개의 층들(제1 전극층(142), 제1 압전층(144), 및 상부 전극층(142))만을 포함하거나, 전극층들(142) 및 압전층들(144)의 임의의 적합한 순열로 임의의 개수의 층들을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 캔틸레버 빔(120)은 적어도 하나의 압전층(144) 및 하나의 전극층(142)을 포함한다. 일 예의 구성에서는, 잡음 플로어(noise floor)를 최소화하기 위해, 전극층들(142)이 바람직하게는 실질적으로 삼각형인 캔틸레버 빔(120) 영역의 3분의 2를 실질적으로 덮지만, 대안적으로 캔틸레버 빔(120) 구조에 따라 캔틸레버 빔(120)을 보다 많이 또는 보다 적게 덮을 수 있다. 또한, 비록 각 전극층(142)이 바람직하게는 전극층(142) 마다 단지 하나의 독립 전극을 정의하지만, 전극층(142) 마다 다수의 독립 전극들을 정의하도록 전극층들(142)이 패터닝될 수 있다. 전극층들(142)은 바람직하게는 금속 트레이스들에 의하여 직렬로 함께 결합되지만, 병렬로 결합되거나, 직렬 및 병렬 모두로 결합될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 바람직한 변환기(100)는 실질적으로 동일한 캔틸레버 빔들(120)이 배열되도록 구성되어, 음향 변환기(100)의 중앙에 실질적으로 가까운 공통 영역에서 팁들(132)이 만나게 된다. 바람직하게는, 각 캔틸레버 빔(120)의 자유변들(136) 각각은 바람직하게는 인접하는 캔틸레버 빔(120)의 자유변(136)에 각각 평행하다. 캔틸레버 빔들(120)의 각 베이스(134)는 바람직하게는 외측 둘레(102)를 정다각형 및/또는 원의 형상으로 형성한다. 변환기(100)의 외측 둘레(102)는 바람직하게는 변환기(100)가 바람직하게는 네 개의 캔틸레버 빔들(120)(도 3a에 도시됨)을 포함하는 정사각형이지만, 대안적으로 외측 둘레(102)는 음향 변환기가 임의의 적합한 개수의 쐐기와 유사한 캔틸레버 빔들(120)(도 3d에 도시됨)을 포함하는 원형, 변환기(100)가 바람직하게는 세 개의 캔틸레버 빔들(120)(도 3b에 도시됨)을 포함하는 삼각형, 변환기(100)가 바람직하게는 여덟 개의 캔틸레버 빔들(120)을 포함하는 팔각형, 변환기(100)가 바람직하게는 여섯 개의 캔틸레버 빔들(120)(도 3c에 도시됨)을 포함하는 육각형, 또는 임의의 필요한 개수의 캔틸레버 빔들(120)을 포함하는 임의의 기하학적 형상이 될 수 있다.
바람직한 변환기에서, 제조 중 캔틸레버 빔들(120) 사이의 간극들은 대략 1 마이크론 미만이지만, 약간 클 수 있다. 제조 후, 캔틸레버 빔들(120) 사이의 간극들은 바람직하게는 1 마이크론 미만으로 유지되지만, 잔류 응력에 의한 변형으로 인하여 상당히 커질 수 있다. 캔틸레버 빔들(120)은 바람직하게는 하나 이상의 전극층들(142)을 통하여 전기적으로 결합되지만, 대안적으로 전도성 트레이스들(146)에 의하여 전기적으로 결합될 수 있거나, 서로 전기적으로 절연될 수 있거나, 캔틸레버 빔들(120) 중 일부가 전기적으로 결합되는 한편 다른 일부는 전기적으로 절연되는 조합이 될 수 있다. 캔틸레버 빔들(120)은 직렬로 또는 병렬로 결합될 수 있지만, 바람직하게는 캔틸레버 빔들(120) 중 일부가 직렬로 결합되고, 다른 일부는 병렬로 결합되는 두 개의 극단적인 것들의 조합으로 결합된다.
음향 변환기를 제조하는 방법
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 변환기를 제조하는 바람직한 방법은, S100 블록에서 기판상으로 압전층 및 전극층을 교번적으로 증착시키는 단계(S100)와, S200 블록에서 캔틸레버 구조를 정의하기 위해 증착된 층들을 처리하는 단계와, S300 블록에서 금속 트레이스들을 증착시키는 단계와, S400 블록에서 기판(100)으로부터 캔틸레버 빔들(120)을 해제시키는 단계를 포함할 수 있다. 변환기(100)가 바람직하게는 표준 CMOS 공정을 사용하여 제작됨에 따라, 관련 전자장치들(예를 들면 JFET, 전하 증폭기, 집적 회로)이 동일한 CMOS 공정을 사용하여 변환기(100)와 동일한 기판상에 제작될 수 있다.
바람직한 방법의 S100 블록에서는 기판 상에 교번적인 압전층 및 전극층을 증착시킨다. S100 블록에서는 바람직하게는 캔틸레버의 층들을 생성하게 된다. 압전층들은 그 CMOS 호환성으로 인하여 바람직하게는 질화알루미늄(AlN)을 포함하지만, 대안적으로 티탄산 지르콘산 납(PZT), 산화 아연(ZnO), 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF), 니오브산 마그네슘 납-티탄산 납(PMN-PT), 또는 기타 다른 적합한 압전 재료를 포함할 수 있다. 전극층들은 바람직하게는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 또는 백금(Pt)을 포함하지만, 대안적으로 임의의 다른 적합한 전극 재료를 포함할 수 있다. 캔틸레버는 바람직하게는 표면 미세 기계 가공을 사용하여 제조되지만, 대안적으로 벌크(bulk) 미세 기계 가공에 의하여 제조될 수 있다. 각 층은 바람직하게는 이전 층 상에 증착된 후(제1 층은 SiO2 층 상에 증착됨), 다음 층이 증착되기 전에 원하는 패턴으로 식각된다. 각 층은 바람직하게는 박막 증착에 의하여 증착되지만, 대안적으로 반응성 물리적 기상 증착, 물리적 기상 증착, 화학적 기상 증착, 에피택시, 또는 기타 적합한 공정에 의하여 증착될 수 있다. 각 층은 바람직하게는 먼저 포토리소그래피(photolithography)에 의하여 패터닝된 후, 포토리소그래피에 의하여 노출된 영역 내의 재료를 제거하기 위해 미세 기계 가공된다. 미세 기계 가공 방법은 습식 식각(화학적 식각) 및 건식 식각(예를 들면, 반응성 이온 식각 또는 이온 밀링(ion milling)을 통함)을 포함할 수 있으나, 임의의 다른 적합한 식각 방법을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전극층들이 (도 6에 도시된 바와 같이) 교번적인 층들이 엇갈리도록(staggered) 패터닝되어, 하나 걸러 하나의 전극층이 S300에서 증착된 금속 트레이스들에 의해 병렬로 결합될 수 있다. 그러나, 전극층 및 압전층은 임의의 적합한 패턴으로 패터닝될 수 있다.
바람직한 방법의 S200 블록에서는 캔틸레버 구조를 정의하기 위해 증착된 층들을 처리한다. S200 블록에서는 바람직하게는 캔틸레버의 간극 제어 구조를 정의하는 간극들을 생성한다. 증착된 층들은 바람직하게는 증착된 층들을 통하여 (예를 들면 반응성 이온 식각, 습식 식각, 이온 밀링, 또는 임의의 다른 식각 방법으로) 간극들을 식각하는 것에 의하여 처리되지만, 대안적으로 캔틸레버 빔들(120)을 정의하고 캔틸레버 빔들(120)을 그 이웃들로부터 해제시키기 위하여 다르게 처리될 수 있다. 간극 두께들은 바람직하게는 1 마이크론 이하이나, 대안적으로 약간 클 수 있다. 또한, 간극들은 바람직하게는 실질적으로 삼각형인 캔틸레버 빔들을 형성하기 위해 서로 이등분되지만, 대안적으로 원하는 간극 제어 구조를 형성하기 위해 단부들에서 교차할 수 있다. 이 단계는 바람직하게는 적어도 두 개의 이등분 간극들을 생성하여 적어도 네 개의 삼각형 캔틸레버 빔들이 형성되지만, 대안적으로 세 개, 네 개, 또는 임의의 개수의 간극들을 생성하여 임의의 개수의 캔틸레버 빔들을 형성할 수 있다.
바람직한 방법의 S300 블록에서는 금속 트레이스들을 증착시킨다. S300 블록에서는 바람직하게는 음향 변환기를 하나 이상의 증폭기에 전기적으로 결합시킨다. S300 블록은 S200 블록 이전, 이후, 또는 동시에 수행할 수 있다. 금속 트레이스들은 바람직하게는 층으로서 증착된 후 패터닝되지만, 대안적으로 미리 패터닝되어 음향 변환기 상으로 증착될 수 있다. S300 블곡에서는 바람직하게는 각 전극 또는 전극층(142)에 대하여 금속 트레이스를 제공하지만, 전극들이 함께 병렬로 결합되는 복수의 전극들에 대하여 단일의 금속 트레이스를 제공할 수 있다. 금속 트레이스들은 바람직하게는 중간 압전층 및/또는 전극층을 통하여 관련 전극층(142)으로 연장될 수 있으나, 대안적으로 임의의 적합한 방식으로 변환기 전극들에 결합될 수 있다.
바람직한 방법의 S400 블록에서는 기판으로부터 캔틸레버 빔들을 해제시킨다. S400 블록에서는 바람직하게는 잔류 응력을 실질적으로 경감하기 위해 필요에 따라 캔틸레버 빔들을 팽창, 수축, 또는 구부러지게 한다. 캔틸레버 빔들은 바람직하게는 캔틸레버 빔들의 아래로부터 기판을 제거하는 것에 의하여 기판으로부터 해제된다. 이것은 바람직하게는 심도 반응성 이온 식각(DRIE: deep reactive ion etching)을 사용하여 성취되지만, 습식 식각, 방전 가공(EDM: electric discharge machining), 미세 기계 가공 공정, 또는 캔틸레버 빔들을 기판으로부터 해제시키는 임의의 다른 처리 방법을 사용하여 성취될 수 있다. 또는, 캔틸레버 빔들은 기판으로부터 전체적으로 해제되고 이후에 동일한 기판 또는 다른 기판에 재부착될 수 있다. 캔틸레버 빔들은 빔 층 증착 이전에(즉, S100 블록 이전에) 기판 및 캔틸레버 빔 층들 사이에 희생층을 제공하고, 이후에 S500 블록에서 희생층을 식각하여 제거하는 것에 의하여 전체적으로 해제될 수 있다. 희생층은 바람직하게는 산화물이지만, 선택적으로 제거될 수 있는 압전층 및 전극층 재료들과 유사하지 않은 임의의 적합한 재료일 수 있다. 희생층은 바람직하게는 수용액 상태의 플루오르화 수소(HF)와 같은 부식액(etchant), 플라즈마 식각, 또는 임의의 다른 적합한 식각 공정에 의하여 식각되어 제거된다. 캔틸레버 빔들은 바람직하게는 캔틸레버 빔들의 베이스들을 따라 정전 클램핑 또는 임의의 적합한 기법에 의하여 기판에 재부착된다.
바람직한 방법은 S500 블록에서 기판 상에 산화물층을 성장시키는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다. S500 블록은 바람직하게는 S100 블록 이전에 수행되고, 바람직하게는 S400에서 캔틸레버 빔의 해제량을 제어한다. S400 블록의 일 변형예에서, 기판 제거 공정은 바람직하게는 산화물층에서 종료한다. S500 블록의 제2 변형예에서, 산화물층은 바람직하게는 희생층으로서의 기능을 한다. 적합한 산화물은 바람직하게는 변환기의 원하는 활성 영역에 걸쳐 성장하지만, 대안적으로 변환기의 원하는 해제 영역 내에서, 기판 전체에 걸쳐, 또는 임의의 적합한 영역 내에서 성장할 수 있다. 산화물은 바람직하게는 기판으로부터 성장한 산화물이고, 보다 바람직하게는 이산화 실리콘(SiO2)이지만, 기판 상에서 성장 또는 증착된 임의의 적합한 산화물이 될 수 있다. 산화물은 바람직하게는 일반적인 열산화(thermal oxidization)를 사용하여 성장하지만, 대안적으로 플라즈마 강화 화학적 기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition)(PECVD 산화물 증착), 화학적 기상 증착(CVD 산화물 증착), 물리적 기상 증착(PVD 산화물 증착), 또는 임의의 다른 적합한 산화 또는 산화물 증착 공정을 사용하여 성장할 수 있다. 바람직한 방법은 식각 또는 미세 기계 가공에 의하여 변환기로부터 산화물 층을 제거하는 S500A 블록에서 산화물 층을 제거하는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다.
바람직한 방법은 S600 블록에서 시드층(seed layer)을 증착시키는 단계를 추가적으로 포함할 수 있다. 시드층은 바람직하게는 캔틸레버 빔들을 형성하기 위한 활성층으로서의 기능을 한다. S600블록은 바람직하게는 S100 블록 이전에 수행된다. 보다 바람직하게는, S600 블록은, 시드층이 캔틸레버 빔의 압전 또는 전극층과 산화물층 사이에 배열되도록 S500 블록 이후에 수행된다. 시드층은 바람직하게는 질화알루미늄(AlN)이지만, 임의의 적합한 압전, 전극, 또는 시드 재료일 수 있다. 시드층은 바람직하게는 물리적 기상 증착(PVD) 또는 임의의 다른 적합한 스퍼터링 기법을 사용하여 스퍼터링 되지만, 산화물층 또는 기판에 걸쳐 다르게 증착될 수 있다.
방법 및 변환기의 예
도 6a 내지 도 6h에 도시된 바와 같이, 바람직한 방법의 일 구현예는 S500 블록에서 기판상에 열산화물(SiO2)을 성장시키는 단계와, S600 블록에서 질화알루미늄(AlN) 시드층을 증착시키는 단계(도 6a)와, S100 블록에서 제1 전극층(몰리브덴)을 증착시키고 패터닝하는 단계(도 6b)와, 제1 압전층(AlN)을 증착시키고 패터닝하는 단계(도 6c)와, 제2 전극층(mobidum)을 증착시키고 패터닝하는 단계(도 6c)와, 제2 압전층(AlN)을 증착시키고 패터닝하는 단계(도 6d)와, 상부 전극층(몰리브덴)을 증착시키고 패터닝하는 단계(도 6d)를 포함한다. 캐비티들이 바람직하게는 압전층들(AlN 비아(vias))을 통하여 전극층들 및 S300 블록에서 증착된 금속 트레이스들로 식각될 수 있다(도 6e 및 6f). 일 변형예에서, 두 개의 금속 트레이스들이 증착되며, 제1 캐비티/금속 트레이스가 상부 및 하부 전극으로 연장되어 결합되며, 제2 캐비티/금속 트레이스가 중간 전극으로 연장되어 결합된다. 캔틸레버 빔들이 (식각되거나 미세 기계 가공된) 증착된 층들로부터 정의되며(S200)(도 6e), S400 블록에서 심도 반응성 이온 식각(DRIE)에 의하여 뒤쪽으로부터 기판을 식각하는 것에 의하여 기판으로부터 벗어난다(도 6g). DRIE는 산화물층 상에서 정지하며, 산화물층이 제거되어 기판으로부터 변환기가 해제된다 (S500A)(도 6h).
예시적인 방법의 수행 중, 잔류 응력이 바람직하게는 웨이퍼 곡률 측정(예를 들면, 광학 또는 물리적 측정을 통함)을 사용하여 감시되지만, 대안적으로 응력 측정(예를 들면, 응력 변환기), 비선형 탄성 응력 측정(예를 들면, 초음파 또는 자기(magnetic) 기법, X-선 또는 중성자 회절(neutron diffraction)), 또는 캔틸레버의 곡률 또는 잔류 응력을 측정하는 임의의 다른 방법에 의하여 측정될 수 있다. 그 다음, 증착 파라미터들은 바람직하게는 캔틸레버의 휘어짐 또는 응력을 최소화하기 위해 조절된다.
통상의 기술자는, 후술하는 특허청구범위에 규정된 본 발명의 범위를 벗어나지 않고, 본 발명의 바람직한 실시예들에 대한 수정 및 변경이 가능하다는 것을, 이전의 상세한 설명, 도면, 및 특허청구범위로부터 인식할 수 있을 것이다.
Claims (21)
- 기판;
각각이 빔 베이스, 빔 팁, 및 상기 빔 베이스 및 상기 빔 팁 사이에 배치되는 빔 바디를 정의하고, 빔 팁들 각각이 공통 영역을 향하여 연장되고 또한 각 빔이 상기 빔 베이스를 따라 상기 기판에 접합되고 상기 빔 바디를 따라 상기 기판으로부터 벗어나도록 배열되는 복수의 인접하는 테이퍼진 캔틸레버 빔들을 포함하는 MEMS 변환기. - 제1항에 있어서,
인접하는 빔들의 길이를 따라 정의된 간극은 대략 l 마이크론 이하인 MEMS 변환기. - 제1항에 있어서,
상기 공통 영역은 가상점이고, 상기 빔 팁들은 상기 가상점에서 실질적으로 수렴되는 MEMS 변환기. - 제1항에 있어서,
상기 빔 베이스는 실질적으로 연속적인 마이크로폰 둘레를 형성하는 MEMS 변환기. - 제4항에 있어서,
각 빔은 삼각형을 포함하여, 상기 마이크로폰이 실질적으로 다각형 둘레를 포함하는 MEMS 변환기. - 제4항에 있어서,
상기 변환기는 두 개의 대향하는 사다리꼴 빔들 및 두 개의 대향하는 삼각형 빔들을 포함하며, 상기 사다리꼴 빔들의 짧은 평행변들 및 상기 삼각형 빔들의 팁들은 공통 중심 영역 내에서 수렴되고, 각 사다리꼴 빔의 각각의 각이 진 변은 삼각형 빔의 변에 인접하는 MEMS 변환기. - 제1항에 있어서,
적어도 두 개의 빔들이 함께 전기적으로 직렬로 결합되는 MEMS 변환기. - 제1항에 있어서,
각 빔은 교번적인 압전층 및 전극층을 포함하는 MEMS 변환기. - 제8항에 있어서,
상기 빔들은 두 개의 압전층들 및 세 개의 전극층들을 포함하는 MEMS 변환기. - 제9항에 있어서,
각 빔의 상기 전극층들은 금속 트레이스들에 의하여 전기적으로 직렬로 결합되는 MEMS 변환기. - 제8항에 있어서,
상기 압전층들은 질화알루미늄을 포함하고, 상기 전극층들은 몰리브덴을 포함하는 MEMS 변환기. - 기판;
각 빔이 상기 기판에 고정되는 베이스를 포함하고, 각 빔이 상기 베이스로부터 이동 가능한 팁까지 점점 가늘어지며, 상기 베이스들이 실질적으로 연속적인 마이크로폰 둘레를 형성하도록 공통 영역 내에서 수렴되는 각 이동 가능한 팁에 인접되게 배열되는 복수의 테이퍼진 캔틸레버 빔들을 포함하고,
각 빔은 교번적인 압전층 및 전극층을 더 포함하는 음향 센서. - 압전층을 증착시키는 단계;
상기 압전층을 패터닝하는 단계;
전극층을 증착시키는 단계;
상기 전극층을 패터닝하는 단계;
각각이 공통 영역을 향하여 연장되는 빔 팁을 정의하는 복수의 테이퍼진 빔들을 정의하도록 상기 증착된 층들을 처리하는 단계;
금속 트레이스들을 증착시키는 단계;
상기 금속 트레이스들을 패터닝하는 단계; 및
기판으로부터 상기 빔들을 해제시키는 단계를 포함하는 방법. - 제13항에 있어서,
인접하는 테이퍼진 빔들은 상기 증착된 층들의 두께를 통하여 연장되는 간극들을 정의하는 방법. - 제14항에 있어서,
인접하는 테이퍼진 빔들 사이의 간극 폭은 대략 1 마이크론 이하인 방법. - 제14항에 있어서,
상기 간극들은 미세 기계 가공되는 방법. - 제14항에 있어서,
상기 빔들은 두 개의 교차하는 선형 간극들에 의하여 정의되는 방법. - 제13항에 있어서,
상기 금속 트레이스들을 증착시키는 단계는 각 전극층에 금속 트레이스를 증착시키는 단계를 포함하는 방법. - 제13항에 있어서,
상기 기판으로부터 상기 빔들을 해제시키는 단계는 상기 빔들로부터 상기 기판을 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 방법. - 제19항에 있어서,
상기 기판을 식각하는 단계는 심도 반응성 이온 식각을 포함하는 방법. - 제20항에 있어서,
상기 압전층 및 상기 전극층을 증착시키고 및 패터닝하는 단계 이전에 상기 기판 상에 열산화물층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161470384P | 2011-03-31 | 2011-03-31 | |
| US61/470,384 | 2011-03-31 | ||
| PCT/US2012/025487 WO2013002847A1 (en) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | Acoustic transducer with gap-controlling geometry and method of manufacturing an acoustic transducer |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197002798A Division KR102096086B1 (ko) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140038397A true KR20140038397A (ko) | 2014-03-28 |
Family
ID=46927295
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197002798A KR102096086B1 (ko) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
| KR1020207008813A KR102193843B1 (ko) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
| KR1020137028575A KR20140038397A (ko) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197002798A KR102096086B1 (ko) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
| KR1020207008813A KR102193843B1 (ko) | 2011-03-31 | 2012-02-16 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US9055372B2 (ko) |
| EP (1) | EP2692153B1 (ko) |
| JP (1) | JP5936154B2 (ko) |
| KR (3) | KR102096086B1 (ko) |
| CN (1) | CN103460721B (ko) |
| WO (1) | WO2013002847A1 (ko) |
Families Citing this family (91)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10170685B2 (en) | 2008-06-30 | 2019-01-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Piezoelectric MEMS microphone |
| KR102096086B1 (ko) | 2011-03-31 | 2020-04-02 | 베스퍼 테크놀로지스 인코포레이티드 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
| US8983097B2 (en) * | 2012-02-29 | 2015-03-17 | Infineon Technologies Ag | Adjustable ventilation openings in MEMS structures |
| GB2506174A (en) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | Wolfson Microelectronics Plc | Protecting a MEMS device from excess pressure and shock |
| KR101509342B1 (ko) * | 2013-10-01 | 2015-04-07 | 재단법인대구경북과학기술원 | 인공와우용 음향 센서 장치 |
| JP6178285B2 (ja) * | 2014-06-26 | 2017-08-09 | 株式会社レーベン販売 | 光マイクロフォン、そのプログラム、制御方法、および補聴器 |
| US10825982B1 (en) * | 2014-09-11 | 2020-11-03 | Vesper Technologies Inc. | Piezoelectric micro-electro-mechanical systems (MEMS) device with a beam strengthening physical element |
| WO2016054447A1 (en) | 2014-10-02 | 2016-04-07 | Chirp Microsystems | Micromachined ultrasonic transducers with a slotted membrane structure |
| US9479875B2 (en) | 2015-01-23 | 2016-10-25 | Silicon Audio Directional, Llc | Multi-mode microphones |
| US9503820B2 (en) | 2015-01-23 | 2016-11-22 | Silicon Audio Directional, Llc | Multi-mode microphones |
| US20160277838A1 (en) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | Dsp Group Ltd. | Multi-layered mems speaker |
| US20190110132A1 (en) * | 2015-09-18 | 2019-04-11 | Vesper Technologies Inc. | Plate Spring |
| US9648433B1 (en) * | 2015-12-15 | 2017-05-09 | Robert Bosch Gmbh | Absolute sensitivity of a MEMS microphone with capacitive and piezoelectric electrodes |
| US9516421B1 (en) | 2015-12-18 | 2016-12-06 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic sensing apparatus and method of manufacturing the same |
| GB2546827B (en) * | 2016-01-28 | 2020-01-29 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | MEMS device and process |
| CN107105372A (zh) * | 2016-02-23 | 2017-08-29 | 英属开曼群岛商智动全球股份有限公司 | 电声转换器 |
| EP3424228B1 (en) | 2016-02-29 | 2024-03-27 | Qualcomm Technologies, Inc. | A piezoelectric mems device for producing a signal indicative of detection of an acoustic stimulus |
| JP6132047B1 (ja) | 2016-03-28 | 2017-05-24 | 国立大学法人東北大学 | 圧力センサとその製造方法 |
| DE102016210008A1 (de) * | 2016-06-07 | 2017-12-07 | Robert Bosch Gmbh | Sensor- und/oder Wandlervorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Sensor- und/oder Wandlervorrichtung mit zumindest einer mindestens eine piezoelektrische Schicht umfassenden Biegestruktur |
| DE102016212717A1 (de) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Robert Bosch Gmbh | Detektionseinrichtung für piezoelektrisches Mikrofon |
| WO2018035486A1 (en) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | Vesper Technologies Inc. | Plate coupling structure |
| US10063978B2 (en) * | 2016-09-13 | 2018-08-28 | Akustica, Inc. | Cantilevered shear resonance microphone |
| GB2555835B (en) * | 2016-11-11 | 2018-11-28 | Novosound Ltd | Ultrasound transducer |
| DE102017200108A1 (de) | 2017-01-05 | 2018-07-05 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Schallwandleranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren |
| JP6894719B2 (ja) * | 2017-02-21 | 2021-06-30 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| JP6801928B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2020-12-16 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| DE102017208911A1 (de) | 2017-05-26 | 2018-11-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanischer Schallwandler |
| JP6560715B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2019-08-14 | 株式会社レーベン | 光マイクロフォン、そのプログラム、制御方法、および補聴器 |
| US10886455B2 (en) | 2017-07-31 | 2021-01-05 | Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Piezoelectric microphone with deflection control and method of making the same |
| DE102017121705B3 (de) * | 2017-09-19 | 2018-12-20 | Infineon Technologies Ag | MEMS-Mikrofon |
| US10609463B2 (en) * | 2017-10-30 | 2020-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated microphone device and manufacturing method thereof |
| EP3676025A4 (en) | 2017-11-16 | 2021-04-07 | Chirp Microsystems, Inc. | PIEZOELECTRIC MICRO-MACHINED ULTRASONIC CONVERTER WITH A PATTERNED MEMBRANE STRUCTURE |
| TWI667925B (zh) * | 2018-01-15 | 2019-08-01 | 美律實業股份有限公司 | 壓電傳感器 |
| JP7004268B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2022-01-21 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| JP2019161030A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| WO2019178355A1 (en) * | 2018-03-16 | 2019-09-19 | Vesper Technologies, Inc. | Transducer system with configurable acoustic overload point |
| TWI684367B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-02-01 | 美律實業股份有限公司 | 揚聲器以及其微機電致動器 |
| WO2020121596A1 (ja) | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電トランスデューサ |
| WO2020121609A1 (ja) | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電トランスデューサ |
| DE112019006369T5 (de) * | 2018-12-19 | 2021-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrischer Wandler |
| EP3672277B1 (en) * | 2018-12-19 | 2024-04-03 | Sonion Nederland B.V. | Miniature speaker with multiple sound cavities |
| CN109587612A (zh) * | 2018-12-31 | 2019-04-05 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式麦克风 |
| CN109587613B (zh) * | 2018-12-31 | 2020-11-10 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式麦克风 |
| JP2020136800A (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-31 | 新日本無線株式会社 | 圧電素子 |
| WO2020186260A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Vesper Technologies Inc. | A piezoelectric mems device with an adaptive threshold for detection of an acoustic stimulus |
| EP3939036A4 (en) | 2019-03-14 | 2022-12-28 | Vesper Technologies Inc. | MICROPHONE WITH DETERMINED DIGITAL OUTPUT AT DIFFERENT LEVELS OF POWER CONSUMPTION |
| CN110290449A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-09-27 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种音频装置及电子设备 |
| WO2020235131A1 (ja) * | 2019-05-17 | 2020-11-26 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
| CN110099344B (zh) * | 2019-05-18 | 2024-03-08 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构 |
| US11553280B2 (en) | 2019-06-05 | 2023-01-10 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Piezoelectric MEMS diaphragm microphone |
| US11726105B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-08-15 | Qualcomm Incorporated | Piezoelectric accelerometer with wake function |
| DE112020003726T5 (de) * | 2019-08-06 | 2022-04-21 | Denso Corporation | Piezoelektrisches Element |
| US11350219B2 (en) | 2019-08-13 | 2022-05-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Piezoelectric MEMS microphone |
| CN110650420B (zh) * | 2019-08-16 | 2021-01-08 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
| CN110545514B (zh) * | 2019-08-16 | 2021-01-08 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
| CN110545511B (zh) * | 2019-08-16 | 2021-05-07 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
| CN112423210A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-02-26 | 新科实业有限公司 | Mems换能器、mems麦克风以及制造mems换能器的方法 |
| US11418887B2 (en) * | 2019-08-28 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | MEMS device with enhanced membrane structure and method of forming the same |
| CN112752209B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-03-25 | 华为技术有限公司 | 一种压电式mems传感器以及相关设备 |
| CN111314829B (zh) * | 2019-11-22 | 2021-04-02 | 武汉大学 | 一种具有声管的mems压电超声换能器 |
| WO2021106266A1 (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
| WO2021124611A1 (ja) * | 2019-12-17 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | トランスデューサ |
| CN110987159B (zh) * | 2019-12-18 | 2022-09-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 声压传感器 |
| US11395073B2 (en) | 2020-04-18 | 2022-07-19 | xMEMS Labs, Inc. | Sound producing package structure and method for packaging sound producing package structure |
| US11252511B2 (en) * | 2019-12-27 | 2022-02-15 | xMEMS Labs, Inc. | Package structure and methods of manufacturing sound producing chip, forming package structure and forming sound producing apparatus |
| US11057716B1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-06 | xMEMS Labs, Inc. | Sound producing device |
| KR20220128637A (ko) | 2020-01-07 | 2022-09-21 | 베스퍼 테크놀로지스 인코포레이티드 | 강건한 mems 마이크로폰 |
| CN111328005B (zh) * | 2020-03-10 | 2021-09-10 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 压电式mems麦克风 |
| CN111405441B (zh) * | 2020-04-16 | 2021-06-15 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种压电式mems麦克风 |
| CN115428175A (zh) * | 2020-04-30 | 2022-12-02 | 株式会社村田制作所 | 压电装置 |
| US11869536B2 (en) * | 2020-06-04 | 2024-01-09 | Qualcomm Technologies, Inc. | Auto mute feature using a voice accelerometer and a microphone |
| JP7514672B2 (ja) | 2020-07-01 | 2024-07-11 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 圧電素子およびその製造方法 |
| JPWO2022091178A1 (ko) | 2020-10-26 | 2022-05-05 | ||
| WO2022097578A1 (ja) * | 2020-11-03 | 2022-05-12 | 株式会社デンソー | 圧電素子、圧電装置、および圧電素子の製造方法 |
| JP7359169B2 (ja) * | 2020-11-03 | 2023-10-11 | 株式会社デンソー | 圧電素子、圧電装置、および圧電素子の製造方法 |
| CN213991016U (zh) * | 2020-11-19 | 2021-08-17 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 压电式麦克风 |
| CN112492472B (zh) * | 2020-11-25 | 2022-01-11 | 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 | 压电式麦克风及压电式麦克风装置 |
| CN112543408B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-04-26 | 上海交通大学 | 一种封闭式振动膜压电mems扬声器及其制备方法 |
| JP2022119126A (ja) | 2021-02-03 | 2022-08-16 | 株式会社デンソー | 圧電素子、圧電装置、および圧電素子の製造方法 |
| US11716576B2 (en) | 2021-02-19 | 2023-08-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Dummy electrodes for performance improvement of piezoelectric microelectromechanical system microphones |
| JP7452476B2 (ja) | 2021-03-10 | 2024-03-19 | 株式会社デンソー | 圧電素子、圧電装置、および圧電素子の製造方法 |
| JP7509065B2 (ja) | 2021-03-26 | 2024-07-02 | 株式会社デンソー | センサ素子およびそれを備えたセンサ装置 |
| CN113042350A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-06-29 | 广州蜂鸟传感科技有限公司 | 一种压电微机械换能器 |
| US11979712B2 (en) * | 2021-07-01 | 2024-05-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Extension structures in piezoelectric microelectromechanical system microphones |
| CN113365196B (zh) * | 2021-07-05 | 2023-06-02 | 瑞声开泰科技(武汉)有限公司 | Mems扬声器及mems扬声器制造方法 |
| CN113286222B (zh) * | 2021-07-26 | 2021-10-01 | 成都纤声科技有限公司 | Mems芯片、耳机和电子设备 |
| CN113852897A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-12-28 | 天津大学 | 压电mems扬声器及其设计方法、电子设备 |
| US20230039743A1 (en) * | 2021-08-04 | 2023-02-09 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Piezoelectric microelectromechanical system corrugated microphone |
| CN113596690B (zh) * | 2021-08-13 | 2023-03-14 | 中北大学 | 新型压电式mems麦克风的结构及装置 |
| CN113993047A (zh) * | 2021-08-20 | 2022-01-28 | 天津大学 | 压电mems麦克风 |
| DE102021130035A1 (de) | 2021-11-17 | 2023-05-17 | USound GmbH | MEMS-Schallwandler mit einer gekrümmten Kontur eines Kragarmelements |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4362407A (en) * | 1981-09-08 | 1982-12-07 | Piezo Electric Products, Inc. | Piezoelectric printer and piezoelectric multilam actuator used therein |
| US5633552A (en) | 1993-06-04 | 1997-05-27 | The Regents Of The University Of California | Cantilever pressure transducer |
| US5956292A (en) * | 1995-04-13 | 1999-09-21 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Monolithic micromachined piezoelectric acoustic transducer and transducer array and method of making same |
| JP3206551B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2001-09-10 | 株式会社村田製作所 | 振動子およびそれを用いた振動ジャイロ |
| WO2001022776A1 (en) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | University Of Hawaii | Method of forming parylene-diaphragm piezoelectric acoustic transducers |
| US6944922B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-09-20 | Trikon Technologies Limited | Method of forming an acoustic resonator |
| US6858970B2 (en) * | 2002-10-21 | 2005-02-22 | The Boeing Company | Multi-frequency piezoelectric energy harvester |
| US6895645B2 (en) * | 2003-02-25 | 2005-05-24 | Palo Alto Research Center Incorporated | Methods to make bimorph MEMS devices |
| KR100610192B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2006-08-09 | 경북대학교 산학협력단 | 압전형 진동자 |
| JP2007060768A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 単極モールド開閉器取り外し操作装置 |
| US7345407B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-03-18 | Adaptivenergy, Llc. | Human powered piezoelectric power generating device |
| WO2008001824A1 (fr) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Panasonic Corporation | puce pour Microphone électrostatique, Microphone électrostatique et procédé pour fabriquer celui-ci |
| US7992431B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-08-09 | Drexel University | Piezoelectric microcantilevers and uses in atomic force microscopy |
| WO2009044360A1 (en) | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mems scanning micromirror with reduced dynamic deformation |
| WO2010002887A2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | The Regents Of The University Of Michigan | Piezoelectric memes microphone |
| US20100084721A1 (en) | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Mingching Wu | Micro-Electromechanical System Microstructure |
| KR101053257B1 (ko) * | 2009-03-02 | 2011-08-01 | 서울대학교산학협력단 | 에너지 하베스터 |
| JP5491080B2 (ja) * | 2009-06-18 | 2014-05-14 | 国立大学法人 東京大学 | マイクロフォン |
| KR101561662B1 (ko) * | 2009-09-29 | 2015-10-21 | 삼성전자주식회사 | 곡선형 리드선들을 가진 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 |
| CN101929898A (zh) * | 2009-12-01 | 2010-12-29 | 苏州扩达微电子有限公司 | 一种压力传感器件 |
| DE102010009453A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Schallwandler zum Einsetzen in ein Ohr |
| KR102096086B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2020-04-02 | 베스퍼 테크놀로지스 인코포레이티드 | 간극 제어 구조를 구비한 음향 변환기 및 음향 변환기를 제조하는 방법 |
| US8409900B2 (en) * | 2011-04-19 | 2013-04-02 | Eastman Kodak Company | Fabricating MEMS composite transducer including compliant membrane |
-
2012
- 2012-02-16 KR KR1020197002798A patent/KR102096086B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-16 US US13/398,631 patent/US9055372B2/en active Active
- 2012-02-16 WO PCT/US2012/025487 patent/WO2013002847A1/en active Application Filing
- 2012-02-16 KR KR1020207008813A patent/KR102193843B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-16 KR KR1020137028575A patent/KR20140038397A/ko active Application Filing
- 2012-02-16 JP JP2014502569A patent/JP5936154B2/ja active Active
- 2012-02-16 CN CN201280016220.2A patent/CN103460721B/zh active Active
- 2012-02-16 EP EP12804425.2A patent/EP2692153B1/en active Active
-
2015
- 2015-05-01 US US14/702,319 patent/US10284960B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-14 US US16/353,934 patent/US11259124B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-18 US US17/675,850 patent/US11950052B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10284960B2 (en) | 2019-05-07 |
| US20190281393A1 (en) | 2019-09-12 |
| KR20190014131A (ko) | 2019-02-11 |
| JP2014515214A (ja) | 2014-06-26 |
| EP2692153B1 (en) | 2016-12-28 |
| EP2692153A4 (en) | 2014-07-16 |
| EP2692153A1 (en) | 2014-02-05 |
| CN103460721B (zh) | 2017-05-24 |
| KR102096086B1 (ko) | 2020-04-02 |
| US11259124B2 (en) | 2022-02-22 |
| US20220248145A1 (en) | 2022-08-04 |
| KR20200096204A (ko) | 2020-08-11 |
| WO2013002847A1 (en) | 2013-01-03 |
| CN103460721A (zh) | 2013-12-18 |
| US20120250909A1 (en) | 2012-10-04 |
| US9055372B2 (en) | 2015-06-09 |
| US20150271606A1 (en) | 2015-09-24 |
| JP5936154B2 (ja) | 2016-06-15 |
| KR102193843B1 (ko) | 2020-12-23 |
| US11950052B2 (en) | 2024-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11950052B2 (en) | Acoustic transducer with gap-controlling geometry and method of manufacturing an acoustic transducer | |
| US11051113B2 (en) | Piezoelectric acoustic MEMS transducer and fabrication method thereof | |
| US9148726B2 (en) | Micro electrical mechanical system with bending deflection of backplate structure | |
| KR101787187B1 (ko) | 마이크로폰용 시스템 및 방법 | |
| KR101562339B1 (ko) | 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법 | |
| JP5478406B2 (ja) | リング状の振動膜を有する圧電型マイクロスピーカ及びその製造方法 | |
| JP6830527B2 (ja) | 圧電マイクロフォンチップおよび圧電マイクロフォン | |
| EP3472829B1 (en) | Piezoelectric micromachined ultrasonic transducers having stress relief features | |
| EP3314911B1 (en) | Dsr speaker elements and methods of manufacturing thereof | |
| JP2012529207A (ja) | マイクロメカニカルマイクロフォン構造体を有する素子、および、マイクロメカニカルマイクロフォン構造体を有する素子の製造方法 | |
| JP2009260723A (ja) | トランスデューサ | |
| CN115280797A (zh) | 具有改进的性能的mems换能器 | |
| JP2017022576A (ja) | 圧電薄膜マイクロフォンの構造および製造方法 | |
| JP2008028513A (ja) | コンデンサマイクロホン及びその製造方法 | |
| JP2009198493A (ja) | 角速度検出装置 | |
| JP2009065606A (ja) | 振動トランスデューサ | |
| JP2008252854A (ja) | 静電型トランスデューサおよびその製造方法 | |
| Song et al. | Piezoelectric performance of continuous beam and narrow supported beam arrays for artificial basilar membranes | |
| CN113301484A (zh) | 一种mems结构及其制造方法 | |
| Kim et al. | Characterization and modeling of an acoustic sensor using AlN thin-film for frequency selectivity | |
| JP2008259062A (ja) | 静電型トランスデューサ | |
| JP2009267617A (ja) | トランスデューサの製造方法 | |
| JP2009071862A (ja) | コンデンサマイクロホン |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
| A107 | Divisional application of patent |