KR20140027127A

KR20140027127A - 광전지 셀로 프린팅하기 위한 실크-스크린 스텐실

Info

Publication number: KR20140027127A
Application number: KR1020137025968A
Authority: KR
Inventors: 아르망 베티-넬리; 프레데릭 바르비에
Original assignee: 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
Priority date: 2011-03-29
Filing date: 2012-02-03
Publication date: 2014-03-06
Also published as: JP2015147420A; WO2012130508A1; US8802487B2; CN103608180B; FR2973280A1; KR101898309B1; ES2543306T3; US20140127854A1; JP2014511784A; CN103608180A; FR2973280B1; EP2691237A1; JP5826372B2; EP2691237B1

Abstract

중앙 프린팅 영역(13) 내에 슬릿(22, 23)을 포함하고, 프린트될 한 패턴을 형성하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실로서, 주변 변형 영역(14)에서 하나 또는 둘 이상의 구멍(32)을 포함하고, 이 구멍은 이 같은 주변 변형 영역(14)이 중앙 프린팅 영역(13) 변형을 줄이면서 스텐실에 가해지는 스트레스의 영향하에서 변형될 수 있도록 함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.

Description

광전지 셀로 프린팅하기 위한 실크-스크린 스텐실{SILK-SCREEN STENCIL FOR PRINTING ONTO A PHOTOVOLTAIC CELL}

본 발명은 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실에 대한 것이며, 그와 같은 스텐실을 포함하는 프린팅 시스템에 대한 것이다. 본 발명은 특히 광전지 장치를 생산하기 위해 특히 적합하며, 특히 광전지 셀 상에 수집 전도체(collecting conductors)를 프린팅하기 위해 적합하다. 본 발명은 또한 그와 같은 스텐실을 사용하는 프린팅 방법에 대한 것이며, 그와 같은 프린팅 방법을 포함하는 광전지 셀에 대한 것이다. 본 발명은 또한 그와 같은 방법을 실시하는 광전지 셀을 생산하기 위한 유닛에 대한 것이다.

광전지 셀은 대개 실리콘과 같은 반도체로 만들어진 웨이퍼를 사용하여 제조된다. 특히 이 같은 제조는 웨이퍼의 표면에 형성될 전기 도체를 필요로 한다. 도 1은 종래 기술에 따른 그와 같은 웨이퍼(1) 표면을 도시하며, 이는 수집 전도체(collecting conductors)(2)라 불리는 폭이 좁은 제1의 평행한 전도체를 포함하고, 그 기능은 광선에 의해 실리콘에서 발생된 전자를 수집하는 것이다.

또한, 상기 웨이퍼(1)의 표면은 이따금 "버스 바아(bus bars)"라 불리며, 상기 수집 전도체(2)와는 직각 방향으로 정렬된, 폭이 넓은 평행한 다른 전도체(3)를 포함하며, 그와 같은 버스 바아 기능은 광전지 셀로부터 광전지 셀로 더욱 큰 전류를 전달하는 것이다. 이와 같이 더욱 넓은 전도체(3)는 전장에 걸쳐 연장되는 금속 스트립에 일반적으로 연결된다. 이들 모든 전도체(2, 3)들은 연속된 전도 라인들이 형성될 수 있도록 하는 각기 다른 기술에 의해 얻어지며, 상기 라인들은 전장을 가로질러 그리고 웨이퍼 폭에 걸쳐 연속적으로 연장된다.

이들 전도체를 생산하기 위해, 종래 기술 방법은 예를 들면, 하나 또는 두 스크린 프린팅 단계로, 웨이퍼 상에 전도성 잉크를 스크린-프린팅함으로 구성된다. 이 같은 목적을 위해, 상기 방법은 전도성 잉크가 클로쓰(cloth) 또는 직물로부터 형성된 스크린을 통과하도록 함으로 구성된다. 이 같은 클로쓰는 잉크가 통과해야 하는 위치를 제외하고 실링 층으로 커버된다. 상기 잉크가 닥터 블레이드(doctor blade)를 사용하여 상기 클로쓰를 통해 압축되며: 그러나, 상기 클로쓰의 실들이 이 같은 동작을 방해하고, 그리고 결과의 전도체들은, 특히 증착된 잉크 층의 높이 균일성과 관련하여, 이상적인 기하 구조를 결코 갖지 못한다: 이 같은 방법은 전도체에서 충분히 만족스러운 성능이 형성되도록 하지 못한다. 특히, 이들 전도체의 전기적 성능은 이들 기하학 구조에 매우 민감하며, 특히 이들의 두께/폭의 비에 매우 민감하며, 두께는 웨이퍼(1)에 수직인 방향으로 측정되고, 그리고 폭은 전도체를 가로지르는 수평 방향으로 측정된다.

이와 같은 단점을 막기 위해, 제2 종래 방법은 상기 클로쓰를 관통-구멍을 포함하는 금속 스텐실로 상기 클로쓰를 대체한다. 그러나, 이들 금속 마스크를 약화시키지 않기 위해, 그리고 프린팅 중 최적의 동작을 얻기 위해, 상기 구멍 부분, 특히 전장에 걸쳐 또는 스텐실의 폭에 걸쳐 연장되는 어떠한 구멍 부분도 제한되어야 하며, 도 1에서 도시된 다양한 전도체가 얻어져야 한다면, 이 같은 방법은 두 분리된 상보적 마스크를 사용하며, 중첩되어야 하는 두 프린트 층을 필요로 한다.

이 같은 이유로, 본 방법은 복잡하고 값 비싸다. 또한, 금속 스텐실이 클로쓰의 탄성을 갖지 않으며 닥터 블레이드 영향 하에서 충분히 변형되지 않으므로, 충분한 탄성을 갖는 어셈블리를 제공하기 위해 그 주변에 접착할 수 있도록 연결된 클로쓰와 관련이 있으며, 이 같은 구성은 트램폴린(trampoline) 어셈블리라 불린다. 그러나, 이 같은 두 번째 방법은 다음과 같은 단점을 갖는다:

- 클로쓰가 금속 스텐실에 스트레스를 가하며, 이는 특히 에지(deges)에 위치한 구멍 주변을 변형시키도록 한다. 이는 결국 바라는 것보다 크게 특징이 프린트되도록 하며, 특징 결함을 만들게 되고 이에 의해 광전지 셀의 성능을 줄이도록 한다.

- 또한, 클로쓰에 가해진 이 같은 스트레스는 일반적으로 매우 얇은 금속 스텐실의 더욱 많은 전체 변형을 만들며, 가령 직선이도록 된 라인들을 구부리도록 한다. 따라서 상기 본래의 전도체는 변형된다. 또한, 전도성 잉크의 제2 층을 제1 층위에 정확히 겹치는 것은 매우 곤란하며, 이에 의해 광전지 셀의 성능을 떨어뜨린다.

공보 서류 EP 0 729 189는 일례로서, 이 같은 제2 방법의 특정 방법을 설명한다.

따라서, 본 발명의 목적은 광전지 장치의 웨이퍼에서 전기적 전도체를 생산하기 위한 솔루션을 제공하는 것이며, 이 같은 솔루션은 종래 기술의 솔루션 단점을 줄인다.

특히, 본 발명은 다음과 같은 목적의 일부 또는 전부를 달성하고자 한다.

본 발명의 제1 목적은 광전지 셀에서 전기 전도체를 생산하기 위한 솔루션을 제공하고 결과의 광전지 셀의 성능이 가장 적합해질 수 있도록 한다.

본 발명의 제2 목적은 효과적이고 경제적인 방법을 통해 광전지 셀 상에 전기 전도체를 생산하기 위한 그리고 높은 생산성을 갖는 솔루션을 제공하는 것이다.

이 같은 목적을 위해, 본 발명은 중앙 프린팅 영역에 슬릿을 포함하고, 프린트될 패턴을 형성하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실로서, 스텐실이 주변 변형 영역에서 하나 또는 둘 이상의 장치를 포함하고, 이 같은 구멍이 이 같은 주변 변형 영역이 상기 중앙 프린팅 영역 변형을 줄이면서 스텐실에 적용된 스트레스 영향하에서 변형 되도록 함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실에 대한 것이다.

상기 스텐실은 중앙 프린팅 영역 내 슬릿과 평행하게 놓인 주변 변형 영역 내 하나 이상의 직선, 슬릿-형상 구멍을 포함한다.

상기 주변 변형 영역 내 구멍은 중앙 프린팅 영역 보다 변형 가능성이 높은 주변 변형 영역으로 안내하는 부분을 갖는다.

상기 주변 변형 영역 내 구멍들은 브리지(bridges of material)에 의해 하나 이상의 중단된 연속 또는 불연속 직선 구멍을 포함한다.

본 발명은 청구범위에서 정확하게 정의된다.

하기에서는 첨부 도면을 참조하여 비 제한적 실시 예인 다음 설명으로부터 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1은 종래 기술에 따른 광전지 셀의 표면상의 전도체를 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따라, 광전지 셀의 표면상에 전도체를 프린트하기 위한 스크린-프린팅 시스템을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 스텐실의 평면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 스텐실의 측면 부에 대한 확대 평면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 스텐실의 평면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 측면 부의 확대도.
도 7은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 스텐실의 평면도.
도 8은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 스텐실의 측면 부 확대도.
도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 스텐실의 평면도.
도 10은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 스텐실의 측면 부 확대도.
도 11은 본 발명 제5 실시 예에 따른 스텐실의 평면도.
도 12는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 스텐실의 측면 부에 대한 확대도.
도 13은 본 발명의 제6 실시 예에 따른 스텐실의 평면도.

도 2는 광전지 셀을 형성하기 위해 실리콘 웨이퍼 표면에 전도체를 스크린 프린팅하기 위한 단계에 적용된, 본 발명의 한 실시 예를 도시한 도면이다. 이 같은 프린팅 시스템은 실리콘 웨이퍼(5)가 위에 올려 놓이는 프린팅 테이블(11), 중앙의 프린팅 영역(13)을 포함하는 금속 스텐실(12), 그리고 주변 변형 영역(14)를 포함한다. 상기 금속 스텐실(12)은 앞서 설명된 트램폴린(trampoline) 구성에 따라, 주변부로 고정 장치(16)에 의해 고정된 클로쓰(cloth)(15)와 연결된다.

금속 스텐실(12)의 중앙 프린팅 영역(13)은 구멍을 포함하며 이를 통하여 전도성 잉크가 통과하여 실리콘 웨이퍼(5)의 표면에서 전도체를 형성하도록 하고, 상기 설명되고 도 1에서 도시된 바와 같은 미래 광전지 셀의 다양한 전도체를 형성하도록 한다. 또한, 스텐실(12)은 프린팅 중에 클로쓰(15)의 닥터 블레이드와 홀드에 의해 발생된 스트레스의 영향 하에서 의도적으로 그리고 바람직하게 변형되는 주변 변형 영역(14)을 포함하며, 상기 스텐실의, 특히 그 측면 부의 중앙 프린팅 영역(13)의 변형을 감쇄하거나 완전히 억누르고, 따라서 종래 기술의 단점을 없애도록 한다.

도 3 내지 12는 본 발명의 다양한 실시 예에 따른 프린팅 시스템에 대한 특별한 실시 예 스텐실을 도시한다.

따라서, 도 3 및 4는 스텐실의 제1 실시 예를 도시한다. 이는 광전지 셀에서 수집 전도체를 형성하도록 하는 평행한 가로 슬릿(22)을 포함하는 중앙 프린팅 영역(13)을 포함한다. 이들 가로 슬릿(22)들은 불 연속적이고 브리지(24)에 의해 차단되어 스텐실을 너무 약화시키지 않도록 한다. 따라서 상기 중앙 프린팅 영역(13)은 프린트될 광전지 셀의 부분과 동일한 부분을 가지며, 모든 구멍(22)들이 전도성 잉크를 전달할 수 있도록 된다.

또한 상기 스텐실은 중앙 프린팅 영역(13)과 측면 클로쓰(15) 사이에서, 광전지 셀 상에서 프린트될 부분을 지나 위치하도록 된 주변 변형 영역(14)을 포함한다. 이는 수집 전도체를 위한 가로 슬릿(22)에 유사한 구멍(32)을 포함하며, 같은 폭을 갖고, 평행하게 놓이며 브리지(34)에 의해 중단된다. 이들 브리지(34)는 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내에서 상기 브리지(34)와 정렬된다.

이 같은 실시 예에서, 이들 구멍(32)은 두 개의 평행한 직선 슬릿으로 구성되고, 이들 각각은 4개의 세그먼트를 포함하며, 이들 세그먼트들은 세 개의 브리지(34) 각각에 의해 분리된다. 그러나, 이들 브리지(34)들은 상기 중앙 프린팅 영역(13)에서의 브리지(24)의 폭(d1) 보다 작은 폭(d2)을 갖는다. 이 같은 실시 예에서, d1 = 0.8 mm 이고 d2 = 0.5 mm 이다. 따라서, 구멍(32)이 상기 중앙 프린팅 영역(13)에서의 가로 슬릇(22) 보다 변형하는데 더욱 바람직한 구조를 갖는다. 또한, 이들이 클로쓰(15)에 의해 가장 큰 양의 스트레스를 받는 스텐실 일부 위에 위치하기 때문에, 이들의 바람직한 변형은 높은 스트레스가 상기 중앙 프린팅 영역(13)으로 전달되는 것을 막으며 중앙 프린팅 영역의 변형을 크게 줄인다.

변경 실시 예로서, 스텐실에 대한 다른 기하학적으로 개선된 주변 변형이 중앙 변형이 없이 선택된다. 예를 들면, 구멍(32)은 가로 슬릿(22)들 사이 다수의 브리지(24) 보다 적은 수의 브리지(34)를 포함할 수 있다.

또한, 주변 영역(14) 내 구멍(32)은 가요성 실링 필름에 의해 폐쇄되어서 프린팅에서 의도되지 않은 이와 같은 주변 영역을 통해 잉크가 통과하는 것을 막도록 한다.

상기 주변 변형 영역(14)은 스텐실 전체에서 기계적 안정성을 제공하는 연속 영역(17)에 의해 중앙 프린팅 영역(13)으로부터 분리된다.

도 5 및 6은 비록 상기 중앙 프린팅 영역 내 브리지(24)의 폭(d1) 보다 좁은 폭(d2)을 갖는 브리지(34)에 의해 여전히 분리되지만, 주면 변형 영역(14) 내 구멍(32)이 훨씬 넓다는 점에서, 이전의 실시 예와는 다른 두 번째 실시 예를 도시한다. 이 같은 중앙 프린팅 영역(13)은 또한 장래의 수집 전도체에 수직으로 배치된 더욱 넓은 불연속 구멍(23)을 포함하며, 이 같은 구멍(23)은 광전지 셀의 두 장래의 "버스바아(bus bars)"들을 형성하도록 한다.

도 7과 8은 스텐실의 세 번째 실시 예를 도시하며, 중앙 프린팅 영역(13)에서, 상기 수집 전도체를 형성하기 위한 가로 슬릿(22)들이 5개의 브리지(24)에 의해 중단된 6개의 세그먼트들로 구성된다는 점에서 이전의 실시 예들과는 다르다. 이 실시 예에서, 장래의 버스 바아들을 위한 구멍(23)들 사이에 제공된 브리지(24)들은 다른 브리지(24')들 보다 더욱좁다(d1 < d3). 또한, 이 같은 스텐실은 상기에서와 같이 두 개가 아닌, 3 개의 버스 바아들을 발생시키도록 한다. 마찬가지로 상기 주변 변형 영역(14)은 가로 슬릿(22)과 평행한 두 개의 구멍(32)을 포함하며, 이 같은 구멍들이 상기 중앙 프린팅 영역(13)에서의 브리지 (24, 24')들 보다 작은 폭(d2)을 갖는 브리지(34)들에 의해 중단된다 (d2 < d1, d2 < d3).

도 9 및 10은 네 번째 실시 예를 도시하며, 장래의 버스 바아들을 위한 구멍(23)들 사이에 제공된 브리지(24)들이 이전 실시 예에서처럼, 다른 브리지(24')들 보다 폭이 좁다는 점에서 제1 실시 예와는 다르다.

도 11 및 12는 상기 주변 변형 영역(34) 내에 위치한 구멍(32)들을 차단하는 브리지(34)가 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 가로 슬릿(22)의 브리지들과 정렬되지 않는다는 점에서 이전의 실시 예들과 다름을 도시한다. 상기 주변 변형 영역(14) 내에 위치하는 이들 구멍(32)들은 상이한 두께를 갖는다. 또한, 이 같은 실시 예에서, 장래의 버스 바아들을 발생시키기 위해 제공된 구멍(23)들은 다소 상이한 형상을 가지며, 슬릿(22)들과 평행한 방항으로 배치된다. 이 같은 실시 예는 도 4에서의 실시 예와 결합될 수 있다.

일반적으로, 이제까지의 실시 예와는 다른 실시 예를 생각하는 것도 가능하다. 특히, 상기 주변 변형 영역(14) 내 구멍(32)들이 직선이 아닌 다른 크기와 형상을 가질 수 있으며 이들이 주어진 스텐실 내에서 동일할 필요도 없다. 상기 중앙 프린팅 영역(13) 어느 한 측면에 하나 이상의 구멍(32)이 있다. 이들 구멍들은 상기 중앙 프린팅 영역(13)을 중심으로 대칭으로 분산되는 것이 바람직하다. 도시된 구멍(32)은 불연속적이지만, 도 13에서 도시된 바와 같이, 변경 실시로서 이들은 연속적일 수 있다. 설명된 실시 예에서, 중앙 프린팅 영역(13)에서의 브리지(24) 보다 더욱 작은 폭을 갖는 브리지(34)가 주변 변형 영역(14)에 제공된다.

변경된 실시 예로서, 이들 브리지(34)들은 이들 숫자가 더욱 작다면 더욱 크거나 동일한 폭을 가져서, 스텐실 전장에서 이들 전체 폭이, 모든 브리지(34)의 폭이 함께 더해져서, 모든 브리지의 폭을 더하여 얻어진, 중앙 프린팅 영역 내 브리지(24) 전체 폭 보다 작도록 된다. 따라서 주변 변형 영역(14) 내 이들 구멍(32)들이 프린팅을 위해 제공된 이웃하는 구멍보다 큰 부분을 갖도록 하여, 주변 변형 영역 내 구멍이 이웃하는 구멍보다 더욱 쉽게 변형되도록 한다. 다시 말해서 주변 변형 영역 내 구멍이 이웃하는 구멍보다 낮은 기계적 안정도를 갖도록 한다.

도 13은 주변 변형 영역(14)이 브리지(bridges of material)들에 의해 중단되지 않는 연속 직선, 슬릿-형상 구멍으로 이루어진다는 점에서 이전 실시 예와는 다른 6번째 실시 예를 도시한다. 이 같은 슬릿은 중앙 프린팅 영역(13)의 각 측면 상에 제공된다. 이 같은 중앙 프린팅 영역(13)은 이전의 실시 예에서와 동일한 형태를 갖는다. 상기 주변 변형 영역(14) 내 이들 구멍(32)들은 구멍 또는 슬릿(22)의 길이 보다 긴 길이를 가지며, 이는 상기 중앙 프린팅 영역(13)의 전장에 걸쳐 가로로 연장된다.

변경된 실시 예로서, 이 같은 길이는 상기 중앙 프린팅 영역 길이의 1/3 또는 심지어 적어도 1/2에 해당한다. 또한, 또 다른 변경 실시 예로서, 다수의 연속된 평행한 구멍이 상기 중앙 프린팅 영역(13)의 측면 각각에 제공된다. 또 다른 변경 실시 예로서, 이 같은 방법은 상기 설명된 실시 예들과 결합될 수 있다.

따라서 상기 설명된 스텐실은 도 2에서 도시된, 트램폴린 타입 구성으로, 클로쓰(15)와의 연결을 위해 특히 적합하다. 또한, 이 같은 경우, 도 2에서 도시된 클로쓰(15)의 폭(I)은, 충분한 전체 탄성을 얻기 위해 30mm 보다 길거나 동일하다. 이 같은 클로쓰에서의 스트레스를 25N 이하, 바람직하게는 13내지 17N로 유지하기 위한 조치가 취해지는 것이 좋다. 마지막으로, 이 같은 방법으로 더욱 두꺼운 스텐실을 사용하는 것이 가능하며, 특히 상기 중앙 프린팅 영역(13)에서 슬릿(22, 23)의 최소 폭에 대한 스텐실(12) 두께의 비를 1.5 , 바람직하게는 2 이상으로 달성하는 것이 가능하다.

앞서 설명된 방법은 광전지 셀의 표면에 전도체를 발생시키는 데 특히 적합하다. 이 같은 방법은 특히 함께 연결되고 수직 방향으로 연장되는 다수의 각기 다른 전도체를 포함하는, H-형상 전도체에 적합하다. 이는 어떠한 종류의 셀, 헤테로 접합(heterojunction)(HET) 셀과도 호환성이 있으며, 이때 그와 같은 셀 상에는 특히 두 프린팅 단계가 서로 정렬될 필요가 있는, 그와 같은 두 프린팅 단계에서, 금속이 투명한 전도체 산화물 상에 증착된다. 이는 또한 선택적 에미터 셀과도 호환성이 있으며, 이때 그와 같은 선택적 에미터 셀을 위해 금속이 프리셋 활성 영역과 정렬되어야 한다. 상기 설명된 스텐실은 어떠한 종류의 스크린 프린팅에도 사용될 수 있으며, 특히 FR 2 943 947에서 설명된 방법과는 매우 호환적이다.

본 발명은 상기 설명된 바와 같은 금속 스텐실을 사용하여 웨이퍼 상에 전기 전도체를 만들기 위한 프로세서에 대한 것이며, 전도성 잉크 층을 웨이퍼 표면상에 증착하기 위해, 다수의 전도체를 형성시키기 위해, 스텐실을 통해 프린팅하는 단계를 포함하며, 닥터 블레이드가 사용되어 스텐실의 중앙 부분 내 구멍들을 통해 이 같은 잉크를 프레스하도록 하고, 그리고 이에 의해 그 주변 부분에서 변형을 줄이도록 함을 특징으로 한다.

이 같은 프린팅 프로세스는 수집 전도체 및/또는 버스 바아 전도체와 같은, 표면 전도체 모두 또는 일부를 형성하기 위해 광전지 장치를 만들기 위한 프로세스에서 사용되는 때 특히 바람직하다.

특히, 이 같은 프린팅은 제1 전도체들이 제1 방향으로 형성될 수 있도록 하며, 하나 이상의 제2 전도체로 상기 제1 전도체들의 상호 연결 영역들을 커버함에 의해 전기적 연결이 발생되기 이전에 이들 전도체들이 하나 이상의 상호 연결 영역에서 불연속적이고 중단된다. 이 같은 마지막 단계는 용접 또는 접착 본딩에 의해 금속 스트립을 고정시킴에 의해 달성되는 것이 바람직하다.

Claims

중앙 프린팅 영역(13)에 슬릿(22, 23)을 포함하고, 프린트될 패턴을 형성하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실로서, 스텐실이 주변 변형 영역(14)에서 하나 또는 둘 이상의 장치(32)를 포함하고, 이 같은 구멍이 상기 중앙 프린팅 영역(13)에서 보다더 잘 변형될 수 있도록 상기 주변 변형 영역(14)을 안내하는 부분을 가지며, 이 같은 주변 변형 영역(14)이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 변형을 줄이면서 스텐실에 적용된 스트레스 영향하에서 변형 되도록 함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 슬릿(22)에 평행하게 놓인 주변 변형 영역(14) 내 적어도 하나의 직선 구멍(32)을 포함함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 주변 변형 영역(14) 내 전장에 걸쳐 연속적인 하나 이상의 구멍(32)을 포함하고, 이 같은 구멍이 중앙 프린팅 영역(13)의 길이 1/3 이상 또는 그와 동등한 길이를 갖거나, 그 같은 길이 1/2 이상 또는 그와 동등한 길이를 갖거나, 그 같은 길이 이상 또는 그와 동등한 길이를 가짐을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
제2항 또는 3항에 있어서, 두 개 이상의 구멍을 가지며, 전장에 걸쳐 연속적이고, 이들 구멍(32)이 각각 상기 주변 변형 영역(14) 내 중앙 프린팅 영역(13) 주변 두 반대편 측에 제각기 위치함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
제1항 또는 2항에 있어서, 상기 주변 변형 영역(14) 내 구멍(32)이 브리지(34)에 의해 중단된 하나 이상의 불연속 직선 구멍을 포함함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중앙 프린팅 영역(13)이 브리지(24)에 의해 중단된 직선 구멍(22)을 포함하고, 상기 주변 변형 영역(14) 내 구멍 브리지(34)가 상기 주변 변형 영역(14) 내 슬릿(22)의 모든 브리지(23) 전체 너비 보다 작은 전체 너비를 가짐을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주변 변형 영역(14) 내 구멍(32)이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 슬릿(22)과 평행하게 놓이며, 상기 주변 변형 영역(140 내 구멍(32)이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 이들 슬릿(22)과 같은 수의 브리지(34)를 포함하고, 이들 브리지(34) 들이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 이들 슬릿(22)들의 브리지(24)와 정렬되며, 그리고 상기 주변 변형 영역(14) 내 브리지(34) 폭이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 슬릿(22)의 브리지(34) 폭 보다 작음을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
제 6항에 있어서, 상기 주변 변형 영역(14) 내 구멍(32)들이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 슬릿(22)과 평행하게 놓이고, 상기 주변 변형 영역(14) 내 한 구멍(32)이 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 슬릿(22) 보다 적은 수의 브리지(34)를 포함함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 슬릿(22)의 최소 두께에 대한 스텐실의 두께 비가 1.5 보다 큼을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 스텐실이 금속으로 만들어짐을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주변 변형 영역(14)에서의 구멍(32)이 탄성 실링 요소에 의해 폐쇄되어 잉크가 이들 구멍(32)을 통과하지 못하도록 함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템을 위한 스텐실.
전술한 항 중 어느 한 항에 따른 스텐실(12)을 포함함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템.
제12항에 있어서, 스크린-프린팅 시스템이 클로쓰(15)에 고정된 스텐실(12)을 포함하여 트램폴린(trampoline) 어셈블리를 형성하도록 함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템.
제 13항에 있어서, 클로쓰(15)가 30mm 보다 큰 폭을 가짐을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템.
제12항 내지 14항 중 어느 한 항에 있어서, 스크린-프린팅 시스템이 전도체들을 광전지 장치에 프린팅하기 위한 유닛의 일부임을 특징으로 하는 스크린-프린팅 시스템.
제12항 내지 15항 중 어느 한 항에 따른 스크린-프린팅 시스템을 포함함을 특징으로 하는 광전지 장치를 생산하기 위한 유닛.
제1 항 내지 11항 중 어느 한 항에 따른 스텐실을 사용하는 스크린-프린팅 프로세스에서, 상기 중앙 프린팅 영역(13) 내 변형보다 큰 상기 주변 변형 영역(14) 내 변형을 포함하는 스텐실을 닥터링(doctoring)하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 스크린-프린팅 프로세스.
제1 항 내지 11항 중 어느 한 항에 따른 스텐실을 사용하여 실리콘 웨이퍼로 전도체를 스크린 프린팅하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 광전지 장치를 제조하기 위한 프로세스.