KR20140001994A - 베이스플레이트 지지 핀 및 이를 이용하는 베이스플레이트 지지 장치 - Google Patents

베이스플레이트 지지 핀 및 이를 이용하는 베이스플레이트 지지 장치 Download PDF

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보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명의 실시예에 따르면, 베이스플레이트 지지 핀이 제공되는데, 상기 베이스플레이트 지지 핀은 핀 바디; 상기 핀 바디에 내장된 가열 장치; 및 상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛을 포함한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 베이스플레이트 지지 장치가 제공되는데, 상기 베이스플레이트 지지 장치는 베이스플레이트 지지 부재; 및 베이스플레이트 지지 핀을 포함한다. 상기 베이스플레이트 지지 핀은, 상기 베이스플레이트 지지 핀에서 베이스플레이트를 지지하거나 상기 베이스플레이트를 베이스플레이트 지지 부재에 배치하도록 상기 베이스플레이트 지지 부재에 형성된 개구를 통해 상승 또는 하강하도록 제공된다. 상기 베이스플레이트 지지 핀은 핀 바디; 상기 핀 바디에 내장된 가열 장치; 및 상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛을 포함한다. 상기 베이스플레이트 지지 핀과 베이스플레이트 지지 장치는 상기 베이스플레이트의 불균일한 가열에 의해 야기되는 악영향을 용이하게 제거한다.

Description

베이스플레이트 지지 핀 및 이를 이용하는 베이스플레이트 지지 장치{BASEPLATE SUPPORTING PIN AND BASEPLATE SUPPORTING DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 베이스플레이트 지지 핀 및 베이스플레이트 지지 핀을 이용하는 베이스플레이트 지지 장치에 관한 것이다.
통상적으로, 액정 디스플레이용 생산 라인은 베이스플레이트를 가열하여 막 형성을 달성한다. 상기 베이스플레이트는 베이스플레이트 지지 부재에 배치되어 상기 베이스플레이트 지지 부재 내부의 발열체로 가열되어야 하지만, 상기 베이스플레이트는 가열 전에 미리 베이스플레이트 지지 핀에 배치되어 상기 베이스플레이트 지지 핀의 승강에 의해 베이스플레이트 지지부재의 상면으로 하강한 후에 가열 공정을 달성할 필요가 있다.
생산 라인에서 현재 사용되는 베이스플레이트 지지 핀은 온도 제어불능 고체 재료로 이루어져서, 상기 베이스플레이트를 가열하는 실제 공정 시에 두가지의 상황이 발생할 수 있다.
제1 상황은 상기 베이스플레이트를 가열할 때 상기 베이스플레이트 지지 핀이 베이스플레이트와 접촉하고, 이때 상기 베이스플레이트 지지 핀은 주변의 베이스플레이트의 온도보다 낮은 온도를 가져서 열전달에 의해 가열된 베이스플레이트로부터 열을 흡수하고, 이에 의하여 박막 트랜지스터(TFT)의 불량한 막 품질 및 저하된 전기적 특성을 야기하는 것이고;
제2 상황은 상기 베이스플레이트 지지 핀이 가열된 베이스플레이트로부터 일정 거리만큼 이격되고, 이때 상기 베이스플레이트 지지 핀을 수용하기 위한 구멍은 주위 온도와 일치하지 않는 온도를 갖고, 이에 따라 유사하게 상기 구멍에서의 베이스플레이트의 일부에 대해 TFT의 불량한 막 품질 및 저하된 전기적 특성을 야기하는 것이다.
상기 두 상황으로 인해 완성된 액정 디스플레이가 불균일한 시각적 특성을 제공하여 생산 라인의 수율을 감소시키는 결과를 초래할 수 있고, 이에 따라 이러한 영향을 줄일 수 있는 새로운 설계의 필요성이 존재한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 베이스플레이트 지지 핀이 제공되고, 상기 베이스플레이트 지지 핀은 핀 바디; 상기 핀 바디에 내장된 가열 장치; 및 상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛을 포함한다.
상기 가열 장치는 베이스플레이트에 의해 접촉되도록 상기 핀 바디의 상단에 인접하게 마련되는 것이 바람직하다.
상기 베이스플레이트 지지 핀은 상기 베이스플레이트 지지 핀 주변 영역의 온도를 감지하기 위하여 상기 핀 바디 내에 마련되는 온도 감지 장치; 및 상기 가열 장치를 제어하도록 상기 온도 감지 장치로부터 수신된 온도 신호에 기초하여 상기 제1 제어 유닛에 제어 신호를 송신하기 위해 상기 제1 제어 유닛과 상기 온도 감지 장치에 각각 신호적으로 결합되는 제2 제어 유닛을 더 포함할 수 있는 것이 바람직하다.
일부 실시예에 따르면, 상기 베이스플레이트 지지 핀은 상기 핀 바디에 위치된 냉각 유닛; 및 상기 핀 바디를 냉각하도록 상기 냉각 유닛을 제어하기 위해, 상기 냉각 유닛과 연결되는 제3 제어 유닛을 더 포함할 수 있고, 상기 제2 제어 유닛은 상기 냉각 유닛을 제어하도록 상기 제3 제어 유닛에 신호적으로 결합된다.
상기 냉각 유닛은, 예를 들어 냉각액 덕트를 포함할 수 있다.
상기 냉각액 덕트는 상기 핀 바디의 상단으로부터 상기 가열 장치보다 더 이격되게 제공되는 것이 바람직하다.
일부 실시예에 따르면, 상기 냉각액 덕트는 핀 바디에 내장된 별도의 파이프라인이거나 또는 상기 핀 바디에서 직접 개방된 채널 구조체일 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 상기 냉각 유닛은 냉각 가스 흡기 파이프 및 냉각 가스 배기 파이프를 포함할 수 있다.
상기 냉각 가스 흡기 파이프의 원위단(distal end)에는 수개의 통기공(air vents)을 갖는 관형 구조체(tubular structure) 또는 수개의 통기공을 갖는 분무기 장치(sprayer device)인 다수-오리피스 가스 방출 장치(multi-orifice gas-expelling apparatus)가 제공되는 것이 바람직하다.
상기 온도 감지 장치는 베이스플레이트와 접촉되고 상기 핀 바디의 상단의 주변에 위치되도록 상기 핀 바디의 상단에 인접하게 마련되는 것이 바람직하다.
일부 실시예에 따르면, 상기 핀 바디는 그 상단에 인접한 중공 캐비티를 포함할 수 있고, 상기 가열 장치와 온도 감지 장치는 상기 중공 캐비티 내에 위치될 수 있다.
상기 제3 제어 유닛은, 예를 들어 솔레노이드 밸브이다.
상기 온도 감지 장치는, 예를 들어 열전대(thermocouple)이다.
상기 가열 장치는, 예를 들어 전열선 또는 전자기 가열 장치이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 베이스플레이트 지지 장치가 제공되고, 상기 베이스플레이트 지지 장치는 베이스플레이트 지지 부재; 및 베이스플레이트 지지 핀 - 상기 베이스 플레이트 지지 핀은 그 위에 베이스플레이트를 지지하거나 상기 베이스플레이트를 상기 베이스플레이트 지지 부재에 배치하도록 상기 베이스플레이트 지지 부재에 형성된 개구를 통해 상승 또는 하강하도록 구성됨 - 을 포함하고, 상기 베이스플레이트 지지 핀은 핀 바디; 상기 핀 바디에 내장된 가열 장치; 및 상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예의 기술적 해결책을 더 명확하게 설명하기 위하여, 실시예에 대한 첨부된 도면의 간단한 설명이 이루어질 것이다. 명백하게, 아래에 설명된 도면은 본 발명을 제한하기보다는 오히려 본 발명의 일부 실시예만 관련된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 장치의 구조적인 개략도로서, 상기 베이스플레이트 지지 장치의 베이스플레이트 지지 부재에 베이스플레이트가 배치된 것을 도시하고 있고;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 핀의 구조적인 개략도이고;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 핀의 구조적인 개략도이고;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 핀의 구조적인 개략도이다.
본 발명의 실시예의 목적, 기술적 해결책, 및 이점을 명확하게 하기 위하여, 본 발명의 실시예의 기술적 해결책의 명확하고 완전한 설명이 본 발명의 실시예의 첨부 도면을 참조하여 이루어질 것이다. 명백하게, 설명된 실시예는 실시예의 모두가 아니라 본 발명의 실시예의 단지 일부이다. 본 발명의 설명된 실시예에 기초하여 창의적인 노력 없이 당업자가 얻게 되는 다른 실시예의 모두는 본 발명의 보호 범위 내에 있다.
본 발명의 실시예의 상세한 설명은 다음에서 이루어질 것이고, 이의 예는 도면에 도시되고, 상기 도면 전체를 통해 동일하거나 유사한 요소 또는 동일하거나 유사한 기능 요소는 동일하거나 유사한 참조 부호로 나타낸다.
본 발명의 설명에서 있어서, "상부(upper)", "하부(lower)", "위(above)", "아래(below)" 등과 같은 용어는 도면의 도해에 기초한 방향이나 위치 관계를 나타내고, 방향을 특정하기 위한 본 발명의 구성 및 작동을 제한하기보다는 단지 본 발명의 용이한 설명을 목적으로 하고, 이에 의하여 본 발명을 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 장치의 구조적인 개략도로서, 상기 베이스플레이트 지지 장치의 베이스플레이트 지지 부재에 베이스플레이트가 배치된 것을 도시하고 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 상기 베이스플레이트 지지 장치는 베이스플레이트 지지 부재(12) 및 베이스플레이트 지지 핀을 포함한다. 상기 베이스플레이트 지지 핀에서 베이스플레이트(11)를 지지하거나 상기 베이스플레이트를 베이스플레이트 지지 부재(12)에 배치하기 위하여, 상기 베이스플레이트 지지 핀은 베이스플레이트 지지 부재에 형성된 개구를 통해 상승 또는 하강하도록 제공된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 베이스플레이트 지지 핀은 핀 바디(10); 상기 핀 바디(10)에 내장된 가열 장치(2); 및 상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치(2)에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛(3)을 포함한다.
상기 가열 장치(2)는 베이스플레이트에 의해 접촉되도록 상기 핀 바디의 상단에 인접하게 마련될 수 있다.
상기 베이스플레이트 지지 핀은 가열(heating-up)을 제공할 수 있다. 상기 베이스플레이트의 가열 시에, 상기 제1 제어 유닛(3)에 의해 전류가 조절되고, 이에 따라 상기 베이스플레이트 지지 핀 내부의 가열 장치(2)는 가열 장치 주변의 베이스플레이트 지지 부재(12)의 가열 온도와 부합하도록 일정 온도로 가열된다. 상기 베이스플레이트(11) 전체를 가열함으로써, 막 품질의 균질성이 향상될 수 있고, 이에 의하여 상기 베이스플레이트 지지 핀의 영역에서 TFT의 전기적 특성을 향상시키고, 시각적 불균일성을 감소시켜 제품 수율을 증가시킨다.
본 발명의 실시예에서, 상기 핀 바디(10)는 세라믹 재료를 포함할 수 있고, 상기 가열 장치(2)는 핀 바디(10)에 내장된다. 상기 가열 장치(2)의 선택과 관련해서, 상기 핀 바디를 가열하는데 적절한 전열선이나 전자기 장치, 또는 그 밖의 장치가 사용될 수 있다. 상기 제1 제어 유닛(3)이 가열을 위해 가열 장치(2)를 제어하는 경우, 상기 가열 장치(2)는 먼저 핀 바디(10)를 가열하고, 이어서 상기 가열된 핀 바디(10)는 베이스플레이트(11)(예를 들어, 유리 기판)를 가열할 수 있다.
상기 실시예의 제1 제어 유닛(3)이 보다 정확하게 온도를 제어할 수 있기 위하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의해 제공된 베이스플레이트 지지 핀은,
상기 베이스플레이트 지지 핀 주변 영역의 온도를 감지하기 위하여 상기 핀 바디(10) 내에 마련되는 온도 감지 장치(4); 및
상기 온도 감지 장치(4)로부터 수신된 온도 신호에 기초하여 상기 제1 제어 유닛(3)에 제어 신호를 송신하기 위해 상기 제1 제어 유닛(3)과 온도 감지 장치(4)에 각각 신호적으로 결합되는 제2 제어 유닛(8)을 포함한다.
따라서, 상기 제1 제어 유닛(3)은 가열 장치(2)를 제어하고, 예를 들면 상기 제2 제어 유닛(8)으로부터 수신된 제어 신호에 따라 가열을 위해 상기 가열 장치(2)를 제어한다.
이와 같이, 상기 제1 제어 유닛(3)은 베이스플레이트 지지 핀 주변의 베이스플레이트 지지 부재(12)의 실제 온도에 기초하여 상기 가열 장치(2)를 제어할 수 있고, 핀 바디(10)의 온도를 주위 온도에 매칭시킨다..
상기 온도 감지 장치(4)는 여러 종류의 장치일 수 있고, 예를 들어 열전대 또는 온도 프로브일 수 있다. 상기 제2 제어 유닛(8)은 온도 감지 장치로부터 정보를 수신하여 이를 처리한 후에 상기 제1 제어 유닛(3)이 가열 장치(2)의 가열 제어를 수행하도록 상기 제1 제어 유닛(3)에 제어 신호를 송신할 수 있는 콘솔 장치용 제어 센터와 같은 정보 수신 처리 센터일 수 있다.
상기 온도 감지 장치(4)는, 독립적으로 작동하는 장치로서, 상기 제2 제어 유닛(8)에 신호적으로 결합될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 사용 중일 때, 상기 온도 감지 장치(4)는 베이스플레이트 지지 핀에 대응하는 베이스플레이트(11)의 영역의 온도를 감지하고 상기 제2 제어 유닛(8)으로 데이터를 송신한다. 상기 온도 감지 장치(4)는 베이스플레이트에 의해 접촉되도록 상기 핀 바디(10)의 상단에 인접하게 마련되면서 이러한 상단의 주변에 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 베이스플레이트(11)의 다른 가열된 구역의 온도를 측정하기 위하여 다른 감지 장치가 제공될 수 있고, 상기 제2 제어 유닛(8)으로 계측된 온도가 송신된다. 상기 제2 제어 유닛(8)은 상기 두 계측 온도를 서로 비교한 후에 상기 베이스플레이트 지지 핀 내부의 가열 장치(2)를 제어하는 제1 제어 유닛(3)으로 명령을 피드백할 수 있고, 상기 제1 제어 유닛(3)은 상기 베이스플레이트 지지 핀(11)에 대응하는 베이스플레이트(11) 영역의 온도가 상기 베이스플레이트(11)의 다른 가열된 구역과 일치하도록 상기 베이스플레이트 지지 핀의 온도를 조절한다.
상기 베이스플레이트 지지 부재(12)가 냉각되는 경우에 상기 핀 바디(10)는 베이스플레이트 지지 부재(12)와 함께 냉각될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 핀은 상기 핀 바디(10)에 위치된 냉각 유닛; 및 상기 핀 바디를 냉각하도록 상기 냉각 유닛을 제어하기 위해, 상기 냉각 유닛과 연결되는 제3 제어 유닛(6)을 더 포함하고, 상기 제2 제어 유닛(8)은 냉각 유닛을 제어하도록 상기 제3 제어 유닛(6)에 신호적으로 결합된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 핀의 구조적인 개략도이다. 도 4의 실시예에서, 상기 냉각 유닛은 냉각액 덕트(7)일 수 있다. 상기 냉각액 덕트(7)는 별도의 파이프라인으로서 상기 핀 바디(10)에 균일하게 내장되고; 상기 파이프라인 내에서 저온 액체를 유동시킴으로써, 상기 핀 바디(10)는 신속하게 냉각될 수 있다. 물론, 상기 핀 바디(10)의 내부에는 채널 구조를 갖는 냉각액 덕트가 직접 형성될 수도 있고, 이에 따라 냉각액은 냉각액 덕트로 유입되어 유사한 방식으로 냉각 효과를 달성할 수 있다. 상기 핀 바디(10)로/부터 냉각액의 유입/유출은 제3 제어 유닛(6)에 의해 달성된다. 상기 제3 제어 유닛(6)은 냉각 조절 장치, 예를 들어 솔레노이드 밸브이다. 상기 제3 제어 유닛(6)은 제2 제어 유닛(8)과 신호적으로 결합되고, 상기 제2 제어 유닛(8)으로부터 피드백된 정보에 기초하여 냉각 매체의 흐름 조절이 수행될 수 있고, 이에 의하여 냉각의 목적을 달성하고 원하는 온도 제어를 실현한다. 상기 냉각액 덕트(7)에서 흐르는 구체적인 매체는 온도 강하를 달성할 수 있는 물, 오일 등과 같은 액체 매체일 수 있다.
상기 가열 장치(2)가 베이스플레이트에 의해 접촉되도록 상기 핀 바디(10)의 상단에 인접하게 위치되는 사실로 인하여, 상기 냉각액 덕트(7)는 핀 바디의 상단과 가열 장치(2) 사이에 개재되어서는 안된다. 그렇지 않다면, 방열에 영향을 주어 상기 냉각액 덕트(7) 내의 액체가 팽창하도록 가열되고, 이에 의해 파이프라인의 균열을 일으킨다. 그러므로, 상기 냉각액 덕트(7)는 핀 바디(10)의 상단으로부터 가열 장치(2)보다 더 이격되게 제공되는 것이 바람직하다. 일례로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 냉각액 덕트(7)는 핀 바디의 중공 캐비티의 측벽에 부착되고 에워싸는 방식으로 마련될 수 있다. 상기 냉각액 덕트(7)는 핀 바디의 바닥으로부터 돌출하고, 상기 냉각액 덕트(7)에는 제2 제어 유닛(6)에 의해 제어되는 솔레노이드 밸브가 제공되고, 이에 따라 상기 온도 감지 장치와 가열 장치(2)와의 공조를 통해 상기 베이스플레이트 지지 핀의 가열 또는 냉각을 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 핀 바디는 그 상단에 인접한 중공 캐비티를 갖도록 설계될 수 있고, 상기 가열 장치(2)와 온도 감지 장치(4)는 핀 바디의 상단에 인접한 중공 캐비티에 제공된다. 상기 가열 장치(2)는 제1 제어 유닛(3)에 전기적으로 접속되고, 가열 또는 냉각을 달성하도록 상기 제1 제어 유닛(3)에 의해 제어된다. 조립되는 경우, 상기 가열 장치(2)는 직접적으로 접촉하지 않게 상기 핀 바디의 상단과 일정 거리만큼 이격될 필요가 있다. 가열 공정 시에, 상기 핀 바디의 상단은 조사에 의해 가열되고, 이에 의하여 상기 핀 바디의 상단에 접촉된 베이스플레이트(11)에 열전달을 수행하여 상기 베이스플레이트(11)를 가열한다. 상기 베이스플레이트 지지 핀이 베이스플레이트 지지 부재(12)의 개구로 들어가 있는 경우, 상기 핀 바디의 상단이 베이스플레이트(11)와 접촉하지 않고 이들 사이에 일정 거리를 갖는 다른 상황이 있을 수 있다. 이러한 경우, 상기 핀 바디의 가열된 상단은 베이스플레이트(11)로 방열할 수 있고, 이러한 방식으로 상기 베이스플레이트(11)를 가열할 수도 있다.
상기 베이스플레이트 지지 핀의 가열 장치(2)와 온도 감지 장치(4)의 작동 원리를 상기 실시예를 참조하여 설명하였다. 상기 베이스플레이트 지지 핀의 온도와 상기 베이스플레이트(11)의 다른 구역의 온도 간의 양호한 부합을 위하여, 추가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어 냉각 가스를 유입하기 위한 냉각 가스 흡기 파이프(51) 및 냉각 가스를 유출시키기 위한 냉각 가스 배기 파이프(52)를 포함하는 다른 냉각 유닛이 상기 핀 바디의 중공 캐비티에 제공될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 핀 바디의 중공 캐비티에 냉각 가스가 공급되는 경우, 상기 베이스플레이트 지지 핀의 온도는 급속하게 낮아질 수 있다. 상기 베이스플레이트(11)의 다른 구역이 비교적 낮은 경우, 상기 가열 장치(2)를 실온에서 냉각시키는 것만으로는 부합 요건을 만족시키는데 충분할 수 없고, 이에 따라 냉각 가스가 공급되어 상기 냉각 가스로 하여금 가열 장치를 급속하게 냉각시키도록 도와주도록 하는 장치가 추가된다. 상기 냉각 가스 흡기 파이프(51)와 냉각 가스 배기 파이프(52)에는 베이스플레이트 지지 핀의 외측에 제3 제어 유닛(6)(예를 들어, 솔레노이드 밸브)이 제공되고, 상기 제3 제어 유닛(6)은 온도 감지 장치(4) 및 가열 장치(2)와 공조하여 상기 베이스플레이트 지지 핀의 가열 또는 냉각을 조절한다.
상기 냉각 가스 흡기 파이프(51)의 원위단에 다수-오리피스 가스 방출 장치가 제공될 수 있어서, 상기 베이스플레이트 지지 핀의 상단을 균일하게 냉각시킨다. 상기 다수-오리피스 가스 방출 장치를 위한 여러 구체적인 구성이 있을 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 이는 수개의 통기공을 갖는 관형 구조체(511)일 수 있다. 즉, 수개 열의 관통홀이 하나의 파이프라인의 파이프벽에서 동시에 개방되고, 상기 관통홀의 각각은 냉각 가스를 외부로 이동시킬 수 있고, 이에 따라 통기 영역을 확대시켜서 상기 베이스플레이트 지지 핀을 보다 신속하게 냉각시킨다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 다수-오리피스 가스 방출 장치는 수개의 통기공을 갖는 분무기 장치(512)일 수 있다. 이의 구체적인 구성은 샤워 분무기의 구성과 유사하고, 이의 관통홀은 상기 베이스플레이트 지지 핀의 상단을 직접적으로 향하여서 이의 냉각 효과는 훨씬 더 확실하게 된다.
본 발명의 실시예에 따른 베이스플레이트 지지 핀에 있어서, 상기 베이스플레이트 지지 핀 내에 가열 장치, 주위 온도를 측정하기 위한 온도 감지 장치, 및 냉각 장치를 제공함으로써, 상기 베이스플레이트 지지 핀의 양호한 온도 조절이 달성될 수 있고, 이에 따라 베이스플레이트가 가열되는 중, 베이스플레이트에 국부적으로 너무 낮은 온도가 나타나 TFT의 불량 막 품질 및 저하된 전기적 특성을 야기하는 경우가 발생하지 않을 수 있고, 이에 의하여 완성된 액정 디스플레이에 의해 제공되는 시각적 불균일성을 감소시키고, 생산 수율을 향상시키고, 결함 제품을 생산할 가능성을 줄이고, 비용을 절감한다. 본 발명의 실시예를 도시하고 설명하였지만, 다양한 변경, 적용, 대체, 및 수정은 본 발명의 원리나 목적으로부터 벗어남이 없이 이러한 실시예에 대해 이루어질 수 있고, 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 범위는 청구범위 및 그의 동등물에 의해 규정된다.
2: 가열 장치
3: 제1 제어 유닛
12: 베이스플레이트 지지 부재
11: 베이스플레이트
4: 온도 감지 장치
8: 제2 제어 유닛
7: 냉각액 덕트
511: 관형 구조체
512: 분무기 장치
6: 제3 제어 유닛
51: 냉각 가스 흡기 파이프
52: 냉각 가스 배기 파이프
10: 핀 바디

Claims (15)

  1. 베이스플레이트 지지 핀으로서,
    핀 바디
    를 포함하고,
    상기 핀 바디에 내장된 가열 장치; 및
    상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛
    을 더 포함하는 베이스플레이트 지지 핀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가열 장치는 베이스플레이트에 의해 접촉되도록 상기 핀 바디의 상단에 인접하게 마련되는, 베이스플레이트 지지 핀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스플레이트 지지 핀 주변 영역의 온도를 감지하기 위하여 상기 핀 바디 내에 마련되는 온도 감지 장치; 및
    상기 가열 장치를 제어하도록 상기 온도 감지 장치로부터 수신된 온도 신호에 기초하여 상기 제1 제어 유닛에 제어 신호를 송신하기 위해 상기 제1 제어 유닛과 상기 온도 감지 장치에 각각 신호적으로 결합되는 제2 제어 유닛
    을 더 포함하는 베이스플레이트 지지 핀.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 핀 바디에 위치된 냉각 유닛; 및
    상기 핀 바디를 냉각하도록 상기 냉각 유닛을 제어하기 위해, 상기 냉각 유닛과 연결되는 제3 제어 유닛
    을 더 포함하고,
    상기 제2 제어 유닛은 상기 냉각 유닛을 제어하도록 상기 제3 제어 유닛에 신호적으로 결합되는, 베이스플레이트 지지 핀.
  5. 제4항에 있어서, 상기 냉각 유닛은 냉각액 덕트를 포함하는, 베이스플레이트 지지 핀.
  6. 제5항에 있어서, 상기 냉각액 덕트는 상기 핀 바디의 상단으로부터 상기 가열 장치보다 더 이격되게 마련되는, 베이스플레이트 지지 핀.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 냉각액 덕트는 핀 바디에 내장된 파이프라인이거나 또는 상기 핀 바디에서 직접 개방된 채널 구조체인, 베이스플레이트 지지 핀.
  8. 제4항에 있어서, 상기 냉각 유닛은 냉각 가스 흡기 파이프 및 냉각 가스 배기 파이프를 포함하는, 베이스플레이트 지지 핀.
  9. 제8항에 있어서, 상기 냉각 가스 흡기 파이프의 원위단(distal end)에는 수개의 통기공(air vents)을 갖는 관형 구조체(tubular structure) 또는 수개의 통기공을 갖는 분무기 장치(sprayer device)인 다수-오리피스 가스 방출 장치(multi-orifice gas-expelling apparatus)가 제공되는, 베이스플레이트 지지 핀.
  10. 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 감지 장치는 베이스플레이트에 의해 접촉되고 상기 핀 바디의 상단의 주변에 위치되도록 상기 핀 바디의 상단에 인접하게 마련되는, 베이스플레이트 지지 핀.
  11. 제10항에 있어서, 상기 핀 바디는 그 상단에 인접한 중공 캐비티를 갖고, 상기 가열 장치와 온도 감지 장치는 상기 중공 캐비티 내에 위치되는, 베이스플레이트 지지 핀.
  12. 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 제어 유닛은 솔레노이드 밸브인, 베이스플레이트 지지 핀.
  13. 제3항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도 감지 장치는 열전대(thermocouple)인 베이스플레이트 지지 핀.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열 장치는 전열선 또는 전자기 가열 장치인, 베이스플레이트 지지 핀.
  15. 베이스플레이트 지지 장치로서,
    베이스플레이트 지지 부재; 및
    베이스플레이트 지지 핀 - 상기 베이스 플레이트 지지 핀은 그 위에 베이스플레이트를 지지하거나 상기 베이스플레이트를 상기 베이스플레이트 지지 부재에 배치하도록 상기 베이스플레이트 지지 부재에 형성된 개구를 통해 상승 또는 하강하도록 구성됨 -
    을 포함하고,
    상기 베이스플레이트 지지 핀은 핀 바디; 상기 핀 바디에 내장된 가열 장치; 및 상기 가열 장치를 제어하기 위하여 상기 가열 장치에 전기적으로 접속되는 제1 제어 유닛을 포함하는, 베이스플레이트 지지 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210053713A (ko) * 2019-11-04 2021-05-12 한국표준과학연구원 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202796877U (zh) 2012-04-16 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 一种基板支撑梢
CN103309090A (zh) * 2013-06-20 2013-09-18 深圳市华星光电技术有限公司 用于紫外线硬化配向中支撑基板的装置及其方法
CN103383508B (zh) * 2013-07-22 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶滴下装置及液晶滴下方法
CN106607320B (zh) * 2016-12-22 2019-10-01 武汉华星光电技术有限公司 适用于柔性基板的热真空干燥装置
JP7030557B2 (ja) * 2018-02-27 2022-03-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2020150009A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2022016045A (ja) * 2020-07-10 2022-01-21 東京エレクトロン株式会社 載置台装置及び基板処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2618698B2 (ja) 1988-09-08 1997-06-11 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び加熱方法
US6415858B1 (en) 1997-12-31 2002-07-09 Temptronic Corporation Temperature control system for a workpiece chuck
KR20030069272A (ko) 2002-02-19 2003-08-27 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR100840720B1 (ko) 2002-08-30 2008-06-23 삼성전자주식회사 베이크 장치
KR100964619B1 (ko) 2003-10-06 2010-06-22 삼성전자주식회사 리프트 핀, 이를 포함하는 리프팅 장치
JP2006324559A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置および基板乾燥方法
JP5008562B2 (ja) 2005-07-28 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5025109B2 (ja) * 2005-08-26 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構、基板処理装置、および基板載置機構の製造方法
KR101402875B1 (ko) 2006-12-11 2014-06-03 엘아이지에이디피 주식회사 리프트 핀, 리프트 핀용 가열장치 및 이를 갖춘평판표시소자 제조장치
KR100905899B1 (ko) 2007-04-27 2009-07-02 세메스 주식회사 기판 리프팅 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
WO2011030607A1 (ja) 2009-09-10 2011-03-17 シャープ株式会社 乾燥装置
CN102859667A (zh) * 2010-04-30 2013-01-02 泰拉半导体株式会社 基板处理装置
CN202796877U (zh) * 2012-04-16 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 一种基板支撑梢

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210053713A (ko) * 2019-11-04 2021-05-12 한국표준과학연구원 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기

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Publication number Publication date
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