TW202401614A - 半導體基板加熱裝置、半導體設備及控溫方法 - Google Patents

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陳興隆
姜雲鶴
韓禹
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Abstract

本發明提供了一種半導體基板加熱裝置，包括加熱腔體、主加熱部、補償控制部和至少一個溫度補償單元。在所述半導體基板加熱裝置的加熱腔體內設置補償控制部和多個溫度補償單元，所述補償控制部的頂面與所述加熱板的底面對應設置，設置於所述加熱板和所述補償控制部之間並通信連接所述補償控制部的多個溫度補償單元與所述加熱板的底面的多個控溫補償區域一一對應設置，避免了複雜的出線設計，能夠在所述補償控制部的控制下對所述控溫補償區域進行溫度補償調節，從而在盡可能小的製造和維護成本下有效控制半導體基板的溫度均勻性。

Description

半導體基板加熱裝置、半導體設備及控溫方法
本發明涉及半導體製造技術領域，尤其涉及半導體基板加熱裝置、半導體設備及控溫方法。
目前，在半導體基板加工過程中，需頻繁使用基板烘烤設備。而加熱烘烤工藝制程中，基板的溫度均勻性對其工藝指標能否達到至關重要。目前現有技術，例如公開號為CN103792974A的中國專利申請採用了優化加熱器的加熱線路，並適當增加加熱器的分區數量的技術方案來提高熱板的溫度均勻性。
但是，增加加熱器分區數量會大幅度增大加熱器的開發週期和研發成本支出，會大幅度增加溫控部分的成本，同時佔用更多安裝硬體的空間且對加熱器製造過程中管控要求更為嚴格，容易造成加熱器成品率下降，進而轉嫁為加熱器成本增加。
通過增加分區優化加熱線路這種方案，會產生更多的出線設計，使得走線更為複雜，增加加熱器周邊結構設計難度。
因此，有必要開發新型的半導體基板加熱裝置以解決現有技術存在的上述問題。
本發明的目的在於一種半導體基板加熱裝置，包括所述半導體基板加熱裝置的半導體設備，以及所述半導體設備的控溫方法，能夠在盡可能小的製造和維護成本下有效控制半導體基板的溫度均勻性。
為實現上述目的，本發明的半導體基板加熱裝置包括： 加熱腔體； 主加熱部，包括設置於所述加熱腔體內的加熱板，所述加熱板的底面包括至少一個控溫補償區域； 補償控制部，設置於所述加熱腔體內，所述補償控制部的頂面與所述加熱板的底面相鄰； 至少一個溫度 補償單元，設置於所述加熱板和所述補償控制部之間，並通信連接所述補償控制部； 所述溫度補償單元與所述控溫補償區域對應設置，以在所述補償控制部的控制下對所述控溫補償區域進行溫度補償調節。
本發明的所述半導體基板加熱裝置的有益效果在於：在所述半導體基板加熱裝置的加熱腔體內設置補償控制部和多個溫度補償單元，所述補償控制部的頂面與所述加熱板的底面相鄰，設置於所述加熱板和所述補償控制部之間並通信連接所述補償控制部的多個溫度補償單元與所述加熱板底面設置的多個控溫補償區域一一對應設置，避免了複雜的出線設計，能夠在所述補償控制部的控制下對所述控溫補償區域進行溫度補償調節，從而在盡可能小的製造和維護成本下有效控制半導體基板的溫度均勻性。
優選的，所述溫度補償單元包括通信連接所述補償控制部的輔助調溫部，所述輔助調溫部的頂端與對應的所述控溫補償區域之間的距離大於等於0。
進一步優選的，所述輔助調溫部包括導熱元件或製冷元件。
優選的，所述溫度補償單元還包括連接所述輔助調溫部的固定部，所述輔助調溫部通過所述固定部固定於對應的所述控溫補償區域。
優選的，所述半導體基板加熱裝置還包括設置於所述主加熱部和所述補償控制部之間的分隔板，所述溫度補償單元設置於所述分隔板。
進一步優選的，所述分隔板的組成材料包括隔熱材料。
進一步優選的，所述分隔板的數目至少為2，所述溫度補償單元卡設於相鄰所述分隔板之間。
優選的，所述溫度補償單元還包括設置於所述輔助調溫部底部的支撐部，以及設置於所述支撐部內的彈性部，所述支撐部設置於所述分隔板，所述彈性部在所述支撐部的作用下對所述輔助調溫部施加朝向對應所述控溫補償區域方向的作用力來調節所述輔助調溫部的頂端與對應的所述控溫補償區域之間的距離。
進一步優選的，所述支撐部包括支撐所述輔助調溫部的內支撐部和圍設於所述內支撐部的外支撐部，所述內支撐部外側壁和所述外支撐部外側壁之間具有間距。
進一步優選的，所述彈性部的一端部設置於所述外支撐部內，另一端部與所述內支撐部底部相接觸。
進一步優選的，所述彈性部圍設於所述內支撐部底部，並與所述分隔板相接觸。
進一步優選的，所述內支撐部內設置有允許引線通過的引線孔。
進一步優選的，所述外支撐部內設置有允許引線通過的引線孔。
進一步優選的，所述主加熱部還包括用於進行溫度控制的主控部，所述補償控制部通信連接所述主控部，以在所述主控部的控制下進行所述溫度補償調節。
進一步優選的，所述加熱板的頂面包括基板接觸區域，所述加熱板的底面包括與所述基板接觸區域相對應的底面控制區域，所述控溫補償區域為所述底面控制區域內的任一區域。
本發明的半導體設備包括所述半導體基板加熱裝置。
所述半導體設備還包括溫度校準部，所述主加熱部還包括主控部，所述溫度校準部與所述半導體基板加熱裝置中加熱板的加熱面相接觸，以獲取並回饋溫度校準訊息，所述主控部設置於所述加熱腔體外，並通信連接所述補償控制部和所述溫度校準部的至少一種。
本發明所述半導體設備的控溫方法包括以下步驟： S0：提供所述半導體設備，所述半導體設備包括加熱腔體、主加熱部、補償控制部和至少一個溫度補償單元； S1：通過所述補償控制部驅動至少一個所述溫度補償單元對所述主加熱部的加熱板進行溫度補償調節。
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域的通常知識者在沒有作出進步性前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。除非另外定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有通常知識者所理解的通常意義。本文中使用的「包括」等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞後面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
本發明實施例提供了一種半導體基板加熱裝置，能夠以盡可能小的製造和維護成本提高對半導體基板溫度控制的均勻性。
本發明實施例的半導體基板加熱裝置包括加熱腔體、主加熱部、補償控制部、和至少一個溫度補償單元。
一些實施例中，所述主加熱部包括主控部、加熱板和設置於所述加熱板的主加熱單元，所述主控部通信連接所述主加熱單元。所述主控部用於進行溫度控制。所述主控部對所述主加熱單元進行溫度控制，通過所述主加熱單元使所述加熱板的加熱面產生熱量，半導體基板朝向所述加熱板的加熱面放置，所述加熱板的加熱面向所述半導體基板傳遞熱量。
具體的，所述主控部、所述加熱板和所述主加熱單元之間的結構關係以及具體實現方式為本領域通常知識者的常規技術手段，在此不做贅述。
圖1為本發明實施例的一種半導體基板加熱裝置的部分結構示意圖。
參照圖1，半導體基板加熱裝置1中，加熱腔體(圖中未標示)內設置有加熱板11、至少一個溫度補償單元12和補償控制部13。
一些實施例中，所述加熱板11的底面包括至少一個控溫補償區域。
一些實施例中，所述加熱板的頂面包括基板接觸區域，所述加熱板的底面包括與所述基板接觸區域相對應的底面控制區域，所述控溫補償區域為所述底面控制區域內的任一區域。
所述控溫補償區域具體所在的範圍以及相鄰控制補償區域之間的距離由所述加熱板11自身的結構性能、工藝需求和安裝條件共同決定。
一些具體的實施例中，多個所述控溫補償區域相對所述底面控制區域中心呈陣列分佈。具體的陣列分佈類型包括但不限於環形陣列和矩形陣列。
一些實施例中，參照圖1，所述補償控制部13的頂面與所述加熱板11的底面相鄰，即所述補償控制部13的頂面與所述加熱板11的底面之間圍成了空腔區域。至少一個所述溫度補償單元12設置於所述加熱板11和所述補償控制部13之間的區域，並通信連接所述補償控制部13。
一些實施例中，所述溫度補償單元12與所述控溫補償區域對應設置，以在所述補償控制部13的控制下對所述控溫補償區域進行溫度補償調節。
一些實施例中，所述補償控制部13通信連接所述主加熱部的主控部，以在所述主控部的控制下進行所述溫度補償調節。
一些實施例中，所述主控部設置於所述加熱腔體外，至少一個所述溫度補償單元12設置於所述加熱板11和所述補償控制部13之間的區域，並通信連接所述補償控制部13，使得所述加熱腔體內的佈線集中於所述加熱板11和所述補償控制部13之間，避免了複雜的出線設計，便於所述半導體基板加熱裝置的拆裝和維修。
進一步的，通過單一通信引線電性連接所述補償控制部13和所述主控部，就能夠通過對所述補償控制部13的控制實現對所述加熱板11的溫度補償調節，進一步避免了複雜的出線設計，便於所述半導體基板加熱裝置的拆裝和維修。
一些具體的實施例中，所述補償控制部13為電路板，所述電路板表面設置有控制電路以對至少一個所述溫度補償單元12實現控制。控制的具體實現方式可以是同步控制，也可以是相互獨立控制。
一些具體的實施例中，所述補償控制部13包括由印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)以及設置於PCB板的功能器件組成的控制板。
一些具體的實施方式中，所述補償控制部13還包括封裝所述控制板的隔熱結構，所述隔熱結構能夠覆蓋所述控制板的至少一個表面，例如朝向所述加熱板11底面的控制部頂面，並不影響所述補償控制部13和所述溫度補償單元12之間的電性連接，以避免所述補償控制部13因受熱而影響功能實現。
一些具體的實施例中，所述主控部為上位機。
一些實施例中，所述參照圖1，所述溫度補償單元12包括通信連接所述補償控制部13的輔助調溫部121。
一些實施例中所述輔助調溫部121包括導熱元件或製冷元件，以對所述加熱板11底面對應的控溫補償區域起到製熱或製冷的作用。
一些實施例中，所述輔助調溫部121與所述加熱板11之間為接觸式相互作用，即所述輔助調溫部121的頂端與對應的所述控溫補償區域(圖中未標示)之間的距離等於0，使得所述輔助調溫部121頂端與所述控溫補償區域(圖中未標示)貼合。
一些實施例中，所述溫度補償單元12還包括連接所述輔助調溫部121的固定部，所述輔助調溫部121通過所述固定部固定於對應的所述控溫補償區域。
一些具體的實施例中，所述輔助調溫部121的導熱元件為陶瓷加熱片。
一些具體的實施例中，所述輔助調溫部121的製冷元件為半導體製冷片。
一些具體的實施例中，所述固定部為耐高溫黏膠。
一些實施例中，所述輔助調溫部121為小型供氣組件。
一些實施例中，所述小型供氣組件設置為在所述補償控制部13的控制下向對應的所述控溫補償區域噴射潔淨的製冷氣體。
一些實施例中，所述小型供氣元件包括與每個所述控溫補償區域對應設置的氣體循環管路，所述小型供氣元件設置為在所述補償控制部13的控制下通過所述氣體循環管路使潔淨的製冷氣體在所述氣體循環管路中流通，以使對應的所述控溫補償區域降溫。
一些實施例中，所述輔助調溫部121為小型供液組件。
一些實施例中，所述小型供液元件包括與每個所述控溫補償區域對應設置的液體循環管路，所述小型供液組件設置為在所述補償控制部13的控制下使制熱液體在所述液體循環管路中流通迴圈，以使對應的所述控溫補償區域升溫。
圖2為本發明實施例的另一種半導體基板加熱裝置的部分結構示意圖。圖3為圖2所示的A部分的放大結構示意圖。
一些實施例中，參照圖2和圖3，所述溫度補償單元12懸設於所述加熱板11和所述補償控制部13之間，使得所述輔助調溫部121的頂端與對應的所述控溫補償區域之間的距離大於0。所述輔助調溫部121與所述加熱板11之間為非接觸式相互作用。
一些具體的實施例中，所述輔助調溫部121的加熱元件為LED燈或鹵素燈。
一些實施例中，所述半導體基板加熱裝置還包括設置於所述加熱腔體內的分隔板。參照圖2和圖3，分隔板21設置於所述加熱板11和所述補償控制部13所述溫度補償單元12設置於所述分隔板21。
一些實施例中，所述分隔板21的組成材料包括隔熱材料，有利於維持所述加熱板11的導熱效果。
一些實施例中，所述分隔板21的數目至少為2，所述溫度補償單元12卡設於相鄰所述分隔板21之間。參照圖3，所述分隔板21包括相鄰的第一分隔板31和第二分隔板32，所述溫度補償單元12卡設在所述第一分隔板31和第二分隔板32之間。
圖4為本發明實施例的一種溫度補償單元的結構示意圖。圖5為圖4所示的溫度補償單元的內部結構示意圖。
一些實施例中，參照圖3至圖5，所述溫度補償單元12還包括設置於所述輔助調溫部121底部的支撐部41，以及設置於所述支撐部41內的彈性部51。所述支撐部41設置於所述分隔板21，所述彈性部51在所述支撐部41的作用下對所述輔助調溫部121施加朝向對應所述控溫補償區域(圖中未標示)方向的作用力來調節所述輔助調溫部121的頂端與對應的所述控溫補償區域(圖中未標示)之間的距離。
一些實施例中，所述彈性部51在所述支撐部41的作用下對所述輔助調溫部121施加朝向對應所述控溫補償區域(圖中未標示)方向的作用力使所述輔助調溫部121的頂端與對應的所述控溫補償區域(圖中未標示)貼合。
一些實施例中，參照圖4和圖5，所述支撐部41包括支撐所述輔助調溫部121的內支撐部411和圍設於所述內支撐部411的外支撐部412，所述內支撐部411外側壁和所述外支撐部412外側壁之間具有間距。
一些實施例中，參照圖3和圖5，所述彈性部51的一端部設置於所述外支撐部412內，另一端部與所述內支撐部411底部相接觸。
一些實施例中，所述彈性部51的一個端部固定於所述外支撐部內，另一個端部與所述內支撐部411底部相接。所述彈性部51為壓縮工作狀態，以對所述輔助調溫部121施加朝向對應所述控溫補償區域(圖中未標示)方向的作用力使所述輔助調溫部121的頂端與對應的所述控溫補償區域(圖中未標示)貼合。
一些實施例中，參照圖5，所述外支撐部412頂部包括凹陷結構52，所述輔助調溫部121固定設置於所述內支撐部411頂部，所述內支撐部411的至少一部分收容於所述凹陷結構52內，所述凹陷結構52限定了所述內支撐部411沿徑向方向的運動範圍，使得所述輔助調溫部121能夠有效作用於對應的所述控溫補償區域(圖中未標示)。
一些實施例中，參照圖3和圖5，所述內支撐部411內設置有允許引線穿過的第一引線孔53，所述外支撐部412內設置有允許引線穿過的第二引線孔54。所述第一引線孔53和所述第二引線孔54相通，所述彈性部51為中空結構，且兩端連通所述第一引線孔53和所述第二引線孔54，使得設置在所述補償控制部13的通信引線(圖中未標示)能夠經所述第二引線孔54、所述彈性部51以及所述第一引線孔53與所述輔助調溫部121電性連接。
一些具體的實施例中，所述彈性部51為彈簧。
圖6為本發明實施例的另一種溫度補償單元的內部結構示意圖；圖7為圖6所示的溫度補償單元在加熱腔體內的工作狀態示意圖。
一些實施例中，參照圖6和圖7，所述彈性部51圍設於所述內支撐部411底部，並與所述分隔板21相接觸。具體的，所述外支撐部412貫穿所述第一分隔板31後底部與所述第二分隔板32相接觸，所述外支撐部412底部的凸起結構63卡設在所述第一分隔板31和所述第二分隔板32之間以實現所述外支撐部412在所述分隔板21的可拆卸固定連接。所述彈性部51底部與所述第二分隔板32頂部相接觸。
一些實施例中，參照圖6和圖7，所述內支撐部411包括底部凸起結構61，所述弹性部51活動圍設於所述底部凸起結構61。所述彈性部51為壓縮工作狀態，以對所述輔助調溫部121施加朝向對應所述控溫補償區域(圖中未標示)方向的作用力使所述輔助調溫部121的頂端與對應的所述控溫補償區域(圖中未標示)貼合。
一些實施例中，參照圖6和圖7，所述內支撐部411包括頂部凸起結構62，所述外支撐部412的頂部圍設於所述頂部凸起結構62，且所述頂部凸起結構62限定了所述外支撐部412沿軸向方向的運動範圍。
一些實施例中，參照圖6和圖7，設置在所述補償控制部13的通信引線(圖中未標示)能夠經所述內支撐部411開設的所述第一引線孔53與所述輔助調溫部121電性連接。
圖8為本發明實施例的一種半導體設備的工作狀態示意圖。
參照圖1和圖8，圖8所示的半導體設備包括圖1所示的半導體基板加熱裝置1和溫度校準部83。圖1所示的外側壁15和封板14是圖8所示的容置腔體82的組成結構，所述容置腔體82與蓋體81組成了加熱腔體。
參照圖1和圖8，所述溫度校準部83與所述加熱板11的頂面相接觸，以獲取並回饋溫度校準訊息，主控部86設置於所述加熱腔體(圖中未標示)外，並通信連接所述補償控制部13和所述溫度校準部83的至少一種。
一些具體的實施例中，所述溫度校準部83包括通信連接的測溫晶圓84和溫度傳感回饋器85。所述測溫晶圓84通過所述溫度傳感回饋器85與所述主控部86通信連接。
本發明實施例的所述半導體設備的控溫方法包括：通過所述補償控制部13驅動至少一個所述溫度補償單元12對所述加熱板11進行溫度補償調節。
一些實施例中，通過所述補償控制部13驅動至少一個所述溫度補償單元12對所述加熱板11進行溫度補償調節的步驟包括：通過所述主控部86控制所述補償控制部13，從而驅動至少一個所述溫度補償單元12對所述加熱板11進行溫度補償調節。
一些實施例中，執行通過所述主控部86控制所述補償控制部13的步驟之前，將所述測溫晶圓84放置在所述加熱板11的頂面，通過所述主控部86的控制對所述加熱板11的各個控溫區域進行升溫，使所述測溫晶圓84的溫度達到目標溫度。
具體的，所述加熱板11升溫的過程中，所述溫度傳感回饋器85向所述主控部86回饋所述測溫晶圓84的各個測溫採樣點的溫度值，所述主控部86根據接收到的各個測溫採樣點的溫度值計算的平均溫度與目標溫度相比較，以判斷所述測溫晶圓是否達到目標溫度。
現有技術通常採用對所述加熱板11進行分區控制的方式調節所述加熱板11的溫度均勻性。例如將所述加熱板11分為七分區、十三分區、十五分區等。考慮到功能器件的佈局要求以及布線安裝的限制，對所述加熱板11的分區不可能無限大，每個分區都包括了所述測溫晶圓84上的多個測溫採樣點。例如當通過所述測溫晶圓84顯示某個分區，例如第一分區的溫度均勻性不滿足工藝要求，需要進行升溫調整後，所述主控部86會控制第一分區進行升溫。但是這種調整會帶來如下問題：第一分區內所包含的多個測溫採樣點中部分測溫採樣點的平均溫度會低於目標溫度，但是這些測溫採樣點中的一部分測溫採樣點的溫度會高於目標溫度，而且和目標溫度之間的溫度差極有可能是互有區別的。即使是溫度低於目標溫度的各個控溫區域，和目標溫度之間的溫度差也極有可能是互有區別的。可見對單個分區進行的溫度調整很容易在所述加熱板11的整體範圍內再次引起溫度不均勻的問題。
另外，上述分區控制的方式使得每個分區都需要獨立的溫度控制，顯著增加了溫控部分的成本，且分區越細成本約高。
本發明實施例技術方案中，所述測溫晶圓84的溫度達到目標溫度後，通過所述溫度傳感回饋器85獲取所述測溫晶圓84的各個測溫區域溫度訊息，根據這些溫度訊息判斷所述加熱板11底面進行溫度補償調節的多個控溫補償區域。然後控制所述補償控制部13驅動對應的所述溫度補償單元12進行升溫或降溫，以達到溫度補償調節的目的。
雖然在上文中詳細說明了本發明的實施方式，但是對於本領域的技術人員來說顯而易見的是，能夠對這些實施方式進行各種修改和變化。但是，應理解，這種修改和變化都屬於說明書中所述的本發明的範圍和精神之內。而且，在此說明的本發明可有其它的實施方式，並且可通過多種方式實施或實現。
1:半導體基板加熱裝置 11:加熱板 12:溫度補償單元 121:輔助調溫部 13:補償控制部 14:封板 15:外側壁 21:分隔板 31:第一分隔板 32:第二分隔板 41:支撐部 411:內支撐部 412:外支撐部 51:彈性部 52:凹陷結構 53:第一引線孔 54:第二引線孔 61:底部凸起結構 62:頂部凸起結構 63:凸起結構 81:蓋體 82:容置腔體 83:溫度校準部 84:測溫晶圓 85:溫度傳感回饋器 86:主控部
圖1為本發明實施例的一種半導體基板加熱裝置的部分結構示意圖； 圖2為本發明實施例的另一種半導體基板加熱裝置的部分結構示意圖； 圖3為圖2所示的A部分的放大結構示意圖； 圖4為本發明實施例的一種溫度補償單元的結構示意圖； 圖5為圖4所示的溫度補償單元的內部結構示意圖； 圖6為本發明實施例的另一種溫度補償單元的內部結構示意圖； 圖7為圖6所示的溫度補償單元在加熱腔體內的工作狀態示意圖； 圖8為本發明實施例的一種半導體設備的工作狀態示意圖。
11:加熱板
12:溫度補償單元
13:補償控制部
21:分隔板

Claims (18)

  1. 一種半導體基板加熱裝置，包括： 一加熱腔體； 一主加熱部，包括設置於該加熱腔體內的一加熱板，該加熱板的底面包括至少一控溫補償區域； 一補償控制部，設置於該加熱腔體內，該補償控制部的頂面與該加熱板的底面相鄰；以及 至少一溫度補償單元，設置於該加熱板和該補償控制部之間，並通信連接該補償控制部； 該溫度補償單元與該控溫補償區域對應設置，以在該補償控制部的控制下對該控溫補償區域進行一溫度補償調節。
  2. 根據請求項1所述的半導體基板加熱裝置，其中該溫度補償單元包括通信連接該補償控制部的一輔助調溫部，該輔助調溫部的頂端與對應的該控溫補償區域之間的距離大於等於0。
  3. 根據請求項2所述的半導體基板加熱裝置，其中該輔助調溫部包括一導熱元件或一製冷元件。
  4. 根據請求項2所述的半導體基板加熱裝置，其中該溫度補償單元還包括連接該輔助調溫部的一固定部，該輔助調溫部通過該固定部固定於對應的該控溫補償區域。
  5. 根據請求項2所述的半導體基板加熱裝置，還包括設置於該加熱板和該補償控制部之間的一分隔板，該溫度補償單元設置於該分隔板。
  6. 根據請求項5所述的半導體基板加熱裝置，其中該分隔板的組成材料包括一隔熱材料。
  7. 根據請求項5所述的半導體基板加熱裝置，其中該分隔板的數目至少為2，該溫度補償單元卡設於相鄰該分隔板之間。
  8. 根據請求項5所述的半導體基板加熱裝置，其中該溫度補償單元還包括設置於該輔助調溫部底部的一支撐部，以及設置於該支撐部內的一彈性部，該支撐部設置於該分隔板，該彈性部在該支撐部的作用下對該輔助調溫部施加朝向對應該控溫補償區域方向的作用力來調節該輔助調溫部的頂端與對應的該控溫補償區域之間的距離。
  9. 根據請求項8所述的半導體基板加熱裝置，其中該支撐部包括支撐該輔助調溫部的一內支撐部和圍設於該內支撐部的一外支撐部，該內支撐部外側壁和該外支撐部外側壁之間具有間距。
  10. 根據請求項9所述的半導體基板加熱裝置，其中該彈性部的一端部設置於該外支撐部內，另一端部與該內支撐部底部相接觸。
  11. 根據請求項9所述的半導體基板加熱裝置，其中該所述彈性部圍設於該內支撐部底部，並與該分隔板相接觸。
  12. 根據請求項9所述的半導體基板加熱裝置，其中該內支撐部內設置有允許引線通過一引線孔。
  13. 根據請求項9所述的半導體基板加熱裝置，其中該外支撐部內設置有允許引線通過的一引線孔。
  14. 根據請求項1所述的半導體基板加熱裝置，其中該主加熱部還包括用於進行溫度控制的一主控部，該補償控制部通信連接該主控部，以在該主控部的控制下進行該溫度補償調節。
  15. 根據請求項1所述的半導體基板加熱裝置，其中該加熱板的頂面包括一基板接觸區域，該加熱板的底面包括與該基板接觸區域相對應的一底面控制區域，該控溫補償區域為該底面控制區域內的任一區域。
  16. 一種半導體設備，包括如請求項1-15中任一項所述的半導體基板加熱裝置。
  17. 根據請求項16所述的半導體設備，還包括一溫度校準部，該主加熱部還包括一主控部，該溫度校準部與該半導體基板加熱裝置中該加熱板的加熱面相接觸，以獲取並回饋一溫度校準訊息，該主控部設置於該加熱腔體外，並通信連接該補償控制部和該溫度校準部中的至少一種。
  18. 如請求項16-17中任一項所述的半導體設備的控溫方法，包括以下步驟： S0：提供該半導體設備，該半導體設備包括該加熱腔體、該主加熱部、該補償控制部和該溫度補償單元； S1：通過該補償控制部驅動該溫度補償單元對該主加熱部的該加熱板底面進行該溫度補償調節。
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