KR20130129915A - 폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 - Google Patents

폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20130129915A
KR20130129915A KR1020137008102A KR20137008102A KR20130129915A KR 20130129915 A KR20130129915 A KR 20130129915A KR 1020137008102 A KR1020137008102 A KR 1020137008102A KR 20137008102 A KR20137008102 A KR 20137008102A KR 20130129915 A KR20130129915 A KR 20130129915A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
underlayer film
resist underlayer
forming composition
resist
formula
Prior art date
Application number
KR1020137008102A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101866828B1 (ko
Inventor
히로아키 오쿠야마
야스노부 소메야
마사카즈 카토
테츠야 신조
케이스케 하시모토
Original Assignee
닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 filed Critical 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
Publication of KR20130129915A publication Critical patent/KR20130129915A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101866828B1 publication Critical patent/KR101866828B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
    • C08G65/40—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols from phenols (I) and other compounds (II), e.g. OH-Ar-OH + X-Ar-X, where X is halogen atom, i.e. leaving group
    • C08G65/4006—(I) or (II) containing elements other than carbon, oxygen, hydrogen or halogen as leaving group (X)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G65/34—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives
    • C08G65/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols
    • C08G65/40—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from hydroxy compounds or their metallic derivatives derived from phenols from phenols (I) and other compounds (II), e.g. OH-Ar-OH + X-Ar-X, where X is halogen atom, i.e. leaving group
    • C08G65/4012—Other compound (II) containing a ketone group, e.g. X-Ar-C(=O)-Ar-X for polyetherketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D171/00—Coating compositions based on polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
    • C08G2650/38—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type containing oxygen in addition to the ether group
    • C08G2650/40—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type containing oxygen in addition to the ether group containing ketone groups, e.g. polyarylethylketones, PEEK or PEK
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31942—Of aldehyde or ketone condensation product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Polyethers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

[과제] 내열성을 가지며, 또한 하드 마스크 특성을 갖는 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다. [해결수단] 하기 식(1): (식(1) 중, Ar1은 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 단위구조, 하기 식(2): (단, 식(2) 중, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타내고, T는 카르보닐기 또는 술포닐기를 나타낸다.)로 표시되는 단위구조, 또는 이들 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물. 상기 Ar1 및 Ar2의 아릴렌기를 포함하는 유기기가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기이다.
Figure pct00015

Description

폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물{LITHOGRAPHIC RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOUND THAT COMPRISES RESIN INCLUDING POLYETHER STRUCTURE}
본 발명은, 반도체 기판 가공시에 유효한 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물, 그리고 이 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용하는 레지스트 패턴 형성법 및 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 포토레지스트 조성물을 이용한 리소그래피에 의한 미세 가공이 행해지고 있다. 상기 미세 가공은 실리콘 웨이퍼 등의 피가공 기판 상에 포토레지스트 조성물의 박막을 형성하고, 그 위에 반도체 디바이스의 패턴이 그려진 마스크 패턴을 통해 자외선 등의 활성 광선을 조사하고, 현상하여, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여 실리콘 웨이퍼 등의 피가공 기판을 에칭 처리하는 가공법이다. 그런데, 최근, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되면서, 사용되는 활성 광선도 KrF 엑시머 레이저(248㎚)에서 ArF 엑시머 레이저(193㎚)로 단파장화되는 경향이 있다. 이에 따라 활성 광선의 기판으로부터의 난반사나 정재파의 영향이 큰 문제가 되어 왔다. 이에, 포토레지스트와 피가공 기판 사이에 반사방지막(Bottom Anti-Reflective Coating, BARC)을 마련하는 방법이 널리 검토되게 되었다.
향후, 레지스트 패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제나 현상 후에 레지스트 패턴이 붕괴되는 문제가 발생하므로 레지스트의 박막화가 요망되게 된다. 그 결과, 기판을 가공하는데 있어 충분한 레지스트 패턴의 막두께를 얻기 어려워, 레지스트 패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공하는 반도체 기판 사이에 작성되는 레지스트 하층막에도 기판 가공시 마스크로서의 기능을 갖게 하는 프로세스가 필요하게 되었다. 이러한 프로세스용 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성(에칭속도가 빠른) 레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 근접한 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 반도체 기판에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구되게 되었다.
또한, 플루오렌 구조를 갖는 내열성 레지스트 하층막이 기재되어 있다(특허문헌 1).
국제공개 제WO2010/041626호 팜플렛
본 발명은, 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하고자 한다. 또한 본 발명의 목적은, 레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않아, 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있으며, 레지스트에 근접한 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 반도체 기판에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공하는 것에 있다. 또한 본 발명은, 248㎚, 193㎚, 157㎚ 등의 파장의 조사광을 미세 가공에 사용할 때에 기판으로부터의 반사광을 효과적으로 흡수하는 성능을 부여할 수도 있는 리소그래피용 레지스트 하층막을 제공하고자 한다. 또한, 본 발명의 목적은 레지스트 하층막 형성 조성물을 이용한 레지스트 패턴의 형성법을 제공하는 것에 있다. 그리고, 본 발명은, 내열성도 겸비한 레지스트 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명은 제1 관점으로서, 하기 식(1):
[화학식 1]
Figure pct00001
(식(1) 중, Ar1은 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 단위구조, 하기 식(2):
[화학식 2]
Figure pct00002
(단, 식(2) 중, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타내고, T는 카르보닐기 또는 술포닐기를 나타낸다.)로 표시되는 단위구조, 또는 식(1)로 표시되는 단위구조 및 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물,
제2 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1로 표시되는 유기기가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제3 관점으로서, 상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar2로 표시되는 유기기가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제4 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제5 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1로 표시되는 유기기가, 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이루어진 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제6 관점으로서, 상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar2로 표시되는 유기기가, 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이루어진 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제7 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이루어진 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제8 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1로 표시되는 유기기가, 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제9 관점으로서, 상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar2로 표시되는 유기기가, 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제10 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제11 관점으로서, 상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 페닐렌기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제12 관점으로서, 상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 페닐렌기인 제1 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제13 관점으로서, 산, 또는 산발생제를 추가로 포함하는 제1 관점 내지 제12 관점 중 어느 한 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물,
제14 관점으로서, 제1 관점 내지 제13 관점 중 어느 한 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막,
제15 관점으로서, 반도체 기판 상에 제1 관점 내지 제13 관점 중 어느 한 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막에 광 또는 전자선을 조사하고, 이어서 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 레지스트막의 레지스트 패턴에 따라 상기 하층막을 에칭하는 공정, 및 상기 패턴화된 하층막에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법 및
제16 관점으로서, 반도체 기판에 제1 관점 내지 제13 관점 중 어느 한 관점에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드 마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막에 광 또는 전자선을 조사하고, 이어서 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 레지스트막의 레지스트 패턴에 따라 하드 마스크를 에칭하는 공정, 상기 패턴화된 하드 마스크에 따라 상기 하층막을 에칭하는 공정, 및 상기 패턴화된 하층막에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법이다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해, 레지스트 하층막의 상층부와 인터믹싱을 일으키는 일 없이, 양호한 레지스트의 패턴형상을 형성할 수 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에는 기판으로부터의 반사를 효율적으로 억제하는 성능을 부여할 수도 있으며, 노광 광의 반사방지막으로서의 효과를 함께 가질 수도 있다.
본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해, 레지스트에 근접한 드라이 에칭 속도의 선택비, 레지스트에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비나 반도체 기판에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는, 우수한 레지스트 하층막을 제공할 수 있다.
레지스트 패턴의 미세화에 따라 레지스트 패턴이 현상 후에 붕괴되는 것을 방지하기 위해 레지스트의 박막화가 행해지고 있다. 이 같은 박막 레지스트에서는, 레지스트 패턴을 에칭 프로세스에서 그 하층막에 전사하고, 그 하층막을 마스크로 하여 기판 가공을 행하는 프로세스나, 레지스트 패턴을 에칭 프로세스에서 그 하층막에 전사하고, 다시, 하층막에 전사된 패턴을 상이한 가스 조성을 이용하여 그 하층막에 전사하는 과정을 반복하여, 최종적으로 기판 가공을 행하는 프로세스가 있다. 본 발명의 레지스트 하층막 및 그 형성 조성물은 이 프로세스에 유효하고, 본 발명의 레지스트 하층막을 이용하여 기판을 가공할 때에는, 가공 기판(예를 들면, 기판 상의 열산화규소막, 질화규소막, 폴리실리콘막 등)에 대하여 충분히 에칭내성을 갖는다.
그리고, 본 발명의 레지스트 하층막은, 평탄화막, 레지스트 하층막, 레지스트층의 오염방지막, 드라이 에칭 선택성을 갖는 막으로서 이용할 수 있다. 이에 따라, 반도체 제조의 리소그래피 프로세스에 있어서의 레지스트 패턴 형성을, 용이하게, 양호한 정도(精度)로 행할 수 있게 된다.
레지스트 하층막 형성 조성물에 의한 레지스트 하층막을 기판 상에 형성하고, 그 위에 하드 마스크를 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하고, 노광과 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 하드 마스크에 전사하고, 하드 마스크에 전사된 레지스트 패턴을 레지스트 하층막에 전사하고, 그 레지스트 하층막에서 반도체 기판의 가공을 행하는 프로세스가 있다. 이 프로세스에서 하드 마스크는 유기 폴리머나 무기 폴리머와 용제를 포함하는 도포형 조성물에 의해 행해지는 경우와, 무기물의 진공증착에 의해 행해지는 경우가 있다. 무기물(예를 들면, 질화산화규소)의 진공 증착에서는 증착물이 레지스트 하층막 표면에 퇴적되거나, 그때에 레지스트 하층막 표면의 온도가 400℃ 전후로 상승된다. 본 발명에 따른 레지스트 하층막 형성 조성물에서는 이용되는 폴리머가 폴리에테르 구조, 예를 들면 플루오렌나프톨과 아릴렌알킬렌의 단위구조를 포함하는 공중합체이므로 내열성이 매우 높고, 증착물의 퇴적에 의해서도 열 열화가 발생하기 어려워진다.
본 발명은 식(1)로 표시되는 단위구조, 식(2)로 표시되는 단위구조, 또는 이들 조합으로 이루어진 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물이다.
그리고, 가교제와 산을 포함할 수 있으며, 필요에 따라 산발생제, 계면활성제 등의 첨가제를 포함할 수 있다. 이 조성물의 고형분은 0.1 내지 70질량%, 또는 0.1 내지 60질량%이다. 고형분은 레지스트 하층막 형성 조성물에서 용제를 제외한 나머지 성분의 함유 비율이다.
고형분 중에 상기 폴리머를 1 내지 100질량%, 또는 1 내지 99질량%, 또는 50 내지 99질량%의 비율로 함유할 수 있다.
본 발명에 이용되는 폴리머는, 중량평균 분자량이 600 내지 1000000, 바람직하게는 1000 내지 200000이다.
식(1)로 표시되는 단위구조는 폴리에테르 구조를 갖는 단위구조를 나타내고, 식(2)로 표시되는 단위구조는 폴리에테르에테르케톤 구조 또는 폴리에테르에테르술폰 구조를 갖는 단위구조를 나타낸다.
식(1)로 표시되는 단위구조에 있어서, Ar1은 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타낸다. 상기 유기기는 예를 들어 2 내지 4가를 나타낸다. 또한, 식(2)에서, 식(2) 중, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타내고, T는 카르보닐기 또는 술포닐기를 나타낸다. Ar1 내지 Ar4로 표시되는 유기기 중 아릴렌기 또는 복소환기는, 각각 1종 또는 2종 이상의 조합으로 이용할 수 있다. 상기 아릴렌기 및 상기 복소환기는 예를 들어 2 내지 4가를 나타낸다.
탄소수 6 내지 50의 아릴렌기는 아릴기에 대응하는 2가의 유기기이며, 예를 들어 페닐기, o-메틸페닐기, m-메틸페닐기, p-메틸페닐기, o-클로르페닐기, m-클로르페닐기, p-클로르페닐기, o-플루오로페닐기, p-플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, p-니트로페닐기, p-시아노페닐기, α-나프틸기, β-나프틸기, o-비페닐릴기, m-비페닐릴기, p-비페닐릴기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 플루오렌기, 플루오렌 유도체기, 피렌기, 펜타센기에 대응하는 2가의 기를 예시할 수 있다.
복소환기는, 피롤, 티오펜, 퓨란, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 피라졸, 이소옥사졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 피란, 카바졸 등의 복소환에 대응하는 유기기를 이용할 수 있다.
탄소수 6 내지 50의 아릴렌기를 포함하는 유기기는, 상기 아릴렌기 단독으로, 또는 상기 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이용할 수 있다.
또한, 상기 아릴렌기를 포함하는 유기기로는, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기, 또는 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기를 이용할 수 있다.
본 발명에 이용되는 폴리머의 단위구조는 예를 들어 이하에 예시할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003

[화학식 4]
Figure pct00004

본 발명의 레지스트 하층막 형성 조성물은 가교제 성분을 포함할 수 있다. 그 가교제로는, 멜라민계, 치환 요소계, 또는 이들 폴리머계 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 적어도 2개의 가교 형성 치환기를 갖는 가교제이고, 메톡시메틸화 글리콜우릴, 부톡시메틸화 글리콜우릴, 메톡시메틸화 멜라민, 부톡시메틸화 멜라민, 메톡시메틸화 벤조구아나민, 부톡시메틸화 벤조구아나민, 메톡시메틸화 요소, 부톡시메틸화 요소, 메톡시메틸화 티오요소, 또는 메톡시메틸화 티오요소 등의 화합물이다. 또한, 이들 화합물의 축합체도 사용할 수 있다.
또한, 상기 가교제로는 내열성이 높은 가교제를 이용할 수 있다. 내열성이 높은 가교제로는 분자 내에 방향족환(예를 들면, 벤젠환, 나프탈렌환)을 갖는 가교 형성 치환기를 함유하는 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.
이 화합물은 하기 식(4)로 표시되는 부분구조를 갖는 화합물이나, 하기 식(5)로 표시되는 반복 단위를 갖는 폴리머 또는 올리고머를 들 수 있다.
[화학식 5]
Figure pct00005

식(4) 중, R7 및 R8은 각각 수소원자, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타내고, n7은 1 내지 4의 정수를 나타내고, n8은 1 내지 (5-n7)의 정수를 나타내고, n7+n8은 2 내지 5의 정수를 나타낸다. 식(5) 중, R9는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R10은 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, n9는 1 내지 4의 정수를 나타내고, n10은 0 내지 (4-n9)를 나타내고, n9+n10은 1 내지 4의 정수를 나타낸다. 올리고머 및 폴리머는 반복 단위구조의 수가 2 내지 100, 또는 2 내지 50인 범위에서 이용할 수 있다. 이들 알킬기나 아릴기는 상술한 예시를 들 수 있다.
식(4)로 표시되는 화합물, 폴리머, 올리고머 및 식(5)로 표시되는 화합물, 폴리머, 올리고머는 이하에 예시된다.
[화학식 6]
Figure pct00006

[화학식 7]
Figure pct00007
[화학식 8]
Figure pct00008
상기 화합물은 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd., Honshu Chemical Industry Co., Ltd.의 제품으로 입수할 수 있다. 예를 들어, 상기 가교제 중에서 식(6-21)로 표시되는 화합물은 Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd., 상품명: TM-BIP-A로 입수할 수 있다.
가교제의 첨가량은, 사용하는 도포 용제, 사용하는 하지 기판, 요구되는 용액 점도, 요구되는 막 형상 등에 따라 변동하는데, 전체 고형분에 대하여 0.001 내지 80질량%, 바람직하게는 0.01 내지 50질량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 40질량%이다. 이들 가교제는 자기축합에 의한 가교반응을 일으키는 경우도 있지만, 본 발명의 상기 폴리머 중에 가교성 치환기가 존재하는 경우에는, 이들의 가교성 치환기와 가교반응을 일으킬 수 있다.
본 발명에서는 상기 가교반응을 촉진시키기 위한 촉매로서, p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄 p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 히드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기 술폰산알킬에스테르 등의 열산발생제를 배합할 수 있다. 배합량은 전체 고형분에 대하여, 0.0001 내지 20질량%, 바람직하게는 0.0005 내지 10질량%, 바람직하게는 0.01 내지 3질량%이다.
본 발명의 리소그래피용 도포형 하층막 형성 조성물은, 리소그래피 공정에서 상층에 피복되는 포토레지스트와의 산성도를 일치시키기 위해, 광산 발생제를 첨가할 수 있다. 바람직한 광산 발생제로는, 예를 들면, 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트 등의 오늄염계 광산 발생제류, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐 함유화합물계 광산 발생제류, 벤조인토실레이트, N-히드록시석신이미드트리플루오로메탄술포네이트 등의 술폰산계 광산 발생제류 등을 들 수 있다. 상기 광산 발생제는 전체 고형분에 대하여, 0.2 내지 10질량%, 바람직하게는 0.4 내지 5질량%이다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 재료에는, 상기 이외에 필요에 따라 흡광제, 레올로지 조정제, 접착보조제, 계면활성제 등을 추가로 첨가할 수 있다.
추가적인 흡광제로는 예를 들면, 「공업용 색소의 기술과 시장」(CMC 출판)나 「염료 편람」(유기합성화학협회 편)에 기재된 시판의 흡광제, 예를 들면, C.I. Disperse Yellow 1, 3, 4, 5, 7, 8, 13, 23, 31, 49, 50, 51, 54, 60, 64, 66, 68, 79, 82, 88, 90, 93, 102, 114 및 124; C.I. Disperse Orange 1, 5, 13, 25, 29, 30, 31, 44, 57, 72 및 73; C.I. Disperse Red 1, 5, 7, 13, 17, 19, 43, 50, 54, 58, 65, 72, 73, 88, 117, 137, 143, 199 및 210; C.I. Disperse Violet 43; C.I. Disperse Blue 96; C.I. Fluorescent Brightening Agent 112, 135 및 163; C.I. Solvent Orange 2 및 45; C.I. Solvent Red 1, 3, 8, 23, 24, 25, 27 및 49; C.I. Pigment Green 10; C.I. Pigment Brown 2 등을 적합하게 이용할 수 있다. 상기 흡광제는 통상, 리소그래피용 레지스트 하층막 재료의 전체 고형분에 대하여 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하의 비율로 배합된다.
레올로지 조정제는, 주로 레지스트 하층막 형성 조성물의 유동성을 향상시키고, 특히 베이킹 공정에 있어서, 레지스트 하층막의 막두께 균일성의 향상이나 홀 내부에 대한 레지스트 하층막 형성 조성물의 충전성을 높이기 위한 목적으로 첨가된다. 구체예로는, 디메틸프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 디이소부틸프탈레이트, 디헥실프탈레이트, 부틸이소데실프탈레이트 등의 프탈산 유도체, 디노말부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디이소옥틸아디페이트, 옥틸데실아디페이트 등의 아디프산 유도체, 디노말부틸말레이트, 디에틸말레이트, 디노닐말레이트 등의 말레산 유도체, 메틸올레이트, 부틸올레이트, 테트라하이드로푸르푸릴올레이트 등의 올레인산 유도체, 또는 노말부틸스테아레이트, 글리세릴스테아레이트 등의 스테아린산 유도체를 들 수 있다. 이들 레올로지 조정제는, 리소그래피용 레지스트 하층막 재료의 전체 고형분에 대하여 통상 30질량% 미만의 비율로 배합된다.
접착보조제는, 주로 기판 혹은 레지스트와 레지스트 하층막 형성 조성물의 밀착성을 향상시키고, 특히 현상에 있어서 레지스트가 박리되지 않도록 하기 위한 목적으로 첨가된다. 구체예로는, 트리메틸클로로실란, 디메틸비닐클로로실란, 메틸디페닐클로로실란, 클로로메틸디메틸클로로실란 등의 클로로실란류, 트리메틸메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 메틸디메톡시실란, 디메틸비닐에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 알콕시실란류, 헥사메틸디실라잔, N,N’-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸실릴아민, 트리메틸실릴이미다졸 등의 실라잔류, 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류, 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 메르캅토피리미딘 등의 복소환식 화합물이나, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 등의 요소, 또는 티오요소 화합물을 들 수 있다. 이들 접착보조제는, 리소그래피용 레지스트 하층막 재료의 전체 고형분에 대하여 통상 5질량% 미만, 바람직하게는 2질량% 미만의 비율로 배합된다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 재료에는, 핀홀이나 스트리에이션(striation) 등의 발생 없이, 표면 얼룩에 대한 도포성을 더욱 향상시키기 위해, 계면활성제를 배합할 수 있다. 계면활성제로는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머류, 솔비탄모노라우레이트, 솔비탄모노팔미테이트, 솔비탄모노스테아레이트, 솔비탄모노올리에이트, 솔비탄트리올리에이트, 솔비탄트리스테아레이트 등의 솔비탄지방산에스테르류, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리올리에이트, 폴리옥시에틸렌솔비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌솔비탄지방산에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, EFTOP EF301, EF303, EF352(Tohkem products Corporation제, 상품명), MEGAFAC F171, F173, R-30(Dainippon Ink and Chemicals, Inc.제, 상품명), FLUORAD FC430, FC431(Sumitomo 3M Limited제, 상품명), ASAHI GUARD AG710, SURFLON S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106(Asahi Glass Co., Ltd.제, 상품명) 등의 불소계 계면활성제, Organosiloxane polymer KP341(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제) 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제의 배합량은, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 재료의 전체 고형분에 대하여 통상 2.0질량% 이하, 바람직하게는 1.0질량% 이하이다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가할 수도 있고, 또한, 2종 이상의 조합으로 첨가할 수도 있다.
본 발명에서, 상기 폴리머 및 가교제 성분, 가교촉매 등을 용해시키는 용제로는, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 톨루엔, 자일렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 유산에틸, 유산부틸 등을 이용할 수 있다. 이들 유기용제는 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용된다.
또한, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 고비점 용제를 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 용제 중에서 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 유산에틸, 유산부틸 및 시클로헥사논 등이 레벨링성을 향상시키는데 바람직하다.
본 발명에 이용되는 레지스트는 포토레지스트나 전자선 레지스트 등을 이용할 수 있다.
본 발명에서의 리소그래피용 레지스트 하층막의 상부에 도포되는 포토레지스트로는 네가티브형, 포지티브형 중 어느 것이나 사용 가능하며, 노볼락 수지와 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르로 이루어진 포지티브형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리 용해 속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광산 발생제로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트, 알칼리 가용성 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리 용해 속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산 발생제로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트, 산에 의해 분해되어 알칼리 용해 속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 산에 의해 분해되어 포토레지스트의 알칼리 용해 속도를 상승시키는 저분자 화합물과 광산 발생제로 이루어진 화학증폭형 포토레지스트, 골격에 Si원자를 갖는 포토레지스트 등이 있으며, 예를 들면, Rohm and Haas Electronic Materials Co., Ltd.제, 상품명 APEX-E를 들 수 있다.
또한 본 발명에서의 리소그래피용 레지스트 하층막의 상부에 도포되는 전자선 레지스트로는, 예를 들면 주쇄에 Si-Si 결합을 포함하고 말단에 방향족환을 포함한 수지와 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제로 이루어진 조성물, 또는 수산기가 N-카르복시아민을 포함하는 유기기로 치환된 폴리(p-히드록시스티렌)과 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제로 이루어진 조성물 등을 들 수 있다. 후자(後者)의 전자선 레지스트 조성물에서는, 전자선 조사에 의해 산발생제로부터 발생한 산이 폴리머 측쇄의 N-카르복시아미녹시기와 반응하여, 폴리머 측쇄가 수산기로 분해되어 알칼리 가용성을 나타내고 알칼리 현상액에 용해되어, 레지스트 패턴을 형성하는 것이다. 이 전자선의 조사에 의해 산을 발생하는 산발생제는 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2,2-트리클로로에탄, 1,1-비스[p-메톡시페닐]-2,2,2-트리클로로에탄, 1,1-비스[p-클로로페닐]-2,2-디클로로에탄, 2-클로로-6-(트리클로로메틸)피리딘 등의 할로겐화 유기 화합물, 트리페닐술포늄염, 디페닐요오드늄염 등의 오늄염, 니트로벤질토실레이트, 디니트로벤질토실레이트 등의 술폰산에스테르를 들 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 재료를 사용하여 형성한 레지스트 하층막을 갖는 레지스트의 현상액으로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제1 아민류, 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등의 제2 아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제3 아민류, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 제4급 암모늄염, 피롤, 피페리딘 등의 환상 아민류, 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 이소프로필알코올 등의 알코올류, 비이온계 등의 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용하는 것도 가능하다. 이들 중에서 바람직한 현상액은 제4급 암모늄염, 더욱 바람직하게는 테트라메틸암모늄히드록시드 및 콜린이다.
다음에 본 발명의 레지스트 패턴 형성법에 대하여 설명하면, 정밀집적회로소자의 제조에 사용되는 기판(예를 들면, 실리콘/이산화실리콘 피복, 유리기판, ITO기판 등의 투명기판) 위에 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포 후, 베이크하여 경화시키고 도포형 하층막을 작성한다. 여기서, 레지스트 하층막의 막두께로는 0.01 내지 3.0㎛가 바람직하다. 또한 도포 후 베이킹하는 조건은 80 내지 350℃에서 0.5 내지 120분간이다. 그 후 레지스트 하층막 위에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 여러 층의 도막 재료를 도포형 하층막 위에 성막한 후, 레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 통해 광 또는 전자선의 조사를 행하고, 현상, 린스, 건조함으로써 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 필요에 따라 광 또는 전자선의 조사 후 가열(PEB: Post Exposure Bake)을 행할 수도 있다. 그리고, 레지스트가 상기 공정에 의해 현상 제거된 부분의 레지스트 하층막을 드라이 에칭에 의해 제거하여, 소정의 패턴을 기판상에 형성할 수 있다.
상기 포토레지스트에서의 노광 광은, 근자외선, 원자외선, 또는 극외자외선(예를 들면, EUV) 등의 화학선이며, 예를 들어 248㎚(KrF 레이저광), 193㎚(ArF 레이저광), 157㎚(F2 레이저광) 등의 파장의 광이 이용된다. 광 조사에는, 광산 발생제로부터 산을 발생시킬 수 있는 방법이라면, 특별한 제한 없이 사용할 수 있으며, 노광량 1 내지 2000mJ/cm2, 또는 10 내지 1500mJ/cm2, 또는 50 내지 1000mJ/cm2에 의한다.
또한 전자선 레지스트의 전자선 조사는, 예를 들면 전자선 조사장치를 이용하여 조사할 수 있다.
본 발명에서는, 반도체 기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 상기 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 상기 레지스트 하층막을 에칭하는 공정 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체 기판을 가공하는 공정을 거쳐 반도체 장치를 제조할 수 있다.
향후, 레지스트 패턴의 미세화가 진행되면, 해상도의 문제나 현상 후에 레지스트 패턴이 붕괴되는 문제가 발생하므로 레지스트의 박막화가 요망되게 된다. 그 결과, 기판을 가공하는데 있어 충분한 레지스트 패턴의 막두께를 얻기 어려워, 레지스트 패턴뿐만 아니라, 레지스트와 가공하는 반도체 기판 사이에 작성되는 레지스트 하층막에도 기판 가공시 마스크로서의 기능을 갖게 하는 프로세스가 필요하게 되었다. 이러한 프로세스용 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성 레지스트 하층막과는 달리, 레지스트에 근접한 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막, 레지스트에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 반도체 기판에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 리소그래피용 레지스트 하층막이 요구되게 되었다. 또한, 이러한 레지스트 하층막에는 반사방지능을 부여할 수도 있으며, 종래의 반사방지막의 기능을 함께 가질 수도 있다.
한편, 미세한 레지스트 패턴을 얻기 위해, 레지스트 하층막 드라이 에칭시에 레지스트 패턴과 레지스트 하층막을 레지스트 현상시 패턴 폭보다 좁게 하는 프로세스도 사용되기 시작되었다. 이러한 프로세스용 레지스트 하층막으로서 종래의 고에칭레이트성 반사방지막과는 달리, 레지스트에 근접한 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 레지스트 하층막이 요구되게 되었다. 또한, 이러한 레지스트 하층막에는 반사방지능을 부여할 수도 있으며, 종래의 반사방지막의 기능을 함께 가질 수 있다.
본 발명에서는 기판상에 본 발명의 레지스트 하층막을 성막한 후, 레지스트 하층막 위에 직접, 또는 필요에 따라 1층 내지 여러 층의 도막 재료를 레지스트 하층막 위에 성막한 후, 레지스트를 도포할 수 있다. 이에 따라 레지스트의 패턴 폭이 좁아져서, 패턴 붕괴를 막기 위해 레지스트를 얇게 피복한 경우에도, 적절한 에칭가스를 선택함으로써 기판의 가공이 가능해진다.
즉, 반도체 기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 상기 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 규소성분 등을 함유하는 도막 재료에 의한 하드 마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 하드 마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 하드 마스크에 의해 상기 레지스트 하층막을 에칭하는 공정 및 패턴화된 레지스트 하층막에 의해 반도체 기판을 가공하는 공정을 거쳐 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물은, 반사방지막으로서의 효과를 고려한 경우, 광흡수 부위가 골격에 취입되어 있으므로, 가열 건조시에 포토레지스트로의 확산물이 없고, 또한, 광흡수 부위는 충분히 큰 흡광 성능을 가지고 있으므로 반사광 방지 효과가 높다.
본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에서는, 열안정성이 높아, 소성시 분해물에 의한 상층막으로의 오염을 방지할 수 있고, 또한, 소성 공정의 온도 마진에 여유를 갖게 할 수 있다.
나아가, 본 발명의 리소그래피용 레지스트 하층막 재료는, 프로세스 조건에 따라서는, 광의 반사를 방지하는 기능과, 나아가, 기판과 포토레지스트의 상호작용의 방지 혹은 포토레지스트에 이용되는 재료 또는 포토레지스트로의 노광시에 생성되는 물질의 기판에 대한 나쁜 작용을 방지하는 기능을 갖는 막으로서 사용할 수 있다.
(실시예)
합성예 1
교반장치, 환류기, 온도계를 구비하고 있는 플라스크에 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌 28.04g, 4,4’-디플루오로벤조페논 13.97g, 탄산칼륨 12.32g, N-메틸-2-피롤리디돈 162.56g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 내온(內溫)을 140℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 합성된 폴리머를 실온까지 냉각시킨 후, 침전물을 제거하기 위해, 여과하여 여액을 회수하고, N-메틸-2-피롤리디돈과 2mol/l 염산의 부피비가 90:10인 혼합액 약 10㎖와 혼합시켰다. 그 후 메탄올에 반응 여액을 투입하여 재침전 정제를 행하였다.
다시, 침전물을 물과 메탄올로 침전물을 세정하고, 85℃에서 약 1일 진공 건조시켜 본 발명에서 이용되는 폴리에테르를 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-1)에 상당하였다. 얻어진 에테르 구조를 갖는 폴리머의 GPC 분석을 행한 결과, 표준 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량은 6900, 다분산도(Mw/Mn)는 1.83이었다.
합성예 2
100㎖의 3구 플라스크에 6,6’-(9H-플루오렌-9,9-디일)디나프탈렌-2-올 6.76g, 4,4’-디플루오로벤조페논 3.27g, N-메틸-2-피롤리디돈 42.72g, 탄산칼륨 2.49g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 170℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 그 후, N-메틸-2-피롤리디돈 5.84g에 용해시킨 1-나프톨 0.65g을 첨가하고, 다시 2시간 교반하였다. 반응 종료 후, N-메틸-2-피롤리디돈 20g으로 희석하고, 침전물을 여과에 의해 제거하였다. 회수한 여액을 메탄올/물/톨루엔(350g/50g/30g) 혼합용액에 적하하여, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인 여과하고, 여물을 85℃에서 하룻밤 감압 건조시켰다. 그리고, 연한 살색분말의 폴리에테르를 7.92g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-2)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균 분자량(Mw)은 9400, 다분산도(Mw/Mn)는 2.21이었다.
합성예 3
100㎖의 3구 플라스크에 4-(4-플루오로페닐에티닐)페놀 5.09g, N-메틸-2-피롤리디돈 45.84g, 탄산칼륨 3.65g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 170℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 침전물을 여과에 의해 제거하였다. 회수한 여액을 메탄올 400g 혼합용액에 적하하여, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인 여과하고, 여물을 85℃에서 하룻밤 감압 건조시켰다. 그리고, 녹색분말의 폴리에테르를 5.12g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-3)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균 분자량(Mw)은 51000, 다분산도(Mw/Mn)는 5.47이었다.
합성예 4
100㎖의 3구 플라스크에 p-(3,4-디플루오로페닐에티닐)페놀 2.76g, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌 2.10g, N-메틸-2-피롤리디돈 27.57g, 탄산칼륨 3.48g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 150℃까지 가열하여 약 6시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 침전물을 여과에 의해 제거하였다. 회수한 여액을 메탄올/물(500g/250g) 혼합용액에 적하하여, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인 여과하고, 여물을 85℃에서 하룻밤 감압 건조시켰다. 그리고, 살색분말의 폴리에테르를 3.70g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-4)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균 분자량(Mw)은 20000, 다분산도(Mw/Mn)는 4.49였다.
합성예 5
100㎖의 3구 플라스크에 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌 8.06g, 2,4-디플루오로비페닐 4.81g, N-메틸-2-피롤리디돈 32.35g, 탄산칼륨 6.99g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 170℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 그 후, N-메틸-2-피롤리디돈 8.95g에 용해시킨 1-나프톨 0.99g을 첨가하고, 다시 2시간 교반하였다. 반응 종료 후, 침전물을 여과에 의해 제거하였다. 회수한 여액을 메탄올/물(160g/40g) 혼합용액에 적하하여, 재침전시켰다. 얻어진 침전물을 흡인 여과하고, 여물을 85℃에서 하룻밤 감압 건조시켰다. 그리고, 살색분말의 폴리에테르를 5.90g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-5)에 상당하였다. GPC에 의해 폴리스티렌 환산으로 측정되는 중량평균 분자량(Mw)은 1000, 다분산도(Mw/Mn)는 1.21이었다.
합성예 6
폴리에테르 구조를 갖는 폴리머의 합성의 일예로서, 교반장치, 환류기, 온도계를 구비하고 있는 플라스크에 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 32.02g, 4,4’-디플루오로벤조페논 25.97g, 탄산칼륨 21.30g, N-메틸-2-피롤리디돈 237.76g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 내온을 140℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 합성된 폴리머를 실온까지 냉각시킨 후, 침전물을 제거하기 위해, 여과하여 여액을 회수하고, N-메틸-2-피롤리디돈과 2mol/l 염산의 부피비가 90:10인 혼합액 약 10㎖와 혼합시켰다. 그 후 메탄올/물(부피비가 90/10) 혼합용액에 반응 여액을 투입하여 재침전 정제를 행하였다.
다시, 침전물을 물과 메탄올로 침전물을 세정하고, 85℃에서 약 1일 진공 건조시켜 본 발명에서 이용되는 폴리에테르를 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-6)에 상당하였다. 얻어진 에테르 구조를 갖는 폴리머의 GPC 분석을 행한 결과, 표준 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량은 7600, 다분산도(Mw/Mn)는 1.96이었다.
합성예 7
폴리에테르 구조를 갖는 폴리머의 합성의 일예로서, 교반장치, 환류기, 온도계를 구비하고 있는 플라스크에 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌 17.52g, 2,6-디플루오로벤조니트릴 6.22g, 탄산칼륨 7.64g, N-메틸-2-피롤리디돈 94.63g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 내온을 140℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 합성된 폴리머를 실온까지 냉각시킨 후, 침전물을 제거하기 위해, 여과하여 여액을 회수하고, N-메틸-2-피롤리디돈과 2mol/l 염산의 부피비가 90:10인 혼합액 약 10㎖와 혼합시켰다. 그 후 메탄올 용액에 반응 여액을 투입하여 재침전 정제를 행하였다.
다시, 침전물을 물과 메탄올로 침전물을 세정하고, 85℃에서 약 1일 진공 건조시켜 본 발명에서 이용되는 폴리에테르를 19.72g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-7)에 상당하였다. 얻어진 에테르 구조를 갖는 폴리머의 GPC 분석을 행한 결과, 표준 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량은 15000, 다분산도(Mw/Mn)는 2.65였다.
합성예 8
폴리에테르 구조를 갖는 폴리머의 합성의 일예로서, 교반장치, 환류기, 온도계를 구비하고 있는 플라스크에 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌 26.29g, 2,5-디플루오로니트로벤젠 11.35g, 탄산칼륨 11.40g, N-메틸-2-피롤리디돈 147.07g을 넣었다. 그 후 플라스크 내를 질소 치환한 후, 내온을 140℃까지 가열하여 약 24시간 반응시켰다. 합성된 폴리머를 실온까지 냉각시킨 후, 침전물을 제거하기 위해, 여과하여 여액을 회수하고, N-메틸-2-피롤리디돈과 2mol/l 염산의 부피비가 90:10인 혼합액 약 10㎖와 혼합시켰다. 그 후 메탄올 용액에 반응 여액을 투입하여 재침전 정제를 행하였다.
다시, 침전물을 물과 메탄올로 침전물을 세정하고, 85℃에서 약 1일 진공 건조시켜 본 발명에서 이용되는 폴리에테르를 28.39g 얻었다. 얻어진 폴리머는 식(3-8)에 상당하였다. 얻어진 에테르 구조를 갖는 폴리머의 GPC 분석을 행한 결과, 표준 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량은 4400, 다분산도(Mw/Mn)는 1.70이었다.
실시예 1
합성예 1에서 얻은 수지 3g을, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 2
합성예 2에서 얻은 수지 3g을, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 3
합성예 3에서 얻은 수지 3g을, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 4
합성예 4에서 얻은 수지 3g을, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 5
합성예 5에서 얻은 3g의 폴리머를, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 6
합성예 6에서 얻은 3g의 폴리머를, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 7
합성예 1에서 얻은 수지 20g에, 가교제(Nihon Cytec Industries Inc.제, 성분은 테트라메톡시메틸글리콜우릴, 식(7-1)) 3.0g, 촉매로서 파라톨루엔술폰산 0.30g을 혼합하고, 시클로헥사논 88g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
[화학식 9]
Figure pct00009

실시예 8
합성예 2에서 얻은 수지 20g에, 가교제(Nihon Cytec Industries Inc.제, 성분은 테트라메톡시메틸글리콜우릴, 식(7-1)) 3.0g, 촉매로서 피리디늄파라톨루엔술포네이트 0.30g, 계면활성제로서 MEGAFAC R-30을 0.06g혼합하고, 시클로헥사논 88g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
비교예 1
크레졸노볼락 수지(시판품, 중량평균 분자량은 4000)의 용액을 사용하였다.
실시예 9
합성예 7에서 얻은 3g의 폴리머에, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
실시예 10
합성예 8에서 얻은 3g의 폴리머를, 시클로헥사논 12g에 용해시켜 용액으로 하여, 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을 조제하였다.
비교예 2
분자량이 1000인 폴리에틸렌글리콜(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제) 3g에, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 12g에 용해시켜 용액으로 하였다.
(광학 파라미터의 측정)
실시예 1 내지 10, 비교예 1 내지 2에서 조제한 레지스트 하층막 용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 240℃로 1분간(비교예 1은 205℃로 1분간, 비교예 2는 160℃로 1분간), 또는 400℃로 2분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.05㎛)을 형성하였다. 이들 레지스트 하층막을, 분광 엘립소미터를 이용하여 파장 193㎚에서의 굴절률(n값) 및 광학 흡광계수(k값, 감쇠계수라고도 함)를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure pct00010

(포토레지스트 용제에 대한 용출 시험)
실시예 1 내지 10에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물의 용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 240℃로 1분간(비교예 1은 205℃로 1분간, 비교예 2는 160℃로 1분간), 또는 400℃로 2분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20㎛)을 형성하였다. 이 레지스트 하층막을 레지스트에 사용하는 용제, 예를 들면 유산에틸, 그리고 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논에 대한 침지 시험을 행하였다.
실시예 1 내지 6 및 실시예 9 내지 10의 용액을 240℃로 1분간 소성한 막은 이들 용제에 용해되었지만, 400℃로 2분간 소성한 막은, 이들 용제에 용해되지 않는 것을 확인하였다. 또한, 실시예 7 내지 8의 용액은, 400℃로 2분간 소성한 막 뿐만 아니라, 240℃로 1분간 소성한 막도 용제에 용해되지 않는 것을 확인하였다.
(드라이 에칭 속도의 측정)
드라이 에칭 속도의 측정에 이용한 에쳐(etcher) 및 에칭가스는 이하의 것을 이용하였다.
RIE-10NR(SAMCO Inc.제): CF4
실시예 1 내지 10, 비교예 1 내지 2에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물 용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 240℃ 1분간(비교예 1은 205℃로 1분간, 비교예 2는 160℃로 1분간), 또는 400℃로 2분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20㎛)을 형성하였다. 에칭가스로서 CF4가스를 사용하여 드라이 에칭 속도를 측정하였다.
또한, 마찬가지로 페놀노볼락 수지 용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 상에 도막을 형성하였다. 에칭가스로서 CF4가스를 사용하여 드라이 에칭 속도를 측정하여, 실시예 1 내지 10, 비교예 1 내지 2의 레지스트 하층막의 드라이 에칭 속도와의 비교를 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다. 드라이 에칭 속도비는 실시예 1 내지 10에서, (240℃ 소성의 레지스트 하층막)/(240℃ 소성의 페놀노볼락 수지)의 드라이 에칭 속도비(1)와, (400℃ 소성의 레지스트 하층막)/(240℃ 소성의 페놀노볼락 수지)의 드라이 에칭 속도비(2)이다.
비교예 1에서, (205℃ 소성의 레지스트 하층막)/(240℃ 소성의 페놀노볼락 수지)의 드라이 에칭 속도비(1)와, (400℃ 소성의 레지스트 하층막)/(240℃ 소성의 페놀노볼락 수지)의 드라이 에칭 속도비(2)이다.
비교예 2에서, (160℃ 소성의 레지스트 하층막)/(240℃ 소성의 페놀노볼락 수지)의 드라이 에칭 속도비(1)와, (400℃ 소성의 레지스트 하층막)/(240℃ 소성의 페놀노볼락 수지)의 드라이 에칭 속도비(2)이다.
[표 2]
Figure pct00011

(막의 내열성 시험)
실시예 1 내지 10, 비교예 1 내지 2에서 조제한 레지스트 하층막 형성 조성물 용액을, 스핀코터를 이용하여 실리콘 웨이퍼 위에 도포하였다. 핫플레이트 상에서 400℃로 2분간 소성하여, 레지스트 하층막(막두께 0.20㎛)을 형성하였다. 얻어진 막을 1분간 10℃의 비율로 가열하여 대기 중에서 열중량 분석을 행하여, 질량이 5% 감소하는 온도를 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
[표 3]
Figure pct00012

산업상 이용가능성
이로써, 본 발명의 다층막에 의한 리소그래피 프로세스에 이용하는 레지스트 하층막 재료는, 종래의 고에칭레이트성 반사방지막과는 달리, 포토레지스트에 근접한 또는 포토레지스트에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비, 반도체 기판에 비해 작은 드라이 에칭 속도의 선택비를 가질 뿐만 아니라, 반사방지막으로서의 효과도 함께 가질 수 있는 레지스트 하층막을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 하층막 재료는 상층에 증착으로 하드 마스크를 형성 가능한 내열성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

Claims (16)

  1. 하기 식(1):
    [화학식 1]
    Figure pct00013

    (식(1) 중, Ar1은 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타낸다.)로 표시되는 단위구조, 하기 식(2):
    [화학식 2]
    Figure pct00014

    (단, 식(2) 중, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 탄소수 6 내지 50의 아릴렌기 또는 복소환기를 포함하는 유기기를 나타내고, T는 카르보닐기 또는 술포닐기를 나타낸다.)로 표시되는 단위구조, 또는 식(1)로 표시되는 단위구조 및 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1로 표시되는 유기기가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar2로 표시되는 유기기가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 플루오렌 구조를 포함하는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1로 표시되는 유기기가, 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이루어진 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar2로 표시되는 유기기가, 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이루어진 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 아릴렌기와, 탄소와 탄소의 삼중결합을 포함하는 기 및/또는 탄소와 탄소의 이중결합을 포함하는 기의 조합으로 이루어진 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1로 표시되는 유기기가, 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar2로 표시되는 유기기가, 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 비페닐렌 구조를 포함하는 유기기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 식(2)로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 페닐렌기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 식(1)로 표시되는 단위구조 및 상기 식(2)로 표시되는 단위구조의 조합을 포함하는 폴리머를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물에 있어서, 상기 Ar3 및 Ar4로 표시되는 유기기 중 적어도 하나가, 페닐렌기인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    산, 또는 산발생제를 추가로 포함하는 것인 레지스트 하층막 형성 조성물.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물을 반도체 기판 상에 도포하고 소성함으로써 얻어지는 레지스트 하층막.
  15. 반도체 기판 상에 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막에 광 또는 전자선을 조사하고, 이어서 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 레지스트막의 레지스트 패턴에 따라 상기 하층막을 에칭하는 공정, 및 상기 패턴화된 하층막에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
  16. 반도체 기판에 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 하층막 형성 조성물로 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드 마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막에 광 또는 전자선을 조사하고, 이어서 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 상기 레지스트막의 레지스트 패턴에 따라 하드 마스크를 에칭하는 공정, 상기 패턴화된 하드 마스크에 따라 상기 하층막을 에칭하는 공정, 및 상기 패턴화된 하층막에 따라 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.
KR1020137008102A 2010-10-14 2011-10-07 폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 KR101866828B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010231217 2010-10-14
JPJP-P-2010-231217 2010-10-14
PCT/JP2011/073233 WO2012050064A1 (ja) 2010-10-14 2011-10-07 ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130129915A true KR20130129915A (ko) 2013-11-29
KR101866828B1 KR101866828B1 (ko) 2018-06-14

Family

ID=45938293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137008102A KR101866828B1 (ko) 2010-10-14 2011-10-07 폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20130189533A1 (ko)
JP (1) JP5920588B2 (ko)
KR (1) KR101866828B1 (ko)
TW (1) TWI561934B (ko)
WO (1) WO2012050064A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170008488A (ko) * 2015-07-14 2017-01-24 에스케이이노베이션 주식회사 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20190006944A (ko) * 2016-03-08 2019-01-21 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 Iii족 질화물계 화합물층을 갖는 반도체기판의 제조방법
KR20190103177A (ko) * 2017-01-13 2019-09-04 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 아미드 용매를 포함하는 레지스트 하층막 형성조성물

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5915452B2 (ja) * 2011-09-30 2016-05-11 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法
KR20140104420A (ko) * 2011-12-01 2014-08-28 제이에스알 가부시끼가이샤 다층 레지스트 공정에 사용되는 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 그의 형성 방법, 및 패턴 형성 방법
JP5894106B2 (ja) * 2012-06-18 2016-03-23 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用化合物、これを用いたレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法
JP6264300B2 (ja) * 2012-12-21 2018-01-24 Jsr株式会社 重合体、樹脂組成物及び膜形成方法
KR102190384B1 (ko) * 2013-10-14 2020-12-14 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
KR102313101B1 (ko) 2013-12-12 2021-10-15 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 하부층용 방향족 수지
US9601325B2 (en) * 2014-06-24 2017-03-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Aromatic resins for underlayers
US9880469B2 (en) 2014-07-15 2018-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Resins for underlayers
KR102454445B1 (ko) * 2014-11-04 2022-10-14 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 아릴렌기를 갖는 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
US9508549B2 (en) 2014-12-26 2016-11-29 Dow Global Technologies Llc Methods of forming electronic devices including filling porous features with a polymer
US10365560B2 (en) * 2015-03-31 2019-07-30 Sumitomo Chemical Company, Limited Resist composition and method for producing resist pattern
US9908990B2 (en) 2015-04-17 2018-03-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns
JP6712188B2 (ja) * 2015-07-13 2020-06-17 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びこれを用いたパターン形成方法
KR101770749B1 (ko) * 2016-01-11 2017-08-23 최상준 반사방지용 하드마스크 조성물
CN109154778B (zh) * 2016-05-20 2022-08-02 日产化学株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN110418811B (zh) 2017-03-16 2022-05-13 默克专利股份有限公司 光刻组合物及其使用方法
CN110462520B (zh) * 2017-04-03 2023-03-03 日产化学株式会社 包含具有光交联基的聚醚树脂的高低差基板被覆组合物
JP6341317B2 (ja) * 2017-04-19 2018-06-13 Jsr株式会社 重合体、樹脂膜および電子部品
WO2018198960A1 (ja) 2017-04-25 2018-11-01 日産化学株式会社 フルオレン化合物を用いたレジスト下層膜形成組成物
US10741410B2 (en) * 2017-04-28 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Material composition and methods thereof
WO2019121480A1 (en) 2017-12-20 2019-06-27 Merck Patent Gmbh An ethynyl derived composite, a composition comprising thereof, a method for manufacturing a coating by it, and a method for manufacturing a device comprising the coating
US11022882B2 (en) 2018-06-20 2021-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Compound and composition for forming organic film
CN112470077A (zh) * 2018-08-09 2021-03-09 Jsr株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂下层膜和其形成方法、图案形成方法以及化合物及其制造方法
JP6981945B2 (ja) 2018-09-13 2021-12-17 信越化学工業株式会社 パターン形成方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006285046A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Jsr Corp レジスト下層膜用組成物
JP2008015223A (ja) * 2006-07-06 2008-01-24 Nissan Chem Ind Ltd スルホンを含有するレジスト下層膜形成組成物
KR20090087097A (ko) * 2006-11-28 2009-08-14 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 방향족 축합환을 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물
WO2010041626A1 (ja) 2008-10-10 2010-04-15 日産化学工業株式会社 フルオレンを含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1272545A (en) * 1986-08-01 1990-08-07 Mitsui Chemicals, Incorporated Thermoplastic aromatic polyether-pyridines and process for preparing the same
US4766197A (en) * 1986-10-28 1988-08-23 Amoco Corporation Modified poly(aryl ether ketones) derived from biphenol
US4806618A (en) * 1986-11-11 1989-02-21 Central Glass Company, Limited Aromatic polyethers having biphenylfluorene group
US5268444A (en) * 1993-04-02 1993-12-07 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Phenylethynyl-terminated poly(arylene ethers)
JPH0786141A (ja) * 1993-09-14 1995-03-31 Fujitsu Ltd パターン形成方法
US5607824A (en) * 1994-07-27 1997-03-04 International Business Machines Corporation Antireflective coating for microlithography
US5863963A (en) * 1996-08-29 1999-01-26 Xerox Corporation Halomethylated high performance curable polymers
US5994425A (en) * 1996-08-29 1999-11-30 Xerox Corporation Curable compositions containing photosensitive high performance aromatic ether polymers
US5814426A (en) * 1997-11-21 1998-09-29 Xerox Corporation Imaging members containing high performance polymers
US6642147B2 (en) * 2001-08-23 2003-11-04 International Business Machines Corporation Method of making thermally stable planarizing films
US6852474B2 (en) * 2002-04-30 2005-02-08 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
KR20060056712A (ko) * 2004-11-22 2006-05-25 삼성전자주식회사 포토리소그래피에 사용되는 바텀 레지스트용 폴리머 및 그제조 방법
US20080286689A1 (en) * 2007-05-14 2008-11-20 Hong Zhuang Antireflective Coating Compositions
US8685627B2 (en) * 2007-12-20 2014-04-01 Hynix Semiconductor Inc. Method for manufacturing a semiconductor device
JP5544242B2 (ja) * 2009-07-31 2014-07-09 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、これを含むレジスト下層膜組成物、およびこの組成物を用いた素子のパターン形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006285046A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Jsr Corp レジスト下層膜用組成物
JP2008015223A (ja) * 2006-07-06 2008-01-24 Nissan Chem Ind Ltd スルホンを含有するレジスト下層膜形成組成物
KR20090087097A (ko) * 2006-11-28 2009-08-14 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 방향족 축합환을 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물
WO2010041626A1 (ja) 2008-10-10 2010-04-15 日産化学工業株式会社 フルオレンを含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170008488A (ko) * 2015-07-14 2017-01-24 에스케이이노베이션 주식회사 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법
KR20190006944A (ko) * 2016-03-08 2019-01-21 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 Iii족 질화물계 화합물층을 갖는 반도체기판의 제조방법
US11339242B2 (en) 2016-03-08 2022-05-24 Nissan Chemical Corporation Method for manufacturing semiconductor substrate having group-III nitride compound layer
KR20190103177A (ko) * 2017-01-13 2019-09-04 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 아미드 용매를 포함하는 레지스트 하층막 형성조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR101866828B1 (ko) 2018-06-14
JP5920588B2 (ja) 2016-05-18
TWI561934B (en) 2016-12-11
WO2012050064A1 (ja) 2012-04-19
US9746772B2 (en) 2017-08-29
US20130189533A1 (en) 2013-07-25
TW201224665A (en) 2012-06-16
US20160320704A1 (en) 2016-11-03
JPWO2012050064A1 (ja) 2014-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101866828B1 (ko) 폴리에테르 구조를 함유하는 수지를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물
JP7208592B2 (ja) 長鎖アルキル基含有ノボラックを含むレジスト下層膜形成組成物
JP4895049B2 (ja) ナフタレン樹脂誘導体を含有するリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物
JP6137483B2 (ja) 縮合系ポリマーを有するｅｕｖリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
KR102076528B1 (ko) 다핵 페놀류를 갖는 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
KR20160006663A (ko) 비스페놀알데히드를 이용한 노볼락 수지 함유 레지스트 하층막 형성 조성물
JP4831324B2 (ja) スルホンを含有するレジスト下層膜形成組成物
TWI713461B (zh) 具有鹵化磺醯基烷基之含有矽之光阻下層膜形成組成物
KR20170042500A (ko) 방향족 메틸올 화합물이 반응된 노볼락 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
TWI681019B (zh) 包含具有含鹵素的羧酸醯胺基之水解性矽烷之微影蝕刻用光阻底層膜形成組成物
KR20160102985A (ko) 제2 아미노기를 갖는 노볼락폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
KR20180134863A (ko) 막밀도가 향상된 레지스트 하층막을 형성하기 위한 조성물
JP7327479B2 (ja) ジシアノスチリル基を有する複素環化合物を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物
JP7092036B2 (ja) アミド溶媒を含むレジスト下層膜形成組成物
CN112166379A (zh) 使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
KR102643360B1 (ko) 레지스트 하층막 형성 조성물
JP7322949B2 (ja) ジシアノスチリル基を含むウェットエッチング可能なレジスト下層膜形成組成物
TWI834886B (zh) 含有二氰基苯乙烯基之可濕蝕刻之阻劑下層膜形成組成物、經圖案化的基板之製造方法及半導體裝置之製造方法
KR20220079828A (ko) 레지스트 하층막 형성 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right