JPH0786141A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0786141A JPH0786141A JP22907693A JP22907693A JPH0786141A JP H0786141 A JPH0786141 A JP H0786141A JP 22907693 A JP22907693 A JP 22907693A JP 22907693 A JP22907693 A JP 22907693A JP H0786141 A JPH0786141 A JP H0786141A
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- JP
- Japan
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- resist film
- film
- pattern
- antireflection film
- resist
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置等の製造において、レジスト膜を
用いて被加工物を選択エッチングするプロセスに好適な
パターン形成方法に関し、レジスト膜のパターン精度を
劣化させることなく、そのまま転写することのできる反
射防止膜を用いたパターン形成方法を提供することを目
的とする。 【構成】 本発明のパターン形成方法は、一般式 【化１】 ただし、Ｒ1 ，Ｒ2 は水素、アリール基、アルキル基、
ハロゲン、アリサイクリック基で示される構造を有する
化合物を含む反射防止膜、レジスト膜を被エッチング物
上に成膜する工程と、前記レジスト膜を露光、現像して
レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパタ
ーンから露出した前記反射防止膜に遠紫外光を照射する
工程と、遠紫外光を照射された領域の反射防止膜を現像
する工程と、被エッチング膜を選択エッチングする工程
とを含む。
用いて被加工物を選択エッチングするプロセスに好適な
パターン形成方法に関し、レジスト膜のパターン精度を
劣化させることなく、そのまま転写することのできる反
射防止膜を用いたパターン形成方法を提供することを目
的とする。 【構成】 本発明のパターン形成方法は、一般式 【化１】 ただし、Ｒ1 ，Ｒ2 は水素、アリール基、アルキル基、
ハロゲン、アリサイクリック基で示される構造を有する
化合物を含む反射防止膜、レジスト膜を被エッチング物
上に成膜する工程と、前記レジスト膜を露光、現像して
レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパタ
ーンから露出した前記反射防止膜に遠紫外光を照射する
工程と、遠紫外光を照射された領域の反射防止膜を現像
する工程と、被エッチング膜を選択エッチングする工程
とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法に関
し、特に半導体装置等の製造において、レジスト膜を用
いて被加工物を選択エッチングするプロセスに好適なパ
ターン形成方法に関する。
し、特に半導体装置等の製造において、レジスト膜を用
いて被加工物を選択エッチングするプロセスに好適なパ
ターン形成方法に関する。
【０００２】近年、半導体集積回路装置の高集積化等に
伴い、精密な微細パターンを安定して形成する技術が要
求されている。下地表面が高反射率の場合、レジスト膜
の露光工程における下地表面からの反射光が精度低下の
原因となる。
伴い、精密な微細パターンを安定して形成する技術が要
求されている。下地表面が高反射率の場合、レジスト膜
の露光工程における下地表面からの反射光が精度低下の
原因となる。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置の製造において、配線や電極
としてＡｌやＷ−Ｓｉ等、反射率の高い材料が用いられ
ている。また、半導体基板表面には段差が生じているこ
とが多い。
としてＡｌやＷ−Ｓｉ等、反射率の高い材料が用いられ
ている。また、半導体基板表面には段差が生じているこ
とが多い。
【０００４】反射率の高い領域を含む半導体基板上にパ
ターンを形成する場合、ホトリソグラフィの露光工程に
おいて、基板からの反射光によってレジスト膜にハレー
ションが発生する。
ターンを形成する場合、ホトリソグラフィの露光工程に
おいて、基板からの反射光によってレジスト膜にハレー
ションが発生する。
【０００５】ハレーションが発生すると、高精度のパタ
ーンを形成することは困難である。このため、反射性の
基板の上に反射防止層を形成し、ハレーションを防止し
て安定したレジストパターンを形成する技術が開発され
ている。このような反射防止膜は、スピンコートあるい
はＣＶＤ（化学気相堆積）等によって形成されている。
ーンを形成することは困難である。このため、反射性の
基板の上に反射防止層を形成し、ハレーションを防止し
て安定したレジストパターンを形成する技術が開発され
ている。このような反射防止膜は、スピンコートあるい
はＣＶＤ（化学気相堆積）等によって形成されている。
【０００６】反射防止膜の材料としては、アクリルエス
テル等のアルカリ不溶性材料と、ポリイミド等のアルカ
リ可溶性材料とが知られている。ホトレジストにパター
ンを形成した後、被加工物を選択的にエッチングするた
めには、反射防止膜を除去する必要がある。
テル等のアルカリ不溶性材料と、ポリイミド等のアルカ
リ可溶性材料とが知られている。ホトレジストにパター
ンを形成した後、被加工物を選択的にエッチングするた
めには、反射防止膜を除去する必要がある。
【０００７】アルカリ不溶性膜を用いた場合、反射防止
膜はホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチ
ングにより、選択的にエッチングして除去する。アルカ
リ可溶性膜を用いたときは、レジストの現像にアルカリ
溶液を用い、レジスト現像に続いて反射防止膜を溶解除
去する。
膜はホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチ
ングにより、選択的にエッチングして除去する。アルカ
リ可溶性膜を用いたときは、レジストの現像にアルカリ
溶液を用い、レジスト現像に続いて反射防止膜を溶解除
去する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】アルカリ不溶性膜を反
射防止膜として用い、レジスト膜のパターニングの後、
ドライエッチングによって除去する場合は、反射防止膜
の材料とレジストとのエッチング選択比を十分高くする
ことが難しい。このため、レジストのパターンをそのま
ま反射防止膜に転写することが容易でない。また、レジ
スト層のパターンも消費されてしまう。
射防止膜として用い、レジスト膜のパターニングの後、
ドライエッチングによって除去する場合は、反射防止膜
の材料とレジストとのエッチング選択比を十分高くする
ことが難しい。このため、レジストのパターンをそのま
ま反射防止膜に転写することが容易でない。また、レジ
スト層のパターンも消費されてしまう。
【０００９】アルカリ可溶性膜を反射防止膜に用い、レ
ジスト現像に続いて同一または異なるアルカリ性溶液で
除去する場合は、エッチングが等方的に進むため、高精
度なパターンの転写が困難になる。
ジスト現像に続いて同一または異なるアルカリ性溶液で
除去する場合は、エッチングが等方的に進むため、高精
度なパターンの転写が困難になる。
【００１０】本発明の目的は、レジスト膜のパターン精
度を劣化させることなく、そのまま転写することのでき
る反射防止膜を用いたパターン形成方法を提供すること
である。
度を劣化させることなく、そのまま転写することのでき
る反射防止膜を用いたパターン形成方法を提供すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成方
法は、一般式
法は、一般式
【００１２】
【化２】 …（１） ただし、Ｒ1 ，Ｒ2 は水素、アリール基、アルキル基、
ハロゲン、アリサイクリック基
ハロゲン、アリサイクリック基
【００１３】で示される構造を有する化合物を含む反射
防止膜、レジスト膜を被エッチング物上に成膜する工程
と、前記レジスト膜を露光、現像してレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターンから露出した
前記反射防止膜に遠紫外光を照射する工程と、遠紫外光
を照射された領域の反射防止膜を現像する工程と、被エ
ッチング膜を選択エッチングする工程とを含む。
防止膜、レジスト膜を被エッチング物上に成膜する工程
と、前記レジスト膜を露光、現像してレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストパターンから露出した
前記反射防止膜に遠紫外光を照射する工程と、遠紫外光
を照射された領域の反射防止膜を現像する工程と、被エ
ッチング膜を選択エッチングする工程とを含む。
【００１４】
【作用】上記一般式（１）で示される構造を有する化合
物は、一重結合と二重結合を有する共役系化合物であ
り、露光工程に用いる紫外光、遠紫外光の吸収が強い。
このため、反射防止膜としての役割を果たす。
物は、一重結合と二重結合を有する共役系化合物であ
り、露光工程に用いる紫外光、遠紫外光の吸収が強い。
このため、反射防止膜としての役割を果たす。
【００１５】また、この化合物は遠紫外光によって分解
する性質を有する。したがって、レジスト膜をパターニ
ングした後、遠紫外光で照射すると、照射領域の化合物
は分解し、溶液に溶解し易くなる。
する性質を有する。したがって、レジスト膜をパターニ
ングした後、遠紫外光で照射すると、照射領域の化合物
は分解し、溶液に溶解し易くなる。
【００１６】レジストパターンに覆われた領域において
は、遠紫外光がレジスト層で吸収され、反射防止膜に到
達せず、反射防止膜は溶液に接しても溶解しない。この
ため、高精度の選択除去が可能である。
は、遠紫外光がレジスト層で吸収され、反射防止膜に到
達せず、反射防止膜は溶液に接しても溶解しない。この
ため、高精度の選択除去が可能である。
【００１７】
〔実施例１〕ハロゲン化遷移金属（ＭｏＣｌ5 、ＷＣｌ
6 等）を触媒として、アニオン重合により、下に構造を
示すフェニルアセチレンポリマーを合成した。
6 等）を触媒として、アニオン重合により、下に構造を
示すフェニルアセチレンポリマーを合成した。
【００１８】
【化３】
【００１９】このようなポリマー合成は、たとえば増岡
らにより報告されている方法（Polymer Preprints, Jap
an. Vol. 30, No. 5, 1016 (1987) 参照）に従えばよ
い。このポリマーに、架橋剤としてビスアジド（２．６
−ビス（４′−アジドベンザル）４−メチルシクロヘキ
サノン）
らにより報告されている方法（Polymer Preprints, Jap
an. Vol. 30, No. 5, 1016 (1987) 参照）に従えばよ
い。このポリマーに、架橋剤としてビスアジド（２．６
−ビス（４′−アジドベンザル）４−メチルシクロヘキ
サノン）
【００２０】
【化４】
【００２１】を１０重量％添加し、トルエン溶液とし
た。図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１上に配線
層としてＡｌ層２をスパッタリング等によって成膜す
る。
た。図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１上に配線
層としてＡｌ層２をスパッタリング等によって成膜す
る。
【００２２】このＡｌ層２をパターニングするため、図
１（Ｂ）に示すように、Ａｌ層２の上に上述のように調
整した溶液をスピンコートし、反射防止膜３をたとえば
厚さ約２０００Å形成する。反射防止膜３を成膜した
後、２００℃で約５分間ベーキングを行ない、十分に架
橋を行なった。
１（Ｂ）に示すように、Ａｌ層２の上に上述のように調
整した溶液をスピンコートし、反射防止膜３をたとえば
厚さ約２０００Å形成する。反射防止膜３を成膜した
後、２００℃で約５分間ベーキングを行ない、十分に架
橋を行なった。
【００２３】次に、図１（Ｃ）に示すように、反射防止
膜３の上にノボラック系ポジ型ホトレジストを塗布し、
厚さ約１．２μｍ程度のレジスト膜４を形成した。この
ポジ型レジストとしては、たとえば東京応化工業から入
手できるＯＦＰＲ−８００（商品名）を用いることがで
きる。
膜３の上にノボラック系ポジ型ホトレジストを塗布し、
厚さ約１．２μｍ程度のレジスト膜４を形成した。この
ポジ型レジストとしては、たとえば東京応化工業から入
手できるＯＦＰＲ−８００（商品名）を用いることがで
きる。
【００２４】次に、図１（Ｄ）に示すように、マスク５
を介して紫外光をレジスト膜４に照射し、マスク５のパ
ターンをレジスト膜４に転写する。レジスト膜４の紫外
光を照射された領域においては、レジスト中に添加され
ている添加物が変化し、レジスト膜が溶解する性質に変
化する。
を介して紫外光をレジスト膜４に照射し、マスク５のパ
ターンをレジスト膜４に転写する。レジスト膜４の紫外
光を照射された領域においては、レジスト中に添加され
ている添加物が変化し、レジスト膜が溶解する性質に変
化する。
【００２５】露光後、図１（Ｅ）に示すように、レジス
ト膜４を現像すると、紫外線照射領域のみが溶解し、未
露光部分が残ってレジスト膜のパターンが形成される。
図１（Ｄ）の工程において、紫外光をレジスト膜４に照
射する際、反射防止膜３まで到達した光は、反射防止膜
３で効率的に吸収され、Ａｌ層２で反射して再びレジス
ト膜４に戻る光は著しく減少する。このため、ハレーシ
ョンを効率的に防止することができる。
ト膜４を現像すると、紫外線照射領域のみが溶解し、未
露光部分が残ってレジスト膜のパターンが形成される。
図１（Ｄ）の工程において、紫外光をレジスト膜４に照
射する際、反射防止膜３まで到達した光は、反射防止膜
３で効率的に吸収され、Ａｌ層２で反射して再びレジス
ト膜４に戻る光は著しく減少する。このため、ハレーシ
ョンを効率的に防止することができる。
【００２６】また、反射防止膜３は、架橋剤のアジド化
合物を添加し、加熱して十分架橋を行なっているため、
不溶化している。図１（Ｃ）のレジスト膜塗布工程にお
いてインターミキシング層の発生が防止されている。ま
た、図１（Ｅ）に示すレジスト膜の現像工程において、
現像用アルカリ溶液には全く溶解しない。
合物を添加し、加熱して十分架橋を行なっているため、
不溶化している。図１（Ｃ）のレジスト膜塗布工程にお
いてインターミキシング層の発生が防止されている。ま
た、図１（Ｅ）に示すレジスト膜の現像工程において、
現像用アルカリ溶液には全く溶解しない。
【００２７】次に、図１（Ｆ）に示すように、キセノン
水銀Ｘｅ−Ｈｇランプを用いて全面を一括して約５分間
照射する。なお、Ｘｅ−Ｈｇランプの代わりに低圧水銀
灯等、２５０−３５０ｎｍ程度の遠紫外光等を発生する
遠紫外光源を用いることも可能である。
水銀Ｘｅ−Ｈｇランプを用いて全面を一括して約５分間
照射する。なお、Ｘｅ−Ｈｇランプの代わりに低圧水銀
灯等、２５０−３５０ｎｍ程度の遠紫外光等を発生する
遠紫外光源を用いることも可能である。
【００２８】このような遠紫外光の照射により、反射防
止膜３の遠紫外光照射を受けた領域においては、ポリマ
ー結合が分解し、溶媒に溶解する性質に変化する。レジ
スト層に覆われ、遠紫外光に照射されていない領域で
は、反射防止膜は不溶化しているので、広い範囲から溶
媒を選択できる。
止膜３の遠紫外光照射を受けた領域においては、ポリマ
ー結合が分解し、溶媒に溶解する性質に変化する。レジ
スト層に覆われ、遠紫外光に照射されていない領域で
は、反射防止膜は不溶化しているので、広い範囲から溶
媒を選択できる。
【００２９】次に、図１（Ｇ）に示すように、Ｓｉ基板
１をキシレンに浸漬し、反射防止膜３の遠紫外光照射領
域を選択的に除去する。この際、レジスト膜４の下に配
置された反射防止膜３は、図１（Ｆ）の工程において、
レジスト膜４に遮蔽され、遠紫外光の照射を受けていな
いため、キシレンには溶解しない。このため、照射領域
のみ反射防止膜３が選択的に除去される。
１をキシレンに浸漬し、反射防止膜３の遠紫外光照射領
域を選択的に除去する。この際、レジスト膜４の下に配
置された反射防止膜３は、図１（Ｆ）の工程において、
レジスト膜４に遮蔽され、遠紫外光の照射を受けていな
いため、キシレンには溶解しない。このため、照射領域
のみ反射防止膜３が選択的に除去される。
【００３０】このようにしてＡｌ層２の選択エッチング
用マスクを高精度に形成した後、図１（Ｈ）に示すよう
に、Ａｌ層２をドライエッチング等により選択的にエッ
チングする。反射防止膜３は、レジスト膜４のパターン
に忠実に沿った形状にエッチングされ、レジスト膜４と
共に、エッチングマスクとして機能する。
用マスクを高精度に形成した後、図１（Ｈ）に示すよう
に、Ａｌ層２をドライエッチング等により選択的にエッ
チングする。反射防止膜３は、レジスト膜４のパターン
に忠実に沿った形状にエッチングされ、レジスト膜４と
共に、エッチングマスクとして機能する。
【００３１】エッチング終了後、レジスト膜４、反射防
止膜４をＯ2 プラズマによりアッシングし、除去する。
このようにして、図１（Ｉ）に示すような配線パターン
を得る。
止膜４をＯ2 プラズマによりアッシングし、除去する。
このようにして、図１（Ｉ）に示すような配線パターン
を得る。
【００３２】〔実施例２〕実施例１と同様の方法によ
り、下に示す構造を有するプロピルアセチレンポリマー
を合成した。
り、下に示す構造を有するプロピルアセチレンポリマー
を合成した。
【００３３】
【化５】
【００３４】得られたポリマーに増感剤として、下に示
す構造を有するベンゾフェノンを５重量％添加してトル
エン溶液とした。
す構造を有するベンゾフェノンを５重量％添加してトル
エン溶液とした。
【００３５】
【化６】
【００３６】図１（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１上に
Ａｌ層２をスパッタリング等により形成した後、上述の
ように調整した溶液をＡｌ層２上にスピンコートし、図
１（Ｂ）に示すように、反射防止膜３を厚さ約５０００
Å形成する。成膜した反射防止膜３を、１２０℃で約２
分間ベーキングした。
Ａｌ層２をスパッタリング等により形成した後、上述の
ように調整した溶液をＡｌ層２上にスピンコートし、図
１（Ｂ）に示すように、反射防止膜３を厚さ約５０００
Å形成する。成膜した反射防止膜３を、１２０℃で約２
分間ベーキングした。
【００３７】次に、ポジ型ホトレジストを反射防止膜３
上に塗布し、図１（Ｃ）に示すように、厚さ約１．２μ
ｍ程度のレジスト膜４を形成した。ポジ型レジストとし
ては、たとえば、東京応化工業より入手できるＯＦＰＲ
−８００（商品名）を用いることができる。
上に塗布し、図１（Ｃ）に示すように、厚さ約１．２μ
ｍ程度のレジスト膜４を形成した。ポジ型レジストとし
ては、たとえば、東京応化工業より入手できるＯＦＰＲ
−８００（商品名）を用いることができる。
【００３８】次に、図１（Ｄ）に示すように、レジスト
膜４をマスク５を介して露光し、レジスト膜４中に潜像
を形成する。続いて、図１（Ｅ）に示すように、アルカ
リ溶液によってレジスト膜４を現像し、照射部分を除去
する。このようにしてレジストパターンが形成される。
膜４をマスク５を介して露光し、レジスト膜４中に潜像
を形成する。続いて、図１（Ｅ）に示すように、アルカ
リ溶液によってレジスト膜４を現像し、照射部分を除去
する。このようにしてレジストパターンが形成される。
【００３９】次に、図１（Ｆ）に示すように、基板を約
８０℃に加熱しながらＸｅ−Ｈｇランプで５分間遠紫外
照射する。遠紫外線の照射により、レジスト層４の開口
部に露出した反射防止膜３は分解し、溶解し易い性質に
変化する。加熱はこの化学変化を促進する役割を果た
す。
８０℃に加熱しながらＸｅ−Ｈｇランプで５分間遠紫外
照射する。遠紫外線の照射により、レジスト層４の開口
部に露出した反射防止膜３は分解し、溶解し易い性質に
変化する。加熱はこの化学変化を促進する役割を果た
す。
【００４０】図１（Ｇ）に示すように、基板をメチルイ
ソブチルケトンに浸漬し、反射防止膜３の遠紫外光照射
部分を選択的に除去する。このようにして、Ａｌ層２の
上に、レジスト膜４、反射防止膜３で形成された高精度
のエッチングマスクが形成される。
ソブチルケトンに浸漬し、反射防止膜３の遠紫外光照射
部分を選択的に除去する。このようにして、Ａｌ層２の
上に、レジスト膜４、反射防止膜３で形成された高精度
のエッチングマスクが形成される。
【００４１】次に、図１（Ｈ）に示すように、Ａｌ層２
をドライエッチングにより選択的にエッチングし、Ａｌ
の配線パターンを得る。レジスト膜４、反射防止膜３の
パターニングが高精度に行なわれるため、レジストパタ
ーンがそのまま転写された配線パターンを得ることがで
きる。
をドライエッチングにより選択的にエッチングし、Ａｌ
の配線パターンを得る。レジスト膜４、反射防止膜３の
パターニングが高精度に行なわれるため、レジストパタ
ーンがそのまま転写された配線パターンを得ることがで
きる。
【００４２】その後、図１（Ｉ）に示すように、レジス
ト膜４、反射防止膜３をＯ2 プラズマによりアッシング
して除去し、配線パターン２を得る。 〔実施例３〕実施例１と同様の方法により、下に構造を
示すクロロフェニルアセチレンポリマーを合成した。
ト膜４、反射防止膜３をＯ2 プラズマによりアッシング
して除去し、配線パターン２を得る。 〔実施例３〕実施例１と同様の方法により、下に構造を
示すクロロフェニルアセチレンポリマーを合成した。
【００４３】
【化７】
【００４４】得られたポリマーに架橋剤としてビスアジ
ド（１．３−ビス（４′−アジドベンザル）−２−プロ
パノン）
ド（１．３−ビス（４′−アジドベンザル）−２−プロ
パノン）
【００４５】
【化８】
【００４６】を５重量％添加してトルエン溶液とした。
図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１上にＡｌ層２
をスパッタリング等によって形成し、続いて、図１
（Ｂ）に示すように、Ａｌ層２の上に上述のように調整
した溶液をスピンコートし、反射防止膜３を、厚さ約２
０００Å形成する。反射防止膜３を形成した後、基板を
約２００℃で約５分間ベーキングした。
図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１上にＡｌ層２
をスパッタリング等によって形成し、続いて、図１
（Ｂ）に示すように、Ａｌ層２の上に上述のように調整
した溶液をスピンコートし、反射防止膜３を、厚さ約２
０００Å形成する。反射防止膜３を形成した後、基板を
約２００℃で約５分間ベーキングした。
【００４７】架橋剤としてアジド化合物を添加された反
射防止膜を加熱することにより、実施例１同様、反射防
止膜３は不溶化する。次に、ポジ型ホトレジストを反射
防止膜３上に塗布し、厚さ約１．２μｍ程度のレジスト
膜４を形成した。ポジ型レジストとしては、たとえば東
京応化工業より入手できるＯＦＰＲ−８００（商品名）
を用いることができる。
射防止膜を加熱することにより、実施例１同様、反射防
止膜３は不溶化する。次に、ポジ型ホトレジストを反射
防止膜３上に塗布し、厚さ約１．２μｍ程度のレジスト
膜４を形成した。ポジ型レジストとしては、たとえば東
京応化工業より入手できるＯＦＰＲ−８００（商品名）
を用いることができる。
【００４８】次に、図１（Ｄ）に示すように、マスク５
を介してレジスト膜４を露光する。反射防止膜３はこの
露光工程において、Ａｌ層２から反射する光を低減さ
せ、ハレーションを防止する。
を介してレジスト膜４を露光する。反射防止膜３はこの
露光工程において、Ａｌ層２から反射する光を低減さ
せ、ハレーションを防止する。
【００４９】図１（Ｅ）に示すように、アルカリ溶液に
よってレジスト膜４を現像し、レジストパターンを得
る。図１（Ｆ）に示すように、基板を約１００℃に加熱
しながらＸｅ−Ｈｇランプの遠紫外光をレジスト膜４、
反射防止膜３上に５分間照射する。遠紫外光はレジスト
膜４および反射防止膜４で吸収される。レジスト膜４下
に配置された反射防止膜３は、レジスト膜によって遮光
されるため、遠紫外光照射を受けない。遠紫外光を照射
された反射防止膜は分解し、可溶化する。
よってレジスト膜４を現像し、レジストパターンを得
る。図１（Ｆ）に示すように、基板を約１００℃に加熱
しながらＸｅ−Ｈｇランプの遠紫外光をレジスト膜４、
反射防止膜３上に５分間照射する。遠紫外光はレジスト
膜４および反射防止膜４で吸収される。レジスト膜４下
に配置された反射防止膜３は、レジスト膜によって遮光
されるため、遠紫外光照射を受けない。遠紫外光を照射
された反射防止膜は分解し、可溶化する。
【００５０】図１（Ｇ）に示すように、基板をキシレン
に浸漬することにより、反射防止膜３の露出部分（遠紫
外光照射部分）を選択的に除去する。レジスト膜４に覆
われている部分では、反射防止膜は不溶化したままであ
り、溶解しない。このようにして、高精度のマスクが形
成される。
に浸漬することにより、反射防止膜３の露出部分（遠紫
外光照射部分）を選択的に除去する。レジスト膜４に覆
われている部分では、反射防止膜は不溶化したままであ
り、溶解しない。このようにして、高精度のマスクが形
成される。
【００５１】続いて、図１（Ｈ）に示すように、レジス
ト膜４および反射防止膜３のマスクをエッチングマスク
とし、Ａｌ層２をドライエッチング等により選択的に除
去する。高精度のマスクが形成されているため、ホトレ
ジストパターンがそのまま転写された高精度のＡｌ配線
パターンが得られる。
ト膜４および反射防止膜３のマスクをエッチングマスク
とし、Ａｌ層２をドライエッチング等により選択的に除
去する。高精度のマスクが形成されているため、ホトレ
ジストパターンがそのまま転写された高精度のＡｌ配線
パターンが得られる。
【００５２】その後、図１（Ｉ）に示すように、Ｏ2 プ
ラズマによりレジスト膜４、反射防止膜３をアッシング
により除去する。このようにして最終的なＡｌ配線パタ
ーンが得られる。
ラズマによりレジスト膜４、反射防止膜３をアッシング
により除去する。このようにして最終的なＡｌ配線パタ
ーンが得られる。
【００５３】なお、一般式（１）に示す構造を有する化
合物に、アジド化合物を添加して熱架橋させた反射防止
膜は、不溶化しているため、レジスト膜成膜時にインタ
ーミキシング層の形成をほぼ完全に防止することができ
る。
合物に、アジド化合物を添加して熱架橋させた反射防止
膜は、不溶化しているため、レジスト膜成膜時にインタ
ーミキシング層の形成をほぼ完全に防止することができ
る。
【００５４】また、反射防止膜を選択的に除去する工程
において、使用可能な溶媒の選択の幅が拡がる。キシレ
ンの他、種々の溶媒を用いてことができる。また、ポジ
レジストを用いる場合を例にとって説明したが、ネガレ
ジストを用いることも可能である。ベーキングの条件等
も種々変更するこができる。
において、使用可能な溶媒の選択の幅が拡がる。キシレ
ンの他、種々の溶媒を用いてことができる。また、ポジ
レジストを用いる場合を例にとって説明したが、ネガレ
ジストを用いることも可能である。ベーキングの条件等
も種々変更するこができる。
【００５５】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一般式（１）で示される共役系化合物を用いることによ
り、紫外、遠紫外領域で大きな吸収を持つ反射防止膜を
形成することができる。このため、露光工程において、
ハレーションを有効に防止することができる。
一般式（１）で示される共役系化合物を用いることによ
り、紫外、遠紫外領域で大きな吸収を持つ反射防止膜を
形成することができる。このため、露光工程において、
ハレーションを有効に防止することができる。
【００５７】また、この反射防止膜に遠紫外光を照射す
ることにより、反射防止膜は分解する。このため、適当
な溶媒を用いることにより、レジストパターンの劣化を
生じることなく、反射防止膜の選択的な除去が可能にな
る。このため、レジストパターンをそのまま被エッチン
グ物に転写することができる。
ることにより、反射防止膜は分解する。このため、適当
な溶媒を用いることにより、レジストパターンの劣化を
生じることなく、反射防止膜の選択的な除去が可能にな
る。このため、レジストパターンをそのまま被エッチン
グ物に転写することができる。
【００５８】このように、光反射性基板の上においても
高精度のパターンの形成が可能になる。
高精度のパターンの形成が可能になる。
【図１】本発明の実施例を説明するための断面図であ
る。
る。
１ Ｓｉ基板 ２ Ａｌ層 ３ 反射防止膜 ４ レジストマスク
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 …（１） ただし、Ｒ1 ，Ｒ2 は水素、アリール基、アルキル基、
ハロゲン、アリサイクリック基で示される構造を有する
化合物を含む反射防止膜、レジスト膜を被エッチング物
上に成膜する工程と、 前記レジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形
成する工程と、 前記レジストパターンから露出した前記反射防止膜に遠
紫外光を照射する工程と、 遠紫外光を照射された領域の反射防止膜を現像する工程
と、 被エッチング膜を選択エッチングする工程とを含むパタ
ーン形成方法。 - 【請求項２】 前記遠紫外光照射工程を加熱しながら行
なう請求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記反射防止膜に架橋剤、増感剤の少な
くとも一種が添加されている請求項１ないし２記載のパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22907693A JPH0786141A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22907693A JPH0786141A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786141A true JPH0786141A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16886371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22907693A Withdrawn JPH0786141A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786141A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5920588B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2016-05-18 | 日産化学工業株式会社 | ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP22907693A patent/JPH0786141A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5920588B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2016-05-18 | 日産化学工業株式会社 | ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |