KR20130108126A - 도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재 - Google Patents

도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재 Download PDF

Info

Publication number
KR20130108126A
KR20130108126A KR1020130026720A KR20130026720A KR20130108126A KR 20130108126 A KR20130108126 A KR 20130108126A KR 1020130026720 A KR1020130026720 A KR 1020130026720A KR 20130026720 A KR20130026720 A KR 20130026720A KR 20130108126 A KR20130108126 A KR 20130108126A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
copper
electrically conductive
conductive paste
particle
Prior art date
Application number
KR1020130026720A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101976855B1 (ko
Inventor
히데유키 히라코소
다카시게 요네다
도미야 스기우라
Original Assignee
아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 가라스 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 가라스 가부시키가이샤
Publication of KR20130108126A publication Critical patent/KR20130108126A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101976855B1 publication Critical patent/KR101976855B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09D161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/20—Condensation polymers of aldehydes or ketones with only compounds containing hydrogen attached to nitrogen
    • C09D161/22—Condensation polymers of aldehydes or ketones with only compounds containing hydrogen attached to nitrogen of aldehydes with acyclic or carbocyclic compounds
    • C09D161/24—Condensation polymers of aldehydes or ketones with only compounds containing hydrogen attached to nitrogen of aldehydes with acyclic or carbocyclic compounds with urea or thiourea
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/20—Condensation polymers of aldehydes or ketones with only compounds containing hydrogen attached to nitrogen
    • C09D161/26—Condensation polymers of aldehydes or ketones with only compounds containing hydrogen attached to nitrogen of aldehydes with heterocyclic compounds
    • C09D161/28—Condensation polymers of aldehydes or ketones with only compounds containing hydrogen attached to nitrogen of aldehydes with heterocyclic compounds with melamine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/02—Polyamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
    • C09D201/02—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C09D201/06—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

ITO 막 상에 하지층을 형성하지 않고, 또한 ITO 막 표면을 활성화시키는 처리를 실시하지 않고, 직접 도포하여 경화시키는 것만으로 양호한 밀착성을 발현하고, 도전성이 높은 도전막을 형성할 수 있는 도전성 페이스트의 제공. (A) 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자와, (B) 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염과, (C) 포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로 이루어지는 바와인더 수지를 함유하고, 상기 (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 상기 (C) 성분의 바인더 수지를 5 ∼ 40 질량부 함유하며, 상기 (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 상기 (B) 성분의 유기 중합체의 염을 0.1 ∼ 100 질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.

Description

도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재{CONDUCTIVE PASTE AND SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE FILM}
본 발명은, 도전성 페이스트 및 이것을 사용한 도전막 부착 기재에 관한 것이다.
종래부터, 전자 부품이나 프린트 배선 기판 등의 배선 도체의 형성에, 도전성이 높은 금속 입자를 함유하는 도전성 페이스트를 사용하는 방법이 알려져 있다. 이 중, 프린트 배선 기판의 제조는, 절연 기재 상에 도전성 페이스트를 원하는 패턴 형상으로 도포하여 경화시켜, 배선 패턴을 이루는 도전막을 형성하여 이루어지고 있다.
도전성 페이스트로는, 금속 입자로서 은 입자를 함유하는 은 페이스트가 종래 주류였지만 (특허문헌 1), 마이그레이션의 점에서 문제가 있었다. 이 점에 있어서, 금속 입자로서 구리 입자를 함유하는 구리 페이스트는, 마이그레이션 현상이 잘 발생하지 않기 때문에, 전기 회로의 접속 신뢰성을 높일 수 있다.
프린트 배선 기판 등의 배선 도체에는 여러 가지 특성이 요구되지만, 배선 패턴의 절연 기재에 대한 밀착성은, 전기 회로의 접속 신뢰성에 중요한 영향을 미치기 때문에, 가장 중요한 특성의 하나이다.
프린트 배선 기판에 사용되는 기재로는, 종래부터 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리이미드 (PI) 등이 사용되고 있지만, 최근, 터치 패널 등의 용도를 중심으로, 유리나 PET 등의 절연 기재 상에, 주석 도프 산화인듐 (ITO) 막 등의 투명 도전막이 형성된 투명 도전막 부착 기재가 사용되고 있다. 프린트 배선 기판으로서 이와 같은 투명 도전막 부착 기재를 사용하는 경우, 투명 도전막 상에 도전성 페이스트를 도포하여 도전막을 형성하게 된다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조).
상기 목적에서 사용되는 투명 도전막 부착 기재에 있어서의 투명 도전막으로는, ITO 막이 널리 사용되고 있다.
이와 같은 경우에 있어서, ITO 막에 대한 도전막의 밀착성을 향상시키는 방법으로는, 천이 금속 화합물을 유기 용매 중에 용해시킨 용액을 ITO 막의 표면에 도포하고, 가열 처리를 실시하여 하지 (下地) 층을 형성하는 방법이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 참조).
그러나, 이 방법에서는, 하지층의 형성을 필요로 하고, 하지층 형성 후에 도전성 페이스트를 도포하는 공정을 실시하기 때문에, 공정수가 증가하여 작업성이 나쁘다는 문제가 있었다.
또, ITO 막 등의 투명 도전막 상에 도포되는 도전성 페이스트의 밀착성을 향상시키기 위하여, 산성 혹은 알칼리성 용액으로 처리하여, 투명 도전막 표면을 활성으로 하는 방법, 자외선, 전자선을 조사하여 투명 도전막 표면을 활성으로 하는 방법, 코로나 처리나 플라스마 처리를 실시하여 투명 도전막 표면을 활성으로 하는 방법이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 참조).
그러나, 이 방법에서는, 상기의 처리를 실시한 후에, 도전성 페이스트를 도포하는 공정을 실시하기 때문에, 공정수가 증가하여 작업성이 나쁘다는 문제가 있었다.
일본 공개특허공보 평5-212579호 일본 공개특허공보 2009-116452호 일본 공개특허공보 2005-293937호 재공표 특허공보 99/59814호 (WO99/59814)
본 발명은, 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, ITO 막 상에 하지층을 형성하지 않고, 또한 ITO 막 표면을 활성화시키는 처리를 실시하지 않고, 직접 도포하여 경화시키는 것만으로 양호한 밀착성을 발현시켜, 도전성이 높은 도전막을 형성할 수 있는 도전성 페이스트와, 그와 같은 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 도전막이 부착된 기재의 제공을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, (A) 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자와, (B) 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염과, (C) 포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로 이루어지는 바인더 수지를 함유하고, 상기 (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 상기 (C) 성분의 바인더 수지를 5 ∼ 40 질량부 함유하며, 상기 (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 상기 (B) 성분의 유기 중합체의 아민염을 0.1 ∼ 100 질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트를 제공한다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (B) 성분의 유기 중합체의 염은, 산가가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 이고, 또한 아민가가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (B) 성분의 유기 중합체의 아민염은, 인산기를 갖는 유기 중합체의 암모늄염, 알킬아민염, 또는 알킬올아민염인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (C) 성분의 바인더 수지는, 페놀 수지, 멜라민 수지, 자일렌 수지, 및 우레아 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 추가로 (D) 분자 중에 적어도 1 개의 1 급 아미노기를 갖는 고분자 화합물의 카르복실산염을 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (D) 성분은, 폴리에틸렌이민의 포름산염, 또는 폴리알릴아민의 포름산염인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 상기 (D) 성분의 고분자 화합물의 카르복실산염을 0.05 ∼ 5 질량부 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (A) 성분의 구리 입자 개수 기준의 입자경 분포에 있어서, 소립자 직경측으로부터의 적산값이 10 ％ 일 때의 입자경을 D10, 50 ％ 일 때의 입자경을 D50, 90 ％ 일 때의 입자경을 D90 으로 할 때, D90/D50 의 값이 4.0 이하이고, 또한 D90/D10 의 값이 3.0 이상인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 (A) 성분의 구리 입자는, 표면 산소량이 0.5 이하인 구리 입자인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은, 주석 도프 산화인듐 (ITO) 막을 갖는 기재의 상기 ITO 막 상에, 본 발명의 도전성 페이스트를 도포하여 경화시켜 이루어지는 도전막을 갖는 것을 특징으로 하는 도전막 부착 기재를 제공한다.
본 발명에 의하면, ITO 막을 갖는 기재의 ITO 막 상에 하지층을 형성하지 않고, 또한 ITO 막 표면을 활성화시키는 처리를 실시하지 않고, ITO 막과의 밀착성이 양호하고 도전성이 높은 도전막을 형성할 수 있는 도전성 페이스트를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 이와 같은 도전성 페이스트를 사용함으로써, ITO 막과의 밀착성이 양호하고 도전성이 높은 도전막을 갖는 도전막 부착 기재를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 설명에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
<도전성 페이스트>
본 발명의 도전성 페이스트는, (A) 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자와, (B) 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염과, (C) 포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로 이루어지는 바인더 수지를 함유하고, 상기 (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 상기 (C) 성분의 바인더 수지를 5 ∼ 40 질량부 함유하며, 상기 (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 상기 (B) 성분의 유기 중합체의 염을 0.1 ∼ 100 질량부 함유하는 것을 특징으로 한다. 이하, 도전성 페이스트를 구성하는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.
(A) 구리 입자
(A) 성분의 구리 입자는, 도전성 페이스트의 도전 성분이다.
(A) 성분의 구리 입자의 평균 입자경은 10 ㎚ ∼ 20 ㎛ 의 범위이다. 구리 입자의 형상에 따라, 이 범위 내에서 적절히 조정되면 된다. 구리 입자는, 후술하는 바와 같이 구리 입자, 수소화구리 미립자, 구리 복합 입자, 구리 미립자의 1 종 이상을 사용할 수 있다. 구리 입자의 평균 입자경이 하한값 이상이면, 그 구리 입자를 포함하는 도전 페이스트의 유동 특성이 양호해진다. 또, 구리 입자의 평균 입자경이 상한값 이하이면, 미세 배선을 제작하기 쉬워진다.
(A) 성분의 구리 입자로는, 예를 들어, 이하에 나타내는 구리 입자 (A1) ∼ (A5) 의 사용이 바람직하다.
(A1) 평균 1 차 입자경이 0.3 ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자.
(A2) 평균 1 차 입자경이 0.3 ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자의 표면에, 평균 응집 입자경이 20 ∼ 400 ㎚ 인 수소화구리 미립자가 부착된 구리 복합 입자.
(A3) 평균 응집 입자경이 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 인 수소화구리 미립자.
(A4) 평균 1 차 입자경이 1 ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자의 표면에, 평균 응집 입자경이 20 ∼ 400 ㎚ 인 구리 미립자가 부착된 구리 복합 입자.
(A5) 평균 응집 입자경이 10 ㎚ ∼ 1 ㎛ 인 구리 미립자.
수소화구리 미립자는, 가열함으로써 수소화구리가 금속 구리로 변환되어, 구리 미립자가 된다. 즉, 수소화구리 미립자가 부착된 구리 복합 입자 (A2) 는, 가열됨으로써 구리 미립자가 부착된 구리 복합 입자 (A4) 가 된다. 또, 수소화구리 미립자 (A3) 은, 가열됨으로써 구리 미립자 (A5) 가 된다.
본 명세서 중에 있어서의 평균 입자경은, 상기한 구리 입자의 형상에 따라 이하와 같이 구할 수 있다. 1 차 입자에 대하여 평균 1 차 입자경을 구할 때에는, 주사형 전자 현미경 (이하, 「SEM」 이라고 기재한다) 이미지 중에서 무작위로 선택한 100 개의 입자의 Feret 직경을 측정하여, 그것들을 평균함으로써 산출된다. 2 차 입자에 대하여 평균 응집 입자경을 구할 때에는, 투과형 전자 현미경 (이하, 「TEM」이라고 기재한다) 이미지 중에서 무작위로 선택한 100 개의 입자의 Feret 직경을 측정하여, 그것들을 평균함으로써 산출된다.
또, 상기한 구리 입자 (A2) 와 같이, 구리 입자와, 그 구리 입자에 부착된 수소화구리 미립자를 함유하는 입자의 경우에는, 당해 입자 전체를 SEM 에 의해 관찰하여, 수소화구리 미립자도 포함시킨 후의 Feret 직경을 측정한다.
또, (A) 성분의 구리 입자 개수 기준의 입자경 분포에 있어서, 소립자 직경측으로부터의 적산값이 10 ％ 일 때의 입자경을 D10, 50 ％ 일 때의 입자경을 D50, 90 ％ 일 때의 입자경을 D90 으로 할 때, D90/D50 의 값이 4.0 이하이고, 또한 D90/D10 의 값이 3.0 이상인 것이 바람직하다. D90/D50 의 값이 4.0 이하이면, 도전성 페이스트를 사용하여 미세 배선을 제작하기 쉬워진다. D90/D10 의 값이 3.0 이상이면, 도전막 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막 중의 구리 입자 밀도가 향상되어 도전성이 양호해진다.
(A) 성분의 구리 입자 개수 기준의 입자경 분포는, 상기의 순서에 의해 얻어진 Feret 직경의 측정 결과로부터 구한다. 구체적으로는, 소립자 직경측으로부터의 적산값을 구하여, 소립자 직경측으로부터의 적산값이 10 ％ 일 때의 입자경을 D10 으로 하고, 소립자 직경측으로부터의 적산값이 50 ％ 일 때의 입자경을 D50, 소립자 직경측으로부터의 적산값이 90 ％ 일 때의 입자경을 D90 으로 한다.
또, (A) 성분의 구리 입자는, 표면 산소량이 0.5 이하인 것이 바람직하다. 표면 산소량이 0.5 이하인 구리 입자를 사용하면, 구리 입자 간의 접촉 저항이 보다 작아져, 얻어지는 도전막의 도전성이 향상된다.
본 발명에 있어서의 「표면 산소량」은, 구리 입자의 표면 구리 농도 (단위 : 원자％) 에 대한 표면 산소 농도 (단위 : 원자％) 의 비율로 나타낸다. 또한, 구리 입자의 표면 구리 농도와 표면 산소 농도는, X 선 광전자 분광 분석에 의해 구해진다. 측정은, 입자 표면으로부터 중심을 향하여 약 3 ㎚ 깊이까지의 범위에 대하여 이루어진다. 이 범위에 대하여 측정이 이루어지고 있으면, 입자 표면의 상태를 충분히 파악할 수 있다.
표면 산소량이 0.5 이하인 구리 입자로는, 구리 입자 표면을 환원 처리하여 이루어지는 「표면 개질 구리 입자」, 또는 구리 입자 표면의 적어도 일부에 구리 미립자가 부착된 「복합 금속 구리 입자」를 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서의 「표면 개질 구리 입자」는, 구리 입자 표면을, pH 값이 3 이하인 분산매 중에서 환원 처리하여 얻어지는 것이며, 예를 들어, (1) 구리 입자를 분산매에 분산시켜 「구리 분산액」으로 한 후, (2) 구리 분산액의 pH 값을 소정값 이하로 조정하고, (3) 구리 분산액에 환원제를 첨가하는, 습식 환원법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명에 있어서의 「복합 금속 구리 입자」는, 금속 구리 입자 표면의 적어도 일부에, 금속 구리 미립자를 부착시킨 것으로서, 금속 구리 입자 표면에 수소화구리 미립자가 부착되어 이루어지는 「구리 복합 입자」를 가열하여, 수소화구리 미립자를 금속 구리 미립자로 변환시켜 얻어지는 것이다. 또한, 금속 구리 입자 표면의 미립자의 부착 유무는, SEM 이미지를 관찰하여 확인할 수 있다. 또, 금속 구리 입자의 표면에 부착된 수소화구리 미립자의 동정은, X 선 회절 장치 (리가쿠사 제조, TTR-Ⅲ) 를 사용하여 실시할 수 있다.
구리 복합 입자에 있어서의 금속 구리 입자로는, 도전성 페이스트에 일반적으로 사용되는 공지된 구리 입자를 사용할 수 있으며, 그 입자 형상은, 구상 (球狀) 이어도 되고, 판상이어도 된다. 그리고, 이 금속 구리 입자의 평균 입자경 (평균 1 차 입자경) 은 0.3 ∼ 20 ㎛ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 금속 구리 입자의 평균 입자경이 0.3 ㎛ 미만이면, 도전성 페이스트로 했을 때에, 충분한 유동 특성을 얻을 수 없다. 한편, 금속 구리 입자의 평균 입자경이 20 ㎛ 를 초과하면, 얻어지는 도전성 페이스트에 의한, 미세 배선의 제작이 곤란해질 우려가 있다. 또한, 금속 구리 입자의 평균 입자경 (평균 1 차 입자경) 은, 상기한 바와 같이, TEM 이미지 또는 SEM 이미지 중에서 무작위로 추출한 100 개의 금속 구리 입자의 Feret 직경을 측정하여, 이 측정치를 평균하여 산출한 것이다.
구리 복합 입자에 있어서의 수소화구리 미립자는, 주로 1 ∼ 20 ㎚ 정도의 1 차 입자가 응집된 2 차 입자로서 존재하고 있으며, 그 입자 형상은 구상이어도 되고, 판상이어도 된다. 수소화구리 미립자의 평균 입자경 (평균 응집 입자경) 은 20 ∼ 400 ㎚ 가 바람직하고, 30 ∼ 300 ㎚ 가 보다 바람직하며, 50 ∼ 200 ㎚ 가 더욱 바람직하다. 특히 바람직하게는 80 ∼ 150 ㎚ 이다. 수소화구리 미립자의 평균 입자경 (평균 응집 입자경) 이 20 ㎚ 미만이면, 수소화구리 미립자의 융착·성장이 발생하기 쉬워져, 도전막으로 했을 때에, 체적 수축에 수반하는 크랙 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 한편, 수소화구리 미립자의 평균 입자경 (평균 응집 입자경) 이 400 ㎚ 를 초과하면, 입자 표면적이 충분하지 않고, 표면 융해 현상이 잘 발생하지 않게 되어, 조밀한 도전막을 형성하는 것이 곤란해진다. 수소화구리 미립자의 평균 입자경 (평균 응집 입자경) 은, 상기한 바와 같이, TEM 이미지 또는 SEM 이미지 중에서 무작위로 추출한 100 개의 수소화구리 미립자의 입자경을 측정하고, 그 측정치를 평균하여 산출한 것이다.
금속 구리 입자 표면에 부착되는 수소화구리 미립자의 양은, 금속 구리 입자량의 5 ∼ 50 질량％ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 35 질량％ 인 것이 보다 바람직하다. 수소화구리 미립자의 양이 금속 구리 입자량의 5 질량％ 미만이면, 금속 구리 입자 간에 도전 패스가 충분히 형성되지 않아, 도전막의 체적 저항률을 저감시키는 효과를 충분히 얻지 못할 우려가 있다. 한편, 수소화구리 미립자의 양이 금속 구리 입자량의 50 질량％ 를 초과하면, 도전성 페이스트로서 충분한 유동성을 확보하는 것이 곤란해진다. 또한, 금속 구리 입자의 표면에 부착된 수소화구리 미립자의 양은, 예를 들어, 환원제를 첨가하기 전의 수용성 구리 화합물 용액 중의 구리 이온 농도와, 수소화구리 미립자 생성 종료 후의 반응액 중에 잔존하는 구리 이온 농도의 차로부터 산출할 수 있다.
(B) 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염
도전성 입자로서, 은 입자를 사용한 도전성 페이스트에서는, 저온에서 그리고 단시간에 의한 경화가 가능하다는 이유에서, 폴리에스테르 수지, 페녹시 수지 등의 열가소성 수지가 바인더 수지로서 사용되고 있다.
이에 반하여, 본 발명의 도전성 페이스트의 경우, (A) 성분의 구리 입자가, 은 입자에 비해 산화되기 쉽기 때문에, 도전막의 신뢰성을 향상시킨다는 관점에서, 후술하는 바와 같이, (C) 성분의 바인더 수지로서 열경화성 수지가 사용된다.
그러나, 바인더 수지로서 열경화성 수지를 사용한 경우, ITO 막 상에 도전성 페이스트를 도포하여 도전막을 형성했을 때에, ITO 에 대한 도전막의 밀착성이 열등한 점이 문제가 된다. 그 이유는, 수지의 극성이 크고, 표면 에너지가 커지기 때문에 ITO 막 표면에 대한 젖음성이 나빠져, 충분한 밀착 면적을 확보하기 어렵기 때문이다.
이 때문에, 도전성 입자로서 구리 입자를 사용한 도전성 페이스트를 사용하여 ITO 막 상에 도전막을 형성하는 경우, ITO 막 상에 하지층을 형성하는 방법 (특허문헌 3 참조), ITO 막 표면을 활성화시키는 처리를 실시하는 방법 (특허문헌 4 참조) 등의 수단을 강구하여, ITO 막에 대한 도전막의 밀착성을 향상시킬 필요가 있었다.
이에 반하여, 본 발명의 도전성 페이스트에서는, (B) 성분으로서 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염을 배합함으로써, 그 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막이 ITO 막에 대하여 양호한 밀착성을 발현한다. 이 이유는 이하의 2 가지이다.
1. (B) 성분 중, 인산기, 및 아민염을 구성하는 부분은, ITO 막에 대하여 상호 작용을 발현한다.
2. (B) 성분 중, 유기 중합체 부분은, (C) 성분의 바인더 수지에 대하여 상용 (相溶) 성을 발현한다.
이 결과, 도전성 페이스트 중에서, (B) 성분의 유기 중합체 부분이 (C) 성분의 바인더 수지와 상용됨과 함께, (B) 성분의 인산기, 및 아민염을 구성하는 부분이 ITO 막과 상호 작용을 발현하기 때문에, 그 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막이 ITO 막에 대하여 양호한 밀착성을 발현한다.
또, 계면 활성 기능을 갖는 (B) 성분의 배합에 의해, ITO 막 표면과 도전성 페이스트 사이의 계면 에너지를 감소시켜, 도전성 페이스트의 ITO 막 표면에 대한 젖음성을 향상시키는 기능도 가짐으로써 그 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막이 ITO 막에 대하여 양호한 밀착성을 발현한다.
(B) 성분을 구성하는 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염은, 적어도 1 개의 인산기와, 아민염을 구성하는 부분을 갖는다. 상기 서술한 바와 같이, (B) 성분 중의 인산기 및 아민염을 구성하는 부분은 ITO 막에 대하여 상호 작용을 발휘하기 때문에, 유기 중합체의 염은 인산기를 복수 갖고 있는 것이 바람직하고, 산가 및 아민가가 하기를 만족하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 산가 (JIS K 7237 의 규정에 준함) 가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 100 ㎎KOH/g 인 것이 보다 바람직하다. 산가가 10 ㎎KOH/g 미만이면, ITO 막과의 밀착성이 저하될 우려가 있다. 산가가 200 ㎎KOH/g 초과에서는, 유기 중합체 부분이 탄소수가 9 이하인 저분자량이 되어 (C) 성분의 바인더 수지와의 상용성이 저하될 우려가 있다.
아민가 (JIS K 7237 의 규정에 준거) 는 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인 것이 바람직하고, 30 ∼ 100 ㎎KOH/g 인 것이 보다 바람직하다. 아민가가 10 ㎎KOH/g 미만이면, ITO 막과의 밀착성이 저하될 우려가 있다. 아민가가 200 ㎎KOH/g 초과에서는, 유기 중합체 부분이 탄소수가 9 이하인 저분자량이 되어 (C) 성분의 바인더 수지와의 상용성이 저하될 우려가 있다.
(B) 성분을 구성하는 유기 중합체의 아민염의 적합예는, 인산기를 갖는 유기 중합체의 암모늄염, 알킬아민염, 또는 알킬올아민염을 들 수 있다.
유기 중합체 부분에 대해서는, 탄소수가 10 이상인 유기 중합체인 것이 바람직하고, 탄소수가 100 이상인 유기 중합체인 것이 더욱 바람직하다. 직사슬형의 주사슬을 갖는 것이어도, 분기 구조를 갖는 것이어도 된다. 또, 유기 중합체 부분이 공중합체인 경우, 블록 공중합체여도, 교호 공중합체여도, 그래프트 공중합체여도, 랜덤 공중합체여도 된다. 또, 유기 중합체 부분은, 폴리에스테르 및/또는 폴리옥시에틸렌인 것이 바람직하다.
(B) 성분을 구성하는 유기 중합체의 아민염으로는 시판품을 사용해도 된다. 시판품의 구체예로는, Disperbyk180 (빅케미사 제조), Disperbyk142 (빅케미사 제조) 가 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, (B) 성분의 유기 중합체의 아민염의 배합량은, (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 100 질량부이다. 즉, (B) 성분 (유기 중합체의 아민염) 의 (C) 성분 (바인더 수지) 에 대한 배합 비율은 0.1 ∼ 100 질량％ 이다. (B) 성분의 유기 중합체의 아민염의 배합량이, (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 0.1 질량부 이상이면, 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막의 ITO 막 표면과의 밀착성이 양호해진다. (B) 성분의 유기 중합체의 아민염의 배합량이, (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 100 질량부 이하이면, 도전성을 저해하여 도전막의 체적 저항률을 악화시키는 경우가 적어, 양호한 도전성을 갖는 도전막을 형성할 수 있다.
(B) 성분의 유기 중합체의 아민염의 배합량은, (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 0.5 ∼ 40 질량부인 것, 즉, (B) 성분 (유기 중합체의 아민염) 의 (C) 성분 (바인더 수지) 에 대한 배합 비율이 0.5 ∼ 40 질량％ 인 것이 바람직하다.
(C) 바인더 수지
상기 서술한 바와 같이, 도전성 입자로서 구리 입자를 사용한 도전성 페이스트에서는, 바인더 수지로서 열경화성 수지가 사용된다. 본 발명의 도전성 페이스트에서는, (C) 성분의 바인더 수지로서 포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로 이루어지는 것을 사용한다. 그 이유는 포름알데히드로부터 생성되는 메틸올기의 환원 작용에 의해 구리 입자 표면의 산화를 억제할 수 있고, 또한 적당히 경화 수축이 진행되어 구리 입자끼리의 접촉이 확보되기 때문이다.
포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로는, 페놀 수지, 멜라민 수지, 자일렌 수지, 우레아 수지가 예시된다. 그 중에서도, 페놀 수지가 메틸올기의 환원 작용과 경화 수축의 정도에서 바람직하다. 경화 수축이 지나치게 크면 도전막 내에 불필요한 응력이 축적되어, 기계적 파괴의 원인이 된다. 경화 수축이 지나치게 적으면 구리 입자끼리의 접촉을 충분히 확보할 수 없다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, (C) 성분의 바인더 수지의 배합량은, (A) 성분의 구리 입자의 체적과, 구리 입자 간에 존재하는 공극부의 체적의 비율에 따라 적절히 선택할 수 있지만, (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여, 5 ∼ 40 질량부인 것이 바람직하고, 5 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하다. 5 질량부 이상이면, 도전성 페이스트의 유동 특성이 양호해진다. 40 질량부 이하이면, 도전 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막의 체적 저항률을 낮게 억제할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 본 발명의 도전성 페이스트는, 상기 (A) ∼ (C) 의 각 성분에 추가하여, (D) 성분으로서 분자 중에 적어도 1 개의 1 급 아미노기를 함유하는 고분자 화합물 (이하, 아미노기 함유 고분자 화합물이라고 하는 경우가 있다) 의 카르복실산염을 함유하는 것이 바람직하다. (D) 성분으로서, 이와 같은 아미노기 함유 고분자 화합물의 카르복실산염을 함유함으로써, 도전성 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막의 ITO 막 표면과의 밀착성이 더욱 향상된다. 그 이유는, 아미노기 함유 고분자 화합물에 함유되는 1 급 아미노기 등의 아미노기가, (C) 성분으로서의 바인더 수지가 갖는 산성기와 산염기 반응에 의한 결합을 형성하면서, 동시에 ITO 막 표면과 상호 작용도 실시하고 있기 때문인 것으로 생각된다.
(D) 성분을 구성하는 아미노기 함유 고분자 화합물은, 분자 중에 적어도 1 개, 바람직하게는 복수 개의 1 급 아미노기를 함유하고, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 300 ∼ 20000 인 고분자량의 아민이다. 아미노기 함유 고분자 화합물의 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 600 ∼ 1600 의 범위가 보다 바람직하다.
(D) 성분을 구성하는 아미노기 함유 고분자 화합물은, 적어도 1 개, 바람직하게는 복수 개의 1 급 아미노기와 함께, 2 급 아미노기 및/또는 3 급 아미노기를 함유하는 것이 바람직하고, 아민가 (JIS K 7237 의 규정에 준거) 가 700 ∼ 1500 ㎎KOH/g 인 것이 바람직하며, 850 ∼ 1200 ㎎KOH/g 인 것이 특히 바람직하다. (D) 성분을 구성하는 아미노기 함유 고분자 화합물은, 직사슬형의 주사슬을 갖는 화합물이어도 되고, 분기 구조를 갖는 화합물이어도 된다. 그 중에서도, 분기 구조를 갖는 고분자 아민인 것이 바람직하다. (D) 성분을 구성하는 아미노기 함유 고분자 화합물로는, 구체적으로는, 상기 범위의 질량 평균 분자량 (Mw) 을 갖는 폴리에틸렌이민이나 폴리알릴아민을 들 수 있다. 특히, 폴리에틸렌이민이 바람직하다.
상기의 아미노기 함유 고분자 화합물은, 함유되는 아미노기 (1 급 아미노기, 그리고 2 급 아미노기 및/또는 3 급 아미노기) 가 카르복실산과 반응하여 염을 형성한 형태이며, 본 발명의 도전성 페이스트에 함유된다. 아미노기 함유 고분자 화합물의 아미노기와 염을 형성하는 산으로는, 염산, 황산, 질산, 카르복실산, 술폰산 등을 들 수 있지만, 아미노기와의 결합성의 강도가 적당한 점에서 카르복실산이 바람직하다. 카르복실산 중에서도, 카르보닐기의 탄소 원자를 포함한 탄소수가 10 이하인 카르복실산이 바람직하고, 탄소수가 4 이하인 카르복실산이 특히 바람직하다. 구체적으로는, 포름산이 특히 바람직하다.
따라서, 아미노기 함유 고분자 화합물의 카르복실산염으로는, 폴리에틸렌이민의 포름산염, 폴리알릴아민의 포름산염이 바람직하고, 특히, 폴리에틸렌이민의 포름산염이 바람직하다.
(D) 성분으로서, 아미노기 함유 고분자 화합물의 카르복실산염을 배합하는 경우, 그 배합량은, (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 0.05 ∼ 5 질량부가 바람직하고, 0.1 ∼ 2 질량부가 특히 바람직하다. 즉, (D) 성분 (아미노기 함유 고분자 화합물 카르복실산염) 의 (A) 성분 (구리 입자) 에 대한 배합 비율은, 0.05 ∼ 5 질량％ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 2 질량％ 의 범위가 특히 바람직하다. (D) 성분의 아미노기 함유 고분자 화합물 카르복실산염의 배합량이, (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 0.05 질량부 이상이면, 도전 페이스트를 사용하여 형성되는 도전막의 ITO 막 표면과의 밀착성이 양호해진다. 5 질량부 이하이면, 도전성을 저해하여 도전막의 체적 저항률을 악화시키는 경우가 적어, 양호한 도전성을 갖는 도전막을 형성할 수 있다.
(E) 그 밖의 성분
본 발명의 도전성 페이스트는, 상기 (A) ∼ (D) 의 각 성분에 추가하여, 필요에 따라 용제나 각종 첨가제 (레벨링제, 커플링제, 점도 조정제, 산화 방지제 등) 를, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 함유하고 있어도 된다. 특히, 적당한 유동성을 갖는 페이스트를 얻기 위하여, 열경화성 수지를 용해시킬 수 있는 용제를 함유시키는 것이 바람직하다.
용제로는, 예를 들어, 시클로헥사논, 시클로헥사놀, 테르피네올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트를 사용할 수 있다. 인쇄용 페이스트로서, 적당한 점도 범위로 하는 관점에서, 도전성 페이스트에 함유시키는 용제의 양은, 구리 입자에 대하여 1 ∼ 10 질량％ 가 바람직하다.
도전성 페이스트는, 상기 (A) ∼ (D) 의 각 성분, 및 필요에 따라 상기 용제 등의 그 밖의 성분을 혼합하여 얻을 수 있다. 상기의 (A) ∼ (D) 의 각 성분을 혼합할 때에는, 열경화성 수지의 경화나 용제의 휘발이 발생하지 않는 정도의 온도 하에서, 가열하면서 실시할 수 있다.
혼합, 교반시의 온도는 10 ∼ 40 ℃ 로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 20 ∼ 30 ℃ 로 하는 것이 좋다. 도전 페이스트를 조제할 때에 10 ℃ 이상의 온도로 가열함으로써, 페이스트의 점도를 충분히 저하시킬 수 있어, 교반을 원활히 또한 충분히 실시할 수 있다. 한편, 도전 페이스트를 조제할 때의 온도가 40 ℃ 를 초과하면, 페이스트 중에서 수지의 경화가 발생할 우려나, 입자끼리의 융착이 발생할 우려가 있다. 또한, 혼합시에 구리 입자가 산화되는 것을 방지하기 위하여, 불활성 가스로 치환한 용기 내에서 혼합하는 것이 바람직하다.
이상 설명한 본 발명의 도전성 페이스트에 있어서는, (A) 소정의 평균 입자경을 갖는 구리 입자와 함께, (B) 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염, 및 (C) 포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로 이루어지는 바인더 수지를 함유하고 있기 때문에, 이 도전성 페이스트에 의해 형성되는 도전막은, ITO 막과의 밀착성이 우수하다. 그리고, 도전성 페이스트가, (D) 성분으로서, 분자 중에 적어도 1 개의 1 급 아미노기를 함유하는 고분자 화합물의 카르복실산염을 함유하면, ITO 막과의 밀착성이 더욱 향상된다. 그 때문에, 본 발명의 도전성 페이스트로부터 얻어지는 도전막은, ITO 막 표면과 양호한 밀착성을 갖는다.
<도전막 부착 기재>
본 발명의 도전막 부착 기재는, ITO 막을 갖는 기재와, 이 기재의 ITO 막 상에 상기한 본 발명의 도전성 페이스트를 도포하여 경화시켜 형성한 도전막을 갖는다.
기재 본체로는, 유리 기판, 플라스틱 기판 (예를 들어, 폴리이미드 기판, 폴리에스테르 기판 등), 섬유 강화 복합 재료로 이루어지는 기판 (예를 들어, 유리 섬유 강화 수지 기판 등) 을 들 수 있다. 이들 기재 본체의 표면에 ITO 막이 형성되어, ITO 막 부착 기재가 구성된다.
도전성 페이스트의 도포 방법으로는, 스크린 인쇄법, 롤 코트법, 에어 나이프 코트법, 블레이드 코트법, 바 코트법, 그라비아 코트법, 다이 코트법, 슬라이드 코트법 등의 공지된 방법을 들 수 있다. 이것들 중에서도 스크린 인쇄법이 바람직하다.
도포층의 경화는, 온풍 가열, 열복사 가열 등의 방법으로 가열하여, 도전성 페이스트 중의 수지 (열경화성 수지) 를 경화시킴으로써 실시한다.
가열 온도 및 가열 시간은, 도전막에 요구되는 특성에 따라 적절히 결정하면 된다. 가열 온도는 80 ∼ 200 ℃ 가 바람직하다. 가열 온도가 80 ℃ 이상이면, 바인더 수지의 경화가 원활히 진행되어, 구리 입자 간의 접촉이 양호해져 도전성이 향상됨과 함께, 도전막의 ITO 막과의 밀착성이 향상된다. 가열 온도가 200 ℃ 이하이면, 기재 본체로서 플라스틱 기판을 사용할 수 있기 때문에, 기재 선택의 자유도가 높아진다.
ITO 막 상에 형성되는 도전막의 두께는, 안정적인 도전성과 배선 형상의 유지를 확보하는 관점에서 1 ∼ 200 ㎛ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 100 ㎛ 의 범위가 보다 바람직하다.
도전막의 체적 저항률 (비저항이라고도 한다) 은 1.0 × 10-4 Ω㎝ 이하인 것이 바람직하다. 도전막의 체적 저항률이 1.0 × 10-4 Ω㎝ 를 초과하면, 전자 기기용의 도전체로서의 사용이 곤란해지는 경우가 있다. 도전막의 체적 저항률은 이하와 같이 하여 구할 수 있다. 도전막의 전기 저항값을 저항값계 (키슬리사 제조, 상품명 : 밀리옴 하이테스터) 를 사용하여 측정하고, 접촉식 형상 측정 장치 (토쿄 정밀사 제조, 상품명 : 서프컴 130A) 를 사용하여 도전막의 단면적을 측정한다. 그리고, 도전막의 전기 저항값, 단면적, 길이로부터 체적 저항률 (비저항 ; 단위 μΩ㎝) 을 계산한다.
또, 도전막의 ITO 막 표면과의 밀착성은, 크로스컷법으로 측정한 값으로서, 60/100 이상이 바람직하다. ITO 막과의 밀착성이 60/100 미만이면, 전자 기기용의 도전체로서의 사용이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 크로스컷법에 의한 밀착성의 측정은, JIS K 5600-5-6 에 규정된 방법으로 도전막을 바둑판 눈금 형상으로 크로스컷한 후, 셀로판 테이프 (상품명 : 셀로판 테이프 #405 니치반사 제품) 를 사용하여 도전막을 박리함으로써 실시한다. 그리고, 박리하지 않고 잔존한 바둑판 눈금수를 X 로 하여, X/100 을 밀착성의 측정값으로 한다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 구리 입자의 평균 입자경, 도전막의 두께 및 체적 저항률 (비저항) 은, 각각 이하에 나타내는 장치를 사용하여 측정하였다.
(평균 입자경)
구리 입자의 평균 입자경은, SEM (닛폰 전자사 제조, S-4300) 에 의해 얻어진 SEM 이미지 중에서 무작위로 선택된 100 개의 입자의 Feret 직경을 측정하여, 그 평균 (수평균) 을 내는 것에 의해 구하였다.
(도전막의 두께)
도전막의 두께는, DEKTAK3 (Veeco metrology Group 사 제조) 을 사용하여 측정하였다.
(도전막의 체적 저항률)
도전막의 전기 저항값을 저항값계 (키슬리사 제조, 상품명 : 밀리옴 하이테스터) 를 사용하여 측정하고, 접촉식 형상 측정 장치 (토쿄 정밀사 제조, 상품명 : 서프컴 130A) 를 사용하여 도전막의 단면적을 측정하였다. 그리고, 도전막의 전기 저항값, 단면적, 길이로부터 체적 저항률 (비저항 ; 단위 μΩ㎝) 을 계산하였다.
실시예 1
유리제 비커 내에, 포름산 3.0 g 과 50 질량％ 의 차아인산 수용액 9.0 g 을 넣은 후, 이 비커를 워터 배스에 넣고 40 ℃ 로 유지하였다. 이 비커 내에 구리 입자 (미츠이 금속 광업사 제조, 상품명 : 1400YP, 평균 1 차 입자경 : 7 ㎛) 5.0 g 을 서서히 첨가하고, 30 분간 교반하여 구리 분산액을 얻었다.
얻어진 구리 분산액으로부터, 원심 분리기를 사용하여, 회전수 3000 rpm 으로 10 분간 원심 분리하여 침전물을 회수하였다. 이 침전물을 증류수 30 g 에 분산시키고, 원심 분리에 의해 다시 응집물을 침전시켜, 침전물을 분리하였다. 그 후, 얻어진 침전물을, -35 kPa 의 감압 하, 80 ℃ 에서 60 분간 가열하여 잔류 수분을 휘발시켜 서서히 제거하여, 입자 표면이 표면 개질된 구리 입자 (A-1) 을 얻었다.
얻어진 구리 입자 (A-1) 의 표면 산소량은 0.16 이었다. 이 값은, X 선 광전자 분광 분석 (알박·파이사 제조, ESCA5500) 에 의해 표면 산소 농도 [원자％] 와 표면 구리 농도 [원자％] 를 구하고, 표면 산소 농도를 표면 구리 농도로 나누어 산출하였다. 또한, 산소량계 (LECO 사 제조, 상품 번호 : 「ROH-600」) 를 사용하여 측정한 결과, 구리 입자 (A-1) 중의 산소량은 460 ppm 이었다.
이어서, 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 (군에이 화학사 제조, 상품명 : 레지톱 PL6220, 이하의 예에 있어서 모두 동일) 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하였다. 추가로, 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk180 (산가 : 94 ㎎KOH/g, 아민가 : 94 ㎎KOH/g)) 0.006 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 0.12 질량％ 였다.
실시예 2
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk142 (산가 : 46 ㎎KOH/g, 아민가 : 43 ㎎KOH/g)) 0.01 g (유효 성분으로서 0.006 g) 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 0.12 질량％ 였다.
실시예 3
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk180) 0.05 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 1.0 질량％ 였다.
실시예 4
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk142 (산가 : 46 ㎎KOH/g, 아민가 : 43 ㎎KOH/g)) 0.08 g (유효 성분으로서 0.05 g) 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 1.0 질량％ 였다.
실시예 5
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk180) 0.125 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 2.5 질량％ 였다.
실시예 6
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk142) 0.21 g (유효 성분으로서 0.125 g) 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 2.5 질량％ 였다.
실시예 7
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk180) 0.25 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 5.0 질량％ 였다.
실시예 8
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk142) 0.42 g (유효 성분으로서 0.25 g) 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 5.0 질량％ 였다.
실시예 9
수온을 50 ℃ 로 설정한 워터 배스 내에 유리제 비커를 설치하고, 비커 내에 폴리에틸렌이민 (쥰세이 화학사 제조, 상품명 : 폴리에틸렌이민 1200, Mw : 1200, 아민가 : 1120 m㏖/g) 50 g 을 넣고, 교반을 격렬하게 실시하면서 포름산 45 g 을 천천히 적하하였다. 엷은 황색을 한 상기 폴리에틸렌이민은 연기를 내면서 격렬하게 반응하여, 다갈색의 액체로 변화하였다. 적하 종료 후, 30 분간 그대로 교반한 후, 유리 용기에 생성물인 폴리에틸렌이민의 포름산염을 회수하였다.
이어서, 실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, 상기의 순서로 얻어진 (D) 성분으로서의 폴리에틸렌이민포름산염 0.05 g 과 (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk180) 0.05 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (D) 성분 (폴리에틸렌이민포름산염) 의 배합량은, (A) 성분 (구리 입자) 에 대하여 0.4 질량％ 이고, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 1.0 질량％ 였다.
비교예 1
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하였다. 그리고, 이 혼합물을 막자사발에 넣고, 실온하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다.
비교예 2
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분 대신에 인산기를 갖지 않는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk140 (산가 : 73 ㎎KOH/g, 아민가 : 76 ㎎KOH/g)) 0.25 g (유효 성분으로서 0.125 g) 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, 인산기를 갖지 않는 유기 중합체의 아민염의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 1.0 질량％ 였다.
비교예 3
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분 대신에 p-톨루엔술폰산의 아민염 (KING INDUSTRY 사 제조, 상품명 : NACURE2500) 0.12 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, p-톨루엔술폰산의 아민염의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 2.5 질량％ 였다.
비교예 4
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분 대신에 유기 중합체가 아닌 인산기를 갖는 화합물의 아민염 (다이이치 공업 제약사 제조, 상품명 : 플라이 서프 DOM (옥틸인산에스테르의 에탄올아민염)) 0.12 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, 유기 중합체가 아닌 인산기를 갖는 화합물의 아민염의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 2.5 질량％ 였다.
비교예 5
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서의 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk180) 0.00125 g 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 0.024 질량％ 였다.
비교예 6
실시예 1 과 동일하게 하여 얻어진 표면 개질 구리 입자 (A-1) 의 12 g 을, (C) 성분으로서 페놀 수지 7.4 g 을 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 4.3 g 에 용해시킨 수지 용액에 첨가하고, 추가로 이 혼합물과 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염 (빅케미사 제조 : Disperbyk142) 0.0021 g (유효 성분으로서 0.00125 g) 을 막자사발에 넣고, 실온 하에서 혼합하여 구리 페이스트를 얻었다. 또한, (B) 성분 (인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염) 의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대하여 0.024 질량％ 였다.
다음으로, 실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 6 에서 얻어진 구리 페이스트를, 스퍼터링법으로 성막한 ITO 막 부착 유리 기판의 ITO 막 (두께 50 ㎚) 상에 각각 도포하고, 150 ℃ 에서 30 분간 가열하여, (C) 성분으로서의 페놀 수지를 경화시켜, 두께 10 ㎛ 의 도전막을 형성하였다. 그리고, 얻어진 도전막의 전기 저항값을 저항값계 (키슬리사 제조, 상품명 : 밀리옴 하이테스터) 를 사용하여 측정하여, 체적 저항률 (비저항 ; 단위 μΩ㎝) 을 측정하였다. 또, 도전막의 밀착성을 크로스컷법에 의해 평가하였다.
Figure pat00001
표 중, (B) 성분의 배합량은, (C) 성분 (페놀 수지) 에 대한 질량％ 이고, (D) 성분의 배합량은, 표면 개질 구리 입자 (A-1) 에 대한 질량％ 이다.
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 표면 개질 구리 입자와 함께, (B) 성분으로서의 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염을, (C) 성분으로서의 페놀 수지에 대한 질량％ 로 0.1 ∼ 100 질량％ 배합한 실시예 1 ∼ 9 의 구리 페이스트를 사용함으로써, ITO 막 상에 하지층을 형성하지 않고, 또한 ITO 막 표면을 활성화시키는 처리를 실시하지 않고, 도전성 페이스트를 ITO 막 상에 직접 도포하여 경화시키는 것만으로, ITO 막과의 밀착성이 양호할 뿐만 아니라, 체적 저항률이 낮고, 충분히 높은 도전성을 갖고 있었다.
본 발명을 상세히 또 특정 실시형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 여러 가지 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은, 당업자에게 있어 분명하다.
본 출원은, 2012년 3월 22일에 출원된 일본 특허 출원 2012-065997호에 근거하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 여러 가지 용도에 이용할 수 있으며, 예를 들어, 프린트 배선판 등에 있어서의 배선 패턴의 형성 및 수복 (修復), 반도체 패키지 내의 층간 배선, 프린트 배선판과 전자 부품의 접합 등의 용도에 이용할 수 있다.

Claims (10)

  1. (A) 평균 입자경이 10 ㎚ ∼ 20 ㎛ 인 구리 입자와,
    (B) 인산기를 갖는 유기 중합체의 아민염과,
    (C) 포름알데히드를 1 성분으로 하는 열경화성 수지로 이루어지는 바인더 수지를 함유하고,
    상기 (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 상기 (C) 성분의 바인더 수지를 5 ∼ 40 질량부 함유하며, 상기 (C) 성분의 바인더 수지 100 질량부에 대하여 상기 (B) 성분의 유기 중합체의 아민염을 0.1 ∼ 100 질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (B) 성분의 유기 중합체의 아민염이, 산가가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 이고, 또한, 아민가가 10 ∼ 200 ㎎KOH/g 인, 도전성 페이스트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 (B) 성분의 유기 중합체의 아민염이, 인산기를 갖는 유기 중합체의 암모늄염, 알킬아민염, 또는, 알킬올아민염인, 도전성 페이스트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C) 성분의 바인더 수지가, 페놀 수지, 멜라민 수지, 자일렌 수지, 및 우레아 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상인, 도전성 페이스트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로, (D) 분자 중에 적어도 1 개의 1 급 아미노기를 갖는 고분자 화합물의 카르복실산염을 함유하는, 도전성 페이스트.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 (D) 성분이, 폴리에틸렌이민의 포름산염, 또는, 폴리알릴아민의 포름산염인, 도전성 페이스트.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 (A) 성분의 구리 입자 100 질량부에 대하여 상기 (D) 성분의 고분자 화합물의 카르복실산염을 0.05 ∼ 5 질량부 함유하는, 도전성 페이스트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A) 성분의 구리 입자 개수 기준의 입자경 분포에 있어서, 소립자 직경 측으로부터의 적산값이 10 ％ 일 때의 입자경을 D10, 50 ％ 일 때의 입자경을 D50, 90 ％ 일 때의 입자경을 D90 으로 할 때, D90/D50 의 값이 4.0 이하이고, 또한 D90/D10 의 값이 3.0 이상인, 도전성 페이스트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A) 성분의 구리 입자가, 표면 산소량이 0.5 이하인 구리 입자인, 도전성 페이스트.
  10. 주석 도프 산화인듐 (ITO) 막을 갖는 기재의 상기 ITO 막 상에, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트를 도포하여 경화시켜 이루어지는 도전막을 갖는 것을 특징으로 하는 도전막 부착 기재.
KR1020130026720A 2012-03-22 2013-03-13 도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재 KR101976855B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012065997A JP5849805B2 (ja) 2012-03-22 2012-03-22 導電性ペーストおよび導電膜付き基材
JPJP-P-2012-065997 2012-03-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130108126A true KR20130108126A (ko) 2013-10-02
KR101976855B1 KR101976855B1 (ko) 2019-05-09

Family

ID=49194128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130026720A KR101976855B1 (ko) 2012-03-22 2013-03-13 도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5849805B2 (ko)
KR (1) KR101976855B1 (ko)
CN (1) CN103325437B (ko)
TW (1) TWI597345B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6737563B2 (ja) * 2014-02-06 2020-08-12 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 透明導電性支持体、タッチセンサ、及びその製造方法
CN116417177A (zh) * 2023-03-15 2023-07-11 苏州锦艺新材料科技股份有限公司 陶瓷电容器用导电浆料及制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05212579A (ja) 1992-02-05 1993-08-24 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 半田付け可能な導電性ペースト
WO1999059814A1 (fr) 1998-05-15 1999-11-25 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Film conducteur transparent et ecran tactile
US20050230667A1 (en) * 2002-09-04 2005-10-20 Michinori Komagata Conductive adhesive and circuit using the same
JP2005293937A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Harima Chem Inc 導電性ｉｔｏ膜上、あるいは導電性ｉｔｏ膜の下地基板とするガラス基板表面上への金属薄膜層の形成方法、および該方法による導電性ｉｔｏ膜上、あるいは導電性ｉｔｏ膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層
JP2009116452A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Toyo Ink Mfg Co Ltd タッチパネル用導電性基材用の製造方法、および該基材を具備してなるタッチパネル
WO2010024385A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 石原産業株式会社 金属銅分散液及びその製造方法並びにそれを用いて形成した電極、配線パターン、塗膜、その塗膜を形成した装飾物品、抗菌性物品及びそれらの製造方法
KR20100109416A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 디아이씨 가부시끼가이샤 도전성 페이스트 조성물 및 그 제조 방법
WO2011040189A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 大日本印刷株式会社 金属微粒子分散体、導電性基板の製造方法及び導電性基板
WO2012067016A1 (ja) * 2010-11-16 2012-05-24 旭硝子株式会社 導電性ペーストおよび導電膜付き基材

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7981327B2 (en) * 2005-10-14 2011-07-19 Toyo Ink Mfg. Co. Ltd. Method for producing metal particle dispersion, conductive ink using metal particle dispersion produced by such method, and conductive coating film
JP4983150B2 (ja) * 2006-04-28 2012-07-25 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 導電性被膜の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05212579A (ja) 1992-02-05 1993-08-24 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 半田付け可能な導電性ペースト
WO1999059814A1 (fr) 1998-05-15 1999-11-25 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Film conducteur transparent et ecran tactile
US20050230667A1 (en) * 2002-09-04 2005-10-20 Michinori Komagata Conductive adhesive and circuit using the same
JP2005293937A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Harima Chem Inc 導電性ｉｔｏ膜上、あるいは導電性ｉｔｏ膜の下地基板とするガラス基板表面上への金属薄膜層の形成方法、および該方法による導電性ｉｔｏ膜上、あるいは導電性ｉｔｏ膜の下地基板とするガラス基板表面上の金属薄膜層
JP2009116452A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Toyo Ink Mfg Co Ltd タッチパネル用導電性基材用の製造方法、および該基材を具備してなるタッチパネル
WO2010024385A1 (ja) * 2008-08-29 2010-03-04 石原産業株式会社 金属銅分散液及びその製造方法並びにそれを用いて形成した電極、配線パターン、塗膜、その塗膜を形成した装飾物品、抗菌性物品及びそれらの製造方法
KR20100109416A (ko) * 2009-03-31 2010-10-08 디아이씨 가부시끼가이샤 도전성 페이스트 조성물 및 그 제조 방법
WO2011040189A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 大日本印刷株式会社 金属微粒子分散体、導電性基板の製造方法及び導電性基板
WO2012067016A1 (ja) * 2010-11-16 2012-05-24 旭硝子株式会社 導電性ペーストおよび導電膜付き基材

Also Published As

Publication number Publication date
TW201348399A (zh) 2013-12-01
TWI597345B (zh) 2017-09-01
CN103325437A (zh) 2013-09-25
CN103325437B (zh) 2016-12-28
KR101976855B1 (ko) 2019-05-09
JP5849805B2 (ja) 2016-02-03
JP2013197045A (ja) 2013-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5971250B2 (ja) 組成物セット、導電性基板及びその製造方法並びに導電性接着材組成物
KR20140002643A (ko) 도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재
JP4935592B2 (ja) 熱硬化型導電性ペースト
WO2011046081A1 (ja) コアシェル粒子の製造方法、コアシェル粒子およびそれを用いたペースト組成物ならびにシート組成物
KR20140038413A (ko) 도전 페이스트 및 이것을 사용한 도전막이 형성된 기재, 그리고 도전막이 형성된 기재의 제조 방법
KR20130076745A (ko) 도전 페이스트, 도전막이 형성된 기재 및 그 제조 방법
KR101945056B1 (ko) 도전 페이스트 및 도전 페이스트의 조제 방법
KR101976855B1 (ko) 도전성 페이스트 및 도전막 부착 기재
JP6197504B2 (ja) 導電性ペーストおよび導電膜付き基材
KR20220020265A (ko) 도전성 페이스트 조성물
JP2014049191A (ja) 導電性ペーストおよび導電膜付き基材
JP2004127537A (ja) 電極形成用導電性熱硬化性樹脂組成物
KR20150029577A (ko) 도전성 페이스트 및 도전막을 구비한 기재
JP5402910B2 (ja) 導電ペースト及びその製造方法
JP2016046136A (ja) 導電性ペーストおよび導電膜付き基材

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant