KR20130079235A

KR20130079235A - 광학 시험 장치

Info

Publication number: KR20130079235A
Application number: KR1020120152328A
Authority: KR
Inventors: 렌 우치다; 신지 이시카와; 데츠야 사토
Original assignee: 샤프 가부시키가이샤
Priority date: 2011-12-26
Filing date: 2012-12-24
Publication date: 2013-07-10
Also published as: JP5509190B2; TW201331559A; JP2013135074A; CN103176115B; KR101473064B1; CN103176115A; TWI481830B

Abstract

과제
각 칩에 대한 프로브 위치에 상관없이 광량의 계측 조건을 균일하게 할 수 있어 광량의 측정치를 균일하게 한다.
해결 수단
발광 디바이스, 예를 들어 LED 칩 등의 칩 (22) 의 광학 특성 계측에 있어서, 복수 개를 동시에 프로브 콘택트하여 광량을 계측하는 경우의 광학적 보정 수단이며, 전원을 공급하기 위한 콘택트 프로브 (21) 와, 콘택트 프로브군의 양측에 그 이외에 확산광을 차광하는 것을 목적으로 한 동일 계측 조건을 얻기 위한 더미 프로브 (21a) 를 구비하고 있다.

Description

광학 시험 장치{OPTICAL TEST DEVICE}

본 발명은, 반도체 웨이퍼에 매트릭스상으로 형성된 복수의 반도체 디바이스 또는 반도체 웨이퍼로부터 절단된 상태에서 타방면에 접착 테이프가 첩부 (貼付) 된 복수의 반도체 디바이스 (칩) 를 소정 수씩 광학 시험하는 광학 시험 장치에 관한 것이다.

종래, 반도체 디바이스, 예를 들어 LED 칩의 동작 시험의 검사나 광학 검사를 정확하게 실시하려면, 각 LED 칩의 전극 패드에 프로브를 접촉시켜 LED 칩을 동작시켜, 그 때의 LED 칩의 전기 특성과 함께 출력광의 특성을 검사하고 있다.

도 8 은, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 종래의 멀티 칩 프로버의 니들 헤드 및 광 검출 유닛 부분의 구성예를 나타내는 도면으로서, (a) 는 그 측면도, (b) 는 그 평면도이다.

도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 종래의 멀티 칩 프로버 (100) 의 광 검출 유닛 (101) 은, 검사할 칩 바로 위에 배치되고, 칩 (여기서는 LED 칩) 이 출력하는 광량을 검출하는 광 파워 미터 (102) 와, 이 광 파워 미터 (102) 의 지지부 (103) 와, 지지부 (103) 를 이동시키는 광 파워 미터 이동 기구 (104) 와, 선단이 검사할 칩의 근방으로 신장된 광파이버 (105) 와, 광파이버 (105) 를 유지하며 광파이버 (105) 에 입사된 광의 파장을 검출하기 위한 모노크로미터 (도시 생략) 에 중계하는 중계 유닛 (106) 과, 중계 유닛 (106) 을 지지하는 지지부 (107) 와, 지지부 (107) 를 이동시키는 파이버 이동 기구 (108) 를 가지고 있다.

도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 광 검출 유닛 (101) 은 원형부로부터 파이버 이동 기구 (108) 를 수용하는 부분이 돌출된 형상을 갖는다. 광 파워 미터 이동 기구 (104) 및 파이버 이동 기구 (108) 는, 피에조 소자와 같은 고속의 동작이 가능한 소자를 사용한 이동 기구인 것이 바람직하다. 그러나, 구동 나사와 모터를 조합한 것과 같은 이동 기구를 사용해도 된다. 광 파워 미터 이동 기구 (104) 와 파이버 이동 기구 (108) 는, 다른 칩을 검사할 때에 이동할 필요가 없는 경우에는 형성할 필요는 없다.

니들 헤드 (109) 는, 광 검출 유닛 (101) 의 주위에 배치되는 형상을 가지며, 1 개의 니들 유닛 (109a) 과 7 개의 니들 위치 조정 기구 (109b ∼ 109h) 를 가지고 있다.

이 니들 유닛 (109a) 은, 기준 니들 (110a) 을 니들 헤드 (111) 에 고정시키는 유닛이다.

니들 위치 조정 기구 (109e) 는, 니들 (110e) 과, 니들 (110e) 을 유지하는 니들 유지 유닛 (112e) 과, 니들 유지 유닛 (112e) 이 부착되는 이동 유닛 (113e) 과, 이동 유닛 (113e) 을 이동시키는 이동 기구 (114e) 를 가지고 있다. 이동 기구 (114e) 는, 니들 (110e) 을 스테이지 (120) 의 재치면 (載置面) 에 평행한 면 내의 2 축 방향, 예를 들어 X 축 방향과 Y 축 방향으로 이동시키는 것이 가능하다. 니들 위치 조정 기구 (109b ∼ 109h) 도 공지된 이동 기구로 실현할 수 있어, 피에조 소자와 같은 고속의 동작이 가능한 소자를 사용한 이동 기구인 것이 바람직하지만, 구동 나사와 모터를 조합한 것과 같은 이동 기구를 사용해도 된다.

스테이지 (120) 의 재치면에 수직인 방향의 칩의 전극 패드 위치의 어긋남은 작은데다가, 니들은 탄성이 있어, 이 방향의 전극 패드 위치의 어긋남이 작으면 올바르게 접촉시킬 수 있으므로, 니들 위치 조정 기구는 니들을 스테이지 표면에 수직인 방향으로 이동시키지 않지만, 정확한 접촉압이 필요하거나 한 경우에는, 각 니들 위치 조정 기구는 대응하는 니들을 스테이지 (120) 의 표면에 수직인 방향으로 이동하도록 구성해도 된다. 이로써, 모든 니들 (110a ∼ 110h) 의 위치 관계를 점착 테이프 (121) 상에 첩부된, 분리된 칩 (122) 의 각 전극 패드의 위치 관계에 합치시킬 수 있다.

도 9 는, 도 8 의 종래의 멀티 칩 프로버 (100) 의 니들 유지 유닛 (112a ∼ 112h) 의 니들 (110a ∼ 110h) 에 있어서의 프로빙 상태를 설명하기 위한 평면도이다. 도 10 은, 발광 디바이스의 확산 특성을 나타내는 이미지도이다.

도 9 에 나타내는 바와 같이, 인접하는 4 개의 칩 (122) 의 8 개의 전극 패드에 대해, 그 주위에서 종래의 니들 유지 유닛 (112a ∼ 112h) 의 니들 (110a ∼ 110h) 을 접촉시켜 8 개의 동시 콘택트를 실현하고 있다. 즉, 종래의 멀티 칩 프로버 (100) 는, 복수의 위치 조정 기구를 가진 니들 (110a ∼ 110h) 을 가지며, 검출한 4 개의 칩 (122) 의 전극 패드의 각 위치에 대응하도록 8 개의 니들 (110a ∼ 110h) 의 각 위치를 각각 조정하여 4 개의 칩 (122) 에 접촉하도록 되어 있다.

일본 공개특허공보 2008-70308호

특허문헌 1 에 개시되어 있는 상기 종래의 멀티 칩 프로버 (100) 의 구성에서는, 4 개의 칩 (122) 의 전극 패드에 그 주위에서 동시에 8 개의 니들 (110a ∼ 110h) 을 접촉시켜 광학 검사를 실시할 때, 프로브의 배치, 즉, 8 개의 니들 (110a ∼ 110h) 의 배치나 이것을 지지하는 지지 아암, 즉, 니들 유지 유닛 (112a ∼ 112h) 의 각 위치가, 도 10 에 나타내는 바와 같은 칩 (122) 의 확산광을 차폐함으로써 칩 배치나 계측 위치에 대한 계측 조건의 균일성이 유지되고 있지 않다. 요컨대, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 8 개의 니들 (110a ∼ 110h) 의 각 배치를 결정하기 위한 가동 조정 기구가 구비되어 있긴 하지만, 개개의 칩 (122) 에 대해 니들 각도나 그 지지 아암의 위치 관계가 일정하지는 않으므로, 확산광이 니들 (110a ∼ 110h) 에 의해 차폐되어 균일한 광량의 계측 조건은 되고 있지 않다. 게다가, 특허문헌 1 에서는, 4 개의 칩 (122) 의 동시 콘택트가 한계여서, 이 이상의 다수의 칩 (122) 의 동시 콘택트는 곤란하였다.

본 발명은, 상기 종래의 문제를 해결하는 것으로, 4 개를 초과하는 다수의 칩에 대해 콘택트하여, 각 칩에 대한 프로브 위치에 상관없이 광학 계측 조건을 균일하게 할 수 있어 광학 측정치를 균일하게 할 수 있는 광학 시험 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 광학 시험 장치는, 계측 대상인 복수의 발광 디바이스에 전기적으로 콘택트하여 광학 특성을 계측하는 경우에, 상기 복수의 발광 디바이스에 전원을 공급하기 위한 복수의 콘택트 수단과, 상기 복수의 콘택트 수단의 양측에 각각 형성되고, 상기 콘택트 수단과 마찬가지로 상기 발광 디바이스로부터의 확산광을 차광하기 위한 더미 수단을 갖는 것으로, 그것에 의해 상기 목적이 달성된다.

또, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 복수의 콘택트 수단 및 그 양측의 상기 더미 수단이 고정된 카드 수단으로 구성되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 더미 수단은, 계측 대상 영역의 양측 말단 위치의 발광 디바이스로부터의 확산광을 차폐함으로써, 상기 복수의 디바이스 사이에서, 상기 광학 특성의 계측치를 보정하는 물리적 광학 보정을 실시하고 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단과 상기 더미 수단은, 그 하방의 발광 디바이스로부터의 확산광의 차광 폭 또는 차광 면적이 동일하게 구성되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단과 상기 더미 수단의 단면 형상이 동일 사이즈의 동일 형상으로 구성되어 있다.

더욱 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단과 상기 더미 수단이 단면 동일 직경으로 구성되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 복수의 콘택트 수단의 배치 간격과 동일한 간격으로 그 복수의 콘택트 수단의 양측에 상기 더미 수단이 배치되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단의 발광 위치로부터의 높이와 상기 더미 수단의 그 발광 위치로부터의 높이는 동일한 높이로 배치되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단의 재질과 상기 더미 수단의 재질은 동일한 재질로 구성되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단의 표면 반사 특성과 상기 더미 수단의 표면 반사 특성은 동일한 표면 반사 특성으로 구성되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 복수의 콘택트 수단군의 양측에 각각 형성된 상기 더미 수단의 필요 개수는, 상기 발광 디바이스로부터의 확산광의 확산 특성에 따라 결정되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 복수의 콘택트 수단군의 양측에 각각 형성된 상기 더미 수단의 필요 개수는, 상기 발광 디바이스의 발광 위치에서부터 상기 콘택트 수단까지의 거리에 따라 결정되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 더미 수단의 선단 길이는, 상기 콘택트 수단의 선단 길이에 비해, 그 더미 수단의 선단이 상기 발광 디바이스의 전극 패드에 접촉하지 않는 높이까지 단축되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 콘택트 수단은 콘택트 프로브이며, 상기 더미 수단은 더미 프로브이다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서의 복수의 콘택트 수단은 복수의 콘택트 프로브이며, 상기 더미 수단은 더미 프로브이며, 상기 카드 수단은, 상기 복수의 콘택트 프로브 및 그 양측의 상기 더미 프로브가 고정된 프로브 카드로 구성되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서, 균일한 광학 특성 계측 조건이 되도록, 상기 복수의 콘택트 수단 중 중앙부의 콘택트 수단의 표면 반사 특성이, 그 양측의 상기 콘택트 수단의 표면 반사 특성보다 높게 조정되어 있다.

또한, 바람직하게는, 본 발명의 광학 시험 장치에 있어서, 균일한 광학 특성 계측 조건이 되도록, 상기 복수의 콘택트 수단 중 중앙부의 콘택트 수단의 차광 정도가 그 양측의 상기 콘택트 수단의 차광 정도보다 작게 조정되어 있다.

상기 구성에 의해, 이하, 본 발명의 작용을 설명한다.

본 발명에 있어서는, 계측 대상인 복수의 발광 디바이스에 전기적으로 콘택트하여 광학 특성을 계측하는 경우에, 복수의 발광 디바이스에 전원을 공급하기 위한 복수의 콘택트 수단과, 복수의 콘택트 수단의 양측에 각각 형성되고, 콘택트 수단과 마찬가지로 발광 디바이스로부터의 확산광을 차광하기 위한 더미 수단을 가지고 있다.

이로써, 복수의 콘택트 수단의 양측에 각각 더미 수단을 형성하였으므로, 4 개를 초과하는 다수의 칩에 대해 콘택트하여, 각 칩에 대한 프로브 위치에 상관없이 광학 계측 조건을 균일하게 할 수 있어 광학 측정치를 균일하게 하는 것이 가능해진다.

게다가, 프로브로서의 니들의 가동 조정 기구로서 지지 아암을 사용하고 있기 때문에, 아암 사이즈가 커지는 것으로부터, 검사 대상인 각 칩 바로 위에 배치된 광학 검출용의 수광 센서를 검사 대상인 각 칩에 근접시킬 수 없다는 문제도 있었지만, 프로브 수단으로서 프로브 카드를 형성함으로써, 검사 대상인 각 칩에 수광 센서를 접근시켜 광학 계측을 확실하게 하는 것이 가능해진다.

이상에 의해, 본 발명에 의하면, 복수의 콘택트 수단의 양측에 각각 더미 수단을 형성하였으므로, 4 개를 초과하는 다수의 칩에 대해 콘택트하여, 각 칩에 대한 프로브 위치에 상관없이 광학 계측 조건을 균일하게 할 수 있어 광학 측정치를 균일하게 할 수 있다.

또한, 프로브로서의 니들의 가동 조정 기구로서 지지 아암을 사용하고 있기 때문에, 아암 사이즈가 커지는 것으로부터, 검사 대상인 각 칩 바로 위에 배치된 광학 검출용의 수광 센서를 검사 대상인 각 칩에 근접시킬 수 없다는 문제도 있었지만, 프로브 수단으로서 프로브 카드를 형성하여, 검사 대상인 각 칩에 수광 센서를 접근시켜 광학 계측을 확실하게 할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 광학 시험 장치의 세로 배열 전극 패드에 대한 프로빙 배치예를 나타내는 평면도로서, (a) 는 더미 프로브가 없는 경우의 평면도, (b) 는 더미 프로브가 있는 경우의 평면도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 광학 시험 장치의 가로 배열 전극 패드에 대한 프로빙 배치예를 나타내는 평면도로서, (a) 는 더미 프로브가 없는 경우의 평면도, (b) 는 더미 프로브가 있는 경우의 평면도이다.
도 3(a) 는 더미 프로브가 프로브군의 양측에 없는 경우의 발광 위치에 대한 발광 강도를 나타내는 도면, 도 3(b) 는 더미 프로브가 프로브군의 양측에 있는 경우의 발광 위치에 대한 발광 강도를 나타내는 도면이다.
도 4 는 도 1(b) 및 도 2(b) 의 프로브 및 더미 프로브와 칩의 발광 중심의 간격이 작은 경우의 확산광의 차광 상태를 설명하기 위한 주요부 종단면도이다.
도 5 는 도 1(b) 및 도 2(b) 의 프로브 및 더미 프로브와 칩의 발광 중심의 간격이 큰 경우의 확산광의 차광 상태를 설명하기 위한 주요부 종단면도이다.
도 6 은 도 1(b) 및 도 2(b) 의 프로브의 선단 형상을 설명하기 위한 프로브 측면도이다.
도 7 는 도 1(b) 및 도 2(b) 의 더미 프로브의 선단 형상을 설명하기 위한 프로브 측면도이다.
도 8 은 특허문헌 1 에 개시되어 있는 종래의 멀티 칩 프로버의 니들 헤드 및 광 검출 유닛 부분의 구성예를 나타내는 도면으로서, (a) 는 그 측면도, (b) 는 그 평면도이다.
도 9 는 도 8 의 종래의 멀티 칩 프로버의 니들 유지 유닛의 니들에 있어서의 프로빙 상태를 설명하기 위한 평면도이다.
도 10 은 발광 디바이스의 확산 특성을 나타내는 이미지도이다.

이하에, 본 발명의 광학 시험 장치의 실시형태 1 에 대해 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서의 구성 부재의 각각의 두께나 길이 등은 도면 작성상의 관점에서, 도시하는 구성에 한정되는 것은 아니다.

(실시형태 1)

본 실시형태 1 의 광학 시험 장치는, 프로버와 테스터로 구성되어 있다.

프로버는, 웨이퍼 절단 전 또는 웨이퍼 절단 후의 복수의 칩을 상면에 고정 가능하게 하며, 기대 (基台) 상에 형성되어 X 축과 Y 축과 Z 축의 3 축 방향으로 이동 가능하게 함과 함께 Z 축 둘레로 회전 가능하게 하는 스테이지인 이동대 (도시 생략) 와, 이동대의 상방에 배치되고, 검사 대상인 복수의 칩의 각 전극 패드에 대한 콘택트용의 복수의 콘택트 수단으로서의 복수의 프로브 (니들상이나 스프링상 등) 가 형성된 프로브 수단 (도시 생략) 과, 검사 대상의 복수의 칩의 각 전극 패드의 위치와 콘택트용의 복수의 프로브의 선단 위치가 맞도록, 이동대의 좌표 (X, Y, Z) 의 3 축 좌표 위치를 제어함과 함께 회전 위치를 제어하는 위치 제어 장치 (도시 생략) 를 가지고 있다.

테스터는, 프로브 수단의 각 프로브로부터의 전기 신호를 입력으로 하여, 검사 대상인 디바이스, 예를 들어 LED 칩의 IV 특성 등의 각종의 전기적 동작 특성을 검사하는 동작 특성 테스터와, LED 칩의 발광을 수광 센서 등의 수광 수단이나 적분구 (積分球) 에 입사시켜 발광색 및 발광량 (발광 강도) 등의 각종의 광학 특성을 검사하는 광학 특성 테스터를 가지고 있다.

이하, 본 실시형태 1 에 있어서의 광학 시험 장치에 있어서, 검사 대상인 복수의 칩에 있어서의 각 전극 패드에 대한 프로빙 배치예에 대해 상세하게 설명한다.

도 1 은, 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 광학 시험 장치의 세로 배열 전극 패드에 대한 프로빙 배치예를 나타내는 평면도로서, (a) 는 더미 수단으로서의 더미 프로브가 없는 경우의 평면도, (b) 는 더미 수단으로서의 더미 프로브가 있는 경우의 평면도이다. 도 2 는, 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 광학 시험 장치의 가로 배열 전극 패드에 대한 프로빙 배치예를 나타내는 평면도로서, (a) 는 더미 수단으로서의 더미 프로브가 없는 경우의 평면도, (b) 는 더미 수단으로서의 더미 프로브가 있는 경우의 평면도이다.

도 1(a) 및 도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 양측에 더미 프로브가 없는 경우, 세로 배열의 칩 (12) 의 각 전극 패드 (12a) 이든 가로 배열의 칩 (13) 의 각 전극 패드 (13a) 이든, 참고예의 광학 시험 장치 (10A 또는 10B) 에 있어서, 종래에 비해 프로브 (11) 를 지지하는 종래의 지지 아암의 삭감과, LED 칩 등의 발광 디바이스 (간단히 칩 (12 또는 13) 이라고 한다) 의 각 전극 패드 (12a 또는 13a) 에 대한 복수의 프로브 (11) 의 배치를 균일화하여, 복수의 칩 (12 또는 13) 사이에서 광량 계측 조건의 균일성을 확보하기 위해 프로브 수단으로서 프로브 카드를 사용하지만, 광량 계측에 필요한 프로브 (11) 만큼 설치하고 있다. 복수의 프로브 (11) 의 배치는, 칩 (12 또는 13) 에 대해 프로브 (11) 가 가로지르는 방법을 균일하게 하여 광의 차광 정도를 균일하게 하고 있다.

한편, 도 1(b) 및 도 2(b) 에 나타내는 바와 같이, 양측에 더미 프로브를 형성한 경우, 세로 배열의 칩 (22) 의 각 전극 패드 (22a) 이든 가로 배열의 칩 (23) 의 각 전극 패드 (23a) 이든, 본 실시형태 1 의 광학 시험 장치 (20A 또는 20B) 에 있어서, 종래에 비해 프로브 (21) 를 지지하는 종래의 지지 아암의 삭감과, LED 칩 등의 발광 디바이스 (간단히 칩 (22 또는 23) 이라고 한다) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 대한 복수의 프로브 (21) 의 배치를 균일화하여, 복수의 칩 (22 또는 23) 사이에서 광량 계측 조건의 균일성을 확보하기 위해 프로브 수단으로서 프로브 카드를 사용하지만, 광량 계측에 필요한 복수 (여기서는 설명을 간략화하기 위해서 4 개) 의 프로브 (21) 와, 그 배열의 양측 위치에 배치되고, 광량 계측을 실시하지 않는 더미 프로브 (21a) 를 가지고 있다. 프로브 카드는, 복수의 프로브 (21) 및 그 양측의 더미 프로브 (21a) 의 각 선단부가 그 하면에 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드에 대응하도록 고정되어 있다. 이로써, 복수의 프로브 (21) 의 배치는, 칩 (22 또는 23) 에 대해 프로브 (21) 가 가로지르는 방법을 균일 (차광 정도를 균일) 하게 함과 함께, 양측의 더미 프로브 (21a) 에 의해 각 칩 (22 또는 23) 에 대한 프로브 위치 (계측 위치) 에 상관없이 광량의 계측 조건을 균일하게 할 수 있다.

복수의 프로브 (21) (콘택트 프로브) 및 그 양측의 더미 프로브 (21a) 가 고정된 프로브 카드로 구성되어 있다. 요컨대, 양측에 더미 프로브 (21a) 가 없는 경우에는 양단 상하 방향의 확산광을 차단하는 것이 없기 때문에, 중앙과 양측 CH 위치 (계측 위치) 에 따라 광량의 측정치가 상이하다. 즉, 도 3(a) 와 같이, CH 위치 (계측 위치) 의 양단의 CH-1 과 CH-4 는, 검사 영역 밖의 확산광이 들어와 방사 강도가 강하게 계측되고 있다. 또한, 도 3(a) 와 같이, CH 위치 (계측 위치) 의 중앙의 CH-2 와 CH-3 은, 그들의 양측의 CH-1 과 CH-4 용의 각 프로브 (21) 에 의해 확산광이 차폐되어 방사 강도가 약하게 계측되고 있다.

이에 대응하기 위해, 광학적 보정 계산을 실시하는 경우에는, 광학적 특성과 프로브 위치 관계 외에 다중의 요인에 의해 보정 계산이 복잡화해지고 만다. 따라서, 발광 디바이스의 각 칩 (22 또는 23) 을 검사 대상으로 광량의 계측을 하는 경우에, 계측/발광용 콘택트 프로브인 프로브 (21) 와 동일한 설계의 더미 프로브 (21a) 를 그 양측에 형성하여, 양측의 더미 프로브 (21a) 에 의해 검사 대상인 양측의 칩 (22 또는 23) 으로부터의 계측시의 방사 확산광을 차폐함으로써, 발광 위치에 상관없이 광량의 계측 조건을 균일하게 할 수 있어, 물리적 구성으로 계측 대상인 칩 (22 또는 23) 의 광학적 보정 수단을 제공할 수 있다. 즉, 더미 프로브 (21a) 는, 검사 대상의 계측 영역의 양측 말단 위치의 칩 (22 또는 23) 으로부터의 확산광을 차폐함으로써, 복수의 칩 (22 또는 23) 사이에서 광학 특성의 계측치를 보정하는 연산 이외의 물리적 광학 보정을 실시하고 있다.

이와 같이, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-1 ∼ CH-4 의 계측 영역 밖의 양측에도 더미 프로브 (21a) 를 각각 설치함으로써, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-1, CH-4 는, 그 내측의 CH-2, CH-3 과 동일한 차폐가 행해져, CH-1 ∼ CH-4 의 모든 칩 (21) 에 대해 평균화된 동일 조건의 계측 환경이 된다. 이로써, 도 3(b) 와 같이, CH 위치 (계측 위치) 에 관계없이, 칩 (21) 으로부터의 확산광은 주위의 프로브 (21) 및 이와 동일 형상의 더미 프로브 (21a) 에 의해 균일하게 차단되므로, 동일 계측 조건에서 광량의 측정치가 균일해진다.

칩 (21) 의 검사 동작 (계측) 의 순서로는, 전기적 동작 특성으로서의 DC 특성 계측에 있어서, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-1 ∼ CH-4 를 동시에 일괄하여 계측한다. 다음으로, 광학 특성 계측에 있어서, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-1 ∼ CH-4 를 개별적으로 1CH 마다 발광과 그 광량 및 색의 계측을 제어한다.

도 4 는, 도 1(b) 및 도 2(b) 의 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 와 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심의 간격이 작은 경우의 확산광의 차광 상태를 설명하기 위한 주요부 종단면도이다. 도 5 는, 도 1(b) 및 도 2(b) 의 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 와 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심의 간격이 큰 경우의 확산광의 차광 상태를 설명하기 위한 주요부 종단면도이다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-1 ∼ CH-4 중 CH-2 의 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심으로부터의 확산광은, 그 상방의 각 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 에 의해 차광되어, 각 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 의 각 사이를 통하여 그보다 위의 수광 센서 (24) 에 입사된다. 이 수광 센서 (24) 에 의해 광량이 검출된다.

이 경우, 더미 프로브 (21a) 를 검사 대상의 복수의 프로브 (21) 의 양측의 계측 영역 이외의 영역에 설치함으로써, 검사 대상인 양측 말단 위치의 칩 (22 또는 23) 으로부터의 확산광을 차폐하여 광학적인 취입 조건을 검사 대상인 전체 칩 위치에서 동일하게 할 수 있다.

더미 프로브 (21a) 의 단면이 원형상인 프로브 직경은, 검사 대상인 계측 영역의 각 프로브 (21) 의 프로브 직경과 동일한 것을 채용함으로써 확산광의 차폐 정도를 보다 균일화할 수 있다. 요컨대, 프로브 (21) 와 더미 프로브 (21a) 는, 그 하방의 칩 (22 또는 23) 의 발광 위치로부터의 확산광의 차광 폭 또는 차광 면적이 동일하게 구성되어 있다. 또한, 프로브 (21) 와 더미 프로브 (21a) 의 단면 형상이 동일 사이즈의 동일 형상 (예를 들어 원, 타원, 다각형, 4 각형, 정방형 및 장방형 등) 으로 구성되어 있다.

더미 프로브 (21a) 의 프로브 배치는, 검사 대상인 계측 영역의 각 프로브 (21) 와 동일한 배치와 거리 간격 (피치·높이) 으로 설계함으로써, 확산광의 차폐 정도를 보다 균일화할 수 있다. 즉, 프로브 (21) 의 프로브 간격과 더미 프로브 (21a) 의 프로브 간격은 동일 거리로 구성되어 있다. 또한, 프로브 (21) 의 칩 (22 또는 23) 의 발광 위치로부터의 프로브 높이와, 더미 프로브 (21a) 의 칩 (22 또는 23) 의 발광 위치로부터의 프로브 높이는 동일한 프로브 높이로 구성되어 있다. 이 프로브 높이는 선단에서 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 가 절곡되어 있는 밑부분의 높이로 한다.

더미 프로브 (21a) 의 프로브 재질에 대해서도, 검사 대상인 계측 영역의 각 프로브 (21) 와 동일한 것을 채용함으로써, 광의 표면 반사 특성을 균일화할 수 있다. 즉, 프로브 (21) 의 표면 반사 특성과 더미 프로브 (21a) 의 표면 반사 특성은 동일한 표면 반사 특성으로 구성되어 있다.

한편, 수광 센서 (24) 는, 가로세로 수 ㎝ ∼ 수십 ㎝ 로 충분한 수광 면적이 있어 발광 위치에 대하여 계측 특성의 차이가 없는 것으로 한다. 프로브 단면은, 직경이 수백 ㎛ ∼ 수 ㎜ 오더로 칩 (22 또는 23) 의 발광 중점의 피치와 동일 피치로 배열되도록 설계된다. 칩 (22 또는 23) 의 발광 중점은 수백 ㎛ 오더로 칩 (22 또는 23) 으로부터의 확산 특성에 따라 차광되는 광량이 변화한다. 각 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 는 직경이 굵을수록 차광된다.

전체 프로브 개수는, 검사 대상인 계측 영역에 필요한 프로브 개수와, 그 양측의 계측 영역 이외 영역의 더미 프로브 개수로 구성한다. 이 계측 영역 이외의 더미 프로브 개수는 광의 확산 조건에 맞춰 필요 개수를 결정한다. 도 4 및 도 5 를 이용하여 더미 프로브 개수에 대해 설명한다.

도 4 에 있어서, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-2 의 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심으로부터의 확산광의 확산 특성이 약하고 지향성이 강한 경우 (확산 각도 θ2) 에, 발광점 CH-2 에 대해 차광되어 있는 프로브 (21) 는 PR5 뿐이다. 이 경우에는 각 발광점 CH-1 ∼ CH-4 에 대해 차광 프로브 면적이 동일하므로, 각 발광점 CH-1 ∼ CH-4 의 발광 위치에 대한 광학 특성에 차이는 생기지 않는다. 즉, 더미 프로브 (21a) 를 4 개의 프로브 (21) 의 양측에 형성할 필요가 없다.

도 4 에 있어서, CH 위치 (계측 위치) 의 CH-2 의 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심으로부터의 확산광의 확산 특성이 강하고 지향성이 약한 경우 (확산 각도 θ1) 에, 발광점 CH-2 에 대해 차광하고 있는 프로브 (21) 는 PR5 를 중심으로 좌측 PR2 ∼ PR4 의 3 개와 우측 PR6 ∼ PR8 의 3 개로 합계 7 개가 확산광을 차폐하고 있다. 따라서, 4 개 동시 콘택트로 계측을 실시하는 경우에는, 각 발광점 CH1 ∼ CH4 에 전류를 공급하기 위한 PR4 ∼ PR7 의 4 개의 프로브 (21) 와, 차광 조건을 균일화하기 위해 CH1 의 외측 3 개, CH4 의 외측 3 개를 더미 프로브 (21a) 로 하여, 4 개의 프로브 (21) 와 양측 각 3 개를 더미 프로브 (21a) 로 합계 10 개의 프로브를 배치할 필요가 있다.

도 4 와 같이, 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 와 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심의 간격이 L1 로서 작은 경우, 발광점으로부터 방사되는 확산광이 확산되기 전에 프로브 높이에 도달하므로, 차광하는 프로브 영역의 전체 프로브 개수 (프로브 (21) 와 더미 프로브 (21a) 의 각 개수) 가 적은 상태에서 기능한다. 이에 대하여, 확산광의 확산 특성 (확산 각도 θ1 또는 θ2) 이 동일하여도, 발광점과 프로브 (21) 의 거리가 상이한 경우, 차광되는 광량이 변화하여 계측되는 광량이 변화한다. 이 점에서, 도 5 와 같이, 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 와 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심의 간격이 L2 로 큰 경우, 발광점으로부터 방사되는 확산광이 프로브 (21) 에 도착할 때까지 확산되므로, 확산광의 확산 면적에 따라 프로브 영역의 전체 프로브 개수 (프로브 (21) 와 더미 프로브 (21a) 의 각 개수) 를 늘릴 필요가 있다.

따라서, 프로브 (21) 및 더미 프로브 (21a) 와 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심의 간격이 가까울수록, 검사에 제공하지 않는 더미 프로브 (21a) 의 개수를 줄일 수 있다.

요컨대, 더미 프로브 (21a) 의 필요 개수는, 복수의 프로브 (21) 의 1 열 양측에 각각 발광 디바이스로서의 각 칩 (22 또는 23) 으로부터의 확산광의 확산 특성에 따라 결정되고 있다. 또한, 더미 프로브 (21a) 의 필요 개수는, 복수의 프로브 (21) 의 1 열 양측에 각각 발광 디바이스로서의 각 칩 (22 또는 23) 의 발광 위치에서부터 프로브 (21) 까지의 거리에 따라 결정되고 있다.

도 6 은, 도 1(b) 및 도 2(b) 의 프로브 (21) 의 선단 형상을 설명하기 위한 프로브 측면도이다.

도 6 에 나타내는 바와 같이, 광학 계측시, 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 대해 프로브 (21) 의 선단이 접촉되어 있다. 프로브 (21) 의 선단의 선단 형상은, 위에서 밑으로의 가압에 강하도록 하측으로 굴곡된 형상으로 되어 있다.

도 7 은, 도 1(b) 및 도 2(b) 의 더미 프로브 (21a) 의 선단 형상을 설명하기 위한 프로브 측면도이다.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 대해 더미 프로브 (21a) 의 선단은 접촉되어 있지 않아, 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 와 더미 프로브 (21a) 의 선단은 서로 이간되어 있다.

요컨대, 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 의 발광 중점 바로 위에 세우는 프로브 (21) 는, 도 6 과 같이 전류를 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 공급하여 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 을 발광시키는 것이 목적이며, 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 프로브 (21) 가 접촉할 수 있도록 설계되어 있다. 그러나, 더미 프로브 (21a) 는 도 7 과 같이 차광이 목적이므로, 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 불필요한 콘택트 흠집을 입히지 않기 위해서라도, 더미 프로브 (21a) 의 선단이 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 접촉하지 않도록, 더미 프로브 (21a) 의 선단을 깎아낸 상태로 해 둔다. 따라서, 더미 프로브 (21a) 의 선단 형상은 하방으로 절곡되어 있긴 하지만, 프로브 (21) 의 하방으로 절곡된 선단 길이에 비해 짧게 형성되어 있다. 프로브 (21) 를 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 그 탄력을 이용하여 접촉시키는 경우의 콘택트 오버 드라이브량 (D) 이, 더미 프로브 (21a) 의 더미 프로브 단축량 (E) 보다 작게 설정되어 있다. 이로써, 항상 더미 프로브 (21a) 의 선단은 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 에 접촉하지 않게 된다.

이와 같이, 더미 프로브 (21a) 의 선단 길이는, 프로브 (21) 의 선단 길이에 비해, 더미 프로브 (21a) 의 선단이 발광 디바이스로서의 각 칩 (22 또는 23) 의 각 전극 패드 (22a 또는 23a) 의 표면에 접촉하지 않는 높이까지 단축되어 있다.

여기서, 검사 대상인 칩 (22 또는 23) 에 대응한 복수의 프로브 (21) 와, 이 복수의 프로브 (21) 의 프로브군 양측의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 를 가지는 프로브 카드를 사용하는 것의 이점에 대해 설명한다.

도 1(b) 및 도 2(b) 의 복수의 프로브 (21) 및 그들의 양측의 더미 프로브 (21a) 와 칩 (22 또는 23) 의 발광 중심의 간격을 프로브 카드를 이용하지 않는 경우에 비해 짧게 설정할 수 있다. 즉, 발광점과 프로브 거리 (L) 를 단축시킬 수 있다.

또한, 칩 (22 또는 23) 의 발광점과 칩 (22 또는 23) 으로부터의 확산광을 수광하여 광량을 검사하는 수광 센서 거리를 단축할 수 있다. 이에 따라 장치가 콤팩트해진다.

종래에는, 프로브 (21) 의 가동 조정 기구로서의 지지 아암을 사용하고 있기 때문에, 아암 사이즈가 커지는 것으로부터, 검사 대상인 각 칩 (22 또는 23) 바로 위에 배치된 광학 검출용의 수광 센서 (24) 를 검사 대상인 각 칩 (22 또는 23) 에 근접시킬 수 없다는 문제가 있었지만, 프로브 수단으로서 프로브 카드를 형성함으로써, 검사 대상인 각 칩 (22 또는 23) 에 수광 센서를 접근시켜 광학 계측을 확실하게 정밀하게 실시하는 것이 가능해진다.

또한, 더미 프로브 (21a) 의 프로브 배치는, 검사 대상인 계측 영역의 각 프로브 (21) 와 동일한 배치와 거리 간격 (피치·높이) 으로 설계하지만, 프로브 카드를 사용함으로써 균일한 프로브 피치로 프로브 설계를 정밀하게 실현할 수 있다.

또한, 프로브 카드를 사용함으로써 수광부를 평면 센서뿐만 아니라 입체적인 형상의 적분구 등을 설치할 수 있어, 보다 정확한 광량의 계측이 가능해진다.

이상에 의해, 본 실시형태 1 에 의하면, 발광 디바이스, 예를 들어 LED 칩 등의 칩 (22 또는 23) 의 광학 특성 계측에 있어서, 복수 개를 동시에 프로브 콘택트하여 광량을 계측하는 경우의 광학적 보정 수단이며, 전원을 공급하기 위한 콘택트 프로브 (21) 와, 콘택트 프로브군의 양측에 그 이외에 확산광을 차광하는 것을 목적으로 한 동일 계측 조건을 얻기 위한 더미 프로브 (21a) 를 구비함으로써, 계측 대상인 칩 (22 또는 23) 의 광학 특성을 복수의 칩 (22 또는 23) 의 중앙과 양측의 디바이스 위치에 관계없이 균일한 광량 계측 조건에서 계측이 가능한 광학 시험 장치로서의 광학 시험 장치 (20A 또는 20B) 를 얻을 수 있다. 이와 같이, 4 개를 초과하는 다수의 칩 (22 또는 23) 에 대해 콘택트하여, 각 칩 (22 또는 23) 에 대한 프로브 위치에 상관없이 광학 계측 조건을 균일하게 할 수 있어 광학 측정치를 균일하게 할 수 있다. 이 다수의 칩 (22 또는 23) 에 대한 콘택트는 수십의 칩 (22 또는 23) 또는 수백의 칩 (22 또는 23) 에 대한 콘택트여도 된다.

또한, 본 실시형태 1 에서는, 칩 (22 또는 23) 의 광학 특성을 계측하는 광학 시험 장치에 있어서, 복수 개의 칩 (22 또는 23) 을 동시에 프로브 콘택트하여 광학 특성을 각각 계측하는 경우에, 전원을 공급하기 위한 복수의 콘택트 프로브 (21) 와, 복수의 콘택트 프로브 (21) 군의 양측에 각각 형성되고, 콘택트 프로브 (21) 와 마찬가지로 확산광을 차광하기 위한 더미 수단으로서의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 를 갖는 경우에 대해 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 칩 (22 또는 23) 의 광학 특성을 각각 계측하기 위해, 복수 개의 칩 (22 또는 23) 을 동시에 프로브 콘택트할 필요는 없으며, 복수 개의 칩 (22 또는 23) 을 순차적으로 프로브 콘택트해도 된다.

또한, 본 실시형태 1 에서는, 검사 대상인 복수의 칩 (22 또는 23) 의 광학 특성의 계측은, 검사 대상인 복수의 칩 (22 또는 23) 은 1 열에 대해 설명하였지만, 2 열의 복수의 칩 (22 또는 23) 이어도 되고, 복수 열의 복수의 칩 (22 또는 23) 이어도 된다. 본 실시형태 1 에서는, 더미 수단으로서의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 는, 복수의 칩 (22 또는 23) 이 1 열인 경우에는 그 양측에 각각 형성되었으나, 2 열 또는 복수 열의 복수의 칩 (22 또는 23) 인 경우에는, 복수의 더미 프로브 (21a) 는 그것들을 둘러싸도록 형성할 필요가 있어 개수가 증가한다.

또한, 본 실시형태 1 에서는 특별히 상세하게는 설명하지 않았지만, 복수의 칩 (22 또는 23) 이 반도체 웨이퍼에 매트릭스상으로 형성된 상태에서 광학 특성 검사를 하는 경우 외에, 반도체 웨이퍼를 복수의 칩 (22 또는 23) 으로 절단하여 개편화한 후의 점착 테이프가 첩부된 상태에서 광학 특성 검사를 실시하는 경우의 양방에 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 본 실시형태 1 에서는 특별히 설명하지 않았지만, 복수의 프로브 (21) 의 양측에 각각 형성되고, 복수의 프로브 (21) 와 마찬가지로 확산광을 차광하기 위한 더미 수단으로서의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 를 형성하는 것에 더하여, 정밀하고 균일한 광학 특성 계측 조건이 되도록 복수의 프로브 (21) 중 중앙부의 프로브 (21) 의 표면 반사 특성이, 그 양측의 프로브 (21) 의 표면 반사 특성보다 높게 조정되어 있어도 된다. 또한, 정밀하고 균일한 광학 특성 계측 조건이 되도록, 복수의 프로브 (21) 중 중앙부의 프로브 (21) 의 차광 정도가, 그 양측의 프로브 (21) 의 차광 정도보다 낮게 (작게) 조정되어 있어도 된다.

또한, 본 실시형태 1 에서는, 복수의 콘택트 수단으로서의 복수의 프로브 (21) 및 그 양측의 더미 수단으로서의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 는 각각, LED 칩 등의 발광 디바이스로서의 칩 (22 또는 23) 의 양 전극 패드 (22a 또는 23a) 를 향하여 양측으로부터 발광 디바이스로서의 칩 (22 또는 23) 의 나열 방향에 대해 평면에서 볼 때에 직교 (직각) 하도록 배열된 경우에 대해 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 복수의 프로브 (21) 및 그 양측의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 는 각각, 복수의 칩 (22 또는 23) 의 양 전극 패드 (22a 또는 23a) 를 향하여 각각 양측으로부터 복수의 칩 (22 또는 23) 의 나열 방향에 대해 평면에서 볼 때에 소정 각도를 갖도록 배열되어 있어도 된다. 복수의 프로브 (21) 및 그 양측의 1 개 또는 복수의 더미 프로브 (21a) 가 각각, 복수의 칩 (22 또는 23) 의 양 전극 패드 (22a 또는 23a) 를 향하여 각각 양측으로부터 복수의 칩 (22 또는 23) 의 나열 방향에 대해 평면에서 볼 때에 직교하도록 배열되는 편이, 복수의 칩 (22 또는 23) 의 나열 방향에 대해 평면에서 볼 때에 소정 각도를 갖도록 배열되는 경우에 비해 발광 디바이스로부터의 확산광의 차광을 최저한으로 할 수 있지만, 프로브가 평면에서 볼 때에 직교이든 평면에서 볼 때에 소정 각도로 프로브가 기울어져 있든 모두 균일한 발광 디바이스로부터의 확산광의 차광을 얻을 수 있으면 된다.

이상과 같이, 본 발명의 바람직한 실시형태 1 을 이용하여 본 발명을 예시하였지만, 본 발명은, 이 실시형태 1 에 한정하여 해석되어서는 안 된다. 본 발명은, 특허 청구의 범위에 의해서만 그 범위가 해석되어야 하는 것으로 이해된다. 당업자는, 본 발명의 구체적인 바람직한 실시형태 1 의 기재로부터, 본 발명의 기재 및 기술 상식에 기초하여 등가의 범위를 실시할 수 있을 것으로 이해된다. 본 명세서에 있어서 인용한 특허, 특허 출원 및 문헌은, 그 내용 자체가 구체적으로 본 명세서에 기재되어 있는 것과 마찬가지로 그 내용이 본 명세서에 대한 참고로서 원용되어야 할 것으로 이해된다.

본 발명은, 반도체 웨이퍼에서 절단된 상태에서 타방면에 접착 테이프가 첩부된 복수의 칩을 소정 수씩 테스트하는 광학 시험 장치의 분야에 있어서, 각 칩에 대한 프로브 위치에 상관없이 광량의 계측 조건을 균일하게 할 수 있어 광량의 측정치를 균일하게 할 수 있다. 또한, 프로브로서의 니들의 가동 조정 기구로서 지지 아암을 사용하고 있기 때문에, 아암 사이즈가 커지는 것으로부터, 검사 대상인 각 칩 바로 위에 배치된 광학 검출용의 수광 센서를 검사 대상인 각 칩에 근접시킬 수 없다는 문제도 있었지만, 프로브 수단으로서 프로브 카드를 형성하여 검사 대상인 각 칩에 수광 센서를 접근시켜 광학 계측을 확실하게 할 수 있다.

20A, 20B : 광학 시험 장치
21 : 프로브 (콘택트 프로브)
21a : 더미 프로브
22, 23 : 칩
22a, 23a : 전극 패드
24 : 수광 센서

Claims

계측 대상인 복수의 발광 디바이스에 전기적으로 콘택트하여 광학 특성을 계측하는 경우에, 상기 복수의 발광 디바이스에 전원을 공급하기 위한 복수의 콘택트 수단과, 상기 복수의 콘택트 수단의 양측에 각각 형성되고, 상기 콘택트 수단과 마찬가지로 상기 발광 디바이스로부터의 확산광을 차광하기 위한 더미 수단을 갖는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 콘택트 수단 및 그 양측의 상기 더미 수단이 고정된 카드 수단으로 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 더미 수단은, 계측 대상 영역의 양측 말단 위치의 발광 디바이스로부터의 확산광을 차폐함으로써, 상기 복수의 디바이스 사이에서, 상기 광학 특성의 계측치를 보정하는 물리적 광학 보정을 실시하고 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 콘택트 수단과 상기 더미 수단은, 그 하방의 발광 디바이스로부터의 확산광의 차광 폭 또는 차광 면적이 동일하게 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 4 항에 있어서,
상기 콘택트 수단과 상기 더미 수단의 단면 형상이 동일 사이즈의 동일 형상으로 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 5 항에 있어서,
상기 콘택트 수단과 상기 더미 수단이 단면 동일 직경으로 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 콘택트 수단의 배치 간격과 동일한 간격으로 그 복수의 콘택트 수단의 양측에 상기 더미 수단이 배치되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 콘택트 수단의 발광 위치로부터의 높이와 상기 더미 수단의 그 발광 위치로부터의 높이는 동일한 높이로 배치되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 콘택트 수단의 재질과 상기 더미 수단의 재질은 동일한 재질로 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 콘택트 수단의 표면 반사 특성과 상기 더미 수단의 표면 반사 특성은 동일한 표면 반사 특성으로 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 콘택트 수단군의 양측에 각각 형성된 상기 더미 수단의 필요 개수는, 상기 발광 디바이스로부터의 확산광의 확산 특성에 따라 결정되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 복수의 콘택트 수단군의 양측에 각각 형성된 상기 더미 수단의 필요 개수는, 상기 발광 디바이스의 발광 위치에서부터 상기 콘택트 수단까지의 거리에 따라 결정되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 더미 수단의 선단 길이는, 상기 콘택트 수단의 선단 길이에 비해, 그 더미 수단의 선단이 상기 발광 디바이스의 전극 패드에 접촉하지 않는 높이까지 단축되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 콘택트 수단은 콘택트 프로브이며, 상기 더미 수단은 더미 프로브인, 광학 시험 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 콘택트 수단은 복수의 콘택트 프로브이고, 상기 더미 수단은 더미 프로브이며, 상기 카드 수단은, 상기 복수의 콘택트 프로브 및 그 양측의 상기 더미 프로브가 고정된 프로브 카드로 구성되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
균일한 광학 특성 계측 조건이 되도록, 상기 복수의 콘택트 수단 중 중앙부의 콘택트 수단의 표면 반사 특성이, 그 양측의 상기 콘택트 수단의 표면 반사 특성보다 높게 조정되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
균일한 광학 특성 계측 조건이 되도록, 상기 복수의 콘택트 수단 중 중앙부의 콘택트 수단의 차광 정도가, 그 양측의 상기 콘택트 수단의 차광 정도보다 작게 조정되어 있는, 광학 시험 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 콘택트 수단과 그 양측의 상기 더미 수단은 각각, 상기 발광 디바이스의 양 전극 패드를 향하여 그 발광 디바이스의 양측으로부터 그 복수의 발광 디바이스의 나열 방향에 대해 평면에서 볼 때에 직교하거나 또는 소정 각도를 갖도록 배열되어 있는, 광학 시험 장치.