CN103176115A - 光学试验装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光学试验装置，无论各芯片所对应的探针位置，能够使光量的计测条件均等，而使光量的测量值均等。其中，作为在发光器件例如LED芯片等的芯片(22)的光学特性计测中、使多个同時进行探针接触来计测光量时的光学性修正单元，具备如下：用于供给电源的接触探针(21)；在接触探针群的两侧，以在其以外遮挡扩散光为目的的用于取得同等计测条件的虚拟探针(21a)。

Description

光学试验装置

技术领域

本发明涉及对于在半导体晶片上以矩阵状形成的多个半导体器件、或者以从半导体晶片切割后的状态在另一面粘贴有粘接胶带的多个半导体器件(芯片)，按各规定数量进行光学试验的光学试验装置。

背景技术

历来，为了正确地进行半导体器件例如LED芯片的操作试验的检查和光学检查，使探针与各LED芯片的电极片接触并使LED芯片工作，并且对此时的LED芯片的电气特性以及输出光的特性进行检查。

图8是表示专利文献1所公开的现有的多芯片检测器(マルチチツププロ一バ)的针头和光检测单元局部的构成例的图，(a)是其侧视图，(b)是其俯视图。

如图8(a)所示，现有的多芯片检测器100的光检测单元101具有如下：配置在待检查的芯片的正上方，且对芯片(在此为LED芯片)输出的光量进行检测的光功率计102；该光功率计102的支承部103；移动支承部103的光功率计移动机构104；前端延伸到待检查的芯片的邻域的光纤105；保持光纤105并与用于检测入射到光纤105的光的波长的单色器(未图示)转接的继电器单元106；支承继电器单元106的支承部107；移动支承部107的光纤移动机构108。

如图8(b)所示，光检测单元101具有：从圆形部使收容光纤移动机构108的部分突出的形状。光功率计移动机构104和光纤移动机构108，期望是使用了压电元件这样的可以高速工作的元件的移动机构。但是，也可以使用将驱动螺杆和马达加以组合这样的移动机构。光功率计移动机构104和光纤移动机构108，如果在检查不同的芯片时不需要移动，则没必要设置。

针头109具有配置在光检测单元101的周围的形状，且具有1个针单元109a和7个针位置调整机构109b～109h。

该针单元109a是将基准针110a固定在针头111上的单元。

针位置调整机构109e具有如下：针110e；保持针110e的针保持单元112e；安装有针保持单元112e的移动单元113e；使移动单元113e移动的移动机构114e。就移动机构114e而言，可以使针110e沿着与载物台120的载置面平行的面内的二轴方向、例如X轴方向和Y轴方向移动。针位置调整机构109b～109h也能够以公知的移动机构实现，期望是使用了压电元件这样可以高速工作的元件的移动机构，但也可以使用将驱动螺杆和马达加以组合这样的移动机构。

在与载物台120的载置面垂直的方向上的芯片的电极片位置的偏移小，且针有弹性，如果这一方向的电极片位置的偏移小，则能够使之确实地接触，因此针位置调整机构不会使针在垂直于载物台表面的方向上移动，但在需要正确的接触压力等的情况下，则各针位置调整机构也可以构成为，使对应的针沿着垂直于载物台120的表面的方向移动。由此，能够使全部的针110a～110h的位置关系，符合粘贴在胶粘带121上、分离的芯片122的各电极片的位置关系。

图9是用于说明图8的现有的多芯片检测器100的针保持单元112a～112h的针110a～110h的探测状态的俯视图。图10是表示发光器件的扩散特性的图形。

如图9所示，对于邻接的4个芯片122的8个电极片，从其周围使现有的针保持单元112a～112h的针110a～110h与之接触，实现8个同时接触。即，现有的多芯片检测器100，持有拥有了多个位置调整机构的针110a～110h，以对应待检测的4个芯片122的电极片的各位置的方式，分别调整8根针110a～110h的各位置而使之与4个芯片122接触。

【先行技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】特开2008-70308号公报

在专利文献1所公开的上述现有的多芯片检测器100的构成中，使8根针110a～110h从4个芯片122的电极片的周围同时与之接触而进行光学检查时，探针的配置，即8根针110a～110h的配置，和支承其的支承臂，即针保持单元112a～112h的各位置，由于如图10所示这样遮蔽芯片122的扩散光，导致无法保持芯片配置和计测位置所对应的计测条件的均等性。总之，如图9所示，虽然具备用于决定8根针110a～110h的各配置的可动调整机构，但因为相对于各个芯片122而针角度及其支承臂的位置关系不固定，所以扩散光被针110a～110h遮蔽而无法达成均等的光量的计测条件。而且，在专利文献1中，4个芯片122的同时接触有限度，更多的大量的芯片122的同时接触有困难。

发明内容

本发明正是要解决上述现有的问题，其目的在于，提供一种光学试验装置，其能够对于超过4个的大量的芯片进行接触，不论各芯片所对应的探针位置，都能够使光学计测条件均等，而使光学测量值均等。

本发明的光学试验装置具有如下：在与计测对象的多个发光器件进行电接触而计测光学特性时，用于向该多个发光器件供给电源的多个接触单元(手段)；在该多个接触单元的两侧分别设置、且与该接触单元同样并且用于遮挡来自该发光器件的扩散光的虚拟单元(手段)，由此可达成上述目的。

另外，优选由固定有本发明的光学试验装置的多个接触单元及其两侧的所述虚拟单元的卡片单元构成。

此外，优选本发明的光学试验装置的虚拟单元，通过遮蔽来自计测对象的区域的两侧末端位置的发光器件的扩散光，进行在所述多个器件间对所述光学特性的计测值进行修正的物理性的光学校正。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元和所述虚拟单元，按照来自其下方的发光器件的扩散光的遮光宽度或遮光面积同等的方式构成。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元和所述虚拟单元的截面形状被构成为同等尺寸的同等形状。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元和所述虚拟单元被构成为截面同等直径。

此外，优选以与本发明的光学试验装置的多个接触单元的配置间隔同等的间隔，在该多个接触单元的两侧配置所述虚拟单元。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元距发光位置的高度和所述虚拟单元距该发光位置的高度被配置成同等的高度。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元的材质与所述虚拟单元的材质由同等的材质构成。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元的表面反射特性与所述虚拟单元的表面反射特性被构成为同等的表面反射特性。

此外，优选分别设于本发明的光学试验装置的多个接触单元群的两侧的所述虚拟单元的需要数量，根据来自所述发光器件的扩散光的扩散特性决定。

此外，优选分别设于本发明的光学试验装置的多个接触单元群的两侧的所述虚拟单元的需要数量，根据从所述发光器件的发光位置至所述接触单元的距离决定。

此外，优选本发明的光学试验装置的虚拟单元的前端长，相比所述接触单元的前端长，被缩短至该虚拟单元的前端不会与所述发光器件的电极片接触的高度。

此外，优选本发明的光学试验装置的接触单元是接触探针，所述虚拟单元是虚拟探针。

此外，优选本发明的光学试验装置的多个接触单元是多个接触探针，所述虚拟单元是虚拟探针，所述卡片单元由固定有该多个接触探针及其两侧的该虚拟探针的探针卡构成。

此外，优选在本发明的光学试验装置中，以形成均等的光学特性计测条件的方式，使在所述多个接触单元之中的、中央部的接触单元的表面反射特性被调整得比其两侧的该接触单元的表面反射特性高。

此外，优选在本发明的光学试验装置中，以形成均等的光学特性计测条件的方式，使在所述多个接触单元之中的、中央部的接触单元的遮光程度被调整得比其两侧的该接触单元的遮光程度小。

根据上述构成，以下，说明本发明的作用。

在本发明中，具有如下：与计测对象的多个发光器件进行电接触而计测光学特性时，用于向多个发光器件供给电源的多个接触单元；分别设于多个接触单元的两侧，且与接触单元同样并且用于遮挡来自发光器件的扩散光的的虚拟单元。

由此，因为在多个接触单元的两侧分别设有虚拟单元，所以对于超过4个的大量芯片进行接触，不论各芯片所对应的探针位置，都能够使光学计测条件均等，可以使光学测量值均等。

而且，因为将支承臂用作作为探针的针的可动调整机构，由于臂尺寸体积大，所以也有不能使配置在检查对象的各芯片的正上方的光学检测用的光接收传感器靠近检查对象的各芯片的问题，但通过设置探针卡作为探针单元，可以使光接收传感器接近检查对象的各芯片而确实地进行光学计测。

由上，根据本发明，因为在多个接触单元的两侧分别设有虚拟单元，所以对于超过4个的大量芯片进行接触，不论各芯片所对应的探针位置，都能够使光学计测条件均等，能够使光学测量值均等。

另外，因为将支承臂用作作为探针的针的可动调整机构，由此臂尺寸体积大，所以也有不能使配置在检查对象的各芯片的正上方的光学检测用的光接收传感器靠近检查对象的各芯片这样的问题，但作为探针单元设置探针卡，能够使光接收传感器接近检查对象的各芯片，确实地进行光学计测。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的光学试验装置的、相对于纵排列电极片的探测配置例的俯视图，(a)是没有虚拟探针时的俯视图，(b)有虚拟探针时的俯视图。

图2是表示本发明的实施方式1的光学试验装置的、相对于横排列电极片的探测配置例的俯视图，(a)是没有虚拟探针时的俯视图，(b)是有虚拟探针时的俯视图。

图3(a)是表示没有虚拟探针在探针群的两侧时的发光位置所对应的发光强度的图，(b)是表示有虚拟探针在探针群的两侧时的发光位置所对应的发光强度的图。

图4是用于说明图1(b)和图2(b)的探针和虚拟探针与芯片的发光中心的间隔小的情况下的扩散光的遮光状态的要部纵剖面图。

图5是用于说明图1(b)和图2(b)的探针和虚拟探针与芯片的发光中心的间隔大的情况下的扩散光的遮光状态的要部纵剖面图。

图6是用于说明图1(b)和图2(b)的探针的前端形状的探针侧视图。

图7是用于图1(b)和图2(b)的虚拟探针的前端形状的探针侧视图。

图8是表示专利文献1所公开示的现有的多芯片检测器的针头和光检测单元部分的构成例的图，(a)是其侧视图，(b)是其俯视图。

图9是用于说明图8的现有的多芯片检测器的针保持单元的针的探测状态的俯视图。

图10是表示发光器件的扩散特性的示意图。

【符号说明】

20A，20B光学试验装置

21探针(接触探针)

21a  虚拟探针

22，23 芯片

22a，23a  电极片

24  光接收传感器

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对于本发明的光学试验装置的实施方式1进行详细的说明。还有，各图的构成构件各自的厚度和长度等是从制图的观点出发，并不受图示的构成限定。

(实施方式1)

本实施方式1的光学试验装置，由探试器(プロ一バ)和测试仪(テスタ)构成。

探试器具有如下：可以将晶片切断前或晶片切断后的多个芯片固定在上表面，设置在基台上而可以沿着X轴、Y轴和Z轴的三个轴向移动，并且可以围绕Z轴旋转的作为载物台的移动台(未图示)；配置在移动台的上方，设有作为对于检查对象的多个芯片的各电极片进行接触用的多个接触单元的多个探针(针状和弹簧状等)的探针单元(未图示)；使检查对象的多个芯片的各电极片的位置与接触用的多个探针的前端位置相符，如此控制移动台的坐标(X、Y、Z)的3轴坐标位置，并且控制旋转位置的位置制御装置(未图示)。

测试仪具有如下：工作特性测试仪，其输入来自探针单元的各探针的电信号，对检查对象的器件例如LED芯片的IV特性等的各种电气工作特性进行检查；光学特性测试仪，其使LED芯片的发光入射光接收传感器等的光接收单元和积分球，从而检查发光色和发光量(发光强度)等的各种光学特性。

以下，在本实施方式1的光学试验装置中，就对于检查对象的多个芯片的各电极片的探测配置例进行详细地说明。

图1是表示本发明的实施方式1的光学试验装置的、相对于纵排列电极片的探测配置例的俯视图，(a)是没有作为虚拟单元的虚拟探针时的俯视图，(b)是具有作为虚拟单元的虚拟探针时的俯视图。图2是表示本发明的实施方式1的光学试验装置的、相对于横排列电极片的探测配置例的俯视图，(a)是没有作为虚拟单元的虚拟探针时的俯视图，(b)是有作为虚拟单元的虚拟探针时的俯视图。

如图1(a)和图2(a)所示，在两侧没有虚拟探针时，无论是纵排列的芯片12的各电极片12a还是横排列的芯片13的各电极片13a，在参考例的光学试验装置10A或10B中，与以往相比，为了削减支承探针11的现有的支承臂，以及使LED芯片等的发光器件(仅称为芯片12或13)的各电极片12a或13a所对应的多个探针11的配置均等化，而使在多个芯片12或13间确保光量计测条件的均等性，虽然使用探针卡作为探针单元，但只设置了光量计测所需要的探针11。就多个探针11的配置而言，使芯片12或13所对应的探针11的横切方向均等，使光的遮光程度均等。

另一方面，如图1(b)和图2(b)所示，在两侧设有虚拟探针时，无论是纵排列的芯片22的各电极片22a还是横排列的芯片23的各电极片23a，在本实施方式1的光学试验装置20A或20B中，与以往相比，为了削减支承探针21的现有的支承臂，以及使LED芯片等的发光器件(仅称为芯片22或23)的各电极片22a或23a所对应的多个探针21的配置均等化，而使在多个芯片22或23间确保光量计测条件的均等性，虽然使用探针卡作为探针单元，但是具有光量计测所需要的多个(在此为了使说明简略化而作为4个)的探针21、和在其排列的两侧位置所配置的且不进行光量计测的虚拟探针21a。就探针卡而言，使多个探针21及其两侧的虚拟探针21a的各前端部按照对应芯片22或23的各电极片的方式被固定在其下表面。由此，多个探针21的配置为，使芯片22或23所对应的探针21的横切方向达到均等(使遮光程度均等)，并且借助两侧的虚拟探针21a，不论各芯片22或23所对应的探针位置(计测位置)，都能够使光量的计测条件均等。

由固定有多个探针21(接触探针)及其两侧的虚拟探针21a的探针卡构成。总之，在两侧没有虚拟探针21a时，因为没有遮挡两端上下方向的扩散光，所以根据中央和两侧CH位置(计测位置)，光量的测量值有所不同。即，如图3(a)，CH位置(计测位置)的两端的CH-1和CH-4，提取检查区域外的扩散光，而使放射强度被计测得强。另外，如图3(a)，CH位置(计测位置)的中央的CH-2和CH-3，通过扩散光被其两侧的CH-1和CH-4用的各探针21遮蔽，而使放射强度被计测得弱。

为了应对于此，在进行光学性修正计算时，除了光学的特性和探针位置关系以外，还要根据多重的要因，致使修正计算复杂化。因此，以发光器件的各芯片22或23为检查对象进行光量的计测时，将作为计测/发光用接触探针的探针21同等设计的虚拟探针21a设于其两侧，通过由两侧的虚拟探针21a遮蔽来自检查对象的两侧的芯片22或23在计测时的放射扩散光，从而能够不依赖发光位置而使光量的计测条件均等，能够在物理的构成上提供计测对象的芯片22或23的光学的修正单元。即，虚拟探针21a，遮挡来自检查对象的计测区域的两侧末端位置的芯片22或23的扩散光，从而在多个芯片22或23间，进行修正光学特性的计测值的运算以外的物理性的光学校正。

如此，通过在CH位置(计测位置)的CH-1～CH-4的计测区域外的两侧也分别设置虚拟探针21a，CH位置(计测位置)的CH-1、CH-4实施与其内侧的CH-2、CH-3同样的遮蔽，对于CH-1～CH-4的全部的芯片21来说，达到了平均化的同等条件的计测环境。由此，如图3(b)，不论哪个CH位置(计测位置)，因为来自芯片21的扩散光被周围的探针21和与之同形状的虚拟探针21a均等地遮挡，所以在同等计测条件下，光量的测量值均等。

作为芯片21的检查工作(计测)的步骤，在作为电气工作特性的DC特性计测中，同时一并计测CH位置(计测位置)的CH-1～CH-4。其次，在光学特性计测中，在CH位置(计测位置)的CH-1～CH-4个别地按每一个CH，控制发光及其光量和颜色的计测。

图4是用于说明图1(b)和图2(b)的探针21和虚拟探针21a与芯片22或23的发光中心的间隔小的情况下的扩散光的遮光状态的要部纵剖面图。图5是用于说明图1(b)和图2(b)的探针21和虚拟探针21a与芯片22或23的发光中心的间隔大的情况下的扩散光的遮光状态的要部纵剖面图。

如图4所示，CH位置(计测位置)的CH-1～CH-4之中的来自CH-2的芯片22或23的发光中心的扩散光，受到其上方的各探针21和虚拟探针21a遮挡，通过各探针21和虚拟探针21a的各间隔再入射其之上的光接收传感器24。由该光接收传感器24检测光量。

这种情况下，通过将虚拟探针21a设置在检查对象的多个探针21的两侧的计测区域以外的区域，能够遮蔽来自检查对象的两侧末端位置的芯片22或23的扩散光，使光学上的提取条件在检查对象的全部芯片位置相同。

虚拟探针21a的截面圆形的探针直径，采用与检查对象的计测区域的各探针21的探针直径相同的直径，由此能够使扩散光的遮蔽程度更加均等化。总之，探针21和虚拟探针21a构成为，使来自其下方的芯片22或23的发光位置的扩散光的遮光宽度或遮光面积同等。此外，探针21和虚拟探针21a的截面形状以同等尺寸的同等形状(例如圆、椭圆、多角形、四角形、正方形和长方形等)构成。

就虚拟探针21a的探针配置而言，设计成与检查对象的计测区域的各探针21相同的配置和距离间隔(间距/高度)，由此能够使扩散光的遮蔽程度更均等化。即，探针21的探针间隔与虚拟探针21a的探针间隔构成为同等距离。另外，探针21距芯片22或23的发光位置的探针高度，与虚拟探针21a距芯片22或23的发光位置的探针高度，构成为同等的探针高度。此探针高度为在前端使探针21和虚拟探针21a弯曲的根本的高度。

关于虚拟探针21a的探针材质，也采用与检查对象的计测区域的各探针21相同的材质，由此能够使光的表面反射特性均等化。即，探针21的表面反射特性和虚拟探针21a的表面反射特性被构成为同等的表面反射特性。

另一方面，光接收传感器24在数cm～数+cm角部下有充分的光接收面积，对于发光位置来说，不存在计测特性的差异。就探针截面而言，直径为数百μm～数mm级，以与芯片22或23的发光中点的间距为同等间距进行排列的方式设计。芯片22或23的发光中点为数百μm级，根据来自芯片22或23的扩散特性所遮挡的光量有所变化。各探针21和虚拟探针21a，直径越粗越遮光。

全部探针个数，由检查对象的计测区域所需要的探针个数、和其两侧的计测区域以外的区域的虚拟探针个数构成。该计测区域以外的虚拟探针个数，按照符合光的扩散条件的方式决定需要数量。使用图4和图5对于虚拟探针个数进行说明。

在图4中，在来自CH位置(计测位置)的CH-2的芯片22或23的发光中心的扩散光的扩散特性弱、且指向性强时(扩散角度θ2)，对于发光点CH-2，遮光的探针21只有PR5。这种情况下，对于各发光点CH-1～CH-4来说，遮光的探针面积相同，所以各发光点CH-1～CH-4的发光位置所对应的光学特性不产生差异。即，不需要将虚拟探针21a设于4个探针21的两侧。

在图4中，来自CH位置(计测位置)的CH-2的芯片22或23的发光中心的扩散光的扩散特性强、且指向性弱时(扩散角度θ1)，相对于发光点CH-2，就遮光的探针21而言，以PR5为中心、且左侧有PR2～PR4这3个、并且右侧有PR6～PR8这3个而合计有7个对扩散光进行遮蔽。因此，以4个同时接触实施计测时，用于向各发光点CH1～CH4供给电流的PR4～PR7这4个探针21，为了使其遮光条件均等化，需要将CH1的外侧3个、CH4的外侧3个作为虚拟探针21a，从而配置4个探针21和两侧各3个虚拟探针21a，合计10个探针。

如图4，探针21和虚拟探针21a与芯片22或23的发光中心的间隔小，为L1时，因为从发光点放射的扩散光在扩散之前就到达了探针高度，所以在遮光的探针区域的全部探针个数(探针21和虚拟探针21a的各自的个数)少的状态便发挥功能。相对于此，即使扩散光的扩散特性(扩散角度θ1或θ2)相同，发光点和探针21的距离不同时，遮挡的光量发生变化，计测的光量发生变化。由此，如图5，探针21和虚拟探针21a与芯片22或23的发光中心的间隔大，为L2时，从发光点放射的扩散光被扩散直至达到探针21，因此根据扩散光的扩散面积，需要增加探针区域的全部探针个数(探针21和虚拟探针21a的各自的个数)。

因此，探针21和虚拟探针21a与芯片22或23的发光中心的间隔越近，越能够减少不参与检查的虚拟探针21a的个数。

总之，虚拟探针21a的需要数量，根据来自多个探针21的一列两侧分别作为发光器件的各芯片22或23的扩散光的扩散特性决定。另外，虚拟探针21a的需要数量，根据从多个探针21的一列两侧分别作为发光器件的各芯片22或23的发光位置至探针21的距离决定。

图6是用于说明图1(b)和图2(b)的探针21的前端形状的探针侧视图。

如图6所示，在光学计测时，探针21的前端对于检查对象的芯片22或23的各电极片22a或23a进行接触。探针21的前端之前端形状，以从上向下的按压很强的方式成为向下侧弯曲的形状。

图7是用于说明图1(b)和图2(b)的虚拟探针21a的前端形状的探针侧视图。

如图7所示，虚拟探针21a的前端对于检查对象的芯片22或23的各电极片22a或23a不进行接触，各电极片22a或23a与虚拟探针21a的前端彼此分离开。

总之，保持在检查对象的芯片22或23的发光中点的正上方的探针21，其目的如图6这样，将电流供给到各电极片22a或23a而使检查对象的芯片22或23发光，按照使探针21能够接触检查对象的芯片22或23的各电极片22a或23a的方式进行设计。可是，虚拟探针21a如图7这样，其目的是遮光，因此为了不给检查对象的芯片22或23的各电极片22a或23a造成无谓的接触损伤，也会预先成为削掉了虚拟探针21a的前端的状态，以使虚拟探针21a的前端不与检查对象的芯片22或23的各电极片22a或23a发生接触。因此，虽然虚拟探针21a的前端形状是向下方弯曲的，但是与探针21的向下方弯曲的前端长度相比而形成得短。利用探针21的弹力而使之与各电极片22a或23a接触时的接触过载量D(コンタクトオ一バドライブ量D)，比虚拟探针21a的虚拟探针缩短量E设定得小。由此，通常虚拟探针21a的前端不会与各电极片22a或23a发生接触。

如此，就虚拟探针21a的前端长度而言，与探针21的前端长度相比，虚拟探针21a的前端被缩短至不与作为发光器件的各芯片22或23的各电极片22a或23a的表面发生接触的高度。

在此，对于使用持有与检查对象的芯片22或23所对应的多个探针21、和此多个探针21的探针群两侧的一个或多个虚拟探针21a的探针卡的优点进行说明。

图1(b)和图2(b)的多个探针21及其两侧的虚拟探针21a与芯片22或23的发光中心的间隔，与不使用探针卡的情况相比，能够设定得较短。即，能够缩短发光点与探针距离L。

另外，能够缩短对于来自芯片22或23的发光点、芯片22或23的扩散光进行光接收而检查光量的光接收传感器距离。由此，装置变得小型。

历来，因为使用作为探针21的可动调整机构的支承臂，由于臂尺寸体积大，所以不能使在检查对象的各芯片22或23的正上方所配置的光学检测用的光接收传感器24接近检查对象的各芯片22或23这样的问题存在，但是，通过设置探针卡作为探针单元，可以使光接收传感器接近检查对象的各芯片22或23，确实地以高精度进行光学计测。

此外，就虚拟探针21a的探针配置而言，虽然设计成与检查对象的计测区域的各探针21相同的配置和距离间隔(间距/高度)，但通过使用探针卡，能够以均等的探针间距高精度地实现探针设计。

此外，通过使用探针卡，光接收部不仅能够为平面传感器，还能够设置立体形状的积分球等，从而可以进行更准确的光量的计测。

由上，根据本实施方式1，能够得到作为光学试验装置的光学试验装置20A或20B，其中，作为在发光器件例如LED芯片等的芯片22或23的光学特性计测中、使多个同时进行探针接触来计测光量时的光学性修正单元，具备：用于供给电源的接触探针21；和在接触探针群的两侧，以在其以外遮挡扩散光为目的的用于取得同等计测条件的虚拟探针21a，不论多个芯片22或23的中央与两侧的器件位置，都能够以均等的光量计测条件计测作为计测对象的芯片22或23的光学特性。如此，对于超过4个的大量芯片22或23进行接触，不论各芯片22或23所对应的探针位置，都能够使光学计测条件均等，能够使光学测量值均等。对于此大量的芯片22或23的接触，也可以是对于数十个芯片22或23或数百个芯片22或23的接触。

还有，在本实施方式1中，对于在计测芯片22或23的光学特性的光学试验装置中具有如下的情况进行了说明：在使多个芯片22或23同时探针接触而各自计测光学特性时，用于供给电源的多个接触探针21；在多个接触探针21群的两侧分别设置，与接触探针21同样且用于遮挡扩散光的作为虚拟单元的一个或多个虚拟探针21a，但并不限于此，因为个别计测芯片22或23的光学特性，所以不需要使多个芯片22或23同时进行探针接触，也可以使多个芯片22或23依次进行探针接触。

还有，在本实施方式1中，就检查对象的多个芯片22或23的光学特性的计测而言，以检查对象的多个芯片22或23排成一列进行了说明，但也可以是两列的多个芯片22或23，也可以是多列的多个芯片22或23。在本实施方式1中，就作为虚拟单元的一个或多个虚拟探针21a而言，在多个芯片22或23为一列的情况下，分别设于其两侧，但在2列或多列的多个芯片22或23的情况下，需要以多个虚拟探针21a将其包围的方式设置，其个数有所增加。

还有，在本实施方式1中，虽然没有特别详细地说明，但除了在多个芯片22或23呈矩阵状形成于半导体晶片的状态下进行光学特性检查的情况以外，还有在将半导体晶片切断成多个芯片22或23而单片化之后的粘贴有胶粘带的状态下进行光学特性检查的情况，这两方都能够适用本发明。

还有，在本实施方式1中，虽然没有特别说明，但设有在多个探针21的两侧分别设置的、且与多个探针21同样并作为用于遮挡扩散光的虚拟单元的一个或多个虚拟探针21a，除此之外，也可以使多个探针21之中的中央部的探针21的表面反射特性调整得比其两侧的探针21的表面反射特性高，以达到高精度、均等的光学特性计测条件。另外，也可以使多个探针21之中的中央部的探针21的遮光程度调整得比其两侧的探针21的遮光程度低(小)，以达到高精度、均等的光学特性计测条件。

还有，在本实施方式1中，对于作为多个接触单元的多个探针21和作为其两侧的虚拟单元的一个或多个虚拟探针21a，分别朝向作为LED芯片等的发光器件的芯片22或23的两电极片22a或23a而从两侧、相对于作为发光器件的芯片22或23的排列方向在俯视下正交(直角)地排列的情况进行了说明，但并不限于此，也可以多个探针21及其两侧的一个或多个虚拟探针21a，分别朝向多个芯片22或23的两电极片22a或23a而分别从两侧、相对于多个芯片22或23的排列方向在俯视下具有规定角度地进行排列。多个探针21及其两侧的一个或多个虚拟探针21a，分别朝向多个芯片22或23的两电极片22a或23a而各自从两侧、相对于多个芯片22或23的排列方向在俯视下正交地排列，这一方法与相对于多个芯片22或23的排列方向在俯视下具有规定角度地进行排列的情况相比，虽然来自发光器件的扩散光的遮光以最低限度就能解决，但无论探针是俯视正交、还是在俯视下探针倾斜达规定角度，都能够取得均等的来自发光器件的扩散光的遮光。

如上，采用本发明的优选的实施方式1例示了本发明，但本发明不应该限定于此实施方式1来加以解释。而是可以理解为，应该只根据本发明专利权利要求的范围来解释其范围。本领域技术人员可以理解为，根据本发明的具体的优选的实施方式1的记述，基于本发明的记述和技术常识而能够实施等价的范围。在本说明书中引用的专利、专利申请和文献可以理解为，其内容本身具体来说与本说明书所述相同，其内容应该作为对于本说明书的参考被援引。

【产业上的可利用性】

本发明在对于从半导体晶片切断后的状态下在另一面粘贴有粘接胶带的多个芯片按各规定数量进行测试的光学试验装置的领域中，不论各芯片所对应的探针位置，都能够使光量的计测条件均等，而使光量的测量值达到均等。另外，因为将支承臂用作作为探针的针的可动调整机构，由于臂尺寸体积大，所以也有不能使配置在检查对象的各芯片的正上方的光学检测用的光接收传感器靠近检查对象的各芯片这样的问题，但是作为探针单元而设置探针卡，则能够使光接收传感器接近检查对象的各芯片，确实地进行光学计测。

Claims (18)

1.一种光学试验装置，其特征在于，具有：

在与计测对象的多个发光器件进行电接触而计测光学特性时，用于向该多个发光器件供给电源的多个接触单元；

在该多个接触单元的两侧分别设置、且与该接触单元同样并且用于遮挡来自该发光器件的扩散光的虚拟单元。

2.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

由固定有所述多个接触单元及其两侧的所述虚拟单元的卡片单元构成。

3.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述虚拟单元，通过遮蔽来自计测对象的区域的两侧末端位置的发光器件的扩散光，进行在所述多个器件间对所述光学特性的计测值进行校正的物理性光学校正。

4.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元和所述虚拟单元，按照来自其下方的发光器件的扩散光的遮光宽度或遮光面积同等的方式构成。

5.根据权利要求4所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元和所述虚拟单元的截面形状被构成为同等尺寸的同等形状。

6.根据权利要求5所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元和所述虚拟单元被构成为截面同等直径。

7.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

以与所述多个接触单元的配置间隔同等的间隔，在该多个接触单元的两侧配置所述虚拟单元。

8.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元距发光位置的高度和所述虚拟单元距该发光位置的高度被配置成同等的高度。

9.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元的材质与所述虚拟单元的材质由同等的材质构成。

10.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元的表面反射特性与所述虚拟单元的表面反射特性被构成为同等的表面反射特性。

11.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

在所述多个接触单元群的两侧所分别设置的所述虚拟单元的需要数量，根据来自所述发光器件的扩散光的扩散特性决定。

12.根据权利要求1或11所述的光学试验装置，其特征在于，

在所述多个接触单元群的两侧所分别设置的所述虚拟单元的需要数量，根据从所述发光器件的发光位置至所述接触单元的距离决定。

13.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述虚拟单元的前端长度，与所述接触单元的前端长度相比，被缩短至该虚拟单元的前端不会与所述发光器件的电极片接触的高度。

14.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述接触单元是接触探针，所述虚拟单元是虚拟探针。

15.根据权利要求2所述的光学试验装置，其特征在于，

所述多个接触单元是多个接触探针，所述虚拟单元是虚拟探针，所述卡片单元由固定有该多个接触探针及其两侧的该虚拟探针的探针卡构成。

16.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

按照达到均等的光学特性计测条件的方式，使在所述多个接触单元之中的、中央部的接触单元的表面反射特性被调整得比其两侧的该接触单元的表面反射特性高。

17.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

按照达到均等的光学特性计测条件的方式，使在所述多个接触单元之中的、中央部的接触单元的遮光程度被调整得比其两侧的该接触单元的遮光程度小。

18.根据权利要求1所述的光学试验装置，其特征在于，

所述多个接触单元及其两侧的所述虚拟单元，分别朝向所述发光器件的两电极片而从该发光器件的两侧、相对于该多个发光器件的排列方向在俯视下正交或具有规定角度地排列。

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