TW202246790A - 連接裝置及集光基板 - Google Patents

Abstract

[課題]在半導體積體電路之檢查中，可將發光面寬之發光元件發出的光集光並導引至光學性連接件。 [解決手段]本發明，係一種被使用於檢查半導體積體電路的連接裝置，其特徵係，具備有：電性連接件，電性連接於半導體積體電路的電極端子；光學性連接件，光學性連接於半導體積體電路的光學端子；連接件支撐基板，以使電性連接件與光學性連接件各自之前端連接於半導體積體電路的方式進行支撐；及集光基板，使來自半導體積體電路之光學端子的光集光至光學性連接件。

Description

連接裝置及集光基板

本發明，係關於連接裝置及集光基板，例如可應用在被使用於檢查半導體積體電路的連接裝置，該半導體積體電路，係具有被形成於半導體晶圓上的電路及光電路。

近年來，正進行與在矽基板等的基板上具有電路與光電路之半導體積體電路(以下，亦稱為「光元件」。)相關的技術開發。在此，在光元件，係存在供給電信號而發出光的發光元件或供給光而輸出電信號的受光元件等。

檢查光元件之特性的檢查裝置，係使用具有如下述者的連接裝置：電性連接件(以下，亦稱為「電氣探針」。)，在光元件與測試器側之間電性連接；及光學性連接件(以下，亦稱為「光學探針」。)，在光元件與測試器側之間光學性連接。此型式之連接裝置，係在半導體晶圓上形成有複數個光元件，且具備有因應光元件的數量之數量的電氣探針及光學探針。

例如，作為光元件之一例，存在VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)，在檢查被形成於半導體晶圓上之複數個VCSEL的情況下，一般而言，係使用積分球來予進行。由於使用了積分球之測定，係無法進行複數個VCSEL同時發光的測定，因此，單DUT之測定為主流。

但是，單DUT之測定，係耗費時間而導致測試成本增加。因此，提出一種可使用光纖進行多DUT之測定的光纖探針。

專利文獻1之記載技術，係光纖探針的一例，光纖將光元件發出的光集光，且光纖將光傳輸至發光二極體。而且，揭示有「輸出發光二極體受光而獲得的受光電流，測試器測定受光電流值且檢查VCSEL之光強度」的內容。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2019-35694號公報

[本發明所欲解決之課題]

例如，光元件之一例即VCSEL，係存在有：單孔VCSEL，一個元件具有一個光發射孔(發光部)；及多孔VCSEL，一個元件具有複數個光發射孔(發光部)。

然而，專利文獻1之記載技術，係與單孔VCSEL的測定對應者而並非與高輸出之多孔VCSEL的測定對應者。多孔VCSEL，係一個元件中之發光面積變大。因此，如圖8(A)般，作為光學性連接件42之光纖雖可將從單孔VCSEL95a發出的光全部入射，但如圖8(B)般，光纖難以將從多孔VCSEL95b發出的光全部入射，從而可能產生亦難以正確地獲得多孔VCSEL之測定結果這樣的問題。

因此，本發明，係被使用於檢查半導體積體電路者，且提供一種可將來自發光面寬之光學端子的光集光並導引至光學性連接件之連接裝置及集光基板。 [用以解決課題之手段]

為了解決該課題，第1本發明，係一種被使用於檢查半導體積體電路的連接裝置，其特徵係，具備有：電性連接件，電性連接於半導體積體電路的電極端子；光學性連接件，光學性連接於半導體積體電路的光學端子；連接件支撐基板，以使電性連接件與光學性連接件各自之前端連接於半導體積體電路的方式進行支撐；及集光基板，使來自半導體積體電路之光學端子的光集光至光學性連接件。

第2本發明，係一種「用以使電性連接件電性連接於半導體積體電路之電極端子，將來自半導體積體電路之光學端子的光導引至光學性連接件」的集光基板，其特徵係，使半導體積體電路之前述光學端子發出的光集光至前述光學性連接件。 [發明之效果]

根據本發明，可將來自發光面寬之光學端子的光集光並導引至光學性連接件。

(A)實施形態

以下，係一邊參閱圖面，一邊詳細說明本發明之集光基板及連接裝置的實施形態。

(A-1)實施形態之構成 在該實施形態中，係利用本發明，例示應用在被安裝於進行複數個半導體積體電路(以下，係亦稱為「光元件」。)之特性檢查的檢查裝置之連接裝置的情形，該複數個半導體積體電路，係具有被形成於半導體晶圓上的電路與光電路。

在以下說明中，「被檢查體」，係檢查裝置進行特性檢查的對象物。例如，被檢查體，係表示具有電路與光電路的光元件、半導體晶圓等。作為被檢查體之光元件，係可應用發光元件或受光元件等。

作為被檢查體之光元件，係具有：電極端子(以下，係亦稱為「電極」。)；及光學端子(以下，係亦稱為「光學端面」、「發光部」或「受光部」等。)，表示發光或受光的部分。又，被檢查體即半導體晶圓，係具有形成了電路圖案之複數個光元件，並假定切割前的狀態。

「連接裝置」，係具備有：複數個連接件，對被檢查體的電極端子及光學端子進行電性及光學性連接。連接裝置，係例如可設成為探針卡等。以下，係將連接裝置稱為探針支撐基板20而進行說明。

例如，在被檢查體即光元件為發光元件的情況下，由於連接裝置，係將被檢查體發出的光經由光學性連接件入射，因此，將連接裝置亦稱為「受光型電性連接裝置」。又例如，在被檢查體即光元件為受光元件的情況下，由於經由光學性連接件對被檢查體射出光，因此，將光連接裝置亦稱為「發光型電性連接裝置」。

「連接件」，係與作為被檢查體之光元件的電極電性連接，並且與光元件的光學端子光學性連接者。亦即，連接件，係具有：電性連接件(以下，係亦稱為「電氣探針」。)，與被檢查體的電極電性連接；及光學性連接件(以下，係「光學探針」)，與被檢查體的光學端子光學性連接。換言之，連接件，係具備有：一對探針，相對於一個光元件，將電氣探針與光學探針設為一組。光學探針，係例如雖可應用光纖等，但並不限定於此，可使用線狀的光學構件。

(A-2)檢查裝置之詳細構成 圖1，係表示實施形態的檢查裝置之整體構成的整體構成圖。在圖1中，檢查裝置1，係具有：測試器2；配線基板10；探針支撐基板20，被安裝於配線基板10之一面(例如下面)；及集光基板30，被設置於探針支撐基板20之一面(例如下面)。

檢查裝置1，係進行被形成於半導體晶圓5a上之複數個光元件5各自的特性檢查。探針支撐基板20，係亦被稱為探針卡，具備有用以檢查光元件5之特性的複數個連接件40。

圖1，係示意地圖示檢查裝置1的主要構成構件者，檢查裝置1，係並不限定於該些構成構件。在將探針支撐基板20安裝並組裝於配線基板10之際，係例如雖使用螺栓等的固定構件來進行固定，但在圖1中，係省略該固定構件之圖示。又，應注意，配線基板10、探針支撐基板20、集光基板30等的基板厚度、尺寸及連接件40之直徑或長度等，係與現實不同。而且，配線基板10、探針支撐基板20、集光基板30、連接件40等的構成構件之材質、形狀、構造、配置等，係並不限定於圖1。

另外，將被設置於探針支撐基板20之複數個連接件40的配列方向中之一方向表示為X軸方向，將探針支撐基板20的面上之與X軸方向正交的方向表示為Y軸方向，並將與X軸方向及Y軸方向正交的方向表示為Z軸方向。

[被檢查體] 光元件5，係具有電路與光電路的半導體積體電路。光元件5，係可設成為供給電信號時則發光的發光元件或接收光而輸出電信號的受光元件等。例如光元件5，係可設成為矽光子晶片、VCSEL等。

特別是，在該實施形態中，係例示光元件5為在一個元件中具有複數個光發射孔(發光部)之多孔VCSEL的情形。

光元件5，係具有：電極端子51，用以供給電信號；及光學端子52，藉由所供給的電信號發出光。

形成有複數個光元件5之半導體晶圓5a，係被載置於平台4的上面。在光元件5的特性檢查之際，連接於測試器2的探針支撐基板20被推壓至半導體晶圓5a。如此一來，設置於探針支撐基板20之連接件40的電性連接件41與光元件5的電極端子51電性接觸，並且前述連接件40的光學性連接件42與光元件5的光學端子52光學性連接。

其後，測試器2所輸出的電信號經由電性連接件41被供給至光元件5。當供給電信號時，則光元件5之光學端子52發出光，且該光經由光學性連接件42被供給至測試器2。在光學性連接件42，係設置有發光二極體等的光電轉換部，測試器2，係測定發光二極體之受光電流值，檢查光元件5的特性。測試器2，係可同時檢查被形成於半導體晶圓5a上的複數個光元件5。

[測試器2] 測試器2，係經由探針支撐基板20進行被形成於半導體晶圓5a上的各光元件5之特性檢查的檢查部。

[配線基板10] 配線基板10，係被形成為圓形的基板。配線基板10，係例如可設成為由聚醯亞胺等的樹脂材料所形成的印刷電路基板。又，配線基板10，係支撐被安裝於該配線基板10之一面(例如下面)的探針支撐基板20。

配線基板10，係具有電性連接探針支撐基板20的各電性連接件41與測試器2之間的構成。例如在配線基板10之另一面(例如上面)的周緣部，係設置有與測試器2之測試頭(未圖示)電性連接的連接端子(未圖示)。又，在配線基板10之一面(例如下面)，係形成有與探針支撐基板20之各電性連接件41電性連接的配線圖案。而且，在配線基板10之內部，係形成有電性連接配線圖案與連接端子的導電路徑。因此，測試器2，係經由配線基板10的連接端子及配線圖案與各電性連接件41電性連接。

又，配線基板10，係具有使探針支撐基板20的各光學性連接件42與測試器2之連接端子連接的構成。例如，配線基板10，係亦可將作為被設置於探針支撐基板20的光學性連接件42之光纖捆成一束，且使其連接於測試器2的連接端子。

另外，在配線基板10之上面，係亦可配置光元件5之特性檢查所需的複數個電子零件。

[探針支撐基板20] 探針支撐基板20，係例如由陶瓷等的電絕緣性構件所形成的板狀構件。探針支撐基板20，係被安裝於配線基板10的一面(例如下面)。

探針支撐基板20，係具備有：複數個連接件40，具有電性連接件41及光學性連接件42。在探針支撐基板20之下面，係顯露出電性連接件41的下端部及光學性連接件42的下端部。

在此，說明探針支撐基板20中之電性連接件41與光學性連接件42的支撐構造之一例。

首先，說明光學性連接件42的支撐構造例。例如探針支撐基板20，係在基板之厚度方向(Z軸方向、板厚方向)形成有貫通基板的複數個貫通孔21。

貫通孔21，係被形成於與半導體晶圓5a上所形成的光元件5之電極端子51及光學端子52的位置對應之位置。貫通孔21，係在探針支撐基板20中，設置有與光元件5相同之數量相同的數量。又，例示探針支撐基板20中之貫通孔21的剖面形狀為大致圓形的情形。但是，貫通孔21之剖面形狀，係並不限定於此，亦可為大致橢圓形、正方形或長方形或多角形。

在被形成於探針支撐基板20之貫通孔21，係插通有管狀構件45。與測試器2側連接之光學性連接件42被插入管狀構件45的管內。插通於管狀構件45之管內的光學性連接件42，係雖與管狀構件45接著，但插通於貫通孔21的管狀構件45並未接著。因此，在需要更換光學性連接件42的情況下，可與管狀構件45一起個別地更換光學性連接件42。

其次，說明電性連接件41的支撐構造例。例如，在探針支撐基板20之下面，係形成有配線圖案(未圖示)，配線圖案與電性連接件41電性連接。又，在探針支撐基板20之內部，係形成有導電路徑(未圖示)，該導電路徑，係電性連接探針支撐基板20之下面的配線圖案與配線基板10的配線圖案之間。因此，經由探針支撐基板20之導電路徑及配線圖案，電性連接件41與配線基板10之間可電性連接。

[管狀構件45] 管狀構件45，係由電氣絕緣材料所形成的管狀構件(套圈)。另外，管狀構件45，係亦可由導電構件所形成。管狀構件45，係被插入探針支撐基板20之各貫通孔21的構件。

管狀構件45之外形的尺寸(亦即外徑)，係被形成為與插入有該管狀構件45之貫通孔21的內徑相同程度或比其稍小。藉此，形成為管狀構件45可相對於貫通孔21插入或拆卸的構成。

另一方面，管狀構件45之管內的內徑，係被形成為與作為光學性連接件42之光纖的外形相同程度或比其稍大。藉此，形成為作為光學性連接件42的光纖可對管狀構件45之管內插入或拆卸的構造。

又，不使管狀構件45與貫通孔21直接接著，而是將管狀構件45插入探針支撐基板20的貫通孔21。亦即，管狀構件45，係可對探針支撐基板20的貫通孔21裝卸。另一方面，關於插通於管狀構件45之管內的光學性連接件42，係將光學性連接件42固定於管狀構件45之管內。例如，接著管狀構件45之管內的內壁面與作為光學性連接件42之光纖的外壁面。另外，光學性連接件42，係亦可藉由接著等被固定於管狀構件45內，或亦可以可裝卸的方式機械地被設置於管狀構件45內。因此，在更換破損或性能下降等之光學性連接件42的情況下，係可將管狀構件45與光學性連接件42一起從探針支撐基板20拆卸。亦即，可個別地更換破損等的光學性連接件42而無需更換探針支撐基板20整體。

[連接件40] 連接件40，係具有：電性連接件41，對光元件5的電極端子51電性連接；及光學性連接件42，對光元件5的光學端子52光學性連接。連接件40，係將電性連接件41與光學性連接件42設為一組的連接件。

(A-3)集光基板30之詳細說明 集光基板30，係將光元件5發出的光集光且導引至對應之光學性連接件(光纖)42的基板。集光基板30，係被設置於探針支撐基板20與半導體晶圓5a上的光元件5之間。

集光基板30，係形成有在基板之厚度方向(Z軸方向、板厚方向)貫通的複數個貫通孔，各貫通孔作為集光部31而發揮功能。形成於集光基板30之各集光部31的位置，係被設置於與光元件5之光學端子52的位置對應之位置。

圖2，係表示實施形態的集光基板30之集光構造的構造圖。

為了便於說明，圖2，係表示「被形成於集光基板30的複數個集光部31中之一個集光部31將從多孔VCSEL即光元件5發出的光集光且導引至作為光學性連接件42之光纖」的態樣。

集光部31，係可設成為下底之半徑比上底之半徑大的圓錐梯形之貫通孔。換言之，集光部31之下底的面積，係比上底的面積大。圓錐梯形之集光部31的下底側與多孔VCSEL等的光元件5對向，集光部31之上底側對應於光學性連接件42的下端部。圓錐梯形之集光部31的下底之面積，係比多孔VCSEL的發光區域(發光面積)大。另外，將集光部31之下底亦稱為大口徑部34，將上底亦稱為小口徑部35。

例如作為光元件5之VCSEL，係從光學端子52即光學端面往垂直方向發出紅外線雷射。在光元件5為多孔VCSEL的情況下，由於多孔VCSEL具有複數個光學端子52，因此，與單孔VCSEL之發光面的面積相比，多孔VCSEL之發光面的面積大且光學性連接件42變得難以入射全部的光。

因此，在作為光元件5的多孔VCSEL與作為光學性連接件42的光纖之間配置集光基板30，集光基板30之集光部31將來自光元件(多孔VCSEL)5的光集光且引導至光學性連接件(光纖)42。藉此，光學性連接件(光纖)42可將多孔VCSEL發出的光全部入射。又，由於光學性連接件42，係連接於發光二極體(未圖示)，因此，藉由發光二極體輸出受光電流的方式，可測定多孔VCSEL發出的光強度。

另外，亦考慮例如「不設置本實施形態之集光基板30而在VCSEL與光學性連接件(光纖)42之間僅設置透鏡，將VCSEL發出的光集光至光學性連接件42」這樣的方法。但是，在該情況下，係需要以高精度調整透鏡與光學性連接件42的對位。而且，亦需要藉由透鏡之個體差來調整光學性連接件42的對位。在對位之精度不良好的情況下，可能產生「光學性連接件42無法將從VCSEL發出的光全部接收，從而變得難以正確地獲得VCSEL之測定結果」這樣的問題。對此，如本實施形態般地設置集光基板30，藉此，可使從VCSEL發出的光集光至光學性連接件42而不用進行對位之高精度的調整，且亦可獲得高精度的測定結果。

在此，在圓錐梯形之貫通孔即集光部31的內壁311，係形成有「藉由濺鍍或蒸鍍等，對光反射率高之金屬(例如，鋁、金、銀等)進行塗佈(成膜)而成」的光學薄膜32。光學薄膜32，係作為光反射膜而發揮功能。

入射至集光部31的雷射光中，存在有直接入射至光學性連接件(光纖)42的光，亦存在有一邊在集光部31之內壁311的光學薄膜32反射，一邊被導引至集光部31之上底側(小口徑部)而入射至光學性連接件42的光。由於光學薄膜32，係由光反射率高之金屬所形成，因此，可抑制光元件5發出的光之光強度的衰減。

又，為了抑制光元件5發出的光之光強度的衰減，係較理想為將光的反射角度(集光部31之內壁311的角度)調整成最佳而儘可能減少反射次數。

在此，當增大集光部31之圓錐角度時，則可縮小集光基板30的基板厚度。在此，「圓錐角度」，係沿著圓錐台之壁面拉伸的線交叉而形成之圓錐的直徑剖面之頂點角度，其是指圖3所示之點A的角度θ。

但是，每當入射的雷射光在內壁311反射時，由於雷射光行進的角度變大，因此，反射次數會變多。因此，當使集光部31之圓錐角度過大時，則雷射光無法到達集光部31之小口徑部35的開口部，且雷射光朝向集光部31之大口徑部34逆向行進。

反射一次時的角度變化量，係成為圓錐角度的兩倍。當作為光元件5之VCSEL的發光面(光學端子52)變大時，則由於直至集光為止的反射次數變多，因此，需要基於VCSEL之放射角，選擇最佳的圓錐角度。

亦即，VCSEL發出光，係一邊放射至外側， 一邊入射至集光部31。因此，需要考慮入射至集光部31之光的放射角。而且，亦需要考慮作為光學性連接件42的光纖之直徑的關係。

圖4，係表示光在實施形態之集光部31的內壁311反射之反射次數的模擬結果之一例的圖。

在此，光元件5之發光面的對角尺寸為2mm，光纖的直徑為1mm。又，入射至集光部31之光的放射角為20°，圓錐角度為7°。在該情況下，考慮反射一次時的角度變化量成為2倍與入射之光的放射角，當實施反射的模擬時，則最大反射次數成為三次。又，在該例子的情況下，可使集光基板30的基板厚度薄至大約4.25mm(4250nm)左右。

另外，圖4之反射次數的模擬結果為一例，並非限定於此。在變更了光元件5之發光面的尺寸或入射光之放射角等的條件的情況下，可因應於此，求出最佳的反射次數。

(A-4)實施形態之效果 如以上般，根據該實施形態，即便在光學性連接件42難以將從光元件5所發出的光全部直接入射的情況下，亦可藉由收集來自光元件5的光且在光學性連接件42設置用以導引光之集光基板30的方式，光學性連接件42可將光全部入射。

又，根據該實施形態，在被設置於集光基板30之集光部31的內壁311塗佈光反射率高的光學薄膜32，藉此，可抑制所反射的光之衰減量。

而且，根據該實施形態，可考慮入射至集光基板30的集光部31之光的放射角，調整集光部31之圓錐角度而求出最佳的反射次數。

(B)其他實施形態 在上述實施形態中，雖亦提及了各種變形實施形態，但本發明亦可應用於以下的變形實施形態。

(B-1)集光構造之變形實施形態 以下，一邊參閱圖5～圖7，說明通過集光基板30的集光部31使雷射光集光至光學性連接件42之集光構造的變形實施形態。

圖5，係說明集光構造之變形實施形態的說明圖。在此，係例示在位於光學性連接件42的下端部(前端部)之入射部421設置透鏡43的情形。光元件5發出的雷射光，係藉由圓錐梯形之集光部31予以集光，而且在透鏡43折射而入射至光學性連接件42。因此，可使來自光元件5的雷射光不洩漏地入射至光學性連接件42。

另外，透鏡43之材料，係並不特別限定，可應用合成樹脂製、玻璃製等。透鏡43，係凸透鏡為較佳。但是，不排除凹透鏡，亦可設成為凹透鏡。又，在圖5中，係雖例示在光學性連接件42之入射部421設置透鏡43的情形，但亦可在集光部31的小口徑部35設置透鏡43。而且，雖例示在光學性連接件42之入射部421設置一片透鏡43的情形，但只要可獲得相同效果，則亦可設置複數片透鏡43。例如，亦可設成為在小口徑部35設置一片透鏡43，而且在入射部421設置一片透鏡43這樣的構造。又，透鏡43為一例，只要可使朝向集光部31之小口徑部35側行進的雷射光入射至光學性連接件42，則不限於作為光學元件的透鏡43，亦可設成為彎曲或具有集光功能的集光板等。

圖6，係表示「將光學性連接件42之下端部(前端部)的部分嵌入於集光基板30之集光部31的小口徑部35」的構造。亦即，設成為光學性連接件42之入射部421收容於集光部31內的狀態。例如，有時會導致光元件5之雷射光在集光部31的小口徑部35側洩漏。對此，藉由設成為圖6例示之構造的方式，由於光學性連接件42之入射部421位於集光部31內，因此，可使來自光元件5的雷射光不洩漏地入射至光學性連接件42。

另外，在圖6之例子的情況下，為了收容入射部421，集光部31之上方的形狀，係亦可設成為圓柱形狀，下方的形狀，係亦可設成為圓錐梯形。亦即，集光部31之上方形狀，係亦可設成為配合光學性連接件42的前端部之形狀的形狀。亦可在集光基板30之集光部31與光學性連接件42的接觸部分施加防止光之洩漏的防止光洩漏構造。 另外，施加防止光洩漏構造，係不限定於圖6之例子，亦可應用於本說明書的所有實施形態。在圖6中，係雖在光學性連接件42的入射部421未設置透鏡，但如圖5所例示般，亦可在光學性連接件42的入射部421設置透鏡43。

圖7，係表示在集光基板30的集光部31a之下底部分設置透鏡44的情形。在此，係雖例示集光部31a為圓柱的情形，但亦可應用於圓錐梯形的集光部31a。例如，有時會導致光元件5發出的雷射光在集光部31a的下底側洩漏。對此，如圖7所例示般，藉由在集光部31a之下底部分設置透鏡44的方式，可防止在集光部31a的下底側之光的洩漏。

另外，防止在圖7所示之集光部31a的下底側之光的洩漏之構造，係並不限定於圖6的例子，亦可應用於本說明書的所有實施形態。透鏡44之材料，係並不特別限定，可應用合成樹脂製、玻璃製等。透鏡44，係雖凸透鏡為較佳，但亦可為凹透鏡。又，透鏡44為一例，並不限於作為光學元件的透鏡44，亦可設成為彎曲或具有集光功能的集光板等。

(B-2)測試器2，係檢查形成有複數個光元件5的一片半導體晶圓5a。以往，測試器2逐一地檢查被形成於一片半導體晶圓5a的光元件5。因此，測試器2檢測一片半導體晶圓5a之檢查時間，係耗費長時間。因此，測試器2亦可使電信號(測試信號)流動至一片半導體晶圓5a的複數個光元件5，使複數個光元件5發光，同時檢查複數個光元件5。

1:檢查裝置 2:測試器(檢查部) 4:平台 5:光元件 5a:半導體晶圓 10:配線基板 20:探針支撐基板 21:貫通孔 30:集光基板 31,31a:集光部 32:光學薄膜 34:大口徑部 35:小口徑部 40:連接件 41:電性連接件 42:光學性連接件 43:透鏡 44:透鏡 45:管狀構件 51:電極端子 52:光學端子 311:內壁 421:入射部

[圖1]表示實施形態的檢查裝置之整體構成的整體構成圖。 [圖2]表示實施形態的集光基板之集光構造的構造圖。 [圖3]說明實施形態中之圓錐角度的說明圖。 [圖4]表示光在實施形態之集光部的內壁反射之反射次數的模擬結果之一例的圖。 [圖5]說明集光構造之變形實施形態的說明圖(其1)。 [圖6]說明集光構造之變形實施形態的說明圖(其2)。 [圖7]說明集光構造之變形實施形態的說明圖(其3)。 [圖8]說明課題的說明圖。

1:檢查裝置

2:測試器

4:平台

5:光元件

5a:半導體晶圓

10:配線基板

20:探針支撐基板

21:貫通孔

30:集光基板

31:集光部

40:連接件

41:電性連接件

42:光學性連接件

45:管狀構件

51:電極端子

52:光學端子

Claims (9)

1. 一種連接裝置，係被使用於檢查半導體積體電路，該連接裝置，其特徵係，具備有： 電性連接件，電性連接於前述半導體積體電路的電極端子； 光學性連接件，光學性連接於前述半導體積體電路的光學端子； 連接件支撐基板，以使前述電性連接件與前述光學性連接件各自之前端連接於前述半導體積體電路的方式進行支撐；及 集光基板，使來自前述半導體積體電路之前述光學端子的光集光至前述光學性連接件。
2. 如請求項1之連接裝置，其中， 前述集光基板，係具有集光部，前述集光部，係使來自前述光學端子的光集光且導引至前述光學性連接件者。
3. 如請求項1或2之連接裝置，其中， 前述集光部，係被形成於前述集光基板的厚度方向之圓錐梯形的貫通孔，大口徑部，係位於前述光學端子側，小口徑部，係位於前述光學性連接件的前端側， 在前述集光部之內壁，係形成有反射光的反射膜， 來自前述光學端子的光之一部分，係一邊在前述反射膜反射，一邊被導引至前述光學性連接件。
4. 如請求項3之連接裝置，其中， 前述光學性連接件之前端，係具有：光學元件，收斂來自前述集光部之前述小口徑部的光。
5. 如請求項3之連接裝置，其中， 前述光學性連接件之前端被收容於前述集光部內。
6. 如請求項3之連接裝置，其中， 前述集光部之前述大口徑部，係具有：光學元件，收斂來自前述光學端子的光。
7. 如請求項3之連接裝置，其中， 前述集光部之前述大口徑部的尺寸，係被形成為容許來自前述光學端子之光的放射。
8. 一種集光基板，係使電性連接件電性連接於半導體積體電路之電極端子，將來自前述半導體積體電路之光學端子的光導引至光學性連接件，該集光基板，其特徵係， 使來自前述半導體積體電路之前述光學端子的光集光至前述光學性連接件。
9. 如請求項8之集光基板，其中，具有： 集光部，使來自前述光學端子的光集光且導引至前述光學性連接件。

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