JP7194723B2 - 光電子チップを接触させるための位置公差に無感応な接触モジュール - Google Patents
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Description
・チップの全ての光結合点の次々の順次的で時間のかかる接触、即ちチップの全ての光結合点の並列接触が不可能であるか又は非常に限られた範囲でのみ可能であり、幾つかのチップの並列接触が全く不可能であること、
・従来のウェーハプローバが、複雑でコスト集約的な修正でのみ改良することができ、その後、もはやICのウェーハレベル試験に使用できないか又は限られた範囲でのみ使用することができるような装置側の特別な解決法、
・永続的に接続されず、即ち別々に保持及び調整されなければならない別個の電子及び光モジュール
によって特徴付けられる。
・基板で作製される光ブロック1.2.1内の全てのミラー1.2.1.2及び導波路1.2.1.1並びに従って光インターフェースが、サブマイクロメートルの精度で互いに対して配置され得るようにし、
・基板内のミラー1.2.1.2及び導波路の自由な位置決めを可能にし、
・250μm、127μm及びそれ未満のミラー1.2.1.2の距離(ピッチ)並びに従って光出力部及び入力部の距離を可能にし、
・ミラー角を調整することにより、チップ2の光入力部EoCに配置された光結合素子、例えば典型的には8~20°の放射プロファイルを備えた格子結合器に対する光信号Soの異なる放射角にビーム角を調整できるようにし、
・他のチップ2に適合される接触モジュール1のための光インターフェースの位置の速く、柔軟で、コスト効率のよい変更を可能にする。
・接触ピン1.1.2による同時的な信頼できる電気接触を伴って、チップ2への光モジュール1.2の定義された光作動距離を達成するために、接触ピン1.1.2及び光モジュール1.2の光ブロック1.2.1は、Z方向において互いに非常に正確に整列されなければならない。加えて、接触ピン1.1.2の接触圧力による接触モジュール1の機械負荷下で接触モジュール1の多くてもわずかな変形のみが生じるべきである。これらの態様の両方が、プリント回路基板1.1.1を支持するために、且つ光ブロック1.2.1を固定するために金属フレームの使用によって保証される。
・例えば、接触ピン1.1.2としてのカンチレバーピンを備えた電子モジュール1.1を製造する場合、ピンのZ高さは、通常、ウェーハプラットフォーム3への固定基準との接触モジュール1のクランプ点を基準とする。キャリアプレート1.1.3として金属フレームを用いると、これらの基準点は、光モジュール1.2のための固定点が高精度で統合される金属フレームに位置する。従って、光モジュール1.2は、Z方向における固定点への位置的に正確な接着により、接触ピン1.1.2の先端の基準面に対して厳密に平行平面且つ正確に取り付けることができる。電子モジュール1.1への光モジュール1.2の平行平面の取り付けは、光モジュール1.2が、小さい作動距離のため、接触中に動作においてチップ2と衝突することも防ぐ。
・変形形態a)は、以前に記載された例示的な実施形態に関連して既に説明されたように、追加の最適化なしの基本構成を図6aに示す。光信号Soは、チップ2の光出力部AoCから放射され、チップ2において、結合素子、例えば格子結合器がある角度で、即ち発散方式で配置され、ミラー1.2.1.2に当たり、且つ低効率で導波路1.2.1.1の入力部によって検出される。なぜなら、導波路断断面は、入射ビーム断面の小部分のみをカバーし、その小部分は、任意の調整位置で導波路の入力部を照射するからである。
・変形形態b)は、図6bにおいてテーパ部5.1を示し、テーパ部5.1は、導波路断面に適合された断面を導波路の入口に有し、且つテーパ部5.1に入る光信号Soのビーム断面が、適合してテーパ部5.1の入口開口部5.1.1より小さい場合、任意の調整位置において光信号Soの全放射線強度を導波路内に完全に導く。
・変形形態c)は、図6cにおいて、テーパ部5.1の代わりに幾つかの導波路(導波路グループ)を用い、互いに最小距離で配置されたそれらの導波路の2つが示され、その2つは、例えば、直接レーザ書き込みによって作成された接合によって結合され、従ってまた信号の強度の大きい割合を吸収する。幾つかの導波路は、全ての調整位置において全て完全に照射される。
・変形形態d)は、入射光信号Soを導波路に集束させるために、ミラー1.2.1.2としての凹面鏡と、調整位置のそれぞれにおける集束位置公差にかかわらず、信号を導波路に完全に結合するための、変形形態b)について説明したようなテーパ部5.1とを図6dにおいて用いる。
1.1 電子モジュール
1.1.1 プリント回路基板
1.1.1.1 電気信号線
1.1.2 接触ピン
1.1.3 キャリアプレート
1.1.4 セラミック支持体
1.2 光モジュール
1.2.1 光ブロック
1.2.1.1 光信号線(特に導波路)
1.2.1.2 ミラー
1.2.2 ファイバホルダ
1.2.3 ガラスファイバ
1.2.4 ファイバコネクタ
2 (光電子)チップ
2.1 接触プレート
3 ウェーハプラットフォーム
4 試験機器
5.1 テーパ部
5.1.1 テーパ部5.1の入口開口部
5.2 屈折光学素子
5.3 回折光学素子
5.4 フィルタ
6 フォトダイオード
6.1 感光面
Se 電気信号
So 光信号
EoK 接触モジュール1上の光入力部
AoK 接触モジュール1上の光出力部
EoC 光電子チップ2の光入力
AoC 光電子チップ2の光出力部
EeK 接触モジュール1上の電気入力部
AeK 接触モジュール1上の電気出力部
EeC 光電子チップ2の電気入力部
AeC 光電子チップ2の電気出力部
Claims (13)
- 光電子チップ(2)の連続的接触のための接触モジュール(1)であって、各場合において、前記光電子チップ(2)の少なくとも1つと前記接触モジュール(1)との間で電気及び光信号(Se、So)を送信する目的のためのものであり、前記連続的に接触される光電子チップ(2)及び前記接触モジュール(1)は、公差のために互いに対して異なる調整位置に配置され、
電気及び光信号線(1.1.1.1、1.2.1.1)は、前記接触モジュール(1)に配置され、前記電気及び光信号線(1.1.1.1、1.2.1.1)は、それぞれ電気又は光入力部又は出力部を有し、前記電気又は光入力部又は出力部は、前記接触モジュール(1)上の電気又は光入力部又は出力部(EeK、EoK、AeK、AoK)として、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)の電気又は光入力部又は出力部(EeC、EoC、AeC、AoC)にそれぞれ割り当てられ、
前記接触モジュール(1)上の前記電気入力部及び出力部(EeK、AeK)は、接触ピン(1.1.2)によってそれぞれ形成され、前記接触ピン(1.1.2)は、前記電気信号(Se)を送信するために、前記調整位置のそれぞれにおいて、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)の前記電気入力部又は出力部(EeC、AeC)の1つとそれぞれ機械的に接触し、前記電気入力部又は出力部(EeC、AeC)は、それぞれ電気接触プレート(2.1)によって形成され、及び
前記接触モジュール(1)上の前記光入力部及び出力部(EoK、AoK)並びに前記少なくとも1つの光電子チップ(2)の前記光入力部及び出力部(EoC、AoC)は、一緒に、それぞれのペアにおいて、前記光信号(So)を送信するための光自由ビーム領域の範囲を定める、接触モジュール(1)において、
前記接触モジュール(1)から前記少なくとも1つの光電子チップ(2)に送信された前記光信号(So)は、前記調整位置のそれぞれにおいて、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)の前記光入力部(EoC)を照射し、
前記接触モジュール(1)は、前記接触ピン(1.1.2)及び前記電気信号線(1.1.1.1)が案内されるプリント回路基板(1.1.1)を備えた電子モジュール(1.1)と、前記光及び/又は電気信号線(1.2.1.1、1.1.1.1)が案内される光ブロック(1.2.1)を備えた光モジュール(1.2)であって、前記光及び/又は電気信号線(1.2.1.1、1.1.1.1)は、前記接触モジュール(1)上の前記光入部及び出力部(EoK、AoK)につながる、光モジュール(1.2)とを含み、前記プリント回路基板(1.1.1)及び前記光ブロック(1.2.1)は、相互に調整される方式で固定的に配置され、及び
前記光信号線(1.2.1.1)は、前記光ブロック(1.2.1)に統合された導波路であることを特徴とする接触モジュール(1)。 - 形成されるそれぞれの前記光自由ビーム領域の長さ及び前記光信号(So)の少なくともわずかに発散する放射のため、前記光信号(So)はそれぞれ、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)のそれぞれの前記光入力部(EoC)の開口部より大きい、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)上の前記光入力部(EoC)の1つの面積を照明し、それにより、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)の前記光入力部(EoC)は前記調整位置のそれぞれにおいて照射されることを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記プリント回路基板(1.1.1)及び前記光ブロック(1.2.1)は、異なる材料で作製され、前記電気及び光信号線(1.1.1.1、1.2.1.1)が異なる技術によって互いに無関係に作製されたことを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記光信号(So)のビーム断面における強度分布は、ガウス分布に対応することを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記光信号(So)のビーム断面における強度分布は、トップハット分布に対応することを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記電子モジュール(1.1)上に存在する全ての接触ピン(1.1.2)が、前記光ブロック(1.2.1)を過ぎて、その周りに、及び/又は必要に応じてそこに形成される開口部を通して前記光電子チップ(2)に接触するように、前記光ブロック(1.2.1)は、貫通孔及び/又は開口部を含むその寸法及び幾何学形状を具体化されることを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記光自由ビーム領域に少なくとも1つのビーム整形素子が存在し、それにより、前記光信号(So)は、幾何学的に及び/又はその強度分布において整形されることを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記少なくとも1つのビーム整形素子は、前記光信号(So)の前記強度分布を均質化する構造化グレーグラッドフィルタであることを特徴とする、請求項7に記載の接触モジュール(1)。
- 前記接触モジュール(1)上の前記光入力部又は出力部(EoK、AoK)を形成する前記導波路の前記入力部又は出力部は、前記光ブロック(1.2.1)内に位置し、及び前記入力部又は出力部のそれぞれの前に統合ミラー(1.2.1.2)があり、前記統合ミラー(1.2.1.2)は、前記導波路から到来する前記光信号(So)を、前記少なくとも1つの光電子チップ(2)に結合するために必要とされる方向に偏向させることを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記少なくとも1つの光電子チップ(2)によって送信された前記光信号(So)は、前記調整位置のそれぞれにおいて、前記接触モジュール(1)上の前記光入力部(EoK)に完全に結合されることを特徴とする、請求項1に記載の接触モジュール(1)。
- 前記導波路は、それぞれテーパ(5.1)で終了し、前記テーパ(5.1)は、前記導波路の入口において導波路断面に適合された断面を有し、且つ前記調整位置のそれぞれにおいて、前記光信号(So)の全放射強度を前記導波路内に完全に導き、前記テーパ(5.1)に入射する前記光信号(So)のビーム断面は、前記テーパ(5.1)の入口開口部(5.1.1)より小さいことを特徴とする、請求項10に記載の接触モジュール(1)。
- 前記統合ミラー(1.2.1.2)は、凹面鏡として設計されることを特徴とする、請求項9に記載の接触モジュール(1)。
- 前記導波路は、それぞれ上流導波路グループにおいて終了し、前記上流導波路グループの端部は、前記光入力部(EoK)の1つを一緒に形成し、前記光入力部(EoK)の1つは、各調整位置において完全に照射され、それにより、1つのみの導波路に入るよりも大きい割合の信号強度が結合されることを特徴とする、請求項10に記載の接触モジュール(1)。
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021078318A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Wafer-level-testverfahren für opto-elektronische chips |
US11204466B2 (en) * | 2019-11-22 | 2021-12-21 | Corning Research & Development Corporation | Optical fiber photonic integrated chip connector interfaces, photonic integrated chip assemblies, and methods of fabricating the same |
US11243230B2 (en) * | 2019-12-30 | 2022-02-08 | Juniper Networks, Inc. | Compact opto-electric probe |
US11199671B2 (en) * | 2020-04-21 | 2021-12-14 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Glass-as-a-platform (GaaP)-based photonic assemblies comprising shaped glass plates |
EP4196804A1 (de) | 2020-08-14 | 2023-06-21 | JENOPTIK Optical Systems GmbH | Kontaktierungsmodul zur kontaktierung opto-elektronischer chips |
IT202000020413A1 (it) * | 2020-08-25 | 2022-02-25 | Technoprobe Spa | Testa di misura con un sistema di allineamento perfezionato per il test di dispositivi elettronici comprendenti elementi ottici integrati |
IT202000020407A1 (it) * | 2020-08-25 | 2022-02-25 | Technoprobe Spa | Testa di misura per il test di dispositivi elettronici comprendenti elementi ottici integrati |
EP4027150A1 (en) * | 2021-01-07 | 2022-07-13 | Afore Oy | Testing device and method for reducing vibration in a testing device |
DE102021110102B4 (de) | 2021-04-16 | 2024-05-23 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Wafer-Level-Testverfahren für opto-elektronische Chips |
EP4323784A1 (de) | 2021-04-16 | 2024-02-21 | JENOPTIK Optical Systems GmbH | Wafer-level-testverfahren für opto-elektronische chips |
DE102021119192B4 (de) | 2021-07-23 | 2024-04-11 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Optische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optischen Vorrichtung |
CN117289641B (zh) * | 2023-11-27 | 2024-03-01 | 上海孛璞半导体技术有限公司 | 光芯片的晶圆测试系统 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068520A (ja) | 1997-12-17 | 2000-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法 |
JP2002098849A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光プローブ |
JP2004273948A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Daido Steel Co Ltd | 半導体発光素子評価装置及び半導体発光素子の評価方法 |
JP2007003782A (ja) | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Hitachi Cable Ltd | 光分波器及び波長多重光伝送モジュール |
JP2011242216A (ja) | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Advantest Corp | 試験装置、試験方法、およびデバイスインターフェイス |
JP2011242208A (ja) | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Advantest Corp | 試験装置及び試験方法 |
JP2013056371A (ja) | 2008-12-24 | 2013-03-28 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP2014503856A (ja) | 2011-01-10 | 2014-02-13 | リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー | 強度分布が回転対称であるレーザビームにレーザビームの形状を変換するための装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07125315A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-16 | Hitachi Ltd | 画像形成装置 |
US6686993B1 (en) | 2001-03-05 | 2004-02-03 | Analog Devices, Inc. | Probe card for testing optical micro electromechanical system devices at wafer level |
US7554347B2 (en) | 2002-03-19 | 2009-06-30 | Georgia Tech Research Corporation | High input/output density optoelectronic probe card for wafer-level test of electrical and optical interconnect components, methods of fabrication, and methods of use |
US6810175B1 (en) * | 2002-04-22 | 2004-10-26 | Terabeam Corporation | Off-axis mode scrambler |
US6956992B2 (en) * | 2002-07-31 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Optical fiber coupler having a relaxed alignment tolerance |
US20040101238A1 (en) * | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Coleman Christopher L | Fiber optic coupling system and method for improved alignment tolerances |
KR100528972B1 (ko) * | 2003-10-27 | 2005-11-16 | 한국전자통신연구원 | 테이퍼진 광도파로가 내장된 광 인쇄회로기판 시스템 |
WO2005086786A2 (en) | 2004-03-08 | 2005-09-22 | Sioptical, Inc. | Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method |
US7348786B2 (en) | 2004-08-31 | 2008-03-25 | Georgia Tech Research Corporation | Probe module for testing chips with electrical and optical input/output interconnects, methods of use, and methods of fabrication |
JP2007127797A (ja) | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール |
FR2894339A1 (fr) | 2005-12-05 | 2007-06-08 | St Microelectronics Sa | Carte sonde pour tests de puces photosensibles et dispositif d'illumination correspondant. |
DE102005062735B4 (de) * | 2005-12-22 | 2008-04-10 | Siemens Ag | Elektrooptische Baugruppe zum Multiplexen bzw. Demultiplexen eines optischen Signals |
US8315526B2 (en) * | 2007-06-18 | 2012-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Misalignment tolerant free space optical transceiver |
US7961990B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-06-14 | Oracle America, Inc. | Multi-chip system including capacitively coupled and optical communication |
US9040896B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-05-26 | James Albert Walker | Optoelectronic-device wafer probe and method therefor |
US8742782B2 (en) | 2011-07-27 | 2014-06-03 | International Business Machines Corporation | Noncontact electrical testing with optical techniques |
CN107483112B (zh) * | 2011-08-26 | 2020-12-08 | 三流明公司 | 用于高速自由空间光通信的系统和方法 |
DE102011115944B4 (de) * | 2011-10-08 | 2013-06-06 | Jenlab Gmbh | Flexibles nichtlineares Laserscanning-Mikroskop zur nicht-invasiven dreidimensionalen Detektion |
JP6060979B2 (ja) | 2013-01-17 | 2017-01-18 | 富士通株式会社 | 光配線チップとその検査方法、および光受信器 |
DE102013008478A1 (de) * | 2013-05-13 | 2014-11-13 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Verfahren zur Herstellung von in ein Gehäuse hermetisch dicht einlötbaren Fensterelementen und danach hergestellte Freiformfensterelemente |
US9261556B2 (en) | 2013-06-10 | 2016-02-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical wafer and die probe testing |
US10230458B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-03-12 | Nxp Usa, Inc. | Optical die test interface with separate voltages for adjacent electrodes |
US9810843B2 (en) | 2013-06-10 | 2017-11-07 | Nxp Usa, Inc. | Optical backplane mirror |
US10359567B2 (en) | 2015-09-21 | 2019-07-23 | Elenion Technologies, Llc | Test systems and methods for chips in wafer scale photonic systems |
US10739518B2 (en) * | 2015-12-21 | 2020-08-11 | International Business Machines Corporation | Optical components for wavelength division multiplexing with high-density optical interconnect modules |
US10222552B2 (en) * | 2016-01-12 | 2019-03-05 | Oracle International Corporation | Wafer-scale fabrication of vertical optical couplers |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068520A (ja) | 1997-12-17 | 2000-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法 |
JP2002098849A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光プローブ |
JP2004273948A (ja) | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Daido Steel Co Ltd | 半導体発光素子評価装置及び半導体発光素子の評価方法 |
JP2007003782A (ja) | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Hitachi Cable Ltd | 光分波器及び波長多重光伝送モジュール |
JP2013056371A (ja) | 2008-12-24 | 2013-03-28 | Toshiba Mach Co Ltd | パルスレーザ加工装置およびパルスレーザ加工方法 |
JP2011242216A (ja) | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Advantest Corp | 試験装置、試験方法、およびデバイスインターフェイス |
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