JP7080910B2

JP7080910B2 - テストデバイス及びヘテロジニアスに集積化した構造体

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Publication number: JP7080910B2
Application number: JP2020001420A
Authority: JP
Inventors: 新助温; 尚駿陳
Original assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Current assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date: 2019-10-04
Filing date: 2020-01-08
Publication date: 2022-06-06
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Description

本発明は、テストデバイス及びヘテロジニアスに集積化した構造体に関するものである。

一般的な半導体製造工程では、ウエハアクセプタンステスト（ＷＡＴ）が、この製造工程の品質を決定するとともにダイが良好なものであるか劣悪なものであるかを決定するための基準として、且つ工程変動を監視するための直接的な証拠としても用いる一般的なインラインテストである。

一方、フォトニック集積回路（ＩＣ）のシリコン導波路の製造においては、
１．レイアウトがより一層困難であり、設計基準検査がより一層複雑であることと、
２．製造工程の結果として生じる構造上の粗さ及びエッチング深さがより一層慎重を期するものであることと、
３．光入力及び光出力の測定方法が電気測定よりも複雑である為に、結果を迅速に決定することが容易ではないことと
を含む、通常の半導体製造とは異なる幾つかの問題に遭遇するものである。

フォトニックＩＣの場合、ウエハレベルのテストは一般的に表面カプラ（例えば、格子カプラ）で実行され、チップレベルのテストに対しては一般的にエッジカプラが適している。

表面カプラは、エッジカプラに比べて、光学的損失が大きいとともに適合さすべき帯域幅が狭く、偏光方向により制限されているが、ウエハレベルのテストに対応しうる為にしばしばシリコンフォトニック工程で採用されている。

しかし、フォトニックＩＣの工程が、エッジカプラを使用することが原因でチップレベルのテスト及びパッケージ化のみを採用しうるにすぎない場合には、製造工程が複雑となり、製造費及び製造時間が増大し、従って生産性を低下させるおそれがある。

本発明の実施例により、フォトニックＩＣをテストするように構成したテストデバイスを提供する。フォトニックＩＣは少なくとも１つの導波路エッジカプラを有し、テストデバイスは光カプラを有する。この光カプラはフォトニックＩＣ上に構成するとともにこのフォトニックＩＣと光学的に整列させる。この光カプラは少なくとも１つの集束レンズと第１の反射体とを有するようにする。この少なくとも１つの集束レンズは上述した少なくとも１つの導波路エッジカプラと整列させる。この導波路エッジカプラからの光が順次に集束レンズにより集束され、第１の反射体により反射され、ファイバコネクタに送信（伝達）されるようにするか、又はこのファイバコネクタからの光が順次に第１の反射体により反射され、集束レンズにより導波路エッジカプラ上に集束されるようにする。

又、本発明の実施例により、フォトニックＩＣと光カプラとを有するヘテロジニアスに集積化した構造体を提供する。フォトニックＩＣは少なくとも１つの導波路エッジカプラを有し、光カプラはこのフォトニックＩＣ上にヘテロジニアスに集積化されているようにする。この光カプラは少なくとも１つの集束レンズと第１の反射体とを有するようにする。この少なくとも１つの集束レンズは上述した少なくとも１つの導波路エッジカプラと整列させる。この導波路エッジカプラからの光は順次に集束レンズにより集束され、第１の反射体により反射され、ファイバコネクタに送信されるようにするか、又はこのファイバコネクタからの光が順次に第１の反射体により反射され、集束レンズにより導波路エッジカプラ上に集束されるようにする。

上述したことに基づくに、本発明の実施例のテストデバイス及びヘテロジニアスに集積化した構造体では、フォトニックＩＣと光学的に整列させるか又はヘテロジニアスに集積化させることができる光カプラを採用している為、測定工程を簡単化しうるとともに測定品質を良好にすることができるか、又は外部に対する光学的な結合を良好にするために簡単なアーキテクチャを用いることができる。

本発明を更に詳細に説明するために、添付図面を用いた幾つかの代表的な実施例を以下で詳細に説明する。

添付図面は更なる理解を達成するために導入したものであり、本明細書の一部に含まれ且つ本明細書の一部を構成するものである。これらの図面は代表的な実施例を開示するものであり、本発明の説明と相俟って本発明の原理を説明する作用を成すものである。

図１Ａは、本発明の実施例によるテストデバイスを示す線図的斜視図である。図１Ｂは、図１ＡのテストデバイスをそのＩ‐Ｉ線に沿って示す線図的断面図である。図１Ｃは、図１Ａの左側から見た集束レンズを示す線図的正面図である。図２Ａは、図１Ａの複数のテストデバイスによりそれぞれ測定したウエハ上の複数のフォトニックＩＣを示す線図的斜視図である。図２Ｂは、図２Ａにおける１つのテストデバイスによるウエハ上の１つのフォトニックＩＣの測定を示す線図的拡大斜視図である。図２Ｃは、図２Ｂにおけるテストデバイス及びフォトニックＩＣをそのII‐II線に沿って示す線図的断面図である。図３は、図１Ａのテストデバイスとファイバコネクタとの接続を示す線図的斜視図である。図４Ａは、本発明の他の実施例によるテストデバイスを示す線図的斜視図である。図４Ｂは、図４ＡのテストデバイスをそのIII-III線に沿って示す線図的断面図である。図４Ｃは、図４Ａのテストデバイスとファイバコネクタとの接続を示す線図的斜視図である。図５Ａは、本発明の更に他の実施例によるテストデバイスを示す線図的斜視図である。図５Ｂは、図５ＡのテストデバイスをそのIV-IV線に沿って示す線図的断面図である。

図１Ａは本発明の実施例によるテストデバイスを示す線図的斜視図であり、図１Ｂは図１ＡのテストデバイスをそのＩ‐Ｉ線に沿って示す線図的断面図であり、図１Ｃは図１Ａの左側から見た集束レンズを示す線図的正面図である。図２Ａは図１Ａの複数のテストデバイスによりそれぞれ測定したウエハ上の複数のフォトニックＩＣを示す線図的斜視図であり、図２Ｂは図２Ａにおける１つのテストデバイスによるウエハ上の１つのフォトニックＩＣの測定を示す線図的拡大斜視図であり、図２Ｃは図２Ｂにおけるテストデバイス及びフォトニックＩＣをそのII‐II線に沿って示す線図的断面図である。図１Ａ～図２Ｃを参照するに、本実施例のテストデバイス１００はフォトニックＩＣ２００をテストするように構成されている。このフォトニックＩＣ２００にはレーザ源２１０と、シリコン導波路２３０及び２５０と、変調器２２０と、導波路エッジカップラ（導波路の端面）２６０及び２７０と、光検出器２４０とを設けることができる。変調器２２０は例えば、マッハ・ツェンダー変調器とする。

フォトニックＩＣ２００は少なくとも１つの導波路エッジカプラ２７０（複数の導波路エッジカプラ２７０を一例として図２Ａ～図２Ｃに示してある）を有し、テストデバイス１００は光カプラ１０１を有している。光カプラ１０１はフォトニックＩＣ２００上に配置させるとともにフォトニックＩＣ２００と光学的に整列させるか、又は光カプラ１０１をフォトニックＩＣ２００上にヘテロジニアスに集積化させる。ヘテロジニアス集積（ＨＩ）とは、別々に製造した複数の構成要素を１つのチップ上に集めるとともにパッケージ化して、機能特性及び動作特性を高めるようにすることを言及するものである。

光カプラ１０１は少なくとも１つの集束レンズ１１０（複数の集束レンズ１１０を一例として図１Ａ及び図１Ｂに示してある）と第１の反射体１２２とを有している。集束レンズ１１０はそれぞれ導波路エッジカップラ２７０と整列されており、導波路エッジカップラ２７０からの光２０１は順次に集束レンズ１１０により集束され、第１の反射体１２２により反射され、（図１Ｂに示すような）ファイバコネクタ５０に送信される。或いはまた、集束レンズ１１０はそれぞれ導波路エッジカップラ２６０と整列されるようにすることもでき、ファイバコネクタ５０からの光は順次に第１の反射体１２２により反射されるとともに集束レンズ１１０により導波路エッジカップラ２６０上に集束されるようにする。

本実施例では、光カプラ１０１には更に第２の反射体１２４が設けられている。集束レンズ１１０がそれぞれ導波路エッジカップラ２７０と整列されると、レーザ源２１０により放出される光２０１が順次に変調器２２０、シリコン導波路２３０及び導波路エッジカプラ２７０を通過し、次いで集束レンズ１１０により集束される。その後、集束レンズ１１０からの光２０１が第１の反射体１２２により第２の反射体１２４に反射され、この第２の反射体１２４が第１の反射体１２２により反射された光２０１をファイバコネクタ５０に反射させる。このファイバコネクタ５０により固定された光ファイバ５４は第２の反射体１２４により反射された光２０１を測定装置６０に送信する。従って、テストデバイス１００がフォトニックＩＣ２００上に支持されるようにすることにより、測定装置６０がフォトニックＩＣ２００の光学特性を測定して、例えば、フォトニックＩＣ２００が良好なチップであるか又は劣悪なチップであるかを決定するようにすることができる。本実施例では、測定装置６０を、例えば、光パワーメータとする。しかし、他の実施例では、測定装置６０を他の適切な光測定装置とすることができる。

集束レンズ１１０がそれぞれ導波路エッジカップラ２６０と整列されると、外部の光源により放出される光をファイバコネクタ５０により固定された光ファイバ５４を介して第２の反射体１２４に送信することができる。この第２の反射体１２４はファイバコネクタ５０からの光を第１の反射体１２２に反射させ、この第１の反射体１２２は第２の反射体１２４により反射された光を集束レンズ１１０に反射させる。その後、この集束レンズ１１０はこの光を導波路エッジカップラ２６０上に集束させ、次いでこの光が順次に導波路エッジカップラ２６０及びシリコン導波路２５０を通過するとともに光検出器２４０に送信されるようになる。光検出器２４０により光を電気信号に変換することにより、フォトニックＩＣ２００の光学的特性を決定する、例えば、フォトニックＩＣ２００が良好なチップであるか又は劣悪なチップであるかを決定することができる。本実施例では、光検出器２４０を、例えば、フォトダイオード又は適切な他の光検出素子とする。

本実施例では、光カプラ１０１が更に、第１の反射体１２２を覆う光送信媒体１３０を有し、この光送信媒体１３０の少なくとも１つの湾曲面（複数の湾曲面を一例として図１Ａに示してある）が前述した少なくとも１つの集束レンズ１１０（複数の集束レンズ１１０を一例として図１Ａに示してある）を形成するようにする。この光送信媒体１３０の材料はエポキシのようなポリマーを含み、この光送信媒体１３０において送信される光（例えば、光２０１）が例えば、赤外光であるようにする。

本実施例では、テストデバイス１００は更に、光送信媒体１３０に接続された少なくとも１つの支持素子１４０（図１Ａ及び図２Ｃには一例として２つの支持素子１４０が示されている）を具えている。この支持素子１４０がフォトニックＩＣ２００上に支持されているようにすることにより、テストデバイス１００により導波路エッジカプラ２７０又は２６０と集束レンズ１１０との相対位置を固定させる（例えば、導波路エッジカプラ２７０又は２６０と集束レンズ１１０とを高さにおいて互いに整列させる）ことができる。

本実施例では、集束レンズ１１０がそれぞれ導波路エッジカプラ２７０と整列されると、第１の反射体１２２に入射される光２０１の入射方向は第２の反射体１２４から放出される光２０１の出射方向と同じとなる。集束レンズ１１０がそれぞれ導波路エッジカプラ２６０と整列されると、ファイバコネクタ５０から到来し第２の反射体１２４に入射する光の入射方向は、第２の反射体１２４から到来し第１の反射体１２２から放出される光の出射方向と同じ方向となる。この場合、“同じ方向”とは、２つの方向の入射角が±１．５度の範囲内にあることを意味する。本実施例では、第１の反射体１２２を導波路エッジカプラ２７０から放出される光２０１の進行方向に対して傾けるか又は導波路エッジカプラ２６０に入射される光の進行方向に対して傾けるようにする。本実施例では、第１の反射体１２２及び第２の反射体１２４を金属フィルムのような反射性被膜とし、第１の反射体１２２は、例えば、第２の反射体１２４に対して平行とする。

本実施例のテストデバイス１００では、フォトニックＩＣ２００と光学的に整列させることができる光カプラ１０１を採用している為、測定工程を簡単化しうるとともに測定品質を良好にすることができるか、又は外部に対する光学的な結合を達成するために簡単なアーキテクチャを用いることができる。更に、フォトニックＩＣ２００とヘテロジニアスに集積化したテストデバイス１００も外部に結合するためのフォトニックＩＣ２００の光カプラとして作用しうるとともに、フォトニックＩＣ２００の完成品上に存続させてこのフォトニックＩＣ２００と相俟ってヘテロジニアスに集積化した構造体４００を形成するようにし、且つこのヘテロジニアスに集積化した構造体４００は外部に対する良好な光学的な結合を達成するための簡単なアーキテクチャを採用している。換言すれば、テストデバイス１００によりフォトニックＩＣ２００をテストする際、光カプラ１０１を、フォトニックＩＣ２００上に構成するとともにこのフォトニックＩＣ２００と光学的に整列させる。テストが終了した後には、テストデバイス１００をフォトニックＩＣ２００から取り外すことができる。テストデバイス１００をフォトニックＩＣ２００とヘテロジニアスに集積化する際、テストデバイス１００とフォトニックＩＣ２００との間の相対位置はテストの際の相対位置と同じにするが、テストデバイス１００及びフォトニックＩＣ２００は互いにパッケージ化して分離させないようにし、これによりヘテロジニアスに集積化した構造体４００を形成するようにする。

本発明の一実施例によるテスト方法では、上述したように光カプラ１０１がそれぞれ導波路エッジカプラ２７０又は２６０と整列して上述した光測定を達成するように、テストデバイス１００の支持素子１４０をフォトニックＩＣ２００上に支持されるようにすることができる。更に、本発明のテストデバイス１００及びテスト方法はウエハレベルのテストを達成することができる。換言すれば、複数のダイ（すなわち、複数のフォトニックＩＣ２００）をウエハ３００上に形成した後に、溝３１０を互いに隣接する２つのダイ間に形成して（例えば、溝３１０をエッチングにより形成して）フォトニックＩＣ２００の側面を露出させ、導波路エッジカプラ２７０及び２６０がこの側面上に露出されるようにすることができる。他方では、配列（アレイ）に配置した複数のテストデバイス１００を治具上に固定することができ、この場合これらのテストデバイス１００をそれぞれダイ上に支持されるようにして、図２Ａに示すようなダイの光学特性をそれぞれ測定し、これによりどのダイが良好なダイであり、どのダイが劣悪なダイであるかを決定するようにする。従って、その後の工程では、良好なダイのみをパッケージ化し且つ劣悪なダイをパッケージ化せずに廃棄するようにすることができる。フォトニックＩＣの製造工程の場合、パッケージ化の費用はウエハの製造処理の費用よりも高くなる。従って、本実施例ではウエハレベルのテストを採用して劣悪なダイをパッケージ化せずに廃棄するようにすることにより、全体の製造費用を有効に低減させることができる。

更に、本実施例では、光学的な結合のために導波路エッジカプラ２７０又は２６０を採用している為、表面カプラの欠点が存在しない。換言すれば、本実施例はウエハレベルのテストを達成するのに導波路エッジカプラを用いることができるとともに、通常のテスト方法の制限を回避することができる。

上述した実施例では、集束レンズ１１０をそれぞれ一例として導波路エッジカプラ２７０又は２６０と整列させるものである。しかし、他の実施例では、集束レンズ１１０の個数を増大させることもでき、これらの集束レンズ１１０を導波路エッジカプラ２７０及び２６０と同時に整列させて、光出力テスト及び光入力テストを同時に実行するようにしうる。

図３は、図１Ａのテストデバイスとファイバコネクタとの接続を示す線図的斜視図である。図１Ａ及び図３を参照するに、テストデバイス１００がファイバコネクタ５０に接続された場合、複数のガイドピン５３を用いてテストデバイス１００及びファイバコネクタ５０の相対位置を固定させることができる。ガイドピン５３の一端をテストデバイス１００における凹所（例えば、光送信媒体１３０における凹所）内に挿入することができ、ガイドピン５３の他端はファイバコネクタ５０における貫通孔５１内に挿入することができる。更に、ファイバコネクタ５０により固定された光ファイバ５４の一端はテストデバイス１００における凹所１３４（例えば、光送信媒体１３０における凹所１３４）内に挿入して光路を整列させることができる。

図４Ａは、本発明の他の実施例によるテストデバイスを示す線図的斜視図であり、図４Ｂは、図４ＡのテストデバイスをそのIII-III線に沿って示す線図的断面図であり、図４Ｃは、図４Ａのテストデバイスとファイバコネクタとの接続を示す線図的斜視図である。図２Ｂ及び図４Ａ～図４Ｃを参照するに、本実施例のテストデバイス１００ａは図１Ａ～図３のテストデバイス１００に類似しており、これらの双方間の主たる相違は以下の通りである。本実施例のテストデバイス１００ａでは、集束レンズ１１０をそれぞれ導波路エッジカプラ２７０と整列されると、第１の反射体１２２に入射される光２０１の入射方向が第２の反射体１２４から放出される光２０１の出射方向とは反対方向となる。集束レンズ１１０をそれぞれ導波路エッジカプラ２７０と整列されると、ファイバコネクタ５０から到来し且つ第２の反射体１２４に入射される光の入射方向は、第２の反射体１２４から到来し且つ第１の反射体１２２から放出される光の出射方向とは反対方向となる。ここで、“反対方向”とは、これらの２つの方向の狭角（included angle）が１８０±１．５度の範囲内にあることを意味する。

図５Ａは、本発明の更に他の実施例によるテストデバイスを示す線図的斜視図であり、図５Ｂは、図５ＡのテストデバイスをそのIV-IV線に沿って示す線図的断面図である。図５Ａ及び図５Ｂを参照するに、本実施例によるテストデバイス１００ｂは図１Ａ～図３のテストデバイス１００に類似しており、これらの双方間の主たる相違は以下の通りである。本実施例のテストデバイス１００ｂでは、光カップラ１０１ｂに第１の反射体１２２が含まれているが、図１Ａの第２の反射体１２４が含まれていない。第２の反射体１２４により反射される光２０１は光カップラ１０１ｂの上方に位置するファイバコネクタ５０に向けて上方に送信されるか、又はファイバコネクタ５０からの光が第１の反射体１２２に向けて下方に送信されるとともにこの第１の反射体１２２により集束レンズ１１０に向けて反射される。

上述したことを要約するに、本発明の実施例のテストデバイス及びヘテロジニアスに集積化した構造体においては、フォトニックＩＣと光学的に整列しうるか又はヘテロジニアスに集積化しうる光カプラを採用している為、測定工程を簡単化しうるとともに測定品質を良好にすることができるか、又は外部に対する光学的な結合を良好にするために簡単なアーキテクチャを用いることができる。

当業者にとって明らかなように、本発明の範囲又は精神から逸脱することなく、本明細書に開示した実施例の構造に対して種々の変形及び変更を行うことができる。上述したことを考慮するに、本発明は以下の特許請求の範囲内に入ることを条件として本発明の変形及び変更やこれらの等価形態に及ぶことが意図されるものである。

本発明の実施例のテストデバイス及びヘテロジニアスに集積化した構造体は、フォトニックＩＣの測定工程又はフォトニックＩＣのパッケージ化に適用しうる。

５０ファイバコネクタ
５１貫通孔
５３ガイドピン
５４光ファイバ
６０測定装置
１００、１００ａ、１００ｂテストデバイス
１０１、１０１ｂ光カプラ
１１０集束レンズ
１２２第１の反射体
１２４第２の反射体
１３０光送信媒体
１３２、１３４凹所
１４０支持素子
２００フォトニックＩＣ
２０１光
２１０レーザ源
２２０変調器
２３０、２５０シリコン導波路
２４０光検出器
２６０、２７０導波路エッジカップラ
３００ウエハ
３１０溝
４００ヘテロジニアスに集積化した構造体

Claims

フォトニック集積回路をテストするための構成されたテストデバイスであって、このテストデバイスは、
前記フォトニック集積回路と一体に構成され、且つこのフォトニック集積回路と整列されている光カプラを具えており、この光カプラが、
前記フォトニック集積回路上の少なくとも１つの導波路の端面と整列された少なくとも１つの集束レンズと、
第１の反射体であって、前記導波路の端面からの光が順次に前記集束レンズにより集束され、前記第１の反射体により反射され、且つファイバコネクタに送信されるようにするか、又は前記ファイバコネクタからの光が順次に前記第１の反射体により反射され、且つ前記集束レンズにより前記導波路の端面上に集束されるようにする当該第１の反射体と
を具えるテストデバイス。
請求項１に記載のテストデバイスにおいて、前記光カプラが更に、前記第１の反射体により反射された前記光を前記ファイバコネクタに反射させるように構成されているか又は前記ファイバコネクタからの前記光を前記第１の反射体に反射させるように構成されている第２の反射体を具えているテストデバイス。
請求項２に記載のテストデバイスにおいて、前記集束レンズから到来するとともに前記第１の反射体に入射される前記光の入射方向を、前記第１の反射体から到来するとともに前記第２の反射体から放出される前記光の出射方向と同じ方向とするか、又は前記ファイバコネクタから到来するとともに前記第２の反射体上に入射される前記光の入射方向を、前記第２の反射体から到来するとともに前記第１の反射体から放出される前記光の出射方向と同じ方向とするテストデバイス。
請求項２に記載のテストデバイスにおいて、前記集束レンズから到来するとともに前記第１の反射体に入射される前記光の入射方向を、前記第１の反射体から到来するとともに前記第２の反射体から放出される前記光の出射方向とは反対方向とするか、又は前記ファイバコネクタから到来するとともに前記第２の反射体上に入射される前記光の入射方向を、前記第２の反射体から到来するとともに前記第１の反射体から放出される前記光の出射方向とは反対方向とするテストデバイス。
請求項１に記載のテストデバイスにおいて、前記光カプラが更に、前記第１の反射体を覆う光送信媒体を具えており、この光送信媒体の少なくとも１つの湾曲面が前記少なくとも１つの集束レンズを形成しているテストデバイス。
請求項５に記載のテストデバイスにおいて、このテストデバイスが更に前記光送信媒体に接続された支持素子を具えており、この支持素子が前記フォトニック集積回路の表面上に支持されているようにすることにより、前記テストデバイスが前記導波路の端面及び前記集束レンズの相対位置を固定させるようにしたテストデバイス。
請求項５に記載のテストデバイスにおいて、前記光送信媒体の材料にポリマーが含まれているテストデバイス。
請求項１に記載のテストデバイスにおいて、前記第１の反射体が、前記導波路の端面から放出される又はこの前記導波路の端面上に入射される前記光の進行方向に対して傾けるようにしたテストデバイス。
請求項５に記載のテストデバイスにおいて、前記光送信媒体中で送信される光を赤外光とするテストデバイス。
請求項１に記載のテストデバイスにおいて、前記第１の反射体を反射性被膜としたテストデバイス。
ヘテロジニアスに集積化した構造体であって、このヘテロジニアスに集積化した構造体が、
テストデバイスと、
少なくとも１つの導波路の端面を有するフォトニック集積回路と、
を具え、
前記テストデバイスが、
ヘテロジニアスに集積化され、且つ前記フォトニック集積回路と光学的に整列した光カプラを具えており、前記光カプラが、
前記フォトニック集積回路上の前記少なくとも１つの導波路の端面と整列された少なくとも１つの集束レンズと、
第１の反射体であって、前記導波路の端面からの光が順次に前記集束レンズにより集束され、前記第１の反射体により反射され、且つファイバコネクタに送信されるようにするか、又は前記ファイバコネクタからの光が順次に前記第１の反射体により反射され、且つ前記集束レンズにより前記導波路の端面上に集束されるようにする当該第１の反射体と
を具える、
ヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１１に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記光カプラが更に、前記第１の反射体により反射された前記光を前記ファイバコネクタに反射させるように構成されているか又は前記ファイバコネクタからの前記光を前記第１の反射体に反射させるように構成されている第２の反射体を具えているヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１２に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記集束レンズから到来するとともに前記第１の反射体に入射される前記光の入射方向を、前記第１の反射体から到来するとともに前記第２の反射体から放出される前記光の出射方向と同じ方向とするか、又は前記ファイバコネクタから到来するとともに前記第２の反射体上に入射される前記光の入射方向を、前記第２の反射体から到来するとともに前記第１の反射体から放出される前記光の出射方向と同じ方向とするヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１２に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記集束レンズから到来するとともに前記第１の反射体に入射される前記光の入射方向を、前記第１の反射体から到来するとともに前記第２の反射体から放出される前記光の出射方向とは反対方向とするか、又は前記ファイバコネクタから到来するとともに前記第２の反射体上に入射される前記光の入射方向を、前記第２の反射体から到来するとともに前記第１の反射体から放出される前記光の出射方向とは反対方向とするヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１１に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記光カプラが更に、前記第１の反射体を覆う光送信媒体を具えており、この光送信媒体の少なくとも１つの湾曲面が前記少なくとも１つの集束レンズを形成しているヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１５に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、このヘテロジニアスに集積化した構造体が更に前記光送信媒体に接続された支持素子を具えており、この支持素子が前記フォトニック集積回路の表面上に支持されているようにすることにより、前記テストデバイスが前記導波路の端面及び前記集束レンズの相対位置を固定させるようにしたヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１５に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記光送信媒体の材料にポリマーが含まれているヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１１に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記第１の反射体が、前記導波路エッジカップラから放出される前記光の進行方向に対して傾けるようにしたヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１５に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記光送信媒体中で送信される光を赤外光とするヘテロジニアスに集積化した構造体。
請求項１１に記載のヘテロジニアスに集積化した構造体において、前記第１の反射体を反射性被膜としたヘテロジニアスに集積化した構造体。