TW201905515A - 光學元件、光學裝置及光學元件之製造方法 - Google Patents
光學元件、光學裝置及光學元件之製造方法Info
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Abstract
本發明提供一種光學元件,其意欲避免可能由該光學元件之過度研磨所引起之製造產量減少。光學元件包括佈置成一列且具有相對於光纖之光軸傾斜的各自的端面之複數根光纖,及固持該複數根光纖之固持器。該固持器具有與該複數根光纖之該等端面齊平的第一小平面、覆蓋該複數根光纖之除至少一個端面之外的該等端面之反射膜,及第二小平面,其形成由該等經覆蓋端面中之對應一者及該反射膜中之一者或兩者反射之光的透射表面。
Description
本發明係關於一種光學元件、一種與光學元件連接之光學裝置及一種製造光學元件之方法。
近年來,為降低光學裝置之高度,已作出關於將光纖連接至光學裝置之光學元件的各種考量。根據光學元件之一例示性方案,大體上平行於具備波導之晶片表面延伸之光纖具有相對於其光軸傾斜之端面,且光由傾斜端面反射,從而使光纖光學耦合於設置於晶片表面上之光柵耦合器(參見例如日本未審查專利申請公開案第2016-194658號及歐洲專利申請公開案第2808713號)。在由日本未審查專利申請公開案第2016-194658號所揭示之技術中,藉由黏接在端面上之保護膜避免在光纖之端面處反射特性之劣化或消除。
本發明之目標係提供一種光學元件、一種光學裝置及一種製造光學元件之方法,其意欲避免光學元件之製造產量減少。
根據本發明之第一態樣,提供一種光學元件,其包括佈置成一列且具有相對於光纖之光軸傾斜之各自的端面的複數根光纖,及固持複數根光纖之固持器。固持器具有與複數根光纖之端面齊平之第一小平面、覆蓋複數根光纖的除至少一個端面之外的端面之反射膜,及第二小平面,其形成由經覆蓋端面中之對應一者及反射膜中之一者或兩者反射之光的透射表面。
在根據本發明之以上態樣之光學裝置中,至少一個端面可以係複數根光纖中處於列之側端(最外側)之一者的端面。此外,反射膜可包括金屬膜。此外,固持器可包括具有佈置成一列且分別置放複數根光纖之複數個凹槽的有槽基板,及固持複數根光纖以使得光纖固持在有槽基板與蓋部件之間的蓋部件。
根據本發明之第二態樣,提供一種光學裝置,其包括根據本發明之第一態樣的光學元件及光學耦合裝置。在光學耦合裝置與具有待光學耦合於光學耦合裝置之端面的光纖中之一者的核心之中心之間的距離為55 μm或更短。
根據本發明之第三態樣,提供一種製造光學元件之方法。方法包括:固持步驟,其在固持器中固持佈置成一列的複數根光纖;第一小平面形成步驟,其沿相對於複數根光纖之光軸傾斜的平面切削固持複數根光纖之固持器以便形成第一小平面,該第一小平面含有複數根光纖之端面且在該平面中伸展;反射膜置放步驟,其將反射膜置放在複數根光纖之除至少一端面之外的端面上;及第二小平面形成步驟,其在固持器中形成充當由經覆蓋端面中之對應一者及反射膜中之一者或兩者反射的光之透射表面的第二小平面。
在根據本發明之第三態樣之方法中,第二小平面形成步驟可包括研磨反射膜之部分、固持器之部分及複數根光纖之包層中之各者的部分。
根據本發明之以上態樣,可避免在用於形成第二小平面而進行之研磨中意外研磨核心,且可避免光學元件之製造產量減少。此外,由於光纖之端面處核心的位置可參考未由反射膜覆蓋之光纖的端面處核心之末端的位置標識,可將光學元件相對於光學模組比相關技術更精確地置放。
現將參考附圖描述根據本發明之具體實施例之光學元件、光學裝置及製造光學元件之方法。本發明不限於以下實施例。本發明之範疇意欲由所附申請專利範圍界定且包括申請專利範圍之所有等效形式及對申請專利範圍在其範疇內作出的所有改變。
若將保護膜黏接在光纖之端面上,則變得難以或不可能以肉眼通過保護膜識別光纖之核心的位置。因此,若在光纖中傳播且隨後由端面反射之光自其中發射的透射表面,或尚待在光纖中傳播但由端面反射之光在其上入射的透射表面由以大體上平行於光纖之核心的方向進行研磨而形成,則不可消除可意外破壞核心之可能性。因此,光學元件之製造產量減少。鑒於以上情況構想本發明。本發明之目標係提供光學元件、光學裝置及製造光學元件之方法,其意欲避免光學元件之製造產量減少。 第一實施例
圖1係根據第一實施例之光學元件100的透視圖。光學元件100包括複數根光纖101t及固持器102。光纖101t中之各者延伸出固持器102外側的部分可具備覆蓋層。
固持器102固持不具備覆蓋層之複數根光纖101且包括光纖101t呈排列狀態之末端部分。舉例而言,將複數根光纖101佈置成一列,其中相應光軸在固持器102中之一個參考平面內大體上平行於彼此延伸。若三根或更多根光纖101之列由固持器102固持,則較佳將光纖101以規律的間隔或各自定義為其排列間距乘以2或更大之任何自然數的間隔佈置。若將光纖101以規律的間隔或各自定義為其排列間距乘以2或更大之任何自然數的間隔佈置,則可藉由確定光纖101中之至少一者的核心101x之位置容易地確定所有光纖101之核心101x的位置。在本文中,附圖標號101x用以指代其末端在圖1中所展示之核心(101xa、101xb、101xc、101xd、101xe及101xf)中之任一者或一般指代所有核心。
舉例而言,在圖1中,六根光纖101之列由固持器102固持。在固持器102之第一小平面103上,可見處於六根光纖101的列之相應側端之兩根光纖101之核心101xa及101xf的末端及圍繞相應核心101xa及101xf的包層101a及101f。第一小平面103與由核心101xa及101xf及圍繞其所設置之包層101a及101f形成之端面101ra及101rf齊平。
舉例而言,在圖1中,由六根光纖101除在列之側端的兩根之外的四根之核心(101xb、101xc、101xd及101xe)之末端形成的端面(101rb、101rc、101rd及101re)及圍繞其所設置之包層(101b、101c、101d及101e)在第一小平面103上由虛線展示。用虛線展示意謂端面(101rb、101rc、101rd及101re)由反射膜105覆蓋且因此難以或不可能以肉眼通過反射膜105識別。
反射膜105改變光在核心101x中之各者中的傳播方向。舉例而言,反射膜105包括由金(Au)、鋁(Al)或類似物製成之金屬膜。金屬膜改變光在核心101x中之各者中的傳播方向。由於反射膜105包括金屬膜,因此即使端面(101rb、101rc、101rd及101re)研磨不充分,亦可較可靠地改變光傳播之方向。為防止金屬膜劣化,可將金屬膜設置於玻璃(諸如矽石玻璃)膜與二氧化矽膜之間。舉例而言,可藉由經由金屬氣相沈積在玻璃膜上形成金屬膜且將二氧化矽沈積於其上獲得反射膜105。
若反射膜105由折射率比形成核心101x之材料低的材料形成,使得在核心101x中之各者中傳播之光入射於端面(101rb、101rc、101rd及101re)中之對應一者上的角度變為臨界角或更大,則反射膜105可引起全內反射。臨界角由形成核心101x之材料的折射率及形成反射膜105之材料的折射率確定。
固持器102之第一小平面103、第二小平面104及第三小平面107各自形成一個平坦表面。具體而言,在第一小平面103上存在之端面101ra及101rf及由反射膜105覆蓋之端面(101rb、101rc、101rd及101re)與第一小平面103齊平。六根光纖101之包層(101a、101b、101c、101d、101e及101f)在第二小平面104上及第三小平面107上曝露且與第二小平面104及第三小平面107中之各者齊平。
存在第一小平面103、第二小平面104及第三小平面107之固持器102的部分指示為固持器102之「前部」且與前部相對之部分指示為固持器102的「後部」,在固持器102中佈置成列之複數根光纖101各自在前部與後部之間的部分延伸穿過固持器102。在圖1中所展示之狀態中,端面由反射膜105覆蓋之四根光纖101指示為具備覆蓋層且自固持器102之後部延伸的光纖101t,其另一末端連接至連接器C。端面未由反射膜105覆蓋之其他光纖101亦可在其另一末端連接至連接器C且指示為光纖101t。此外,端面由反射膜105覆蓋之四根光纖101t中僅有一些可在其另一末端連接至連接器C。
參考圖1,存在於固持器102之前部的端面(101ra、101rb、101rc、101rd、101re及101rf)與第一小平面103齊平。因此,當光學元件100以光纖101佈置成一列之方向V1(換言之,第一小平面103與第二小平面104之間的連接線106延伸之方向)觀察時,光纖101之端面(101ra、101rb、101rc、101rd、101re及101rf)均以相同的角α相對於光纖101之光軸傾斜。若在圖1中隱藏之固持器102的頂部表面平行於上文所提及之參考平面,則角α對應於形成於第一小平面103與固持器102之頂部表面之間的角。
圖2係以方向V1所觀察之圖1中所展示之光學元件100的側視圖。可能難以自固持器102之側面觀察光纖101。因此,在圖2中,光纖101在固持器102中延伸之部分由虛線展示,且光纖101之核心一般由附圖標號101x指示。第一小平面103以角α相對於光纖101之光軸傾斜。相應地,含有光纖101之核心101x的末端之端面101r亦以角α相對於相應光纖101之光軸傾斜。因此,在光纖101之核心101x中之各者中傳播的光以表示為90°-α之角入射於端面101r中之對應一者上。應注意附圖標號101r指示端面(101ra、101rb、101rc、101rd、101re及101rf)中之任一者或一般指示端面(101ra、101rb、101rc、101rd、101re及101rf)。
舉例而言,考慮核心101xa及101xf,若在各自的端面101ra及101rf上入射角90°-α大於或等於由核心101xa及101xf之折射率及空氣之折射率所確定的臨界角,則入射於端面101ra及101rf中之各者上的光歷經全內反射,行進通過光纖101之包層101a及101f中之對應一者,且自第二小平面104發射至固持器102之外。光之特徵為即使傳播方向反向,傳播路徑亦不改變。因此,當自第二小平面104之側行進通過包層101a及101f中之各者且由端面101ra及101rf中的對應一者引起歷經全內反射之光經重導向以便以平行於光纖101中之對應一者之光軸的方向行進,且進入核心101xa及101xf中之對應一者時,光在對應核心101xa或101xf中向固持器102之後部傳播。
現在關注由反射膜105覆蓋之端面101r,假設在與核心101x連接處形成反射膜105之材料的折射率小於形成核心101x之材料的折射率。在此情況下,若在核心101x中之各者中傳播的光入射於端面101r中的對應一者上的入射角(90°-α)為臨界角或更大,則光歷經全內反射。已歷經全內反射之光透射通過包層中之對應一者且自第二小平面104發射至固持器102之外。若反射膜105包括金屬膜,則即使在端面101r處不歷經全內反射之情況下,光亦由金屬膜反射。因此,在核心101x中傳播之光透射通過第二小平面104。另一方面,當自第二小平面104進入光纖101之包層中之各者且由端面101r引起歷經全內反射或由反射膜105反射以重導向以沿光纖101之光軸之方向行進的光進入核心101x中之對應一者時,光在核心101x中向連接器C中之對應一者傳播。
亦即,第二小平面104充當由光纖101之端面101r及反射膜105中之至少一者反射之光的透射表面。若將反射膜105固定於第一小平面103之黏合劑的折射率設定成高於核心101x之折射率的值,則可控制光不由端面101r但由包括於反射膜105中之金屬膜反射。即使反射膜105不包括金屬膜,亦可藉由將用於將反射膜105固定於第一小平面103之黏合劑的折射率設定成小於核心101x之折射率的值而引起在端面101r處之全內反射。此外,即使黏合劑之折射率高於核心101x之折射率,亦可藉由將形成反射膜105之材料的折射率設定成小於黏合劑之折射率的值由反射膜105引起全內反射。
圖2中所展示之第二小平面104係平行於光纖101之光軸的表面。然而,第二小平面104不一定需要平行於光纖101之光軸且可取決於例如與光學模組連接相關之限制或類似者相對於光纖101之光軸傾斜。
圖2中所展示之第三小平面107基本上垂直於第二小平面104延伸。當由用諸如切塊機(dicer)之工具研磨形成第二小平面104時可形成第三小平面107。第三小平面107可相對於第二小平面104處於任何角度。取決於為形成第二小平面104而進行之研磨及在研磨之後進行之拋光,可省略第三小平面107(例如參見將在下文中提及之圖12)。
圖3展示光學元件100之例示性剖面,其沿垂直於方向V1(參見圖1)且延伸穿過光纖101之核心101x中之一者的平面取得。在圖3中,在圖2中由虛線所展示之光纖101及其核心101x由實線展示。在核心101x中之各者與端面101r中之對應一者的交點及核心101x中之各者之光軸與反射膜105的交點中之一者或兩者處發生反射,從而由光纖101之核心101x傳播之光P重導向。舉例而言,若形成於光軸與端面101r之間的角為45度,則在核心101x中傳播之光P由端面101r及反射膜105中之一者或兩者垂直地重導向。
因此,若用於透射及接收光之光學耦合裝置(諸如光柵耦合器)位於核心101x與端面101r之交點或核心101x之光軸與反射膜105之交點下方,則光學耦合裝置與光纖101可彼此光學耦合。在此情況下,可減小光學元件100之厚度(在圖2及圖3中固持器102在垂直方向上之長度)。亦即,可減小光學元件100之高度。
圖4A係以光纖101之光軸延伸之方向V2(參見圖2)觀察的光學元件100之正視圖。若第二小平面104平行於光軸,則第二小平面104在圖4A中不可見,固持器102之第一小平面103在上側展示且第三小平面107在下側展示。
光纖101之包層101a、101b、101c、101d、101e及101f在第三小平面107上曝露。亦即,當藉由用諸如切塊機之工具研磨及(必要時)在研磨之後進行拋光形成第二小平面104時,光纖101之包層(101a、101b、101c、101d、101e及101f)亦經研磨及拋光。若包層(101a、101b、101c、101d、101e及101f)經研磨及拋光,則可減小核心101x中之各者與光學耦合裝置之間的距離,嚴格地說,核心101x中之各者與端面101r中之對應一者的交點或核心101x之光軸與反射膜105的交點(在核心101x中傳播之光反射的位置)與光學耦合裝置之間的距離。
特定言之,若將以上距離設定成55 μm或更短,則光學耦合損失可減小至0.5 dB或更小,如由歐洲專利申請公開案第2808713號所揭示。因此,可滿足施加在光學元件100上之光學耦合損失之上限的典型要求。此外,若將距離設定成10 μm或更短,則光學耦合損失可減小至基本上零。
設置於第一小平面103上之反射膜105覆蓋光纖101除端面101ra及101rf之外的端面101r(參見圖2及圖3)。如上文所描述,光纖101之經覆蓋端面101r難以或不可能以肉眼通過反射膜105識別。因此,當經覆蓋光纖101光學耦合於光學耦合裝置時,對於光學元件100可藉由移動光學元件100同時觀測來自連接器C之輸出信號或來自光學耦合裝置之輸出信號,且找出信號輸出變為最高之位置來置放光學元件100。然而,該方法花費時間且難以控制,因為核心101x中之各者的直徑及諸如光柵耦合器之光學耦合裝置的尺寸在微米量級,且需要以亞微米量級控制光學元件100之固持器102的位置。
對比而言,根據第一實施例,可觀察到具有未由反射膜105覆蓋之端面101ra及101rf之光纖101。因此,根據由此觀察到的核心101xa及101xf之位置,可確定由反射膜105覆蓋之核心101xb、101xc、101xd及101xe之位置。
具體而言,首先量測在端面101ra及101rf處可觀察到之核心101xa與101xf之間的間隔L,且根據間隔L及核心101xa及101xf之位置確定經覆蓋光纖101之核心101xb、101xc、101xd及101xe的位置。舉例而言,在六根光纖101之列以規律間隔佈置且由固持器102固持的情況下,在六根光纖101中存在五個間隔。因此,可確定核心101xb、101xc、101xd及101xe位於連接核心101xa及核心101xf之虛擬的線上按順序向圖4A中右側離核心101xa L/5、(2*L)/5、(3*L)/5及(4*L)/5的相應距離。
未由反射膜105覆蓋之端面101r的數目不限於兩個且可為一個。舉例而言,參見圖4B,若僅有一個存在核心101xf之末端的端面未由反射膜105覆蓋,則可如下確定經覆蓋核心101xa、101xb、101xc、101xd及101xe之末端的位置。
將六根光纖101在上文所提及之參考平面中佈置成一列。因此,經覆蓋核心101x(核心101xa、101xb、101xc、101xd及101xe)之末端位於穿過核心101xf之末端且平行於參考平面之虛擬直線上。舉例而言,若參考平面與固持器102之頂部表面彼此平行,則經覆蓋核心101x之末端位於穿過核心101xf之末端且平行於固持器102之頂部表面的虛擬直線上。此外,使用以下知識:六根光纖101在參考平面上且以規律的間隔或以各自定義其排列間距乘以2或更大之任何自然數的間隔佈置,可確定經覆蓋核心101x平行於固持器102之頂部表面延伸且位於離核心101xf之末端的位置各自定義為光纖101之排列間距乘以1或更大之自然數的相應距離。
未由反射膜105覆蓋之端面101r不一定需要為位於光纖101之列的兩個側端中之一者或中之各者的光纖101之端面101r,且可為除在列之兩個側端的彼等之外的任何光纖101之端面101r。然而,若將未由反射膜105覆蓋之端面101r設定成在光纖101之列之側端(在最外側)之光纖101的端面101ra或101rf,則可將所需反射膜105之最小數設定成一,只要反射膜105具有矩形形狀即可。因此,可減小光學元件100之成本,且可簡化將反射膜105固定於第一小平面103之程序。即使未由反射膜105覆蓋之端面101r不在光纖101之列之側端(在最外側),亦可採用一個具有凹入形狀而非矩形形狀之反射膜105。然而,具有此種較不簡單形狀之反射膜105可增加形成反射膜105之步驟。
若將未由反射膜105覆蓋之端面101r設定成在光纖101之列兩個側端之端面101ra及101rf中之各者,則所需反射膜105之最小數為一。此外,可將間隔L設定成較大值。因此,可更精確地確定由反射膜105覆蓋之核心(101xb、101xc、101xd及101xe)之末端的位置。因此,可將光學元件100相對於光學裝置更精確地置放。
圖5係展示製造光學元件100之步驟的側視圖。首先,在固持步驟中,將例如以規律的間隔在垂直於其縱向方向V3之方向上佈置成一列之複數根光纖101置放於固持器上部部分102u與固持器下部部分102w之間,且用黏合劑或類似物將光纖101及固持器上部及下部部分102u及102w完全固定(若使用具有覆蓋層之複數根光纖101t,則預先移除在較接近端面101r之側之覆蓋層的至少部分)。為將以規律的間隔在垂直於縱向方向V3之方向上佈置光纖101,固持器上部部分102u及固持器下部部分102w中之至少一者可具有以規律的間隔所設置之凹槽,以使得光纖101配合在其中。
若固持器102包括此類有槽基板,則可使得複數根光纖101相鄰者之間的間隔與基板中之凹槽的間距相同或將其設定成基板中之凹槽的間距乘以2或更大的自然數。因此,可根據在未由反射膜105覆蓋之光纖101之端面101r處的核心101x之末端的位置更精確地確定在經覆蓋光纖101之端面101r處的核心101x之位置。因此,光學元件100可更易於相對於光學模組置放。
圖6亦展示圖5中所展示之固持步驟,其以光纖101之縱向方向V3觀察。圖6中所展示之實例係關於採用具有以規律的間隔所設置之V形凹槽的V槽基板102uv作為固持器上部部分102u之情況。當將複數根光纖101配合至V形凹槽時,在光纖101中之各者與V形凹槽中的對應一者之間產生間隙,因為光纖101具有圓形橫截面形狀。因此,首先將黏合劑提供至V形凹槽以便填充間隙,且將光纖101配合在其中。亦將黏合劑塗覆至固持器下部部分102w之上表面,且使固持器下部部分102w接近V槽基板102uv使得固持器下部部分102w充當蓋部件,從而將光纖101固持在固持器下部部分102w與V槽基板102uv之間。因此,V槽基板102uv、光纖101及固持器下部部分102w固定於彼此。儘管用作蓋部件之固持器下部部分102w係圖5及圖6中之扁平板,固持器下部部分102w亦可具有凹槽,以使得光纖101分別固持在固持器下部部分102w的凹槽與固持器上部部分102u之凹槽之間。
圖7係固定於彼此之固持器上部部分102u、光纖101及固持器下部部分102w之側視圖。光纖101之核心101x位於固持器上部部分102u中,其位於固持器下部部分102w上方。核心101x位於何處取決於圖6中所展示之設置於V槽基板102uv中之凹槽的尺寸、固持器下部部分102w中是否存在凹槽及其尺寸及光纖101之直徑。因此,取決於情況,光纖101之核心101x可位於固持器下部部分102w中。
圖8展示藉由研磨形成第一小平面103之例示性第一小平面形成步驟,其中以相對於光纖101之光軸傾斜的方向D1切削固持器上部部分102u及(必要時)固持器下部部分102w,從而移除部分102uk。藉由移除部分102uk,光纖101可具有相對於光軸傾斜之端面101r,且可獲得以方向D1延伸之平坦表面作為含有端面101r之第一小平面103。取決於方向D1及待移除之部分102uk的尺寸,呈平坦表面之延伸部分形式之表面102c可形成於固持器下部部分102w中,如圖8中所展示。在切削步驟之後,可拋光含有第一小平面103之表面以便拋光端面101r。
圖9展示反射膜置放步驟,其中將反射膜105以基本上垂直於表面之方向D2置放於如以上藉由移除部分102uk形成之表面上,且將反射膜105固定至其上。將反射膜105置放於複數根光纖101除至少一個端面101r之外的端面101r上。未由反射膜105覆蓋之端面101r可經任意選擇但較佳為在光纖101之列之側端(在最外側)之光纖101的端面101r,如上文所描述。
提供反射膜105以用於將在核心101x中之各者中傳播之光重導向。理論上,當覆蓋核心101x之末端時,不一定需要覆蓋整個含有核心101x之端面101r。然而,若整個端面101r由反射膜105覆蓋,則當為形成第二小平面104而進行研磨及(必要時)拋光時,端面101r受反射膜105保護,只有反射膜105之一部分經研磨。因此,避免端面101r處之包層經切削。相應地,避免核心101x受碎屑影響。因此,提高光學元件100之製造產量。在此態樣中,即使在第一小平面103及第二小平面104形成之後,反射膜105較佳地覆蓋端面101r中之各者及在第一小平面103與第二小平面104之間的邊界之整體。因此,當為形成第一小平面103而移除部分102uk (參見圖8)時,較佳以形成表面102c之方向D1切削固持器上部部分102u及固持器下部部分102w,且將反射膜105置放於表面102c之一部分上。取決於待給與反射膜105之功能,反射膜105可視為反射膜或保護性反射膜。
圖10係具有固定至其上之反射膜105之光學元件100的正視圖,其以光纖101之光學軸線方向V4 (參見圖9)觀察。在此狀態下,可觀察到未由反射膜105覆蓋之光纖101之端面101ra及101rf的核心101xa及101xf。因此,可藉由量測固持器下部部分102w之底表面與核心101xa及101xf中之各者之間的距離H而確定為形成第二小平面104研磨之量及拋光之量。距離H隨在個別產品中變化之固持器下部部分102w的厚度及提供於固持器下部部分102w與固持器上部部分102u之間的黏合劑之量變化。因此,若一致地確定為形成第二小平面104的研磨之量及拋光之量,則核心101x將可經研磨及拋光且可能損壞。
即使並未在距離H之量測值的基礎上預先確定研磨之量及拋光之量,當第二小平面104形成時,亦可參考核心101xa及101xf來觀察研磨或拋光已進行多少。在存在未由反射膜105覆蓋之端面101r之情況下,可避免核心101x在研磨及拋光期間損壞,且可避免製造產量減少。
圖11展示形成第二小平面104及(必要時)第三小平面107之第二小平面形成步驟,其中藉由將切塊機或類似者以方向D3推進至固持器下部部分102w及(必要時)固持器上部部分102u來進行研磨及(必要時)拋光,從而移除部分102wk。如上文所描述,置放反射膜105以使得反射膜105之部分在此步驟中亦經研磨及拋光。因此,當在第一小平面103與第二小平面104之間的連接線106經研磨及拋光時,避免出現碎屑。相應地,避免出現對核心101x之損傷。因此,避免製造產量減少。
圖12展示一種修改,其中第二小平面104以不形成第三小平面之方式形成。在圖12中,藉由對固持器上部部分102u及固持器下部部分102w相對於核心101x傾斜地研磨及拋光形成第二小平面104。在此步驟中,未形成第三小平面107。若如圖11中所展示形成第三小平面107,則當光學元件100連接至光學模組時,應力可集中於第二小平面104與第三小平面107之間的連接。為避免此種情況,例如圖12中所展示,使切塊機或類似者相對於核心101x以方向D4傾斜地前進以用於研磨及拋光,從而移除部分102ws。因此,未形成第三小平面,且避免應力之局部集中。
在圖10及其他圖中,複數個端面101ra及101rf展示為未由反射膜105覆蓋之端面101r。替代性地,如圖4B中所展示,未由反射膜105覆蓋之端面101r的數目可以係只有一個,例如只有端面101rf。
圖13A至圖13C展示形成第二小平面104之步驟同時觀察核心101xf。圖13A展示用於形成第二小平面104之研磨及拋光尚待進行之例示性狀態。換言之,圖13A展示在已移除部分102uk (參見圖8)之後已置放反射膜105之狀態。
圖13B展示一種狀態,其中已自固持器下部部分102w之底表面102b (參見圖12)以例如平行於底表面102b之方向開始研磨,且已藉由在切塊機尖端研磨形成第三小平面107。由於可觀察到核心101xf之末端,因此可量測磨光面與核心101xf之間的距離以用於檢查研磨之進度。隨後可進行拋光。
圖13C展示一種狀態,其中研磨及拋光相比於圖13B進一步進行,磨光面與核心101xf之間的距離已減少至預定值或更小,且已完成研磨及拋光。由於可檢查研磨之量,因此可避免核心101x之意外研磨及拋光。 第二實施例
圖14展示如何將光學元件100連接至作為例示性光學模組之矽光子裝置200。為將光學元件100連接至矽光子裝置200,將光學元件100之第一小平面103相對於矽光子裝置200移動且使其靠近,且使第二小平面104最終位於光學耦合裝置之上。矽光子裝置200包括在其表面上且在圖14中靠近其上部末端之光柵耦合器(201b、201c、201d及201e),該等光柵耦合器為例示性光學耦合裝置。設置光柵耦合器(201b、201c、201d及201e)以用於將光輸入至光纖101及將光自光纖101輸出。光柵耦合器(201b、201c、201d及201e)以與包括於光學元件100中之複數根光纖101相同之間隔佈置,使得光學元件100與矽光子裝置200可彼此光學耦合,其中在由反射膜105覆蓋之端面(101rb、101rc、101rd及101re)處之核心(101xb、101xc、101xd及101xe)的末端分別位於光柵耦合器(201b、201c、201d及201e)上。
光柵耦合器201b及201c接收來自光學元件100分別在核心101xb及101xc中傳播之光信號。為此,光柵耦合器201b及201c具備光電二極體PD1及PD2,其各自為將光信號轉化成電信號之例示性裝置。來自光電二極體PD1及PD2之輸出提供至信號處理電路202,且所得電信號分別輸出至端子Tb及Tc。光柵耦合器201d及201e使得光信號分別傳播進入核心101xd及101xe。為此,光柵耦合器201d及201e接收自Mach-Zehnder干涉調變器MM1及MM2輸出之光,Mach-Zehnder干涉調變器MM1及MM2各自為根據產生於分別自端子Td及Te輸入且由信號處理電路202處理之電信號的光信號調變光信號之例示性光學調變器電路。
圖15係光纖101光學耦合於矽光子裝置200之光學元件100的側視圖,其中核心(101xb、101xc、101xd及101xe)之末端位於相應光柵耦合器(201b、201c、201d及201e)上。輸入至連接器C中之各者且在核心101x中之對應一者中沿圖之平面水平地傳播的光由端面101r中之對應一者及反射膜105中之一者或兩者以重導向基本上90度之方式反射。隨後,光基本上垂直地進入矽光子裝置200之晶片表面且到達光柵耦合器201中之對應一者。光柵耦合器201各自將所接收之光重導向基本上90度以使得光沿設置於矽光子裝置200之基板中之波導中的對應一者水平地行進,籍此將光輸入至光電二極體PD。
另一方面,自Mach-Zehnder干涉調變器MM中之各者輸出之光(未示出)沿設置於矽光子裝置200之晶片中之波導中的對應一者水平地行進且到達光柵耦合器201中之對應一者。光柵耦合器201各自將所接收之光重導向基本上90度且基本上垂直於矽光子裝置200之晶片表面發射光。自光柵耦合器201中之各者發射之光由端面101r中之對應一者及反射膜105中之一者或兩者以重導向基本上90度之方式反射,水平地傳播至核心101x,且自連接器C中之對應一者輸出。
由端面101r中之各者或反射膜105以重導向基本上90度之方式反射,且基本上垂直地入射於矽光子裝置200之晶片表面上之光及自光柵耦合器201中之各者發射之光以諸如高斯分佈(Gaussian distribution)之預定分佈各自漫射。因此,光柵耦合器201中之各者與端面101r處的核心101x中之對應一者的末端之間的距離愈短,在光柵耦合器201與核心101x之末端之間可能出現的光損失愈小。因此,根據第一實施例之光學元件100採用第二小平面104,從而可使核心101x中之各者的末端與由第二小平面104所形成之透光性表面之間的距離例如小於55 μm。因此,可進一步減小以上光損失。若諸如黏接層或用於避免漫反射之層的任何層設置於光學元件100與光柵耦合器201之間,則考慮黏接層或用於避免漫反射的層之厚度,將核心101x中之各者的末端與由第二小平面104形成之透光性表面之間的距離設定成例如小於55 μm。
若核心101x之末端的位置係確定的,則可將核心101x之末端定位於相應光柵耦合器201上。具體而言,如圖14中所展示,僅需要確定端面101r處的核心101x之末端在光纖101佈置成一列之X軸方向上及在光纖101中的各者之光軸延伸的Y軸方向上的位置。
可藉由自光學元件100之第二小平面104形成於其上之側通過包層(101a、101b、101c、101d、101e及101f)觀察端面101r處的核心101x確定核心101x在Y軸方向上之位置。當核心101x在Y軸方向上之位置確定時,可獲得如圖15中所展示之使光學元件100與矽光子裝置200彼此重疊之長度O。
如上文所描述,可根據可在端面101ra及101rf上觀察到的核心101xa與101xf之末端之間的間隔L確定核心101x在X軸方向上之位置。因此,舉例而言,可獲得圖14中所展示之自矽光子裝置200之右末端200R至端面101rf處的核心101xf之長度R。
在所有核心101x難以或不可能以肉眼通過反射膜105識別之情況下,只能使光學元件100與矽光子裝置200彼此靠近,將光信號自連接器Cb及Cc輸入至端子Tb及Tc且將電信號輸入至端子Td及Te,且找出自端子Tb及Tc輸出的電信號之強度及由連接器Cd及Ce接收的光信號之強度變為最高的光學元件100及矽光子裝置200之位置。光纖101之核心101x的直徑及光柵耦合器201之尺寸各自在微米量級。因此,光學元件100及矽光子裝置200需要相對於彼此以亞微米量級移動。此種工作非常難以進行。
對比而言,根據本發明之第二實施例,由於可確定端面101r處的核心101x之末端的位置,因此可藉由參考確定的位置相對於彼此置放光學元件100及矽光子裝置200容易地使光學元件100與矽光子裝置200彼此連接。
圖14係基於當光學元件100與矽光子裝置200彼此連接時核心101xa及101xf未光學耦合於任何物體之假設。本發明不限於此實施例。矽光子裝置200可包括對應於核心101xa及101xf之光柵耦合器以便與其光學耦合。在彼情況下,為避免在光學元件100與矽光子裝置200彼此連接之後,歸因於具有高折射率的任何物質黏附於核心101xa及101xf之末端,端面101ra及101rf處的反射特性之劣化或消除,端面101ra及101rf可在光學元件100與矽光子裝置200彼此連接之後由與反射膜105相同之反射膜覆蓋。
100‧‧‧光學元件
101a‧‧‧包層
101b‧‧‧包層
101c‧‧‧包層
101d‧‧‧包層
101e‧‧‧包層
101f‧‧‧包層
101r‧‧‧端面
101ra‧‧‧端面
101rb‧‧‧端面
101rc‧‧‧端面
101rd‧‧‧端面
101re‧‧‧端面
101rf‧‧‧端面
101t‧‧‧光纖
101tb‧‧‧光纖
101tc‧‧‧光纖
101td‧‧‧光纖
101te‧‧‧光纖
101x‧‧‧核心
101xa‧‧‧核心
101xb‧‧‧核心
101xc‧‧‧核心
101xd‧‧‧核心
101xe‧‧‧核心
101xf‧‧‧核心
102‧‧‧固持器
102b‧‧‧底表面
102c‧‧‧表面
102u‧‧‧固持器上部部分
102uk‧‧‧部分
102uv‧‧‧V槽基板
102w‧‧‧固持器下部部分
102wk‧‧‧部分
102ws‧‧‧部分
103‧‧‧第一小平面
104‧‧‧第二小平面
105‧‧‧反射膜
106‧‧‧連接線
107‧‧‧第三小平面
200‧‧‧矽光子裝置
200L‧‧‧左末端
200R‧‧‧右末端
201b‧‧‧光柵耦合器
201c‧‧‧光柵耦合器
201d‧‧‧光柵耦合器
201e‧‧‧光柵耦合器
202‧‧‧信號處理電路
C‧‧‧連接器
Cb‧‧‧連接器
Cc‧‧‧連接器
Cd‧‧‧連接器
Ce‧‧‧連接器
D1‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
H‧‧‧距離
L‧‧‧間隔
MM‧‧‧Mach-Zehnder干涉調變器
MM1‧‧‧Mach-Zehnder干涉調變器
MM2‧‧‧Mach-Zehnder干涉調變器
O‧‧‧長度
P‧‧‧光
PD1‧‧‧光電二極體
PD2‧‧‧光電二極體
R‧‧‧長度
Tb‧‧‧端子
Tc‧‧‧端子
Td‧‧‧端子
Te‧‧‧端子
V1‧‧‧方向
V2‧‧‧方向
V3‧‧‧縱向方向
V4‧‧‧光學軸線方向
α‧‧‧角
圖1係根據本發明之第一實施例之光學元件的透視圖。
圖2係圖1中所展示之光學元件的側視圖。
圖3係圖1中所展示之光學元件的剖視圖。
圖4A係圖1中所展示之光學元件的正視圖。
圖4B係根據本發明之第一實施例的修改之光學元件的正視圖。
圖5展示根據本發明之第一實施例之光學元件的製造步驟。
圖6亦展示根據本發明之第一實施例之光學元件的製造步驟。
圖7展示根據本發明之第一實施例之光學元件的另一製造步驟。
圖8展示根據本發明之第一實施例之光學元件的又一製造步驟。
圖9展示根據本發明之第一實施例之光學元件的又一製造步驟。
圖10展示根據本發明之第一實施例之光學元件的又一製造步驟。
圖11展示根據本發明之第一實施例之光學元件的又一製造步驟。
圖12展示根據本發明之第一實施例之光學元件的又一製造步驟。
圖13A、圖13B及圖13C各自展示根據本發明之第一實施例之光學元件的又一製造步驟。
圖14展示根據本發明之第二實施例之光學裝置,其包括面對面置放之光學元件及光學模組。
圖15係根據本發明之第二實施例之光學裝置的側視圖。
Claims (7)
- 一種光學元件,其包含: 複數根光纖,其佈置成一列且具有相對於該等光纖之光軸傾斜之各自的端面;及 固持器,其固持該複數根光纖, 其中該固持器具有 第一小平面,其與該複數根光纖之該等端面齊平; 反射膜,其覆蓋該複數根光纖除至少一個端面之外的該等端面;及 第二小平面,其形成由該等經覆蓋端面中之對應一者及該反射膜中之一者或兩者反射之光的透射表面。
- 如請求項1之光學元件,其中 該至少一個端面係該複數根光纖中處於該列之最外側之一者的該端面。
- 如請求項1或2之光學元件,其中 該反射膜包括金屬膜。
- 如請求項1至3中任一項之光學元件, 其中該固持器包括 有槽基板,其具有佈置成一列且分別放置該複數根光纖之複數個凹槽;及 蓋部件,其固持該複數根光纖以使得該等光纖固持在該有槽基板與該蓋部件之間。
- 一種光學裝置,其包含: 如請求項1至4中任一項之光學元件;及 光學耦合裝置, 其中該光學耦合裝置與具有待光學耦合於該光學耦合裝置之端面的該等光纖中之一者之核心的中心之間的距離為55 μm或更短。
- 一種製造光學元件之方法,其包含: 固持步驟,其在固持器中固持佈置成一列之複數根光纖; 第一小平面形成步驟,其沿相對於該複數根光纖之光軸傾斜的平面剪割固持該複數根光纖之該固持器,以便形成含有該複數根光纖之端面且在該平面中延伸之第一小平面; 反射膜置放步驟,其將反射膜置放於該複數根光纖除至少一個端面之外的該等端面上;及 第二小平面形成步驟,其在該固持器中形成充當用於由該等經覆蓋端面中之對應一者及該反射膜中之一者或兩者反射的光之透射表面的第二小平面。
- 如請求項6之方法,其中 該第二小平面形成步驟包括研磨該反射膜之部分、該固持器之部分及該複數根光纖的包層中之各者的部分。
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