KR20130073901A - 전자 빔 경화 실리콘 처리 섬유 웨브 - Google Patents

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KR20130073901A
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랑 엔. 응우엔
칼 비. 리쳐
로이 웅
파누 케이. 졸러
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쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
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Abstract

실리콘 처리 섬유 웨브가 개시된다. 실리콘 처리 웨브는 전자 빔 경화 실리콘 조성물로 포화된 섬유 웨브를 포함한다. 전자 빔 경화 실리콘 코팅을 갖는 실리콘 처리 웨브가 또한 개시된다. 코팅된 그리고 비코팅된 실리콘 처리 섬유 웨브 둘 모두의 제조 방법이 또한 개시된다.

Description

전자 빔 경화 실리콘 처리 섬유 웨브{ELECTRON BEAM CURED SILICONIZED FIBROUS WEBS}
본 발명은 전자 빔 경화 실리콘 물질로 포화된 섬유 웨브 및 그러한 웨브의 제조 방법에 관한 것이다.
간략하게는, 일 태양에서, 본 발명은 실리콘 처리 웨브의 제조 방법을 제공한다. 이들 방법은 섬유 웨브를 하나 이상의 폴리실록산 물질을 포함하는 제1 조성물로 포화시켜 포화된 웨브를 형성하는 단계와, 폴리실록산 물질을 가교결합시키도록 제1 조성물을 전자 빔 경화시켜 경화되고 포화된 웨브를 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 본 방법은 경화되고 포화된 웨브를 하나 이상의 폴리실록산 물질을 포함하는 제2 조성물로 코팅하는 단계와, 폴리실록산 물질을 가교결합시키도록 제2 조성물을 전자 빔 경화시켜 경화되고 포화되고 코팅된 웨브를 형성하는 단계를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 본 방법은 포화된 웨브를 하나 이상의 폴리실록산 물질을 포함하는 제2 조성물로 코팅하는 단계와, 제1 조성물 및 제2 조성물을 폴리실록산 물질을 가교결합시키도록 전자 빔 경화시켜 경화되고 포화되고 코팅된 웨브를 형성하는 단계를 포함한다.
다른 태양에서, 본 발명은 가교결합 폴리실록산 물질을 포함하는 전자 빔 경화 제1 조성물로 포화된 웨브를 포함하는 실리콘 처리 웨브를 제공한다. 일부 실시 형태에서, 실리콘 처리 웨브는 실리콘 처리 웨브의 일측의 또는 양측의 주 표면 상의, 가교결합 폴리실록산 물질을 포함하는 전자 빔 경화 제2 조성물을 또한 포함한다.
일부 실시 형태에서, 하나 또는 둘 모두의 조성물의 폴리실록산 물질은 비작용성 폴리실록산, 실라놀 종결된 폴리실록산, 및 알콕시 종결된 폴리실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, 하나 또는 둘 모두의 조성물의 폴리실록산 물질은 폴리 다이메틸실록산을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 하나 또는 둘 모두의 조성물의 모든 폴리실록산 물질은 비작용성 폴리실록산이다. 일부 실시 형태에서, 하나 또는 둘 모두의 조성물에는 촉매 및 개시제가 사실상 없다. 일부 실시 형태에서, 하나 또는 둘 모두의 조성물은 5 중량% 이하의 용매를 포함한다.
일부 실시 형태에서, 웨브는 유리섬유, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 면 및 금속 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 웨브는 직조 천, 부직 천 또는 편직 천이다.
본 발명의 상기 개요는 본 발명의 각각의 실시 형태를 설명하고자 하는 것은 아니다. 본 발명의 하나 이상의 실시 형태의 상세 사항이 또한 하기의 구체적인 내용에서 설명된다. 본 발명의 다른 특징, 목적 및 이점은 하기의 상세한 설명과 특허청구범위로부터 명백하게 될 것이다.
<도 1>
도 1은 본 발명의 일부 실시 형태에 따른 예시적인 실리콘 처리 웨브를 도시하는 도면.
흔히 섬유 웨브는 바람직한 수밀 및/또는 기밀 성능을 얻기 위하여 웨브의 다공성을 감소시키거나 또는 제거할 필요가 있는 응용에서 사용하기 위하여 코팅된다. 흔히 실리콘 코팅이 유기 물질에 우선해서 선택되며, 이는 실리콘이 제공하는 특성들, 예를 들어 열안정성, 내화학성, 내화성, UV 내성 및 방수성의 독특한 조합 때문이다.
실리콘 처리 섬유 웨브, 예를 들어 직조 및 부직 천이 매우 다양한 응용에서 사용된다. 예시적인 응용에는 비점착성 벨트 및 슬리브, 방수포(tarpaulin)를 포함하는 방수 용품, 용접 블랭킷(welding blanket), 베이킹 매트(baking mat), 및 고무 보트(inflatable boat)와, 자동차 응용, 예를 들어 에어백(airbag), 컨버터블 탑(convertible top), 및 트렁크 커버(trunk cover)에서 사용하기 위한 물질이 포함된다. 추가의 응용은 열기구(hot air balloon), 범포(sail cloth), 텐트, 차양(awning), 및 공사용 거푸집(construction form)을 포함한다.
전형적으로 실리콘 처리 웨브를 제조하는 데 사용되는 현재의 방법에서는 열경화되는 용매 기반 실리콘이 사용된다. 현재의 방법은 흔히 웨브 포화에 요구되는 점도를 제공하기 위하여 다량의 용매를 사용하는 것을 필요로 한다. 게다가, 상기 방법은 흔히 느리며, 이는 다수의 코팅/포화, 건조 및 열경화 단계가 필요할 수 있기 때문이다.
본 발명에 적합한 섬유 웨브는 임의의 공지된 물질로 만들어질 수 있다. 예시적인 물질에는 중합체성 물질(예를 들어, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드 및 폴리올레핀), 유기 섬유(면, 울, 대마 및 아마); 및 무기 섬유(예를 들어, 유리섬유, 세라믹 및 금속)가 포함된다. 섬유 웨브는 예를 들어 직조 웨브, 부직 웨브, 편물, 스크림 및 메시를 포함하는 많은 형태로 있게 된다.
통상의 실리콘 물질은 특정 유형의 촉매를 이용하는 열 공정에 의해 경화된다. 예를 들어, 백금 촉매가 부가 경화 시스템과 함께 사용되어 왔으며, 과산화물(예를 들어, 벤조일 퍼옥사이드)이 수소-추출 경화 시스템과 함께 사용되어 왔으며, 주석 촉매가 수분/축합 경화 시스템과 함께 사용되어 왔다.
일반적으로, 이들 접근법은 실록산 골격에 부착된 반응성 작용기를 필요로 한다. 예를 들어, 부가-경화 백금-촉매 작용 시스템은 일반적으로 규소 결합된 비닐 작용기와 규소 결합된 수소 사이의 하이드로실릴화 반응에 의존한다. 비용 및 다른 쟁점들을 고려하면, 적당한 경화를 위하여 특정한 작용기를 필요로 하지 않는 물질을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 촉매 및/또는 개시제의 사용 없이 경화될 수 있는 실리콘 시스템을 갖는 것이 또한 유용할 수 있다.
UV-경화 및 전자 빔 경화 실리콘 물질이 공지되어 있다. 이들 시스템은 전형적으로 촉매 및 특정 작용기의 사용을 필요로 한다. 특히, 아크릴레이트-작용성 및 에폭시-작용성 실리콘은 촉매의 존재 하에서 방사선 경화되어 왔다.
본 발명자는 실리콘 처리 웨브의 새로운 제조 방법을 발견하였다. 일반적으로, 이 방법은 실리콘 물질을 전자빔 경화시켜 가교결합된 폴리실록산 네트워크를 형성하는 단계를 포함한다. 일반적으로, 이 방법은 비작용성 실리콘 물질과 함께 사용될 수 있다. 작용성 실리콘 물질이 또한 사용될 수 있지만, 특정 작용기는 전형적으로 가교결합에 연루되지 않기 때문에 이들 작용기의 성질 및 존재는 중요하지 않다.
실리콘 물질을 경화시키는 이전의 방법과 대조적으로, 본 발명의 방법은 촉매 또는 개시제의 사용을 필요로 하지 않는다. 따라서, 본 발명의 방법은 그러한 촉매 또는 개시제가 "실질적으로 없는" 조성물을 경화시키는 데 사용될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 조성물이 "유효량"의 촉매 또는 개시제를 포함하지" 않는다면, 조성물에는 "촉매 및 개시제가 실질적으로 없다". 잘 이해되는 바와 같이, "유효량"의 촉매 또는 개시제는 촉매 또는 개시제의 유형, 경화성 물질의 조성, 및 경화 방법(예를 들어, 열경화, UV-경화 등)을 비롯한 다양한 인자에 좌우된다. 일부 실시 형태에서, 특정 촉매 또는 개시제는 촉매 또는 개시제의 양이 조성물의 경화 시간을, 그 촉매 또는 개시제가 없는 동일한 경화 조건에서의 동일한 조성물에 대한 경화 시간에 대하여 적어도 10%만큼 감소시키지 않는다면, "유효량"으로 존재하지 않는다.
일반적으로, 본 발명에 유용한 실리콘 물질은 폴리실록산, 즉 폴리실록산 골격을 포함하는 물질이다. 일부 실시 형태에서, 비작용화된 실리콘 물질은 지방족 및/또는 방향족 치환기를 갖는 실록산 골격을 예시하는 하기의 화학식으로 표현되는 선형 물질일 수 있다:
[화학식 1]
Figure pct00001
여기서, R1, R2, R3, 및 R4는 알킬 기 및 아릴 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R5는 알킬 기이고, n 및 m은 정수이고, m 또는 n 중 적어도 하나는 0이 아니다. 일부 실시 형태에서, 알킬 또는 아릴 기들 중 하나 이상은 할로겐 치환기, 예를 들어 불소를 함유할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시 형태에서, 알킬 기들 중 하나 이상은 -CH2CH2C4F9일 수 있다.
일부 실시 형태에서, R5는 메틸 기인데, 즉 비작용화된 폴리실록산 물질은 트라이메틸실록시 기로 종결된다. 일부 실시 형태에서, R1 및 R2는 알킬 기이고, n은 0인데, 즉 이 물질은 폴리(다이알킬실록산)이다. 일부 실시 형태에서, 알킬 기는 메틸 기, 즉 폴리(다이메틸실록산)("PDMS")이다. 일부 실시 형태에서, R1은 알킬 기이고, R2는 아릴 기이고, n은 0인데, 즉 이 물질은 폴리(알킬아릴실록산)이다. 일부 실시 형태에서, R1은 메틸 기이고, R2는 페닐 기인데, 즉 이 물질은 폴리(메틸페닐실록산)이다. 일부 실시 형태에서, R1 및 R2는 알킬 기이고, R3 및 R4는 아릴 기인데, 즉 이 물질은 폴리(다이알킬다이아릴실록산)이다. 일부 실시 형태에서, R1 및 R2는 메틸 기이고, R3 및 R4는 페닐 기인데, 즉 이 물질은 폴리(다이메틸다이페닐실록산)이다.
일부 실시 형태에서, 비작용화된 폴리실록산 물질은 분지될 수 있다. 예를 들어, R1, R2, R3, 및/또는 R4 기들 중 하나 이상은 알킬 또는 아릴 (할로겐화된 알킬 또는 아릴을 포함함) 치환기 및 말단 R5 기를 갖는 선형 또는 분지형 실록산일 수 있다.
본 명세서에 사용되는 바와 같이 "비작용기"는 탄소, 수소, 및 일부 실시 형태에서는 할로겐(예를 들어, 불소) 원자로 이루어진 알킬 또는 아릴 기이다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이,"비작용화된 폴리실록산" 물질은 R1, R2, R3, R4, 및 R5 기가 비작용기인 것이다.
일반적으로, 작용성 실리콘 시스템은 출발 물질의 폴리실록산 골격에 부착된 특정 반응성 기(예를 들어, 하이드록실 및 알콕시 기)를 포함한다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이,"작용화된 폴리실록산 물질"은 화학식 2의 R 기들 중 적어도 하나가 작용기인 것이다.
[화학식 2]
Figure pct00002
일부 실시 형태에서, 작용성 폴리실록산 물질은 R 기들 중 적어도 2개가 작용기인 것이다. 일반적으로, 화학식 2의 R 기들은 독립적으로 선택될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 모든 작용기는 하이드록시 기 및/또는 알콕시 기이다. 일부 실시 형태에서, 작용성 폴리실록산은 실라놀 종결된 폴리실록산, 예를 들어 실라놀 종결된 폴리 다이메틸실록산이다. 일부 실시 형태에서, 작용성 실리콘은 알콕시 종결된 폴리 다이메틸 실록산, 예를 들어 트라이메틸 실록시 종결된 폴리 다이메틸 실록산이다.
작용성 R 기들 외에도, R 기들은 비작용기, 예를 들어 알킬 또는 아릴 기 - 할로겐화된 (예를 들어, 플루오르화된) 알킬 및 아릴 기를 포함함 - 일 수 있다. 일부 실시 형태에서, 작용화된 폴리실록산 물질은 분지될 수 있다. 예를 들어, R 기들 중 하나 이상은 작용성 및/또는 비작용성 치환기를 갖는 선형 또는 분지형 실록산일 수 있다.
일반적으로, 실리콘 물질은 오일, 유체, 검(gum), 탄성중합체, 또는 수지, 예를 들어 잘 부서지는 고체 수지일 수 있다. 일반적으로, 더 작은 분자량, 더 낮은 점도의 물질은 유체 또는 오일로 칭해지는 반면, 더 큰 분자량, 더 높은 점도의 물질은 검으로 칭해지지만, 이들 용어 사이에 뚜렷한 차이는 없다. 탄성중합체 및 수지는 검보다 훨씬 더 높은 분자량을 가지며, 전형적으로 유동하지 않는다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 용어 "유체" 및 "오일"은 25℃에서의 역학점도(dynamic viscosity)가 1,000,000 mPa·sec 이하 (예를 들어, 600,000 mPa·sec 미만)인 물질을 말하는 반면, 25℃에서의 역학점도가 1,000,000 mPa·sec 초과 (예를 들어, 10,000,000 mPa·sec 이상)인 물질은 "검"으로 칭해진다.
일반적으로 웨브의 포화에 바람직한 점도를 얻기 위하여, 고분자량 물질을 기재에 코팅하거나 달리 적용하기 위하여 고분자량 물질을 용매로 희석시키는 것이 필요할 수 있다. 그러나, 일부 실시 형태에서 무용매 시스템이 바람직할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 조성물은 5 중량% 미만, 예를 들어, 2 중량% 미만, 예를 들어, 1 중량% 미만의 용매를 포함한다.
용매 사용을 피하기 위하여, 일부 실시 형태에서, 25℃에서의 역학점도가 200,000 mPa·sec 이하, 100,000 mPa·sec 이하, 또는 심지어 50,000 mPa·sec 이하인 것들을 비롯한 저분자량 실리콘 오일 또는 유체를 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 더 높은 점도의 물질이 사용될 수 있으며, 포화 동안의 점도는 실리콘 물질을 가열함으로써 감소될 수 있다.
웨브의 포화를 용이하게 하는 데 필요로 하는 실리콘 물질의 점도는 웨브의 개구 면적(open area)에 좌우된다. 점성이 더 큰 물질이 더 성긴 위브(looser weave) 및 더 낮은 스레드 수(thread count)의 웨브에서 사용될 수 있다. 더 치밀한 위브 및 더 높은 스레드 수의 웨브는 더 낮은 점도를 필요로 할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 실리콘 물질의 25·에서의 동점도(kinematic viscosity)는 0.25 ㎡/s (250,000 센티스토크(cSt)) 이하, 예를 들어, 0.1 ㎡/s (100,000 cSt) 이하, 또는 심지어 0.05 ㎡/s (50,000 cSt) 이하이다. 일부 실시 형태에서, 실리콘 물질들의 조합을 사용하는 것이 바람직할 수 있는데, 여기서 실리콘 물질들 중 적어도 하나는 25℃에서의 동점도가 0.005 ㎡/s (5,000 센티스토크(cSt)) 이상, 예를 들어 0.01 ㎡/s (10,000 cSt) 이상, 또는 심지어 0.015 ㎡/s (15,000 cSt) 이상이다. 일부 실시 형태에서, 25℃에서의 동점도가 0.001 내지 0.05 ㎡/s (1000 내지 50,000 cSt), 예를 들어 0.005 내지 0.05 ㎡/s (5,000 내지 50,000 cSt), 또는 심지어 0.01 내지 0.05 ㎡/s (10,000 내지 50,000 cSt)인 실리콘 물질을 사용하는 것이 바람직할 수 있다.
일반적으로, 임의의 공지된 첨가제가 실리콘 조성물에 함유될 수 있다. 일반적으로, 첨가제는 경화 공정을 간섭하는 것을 피하도록 선택되어야 한다. 일부 실시 형태에서, 첨가제, 예를 들어 충전제의 크기는 포화 단계 동안 새어 나가는 것을 피하도록 선택되어야 한다.
실시예
실시예 1. 공기 중에서의 유리섬유의 실리콘 처리. 한 조각의 유리섬유 천(미국 노스캐롤라이나주 그린스보로 소재의 비지에프 인더스트리즈, 인크.(BGF Industries, Inc.)로부터의 유리 섬유, 경사(warp): 39 스레드 카운트/㎝ (100 스레드 카운트/인치), 위사(fill): 14 스레드 카운트/센티미터 (36 스레드 카운트/인치), 두께: 140 마이크로미터 (0.0055 인치))을 PET 이형 라이너(미국 위스콘신주 해먼드 소재의 로파렉스 노스 아메리카(Loparex North America)로부터의 2 CL PET5100/5100)의 2개의 층 사이에 개재시키고, 실라놀 종결형 폴리다이메틸 실록산액(다우 코닝(Dow Corning)으로부터의 지아미터(XIAMETER) OHX-4040, 50,000 cP)으로 코팅하였다. 개재된 샘플을 2장의 라이너들 사이에서 유리섬유 전체에 걸쳐 실리콘액으로 포화되도록 눌렀다. 이어서, 이러한 구성을 E-빔 경화 절차에 따라 300 keV 및 20 Mrad의 전자 빔 조사에 노출시켰다.
E-빔 경화 절차. E-빔 경화를 모델 CB-300 전자빔 발생 장치(에너지 사이언시즈, 인크.(Energy Sciences, Inc.) (미국 매사추세츠주 윌밍톤 소재)로부터 입수가능함)에서 수행하였다. 일반적으로, 지지 필름(예를 들어, 폴리에스테르 테레프탈레이트 지지 필름)을 상기 장치의 불활성화된 챔버에 통과시켰다 (< 50 ppm의 산소) 미경화 물질의 샘플을 지지 필름에 부착시키고, 불활성화된 챔버를 통하여 약 4.9 m/min (16 ft/min)의 고정된 속도로 이송하고 전자빔 조사에 노출시켰다. 16 Mrad의 전체 e-빔 조사량(dosage)을 얻기 위해서는, 상기 장치의 1회 통과(pass)면 충분하였다. 20 MRad의 전체 e-빔 조사량을 얻기 위하여, 상기 장치의 2회 통과가 필요하였다.
전자 빔 조사에의 노출 후, PET 이형 라이너를 제거하였다. 실리콘은 유의하게 가교결합된 것으로 보이지 않았으며, 그 이유는 이것이 번질 수 있고 점착성이기 때문이었다.
실시예 2. 질소 중에서의 유리섬유의 실리콘 처리. 유리섬유를 질소 불활성화 글러브 박스에서 실리콘 물질로 코팅한 것을 제외하고는 실시예 1의 재료 및 절차를 사용하여 샘플을 제조하였다. 글러브 박스 내의 산소 함량은 100 내지 500 ppm으로 감소되었다. 라이너의 제거시, 코팅된 유리섬유의 양측 표면은 번짐(smudge)이 없었고 점착성이 없었다. 상기 표면들은 전형적인 실리콘 처리된 상업적 유리섬유 벨트와 동일한 고무질 느낌을 가졌다.
유리섬유 웨브의 단면을 실리콘 처리 전 및 후에 현미경 하에서 조사하였다. 이미지들에 의하면 실리콘 물질이 웨브의 전 단면을 포화시킴이 나타났다. 게다가, 각각의 유리섬유 스레드는 개개의 섬유 또는 필라멘트의 번들(bundle)로 구성된다. 또한 현미경 분석에 의하면 각각의 스레드는 경화 실리콘에 의해 포화되어 상기 스레드 내에서 개개의 섬유 또는 필라멘트를 함께 접합시킴이 나타났다.
실시예 3. 질소 중에서의 나일론 천의 실리콘 처리. 구매가능한 나일론 천(조-앤 패브릭 앤드 크래프트 스토어즈로부터 입수한 콘플라워 매트 튈(cornflower matte tulle) (UPC 4000075511041))을 유리섬유 대신 섬유 웨브로서 사용한 것을 제외하고는 실시예 2의 재료 및 절차를 사용하여 샘플을 제조하였다. 라이너의 제거시, 코팅된 나일론 천의 양측 표면은 번짐이 없었고 점착성이 없었다. 상기 표면들은 전형적인 실리콘 처리된 상업적 유리섬유 벨트와 동일한 고무질 느낌을 가졌다. 현미경 분석에 의하면 경화 실리콘이 개개의 섬유와, 천의 단면 전체에 걸쳐 섬유들 사이의 공간을 코팅하였음이 나타났다.
실시예 4. 질소 중에서의 폴리에스테르 편직 천의 실리콘 처리. 구매가능한 폴리에스테르 편직 천(조-앤 패브릭 앤드 크래프트 스토어즈로부터의 화이트 덜 오간자(white dull organza) (UPC 400097489632))을 유리섬유 대신 섬유 웨브로서 사용한 것을 제외하고는 실시예 2의 재료 및 절차를 사용하여 샘플을 제조하였다. 라이너의 제거시, 코팅된 폴리에스테르 편직 천의 양측 표면은 번짐이 없었고 점착성이 없었다. 상기 표면들은 전형적인 실리콘 처리된 상업적 유리섬유 벨트와 동일한 고무질 느낌을 가졌다. 현미경 분석에 의하면 경화 실리콘이 개개의 섬유와, 천의 단면 전체에 걸쳐 섬유들 사이의 공간을 코팅하였음이 나타났다.
실시예 5. 직조 유리 섬유의 실리콘 처리. 2630 화이트 실리콘 고무(다우 코닝)로 코팅된 직조 유리 섬유(BGF 스타일 2116, 미처리, 평직, 경사 ECE 225 1/0, 위사 ECE 225 1/0, 두께: 100 마이크로미터 (0.0039 인치); 미국 노스캐롤라이나주 그린스보로 소재의 비지에프 인더스트리즈로부터 입수가능함)를 기재로서 사용하였다. 이 기재를 실라놀 종결된 폴리다이메틸 실록산(DMS-S42, 0.018 ㎡/s (18,000 cSt), 젤레스트(Gelest))으로 손으로 나이프 코팅하였다. 이어서, 이러한 구성을 E-빔 경화 절차에 따라 300 keV 및 16 Mrad의 전자 빔 조사에 노출시켰다.
생성된 경화 실리콘 처리 웨브를 실리콘 벨트로서 평가하였다.
박리 시험 절차. 이중 코팅된 아크릴 폼 테이프(미국 미네소타주 세인트폴 소재의 쓰리엠 컴퍼니(3M Company)로부터 입수가능한 아크릴릭 플러스 테이프(Acrylic Plus Tape) EX4011)의 롤을 풀어서 라이너 처리되지 않은 면의 접착제를 노출시켰다. 테이프의 2.5 ㎝ 스트립을 이 접착제층에 의해 패널에 부착시켰다. 이어서 라이너를 제거하여 라이너 처리된 면의 접착제층을 노출시켰다. 실시예 5의 한 조각의 실리콘 처리 벨트를 폼 테이프의 노출된 접착제층에 적용하고 손으로 굴렸다. 이 구성을 표 1에 요약된 조건 하에 에이징시켰다. 각각의 에이징 단계 후, 인장 시험기(미국 매사추세츠주 노르우드 소재의 인스트론(Instron)으로부터 입수함)를 사용하여 실리콘 처리 벨트를 90도 각도 및 30 ㎝/분(12 인치/분)으로 제거하고, 평균 박리력을 기록하였다. 이어서 동일 벨트를 새로운 테이프 샘플에 재적용하고, 에이징하고, 다시 시험하였다.
비교를 위하여, 이 동일 절차를 통상적인 열경화 부가 경화 실리콘을 이용하여 제조한 비견되는 실리콘 처리 벨트를 사용하여 행하였다. 그 결과가 표 1에 요약되어 있다. 에이징 조건 "1 min"은 실온에서 1분 동안의 에이징을 말한다. 에이징 조건 "5 min"은 실온(23℃)에서 5분 동안의 에이징을 말한다. 에이징 조건"7d/70℃"는 70℃에서 7일 동안의 열 에이징, 이어서 실온에서 2 내지 4시간 동안의 체류 후 시험하는 것을 말한다.
Figure pct00003
본 발명의 일부 실시 형태에 따른 예시적인 포화 웨브가 도 1에 예시되어 있다. 포화 웨브(110)는 e-빔 경화 실리콘 물질(120)로 포화된 웨브(130)를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 웨브(130)의 일측 또는 양측 주 표면은 동일하거나 상이한 경화 실리콘 물질(140)로 코팅될 수 있다.
본 발명의 범위 및 취지를 벗어나지 않고도 본 발명의 다양한 변형 및 변경이 당업자에게 명백하게 될 것이다.

Claims (17)

  1. 섬유 웨브를 하나 이상의 폴리실록산 물질을 포함하는 제1 조성물로 포화시켜 포화된 웨브를 형성하는 단계와, 폴리실록산 물질을 가교결합시키도록 제1 조성물을 전자 빔 경화시켜 경화되고 포화된 웨브를 형성하는 단계를 포함하는, 실리콘 처리 웨브를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1 조성물 중 폴리실록산 물질은 비작용성 폴리실록산, 실라놀 종결된 폴리실록산 및 알콕시 종결된 폴리실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 조성물 중 폴리실록산 물질은 폴리 다이메틸실록산을 포함하는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 조성물 중의 모든 폴리실록산 물질은 비작용성 폴리실록산인 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 조성물에는 촉매 및 개시제가 사실상 없는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 조성물은 5 중량% 이하의 용매를 포함하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 경화되고 포화된 웨브를 하나 이상의 폴리실록산 물질을 포함하는 제2 조성물로 코팅하는 단계와, 폴리실록산 물질을 가교결합시키도록 제2 조성물을 전자 빔 경화시켜 경화되고 포화되고 코팅된 웨브를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 포화된 웨브를 하나 이상의 폴리실록산을 포함하는 제2 조성물로 코팅하는 단계와, 폴리실록산 물질을 가교결합시키도록 제1 조성물 및 제2 조성물을 전자 빔 경화시켜 경화되고 포화되고 코팅된 웨브를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 웨브는 유리섬유를 포함하는 방법.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 웨브는 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리우레탄 및 면 중 적어도 하나를 포함하는 방법.
  11. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 웨브는 금속을 포함하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 웨브는 직조 천, 부직 천 또는 편직 천인 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 실리콘 처리 웨브.
  14. 가교결합된 폴리실록산 물질을 포함하는 전자 빔 경화된 조성물로 포화된 웨브를 포함하는 실리콘 처리 웨브.
  15. 제14항에 있어서, 조성물은 가교결합된 하나 이상의 비작용성 폴리실록산액으로 본질적으로 이루어진 실리콘 처리 웨브.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 조성물은 가교결합된 실라놀 종결된 폴리실록산액 및/또는 알콕시 종결된 폴리실록산을 포함하는 실리콘 처리 웨브.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물에는 촉매 및 개시제가 사실상 없는 실리콘 처리 웨브.
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