KR20130069985A - 박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법 - Google Patents

박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막 전지 모듈을 제공한다. 상기 박막 전지 모듈은 단위셀들이 서로 적층되어 형성되는 전지 모듈과, 상기 단위셀들의 사이 공간 및 상기 전지 모듈을 에워싸는 충격 흡수부를 포함한다. 본 발명은 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법도 제공한다.

Description

박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법{THIN FILM CELLS MODULE AND THIN FILM CELLS PACKAGE AND APPARATUS FOR PACKAGING THIN FILM CELLS AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM CELLS PACKAGE}
본 발명은 박막 전지 패키지 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 내충격성을 갖는 박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법에 관한 것이다.
근래에 들어, 최근에 전자기기 및 소자의 소형화와 관련기술이 급격하게 발전함에 따라 이들 소자를 구동시키기 위한 초소형 전원으로 서 박막 전지에 대한 관심이 집중되고 있다.
박막 전지는 캐소드, 애노드 및 전해질 등 전지의 구성요소를 모두 박막 형태로 증착하여 전지의 전체 두께를 수십 ㎛ 정도로 만든 전지이다.
상기 박막 전지는 패키지 하우징을 갖는다.
상기 패키지 하우징의 내부에는 적층 공간이 형성된다. 상기 적층 공간에는 단위셀들이 다단으로 적층된다. 상기 적층되는 단위셀들은 전지 모듈을 형성한다.
상기 전지 모듈은 적층 공간에서 양측부로 일정의 이격 공간이 형성된다. 또한, 상기 전지 모듈의 상면부와 패키지 하우징의 상단에 설치되는 커버와 일정의 이격 공간이 형성된다.
상기 이격 공간을 이루는 전지 모듈은 외부에 충격에 의하여 배치 위치가 틀어지거나, 각 단위셀들의 정렬 위치가 틀어지는 문제점을 갖는다.
또한, 상기 이격 공간을 이루는 전지 모듈은 상기 외부의 충격에 의하여 파손되는 문제점도 있다.
본 발명과 관련된 선행 문헌으로는 대한민국 등록특허 제10-2000-0002232호가 있으며, 상기 선행 문헌에는 보호 회로를 단일 패키지로 몰딩하는 기술이 개시된다.
본 발명의 목적은 패키지 하우징 내부에 적충되는 단위셀들을 외부의 충격으로부터 보호될 수 있도록 내충격성을 갖는 박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 충진재를 사용하여 단위셀들 둘레에 충격 흡수층을 형성함으로써, 내충격성을 부여할 수 있는 박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 단위셀들을 에워싸는 충격흡수충을 다중 충격흡수가 가능하도록 할 수 있는 박막 전지 모듈, 박막 전지 패키지, 박막 전지 패키지 제조 장치 및 박막 전지 패키지 제조 방법을 제공함에 있다.
일 양태에 있어서, 본 발명은 박막 전지 모듈을 제공한다.
상기 박막 전지 모듈은 단위셀들이 서로 적층되어 형성되는 전지 모듈; 및 상기 단위셀들의 사이 공간 및 상기 전지 모듈을 에워싸는 충격 흡수부를 포함한다.
다른 양태에 있어서, 본 발명은 박막 전지 패키지를 제공한다.
상기 박막 전지 패키지는 내부에 단위셀들이 적층되는 전지 모듈을 갖는 패키지 하우징; 및 상기 패키지 하우징의 내부에 충진되며, 상기 전지 모듈을 에워싸는 충격 흡수부를 포함한다.
또 다른 양태에 있어서, 본 발명은 박막 전지 패키지 제조 장치를 제공한다.
상기 박막 전지 패키지 제조 장치는 상단이 개구되며, 내부에 전지 모듈이 배치되는 패키지 하우징이 안착되는 안착부; 및 외부로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 전지 둘레를 에워싸도록 상기 패키지 하우징의 내부에 충진재를 충진하는 충진 유니트를 포함한다.
또 다른 양태에 있어서, 박막 전지 패키지 제조 방법을 제공한다.
상기 박막 전지 패키지 제조 방법은 상부가 개구되고, 내부에 전지 모듈을 갖는 패키지 하우징을 준비하는 제 1단계; 및 상기 전지 모듈을 에워싸도록 상기 패키지 하우징의 내부에 충진재를 충진하는 제 2단계를 포함한다.
본 발명은 패키지 하우징 내부에 적충되는 단위셀들을 외부의 충격으로부터 보호할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 충진재를 사용하여 단위셀들 둘레에 충격 흡수층을 형성함으로써, 내충격성을 부여할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 단위셀들을 에워싸는 충격흡수충을 다중 충격흡수가 가능하도록 할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명은 단위셀들의 사이 공간에 액상 또는 고체 상을 이루는 충진재를 침투시켜 전지 모듈을 몰딩하여, 단위셀들 간의 충격 및 전지 모듈 자체의 충격 완화를 구현할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 박막 전지 패키지의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 박막 전지 패키지의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 박막 전지 패키지 제조 장치를 보여 주는 도면이다.
도 4는 충진 영역이 설정되는 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 충진재가 충진되기 전 패키지 하우징을 보여 주는 단면도이다.
도 6은 충진재가 충진된 후의 패키지 하우징을 보여 주는 단면도이다.
도 7은 커버와 결합된 패키지 하우징을 보여 주는 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따르는 충진재 토출기의 다른 예가 채택된 것을 보여주는 도면이다.
도 9는 충진 영역이 설정되는 다른 예를 보여주는 평면도이다.
도 10은 충진재가 충진되기 전 패키지 하우징을 보여 주는 단면도이다.
도 11은 충진재가 충진된 후의 패키지 하우징을 보여 주는 단면도이다.
도 12는 커버와 결합된 패키지 하우징을 보여 주는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 박막 전지 패키지 제조 방법을 보여주는 흐름도이다.
도 14는 본 발명에 따르는 점도값 형성 과정을 보여주는 흐름도이다.
도 15는 본 발명의 박막 전지 모듈을 보여주는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 박막 전지 모듈의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
이하, 첨부되는 도면들을 참조로 하여, 본 발명의 박막 전지 패키지, 박막 전지 제조 장치 및 박막 전지 제조 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 박막 전지 패키지의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조 하면, 상기 박막 전지 패키지는 패키지 하우징(100)과 충격 흡수부(200)로 구성된다.
상기 패키지 하우징(100)은 상부가 개구를 이루고, 내부에 적층 공간(101)을 이룬다.
상기 적층 공간(101)에는 전지 모듈(10)이 배치된다. 상기 전지 모듈(10)은 다단으로 적층되는 단위셀들로 구성된다.
상기 단위셀들은 서로 전기적으로 접속되고, 하단의 단위셀은 적층 공간의 바닥면에 형성된 전극(110)과 전기적으로 접속된다.
상기 전지 모듈(10)의 측방 테두리는 적층 공간(101)의 내벽과 일정 간격을 이룬다.
또한, 상기 전지 모듈(10)의 상면부와 패키지 하우징(100)의 상단부와는 서로 일정의 높이차를 이룬다.
여기서, 상기 패키지 하우징(100)의 상단부는 커버(130)가 배치되는 영역이다. 상기 커버는 상기 패키지 하우징(100)의 상단부에 용접되어 설치된다.
여기서, 상기 커버(130)와 용접되는 부분은 실질적으로 코바 금속으로 형성되는 격벽(120) 상단이다. 하기에서는 상기 용접되는 부분을 패키지 하우징(100)을 통합하여 설명한다.
또한, 패키지 하우징(100)은 세라믹 재질로 형성되는 것이 좋다.
따라서, 상기 커버(130)는 상기 적층 공간(101)을 외부로부터 밀폐하는 역할을 한다.
상기 충격 흡수부(200)는 상기 적층 공간(101)의 내부에 충진재(201)가 충진됨으로써 형성된다.
상기 충진재(201)는 Si 계열의 탄성 에폭시 또는 일정의 점도를 갖는 에폭시 중 어느 하나를 사용한다.
상기 점도값은 400cps 이하를 이루는 것이 좋다. 상기 충진재(201)의 점도값이 400cps이하를 이루는 경우, 상기 충진재(201)는 중력 방향을 따라 흐를 수 있는 유동성을 갖는다.
여기서, 도 4에 도시되는 바와 같이, 상기 전지 모듈(10)의 상면부에는 제 1영역(a)이 형성된다. 상기 전지 모듈(10)의 테두리와 적층 공간(101)의 내벽 사이에는 제 2영역(b)이 형성된다.
상기 충진재(201)는 상기 제 1영역(a)과 제 2영역(b)에 충진된다. 'c'는 패키지 하우징의 상단부이다.
상기 충진재(201)는 전지 모듈(10)의 둘레를 에워싸도록 형성된다.
즉, 상기 충격 흡수부(200)는 전지 모듈(10)을 외부로부터 가해지는 충격을 완화할 수 있는 역할을 한다.
본 발명은 상기 충격을 완화함으로써, 서로 적층된 단위셀들 간의 파손을 효율적으로 방지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 박막 전지 패키지의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참조 하면, 본 발명에 따르는 충격 흡수부(300)는 제 1,2충격 흡수 영역(310,320)으로 구성될 수 있다.
상기 제 1충격 흡수 영역(310)은 전지 모듈(10)의 둘레를 일정 두께로 에워싸도록 형성된다.
상기 제 1충격 흡수 영역(310)은 고체 상의 충진재(311)가 충진됨으로써 형성된다.
여기서, 상기 제 1충격 흡수 영역(310)은 일정 점도의 액상을 이루는 충진재를 충진하고, 상기 액상의 충진재를 외부로부터 일정 온도의 열을 전달하여 경화시킴으로써 고체 상으로 형성시킬 수 있다.
상기 고체의 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함된다.
상기 500 내지 1500gf 의 경도 범위는 소프트하여 일정의 충격을 흡수할 수 있는 범위이고, 상기 1500 내지 4000gf의 경도 범위는 하드(hard)한 상태로 움직이지 않는 상태의 범위이다.
상기 고체 상의 충진재(311)로 형성되는 제 1충격 흡수 영역(310)은 전지 모듈(10)에서의 단위 셀들 간의 틀어짐을 방지하는 역할을 할 수 있다.
상기 제 2충격 흡수 영역(320)은 액체 상의 충진재(321)가 충진됨으로써 형성된다.
상기 제 2충격 흡수 영역(320)은 일정 두께를 이루어 상기 제 1충격 흡수 영역(310)의 둘레를 에워싸도록 형성된다.
상기 액체 상의 충진재(321)는 일정의 점도값을 이루는 에폭시일 수 있다. 상기 점도는 400cps 이하를 이루는 것이 좋다.
상기 충진재(321)의 점도가 400cps이하를 이루는 경우, 상기 충진재(321)는 중력 방향을 따라 흐를 수 있는 유동성을 갖는다.
상기 제 2충격 흡수 영역(320)은 제 1충격 흡수 영역(310)의 둘레와 적층 공간(101)의 내벽 사이에 형성된다.
따라서, 상기 충격 흡수부(300)는 전지 모듈(10)의 둘레로부터 다층을 이루어 다중으로 충격을 흡수할 수 있는 영역을 제공한다.
본 발명에 따르는 실시예에서, 패키지 하우징으로 충격이 가해지는 경우, 상기 충격은 제 1,2충격 흡수 영역에 의하여 다중으로 흡수 또는 완화될 수 있다.
그리고, 전지 모듈(10)은 고체 상으로 형성되는 제 1충격 흡수 영역(310)에 의하여 배치 위치의 틀어짐과 같은 현상을 미연에 방지할 수 있다.
다음은, 본 발명의 박막 전지 패키지 제조 장치를 설명한다.
도 3은 본 발명의 박막 전지 패키지 제조 장치를 보여준다.
도 3을 참조 하면, 상기 박막 전지 패키지 제조 장치는 크게 안착부(700)와, 충진 유니트(500)로 구성된다.
상기 안착부(700)는 안착 스테이지(710)와, 진공 제공부(720)로 구성된다.
상기 안착 스테이지(710)는 패키지 하우징(100)이 안착되는 영역을 제공한다.
상기 안착 스테이지(710)에는 다수의 진공홀(711)이 형성된다.
상기 다수의 진공홀(711)은 상기 진공 제공부(720)와 튜브와 같은 수단으로 연결된다.
상기 진공 제공부(720)는 외부로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 다수의 진공홀(711)의 일정의 진공 흡입력을 제공한다.
상기 다수의 진공홀(711)은 안착 스테이지(710)에 안착되는 패키지 하우징(100)의 하면에 노출된다.
상기 다수의 진공홀(711)로 진공 흡입력이 제공되면, 상기 패키지 하우징(100)은 안착 스테이지(710)의 상면에서 진공 흡착 고정된다.
따라서, 상기 패키지 하우징(100)은 안착 스테이지(710)에 안정적으로 안착될 수 있다.
상기 충진 유니트(500)는 크게 충진재 토출기(510)와, 충진 영역 설정부(미도시)와, 제어기(560)로 구성된다.
상기 충진재 토출기(510)는 액체 상의 충진재(201, 도 6참조)를 토출할 수 있는 장치이다.
상기 충진재 토출기(510)는 액체 상의 충진재(201)를 공급하는 충진재 공급부(550)를 포함한다.
상기 충진재 토출기(510)는 상기 안착 스테이지(710)의 상부에 배치된다.
상기 안착 스테이지(710)의 상부에는 XY겐트리(530)가 배치된다. 상기 충진재 토출기(510)는 상기 XY겐트리(530)에 연결된다.
상기 XY겐트리(530)는 구동부(540)와 연결된다. 상기 구동부(540)는 제어기(560)로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 충진재 토출기(510)를 일정의 XY 좌표 위치로 이동시킬 수 있다.
이에 더하여, XY겐트리(530)와 충진재 토출기(510)의 사이에는 Z축 승강부(520)가 더 설치된다.
상기 Z축 승강부(520)는 제어기(560)로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 충진재 토출기(510)를 승강시키는 실린더와 같은 장치일 수 있다.
이에 따라, 제어기(560)는 구동부(540) 및 Z축 승강부(520)를 사용하여 충진재 토출기(510)의 일정의 XYZ 좌표 위치로 이동 위치시킬 수 있다.
상기 충진 영역 설정부(미도시)는 충진재(201)가 토출되는 영역을 설정하는 역할을 한다.
도 4는 충진 영역이 설정되는 일 예를 보여준다.
도 4를 참조 하면, 상기 충진 영역은 전지 모듈(10)의 상면부에 형성되는 제 1영역(a)과, 전지 모듈(10)의 둘레와 적층 공간(101)의 내벽 사이에 형성되는 제 2영역(b)을 포함한다.
상기 제 1영역(a)과 제 2영역(b)의 충진 두께는 서로 동일하게 설정되는 것이 좋다.
상기 충진 영역 설정부는 좌표계를 사용할 수 있다.
상기 좌표계는 상기 전지 모듈(10)의 상부에서, 상기 전지 모듈(10)의 둘레를 이루는 좌표값들을 측정하고, 이 좌표값들을 선형적으로 연결한다. 상기 연결됨으로 인하여 제 1경계(B1)가 형성된다.
상기 좌표계는 상기 연결되는 제 1경계(B1) 내측 영역을 제 1영역(a)으로 설정한다.
상기 좌표계는 적층 공간(101)의 내벽을 이루는 좌표값들을 측정하고, 이 좌표값들을 선형적으로 연결한다. 상기 연결됨으로 인하여 제 2경계(B2)가 형성된다.
상기 좌표계는 상기 제 1경계(B1)와 상기 제 2경계(B2) 사이의 영역을 제 2영역(b)으로 설정한다.
상기 제 1영역(a)과 상기 제 2영역(b)은 충진재가 일정 두께로 충진되는 영역이다.
'c'는 패키지 하우징의 상단부의 영역이다.
도 3 및 도 4를 참조 하면, 상기 제어기(560)는 설정되는 제 1,2영역(a,b)에 일정량의 액체 상의 충진되도록 충진재 토출기(510)의 구동을 제어한다.
여기서, 상기 충진재(201)는 일정의 점도값을 이루는 에폭시일 수 있다. 상기 점도는 400cps 이하를 이루는 것이 좋다.
상기 충진재(201)의 점도가 400cps이하를 이루는 경우, 상기 충진재(201)는 중력 방향을 따라 흐를 수 있는 유동성을 갖는다.
도 3을 참조 하면, 본 발명에 따라는 충진 유니트(500)는 제어기(560)와 전기적으로 연결되는 점도 형성부(570)를 더 구비한다.
상기 점도 형성부(570)는 점도 측정기(571)와, 온도 센서(572)와, 가열 수단(573)으로 구성된다.
상기 점도 측정기(571)는 상기 충진재(201)의 점도값을 측정한다. 상기 점도 측정기(571)는 상기 측정한 점도값을 제어기(560)로 전송한다.
상기 제어기(560)는 상기 측정한 점도값이 기설정된 점도값 범위에 포함되는 지의 여부를 판단한다. 상기 기설정된 점도값의 범위는 400cps이하를 이루는 범위인 것이 좋다.
상기 제어기(560)에는 상기 기설정된 점도값을 이룰 수 있는 온도값이 기설정된다.
상기 온도 센서(572)는 상기 액체 상의 충진재(201)의 온도값을 측정한다. 상기 온도 센서(572)는 상기 측정한 온도값을 제어기(560)로 전송한다.
상기 가열 수단(573)은 상기 제어기(560)로부터 전기적 신호를 전송 받아 충진재(201)를 가열한다. 상기 가열 수단(573)은 히팅 코일일 수 있다.
따라서, 상기 제어기(560)는 상기 충진재(201)의 점도값이 400cps 이하를 이룰 수 있는 온도값으로 상기 가열 수단(573)을 사용하여 충진재(201)를 가열 처리한다.
상기 충진 유니트(500)는 충진 깊이 설정부(미도시)를 구비한다.
도 3을 참조 하면, 상기 충진 깊이 설정부는 거리 센서(600)와 설정기(미도시)를 구비한다.
상기 거리 센서(600)는 충진재 토출기(510)에 설치되는 것이 좋다.
상기 거리 센서(600)는 상기 적층 공간의 깊이값(Dp)과, 상기 전지 모듈(10)의 상면부까지의 거리값(Dcell)을 측정하고, 이들을 상기 설정기로 전송한다.
상기 설정기는 적층 공간(101)의 바닥면으로부터 전지 모듈(10)의 상면까지의 깊이값(Dcell)과, 적층 공간(101)의 깊이값(Dp)의 사이 거리를 충진 깊이의 상한선으로 결정한다.
따라서, 상기 충진 깊이(Dfill)는 적층 공간(101)의 바닥면으로부터 상기 상한선까지의 깊이값이다.
특히, 상기 충진 깊이(Dfill)의 상한선은 상기 패키지 하우징(100)의 상단면과 동일하거나 오버되는 레벨을 이루지 않는 것이 좋다.
상기 설정기는 상기 설정한 충진 깊이(Dfill)를 제어기(560)로 전송한다.
상기 제어기(560)는 상기 설정한 충진 깊이(Dfill)를 이루도록 충진재 토출기(510)의 구동을 제어한다.
상기의 구성을 갖는 박막 전지 패키지 제조 장치의 작용을 설명한다.
도 3 및 도 4를 참조 하면, 안착 스테이지(710) 상면에 패키지 하우징(100)이 안착된다.
진공 제공부(720)는 제어기(560)로부터 전기적 신호를 전송 받아 안착 스테이지(710)에 형성되는 진공홀(711)로 진공 흡입력을 제공한다.
상기 패키지 하우징(100)은 안착 스테이지(710) 상면에서 진공 흡착된다.
따라서, 상기 패키지 하우징(100)은 상기와 같이 진공 흡착됨으로써, 안착 스테이지(710) 상면에서 안정적으로 안착된다.
충진 영역 설정부는 충진재(201)가 충진되는 영역을 설정한다.
도 4를 참조 하면, 상술한 바와 같이 충진 영역 설정부는 좌표계를 사용하여 전지 모듈(10)의 상면부에 형성되는 제 1영역(a)과, 전지 모듈(10)의 둘레와 적층 공간(101)의 내벽 사이에 형성되는 제 2영역(b)을 충진 영역으로 설정한다.
상기 충진 영역 설정부는 상기 설정한 충진 영역에 대한 정보를 제어기(560)로 전송한다.
충진 깊이 설정부는 충진재(201)가 충진되는 충진 깊이(Dfill)를 설정한다.
도 3을 참조 하면, 상술한 바와 같이 충진 깊이 설정부는 적층 공간(101)의 바닥면으로부터 전지 모듈(10)의 상면까지의 깊이값(Dcell)과, 적층 공간(101)의 깊이값(Dp)의 사이 거리를 충진 깊이(Dfill)로 설정한다.
상기 충진 깊이 설정부는 상기 설정한 충진 깊이(Dfill)에 대한 정보를 제어기(560)로 전송한다.
상기 충진 깊이 설정부는 충진재(201)의 상한선을 결정한다. 상기 충진재(201)의 상한선은 바람직하게 패키지 하우징(100)의 상단과 동일하거나 넘지 않는 레벨을 이루는 것이 좋다.
즉, 상기 패키지 하우징(100)의 상단은 커버(130, 도 7참조)와 접촉되어 용접되는 영역이다. 상기 용접 영역이 패키지 하우징(100)의 상단에 충진재(201)와 같은 다른 이물이 포함되지 않는 것이 좋다.
점도 형성부(570)는, 충진재(201)의 점도값을 설정된 점도값을 이루도록 한다.
점도 측정기(571)는 충진재(201)의 점도값을 측정하고, 이를 제어기(560)로 전송한다.
상기 제어기(560)는 상기 전송된 점도값이 기설정된 점도값 범위에 포함되는 지의 여부를 판단한다. 상기 설정된 점도값의 범위는 400cps 이하를 이룬다.
상기 측정된 점도값이 400cps 이상을 이루면, 상기 제어기(560)는 가열 수단(573)을 사용하여 400cps 이하를 이룰 수 있는 온도값에 이르도록 충진재(201)를 가열 처리한다.
따라서, 충진재(201)는 항상 400cps 이하를 이룰 수 있다.
그리고, 충진재 토출기(510)는 충진재 토출 위치로 이동한다.
도 5는 충진재가 충진되기 전 패키지 하우징을 보여 준다.
이하의 설명에서, 다른 구성들에 대한 참조는 도 3을 참조하기로 한다.
도 5를 참조 하면, 제어기(560)는 구동부(540) 및 Z축 승강부(520)를 사용하여 상기 충진재 토출기(510)를 충진 영역(A)의 상부에 이동 위치시킨다.
도 6은 충진재가 충진된 후의 패키지 하우징을 보여준다.
도 6을 참조 하면, 제어기(560)는 충진 영역(A)에서 상술한 충진 깊이(Dfill)를 이루도록 액체 상의 충진재(201)를 충진한다.
따라서, 상기 패키지 하우징(100)의 내부의 전지 모듈(10)은 충진재(201)에 의하여 에워싸일 수 있다.
도 7은 커버와 결합된 패키지 하우징을 보여준다.
도 7을 참조 하면, 패키지 하우징(100)의 상단에는 커버(130)가 배치된다. 상기 커버(130)는 상기 패키지 하우징(100)의 상단과 용접 방식을 통하여 결합된다.
본 발명에 따르는 실시예는 패키지 하우징 내부에 적충되는 단위셀들을 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 충진재를 사용하여 단위셀들 둘레에 충격 흡수층을 형성함으로써, 내충격성을 부여할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 단위셀들의 사이 공간에 충진재를 침투시켜 전지 모듈을 몰딩하여, 단위셀들 간의 충격 및 전지 모듈 자체의 충격 완화를 구현할 수 있다.
다음은, 본 발명에 따르는 충진재 토출기의 다른 예를 설명한다.
도 8은 본 발명에 따르는 충진재 토출기의 다른 예가 채택된 것을 보여준다.
도 8을 참조 하면, 본 발명에 따르는 충진재 토출기(510)는 액체 충진체 토출기(511)와 고체 충진재 토출기(512)로 구성된다.
상기 액체 충진재 토출기(511)는 액체 상의 충진재(321, 도 11참조)를 토출한다.
상기 액체 상의 충진재(321)는 400cps 점도를 갖는 에폭시인 것이 좋다.
상기 고체 충진재 토출기(512)는 고체 상의 충진재(311)를 토출한다.
상기 고체 상의 충진재(311)는 토출 후 경화가 즉시 진행되는 물질인 것이 좋다.
상기 고체 충진재(311)의 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함된다.
상기 500 내지 1500gf 의 경도 범위는 소프트하여 일정의 충격을 흡수할 수 있는 범위이고, 상기 1500 내지 4000gf의 경도 범위는 하드(hard)한 상태로 움직이지 않는 상태의 범위이다.
도 9는 충진 영역이 설정되는 다른 예를 보여 준다.
도 9를 참조 하면, 본 발명에 따르는 충진 영역 설정부(미도시)는 제 1충진 영역(b1)과, 제 2충진 영역(b2)으로 설정한다.
상기 제 1충진 영역(b1)은 전지 모듈(10) 둘레의 상면부 및 전지 모듈(10) 둘레를 에워싸도록 형성된다.
상기 제 2충진 영역(b2)은 제 1충진 영역(b1)을 에워싸도록 형성된다. 즉, 상기 제 2충진 영역(b2)은 제 1충진 영역(b1) 둘레와 적층 공간(101)의 내벽 사이에 형성된다.
따라서, 상기 제 1충진 영역(b1)과 제 2충진 영역(b2)은 경계를 이룬다.
다음은, 상기와 같은 구성되는 충진재 토출기의 다른 예를 따르는 제조 장치의 작용을 설명한다.
도 10은 충진재가 충진되기 전 패키지 하우징을 보여 주고, 도 11은 충진재가 충진된 후의 패키지 하우징을 보여 준다.
이하의 설명에서, 제조 장치의 구성은 도 8을 참조하기로 한다.
도 10 및 도 11을 참조 하면, 제어기(560)는 구동부(540) 및 Z축 승강부(520)를 사용하여, 상기 고체 충진재 토출기(512)를 제 1충진 영역(b1) 상부로 위치시킨다.
상기 고체 충진재 토출기(512)는 제어기(560)로부터 전기적 신호를 전송 받아, 고체 상의 충진재(311)를 제 1충진 영역(b1)으로 토출한다.
따라서, 상기 제 1충진 영역(b1)에는 고체 상의 충진재(311)가 충진된다. 상기 고체 상의 충진재(311)는 일정 시간 경과 후, 고체로 굳어진다.
상세하게는, 상기 고체 상의 충진재(311)는, 액상을 이루어 상기 고체 충진재 토출기(512)를 통하여 토출되며, 외부로부터 일정 온도의 열을 전달 받으면 경화된다.
상기 고체 충진재(311)의 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함된다.
상기 500 내지 1500gf 의 경도 범위는 소프트하여 일정의 충격을 흡수할 수 있는 범위이고, 상기 1500 내지 4000gf의 경도 범위는 하드(hard)한 상태로 움직이지 않는 상태의 범위이다.
이에 따라, 상기 전지 모듈(10) 둘레의 상면부 및 전지 모듈(10) 둘레에는 일정 두께를 이루는 제 1충격 흡수 영역(310)이 형성된다.
상기 제 1충격 흡수 영역(310)은 고체를 이룸으로써, 전지 모듈(10) 둘레를 감싸 고정하는 역할을 할 수 있다.
이어, 상기 액체 충진재 토출기(511)는 제어기(560)로부터 전기적 신호를 전송 받아, 액체 상의 충진재(321)를 제 2충진 영역(b2)으로 토출한다.
따라서, 상기 제 2충진 영역(b2)에는 액체 상의 충진재(321)가 충진된다.
이에 따라, 상기 제 1충진 영역(b1)의 둘레에는 일정 두께를 이루는 제 2충격 흡수 영역(320)이 형성된다.
상기 제 2충격 흡수 영역(320)은 액체를 이룸으로써, 제 1충격 흡수 영역(310)으로 에워싸여진 전지 모듈(10)을 외부 충격으로부터 보호하는 역할을 한다.
여기서, 상기 제 1충격 흡수 영역(310) 및 제 2충격 흡수 영역(320)은 상술한 바와 같이 설정되는 충격 깊이(Dfill)를 이루도록 형성된다.
도 12는 커버와 결합된 패키지 하우징을 보여 준다.
도 12를 참조 하면, 패키지 하우징(100)의 상단에는 커버(130)가 배치된다. 상기 커버(130)는 상기 패키지 하우징(100)의 상단과 용접 방식을 통하여 결합된다.
본 발명에 따르는 실시예는 단위셀들을 에워싸는 충격 흡수충을 다중 충격흡수가 가능하도록 할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 단위셀들의 사이 공간에 고체 상의 충진재를 침투시켜 전지 모듈을 몰딩하여, 단위셀들 간의 충격 및 전지 모듈 자체의 충격 완화를 구현할 수 있다.
다음은, 본 발명의 박막 전지 패키지 제조 방법을 설명한다.
도 13은 본 발명의 박막 전지 패키지 제조 방법을 보여준다.
이하의 설명에서 상기 제조 장치에 관한 구성은 도 3 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
제 1단계
도 13을 참조 하면, 패키지 하우징(100)을 안착 스테이지(710)에 안착시킨다. 상기 패키지 하우징(100)은 상부가 개구되고 내부에 적층 공간(101)이 형성된다.
상기 적층 공간(101)에는 다단으로 적층된 단위셀들로 형성되는 전지 모듈(10)이 배치된다.
진공 제공부(720)를 사용하여 상기 패키지 하우징(100)을 안착 스테이지(710)에서 진공 흡착 고정시키는 것이 좋다.
제 2단계
전지 모듈(10)을 에워싸도록 충진재를 패키지 하우징의 내부에 충진한다.
상기 제 2단계를 더 구체적으로 설명한다.
충진 영역을 형성한다.
상기 충진 영역의 형성은 상술한 충진 영역 설정부를 사용할 수 있다.
전지 모듈(10)의 상면부에 제 1영역(a)을 형성하고, 전지 모듈(10)의 둘레와 적층 공간(101)의 내벽 사이 공간에 제 2영역(b)을 형성한다.
충진 깊이(Dfill)를 형성한다.
상기 충진 깊이(Dfill)는 상술한 충진 깊이 설정부를 사용할 수 있다.
여기서, 적층 공간(101)의 바닥면으로부터 전지 모듈(10)의 상면까지의 깊이값(Dcell)과, 적층 공간(101)의 깊이값(Dp)의 사이 거리를 충진 깊이(Dfill)의 상한선으로 결정한다.
따라서, 상기 충진 깊이(Dfill)는 적층 공간(101)의 바닥면으로부터 상기 상한선까지의 깊이값이다.
특히, 상기 충진 깊이(Dfill)의 상한선은 상기 패키지 하우징(100)의 상단면과 동일하거나 오버되는 레벨을 이루지 않는 것이 좋다.
충진재의 점도값을 형성한다.
여기서, 상기 충진재는 액체 상의 충진재(201)인 것이 좋다.
상기 충진재(201)를 400cps 이하를 이루는 점도값을 갖는 에폭시로 사용한다.
도 14는 점도값을 형성하는 과정을 보여준다.
도 14를 참조 하면, 점도 측정기(571)는 충진재(201)의 점도값을 측정한다.
상기 점도 측정기(571)는 상기 측정한 점도값을 설정기로 전송한다.
상기 설정기는 상기 측정한 점도값이 기설정된 기준 점도값 범위에 포함되는 지의 여부를 판단한다.
상기 측정한 점도값이 기설정된 기준 점도값 범위에 포함되면, 상기 설정기는 점도값 형성 과정을 종료한다.
반면에, 상기 측정한 점도값이 기설정된 기준 점도값 범위에 포함되지 않으면, 상기 설정기는 가열 수단(573)을 사용하여 상기 충진재(201)를 가열한다.
이때, 온도 센서(572)는 가열되는 충진재(201)의 온도값을 측정하여, 이를 설정기로 전송한다.
상기 설정기는 전송되는 온도값이 기설정된 기준 온도값에 이르도록 충진재(201)를 가열하도록 한다.
여기서, 상기 기준 온도값은 충진재(201)가 기준 점도값 범위에 포함되도록 하는 온도값이다.
이어, 상기 설정기는 점도값 형성 과정을 종료한다.
도 13을 참조 하면, 상기와 같이 충진재(201)의 점도값 형성 과정이 종료되면, 제어기(560)는 단일 충진 또는 다중 충진의 여부를 선택한다.
먼저, 단일 충진이 선택되는 경우에 대하여 설명한다.
제어기는 충진재 토출기(510)를 사용하여 제 1,2영역(a,b)을 포함하는 충진 영역에 충진재(201)를 충진한다.
여기서, 상기 제 1영역(a) 및 제 2영역(b)에 충진재(201)가 일정 두께로 충진됨으로써 충격 흡수부(200)가 형성된다.
그리고, 커버(130)를 사용하여 패키지 하우징(100)의 상단에 용접 결합시킨다.
본 발명에 따르는 실시예는 패키지 하우징 내부에 적충되는 단위셀들을 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는 충진재를 사용하여 단위셀들 둘레에 충격 흡수층을 형성함으로써, 내충격성을 부여할 수 있다.
다음, 다중 충진이 선택되는 경우에 대하여 설명한다.
이하의 설명에서 상기 제조 장치에 관한 구성은 도 8 내지 도 12를 참조하여 설명한다.
충진 영역 설정부는 충진 영역을 재설정할 수 있다.
즉, 상기 충진 영역 설정부는 도 10에 도시된 바와 같은 제 1,2충진 영역(b1,b2)을 설정한다.
제 1,2충진 영역(b1,b2)은 전지 모듈(10)의 둘레로부터 외측을 따라 일정 두께를 구비하여 서로 경계를 이룬다.
즉, 상기 충진 영역은 다층으로 형성된다.
제어기(560)는 고체 상의 충진재 토출기(511)를 사용하여 고체 상의 충진재(511)를 상기 제 1충진 영역(b1)에 충진한다.
상기 고체 상의 충진재(311)는 일정 시간 경과후 경화된다.
상세하게는, 일정 점도의 액상으로 형성되는 충진재를 제 1충진 영역(b1)에 충진하고, 상기 충진재에 외부로부터 일정 온도의 열을 가하여 경화시켜 고체 상으로 형성한다.
상기 고체의 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함된다.
상기 500 내지 1500gf 의 경도 범위는 소프트하여 일정의 충격을 흡수할 수 있는 범위이고, 상기 1500 내지 4000gf의 경도 범위는 하드(hard)한 상태로 움직이지 않는 상태의 범위이다.
따라서, 전지 모듈(10)의 상면부 및 둘레는 일정 두께의 제 1충격 흡수 영역(310)이 형성된다.
이어, 상기 제어기(560)는 액체 충진재 토출기(512)를 사용하여 액체 상의 충진재(321)를 상기 제 2충진 영역(b2)에 충진한다.
상기 액체 상의 충진재(321)는 제 1충진 영역(b1)의 둘레와 적층 공간(101)의 내벽 사이에 충진된다.
따라서, 상기 제 2충진 영역(b2)에는 제 2충격 흡수 영역(320)이 형성된다.
그리고, 커버(130)를 사용하여 패키지 하우징(100)의 상단에 용접 결합시킨다.
본 발명에 따르는 실시예는 패키지 하우징으로 충격이 가해지는 경우, 상기 충격을 제 1,2충격 흡수 영역에 의하여 다중으로 흡수 또는 완화시킬 수 있다.
본 발명에 따르는 실시예는, 고체 상으로 형성되는 제 1충격 흡수 영역을 사용하여 전지 모듈의 배치 위치의 틀어짐을 미연에 방지할 수 있다.
도 15는 본 발명의 박막 전지 모듈을 보여주는 단면도이다.
도 15를 참조 하면, 상기 박막 전지 모듈은 전지 모듈(10)과, 충격 흡수부(200)로 구성된다.
상기 전지 모듈(10)은 다수의 단위셀들(1)이 상하로 적층되어 형성된다.
여기서, 상기 단위셀들(1) 간의 사이에는 공간이 형성된다.
상기 충격 흡수부(200)는 상기 단위셀들(1)의 사이 공간 및 상기 전지 모듈(10)을 에워싼다.
상기 충격 흡수부(200)는 Si 계열의 탄성 에폭시 또는 일정의 점도를 갖는 에폭시 중 어느 하나일 수 있다.
상기 점도는 400cps(centi poise) 이하를 이루는 이 좋다.
본 발명에 따르는 실시예에서, 액체 상의 충진재(201)인 에폭시는 단위셀들(1)의 사이 공간에 침투됨과 아울러, 전지 모듈(10)의 둘레를 에워싸도록 형성된다.
이에 따라, 본 발명에 따르는 실시예는 외부에서 전지 모듈에 충격이 가해지는 경우, 단위셀들 간의 충격완화는 물론, 전지 모듈 자체의 충격 완화를 실현할 수 있다.
도 16은 본 발명의 박막 전지 모듈의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
충격 흡수부(300)는 상기 전지 모듈(10)의 둘레로부터 서로 다른 물질의 상태를 갖고 서로 경계를 이루는 충격 흡수 영역들을 포함한다.
이에 더하여, 상기 충격 흡수 영역들은 제 1충격 흡수 영역(310)과 제 2충격 흡수 영역(320)으로 구성될 수 있다.
상기 제 1충격 흡수 영역(310)은 상기 전지 모듈(10)의 둘레를 일정 두께로 에워싸고, 고체 상을 이룬다.
상기 제 2충격 흡수 영역(320)은 상기 제 1충격 흡수 영역(310)의 둘레를 에워싸고, 일정 점도를 이루는 에폭시로 형성된다.
상기 제 1충격 흡수 영역(310)은 일정 점도의 액상을 이루고, 외부로부터 일정 온도의 열을 전달 받아 경화되어 고체 상으로 형성될 수 있다.
상기 고체의 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함된다.
상기 500 내지 1500gf 의 경도 범위는 소프트하여 일정의 충격을 흡수할 수 있는 범위이고, 상기 1500 내지 4000gf의 경도 범위는 하드(hard)한 상태로 움직이지 않는 상태의 범위이다.
여기서, 상기 액상을 이루어 충진될 때, 이는 단위셀들(1)의 사이 공간에 침투되고, 열을 전달 받아 고체 상으로 경화된다.
본 발명에 따르는 실시예는 액체 상의 충진재(312) 및 고체 상의 충진재(311)는 단위셀들의 사이 공간에 침투됨과 아울러, 전지 모듈의 둘레를 에워싸도록 형성된다.
이에 따라, 본 발명에 따르는 실시예는 외부에서 전지 모듈에 충격이 가해지는 경우, 단위셀들 간의 충격완화는 물론, 전지 모듈 자체의 충격 완화를 실현할 수 있다.
10 : 전지 모듈 100 : 패키지 하우징
200, 300 : 충격 흡수부 310 : 제 1충격 흡수 영역
320 : 제 2충격 흡수 영역 500 : 충진 유니트
510 : 충진재 토출기 511 : 고체 충진재 토출기
512 : 액체 충진재 토출기 520 : Z축 승강부
530 : XY겐트리 540 : 구동부
550 : 충진재 공급부 560 : 제어부
570 : 점 형성부 600 : 거리 센서
700 : 안착부 710 : 안착 스테이지

Claims (36)

  1. 내부에 단위셀들이 적층되는 전지 모듈을 갖는 패키지 하우징; 및
    상기 패키지 하우징의 내부에 충진되며, 상기 전지 모듈을 에워싸고, 충격을 완화하기 위한 충격 흡수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 충격 흡수부는,
    Si 계열의 탄성 에폭시 또는 일정의 점도를 갖는 에폭시 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 점도는 400cps(centi poise) 이하를 이루는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 충격 흡수부는,
    상기 전지 모듈의 둘레로부터 서로 다른 물질의 상태를 갖고 서로 경계를 이루는 충격 흡수 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 충격 흡수 영역들은,
    상기 전지 모듈의 둘레를 일정 두께로 에워싸고, 고체 상을 이루는 제 1충격 흡수 영역과,
    상기 제 1충격 흡수 영역의 둘레를 에워싸고, 일정 점도를 이루는 에폭시로 형성되는 제 2충격 흡수 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1충격 흡수 영역은,
    일정 점도의 액상을 이루고, 외부로부터 일정 온도의 열을 전달 받아 경화되어 고체 상으로 일정의 경도를 갖도록 형성되고,
    상기 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지.
  7. 상단이 개구되며, 내부에 전지 모듈이 배치되는 패키지 하우징이 안착되는 안착부; 및
    외부로부터 전기적 신호를 전송 받아 상기 전지 둘레를 에워싸도록 상기 패키지 하우징의 내부에 충격을 완화하기 위한 충진재를 충진하는 충진 유니트를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 충진 유니트는,
    상기 충진재를 토출하는 충진재 토출기와,
    상기 충진재의 충진 영역을 설정하는 충진 영역 설정부와,
    상기 충진재 토출기와 전기적으로 연결되며, 상기 설정한 충진 영역에 상기 충진재가 충진되도록 상기 충진재 토출기의 구동을 제어하는 제어기를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 충진재는,
    Si 계열의 탄성 에폭시 또는 일정의 점도를 갖는 에폭시 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 점도는 400cps 이하를 이루는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 충진 영역은,
    상기 전지 모듈의 상면부에 형성되는 제 1영역과, 상기 전지 모듈과 상기 패키지 하우지의 내벽 사이 공간에 형성되는 제 2영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 충진 영역 설정부는,
    상기 충진 영역을 상기 전지 모듈의 둘레로부터 일정 두께를 이루어 서로 경계를 이루는 다수의 충진 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 다수의 충진 영역은,
    상기 전지 모듈의 둘레로부터 일정 두께를 형성하는 제 1충진 영역과,
    상기 제 1충진 영역과 상기 패키지 하우징의 내벽 사이에 형성되는 제 2충진 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 충진재 토출기는,
    일정의 점도를 이루는 액체 상의 충진재를 토출하는 액체 충진재 토출기와,
    고체 상의 충진재를 토출하는 고체 충진재 토출기를 구비하되,
    상기 제어부는,
    상기 고체 충진재 토출기를 사용하여 상기 제 1충진 영역에 고체 상의 충진재를 충진하고,
    상기 액체 충진재 토출기를 사용하여 상기 제 2충진 영역에 액체 상의 충진재를 충진하고,
    상기 고체 상의 충진재는, 액상을 이루어 상기 고체 충진재 토출기를 통하여 토출되며, 외부로부터 일정 온도의 열을 전달 받으면 일정의 경도로 경화되고,
    상기 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 액체 상의 충진재는,
    상기 점도는 400cps 이하를 이루는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  16. 제 10항 또는 제 15항에 있어서,
    상기 충진 유니트는, 점도 형성부를 더 구비하되,
    상기 점도 형성부는, 상기 점도를 이루는 충진재의 온도값을 측정하는 온도 센서와,
    상기 점도를 이루는 충진재를 가열하는 가열 수단을 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 가열 수단을 사용하여 상기 점도는 400cps 이하를 이루도록 상기 액체 상의 충진재를 가열하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  17. 제 8항에 있어서,
    상기 충진 유니트는,
    상기 충진재의 충진 깊이를 설정하는 충진 깊이 설정부를 더 구비하되,
    상기 충진 깊이는 상기 적층 공간의 바닥면으로부터 상기 전지 모듈의 상면과 상기 적층 공간의 깊이 사이까지의 거리를 상한선으로 설정하고,
    상기 적층 공간의 바닥면으로부터 상기 상한선까지의 깊이로 설정되는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 충진 깊이 설정부는, 거리 센서와 설정기를 포함하고,
    상기 거리 센서는, 상기 충진재 토출기에 설치되며, 상기 적층 공간의 깊이값과, 상기 전지 모듈의 상면까지의 거리값을 측정하고,
    상기 설정기는, 상기 충진 깊이를 설정하되,
    상기 제어기는 상기 설정한 충진 깊이를 이루도록 상기 충진재 토출기의 구동을 제어하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  19. 제 7항에 있어서,
    상기 안착부는,
    상기 패키지 하우징의 안착되는 안착 스테이지와,
    상기 안착 스테이지에 설치되며, 외부로부터 진공을 받아 상기 패키지 하우징을 진공 흡착하는 진공 제공부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 장치.
  20. 상부가 개구되고, 내부에 전지 모듈을 갖는 패키지 하우징을 준비하는 제 1단계; 및
    상기 전지 모듈을 에워싸도록 상기 패키지 하우징의 내부에 충격을 완화하기 위한 충진재를 충진하는 제 2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 패키지 하우징을 안착 스테이지 상에 안착시키고,
    진공 제공부를 사용하여 상기 패키지 하우징을 진공 흡착시키는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 제 2단계는,
    상기 충진재가 충진되는 충진 영역을 설정하고,
    상기 충진 영역에 충진재를 충진하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 충진 영역을 상기 전지 모듈의 상면부에 형성되는 제 1영역과, 상기 전지 모듈의 둘레와 상기 패키지 하우징의 내벽 사이의 제 2영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  24. 제 22항에 있어서,
    상기 충진재를 Si 계열의 탄성 에폭시 또는 일정의 점도를 갖는 에폭시 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  25. 제 22항에 있어서,
    상기 충진 영역을
    상기 전지 모듈의 둘레로부터 일정 두께를 형성하는 제 1충진 영역과,
    상기 제 1충진 영역과 상기 패키지 하우징의 내벽 사이에 형성되는 제 2충진 영역으로 설정하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 제 1충진 영역에 고체 상의 충진재를 충진하고,
    상기 제 2충진 영역에 액체 상의 충진재를 충진하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 고체 상의 충진재는,
    일정 점도의 액상을 이루고, 외부로부터 일정 온도의 열을 가하여 경화시켜 일정의 경도를 갖도록 고체 상으로 형성하고,
    상기 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  28. 제 24항 또는 제 25항에 있어서,
    상기 점도를 400cps(centi poise) 이하를 이루도록 하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  29. 제 28항에 있어서,
    가열 수단을 사용하여 상기 점도를 400cps(centi poise) 이하를 이루도록 상기 점도를 이루는 충진재를 일정 시간 가열하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  30. 제 22항에 있어서,
    상기 제 2단계에서,
    상기 적층 공간의 바닥면으로부터 상기 전지 모듈의 상면과 상기 적층 공간의 깊이 사이까지의 거리를 충진 깊이의 상한선으로 설정하고,
    상기 충진 깊이를 상기 적층 공간의 바닥면으로부터 상기 상한선까지의 깊이로 설정하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 박막 전지 패키지 제조 방법.
  31. 단위셀들이 서로 적층되어 형성되는 전지 모듈; 및
    상기 단위셀들의 사이 공간 및 상기 전지 모듈을 에워싸며, 충격을 완화하는 충격 흡수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 모듈.
  32. 제 31항에 있어서,
    상기 충격 흡수부는,
    Si 계열의 탄성 에폭시 또는 일정의 점도를 갖는 에폭시 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 전지 모듈.
  33. 제 32항에 있어서,
    상기 점도는 400cps(centi poise) 이하를 이루는 것을 특징으로 하는 박막 전지 모듈.
  34. 제 31항에 있어서,
    상기 충격 흡수부는,
    상기 전지 모듈의 둘레로부터 서로 다른 물질의 상태를 갖고 서로 경계를 이루는 충격 흡수 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 모듈.
  35. 제 34항에 있어서,
    상기 충격 흡수 영역들은,
    상기 전지 모듈의 둘레를 일정 두께로 에워싸고, 고체 상을 이루는 제 1충격 흡수 영역과,
    상기 제 1충격 흡수 영역의 둘레를 에워싸고, 일정 점도를 이루는 에폭시로 형성되는 제 2충격 흡수 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전지 모듈.
  36. 제 35항에 있어서,
    상기 제 1충격 흡수 영역은,
    일정 점도의 액상을 이루고, 외부로부터 일정 온도의 열을 전달 받아 경화되어 일정의 경도를 갖도록 고체 상으로 형성되고,
    상기 경도는 500 내지 1500gf 또는 1500 내지 4000gf 범위 중 어느 하나의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 박막 전지 모듈.
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