KR20130065606A - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 Download PDF

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KR20130065606A
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요시토모 하시모토
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

저유전율, 높은 에칭 내성, 높은 리크 내성의 특성을 구비하는 박막을 형성한다.
기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 기판에 대하여 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 기판 상에 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체{ METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND NON-TRANSITORY COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 상에 박막(薄膜)을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치(디바이스)의 제조 공정 중에 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 실리콘 산화막(SiO2)이나 실리콘 질화막(Si3N4) 등의 실리콘계 절연막, 즉 소정 원소로서의 실리콘을 포함하는 절연막을 형성하는 공정이 있다. 실리콘 산화막은 절연성, 저유전성 등에 뛰어나 절연막이나 층간막으로서 널리 이용된다. 또한 실리콘 질화막은 절연성, 내식성, 유전성, 막 스트레스 제어성 등에 뛰어나 절연막이나 마스크막, 전하(電荷) 축적막, 스트레스 제어막으로서 널리 이용된다. 또한 이와 같은 절연막에 카본(C)를 첨가하는 기술도 알려져 있고, 이에 의해 절연막의 에칭 내성을 향상시키는 것이 가능하다.
하지만 절연막으로의 카본 첨가에 의해 절연막의 에칭 내성을 향상시키는 것이 가능해지는 반면, 유전율이 증가하여 리크 내성이 열화하는 경우가 있다. 즉 각각의 절연막에는 일장일단이 있어, 종래 저유전율, 높은 에칭 내성, 높은 리크 내성의 특성을 구비하는 박막은 없었다.
따라서 본 발명의 목적은 저유전율, 높은 에칭 내성, 높은 리크 내성의 특성을 구비하는 박막을 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면,
기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 수용하는 처리실;
상기 처리실 내로 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급계;
상기 처리실 내로 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 제1 반응 가스 공급계;
상기 처리실 내에 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 제2 반응 가스 공급계; 및
상기 처리실 내의 기판에 대하여 상기 원료 가스를 공급하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 제1 반응 가스를 공급하는 처리를 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 처리를 수행하도록 상기 원료 가스 공급계, 상기 제1 반응 가스 공급계 및 전기 제2 반응 가스 공급계를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 처리 장치의 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 순서와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 순서를 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 순서; 및
상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 순서;
를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 순서를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
본 발명에 의하면 저유전율, 높은 에칭 내성, 높은 리크 내성의 특성을 구비하는 박막을 형성하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 종형(縱型) 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 종단면도로 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 도 1의 A-A선 단면도로 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에서의 성막 플로우를 도시하는 도면.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제1 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍의 변형예를 도시하는 도면이며, 도 6a는 변형예1을, 도 6b는 변형예2를, 도 6c는 변형예3을 각각 도시함.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에서의 성막 플로우를 도시하는 도면.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 제2 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍의 변형예를 도시하는 도면이며, 도 9a는 변형예1을, 도 9b는 변형예2를, 도 9c는 변형예3을 각각 도시함.
도 10은 본 발명의 제3 실시 형태에서의 성막 플로우를 도시하는 도면.
도 11은 본 발명의 제3 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 제3 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍의 변형예를 도시하는 도면이며, 도 12a는 변형예1을, 도 12b는 변형예2를 각각 도시함.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 제3 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍의 변형예를 도시하는 도면이며, 도 13a는 변형예3을, 도 13b는 변형예4를 각각 도시함.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제3 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍의 변형예를 도시하는 도면이며, 도 14a는 변형예5를, 도 14b는 변형예6을 각각 도시함.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 다른 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍의 변형예를 각각 도시하는 도면.
도 16은 본 발명의 실시예1에서의 SiOCN막의 각종 측정 결과를 도시하는 도면.
도 17은 본 발명의 실시예2에서의 SiOC막의 각종 측정 결과를 도시하는 도면.
도 18은 본 발명의 실시예3에서의 SiOCN막의 각종 측정 결과를 도시하는 도면.
<본 발명의 제1 실시 형태>
이하, 본 발명의 제1 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1은 본 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로(202) 부분을 종단면도로 도시한다. 도 2는 본 실시 형태에서 바람직하게 이용되는 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로(202) 부분을 도 1의 A-A선 단면도로 도시한다.
도 1에 도시하는 바와 같이 처리로(202)는 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(207)를 포함한다. 히터(207)는 원통 형상이며, 보지판(保持板)으로서의 히터 베이스(도시되지 않음)에 지지되는 것에 의해 수직으로 설치된다. 또한 히터(207)는 후술하는 바와 같이 가스를 열로 활성화[여기(勵起)]시키는 활성화 기구(여기부)로서도 기능한다.
히터(207)의 내측에는 히터(207)와 동심원 형상으로 반응 용기(처리 용기)를 구성하는 반응관(203)이 배설(配設)된다. 반응관(203)은 예컨대 석영(SiO2) 또는 탄화실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 이루어지고, 상단이 폐색(閉塞)되고 하단이 개구(開口)된 원통 형상으로 형성된다. 반응관(203)의 통중공부(筒中空部)에는 처리실(201)이 형성되고, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 후술하는 보트(217)에 의해 수평 자세로 수직 방향에 다단으로 정렬한 상태에서 수용 가능하도록 구성된다.
처리실(201) 내에는 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b), 제3 노즐(249c)이반응관(203)의 하부를 관통하도록 설치된다. 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b), 제3 노즐(249c)에는 제1 가스 공급관(232a), 제2 가스 공급관(232b), 제3 가스 공급관(232c)이 각각 접속된다. 또한 제3 가스 공급관(232c)에는 제4 가스 공급관(232d)이 접속된다. 이와 같이 반응관(203)에는 3개의 노즐(249a, 249b, 249c)과, 4개의 가스 공급관(232a, 232b, 232c, 232d)이 설치되어, 처리실(201) 내로 복수 종류, 여기서는 4종류의 가스를 공급할 수 있도록 구성된다.
또한 반응관(203)의 하방(下方)에 반응관(203)을 지지하는 금속제의 매니폴드를 설치하여 각 노즐을 이 금속제의 매니폴드의 측벽을 관통하도록 설치해도 좋다. 이와 같은 경우, 이 금속제의 매니폴드에 후술하는 배기관(231)을 더 설치해도 좋다. 또한 이와 같은 경우에서도 배기관(231)을 금속제의 매니폴드가 아닌 반응관(203)의 하부에 설치해도 좋다. 이와 같이 처리로(202)의 노구부(爐口部)를 금속제로 하고 이 금속제의 노구부에 노즐 등을 설치해도 좋다.
제1 가스 공급관(232a)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241a, MFC) 및 개폐 밸브인 밸브(243a)가 설치된다. 또한 제1 가스 공급관(232a)의 밸브(243a)보다도 하류측에는 제1 불활성 가스 공급관(232e)이 접속된다. 이 제1 불활성 가스 공급관(232e)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241e) 및 개폐 밸브인 밸브(243e)가 설치된다. 또한 제1 가스 공급관(232a)의 선단부에는 전술한 제1 노즐(249a)이 접속된다. 제1 노즐(249a)은 반응관(203)의 내벽과 웨이퍼(200) 사이의 원호 형상의 공간에 반응관(203)의 내벽의 하부로부터 상부를 따라 웨이퍼(200)의 적재 방향 상방(上方)을 향해 상승[立上]하도록 설치된다. 즉 제1 노즐(249a)은 웨이퍼(200)가 배열되는 웨이퍼 배열 영역의 측방의 웨이퍼 배열 영역을 수평으로 둘러싸는 영역에 웨이퍼 배열 영역에 따르도록 설치된다. 제1 노즐(249a)은 L자형의 롱 노즐로서 구성되고, 그 수평부는 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 설치되고, 그 수직부는 적어도 웨이퍼 배열 영역의 일단측(一端側)으로부터 타단측(他端側)을 향해 상승하도록 설치된다. 제1 노즐(249a)의 측면에는 가스를 공급하는 가스 공급공(250a)이 설치된다. 가스 공급공(250a)은 반응관(203)의 중심을 향하도록 개구되고, 웨이퍼(200)를 향해 가스를 공급하는 것이 가능하다. 이 가스 공급공(250a)은 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐 복수 설치되고, 각각이 동일한 개구 면적을 가지고, 또한 같은 개구 피치로 설치된다.
주로 제1 가스 공급관(232a), 매스 플로우 컨트롤러(241a), 밸브(243a)에 의해 제1 가스 공급계가 구성된다. 또한 제1 노즐(249a)을 제1 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제1 불활성 가스 공급관(232e), 매스 플로우 컨트롤러(241e), 밸브(243e)에 의해 제1 불활성 가스 공급계가 구성된다. 제1 불활성 가스 공급계는 퍼지 가스 공급계로서도 기능한다.
제2 가스 공급관(232b)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241b, MFC) 및 개폐 밸브인 밸브(243b)가 설치된다. 또한 제2 가스 공급관(232b)의 밸브(243b)보다도 하류측에는 제2 불활성 가스 공급관(232f)이 접속된다. 이 제2 불활성 가스 공급관(232f)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241f) 및 개폐 밸브인 밸브(243f)가 설치된다. 또한 제2 가스 공급관(232b)의 선단부에는 전술한 제2 노즐(249b)이 접속된다. 제2 노즐(249b)은 반응관(203)의 내벽과 웨이퍼(200) 사이의 원호 형상의 공간에 반응관(203)의 내벽의 하부로부터 상부에 따라 웨이퍼(200)의 적재 방향 상방을 향해 상승하도록 설치된다. 즉 제2 노즐(249b)은 웨이퍼(200)가 배열되는 웨이퍼 배열 영역의 측방의 웨이퍼 배열 영역을 수평으로 둘러싸는 영역에 웨이퍼 배열 영역에 따르도록 설치된다. 제2 노즐(249b)은 L자형의 롱 노즐로서 구성되고, 그 수평부는 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 설치되고, 그 수직부는 적어도 웨이퍼 배열 영역의 일단측으로부터 타단측을 향해 상승하도록 설치된다. 제2 노즐(249b)의 측면에는 가스를 공급하는 가스 공급공(250b)이 설치된다. 가스 공급공(250b)은 반응관(203)의 중심을 향하도록 개구되어, 웨이퍼(200)를 향해 가스를 공급하는 것이 가능하다. 이 가스 공급공(250b)은 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐서 복수 설치되고, 각각이 동일한 개구 면적을 가지고, 또한 같은 개구 피치로 설치된다.
주로 제2 가스 공급관(232b), 매스 플로우 컨트롤러(241b), 밸브(243b)에 의해 제2 가스 공급계가 구성된다. 또한 제2 노즐(249b)을 제2 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제2 불활성 가스 공급관(232f), 매스 플로우 컨트롤러(241f), 밸브(243f)에 의해 제2 불활성 가스 공급계가 구성된다. 제2 불활성 가스 공급계는 퍼지 가스 공급계로서도 기능한다.
제3 가스 공급관(232c)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241c, MFC) 및 개폐 밸브인 밸브(243c)가 설치된다. 또한 제3 가스 공급관(232c)의 밸브(243c)보다도 하류측에는 제4 가스 공급관(232d)이 접속된다. 이 제4 가스 공급관(232d)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241d) 및 개폐 밸브인 밸브(243d)가 설치된다. 또한 제3 가스 공급관(232c)에서의 제4 가스 공급관(232d)과의 접속 개소보다도 하류측에는 제3 불활성 가스 공급관(232g)이 접속된다. 이 제3 불활성 가스 공급관(232g)에는 상류 방향으로부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(241g) 및 개폐 밸브인 밸브(243g)가 설치된다. 또한 제3 가스 공급관(232c)의 선단부에는 전술한 제3 노즐(249c)이 접속된다. 제3 노즐(249c)은 반응관(203)의 내벽과 웨이퍼(200) 사이의 원호 형상의 공간에 반응관(203)의 내벽의 하부로부터 상부를 따라 웨이퍼(200)의 적재 방향 상방을 향해 상승하도록 설치된다. 즉 제3 노즐(249c)은 웨이퍼(200)가 배열되는 웨이퍼 배열 영역의 측방의 웨이퍼 배열 영역을 수평으로 둘러싸는 영역에 웨이퍼 배열 영역에 따르도록 설치된다. 제3 노즐(249c)은 L자형의 롱 노즐로서 구성되고, 그 수평부는 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 설치되고, 그 수직부는 적어도 웨이퍼 배열 영역의 일단측으로부터 타단측을 향해 상승하도록 설치된다. 제3 노즐(249c)의 측면에는 가스를 공급하는 가스 공급공(250c)이 설치된다. 가스 공급공(250c)은 반응관(203)의 중심을 향하도록 개구되고, 웨이퍼(200)를 향해 가스를 공급하는 것이 가능하다. 이 가스 공급공(250c)은 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐서 복수 설치되고, 각각이 동일한 개구 면적을 가지고, 또한 같은 개구 피치로 설치된다.
주로 제3 가스 공급관(232c), 매스 플로우 컨트롤러(241c), 밸브(243c)에 의해 제3 가스 공급계가 구성된다. 또한 제3 노즐(249c)을 제3 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제4 가스 공급관(232d), 매스 플로우 컨트롤러(241d), 밸브(243d)에 의해, 제4 가스 공급계가 구성된다. 또한 제3 가스 공급관(232c)의 제4 가스 공급관(232d)과의 접속부보다도 하류측, 제3 노즐(249c)을 제4 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제3 불활성 가스 공급관(232g), 매스 플로우 컨트롤러(241g), 밸브(243g)에 의해, 제3 불활성 가스 공급계가 구성된다. 제3 불활성 가스 공급계는 퍼지 가스 공급계로서도 기능한다.
이와 같이 본 실시 형태에서의 가스 공급의 방법은 반응관(203)의 내벽과 적재된 복수 매의 웨이퍼(200)의 단부(端部)에 의해 정의되는 원호 형상의 세로로 긴 공간 내에 배치한 노즐(249a, 249b, 249c)을 경유하여 가스를 반송하고, 노즐(249a, 249b, 249c)에 각각 개구된 가스 공급공(250a, 250b, 250c)으로부터 웨이퍼(200)의 근방에서 처음으로 반응관(203) 내에 가스를 분출시켜서, 반응관(203) 내에서의 가스의 주된 흐름을 웨이퍼(200)의 표면과 평행한 방향, 즉 수평 방향으로 한다. 이와 같은 구성에 의해 각 웨이퍼(200)에 대하여 균일하게 가스를 공급할 수 있고, 각 웨이퍼(200)에 형성되는 박막의 막 두께를 균일하게 할 수 있는 효과가 있다. 또한 웨이퍼(200)의 표면 상을 흐른 가스, 즉 반응 후의 잔류 가스는 배기구, 즉 후술하는 배기관(231)의 방향을 향해 흐르지만, 이 잔류 가스가 흐르는 방향은 배기구의 위치에 의해 적절히 특정되며, 수직 방향으로 한정되지 않는다.
제1 가스 공급관(232a)으로부터는 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스로서, 예컨대 적어도 실리콘(Si)과 염소(Cl)를 포함하는 원료 가스인 클로로실란계 원료 가스가 매스 플로우 컨트롤러(241a), 밸브(243a), 제1 노즐(249a)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 여기서 클로로실란계 원료 가스란 기체 상태의 클로로실란계 원료, 예컨대 상온 상압 하에서 액체 상태인 클로로실란계 원료를 기화하는 것에 의해 얻어지는 가스나, 상온 상압 하에서 기체 상태인 클로로실란계 원료 등을 말한다. 또한 클로로실란계 원료란 할로겐기(基)로서의 클로로기를 포함하는 실란계 원료를 말하며, 적어도 실리콘(Si) 및 염소(Cl)를 포함하는 원료를 말한다. 즉 여기서 말하는 클로로실란계 원료는 할로겐화물의 일종이라고도 말할 수 있다. 또한 본 명세서에서 「원료」라는 말을 이용한 경우는 「액체 상태인 액체 원료」를 의미하는 경우, 「기체 상태인 원료 가스」를 의미하는 경우, 또는 그 양방(兩方)을 의미하는 경우가 있다. 따라서 본 명세서에서 「클로로실란계 원료」라는 단어를 이용한 경우는 「액체 상태인 클로로실란계 원료」를 의미하는 경우, 「기체 상태인 클로로실란계 원료 가스」를 의미하는 경우, 또는 그 양방을 의미하는 경우가 있다. 클로로실란계 원료 가스로서는 예컨대 그 조성식 중(1분자 중)에서의 할로겐기를 포함하는 리간드(Cl)의 수가 6인 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS) 가스를 이용할 수 있다. 또한 HCDS와 같이 상온 상압 하에서 액체 상태인 액체 원료를 이용하는 경우에는, 액체 원료를 기화기나 버블러 등의 기화 시스템에 의해 기화하여 원료 가스(HCDS가스)로서 공급한다.
제2 가스 공급관(232b)으로부터는 탄소(C)와 질소(N)를 포함하는 제1 반응 가스로서, 예컨대 아민을 포함하는 가스, 즉 아민계 가스가 매스 플로우 컨트롤러(241b), 밸브(243b), 제2 노즐(249b)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 여기서 아민계 가스란 기체 상태의 아민, 예컨대 상온 상압 하에서 액체 상태인 아민을 기화하는 것에 의해 얻어지는 가스나, 상온 상압 하에서 기체 상태인 아민 등의 아민기를 포함하는 가스를 말한다. 아민계 가스는 에틸아민, 메틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 이소부틸아민 등의 아민을 포함한다. 여기서 아민이란 암모니아(NH3)의 수소 원자를 알킬기 등의 탄화수소기로 치환한 형태의 화합물의 총칭이다. 즉 아민은 탄소 원자를 포함하는 리간드로서 알킬기 등의 탄화수소기를 포함한다. 아민계 가스는 탄소(C), 질소(N) 및 수소(H)의 3원소를 포함하고, 실리콘(Si)을 포함하지 않기 때문에 실리콘 비함유의 가스라고도 말할 수 있고, 또한 실리콘 및 금속을 포함하지 않기 때문에 실리콘 및 금속 비함유의 가스라고도 말할 수 있다. 또한 아민계 가스는 질소 함유 가스, 탄소 함유 가스, 그리고 수소 함유 가스이기도 한다. 아민계 가스는 탄소(C), 질소(N) 및 수소(H)의 3원소만으로 구성되는 물질이라고도 말할 수 있다. 또한 본 명세서에서 「아민」이라는 단어를 이용한 경우는 「액체 상태인 아민」을 의미하는 경우, 「기체 상태인 아민계 가스」를 의미하는 경우, 또는 그 양방을 의미하는 경우가 있다. 아민계 가스로서는 예컨대 그 조성식 중(1분자 중)에서의 탄소 원자를 포함하는 리간드(에틸기)의 수가 3이며, 그 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 트리에틸아민[(C2H5)3N, 약칭: TEA] 가스를 이용할 수 있다. 또한 TEA와 같이 상온 상압 하에서 액체 상태인 아민을 이용하는 경우에는, 액체 상태의 아민을 기화기나 버블러 등의 기화 시스템에 의해 기화하여 제1 반응 가스(TEA가스)로서 공급한다.
제1 반응 가스는 질소 원자의 수보다도 탄소 원자의 수가 더 많은 조성을 갖는다. 즉, 제1 반응 가스를 구성하는 물질의 조성식 중에서 탄소 원자의 수는 질소 원자의 수보다 더 많다. 즉 제1 반응 가스를 구성하는 물질의 1 분자 중에서 탄소 원자의 수는 질소 원자의 수보다 많다.
또한 제1 반응 가스는 탄소 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함한다. 즉 제1 반응 가스를 구성하는 물질의 조성식에는 탄소 원자를 포함하는 리간드가 복수 포함된다.
제3 가스 공급관(232c)으로부터는 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스로서, 예컨대 산소(O)를 포함하는 가스(산소 함유 가스), 즉 산화 가스가 매스 플로우 컨트롤러(241c), 밸브(243c), 제3 노즐(249c)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 산소 함유 가스(산화 가스)로서는 예컨대 산소(O2) 가스를 이용할 수 있다.
제4 가스 공급관(232d)으로부터는 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스로서 예컨대 질소(N)를 포함하는 가스(질소 함유 가스), 즉 질화 가스가 매스 플로우 컨트롤러(241d), 밸브(243d), 제3 가스 공급관(232c), 제3 노즐(249c)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다. 질소 함유 가스(질화 가스)로서는 예컨대 암모니아(NH3) 가스를 이용할 수 있다.
불활성 가스 공급관(232e, 232f, 232g)으로부터는 불활성 가스로서, 예컨대 질소(N2) 가스가 각각 매스 플로우 컨트롤러(241e, 241f, 241g), 밸브(243e, 243f, 243g), 가스 공급관(232a, 232b, 232c), 노즐(249a, 249b, 249c)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급된다.
또한 예컨대 각 가스 공급관으로부터 전술과 같은 가스를 각각 흘리는 경우, 제1 가스 공급계에 의해 소정 원소 및 할로겐기를 포함하는 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급계, 즉 클로로실란계 원료 가스 공급계가 구성된다. 또한 클로로실란계 원료 가스 공급계를 단순히 클로로실란계 원료 공급계라고도 칭한다. 또한 제2 가스 공급계에 의해 제1 반응 가스 공급계, 즉 아민계 가스 공급계가 구성된다. 또한 아민계 가스 공급계를 단순히 아민 공급계라고도 칭한다. 또한 제3 가스 공급계에 의해 제2 반응 가스 공급계, 즉 산화 가스 공급계로서의 산소 함유 가스 공급계가 구성된다. 또한 제4 가스 공급계에 의해 제2 반응 가스 공급계, 즉 질화 가스 공급계로서의 질소 함유 가스 공급계가 구성된다.
반응관(203)에는 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 설치된다. 도 2에 도시하는 바와 같이 횡단면시(橫斷面視)에서 배기관(231)은 반응관(203)의 제1 노즐(249a)의 가스 공급공(250a), 제2 노즐(249b)의 가스 공급공(250b) 및, 제3 노즐(249c)의 가스 공급공(250c)이 설치되는 측과 대향하는 측, 즉 웨이퍼(200)를 사이에 두고 가스 공급공(250a, 250b, 250c)과는 반대측에 설치된다. 또한 도 1에 도시하는 바와 같이 종단면시(縱斷面視)에서 배기관(231)은 가스 공급공(250a, 250b, 250c)이 설치되는 개소보다도 하방에 설치된다. 이 구성에 의해 가스 공급공(250a, 250b, 250c)으로부터 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)의 근방에 공급된 가스는 수평 방향, 즉 웨이퍼(200)의 표면과 평행한 방향을 향해 흐른 뒤, 하방을 향해 흘러 배기관(231)으로부터 배기된다. 처리실(201) 내에서의 가스의 주된 흐름이 수평 방향에 향하는 흐름이 되는 것은 전술한 바와 같다.
배기관(231)에는 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 개재하여 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속된다. 또한 APC 밸브(244)는 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 밸브를 개폐하는 것에 의해 처리실(201) 내의 진공 배기 및 진공 배기 정지를 수행할 수 있고 또한 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 밸브 개도(開度)를 조절하는 것에 의해 처리실(201) 내의 압력을 조정할 수 있도록 구성된 밸브다. 주로 배기관(231), APC 밸브(244), 압력 센서(245)에 의해 배기계가 구성된다. 또한 진공 펌프(246)를 배기계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 배기계는 진공 펌프(246)를 작동시키면서 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244)의 밸브의 개도를 조절하는 것에 의해 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성된다.
반응관(203)의 하방에는 반응관(203)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 노구 개체로서의 씰 캡(219)이 설치된다. 씰 캡(219)은 반응관(203)의 하단에 수직 방향 하방으로부터 당접(當接)되도록 구성된다. 씰 캡(219)은 예컨대 스텐레스 등의 금속으로 이루어지고, 원반 형상으로 형성된다. 씰 캡(219)의 상면에는 반응관(203)의 하단과 당접하는 씰 부재로서의 O링(220)이 설치된다. 씰 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는 후술하는 기판 보지구(保持具)로서의 보트(217)를 회전시키는 회전 기구(267)가 설치된다. 회전 기구(267)의 회전축(255)은 씰 캡(219)을 관통하여 보트(217)에 접속된다. 회전 기구(267)는 보트(217)를 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성된다. 씰 캡(219)은 반응관(203)의 외부에 수직으로 설치된 승강(昇降) 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성된다. 보트 엘리베이터(115)는 씰 캡(219)을 승강시키는 것에 의해 보트(217)를 처리실(201) 내외에 반입 및 반출하는 것이 가능하도록 구성된다. 즉 보트 엘리베이터(115)는 보트(217), 즉 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내외에 반송하는 반송 장치(반송 기구)로서 구성된다.
기판 지지구로서의 보트(217)는 예컨대 석영이나 탄화실리콘 등의 내열성 재료로 이루어지고, 복수 매의 웨이퍼(200)를 수평 자세로 또한 서로 중심을 맞춘 상태로 정렬시켜서 다단으로 지지하도록 구성된다. 또한 보트(217)의 하부에는 예컨대 석영이나 탄화실리콘 등의 내열성 재료로 이루어지는 단열 부재(218)가 설치되고, 히터(207)로부터의 열이 씰 캡(219)측에 전달되기 어렵도록 구성된다. 또한 단열 부재(218)은 석영이나 탄화실리콘 등의 내열성 재료로 이루어지는 복수 매의 단열판과 이 단열판들을 수평 자세에서 다단으로 지지하는 단열판 홀더에 의해 구성해도 좋다.
반응관(203) 내에는 온도 검출기로서의 온도 센서(263)가 설치되고, 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)로의 통전 상태를 조정하는 것에 의해 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록 구성된다. 온도 센서(263)는 노즐(249a, 249b, 249c)과 마찬가지로 L자형으로 구성되고, 반응관(203)의 내벽을 따라 설치된다.
도 3에 도시하는 바와 같이 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는 CPU(121a, Central Processing Unit), RAM(121b, Random Access Memory) 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는 내부 버스(121e)를 개재하여 CPU(121a)와 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(121)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속된다.
기억 장치(121c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(121c) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 또한 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(121)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 이용한 경우는 프로세스 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(121b)는 CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(121d)는 전술한 매스 플로우 컨트롤러(241a, 241b, 241c, 241d, 241e, 241f, 241g), 밸브(243a, 243b, 243c, 243d, 243e, 243f, 243g), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 히터(207), 온도 센서(263), 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속된다.
CPU(121a)는 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독하여 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 그리고 CPU(121a)는 판독한 프로세스 레시피의 내용을 따르도록 매스 플로우 컨트롤러(241a, 241b, 241c, 241d, 241e, 241f, 241g)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243a, 243b, 243c, 243d, 243e, 243f, 243g)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 온도 센서(263)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성된다.
또한 컨트롤러(121)는 전용의 컴퓨터로서 구성되는 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치(123)[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光)디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리]를 준비하고, 이와 같은 외부 기억 장치(123)를 이용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(121)를 구성할 수 있다. 또한 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치(123)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치(123)를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 또한 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 기록 매체라는 단어을 이용한 경우는 기억 장치(121c)단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
(2) 기판 처리 공정
다음으로 전술한 기판 처리 장치의 처리로(202)를 이용하여 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서 웨이퍼(200) 상에 박막을 성막하는 예에 대하여 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치를 구성하는 각(各) 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
본 실시 형태에서는,
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(1회 이상) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수(1회 이상) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 소정 원소를 포함하는 소정 조성 및 소정 막 두께의 박막을 형성한다.
또한 본 실시 형태에서는 형성하는 박막의 조성비가 화학량론 조성 또는 화학량론 조성과는 다른 소정의 조성비가 되도록 하는 것을 목적으로 하여, 형성하는 박막을 구성하는 복수의 원소를 포함하는 복수 종류의 가스의 공급 조건을 제어한다. 예컨대 형성하는 박막을 구성하는 복수의 원소 중 적어도 하나의 원소가 다른 원소보다도 화학량론 조성에 대하여 과잉이 되도록 하는 것을 목적으로 하여 공급 조건을 제어한다. 이하, 형성하는 박막을 구성하는 복수의 원소의 비율, 즉 박막의 조성비를 제어하면서 성막을 수행하는 예에 대하여 설명한다.
이하, 본 실시 형태의 성막 시퀀스를 도 4, 도 5를 이용하여 구체적으로 설명한다. 도 4는 본 실시 형태에서의 성막 플로우를 도시하는 도면이다. 도 5는 본 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면이다.
또한 여기서는,
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스로서 클로로실란계 원료 가스인 HCDS가스를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스로서, 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(에틸기)를 복수(3개) 포함하는 아민계 가스인 TEA가스를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스(산화 가스)인 O2가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 실리콘 산탄질화층(SiOCN층) 또는 실리콘 산탄화층(SiOC층)을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘계 절연막인 실리콘 산탄질화막(SiOCN막) 또는 실리콘 산탄화막(SiOC막)을 형성하는 예에 대하여 설명한다.
또한 본 명세서에서 「웨이퍼」라는 단어를 이용한 경우는 「웨이퍼 그 자체」를 의미하는 경우나, 「웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막 등의 적층체 (집합체)」를 의미하는 경우(즉 표면에 형성된 소정의 층이나 막 등을 포함해서 웨이퍼라고 칭하는 경우)가 있다. 또한 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 단어를 이용한 경우는 「웨이퍼 그 자체의 표면(노출면)」을 의미하는 경우나, 「웨이퍼 상에 형성된 소정의 층이나 막 등의 표면, 즉 적층체로서의 웨이퍼의 최표면(最表面)」을 의미하는 경우가 있다.
따라서 본 명세서에서 「웨이퍼에 대하여 소정의 가스를 공급한다」고 기재한 경우는 「웨이퍼 그 자체의 표면(노출면)에 대하여 소정의 가스를 직접 공급한다」는 것을 의미하는 경우나, 「웨이퍼 상에 형성되는 층이나 막 등에 대하여, 즉 적층체로서의 웨이퍼의 최표면에 대하여 소정의 가스를 공급한다」는 것을 의미하는 경우가 있다. 또한 본 명세서에서 「웨이퍼 상에 소정의 층(또는 막)을 형성한다」고 기재한 경우는 「웨이퍼 그 자체의 표면(노출면) 상에 소정의 층(또는 막)을 직접 형성한다」는 것을 의미하는 경우나, 「웨이퍼 상에 형성되는 층이나 막 등의 상, 즉 적층체로서의 웨이퍼의 최표면 상에 소정의 층(또는 막)을 형성한다」는 것을 의미하는 경우가 있다.
또한 본 명세서에서 「기판」이라는 단어를 이용한 경우에도 「웨이퍼」라는 말을 이용한 경우와 마찬가지이며, 그 경우, 상기 설명에서 「웨이퍼」를 「기판」에 치환하여 생각하면 좋다.
(웨이퍼 차지 및 보트 로드)
복수 매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(裝塡, 웨이퍼 차지)되면, 도 1에 도시하는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(200)를 지지한 보트(217)는 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져서 처리실(201) 내에 반입(보트 로드)된다. 이 상태에서 씰 캡(219)은 O링(220)을 개재하여 반응관(203)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
처리실(201) 내가 원하는 압력(진공도)이 되도록 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기된다. 이 때 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245)에 의해 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244)가 피드백 제어된다(압력 조정). 또한 진공 펌프(246)는 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료할 때까지의 사이는 상시 작동시킨 상태를 유지한다. 또한 처리실(201) 내가 원하는 온도가 되도록 히터(207)에 의해 가열된다. 이 때 처리실(201) 내가 원하는 온도 분포가 되도록, 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(207)로의 통전 상태가 피드백 제어된다(온도 조정). 또한 히터(207)에 의한 처리실(201) 내의 가열은 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료할 때까지의 사이는 계속하여 수행된다. 계속하여 회전 기구(267)에 의해 보트(217) 및 웨이퍼(200)의 회전을 시작한다. 또한 회전 기구(267)에 의한 보트(217) 및 웨이퍼(200)의 회전은 적어도, 웨이퍼(200)에 대한 처리가 완료할 때까지의 사이는 계속하여 수행된다.
(실리콘 산탄질화막 또는 실리콘 산탄화막 형성 공정)
그 후, 다음 3개의 스텝, 즉 스텝1∼3을 순차 실행한다.
[스텝1]
(HCDS가스 공급)
제1 가스 공급관(232a)의 밸브(243a)를 열어 제1 가스 공급관(232a) 내에 HCDS가스를 흘린다. 제1 가스 공급관(232a) 내를 흐른 HCDS가스는 매스 플로우 컨트롤러(241a)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 HCDS가스는 제1 노즐(249a)의 가스 공급공(250a)으로부터 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다. 이 때 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS가스가 공급된다. 이 때 동시에 밸브(243e)를 열어 제1 불활성 가스 공급관(232e) 내에 불활성 가스로서의 N2가스를 흘린다. 제1 불활성 가스 공급관(232e) 내를 흐른 N2가스는 매스 플로우 컨트롤러(241e)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 N2가스는 HCDS가스와 함께 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다.
또한 이 때 제2 노즐(249b), 제3 노즐(249c) 내로의 HCDS가스의 침입을 방지하기 위하여 밸브(243f, 243g)를 열어 제2 불활성 가스 공급관(232f), 제3 불활성 가스 공급관(232g) 내에 N2가스를 흘린다. N2가스는 제2 가스 공급관(232b), 제3 가스 공급관(232c), 제2 노즐(249b), 제3 노즐(249c)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다.
이 때 APC 밸브(244)를 적절히 조정하여 처리실(201) 내의 압력을 예컨대 1∼13,300Pa, 바람직하게는 20∼1,330Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 매스 플로우 컨트롤러(241a)로 제어하는 HCDS가스의 공급 유량은 예컨대 1∼1,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 매스 플로우 컨트롤러(241e, 241f, 241g)로 제어하는 N2가스의 공급 유량은 각각 예컨대 100∼10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. HCDS가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간, 즉 가스 공급 시간(조사 시간)은 예컨대 1∼120초, 바람직하게는 1∼60초의 범위 내의 시간으로 한다. 이 때 히터(207)의 온도는 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 250∼700℃, 바람직하게는 300∼650℃, 보다 바람직하게는 350∼600℃의 범위 내의 온도가 될 수 있는 온도로 설정한다. 또한 웨이퍼(200)의 온도가 250℃ 미만이 되면 웨이퍼(200) 상에 HCDS가 화학 흡착하기 어려워져서 실용적인 성막 속도를 얻지 못하는 경우가 있다. 웨이퍼(200)의 온도를 250℃ 이상으로 하는 것에 의해 이를 해소하는 것이 가능하다. 또한 웨이퍼(200)의 온도를 300℃ 이상, 또한 350℃ 이상으로 하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 HCDS를 보다 충분히 흡착시키는 것이 가능하고, 보다 충분한 성막 속도를 얻을 수 있다. 또한 웨이퍼(200)의 온도가 700℃를 넘으면 CVD반응이 강해지는[기상(氣相) 반응이 지배적이 된다] 것에 의해 막 두께 균일성이 악화되기 쉬워져 그 제어가 곤란해진다. 웨이퍼(200)의 온도를 700℃ 이하로 하는 것에 의해 막 두께 균일성의 악화를 억제할 수 있어 그 제어가 가능하다. 특히 웨이퍼(200)의 온도를 650℃ 이하, 또한 600℃ 이하로 하는 것에 의해 표면 반응이 지배적이 되고, 막 두께 균일성을 확보하기 쉬워져 그 제어가 용이해진다. 따라서 웨이퍼(200)의 온도는 250∼700℃, 바람직하게는 300∼650℃, 보다 바람직하게는 350∼600℃의 범위 내의 온도로 하는 것이 좋다.
전술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 HCDS가스를 공급하는 것에 의해, 웨이퍼(200)[표면의 하지막(下地膜)] 상에 소정 원소(실리콘)와 할로겐 원소(염소)를 포함하는 초기층으로서, 예컨대 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도의 두께의 염소(Cl)를 포함하는 실리콘 함유층이 형성된다. Cl을 포함하는 실리콘 함유층은 HCDS가스의 흡착층이어도 좋고, Cl을 포함하는 실리콘층(Si층)이어도 좋고, 그 양방을 포함해도 좋다.
여기서 Cl을 포함하는 실리콘층이란 실리콘(Si)에 의해 구성되어 Cl을 포함하는 연속적인 층 외에 불연속적인 층이나, 이들이 중첩되어 이루어지는 Cl을 포함하는 실리콘 박막도 포함한 총칭이다. 또한 Si에 의해 구성되어 Cl을 포함하는 연속적인 층을 Cl을 포함하는 실리콘 박막이라고 부르는 경우도 있다. 또한 Cl을 포함하는 실리콘층을 구성하는 Si는 Cl과의 결합이 완전히 끊기지 않은 것 외에 Cl과의 결합이 완전히 끊긴 것도 포함한다.
또한 HCDS가스의 흡착층은 HCDS가스의 가스 분자가 연속적인 화학 흡착층 외에 불연속적인 화학 흡착층도 포함한다. 즉 HCDS가스의 흡착층은 HCDS분자로 구성되는 1분자층 또는 1분자층 미만의 두께의 화학 흡착층을 포함한다. 또한 HCDS가스의 흡착층을 구성하는 HCDS(Si2Cl6)분자는 Si와 Cl과의 결합이 일부 끊긴 것(SixCly분자)도 포함한다. 즉 HCDS의 흡착층은 Si2Cl6분자 및/또는 SixCly분자가 연속적인 화학 흡착층이나 불연속적인 화학 흡착층을 포함한다.
또한 1원자층 미만의 두께의 층이란 불연속적으로 형성되는 원자층을 의미하고, 1원자층의 두께의 층이란 연속적으로 형성되는 원자층을 의미한다. 또한 1분자층 미만의 두께의 층이란 불연속적으로 형성되는 분자층을 의미하고, 1분자층의 두께의 층이란 연속적으로 형성되는 분자층을 의미한다.
HCDS가스가 자기(自己)분해(열분해)하는 조건 하 즉 HCDS의 열분해 반응이 발생하는 조건 하에서는, 웨이퍼(200) 상에 Si가 퇴적(堆積)하는 것에 의해 Cl을 포함하는 실리콘층이 형성된다. HCDS가스가 자기분해(열분해)하지 않는 조건 하 즉 HCDS의 열분해 반응이 발생하지 않는 조건 하에서는, 웨이퍼(200) 상에 HCDS가스가 흡착하는 것에 의해 HCDS가스의 흡착층이 형성된다. 또한 웨이퍼(200) 상에 HCDS가스의 흡착층을 형성하는 것 보다 웨이퍼(200) 상에 Cl을 포함하는 실리콘층을 형성하는 것이 성막 레이트를 더 높게 할 수 있어서 바람직하다.
웨이퍼(200) 상에 형성되는 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 두께가 수원자층을 넘으면, 후술하는 스텝2 및 스텝3에서의 개질의 작용이 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 전체(全體)에 전달되지 않는다. 또한 웨이퍼(200) 상에 형성 가능한 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 두께의 최소값은 1원자층 미만이다. 따라서 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 두께는 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 두께를 1원자층 이하, 즉 1원자층 또는 1원자층 미만으로 하는 것에 의해, 후술하는 스텝2 및 스텝3에서의 개질 반응의 작용을 상대적으로 높일 수 있고 스텝2 및 스텝3의 개질 반응에 요하는 시간을 단축할 수 있다. 스텝1의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층 형성에 요하는 시간도 단축할 수 있다. 결과적으로 1사이클당의 처리 시간을 단축할 수 있고, 토탈에서의 처리 시간을 단축하는 것도 가능하다. 즉 성막 레이트를 높게 하는 것도 가능하다. 또한 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 두께를 1원자층 이하로 하는 것에 의해 막 두께 균일성의 제어성을 높이는 것도 가능하다.
(잔류 가스 제거)
초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층이 형성된 후, 제1 가스 공급관(232a)의 밸브(243a)를 닫아 HCDS가스의 공급을 정지한다. 이 때 배기관(231)의 APC 밸브(244)는 연 상태로 하고 진공 펌프(246)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하여 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 초기층 형성에 기여한 후의 HCDS가스를 처리실(201) 내로부터 배제한다. 또한 이 때 밸브(243e, 243f, 243g)는 연 상태로 하여 불활성 가스로서의 N2가스의 처리실(201) 내로의 공급을 유지한다. N2가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 초기층 형성에 기여한 후의 HCDS가스를 처리실(201) 내로부터 배제하는 효과를 높일 수 있다.
또한 이 때 처리실(201) 내에 잔류하는 가스를 완전히 배제하지 않아도 좋고, 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않아도 좋다. 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 미량이면, 그 후에 수행되는 스텝2에서 악영향이 발생하지 않는다. 이 때 처리실(201) 내에 공급하는 N2가스의 유량도 대(大)유량으로 할 필요는 없고, 예컨대 반응관(203)[처리실(201)]의 용적과 같은 정도의 양을 공급하는 것에 의해 스텝2에서 악영향이 발생하지 않는 정도의 퍼지를 수행할 수 있다. 이와 같이 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않는 것에 의해 퍼지 시간을 단축하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한 N2가스의 소비도 필요 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
클로로실란계 원료 가스로서는 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS) 가스 외에, 테트라클로로실란 즉 실리콘테트라클로라이드(SiCl4, 약칭: STC) 가스, 트리클로로실란(SiHCl3, 약칭: TCS) 가스, 디클로로실란(SiH2Cl2, 약칭: DCS) 가스, 모노클로로실란(SiH3Cl, 약칭: MCS) 가스 등의 무기 원료 가스를 이용해도 좋다. 불활성 가스로서는 N2가스 외에 Ar가스, He가스, Ne가스, Xe가스 등의 희가스를 이용해도 좋다.
[스텝2]
(TEA가스 공급)
스텝1이 종료되고 처리실(201) 내의 잔류 가스를 제거한 후, 제2 가스 공급관(232b)의 밸브(243b)를 열어 제2 가스 공급관(232b) 내에 TEA가스를 흘린다. 제2 가스 공급관(232b) 내를 흐른 TEA가스는 매스 플로우 컨트롤러(241b)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 TEA가스는 제2 노즐(249b)의 가스 공급공(250b)으로부터 처리실(201) 내에 공급된다. 처리실(201) 내에 공급된 TEA가스는 열로 활성화(여기)되고, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이 때 웨이퍼(200)에 대하여 열로 활성화된 TEA가스가 공급된다. 이 때 동시에 밸브(243f)를 열어 제2 불활성 가스 공급관(232f) 내에 불활성 가스로서의 N2가스를 흘린다. 제2 불활성 가스 공급관(232f) 내를 흐른 N2가스는 매스 플로우 컨트롤러(241f)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 N2가스는 TEA가스와 함께 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다.
또한 이 때 제1 노즐(249a), 제3 노즐(249c) 내로의 TEA가스의 침입을 방지하기 위하여 밸브(243e, 243g)를 열어 제1 불활성 가스 공급관(232e), 제3 불활성 가스 공급관(232g) 내에 N2가스를 흘린다. N2가스는 제1 가스 공급관(232a), 제3 가스 공급관(232c), 제1 노즐(249a), 제3 노즐(249c)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다.
이 때 APC 밸브(244)를 적절히 조정하여 처리실(201) 내의 압력을 예컨대 1∼13,300Pa, 바람직하게는 399∼3,990Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 처리실(201) 내의 압력을 이와 같은 비교적 높은 압력대로 하는 것에 의해 TEA가스를 논 플라즈마로 열적으로 활성화시키는 것이 가능하다. 또한 TEA가스를 열로 활성화시켜서 공급하는 것에 의해 소프트한 반응을 발생시킬 수 있어 후술하는 개질을 소프트하게 수행할 수 있다. 매스 플로우 컨트롤러(241b)로 제어하는 TEA가스의 공급 유량은 예컨대 100∼2,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 매스 플로우 컨트롤러(241f, 241e, 241g)로 제어하는 N2가스의 공급 유량은 각각 예컨대 100∼10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 이 때 처리실(201) 내에서의 TEA가스의 분압은 0.01∼12,667Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 열로 활성화시킨 TEA가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간, 즉 가스 공급 시간(조사 시간)은 예컨대 1∼120초, 바람직하게는 1∼60초의 범위 내의 시간으로 한다. 이 때의 히터(207)의 온도는 스텝1과 마찬가지로 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 250∼700℃, 바람직하게는 300∼650℃, 보다 바람직하게는 350∼600℃의 범위 내의 온도가 될 수 있는 온도로 설정한다.
전술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 TEA가스를 공급하는 것에 의해 스텝1에서 웨이퍼(200) 상에 형성된 초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층과 TEA가스를 반응시킬 수 있다. 즉 초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층에 포함되는 할로겐 원소(Cl)와 TEA가스에 포함되는 리간드(에틸기)를 반응시킬 수 있다. 이로 인해 초기층에 포함되는 Cl 중 적어도 일부의 Cl을 초기층으로부터 인발(引拔)하는(분리시키는) 것과 함께, TEA가스에 포함되는 복수의 에틸기 중 적어도 일부의 에틸기를 TEA가스로부터 분리시킬 수 있다. 그리고 적어도 일부의 에틸기가 분리한 TEA가스의 N과, 초기층에 포함되는 Si를 결합시킬 수 있다. 즉 TEA가스를 구성하는 N으로서 적어도 일부의 에틸기가 빠져 미결합수(댕글링 본드)를 가지게 된 N과, 초기층에 포함되어 미결합수를 가지게 된 Si, 또는 미결합수를 가졌던 Si를 결합시켜서 Si-N결합을 형성하는 것이 가능하다. 또한 이 때 TEA가스의 리간드인 에틸기에 포함되는 C나 에틸기에 포함되었던 C와, 초기층에 포함되는 Si를 결합시켜서 Si-C결합을 형성하는 것도 가능하다. 그 결과, 초기층 중으로부터 Cl이 탈리하는 것과 함께 초기층 중에 N성분이 새롭게 취입(取入)된다. 또한 이 때 초기층 중에 C성분도 새롭게 취입된다.
TEA가스를 전술한 조건 하에서 공급하는 것에 의해 초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층과 TEA가스를 적절히 반응시킬 수 있고, 전술한 일련의 반응을 발생시키는 것이 가능하다.
이 일련의 반응에 의해 초기층 중으로부터 Cl이 탈리하는 것과 함께 초기층 중에 N성분과 C성분이 새롭게 취입되어, 초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층은 실리콘(Si), 질소(N) 및 탄소(C)를 포함하는 제1층, 즉 실리콘 탄질화층(SiCN층)으로 변화된다(개질된다). 제1층은 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도의 두께의 Si, N 및 C를 포함하는 층이 된다. 또한 제1층은 Si성분의 비율과 C성분과의 비율이 비교적 많은 층, 즉 Si리치이며, 또한 C리치의 층이 된다.
또한 제1층으로서의 Si, N 및 C를 포함하는 층을 형성할 때, Cl을 포함하는 실리콘 함유층에 포함되어 있던 염소(Cl)나, TEA가스에 포함되어 있던 수소(H)은 TEA가스에 의한 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 개질 반응의 과정에서 예컨대 염소(Cl2) 가스나 수소(H2) 가스나 염화수소(HCl) 가스 등의 가스상(狀) 물질을 구성하여 배기관(231)을 개재하여 처리실(201) 내로부터 배출된다. 즉 초기층 중의 Cl 등의 불순물은 초기층 중으로부터 인발되거나 탈리하거나 하는 것에 의해 초기층으로부터 분리된다. 이에 의해 제1층은 초기층에 비해 Cl 등의 불순물이 적은 층이 된다.
(잔류 가스 제거)
제1층이 형성된 후, 제2 가스 공급관(232b)의 밸브(243b)를 닫아 TEA가스의 공급을 정지한다. 이 때 배기관(231)의 APC 밸브(244)는 연 상태로 하고 진공 펌프(246)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 제1층 형성에 기여한 후의 TEA가스나 반응 부생성물을 처리실(201) 내로부터 배제한다. 또한 이 때 밸브(243f, 243e, 243g)는 연 상태로 하여 불활성 가스로서의 N2가스의 처리실(201) 내로의 공급을 유지한다. N2가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 제1층 형성으로 기여한 후의 TEA가스나 반응 부생성물을 처리실(201) 내로부터 배제하는 효과를 높일 수 있다.
또한 이 때 처리실(201) 내에 잔류하는 가스를 완전히 배제하지 않아도 좋고, 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않아도 좋다. 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 미량이면, 그 후에 수행되는 스텝3에서 악영향이 발생하지 않는다. 이 때 처리실(201) 내에 공급하는 N2가스의 유량도 대유량으로 할 필요는 없고, 예컨대 반응관(203)[처리실(201)]의 용적과 같은 정도의 양을 공급하는 것에 의해 스텝3에서 악영향이 발생하지 않는 정도의 퍼지를 수행할 수 있다. 이와 같이 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않는 것에 의해 퍼지 시간을 단축하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한 N2가스의 소비도 필요 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
아민계 가스로서는 트리에틸아민[(C2H5)3N, 약칭: TEA] 외에 디에틸아민[(C2H5)2NH, 약칭: DEA], 모노에틸아민(C2H5NH2, 약칭: MEA) 등을 기화한 에틸아민계 가스, 트리메틸아민[(CH3)3N, 약칭: TMA], 디메틸아민[(CH3)2NH, 약칭: DMA], 모노메틸아민(CH3NH2, 약칭: MMA) 등을 기화한 메틸아민계 가스, 트리프로필아민[(C3H7)3N, 약칭: TPA], 디프로필아민[(C3H7)2NH, 약칭: DPA], 모노프로필아민(C3H7NH2, 약칭: MPA) 등을 기화한 프로필아민계 가스, 트리이소프로필아민([(CH3)2CH]3N, 약칭: TIPA), 디이소프로필아민([(CH3)2CH]2NH, 약칭: DIPA), 모노이소프로필아민[(CH3)2CHNH2, 약칭: MIPA] 등을 기화한 이소프로필아민계 가스, 트리부틸아민[(C4H9)3N, 약칭: TBA], 디부틸아민[(C4H9)2NH, 약칭: DBA], 모노부틸아민(C4H9NH2, 약칭: MBA) 등을 기화한 부틸아민계 가스, 또는 트리이소부틸아민([(CH3)2CHCH2]3N, 약칭: TIBA), 디이소부틸아민([(CH3)2CHCH2]2NH, 약칭: DIBA), 모노이소부틸아민[(CH3)2CHCH2NH2, 약칭: MIBA] 등을 기화한 이소부틸아민계 가스를 바람직하게 이용할 수 있다. 즉 아민계 가스로서는 예컨대(C2H5)xNH3-x,, (CH3)xNH3-x,, (C3H7)xNH3-x,, [(CH3)2CH]xNH3-x, (C4H9)xNH3-x,, [(CH3)2CHCH2]xNH3-x(식중, x는 1∼3의 정수) 중 적어도 1종류의 가스를 바람직하게 이용할 수 있다.
또한 아민계 가스로서는 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 그 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 즉 아민계 가스로서는 TEA, DEA, MEA, TMA, DMA, TPA, DPA, MPA, TIPA, DIPA, MIPA, TBA, DBA, MBA, TIBA, DIBA 및 MIBA로 이루어지는 군(群)으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함하는 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
원료 가스로서 HCDS가스 등과 같은 소정 원소(실리콘)와 할로겐 원소(염소)를 포함하는 클로로실란계 원료 가스를 이용하는 경우에, 제1 반응 가스로서 TEA가스나 DEA가스 등과 같은 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 그 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스를 이용하는 것에 의해, 스텝2에서 형성되는 제1층 중의 탄소 농도, 즉 후술하는 소정 횟수 실시 공정에서 형성되는 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 높게 할 수 있다.
이에 대하여 원료 가스로서 HCDS가스 등과 같은 소정 원소(실리콘)와 할로겐 원소(염소)를 포함하는 클로로실란계 원료 가스를 이용하는 경우에, 제1 반응 가스로서 MMA가스 등의 아민계 가스나, 후술하는 MMH가스나 DMH가스 등의 유기 히드라진계 가스 등과 같은 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 그 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다도 탄소 원자의 수가 많지 않은 가스를 이용하는 경우에는, 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 그 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스를 이용하는 경우만큼 제1층 중의 탄소 농도, 즉 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 높게 할 수 없어 적절한 탄소 농도를 실현하는 것이 곤란해진다.
또한 아민계 가스로서는 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하는 가스, 즉 그 조성식 중(1분자 중)에서 알킬기 등의 탄화수소기를 복수 포함하는 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 아민계 가스로서는 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개, 또는 2개 포함하는 가스를 이용하는 것이 바람직하고, 예컨대 TEA, DEA, TMA, DMA, TPA, DPA, TIPA, DIPA, TBA, DBA, TIBA 및 DIBA로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함하는 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
원료 가스로서 HCDS가스와 같은 소정 원소(실리콘)와 할로겐 원소(염소)를 포함하는 클로로실란계 원료 가스를 이용하는 경우에, 제1 반응 가스로서 TEA가스나 DEA가스 등과 같은 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하는 아민계 가스, 즉 그 조성식 중(1분자 중)에서 알킬기 등의 탄화수소기를 복수 포함하는 아민계 가스를 이용하는 것에 의해, 제1층 중의 탄소 농도, 즉 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 더욱 높게 할 수 있다.
이에 대하여 원료 가스로서 HCDS가스 등과 같은 실리콘과 할로겐 원소(염소)를 포함하는 클로로실란계 원료 가스를 이용하는 경우에 제1 반응 가스로서 MMA가스 등의 아민계 가스나, 후술하는 MMH가스 등의 유기 히드라진계 가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하지 않는 가스를 이용하는 경우, 제1층 중의 탄소 농도, 즉 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 제1 반응 가스로서 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하는 아민계 가스를 이용하는 경우일수록 높게 할 수 없어 적절한 탄소 농도를 실현하는 것이 곤란해진다.
또한 제1 반응 가스로서 DEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 2개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 것에 의해, TEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 경우보다도 사이클 레이트(단위 사이클당 형성되는 SiOCN층 또는 SiOC층의 두께)을 향상시키는 것이 가능하고, 또한 제1층 중의 탄소 농도에 대한 질소 농도의 비율(질소 농도/탄소 농도비), 즉 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도에 대한 질소 농도의 비율(질소 농도/탄소 농도비)을 높게 하는 것이 가능하다.
반대로 제1 반응 가스로서 TEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 것에 의해 DEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 2개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 경우보다도 제1층 중의 질소 농도에 대한 탄소 농도의 비율(탄소 농도/질소 농도비), 즉 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 질소 농도에 대한 탄소 농도의 비율(탄소 농도/질소 농도비)을 높게 하는 것이 가능하다.
즉 제1 반응 가스에 포함되는 탄소 원자를 포함하는 리간드의 수(알킬기 등의 탄화수소기의 수)에 의해, 즉 제1 반응 가스 가스종을 적절히 바꾸는 것에 의해 사이클 레이트나, 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 질소 농도나 탄소 농도를 미조정(微調整)하는 것이 가능하다.
또한 제1 반응 가스로서의 아민계 가스 가스종(조성)을 적절히 선택하는 것에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 높게 할 수 있다는 것은 전술한 바와 같지만, 이 탄소 농도를 더욱 높이기 위해서는 예컨대 아민계 가스(TEA가스)를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 스텝1에서 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력보다도 크게 하는 것이 바람직하고, 또한 후술하는 스텝3에서 산소 함유 가스(O2가스)를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력보다도 크게 하는 것이 바람직하다. 또한 이와 같은 경우, 스텝3에서 O2가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력은 스텝1에서 HCDS가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력보다도 크게 하는 것이 바람직하다. 즉 HCDS가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 P1[Pa]로 하고, TEA가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 P2[Pa]로 하고, O2가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 P3[Pa]로 했을 때, 압력P1∼P3을 P2>P1, P3의 관계를 만족시키도록 각각 설정하는 것이 바람직하고, 또한 P2>P3>P1의 관계를 만족시키도록 각각 설정하는 것이 더욱 바람직하다. 즉 TEA가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력은 스텝1∼3 중에서 가장 높게 하는 것이 바람직하다.
반대로 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도의 증가량을 적절히 억제하기 위해서는 아민계 가스(TEA가스)를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 후술하는 스텝3에서 산소 함유 가스(O2가스)를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력 이하의 압력으로 설정하거나, 스텝1에서 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력 이하의 압력으로 설정하거나 하는 것이 바람직하다. 즉 전술한 압력P1∼P3을 P3≥P2의 관계를 만족시키도록 설정하는 것이 바람직하고, 또한 P3, P1≥P2의 관계를 만족시키도록 설정하거나 하는 것이 바람직하다.
즉 아민계 가스를 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 적절히 제어하는 것에 의해 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 미조정하는 것이 가능하다.
불활성 가스로서는 N2가스 외에, Ar가스, He가스, Ne가스, Xe가스 등의 희가스를 이용해도 좋다.
[스텝3]
(O2가스 공급)
스텝2가 종료되고 처리실(201) 내의 잔류 가스를 제거한 후, 제3 가스 공급관(232c)의 밸브(243c)를 열어 제3 가스 공급관(232c) 내에 O2가스를 흘린다. 제3 가스 공급관(232c) 내를 흐른 O2가스는 매스 플로우 컨트롤러(241c)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 O2가스는 제3 노즐(249c)의 가스 공급공(250c)으로부터 처리실(201) 내로 공급된다. 처리실(201) 내에 공급된 O2가스는 열로 활성화(여기)되어 배기관(231)으로부터 배기된다. 이 때 웨이퍼(200)에 대하여, 열로 활성화된 O2가스가 공급된다. 이 때 동시에 밸브(243g)를 열어 제3 불활성 가스 공급관(232g) 내에 N2가스를 흘린다. N2가스는 O2가스와 함께 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다. 또한 이 때 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b) 내로의 O2가스의 침입을 방지하기 위하여 밸브(243e, 243f)를 열어 제1 불활성 가스 공급관(232e), 제2 불활성 가스 공급관(232f) 내에 N2가스를 흘린다. N2가스는 제1 가스 공급관(232a), 제2 가스 공급관(232b), 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다.
이 때 APC 밸브(244)를 적절히 조정하여 처리실(201) 내의 압력을 예컨대 1∼3,000Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 처리실(201) 내의 압력을 이와 같은 비교적 높은 압력대로 하는 것에 의해 O2가스를 논 플라즈마로 열적으로 활성화시키는 것이 가능하다. 또한 O2가스를 열로 활성화시켜서 공급하는 것에 의해 소프트한 반응을 발생시킬 수 있고, 후술하는 산화를 소프트하게 수행할 수 있다. 매스 플로우 컨트롤러(241c)로 제어하는 O2가스의 공급 유량은 예컨대 100∼10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 매스 플로우 컨트롤러(241g, 241e, 241f)로 제어하는 N2가스의 공급 유량은 각각 예컨대 100∼10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 이 때 처리실(201) 내에서의 O2가스의 분압은 0.01∼2,970Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 열로 활성화시킨 O2가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간, 즉 가스 공급 시간(조사 시간)은 예컨대 1∼120초, 바람직하게는 1∼60초의 범위 내의 시간으로 한다. 이 때의 히터(207)의 온도는 스텝1∼2와 마찬가지로 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 250∼700℃, 바람직하게는 300∼650℃, 보다 바람직하게는 350∼600℃의 범위 내의 온도가 될 수 있는 온도로 설정한다.
이 때 처리실(201) 내에 흘리는 가스는 처리실(201) 내의 압력을 높게 하는 것에 의해 열적으로 활성화된 O2가스이며, 처리실(201) 내에는 HCDS가스도 TEA가스도 흘리지 않는다. 따라서 O2가스는 기상 반응을 일으키지 않고, 활성화된 O2가스는 스텝2에서 웨이퍼(200) 상에 형성된 Si, N 및 C를 포함하는 제1층의 적어도 일부와 반응한다. 이에 의해 제1층은 산화되어 제2층으로서 실리콘, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 층, 즉 실리콘 산탄질화층(SiOCN층), 또는 실리콘, 산소 및 탄소를 포함하는 층, 즉 실리콘 산탄화층(SiOC층)으로 개질된다.
또한 O2가스를 열로 활성화시켜서 처리실(201) 내에 흘리는 것에 의해 제1층을 열산화하여 SiOCN층 또는 SiOC층으로 개질(변화)할 수 있다. 이 때 제1층에 O성분을 부가하면서 제1층을 SiOCN층 또는 SiOC층으로 개질한다. 또한 이 때 O2가스에 의한 열산화의 작용에 의해 제1층에서의 Si-O결합이 증가하는 한편, Si-N결합, Si-C결합 및 Si-Si결합은 감소하여 제1층에서의 N성분의 비율, C성분의 비율 및 Si성분의 비율이 감소한다. 그리고 이 때 열산화 시간을 연장하거나, 열산화에서의 산화력을 높이거나 하는 것에 의해 N성분의 대부분을 탈리시켜서 N성분을 불순물 레벨에까지 감소시키거나, N성분을 실질적으로 소멸시키는 것이 가능하다. 즉 산소 농도를 증가시키는 방향으로, 또한 질소 농도, 탄소 농도 및 실리콘 농도를 감소시키는 방향으로 조성비를 변화시키면서 제1층을 SiOCN층 또는 SiOC층으로 개질할 수 있다. 또한 이 때 처리실(201) 내의 압력이나 가스 공급 시간 등의 처리 조건을 제어하는 것에 의해 SiOCN층 또는 SiOC층에서의 O성분의 비율, 즉 산소 농도를 미조정할 수 있어 SiOCN층 또는 SiOC층의 조성비를 보다 치밀하게 제어할 수 있다.
또한 스텝1, 2에 의해 형성된 제1층에서의 C성분은 N성분에 비해 리치 상태에 있다는 것이 판명되어 있다. 예컨대 일부 실험에서는 탄소 농도가 질소 농도의 2배 이상이 되는 경우도 있었다. 즉 O2가스에 의한 열산화의 작용에 의해 제1층에서의 N성분이 완전히 탈리하기 전에, 즉 N성분이 잔류한 상태에서 산화를 막는 것에 의해 제1층에는 C성분과 N성분이 남게 되어 제1층은 SiOCN층으로 개질된다. 또한 O2가스에 의한 열산화의 작용에 의해 제1층에서의 N성분의 대부분이 탈리가 끝난 단계에서도 제1층에는 C성분이 남게 되고, 이 상태에서 산화를 막는 것에 의해 제1층은 SiOC층으로 개질된다. 즉 가스 공급 시간(산화 처리 시간)이나 산화력을 제어하는 것에 의해 C성분의 비율, 즉 탄소 농도를 제어할 수 있고, SiOCN층 및 SiOC층 중 중 어느의 층을 조성비를 제어하면서 형성할 수 있다. 또한 이 때 처리실(201) 내의 압력이나 가스 공급 시간 등의 처리 조건을 제어하는 것에 의해 SiOCN층 또는 SiOC층에서의 O성분의 비율, 즉 산소 농도를 미조정할 수 있어 SiOCN층 또는 SiOC층의 조성비를 보다 치밀하게 제어할 수 있다.
또한 이 때 제1층의 산화 반응은 포화시키지 않도록 하는 것이 바람직하다. 예컨대 스텝1, 2에서 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도의 두께의 제1층을 형성한 경우에는 그 제1층의 일부를 산화시키도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 경우, 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도의 두께의 제1층의 전체를 산화시키지 않도록 제1층의 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 산화를 수행한다.
또한 제1층의 산화 반응을 불포화로 하기 위해서는 스텝3에서의 처리 조건을 전술한 처리 조건으로 하면 좋지만, 또한 스텝3에서의 처리 조건을 다음 처리 조건으로 하는 것에 의해 제1층의 산화 반응을 불포화로 하는 것이 용이해진다.
웨이퍼 온도: 500∼650℃
처리실 내 압력: 133∼2,666Pa
O2가스 분압: 33∼2,515Pa
O2가스 공급 유량: 1,000∼5,000sccm
N2가스 공급 유량: 300∼3,000sccm
O2가스 공급 시간: 6∼60초
(잔류 가스 제거)
제2층이 형성된 후, 제3 가스 공급관(232c)의 밸브(243c)를 닫아 O2가스의 공급을 정지한다. 이 때 배기관(231)의 APC 밸브(244)는 연 상태로 하고 진공 펌프(246)에 의해 처리실(201) 내를 진공 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 제2층의 형성에 기여한 후의 O2가스나 반응 부생성물을 처리실(201) 내로부터 배제한다. 또한 이 때 밸브(243g, 243e, 243f)는 연 상태로 하여 N2가스의 처리실(201) 내로의 공급을 유지한다. N2가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 제2층의 형성에 기여한 후의 O2가스나 반응 부생성물을 처리실(201) 내로부터 배제하는 효과를 높일 수 있다.
또한 이 때 처리실(201) 내에 잔류하는 가스를 완전히 배제하지 않아도 좋고, 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않아도 좋다. 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 미량이면, 그 후에 수행되는 스텝1에서 악영향이 발생하지 않는다. 이 때 처리실(201) 내에 공급하는 N2가스의 유량도 대유량으로 할 필요는 없고, 예컨대 반응관(203)[처리실(201)]의 용적과 같은 정도의 양을 공급하는 것에 의해 스텝1에서 악영향이 발생하지 않는 정도의 퍼지를 수행할 수 있다. 이와 같이 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않는 것에 의해 퍼지 시간을 단축하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한 N2가스의 소비도 필요 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
산소 함유 가스로서는 O2가스 외에 아산화질소(N2O) 가스, 일산화질소(NO) 가스, 이산화질소(NO2) 가스, 오존(O3) 가스, 수소(H2) 가스+산소(O2) 가스, H2가스+O3가스, 수증기(H2O) 가스, 일산화탄소(CO) 가스, 이산화탄소(CO2) 가스 등을 이용해도 좋다. 불활성 가스로서는 N2가스 외에, Ar가스, He가스, Ne가스, Xe가스 등의 희가스를 이용해도 좋다.
(소정 횟수 실시)
전술한 스텝1∼3을 1사이클로 하여서 이 사이클을 1회 이상(소정 횟수) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 막, 즉 실리콘 산탄질화막(SiOCN막), 또는 실리콘, 산소 및 탄소를 포함하는 막, 즉 실리콘 산탄화막(SiOC막)을 성막할 수 있다. 또한 전술한 사이클은 복수 회 반복하는 것이 바람직하다. 즉 1사이클당 형성하는 SiOCN층 또는 SiOC층의 두께를 원하는 막 두께보다도 작게 하여 전술한 사이클을 원하는 막 두께가 될 때까지 복수 회 반복하는 것이 바람직하다.
또한 사이클을 복수 회 수행하는 경우, 적어도 2사이클째 이후의 각 스텝에서 「웨이퍼(200)에 대하여 소정의 가스를 공급한다」고 기재한 부분은 「웨이퍼(200) 상에 형성되는 층에 대하여, 즉 적층체로서의 웨이퍼(200)의 최표면에 대하여 소정의 가스를 공급한다」는 것을 의미하고, 「웨이퍼(200) 상에 소정의 층을 형성한다」고 기재한 부분은 「웨이퍼(200) 상에 형성되는 층 상, 즉 적층체로서의 웨이퍼(200)의 최표면 상에 소정의 층을 형성한다」는 것을 의미한다. 이와 같은 점은 전술한 바와 같다. 또한 이와 같은 점은 후술하는 각 변형예, 다른 실시 형태에서도 마찬가지이다.
(퍼지 및 대기압 복귀)
소정 조성을 가지는 소정 막 두께의 SiOCN막 또는 SiOC막을 형성하는 성막 처리가 이루어지면, 밸브(243e, 243f, 243g)를 열어 제1 불활성 가스 공급관(232e), 제2 불활성 가스 공급관(232f), 제3 불활성 가스 공급관(232g)의 각각으로부터 불활성 가스로서의 N2가스를 처리실(201) 내에 공급하고 배기관(231)으로부터 배기한다. N2가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해 처리실(201) 내가 불활성 가스로 퍼지되어 처리실(201) 내에 잔류하는 가스나 반응 부생성물이 처리실(201) 내로부터 제거된다(퍼지). 그 후, 처리실(201) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되고(불활성 가스 치환), 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).
(보트 언로드 및 웨이퍼 디스차지)
그 후, 보트 엘리베이터(115)에 의해 씰 캡(219)이 하강되어 반응관(203)의 하단이 개구되는 것과 함께, 처리 완료된 웨이퍼(200)가 보트(217)에 지지된 상태에서 반응관(203)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부에 반출(보트 언로드)된다. 그 후, 처리 완료된 웨이퍼(200)은 보트(217)에 의해 취출된다(웨이퍼 디스차지).
(3) 본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 의하면, 이하에 도시하는 1개 또는 복수의 효과를 갖는다.
(a) 본 실시 형태에 의하면, 스텝1, 2를 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성한 후, 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스인 O2가스를 공급하여 제1층을 산화시켜 제2층으로서의 SiOCN층 또는 SiOC층으로 개질하는 스텝3을 수행하는 것에 의해, 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 산소와 탄소와 질소의 조성비를 조정하는 것이 가능하다. 또한 이 때 O2가스를 열로 활성화시켜서 공급하는 것에 의해, 열산화의 작용에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 Si-O결합을 증가시키는 한편, Si-C결합, Si-N결합 및 Si-Si결합을 감소시키는 것이 가능하다. 즉 산소 농도를 증가시키는 방향으로, 또한 질소 농도, 탄소 농도 및 실리콘 농도를 감소시키는 방향으로 조성비를 변화시키는 것이 가능하다. 또한 이 때 열산화 시간을 연장하거나, 열산화에서의 산화력을 높이거나 하는 것에 의해 산소 농도를 또한 증가시키는 방향으로, 또한 질소 농도, 탄소 농도 및 실리콘 농도를 더욱 감소시키는 방향으로 조성비를 변화시키는 것이 가능하다. 또한 이 때 처리실(201) 내의 압력이나 가스 공급 시간 등의 처리 조건을 제어하는 것에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 O성분의 비율, 즉 산소 농도를 미조정할 수 있어 SiOCN막 또는 SiOC막의 조성비를 더욱 치밀하게 제어하는 것이 가능하다. 이에 의해 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막의 유전율을 조정하거나 에칭 내성을 향상시키거나 리크 내성을 향상시키거나 하는 것이 가능하다.
(b) 본 실시 형태에 의하면, 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스를 이용하는 것에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 높게 할 수 있다.
특히 제1 반응 가스로서 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하는 아민계 가스, 즉 그 조성식 중(1분자 중)에서 알킬기 등의 탄화수소기를 복수 포함하는 아민계 가스를 이용하는 것에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 높게 할 수 있다. 구체적으로는 제1 반응 가스로서 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개 포함하는 TEA가스, TMA가스, TPA가스, TIPA가스, TBA가스, TIBA가스나, 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 2개 포함하는 DEA가스, DMA가스, DPA가스, DIPA가스, DBA가스, DIBA가스 등을 이용하는 것에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 높게 할 수 있다.
(c) 본 실시 형태에 의하면, 제1 반응 가스에 포함되는 탄소 원자를 포함하는 리간드의 수(알킬기 등의 탄화수소기의 수)에 의해, 즉 제1 반응 가스 가스종을 적절히 바꾸는 것에 의해 사이클 레이트(단위 사이클당 형성되는 SiOCN층 또는 SiOC층의 두께)나, SiOCN막 또는 SiOC막 중의 질소 농도나 탄소 농도를 미조정하는 것이 가능하다.
예컨대 제1 반응 가스로서 DEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 2개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 것에 의해 TEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 경우보다도 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하고, 또한 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도에 대한 질소 농도의 비율(질소 농도/탄소 농도비)을 높게 하는 것이 가능하다.
또한 예컨대 제1 반응 가스로서 TEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 것에 의해 DEA가스 등과 같은 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 2개 포함하는 아민계 가스를 이용하는 경우보다도 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 질소 농도에 대한 탄소 농도의 비율(탄소 농도/질소 농도비)을 높게 하는 것이 가능하다.
(d) 본 실시 형태에 의하면, 제1 반응 가스를 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 제어하는 것에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 미조정하는 것이 가능하다.
예컨대 스텝2에서 TEA가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을, 스텝1에서 HCDS가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력보다도 크게 하는 것에 의해, SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 더욱 높게 할 수 있다. 또한 TEA가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 스텝3에서 O2가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력보다도 크게 하는 것에 의해, SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도를 한층 더 높게 할 수 있다.
또한 예컨대 스텝2에서 TEA가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력을 스텝3에서 O2가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력 이하의 압력으로 설정하거나, 스텝1에서 HCDS가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급할 때의 처리실(201) 내의 압력 이하의 압력으로 설정하거나 하는 것에 의해, SiOCN막 또는 SiOC막 중의 탄소 농도의 증가량을 적절히 억제할 수 있다.
(e) 본 실시 형태에 의하면, 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 실리콘 및 금속 비함유의 아민계 가스인 TEA가스를 이용하는 것에 의해, SiOCN막 또는 SiOC막을 형성할 때의 반응 제어성, 특히 조성 제어성을 향상시키는 것이 가능하다. 즉 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 본 실시 형태의 성막 시퀀스에서는 제1 반응 가스로서 예컨대 하프늄, 탄소, 질소 및 수소의 4원소로 구성되는 테트라키스에틸메틸아미노하프늄(Hf[N(C2H5)(CH3)]4, 약칭: TEMAH) 가스 등을 이용하는 성막 시퀀스와 비교하여, 제1 반응 가스와 Cl을 포함하는 실리콘 함유층을 반응시켜서 제1층을 형성할 때의 반응 제어성, 특히 조성 제어성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막의 조성 제어를 용이하게 실시할 수 있다.
(f) 본 실시 형태에 의하면, 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 실리콘 및 금속 비함유의 아민계 가스인 TEA가스를 이용하는 것에 의해, 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 불순물 농도를 저감시키는 것이 가능하다. 즉 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 본 실시 형태의 성막 시퀀스에서는 제1 반응 가스로서 예컨대 하프늄, 탄소, 질소 및 수소의 4원소로 구성되는 TEMAH가스 등을 이용하는 성막 시퀀스와 비교하여 제1 반응 가스와 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 반응에 의해 형성되는 제1층 중으로의 불순물 원소의 혼입 확률을 저감시킬 수 있고, 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막 중의 불순물 농도를 저감시키는 것이 가능하다.
(g) 본 실시 형태에 의하면, 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 실리콘 및 금속 비함유의 아민계 가스인 TEA가스를 이용하는 것에 의해, SiOCN막 또는 SiOC막의 웨이퍼(200) 면내 및 웨이퍼(200) 면간(面間)에서의 막 두께 균일성을 각각 향상시킬 수 있다. 즉 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되는 TEA가스는 예컨대 하프늄, 탄소, 질소 및 수소의 4원소로 구성되는 TEMAH가스 등과 비교하여 Cl을 포함하는 실리콘 함유층에 대하여 높은 반응성을 가지기 때문에, 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 본 실시 형태의 성막 시퀀스는 제1 반응 가스와 Cl을 포함하는 실리콘 함유층의 반응을 웨이퍼(200) 면내 및 웨이퍼(200) 면간에 걸쳐 확실하게 또한 균일하게 수행할 수 있다. 그 결과, SiOCN막 또는 SiOC막의 웨이퍼(200) 면내 및 웨이퍼(200) 면간에서의 막 두께 균일성을 각각 향상시키는 것이 가능하다.
(변형예)
도 4, 도 5에 도시한 전술의 성막 시퀀스에서는 스텝1∼3을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 실시 형태에 따른 성막 시퀀스는 이와 같은 형태에 한정되지 않고, 이하와 같이 변경해도 좋다.
예컨대 도 6a에 도시하는 변형예1과 같이, 스텝1, 2를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후 스텝3을 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 SiOCN층 또는 SiOC층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막 또는 SiOC막을 형성해도 좋다. 또한 소정 횟수 수행한다고 하는 것은 1회 또는 복수 회 수행하는 것, 즉 1회 이상 수행하는 것을 의미한다. 도 6a는 스텝1, 2의 세트를 1사이클당 2회 수행하는 예, 즉 스텝1, 2의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝3을 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 본 변형예와 도 4, 도 5에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2의 세트를 소정 횟수(m회) 수행하고나서 스텝3을 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1, 2의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하는 케이스가 도 4, 도 5에 도시한 전술의 성막 시퀀스에 상당한다.
또한 예컨대 도 6b에 도시하는 변형예2와 같이, 스텝1, 2, 1, 3을 이 순서대로 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해, 제1층 상에 제2층으로서 실리콘 산화층(SiO층)을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 또한 본 변형예와 도 4, 도 5에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2, 1, 3을 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다.
또한 예컨대 도 6c에 도시하는 변형예3과 같이, 스텝1, 2를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 3을 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이 조합을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m'회) 수행하는 것에 의해 제1층 상에 제2층으로서 SiO층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 도 6c는 스텝1, 2의 세트 및 스텝1, 3의 세트를 1사이클당 각각 2회 수행하는 예, 즉 스텝1, 2의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝1, 3의 세트를 2회 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 또한 본 변형예와 도 4, 도 5에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2의 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 3의 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1, 2의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하여 스텝1, 3의 세트의 실시 횟수(m')를 1회로 하는 케이스가 도 6b에 도시한 변형예2의 성막 시퀀스에 상당한다.
이와 같은 변형예에서도, 도 4, 도 5에 도시한 전술의 성막 시퀀스와 마찬가지의 효과를 가질 수 있다. 또한 이와 같은 변형예에 의하면, SiOCN막 또는 SiOC막에서의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분, 산소 성분의 비율을 더욱 치밀하게 제어할 수 있고, SiOCN막 또는 SiOC막의 조성비의 제어성을 향상시킬 수 있다.
예컨대 변형예1에서 스텝1과 스텝2를 포함하는 세트의 세트수(m)를 늘리는 것에 의해 제1층의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 절대량을 증가시킬 수 있고, 이와 같이 하여 각 성분의 절대량을 증가시킨 제1층을 스텝3에서 산화하는 것에 의해 SiOCN층 또는 SiOC층의 산소 성분에 대한 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 비율이 높아지도록 제어할 수 있고, 최종적으로 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막의 산소 성분에 대한 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 비율이 높아지도록 제어할 수 있다.
또한 예컨대 변형예1에서 스텝1과 스텝2를 포함하는 세트의 세트수(m)를 줄이는 것에 의해 제1층의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 절대량을 감소시킬 수 있고, 이와 같이 하여 각 성분의 절대량을 감소시킨 제1층을 스텝3에서 산화하는 것에 의해 SiOCN층 또는 SiOC층의 산소 성분에 대한 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 비율이 낮아지도록 제어할 수 있어 최종적으로 형성하는 SiOCN막 또는 SiOC막의 산소 성분에 대한 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 비율이 낮아지도록 제어할 수 있다.
변형예2, 3에서도 같은 원리에 의해 SiOCN막 또는 SiOC막에서의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분, 산소 성분의 비율을 더욱 치밀하게 제어할 수 있다.
또한 이와 같은 변형예에 의하면, 1사이클당 형성하는 층의 두께를 증가시킬 수 있어 사이클 레이트(단위 사이클당 형성되는 SiOCN층 또는 SiOC층의 두께)을 향상시키는 것이 가능하다. 그리고 이에 의해 성막 레이트를 향상시키는 것도 가능하다.
예컨대 변형예1, 3에서 스텝1과 스텝2를 포함하는 세트의 세트수(m)를 늘리는 것에 의해 1사이클당 형성하는 제1층의 층수, 즉 1사이클당 형성하는 제1층의 두께를 세트수(m)의 수만큼 증가시킬 수 있어 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하다. 또한 변형예3에서 스텝1과 스텝3을 포함하는 세트의 세트수(m')를 늘리는 것에 의해 1사이클당 형성하는 제2층으로서의 SiO층의 층수, 즉 1사이클당 형성하는 제2층의 두께를 세트수(m')의 수만큼 증가시킬 수 있어 이에 의해서도 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하다. 또한 변형예2에서는 1사이클당 스텝1을 2회 수행하기 때문에 변형예2에서도 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하다. 그리고 이에 의해 성막 레이트를 향상시키는 것도 가능하다.
또한 변형예2, 3에서는 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성하는 공정과, 제2층으로서 SiO층을 형성하는 공정의 순서를 바꿔서 제2층(SiO층)을 형성하는 공정을 수행한 후에 제1층을 형성하는 공정을 수행하여 이를 1사이클로 해도 좋다. 또한 이와 같은 변형예는 임의적으로 조합하여 이용할 수 있다.
<본 발명의 제2 실시 형태>
다음으로 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다.
전술한 제1 실시 형태에서는 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스(O2가스)를 이용하여 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘 산탄질화막 또는 실리콘 산탄화막을 형성하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 실시 형태에서는 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스(NH3가스)를 이용하여 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘 탄질화막을 형성하는 예에 대하여 설명한다.
즉 본 실시 형태에서는,
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스로서 클로로실란계 원료 가스인 HCDS가스를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스로서 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(에틸기)를 복수(3개) 포함하는 아민계 가스인 TEA가스를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스(질화 가스)인 NH3가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 실리콘 탄질화층(SiCN층)을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘 탄질화막(SiCN막)을 형성하는 예에 대하여 설명한다.
도 7은 본 실시 형태에서의 성막 플로우를 도시하는 도면이다. 도 8은 본 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면이다. 또한 본 실시 형태와 제1 실시 형태의 차이점은 스텝3에서 제2 반응 가스로서 열로 활성화시킨 NH3가스를 이용하는 점뿐이며, 그 외는 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 이하, 본 실시 형태의 스텝3에 대하여 설명한다.
[스텝3]
(NH3가스 공급)
스텝2가 종료되고 처리실(201) 내의 잔류 가스를 제거한 후, 제4 가스 공급관(232d)의 밸브(243d)를 열어, 제4 가스 공급관(232d) 내에 NH3가스를 흘린다. 제4 가스 공급관(232d) 내를 흐른 NH3가스는 매스 플로우 컨트롤러(241d)에 의해 유량 조정된다. 유량 조정된 NH3가스는 제3 노즐(249c)의 가스 공급공(250c)으로부터 처리실(201) 내에 공급된다. 처리실(201) 내에 공급된 NH3가스는 열로 활성화(여기)되어 배기관(231)으로부터 배기된다. 이 때 웨이퍼(200)에 대하여 열로 활성화된 NH3가스가 공급된다. 이 때 동시에 밸브(243g)를 열어 제3 불활성 가스 공급관(232g) 내에 N2가스를 흘린다. N2가스는 NH3가스와 함께 처리실(201) 내에 공급되어 배기관(231)으로부터 배기된다. 또한 이 때 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b) 내로의 NH3가스의 침입을 방지하기 위하여 밸브(243e, 243f)를 열어 제1 불활성 가스 공급관(232e), 제2 불활성 가스 공급관(232f) 내에 N2가스를 흘린다. N2가스는 제1 가스 공급관(232a), 제2 가스 공급관(232b), 제1 노즐(249a), 제2 노즐(249b)을 개재하여 처리실(201) 내에 공급되고 배기관(231)으로부터 배기된다.
이 때 APC 밸브(244)를 적절히 조정하여 처리실(201) 내의 압력을 예컨대 1∼3,000Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 처리실(201) 내의 압력을 이와 같은 비교적 높은 압력대로 하는 것에 의해 NH3가스를 논 플라즈마로 열적으로 활성화시키는 것이 가능하다. 또한 NH3가스를 열로 활성화시켜서 공급하는 것에 의해 소프트한 반응을 발생시킬 수 있어 후술하는 질화를 소프트하게 수행할 수 있다. 매스 플로우 컨트롤러(241c)로 제어하는 NH3가스의 공급 유량은 예컨대 100∼10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 매스 플로우 컨트롤러(241g, 241e, 241f)로 제어하는 N2가스의 공급 유량은 각각 예컨대 100∼10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다. 이 때 처리실(201) 내에서의 NH3가스의 분압은 0.01∼2,970Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 열로 활성화시킨 NH3가스를 웨이퍼(200)에 대하여 공급하는 시간, 즉 가스 공급 시간(조사 시간)은 예컨대 1∼120초, 바람직하게는 1∼60초의 범위 내의 시간으로 한다. 이 때의 히터(207)의 온도는 스텝1∼2와 마찬가지로 웨이퍼(200)의 온도가 예컨대 250∼700℃, 바람직하게는 300∼650℃, 보다 바람직하게는 350∼600℃의 범위 내의 온도가 될 수 있는 온도로 설정한다.
이 때 처리실(201) 내에 흘리는 가스는 처리실(201) 내의 압력을 높게 하는 것에 의해 열적으로 활성화된 NH3가스이며, 처리실(201) 내에는 HCDS가스도 TEA가스도 흘리지 않는다. 따라서 NH3가스는 기상 반응을 일으키지 않고, 활성화된 NH3가스는 스텝2에서 웨이퍼(200) 상에 형성된 Si, N 및 C를 포함하는 제1층의 적어도 일부와 반응한다. 이에 의해 제1층은 질화되어 제2층으로서 실리콘, 탄소 및 질소를 포함하는 층, 즉 실리콘 탄질화층(SiCN층)으로 개질된다.
또한 NH3가스를 열로 활성화시켜서 처리실(201) 내에 흘리는 것에 의해 제1층을 열질화하여 SiCN층으로 개질(변화)할 수 있다. 이 때 제1층에서의 N성분의 비율을 증가시키면서 제1층을 SiCN층으로 개질한다. 한편 이 때 NH3가스에 의한 열질화의 작용에 의해 제1층에서의 Si-N결합이 증가하는 한편, Si-C결합 및 Si-Si결합은 감소하여 제1층에서의 C성분의 비율 및 Si성분의 비율은 감소한다. 즉 질소 농도를 증가시키는 방향으로 또한 탄소 농도 및 실리콘 농도를 감소시키는 방향으로 조성비를 변화시키면서 제1층을 SiCN층에게 개질할 수 있다. 또한 이 때 처리실(201) 내의 압력이나 가스 공급 시간 등의 처리 조건을 제어하는 것에 의해 SiCN층에서의 N성분의 비율, 즉 질소 농도를 미조정할 수 있어 SiCN층의 조성비를 더욱 치밀하게 제어할 수 있다.
또한 이 때 제1층의 질화 반응은 포화시키지 않도록 하는 것이 바람직하다. 예컨대 스텝1, 2에서 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도의 두께의 제1층을 형성했을 경우에는 그 제1층의 일부를 질화시키도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 경우, 1원자층 미만으로부터 수원자층 정도의 두께의 제1층의 전체를 질화시키지 않도록, 제1층의 질화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서 질화를 수행한다.
또한 제1층의 질화 반응을 불포화로 하기 위해서는 스텝3에서의 처리 조건을 전술한 처리 조건으로 하면 좋지만, 또한 스텝3에서의 처리 조건을 다음 처리 조건으로 하는 것에 의해 제1층의 질화 반응을 불포화로 하는 것이 용이해진다.
웨이퍼 온도: 500∼650℃
처리실 내 압력: 133∼2,666Pa
NH3가스 분압: 33∼2,515Pa
NH3가스 공급 유량: 1,000∼5,000sccm
N2가스 공급 유량: 300∼3,000sccm
NH3가스 공급 시간: 6∼60초
(잔류 가스 제거)
제2층이 형성된 후, 제4 가스 공급관(232d)의 밸브(243d)를 닫아 NH3가스의 공급을 정지한다. 이 때 배기관(231)의 APC 밸브(244)는 연 상태로 하고 진공 펌프(246)에 의해, 처리실(201) 내를 진공 배기하여 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 제2층 형성에 기여한 후의 NH3가스나 반응 부생성물을 처리실(201) 내로부터 배제한다. 또한 이 때 밸브(243g, 243e, 243f)는 연 상태로 하여 N2가스의 처리실(201) 내로의 공급을 유지한다. N2가스는 퍼지 가스로서 작용하고, 이에 의해 처리실(201) 내에 잔류하는 미반응 또는 제2층 형성에 기여한 후의 NH3가스나 반응 부생성물을 처리실(201) 내로부터 배제하는 효과를 높일 수 있다.
또한 이 때 처리실(201) 내에 잔류하는 가스를 완전히 배제하지 않아도 좋고, 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않아도 좋다. 처리실(201) 내에 잔류하는 가스가 미량이면 그 후에 수행되는 스텝1에서 악영향이 발생하지 않는다. 이 때 처리실(201) 내에 공급하는 N2가스의 유량도 대유량으로 할 필요는 없고, 예컨대 반응관(203)[처리실(201)]의 용적과 같은 정도의 양을 공급하는 것에 의해 스텝1에서 악영향이 발생하지 않는 정도의 퍼지를 수행할 수 있다. 이와 같이 처리실(201) 내를 완전히 퍼지하지 않는 것에 의해 퍼지 시간을 단축하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한 N2가스의 소비도 필요 최소한으로 억제하는 것이 가능하다.
질소 함유 가스로서는 NH3가스 외에 디아젠(N2H2) 가스, 히드라진(N2H4) 가스, N3H8가스, 이들의 화합물을 포함하는 가스 등을 이용해도 좋다. 불활성 가스로서는 N2가스 외에, Ar가스, He가스, Ne가스, Xe가스 등의 희가스를 이용해도 좋다.
(소정 횟수 실시)
전술한 스텝1∼3을 1사이클로 하여서, 이 사이클을 1회 이상(소정 횟수) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘, 탄소 및 질소를 포함하는 막, 즉 실리콘 탄질화막(SiCN막)을 성막할 수 있다. 또한 전술한 사이클은 복수 회 반복하는 것이 바람직하다. 즉 1사이클당 형성하는 SiCN층의 두께를 원하는 막 두께보다도 작게 하여 전술한 사이클을 원하는 막 두께가 될 때까지 복수 회 반복하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 의하면, 스텝1, 2를 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성한 후, 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스인 NH3가스를 공급하여 제1층을 질화시켜 제2층으로서의 SiCN층으로 개질시키는 스텝3을 수행하는 것에 의해, 형성하는 SiCN막 중의 탄소와 질소의 조성비를 조정하는 것이 가능하다. 또한 이 때 NH3가스를 열로 활성화시켜서 공급하는 것에 의해, 열질화의 작용에 의해 SiCN막 중의 Si-N결합을 증가시키는 한편 Si-C결합 및 Si-Si결합을 감소시키는 것이 가능하다. 즉 질소 농도를 증가시키는 방향으로, 또한 탄소 농도 및 실리콘 농도를 감소시키는 방향으로 조성비를 변화시키는 것이 가능하다. 또한 이 때 열질화 시간을 연장하거나 열질화에서의 질화력을 향상시키거나 하는 것에 의해, 질소 농도를 더욱 증가시키는 방향으로 또한 탄소 농도 및 실리콘 농도를 더욱 감소시키는 방향으로 조성비를 변화시키는 것이 가능하다. 또한 이 때 처리실(201) 내의 압력이나 가스 공급 시간 등의 처리 조건을 제어하는 것에 의해 SiCN막 중의 N성분의 비율, 즉 질소 농도를 미조정할 수 있어 SiCN막의 조성비를 더욱 치밀하게 제어하는 것이 가능하다. 이에 의해 형성하는 SiCN막의 유전율을 조정하거나 에칭 내성을 향상시키거나 리크 내성을 향상시키거나 하는 것이 가능하다.
그 외에 본 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과를 갖는다. 즉 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많고 실리콘 및 금속 비함유의 아민계 가스인 TEA가스를 이용하는 것에 의해, SiCN막 중의 탄소 농도를 높게 하거나, SiCN막을 형성할 때의 반응 제어성, 특히 조성 제어성을 향상시키거나, 막 중의 불순물 농도를 저감시키거나, 웨이퍼(200) 면내 및 웨이퍼(200) 면간에서의 막 두께 균일성을 각각 향상시키거나 하는 것이 가능하다.
(4) 변형예
도 7, 도 8에 도시한 전술의 성막 시퀀스에서는 스텝1∼3을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 실시 형태에 따른 성막 시퀀스는 이와 같은 형태에 한정되지 않고, 이하와 같이 변경해도 좋다.
예컨대 도 9a에 도시하는 변형예1과 같이 스텝1, 2를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝3을 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 SiCN층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiCN막을 형성해도 좋다. 도 9a는 스텝1, 2의 세트를 1사이클당 2회 수행하는 예, 즉 스텝1, 2의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝3을 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 본 변형예와 도 7, 도 8에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2의 세트를 소정 횟수(m회) 수행하고 나서 스텝3을 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1, 2의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하는 케이스가 도 7, 도 8에 도시한 전술의 성막 시퀀스에 상당한다.
또한 예컨대 도 9b에 도시하는 변형예2와 같이, 스텝1, 2, 1, 3을 이 순서대로 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 제1층 상에 제2층으로서 실리콘 질화층(SiN층)을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiCN막을 형성해도 좋다. 또한 본 변형예와 도 7, 도 8에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2, 1, 3을 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다.
또한 예컨대 도 9c에 도시하는 변형예3과 같이 스텝1, 2를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 3을 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이 조합들을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m'회) 수행하는 것에 의해, 제1층 상에 제2층으로서 SiN층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiCN막을 형성해도 좋다. 도 9c는 스텝1, 2의 세트 및 스텝1, 3의 세트를 1사이클당 각각 2회 수행하는 예, 즉 스텝1, 2의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝1, 3의 세트를 2회 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 또한 본 변형예와 도 7, 도 8에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2의 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 3의 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1, 2의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하여 스텝1, 3의 세트의 실시 횟수(m')를 1회로 하는 케이스가 도 9b에 도시한 변형예2의 성막 시퀀스에 상당한다.
이와 같은 변형예에서도, 도 7, 도 8에 도시한 전술의 성막 시퀀스와 마찬가지의 효과를 가질 수 있다. 또한 이와 같은 변형예에 의하면 SiCN막에서의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 비율을 더욱 치밀하게 제어할 수 있고, SiCN막의 조성비의 제어성을 향상시킬 수 있다.
예컨대 변형예1에서 스텝1과 스텝2를 포함하는 세트의 세트수(m)를 늘리는 것에 의해 제1층의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 절대량을 증가시킬 수 있고, 이와 같이 하여 각 성분의 절대량을 증가시킨 제1층을 스텝3에서 질화하는 것에 의해, SiCN층의 질소 성분에 대한 실리콘 성분, 탄소 성분의 비율이 높아지도록 제어할 수 있고, 최종적으로 형성하는 SiCN막의 질소 성분에 대한 실리콘 성분, 탄소 성분의 비율이 높아지도록 제어할 수 있다.
또한 예컨대 변형예1에서 스텝1과 스텝2를 포함하는 세트의 세트수(m)를 줄이는 것에 의해 제1층의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 절대량을 감소시킬 수 있고, 이와 같이 하여 각 성분의 절대량을 감소시킨 제1층을 스텝3에서 질화하는 것에 의해 SiCN층의 질소 성분에 대한 실리콘 성분, 탄소 성분의 비율이 낮아지도록 제어할 수 있고, 최종적으로 형성하는 SiCN막의 질소 성분에 대한 실리콘 성분, 탄소 성분의 비율이 낮아지도록 제어할 수 있다.
변형예2, 3에서도 같은 원리에 의해 SiCN막에서의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분의 비율을 더욱 치밀하게 제어할 수 있다.
또한 이와 같은 변형예에 의하면, 1사이클당 형성하는 층의 두께를 증가시킬 수 있고, 사이클 레이트(단위 사이클당 형성되는 SiCN층의 두께)을 향상시키는 것이 가능하다. 그리고 이에 의해 성막 레이트를 향상시키는 것도 가능하다.
예컨대 변형예1, 3에서, 스텝1과 스텝2를 포함하는 세트의 세트수(m)를 늘리는 것에 의해 1사이클당 형성하는 제1층의 층수, 즉 1사이클당 형성하는 제1층의 두께를 세트수(m)의 수만큼 증가시킬 수 있고, 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하다. 또한 변형예3에서 스텝1과 스텝3을 포함하는 세트의 세트수(m')를 늘리는 것에 의해 1사이클당 형성하는 제2층으로서의 SiN층의 층수, 즉 1사이클당 형성하는 제2층의 두께를 세트수(m')의 수만큼 증가시킬 수 있고, 이에 의해서도 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하다. 또한 변형예2에서는 1사이클당 스텝1을 2회 수행하기 때문에 변형예2에서도 사이클 레이트를 향상시키는 것이 가능하다. 그리고 이에 의해 성막 레이트를 향상시키는 것도 가능하다.
또한 변형예2, 3에서는 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성하는 공정과, 제2층으로서 SiN층을 형성하는 공정의 순서를 바꿔서 제2층(SiN층)을 형성하는 공정을 수행한 후에 제1층을 형성하는 공정을 수행하여 이를 1사이클로 해도 좋다. 또한 이와 같은 변형예는 임의적으로 조합하여 이용할 수 있다.
<본 발명의 제3 실시 형태>
다음으로 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다.
전술한 제1 실시 형태에서는 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스(O2가스)를 이용하여 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘 산탄질화막 또는 실리콘 산탄화막을 형성하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 실시 형태에서는 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스(NH3가스)와 산소 함유 가스(O2가스)를 이용하여 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘 산탄질화막을 형성하는 예에 대하여 설명한다.
즉 본 실시 형태에서는,
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스로서 클로로실란계 원료 가스인 HCDS가스를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스로서 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드(에틸기)를 복수(3개) 포함하는 아민계 가스인 TEA가스를 공급하는 공정을 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스(질화 가스)인 NH3가스와 산소 함유 가스(산화 가스)인 O2가스를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 실리콘 산탄질화층(SiOCN층)을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 실리콘 산탄질화막(SiOCN막)을 형성하는 예에 대하여 설명한다.
도 10은 본 실시 형태에서의 성막 플로우를 도시하는 도면이다. 도 11은 본 실시 형태의 성막 시퀀스에서의 가스 공급의 타이밍을 도시하는 도면이다. 또한 본 실시 형태와 제1 실시 형태의 차이점은 스텝1, 2를 수행하는 것에 의해 제1층을 형성한 후, 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스인 NH3가스를 공급하여 제1층을 질화시키는 스텝3과, 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스인 O2가스를 공급하여 질화 후의 제1층을 산화시켜 제2층으로서의 SiOCN층으로 개질하는 스텝4를 수행하여 스텝1∼4를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 점뿐이며, 그 외는 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한 본 실시 형태의 스텝3의 순서 및 처리 조건이나, 이에 의해 발생하는 반응은 제2 실시 형태의 스텝3의 순서 및 처리 조건이나, 이에 의해 발생하는 반응과 마찬가지이다. 또한 본 실시 형태의 스텝4의 순서 및 처리 조건이나, 이에 의해 발생하는 반응은 제1 실시 형태의 스텝3의 순서 및 처리 조건이나, 이에 의해 발생하는 반응과 마찬가지이다.
본 실시 형태에 의하면, 스텝1, 2를 교호적으로 1회 수행하는 것에 의해 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성한 후, 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스인 NH3가스를 공급하여 제1층을 질화시키고, SiCN층으로 개질시키는 스텝3과, 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스인 O2가스를 공급하고 질화 후의 제1층(SiCN층)을 산화시켜, 제2층으로서의 SiOCN층으로 개질하는 스텝4를 수행하는 것에 의해, 형성하는 SiOCN막 중의 산소와 탄소와 질소와의 조성비를 조정하는 것이 가능하다. 이에 의해 형성하는 SiOCN막의 유전율을 조정하거나 에칭 내성을 향상시키거나 리크 내성을 향상시키거나 하는 것이 가능하다.
그 외에 본 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 및 2실시 형태와 마찬가지의 효과를 갖는다. 즉 제1 반응 가스로서 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많고 실리콘 및 금속 비함유의 아민계 가스인 TEA가스를 이용하는 것에 의해, SiOCN막 중의 탄소 농도를 높게 하거나, SiOCN막을 형성할 때의 반응 제어성, 특히 조성 제어성을 향상시키거나, 막 중의 불순물 농도를 저감시키거나, 웨이퍼(200) 면내 및 웨이퍼(200) 면간에서의 막 두께 균일성을 각각 향상시키거나 하는 것이 가능하다. 또한 제2 반응 가스로서 NH3가스나 O2가스를 열로 활성화(여기)시켜서 공급하는 것에 의해 SiOCN막의 조성비를 적절히 조정하는 것이 가능하다.
(변형예)
도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스에서는 스텝1∼4를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 실시 형태에 따른 성막 시퀀스는 이와 같은 형태에 한정되지 않고, 이하와 같이 변경해도 좋다.
예컨대 도 12a에 도시하는 변형예1과 같이, 스텝1, 2를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝3, 4를 순서대로 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)와 산소 함유 가스(O2가스)를 순차 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 SiOCN층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 도 12a는 스텝1, 2의 세트를 1사이클당 2회 수행하는 예, 즉 스텝1, 2의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝3, 4를 순서대로 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 본 변형예와 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2의 세트를 소정 횟수(m회) 수행하고나서 스텝3, 4를 순서대로 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1, 2의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하는 케이스가 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스에 상당한다.
또한 예컨대 도 12b에 도시하는 변형예2와 같이, 스텝1∼3을 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝4를 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층으로서 SiCN층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 SiOCN층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 도 12b는 스텝1∼3의 세트를 1사이클당 2회 수행하는 예, 즉 스텝1∼3의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝4를 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 본 변형예와 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1∼3의 세트를 소정 횟수(m회) 수행하고나서 스텝4를 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1∼3의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하는 케이스가 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스에 상당한다.
또한 예컨대 도 13a에 도시하는 변형예3과 같이, 스텝1, 2, 3, 1, 4를 이 순서대로 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 1회 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층으로서 SiCN층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 1회 수행하는 것에 의해, 제1층 상에 제2층으로서 실리콘 산화층(SiO층)을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 또한 본 변형예와 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2, 3, 1, 4를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다.
또한 예컨대 도 13b에 도시하는 변형예4와 같이, 스텝1∼3을 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 4를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이 조합들을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층으로서 SiCN층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하는 것에 의해, 제1층 상에 제2층으로서 SiO층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 도 13b는 스텝1∼3의 세트 및 스텝1, 4의 세트를 1사이클당 각각 2회 수행하는 예, 즉 스텝1∼3의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝1, 4의 세트를 2회 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 또한 본 변형예와 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1∼3의 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 4의 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1∼3의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하여 스텝1, 4의 세트의 실시 횟수(m')를 1회로 하는 케이스가 도 13a에 도시한 변형예3의 성막 시퀀스에 상당한다.
또한 예컨대 도 14a에 도시하는 변형예5와 같이, 스텝1, 2, 1, 3, 4를 이 순서대로 수행하여 이를 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 1회 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 1회 수행하는 것에 의해, 제1층 상에 제2층으로서 실리콘 산질화층(SiON층)을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 또한 본 변형예와 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2, 1, 3, 4를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다.
또한 예컨대 도 14b에 도시하는 변형예6과 같이, 스텝1, 2를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 3, 4를 1세트로서 이 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이 조합들을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행해도 좋다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 소정 횟수(m회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 실리콘(Si), 질소(N) 및 탄소(C)를 포함하는 제1층을 형성하는 공정과; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 질소 함유 가스(NH3가스)를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 공정을 포함하는 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하는 것에 의해, 제1층 상에 제2층으로서 SiON층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 제1층과 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막을 형성해도 좋다. 도 14b는 스텝1, 2의 세트 및 스텝1, 3, 4의 세트를 1사이클당 각각 2회 수행하는 예, 즉 스텝1, 2의 세트를 2회 수행하는 공정과, 스텝1, 3, 4의 세트를 2회를 수행하는 공정을 1사이클로 하여서 이 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 예를 도시한다. 본 변형예와 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스의 차이점은 스텝1, 2의 세트를 소정 횟수(m회) 수행한 후, 스텝1, 3, 4의 세트를 소정 횟수(m'회) 수행하여 이를 1사이클로 하는 점뿐이며, 그 외는 전술한 성막 시퀀스와 마찬가지이다. 또한 본 변형예에서의 스텝1, 2의 세트의 실시 횟수(m)를 1회로 하여 스텝1, 3, 4의 세트의 실시 횟수(m')를 1회로 하는 케이스가 도 14a에 도시한 변형예5의 성막 시퀀스에 상당한다.
이와 같은 변형예에서도 도 10, 도 11에 도시한 전술의 성막 시퀀스와 마찬가지의 효과를 가질 수 있다. 또한 이와 같은 변형예에 의하면, SiOCN막에서의 실리콘 성분, 질소 성분, 탄소 성분, 산소 성분의 비율을 더욱 치밀하게 제어할 수 있게 되고, SiOCN막의 조성비의 제어성을 향상시킬 수 있다. 또한 이와 같은 변형예에 의하면, 1사이클당 형성하는 층의 두께를 증가시킬 수 있고, 사이클 레이트(단위 사이클당 형성되는 SiOCN층의 두께)을 향상시키는 것이 가능하다. 그리고 이에 의해 성막 레이트를 향상시키는 것도 가능하다.
또한 변형예3, 4에서는 제1층으로서 SiCN층을 형성하는 공정과, 제2층으로서 SiO층을 형성하는 공정의 순서를 바꿔서 SiO층을 형성하는 공정을 수행한 후에 SiCN층을 형성하는 공정을 수행하여 이를 1사이클로 해도 좋다. 또한 변형예5, 6에서는 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성하는 공정과, 제2층으로서 SiON층을 형성하는 공정의 순서를 바꿔서 SiON층을 형성하는 공정을 수행한 후에 제1층을 형성하는 공정을 수행하여 이를 1사이클로 해도 좋다. 또한 이와 같은 변형예는 임의적으로 조합하여 이용할 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경이 가능하다.
예컨대 전술한 실시 형태에서는 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성할 때에 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스를 공급하고, 그 후, 아민계 가스를 공급하는 예에 대하여 설명하였지만, 이 가스들의 공급 순서는 반대이어도 좋다. 즉 아민계 가스를 공급하고, 그 후, 클로로실란계 원료 가스를 공급해도 좋다. 즉 클로로실란계 원료 가스 및 아민계 가스 중 일방(一方)의 가스를 공급하고, 그 후, 타방(他方)의 가스를 공급하도록 하면 좋다. 이와 같이 가스의 공급 순서를 바꾸는 것에 의해, 형성되는 박막의 막질이나 조성비를 변화시키는 것도 가능하다.
또한 예컨대 전술한 실시 형태에서는 스텝1에서 소정 원소(실리콘)와 할로겐 원소(염소)를 포함하는 초기층을 형성할 때에 원료 가스로서 클로로실란계 원료 가스를 이용하는 예에 대하여 설명하였지만, 클로로실란계 원료 가스 대신에 클로로기 이외의 할로겐계의 리간드를 가지는 실란계 원료 가스를 이용해도 좋다. 예컨대 클로로실란계 원료 가스 대신에 플루오르실란계 원료 가스를 이용해도 좋다. 여기서 플루오르실란계 원료 가스란 기체 상태의 플루오르실란계 원료, 예컨대 상온 상압 하에서 액체 상태인 플루오르실란계 원료를 기화하는 것에 의해 얻어지는 가스나, 상온 상압 하에서 기체 상태인 플루오르실란계 원료 등을 말한다. 또한 플루오르실란계 원료란 할로겐기로서의 플루오르기를 포함하는 실란계 원료이며, 적어도 실리콘(Si) 및 불소(F)를 포함하는 원료다. 즉 여기서 말하는 플루오르실란계 원료는 할로겐화물의 일종이라고도 말할 수 있다. 플루오르실란계 원료 가스로서는 예컨대 테트라플루오르실란, 즉 실리콘테트라플로라이드(SiF4) 가스나, 헥사플루오르디실란(Si2F6) 가스 등의 불화 실리콘 가스를 이용할 수 있다. 이와 같은 경우, 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 초기층을 형성할 때에 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 플루오르실란계 원료 가스를 공급한다. 이와 같은 경우, 초기층은 Si 및 F를 포함하는 층, 즉 F를 포함하는 실리콘 함유층이 된다.
또한 예컨대 전술한 실시 형태에서는 초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층을 Si, N 및 C를 포함하는 제1층으로 변화(개질)시킬 때에 제1 반응 가스로서 아민계 가스를 이용하는 예에 대하여 설명하였지만, 아민계 가스 대신에 제1 반응 가스로서 예컨대 유기 히드라진 화합물을 포함하는 가스, 즉 유기 히드라진계 가스를 이용해도 좋다. 또한 유기 히드라진 화합물을 포함하는 가스를 단순히 유기 히드라진 화합물 가스, 또는 유기 히드라진 가스라고 부를 수도 있다. 여기서 유기 히드라진계 가스란 기체 상태의 유기 히드라진, 예컨대 상온 상압 하에서 액체 상태인 유기 히드라진을 기화하는 것에 의해 얻어지는 가스나, 상온 상압 하에서 기체 상태인 유기 히드라진 등의 히드라진기를 포함하는 가스다. 유기 히드라진계 가스는 탄소(C), 질소(N) 및 수소(H)의 3원소로 구성되는 실리콘 비함유의 가스이며, 또한 실리콘 및 금속 비함유의 가스다. 유기 히드라진계 가스로서는 예컨대 모노메틸히드라진[(CH3)HN2H2, 약칭: MMH], 디메틸히드라진[(CH3)2N2H2, 약칭: DMH], 트리메틸히드라진[(CH3)2N2(CH3)H, 약칭: TMH] 등을 기화한 메틸 히드라진계 가스나, 에틸히드라진[(C2H5)HN2H2, 약칭: EH] 등을 기화한 에틸 히드라진계 가스를 바람직하게 이용할 수 있다. 이 경우, 초기층으로서의 Cl을 포함하는 실리콘 함유층을 Si, N 및 C를 포함하는 제1층으로 변화(개질)시킬 때에 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 유기 히드라진계 가스를 공급한다. 또한 유기 히드라진계 가스로서는 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 그 조성식 중(1분자 중)에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 또한 유기 히드라진계 가스로서는 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하는 가스, 즉 그 조성식 중(1분자 중)에서 알킬기 등의 탄화수소기를 복수 포함하는 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 유기 히드라진계 가스로서는 그 조성식 중(1분자 중)에서 탄소(C) 원자를 포함하는 리간드(알킬기 등의 탄화수소기)를 3개, 또는 2개 포함하는 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
또한 예컨대 전술한 실시 형태에서는 Si, N 및 C를 포함하는 제1층을 형성할 때에 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스를 공급하고, 그 후, 아민계 가스를 공급하는 예에 대하여 설명하였지만, 도 15a과 같이 클로로실란계 원료 가스와 아민계 가스를 동시에 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 공급하여 CVD반응을 발생시키도록 해도 좋다.
도 15a 및 도 15b의 시퀀스는 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스(HCDS가스)와, 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 아민계 가스(TEA가스)를 동시에 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 실리콘, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스(O2가스)를 공급하는 것에 의해 제1층을 개질하여 제2층으로서 SiOCN층 또는 SiOC층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수(n회) 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 SiOCN막 또는 SiOC막을 형성하는 예다. 또한 도 15a는 HCDS가스와 TEA가스를 동시에 공급하는 공정을 1사이클당 1회 수행하는 케이스를 도시하고, 도 15b는 HCDS가스와 TEA가스를 동시에 공급하는 공정을 1사이클당 복수 회(2회) 수행하는 케이스를 도시한다. 또한 이 경우에서의 처리 조건도 전술한 실시 형태에서의 처리 조건과 마찬가지의 처리 조건으로 하면 좋다.
이와 같이 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 클로로실란계 원료 가스와 아민계 가스를 순차 공급하지 않고 동시에 공급해도 전술한 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다. 단, 전술한 실시 형태와 같이 클로로실란계 원료 가스와 아민계 가스를 그들 사이에 처리실(201) 내의 퍼지를 끼워서 교호적으로 공급하는 것이 클로로실란계 원료 가스와 아민계 가스를 표면 반응이 지배적인 조건 하에서 적절히 반응시킬 수 있고, 막 두께 제어의 제어성을 향상시킬 수 있다.
전술한 각 실시 형태나 각 변형예의 수법에 의해 형성한 실리콘 절연막을 사이드월 스페이서로서 사용하는 것에 의해 리크 전류가 적고 가공성에 뛰어난 디바이스 형성 기술을 제공하는 것이 가능하다.
또한 전술한 각 실시 형태나 각 변형예의 수법에 의해 형성한 실리콘 절연막을 에치 스톱퍼로서 사용하는 것에 의해 가공성에 뛰어난 디바이스 형성 기술을 제공하는 것이 가능하다.
전술한 각 실시 형태나 각 변형예에 의하면, 저온 영역에서도 플라즈마를 이용하지 않고서 이상적 양론비(量論比)의 실리콘 절연막을 형성할 수 있다. 또한 플라즈마를 이용하지 않고 실리콘 절연막을 형성할 수 있기 때문에 예컨대 DPT의 SADP막 등, 플라즈마 데미지가 염려되는 공정으로의 적응도 가능하다.
또한 전술한 실시 형태에서는 산탄질화막, 산탄화막, 탄질화막으로서 반도체 원소인 실리콘을 포함하는 실리콘계 절연막(SiOCN막, SiOC막, SiCN막)을 형성하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 예컨대 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 등의 금속 원소를 포함하는 금속계 박막을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다.
즉 본 발명은 예컨대 티타늄산탄질화막(TiOCN막), 지르코늄산탄질화막(ZrOCN막), 하프늄산탄질화막(HfOCN막), 탄탈산탄질화막(TaOCN막), 알루미늄산탄질화막(AlOCN막), 몰리브덴산탄질화막(MoOCN막) 등의 금속산탄질화막을 형성하는 경우에도 바람직하게 적용할 수 있다.
또한 예컨대 본 발명은 티타늄산탄화막(TiOC막), 지르코늄산탄화막(ZrOC막), 하프늄산탄화막(HfOC막), 탄탈산탄화막(TaOC막), 알루미늄산탄화막(AlOC막), 몰리브덴산탄화막(MoOC막) 등의 금속산탄화막을 형성하는 경우에도 바람직하게 적용할 수 있다.
또한 예컨대 본 발명은 티타늄탄질화막(TiCN막), 지르코늄탄질화막(ZrCN막), 하프늄탄질화막(HfCN막), 탄탈탄질화막(TaCN막), 알루미늄탄질화막(AlCN막), 몰리브덴탄질화막(MoCN막) 등의 금속탄질화막을 형성하는 경우에도 바람직하게 적용할 수 있다.
이와 같은 경우, 전술한 실시 형태에서의 클로로실란계 원료 가스 대신에 금속 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 이용하여 전술한 실시 형태와 마찬가지의 시퀀스에 의해 성막을 수행할 수 있다. 즉 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 금속 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 금속 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 원료 가스 및 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해, 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 웨이퍼(200) 상에 소정 조성 및 소정 막 두께의 금속계 박막(금속산탄질화막, 금속산탄화막, 금속탄질화막)을 형성할 수 있다.
예컨대 Ti를 포함하는 금속계 박막(TiOCN막, TiOC막, TiCN막)을 형성하는 경우에는 원료 가스로서 티타늄테트라클로라이드(TiCl4) 등의 Ti 및 클로로기를 포함하는 가스나, 티타늄테트라플로라이드(TiF4) 등의 Ti 및 플루오르기를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 제1 및 제2 반응 가스로서는 전술한 실시 형태와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 또한 이 때의 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 조건으로 할 수 있다.
또한 예컨대 Zr을 포함하는 금속계 박막(ZrOCN막, ZrOC막, ZrCN막)을 형성하는 경우에는 원료 가스로서 지르코늄테트라클로라이드(ZrCl4) 등의 Zr 및 클로로기를 포함하는 가스나, 지르코늄테트라플로라이드(ZrF4) 등의 Zr 및 플루오르기를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 제1 및 제2 반응 가스로서는 전술한 실시 형태와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 또한 이 때의 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 조건으로 할 수 있다.
또한 예컨대 Hf를 포함하는 금속계 박막(HfOCN막, HfOC막, HfCN막)을 형성하는 경우에는 원료 가스로서 하프늄테트라클로라이드(HfCl4) 등의 Hf 및 클로로기를 포함하는 가스나, 하프늄테트라플로라이드(HfF4) 등의 Hf 및 플루오르기를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 제1 및 제2 반응 가스로서는 전술한 실시 형태와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 또한 이 때의 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 조건으로 할 수 있다.
또한 예컨대 Ta를 포함하는 금속계 박막(TaOCN막, TaOC막, TaCN막)을 형성하는 경우에는 원료 가스로서 탄탈펜타클로라이드(TaCl5) 등의 Ta 및 클로로기를 포함하는 가스나, 탄탈펜타플로라이드(TaF5) 등의 Ta 및 플루오르기를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 제1 및 제2 반응 가스로서는 전술한 실시 형태와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 또한 이 때의 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 조건으로 할 수 있다.
또한 예컨대 Al을 포함하는 금속계 박막(AlOCN막, AlOC막, AlCN막)을 형성하는 경우에는 원료 가스로서 알루미늄트리클로라이드(AlCl3) 등의 Al 및 클로로기를 포함하는 가스나, 알루미늄트리플로라이드(AlF3) 등의 Al 및 플루오르기를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 제1 및 제2 반응 가스로서는 전술한 실시 형태와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 또한 이 때의 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 조건으로 할 수 있다.
또한 예컨대 Mo를 포함하는 금속계 박막(MoOCN막, MoOC막, MoCN막)을 형성하는 경우에는 원료 가스로서 몰리브덴펜타클로라이드(MoCl5) 등의 Mo 및 클로로기를 포함하는 가스나, 몰리브덴펜타플로라이드(MoF5) 등의 Mo 및 플루오르기를 포함하는 가스를 이용할 수 있다. 제1 및 제2 반응 가스로서는 전술한 실시 형태와 마찬가지의 가스를 이용할 수 있다. 또한 이 때의 처리 조건은 예컨대 전술한 실시 형태와 마찬가지의 처리 조건으로 할 수 있다.
즉 본 발명은 반도체 원소나 금속 원소 등의 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 경우에 바람직하게 적용할 수 있다.
또한 전술한 실시 형태에서는 한번에 복수 매의 기판을 처리하는 뱃치식의 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 성막하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 한번에 1매 또는 수 매의 기판을 처리하는 매엽식(枚葉式)의 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 성막하는 경우에도 바람직하게 적용할 수 있다. 또한 전술한 실시 형태에서는 핫월 형의 처리로를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 성막하는 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 콜드월 형의 처리로를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 성막하는 경우에도 바람직하게 적용할 수 있다.
또한 전술한 각 실시 형태나 각 변형예나 각 응용예 등은 적절히 조합하여 이용할 수 있다.
또한 본 발명은 예컨대 기존의 기판 처리 장치의 프로세스 레시피를 변경하는 것에 의해서도 실현된다. 프로세스 레시피를 변경하는 경우에는 본 발명에 따른 프로세스 레시피를 전기 통신 회선이나 상기 프로세스 레시피를 기록한 기록 매체를 개재하여 기존의 기판 처리 장치에 인스톨하거나, 또한 기존의 기판 처리 장치의 입출력 장치를 조작하여 그 프로세스 레시피 자체를 본 발명에 따른 프로세스 레시피로 변경하는 것도 가능하다.
[실시예]
(실시예1)
전술한 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 이용하여 전술한 제1 실시 형태의 성막 시퀀스에 의해 복수 매의 웨이퍼 상에 SiOCN막을 형성하였다. 원료 가스로서는 HCDS가스를, 제1 반응 가스로서는 TEA가스를, 제2 반응 가스로서는 O2가스를 이용하였다. 성막 시의 웨이퍼 온도는 600∼650℃로 하였다. 이 때 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 0초, 3초, 6초로 바꿔서 3개의 평가 샘플을 작성하였다. 그 외에 처리 조건은 전술한 제1 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 값으로 설정하였다. 이하, 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 0초, 3초, 6초로 하여 작성한 평가 샘플을 각각, 평가 샘플A, B, C라고 칭한다. 또한 O2가스의 공급 시간=0초란 O2가스를 공급하지 않은 케이스, 즉 전술한 제1 실시 형태의 성막 시퀀스의 스텝1과 스텝2를 교호적으로 반복하는 시퀀스에 의해 Si, N 및 C를 포함하는 물질(이하, 단순히 SiCN막이라고도 부른다)을 형성한 케이스(참고예)를 나타낸다. 그리고 각 평가 샘플의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(이하, WIW라고도 부른다), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(이하, WTW라고도 부른다), 굴절율(Refractive Index, 이하, R.I.라고도 부른다), XPS 조성비 및 농도 1.0%의 불화수소(HF) 함유액에 대한 웨트 에칭 레이트(Wet Etching Rate, 이하, WER이라고도 부른다)를 각각 측정하였다. 그 측정 결과를 도 16에 도시한다.
도 16에 도시하는 바와 같이 참고예로서 형성한 평가 샘플A의 SiCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW)은 각각, 2.7%, 2.5%가 되는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플B의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW)은 각각, 2.9%, 2.2%가 되는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플C의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW)은 각각, 2.1%, 2.4%가 된다는 것을 확인하였다. 또한 WIW, WTW는 모두 그 수치가 작을수록 막 두께 균일성이 높다는 것, 즉 막 두께 균일성이 양호하다는 것을 나타낸다. 즉 참고예로서 형성한 평가 샘플A의 SiCN막 및 본 실시예에서 형성한 평가 샘플B, C의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성 및 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성은 모두 양호하다는 것을 확인하였다.
또한 참고예로서 형성한 평가 샘플A의 막의 R.I.은 2.2이며, 형성한 막이 SiCN막인 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플B의 막의 R.I.은 1.8이며, 형성한 막이 SiOCN막인 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플C의 막의 R.I.은 1.6이며, 형성한 막이 SiOCN막인 것을 확인하였다. 이로부터 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 길게 할수록 R.I.이 작아진다는 것을 확인하였다. 즉 스텝3에서의 O2가스 공급 시간 등의 컨디션을 제어하는 것에 의해 R.I.을 제어할 수 있다는 것을 확인하였다.
또한 참고예로서 형성한 평가 샘플A의 SiCN막의 XPS 측정 결과로부터 참고예에서 형성한 평가 샘플A의 SiCN막 중의 Si/C/N/O비는 40/42/15/3이 된다는 것을 확인하였다. 즉 C농도가 42at%의 SiCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 SiCN막 중의 Si농도는 40at%, N농도는 15at%, O농도는 3at%가 된다는 것을 확인하였다. 또한 검출된 O성분은 불순물 레벨이지만, 이는 SiCN막과 하지 계면이나 SiCN막 표면에 형성된 자연 산화막에 기인한고 생각된다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플B의 SiOCN막의 XPS 측정 결과로부터 본 실시예에서 형성한 평가 샘플B의 SiOCN막 중의 Si/C/N/O비는 36/20/12/32가 된다는 것을 확인하였다. 즉 C농도가 20at%의 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 SiOCN막 중의 Si농도는 36at%, N농도는 12at%, O농도는 32at%가 된다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플C의 SiOCN막의 XPS 측정 결과로부터 본 실시예에서 형성한 평가 샘플C의 SiOCN막 중의 Si/C/N/O비는 36/9/9/46이 된다는 것을 확인하였다. 즉 C농도가 9at%의 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 SiOCN막 중의 Si농도는 36at%, N농도는 9at%, O농도는 46at%가 된다는 것을 확인하였다.
이로부터 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 길게 할수록 산화가 진행하여 SiOCN막의 O농도가 증가하고 C농도 및 N농도가 감소한다는 것을 알 수 있다. 발명자들이 수행한 다른 실험에서는 O2가스의 공급 시간을 어느 정도 길게 하여 산화가 어느 정도 진행하였을 때 N성분이 불순물 레벨이 되고, O2가스의 공급 시간을 더욱 길게 하는 것에 의해 산화가 더욱 진행하여 N성분이 실질적으로 소멸하여 SiOC막이 형성된다는 것을 확인하였다.
즉 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간 등의 컨디션을 제어하는 것에 의해 SiOCN막의 O농도나 C농도나 N농도를 제어할 수 있다는 것, 즉 SiOCN막의 조성비를 제어할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 N성분을 불순물 레벨에까지 저감하거나 실질적으로 소멸시킬 수 있고, SiOC막도 형성할 수 있다는 것도 확인하였다.
또한 참고예로서 형성한 평가 샘플A의 SiCN막의 WER은 0.5Å/min이 되는 것을 확인하였다. 즉 에칭 내성이 높은 SiCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플B의 SiOCN막의 WER은 2.5Å/min이 된다는 것을 확인하였다. 즉 에칭 내성이 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플C의 SiOCN막의 WER은 12.9Å/min이 된다는 것을 확인하였다. 즉 에칭 내성이 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 이로부터 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 길게 할수록 WER이 커진다는 것을 확인하였다. 즉 스텝3에서의 O2가스 공급 시간 등의 컨디션을 제어하는 것에 의해 WER을 제어할 수 있다는 것을 확인하였다.
(실시예2)
전술한 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 이용하여 전술한 제1 실시 형태의 성막 시퀀스에 의해 복수 매의 웨이퍼 상에 SiOC막을 형성하였다. 원료 가스로서는 HCDS가스를, 제1 반응 가스로서는 TEA가스를, 제2 반응 가스로서는 O2가스를 이용하였다. 성막 시의 웨이퍼 온도는 600∼650℃로 하였다. 이 때 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 20∼25초로 하여 평가 샘플을 작성하였다. 그 외에 처리 조건은 전술한 제1 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 값으로 설정하였다. 이하, 본 실시예에서 작성한 평가 샘플을 평가 샘플D라고 칭한다. 그리고 평가 샘플D의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW), 사이클 레이트(Cycle Rate), XRF 조성비 및 굴절율(R.I.)을 각각 측정하였다. 그 측정 결과를 도 17에 도시한다.
도 17에 도시하는 바와 같이 본 실시예에서 형성한 평가 샘플D의 SiOC막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW)은 각각 1.8%, 0.8%가 된다는 것을 확인하였다. 즉 본 실시예에서 형성한 평가 샘플D의 SiOC막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성 및 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성은 모두 양호하다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플D의 SiOC막의 사이클 레이트는 0.55Å/cycle이 된다는 것을 확인하였다. 즉 본 실시예에 의하면 실용 레벨이 양호한 사이클 레이트, 즉 성막 레이트를 실현할 수 있다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플D의 SiOC막의 XRF 측정 결과로부터 본 실시예에서 형성한 평가 샘플D의 SiOC막 중의 Si/O/C/N비는 56.7/33.5/8.0/1.8이 된다는 것을 확인하였다. 즉 C농도가 8.0at%의 SiOC막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 SiOC막 중의 Si농도는 56.7at%, O농도는 33.5at%, N농도는 1.8at%가 된다는 것을 확인하였다. 또한 검출된 N성분은 불순물 레벨이지만, 이는 스텝3에서의 O2가스의 공급 시간을 길게 한 것에 의해 산화가 진행하고 그 과정에서 막 중으로부터 N의 대부분이 탈리하여 막 중의 N성분이 불순물 레벨이 된 것으로 생각된다. 또한 O2가스의 공급 시간을 더욱 길게 하는 것에 의해 산화를 더욱 진행시킬 수 있고, N성분도 실질적으로 소멸시킬 수 있다는 것은 전술한 바와 같다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플D의 막의 R.I.은 1.57이며, 형성한 막이 SiOC막인 것을 확인하였다.
(실시예3)
전술한 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 이용하여 전술한 제1 실시 형태의 성막 시퀀스에 의해 복수 매의 웨이퍼 상에 SiOCN막을 형성하였다. 원료 가스로서는 HCDS가스를, 제1 반응 가스로서는 TEA가스 또는 DEA가스를, 제2 반응 가스로서는 O2가스를 이용하였다. 성막 시의 웨이퍼 온도는 600∼650℃로 하였다. 이 때 스텝2에서의 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용한 경우와, DEA가스를 이용한 경우의 2개의 평가 샘플을 작성하였다. 그 외에 처리 조건은 전술한 제1 실시 형태에 기재된 처리 조건 범위 내의 소정의 값으로 설정하였다. 또한 2개의 평가 샘플을 작성할 때의 처리 조건은 동등한 처리 조건으로 하였다. 이하, 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하여 작성한 평가 샘플을 평가 샘플E라고 칭하고, 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하여 작성한 평가 샘플을 평가 샘플F라고 칭한다. 그리고 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW), 사이클 레이트(Cycle Rate), XRF 측정 결과, 농도 1.0%의 불화수소(HF) 함유액에 대한 웨트 에칭 레이트(WER) 및 굴절율(R.I.)을 각각 측정하였다. 그 측정 결과를 도 18에 도시한다.
도 18에 도시하는 바와 같이 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW)은 각각 2.0%, 1.1%가 된다는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성(WIW), 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성(WTW)은 각각 2.0%, 1.3%가 된다는 것을 확인하였다. 즉 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 웨이퍼 면내에서의 막 두께 균일성,및 웨이퍼 면간에서의 막 두께 균일성은 모두 양호하며, 양(兩) 샘플 사이에는 큰 차이가 없다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 사이클 레이트는 0.55Å/cycle이 된다는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 사이클 레이트는 0.87Å/cycle이 된다는 것을 확인하였다. 즉 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 사이클 레이트는 모두 실용 레벨의 사이클 레이트가 되어 본 실시예에 의하면 실용 레벨의 성막 레이트를 실현할 수 있다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 사이클 레이트를 비교한 경우, 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하여 작성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 사이클 레이트가 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하여 작성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 사이클 레이트보다 더 높다는 것을 확인하였다. 즉 사이클 레이트, 즉 성막 레이트의 관점에서는 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하는 경우가 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 경우보다도 더 우위하다는 것을 알 수 있다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 XRF 측정 결과보다 본 실시예에서 형성한 SiOCN막 중의 Si/O/C/N비는 55.1/31.6/10.2/3.1이 된다는 것을 확인하였다. 즉 C농도가 10.2at%의 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 SiOCN막 중의 Si농도는 55.1at%, O농도는 31.6at%, N농도는 3.1at%가 된다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 XRF 측정 결과에 의해 본 실시예에서 형성한 SiOCN막 중의 Si/O/C/N비는 56.1/32.7/6.1/5.1이 된다는 것을 확인하였다. 즉 C농도가 6.1at%의 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 SiOCN막 중의 Si농도는 56.1at%, O농도는 32.7at%, N농도는 5.1at%가 된다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 C농도에 대한 N농도의 비율(N농도/C농도비)을 비교한 경우, 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하여 작성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 N농도/C농도비(=0.84)가 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하여 작성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 N농도/C농도비(= 0.3)보다도 더 높은 것을 확인하였다. 즉 동등한 처리 조건으로 SiOCN막을 형성한 경우, 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하는 경우가 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 경우보다도 N농도/C농도비가 더 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 알 수 있다. 바꿔 말하면 동등한 처리 조건으로 SiOCN막을 형성한 경우, 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하는 경우가 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 경우보다 C농도가 더 낮고 N농도가 더 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 알 수 있다. 반대로 동등한 처리 조건으로 SiOCN막을 형성한 경우, 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 경우가 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하는 경우보다 N농도에 대한 C농도의 비율(C농도/N농도비)이 더 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 알 수 있다. 바꿔 말하면 동등한 처리 조건으로 SiOCN막을 형성한 경우, 제1 반응 가스로서 TEA가스를 이용하는 경우가 제1 반응 가스로서 DEA가스를 이용하는 경우보다 N농도가 더 낮고 C농도가 더 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 알 수 있다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 WER은 5.2Å/min이 된다는 것을 확인하였다. 즉 에칭 내성이 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 WER은 5.1Å/min이 된다는 것을 확인하였다. 즉 에칭 내성이 높은 SiOCN막을 형성할 수 있다는 것을 확인하였다. 즉 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 에칭 내성은 모두 양호하며, 양 샘플 사이에 큰 차이가 없다는 것을 확인하였다.
또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E의 SiOCN막의 R.I.은 1.59이며, 형성한 막이 SiOCN막인 것을 확인하였다. 또한 본 실시예에서 형성한 평가 샘플F의 SiOCN막의 R.I.은 1.59이며, 형성한 막이 SiOCN막인 것을 확인하였다. 즉 본 실시예에서 형성한 평가 샘플E, F의 SiOCN막의 R.I.은 모두 적절한 값이 되고, 양 샘플 사이에 큰 차이가 없다는 것을 확인하였다.
<본 발명이 바람직한 형태>
이하, 본 발명의 바람직한 형태에 대하여 부기(附記)한다.
(부기1)
본 발명의 일 형태에 의하면,
기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
여기서 「원료 가스를 공급하는 공정과, 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행한다」란 원료 가스 및 제1 반응 가스 중 일방의 가스를 공급하는 공정과, 그 후, 원료 가스 및 제1 반응 가스 중 상기 일방의 가스와는 다른 타방의 가스를 공급하는 공정을 1세트로 한 경우, 이 세트를 1회 수행하는 경우와, 이 세트를 복수 회 반복하는 경우의 양방을 포함한다. 즉 이 세트를 1회 이상(소정 횟수) 수행하는 것을 의미한다.
또한 「제1층을 형성하는 공정과, 제2층을 형성하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행한다」란 제1층을 형성하는 공정과, 제2층을 형성하는 공정을 1사이클로 한 경우, 이 사이클을 1회 수행하는 경우와, 이 사이클을 복수 회 반복하는 경우의 양방을 포함한다. 즉 이 사이클을 1회 이상(소정 횟수) 수행하는 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 이들과 같은 표현은 이들과 같은 의미로서 이용된다.
(부기2)
부기1의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함한다.
(부기3)
부기1 또는 2의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 3개 포함한다.
(부기4)
부기1 또는 2의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 2개 포함한다.
(부기5)
부기1 내지 4 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 아민 및 유기 히드라진 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
(부기6)
부기1 내지 4 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 에틸아민, 메틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민 및 이소부틸아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함한다.
(부기7)
부기1 또는 2의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 트리에틸아민, 디에틸아민, 트리메틸아민, 디메틸아민, 트리프로필아민, 디프로필아민, 트리이소프로필아민, 디이소프로필아민, 트리부틸아민, 디부틸아민, 트리이소부틸아민 및 디이소부틸아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함한다.
(부기8)
부기1 또는 2의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 디에틸아민, 디메틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민 및 디이소부틸아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함한다.
(부기9)
부기1 내지 8 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 실리콘 비함유의 가스다.
(부기10)
부기1 내지 8 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스는 실리콘 및 금속 비함유의 가스다.
(부기11)
부기1 내지 10 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 소정 원소는 실리콘 또는 금속을 포함하고, 상기 할로겐 원소는 염소 또는 불소를 포함한다.
(부기12)
부기1 내지 11 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1층을 형성하는 공정에서는 상기 원료 가스에 포함되는 상기 할로겐 원소와 상기 제1 반응 가스에 포함되는 수소를 가스로서 배출하면서 상기 기판 상에 상기 제1층을 형성한다.
(부기13)
부기1 내지 12 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 원료 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소와 상기 할로겐 원소를 포함하는 초기층을 형성하고,
상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜서 상기 제1층을 형성한다.
(부기14)
부기 13의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜서 상기 초기층에 포함되는 상기 할로겐 원소 중 적어도 일부를 상기 초기층으로부터 인발하는 것과 함께, 상기 제1 반응 가스에 포함되는 리간드 중 적어도 일부를 상기 제1 반응 가스로부터 분리시킨다.
(부기15)
부기 14의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜서 상기 초기층에 포함되는 상기 할로겐 원소 중 적어도 일부를 상기 초기층으로부터 인발하는 것과 함께, 상기 제1 반응 가스에 포함되는 리간드 중 적어도 일부를 상기 제1 반응 가스로부터 분리시켜 상기 리간드 중 적어도 일부가 분리된 상기 제1 반응 가스의 질소와 상기 초기층에 포함되는 상기 소정 원소를 결합시킨다.
(부기16)
부기 15의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜서 상기 초기층에 포함되는 상기 할로겐 원소 중 적어도 일부를 상기 초기층으로부터 인발하는 것과 함께, 상기 제1 반응 가스에 포함되는 리간드 중 적어도 일부를 상기 제1 반응 가스로부터 분리시켜 상기 리간드 중 적어도 일부가 분리한 상기 제1 반응 가스의 질소와 상기 초기층에 포함되는 상기 소정 원소를 결합시켜, 또한 상기 리간드에 포함되는 탄소와 상기 초기층에 포함되는 상기 소정 원소를 결합시킨다.
(부기17)
부기1 내지 16 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 박막을 형성하는 공정은 상기 기판을 처리실 내에 수용한 상태에서 수행되고,
상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력을 상기 제2 반응 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 크게 하고, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력을 상기 원료 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 크게 한다.
(부기18)
부기1 내지 17 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제2층을 형성하는 공정에서는 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제2층으로서 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화층), 또는 상기 소정 원소, 산소 및 탄소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 산탄화층)을 형성하고,
상기 박막을 형성하는 공정에서는 상기 박막으로서 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화막), 또는 상기 소정 원소, 산소 및 탄소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 산탄화막)을 형성한다.
(부기19)
부기1 내지 17 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제2층을 형성하는 공정에서는 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제2층으로서 상기 소정 원소, 탄소 및 질소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 탄질화층)을 형성하고,
상기 박막을 형성하는 공정에서는 상기 박막으로서 상기 소정 원소, 탄소 및 질소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 탄질화막)을 형성한다.
(부기20)
부기1 내지 17 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제2층을 형성하는 공정에서는 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스와 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제2층으로서 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화층)을 형성하고,
상기 박막을 형성하는 공정에서는 상기 박막으로서 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화막)을 형성한다.
(부기21)
부기1 내지 17 중 어느 하나의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제2층을 형성하는 공정에서는 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스를 공급하고, 그 후, 상기 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제2층으로서 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화층)을 형성하고,
상기 박막을 형성하는 공정에서는 상기 박막으로서 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화막)을 형성한다.
(부기22)
본 발명의 다른 형태에 의하면,
기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
상기 기판에 대하여 상기 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소를 포함하는 제2층을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 제1층과 상기 제2층이 적층되어 이루어지는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기23)
부기 21의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제2층을 형성하는 공정에서는 상기 기판에 대하여, 상기 제2 반응 가스로서 질소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제2층으로서 상기 소정 원소 및 질소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 질화층)을 형성하고,
상기 박막을 형성하는 공정에서는 상기 박막으로서 상기 제1층과 상기 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 상기 소정 원소, 탄소 및 질소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 탄질화막)을 형성한다.
(부기24)
부기 21의 반도체 장치의 제조 방법으로서, 바람직하게는,
상기 제2층을 형성하는 공정에서는 상기 기판에 대하여, 상기 제2 반응 가스로서 산소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제2층으로서 상기 소정 원소 및 산소를 포함하는 층(상기 소정 원소를 포함하는 산화층)을 형성하고,
상기 박막을 형성하는 공정에서는 상기 박막으로서 상기 제1층과 상기 제2층이 교호적으로 적층되어 이루어지는 상기 소정 원소, 산소, 탄소 및 질소를 포함하는 막(상기 소정 원소를 포함하는 산탄질화막)을 형성한다.
(부기25)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판에 대하여, 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스와, 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
(부기26)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.
(부기27)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 수용하는 처리실;
상기 처리실 내로 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급계;
상기 처리실 내로 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 제1 반응 가스 공급계;
상기 처리실 내로 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 제2 반응 가스 공급계; 및
상기 처리실 내의 기판에 대하여 상기 원료 가스를 공급하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 제1 반응 가스를 공급하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 처리를 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 처리를 수행하도록 상기 원료 가스 공급계, 상기 제1 반응 가스 공급계 및 상기 제2 반응 가스 공급계를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기28)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 처리 장치의 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 순서와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 순서를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 순서; 및
상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 순서;
를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 순서를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 제공된다.
(부기29)
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판 처리 장치의 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 순서와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 순서를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 순서; 및
상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 순서;
를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 순서를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
121: 컨트롤러(제어부) 200: 웨이퍼(기판)
201: 처리실 202: 처리로
203: 반응관 207: 히터
231: 배기관 232a: 제1 가스 공급관
232b: 제2 가스 공급관 232c: 제3 가스 공급관
232d: 제4 가스 공급관

Claims (20)

  1. 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
    상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 복수 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 3개 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 그 조성식 중에서 탄소 원자를 포함하는 리간드를 2개 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 아민 및 유기 히드라진 중 적어도 어느 하나를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 에틸아민, 메틸아민, 프로필아민, 이소프로필아민, 부틸아민 및 이소부틸아민으로 이루어지는 군(群)에 의해 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 트리에틸아민, 디에틸아민, 트리메틸아민, 디메틸아민, 트리프로필아민, 디프로필아민, 트리이소프로필아민, 디이소프로필아민, 트리부틸아민, 디부틸아민, 트리이소부틸아민 및 디이소부틸아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 디에틸아민, 디메틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민 및 디이소부틸아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 아민을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 실리콘 비함유의 가스인 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 반응 가스는 실리콘 및 금속 비함유의 가스인 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 소정 원소는 실리콘 또는 금속을 포함하고, 상기 할로겐 원소는 염소 또는 불소를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1층을 형성하는 공정에서는 상기 원료 가스에 포함되는 상기 할로겐 원소와 상기 제1 반응 가스에 포함되는 수소를 가스로서 배출하면서 상기 기판 상에 상기 제1층을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 원료 가스를 공급하는 공정에서는 상기 소정 원소와 상기 할로겐 원소를 포함하는 초기층을 형성하고,
    상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜서 상기 제1층을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜 상기 초기층에 포함되는 상기 할로겐 원소 중 적어도 일부를 상기 초기층으로부터 인발(引拔)하는 것과 함께, 상기 제1 반응 가스에 포함되는 리간드 중 적어도 일부를 상기 제1 반응 가스로부터 분리시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜 상기 초기층에 포함되는 상기 할로겐 원소 중 적어도 일부를 상기 초기층으로부터 인발하는 것과 함께, 상기 제1 반응 가스에 포함되는 리간드 중 적어도 일부를 상기 제1 반응 가스로부터 분리시켜 상기 리간드 중 적어도 일부가 분리한 상기 제1 반응 가스의 질소와 상기 초기층에 포함되는 상기 소정 원소를 결합시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서는 상기 초기층과 상기 제1 반응 가스를 반응시켜서 상기 초기층에 포함되는 상기 할로겐 원소 중 적어도 일부를 상기 초기층으로부터 인발하는 것과 함께, 상기 제1 반응 가스에 포함되는 리간드 중 적어도 일부를 상기 제1 반응 가스로부터 분리시켜 상기 리간드 중 적어도 일부가 분리한 상기 제1 반응 가스의 질소와 상기 초기층에 포함되는 상기 소정 원소를 결합시키고, 또한 상기 리간드에 포함되는 탄소와 상기 초기층에 포함되는 상기 소정 원소를 결합시키는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 박막을 형성하는 공정은 상기 기판을 처리실 내에 수용한 상태에서 수행되고,
    상기 제1 반응 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력을 상기 제2 반응 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 크게 하고, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력을 상기 원료 가스를 공급하는 공정에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 크게 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 공정을 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 및
    상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 공정;
    을 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 기판을 수용하는 처리실;
    상기 처리실 내로 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급계;
    상기 처리실 내로 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 제1 반응 가스 공급계;
    상기 처리실 내로 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 제2 반응 가스 공급계;
    상기 처리실 내의 기판에 대하여 상기 원료 가스를 공급하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 제1 반응 가스를 공급하는 처리를 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 처리를 수행하도록 상기 원료 가스 공급계, 상기 제1 반응 가스 공급계 및 전기 제2 반응 가스 공급계를 제어하는 제어부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 기판 처리 장치의 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소와 할로겐 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 순서와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 탄소, 질소 및 수소의 3원소로 구성되고 조성식 중에서 질소 원자의 수보다 탄소 원자의 수가 더 많은 제1 반응 가스를 공급하는 순서를 교호적으로 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 소정 원소, 질소 및 탄소를 포함하는 제1층을 형성하는 순서; 및
    상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 제1 반응 가스와는 다른 제2 반응 가스를 공급하는 것에 의해, 상기 제1층을 개질하여 제2층을 형성하는 순서;
    를 포함하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해 상기 기판 상에 상기 소정 원소를 포함하는 박막을 형성하는 순서를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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