KR20120112201A

KR20120112201A - 소켓

Info

Publication number: KR20120112201A
Application number: KR1020120032660A
Authority: KR
Inventors: 히데키 산노; 히로유키 아베; 야스시 이시카와; 도요카즈 에즈라; 야스히사 츠카다
Original assignee: 센사타 테크놀로지스 매사추세츠, 인크.
Priority date: 2011-03-31
Filing date: 2012-03-29
Publication date: 2012-10-11
Also published as: JP2012212630A; US8632366B2; JP5709609B2; US20120252233A1; KR101821420B1

Abstract

본 발명은 콘택에 전기 저항 요소를 부가한 개선된 회로 기판용 소켓을 제공한다.
소켓(100)은 종방향으로 연장되는 소켓 본체(12)와, 이 소켓 본체의 종방향을 따라 두 줄로 배치된 복수의 콘택(110)을 포함한다. 소켓 본체(12)상에 메모리 모듈(30)이 설치될 때, 메모리 모듈(30)의 양면에 형성된 단자(38)들은 콘택(110)에 의해 전기적 탄성적으로 연결된다. 콘택(110)은 단자(38)와의 접촉을 위한 접점부(116)와, 탄성력을 발생시키는 절곡부(114)와, 베이스부(112)를 포함한다. 콘택은 탄성을 갖는 전도성 금속으로 형성되며, 신호 반송에 사용되는 콘택은 상기한 전도성 금속과는 상이한 전기 저항 재료로 된 레지스터(118)를 포함한다. 레지스터(118)는 메모리 모듈(30)의 단자(38)와 베이스부(112) 사이의 전류 경로에 개재된다.

Description

소켓{SOCKET}

본 발명은 회로 기판을 실장하는 소켓에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 메모리 칩을 가지는 메모리 모듈을 실장하는 소켓과 그러한 소켓을 사용하는 메모리 모듈 시스템에 관한 것이다.

대량 저장 장치를 가지는 메모리는 DRAM, SRAM 또는 플래시 메모리와 같은 복수의 반도체 메모리 칩을 회로 기판의 양측면의 단일 측에 실장하도록 구성된다. 이러한 메모리 모듈은 소켓 상에 설치되며, 해당 소켓은 본체 기판(motherboard) 상에 실장되어 메모리 모듈 시스템을 구성한다. 일본 특허 공개 제2002-298998호, 제2001-110532호 및 제2000-173699호는 이러한 메모리 모듈을 설치하는 소켓을 개시하고 있다.

도 1a는 통상의 메모리 모듈용 소켓을 예시하고 도 1b는 소켓을 실장하는 본체 기판의 평면도이다. 소켓(10)은 전기적 절연체로 이루어지고 종방향으로 길이가 길게 연장되는 소켓 본체(12)와, 소켓 본체(12)의 종방향을 따라 두 줄로 배치된 복수의 콘택(contact)(14)과, 소켓 본체(12)를 본체 기판(20)에 부착하기 위해 소켓 본체(12)로부터 하방 연장되는 복수의 포스트(16)와, 소켓 본체(12)의 양측면에 회전 가능하게 부착되는 조작 레버(18)를 포함한다.

소켓 본체(12)는 대략 직사각형의 메모리 모듈의 엣지가 삽입될 수 있도록 종방향을 따라 홈(12A)이 형성된다. 홈(12A)에 인접하게는 콘택을 수용하기 위한 개구(12C)가 측벽(12B)을 통해 형성된다(예를 들면, 도 6a 및 도 6b 참조). 복수의 콘택(14)은 홈(12A)을 가로질러 두 줄로 배치된다. 콘택(14)의 각 접점부는 메모리 모듈을 양측에서 압박하도록 구성된다. 일측의 콘택은 외측으로 접힌 베이스부를 포함하고, 다른 콘택은 직선형의 베이스부를 포함하는데, 양자의 콘택은 종방향으로 번갈아 배치되어, 각각의 베이스부가 소켓 본체(12)의 바닥으로부터 돌출된다. 그러므로, 도 1b에 도시된 바와 같이, 본체 기판(20)에는 종방향 피치가 1/2 만큼 치우친 네 줄의 관통공(20A)이 형성된다. 콘택(4)의 베이스부는 관통공(20A) 각각으로 삽입되고 거기에 납땜된다. 포스트(16)는 소켓 본체(12)의 하부 중심에서 양측에 형성되고 이들 포스트는 본체 기판(20)의 개구(20B) 내로 삽입되고 납땜 등에 의해 거기에 결합된다.

소켓 본체(12)에는 한 쌍의 조작 레버(18)가 회전 가능하게 부착된다. 메모리 모듈이 소켓 본체(12)에 설치될 때, 조작 레버(18)는 외부 개방된 위치에 자리한다. 메모리 모듈이 홈(12A) 내로 삽입될 때, 조작 레버(18)는 그 폐쇄 방향으로 회전되는 것에 의해 메모리 모듈을 소켓 본체(12) 측으로 가압한다. 메모리 모듈의 제거시, 조작 레버(18)는 그 개방 방향으로 회전되는 것에 의해 메모리 모듈이 소켓 본체(12)로부터 분리되도록 소정 방향으로 힘을 제공한다.

도 2a 및 도 2b는 통상의 메모리 모듈 시스템의 인터페이스를 설명한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 메모리 모듈(30)을 갖는 소켓(10)은 본체 기판(20)에 실장된다. 메모리 모듈(30)은 상부에 도전 트레이스(36)가 형성된 보조 기판(32)을 포함하고, 보조 기판(32)의 일측 또는 양측 상에는 복수의 메모리 칩(34)이 실장되어 있다. 보조 기판(32)의 단부에는 복수의 단자가 형성되고 이들 단자는 콘택(14)의 접점부와 각각 전기적으로 연결된다. 또한, 도전 트레이스는 본체 기판(20)의 표면상에 형성되며, 댐핑 레지스터(24) 또는 전자 소자(26)가 도전 트레이스의 신호선(22)과 전기적으로 연결되어 있다. 소켓(10)의 바닥으로부터 돌출되는 각각의 콘택(14)은 신호선(22)을 통해 댐핑 레지스터(24) 또는 전자 소자(26)와 전기적으로 연결된다.

도 2b는 통상의 메모리 모듈 시스템의 인터페이스의 다른 예를 예시한다. 이 경우, 댐핑 레지스터(24) 외에 다른 댐핑 레지스터(24A)도 메모리 모듈(30A)의 신호선(36)과 접촉된다. 또한, 댐핑 레지스터(24A)는 기판상의 댐핑 레지스터 대신에 메모리 모듈(30)의 신호선과 연결될 수 있다.

도 3은 통상의 메모리 모듈 시스템의 전기적 인터페이스의 구성을 예시한다. 전원(Vcc)에 의해 급전되는 메모리 제어기(50)는 신호선(52) 각각을 통해 메모리 모듈(60-1, 60-2)과 전기적으로 연결된다. 각각의 레지스터(R2, R3)는 신호선(52)의 스터브(stub)의 분기선에 직렬로 연결되고, 각각의 레지스터(R1, R4)는 신호선(52)에 각각 연결된다. 레지스터(R1~R4)는 신호선(52)상의 반송 신호의 노이즈 및/또는 링잉(ringing)을 감소시키거나 억제한다. 댐핑 레지스터(R1~R4)의 저항은 반송 신호의 전압과 주파수와 같은 신호선의 특성에 의존하며, 수 오옴 내지 수십 오옴의 저항이 채용된다.

통상의 메모리 모듈 시스템에서, 댐핑 레지스터(24, 24A)는 본체 기판(20) 또는 메모리 기판(32)상에 형성되어야 하므로 댐핑 레지스터를 위한 공간이 본체 기판(20) 또는 메모리 기판(32)상에 필요하다. 결국, 메모리 모듈 시스템의 소형화 및 박형화의 실시에 문제가 있다. 또한, 본체 기판(20)에 실장되는 소켓 및/또는 메모리 모듈의 개수가 증가함에 따라, 신호선에는 더 많은 댐핑 레지스터들이 필요하게 되고, 이는 메모리 모듈 시스템의 기판 디자인을 복잡하게 한다.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고 콘택에 전기 저항 요소의 기능을 부가한 개선된 회로 기판용 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 소켓은 종방향으로 연장되는 소켓 본체와, 해당 소켓 본체의 종방향을 따라 두 줄로 배치된 복수의 콘택(contact)을 포함한다. 회로 기판이 소켓 본체의 종방향을 따라 두 줄의 콘택 사이에 설치될 때, 회로 기판의 양면 중 적어도 일면에 형성된 단자들은 콘택에 의해 전기적 탄성적으로 연결된다. 각각의 콘택은 단자와의 접촉을 위한 접점부와, 탄성력을 발생시키도록 해당 접점부로부터 연장되는 탄성부와, 해당 탄성부에 연결되는 외부 단자부를 포함하며, 상기 접점부, 탄성부 및 외부 단자부는 탄성을 갖는 전도성 금속으로 이루어진다. 신호 반송에 사용되는 콘택은 상기 전도성 금속과는 상이한 전기 저항 재료로 된 레지스터를 포함하며, 해당 레지스터는 회로 기판의 단자와 외부 단자부 사이의 전류 경로에 개재된다.

바람직하게, 상기 레지스터는 접점부에 형성된 개구에 맞물려 접점부로부터 돌출하며 , 상기 접점부는 레지스터를 통해 회로 기판의 단자와 전기적으로 연결 가능하다. 바람직하게, 레지스터는 전도체와 저항 필름을 포함하고, 상기 전도체는 상기 저항 필름을 통해 접점부와 전기적으로 연결된다. 바람직하게, 레지스터는 상기 전도성 금속 위에 적층된 전기 보호 필름과 전기 저항 필름을 포함한다. 바람직하게, 상기 전기 보호 필름과 전기 저항 필름은 접점부와 외부 단자부의 일부를 피복하며, 접점부는 전기 저항 필름을 통해 회로 기판의 단자와 전기적으로 연결되며, 외부 단자부의 전도성 금속은 기준 전위와 접촉되며, 외부 단자부의 전기 저항 필름은 신호선과 연결된다. 바람직하게, 레지스터는 접점부의 표면을 피복하는 저항 필름을 포함한다. 바람직하게, 레지스터의 일단부는 소켓 본체에 의해 외팔보 형태로서 지지되며, 레지스터는 접점부와 회로 기판의 단자 사이에 개재된다. 바람직하게, 콘택은 제1 및 제2 접점부를 포함하고, 상기 제1 접점부는 접점부와 탄성부를 가지고, 상기 제2 접점부는 외부 단자부를 가지며, 레지스터는 제1 접점부와 제2 접점부 사이에 전기적으로 연결된다. 바람직하게, 상기 제1 접점부는 탄성을 가지는 전도성 금속으로 이루어지며, 상기 제2 접점부는 제1 접점부와는 다른 전도성 재료로 이루어진다. 바람직하게, 회로 기판은 복수의 반도체 메모리 칩을 그 표면상에 실장한 메모리 모듈이다.

본 발명에 따른 회로 기판 시스템은 전술한 특징을 갖는 소켓과, 상기 소켓 내에 설치되고 복수의 콘택의 각 접점부와 접촉되는 회로 기판과, 상기 소켓을 실장하고 복수의 콘택의 각각의 외부 단자부와 접촉되는 다른 회로 기판을 포함한다. 바람직하게, 다른 회로 기판은 신호선(들) 및 이 신호선과 이격된 기준 전위선(들)이 형성된 주요면을 포함하고, 외부 단자부의 전도성 금속은 기준 전위선과 연결되고, 외부 단자부의 전기 저항 필름은 신호선과 연결된다. 바람직하게, 다른 회로 기판은 관통공을 포함하고, 외부 단자부는 해당 관통공을 통해 삽입되어 신호선과 전기적으로 연결된다.

본 발명에 따르면, 콘택에 저항 기능을 부가하는 것에 의해 회로 기판에 필요한 댐핑 레지스터의 수를 줄여줌으로써 용이하게 회로 기판 시스템의 크기를 줄이고 얇게 할 수 있다. 또한, 본 발명은 회로 기판의 설계를 용이하게 하는데 기여한다.

도 1은 통상의 메모리 모듈용 소켓의 개략적 구성을 예시한다.
도 2는 통상의 메모리 모듈 시스템의 인터페이스를 위한 설명의 예시이다.
도 3은 통상의 메모리 모듈 시스템의 전기적 인터페이스의 설명의 예시이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 메모리 모듈 시스템을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 5의 도면 (a)은 한 쌍의 콘택의 평면도이고, 도면 (b) 내지 (d)는 본 발명의 제1 실시예에 따라 저항 기능을 갖는 콘택의 예이다.
도 6a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 소켓의 콘택을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 6b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 다른 콘택을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 6c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 또 다른 콘택을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 6d는 본 발명의 제2 실시예에 따른 또 다른 콘택을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 소켓의 콘택을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 8a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 소켓의 콘택을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 8b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 다른 소켓을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 8c는 본 발명의 제4 실시예에 따른 또 다른 소켓을 보여주는 개략적 단면도이다.
도 8d는 본 발명의 제4 실시예에 따른 또 다른 소켓을 보여주는 개략적 단면도이다.

본 발명은 회로 기판상의 반송 신호의 노이즈 및/또는 링잉을 방지하는 댐핑 레지스터를 필요로 하는 회로 기판을 설치하는 소켓에 적용된다. 회로 기판은 복수의 반도체 칩 또는 메모리 칩을 실장한 모듈일 수 있고, 반도체 칩 또는 메모리 칩은 회로 기판의 표면상 또는 내부에 형성된 도전 트레이스의 신호선을 통해 전기적으로 연결된다. 이하 도면을 참조로 하여 메모리 모듈을 갖는 소켓을 실장한 본체 기판을 구비한 메모리 모듈 시스템을 바람직한 실시예로서 설명한다. 도면의 비율은 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 표현되므로 제품의 실제 비율을 표현하는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 모듈 시스템의 구성을 예시한다. 도 1 및 도 2에 기술된 것과 동일한 구성은 각각 동일한 참조 번호를 가지며 그 설명은 여기서 생략한다. 상기 실시예에 따른 소켓(100)은 종방향으로 길이가 길게 연장되는 소켓 본체(12)와, 해당 본체(12)에 고정되는 복수의 콘택(110)을 포함한다. 소켓(100)은 콘택(110)이 전기 저항의 기능을 가진다는 점을 제외하고 도 1 및 도 2의 소켓과 실질적으로 동일한 구성을 가진다.

도 5의 도면 (a)은 신호선(22)과 연결되는 한 쌍의 콘택(110A, 110B)을 예시한다. 상기 쌍의 콘택(100A, 100B)은 소켓 본체(12)의 홈(12A) 내로 삽입되는 메모리 모듈(30)의 엣지를 양쪽에서 탄성적으로 압박한다. 메모리 모듈(30)의 일측 또는 양측에는 복수의 단자가 형성되며, 이들 단자는 도전 트레이스의 신호선을 통해 메모리 칩과 전기적으로 연결된다.

각각의 콘택(110A, 110B)은 베이스부(112)와, 해당 베이스부(112)로부터 연장되는 U-형 절곡부(114)와, 해당 절곡부(114)로부터 연장되는 접점부(116)를 포함한다. 콘택(110A, 110B)은 구리 또는 베릴륨-구리 합금과 같은 탄성을 가지는 전도성 금속을 스탬핑 가공하는 것으로 제조된다. 콘택(110A)의 베이스부(112)는 직선형으로 연장되는 것으로, 외부 콘택으로서 사용될 수 있도록 도 1의 도면 (b)에 도시된 본체 기판(20)의 외부 관통공 내로 삽입되는 반면, 콘택(110B)의 베이스부(112)는 크랭크 형태로 직각으로 절곡된 것으로, 내부 콘택으로서 사용될 수 있도록 본체 기판(20)의 내부 관통공 내로 삽입된다. 이하 설명되는 바와 같이, 소켓(100)이 본체 기판(20)에 표면 실장되는 경우, 콘택(110A, 110B)의 베이스부(112)는 해당 표면 실장에 상응하도록 가공된다.

콘택(110A, 110B)의 각각의 접점부에는 전기 저항으로서 기능하는 레지스터(118)가 부가되는데, 해당 레지스터(118)는 접점부(116)와 전기적으로 연결된다. 레지스터(118)는 콘택(110A, 110B)과는 다른 재료로 제조된다. 레지스터(118)는 도 2의 도면 (a) 및 (b)에 도시된 댐핑 레지스터(24, 24A)를 대체하거나 댐핑 레지스터(24, 24A)를 보완한다. 그러므로, 레지스터(118)의 값은 메모리 모듈 시스템의 신호선의 특성에 따라 결정된다. 다시 말해, 레지스터는 반송 신호의 노이즈 및/또는 링잉을 감소시키거나 및/또는 억제하기 위해 선택된다. 소켓(100)이 신호를 반송하는 신호선(22)과 전기적으로 연결되는 콘택은 물론, 전원(Vcc) 및 접지선과도 전기적으로 연결되는 콘택을 포함하지만, 레지스터(118)는 신호선(22)을 위한 콘택에 부가된다.

홈(12A)은 소켓 본체(12)의 종방향을 따라 형성되며, 콘택(110A, 110B)의 쌍들을 가지는 복수의 콘택(110)은 홈(12A)을 걸쳐 양측에 배치된다. 메모리 모듈(30)의 엣지가 소켓 본체(12)의 홈(12A) 내로 삽입될 때, 각각의 접점부(116)는 절곡부(114)의 탄성 변형으로 인해 외측으로 변위됨으로써 각각의 콘택은 레지스터(118)를 통해 메모리 모듈(30)의 일측 또는 양측에 형성된 단자와 전기적으로 연결된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 콘택(110A)의 베이스부(112)는 소켓 본체(12)로부터 하방 돌출되고 본체 기판(20)의 외부 관통공 내로 삽입되어, 납땜에 의해 신호선(22)과 전기적으로 접촉한다. 콘택(110B)의 베이스부(112)는 도면에 도시되지 않은 신호선과 납땜에 의해 전기적으로 접촉되도록 본체 기판(20)의 내부 관통공 내로 삽입된다.

도 5의 도면 (b) 내지 (d)는 본 실시예에 따른 콘택의 예를 보여주며, 도 4의 확대부 A를 보여준다. 도 5(b)에 도시된 콘택은 접점부(116)의 개구(116A)에 전도성 세라믹 재료로 된 레지스터(120)를 포함하는데, 해당 레지스터는 그 단부를 접점부(116)의 개구(116A) 내에 압착, 크림핑, 또는 인서트 성형함으로써 그 내에 배치된다. 전도성 세라믹 재료는 예컨대 ZrO₂-NbC이다. 레지스터(120)의 표면은 접촉을 위해 경질 피막으로 코팅될 수 있다. 따라서, 접촉부(116)에는 레지스터(120)로서의 돌기가 형성되며, 레지스터(120)는 메모리 모듈(30)의 단자(38)와 접점부(116) 사이의 전류 경로 내에 개재되며, 이는 레지스터(120)가 댐핑 레지스터로서 기능할 수 있게 한다.

도 5의 도면 (c)의 예에서, 레지스터(130)는 전도체(130A)와 전기 저항 재료로 된 전기 저항 필름(130B)을 포함한다. 전도체(130A)는 예컨대 스테인리스, 알루미늄 또는 구리로 형성된다. 바람직하게, 접점부(116)에는 오목부(116B)가 형성되고, 해당 오목부(116B)의 표면상에는 미리 정해진 두께의 전기 저항 필름(130B)이 스퍼터링 등에 의해 형성된다. 전도체(130A)는 관입(intrusion), 크림핑 또는 인서트 성형에 의해 오목부(116B) 내에 고정되며, 전기 저항 필름(130B)을 통해 접점부(116)와 전기적으로 연결된다. 전기 저항 필름(130B)의 두께와 재료의 조절을 통해 댐핑 레지스터에 필요한 저항이 얻어질 수 있다.

도 5의 도면 (d)의 예에서, 저항부(140)는 전도성 수지로 형성된다. 전도성 수지는 알루미늄, 스테인리스 또는 구리의 혼합물과 같은 전도성 입자를 갖는 수지일 수 있다. 저항부(140)는 관입, 크림핑 또는 인서트 성형에 의해 접점부(116)의 개구에 고정되며, 저항부(140)의 표면상에 접촉용 경질 피막이 코팅될 수 있다. 따라서, 접점부(116)는 돌출형의 저항부(140)를 통해 단자(38)와 전기적으로 연결된다.

이어서 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 도 6a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 소켓의 콘택의 개략적 단면도이다. 제2 실시예에서, 콘택(200)은 레지스터를 적층하고 예컨대 3개 층의 구조를 갖는다. 콘택(200)은 구리 또는 스테인리스와 같은 탄성을 가지는 전도성 재료로 이루어진 콘택 본체(202)와, 해당 콘택 본체(202)상에 적층된 폴리이미드 필름 또는 Teflon(등록 상표)과 같은 유전체 재료의 전기 보호 필름(204)과, 해당 전기 보호 필름(204) 상에 적층된 니켈-크롬, 철-크롬 또는 망간 등으로 된 전기 저항 필름(206)을 포함한다.

본체 기판(20)상에는 신호를 전달하는 신호선(22)과 접지 전위를 공급하는 접지선(22A)이 도전 트레이스에 의해 형성되고, 콘택(200)이 본체 기판(20) 상에 표면 실장된다. 콘택 본체(202)는 소켓 본체(12) 아래로 만곡되고, 해당 콘택 본체로부터 수평으로 연장되는 단부 부분(202A)을 포함한다. 전기 보호 필름(204)과 전기 저항 필름(206)은 만곡부까지 콘택 본체(202)를 피복하고, 다시 말해 단부 부분(202A) 앞에서 종료된다. 전기 저항 필름(206)에 의해 피복되지 않는 콘택 본체(202)의 단부 부분(202A)은 납땜 결합 등에 의해 접지선(22A)과 연결되는 반면, 콘택 본체(202)를 피복하는 전기 저항 필름(206)은 납땜 결합 등에 의해 만곡부에서 신호선(22)과 연결된다. 한편, 콘택(200)의 접점부에서 전기 저항 필름(206)은 메모리 모듈(30)의 기판상에 형성된 단자(38)와 연결되어, 전기적 접촉을 이룬다. 접점부와 단자(38) 간의 접촉력은 절곡부의 탄성 변형에 의해 발생된다. 따라서, 콘택(200)을 접지선과 신호선 각각에 연결하는 것에 의해 스트립 라인(L)(일점 쇄선으로 도시됨)이 저절로 형성되어, 스트립 라인(L)의 범위 내의 임피던스를 제공한다.

도 6b는 제2 실시예에 따른 표면 실장 소켓의 다른 예를 설명한다. 본 실시예에서, 콘택(210)은 상기 실시예와 유사하게 구성되어, 콘택 본체(202), 전기 보호 필름(204) 및 전기 저항 필름(206)을 포함한다. 소켓 본체(12) 아래의 U-형의 절곡부(214)로부터 V-형 접점부(212)가 연장되며, 절곡부(214)로부터 연장되는 베이스부(216)는 소켓 본체(12)의 측벽을 둘러쌀 수 있도록 U-형으로 만곡된다. 전기 보호 필름(204)과 전기 저항 필름(206)은 U-형 절곡부(214)에서 종료되고, 콘택 본체(202)는 베이스부(216)를 지나 노출된다. 전기 보호 필름(206)은 납땜 등에 의해 절곡부(214) 아래에서 접지선(22A)과 접촉되며, 콘택 본체(202)는 납땜 등에 의해 베이스부(216)의 평탄 단부(202A)에서 접지선(22A)과 분리된 신호선(22)과 접촉된다.

도 6c는 관통공을 사용하여 소켓이 본체 기판에 실장되는 제2 실시예에 따른 소켓의 예를 설명한다. 신호선(22)은 본체 기판(20)의 표면상에 형성되고, 기판(20)의 후면상에 전도성 랜드(22B)가 형성되며, 신호선(22)과 전도성 랜드(22B) 사이에 관통공이 형성된다. 콘택(220)의 베이스부는 소켓 본체(12)로부터 하방 연장되고 관통공 내로 삽입된다. 전기 저항 필름(206)은 납땜 등에 의해 신호선(22)과 전도성 랜드(22B)에 각각 연결된다. 이 경우, 콘택 본체(202)는 단자(38)와 콘택 본체(202) 사이에 접촉력을 발생시키도록 탄성을 갖는 재료로 제조될 수 있으며, 반드시 전기적으로 전도성인 재료로 제조되는 것은 아니다.

도 6d는 도 6c의 관통공의 개량예이다. 콘택(230)은 콘택 본체(202), 전기 보호 필름(204) 및 전기 저항 필름(206)을 포함한다. 전기 보호 필름(204)과 전기 저항 필름(206)은 베이스부에서 콘택 본체(202)로부터 박피되거나 제거된다. 콘택 본체(202)는 본체 기판(20)의 관통공 내로 삽입되고 납땜 등에 의해 접지선(22A)과 전기적으로 연결된다. 다른 한편, 전기 보호 필름(204)과 전기 저항 필름(206)은 본체 기판(20)의 표면 상에서 연장되고 그 연장된 부분은 납땜부(232)에 의해 신호선(22)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 스트립 라인(L)(일점 쇄선으로 도시됨)이 콘택(230)에 형성되어, 스트립 라인(L)의 범위의 임피던스를 제공한다. 이 경우, 콘택 본체(230)는 탄성을 갖는 전도성 재료로 제조된다.

이어서 본 발명의 제3 실시예를 설명한다. 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 소켓의 주요부를 보여주는 단면도이다. 제3 실시예에서, 콘택(300)은 구리 또는 구리 합금과 같은 탄성을 갖는 전도성 재료로 제조된다. 콘택(300)은 직선형으로 연장되는 베이스부(302)와, 해당 베이스부(302)로부터 연장되고 U-형으로 절곡되는 절곡부(304)와, 해당 절곡부(304)로부터 연장되는 V-형 접점부(306)를 포함한다. 베이스부(302)는 소켓 본체(12)로부터 하방 연장되고, 본체 기판(20)상에 형성된 관통공 안으로 삽입되어, 납땜 등에 의해 신호선(22)과 전기적으로 연결된다. 또한, 베이스부(302)는 납땜 등에 의해 본체 기판(20)의 바닥면상에 형성된 전도성 랜드(22B)와 연결될 수 있다. 또한, 접점부(306)의 양측면은 전기 저항 재료의 전기 저항 필름(306A)으로 코팅된다. 전기 저항 필름(306A)은 절곡부(304)에 의해 발생되는 탄성력에 의해 메모리 모듈(30)의 단자(38)에 압박되어, 단자(38)와의 전기적 접촉을 형성한다. 전기 저항 필름(306A)의 재료 및/또는 두께의 선택에 의해 댐핑 레지스터의 기능이 신호선(22)으로부터 단자(38)로의 경로에 직렬로 부가될 수 있다. 전기 저항 필름(306A)은 접점부(306)의 일측면에만 형성될 수 있음에 유의하여야 한다.

이어서 본 발명의 제4 실시예를 설명한다. 도 8a는 제4 실시예에 따른 소켓의 콘택을 보여주는 단면도이다. 본 실시예의 콘택(400)은 콘택 본체(402)와, 전기 저항 재료로서 전도성 필름을 사용하는 전기 저항 부재(404)를 포함한다. 콘택 본체(402)는 전술한 실시예와 마찬가지로 베이스부, 해당 베이스부로부터 연장되는 U-형 절곡부, 및 해당 절곡부로부터 연장되는 접점부를 포함한다. 전기 저항 재료로 된 레지스터(404)의 일단부는 외팔보 형태로서 지지되도록 소켓 본체(12)의 홈(12A)에 인접한 측벽(12B)의 홈 내로 삽입된다. 레지스터(404)는 콘택 본체(402)의 접점부와 메모리 모듈(30)의 단자(38) 사이에 개재된다. 전기 저항 부재(404)의 재료 및/또는 두께의 선택에 의해 댐핑 레지스터가 신호선(22)과 단자(38) 사이에 전류 경로에 형성된다. 전기 저항 부재(404)의 형상 및/또는 크기는 사양에 따라 적절히 변화될 수 있다.

도 8b는 제4 실시예의 다른 예이다. 콘택(420)은 제1 접점부(422)와, 제2 접점부(424)와, 레지스터(426)를 포함한다. 제1 접점부(422)는 소켓 본체(12)의 개구(12C) 내로 삽입되는 제1 단부(422A)와, 소켓 본체(12)의 바닥면으로부터 크랭크 형상으로 접힌 절곡부와, 해당 절곡부로부터 직선형으로 연장되는 제2 단부(422B)를 포함한다. 제2 단부(422B)는 본체 기판(20)의 관통공 내로 삽입되어 납땜 등에 의해 신호선(22) 및/또는 전도성 랜드(22B)와 연결된다.

제2 접점부(424)는 소켓 본체(12)의 측면(12D)에 맞대어진 베이스부와, 해당 베이스부로부터 연장되는 U-형 절곡부와, 해당 절곡부로부터 연장되는 접점부를 포함한다. 제1 접점부(422)의 제1 단부(422A)에는 탄성을 제공하도록 돌출부가 형성되며, 마찬가지로 제2 접점부(424)의 베이스부에는 탄성을 제공하도록 돌출부가 형성된다. 레지스터(426)는 제1 및 제2 접점부(422, 424)와의 전기적 접촉을 위해 양자의 돌출부 내로 압입되거나 양자의 돌출부 사이로 끼워진다. 따라서, 제1 접점부(422), 레지스터(426), 제2 접점부(424) 및 단자(38)를 통해 신호선(22)으로부터 메모리 모듈(30)의 메모리 칩으로의 전류 경로가 형성된다. 레지스터(426)는 도 8a에 도시된 전도성 필름과 같은 재료나 전도성 세라믹으로 제조되고 제1 및 제2 접점부의 양단부와 함께 납땜 결합될 수 있음에 유의하여야 한다. 본 실시예에 따르면, 레지스터(426)는 각각의 콘택 핀에 따라 쉽게 변경될 수 있다.

도 8c는 제4 실시예의 다른 구성을 예시한다. 콘택(440)은 제1 접점부(442), 제2 접점부(444) 및 레지스터(446)를 포함한다. 소켓 본체(12)의 개구(12C)에 대면하는 측면(2D)에 전도성 필름과 같은 전기 저항 재료가 도금, 코팅 또는 스크린 인쇄됨으로써 레지스터(446)를 형성한다.

제1 접점부(442)는 탄성의 발생을 위해 제1 단부(442A)를 포함하고, 해당 제1 단부(422A)는 레지스터(446)와 접촉된다. 또한, 제1 접점부(442)는 소켓 본체(12)의 개구(12C)로부터 하방 연장되는 연장부와, 본체 기판(20)의 관통공 내로 삽입되어 신호선(22) 및/또는 전도성 랜드(22B)와 접촉되는 제2 단부(422B)를 포함한다. 제2 접점부(444)는 개구(12C)에 위치된 베이스부(444A)와, 베이스부(444A)로부터 대각선 방향으로 연장되는 연장부(444B)와, 연장부(444B)로부터 절곡된 U-형 절곡부(444C)와, 절곡부(444C)로부터 연장 및 절곡된 V-형 접점부(444D)를 포함한다. 절곡부(444C)는 제공하여, 레지스터(446)와 단자(38) 사이에 제2 접점부(444)가 끼이게 하며, 이에 따라 연장부(444B)는 레지스터(446)와 전기적으로 연결되고 접점부(444D)는 메모리 모듈(30)의 단자(38)와 전기적으로 연결된다.

도 8d는 제4 실시예에 따른 다른 구성을 예시한다. 콘택(460)은 제1 접점부(462), 제2 접점부(464) 및 레지스터(466)를 포함한다. 제1 접점부(462)의 제1 단부(462A)는 소켓 본체(12)의 개구 내로 삽입되어 그 안에 고정되고, 제2 단부(462B)는 본체 기판(20)의 관통공 내로 삽입되어 신호선(22) 및/또는 전도선(22B)과 전기적으로 연결된다.

제2 접점부(464)는 베이스부(464A), 베이스부(464A)로부터 직선형으로 연장되는 연장부(464B), 연장부(464B)로부터 연장되는 U-형 절곡부(464C) 및 절곡부(464C)와 연결되는 V-형 접점부(464D)를 포함한다. 절곡부(464C)는 탄성을 제공하여, 측면(12D)과 단자(38) 사이에 제2 접점부(464)가 끼이게 한다. 다시 말하면, 접점부(464D)는 단자(38)와 탄성적으로 접촉되고, 연장부(464B)는 측면(12D)에 의해 탄성적으로 지지된다.

제1 접점부(462)의 제1 단부(462A)에는 접촉력이 발생되도록 돌출부가 형성되며, 제2 접점부(464)의 베이스부(464A)에는 접촉력이 발생되도록 돌출부가 형성된다. 양자의 돌출부는 대향되어, 전도성 세라믹과 같은 전기 저항 재료의 레지스터(466)가 양자의 돌출부 사이에 개재되어 탄성적으로 지지된다. 바람직하게, 레지스터(466)의 단부는 소켓 본체(12)로부터 돌출됨으로써 삽입과 분리가 가능하게 된다. 바람직하게, 레지스터(466)는 일정한 접촉력에 의해 베이스부(464A)와 제1 단부(462A) 사이에 전기적으로 연결된다. 본 실시예에 따르면, 레지스터(464)는 콘택(460)의 실장 후에 또는 소켓을 본체 기판에 실장 후에 교체되는 것에 의해 쉽게 바꿀 수 있다.

제4 실시예에 따르면, 콘택이 레지스터를 사이에 삽입하도록 메모리 모듈과 접촉되는 일 부분과 본체 기판과 접촉되는 다른 부분으로 분리되므로, 제1 접점부는 접촉력의 발생을 위해 탄성 재료로 제조될 수 있고 제2 접점부는 전도체로서의 재료만이 요구되므로 제1 접점부와 다른 재료로 제조될 수 있다. 따라서, 콘택에 미리 정해진 전기 저항을 제공하는 것에 의해 본체 기판 또는 보조 기판상의 전기 저항 요소(댐핑 레지스터)가 감소되므로, 부품수의 저감과 함께 본체 기판과 메모리 모듈의 크기를 줄일 수 있다.

본 발명에 따른 바람직한 실시예들이 설명되었지만, 당업자들에게 생길 수 있는 변경 및 변형은 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주되어야 한다.

10 : 소켓
12 : 소켓 본체
12A : 홈
12B : 측벽
12C : 개구
12D : 측면
14 : 콘택
20: 본체 기판(회로 기판
22 : 신호선
22A : 접지선
22B : 전도성 랜드
24, 24A : 댐핑 레지스터
30 : 메모리 모듈
38 : 단자
100 : 소켓
110, 110A, 110B : 콘택
112, 444A, 464A : 베이스부
114, 444C, 464C : 절곡부
116, 444D, 464D : 접점부
118, 404, 426, 446, 466 : 레지스터
202 : 콘택 본체
204 : 전기 보호 필름
206 : 전기 저항 필름
300, 400, 420, 440, 460 : 콘택

Claims

소켓으로서:
종방향으로 연장되는 소켓 본체와;
상기 소켓 본체의 종방향을 따라 두 줄로 배치된 복수의 콘택
을 포함하고;
상기 소켓 본체의 종방향을 따라 상기 두 줄의 콘택 사이에 회로 기판이 설치될 때, 상기 회로 기판의 양면 중 적어도 일면에 형성된 단자들은 상기 콘택에 의해 전기적 탄성적으로 연결되며,
각각의 콘택은 상기 단자와의 접촉을 위한 접점부와, 탄성력을 발생시키도록 상기 접점부로부터 연장되는 탄성부와, 상기 탄성부에 연결되는 외부 단자부를 포함하며, 상기 접점부, 탄성부 및 외부 단자부는 탄성을 갖는 전도성 금속으로 형성되며,
신호 반송에 사용되는 상기 콘택은 상기 전도성 금속과는 상이한 전기 저항 재료로 된 레지스터를 포함하며, 상기 레지스터는 상기 회로 기판의 단자와 상기 외부 단자부 사이의 전류 경로에 개재되는 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 레지스터는 상기 접점부에 형성된 개구와 맞물려 상기 접점부로부터 돌출하도록 되며, 상기 접점부는 상기 레지스터를 통해 상기 회로 기판의 단자와 전기적으로 연결 가능한 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 레지스터는 전도체와 저항 필름을 포함하고, 상기 전도체는 상기 저항 필름을 통해 상기 접점부와 전기적으로 연결되는 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 레지스터는 상기 전도성 금속 위에 적층된 전기 보호 필름과 전기 저항 필름을 포함하는 것인 소켓.
제4항에 있어서, 상기 전기 보호 필름과 상기 전기 저항 필름은 상기 접점부와 상기 외부 단자부의 일부를 피복하며, 상기 접점부는 상기 전기 저항 필름을 통해 상기 회로 기판의 단자와 전기적으로 연결되며, 상기 외부 단자부의 상기 전도성 금속은 기준 전위와 접촉되며, 상기 외부 단자부의 상기 전기 저항 필름은 신호선과 연결되는 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 레지스터는 상기 접점부의 표면을 피복하는 저항 필름을 포함하는 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 레지스터의 일단부는 상기 소켓 본체에 의해 외팔보 형태로서 지지되며, 상기 레지스터는 상기 회로 기판의 단자와 상기 접점부 사이에 개재되는 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 콘택은 제1 및 제2 접점부를 포함하고, 상기 제1 접점부는 상기 접점부와 상기 탄성부를 포함하고, 상기 제2 접점부는 상기 외부 단자부를 포함하며, 상기 레지스터는 상기 제1 접점부와 제2 접점부 사이에 전기적으로 연결되는 것인 소켓.
제8항에 있어서, 상기 제1 접점부는 탄성을 가지는 전도성 금속으로 이루어지며, 상기 제2 접점부는 상기 제1 접점부와는 다른 전도성 재료로 이루어진 것인 소켓.
제1항에 있어서, 상기 회로 기판은 복수의 반도체 메모리 칩을 그 표면상에 실장한 메모리 모듈인 것인 소켓.
회로 기판 시스템으로서:
소켓과;
상기 소켓 내에 설치되고 복수의 콘택의 각 접점부와 접촉되는 회로 기판과;
상기 소켓을 실장하고 복수의 콘택의 각각의 외부 단자부와 접촉되는 다른 회로 기판
을 포함하고, 상기 소켓은:
종방향으로 연장되는 소켓 본체와;
상기 소켓 본체의 종방향을 따라 두 줄로 배치된 복수의 콘택
을 포함하고;
상기 소켓 본체의 종방향을 따라 상기 두 줄의 콘택 사이에 회로 기판이 설치될 때, 상기 회로 기판의 양면 중 적어도 일면에 형성된 단자들은 상기 콘택에 의해 전기적 탄성적으로 연결되며,
각각의 콘택은 상기 단자와의 접촉을 위한 접점부와, 탄성력을 발생시키도록 상기 접점부로부터 연장되는 탄성부와, 상기 탄성부에 연결되는 외부 단자부를 포함하며, 상기 접점부, 탄성부 및 외부 단자부는 탄성을 갖는 전도성 금속으로 형성되며,
신호 반송에 사용되는 상기 콘택은 상기 전도성 금속과는 상이한 전기 저항 재료로 된 레지스터를 포함하며, 상기 레지스터는 상기 회로 기판의 단자와 상기 외부 단자부 사이의 전류 경로에 개재되는 것인 회로 기판 시스템.
제11항에 있어서, 상기 다른 회로 기판은 신호선(들) 및 이 신호선과 이격된 기준 전위선(들)이 형성된 주요면을 포함하고, 상기 외부 단자부의 전도성 금속은 상기 기준 전위선과 연결되고, 상기 외부 단자부의 전기 저항 필름은 상기 신호선과 연결되는 것인 회로 기판 시스템.
제11항에 있어서, 상기 다른 회로 기판은 관통공을 포함하고, 상기 외부 단자부는 상기 관통공을 통해 삽입되어 상기 신호선과 전기적으로 연결되는 것인 회로 기판 시스템.