KR20120083082A - 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents

백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120083082A
KR20120083082A KR1020110004530A KR20110004530A KR20120083082A KR 20120083082 A KR20120083082 A KR 20120083082A KR 1020110004530 A KR1020110004530 A KR 1020110004530A KR 20110004530 A KR20110004530 A KR 20110004530A KR 20120083082 A KR20120083082 A KR 20120083082A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
wafer
carrier film
emitting devices
vacuum table
Prior art date
Application number
KR1020110004530A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101748334B1 (ko
Inventor
유철준
홍성재
쯔요시 쯔쯔이
김신군
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020110004530A priority Critical patent/KR101748334B1/ko
Priority to US13/338,678 priority patent/US8796050B2/en
Publication of KR20120083082A publication Critical patent/KR20120083082A/ko
Priority to US14/451,217 priority patent/US9272300B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101748334B1 publication Critical patent/KR101748334B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C1/00Apparatus in which liquid or other fluent material is applied to the surface of the work by contact with a member carrying the liquid or other fluent material, e.g. a porous member loaded with a liquid to be applied as a coating
    • B05C1/02Apparatus in which liquid or other fluent material is applied to the surface of the work by contact with a member carrying the liquid or other fluent material, e.g. a porous member loaded with a liquid to be applied as a coating for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • B05C1/027Apparatus in which liquid or other fluent material is applied to the surface of the work by contact with a member carrying the liquid or other fluent material, e.g. a porous member loaded with a liquid to be applied as a coating for applying liquid or other fluent material to separate articles only at particular parts of the articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

웨이퍼 레벨에서 반도체 발광 소자의 발광면의 상부에 형광층을 형성함으로써 백색 발광을 하는 반도체 발광 소자를 제조하는 방법 및 장치를 제공를 개시한다. 개시도니 반도체 발광 소자의 제조 방법은, 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계; 발광 소자들이 완성된 웨이퍼를 박막화하는 단계; 박막화된 웨이퍼를 캐리어 테이프 위에 배치하는 단계; 및 웨이퍼 위의 다수의 발광 소자들을 덮도록 형광층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.

Description

백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치{Apparatus and method of fabricating white light emitting device}
개시된 발명은 백색 발광 소자를 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 레벨(wafer-level)에서 반도체 발광 소자의 발광면의 상부에 형광층을 형성함으로써 백색 발광을 하는 반도체 발광 소자를 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 예를 들어 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적인 신호를 빛으로 변화시키는 반도체 발광 소자이다. 발광 다이오드와 같은 반도체 발광 소자는 기존의 다른 발광체에 비해 수명이 길며, 낮은 전압을 사용하는 동시에 소비전력이 작다는 특성이 있다. 또한, 응답속도 및 내충격성이 우수할 뿐만 아니라 소형 경량화가 가능하다는 장점도 가지고 있다. 이러한 반도체 발광 소자는 사용하는 반도체의 종류와 조성에 따라 각기 다른 파장의 빛을 발생할 수 있어서 필요에 따라 여러 가지 다른 파장의 빛을 만들어 사용할 수 있다.
최근에는 고휘도의 백색 발광 소자를 이용한 조명 램프가 기존의 형광등이나 백열등을 대체하는 추세이다. 백색 발광 소자는 예를 들어 청색 또는 자외선 계열의 빛을 발생시키는 발광 소자의 발광면에 적색, 녹색 또는 황색 등의 형광층을 형성하여 제조될 수 있다. 발광 소자에 형광층을 형성하는 과정은, 통상적으로는 발광 소자를 웨이퍼로부터 분리하여 패키징하는 공정 중에 이루어진다. 예를 들어, 리드 프레임이나 PCB와 같은 배선 기판 위에 발광 소자를 부착한 후, 발광 소자 위로 형광체 페이스트를 도포하고 경화시킴으로써 형광층이 형성될 수 있다. 그런데, 이렇게 패키징 과정에서 형광층을 형성하는 경우, 각각의 패키징 공정마다 형광층 형성시에 발생하는 산포에 의해, 완성된 발광 소자 패키지마다 광 특성이 달라질 수 있다. 따라서 발광 소자 패키지의 균일한 품질을 확보하기 어려울 수 있다.
웨이퍼 레벨에서 반도체 발광 소자의 발광면의 상부에 형광층을 형성함으로써 백색 발광을 하는 반도체 발광 소자를 제조하는 방법 및 장치를 제공한다.
본 발명의 일 유형에 따르면, 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계; 상기 다수의 발광 소자들이 상면에 형성된 웨이퍼를 박막화하는 단계; 상기 박막화된 웨이퍼를 캐리어 필름 위에 배치하는 단계; 및 상기 웨이퍼 위의 다수의 발광 소자들의 발광면에 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법이 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 형광층을 형성하는 단계는, 상기 웨이퍼가 배치된 캐리어 필름을 진공 테이블 위에 배치시키는 단계; 상기 캐리어 필름을 상기 진공 테이블 위에 진공 흡입력으로 밀착 고정시키는 단계; 상기 웨이퍼 위로 형광체 페이스트를 도포하는 단계; 및 상기 형광체 페이스트를 경화시켜 형광층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 진공 테이블은 중앙부가 상부로 돌출되어 주변부보다 높게 형성된 단차 구조를 가질 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 상기 캐리어 필름의 둘레를 따라 캐리어 프레임이 설치되어 있으며, 상기 진공 테이블의 돌출된 중앙부의 직경은 상기 캐리어 프레임의 내경보다 작을 수 있다.
따라서, 상기 캐리어 필름의 둘레에 형성된 상기 캐리어 프레임은 상기 진공 테이블의 주변부에 밀착 고정될 수 있으며, 상기 캐리어 필름 위에 위치한 상기 웨이퍼는 상기 진공 테이블의 중앙부 위에 밀착 고정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 진공 테이블의 중앙부의 높이는 상기 캐리어 프레임의 높이보다 높게 형성될 수 있다.
또한, 상기 형광체 페이스트를 도포하는 단계는, 상기 웨이퍼 위로 프린팅 마스크를 배치시키는 단계; 상기 프린팅 마스크 위로 형광체 페이스트를 제공하는 단계; 및 스퀴즈를 이용하여 형광체 페이스트를 가압하면서 상기 웨이퍼 위로 형광체 페이스트를 균일하게 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 프린팅 마스크는, 상기 프린팅 마스크를 지지하도록 상기 프린팅 마스크의 둘레에 형성된 마스크 프레임, 상기 웨이퍼 이외의 영역을 가리도록 형성된 제 1 마스킹 부재, 및 상기 웨이퍼 대응하는 프린팅 영역을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함할 수 있다.
다른 예에서, 상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 및 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재를 포함할 수 있으며, 상기 제 2 마스킹 부재는 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하는 영역까지 연장될 수 있다.
또 다른 예에서, 상기 프린팅 영역은, 상기 프린팅 영역 내에 전체적으로 형성된 하나의 개구부, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함할 수 있다.
또한, 상기 발광 소자의 제조 방법은, 상기 형광층이 형성된 후, 상기 웨이퍼를 상기 캐리어 필름으로부터 떼어내는 단계; 및 상기 웨이퍼 위에 형성된 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 캐리어 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름 위에 형성된 점착층을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 점착층은 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제이며, 상기 베이스 필름은 UV에 대해 투과성을 가질 수 있다.
또한, 상기 웨이퍼를 상기 캐리어 필름으로부터 떼어내는 단계는, 상기 캐리어 필름의 하부로부터 UV를 조사하여 상기 점착층을 경화시키는 단계, 및 상기 경화된 점착층으로부터 상기 웨이퍼를 떼어내는 단계를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 유형에 따르면, 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계; 상기 다수의 발광 소자들이 상면에 형성된 웨이퍼를 박막화하는 단계; 다이싱을 통해 상기 웨이퍼 위에 형성된 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리하는 단계; 상기 분리된 다수의 발광 소자들을 캐리어 필름 위에 배열하는 단계; 및 상기 캐리어 필름 위에 배열된 다수의 발광 소자들의 발광면에 형광층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조 방법이 제공될 수 있다.
예를 들어, 상기 형광층을 형성하는 단계는, 상기 발광 소자들이 배열되어 있는 캐리어 필름을 진공 테이블 위에 배치시키는 단계; 상기 캐리어 필름을 상기 진공 테이블 위에 진공 흡입력으로 밀착 고정시키는 단계; 상기 발광 소자 위로 형광체 페이스트를 도포하는 단계; 및 상기 형광체 페이스트를 경화시켜 형광층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 유형에 따르면, 상부로 돌출된 중앙부와 상기 중앙부보다 낮도록 단차진 주변부를 포함하는 진공 테이블; 다수의 발광 소자들이 형성되어 있는 웨이퍼를 상면에 부착하기 위한 것으로, 상기 진공 테이블 위로 배치되는 캐리어 필름; 및 상기 웨이퍼 위에 형광체 페이스트를 균일하게 도포하기 위한 프린팅 마스크;를 포함하는 발광 소자 제조 장치가 제공될 수 있다.
개시된 백색 발광 소자의 제조 방법에 따르면, 웨이퍼 레벨에서 반도체 발광 소자의 발광면의 상부에 형광층을 형성한 후, 웨이퍼 상의 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리한다. 그런 후, 형광층을 갖는 백색 발광 소자들 중에서 동일한 광 특성을 갖는 발광 소자들만을 선택하여 패키징을 하면, 균일한 품질의 발광 소자 패키지들을 제공하는 것이 가능하다.
또한, 개시된 백색 발광 소자의 제조 방법에 따르면, 일반적인 웨이퍼의 박막화(wafer thinning)를 수행한 후, 박막화된 웨이퍼를 캐리어 위에 배치한 상태에서 형광층을 형성하기 때문에, 웨이퍼의 파손 및 공정 오차를 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 레벨에서 형광층을 형성하므로 형광층의 형성 공정에 있어서 생산성이 향상될 수 있다.
도 1은 웨이퍼 상에 반도체 발광 소자를 제조하는 과정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 웨이퍼 상에 형성된 다수의 반도체 발광 소자들의 패턴을 예시적으로 도시한다.
도 3은 웨이퍼 레벨에서 발광 소자의 발광면에 형광층을 형성하는 과정을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 캐리어 필름 및 캐리어 필름 상에 배치된 웨이퍼를 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도를 도시한다.
도 5는 도 3에 도시된 프린팅 마스크의 구조를 개략적으로 보이는 평면도이다.
도 6 내지 도 8은 프린팅 마스크의 다양한 예시적인 형태를 개략적으로 도시한다.
도 9는 발광 소자의 전극 패드 위에 형성된 형광체를 레이저 조사에 의해 제거하는 과정을 개략적으로 도시한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소자의 제조 방법에 따르면, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 먼저 웨이퍼(101) 상에 다수의 반도체 발광 소자(110)들을 형성한다. 웨이퍼(101)는 예를 들어 사파이어, GaN, 실리콘 등과 같은 재료로 이루어질 수 있다. 웨이퍼(101) 상에 반도체 발광 소자(110)들을 형성하는 과정은 일반적으로 알려진 기존의 반도체 발광 소자들의 제조 방법을 그대로 이용할 수 있다. 도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 예를 들어, 웨이퍼(101) 상에 버퍼층, n형 질화물 반도체층, 다중양자우물인 활성층, p형 질화물 반도체층을 등을 형성한 후에, p형 질화물 반도체층의 일부분을 메사 에칭(Mesa etching)하여 p형 전극과 n형 전극을 만들어 공정을 완료할 수 있다. 웨이퍼(101) 상에 발광 소자(110)들을 형성하는 다양한 공정들이 이미 개시되어 있으며, 본 발명은 그들 중 어느 특정한 공정에 한정되지 않는다.
도 2는 웨이퍼(101) 상에 형성된 다수의 반도체 발광 소자(110)들의 패턴을 예시적으로 도시하고 있다. 도 2의 좌측에는 웨이퍼(101) 상에 형성된 다수의 작은 반도체 발광 소자(110)들의 패턴이 도시되어 있다. 도 2의 우측에 있는 확대도를 보면, 통상적으로 다수의 발광 소자(110)들은 사각형의 격자 형태로 웨이퍼(101) 상에서 형성되어 배열될 수 있다. 발광 소자(110)의 상면에는 광을 방출하는 발광면(111) 및 전기적 접속을 위한 적어도 하나의 전극 패드(112, 113)가 형성될 수 있다. 도 2는 예시적으로 두 개의 전극 패드(112, 113), 즉 N형 전극용 패드(112)와 P형 전극용 패드(113)가 발광 소자(110)의 상면에 형성된 경우를 도시하고 있다. 예를 들어, 두 개의 전극 패드(112, 113)는, 발광 소자(110)의 상면에서 서로 대향하는 대각선 방향의 모서리에 각각 배치될 수 있다. 각각의 발광 소자(110)는 스크라이브 라인(scribe line)(114)을 통해 인접한 다른 발광 소자(110)들과 분리되어 있다. 개개의 발광 소자(110)를 분리하는 이후의 다이싱(dicing) 공정에서, 웨이퍼(101)는 상기 스크라이브 라인(114)을 따라 절단될 수 있다.
웨이퍼(101) 상에 다수의 반도체 발광 소자(110)를 형성하는 단계가 완료되면, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(101)를 박막화(wafer thinning)한다. 예를 들어 웨이퍼(101)는 약 10~200㎛의 두께로 연마(grinding)될 수 있다. 반도체 발광 소자(110) 위에 형광층을 먼저 형성한 후에 웨이퍼(101)를 박막화하는 경우, 웨이퍼(101)의 저면이 위를 향하도록 뒤집어서 형광층을 연마용 기판 위에 부착하여야 한다. 그러나 이 경우에는, 박막화 공정 중에 발광 소자(110) 위의 형광층이 손상될 수 있으며, 또한 형광층을 연마용 기판 위에 접착시키기도 어렵다.
웨이퍼(101)의 박막화 후에는, 예를 들어 스크린 프린팅 방식으로 웨이퍼 레벨에서 발광 소자(110)의 발광면 위에 형광층을 형성한다. 도 3은 웨이퍼 레벨에서 발광 소자(110)의 발광면에 형광층을 형성하는 과정을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3에서는 웨이퍼(101) 위에 형성된 발광 소자(110)를 편의상 도시하지 않았다. 먼저, 도 3의 (a)를 참조하면, 캐리어 필름(120) 위에 웨이퍼(101)를 부착한 후에, 캐리어 필름(120)을 진공 테이블(130) 위에 배치시킨다. 그리고, 상기 웨이퍼(101) 위로 프린팅 마스크(140)를 배치시킨다.
일반적으로, 박막화에 의해 웨이퍼(101)의 두께가 얇아지면, 형광층을 형성하는 과정에서 웨이퍼(101)에 뒤틀림(warpage)이 발생할 수도 있다. 뒤틀림을 방지하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 웨이퍼(101)를 캐리어 필름(120) 위에 부착한 상태에서 형광층을 형성한다. 그러면, 캐리어 필름(120)이 웨이퍼(101)를 붙잡고 있기 때문에 웨이퍼(101)의 뒤틀림이 거의 발생하지 않는다. 도 4는 이러한 캐리어 필름(120) 및 상기 캐리어 필름(120) 상에 배치된 웨이퍼(101)를 개략적으로 도시하고 있다. 도 4의 (a)에 도시된 평면도를 참조하면, 캐리어 필름(120)의 중앙에 웨이퍼(101)가 부착되어 있으며, 캐리어 필름(120)의 둘레를 따라 캐리어 프레임(121)이 설치되어 있다. 후술하겠지만, 캐리어 프레임(121)은 형광체 형성 과정에서 캐리어 필름(120)을 진공 테이블(130) 위에 단단히 고정시켜 캐리어 필름(120)이 움직이거나 변형되지 않도록 한다. 도 4의 (a)에는 링 형태의 캐리어 프레임(121)이 도시되어 있으나, 캐리어 프레임(121)의 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 캐리어 프레임(121)은 일직선 막대의 형태 또는 아크의 형태로 캐리어 필름(120)의 양측 가장자리에 각각 배치될 수도 있다.
또한, 도 4의 (b)에 도시된 단면도를 참조하면, 캐리어 필름(120)은 베이스 필름(120a)과 상기 베이스 필름(120a) 위에 형성된 점착층(120b)을 포함할 수 있다. 베이스 필름(120a)은, 형광체 페이스트를 가열하여 경화시킴으로써 형광층을 형성하는 공정을 견딜 수 있을 정도의 내열성을 갖는 것이 유리하다. 또한, 베이스 필름(120a)은 신축성 및 UV 투과성을 갖는 것이 유리할 수 있다. 점착층(120b)은 캐리어 필름(120) 위에 배열된 웨이퍼(101)의 위치 안정성을 확보하기 위한 것이다. 예컨대, 점착층(120b)은 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제(photosensitive adhesive; PSA)로 이루어질 수 있다. 점착층(120b)이 감광성 접착제로 이루어지는 경우, 형광층의 형성이 완료된 후에 베이스 필름(120a)을 통해 UV 광을 투과시켜 점착층(120b)을 경화시키면, 점착층(120b)으로부터 웨이퍼(101)를 쉽게 떼어낼 수 있다.
도 5는 도 3에 도시된 프린팅 마스크(140)의 구조를 개략적으로 보이는 평면도이다. 예를 들어 프린팅 마스크(140)는 스테인리스강(steel use stainless; SUS)으로 이루어진 메시(mesh) 구조 위에 상기 메시 구조를 부분적으로 가리도록 형성된 마스킹 부재를 포함하는 스텐실 마스크일 수 있다. 도 5의 (a)를 참조하면, 프린팅 마스크(140)는 상기 프린팅 마스크(140)를 지지하도록 프린팅 마스크(140)의 둘레에 형성된 마스크 프레임(141), 웨이퍼(101) 이외의 영역을 가리도록 형성된 제 1 마스킹 부재(143) 및 상기 제 1 마스킹 부재(143)가 형성되지 않은 프린팅 영역(142)을 포함할 수 있다. 프린팅 영역(142)은 웨이퍼(101)의 형태와 대응하도록 형성될 수 있다. 즉, 프린팅 영역(142)은 크기와 모양이 웨이퍼(101)와 동일할 수 있다. 도 5의 (a)에서 프린팅 영역(142) 내에는 메시 구조의 스테인리스강이 보인다. 또한, 도 5의 (b)에는 프린팅 영역(142)의 확대도가 도시되어 있다. 도 5의 (b)를 참조하면, 프린팅 영역(142)에는 다수의 발광 소자(110)들의 패턴과 동일한 패턴으로 다수의 개구부(144)들이 형성되어 있다. 그리고, 발광 소자(110)들 사이의 스크라이브 라인(114)과 대응하도록 제 2 마스킹 부재(145)가 형성되어 있으며, 발광 소자(110)의 전극 패드(112, 113)와 대응하도록 제 3 마스킹 부재(146)가 형성되어 있다. 이러한 마스킹 부재(143, 145, 146)는 예를 들어 폴리머 또는 금속 박막으로 이루어질 수 있다.
도 3의 (b)를 참조하면, 진공 테이블(130)에 진공을 인가하여 진공 흡입력에 의해 캐리어 필름(120)이 진공 테이블(130) 위에서 밀착 고정되도록 한다. 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 진공 테이블(130)은 중앙부가 상부로 돌출되어 주변부보다 높게 형성된 단차 구조를 가질 수 있다. 그러면, 캐리어 필름(120)의 둘레에 형성된 캐리어 프레임(121)은 진공 테이블(130)의 주변부에 밀착 고정되며, 진공 테이블(130)의 중앙부에는 캐리어 필름(120) 위에 위치한 웨이퍼(101)가 밀착 고정될 수 있다. 이를 위해, 상기 진공 테이블(130)의 돌출된 중앙부의 직경은 캐리어 프레임(121)의 내경보다 작을 수 있다. 이러한 진공 테이블(130)의 단차 구조로 인하여, 웨이퍼(101)의 상부 표면은 캐리어 프레임(121)의 상부 표면보다 높게 위치할 수 있다. 이를 위해, 진공 테이블(130)의 중앙부의 높이는 캐리어 프레임(121)의 높이보다 높게 형성될 수 있다. 그러면, 프린팅 마스크(140)는 캐리어 프레임(121)의 방해 없이 웨이퍼(101)와 접촉할 수 있다. 다시 도 3의 (b)를 참조하면, 캐리어 필름(120)이 밀착 고정되어 있는 진공 테이블(130)을 상승시켜 웨이퍼(101) 위에 프린팅 마스크(140)가 접촉되도록 한다. 이때, 프린팅 마스크(140) 내의 프린팅 영역(142)이 웨이퍼(101)와 일치하도록 정렬된다.
웨이퍼(101) 위로 프린팅 마스크(140)가 배치되면, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 프린팅 마스크(140) 위에 형광체 페이스트(160)를 제공한다. 그런 후, 스퀴즈(squeeze)(135)를 이용하여 형광체 페이스트(160)를 밀어서 가압한다. 그러면 프린팅 마스크(140)의 프린팅 영역(142)을 통해 형광체 페이스트(160)가 빠져나가면서, 웨이퍼(101) 위에 형광체 페이스트(160)가 균일하게 도포된다. 스퀴즈(135)는 마스킹 부재(143, 145, 146)와의 마찰에 의한 금속 입자의 생성을 방지하기 위하여 플라스틱 재질일 수 있다. 예를 들어, 스퀴즈(135)는 우레탄, 아크릴, 폴리카보네이트 이외에 나일론이나 기타 내 마모성 및 기계적 물성이 우수한 엔지니어링 플라스틱으로 형성될 수 있다.
형광체 페이스트(160)는 단수 또는 복수 종의 형광체가 소정의 배합비에 따라 바인더 수지에 혼합된 형태일 수 있다. 사용되는 형광체의 종류 및 배합비는 원하는 발광 특성에 따라 선택될 수 있다. 바인더 수지는 내열성 및 광투과성이 우수하고, 광굴절률이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 에폭시 기반 또는 실리콘 기반의 경화성 수지가 사용될 수 있다. 이러한 경화성 수지는 예를 들어 경화 후의 쇼어 A(shore A) 경도(hardness)가 50 이상인 것이 유리하다. 또한, 경화성 수지는 주로 열경화성 재료로 이루어질 수 있으며, 열경화성 재료에 UV 경화성 재료가 일부 포함될 수도 있다.
웨이퍼(101) 위에 형광체 페이스트(160)가 균일하게 도포되면, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 진공 테이블(130)을 아래로 하강시켜 프린팅 마스크(140)로부터 웨이퍼(101)를 떼어낸다. 그런 후에는, 열을 가하여 형광체 페이스트(160)를 경화시킴으로써, 웨이퍼(101) 위에 형광층(150)을 형성할 수 있다. 또는, 형광체 페이스트(160)를 먼저 경화시켜 형광층(150)을 형성한 후에, 진공 테이블(130)을 아래로 하강시켜 프린팅 마스크(140)로부터 웨이퍼(101)를 떼어낼 수도 있다.
이렇게 형광층(150)의 형성이 완료되면 캐리어 필름(120) 상의 웨이퍼(101)를 캐리어 필름(120)으로부터 분리할 수 있다. 만약 점착층(120b)이 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제로 이루어지는 경우, 웨이퍼(101)를 떼어내기 전에 캐리어 필름(120)의 하부로부터 UV를 조사하여 상기 점착층(120b)을 경화시킬 수 있다. 그러면, 점착층(120b)이 경화되면서 웨이퍼(101)를 보다 용이하게 떼어낼 수 있다. 이후의 공정에서는, 웨이퍼(101) 위에 형성된 다수의 발광 소자(110)들을 다이싱을 통해 개별적으로 분리하고, 분리된 개별적인 발광 소자(110)를 패키징하여 백색 발광 소자 패키지를 제조할 수 있다. 이때, 형광층(150)을 통해 방출되는 백색광의 특성을 검사한 후, 원하는 발광 특성을 갖는 발광 소자(110)만을 패키징할 수 있다. 그러면, 균일한 발광 특성을 갖는 백색 발광 소자 패키지들을 제공할 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 프린팅 영역(142)의 형태는 다양하게 변형이 가능하다. 예를 들어, 도 6에는 제 2 마스킹 부재(145)와 제 3 마스킹 부재(146)가 서로 분리되어 있지 않고 하나의 제 2 마스킹 부재(145)만이 프린팅 영역(142) 내에 형성된 실시예가 도시되어 있다. 도 5의 실시예에서는, 발광 소자(110)들 사이의 스크라이브 라인(114)에 대응하는 제 2 마스킹 부재(145)와 발광 소자(110)의 상면에 형성된 전극 패드(112, 113)에 대응하는 제 3 마스킹 부재(146)가 서로 분리되어 있다. 반면, 도 6에 도시된 실시예의 경우, 제 2 마스킹 부재(145)가 개구부(144)의 모서리 부분을 통해 발광 소자(110)의 전극 패드(112, 113)에 대응하는 영역까지 연장되어 있다. 이 경우, 발광 소자(110)의 전극 패드(112, 113)를 더욱 용이하게 가려서, 전극 패드(112, 113)에 부분적으로 형광체 페이스트(160)가 도포되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 7에는 스크라이브 라인(114)에 대응하는 제 2 마스킹 부재(145) 없이 전극 패드(112, 113)에 대응하는 제 3 마스킹 부재(146)만이 형성된 실시예가 도시되어 있다. 또한, 도 7의 실시예에서 프린팅 영역(142) 내에는 발광 소자(110)들에 대응하는 다수의 개구부(144)가 형성되어 있지 않고, 프린팅 영역(142) 전체가 하나의 개구부(144)로 형성되어 있다. 이 경우, 발광 소자(110)들 사이의 스크라이브 라인(114) 내에도 형광체 페이스트(160)가 도포될 수 있다. 그러면, 발광 소자(110)들의 상부 표면뿐만 아니라 측면들에도 형광층(150)이 형성될 수 있다. 만약 발광 소자(110)의 측면을 통해서도 광이 일부 방출된다면, 도 7에 도시된 형태의 프린팅 마스크(140)를 사용하여 발광 소자(110)의 측면에도 형광층(150)을 형성하는 것이 유리하다.
또한, 도 8에는 프린팅 영역(142) 내에 마스킹 부재가 전혀 형성되어 있지 않고 프린팅 영역(142) 전체가 하나의 개구부(144)로 되어 있는 실시예가 도시되어 있다. 이 경우, 형광체 페이스트(160)의 도포시 발광 소자(110)들의 패턴에 일치하도록 프린팅 마스크(140)를 일일이 정렬시킬 필요가 없다. 또한, 이 경우에는 발광 소자(110)들 사이의 스크라이브 라인(114) 내에 뿐만 아니라, 발광 소자(110)들의 상부 표면 위에도 전체적으로 형광체 페이스트(160)가 도포될 수 있다. 따라서, 발광 소자(110)들의 측면 전체와 상부 표면 전체에 형광층(150)이 형성될 수 있다. 즉, 발광 소자(110)의 전극 패드(112, 113) 위에도 형광층(150)이 형성되기 때문에 형광층(150)의 형성이 완료된 후에는 전극 패드(112, 113) 위의 형광층(150)을 제거할 필요가 있다. 형광체(150)의 제거는 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 전극 패드(112, 113)의 위치에 레이저(200)로 광을 조사함으로써 수행될 수 있다. 이를 위해, 형광체 페이스트(160)에 사용되는 바인더 수지에서 흡수되는 파장 대역의 광을 방출하는 레이저(200)를 사용할 수 있다. 예를 들어, 가장 널리 사용되는 실리콘 수지 바인더의 경우에는, 실리콘 수지에 흡수가 잘되는 장파장의 CO2 레이저를 사용할 수 있다. 이렇게, 전극 패드(112, 113)의 위치에 레이저 광을 조사하면, 전극 패드(112, 113) 위의 형광층(150)이 제거되면서, 전극 패드(112, 113)가 외부로 노출될 수 있다.
지금까지는 발광 소자(110)들이 형성된 웨이퍼(101) 위에 형광층(150)을 먼저 형성한 후, 웨이퍼(101) 상의 다수의 발광 소자(110)들을 다이싱을 통해 개별적으로 분리하는 방법에 대해 설명하였다. 그러나, 형광층(150)을 형성하기 전에 웨이퍼(101) 상의 다수의 발광 소자(110)들을 먼저 다이싱하는 것도 가능하다. 예를 들어, 웨이퍼(101)를 박막화한 후에 웨이퍼(101) 상의 다수의 발광 소자(110)들을 다이싱을 통해 개별적으로 분리한다. 그런 후, 분리된 발광 소자(110)들을 도 4에 도시된 캐리어 필름(120) 위에 배열한다. 이때, 발광 소자(110)들의 발광 특성을 미리 검사하여 발광 소자(110)들을 그 발광 특성에 따라 분류한 다음, 동일한 발광 특성을 갖는 발광 소자(110)들을 캐리어 필름(120) 위에 배열할 수도 있다. 그리고 분리된 발광 소자(110)들이 배열되어 있는 캐리어 필름(120)을, 도 3에 도시된 방법과 동일하게, 진공 테이블(130) 위에 배치한 다음에, 프린팅 마스크(140)를 이용하여 스크린 프린팅 방식으로 발광 소자(110)들 위에 형광층(150)을 형성할 수 있다. 즉, 형광층(150)의 형성보다 다이싱이 먼저 수행된다는 점을 제외하면, 나머지 공정은 앞서 설명한 것과 동일하다.
형광층(150)의 형성이 완료되면, 상술한 바와 같이 점착층(120b)을 경화시킨 후, 캐리어 필름(120)으로부터 발광 소자(110)들을 개별적으로 떼어낼 수 있다. 또는, 캐리어 필름(120)을 직접 절단하여 개개의 발광 소자(110)들을 분리할 수도 있다. 이때, 신축성이 있는 베이스 필름(120a)을 사용할 경우, 베이스 필름(120a)을 잡아당겨 늘림으로써 발광 소자(110)들 사이의 간격을 증가시킬 수 있다. 그러면, 발광 소자(110)들 사이의 간격이 충분히 확보될 수 있기 때문에, 발광 소자(110)들을 캐리어 필름(120)으로부터 개별적으로 떼어내거나 또는 캐리어 필름(120)을 절단하기가 용이할 수 있다. 이렇게 형광층(150)의 형성보다 다이싱이 먼저 이루어질 경우, 다이싱 과정에서 발생하는 미세 입자로 인하여 형광층(150)이 손상되거나 오염되는 것을 방지할 수 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
101.....웨이퍼 110.....발광 소자
111.....발광면 112, 113.....전극 패드
114.....스크라이브 라인 120.....캐리어 필름
120a....베이스 필름 120b....점착층
121.....캐리어 프레임 130.....진공 테이블
135.....스퀴즈 140.....프린팅 마스크
141.....마스크 프레임 142.....프린팅 영역
143, 145, 146.....마스킹 부재 144.....개구부
150.....형광층 160.....형광체 페이스트
200.....레이저

Claims (27)

  1. 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계;
    상기 다수의 발광 소자들이 상면에 형성된 웨이퍼를 박막화하는 단계;
    상기 박막화된 웨이퍼를 캐리어 필름 위에 배치하는 단계; 및
    상기 웨이퍼 위의 다수의 발광 소자들의 발광면에 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광층을 형성하는 단계는:
    상기 웨이퍼가 배치된 캐리어 필름을 진공 테이블 위에 배치시키는 단계;
    상기 캐리어 필름을 상기 진공 테이블 위에 진공 흡입력으로 밀착 고정시키는 단계;
    상기 웨이퍼 위로 형광체 페이스트를 도포하는 단계; 및
    상기 형광체 페이스트를 경화시켜 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공 테이블은 중앙부가 상부로 돌출되어 주변부보다 높게 형성된 단차 구조를 갖는 발광 소자 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 캐리어 필름의 둘레를 따라 캐리어 프레임이 설치되어 있으며, 상기 진공 테이블의 돌출된 중앙부의 직경은 상기 캐리어 프레임의 내경보다 작은 발광 소자의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 캐리어 필름의 둘레에 형성된 상기 캐리어 프레임은 상기 진공 테이블의 주변부에 밀착 고정되며, 상기 캐리어 필름 위에 위치한 상기 웨이퍼는 상기 진공 테이블의 중앙부 위에 밀착 고정되는 발광 소자의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 진공 테이블의 중앙부의 높이는 상기 캐리어 프레임의 높이보다 높게 형성되어 있는 발광 소자의 제조 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 형광체 페이스트를 도포하는 단계는:
    상기 웨이퍼 위로 프린팅 마스크를 배치시키는 단계;
    상기 프린팅 마스크 위로 형광체 페이스트를 제공하는 단계; 및
    스퀴즈를 이용하여 형광체 페이스트를 가압하면서 상기 웨이퍼 위로 형광체 페이스트를 균일하게 도포하는 단계;를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 프린팅 마스크는, 상기 프린팅 마스크를 지지하도록 상기 프린팅 마스크의 둘레에 형성된 마스크 프레임, 상기 웨이퍼 이외의 영역을 가리도록 형성된 제 1 마스킹 부재, 및 상기 웨이퍼 대응하는 프린팅 영역을 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 및 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재를 포함하며, 상기 제 2 마스킹 부재는 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하는 영역까지 연장되어 있는 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 프린팅 영역은, 상기 프린팅 영역 내에 전체적으로 형성된 하나의 개구부, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광층이 형성된 후, 상기 웨이퍼를 상기 캐리어 필름으로부터 떼어내는 단계; 및
    상기 웨이퍼 위에 형성된 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리하는 단계;를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 캐리어 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름 위에 형성된 점착층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 점착층은 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제이며, 상기 베이스 필름은 UV에 대해 투과성을 갖는 발광 소자의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 상기 캐리어 필름으로부터 떼어내는 단계는, 상기 캐리어 필름의 하부로부터 UV를 조사하여 상기 점착층을 경화시키는 단계, 및 상기 경화된 점착층으로부터 상기 웨이퍼를 떼어내는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  16. 웨이퍼 상에 다수의 발광 소자를 형성하는 단계;
    상기 다수의 발광 소자들이 상면에 형성된 웨이퍼를 박막화하는 단계;
    다이싱을 통해 상기 웨이퍼 위에 형성된 다수의 발광 소자들을 개별적으로 분리하는 단계;
    상기 분리된 다수의 발광 소자들을 캐리어 필름 위에 배열하는 단계; 및
    상기 캐리어 필름 위에 배열된 다수의 발광 소자들의 발광면에 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 형광층을 형성하는 단계는:
    상기 발광 소자들이 배열되어 있는 캐리어 필름을 진공 테이블 위에 배치시키는 단계;
    상기 캐리어 필름을 상기 진공 테이블 위에 진공 흡입력으로 밀착 고정시키는 단계;
    상기 발광 소자 위로 형광체 페이스트를 도포하는 단계; 및
    상기 형광체 페이스트를 경화시켜 형광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광 소자 제조 방법.
  18. 상부로 돌출된 중앙부와 상기 중앙부보다 낮도록 단차진 주변부를 포함하는 진공 테이블;
    다수의 발광 소자들이 형성되어 있는 웨이퍼를 상면에 부착하기 위한 것으로, 상기 진공 테이블 위로 배치되는 캐리어 필름; 및
    상기 웨이퍼 위에 형광체 페이스트를 균일하게 도포하기 위한 프린팅 마스크;를 포함하는 발광 소자 제조 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 캐리어 필름은 상기 캐리어 필름의 둘레를 따라 설치된 캐리어 프레임을 포함하며, 상기 진공 테이블의 돌출된 중앙부의 직경은 상기 캐리어 프레임의 내경보다 작은 발광 소자 제조 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 진공 테이블에 진공 인가시 진공 흡입력에 의해, 상기 캐리어 필름의 둘레에 형성된 상기 캐리어 프레임은 상기 진공 테이블의 주변부에 밀착 고정되며, 상기 캐리어 필름 위에 위치한 웨이퍼는 상기 진공 테이블의 중앙부 위에 밀착 고정되는 발광 소자 제조 장치.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 진공 테이블의 중앙부의 높이는 상기 캐리어 프레임의 높이보다 높게 형성되어 있는 발광 소자 제조 장치.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 프린팅 마스크는, 상기 프린팅 마스크를 지지하도록 상기 프린팅 마스크의 둘레에 형성된 마스크 프레임, 상기 웨이퍼 이외의 영역을 가리도록 형성된 제 1 마스킹 부재, 및 상기 웨이퍼 대응하는 프린팅 영역을 포함하는 발광 소자 제조 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함하는 발광 소자 제조 장치.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 프린팅 영역은, 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 발광 소자들의 패턴과 동일한 패턴으로 형성된 다수의 개구부, 및 상기 발광 소자들 사이의 스크라이브 라인과 대응하도록 형성된 제 2 마스킹 부재를 포함하며, 상기 제 2 마스킹 부재는 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하는 영역까지 연장되어 있는 발광 소자 제조 장치.
  25. 제 22 항에 있어서,
    상기 프린팅 영역은, 상기 프린팅 영역 내에 전체적으로 형성된 하나의 개구부, 및 상기 발광 소자의 상면에 형성된 전극 패드와 대응하도록 형성된 제 3 마스킹 부재를 포함하는 발광 소자 제조 장치.
  26. 제 18 항에 있어서,
    상기 캐리어 필름은 베이스 필름, 및 상기 베이스 필름 위에 형성된 점착층을 포함하는 발광 소자 제조 장치.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 점착층은 UV에 의해 경화 가능한 감광성 접착제이며, 상기 베이스 필름은 UV에 대해 투과성을 갖는 발광 소자 제조 장치.
KR1020110004530A 2011-01-17 2011-01-17 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 KR101748334B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110004530A KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2011-01-17 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
US13/338,678 US8796050B2 (en) 2011-01-17 2011-12-28 Method and apparatus for manufacturing white light-emitting device
US14/451,217 US9272300B2 (en) 2011-01-17 2014-08-04 Method and apparatus for manufacturing white light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110004530A KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2011-01-17 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120083082A true KR20120083082A (ko) 2012-07-25
KR101748334B1 KR101748334B1 (ko) 2017-06-16

Family

ID=46491085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110004530A KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2011-01-17 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8796050B2 (ko)
KR (1) KR101748334B1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120138874A1 (en) 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
JP6713720B2 (ja) * 2013-08-30 2020-06-24 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置
CN104752589A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 晶能光电(江西)有限公司 一种晶圆级白光led芯片的制备方法及其实现装置
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
CN111933624A (zh) * 2020-06-29 2020-11-13 深圳市晶泓科技有限公司 一种内置驱动ic的led灯珠制备方法

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3846A (en) 1844-12-04 Apparatus for vapor-baths
US681853A (en) 1901-04-05 1901-09-03 William S Halsey Pneumatic hoist.
US708442A (en) 1902-04-16 1902-09-02 George C Williams Bowed nursery window-guard.
JP2759165B2 (ja) * 1992-04-28 1998-05-28 カシオ計算機株式会社 ウェハ載置用シート拡張方法およびその装置
EP1744365B1 (en) 1996-08-27 2009-04-15 Seiko Epson Corporation Exfoliating method and transferring method of thin film device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
US6229200B1 (en) * 1998-06-10 2001-05-08 Asat Limited Saw-singulated leadless plastic chip carrier
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3865184B2 (ja) * 1999-04-22 2007-01-10 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
CN1241272C (zh) 2001-08-22 2006-02-08 索尼公司 氮化物半导体器件及其制造方法
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
EP1556904B1 (de) * 2002-10-30 2018-12-05 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum herstellen einer leuchtdioden-lichtquelle mit lumineszenz-konversionselement
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2005062389A2 (en) 2003-12-24 2005-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, display element, and manufacturing method for semiconductor light emitting device
JP4386789B2 (ja) * 2004-05-12 2009-12-16 ローム株式会社 発光ダイオード素子の製造方法
EP1803164B1 (en) * 2004-10-13 2011-12-14 Panasonic Corporation Luminescent light source, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2008001430A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Mitsubishi Electric Corporation Screen printing machine and solar battery cell
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR100856233B1 (ko) * 2007-04-23 2008-09-03 삼성전기주식회사 고출력 발광장치 및 그 제조방법
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 lcd 백라이트 유닛
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7989319B2 (en) * 2007-08-07 2011-08-02 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor die singulation method
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR20090102121A (ko) 2008-03-25 2009-09-30 삼성전기주식회사 발광 장치 제조방법
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US8329482B2 (en) * 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same

Also Published As

Publication number Publication date
US20120184056A1 (en) 2012-07-19
US20140338593A1 (en) 2014-11-20
US9272300B2 (en) 2016-03-01
KR101748334B1 (ko) 2017-06-16
US8796050B2 (en) 2014-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9272300B2 (en) Method and apparatus for manufacturing white light-emitting device
KR20120061376A (ko) 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법
TWI407591B (zh) 白光二極體晶片及其形成方法
JP5995695B2 (ja) Led装置の製造方法
JP5619680B2 (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP5736203B2 (ja) 発光装置
EP2503606B1 (en) Light Emitting Diode, Manufacturing Method Thereof, Light Emitting Diode Module, and Manufacturing Method Thereof
US8900892B2 (en) Printing phosphor on LED wafer using dry film lithography
JP6500255B2 (ja) 発光装置の製造方法
US20110089456A1 (en) Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials and methods for forming the same
JP2014112669A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
US8927305B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
KR101476771B1 (ko) 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
JP2013140964A (ja) ドライ・フィルム・フォトレジストを使用したダイ上部への蛍光体の堆積
US20120021542A1 (en) Method of packaging light emitting device
JP2012094578A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2012248672A (ja) 半導体発光素子の製造方法
JP2013055172A (ja) Led光源装置
JP2007042679A (ja) 発光ダイオード装置
WO2014150263A1 (en) Printing phosphor on led wafer using dry film lithography
JP2016122690A (ja) 発光装置の製造方法、および、発光装置
KR101460742B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
TW201340407A (zh) 發光二極體之封裝結構與其製法
KR101465708B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
JP6933817B2 (ja) 発光装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant