KR20120078642A - 전극 및 이를 포함하는 전자소자 - Google Patents

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KR20120078642A
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Abstract

본 발명은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극, 및 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 포함하는 전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

Description

전극 및 이를 포함하는 전자소자{ELECTRODE AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 2010년 12월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2010-0139283호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 전극 및 이를 포함하는 전자소자에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 보조 전극을 포함하는 전극 및 이를 포함하는 전자소자에 관한 것이다.
최근, 디스플레이나 터치패널 등의 전자소자에서 유효화면부에 투명전극이 형성될 것이 요구되고 있다. 이를 위하여 전극으로서 ITO, ZnO 등과 같은 재료로 형성된 투명 도전막을 사용하고 있으나, 이들은 전도도가 낮은 문제가 있다. 이를 개선하기 위하여, 전도도 향상을 목적으로 투명 도전막 전극 상에 금속 패턴으로 이루어진 보조 전극을 형성하는 시도가 이루어지고 있다.
당 기술분야에서는 성능이 우수하고 제조방법이 용이한 전극, 이를 포함하는 전자소자 및 전극의 제조방법에 대한 연구가 필요하다.
본 발명은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극, 및 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 포함하는 전극을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 전극 상에 구비되는 요소의 허용 두께 편차가 β%인 경우, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각(α)이 하기 수학식 1로 표시될 수 있다.
[수학식 1]
0 ≤ α < Arc[(1 - 0.01 × β)]
또한, 본 발명은 상기 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다.
또한, 본 발명은
1) 기재 상에 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극을 형성하는 단계, 및
2) 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 전도성 등의 성능이 우수한 전극 및 이를 포함하는 전자소자를 용이하게 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시상태에 따른 전극의 측면 구조를 예시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 전극을 포토리소그래피 공정에 의하여 제조한 예를 도시한 것이다.
도 3 및 4는 포토리소그래피 공정에서의 소프트베이크 온도에 따른 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 전극을 간접 인쇄 공정에 의하여 제조한 예를 도시한 것이다.
도 6 및 7은 간접 인쇄 공정에서의 소프트베이크 온도에 따른 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 나타낸 것이다.
도 8은 포토리소그래피 공정 또는 간접 인쇄 공정에서 보조 전극 패턴의 식각액에 따른 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 나타낸 것이다.
도 9는 옥손계 식각액을 사용한 경우 보조 전극 패턴의 두께에 따른 테이퍼각을 나타낸 것이다. (실시예)
도 10은 과산화수소계 식각액을 사용한 경우 보조 전극 패턴의 두께에 따른 테이퍼각을 나타낸 것이다. (비교예)
도 11 및 도 12는 각각 그라비아 오프셋 인쇄 공정에 의하여, 본 발명에 따른 전극을 제조한 예 및 그에 따른 결과물 사진을 나타낸 것이다.
도 13 및 도 14는 각각 리버스 오프셋 인쇄 공정에 의하여, 본 발명에 따른 전극을 제조한 예 및 그에 따른 결과물 사진을 나타낸 것이다.
도 15 및 도 16은 각각 실시예 및 비교예에서 제조된 전극의 표면 특성을 나타낸 사진이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
10: 기판
20: 보조 전극
30: 주 전극
40: 유기물층 또는 추가의 전극
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 전극은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극, 및 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서는 종래와 달리 보조 전극이 주 전극의 하단부에 위치하는 매립형 구조를 갖는 것이 특징이다.
종래에는 주 전극의 전도도를 향상시키기 위하여 보조 전극을 사용하는 경우, 상기 주 전극 상에 구비되는 요소들의 안정성 및 층간 계면 특성을 고려하여, 주 전극을 먼저 형성하고, 그 위에 보조 전극을 형성하는 것이 일반적이었다. 그러나, 본 발명에서는 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 조절하는 경우, 구체적으로 그 테이퍼각을 낮추는 경우에는 보조 전극 상에 주 전극을 형성하더라도 전극 상에 구비되는 요소들의 안정성을 보장할 수 있으며, 층간 계면 특성도 오히려 더 우수하다는 사실을 밝혀내었다.
본 발명에 있어서, 상기 전극 상에 구비되는 요소의 허용 두께 편차가 β%인 경우, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각(α)이 하기 수학식 1로 표시될 수 있다.
[수학식 1]
0 ≤ α < Arc[(1 - 0.01 × β)]
도 1에 본 발명의 일 실시상태에 따른 전극의 측면 구조를 예시하였다. 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각을 α라고 하고, 그 위에 구비되는 주 전극의 평탄면에서의 두께를 T0라고 하면, 상기 보조 전극의 전도성 패턴에 의하여 경사진 영역(slope)에서의 주 전극의 두께(T)는 T=T0cos(α)로 정의된다. 마찬가지의 수식에 의하여, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각을 α라고 하고, 주 전극, 예컨대 ITO 주 전극 위에 구비되는 요소, 예컨대 유기 발광 소자의 유기물층의 평탄면에서의 두께를 D0라고 하면, 상기 보조 전극의 전도성 패턴에 의하여 경사진 영역(slope) 상에 구비되는 OLED 물질의 두께(D)는 D=D0cos(α)로 정의된다. 상기 주 전극 상에 위치하는 요소, 예컨대 유기 발광 소자의 경우에는 유기물층 또는 터치 패널의 경우에는 또 다른 전극의 허용 두께 편차를 β%로 가정하면, 하기 수학식 2와 같이 표시될 수 있다.
[수학식 2]
(1 - 0.01 × β) × D0 ≤ D = D0cos(α) ≤ D0
따라서, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 허용 가능한 테이퍼각은 상기 수학식 1과 같이 표시될 수 있다는 사실을 밝혀내었다.
상기 수학식 1에 의하면, 결국 주 전극의 상층부에 위치하는 요소의 허용 두께 편차는 하부의 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각에 의하여 의존한다. 예컨대, 상층부에 위치하는 요소의 두께 편차가 10% 이하가 되도록 적용하는 경우 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 허용 가능한 테이퍼각은 약 0 초과 25도 이하의 값을 갖는다.
또한, 본 발명자들은 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 조절할 수 있는, 바람직하게는 낮출 수 있는 방법을 밝혀내었다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 보조 전극 패턴의 테이퍼각의 조절은 포토리소그래피법 또는 간접 인쇄법을 이용할 수 있다. 이 방법에서, 소프트 베이크 온도를 조절하거나 식각액의 조성을 조절함으로써, 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 조절할 수 있다.
일 예로서, 본 발명에 따라 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 낮추기 위하여, 상기 포토레지스트 재료의 소프트 베이크 온도를 110℃ 이하로 조절할 수 있다.
도 2에 포토리소그래피법을 이용하여 보조 전극을 형성하는 예를 도시하였다. 도 2는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 도 2는, 기재 상에 보조 전극 형성용 전도성층을 형성하는 단계, 상기 전도성층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계, 선택적인 노광 및 현상에 의하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 도포되지 않은 전도성층을 식각하여 전도성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토리소그래피 공정을 나타낸 것이다. 상기 포토레지스트를 코팅한 후 110℃ 이하에서 소프트베이크를 실시함으로써 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 낮출 수 있다. 105℃에서 소프트베이크를 실시한 경우와 115℃에서 소프트베이크(soft bake)를 실시한 경우 각각의 패턴 형성된 사진을 도 3 및 도 4에 예시하였다. 이 때, 포토레지스트 패턴은 두께 1 마이크로미터로 형성하였다. 이 때 바람직한 소프트베이크 온도는 포토레지스트의 구성 수지 및 조성물의 종류, 예컨대 용매의 종류 등, 코팅 두께 등에 따라 당업자가 실험을 통하여 선택 적용할 수 있으나 낮은 테이퍼각(taper angle)을 위해서는 소재의 경화 온도 보다는 낮은 소프트 베이크(soft bake) 온도가 유리하다.
도 5에 간접 인쇄법을 이용하여 보조 전극을 형성하는 예를 도시하였다. 도 5는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 도 5에 따르면, 기재 상에 보조 전극 형성용 전도성층을 형성하는 단계, 상기 전도성층 상에 포토레지스트 패턴을 인쇄하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 도포되지 않은 전도성층을 식각하여 전도성 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 간접 인쇄 공정에 있어서, 상기 포토레스트 패턴을 인쇄한 후 80 내지 90℃에서 소프트베이크를 실시함으로써 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 낮출 수 있다.
85℃에서 소프트베이크를 실시한 경우와 115℃에서 소프트베이크를 실시한 경우 각각의 패턴 형성된 사진을 도 6 및 도 7에 예시하였다. 이 때, 포토레지스트 패턴은 두께 0.7 마이크로미터로 형성하였다.
상기 포토레지스트를 코팅하기 전에, 필요에 따라 상기 전도성층을 세정하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 상기 전도성층을 식각하여 전도성 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트를 제거할 수도 있다.
또 하나의 예로서, 본 발명에 따라 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 낮추기 위하여, 보조 전극 형성용 전도성층의 식각액을 조절할 수 있다.
예컨대, 전도성층의 재료가 구리(Cu)인 경우, 옥손(Oxxon) 식각액을 이용하는 경우, 대부분의 조건에서 낮은 테이퍼각을 얻을 수 있으나, 기존의 식각액을 사용하는 경우 소프트베이크 및 하드베이크 여부에 관계없이 높은 수준의 테이퍼각을 나타낸다. 옥손 식각액을 사용한 경우 및 기존 과산화수소 식각액을 사용한 경우의 전도성 패턴의 테이퍼각을 나타내는 사진을 도 8에 예시하였다.
또한, 옥손 식각액을 사용하는 경우 전도성 패턴의 두께에 따른 테이퍼각을 도 9에 예시하였고, 기존 과산화수소 식각액을 사용한 경우의 전도성 패턴의 두께에 따른 테이퍼각을 도 10에 도시하였다. 이러한 식각액의 조성 변화 및 식각 온도의 변화 등을 이용하여 전도성 패턴의 테이퍼각을 조절의 경우, 알루미늄(Al)계 재료를 사용하는 경우 기존 식각액 대비 질산의 함량을 기존 2%에서 약 5 ~ 15% 내외로 늘이거나 혹은 식각 온도를 높임으로써 구현 가능하다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따르면, 직접 인쇄법을 이용할 수 있다. 이 방법에서, 리버스 오프셋이나 그라비아 오프셋 인쇄법을 이용함으로써 보조 전극 패턴의 테이퍼각을 조절할 수 있다. 직접 인쇄법을 이용하는 경우에 있어서는 그라비아 인쇄법이나 리버스 인쇄법에 관계없이 낮은 테이퍼각을 갖는 전도성 패턴을 얻을 수 있다. 이는 접촉식 패턴 형성에서 오는 현상으로 생각된다.
그라비아 오프셋 인쇄법을 사용하는 공정을 도 11에 도시하였으며, 이에 따라 형성된 전도성 패턴의 사진을 도 12에 예시하였다. 또한, 리버스 오프셋 인쇄법을 사용하는 공정을 도 13에 도시하였으며, 이에 따라 형성된 전도성 패턴의 사진을 도 14에 예시하였다.
전술한 바와 같이, 테이퍼각이 낮은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극을 형성함으로써, 그 위에 주 전극을 형성하면 비교적 완만한 주 전극의 스택 커버리지(stack coverage)를 지닐 수 있다. 이에 의하여 주 전극 상에 구비되는 요소들의 안정성을 보장할 수 있다.
구체적인 예로서, 유리 기재 상에 구리(Cu)를 증착하여 보조 전극 형성용 전도성층을 형성하고, 포토레지스트를 코팅한 후 선택적 노광 및 현상을 수행하고, 이어서 전도성층을 식각하여 전도성 패턴을 형성하고, 그 위에 주 전극으로서 ITO층을 200nm의 두께로 증착한 후 단면 형상을 관찰하였을 때, 소프트베이크 또는 식각에서 전술한 낮은 테이퍼각 형성 조건을 도입한 경우와 그렇지 않은 경우의 사진을 각각 도 15 및 도 16에 나타내었다.
도 15와 같이 테이퍼각이 낮은 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극을 형성하는 경우에는 그 위에 구비되는 주 전극의 스택 커버리지가 비교적 완만한 반면, 도 16과 같이 테이퍼각이 큰 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극을 형성하는 경우에는 그 위에 구비되는 주 전극의 스택 커버리지가 좋지 못하다. 또한, 도 16에서는 구리(Cu)로 형성된 보조 전극의 말단부(tail)가 불규칙한 식각 형상(etching morphology)에 의하여 불균일한 주 전극 증착 형상이 관찰된다.
상기 간접인쇄법인 포트리소그래피 공정으로 보조 전극을 형성하는 경우에는 보조 전극의 테이퍼각이 약 45도 전후의 값을 가진다. 또한, 상기 직접인쇄법인 리버스 오프셋 공정 또는 그라비아 오프셋 공정으로 보조 전극을 형성하는 경우에는 보조 전극의 테이퍼각이 5 ~ 30도의 값을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 보조 전극의 전도성 패턴은 전도성 재료를 증착 또는 인쇄함으로써 형성할 수 있다. 전도성 재료로는 은, 알루미늄, 구리, 네오디윰, 몰리브덴 또는 이들의 합금과 같은 금속을 이용할 수 있다.
보조 전극 및 주 전극으로 이루어진 전체 전극의 면저항 값에 따라서 주 전극의 두께를 증가시키거나 혹은 보조 전극의 두께를 증가시켜 형성할 수 있으나, 스퍼터링(sputtering) 공정을 통하여 보조 전극을 형성하는 경우 일반적으로 보조 전극의 두께가 50nm ~ 2,000nm 내외인 것이 바람직하다.
이러한 보조 전극의 평면 형상은 규칙 패턴 구조 혹은 불규칙 패턴 구조 등 다양한 패턴 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 주 전극은 투명 전도성 재료로 형성할 수 있다. 예컨대, ITO, IZO, 투명 전도성 잉크(Ag nanowire ink, 투명 전도성 고분자 등) 등을 사용할 수 있다. 상기 주 전극은 앞서 기술한 바와 같이 당업자의 요구 저항치에 맞추어 형성할 수 있으며, 스퍼터링 공정을 이용하여 형성하는 경우 일반적으로 두께가 50nm ~ 2,000nm인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 보조 전극 및 주 전극은 투명 기판 상에 형성될 수 있다. 상기 투명 기판은 특별히 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 예컨대, 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 주 전극은 보조 전극의 상부면 및 측면을 모두 덮는 구조인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 있어서, 상기 보조 전극은 매립형 구조를 가지는 보조 전극일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다.
상기 전자소자는 터치패널, 유기 발광 소자 및 표시장치 등을 포함한다.
본 발명에 따른 전자소자가 터치패널인 경우, 상기 주 전극 상에 위치하는 요소는 또 하나의 전극일 수 있다. 필요한 경우 상기 주 전극과 또 하나의 전극 사이에 절연층이 구비될 수 있다. 이 때, 상기 또 하나의 전극의 허용 두께 편차는 구성 성분, 예컨대 금속의 단단함(Stiffness)에 따라 다르지만, 통상적으로 요구 두께에서 크랙(crack)이 발생하지 않는 수준의 편차를 지니는 것이 바람직하며, 이에 따라 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각을 실험적으로 결정할 수 있다.
본 발명에 따른 전자소자가 유기 발광 소자인 경우, 상기 주 전극 상에 위치하는 요소는 유기물층 및 상부 전극일 수 있다. 상기 유기물층의 두께 편차가 큰 경우, 소자 수명에 악영향을 미칠 수 있다. 상기 유기물층의 바람직한 두께 편차는 0 ~ 10%이므로, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각은 0 ~ 25도인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 기재 상에 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극을 형성하는 단계, 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 방법에서는 포토리소그래피법, 간접 인쇄법 또는 직접 인쇄법을 사용할 수 있으며, 구체적인 내용은 전술한 바와 같다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 >
Cu 금속을 스퍼터링 공정을 이용하여 약 100nm 두께로 증착한 후 이 위에 LG412DF PR을 이용하여 두께 1 마이크로미터의 포토레지스트를 형성하였다. 이후 상기 포토레지스트를 약 125℃의 온도에서 소프트베이크한 후 각각 옥손(oxxon)계 식각액(자체 제조) 및 과산화수소수 기반 에칭액(ENF사 Cu etchant)으로 식각한 후 LGS100 스트리퍼(stripper)로 세정하였다. 이후 ITO 스퍼터(sputter) 장비를 이용하여 ITO를 각각의 기판에 약 200nm의 두께로 증착하였고, 그 결과는 도 15에 나타낸 바와 같다.
식각액을 조정하여 전도성 패턴의 테이퍼 각이 작도록 조절한 경우, 도 15와 같이 ITO의 스택 커버리지가 우수하였다.
< 비교예 >
식각액으로서, 과산화수소 기반 에칭액(ENF 사 Cu etchant)을 사용한 것을 제외하고는 실시예와 동일하게 실시하였다. 그 결과를 도 16에 나타내었다. 도 15에 비하여 ITO의 스택 커버리지가 좋지 못하고, 구리(Cu)로 형성된 보조 전극의 말단부(tail)가 불규칙한 식각 형상(etching morphology)에 의하여 불균일한 주 전극 증착 형상이 관찰되었다.

Claims (16)

  1. 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극, 및 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 포함하는 전극.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 전극 상에 구비되는 요소의 허용 두께 편차가 β%인 경우, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각(α)이 하기 수학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 전극:
    [수학식 1]
    0 ≤ α < Arc[(1 - 0.01 × β)]
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 전극 상에 구비되는 요소의 허용 두께 편차가 10% 이하인 것을 특징으로 하는 전극.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각이 0도 초과 25도 이하인 것을 특징으로 하는 전극.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 보조 전극의 전도성 패턴은 은, 알루미늄, 구리, 네오디윰, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 주 전극은 투명 전도성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 주 전극은 보조 전극의 상부면 및 측면을 모두 덮은 구조인 것을 특징으로 하는 전극.
  8. 청구항 1 내지 7 중 어느 하나의 항에 따른 전극을 포함하는 전자소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 전자소자는 터치패널, 유기 발광 소자 또는 표시장치인 것을 특징으로 하는 전자소자.
  10. 1) 기재 상에 전도성 패턴을 포함하는 보조 전극을 형성하는 단계,
    2) 상기 보조 전극의 적어도 일부 상에 구비되어 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 주 전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 전극의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 전극 상에 구비되는 요소의 허용 두께 편차가 β%인 경우, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각(α)이 하기 수학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법:
    [수학식 1]
    0 ≤ α < Arc[(1 - 0.01 × β)]
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 보조 전극의 전도성 패턴의 테이퍼각이 0도 초과 25도 이하인 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 보조 전극은 포토리소그래피법에 의하여 형성되며, 이 때 포토레지스트 재료의 소프트베이크 온도를 110℃ 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  14. 청구항 10에 있어서, 상기 보조 전극은 간접 인쇄법에 의하여 형성되며, 이 때 포토레지스트 재료의 소프트베이크 온도를 80 ~ 90℃로 조절하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  15. 청구항 10에 있어서, 상기 보조 전극은 포토리소그래피법 또는 간접 인쇄법에 의하여 형성되며, 이 때 보조 전극의 재료가 구리를 포함하는 경우 그 식각액으로서 옥손계 식각액을 이용하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
  16. 청구항 10에 있어서, 상기 보조 전극은 리버스 오프셋 인쇄법 또는 그라비아 오프셋 인쇄법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전극의 제조방법.
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