JPH09258248A - 液晶表示用の電極形成方法及びその電極構造 - Google Patents

液晶表示用の電極形成方法及びその電極構造

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JPH09258248A
JPH09258248A JP9463796A JP9463796A JPH09258248A JP H09258248 A JPH09258248 A JP H09258248A JP 9463796 A JP9463796 A JP 9463796A JP 9463796 A JP9463796 A JP 9463796A JP H09258248 A JPH09258248 A JP H09258248A
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JP
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electrode
auxiliary electrode
electrodes
glass substrate
liquid crystal
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JP9463796A
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Minoru Yoshikawa
実 吉川
Takayuki Honma
孝之 本間
Takanori Rinka
敬則 林下
Sei Hayashi
聖 林
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MICRO GIJUTSU KENKYUSHO KK
Micro Gijutsu Kenkyusho KK
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MICRO GIJUTSU KENKYUSHO KK
Micro Gijutsu Kenkyusho KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラス基板上の電極を低抵抗化するとともに
平坦化でき、かつ安価にできる液晶表示用の電極形成方
法及びその電極構造を提供する。 【構成】 ガラス基板11上にウェットエッチングによ
り幅の狭い多層構造の金属膜からなる補助電極12を形
成する工程と、その工程の後にガラス基板11上の補助
電極12の表面を機械的手段により研磨する工程と、研
磨工程の後に補助電極12を覆う幅の広い透明電極13
を形成する工程とを備える。多層構造の金属膜からなる
補助電極は、ウェットエッチングによりアンダーカット
が形成されるが、後の機械的手段による研磨工程でオー
バーハング部分が取り除かれ、その上に透明電極を形成
することで、ストレスにより透明電極に損傷が生じるこ
とがなくなり、電極の低抵抗化と平坦化ができ、かつ安
価に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、液晶表示装置(L
CD)などのガラス基板上の電極の形成方法及びその電
極構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置の大画面化及び高精
細化の要請に伴い、そのガラス基板に形成される画素を
構成するための透明電極の抵抗値を低くすることが必要
になってきている。このような透明電極は、厚く形成す
ることで抵抗値を低くすることが可能であるが、ガラス
基板との段差が大きくなり、後の配向膜の形成などに支
障が生じるおそれがあった。また、例えば、ガラス基板
の透明電極に沿って幅の狭い補助電極を形成する構造な
どが考えられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、図6に示すように、ガラス基板1表面の透明電極3
にアルミニュウム膜2aとチタン膜2bとからなる2層
構造の補助電極2を形成する電極構造では、化学薬品に
よるウェットエッチングで形成した場合には、アルミニ
ュウム膜2aのサイドエッティングによりチタン膜2b
が幅方向にオーバーハング状態になってアンダーカット
が形成され、その上に透明電極3を形成したときに、ア
ウダーカット部分の透明電極3にストレスが加わり、そ
のために損傷して補助電極2から透明電極3が剥離する
などの欠点が生じるおそれがあった。補助電極2をドラ
イエッチングで形成すれば、アンダーカットの問題を少
なくすることができるが、その設備が高価でコスト高に
なる欠点があった。また、補助電極を透明電極の上に形
成した場合には、幅の狭い補助電極が後の工程などで損
傷し途中で切断するおそれがあった。
【0004】そこで本発明は、ガラス基板上の電極を低
抵抗化するとともに平坦化でき、かつ安価にできる液晶
表示用の電極形成方法及びその電極構造を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示用の電極形成方法は、ガラス基板
上にウェットエッチングにより幅の狭い多層構造の金属
膜からなる補助電極を形成する工程と、前記工程の後に
ガラス基板上の補助電極の表面を機械的手段により研磨
する工程と、前記研磨工程の後に前記補助電極を覆う幅
の広い透明電極を形成する工程とを備えることを特徴と
するものである。多層構造の金属膜からなる補助電極
は、ウェットエッチングによりアンダーカットが形成さ
れるが、後の機械的手段による研磨工程でオーバーハン
グ部分が取り除かれ、その上に透明電極を形成すること
で、ストレスにより透明電極に損傷が生じることがなく
なり、電極の低抵抗化と平坦化ができ、かつ安価に形成
される。前記多層構造の金属膜からなる補助電極の形成
工程は、ガラス基板上に配線金属膜をパターン形成した
後、その配線金属膜の上に密着用金属膜をパターン形成
することが、2層構造の補助電極上に透明電極を密着よ
く形成できる点で好ましい。
【0006】また、本発明の液晶表示用の電極構造は、
ガラス基板上に多層構造の金属膜からなる幅の狭い補助
電極を形成し、この補助電極の上を覆う幅の広い透明電
極を形成した液晶表示用の電極構造において、前記補助
電極は、前記透明電極の幅方向の両端部に位置する一対
の電極から形成されることを特徴とするものである。補
助電極を透明電極の幅方向の両端部に位置する一対の電
極で形成することで、一方の電極が途中で損傷により切
断しても他方の電極により低抵抗化を実現できる。
【0007】さらに、本発明の液晶表示用の電極構造
は、ガラス基板上に多層構造の金属膜からなる幅の狭い
補助電極を形成し、この補助電極の上を覆う幅の広い透
明電極を形成した液晶表示用の電極構造において、前記
補助電極は、前記透明電極の幅方向の両端部に位置する
一対の電極と、該一対の電極間を所定のピッチ間隔で接
続した電極とから形成されることを特徴とするものであ
る。補助電極を透明電極の幅方向の両端部に位置する一
対の電極と、一対の電極間を所定のピッチ間隔で接続し
た電極とから形成することで、さらに損傷により途中で
切断しても低抵抗化をさらに確実に実現できる。
【0008】前記一対の電極間を接続した電極のピッチ
間隔は、隣接する対向電極の間の間隔であることが、画
素の周囲を金属膜の電極で区画し、ブラックマトリクス
と同様にコントラストを向上させる役割を持たせること
ができる点で好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
より具体的に説明する。図1は本発明実施形態の電極形
成工程を説明する図、図2は本発明実施形態の電極構造
の平面図、図3は本発明実施形態の電極構造の断面図で
ある。
【0010】まず、図1(a)に示すように、ガラス基
板11の表面に幅が20μm程度、厚さが1000Å程
度になるように、例えば、配線用金属からなるアルミニ
ュウム膜12aをウェットエッチィングによりパターン
形成し、続いてそのアルミニュウム膜12aの上に厚さ
が500Å程度の、例えば、密着用金属からなるチタン
膜12bをウェットエッチィングによりパターン形成す
ることで、2層構造の金属膜からなる補助電極12を形
成する。これにより、ガラス基板11上の補助電極12
は、アルミニュウム膜12a両端のサイドエッチィング
によりチタン膜12bが幅方向にオーバーハング状態に
なりアンダーカットが形成される。
【0011】次に、図1(b)に示すように、ガラス基
板11上のチタン膜12bの表面を所定の機械的研磨手
段を用いて研磨する。このような機械的研磨手段として
は、例えば、一定の研磨能力と摩擦抵抗がある人工皮革
などの研磨布による研磨である。この研磨により、チタ
ン膜12bの幅方向のオーバーハング部分が切断して取
り去られ、アルミニュウム膜12aの幅とほぼ同じ寸法
になるとともに、チタン膜12bの表面層が研磨により
やや落とされる。
【0012】次に、図1(c)に示すように、補助電極
12の上に、例えば、幅300μm程度、厚さが400
0Å程度の幅の広いITO膜などからなる透明電極13
を補助電極12が中央部に位置するようにパターン形成
する。
【0013】上記工程で形成された電極は、図2及び図
3に示すように、ガラス基板11の表面にアルミニュウ
ム膜12aとチタン膜12bの2層構造の金属膜からな
る幅の狭い補助電極12を中央部にしてその上に幅の広
い透明電極13が覆われた構造に形成される。
【0014】上記構成の電極形成方法によれば、アルミ
ニュウム膜12aとチタン膜12bの2層構造の金属膜
からなる補助電極12をウェットエッチィングにより形
成しても、その補助電極12表面を機械的研磨手段で研
磨することで、チタン膜12bの幅方向のオーバーハン
グ部分が切断して取り去られるため、補助電極12の上
に形成される透明電極13にストレスが加わることが少
なくなり、損傷することがなくなる。また、研磨により
チタン膜12bの表面層がやや落とされることで、透明
電極13の密着がよくなる。上記方法により形成される
電極構造では、ガラス基板11上の透明電極13の長手
方向に沿って金属膜からなる抵抗値の低い補助電極12
が並列に設けられているため、透明電極13単体では抵
抗値が例えば、4Ω/cm2 程度であったものが、透明
電極13と補助電極12との合成された抵抗値として
1.5Ω/cm2 程度にできた。さらに、補助電極12
の上に透明電極13を覆うように形成することで、後の
工程で補助電極12を損傷することがなくなる。なお、
補助電極12は、透明電極13の中央部に設けられてい
るが、幅が狭いため表示の開口率にそれほど影響を与え
ない。したがって、ガラス基板11上の2層構造の補助
電極12を安価なウェットエッチィングにより形成する
ことができ、かつ抵抗値の低い金属膜の補助電極12を
透明電極13に並列に設けて低抵抗化できるため、その
分透明電極13を薄くし全体として表面を平坦化でき、
後の製造工程を容易にできる。
【0015】図4は本発明実施形態の補助電極のパター
ン例を説明する図である。
【0016】この補助電極21は、例えば、上記のよう
に2層構造の金属膜からなり、ガラス基板上に形成され
る透明電極の幅(寸法a)方向の両端部の位置に平行に
設けられた一対の幅の狭い電極22,23が形成された
ものである。他の構成は上記実施例と同様である。
【0017】このような一対の電極22,23を有する
補助電極21では、いずれか一方の電極22または23
が途中で損傷などにより断線しても他方の断線してない
電極23または22により確実に低抵抗化を実現でき
る。
【0018】図5は本発明実施形態の補助電極の他のパ
ターン例を説明する図である。
【0019】この補助電極31は、例えば、上記のよう
に2層構造の金属膜からなり、ガラス基板上に形成され
る透明電極の幅(寸法a)方向の両端部の位置に平行に
設けられた一対の幅の狭い電極32,33が形成され、
かつ透明電極の長手方向に沿って一定のピッチ間隔(例
えば、寸法b)で、電極32,33間を接続する幅の狭
い電極34が形成されたものである。この電極34は、
例えば、表示装置として組み合わされる他方のガラス基
板の表面上に形成される隣接する対向電極の間のに位置
することが望ましい。他の構成は上記実施例と同様であ
る。
【0020】このような電極32,33,34を有する
補助電極31では、一対の電極32,33間が一定のピ
ッチ間隔で電極34により接続されているため、電極の
途中の断線に対してさらに確実に低抵抗化を実現でき
る。また、この実施形態では、一対の電極32,33が
透明電極の両端側に位置し、かつ電極34が対向電極の
間に位置することで、画素の周囲が不透明な金属膜で区
画され、カラーフィルターに設けられるブラックマトリ
クスと同様にコントラストを向上させる役割を持たせる
ことができる。
【0021】なお、上記実施例において、補助電極12
をアルミニュウム膜12aとチタン膜12bで2層構造
にした例を説明したが、他の種類の銅、銀、金、クロム
などの金属膜からなる多層構造のものでもよい。また、
ガラス基板に形成した補助電極の表面の研磨は、少なく
とも機械的な任意の研磨手段及び研磨剤を使用すること
ができる。さらに、補助電極は、開口率に影響を与えな
いように幅を狭くし、かつそのパターンも断線の影響を
少なくできる任意の形状にできる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示用
の電極形成方法は、多層構造の金属膜からなる補助電極
がウェットエッチングによりアンダーカットが形成され
るが、後の機械的手段による研磨工程でオーバーハング
部分が取り除かれ、その上に透明電極を形成すること
で、ストレスにより透明電極に損傷が生じることがなく
なり、電極の低抵抗化と平坦化ができ、かつ安価に形成
される。多層構造の金属膜からなる補助電極の形成工程
を、ガラス基板上に配線金属膜をパターン形成した後、
その配線金属膜の上に密着用金属膜をパターン形成する
ようにすれば、2層構造の補助電極上に透明電極を密着
よく形成できる
【0023】また、本発明の液晶表示用の電極構造は、
補助電極を透明電極の幅方向の両端部に位置する一対の
電極で形成することで、一方の電極が途中で損傷により
切断しても他方の電極により低抵抗化を実現できる。さ
らに、補助電極を透明電極の幅方向の両端部に位置する
一対の電極と、一対の電極間を所定のピッチ間隔で接続
した電極とから形成することで、さらに損傷により途中
で切断しても低抵抗化をさらに確実に実現できる。一対
の電極間を接続した電極のピッチ間隔を、対向電極の間
の間隔にすれば、画素周囲を不透明な金属膜の電極で区
画し、ブラックマトリクスと同様にコントラストを向上
させる役割を持たせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施形態の電極形成工程を説明する図で
ある。
【図2】本発明実施形態の電極構造の平面図である。
【図3】本発明実施形態の電極構造の断面図である。
【図4】本発明実施形態の補助電極のパターン例を説明
する図である。
【図5】本発明実施形態の補助電極の他のパターン例を
説明する図である。
【図6】従来例の補助電極に透明電極を形成した状態を
説明する断面図である。
【符号の説明】
11 ガラス基板 12 補助電極 12a アルミニュウム膜 12b チタン膜 13 透明電極 21 補助電極 22,23 電極 31 補助電極 32,33,34 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 聖 東京都渋谷区富ケ谷1丁目33番14号 株式 会社ミクロ技術研究所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラス基板上にウェットエッチングによ
    り幅の狭い多層構造の金属膜からなる補助電極を形成す
    る工程と、前記工程の後にガラス基板上の補助電極の表
    面を機械的手段により研磨する工程と、前記研磨工程の
    後に前記補助電極を覆う幅の広い透明電極を形成する工
    程とを備えることを特徴とする液晶表示用の電極形成方
    法。
  2. 【請求項2】 前記多層構造の金属膜からなる補助電極
    の形成工程は、ガラス基板上に配線金属膜をパターン形
    成した後、その配線金属膜の上に密着用金属膜をパター
    ン形成する請求項1記載の液晶表示用の電極形成方法。
  3. 【請求項3】 ガラス基板上に多層構造の金属膜からな
    る幅の狭い補助電極を形成し、この補助電極の上を覆う
    幅の広い透明電極を形成した液晶表示用の電極構造にお
    いて、 前記補助電極は、前記透明電極の幅方向の両端部に位置
    する一対の電極から形成されることを特徴とする液晶表
    示用の電極構造。
  4. 【請求項4】 ガラス基板上に多層構造の金属膜からな
    る幅の狭い補助電極を形成し、この補助電極の上を覆う
    幅の広い透明電極を形成した液晶表示用の電極構造にお
    いて、 前記補助電極は、前記透明電極の幅方向の両端部に位置
    する一対の電極と、該一対の電極間を所定のピッチ間隔
    で接続した電極とから形成されることを特徴とする液晶
    表示用の電極構造。
  5. 【請求項5】 前記一対の電極間を接続した電極のピッ
    チ間隔は、隣接する対向電極の間の間隔である請求項4
    記載の液晶表示用の電極構造。
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