KR20120029248A - ＧａＮ 웨이퍼 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법은, 기판에 그래핀을 전사시켜서 분리용 희생막을 증착하는 단계; 상기 희생막에 GaN막을 성장시키는 단계; 및 상기 희생막을 이용하여 상기 기판 및 상기 성장된 GaN막을 분리하는 단계를 포함한다. 따라서, 기판 및 GaN막 사이에 그래핀을 전사시킴으로써 상기 기판 및 GaN막 분리시에 크랙(crack)이 없는 GaN 웨이퍼를 수득할 수 있으며, 상기 기판 등의 파손을 방지하여 기판의 재사용도 가능하다. 또한, 기판상에 미리 전사된 그래핀 상에서 GaN을 성장시킴으로써 상기 GaN막의 두께를 더 두껍게 형성하여, GaN막의 결함 밀도를 감소시킬 수 있다.

Description

ＧａＮ 웨이퍼 제조방법{A METHOD FOR FABRICATING GaN WAFER}
웨이퍼를 제조하는 기술로서, GaN 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 전류가 가해지면 p, n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 반도체 발광소자는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다.
일반적으로 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이(full color display), 이미지 스캐너(image scanner), 각종 신호시스템 및 광통신 기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광소자, 또는 레이저 소자에 널리 사용되고 있다. 또한, 이러한 질화물 반도체 발광소자가 개발된 후에, 많은 기술적 발전이 이루어져 그 활용 범위가 확대되었으며 일반조명 및 전장용 광원으로 많은 연구가 진행되고 있다. 특히, 종래에는 질화물 반도체 발광소자는 주로 저전류/저출력의 모바일 제품에 적용되는 부품으로 사용되었으나, 최근에는 점차 그 활용 범위가 고전류/고출력 분야로 확대되고 있다.
GaN 반도체 발광소자의 출력을 향상시키고 수명(lifetime)을 증가시키기 위해서는 GaN막 내의 결함 밀도(defect density)를 감소시켜야 하며, GaN 반도체 발광소자의 제조 비용을 절감하고 공정 단순화를 위해서는 프리스탠딩 GaN막(free standing GaN film), 즉 GaN 웨이퍼(wafer)가 필요하다.
본 발명의 일 실시예는 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법은, 기판에 그래핀을 전사시켜서 분리용 희생막을 증착하는 단계; 상기 희생막에 GaN막을 성장시키는 단계; 및 상기 희생막을 이용하여 상기 기판 및 상기 성장된 GaN막을 분리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 측에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법에서, 상기 분리용 희생막을 증착하는 단계는, 상기 기판의 양 측면에서 상기 희생막이 증착될 수 있다.
본 발명의 일 측에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법에서, 상기 GaN막을 형성하는 단계는, 상기 기판의 양 측면에 증착된 희생막에 GaN이 성장됨으로써 수행될 수 있다.
본 발명의 일 측에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법에서, 상기 기판 및 상기 GaN막을 분리하는 단계는, 아세톤 용액을 이용하여 수행될 수 있다.
본 발명의 일 측에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법에서, 상기 GaN막을 200 ㎛ 내지 0.5 cm의 두께로 성장시킬 수 있다.
본 발명의 일 측에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법에서, 상기 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판, SiC 기판, 폴리-AlN 기판 및 Si-Al 기판으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법은, 기판 및 GaN막 사이에 그래핀을 전사시킴으로써 상기 기판 및 GaN막 분리시에 크랙(crack)이 없는 GaN 웨이퍼를 수득할 수 있다. 또한, 상기 기판 등의 파손을 방지하여 기판의 재사용도 가능하다.
또한, 기판상에 미리 전사된 그래핀 상에서 GaN을 성장시킴으로써 상기 GaN막의 두께를 더 두껍게 형성하여, GaN막의 결함 밀도를 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 그래핀이 전사된 기판에서 GaN막을 성장시키는 것을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법에 사용되는 그래핀을 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 그래핀의 육각형 평면구조를 나타내는 도면이다.
실시예의 설명에 있어서, 각 기판, 층 및 막 등이 각 기판, 층 또는 막 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하에서는 하기의 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼의 제조방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법은, 기판에 그래핀을 전사시켜서 분리용 희생막을 증착하는 단계; 상기 희생막에 GaN을 성장시켜서 GaN막을 형성하는 단계; 및 상기 희생막을 이용하여, 상기 기판 및 상기 GaN막을 분리하는 단계를 포함한다.
먼저, 기판을 준비한다(S10). 상기 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판, SiC 기판, 폴리-AlN 기판 및 Si-Al 기판으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 기판에 그래핀을 전사시켜서 분리용 희생막을 증착한다(S20). 상기 그래핀은 별도의 공정을 통해 미리 형성된 후에 상기 기판에 전사된다. 즉, 미리 성장된 그래핀을 기판에 전사시킴으로써 상기 기판과의 반데르 발스 힘에 의해 상기 기판상에 그래핀이 증착된다.
상기 기판에 증착되는 그래핀에서의 성장방법에 대해서는 하기의 도 3을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
그런 다음, 상기 그래핀으로 이루어진 희생막에 GaN을 성장시킨다(S30). 상기 GaN을 성장시키는 방법은 수소화물 기상성장법(HVPE : Hydride Vapor Phase Epitaxy)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이때 공정 온도는 1000 내지 1200℃일 수 있다.
GaN을 성장시키는 공정에서, 질소의 전구체로 암모니아를 사용하는데, 상기 암모니아는 열적으로 매우 안정하기 때문에, 고온에서도 매우 작은 양의 암모니아만이 열분해되어 GaN의 성장에 기여한다.
도 2a 및 도 2b는 그래핀이 전사된 기판에서 GaN막을 성장시키는 것을 나타내는 도면이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 상기 기판(20)에 전사되는 그래핀(30)은 기판의 일 측면에 증착될 수 있으며, 상기 기판(20)의 양쪽 측면에 증착될 수도 있다. 이에 따라, 그래핀으로 이루어진 상기 희생막(30)에서 성장되는 GaN도 기판(20)의 일 방향에서 성장되거나, 기판(20)의 양쪽 방향에서 성장될 수도 있다.
도 2b를 참고하여 상기 기판(20)의 양쪽 방향에서 GaN막이 성장되는 단계를 좀 더 설명하면, 상기 기판(20)의 양쪽 측면에서 GaN을 성장시키기 위해, 먼저 서셉터(susceptor, 10)에 기판(20)을 수직으로 장입시킨다. 즉, 그래핀이 전사된 기판(20)을 일정한 간격을 두고 서셉터(10) 상에 수직으로 배치한다. 그런 다음, 그래핀(30) 상에서 상기 기판(20)의 양쪽 방향으로 GaN을 성장시켜서 GaN막(40)을 얻는다.
상기 그래핀(20)은 육각형 구조를 갖고 있으며, GaN은 6방정계(hexagonal) 방향으로 성장하기 때문에, GaN을 그래핀 상에서 성장시키면 격자 부정합(lattice mismatch)을 제거할 수 있다.
또한, 상기와 같은 유사한 격자 방향으로 인해 GaN은 그래핀 상에서 두껍게 성장될 수 있다. 따라서, 상기 GaN막의 두께가 두꺼울수록 결함 밀도가 감소하기 때문에, 상기 희생막에서 GaN을 두껍게 성장시켜서 결함 밀도를 감소시킬 수 있다. 본 발명에 일 실시예에 따른 제조방법은, 성장속도가 빠른 수소화물 기상성장법을 이용하고, 희생막으로 그래핀을 사용함으로써 GaN막을 두껍게 형성할 수 있다. 즉, 희생막으로 이용되는 그래핀은 GaN과의 격자 부정합 문제를 일으키지 않으면서 GaN을 성장시키기에 안정한 버퍼층 역할을 한다.
상기 그래핀으로 이루어진 희생막을 이용하여 성장된 GaN막의 두께는 200 ㎛ 이상일 수 있다. 바람직하게, 상기 GaN막의 두께는 200 ㎛ 내지 0.5 cm일 수 있다. 이와 같이, 상기 GaN막의 두께를 두껍게 형성함으로써 결함 밀도를 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 GaN막이 두껍기 때문에 절단 방향에 따라 c-plane GaN 뿐만 아니라 m-plane GaN 및 a-plane GaN으로도 사용이 가능하다. 이때, m-plane GaN 및 a-plane GaN으로 사용하기 위해 GaN막을 0.3 cm 이상의 두께로 형성할 수 있다.
이렇게 형성된 기판 및 GaN막은 희생막을 매개로 하여 분리된다(S40). 그래핀으로 이루어진 상기 희생막은 화학적 식각 방법에 의해 기판 및 GaN막을 분리하는 데에 사용된다. 즉, 그래핀을 습식 식각하는 데에 이용되는 아세톤 용액을 사용하여 크랙 없는 GaN 웨이퍼를 수득할 수 있다. 상기 그래핀을 습식 식각하는 데에 사용되는 에천트 용액은 불산, 질산, 염산, 황산, 인산 및 왕수(aqua regia) 등을 포함하나, 이에 제한되지 않는다.
즉, 그래핀을 포함하는 기판 및 GaN막을 아세톤 용액에 담그면, 상기 아세톤 용액이 기판, 그래핀 및 GaN막의 계면 사이로 스며들어 이들을 분리하게 된다. 결국, 그래핀을 분리용 희생막으로 사용하여 기판 및 GaN막을 손상시키지 않고서도 쉽게 분리할 수 있다.
이로 인해, 사파이어 기판 등의 파손을 방지하여 기판의 재사용도 가능하다. 결국, 사파이어 기판 및 GaN막 사이에서 격자 부정합 및 열팽창계수의 차이로 인한 스트레스를 제거하여 크랙이 없는 GaN 웨이퍼를 수득할 수 있으며, 사파이어 기판 등의 파손을 방지하여 기판의 재사용도 가능하다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼 제조방법은, 그래핀(graphene)을 이용하여 기판 및 상기 기판 위에 성장되는 GaN막 사이에 생기는 스트레스를 완화하여 크랙 없는 GaN막을 제조하고, 상기 그래핀을 이용함으로써 GaN막의 두께를 크게 형성할 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법에서 희생막으로 사용되는 그래핀을 제조하는 방법에 대해서 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법에 사용되는 그래핀을 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 상기 그래핀은 열적 화학기상증착법(Thermal Chemical Vapour Deposition)에 의해 형성된다. 먼저, 반응기의 챔버 내 튜브 안에다가 구리 호일(copper foil)을 준비한다(S100). 상기 챔버 내에 메탄 가스를 공급하면서 온도를 1000℃까지 상승시킨다(S200). 이때, 메탄 가스가 탄소 및 수소 원자로 열분해되고(S300), 분해된 탄소 원자가 상기 구리 호일 상으로 확산된다(S400). 탄소 원자가 구리 호일 상으로 확산된 후에, 10℃/초의 속도로 상온(room temperature)까지 냉각시킨다(S500). 확산된 상기 탄소 원자가 석출됨으로써 그래핀이 단일층으로 형성된다(S600). 상기 형성된 그래핀의 두께는 0.34 nm 정도이다. 상기 그래핀의 층 및 두께는 메탄 가스의 양, 메탄 가스를 열분해하는 온도 및 냉각 시간 등을 변경함으로써 조절될 수 있다.
또한, 상기 구리 호일 대신에 니켈 호일(nickel foil)을 사용할 수 있으며, 상기 메탄 가스 공급시, 수소 및 아르곤 기체를 함께 공급할 수 있다. 그래핀을 형성하는 공정의 압력은 500 mTorr이고, 공정 시간은 2시간일 수 있다.
도 3의 흐름도에 따라 생성된 그래핀은, 도 4와 같이 탄소들이 벌집 모양의 육각형 그물처럼 배열된 원자 구조를 갖는다.
결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 GaN 웨이퍼를 제조하는 방법은 도 3의 방법에 따라 제조된 그래핀을 희생막으로 사용하여 크랙 없는 GaN막을 제조하고, 상기 기판 등의 파손을 방지하여 기판의 재사용도 가능하다. 또한, 기판상에 미리 전사된 그래핀 상에서 GaN을 성장시킴으로써 상기 GaN막의 두께를 더 두껍게 형성하여, GaN막의 결함 밀도를 감소시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 서셉터 20 : 기판
30 : 그래핀 40 : GaN막

Claims (6)

  1. 기판에 그래핀을 전사시켜서 분리용 희생막을 증착하는 단계;
    상기 희생막에 GaN을 성장시켜서 GaN막을 형성하는 단계; 및
    상기 희생막을 이용하여, 상기 기판 및 상기 GaN막을 분리하는 단계를 포함하는 GaN 웨이퍼 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 분리용 희생막을 증착하는 단계는, 상기 기판의 양 측면에서 상기 희생막이 증착되는 것을 특징으로 하는 GaN 웨이퍼 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 GaN막을 형성하는 단계는, 상기 기판의 양 측면에 증착된 희생막에 GaN이 성장됨으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN 웨이퍼 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 GaN막을 분리하는 단계는, 아세톤 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN 웨이퍼 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 GaN막을 200 ㎛ 내지 0.5 cm의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 GaN 웨이퍼 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판, SiC 기판, 폴리-AlN 기판 및 Si-Al 기판으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 GaN 웨이퍼 제조방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013157014A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Tata Institute Of Fundamental Research Group iii-nitride semiconducting material and a method of manufacturing the same
CN103779185A (zh) * 2014-01-29 2014-05-07 中国科学院半导体研究所 一种生长GaN厚膜的自剥离方法
KR20160031649A (ko) * 2014-09-12 2016-03-23 한양대학교 산학협력단 전자 소자, 및 그 제조 방법
CN110289207A (zh) * 2019-06-21 2019-09-27 西安电子科技大学 在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法
KR20200108658A (ko) * 2019-03-11 2020-09-21 한국기계연구원 희생층을 이용한 광 유도 전사 방법
CN112542380A (zh) * 2019-09-20 2021-03-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013157014A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Tata Institute Of Fundamental Research Group iii-nitride semiconducting material and a method of manufacturing the same
CN103779185A (zh) * 2014-01-29 2014-05-07 中国科学院半导体研究所 一种生长GaN厚膜的自剥离方法
KR20160031649A (ko) * 2014-09-12 2016-03-23 한양대학교 산학협력단 전자 소자, 및 그 제조 방법
KR20200108658A (ko) * 2019-03-11 2020-09-21 한국기계연구원 희생층을 이용한 광 유도 전사 방법
CN110289207A (zh) * 2019-06-21 2019-09-27 西安电子科技大学 在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法
CN110289207B (zh) * 2019-06-21 2021-03-23 西安电子科技大学 在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法
CN112542380A (zh) * 2019-09-20 2021-03-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件

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