KR20110131268A - 원자층 퇴적 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적 장치이고, 제1 내부 공간을 형성하는 제1 용기와, 제1 용기의 내부에 설치되어, 제2 내부 공간을 형성하는 통형상(筒形狀)의 용기이며, 제2 내부 공간 내를 향하여, 기판 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐르는 제1 개구(開口)를 통형상의 일단(一端)에 구비하는 제2 용기와, 원료 가스를, 제1 개구를 통하여 제2 내부 공간으로 공급하는 가스 공급구를 구비하고, 또한, 제2 용기의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기를 누르는 것에 의하여, 제1 내부 공간에 대하여 제2 내부 공간을 격리하는 누름 부재를 가진다.

Description

원자층 퇴적 장치{ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은, 기판 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적(이하, 생략하여 ALD(Atomic Layer Deposition)라고도 한다) 장치에 관한 것이다.
ALD법은, 형성하려고 하는 막을 구성하는 원소를 주성분으로 하는 2종류의 가스를 성막(成膜) 대상 기판 상으로 번갈아 공급하고, 기판 상에 원자층 단위로 박막을 형성하는 것을 복수회 반복하여 소망 두께의 막을 형성하는 박막 형성 기술이다. 예를 들어, 기판 상에 SiO2막을 형성하는 경우, Si를 포함하는 원료 가스와 O를 포함하는 산화 가스가 이용된다. 또한, 기판 상에 질화막을 형성하는 경우, 산화 가스 대신에 질화 가스가 이용된다.
ALD법은, 원료 가스를 공급하고 있는 동안에 1층 혹은 수층의 원료 가스 성분만이 기판 표면에 흡착되고, 여분의 원료 가스는 성장에 기여하지 않는, 이른바 성장의 자기 정지 작용(셀프 리밋(self limit) 기능)을 이용한다.
ALD법은, 일반적인 CVD(Chemical　Vapor　Deposition)법과 비교하여 높은 단차 피복성과 막 두께 제어성을 겸비한다. 그 때문에, 메모리 소자의 커패시터(capacitor)나, 「high-k 게이트」라고 불리는 절연막의 형성으로의 실용화가 기대되고 있다. 또한, ALD법에서는, 300℃ ~ 400℃의 온도에서 절연막을 형성하는 것이 가능하다. 그 때문에, 액정 디스플레이 등과 같이, 유리 기판을 이용하는 표시 장치의 박막 트랜지스터의 게이트 절연막의 형성에 ALD법을 적용하는 것이 기대되고 있다.
하기 특허 문헌 1에는, 하나의 반응 용기의 반응실 내에서 원료 가스를 반응시켜 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치이고, 반응 용기의 반응실의 용적이 가변하게 구성되는 성막 장치가 기재되어 있다. 기판을 재치(載置, 물건의 위에 다른 것을 올리는 것)하는 히터를 연직(鉛直) 상방(上方)으로 이동하여, 이 히터를 스토퍼(stopper)에 당접(當接, 부딪는 상태로 접함)시키는 것에 의하여, 반응실의 용적을 작게 한다.
일본국 공개특허공보 특개2006－310813호
상기 특허 문헌 1의 성막 장치는, 하나의 반응 용기를 이용하여, 성막 프로세스의 1 사이클에 요하는 시간을 단축할 수 있고, 또한 대략 균일한 막질의 박막을 형성할 수 있다. 현재, 2m × 2m를 넘는 제8세대나 제9세대의 유리 기판 등과 같이, 성막 대상 기판의 대형화에 수반하여, 이와 같은 성막 장치에는, 보다 균일한 막질의 박막을 형성하는 것이 강하게 요구되고 있다.
본 발명은, 종래에 비하여, 보다 균일한 막질의 박막을 기판 상에 성막할 수 있는 원자층 퇴적 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 원자층 퇴적 장치는, 기판 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적 장치이고, 제1 내부 공간을 형성하는 제1 용기와, 상기 제1 용기의 내부에 설치되어, 제2 내부 공간을 형성하는 통형상(筒形狀)의 용기이며, 당해 제2 내부 공간 내를 향하여, 기판 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐르는 제1 개구(開口)를 통형상의 일단(一端)에 구비하는 제2 용기와, 상기 원료 가스를, 상기 제1 개구를 통하여 상기 제2 내부 공간으로 공급하는 가스 공급구를 구비하고, 또한, 상기 제1 내부 공간에 대하여 상기 제2 내부 공간을 격리하기 위하여, 상기 제2 용기의 통형상의 긴쪽 방향으로 당해 제2 용기를 누르는 누름 부재를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 원자층 퇴적 장치에 의하면, 종래에 비하여, 보다 균일한 막질의 박막을 기판 상에 성막할 수 있다.
도 1은 본 발명의 원자층 퇴적 장치의 일 실시예의 개략의 장치 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a)는, 도 1에 도시하는 원자층 퇴적 장치의 제2 용기의 개략 구성도이다. (b)는, 기판의 반입 및 반출 방법을 설명하는 도면이다.
도 3의 (a)는, 도 1에 도시하는 원자층 퇴적 장치의 누름 부재의 구성을 도시하는 단면도이다. (b)는, (a)에 도시하는 누름 부재의 우측면도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 원자층 퇴적 장치의 제1 용기의 상측 부분과 하측 부분을 분리한 상태를 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 원자층 퇴적 장치를, 일 실시예에 기초하여, 상세하게 설명한다.
(원자층 퇴적 장치의 개략 구성)
원자층 퇴적 장치(10)는, TMA(Tri-Methyl-Aluminium) 등의 원료 가스와, 오존 O3　등의 산화 가스를 번갈아 공급하여, 원자 단위로 퇴적하여 박막을 형성한다.
도 1은, 기판(12) 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적 장치(이후, ALD 장치라고 한다) (10)의 개략의 장치 구성을 도시하는 단면도이다.
ALD 장치(10)는, 주로, 제1 용기(20)와 제2 용기(40)와 누름 부재(60)를 가진다. 제1 용기(20)는, 소정의 압력을 유지하는 제1 내부 공간(22)을 형성하는 외측 용기이다. 제2 용기(40)는, 제1 용기(20)의 내부에 설치되어, 소정의 압력을 유지하는 제2 내부 공간(42)을 형성하는 내측 용기이다. 누름 부재(60)는, 수평 방향으로 제2 용기(40)를 누르는 것에 의하여, 제1 내부 공간(22)에 대하여 제2 내부 공간(42)을 격리한다. 또한, 누름 부재(60)는, 제2 내부 공간(42)으로 공급하는 원료 가스가 흐르는 가스 공급구(62)(도 3 참조)를 구비한다.
이하, 이들 구성에 관하여, 보다 상세하게 설명한다.
(제1 용기)
우선, 도 1을 참조하여, 제1 용기(20)에 관하여 설명한다.
제1 용기(20)는, SUS(Steel Use Stainless) 등의 금속 재료로 구성되어 있다. 제1 용기(20)의 상벽(上壁)에는, N2 가스(혹은 불활성 가스)를 제1 내부 공간(22)으로 도입하는 가스 도입구가 설치되어 있다. 또한, 제1 용기(20)의 측벽에는, 배기관(38)이 접속되는 배기구가 설치되어 있다. 제1 내부 공간(22) 내의 가스는, 배기구를 통하여, 터보 분자 펌프 등의 배기부(39)에 의하여, 제1 용기(20)의 외부로 배기된다. 이것에 의하여, 제1 내부 공간(22) 내는, 도입된 N2 가스의 분위기에서, 소정의 압력으로 유지된다. 제1 내부 공간(22)을 소정의 압력으로 감압하는 것에 의하여, 후술하는 히터(24, 25)가 산화하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제1 용기(20)의 측벽에는, 후술하는 누름 부재(60), 가스 도입관(64)이 각각 관통하는 관통 구멍이 설치되어 있다.
제1 용기(20)의 내부에 설치되는 제2 용기(40)의 상방에는, 제2 용기(40)에 인접하여 히터(24)가 설치되어 있다. 히터(24)는, 제2 용기(40)를 통하여, 제2 내부 공간(42)으로 공급되는 원료 가스 및, 제2 용기(40)의 내부에 재치되는 기판(12)을 가열한다. 히터(24)의 배선 등은, 제1 용기(20)의 상부에 설치된 관통 구멍을 통하여 외부로 꺼내어져, 도시하지 않는 전원에 접속되어 있다.
또한, 제1 용기(20)의 내부에 설치되는 제2 용기(40)의 하방(下方)에는, 제2 용기(40)에 인접하여 히터(25)가 설치되어 있다. 히터(25)는, 후술하는 지지 기구(34)에 의하여 지지되어 있다. 히터(25)는, 제2 용기(40)를 통하여, 제2 용기(40)의 내부에 재치되는 기판(12)을 가열한다. 히터(25)의 배선 등은, 도시하지 않는 관통 구멍을 통하여 제1 용기(20)의 외부로 꺼내어져, 도시하지 않는 전원에 접속되어 있다.
제1 용기(20)의 측벽부(26)에는, 기판(12)의 반입 및 반출을 행하는 관통 구멍이 설치되어 있다. 이 관통 구멍은, 후술하는 제2 용기(40)의 제2 개구(46)(도 2(a) 참조)와 대향하도록 구성된다. 또한, 이 관통 구멍으로부터 제2 용기(40)의 외측을 향하여 수평 방향으로 연장한 부분에, 제1 용기(20)의 외부로 연결되는 셔터(27)가 설치되어 있다. 따라서, 기판(12)을 반입할 때는, 셔터(27)를 열고, 제2 개구(46)를 통하여, 제2 용기(40) 내로 기판(12)을 반입한다. 또한, 기판(12)을 반출할 때는, 셔터(27)를 열고, 제2 개구(46)를 통하여, 제2 용기(40) 내로부터 기판(12)을 반출한다.
제1 용기(20)의 저부(底部, 28)의 위에는, 제2 용기(40)를 지지하는 지지 기구(34)가 설치되어 있다. 지지 기구(34)는, 차륜(캐스터(caster)) 등의 이동 기구(35)를 구비하고 있어, 제1 용기(20)의 저부(28)의 면내 방향으로 이동할 수 있다. 지지 기구(34)는, 제2 용기(40)를 지지하는 것과 함께, 히터(25)도 지지한다.
제1 용기(20)의 저부(28)는, 제1 용기(20)의 측벽 및 상벽과 분리 가능하게 되어 있다. 제1 용기(20)의 저부(28)에는, 도 중 하방으로 연장되는 2개의 로드(rod)가 설치되고, 이 2개의 로드에 유압 실린더 등의 승강기구(36)가 설치되어 있다. 승강기구(36)는, 제1 용기(20)의 저부(28)와, 지지 기구(34)와, 지지 기구(34)가 지지하는 제2 용기(40) 및 히터(25)를 연직 방향으로 승강시킨다. 제1 용기(20)의 저부(28)와 측벽부의 사이에는 O링(29)이 설치되어 있어, 승강기구(36)가 저부(28)를 상승시키는 것으로, 제1 내부 공간(22)이 외부에 대하여 닫히는 구성으로 되어 있다.
(제2 용기)
다음으로, 도 2를 참조하여, 제2 용기(40)에 관하여 설명한다. 도 2(a)는, 제2 용기(40)의 개략 구성도이다.
제2 용기(40)는, 제1 용기(20)의 내부에 설치된다. 또한, 제2 용기(40)는, 제2 내부 공간(42)을 형성하는 통형상의 용기이다. 제2 용기(40)는, 안정한 재질인 점으로부터 석영이 호적(好適)하게 이용된다. 기판(12)을 유리 기판으로 한 경우, 재료 자체가 대략 같기 때문에, 기판(12)에 다른 성분이 부착할 걱정이 없다고 하는 이점이 있다.
제2 용기(40)는, 제1 용기(20)의 내부에 수평하게 위치하도록, 지지 기구(34)에 지지되어 있다. 통형상의 일단에는, 기판(12) 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐르는 제1 개구(44)가 설치되어 있다. 도 2(a)에 도시되는 예에서는, 2개의 제1 개구(44a, 44b)가 설치되어 있다. 제1 개구(44a)는, 후술하는 기판 지지부(47)가 설치되는 높이 방향의 위치보다도 연직 상방의 위치에 설치되어 있다.
제1 개구(44)를 구비하는 측과 반대 측의 가장자리에는, 제2 내부 공간(42) 내의 가스가 제2 내부 공간(42) 밖으로 흐르는 제2 개구(46)가 설치되어 있다. 제2 개구(46)는, 제1 용기(20)의 측벽부(26)에 설치된 관통 구멍과 대향하도록 구성되어 있다.
도 2(b)는, 기판(12)의 반입 및 반출 방법을 설명하는 도면이다. 기판(12)은, 반송 대차(臺車)의 기판 재치 선단의 포크(fork)부(70)에 재치된다. 포크부(70)에 재치된 기판(12)은, 셔터(27), 제2 개구(46)를 통하여 제2 용기(40)로 반입 및 반출된다.
제2 용기(40)의 내부에는, 기판(12)을 재치하기 위한 기판 지지부(47)가 설치되어 있다. 기판 지지부(47)의 제2 개구(46) 측의 형상은, 기판(12)을 반입 및 반출하는 반송 대차의 기판 재치 선단의 포크부(70)에 대응한 즐치상(櫛齒狀)이다.
이와 같이, 제2 개구(46) 측의 형상을 포크부(70)에 대응한 즐치상으로 한 것에 의하여, 통형상의 높이가 낮은 제2 내부 공간(42)으로 큰 기판(12)을 반입, 반출하는 경우에서도, 박막을 형성하는 면이 제2 용기(40)의 내면과 닿는 것 없이, 기판(12)을 반입 및 반출할 수 있다.
제2 용기(40)는, 통형상의 긴쪽 방향(도 1의 수평 방향)으로 누름 부재(60)에 의하여 눌러진다. 누름 부재(60)와 제2 용기(40)의 사이에는 O링(45a)이 설치되어 있다. 또한, 제2 용기(40)와 제1 용기(20)의 측벽부(26)의 사이에는 O링(45b)이 설치되어 있다. 제2 용기(40)는 이동 기구(35)를 구비하는 지지 기구(34)에 지지되어 있기 때문에, 제2 용기(40)는 통형상의 긴쪽 방향으로 이동할 수 있다. 그 때문에, 통형상의 긴쪽 방향으로, 누름 부재(60)가 제2 용기(40)를 누르는 것으로, 제2 용기(40)는, O링(45a, 45b)을 통하여 제1 용기(20)에 밀어 붙여지고, 제2 내부 공간(42)은 제1 내부 공간(22)에 대하여 격리된다. 즉, 누름 부재(60)가 제2 용기(40)의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기(40)를 누르는 것에 의하여, 누름 부재(60)는 제1 내부 공간(22)에 대하여 제2 내부 공간(42)을 격리한다.
일반적으로, O링을 이용하여 공간을 밀폐하는 경우, O링의 둘레의 길이가 짧은 만큼, 보다 확실하게 2개의 공간을 격리할 수 있다. 도 1에 도시되는 예에서는, 제2 용기(40)의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기(40)를 누르는 구성으로 하였기 때문에, 제2 용기(40)의 통형상의 짧은쪽 방향(연직 방향)으로 제2 용기를 누르는 구성과 비교하여, 제2 내부 공간(42)을 제1 내부 공간(22)에 대하여 격리하기 위하여 필요한 O링의 둘레의 길이를 짧게 할 수 있다.
이와 같이, 제2 용기(40)의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기(40)를 누르는 구성으로 하는 것에 의하여, 제2 용기(40)의 제2 내부 공간(42)을 제1 내부 공간(22)에 대하여 보다 확실하게 격리할 수 있다. 그 때문에, 제2 내부 공간(42)으로부터 제1 내부 공간(22)으로 원료 가스가 새어 나오는 것을 억제할 수 있다.
제2 내부 공간(42)으로부터 제1 내부 공간(22)으로 원료 가스가 새어 나오는 것을 억제하는 것에 의하여, 제1 내부 공간(22)으로 새는 원료 가스에 의하여 제1 내부 공간(22) 내에 생성되는 파티클(particle)을 저감할 수 있다. 나아가, 제2 내부 공간(42)을 제1 내부 공간(22)에 대하여 보다 확실하게 격리하는 것에 의하여, 제1 내부 공간(22)에 존재하는 파티클이 제2 내부 공간(42)으로 혼입하는 것을 억제할 수 있다. 제2 내부 공간(42)으로 혼입한 파티클이, 제2 용기(40)의 내부에 재치되는 기판(12)에 부착하면, 막질의 저하로 연결된다. 따라서, 도 1에 도시되는 예와 같이, 제2 용기(40)의 통형상의 긴쪽 방향으로 제2 용기(40)를 누르는 구성으로 하는 것으로, 보다 균일한 막질의 박막을 성막할 수 있다.
제1 내부 공간(22)에 대하여 격리되는 제2 내부 공간(42)에는, 제1 개구(44)로부터 기판(12) 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐른다. 제2 내부 공간(42) 내의 가스는, 제2 개구(46)와 이것에 대향하는 제1 용기의 측벽부(26)에 설치된 관통 구멍을 통하여, 제2 내부 공간(42) 밖으로 흐른다.
제2 개구(46)와 셔터(27)의 사이의 통로상에는 배기관(50)이 접속되는 배기구가 설치되어 있고, 터보 분자 펌프 등의 배기부(51)에 의하여, 제2 내부 공간(42) 내의 가스는, 제2 용기(40)의 외부로 배기된다. 이것에 의하여, 제2 내부 공간(42) 내는, 도입된 원료 가스의 분위기에서, 소정의 압력으로 유지된다. 제2 내부 공간(42)의 압력은, 전술한 제1 내부 공간(22)의 압력과 같은 압력이어도 무방하고, 다른 압력이어도 무방하다.
제2 용기(40)의 내측이나 제2 개구(46)와 셔터(27)의 사이 등, 기판(12)의 반입 및 반출의 때에, 기판(12)이 통과하는 부분에는, 박막을 형성하여야 하는 기판 이외에 박막이 부착하는 것을 막기 위한 방착판(防着板, 52)이 설치되어 있다.
또한, 제2 용기(40)에는, 용기를 보호하기 위한 보호 캡(54)이 설치되어 있다.
(누름 부재)
다음으로, 도 3을 참조하여, 누름 부재(60)에 관하여 설명한다. 도 3(a)는, 누름 부재(60)의 일례의 구성을 도시하는 단면도이다. 도 3(b)는, 도 3(a)에 도시하는 누름 부재(60)의 우측면도이다.
누름 부재(60)에는, 원료 가스를, 제2 용기(40)의 제1 개구(44)를 통하여 제2 내부 공간(42)으로 공급하는 가스 공급구(62)가 설치되어 있다. 도 3(a)에 도시되는 예에서는, 누름 부재(60)에는, 2개의 가스 공급구(62a, 62b)가 설치되어 있다. 또한, 누름 부재(60)에는, 원료 가스나 산화 가스를 제2 내부 공간(42)으로 도입하는 가스 도입관(64)이 접속되어 있다. 도 3(a)에 도시되는 예에서는, 누름 부재(60)에는, 2개의 가스 도입관(64a, 64b)이 접속되어 있다.
가스 도입관(64a)은, 원료 가스(예를 들어, TMA 등의 유기 금속의 가스)나 퍼지 가스(purge gas)(예를 들어, 질소 가스)를, 가스 공급구(62a)를 통하여 제2 내부 공간(42)으로 도입한다. 가스 도입관(64b)은, 산화 가스(예를 들어, 오존)나 퍼지 가스(예를 들어, 질소 가스)를, 가스 공급구(62b)를 통하여 제2 내부 공간(42)으로 도입한다.
도 3(b)에 도시되는 바와 같이, 누름 부재(60)의 제2 용기(40)를 누르는 측의 면은 다수의 가스 공급구(62)를 구비한다. 기판(12)에 원료 가스를 균일하게 공급하기 위하여, 가스 공급구(62)는, 기판(12)의 폭 방향(도 3(b)의 좌우 방향)에 등간격으로 설치되어 있다. 또한, 가스 공급구(62)는, 기판(12)의 폭 방향보다도 넓은 범위에 설치되어 있다.
도 3에 도시되는 예에서는, 제2 용기(40)에 설치된 제1 개구(44a)와 대향하는 높이 방향의 위치에, 가스 공급구(62a, 62b)의 모두가 위치하도록, 가스 공급구(62)가 설치되어 있다. 그 때문에, 제2 내부 공간(42)으로의 원료 가스의 공급은, 기판 지지부(47)가 설치되는 높이 방향의 위치보다도 연직 상방의 위치에서 행하여진다.
원료 가스는, 기판 지지부(47)에 재치된 기판(12) 상을 통과하여, 그 일부분은 기판(12)에 흡착된다. 또한, 활성화 된 산화 가스는, 기판(12)에 흡착된 원료 가스의 성분을 산화할 수 있다.
도 2, 도 3에 도시되는 예에서는, 제2 내부 공간(42) 전체에 원료 가스를 흐르게 하는 것이 아니라, 기판 지지부(47)가 설치되는 높이 방향의 위치보다도 연직 상방의 위치에 원료 가스를 흐르게 한다. 그 때문에, 본 실시예에 의하면, 박막의 성장에 필요한 부분에만 원료 가스를 흐르게 할 수 있기 때문에, 원료 가스의 사용 효율을 올릴 수 있다.
덧붙여, 제2 용기(40)에 있어서, 제2 용기(40)의 제1 개구(44b)는 반드시 필요한 것은 아니기 때문에, 제1 개구(44b)를 설치하지 않고, 제1 개구(44a)만을 설치하는 구성으로 하여도 무방하다.
또한, 도 1에 도시되는 예의 누름 부재(60)는, 제2 용기(40)의 통형상의 긴쪽 방향(수평 방향)으로 이동할 수 있다. 누름 부재(60)가 제2 용기(40)의 통형상의 긴쪽 방향으로 이동하여, 제2 용기(40)를 누르는 것에 의하여, 제1 내부 공간(22)에 대하여 제2 내부 공간(42)을 격리할 수 있다.
덧붙여, 제1 내부 공간(22)에 대하여 제2 내부 공간(42)을 격리한다는 것은, 제1 내부 공간(22)의 압력과 제2 내부 공간(42)의 압력이 개별로 제어 가능한 정도로 공간적으로 분리해 있는 것을 의미한다.
(클리닝 시의 원자층 퇴적 장치의 개략 구성)
다음으로, 도 4를 참조하여, 클리닝 시의 원자층 퇴적 장치의 개략 구성을 설명한다. 도 4는, ALD 장치(10)의 제1 용기(20)의 상측 부분(32)과 하측 부분(30)을 분리한 상태를 도시하는 단면도이다.
제2 용기(40)의 클리닝을 행할 때에는, 우선, 누름 부재(60)를 수평 방향(도 중 좌 방향)으로 이동하는 것으로, 제2 용기(40)의 누름을 개방한다. 이어서, 승강기구(36)에 의하여, 제1 용기(20)의 저부(28)를 포함하는 하측 부분(30)을 상측 부분(32)에 대하여 하방으로 이동하는 것에 의하여, 하측 부분(30)을 상측 부분(32)으로부터 분리한다. 이것에 의하여, 저부(28)의 위의 지지 기구(34)에 지지되는 제2 용기(40)도 상측 부분(32)으로부터 분리된다.
도 4에 도시되는 바와 같이, 제1 용기(20)의 상측 부분(32)과 하측 부분(30)을 분리하고, 지지 기구(34)를 수평 방향으로 이동하는 것에 의하여, 제2 용기(40)를 제1 용기의 상측 부분(32)의 연직 하방으로부터 이동할 수 있다. 제1 용기(20)의 하측 부분(30)과 함께 이동한 제2 용기(40)는, 제1 용기(20)의 하측 부분(30)으로부터 떼어 내진다. 이렇게 하여, 제2 용기(40)는 제1 용기(20)로부터 떼어 내진다.
도 4에 도시되는 예에 의하면, 제1 용기(20)의 내부에 설치한 제2 용기(40)를 용이하게 꺼낼 수 있기 때문에, 제2 용기(40)의 클리닝을 용이하게 행할 수 있다. 클리닝의 처리로서는, 웨트 에칭(wet etching)을 행하는 것, 방착판(52)을 꺼내어 교환 또는 클리닝을 행하는 것, 등이 있다.
10 : 원자층 퇴적 장치
12 : 기판
20 : 제1 용기
22 : 제1 내부 공간
24, 25 : 히터
26 : 측벽부
27 : 셔터
28 : 저부
29 : O링
30 : 하측 부분
32 : 상측 부분
34 : 지지 기구
35 : 이동 기구
36 : 승강 기구
38 : 배기관
39 : 배기부
40 : 제2 용기
42 : 제2 내부 공간
44, 44a, 44b : 제1 개구
45a, 45b : O링
46 : 제2 개구
47 : 기판 지지부
50 : 배기관
51 : 배기부
52 : 방착판
54 : 보호 캡
60 : 누름 부재
62, 62a, 62b : 가스 공급구
64, 64a, 64b : 가스 도입관
70 : 포크부

Claims (5)

  1. 기판 상에 박막을 형성하는 원자층 퇴적 장치이고,
    제1 내부 공간을 형성하는 제1 용기와,
    상기 제1 용기의 내부에 설치되어, 제2 내부 공간을 형성하는 통형상(筒形狀)의 용기이며, 당해 제2 내부 공간 내를 향하여, 기판 상에 박막을 형성하는 원료 가스가 흐르는 제1 개구(開口)를 통형상의 일단(一端)에 구비하는 제2 용기와,
    상기 원료 가스를, 상기 제1 개구를 통하여 상기 제2 내부 공간으로 공급하는 가스 공급구를 구비하고, 또한, 상기 제1 내부 공간에 대하여 상기 제2 내부 공간을 격리하기 위하여, 상기 제2 용기의 통형상의 긴쪽 방향으로 당해 제2 용기를 누르는 누름 부재를 가지는 것을 특징으로 하는 원자층 퇴적 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 용기는, 상기 제1 개구를 구비하는 측과 반대 측의 가장자리에, 상기 제2 내부 공간 내의 가스가 당해 제2 내부 공간 밖으로 흐르는 제2 개구를 구비하는, 원자층 퇴적 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 용기는, 기판을 재치(載値)하기 위한 기판 지지부를 구비하고, 당해 기판 지지부의 상기 제2 개구 측의 형상은, 기판을 반입 및 반출하는 반송 대차(臺車)의 기판 재치 선단(先端)의 포크(fork)부에 대응한 즐치상(櫛齒狀)인, 원자층 퇴적 장치.
  4. 제3항에 있어서
    상기 제2 용기는, 상기 긴쪽 방향이 수평 방향으로 되도록 설치되고, 상기 제2 내부 공간으로의 상기 원료 가스의 공급은, 상기 기판 지지부가 설치되는 높이 방향의 위치보다도 연직(鉛直) 상방(上方)의 위치에서 행하여지고,
    상기 누름 부재는, 상기 제1 개구와 대향하는 높이 방향의 위치에 상기 가스 공급구를 구비하는, 원자층 퇴적 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 용기는, 당해 제1 용기의 저부(底部)를 포함하는 하측 부분과, 당해 하측 부분 이외의 상측 부분으로 분리 가능하게 구성되고,
    상기 제2 용기는, 상기 제1 용기의 저부로부터 연장되는 지지 기구를 이용하여 지지되고,
    상기 제1 용기의 저부는, 당해 제1 용기의 상기 상측 부분에 대하여 분리 가능하게 상하 방향으로 이동하고, 상기 하측 부분은 하강하여 상기 상측 부분으로부터 분리되는 것에 의하여, 상기 제2 용기는 상기 제1 용기로부터 떼어 내지도록 구성되어 있는, 원자층 퇴적 장치.
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