KR20110113488A - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents
발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 제1 실시예에 따른 발광 소자의 상면도이다.
도 3 내지 도 10은 제1 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 11은 제2 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 12는 제3 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 13은 실시예들에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 14는 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.
Claims (20)
- 제1도전형 반도체층 ,상기 제1도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제2도전형 반도체층 아래에 전도성 지지부재; 및
상기 발광 구조물의 일부를 커버하는 보호 부재를 포함하며,
상기 발광 구조물은 제1폭과 제2폭을 가지며, 상기 제1폭과 상기 제2폭의 차이는 단차 구조 또는 경사진 구조를 형성하며,
상기 보호 부재는 상기 발광 구조물의 제1폭과 제2폭 차이에 의해 형성되는 상기의 단차 구조 또는 경사진 구조를 커버하는 발광 소자. - 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층은 상기 제1도전형 반도체층의 둘레에 상기 발광 구조물의 제1폭과 제2폭의 차이에 의한 단차 구조 또는 경사진 구조를 포함하는 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2도전형 반도체층은 제1폭을 가지며,
상기 제2도전형 반도체층의 둘레에 상기 제1폭과 제2폭의 차이에 의한 단차 구조 또는 경사진 구조가 형성되는 발광 소자. - 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 상면은 제1폭을 가지며,
상기 제1도전형 반도체층의 상면과 상기 보호 부재의 상면은 동일 평면 상에 형성되는 발광 소자. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 발광 구조물의 반도체 재료보다 굴절률이 낮은 투광성 물질, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, 또는 Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층에서 상기 제2폭을 형성하는 하부는 상기 제1폭을 형성하는 상부보다 더 넓고 상기 활성층에 더 가깝게 배치되는 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 보호 부재의 둘레는 단차 구조 또는 경사진 구조를 포함하는 발광 소자.
- 제7항에 있어서, 상기 보호 부재는 상기 발광 구조물의 둘레에 연속적인 루프 형상 또는 고리 형상을 포함하는 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층 상에 제1전극; 상기 제2도전형 반도체층과 상기 전도성 지지부재 사이에 오믹층, 반사층, 또는 접착층 중 적어도 한 층을 포함하는 발광 소자.
- 제9항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제1도전형 반도체층 및 상기 보호 부재 사이에 도전형 도펀트를 포함하는 3족-5족 화합물 반도체층을 포함하는 발광 소자.
- 기판 상에 베이스 반도체층을 형성하는 단계;
상기 베이스 반도체층에 제2폭보다 적어도 넓은 간격으로 이격된 에칭홈을 형성하는 단계;
상기 베이스 반도체층 상에 상기 에칭홈을 따라 제1폭 간격으로 이격된 보호부재를 형성하는 단계; 및
상기 베이스 반도체층 및 상기 보호부재의 상에 발광 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제 11항에 있어서,
상기 발광 구조물 상에 반사층 및 전도성 지지부재 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 발광 구조물, 상기 반사층, 또는 상기 전도성 지지부재 중 어느 하나를 형성한 후, 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제1항에 있어서, 상기 에칭 홈은 상기 베이스 반도체층을 통해 상기 기판을 노출시키며, 상기 에칭 홈에 마스크 부재를 형성하는 발광 소자 제조방법.
- 제 13항에 있어서,
상기 마스크 부재의 하단은 상기 기판의 상면보다 아래에 배치되는 발광 소자 제조방법. - 제 12항에 있어서, 상기 기판을 제거한 후,
상기 베이스 반도체층을 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제 11항에 있어서, 상기 베이스 반도체층은 버퍼층, 비전도성 반도체층 및 제1 도전형 반도체층 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 보호부재는 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, 또는 Al2O3 중 적어도 하나로 형성된 발광 소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 발광 구조물은 하부의 제1폭 및 상기 제1폭보다 큰 상부의 제2폭을 갖는 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자 제조방법.
- 제 18항에 있어서, 상기 발광 구조물을 상기 제1폭보다 넓은 제2폭 간격으로 분리하는 브레이킹 공정을 실시하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
- 발광 소자;
상기 발광 소자가 탑재되는 몸체부;
상기 몸체부에 배치되어 상기 발광 소자와 전기적으로 연결되는 복수의 전극; 및
상기 발광 소자를 포위하는 몰딩부재를 포함하며,
상기 발광 소자는 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
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Families Citing this family (2)
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Family Cites Families (25)
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---|---|---|---|---|
JPS64785A (en) * | 1986-07-29 | 1989-01-05 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of mask semiconductor laser |
JP4902040B2 (ja) * | 2000-06-21 | 2012-03-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US6898224B2 (en) * | 2001-08-22 | 2005-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
JP2005109087A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子 |
JP2004296796A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
EP1664393B1 (en) | 2003-07-14 | 2013-11-06 | Allegis Technologies, Inc. | METHOD OF PROducING GALLIUM NITRIDE LEDs |
JP2005045054A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sharp Corp | Iii族窒化物半導体発光素子 |
CN1622346A (zh) * | 2003-11-25 | 2005-06-01 | 诠兴开发科技股份有限公司 | 高导热pcb型表面粘着发光二极管 |
US7791061B2 (en) | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
KR100818522B1 (ko) * | 2004-08-31 | 2008-03-31 | 삼성전기주식회사 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
US7964884B2 (en) * | 2004-10-22 | 2011-06-21 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | GaN compound semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same |
KR100714589B1 (ko) | 2005-10-05 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 발광 다이오드의 제조 방법 |
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KR100786797B1 (ko) | 2006-02-07 | 2007-12-18 | 한국광기술원 | 실리콘 기판 3족 질화물계 적층구조를 가지는 발광다이오드및 그 제작방법 |
EP1906461B1 (de) | 2006-09-26 | 2020-03-18 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
US20080087875A1 (en) | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Feng-Hsu Fan | Protection for the epitaxial structure of metal devices |
JP2008130799A (ja) | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
US7764722B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-07-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
US8436371B2 (en) * | 2007-05-24 | 2013-05-07 | Cree, Inc. | Microscale optoelectronic device packages |
TWI353068B (en) * | 2007-07-19 | 2011-11-21 | Lite On Technology Corp | Semiconductor light-emitting element and process f |
KR101427875B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2014-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100957742B1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-05-12 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
JP5223552B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2013-06-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
KR100982988B1 (ko) | 2008-05-14 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US8288785B2 (en) * | 2008-12-03 | 2012-10-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode |
-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160134042A (ko) * | 2015-05-14 | 2016-11-23 | (주)포인트엔지니어링 | 발광소자 라이트 엔진 |
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