KR20110078779A - 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물 - Google Patents

저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20110078779A
KR20110078779A KR1020090135673A KR20090135673A KR20110078779A KR 20110078779 A KR20110078779 A KR 20110078779A KR 1020090135673 A KR1020090135673 A KR 1020090135673A KR 20090135673 A KR20090135673 A KR 20090135673A KR 20110078779 A KR20110078779 A KR 20110078779A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acrylate
methacrylate
negative photoresist
weight
photoresist composition
Prior art date
Application number
KR1020090135673A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101318870B1 (ko
Inventor
김준영
한미정
박성철
김연
김도
Original Assignee
주식회사 삼양사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 삼양사 filed Critical 주식회사 삼양사
Priority to KR1020090135673A priority Critical patent/KR101318870B1/ko
Publication of KR20110078779A publication Critical patent/KR20110078779A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101318870B1 publication Critical patent/KR101318870B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명에 따라 에폭시기를 갖는 아크릴계 공중합체, 다관능성 아크릴레이트계 단량체, 광개시제 및 유기용매를 포함하는 음성 포토레지스트 조성물은, 이소시아네이트계 경화 보조제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 유기 절연막의 잔사의 발생이 적고, 저온에서 경화가 가능하다.
포토레지스트, 저온경화

Description

저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물{Negative photoresist compositions with low temperature curable property}
본 발명은 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 전자 소자의 유기 절연막을 형성하기 위한 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 액정 물질의 광학적, 전기적 성질을 이용하여 이미지를 표시한다. 액정표시장치는 CRT, 플라즈마 디스플레이 패널 등과 비교하여, 경량, 저전력, 낮은 구동 전압 등의 장점을 갖는다.
일반적으로, 액정 표시 장치는 다수의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 표시 기판을 갖는다. 상기 박막 트랜지스터는 패시베이션 층에 의해 보호되며, 상기 패시베이션 층 위에는 유기 절연막이 형성될 수 있다. 상기 유기 절연막은 기판을 평탄화하고 RC 딜레이를 개선할 수 있기 때문에, 상기 유기 절연막을 포함하는 액정 표시 장치가 널리 사용되고 있다.
일반적으로, 상기 유기 절연막은 양성(positive) 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된다. 양성 포토레지스트 조성물은 감광제로서 디아조나프토퀴논을 포 함하는데, 상기 디아조나프토퀴논의 아조 그룹 때문에 붉은 색을 띠게 된다. 이로 인하여 광투과율이 저하되고, 액정 표시 장치의 색좌표가 이동되는 문제점이 있다. 또한, 액정표시 장치의 제조 공정에서 고온에 의해 저분자 물질의 분해가 발생하여 잔상문제를 일으킬 수 있다.
따라서, 음성(negative) 포토레지스트 조성물을 이용하여 유기 절연막을 형성하려는 시도가 있으나, 일반적인 음성 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 유기 절연막은 상대적으로 낮은 해상도를 가져 비노광부에서 잔사가 발생한다는 문제점이 있다. 또한, 종래 음성 포토레지스트 조성물은 220℃ 이상의 높은 경화 온도를 필요로 한다. 경화 온도가 220℃ 이상에서 이루어지는 경우에는 기판의 열팽창 계수가 높거나 유리전이온도(Tg)가 낮을 경우 사용할 수 없는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 유기 절연막의 잔사를 감소시키며, 저온에서 공정이 가능한 음성 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따라 에폭시기를 갖는 아크릴계 공중합체, 다관능성 아크릴레이트계 단량체, 광개시제 및 유기용매를 포함하는 음성 포토레지스트 조성물은, 이소시아네이트계 경화 보조제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 이소시아네이트계 경화 보조제를 사 용함으로써 유기 절연막의 잔사를 감소시킬 수 있고, 특히 상대적으로 저온, 약 150℃ 이하에서 경화가 가능하게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 이소시아네이트계 경화 보조제는 예를 들면, 트리글리시딜 이소시아누레이트, 트리스-(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 디시안아미드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체는 불포화 카르복시산 단량체, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물 단량체 및 올레핀계 불포화 단량체를 포함하는 단량체들로부터 중합하여 얻어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 다관능성 아크릴레이트계 단량체는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트,펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 디펜타아리스리톨 폴리아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 상기 조성물 전체 100 중량부에 대하여, 아크릴계 공중합체 5 내지 40 중량부, 다관능성 아크릴레이트계 단량체 2 내지 30 중량부, 광개시제 0.5 내지 10중량부, 이소시아네이트계 경화 보조제 0.1 내지 3 중량부 및 잔량의 유기용매를 포함할 수 있다.
선택적으로, 본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 접착증진제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 경화보조제를 사용하게 되면 에폭시 수지의 기존 경화온도보다 낮은 150℃ 부근에서 경화가 일어나게 된다. 이로서 낮은 공정 온도를 가능하게 하여 다양한 기판에 다양한 공정온도에 사용할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 투과율이 높은 유기 절연막을 형성할 수 있으며, 유기 절연막의 잔사를 감소시킬 수 있다. 따라서, 표시품질(투과도) 개선될 뿐만 아니라 해상도를 상승시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 에폭시기를 갖는 아크릴계 공중합체, 다관능성 아크릴레이트계 단량체, 광개시제 및 유기용매를 포함하며, 특히 이소시아네이트계 경화 보조제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 사용되는 경화보조제는 에폭시 개환반응을 기존의 약 220℃ 보다 낮은 온도인 140~170℃에서 일어날 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 이러한 기능을 할 수 있는 이소시아네이트계 경화보조제로는 트리글리시딜 이소시아누레이트, 트리스-(2-카르복시에틸)이소시아누레이트 및 디시안아미드를 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 경화보조제는 조성물 전체 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 3중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 0.1 중량부 미만이면 에폭시기의 충분한 경화가 이루어지지 않아 경도 등 물리적 특성이 저하될 수 있고, 3 중량부 초과이면 미반응 모노머로 남아 장기 신뢰성에 문제를 줄 수 있다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 에폭시기를 갖는 아크릴계 공중합체는 불포화 카르복시산 단량체와 에폭시기를 함유하는 불포화 화합물 단량체를 포함하는 단량체, 및 올레핀계 불포화 단량체를 포함하는 단량체들을 중합반응시켜 얻어질 수 있다.
상기 불포화 카르복시산 단량체의 함량은 아크릴계 공중합체(고형분) 전체 중량에 대하여 약 5 내지 50 중량% 일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 약 8 내지 30 중량%일 수 있다. 상기 불포화 카르복시산 화합물의 함량이 5 중량% 미만일 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 낮아지며, 50 중량%를 초과할 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커지게 된다.
상기 불포화 카르복시산 단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 메틸메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산, 또는 이들의 무수물 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시기를 함유한 불포화 화합물 단량체는, 예를 들어, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르 등을 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 에폭시기를 함유한 불포화 화합물 단량체의 함량은 아크릴계 공중합체(고형분) 전체 중량에 대하여 약 10 내지 40중량%일 수 있다. 10중량% 미만인 경우 물리적 성질이 떨어질 수 있으며, 40중량%를 초과하는 경우 미반응 반응기로 남거나 깨짐성이 커질 수 있다.
상기 올레핀계 불포화 단량체는 예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소 보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸 1,3-부타디엔, 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트 등을 포함할 수 있으며 이들을 각각 단독 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
상기 올레핀계 불포화 화합물 단량체의 함량은 아크릴계 공중합체(고형분) 전체 중량에 대하여 약 10 내지 85중량%일 수 있다. 10중량% 미만인 경우 아크릴계 공중합체의 안정성이 지나치게 저하되며, 85중량%를 초과하는 경우 경화도가 급격히 떨어질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 상기 아크릴계 공중합체에 있어서, 당업자의 고려에 의해 상기 3종의 단량체 외에 추가적인 단량체가 사용되는 것이 제한되는 것은 아니다.
상기 아크릴계 공중합체를 제조하기 위해서는 중합 개시제를 사용할 수 있으며, 상기 중합 개시제는, 예를 들어, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시 2,4-디메틸발 레로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 또는 디메틸 2,2'-아조비스이소부틸레이트 등을 사용할 수 있다.
상기 아크릴계 공중합체는 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 6,000 내지 약 30,000인 것이 바람직하다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 에폭시기를 갖는 아크 릴계 공중합체(고형분)는 조성물 전체 100 중량부 대비 5 내지 40중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 5 중량부 미만인 경우 코팅성이 급격히 저하될 수 있고, 40 중량부 초과인 경우 포토레지스트 조성물의 경화도와 현상성이 저하될 수 있다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물에 있어서, 다관능성 아크릴레이트계 단량체는 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 갖는다. 구체적인 예로는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 디펜타에리스리톨 폴리아크릴레이트 또는 이들의 메타크릴레이트류 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 다관능성 아크릴레이트계 단량체는 조성물 전체 100 중량부 대비 2 내지 30중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 함량이 2 중량부 미만인 경우 잔막 두께가 얇아 물리적 성질이 떨어질 수 있으며, 30 중량부 초과인 경우 해상도가 떨어질 수 있다.
또한, 본 발명의 음성 포토레지스트 조성물에 있어서, 광개시제는 아세토페논계, 벤조페논계, 트리아진계, 벤조인계, 이미다졸계, 크산톤계 등의 각각 단독으 로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 광개시제는 조성물 전체 100 중량부 대비 0.5 내지 10 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 음성 포토레지스트 조성물에 있어서, 유기 용매는 아크릴계 공중합체, 광개시제, 다관능성 단량체, 경화보조제 및 기타 첨가제를 혼합하여 용해하고, 우수한 코팅성과 투명한 박막을 얻기 위해 사용하는 것으로, 고형분 성분과의 상용성을 고려하여 당분야에서 사용되는 적절한 것을 채택할 수 있다.
상기 용매의 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 메틸 에틸 카비톨, 디에틸렌글리콜 등의 알코올류; 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트등의 에틸렌글리콜알킬에테르 아세테이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜메틸에틸아세테이트 등의 프로필렌글리콜디알킬아세테이트류; 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜부틸에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시 4-메틸 2-펜타논 등의 케톤류; 또는 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸, 2-히드록시 프로피온산 에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산 메틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산 에틸, 히드록시초산메틸, 히드록시초산에틸, 히드록시초산부틸, 유산메틸, 유 산에틸, 유산프로필, 유산부틸, 3-히드록시프로피온산메틸, 3-히드록시프로피온산에틸, 3-히드록시프로피온산프로필, 3-히드록시프로피온산부틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산 메틸, 메톡시초산메틸, 메톡시초산에틸, 메톡시초산프로필, 메톡시초산부틸, 에톡시초산메틸, 에톡시초산에틸, 에톡시초산프로필, 에톡시초산부틸, 프로폭시초산메틸, 프로폭시초산에틸, 프로폭시초산프로필, 프로폭시초산부틸, 부톡시초산메틸, 부톡시 초산에틸, 부톡시초산프로필, 부톡시초산부틸, 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-메톡시프로피온산프로필, 2-메톡시프로피온산부틸, 2-에톡시프로피온산메틸, 2-에톡시플피온산에틸, 2-에톡시프로피온산프로필, 2-에톡시프로피온산부틸, 2-부톡시프로피온산메틸, 2-부톡시프로피온산에틸, 2-부톡시프로피오산프로필,2-부톡시프로피온산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-메톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산프로필, 3-에톡시프로피온산부틸, 3-프로폭시프로피온산메틸, 3-프로폭시프로피온산에틸, 3-프로폭시프로피온산프로필, 3-프로폭시프로피온산부틸, 3-부톡시프로피온산메틸, 3-부톡시프로피온산에틸, 3-부톡시프로피온산프로필, 3-부톡시프로피온산부틸 등의 에스테르류를 포함할 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다. 반응성 및 알칼리 용액에 대한 용해성 등을 고려할 때, 상기 유기 용매는 글리콜 에테르계, 에틸렌알킬에테르 아세테이트계 및 디에틸렌글리콜 등을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 아크릴계 공중합체 제조시에도 상기 언급한 유기용매들이 사용될 수 있다.
상기 용매는 전체 조성물이 적절한 점도를 가질 수 있도록 첨가될 수 있으 며, 그에 따라 그 함량은 특별히 제한되지 않는다. 조성물 내 다른 성분이 전체 조성물 100 중량부에 대하여 상기 언급된 함량을 가질 수 있도록 조절하여 첨가되어 조성물의 나머지 함량(잔량)을 차지한다. 예를 들면 전체 조성물 100 중량부 대비 11 내지 92 중량부로 포함될 수 있으나, 이는 단지 예시일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다.
선택적으로, 본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 조성물로 형성되는 패턴의 접착력을 향상시키기 위해 접착증진제를 더 포함할 수 있다. 접착증진제로는, 4,4',4"-메틸리딘트리스페놀, 4,4',4"-에틸리딘트리스페놀, 4-[비스(4-하이드록시페닐)메틸]-2-메톡시페놀, 4-[비스(4-하이드록시페닐)메틸]-2-에톡시페놀, 4,4'-[(2-하이드 록시페닐)메틸렌]비스[2-메틸페놀], 4,4'-[(4-하이드록시페닐)메틸렌]비스[2-메틸페놀], 4,4'-[(3-하이드록시 페닐)메틸렌]비스[2,6-디메틸페놀], 3-글리시디록시프로필 트리메톡시 실란 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 접착증진제는 조성물 전체 100 중량부 대비 0.2 내지 3 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
선택적으로, 본 발명의 음성 포토레지스트 조성물은 각 성분의 균일한 분산을 위해 실리콘계 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 실리콘계 계면활성제의 예를 들면, (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)트리에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)메틸디메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)디메틸에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)디메틸 에톡시실란, 3,4-에폭시부틸트리메톡시실란, 3,4-에폭시부틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시 시크로헥실)에틸트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 실리콘계 계면활성제는 조성물 전체 100 중량부 대비 0.2 내지 3 중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
실시예 1
<아크릴계 공중합체 제조>
플라스크에 용제로 프로필렌글리콜메틸에틸아세테이트(PGMEA) 70중량부, 메타크릴산 글리시딜 10중량부, 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트 1 중량부, 메틸메타크릴산 8중량부, 메틸메타크릴레이트 10중량부를 넣고, 개시제로서 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 1중량부를 첨가한 후, 그 혼합물을 교반하였다. 상기 반응용액을 70℃까지 상승시켜 6시간 동안 반응하여 아크릴 공중합체를 형성하였다.
<음성 포토레지스트 조성물 제조>
상기에서 제조된 아크릴계 공중합체 68 중량부(고형분 17.68중량부, 용매(프로필렌글리콜메틸에틸아세테이트) 50.32중량부), 다관능성 아크릴레이트계 단량체로서 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트(di-pentaerythritol hexaacrylate) 10 중량부 및 광개시제로서 α-하이드록시알킬페논 2중량부, 접착증진제로 3-글리시디록시프로필 트리메톡시 실란 0.6중량부, 경화보조제로 트리스-(2-카르복시에틸)아이소시아누레이트 1.4 중량부, 실리콘계 계면활성제로 BYK사의 340을 0.4 중량부, 용매로서 메틸에틸카비톨 17.6중량부 가하여 점도가 12cps인 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2 내지 6
다관능성 아크릴레이트계 단량체의 함량을 5중량부에서 9중량부로 변경시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하였다.
하기 표 1에 실시예 1 내지 6의 조성물의 조성과 물성(해상도, 접착력) 측정치를 기재하였다.
해상도: SEM 측정
접착력: 10x10 Cross-cut Tape test
경도: ASTM D3363 Pencil hardness
경화도: FT IR로 epoxy peak area 분석
성분 실시예1 실시예2 실시예3 실시예4 실시예5 실시예6
조성
(중량부)
아크릴공 중합체 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68)
다관능성 단량체 10 5 6 7 8 9
광개시제 2 2 2 2 2 2
접착증진제 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6
경화 보조제 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4
실리콘 계면활성제 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
용매 잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
물성 해상도 10um 10um 10um 10um 10um 10um
접착력 10um 10um 8um 6um 6um 5um
실시예 7 내지 11 및 비교예 1
경화보조제로 트리스-(2-카르복시에틸)이소시아누레이트(Tris-(2-carboxy ethyl)isocyanurate)를 0 내지 1.4 중량부로 변경하여 제조한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하였다.
하기 표 2에 실시예 7 내지 11 및 비교예 1의 조성물의 조성과 물성(경화도) 측정치를 기재하였다.
성분 비교예 1 실시예7 실시예8 실시예9 실시예10 실시예11
조성
(중량부)
아크릴공 중합체 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68)
다관능성 모노머 10 10 10 10 10 10
광개시제 2 2 2 2 2 2
접착증진제 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6
경화 보조제 0 1.4 0.3 0.64 0.9 1.2
실리콘 계면활성제 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
용매 잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
물성 경화도(%) 18.8 37.7 22.8 25.9 28.2 32.2
실시예 12 내지 16
경화보조제로 디시안아미드(dicyanamide)를 사용하여 함량을 변경시켜 실험한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 조성물을 제조하였다.
하기 표 3에 실시예 12 내지 16의 조성물의 조성과 물성(경화도) 측정치를 기재하였다.
성분 비교예 1 실시예12 실시예13 실시예14 실시예15 실시예16
조성
(중량부)
아크릴공 중합체 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68) 68(고형분 17.68)
다관능성 모노머 10 10 10 10 10 10
광개시제 2 2 2 2 2 2
접착증진제 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6
경화 보조제 0 0.3 0.64 0.9 1.2 1.4
실리콘 계면활성제 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
용매 잔량
(to 100)
잔량(to 100) 잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
잔량
(to 100)
물성 경화도(%) 18.8 24.5 25.3 27.6 28.5 30.4
상기 표 2 및 표 3에 나타난 바와 같이, 경화보조제의 첨가로 저온에서의 경화도가 증가하였음을 알 수 있다.

Claims (12)

  1. 에폭시기를 갖는 아크릴계 공중합체, 다관능성 아크릴레이트계 단량체, 광개시제 및 유기용매를 포함하는 음성 포토레지스트 조성물에 있어서,
    상기 음성 포토레지스트 조성물은 이소시아네이트계 경화 보조제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이소시아네이트계 경화 보조제는 트리글리시딜 이소시아누레이트, 트리스-(2-카르복시에틸)이소시아누레이트 및 디시안아미드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 공중합체는 불포화 카르복시산 단량체, 에폭시기를 갖는 불포화 화합물 단량체 및 올레핀계 불포화 단량체를 포함하는 단량체들을 중합하여 제조되는 공중합체인 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 불포화 카르복시산은 아크릴산, 메타크릴산, 메틸메타크릴산, 말레인 산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산 및 이들의 무수물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 에폭시기를 갖는 불포화 단량체는 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르 및 p-비닐벤질글리시딜에테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 올레핀계 불포화 단량체는 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸메타크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 2-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥 시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸 1,3-부타디엔 및 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다관능성 아크릴레이트계 단량체는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트,펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨트리디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨디아크릴레이트, 솔비톨트리아크릴레이트, 비스페놀 A 디아크릴레이트 유도체, 디펜타에리스리톨 폴리아크릴레이트 및 이들의 메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 조성물 전체 100 중량부에 대하여,
    아크릴계 공중합체 5 내지 40 중량부;
    다관능성 아크릴레이트계 단량체 2 내지 30 중량부;
    광개시제 0.5 내지 10 중량부;
    이소시아네이트계 경화보조제 0.1 내지 3 중량부;및
    잔량의 유기용매;를 포함하는 음성 포토레지스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    접착증진제로 4,4',4"-메틸리딘트리스페놀, 4,4',4"-에틸리딘트리스페놀, 4-[비스(4-하이드록시페닐)메틸]-2-메톡시페놀, 4-[비스(4-하이드록시페닐)메틸]-2-에톡시페놀, 4,4'-[(2-하이드 록시페닐)메틸렌]비스[2-메틸페놀], 4,4'-[(4-하이드록시페닐)메틸렌]비스[2-메틸페놀], 4,4'-[(3-하이드록시 페닐)메틸렌]비스[2,6-디메틸페놀] 및 3-글리시디록시프로필 트리메톡시 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 접착증진제는 음성 포토레지스트 조성물 전체 100중량부에 대하여 0.2 내지 3중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    실리콘계 계면활성제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)트리에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)메틸디메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란, (3글리시드옥시프로필)디메틸에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)디메틸에톡시실란, 3,4-에폭시부틸트리메톡시실란, 3,4-에폭시부틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시 시크로헥실)에틸트리에톡시실란 및 아미노프로필트리메톡시실란으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 실리콘계 계면활성제는 음성 포토레지스트 조성물 전체 100중량부에 대하여 0.2 내지 3중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 음성 포토레지스트 조성물.
KR1020090135673A 2009-12-31 2009-12-31 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물 KR101318870B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090135673A KR101318870B1 (ko) 2009-12-31 2009-12-31 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090135673A KR101318870B1 (ko) 2009-12-31 2009-12-31 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110078779A true KR20110078779A (ko) 2011-07-07
KR101318870B1 KR101318870B1 (ko) 2013-10-16

Family

ID=44918216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090135673A KR101318870B1 (ko) 2009-12-31 2009-12-31 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101318870B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014119849A1 (ko) * 2013-01-31 2014-08-07 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2015194822A1 (ko) * 2014-06-18 2015-12-23 주식회사 동진쎄미켐 광반응성 실란 커플링제를 포함하는 네거티브 감광성 수지 조성물
JP2016084425A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 花王株式会社 着色硬化性樹脂組成物
KR20180031112A (ko) * 2016-09-19 2018-03-28 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 광경화성 보호막
CN111710235A (zh) * 2020-04-24 2020-09-25 河北叁迪光学科技有限公司 一种针对倒扣曲面屏及其喷涂曝光工艺方法
CN111710234A (zh) * 2020-04-24 2020-09-25 河北叁迪光学科技有限公司 一种针对四面曲屏及其喷涂工艺

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118589A (ja) * 1993-10-27 1995-05-09 Nippon Kayaku Co Ltd レジストインキ組成物及びその硬化物
JP2001305726A (ja) 2000-02-17 2001-11-02 Mitsubishi Chemicals Corp 感光性組成物
JP4324390B2 (ja) 2002-02-13 2009-09-02 大日本印刷株式会社 感光性樹脂組成物およびスクリーン印刷用版

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014119849A1 (ko) * 2013-01-31 2014-08-07 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2015194822A1 (ko) * 2014-06-18 2015-12-23 주식회사 동진쎄미켐 광반응성 실란 커플링제를 포함하는 네거티브 감광성 수지 조성물
CN106462070A (zh) * 2014-06-18 2017-02-22 株式会社东进世美肯 包含光反应性硅烷偶联剂的负型感光性树脂组合物
JP2016084425A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 花王株式会社 着色硬化性樹脂組成物
KR20180031112A (ko) * 2016-09-19 2018-03-28 동우 화인켐 주식회사 감광성 수지 조성물 및 이로부터 형성된 광경화성 보호막
CN111710235A (zh) * 2020-04-24 2020-09-25 河北叁迪光学科技有限公司 一种针对倒扣曲面屏及其喷涂曝光工艺方法
CN111710234A (zh) * 2020-04-24 2020-09-25 河北叁迪光学科技有限公司 一种针对四面曲屏及其喷涂工艺
CN111710234B (zh) * 2020-04-24 2022-04-08 河北叁迪光学科技有限公司 一种针对四面曲屏及其喷涂工艺
CN111710235B (zh) * 2020-04-24 2022-04-08 河北叁迪光学科技有限公司 一种针对倒扣曲面屏及其喷涂曝光工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101318870B1 (ko) 2013-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5201066B2 (ja) タッチパネルの保護膜形成用感放射線性樹脂組成物とその形成方法
TWI612384B (zh) 感光性樹脂組成物、導電性配線保護膜及觸控板構件
JP5504689B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用材料
WO2015012228A1 (ja) タッチパネル用ネガ型感光性白色組成物、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法
KR101318870B1 (ko) 저온 경화형 음성 포토레지스트 조성물
KR101424509B1 (ko) 유기보호막 조성물
JP5327345B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、およびタッチパネル用部材。
KR101475780B1 (ko) 보호막으로서 유용한 유-무기 복합체 수지 조성물
JP2016071359A (ja) タッチパネル用感光性樹脂組成物およびその硬化膜、ならびに当該硬化膜を有するタッチパネル
JP2010160300A (ja) ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用材料
KR20060128715A (ko) 네가티브 감광성 수지 조성물
WO2011129312A1 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、硬化膜、およびタッチパネル用部材
KR20140043441A (ko) 네거티브형 감광성 수지 조성물, 수지막 및 전자 부품
JP6700710B2 (ja) ブラックカラムスペーサー用の感光性樹脂組成物、ブラックカラムスペーサー、液晶表示装置、ブラックカラムスペーサー用の感光性樹脂組成物の製造方法、ブラックカラムスペーサーの製造方法、および液晶表示装置の製造方法
KR20090106846A (ko) 음성 레지스트 조성물
JP2016029442A (ja) エッチングレジスト用感光性樹脂組成物、これを用いて形成した金属膜又は金属酸化物膜の配線パターン及びこの配線パターンを有するタッチパネル
JP2009203344A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、カラーフィルタの保護膜の製造方法およびカラーフィルタの保護膜
JP6388776B2 (ja) 白色感光性樹脂組成物、それを用いた硬化物、及びその硬化物を構成成分として含むタッチパネル
KR101406298B1 (ko) 고내열성 네거티브 레지스트 조성물
KR102246473B1 (ko) 활성 에너지선 경화형 수지 조성물, 그것을 사용한 표시소자용 스페이서 및/또는 컬러필터 보호막
KR101235254B1 (ko) 고내열성 음성 레지스트 조성물
TWI687499B (zh) 黏合樹脂及包含其的光敏樹脂組成物或塗覆溶液
JP2015069085A (ja) 白色感光性樹脂組成物、それを用いた硬化物、及びその硬化物を構成成分として含むタッチパネル
KR101144736B1 (ko) 고내열성 음성 레지스트 조성물
KR100597715B1 (ko) 음성 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160902

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170905

Year of fee payment: 5