KR20110065480A - 스퍼터링 박막형성장치 - Google Patents

스퍼터링 박막형성장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110065480A
KR20110065480A KR1020117007099A KR20117007099A KR20110065480A KR 20110065480 A KR20110065480 A KR 20110065480A KR 1020117007099 A KR1020117007099 A KR 1020117007099A KR 20117007099 A KR20117007099 A KR 20117007099A KR 20110065480 A KR20110065480 A KR 20110065480A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high frequency
target
thin film
sputtering
forming apparatus
Prior art date
Application number
KR1020117007099A
Other languages
English (en)
Inventor
유이치 세츠하라
아키노리 에베
한전건
Original Assignee
가부시키가이샤 이엠디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 이엠디 filed Critical 가부시키가이샤 이엠디
Publication of KR20110065480A publication Critical patent/KR20110065480A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C23C14/358—Inductive energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은, 빠른 속도로 스퍼터 처리를 행할 수 있는 스퍼터링 박막(薄膜) 형성장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
스퍼터링 박막형성장치(10)는, 진공용기(11)와, 진공용기(11) 속에 설치된 타깃 홀더(13)와, 타깃 홀더(13)에 대향하여 설치된 기판 홀더(14)와, 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 전압을 인가하는 전원(15)과, 타깃 홀더(13)의 배면에 설치된, 타깃(T)에 평행인 성분을 가지는 자계를 생성하는 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)과, 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)에 의하여 생성되는 소정의 강도 이상의 자계가 존재하는 타깃(T) 근방의 영역에 고주파 유도결합 플라즈마를 생성하는 고주파 안테나(16)를 구비한다.
고주파 안테나(16)에서 생성되는 고주파 유도결합 플라즈마에 의하여, 상기 자계 속으로의 전자의 공급이 촉진되기 때문에, 빠른 속도로 스퍼터 처리를 행할 수 있다.

Description

스퍼터링 박막형성장치{Thin film-forming sputtering device}
본 발명은, 플라즈마에 의하여 타깃을 스퍼터링하여, 기판 표면에 소정의 박막(薄膜)을 형성하는 스퍼터링 박막형성장치에 관한 것이다.
종래부터, 진공용기 속에 금속 스퍼터링 타깃(캐소드)과 기판을 대향하도록 배치한 평행 평판형 스퍼터링 박막형성장치가 많이 이용되고 있다. 이 장치에서는, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 진공용기 속에 도입하고, 스퍼터링 타깃에 직류 전압 또는 고주파 전압을 인가함으로써, 진공용기 속에 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 속의 이온에 의하여 타깃을 스퍼터하여, 기판의 표면에 목적으로 하는 박막을 형성한다.
또한, 고속 성막(成膜)을 가능하게 하는 스퍼터링 박막형성장치의 일례로서, 마그네트론 스퍼터링 장치를 들 수 있다(비특허문헌 1 참조). 마그네트론 스퍼터링 장치에서는, 타깃의 배면에 설치된 전자석 또는 영구자석에 의하여 타깃 표면과 평행하게 생성되는 자계와 타깃에 인가되는 직류 전압 또는 고주파 전압에 의하여 생성되는 전계에 의하여 생기는 전자의 사이클로이드 운동 또는 트로코이드 운동(이하, 이들을 합쳐서 「사이클로이드·트로코이드 운동」이라 부름)을 이용하여 타깃 표면 근방에 플라즈마를 국재화(局在化)시켜서 생성하고, 이 타깃 표면의 플라즈마 밀도를 높임으로써, 타깃을 효율 좋게 스퍼터하는 것이다. 마그네트론 스퍼터링 장치에서는 자계를 이용하지 않는 경우에 비하여, 막의 생성 속도가 빠르고, 막의 부착 강도가 강하며, 기판의 온도 상승이 낮기 때문에 기판의 손상을 억제하기 쉽다는 등의 특장점이 있다.
또한, 특허문헌 1에는, 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 타깃이 스퍼터된 스퍼터 입자가 기판의 표면에 도달할 때까지의 경로 상에 고주파 코일을 이용하여 플라즈마를 형성함으로써, 이 플라즈마 속을 통과하는 스퍼터 입자를 이온화하고, 상기 전계에 의하여 기판 표면으로 끌어당김으로써, 빠른 속도로 효율 좋게 성막하는 것이 기재되어 있다.
그러나, 이들 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치에 의하여서도, 타깃 표면 근방의 플라즈마 밀도를 충분히는 높게 할 수 없어, 스퍼터링 속도를 충분히 빠르게 할 수 없다.
또한, 타깃에 인가하는 전계(타깃 바이어스)를 높이면, 어느 정도의 성막 속도의 향상을 도모할 수 있지만, 이온이 높은 에너지로 타깃에 충돌하여 리바운드되어, 기판측에 입사하는 것에 의한 피해(플라즈마 대미지)도 커진다.
또한, 산화물 박막을 생성할 때에 행하여지는 반응성 스퍼터링에 있어서는, 타깃의 표면이 산소와 반응하여 산화물로 덮임으로써 타깃 표면이 차지 업(charge up)되고, 타깃 표면의 전계가 완화되어 버리기 때문에, 플라즈마 밀도가 저하한다. 그 결과, 성막 속도는 현저하게 저하하여, 종래의 스퍼터링 박막형성장치에서는 산화물 박막을 고속으로 성막하는 것이 곤란하다.
한편, 최근, 고주파 안테나를 이용한 유도결합형 스퍼터링 장치가 검토되고 있다. 특허문헌 2에는, U자형의 고주파 안테나를 2개 진공실 내에 배치하고, 그 주위에 타깃을 배치한 유도결합형 스퍼터링 장치가 기재되어 있다. 이 문헌에 의하면, 이 유도결합형 스퍼터링 장치를 이용하여 기판상에 미소(微小)(실시예에서는 평균 입경(粒徑) 16㎚)한 실리콘 도트(실리콘 나노 입자)를 제작할 수 있다. 이 장치에서는, 고주파 안테나에서 생성되는 유도결합 플라즈마에 의하여, 고주파 안테나의 근방에 높은 밀도의 플라즈마가 형성된다. 그러나, 특허문헌 2에서는 고속 성막을 목적으로는 하고 있지 않고, 실제, 플라즈마가 고주파 안테나 근방으로부터 방사(放射)상으로 확산하기 때문에, 타깃 표면의 플라즈마 밀도를 집중적으로 높이는 것은 불가능하며, 그 결과, 성막 속도를 그다지 높게 할 수 없다. 이와 같은 이유에 의하여, 특허문헌 1에 기재된 유도결합형 스퍼터링 장치는, 실리콘 나노 입자와 같은 미소한 것의 제조에는 이용할 수 있지만, 예컨대 마이크로미터 오더의 두께를 가지는 박막 등의 비교적 큰 것의 제작에 이용하는 것은 실용상 곤란하다.
일본국 특허공개 평10-289887호 공보([0006]-[0007], [0016]-[0017], 도 1) 일본국 특허공개 2007-080999호 공보([0104]-[0111], 도 6-7)
표준 기술집 「반도체 제조장치 관련 진공 클린화 기술」, 1-7-
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 종래보다도 빠른 속도로 스퍼터링을 행할 수 있는 스퍼터링 박막형성장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 본 발명에 관한 스퍼터링 박막형성장치는,
a) 진공용기와,
b) 상기 진공용기 속에 설치된 타깃 지지수단과,
c) 상기 타깃 지지수단에 대향하여 설치된 기판 지지수단과,
d) 상기 진공용기 속에 플라즈마 생성가스를 도입하는 플라즈마 생성가스 도입수단과,
e) 상기 타깃 지지수단과 상기 기판 지지수단 사이에 직류 전계 또는 고주파 전계를 생성하는 전계 생성수단과,
f) 상기 타깃 지지수단에 지지된 스퍼터 타깃의 표면에, 상기 스퍼터 타깃 표면과 평행인 성분을 가지는 자계를 생성하는 자계 생성수단과,
g) 상기 스퍼터 타깃의 근방으로서, 상기 자계 생성수단에 의하여 생성되는 소정의 강도 이상의 자계가 존재하는 영역에 고주파 유도결합 플라즈마를 생성하는 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 관한 스퍼터링 박막형성장치에서는, 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치와 마찬가지로 전계 생성수단 및 자계 생성수단에 의하여 플라즈마 생성가스의 분자가 전리(電離)한 플라즈마가 스퍼터 타깃 표면에 국재(局在)하여 생성됨에 더하여, 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단에 의하여 플라즈마 생성가스가 전리한 유도결합 플라즈마가 스퍼터 타깃의 근방에 생성된다. 이로써, 타깃 표면에서는 전계 생성수단 및 자계 생성수단에 의하여 생성되는 플라즈마와, 상기 유도결합 플라즈마의 쌍방이 조합되어, 매우 밀도가 높은 플라즈마가 생성된다. 그 결과, 보다 빠른 속도로 스퍼터링을 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 스퍼터링 박막형성장치는, 상술한 바와 같이 빠른 속도로 스퍼터링을 행하기 때문에, 산화물 박막을 성막할 때에, 타깃 표면이 산화물로 덮여지지 않고, 상기 표면의 산화물을 스퍼터링으로 제거할 수 있다. 그로 인하여, 장시간에 걸쳐서 타깃 표면에 금속이 노출된 상태(메탈 모드)에서 계속적으로 스퍼터링을 행할 수 있다. 또한, 설령 타깃 표면이 산화물로 덮여졌다 하더라도, 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단에 의하여, 표면 산화물의 영향을 받지 않고 플라즈마를 생성하여, 스퍼터링을 계속할 수 있다.
고주파 유도결합 플라즈마 생성수단에 의하여 고주파 유도결합 플라즈마가 생성되는 영역에 있어서의 자계의 강도(상술한 「소정의 강도」)는, 전자를 사이클로이드·트로코이드 운동시키기 위하여 필요한 강도(예컨대 0.01 테슬라) 이상으로 한다. 또한, 사이클로이드·트로코이드 운동을 효율 좋게 생기게 하기 위하여, 자계는 스퍼터 타깃 표면에 대하여 평행 또는 가능한 한 평행에 가까운 각도로 생성하는 것이 바람직하다.
고주파 유도결합 플라즈마 생성수단에는, 예컨대, 일본국 특허공개 2001-35697호 공보에 기재된 U자형 또는 원호형의 선 형상 도체로 이루어지는 고주파 안테나를 적절하게 이용할 수 있다. 이와 같은 고주파 안테나를 이용하는 경우에는, 상기 고주파 안테나의 도체와 상기 자계 생성수단에 의하여 생성되는 상기 소정 강도 이상의 자계가 교차하도록, 고주파 안테나를 배치하면 좋다.
본 발명에 관한 스퍼터링 박막형성장치에 의하여, 타깃의 표면 근방의 플라즈마 밀도를 향상시키고, 그에 의하여 다수의 이온을 생성할 수 있기 때문에, 보다 빠른 속도로 스퍼터링을 행할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(10)의 (a)종단면도 및 (b)평면도.
도 2는, 본 발명으로 관한 스퍼터링 박막형성장치에서 이용하는 고주파 안테나의 예를 나타내는 평면도.
도 3은, 제1 실시예와 비교예에 있어서 직류 전압과 이온 전류의 관계를 측정한 결과를 나타내는 그래프.
도 4는, 본 발명의 제2 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(20)의 (a)종단면도 및 (b)평면도.
도 5는, 본 발명의 제3 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(30)의 평면도.
도 6은, 제3 실시예에 있어서 타깃(T)의 근방에서 플라즈마 밀도를 측정한 결과를 나타내는 그래프.
도 7은, 제3 실시예에 있어서 기판(S)의 근방에서 플라즈마 밀도를 측정한 결과를 나타내는 그래프.
도 8은, 본 발명의 제4 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(40)의 종단면도.
도 9는, 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 고주파 전압을 인가하는 예를 나타내는 종단면도.
도 1∼도 9을 이용하여, 본 발명에 관한 스퍼터링 박막형성장치의 실시예를 설명한다.
실시예 1
도 1에, 제1 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(10)의 (a)종단면도 및 (b)평면도를 나타낸다(다만, 후술한 기판 홀더(14)는 (a)에만 나타내고, (b)에서는 생략함). 스퍼터링 박막형성장치(10)는, 진공펌프(미도시)에 의하여 내부를 진공으로 하는 것이 가능한 진공용기(11)와, 진공용기 속에 플라즈마 생성가스를 도입하는 플라즈마 생성가스 도입수단(19)과, 진공용기(11)의 바닥의 내벽면에 장착된 전자석으로 이루어지는 마그네트론 스퍼터링용 자석(자계 생성수단)(12)과, 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)의 상면에 설치된 타깃 홀더(타깃 지지수단)(13)와, 타깃 홀더(13)에 대향하여 설치된 기판 홀더(기판 지지수단)(14)를 가진다. 본 실시예에서는, 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)의 상면이 타깃 홀더(13)의 기능을 가진다. 타깃 홀더(13)의 상면에는 판 형상의 타깃(T)을, 기판 홀더(14)의 하면에는 기판(S)을 각각 장착할 수 있다. 또한, 스퍼터링 박막형성장치(10)에는, 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 타깃 홀더(13)측을 플러스로 하는 직류 전압을 인가하는 직류 전원(전계 생성수단)(15)이 설치되어 있다. 본 실시예에서는, 기판 홀더(14)에는 직사각형의 기판(S)을 장착하는 것을 이용하고, 타깃 홀더(13)에는 직사각형의 타깃(T)을 장착하는 것을 이용하였다. 이들 진공용기(11), 마그네트론 스퍼터링용 자석(12), 타깃 홀더(13) 및 기판 홀더(14)는 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치에서 이용되고 있는 것과 마찬가지이다.
타깃 홀더(13)의 측방(側方)에, 복수의 고주파 안테나(고주파 유도결합 플라즈마 생성수단)(16)가 설치되어 있다. 고주파 안테나(16)의 위치는, 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)에 의하여 형성되는 자계(도 1 중에 부호 H로 나타낸 것)가 0.02T(테슬라) 이상이 되는 영역 내로 한다. 본 실시예에서는, 고주파 안테나(16)는 타깃(T)의 긴 변을 따라서, 1변에 대하여 4개, 합계 8개 배치되어 있다. 고주파 안테나(16)에는 임피던스 정합기(整合器)(17)를 통하여 고주파 전원(18)이 접속되어 있다. 고주파 안테나(16)에는, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이 U자형으로 성형된 선 형상 도체를 이용한다. 다만, 도 2(b)에 나타내는 원호 형상의 고주파 안테나를 이용하여도 좋다. 이들 U자형 혹은 원호 형상의 고주파 안테나는 권선 수가 1회 미만인 코일이어서, 권선 수가 1회 이상인 경우보다도 인덕턴스가 작기 때문에, 소정의 고주파 전력을 공급하였을 때에 안테나에 발생하는 전압을 작게 할 수 있어, 효율적으로 플라즈마를 생성할 수 있다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)의 동작을 설명한다. 먼저, 타깃(T)을 타깃 홀더(13)에, 기판(S)을 기판 홀더(14)에, 각각 장착한다. 다음으로, 진공펌프에 의하여 진공용기(11) 속을 진공으로 한 후, 진공용기(11) 속이 소정의 압력이 되도록 플라즈마를 생성하기 위한 가스(플라즈마 생성가스)를 진공용기(11) 속에 도입한다. 다음으로, 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)의 전자석에 직류 전류를 흐르게 함으로써, 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)으로부터, 타깃(T)의 근방으로서 고주파 안테나(16)의 선 형상 도체를 포함하는 영역 내에 자계(H)를 형성한다. 그와 함께, 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14)를 전극으로 하여 양자 사이에 직류 전원(15)에 의하여 직류 전압을 인가하고, 양 전극 사이에 직류 전계를 형성한다. 또한, 고주파 전원(18)으로부터 고주파 안테나(16)에 고주파 전력을 투입함으로써, 고주파 안테나(16)의 주위에 고주파 전자계를 형성한다.
상기 자계 및 상기 직류 전계에 의하여, 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치와 마찬가지로, 타깃의 근방에 플라즈마가 생성된다. 그와 함께, 고주파 안테나(16)에 의하여 유도결합형 플라즈마가 형성된다. 이들 플라즈마로부터 각각 공급되는 전자가 상기 자계 및 상기 직류 전계에 의하여 사이클로이드·트로코이드 운동을 함으로써, 플라즈마 생성가스의 분자의 전리가 촉진되어, 다량의 양(陽)이온이 생성된다. 이들 양이온이 타깃(T)의 표면에 충돌함으로써, 타깃(T)의 표면으로부터 스퍼터 입자가 튀어나오고, 그 스퍼터 입자가 타깃(T)과 기판(S) 사이의 공간을 비행하여 기판(S)의 표면에 부착된다. 이와 같이 하여 기판(S)의 표면에 스퍼터 입자가 퇴적함으로써, 박막이 생성된다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)에서는, 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치와 마찬가지의 장치에 의하여 생성되는 플라즈마와, 고주파 안테나(16)에 의하여 생성되는 유도결합 플라즈마의 쌍방으로부터 전자 및 이온이 공급됨으로써, 타깃(T)의 표면에 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있고, 그에 의하여 타깃(T)의 스퍼터링을 촉진하여, 성막 속도를 높일 수 있다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)에 있어서, 고주파 안테나(16)로부터 생성되는 플라즈마의 영향이 미치는 범위 내에 기판 홀더(14)를 설치하면, 고주파 전자계에 의하여 기판(S)의 표면을 활성화시킬 수 있다. 그에 의하여, 막질(膜質)을 향상시킬 수 있거나, 성막 온도를 낮게 하여 내열성이 낮은 기판 상에도 박막을 생성할 수 있다는 효과를 발휘한다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)를 이용하여 실험을 행한 결과를 나타낸다. 이 실험에서는, 고주파 안테나(16)에 일정한 전력을 투입하면서 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 인가하는 직류 전압을 변화시키면서, 타깃에 입사하는 이온에 의한 전류(이온 전류)의 관계를 측정하였다. 아울러, 비교예로서, 스퍼터링 박막형성장치(10)에 있어서 고주파 안테나(16)에 전력을 투입하지 않고, 직류 전압과 이온 전류의 관계를 측정하는 실험을 행하였다. 이 비교예의 실험은 종래의 직류 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하는 경우와 등가(等價)이다.
상세한 실험조건은 이하와 같다. 타깃(T)에는, 긴 변 375㎜, 짧은 변 120㎜의 직사각형의 동판(銅版)을 이용하였다. 플라즈마 생성가스에는 아르곤 가스를 이용하고, 진공용기 속에서의 플라즈마 생성가스의 압력은 0.133㎩(1m Torr)로 하였다. 고주파 안테나(16)에는 8개분의 합계로 2㎾의 고주파 전력을 투입하였다(비교예에서는 고주파 안테나로의 전력 투입은 없음).
실험의 결과를 도 3에 나타낸다. 이 실험 결과로부터, 측정을 행한 직류 전압의 전체 범위에 있어서, 비교예보다도 본 실시예 쪽이, 이온 전류의 값이 1.5∼2.0배 크다. 스퍼터 속도는 이온 전류의 크기, 즉 타깃(T)의 표면에 입사하는 이온의 수에 비례하므로, 본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치는 비교예의 경우보다도 1.5∼2.0배의 스퍼터 속도로 스퍼터링을 행할 수 있다고 할 수 있다.
실시예 2
도 4에, 제2 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(20)의 (a)종단면도 및 (b)평면도를 나타낸다. 본 실시예에서는, 제1 실시예에 있어서의 U자형의 고주파 안테나(16) 대신에, 이하에 서술하는 형상의 고주파 안테나(16A)를 이용하였다. 고주파 안테나(16A)는, 진공용기(11)의 바닥의 내벽면으로부터 2개의 직선 형상의 다리(제1 도체)(161)가 상방으로 뻗고, 이들 2개의 다리(161)로부터 각각 타깃(T)측으로 향하여 타깃(T)의 판에 대략 평행하게 직선 형상의 팔(제2 도체)(162)이 뻗어 있으며, 이들 2개의 팔(162)의 선단을 직선 형상의 제3 도체(163)가 이은 형상을 가진다. 고주파 안테나(16A)는, 이와 같은 형상 및 배치에 의하여, 타깃(T)의 측방으로부터 타깃(T)의 표면 근방으로 돌출하도록 설치된다. 그로 인하여, 고주파 안테나 전체를 타깃 홀더(13)의 측방에 배치한 경우보다도, 타깃(T)의 표면 부근에 강한 고주파 전자계를 형성할 수 있다. 고주파 안테나(16A) 이외의 구성은 제1 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)와 마찬가지이다.
실시예 3
도 5에, 제3 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(30)의 평면도를 나타낸다. 본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(30)에서는, 진공용기(11), 마그네트론 스퍼터링용 자석(12), 타깃 홀더(13) 및 기판 홀더(14)에는 제1 및 제2 실시예와 마찬가지의 것을 이용하였다. 본 실시예에서는, 고주파 안테나(26)는 타깃(T)의 긴 변을 따라서 1변에 대하여 3개, 합계 6개 배치되어 있다. 고주파 안테나(26)는 제1 실시예의 고주파 안테나(16)와 마찬가지의 U자형의 형상을 가지지만, 제3 도체(263)의 길이가 고주파 안테나마다 다르다는 점에서 제1 실시예의 고주파 안테나(16)와 상이하다. 구체적으로는, 타깃(T)의 긴 변을 따라서 3개 나열된 제1 고주파 안테나(26A), 제2 고주파 안테나(26B) 및 제3 고주파 안테나(26C) 중, 양단(兩端)에 있는 제1 고주파 안테나(26A) 및 제3 고주파 안테나(26C)의 제3 도체가, 중앙에 있는 제2 고주파 안테나(26B)의 제3 도체보다도 짧다. 그 이유는 후술한다. 여기서, 본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(30)의 종단면은, 제1 실시예와 마찬가지이기 때문에 도시를 생략하였다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(30)에서는, 제1∼제3 고주파 안테나(26A∼26C)에 투입되는 고주파 전력을 안테나마다 조절함으로써, 진공용기(11) 속에 생성되는 플라즈마의 밀도 분포를 제어한다. 일반적으로, 플라즈마 생성장치에서는 진공용기(11)의 중심에 가까운 위치보다도 단부(벽)에 가까운 위치 쪽이 공간적인 밀도 기울기가 커진다. 그래서, 본 실시예에서는 진공용기(11)의 단부 부근에서의 밀도를 세밀하게 제어할 수 있도록, 상기한 바와 같이 제1 고주파 안테나(26A) 및 제3 고주파 안테나(26C)의 제3 도체의 길이를 제2 고주파 안테나(26B)의 것보다도 짧게 하였다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(30)를 이용하여 이하의 실험을 행하였다. 이 실험에서는, 스퍼터링 박막형성장치(30)의 사용시에 진공용기(11) 속에 생성되는 플라즈마의 밀도를 측정하였다. 측정조건은 이하와 같다. 진공용기(11)에는 평단면이 정육각형인 것을 이용하였다. 이 정육각형의 대변(對邊) 간의 거리는 68㎝로 하고, 타깃(T)의 긴 변의 길이는 58㎝로 하였다. 기판(S)은 타깃(T)으로부터 15㎝ 떨어진 위치에서 기판 홀더(14)에 고정하였다. 제3 도체의 길이는, 제1 고주파 안테나(26A) 및 제3 고주파 안테나(26C)에서는 9.8㎝, 제2 고주파 안테나(26B)에서는 14.7㎝로 하였다. 플라즈마 생성시에, 진공용기(11) 속에 0.667㎩(5m Torr)의 아르곤 가스를 도입하고, 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 300V의 직류 전압을 인가함과 함께, 제1∼제3 고주파 안테나(26A∼26C)에 고주파 전력을 투입하였다. 본 실시예에서는, 제1 및 제3 고주파 안테나(26A 및 26C)에 투입하는 고주파 전력(Wa)과 제2 고주파 안테나에 투입하는 고주파 전력(Wb)의 조합에 대하여, 이하의 4 종류의 실험을 행하였다. (a) (Wa, Wb)＝(500W, 500W), (b) (Wa, Wb)＝(750W, 0W), (c) (Wa, Wb)＝(600W, 300W), (d) (Wa, Wb)＝(550W, 400W). (a)∼(d) 중 어느 것에 있어서도, 타깃(T)의 1 긴 변을 따라서 설치된 3개의 고주파 안테나에 투입되는 전력의 합계인 (2Wa＋Wb)가 1500W가 되고, 전체 고주파 안테나(6개)에 투입되는 전력의 합계가 3000W가 된다.
도 6에, 타깃(T)의 근방에 있어서의 플라즈마 밀도 분포의 측정 결과를 나타낸다. 조건 (a)와 같이 모든 고주파 안테나에 같은 값의 전력을 투입한 경우에는, 플라즈마 밀도는 타깃(T)의 긴 변에 평행한 선 상에서 타깃(T)의 중앙을 최대치로 하여 양단으로 향하여 서서히 감소하는 분포를 나타낸다. 조건 (b)와 같이 타깃(T)의 긴 변의 양단에 있는 제1 및 제3 고주파 안테나(26A 및 26C)에만 고주파 전력을 투입한 경우에는, 플라즈마 밀도는 긴 변의 중앙 부근이 오목하게 되는 분포를 나타낸다. 그에 대하여 조건 (c) 및 (d)의 경우에는, 타깃(T)의 긴 변에 평행한 선 상에서 ±20㎝의 범위 내에 있어서, 플라즈마 밀도는 거의 균일하게 된다.
조건 (d)의 경우에 대하여 기판(S)의 표면 부근의 플라즈마 밀도 분포를 측정한 바, 도 7에 나타내는 바와 같이, 타깃(T) 표면 근방과 마찬가지로 ±20㎝의 범위 내에 있어서 거의 균일한 플라즈마 밀도를 나타낸다.
이상과 같이, 고주파 안테나마다 투입하는 전력을 조절함으로써, 공간적으로 균일성이 높은 플라즈마를 얻을 수 있다. 이와 같은 플라즈마를 이용함으로써, 타깃(T) 표면의 넓은 범위에 걸쳐서 균일하게 스퍼터링이 이루어지고, 그에 의하여 진공용기 속의 스퍼터 입자의 밀도도 공간적인 균일성이 높아진다.
다만, U자형의 안테나 대신에, 실시예 2에서 나타낸 타깃(T)의 표면 근방으로 돌출한 안테나를 이용할 수도 있다.
실시예 4
도 8에, 제4 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(40)의 평면도를 나타낸다. 본 실시예에서는, 제1 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)에 있어서의 기판 홀더(14)의 근방에 기판 활성화용 고주파 안테나(기판 활성화용 고주파 전자계 생성수단)(36)를 설치한 것이다. 기판 활성화용 고주파 안테나(36)는, 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단인 고주파 안테나(16)와 마찬가지로, U자형의 선 형상 도체에 의하여 구성된다. 이와 같은 기판 활성화용 고주파 안테나(36)를 이용하는 점을 제외하고, 본 실시예에 관한 스퍼터링 박막형성장치(40)의 구성은 제1 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)와 마찬가지이다.
본 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(40)에서는, 제1 실시예의 스퍼터링 박막형성장치(10)와 마찬가지로 타깃(T)의 표면이 스퍼터되고, 이 표면으로부터 튀어나온 스퍼터 입자가 타깃(T)과 기판(S) 사이의 공간을 비행하여 기판(S)의 표면에 도달한다. 그때, 기판 활성화용 고주파 안테나(36)에 의하여 기판(S)의 표면 부근에 고주파 전자계를 생성함으로써, 기판(S)의 표면이 활성화되어, 기판(S) 표면으로의 스퍼터 입자의 부착이 촉진된다.
여기서, U자형의 안테나 대신에, 실시예 2에서 나타낸 타깃(T)의 표면 근방으로 돌출한 안테나를 이용할 수 있다.
본 발명은, 지금까지 서술한 실시예 1∼4에는 한정되지 않는다. 예컨대, 상기 각 실시예에서는 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14)를 전극으로 하여 양자 사이에 직류 전원(15)에 의하여 전압을 인가하고 있지만, 별도 전극을 설치하여도 좋다. 또한, 직류 전원(15) 대신에, 타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 고주파 전압을 인가하는 고주파 전원(15A)을 이용하여도 좋다(도 9). 고주파 안테나는 직사각형 타깃(T)의 긴 변뿐만 아니라 짧은 변의 근방에도 설치할 수 있다. 또한, 타깃은 직사각형의 것에는 한정되지 않고, 정사각형 판 형상의 것이나, 블록 형상의 것 등을 이용할 수도 있다. 고주파 안테나의 형태는 실시예 1 및 2에 나타낸 것에는 한정되지 않는다. 예컨대 진공용기 천장이나 측벽의 내벽면으로부터 돌출하도록 설치된 U자 형상·반원 형상의 고주파 안테나를 이용할 수 있다. 마그네트론 스퍼터링용 자석(12)으로는 전자석 대신에 영구자석을 이용할 수도 있다.
10, 20, 30, 40…스퍼터링 박막형성장치
11…진공용기
12…마그네트론 스퍼터링용 자석
13…타깃 홀더
14…기판 홀더
15…직류 전원
15A…타깃 홀더(13)와 기판 홀더(14) 사이에 고주파 전압을 인가하는 고주파 전원
16, 26…고주파 안테나
161…고주파 안테나의 다리(제1 도체)
162…고주파 안테나의 팔(제2 도체)
163… 제3 도체
17…임피던스 정합기
18…고주파 전원
26A… 제1 고주파 안테나
26B… 제2 고주파 안테나
26C… 제3 고주파 안테나
36…기판 활성화용 고주파 안테나
S…기판
T…타깃

Claims (9)

  1. a) 진공용기와,
    b) 상기 진공용기 속에 설치된 타깃 지지수단과,
    c) 상기 타깃 지지수단에 대향하여 설치된 기판 지지수단과,
    d) 상기 진공용기 속에 플라즈마 생성가스를 도입하는 플라즈마 생성가스 도입수단과,
    e) 상기 타깃 지지수단과 상기 기판 지지수단 사이에 직류 전계 또는 고주파 전계를 생성하는 전계 생성수단과,
    f) 상기 타깃 지지수단에서 지지된 스퍼터 타깃의 표면에, 상기 스퍼터 타깃 표면과 평행인 성분을 가지는 자계를 생성하는 자계 생성수단과,
    g) 상기 스퍼터 타깃의 근방으로서, 상기 자계 생성수단에 의하여 생성되는 소정의 강도 이상의 자계가 존재하는 영역에 고주파 유도결합 플라즈마를 생성하는 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막(薄膜) 형성장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단이 고주파 안테나인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 고주파 안테나가 상기 소정 강도 이상의 자계가 존재하는 영역 내에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 고주파 안테나가, 권선 수가 1주(周, 턴) 미만인 선 형상 도체인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 고주파 안테나가 U자형 또는 원호 형상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단이 복수 개 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    복수의 상기 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단에 의하여 생성되는 고주파 전자계의 강도가 고주파 유도결합 플라즈마 생성수단마다 다른 값으로 설정 가능한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자계 생성수단이 상기 타깃 지지수단에 지지되는 타깃의 배면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지수단의 근방에 고주파 전자계를 생성하는 기판 활성화용 고주파 전자계 생성수단을 상기 기판 지지수단 근방에 구비하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 박막형성장치.
KR1020117007099A 2008-08-28 2009-08-25 스퍼터링 박막형성장치 KR20110065480A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-218946 2008-08-28
JP2008218946 2008-08-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167017826A Division KR20160087391A (ko) 2008-08-28 2009-08-25 스퍼터링 박막형성장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110065480A true KR20110065480A (ko) 2011-06-15

Family

ID=41721061

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117007099A KR20110065480A (ko) 2008-08-28 2009-08-25 스퍼터링 박막형성장치
KR1020167017826A KR20160087391A (ko) 2008-08-28 2009-08-25 스퍼터링 박막형성장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167017826A KR20160087391A (ko) 2008-08-28 2009-08-25 스퍼터링 박막형성장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8916034B2 (ko)
EP (1) EP2345750B1 (ko)
JP (1) JP5702143B2 (ko)
KR (2) KR20110065480A (ko)
CN (1) CN102144044B (ko)
TW (1) TWI495743B (ko)
WO (1) WO2010023878A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170082185A (ko) * 2016-01-05 2017-07-14 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
KR20190140059A (ko) * 2017-06-07 2019-12-18 닛신덴키 가부시키 가이샤 스퍼터링 장치

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5475506B2 (ja) * 2010-02-26 2014-04-16 株式会社イー・エム・ディー スパッタリング薄膜形成装置
KR20180027635A (ko) * 2011-08-30 2018-03-14 가부시키가이샤 이엠디 스퍼터링 박막 형성 장치
TWI553138B (zh) * 2011-08-30 2016-10-11 Emd Corp Sputtering film forming device
KR20140060295A (ko) * 2011-08-30 2014-05-19 가부시키가이샤 이엠디 플라즈마 처리 장치용 안테나 및 해당 안테나를 이용한 플라즈마 처리 장치
JP5969856B2 (ja) * 2012-08-10 2016-08-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス スパッタリング装置
CN102888590A (zh) * 2012-10-23 2013-01-23 东莞宏威数码机械有限公司 扫描式磁控溅射阴极及扫描式磁控溅射装置
JP2014141698A (ja) * 2013-01-23 2014-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 酸化アルミニウムの成膜方法
JP6101533B2 (ja) * 2013-03-27 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 酸化アルミニウムの成膜方法
CN103469165B (zh) * 2013-10-10 2016-06-08 黄志宏 基于分布式电磁铁的矩形平面阴极电弧靶
TWI615488B (zh) * 2016-05-18 2018-02-21 成膜裝置及其方法
JP7061257B2 (ja) * 2017-03-17 2022-04-28 日新電機株式会社 スパッタリング装置
JP6916699B2 (ja) * 2017-09-14 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 成膜方法および成膜装置
JP6942015B2 (ja) * 2017-09-27 2021-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 成膜装置および成膜方法
JP7034737B2 (ja) 2018-01-25 2022-03-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 成膜装置および成膜方法
GB2588942A (en) 2019-11-15 2021-05-19 Dyson Technology Ltd Sputter deposition
CN111394707B (zh) * 2020-03-31 2023-05-09 北京大学深圳研究生院 一种等离子体源及其用于镀膜的装置、系统和方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4235064A1 (de) * 1992-10-17 1994-04-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung
US5431799A (en) 1993-10-29 1995-07-11 Applied Materials, Inc. Collimation hardware with RF bias rings to enhance sputter and/or substrate cavity ion generation efficiency
JP3846970B2 (ja) 1997-04-14 2006-11-15 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化スパッタリング装置
US6136165A (en) * 1997-11-26 2000-10-24 Cvc Products, Inc. Apparatus for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition
JPH11269643A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Toshiba Corp 成膜装置およびそれを用いた成膜方法
JP2000273629A (ja) * 1999-03-18 2000-10-03 Ulvac Japan Ltd 低抵抗金属薄膜の形成方法
JP3836636B2 (ja) 1999-07-27 2006-10-25 独立行政法人科学技術振興機構 プラズマ発生装置
AU3926901A (en) * 2000-02-24 2001-09-03 Ccr Gmbh Beschichtungstechnologie High frequency plasma source
TW584905B (en) 2000-02-25 2004-04-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for depositing films
JP2003313662A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Mutsuo Yamashita スパッタリング装置
JP4497066B2 (ja) 2005-09-13 2010-07-07 日新電機株式会社 シリコンドットの形成方法及び装置
JP2007149638A (ja) 2005-10-27 2007-06-14 Nissin Electric Co Ltd プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置
US20080023146A1 (en) 2006-07-26 2008-01-31 Advanced Energy Industries, Inc. Inductively coupled plasma system with internal coil

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170082185A (ko) * 2016-01-05 2017-07-14 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
KR20190140059A (ko) * 2017-06-07 2019-12-18 닛신덴키 가부시키 가이샤 스퍼터링 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP2345750A1 (en) 2011-07-20
CN102144044B (zh) 2015-11-25
WO2010023878A1 (ja) 2010-03-04
KR20160087391A (ko) 2016-07-21
CN102144044A (zh) 2011-08-03
US20110203922A1 (en) 2011-08-25
JP5702143B2 (ja) 2015-04-15
EP2345750B1 (en) 2019-01-02
JPWO2010023878A1 (ja) 2012-01-26
TWI495743B (zh) 2015-08-11
US8916034B2 (en) 2014-12-23
EP2345750A4 (en) 2013-11-27
TW201016873A (en) 2010-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110065480A (ko) 스퍼터링 박막형성장치
JP5747231B2 (ja) プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置
EP1976346A1 (en) Apparatus for generating a plasma
KR20020005991A (ko) 마그네트론 스퍼터링 리액터내의 동축 전자석
JP2008500457A5 (ko)
KR20110010780A (ko) 마이크로파를 이용한 회전식 ｐｖｄ
TW201012310A (en) High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation
KR20130062261A (ko) 스퍼터링 장치
KR101356918B1 (ko) 마그네트론 스퍼터 장치
JP5934227B2 (ja) 大きなターゲットによる高圧スパッタリングのためのスパッタ源およびスパッタリング方法
KR101629214B1 (ko) 자장 제어를 통한 플라즈마 쉐이핑이 가능한 플라즈마 처리 장치
KR101429069B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP5475506B2 (ja) スパッタリング薄膜形成装置
JP2010248576A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
WO2018143164A1 (ja) プラズマ発生装置、プラズマスパッタリング装置及びプラズマスパッタリング方法
JP2004363090A (ja) 高周波プラズマ装置
WO2009048294A2 (en) Magnetized inductively coupled plasma processing apparatus and generating method
JP4384295B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4854283B2 (ja) プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置
KR100793569B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치
JP2011017088A (ja) スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置
Bliokh et al. Plasma uniformity enhancement in a single-core ferromagnetic inductor coupled plasma source
KR100713223B1 (ko) 대향 타겟식 스퍼터링 장치 및 그 음극 구조
JP4069298B2 (ja) 高周波プラズマの発生方法
JPH0578849A (ja) 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2016101003976; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20160701

Effective date: 20180307

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018201003253; APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL