KR20110063831A - 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법 - Google Patents

원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 제1 방사선 부분이 작업물의 상면에서 반사되고, 제2 방사선 부분이 작업물 두께를 침투하여, 작업물의 저면에서 반사된 후에 다시 작업물의 상면에서 빠져나오는, 적외 방사선을 작업물의 상면에 지향시키는 단계와, 제1 방사선 부분 및 제2 방사선 부분이 간섭 패턴의 형성 하에서 간섭하는 단계와, 간섭 패턴에 기초하여 작업물의 상면과 저면 간의 광학적 작업물 두께를 결정하는 단계를 포함하는 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법을 개시한다. 본 발명에 따라, 작업물로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선의 세기의 계측치로부터 기계적 작업물 두께가 결정된다.

Description

원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법{METHOD FOR MEASURING THE THICKNESS OF A DISCOIDAL WORKPIECE}
본 발명은 전자 부품용 기판으로서 이용되는 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법에 관한 것으로, 이 방법은, 제1 방사선 부분이 상면에서 반사되고, 제2 방사선 부분이 작업물 두께를 침투하여 작업물의 저면으로부터 반사된 후에 다시 작업물의 상면을 빠져나오는 적외 방사선을 작업물의 상면에 지향시키는 단계와, 제1 및 제2 방사선 부분이 간섭 패턴의 형성 하에서 간섭하는 단계와, 이 간섭 패턴을 이용하여 작업물의 상면과 저면 간의 광학적 작업물 두께를 결정하는 단계를 포함한다.
예컨대 실리콘 웨이퍼와 같은 박막의 원반형 작업물은 통상적으로 양면 또는 단면 가공 기기로 그라인딩, 랩핑, 폴리싱("헤이즈 프리 폴리싱(haze free polishing)" 또는 "화학적-기계적 폴리싱") 등의 가공을 거치게 된다. 이에 의해 생성되는 작업물의 기하학적 형상은 추후의 사용을 위해 매우 중요하다. 그러므로, 완성된 작업물은 흔히 광학적 이미징 공정을 통해 집적회로가 제공된다. 작업물의 두께의 바람직하지 않은 변동은 이미징 선예도(imaging sharpness) 및 그에 따라 집적회로의 품질을 저하시킨다.
지금까지는, 작업물의 두께 계측은 양면 가공 기기 및/또는 CMP 기기에서의 가공 후에만 이루어졌다. 계측 결과에 기초하여, 작업물이 신뢰할 수 없는 기하학적 편차를 보이는 경우에는 따로 분류되었다. 이 공정은 공정이 이루어진 후에만 계측이 이루어지기 때문에 바람직하지 않은 폐기물을 초래한다. 두께 계측을 위한 공지의 방법으로는 예컨대 레이저 삼각측량(laser triangulation), 초음파 및 와류 전류 계측법 등이 있다. 그러나, 이들 방법은 전술한 박막의 원반형 작업물에 대해 충분한 정확도를 제공하지 못한다. 정전용량형 두께 계측법(capacitive thickness measuring method)은 더욱 정확한 계측 결과를 제공한다. 그러나, 이러한 방법은 비용이 많이 소요되고, 주위 환경에 대해 민감하다.
예컨대, 작업물의 가공 동안의 또는 작업물의 가공 직전의 온라인 두께 계측을 위해 간섭 측정법(interferometry)이 부각되고 있다. 이 방법에 의하여, 계측될 작업물에 의해 반사되거나 투과된 전자기 방사선에 의한 간섭 패턴으로부터, 예컨대 2개의 간섭 최대치 간의 이격 거리로부터 작업물의 광학적 두께가 결정된다. 이 광학적 두께는 기계적 두께와 작업물 재료의 굴절률의 곱(product)이다. 그러므로, 굴절률을 알고 있다면, 광학적 작업물 두께로부터 기계적 작업물 두께를 계산할 수 있다. 굴절률은 계측될 각각의 작업물 재료에 대해 특정되는 상수인 것으로 가정된다.
그러나, 실제로, 이 방식으로 달성할 수 있는 계측 정확도는 항상 충분한 것은 아니다. 그러므로, 굴절률의 불균일은 예컨대 웨이퍼와 같은 작업물의 예컨대 도핑 불균일과 같은 재질 불균일에서 비롯된다.
전술한 종래 기술의 상황에 기초하여, 본 발명은 박막의 원반형 작업물의 더욱 정확한 두께 계측이 가능한 전술한 타입의 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이러한 목적을 청구항 1의 요지를 통해 달성한다. 첨부된 청구범위뿐만 아니라 상세한 설명 및 도면에서 이로운 실시예를 확인할 수 있을 것이다.
전술한 타입의 방법을 위해, 본 발명은 광학적 작업물 두께를 고려한 작업물에 의해 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선의 세기의 측정을 통해 기계적 작업물 두께가 결정된다는 점에서 상기한 목적을 달성한다.
본 발명에 따라, 예컨대 재질 편차가 굴절률의 변동 및 그에 따라 두께 계측의 오류를 초래할 수 있는 것으로 판명되었다. 본 발명은, 굴절률의 변화가 작업물의 반사 또는 각각의 흡수 레벨에 영향을 주고, 그에 따라 변화된 굴절률이 반사되거나 또는 각각 투과되는 방사선 세기에 있어서 대응하는 변화를 초래한다는 지식을 기반으로 한다. 본 발명은 이 효과를 이용하여, 결정된 광학적 작업물 두께로부터 기계적 작업물 두께를 결정하는 동안 굴절률 편차를 보상한다.
작업물의 각각의 재료에 따라서는, 변화된 작업물 두께로 인하여 변화된 흡수가 굴절률에 미치는 영향은 대부분의 경우에 무시될 수 있다. 이것은 특히 적외 방사선에 대해 높은 투과성을 나타내는 규소와 같은 물질에 적용된다. 다른 물질의 경우에는, 두께가 변화될 때에는 작업물의 흡수 또한 변화될 수 있다. 계측된 세기를 교정 프레임워크에서 결정되고 변화된 흡수를 보여주는 스케일 팩터(scale factor)에 의해 교정함으로써 굴절률을 결정할 수 있다.
본 발명에 따라, 예컨대 도핑 불균일로 인한 편차의 경우에 종래 기술에 비하여 더욱 정확한 두께 계측이 가능하게 되며, 집적회로 또는 개별 전자 부품의 응용 장치에 대하여 향상된 특성이 달성된다.
본 발명에 따른 방법으로, 구체적으로 원통형으로 또는 원형으로 설계될 수 있는 박막의 원반형 부분 투과성 작업물이 계측된다. 작업물은 1.5 mm 미만의 두께를 가질 수 있다. 기계적 작업물 두께는 광학적 작업물 두께와 굴절률을 계수로 하여 계산될 수 있다. 작업물 상면과 작업물 저면 간의 광학적 작업물 두께의 결정 및 굴절률의 결정은 적합한 교정 특성 라인 또는 적합한 교정 특성 영역을 이용하여 발생할 수 있다. 본 발명에 따라, 침투 방사선을 바라보는 작업물의 면을 작업물의 상면으로 지칭하고, 침투 방사선의 반대쪽을 바라보는 작업물의 면을 저면으로 지칭한다. 물론, 본 발명에 따른 방법은 공간에서의 작업물의 정렬 또는 적외 방사선의 침투 방향에 구속되지 않는다. 특히, 저면으로부터 상면으로의 수직 방향으로 작업물을 설명하는 것도 가능하다.
본 발명에 따라 사용된 내부 간섭 측정법의 경우에, 제2 방사선 부분은 당연히 작업물 두께를 복수 회 통과할 수 있으며, 그에 따라서 작업물에서 빠져나오기 전에 저면 및 가능한 경우에는 상면의 내측면에서 복수 회 반사될 수 있다. 특히 작업물의 상면에 대향하는 측에서 간섭 패턴의 기록이 행해진다. 적외 방사선은 예컨대 유리 섬유에 주입되어 이 유리 섬유를 통해 작업물에 지향될 수 있거나, 또는 작업물로부터 유입되는 방사선이 유리 섬유에 의해 수신되어 분석기에 보내질 수 있다. 예컨대 간섭 패턴의 평가를 위해 적합한 전자 평가 유닛을 갖는 적합한 검출기가 제공될 수 있다.
원반형 작업물은 샌드위치 구조의 일부일 수 있으며, 여기서 작업물의 저면은 다음의 아래층에 대한 경계면을 형성한다. 작업물의 상면은 또한 다음의 상위층에 대한 경계면이 될 수 있다. 방사선 부분의 간섭에 의해 생성된 간섭 패턴은 예컨대 회절 패턴이거나, 또는 예컨대 백색광 간섭 측정과 유사한 공간적 팬아웃 간섭 패턴(spectrally fanned out interference pattern)일 수 있다. 본 발명에 따라, 간섭의 유형은 문제가 되지 않는다.
일실시예에 따라, 적외 방사선 스펙트럼은 작업물의 상면에 지향될 수 있다. 이 스펙트럼은 구체적으로 작업물의 상면에 지향될 수 있다. 그러므로, 예컨대 격자 분광기(grating spectrometer)와 같은 분광기를 통해 제1 및 제2 방사선 부분의 간섭에 의해 생성된 방사선을 분광 방식으로 분석할 수 있다. 실제로 입증된 일반적으로 알려진 적외 간섭 측정법이 본 실시예에 이용된다. 적외선 램프, 구체적으로 적외선광 전구 또는 적외선 가스 방전 램프가 적외 방사선 소스로서 이용될 수 있다. 이러한 적외선 램프는 2개의 방사선 부분의 간섭을 야기한다. 특히, 특정 파장의 스펙트럼에 대해서는, 작업물 두께에 의해 생성된 경로차만으로도 보강 간섭 또는 상쇄 간섭을 발생하기에 충분하다. 이 간섭 패턴은 분광기를 통해 분광 방식으로 분석되어 평가될 수 있다. 예컨대, 광학적 작업물 두께는 2개의 최대치 또는 최소치의 간격으로부터 결정될 수 있다.
물론, 본 발명에 따라, 예컨대 높은 가간섭성 길이(high coherence length)의 방사선(예컨대, 레이저 방사선) 및 경사 방사선 입사(slanted radiation incidence)를 이용한 다른 간섭 방법도 이용될 수 있다.
다른 실시예에 따라, 작업물로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선의 세기에 대한 계측을 위해, 제1 및 제2 방사선 부분의 간섭에 의해 생성된 방사선의 세기는 그 방사선이 작업물의 상면에서 반사된 후에 또는 작업물의 상면으로부터 빠져나온 후에 계측될 수 있다. 본 실시예에서, 세기 계측은 동일한 측에서 이루어질 수 있으며, 이곳에서 2개의 간섭 방사선 부분이 수신되어 평가된다. 그러므로, 간섭 패턴의 세기 계측 및 평가를 위해 동일한 계측 구성이 이용될 수 있는 것이 이롭다. 예컨대 간섭 최대치 및 간섭 최소치와 같은 간섭 패턴의 2개의 정해진 지점 간의 세기 차이가 세기의 계측을 위해 결정될 때에는 특히 높은 정확도가 달성될 수 있다. 특히, 최소치는 영(0)과 동일한 세기를 가질 수도 있다.
다른 실시예에 따라, 작업물의 저면 상의 제3 방사선 부분이 작업물 외부로 빠져나올 수 있고, 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선의 세기의 계측을 위해, 작업물을 빠져나온 후의 제3 방사선 부분의 세기가 계측될 수 있다. 본 실시예에서, 작업물을 통과하는 방사선의 세기가 기록되어, 반사 레벨 또는 흡수 레벨을 결정하기 위해 이용된다. 본 실시예는 예컨대 작업물의 저면이 외측으로부터 액세스 가능하고 이에 대응하여 침투하는 방사선이 수신될 수 있을 때에 제공된다.
다른 실시예에 따라, 작업물의 굴절률이 결정될 수 있으며, 기계적 작업물 두께가 결정된 굴절률을 고려하여 광학적 작업물 두께로부터 결정된다. 굴절률은 예컨대 작업물로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선의 세기 또는 세기 차이에 좌우되는 굴절률을 나타내는 특성 라인으로부터 결정될 수 있다. 이러한 특성 라인은 교정 프레임워크 내에서 결정될 수 있다. 또한, 기계적 작업물 두께를 특성 필드(characteristic field)를 통해 결정하는 것도 가능하다. 이러한 특성 필드는 예컨대 세기 또는 세기 차이와 굴절률에 좌우되는 작업물 두께를 나타낼 수 있다. 이러한 특성 필드는 통상적으로 교정 프레임 내에서 생성된다. 특성 라인 또는 특성 필드를 이용함으로써 수신된 방사선의 평가가 특히 간략하게 이루어진다.
다른 실시예에 따라, 적외 방사선은 작업물의 상면 위에서 비스듬하게 지향될 수 있으며, 기계적 작업물 두께 프로파일이 본 발명에 따른 방법으로 결정될 수 있다. 본 실시예에서, 적외 방사선은 작업물의 측면 방향에서 서로의 뒤편에 놓여 있는 복수의 지점에 걸쳐 차례대로 또는 동시적으로 작업물의 상면에 지향되며, 본 발명에 따른 방식으로 이들 지점의 각각에 대해 두께가 결정된다. 그에 따라, 측방향 두께 프로파일이 생성된다. 관련 실시예에 따라, 적외 방사선은 작업물의 상면 위에서 비스듬하게 지향될 수 있으며, 방사상의 작업물 두께 프로파일이 본 발명에 따른 방법으로 결정될 수 있다. 작업물의 회전 대칭이 가정될 수 있다면, 이러한 방사상 계측을 통해 두께 계측 동안의 충분한 정확도가 달성된다. 이에 의해, 적외 방사선을 전체 작업물 표면 또는 예컨대 작업물 표면의 에지에서부터 중간 지점까지 또는 더 작은 영역에 지향시키는 것이 가능하게 된다.
특별하게 실시하기에 적합한 실시예에 따라, 작업물은 웨이퍼, 구체적으로 실리콘 웨이퍼이어도 된다. 이러한 웨이퍼 또는 반도체 웨이퍼는 부분적으로 복잡한 집적회로를 제공하기 위해 다수의 분야에서 이용된다. 작업물 기하학적 형상은 이에 의해 앞에서 언급된 이유로 집적회로의 품질을 위해 특히 중요하다. 그러나, 다른 원반형 작업물 또한 집적회로 또는 개별 전자 부품을 위해 고려될 수 있다. 그러므로, 작업물은 예컨대 사파이어 디스크일 수도 있다. 이러한 기판은 이들이 샌드위치 구조를 형성하도록 예컨대 규소층이 제공될 수 있다. 집적회로 또는 다이오드 등과 같은 개별 부품이 예컨대 광학적 이미징 공정을 통해 규소층에 가해질 수 있다.
다른 실시예에 따라, 작업물의 두께는 구체적으로 작업물의 샌딩(sanding), 랩핑(lapping) 및/또는 폴리싱 동안의 예컨대 화학적-기계적 평탄화 또는 화학적-기계적 폴리싱을 위한 기기와 같은 양면 가공 기기 또는 단면 가공 기기에서의 작업물의 가공 동안 및/또는 작업물의 가공 직전에 본 발명에 따른 방법으로 결정될 수 있다. 그러므로, 가공 동안의 작업물의 가공을 위한 파라미터를 결정된 두께 및/또는 결정된 두께 프로파일에 따라 조정하는 것도 가능하다. 본 발명에 따른 방법으로, 이러한 가공 기기는, 온라인 두께 계측 및 필요한 경우 작업물의 기하학적 형상이 최적화되도록 두께 계측치에 따른 공정 파라미터의 온라인 조정을 최적화할 수 있다. 구체적으로, 이러한 기기의 용도는 일반적으로 예컨대 폴리싱 플레이트와 같은 가공 플레이트에 의해 바람직하지 않은 요철 표면 또는 두께 형상을 방지하기 위한 것이다. 이러한 기기에 보편화되어 있는 회전 가공에 의해, 작업물은 주로 회전 대칭으로 되어, 특정한 기하학적 형상으로부터 발생할 가능성이 있는 편차 또한 회전 대칭이 된다. 본 발명에 따른 방사상 두께 계측은 이 경우에도 충분한 정확도를 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 방법을 실행하기 위한 구성을 도시하고 있다.
도 2는 빔 경로를 가시적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 계측될 작업물의 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 방법으로 기록된 방사상 두께 프로파일을 나타내는 그래프이다.
이하에서는 본 발명의 일례의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
다른 언급이 없다면, 도면 내의 동일한 대상에 대하여 동일한 도면 부호가 사용된다. 도 1은 계측하고자 하는 기계적 두께가 d인 집적회로를 위한 원반형 작업물(10), 여기에서는 실리콘 웨이퍼(10)를 도시하고 있다. 적외 방사선 소스(12) 여기에서는 적외선 램프(12)가, 적외 방사선(14), 도시된 예에서는 적외선 스펙트럼(14), 즉 특정 파장 또는 주파수 영역에 걸쳐 분포된 적외 방사선을 발생한다. 예컨대 빔 스플리터(16)를 통해, 예컨대 반투과성 미러(16)를 통해, 광학장치(18)를 통해 집속된 적외 방사선(14)이 직각 입사되는 상태로 웨이퍼의 상면(20)을 때린다.
적외 방사선이 웨이퍼(10)를 때릴 때의 빔 경로는 도 2에 상세하게 도시되어 있다. 따라서, 제1 방사선 부분(22)은 작업물(20)의 상면에서 반사되어 상면(20)에 대해 직각으로 복귀한다. 추가의 방사선(23)은 작업물 두께 d를 침투하고, 작업물의 저면(26)에서 (부분적으로) 반사되어, 저면(26)으로부터 상면(20)으로 다시 작업물 두께 d를 침투하고, 적어도 부분적으로는 제2 방사선 부분(24)으로서 작업물의 상면을 벗어난다. 작업물의 저면(26)으로부터 상면(20)으로 작업물 두께 d를 침투하는 방사선(23)은 그 후 부분적으로 반사되어, 또 다른 방사선 부분(30)이 작업물의 상면(20)으로부터 저면(26)으로 작업물 두께 d를 침투하고, 이와 같은 동작이 반복하여 이루어진다. 이들 빔 경로는 일반적으로 알려져 있다. 방사선(23)이 작업물의 저면에서 부분적으로만 반사되기 때문에, 제3 방사선 부분(28)은 도 2에 도시된 일례의 실시예에서 작업물의 저면(26)에서 빠져나온다.
제1 및 제2 방사선 부분(22, 24)(및 적용 가능한 경우에는 추가의 반사 방사선 부분)은 이들의 반사 후에 또는 작업물(10)로부터의 이들의 재탈출(re-exit) 후에 다시 빔 스플리터(16)를 때리며, 빔 스플리터로부터 직각으로 편향되어 분광기(32)로 지향된다. 도시된 예에서, 분광기(32)는 격자 분광기(grating spectrometer)(32)이다. 분광기(32)를 때리는 적외 방사선(14)은 도 1에 스펙트럼(34)으로서 개략 도시된 바와 같이 이 분광기(32)에 의해 스펙트럼으로 펼쳐진다. 스펙트럼(34)에서, 파장에 대한 어떠한 단위의 방사선 세기는 단지 가시화하기 위해 적용된 것에 불과하다.
웨이퍼(10)로부터 복귀하는 적외 방사선(14)의 부분, 구체적으로 제1 및 제2 방사선 부분(22, 24)은, 전반적으로 알려진 방식으로 서로 간섭한다. 웨이퍼 두께 d에 의해 야기되는 방사선 부분(22, 24)의 경로 차이에 따라 보강 간섭 또는 상쇄 간섭이 발생한다. 이에 대응하는 간섭 다이아그램이 도 1에 도면 부호 36으로 전반적이고 개략적인 방식으로 도시되어 있다. 간섭 다이아그램(36)에는 파장에 대하여 임의의 단위의 세기가 적용된다. 간섭 패턴은 도면부호 38의 결과를 발생한다. 작업물(10)의 두께 d는 세기 신호의 평가를 통해 결정된다. 예컨대, 2개의 간섭 최대치 간의 이격 거리(40)로부터, 광학적인 작업물 두께 L은 당업자에게 전반적으로 알려져 있는 것과 같이 기계적 작업물 두께 d와 웨이퍼(10)의 굴절률의 곱으로서 결정된 수 있다. 간섭 최대치와 간섭 최소치 간의 세기 차이(42)는 웨이퍼(10)의 반사율에 대한 정보를 내포하고 있다. 계측된 세기 차이(42)에 기초하여, 웨이퍼(10)의 굴절률은 예컨대 교정 프레임 내에서 생성된 특성 라인에 기초하여 결정될 수 있다. 이를 기반으로 하여, 기계적 작업물 두께 d는 광학적 작업물 두께 L 및 결정된 굴절률 n을 계수로 하여 계산될 수 있다.
전술한 방법은 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같이 작업물(10)의 방사상 두께 프로파일을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이에 따라, 본 방법은, 원통형 및 원형의(위에서 볼 때) 작업물(10)의 중점에서 출발하여 작업물(10)의 에지까지의 방사상 라인(44)을 따라, 이 방사상 라인(44)을 따라 위치된 표면 지점에 대해 연속적으로 실행되며, 이에 이해 방사상 두께 프로파일이 생성된다. 대응하는 방사상 두께 프로파일(46)이 도 4에 도시되어 있다. 이 도면에서, 계측된 작업물 두께 d는 밀리미터 단위의 작업물(10)의 반경에 대하여 마이크로미터 단위로 적용된다. 반경 "0"는 작업물(20)의 상면의 중점을 나타낸다.
본 발명에 따른 방법에 의하면, 종래 기술에 비하여, 전자 부품을 위한 기판으로서 이용하고자 하는 원반형 작업물(10)의 더욱 정확한 두께 계측이 가능하게 된다.

Claims (15)

  1. 전자 부품용 기판으로서 이용되는 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법에 있어서,
    a) 제1 방사선 부분(22)이 작업물의 상면(20)에서 반사되고, 제2 방사선 부분(24)이 작업물 두께(d)를 침투하여 상기 작업물의 저면(26)에서 반사된 후에 다시 상기 작업물의 상면(20)에서 빠져나오는 적외 방사선(14)을, 상기 작업물의 상면(20)에 지향시키는 단계;
    b) 상기 제1 방사선 부분(22) 및 상기 제2 방사선 부분(24)이 간섭 패턴의 형성 하에서 간섭하는 단계; 및
    c) 상기 간섭 패턴에 기초하여 상기 작업물의 상면(20)과 저면(26) 간의 광학적 작업물 두께(L)를 결정하는 단계
    를 포함하며,
    상기 작업물(10)로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선(14)의 세기의 계측치로부터 기계적 작업물 두께(d)가 결정되는,
    원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    적외 방사선 스펙트럼(14)이 상기 작업물의 상면(20)에 지향되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적외 방사선 스펙트럼(14)이 상기 작업물의 상면(20)에 직각으로 지향되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 방사선 부분(22, 24)의 간섭을 통해 생성된 방사선이 분광기(32)를 통해 분석되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작업물(10)로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선(14)의 세기의 계측을 위해, 상기 제1 및 제2 방사선 부분(22, 24)의 간섭에 의해 생성된 방사선의 세기가, 상기 작업물의 상면(20)에서의 반사 후에 또는 상기 작업물의 상면(20)에서 빠져나온 후에 계측될 수 있는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작업물(10)로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선(14)의 세기의 계측을 위해, 간섭 패턴의 2개의 정해진 지점, 구체적으로 간섭 최대치와 간섭 최소치 간의 세기 차이(42)가 결정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    제3 방사선 부분(28)이 상기 작업물의 저면(26)에서 상기 작업물(10)을 빠져나오며, 상기 작업물(10)로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선(14)의 세기의 계측을 위해, 상기 작업물(10)을 빠져나온 후의 상기 제3 방사선 부분(28)의 세기를 계측하는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작업물(10)의 굴절률(n)이 결정되며, 결정된 굴절률(n)을 고려하여 광학적 작업물 두께(L)로부터 상기 기계적 작업물 두께(d)가 결정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 굴절률(n)은 상기 작업물(10)로부터 반사되거나 및/또는 투과된 적외 방사선(14)의 세기 또는 세기 차이(42)에 좌우되는 굴절률(n)을 나타내는 특성 라인(characteristic line)으로부터 결정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기계적 작업물 두께(d)가 특성 필드(characteristic field)를 통해 결정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적외 방사선(14)이 상기 작업물의 상면(20) 위에서 비스듬하게 지향되며, 기계적 작업물 두께 프로파일(46)이 본 방법으로 결정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작업물(10)은 웨이퍼(10), 구체적으로 실리콘 웨이퍼(10)인, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작업물(10)은 사파이어 디스크인, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 작업물(10)의 두께(d)는, 구체적으로 화학적-기계적 평탄화 또는 화학적-기계적 폴리싱을 위한 기기와 같은 양면 가공 기기 또는 단면 가공 기기에서의 상기 작업물(10)의 가공 동안, 상기 작업물(10)의 가공 직전, 및/또는 상기 작업물(10)의 가공 직후에 결정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 작업물(10)의 가공을 위한 파라미터는 결정된 두께(d) 및/또는 결정된 두께 프로파일에 따라 조정되는, 원반형 작업물의 두께를 계측하는 방법.
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