KR20110054853A - 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판에 관련된 것으로서, 전자기 밴드갭 구조물은 유전층, 상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판, 상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고, 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고, 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아, 및 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도판에 형성된 제1 더미비아를 포함하여 아날로그 회로와 디지털 회로를 동일 인쇄회로기판에 구현되더라도 혼합신호 문제를 해결할 수 있다.

혼합신호, 전자기파, 밴드갭, 스티칭 비아, 더미비아, 접지층, 전원층

Description

전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판{Electromagnetic bandgap structure and Printed circuit board having the same}

본 발명은 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판에 관련된다.

최근 출시되고 있는 전자기기 및 통신기기들은 점점 더 소형화, 박형화, 경량화 되어가고 있다. 이러한 전자기기 및 통신기기들에는 해당 기기의 기능/동작을 구현하기 위한 다양한 전자회로들(아날로그 회로 또는 디지털 회로)이 복합적으로 포함되어 있으며, 이러한 전자회로들은 일반적으로 인쇄회로기판에 탑재되어 해당기능을 수행하게 된다. 이때, 인쇄회로기판에 탑재된 전자회로들은 각각의 동작 주파수가 상이한 경우가 대부분이다.

따라서, 다양한 전자회로들이 복합적으로 탑재되어 있는 인쇄회로기판에서는 일반적으로 어느 전자회로의 동작 주파수와 그 하모닉스(harmonics) 성분들에 의한 전자기파(electromagnetic wave; EM wave)가 다른 전자회로로 전달되어 간섭됨에 따라 노이즈 문제(혼합 신호(mixed signal)의 문제)가 발생하였다.

종래에는, 이러한 혼합신호 문제를 해결하기 위해 바이패스(bypass) 캐패시터 내장형 회로기판을 사용하였으나, 고주파 노이즈를 차단하는 방법으로는 적절한 해결책이 되지 못하고 있다.

최근에, 디지털 회로와 아날로그 회로 사이의 혼합신호 문제의 해결방법으로 거론되고 있는 것이 코플래너 EBG(coplanar electromagnetic bandgap) 구조이다. 코플래너 EBG는 특정주파수를 통과시키지 않는 특성을 가진 구조의 EBG 셀이 반복해서 전체 그라운드 층(ground layer)에 형성되는 것이 일반적인 형태이다.

이러한 코플래너 EBG 구조는 그라운드 층 또는 파워 층(power layer)의 전체 면적에 도체의 넓은 영역과 좁은 영역을 반복적으로 구성하여 형성한다. 그리고 높은 임피던스 값을 얻기 위해 인접하는 셀은 얇은 도선 패턴을 길게 형성하여 연결되는데, 이 경우에는 긴 도선 패턴을 형성하기 위해 비교적 넓은 면적이 필요하게 되어, 디자인적 제한이 발생한다.

특히, 핸드폰의 메인기판과 같이 디지털 회로와 아날로그 회로가 동일한 기판에 구현되어 있는 복잡한 배선구조의 기판이나, 패키지 기판처럼 좁은 영역에 많은 능동소자와 수동소자를 적용해야 하는 경우에는 디자인적인 어려움이 더욱 크다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 낮은 밴드갭 주파수를 가져 특정 주파수의 노이즈를 저감시키는 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판을 제안한다.

또한, 본 발명은 좁은 면적에서도 높은 임피던스를 확보하여 능동소자와 수동소자가 밀집한 인쇄회로기판의 제조에 있어서 그 디자인 확보가 가능하다.

본 발명에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 유전층, 상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판, 상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아, 및 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도판에 형성된 제1 더미비아를 포함한다.

또한, 상기 제1 더미비아는 원뿔형 또는 원기둥형 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 더미비아는 비아 내측에 도전성 페이스트가 충진되어 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 복수의 전도판은 동일 평면상에 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 복수의 전도판과 유전층을 사이에 두고 위치하는 전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도층에 형성된 제2 더미비아를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 전도층은 클리어런스 홀을 구비하고, 상기 연결패턴은 상기 클리어런스 홀에 수용되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제2 더미비아는 상기 전도판에 형성된 상기 제1 더미비아와 대응하는 위치에 형성된 것 특징으로 한다.

그리고, 본 발명에 따른 또 다른 전자기 밴드갭 구조물은 유전층, 상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판, 상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아, 상기 복수의 전도판과 유전층을 사이에 두고 위치하는 전도층, 및 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도층에 형성된 제2 더미비아를 포함한다.

또한, 상기 제2 더미비아는 원뿔형 또는 원기둥형 중 어느 하나인 것을 특징 으로 한다.

또한, 상기 제2 더미비아는 비아 내측에 도전성 페이스트가 충진되어 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 전도층은 클리어런스 홀을 구비하고, 상기 연결패턴은 상기 클리어런스 홀에 수용되는 것을 특징으로 한다.

그리고, 본 발명에 따른 인쇄회로기판은 상호간 동작 주파수를 달리하는 2개의 전자 회로를 포함하는 인쇄회로기판에 있어서, 상기 2개의 전자회로 사이에 배치되되, 유전층, 상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판, 상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아, 및 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도판에 형성된 제1 더미비아를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물을 포함한다.

또한, 상기 전자기 밴드갭 구조물은, 상기 복수의 전도판과 유전층을 사이에 두고 위치하는 전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도층에 형성된 제2 더미비아를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 전도층은 클리어런스 홀을 구비하고, 상기 연결패턴은 상기 클리 어런스 홀에 수용된 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 전도층은 접지층 또는 전원층 중 어느 하나이고, 상기 전도판들은 다른 하나와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 전도층은 접지층이고, 상기 전도판들은 신호층과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

본 발명에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 작은 크기를 가지면서도 낮은 밴드갭 주파수를 가져 특정 주파수의 노이즈를 저감시킨다.

또한, 본 발명에 따른 인쇄회로기판은 좁은 면적에서도 높은 임피던스를 확보하여 능동소자와 수동소자가 밀집한 인쇄회로기판의 제조에 있어서, 그 디자인 확보가 가능하다. 그리고, 다수의 RF 회로 또는 디지털 회로가 동일 기판에 구현되더라도 혼합신호 문제를 해결할 수 있다.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)의 일부를 도시한 입체 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 전자기 밴드갭 구조물(100)의 A-A'선에 따른 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 전자기 밴드갭 구조물(100)의 변형예이다.이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)을 설명하기로 한다.

도 1, 도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이 본 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(100)은 복수의 전도판(110; 110a, 110b), 이웃하는 전도판(110a, 110b)을 전기적으로 연결하는 스티칭 비아(130), 상기 전도판(110)에 형성된 더미비아(140)를 포함한다. 또한, 상기 전도판(110)과 유전층(120)을 사이에 두고 위치한 전도층(150)을 포함할 수 있다.

전자기 밴드갭 구조물(100)의 기본 구조는 전도층(150)을 1층으로 하고, 복수의 전도판(110)을 2층으로 하는 2층 평면구조를 갖는다. 이때, 전도층(150)과 전도판(110)은 유전층(120)에 의해 분리된다.

여기서, 도 1 , 도 2, 및 도 3에 도시된 전자기 밴드갭 구조물(100)은 편의상 필수적 구성요소만을 단순화하여 도시하고 있으나, 복수의 전도판(110)과 전도층(150)은 다층 인쇄회로기판을 구성하는 내부의 2개 층일 수 있다. 아울러, 전도판(110)과 전도층(150) 사이에는 적어도 하나의 다른 금속층들이 존재할 수 있음은 자명하다.

이때, 전도판(110)은 동일 평면상에 위치하는 것이 바람직하며, 소정의 간격만큼 이격 분리되어 있다. 이러한 전도판(110)은 금속판(예를 들어, 구리판)으로서 전기적 신호를 전달한다.

또한, 전도층(150) 역시 금속층으로 이루어진다.

그리고, 스티칭 비아(130)는 이웃하는 두 개의 전도판(110a, 110b)을 전기적으로 연결한다. 단, 두 개의 전도판(110)을 동일한 평면상에서 연결하는 것이 아니고, 다른 층을 경유하여 연결한다. 상세히 검토하면 아래와 같다.

스티칭 비아(130)는 제1 비아(131), 제2 비아(132), 상기 비아들을 연결하는 연결패턴(133)을 포함하여 구성된다. 제1 비아(131)의 일단은 전도판(110a)에 연결되고, 제1 비아(131)의 타단은 연결패턴(133)의 일단에 연결된다. 제2 비아(132)의 일단은 제2 전도판(110b)에 연결되고, 그 타단은 연결패턴(133)의 타단과 연결된다. 따라서 연결패턴(133)의 양단은 제1 비아(11)3와 제2 비아(132)에 연결되고, 그 연결을 위해 비아 랜드를 포함할 수 있다.

이때, 제1 비아(131) 및 제2 비아(132)는 전도판(110)을 전기적으로 연결하기 위해, 내벽에만 도금층이 형성되어 있는 형태가 될 수 있고, 그 내부 전체에 도금층이 형성되거나, 또는 내부에 도전성 페이스트가 충진된 형태가 될 수 있다.

그에 따라, 이웃하는 제1 전도판(110a)과 제2 전도판(110b)은 제1 비아(131), 연결패턴(133), 및 제2 비아(132)를 통해 연결된다.

한편, 제1 전도판(110a)은 제2 전도판(110b) 이외의 또 다른 전도판들이 이웃하여 있을 수 있다. 따라서 제1 전도판(110a)은 또 다른 스티칭 비아를 통해 제2 전도판 이외의 다른 인접 전도판과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전도판(110a)이 사각형 형상을 갖는 경우, 이웃하는 4개의 전도판과 전기적 연결을 위해 4개의 스티칭 비아와 연결될 것이다. 다만, 전도판(110)은 사각형 형상에 제한되지 아니하며, 삼각형 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있고, 크기를 달리하는 복수의 그룹으로 이루어질 수도 있다.

전도판(110)들이 스티칭 비아(130)를 통해 연결되므로, 2층 평면상에서 전도판을 연결하기 위한 패턴을 형성할 필요가 없게 된다. 따라서, 2층 평면상에 형성된 전도판(110) 간의 간격은 좁아지고, 전도판(110)의 면적을 넓어지게 된다. 따라서 전도판 사이의 갭에서 나타나는 캐패시턴스를 높일 수 있다.

또한, 더미비아(140)는 유전층(120)의 두께방향으로 전도판(110)에 형성된다(후술하는 전도층(150)에 형성되는 더미비아와의 구별을 위해 제1 더미비아(140)로 지칭함). 이러한 제1 더미비아(140)는 스티칭 비아(130)를 형성하는 제1 비아(131) 또는 제2 비아(132)와 달리 일단이 전도판(110)과 연결되어 있으나 타단은 다른 금속층과 단절되어 있는 형상이다. 따라서, 유전층(120)의 두께방향으로 일부 관통하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 제1 더미비아(140)의 길이는 유전층(120)의 두께 내에서 조절될 수 있다.

이러한, 제1 더미비아(140)가 전도판(110)에 형성됨으로써, 캐패시터의 하부 전극층을 이루는 전도층(150)과 캐패시터의 상부 전극층을 이루는 전도판(110)의 간격이 좁아져 그 사이의 캐패시턴스는 증가한다.

제1 더미비아(140)의 형상은 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 원기둥형으로 형성될 수 있다. 원기둥형의 제1 더미비아(140)는 제조가 용이하다. 또한, 도 3에 도시된 것과 같이, 원뿔형으로 형성될 수 있다. 원뿔형의 제1 더미비아(140')는 원뿔의 꼭지점 부분에 전하가 집중되어 제1 더미비아(140')와 전도층(150) 사이의 캐패시턴스를 제1 더미비아(140')의 꼭지점에 집중되게 한다. 한편, 제1 더미비아(140)의 형상이 원기둥형과 원뿔형에 제한되지는 아니한다.

제1 더미비아(140)는 내벽에만 도금층이 형성되어 있는 형태가 될 수 있으나, 비아 내측에 도전성 페이스트가 충진되어 형성되는 것이 바람직하다. 도전성 페이스트는 금속 페이스트가 일반적이며, 전도판(110)과 제1 더미비아(140) 사이에 전하의 이동을 가능하게 한다.

한편, 도 1에서 제1 더미비아(140)는 하나의 전도판(110)에 5개가 형성되어 있으나, 그 개수는 제한되지 아니한다.

또한, 전도층(150)에는 연결패턴(133)을 내측에 수용하는 클리어린스 홀(155)이 형성될 수 있다. 클리어린스 홀(155)은 연결패턴(133) 이외에 비아 랜드도 함께 수용할 수 있는 형상을 갖는 것이 바람직하다. 클리어린스 홀(155)은 스티칭 비아(130)와 전도층(150)을 전기적으로 분리한다.

한편, 전도판(110)은 전도층(150)과 구별되는 타 금속층에 연결되어 있다. 전도층(150)이 전원층인 경우 타 금속층은 접지층이 되어 전도판(110)은 접지층에 연결된 것이 되고, 반대의 경우 전도판(110)은 전원층에 연결된 것이 된다.

도 4 및 도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 단면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물을 설명하기로 한다.

도 4에 도시된 것과 같이 본 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(200)은 유전층(220), 유전층(220) 상에 형성된 복수의 전도판(210), 스티칭 비아(230), 복수의 전도판(210)과 유전층(220)을 사이에 두고 위치하는 전도층(250), 유전층의(220) 두께방향으로 전도층(250)에 형성된 더미비아(245; 제2 더미비아라 지칭함)를 포함한다.

여기서, 전도판(210), 유전층(220), 스티칭 비아(230), 및 전도층(250)의 형상, 기능은 도 1 내지 도 3을 참조하여 상술한 것과 동일한바 상세한 설명은 생략한다.

이때, 전도층(250)에 유전층(220)의 두께방향으로 형성된 제2 더미비아(245)를 포함한다. 이러한 제2 더미비아(245)는 상술한 제1 더미비아(140)와 그 구조 및 기능은 유사하다.

그러나 제2 더미비아(245)는 전도판(210)이 아닌 전도층(250)에 형성되며, 전도판(210)과의 캐패시턴스를 증가시킨다.

도 5에 도시된 것과 같이 본 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물(300)은 도1 내지 도 3에 도시한 전자기 밴드갭 구조물(100)에 있어서, 전도층(350)에 유전층(320)의 두께방향으로 형성된 더미비아(345)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

이러한, 제2 더미비아(345) 역시 유전층(320)의 두께방향으로 형성된다. 이러한 제2 더미비아(345)의 형상과 구조는 상술한 제1 더미비아(340)와 유사한바 상세한 설명은 생략한다.

제2 더미비아(345)는 전도판(310)과 전도층(350) 사이의 캐패시턴스의 증가에 영향을 미친다. 제2 더미비아(345)는 전도층(350)과 전도판(310) 사이의 거리를 감소시키며, 제2 더미비아(345)의 끝단에 전하가 집중되고 전도판(310)과의 캐패시턴스를 증가시킨다.

또한, 제2 더미비아(345)는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 제1 더미비 아(340)와 대응하는 위치에 형성되는 것을 특징으로 한다. 제1 더미비아(340)의 끝단과 제2 더미비아(345)의 끝단이 연결되지 않도록 주의한다. 이때, 제1 더미비아(340)와 제2 더미비아(345)의 끝단에 전하가 집중되어 양 끝단 사이에 캐패시턴스가 증가한다.

상술한 전자기 밴드갭 구조물을 포함하는 인쇄회로기판을 설명하기로 한다. 인쇄회로기판은 다수의 전자회로를 포함할 수 있고, 이때 전자회로들은 동작 주파수가 서로 다를 수 있다.

이러한, 인쇄회로기판은 전원층과 접지층을 포함하며, 신호층과 접지층을 포함한다. 여기서 전도층은 전원층 또는 접지층 중 어느 하나로서 기능을 할 수 있다. 복수의 전도판은 스티칭 비아를 통해 이웃하는 전도판 사이에 모두 연결되어 하나의 폐회로를 구성함으로써 전원층 또는 접지층 중 다른 하나로서 기능을 할 수 있다.

또한, 인쇄회로기판이 SiP(System in Package) 기판으로 적용되는 경우, 전도층은 접지층으로 기능을 하고, 복수의 전도판은 신호층 역할을 할 수 있다. 신호층을 따라 전달되는 신호가 높은 동작 주파수로 인해 노이즈가 발생하며, 이 경우 특정 주파수를 가지는 노이즈를 저감시키시 위해 상술한 전자기 밴드갭 구조물을 적용한다.

동작 주파수를 달리하는 2개의 전자회로가 전자기 밴드갭 구조물을 사이에 두고 이격되어 배치된다. 2개의 전자회로는 디지털 회로와 아날로그 회로를 예로 들 수 있다.

전자기 밴드갭 구조물이 상기 전자회로 사이에 배치됨으로써 디지털 회로로부터 아날로그 회로에 전달되는 전자기파 중 특정 주파수 대역의 노이즈를 차폐 또는 저감할 수 있다. 그에 따라 아날로그 회로에서 발생하는 혼합 신호의 문제를 감소시킬 수 있다.

한편 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다. 따라서, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 입체 사시도이다.

도 2는 도 1에 도시된 전자기 밴드갭 구조물의 A-A'선에 따른 단면도이다.

도 3은 도 2에 도시된 전자기 밴드갭 구조물의 변형예를 도시하고 있다.

도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 단면도이다.

도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100, 200, 300; 전자기 밴드갭 구조물 110, 110a, 110b; 전도판

120, 220, 320; 절연층 130, 230, 330; 스티칭 비아

131, 231, 331; 제1 비아 132, 232, 332; 제2 비아

133, 233, 333; 연결패턴 140, 140', 240; 제1 더미비아

245, 345; 제2 더미비아 150, 250, 350; 전도층

155; 클리어런스 홀

Claims (18)

1. 유전층;

   상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판;

   상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아; 및

   상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도판에 형성된 제1 더미비아;

   를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 제1 더미비아는 원뿔형 또는 원기둥형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 제1 더미비아는 비아 내측에 도전성 페이스트가 충진되어 형성된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 복수의 전도판은 동일 평면상에 형성된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 복수의 전도판과 유전층을 사이에 두고 위치하는 전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
6. 청구항 5에 있어서,

   상기 전도층은 클리어런스 홀을 구비하고,

   상기 연결패턴은 상기 클리어런스 홀에 수용된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
7. 청구항 5에 있어서,

   상기 전도층은 상기 유전층의 두께방향으로 형성된 제2 더미비아를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
8. 청구항 7에 있어서,

   상기 제2 더미비아는 상기 전도판에 형성된 상기 제1 더미비아와 대응하는 위치에 형성된 것 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
9. 유전층;

   상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판;

   상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아;

   상기 복수의 전도판과 유전층을 사이에 두고 위치하는 전도층; 및

   상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도층에 형성된 제2 더미비아;

   를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 제2 더미비아는 원뿔형 또는 원기둥형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
11. 청구항 9에 있어서,

    상기 제2 더미비아는 비아 내측에 도전성 페이스트가 충진되어 형성된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
12. 청구항 9에 있어서,

    상기 전도층은 클리어런스 홀을 구비하고,

    상기 연결패턴은 상기 클리어런스 홀에 수용된 것을 특징으로 하는 전자기 밴드갭 구조물.
13. 상호간 동작 주파수를 달리하는 2개의 전자 회로를 포함하는 인쇄회로기판에 있어서,

    상기 2개의 전자회로 사이에 배치되되, 유전층, 상기 유전층 상에 형성된 복수의 전도판, 상기 복수의 전도판 중 이웃하는 2 개의 전도판 사이의 전기적 도통을 위해 형성되되, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2 개의 전도판 중 어느 하나에 연결된 제1 비아, 상기 유전층을 관통하고 일단이 상기 이웃하는 2개의 전도판 중 다른 하나에 연결된 제2 비아, 일단이 상기 제1 비아의 타단과 연결되고, 타단이 제2 비아의 타단과 연결되는 연결패턴을 포함하여 구성된 스티칭 비아, 및 상기 유전층의 두께방향으로 상기 전도판에 형성된 제1 더미비아를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물을 포함하는 인쇄회로기판.
14. 청구항 13에 있어서,

    상기 전자기 밴드갭 구조물은, 상기 복수의 전도판과 유전층을 사이에 두고 위치하는 전도층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
15. 청구항 14에 있어서,

    상기 전도층은 상기 유전층의 두께방향으로 형성된 제2 더미비아를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
16. 청구항 14에 있어서,

    상기 전도층은 클리어런스 홀을 구비하고, 상기 연결패턴은 상기 클리어런스 홀에 수용된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
17. 청구항 14에 있어서,

    상기 전도층은 접지층 또는 전원층 중 어느 하나이고, 상기 복수의 전도판은 다른 하나와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
18. 청구항 14에 있어서,

    상기 전도층은 접지층이고, 상기 복수의 전도판은 신호층과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.

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