KR101077439B1 - 전자기밴드갭 구조물을 구비한 인쇄회로기판 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자기밴드갭 구조물을 구비한 인쇄회로기판에 관한 것으로, 안테나와 회로칩을 실장하고 있으며, 복수의 금속층과 유전층을 포함하고 있고, 안테나에 신호를 전달하기 위한 한쌍의 전송라인을 구비하고 있는 인쇄회로기판으로서, 상기 인쇄회로기판의 내부에 상기 안테나와 상기 회로칩 사이에 위치하며, 상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파를 차폐하는 전자기밴드갭 구조물을 포함하여 이루어진 인쇄회로기판가 제공된다.

인쇄회로기판, 안테나, 전자기밴드갭, 잡음, 노이즈

Description

전자기밴드갭 구조물을 구비한 인쇄회로기판{Printed circuit substrate using the electromanetic bandgap}

본 발명은 전자기밴드갭 구조물을 구비한 인쇄회로기판에 관한 것이다.

최근 무선 통신기기의 고기능화 추세에 따라 실장되는 부품의 수가 증가하는 반면, 기기는 소형화와 박형화가 가속화되어 있어 핵심 부품인 기판의 밀집도가 꾸준히 증가하고 있는 추세이다.

이처럼 기판 밀집도가 꾸준히 증가함에 따라 실장되는 부품간의 거리가 줄어들게 되고, 이에 따라 서로간에 신호 간섭이 발생되어 인접하는 부품에서 발생되는 신호가 다른 인접 부품에 잡음으로 영향을 주게 된다.

특히 안테나 주위에 실장되는 칩 부품이 기판 밀집도의 증가에 따라 안테나에 인접하게 됨에 따라 칩 부품에서 발생되는 신호가 안테나에 영향을 주어 안테나 성능을 열화시킨다.

일반적으로 안테나는 주기판(Main PCB)의 급전선(feed)으로부터 전력이 공급 되어 외부로 무선주파수를 방사하는 방식으로 통신이 이루어진다.

이와 같은 안테나에 있어서 FIFA 유형이나 루프(loop) 유형 안테나의 경우에, 안테나가 주기판의 접지단자와 급전단자를 동시에 사용하게 되는데, 이처럼 안테나가 주기판의 접지단자와 급전 단자를 동시에 사용하게 되면 주기판의 RF 회로단이나 디지털회로단에서 발생한 잡음이 기판 내부 또는 외부로 전파되어 무선주파수 출력단에 영향을 주고, 이에 따라 잡음에 영향을 받는 주파수 대역에서 안테나 성능의 열화가 발생한다.

잡음은 안테나의 급전선이나 접지선을 따라서 직접 또는 간접적으로 안테나 성능에 영향을 주게 되며, 안테나 디자인 변경만으로 성능 개선에 한계가 발생하게 된다.

물론, 수동소자나 L/C 필터를 사용하여 이러한 잡음을 차단할 수 있으나, 잡음의 전파 경로를 확실하게 파악하지 못할 경우에, 설계 리드타임(leadtime)이 증가하며 그에 따라 비용 상승의 문제점을 야기하게 된다.

즉, 잡음의 전파 경로가 불명확한 경우에, 잡음 차단을 위한 다수의 설계 재검토에 의해 리드타임이 증가하게 되며 이에 따라 비용 증가의 문제점을 야기하게 된다.

또한, 안테나 디자인의 변경에 의하여 잡음 경로를 변경하거나 새로운 잡음원이 발생할 경우에 안테나 성능 열화가 발생할 수 있다.

따라서, 본 발명의 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 기판 내부의 잡음에 의한 안테나 성능 열화를 해결하기 위하여 전자기 밴드갭 구조물(electromanetic bandgap) 을 적용하여 안테나 성능 열화를 방지할 수 있도록 한 인쇄회로기판에 관한 것이다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은, 안테나와 회로칩을 실장하고 있으며, 복수의 금속층과 유전층을 포함하고 있고, 안테나에 신호를 전달하기 위한 한쌍의 전송라인을 구비하고 있는 인쇄회로기판으로서, 상기 인쇄회로기판의 내부에 상기 안테나와 상기 회로칩 사이에 위치하며, 상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파를 차폐하는 전자기밴드갭 구조물을 포함하며, 상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 상기 인쇄회로기판의 제1 금속층에 형성되어 상기 안테나에 신호를 전달하며, 상기 전자기밴드갭 구조물은, 상기 하나의 전송라인에서 상기 안테나측으로 상기 하나의 전송라인과 이격되어 형성되는 금속판; 상기 하나의 전송라인과 상기 금속판을 연결하는 비아; 및 상기 금속판을 둘러싸고 있는 유기티타늄 코팅층을 포함하며, 상기 금속판과 상기 비아는 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 회로칩은 상기 안테나에 신호를 전달하기 위한 아날로그 회로칩인 것을 특징으로 하며, 상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파는 동작주파수와 하모닉스 성분들에 의한 전자파인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 회로칩은 디지털 회로칩인 것을 특징으로 하며, 상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파는 동작주파수와 하모닉스 성분들에 의한 전자파인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 한쌍의 전송라인에서 다른 하나의 전송라인은 상기 제1 금속층에서 상기 안테나측으로 이격되어 형성된 제 2 금속층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하고, 상기 금속판은 상기 제2 금속층에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 한쌍의 전송라인에서 다른 하나의 전송라인은 상기 제1 금속층에서 상기 안테나측으로 이격되어 형성된 제 2 금속층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하고, 상기 금속판은 상기 제1 금속층과 제2 금속층 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 한쌍의 전송라인에서 다른 하나의 전송라인은 상기 제1 금속층상에 상기 하나의 전송라인 주위에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 접지판인 것을 특징으로 하며, 다른 하나의 전송라인은 급전선인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 급전선인 것을 특징으로하며, 다른 하나의 전송라인은 접지판인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 인쇄회로기판의 상기 안테나측 표면에 상기 전송라인과 전기적 접속을 제공하기 위한 패드가 구비되어 있으며, 상기 전자기밴드갭 구조물의 복수의 금속판은 상기 패드를 둘러싸도록 주기적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

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이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 회로칩과 안테나 사이에 전자기 밴드갭 구조물을 배치하여 불필요한 신호의 간섭을 효율적으로 줄일 수 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면, 잡음 차단을 위하여 안테나의 추가적인 디자인 변경이 필요하지 않아 리드타임을 단축할 수 있도록 하는 효과가 있다.

또한, 상기와 같은 본 발명에 따르면, 리드타임의 단축에 따라 추가적인 비 용 발생을 억제할 수 있는 효과가 있다.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기밴드갭 구조물을 사용한 인쇄회로기판의 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기밴드갭 구조물(150)을 사용한 인쇄회로기판(100)은 금속층(metal layer)(110-1, 110-2, 110-3, 110-4, 110-5, 110-6, 이하 110이라 약칭함)과, 금속층(110) 사이에 적층된 유전층(dielectric layer)(120)(120-1, 120-2, 120-3, 120-4, 120-5, 120으로 구분됨)과, 최상위 금속층(110-1) 상에 장착된 회로칩(130)과, 최상위 금속층(110-1) 상에 장착되며 회로칩(130)으로부터 이격되어 형성되어 있는 안테나(140)와, 회로 칩(130)과 안테나(140) 사이에 위치하며 최상위 금속층(110-1)과 차상위 금속층(110-2)(또는 최상위 금속층(110-1)과 차차상위 금속층(110-3)) 사이에 걸쳐 형성되어 있는 전자기 밴드갭 구조물(150)과, 최상위 금속층(110-1)과 최하위 금속층(110-6)에 형성된 솔더 레지스트(160-1, 160-2)를 포함하고 있습니다.

여기에서, 참조번호 110-3의 금속층을 접지층(ground layer)으로, 110-4의 금속층을 전원층(power layer)이라고 가정하면, 접지층(110-3)과 전원층(110-4) 사이에 연결된 비아(170)를 통해 전류가 흐르고, 인쇄회로기판(100)은 미리 정해진 동작 또는 기능을 수행하게 된다.

여기서, 참조번호 110-1의 금속층에는 안테나(140)와 금속층간의 전기적 접속을 제공하기 위한 패드(110-1a)가 형성되어 있다.

참조번호 110-1의 금속층에 형성된 패드(110a)는 급전 패드이거나 접지 패드일 수 있으며 참조번호 110-1의 금속층이 전송라인으로 급전선을 포함하는 경우에 참조번호 110-1의 금속층에 포함된 급전선은 급전 패드를 통하여 안테나(140)와 접속된다.

이처럼 참조번호 110-1의 금속층이 급전선을 포함하는 경우에 참조번호 110-2나 110-3의 금속층이 전송라인으로 접지선(또는 접지판)을 포함할 수 있으며, 이경우에 접지선은 비아(미도시)와 접지 패드를 통하여 안테나(140)와 전기적으로 접속된다.

물론, 참조번호 110-1의 금속층이나 110-2 또는 110-3의 금속층에 전송라인으로 접지선과 전송라인으로 급전선을 모두다 포함할 수 있도록 구현할 수도 있다.

이처럼, 안테나(140)가 동일 인쇄회로기판(100)내에서 한쌍의 전송라인인 급전선과 접지선을 동시에 사용하게 되면 회로칩(130)의 동작 주파수와 하모닉스(harmonics) 성분들에 의한 전자파(EM wave, 180)가 안테나(140)의 접지선과 급전선 사이에 전달되어 혼합 신호(mixed signal) 문제를 발생시킨다.

혼합 신호 문제는 회로칩(130)에서의 전자파가 안테나(140)가 동작하는 주파수 대역 내의 주파수를 가짐으로 인해 안테나(140)의 정확한 동작을 방해하는 것을 의미한다.

예를 들어, 안테나(140)가 소정 주파수 대역의 신호를 송수신함에 있어서, 해당 주파수 대역 내에 신호를 포함하는 전자파(180)가 회로칩(130)으로부터 전달됨으로 인해 해당 주파수 대역 내에서 정확한 신호의 송수신이 어려울 수 있다.

이와 같은 혼합문제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 회로칩(130)과 안테나(140) 사이에 그리고 급전선이 형성되어 있는 금속층(일예로 110-1)과 접지선이 형성되어 있는 금속층(110-2 또는 110-3) 사이에 전자기밴드갭 구조물(150)을 설치하여 회로칩(130)으로부터 안테나(140)로 전달되는 혼합신호를 차단하고 있다.

한편, 회로칩(130)은 안테나(140)에 급전선을 통하여 직접 접속되는 RF 아날로그 회로칩이거나 RF 아날로그 회로칩을 통하여 안테나(140)에 간접적으로 접속되는 디지털 회로칩일 수 있다.

여기에서, 디지털 회로칩의 경우에 RF 아날로그 회로칩처럼 직접 안테나(140)에 접속되지 않아 안테나(140)에 상대적으로 잡음의 영향을 덜 줄 수 있다.

하지만, 디지털 회로칩의 경우에 취급하는 신호가 0과 1로써 주파수가 고주파수 영역의 있다는 점을 고려할 때 그 영향을 무시할 수는 없다.

따라서, 안테나(140)와 디지털 회로칩 사이에도 잡음을 차단하기 위하여 밴드갭 구조물이 설치된다면 더 좋을 것이다.

즉, 안테나(140)와 아날로그 회로칩 사이뿐만 아니라 그에 더해서, 또는 별도로 안테나(140)와 디지털 회로칩 사이에 밴드갭 구조물이 설치된다면 좋을 것이다.

도 2는 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 사시도, 도 3은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 단위 유니트의 단면도이고, 도 4는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 유니트 어레이의 단면도이고, 도 5는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 유니트 어레이의 평면도이다.

본 명세서에서는 본 발명의 전자기 밴드갭 구조를 설명함에 있어서 그 전반에 걸쳐 금속층(metal layer)과 금속판(metal plate)이 이용되는 경우를 중심으로 설명할 것이나, 이는 금속이 아닌 다른 전도성 물질로 이루어진 전도층(conductive layer)과 전도판(conductive plate)으로 각각 대체되어도 무방한 것임을 당업자는 자명히 이해할 수 있을 것이다.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전자기밴드갭 구조물은, 상위 금속층(110-1)에 형성된 금속판(150-1)과 상위 유전체층(120-1) 에 형성된 비아(via)(150-2)를 구비하며, 차상위 금속층(110-2)에 형성된 전송라인으로 접지판(또는 접지선)(110-2a) 위에 형성되어 있다.

접지판(110-2a)은 유전체층(120-2) 상에 형성되어 안테나(140)의 송수신 신호에 대한 접지를 제공한다.

금속판(150-1)은 접지판(110-2a)의 상측으로 상기 접지판(110-2a)과 이격되어 형성된다. 금속판(150-1)은 직육면체 또는 박막 형태로 형성될 수 있으며, 접지판(110-2a)과 떨어져서 형성된다.

이때 금속판(150-1)은 접지판(110-2a)과 대향하여 금속판(150-1)과 접지판(110-2a) 간에 커패시턴스(capacitance)가 형성되도록 하는 것이 가능하다.

또한, 금속판(150-1)의 재질은 접지판(110-2a)과 동일한 금속으로 이루어져서 신호가 통할 수 있게 형성될 수 있다.

비아(via)(150-2)는 접지판(110-2a)과 금속판(150-1)을 연결한다. 즉, 비아(150-2)는 접지판(110-2a)에서 수직으로 연장되어 그 일단이 금속판(150-1)의 중심부와 연결된다.

비아(150-2)의 재질 역시 접지판(110-2a)과 동일한 금속으로 이루어질 수 있으며 이러한 경우 비아(150-2)는 접지판(110-2a)과 금속판(150-1)을 신호적·구조적으로 연결시키게 되는 것이다.

이러한 전자기밴드갭 구조물의 상술한 금속판(150-1) 및 비아(150-2)는 하나의 유니트를 이루며 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성될 수 있으며, 도 5의 평면도에 도시된 바와 같이 최상위 금속층(110-1)에 형성된 급전 패드(110a')와 접지패드(110a")을 둘러싸도록 주기적으로 형성하여 회로칩(130)으로부터 유입되는 전자파를 차단할 수 있도록 할 수 있다. 여기서 주기적으로 형성되었다고 함은 상 기 유니트가 임의의 간격을 가지고 반복적으로 형성되는 것을 의미한다. 따라서 유니트들 간의 거리는 일정할 필요가 없다.

나아가, 상기 유니트들의 치수(dimension)(예컨대, 간격, 면적 또는 두께 등)는 변할 수 있고, 각 치수를 적절히 조절할 수 있다.

여기에서, 전자기밴드갭 구조물이 최상위 금속층(110-1)과 차상위 금속층(110-2) 사이에 형성된 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며 다른 금속층과 유전층에 걸쳐 형성될 수 있다.

도 6은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 사시도, 도 7은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 단위 유니트의 단면도이고, 도 8은 도1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 단면도이고, 도 9는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 평면도로서, 급전선과 접지선이 동일 평면에 있는 경우를 나타낸다.

도 6 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자기밴드갭 구조물은 상위 금속층(110-1)에 형성된 금속판(150-1') 및 상위 유전층(120-1)에 형성된 비아(via)(150-2')를 포함하며, 전송라인인 급전선(210)에 형성되어 있다. 급전선(210)은 유전층(120-2) 상에 형성되어 신호를 전달한다. 여기서 급전선(210)을 통과하는 신호는 높은 주파수를 갖는 전자기파가 될 수 있다.

금속판(150-1')은 급전선(210)의 상측으로 상기 급전선(210)과 이격되어 형성된다. 금속판(150-1')는 직육면체 또는 박막 형태로 형성될 수 있으며, 급전선(210) 및 차상위 금속층(110-2)에 형성된 접지판(110-2a)과 떨어져서 형성된 다.

이때 금속판(150-1')의 일부면은 접지판(110-2a)과 대향하여 금속판(150-1')와 접지판(110-2a) 간에 커패시턴스(capacitance)가 형성되도록 하는 것이 가능하다.

또한, 금속판(150-1')의 재질은 급전선(210)과 동일한 금속으로 이루어져서 신호가 통할 수 있게 형성될 수 있다.

비아(via)(150-2')는 급전선(210)과 금속판(150-1')를 연결한다. 즉, 비아(150-2')는 급전선(150-1')에서 수직으로 연장되어 그 일단이 금속판(150-1')의 중심부와 연결된다.

비아(150-2')의 재질 역시 급전선(210)과 동일한 금속으로 이루어질 수 있으며 이러한 경우 비아(150-2')는 급전선(210)과 금속판(150-1')을 신호적·구조적으로 연결시키게 되는 것이다.

이러한 전자기밴드갭 구조물의 상술한 금속판(150-1') 및 비아(150-2')는 하나의 유니트를 이루며 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성될 수 있으며, 도 9의 평면도에 도시된 바와 같이 최상위 금속층(110-1)에 형성된 급전 패드(110a')와 접지패드(110a")을 둘러싸도록 주기적으로 형성하여 회로칩(130)으로부터 유입되는 전자파를 차단할 수 있도록 할 수 있다. 여기서 주기적으로 형성되었다고 함은 상기 유니트가 임의의 간격을 가지고 반복적으로 형성되는 것을 의미한다. 따라서 유니트들 간의 거리는 일정할 필요가 없다.

나아가, 상기 유니트들의 치수(dimension)(예컨대, 간격, 면적 또는 두께 등)는 변할 수 있고, 각 치수를 적절히 조절할 수 있다.

여기에서, 전자기밴드갭 구조물이 최상위 금속층(110-1)과 차상위 금속층(110-2) 사이에 형성된 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며 다른 금속층과 유전층에 걸쳐 형성될 수 있다.

도 10은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 사시도, 도 11은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 단위 유니트의 단면도이고, 도 12는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 단면도이고, 도 13은 도1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 평면도로서, 금속층(110-1)이 급전선을 포함하고 금속층(110-3)이 접지선(접지판)을 포함하는 경우에 금속층들(110-1, 110-3)사이에 위치하는 전자기 밴드갭 구조물의 실시예이다.

도 10 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자기밴드갭 구조물은 금속층(110-2)에 위치하는 금속판(150-1"), 유기티타늄 코팅층(311,312), 비아(150-2")를 포함하며, 금속층(110-3)에 형성된 전송라인인 접지판(110-3a)위에 형성되어 있다.

접지판(110-3a)과 금속판(150-1")은 비아(150-2")를 통해 전기적으로 연결되며, 금속판(150-1") 및 비아(150-2")는 버섯형(mushroom type) 구조물을 형성하게 된다.

여기에서, 상측 금속층(110-1)은 급전선(110-1a)을 포함하며 회로칩(130)은 데이터를 급전선(110-1a)을 통하여 안테나(140)로 전송한다.

이처럼 접지판(110-3a)과 급전선(110-1a) 사이에 금속판(150-1") 및 비아(150-2")로 형성된 버섯형 구조물이 형성되도록 함으로써, 특정 주파수 대역에 포함되는 신호를 통과시키지 않는 밴드갭 구조를 이룰 수 있게 된다.

금속판(150-1")과 접지판(110-3a)사이와, 금속판(150-1")과 급전선(110-1a) 사이에는 각각 유전층(120-1, 120-2)이 개재될 수 있다.

여기서, 상측의 유전층(120-1)과 하측의 유전층(120-2)은 동일 유전 물질로 구성될 수도 있지만, 유전율이 서로 다른 유전 물질로 각각 구성될 수도 있다. 예를 들어, 밴드갭 주파수를 보다 낮추기 위하여 상측의 유전층(120-1)을 하측의 유전층(120-2)보다 고유전율을 가진 물질로 구성할 수도 있다.

또한, 하측의 유전층(120-2)과 상측의 유전층(120-1)의 두께 역시 의도하는 밴드갭 주파수에 근접할 수 있도록 적절히 조정될 수 있다. 즉, 상측의 유전층(120-1)의 두께를 줄이고, 하측의 유전층(120-2)의 두께를 그만큼 늘리는 것과 같은 방법을 이용함으로써 동일 크기의 전자기 밴드갭 구조물(EBG)이라 하더라도 그에 따른 밴드갭 주파수를 의도하는 주파수대에 보다 근접하도록 조정할 수도 있는 것이다. 여기서, 밴드갭주파수는 전자기 밴드갭 구조물의 일측에서 타측으로 진행되는 전자파 중 전달이 억제되는 주파수를 의미한다.

한편, 상술한 버섯형 구조물은 도 12와 도 13에 도시된 바와 같이 반복적으로 형성될 수도 있다. 즉, 상측의 금속판이 반복적으로 배치되도록 하고, 그에 해당하는 수만큼 비아를 형성하여, 각 유니트마다 비아를 연결할 수 있는 것이다.

도 10 내지 도 13에는 금속판이 정사각형 모양을 가지는 것으로 도시되었지 만, 이외에도 삼각형, 육각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등의 다양한 형태를 가질 수 있음은 물론이다.

버섯형 구조물이 이와 같이 반복적으로 형성됨으로써 회로칩에서 안테나로 진행하는 전자파 중 회로칩에서의 동작 주파수 영역에 해당하는 주파수 영역의 신호를 차폐하는 것이 가능하다.

한편, 금속판(150-1") 그리고 접지판(110-3a)과 유전층(120-1, 120-2) 사이에는 유기티타늄 코팅층(311,312)이 개재될 수 있다. 금속판(150-1") 그리고 접지판(110-3a)을 유전층(120-1,120-2)을 압착하여 결합하는 과정에서 접착력을 향상시키기 위한 것이다. 즉, 금속판(150-1") 그리고 접지판(110-3a)의 표면에 유기티타늄 코팅층(311,312)을 형성하고, 금속판(150-1")과 접지판(110-3a)사이에 유전층(120-2)를 개재한 후, 고온 고압의 환경 하에서 압착을 수행함으로써 높은 신뢰도의 전자기밴드갭 구조물을 구성할 수 있는 것이다.

이러한 전자기밴드갭 구조물의 상술한 금속판(150-1") 및 비아(150-2")는 하나의 유니트를 이루며 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성될 수 있으며, 도 13의 평면도에 도시된 바와 같이 최상위 금속층(110-1)에 형성된 급전 패드(110a')와 접지패드(110a")을 둘러싸도록 주기적으로 형성하여 회로칩(130)으로부터 유입되는 전자파를 차단할 수 있도록 할 수 있다. 여기서 주기적으로 형성되었다고 함은 상기 유니트가 임의의 간격을 가지고 반복적으로 형성되는 것을 의미한다. 따라서 유니트들 간의 거리는 일정할 필요가 없다.

여기에서, 전자기밴드갭 구조물이 최상위 금속층(110-1)과 차차상위 금속층(110-3) 사이에 형성된 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며 다른 금속층과 유전층에 걸쳐 형성될 수 있다.

한편, 본 발명의 일실시예와 다른 실시예에서 금속판을 둘러싸고 있는 유기티타늄 코팅층을 더 포함하는 것도 가능하다.

도 14는 도 1의 전자기 밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 입체 사시도이고, 도 15는 도 14에 도시된 전자기 밴드갭 구조물의 단면도이며, 도 16는 도 14에 도시된 전자기 밴드갭 구조물의 배열 구조를 나타낸 평면도이다.

도 15는 도 14의 AA'선에 따른 단면도를 나타낸 것이다.

도 14 내지 도 16에서, 도1의 전자기 밴드갭 구조물의 또 다른 실시예는 복수개의 금속판(210a, 210b, 210c)과, 그 금속판들과는 다른 평면에 위치하는 금속층(220)과, 금속판들 중 이웃하는 2개의 금속판 간을 전기적 으로 연결하는 스티칭 비아(stitching via)(230)를 포함한다.

즉, 도 14 내지 도 16를 통해 도시된 전자기 밴드갭 구조물(200)은 기본적으로 금속층(220)을 1층으로 하고, 복수개의 금속판(210a, 210b, 210c)을 2층으로 하는 2층 평면(planar) 구조를 가지고 있다. 이때, 금속층(220)과 복수개의 금속판(210a, 210b, 210c)의 사이에는 유전층이 개재된다.

여기서, 도 14 내지 도 16(이는 도 18 내지 도 20의 경우도 동일함)는 도면 도시의 편의상 전자기 밴드갭 구조물을 구성하는 구성요소만(즉, 스티칭 비아를 포함하는 2층 구조의 전자기 밴드갭 구조물을 구성하는 부분만)을 도시한 것에 불과하다. 따라서, 도 14 내지 도 16에 도시된 금속층(220)과 금속판들(210a, 210b, 210c)은 다층 인쇄회로기판의 내부에 존재하는 임의의 2개의 층일 수 있다. 즉, 금속층(220)의 하부에는 적어도 하나의 다른 금속층들이 더 존재할 수 있음은 물론, 금속판들(210a, 210b, 210c)의 상부에도 적어도 하나의 다른 금속층들이 더 존재할 수 있음은 자명하다. 아울러, 금속층(220)과 금속판들(210a, 210b, 210c) 사이에도 적어도 하나의 다른 금속층들이 존재할 수 있다.

예를 들어, 도 14 내지 도 16에 도시된 전자기 밴드갭 구조물(이는 도 18 내지 도 20에 도시된 다른 실시예들에 따른 전자기 밴드갭 구조물도 마찬가지임)은 전도 노이즈를 차폐하기 위하여, 다층 인쇄회로기판 내에서 각각 전원층(power layer)과 접지층(ground layer)을 구성하는 임의의 2개의 금속층 사이에 배치될 수 있는 것이다.

또한, 전도 노이즈 문제는 반드시 전원층과 접지층의 사이에서만 문제되는 것은 아니므로, 도 14 내지 도 20을 통해 도시된 전자기 밴드갭 구조물은 다층 인쇄회로기판 내에서 상호간 층을 달리하는 어느 2개의 접지층(ground layer)들 사이 혹은 어느 2개의 전원층(power layer)들 사이에도 배치될 수 있는 것임은 물론이다.

금속판들(210a, 210b, 210c)은 동일 평면 상에 위치하며, 소정 간격만큼 이격되어 있다. 여기서, 금속층(220)과 금속판들(210a, 210b, 210c)은 전원이 공급되어 신호가 전달될 수 있는 물질(예를 들어, 구리(Cu) 등)로 구성된다.

스티칭 비아(230)는 이웃하는 두 금속판(예를 들어, 도 14에서는 210b과 210c)을 전기적으로 연결한다. 단, 두금속판(210b, 210c)과 동일한 층에서 연결하 는 것이 아니라 두 금속판(210b, 210c)과 다른 층(여기서는, 금속층(220))을 경유하여 두 금속판(210b, 210c)을 연결한다.

스티칭 비아(230)는 제1 비아(232), 연결 패턴(234) 및 제2 비아(236)을 포함하여 구성된다. 제1 비아(232)의 일단은 제1 금속판(210b)에 연결되고, 타단은 연결 패턴(234)의 일단에 연결된다. 제2 비아(232)의 일단은 제2금속판(210c)에 연결되고, 타단은 연결 패턴(234)의 타단에 연결된다. 연결 패턴(234)의 양단에는 제1 비아(232) 및/또는 제2 비아(236)와의 연결을 위한 비아 랜드가 형성되어 있을 수 있다.

이때, 스티칭 비아(230)는 금속판들 간의 전기적 연결을 위해, 제1 비아(232) 및 제2 비아(236)가 그 내벽에만도금층이 형성되어 있는 형태 또는 그 내부가 전도성 물질(예를 들어, 도전성 페이스트 등)에 의해 충전되는 형태로 구성되고, 연결 패턴(234) 또한 금속과 같은 전도성 물질로 구성되어야 함은 굳이 구체적으로 설명하지 않더라도 자명하다 할 것이다.

이웃하는 두 금속판(210b, 210c)은 스티칭 비아(230)를 통해 직렬 연결된다. 즉, 제1 금속판(210b) → 스티칭 비아(230) (제1 비아(232) → 연결 패턴(234) → 제2 비아(236)) → 제2 금속판(210c) 순서에 따라 전기적으로 직렬 연결된다.

제1 금속판(210b)은 이웃하는 다른 금속판(210a)와 스티칭 비아를 통해 연결되며, 제2 금속판(210c) 역시 이웃하는 다른 금속판(미도시)와 스티칭 비아를 통해 연결된다. 이를 통해 2층에 위치한 금속판들은 스티칭 비아를 통해 모두 직렬 연결되는 효과가 있다.

여기서, 금속층(220)에는 연결 패턴(234)을 내부에 수용하는 클리어런스 홀(225)가 형성되어 있다. 클리어런스홀(225)은 연결 패턴(234) 이외에 제1비아(232) 및/또는 제2 비아(236)와 용이한 연결을 위한 비아 랜드도 함께 수용가능하다. 클리어런스 홀(225)이 있음으로 인해 스티칭 비아(230)와 금속층(220)은 전기적으로 분리될 수 있게 된다.

금속판들(210a, 210b, 210c)은 스티칭 비아(230)를 통해 연결되므로, 2층에 금속판들(210a, 210b, 210c)을 연결하기 위한 패턴(pattern)을 형성할 필요가 없게 된다. 이로 인해 금속판들(210a, 210b, 210c)의 사이즈를 작게 하면서 금속판들(210a, 210b, 210c) 사이의 간격을 좁힐 수 있게 되어 금속판들(210a, 210b, 210c) 사이의 갭(gap)에서의 커패시턴스(capacitance)를 높일 수 있는 효과가 있다.

이와 같은 구조를 갖는 전자기 밴드갭 구조물에 의한 등가회로도가 도 17에 도시되고 있다.

도 17의 등가회로도를 도 14의 전자기 밴드갭 구조물과 비교하여 설명하면, 인덕턴스 성분인 L1은 제1 비아(232)에 해당되고, 인덕턴스 성분인 L2는 제2 비아(236)에 해당되며, 인덕턴스 성분인 L3는 연결 패턴(234)에 해당된다. C1은 금속판(210a, 210b)들과 그 상부에 위치할 다른 임의의 유전층 및 금속층에 의한 캐패시턴스 성분이고, C2 및 C3는 연결 패턴(234)을 기준으로 그와 동일 평면에 위치한 금속층(220)과 그 하부에 위치할 다른 임의의 유전층 및 금속층에 의한 캐패시턴스 성분이다.

위와 같은 등가회로도에 따라 도 14 내지 도 16의 전자기 밴드갭 구조물은 특정 주파수 대역의 신호를 차폐하는 대역 저지 필터(band stop filter)로서의 기능을 수행하게 된다. 즉, 도 17의 등가회로도를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 저주파수 대역의 신호(도 17의 참조부호 (x) 참조) 및 고주파수 대역의 신호(도 17의 참조부호(y) 참조)는 전자기 밴드갭 구조물을 통과하고, 그 중간의 특정 주파수 대역의 신호(도 17의 참조부호 (z1),(z2), (z3) 참조)는 전자기 밴드갭 구조물에 의해 차폐된다.

본 발명의 실시예에서 금속판들(210a, 210b, 210c)은 금속층(220)과 구별되는 타 금속층과 동일 평면 상에 위치하고 있다. 따라서, 본 발명에서 가장 좌측에 위치한 금속판(210a)은 스티칭 비아를 통해 금속층(220)과는 구별되는 타 금속층에 연결될 수 있다.

금속층(220)이 전원층(power layer)인 경우 타 금속층은 접지층(ground layer)이 되며, 금속층(220)이 접지층인 경우 타 금속층은 전원층이 된다.

또는 금속층(220)이 접지층이 되고 타 금속층은 신호층(signal layer)이 되어 소정 방향으로 신호를 전달하며, 신호층의 신호 전달 경로 중 일부에 상술한 금속판들(210a, 210b, 210c) 및 스티칭 비아(230)가 배치되어 전달되는 신호에 포함된 특정 주파수의 노이즈를 저감시킬 수 있다.

도 14 내지 도 16를 참조하면, 금속판(210a, 210b, 210c)은 1열로 배열되고, 각 금속판에는 2개의 스티칭 비아가 연결되어 있다. 하지만, 다른 실시예에서는 금속판이 m × n (여기서, m, n은 자연수) 행렬로 배열되고, 이웃하

는 금속판들이 스티칭 비아를 이용하여 연결되도록 할 수 있다. 이 경우 각 금속판은 이웃하는 타 금속판들을 연결하는 경로 역할을 하게 되며, 적어도 둘 이상의 스티칭 비아와 연결될 수 있다. 즉, 도 14 내지 도 16를 통해 도시된 연결 형태는 일 예시에 불과하며, 모든 금속판들이 전기적으로 하나로 연결됨으로써 폐루프(closed loop)를 형성할 수만 있다면 스티칭 비아를 통한 금속판 간의 연결 방식은 어떠한 방식이 적용되어도 무방함은 물론이다. 이하 금속판의 모양, 배열 등에 따른 다양한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.

이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 전자기 밴드갭 구조물을 도 18 내지 도 20를 참조하여 차례대로 설명하기로 하되, 도 14 내지 도 16의 설명에서와 중복될 수 있는 부분에 대한 설명은 생략하고 각 실시예에 따른 특징점들을 위주로 간략히 설명하기로 한다. 이는 도 18 내지 도 20에 따른 각 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물이 몇몇 차이점을 제외하고는 전술한 도 14 내지 도 16의 전자기 밴드갭 구조물과 동일한 기술적 원리를 그대로 채택하고 있기 때문이다. 이러한 이유로, 도 18 내지 도 20에서는 도 14 내지 도 16와 대조의 편의를 위해 각각

대응 관계에 있는 구성요소들 간에 동일 참조번호를 부여하였다.

먼저, 도 18를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 복수개의 금속판(210a, 210b, 210c)과, 금속판들 중 이웃하는 2개의 금속판 간을 전기적으로 연결하는 스티칭 비아(230)를 포함한다. 즉, 도18의 전자기 밴드갭 구조물의 경우, 도 14 내지 도 15의 전자기 밴드갭 구조물에서 참조번호 220번에 해당하는 금속층이 부존재하는 형태를 취하고 있음을 확인할 수 있다.

이와 같이, 본 발명에 따른 스티칭 비아를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물은 스티칭 비아와 금속판들이 위치하는 영역의 하부에 반드시 금속층이 존재하고 있을 필요가 없다. 왜냐하면, 스티칭 비아(230) 중 연결 패턴(234)을 형성시킬 위치가 반드시 금속층이 존재하는 부분일 필요는 없기 때문이다.

즉, 연결 패턴(234)이 형성될 위치에 상응하여 동일 평면 상에 임의의 금속층이 존재하는 경우, 연결 패턴(234)은 도 14 내지 도16에서와 같이 동일 평면 상의 금속층(220)에 형성된 클리어런스 홀(225) 내에 수용시키는 형태로 제작하게 될 것이나, 연결 패턴(234)이 형성될 위치에 별도의 금속층이 존재하지 않는 경우도 상정할 수 있으며, 도 18는 바로 이를 보여주고 있는 것이다. 물론, 도 18에서도 금속판들의 하부에는 유전층이 존재하게 된다.

도 19를 참조할 때, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 도 14 내지 도 16와 비교할 때 그 적층 구조의 상하가 뒤바뀐 형태를 취하고 있다. 즉, 도 14 내지 도 16의 경우에는 금속층(200)이 하층을 이루고

금속판들(210a, 210b, 210c)이 상층을 이루며 그 사이에 유전층이 개재되는 형태를 적층 구조를 가지고 있다면, 도 19의 경우에는 그 반대(즉, 금속판들(210a, 210b, 210c)이 하층을 이루고 금속층(200)이 상층을 이뤄 그 사이에 유전층이 개재되는 형태)의 적층 구조를 취하고 있는 것이다. 이와 같은 경우에도 전술한 바와 같은 동일 유사한 노이즈 차폐 효과를 기대할 수 있음은 물론이다.

도 20를 참조할 때, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물은 도 19의 적층 구조에 따른 전자기 밴드갭 구조물에서 상층의 금속층(200)이 제 거된 형태를 취하고 있다. 그 이유에 관해서는 앞서 도 18에서 설명하였는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.

이와 같이 본 발명의 전자기 밴드갭 구조물은 다양한 형태, 적층 구조를 가질 수 있다. 앞서 설명한 모든 도면에서는 금속판들이 모두 동일 평면 상에 적층되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 그 금속판들 또한 반드시 모두 동일 평면 상에 적층되어 있을 필요는 없다. 이때, 금속판들 모두가 어느 일 평면 상에 적층되지 않는 경우에는 2층 이상의 구조를 가지게 되므로 층수가 증가하는 문제가 존재할 수 있으나, 본 발명의 전자기 밴드갭 구조물을 다층 인쇄회로기판 내에 배치시키는 경우를 상정할 때, 이것이 설계상 불리한 점으로서 작용하지는 않을 것이다.

또한, 앞선 모든 도면에서는 스티칭 비아에 의해 인접한 어느 2개의 금속판 간을 전기적으로 연결하는 방식이 채용되고 있지만, 어느 하나의 스티칭 비아를 통해 연결되는 2개의 금속판은 반드시 인접 위치한 금속판 간이 아닐 수도 있다. 또한, 어느 하나의 금속판을 기준하여 다른 하나의 금속판이 하나의 스티칭 비아를 통해 연결되는 경우를 예시하고 있지만, 어느 2개의 금속판 간을 연결하는 스티칭 비아의 개수에 특별한 제한을 둘 필요가 없음은 자명하다.

또한, 도 14 내지 도 20에서는 도면 도시의 편의 및 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위하여, 단 3개의 금속판만을 도시한 후, 어느 하나의 금속판을 기준으로 인접 위치한 다른 하나 및 또다른 하나의 금속판 간을 각각 하나씩의 스티칭 비아를 통해 전기적으로 연결하는 경우(즉, 하나의 셀을 기준으로 인접한 다른 2개의 셀 간을 연결하는 경우)를 중심으로 예시한 것에 불과하다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.

도 1는 본 발명의 일실시예에 따른 전자기밴드갭 구조물을 사용한 인쇄회로기판의 단면도.

도 2는 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 사시도, 도 3은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 단위 유니트의 단면도이고, 도 4는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 유니트 어레이의 단면도이고, 도 5는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 일실시예에 따른 유니트 어레이의 평면도.

도 6은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 사시도, 도 7은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 단위 유니트의 단면도이고, 도 8은 도1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 단면도이고, 도 9는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 평면도.

도 10은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 사시도, 도 11은 도 1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 단위 유니트의 단면도이고, 도 12는 도1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 단면도이고, 도 13은 도1의 전자기밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 유니트 어레이의 평면도.

도 14는 도1의 전자기 밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 입체 사시도도 15는 도 14에 도시된 전자기 밴드갭 구조물의 단면도이고, 도 16는 도 14에 도시된 전자기 밴드갭 구조물의 배열 구조를 나타낸 평면도이며, 도 17는 도 14에 도 시된 전자기 밴드갭 구조물의 등가 회로도.

도 18는 도1의 전자기 밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 입체 사시도이고, 도 19는 도 1의 전자기 밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 입체 사시도이고, 도 20은 도1의 전자기 밴드갭 구조물의 또 다른 실시예에 따른 전자기 밴드갭 구조물의 입체 사시도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

110-1~110-6 : 금속층 110a, 110a', 110a" : 패드

110-1a :급전선 110-2a, 110-3a : 접지판

120-1~120-5: 유전층 130 : 회로칩

140: 안테나 150 : 전자기밴드갭 구조물

160-1, 160-2 : 솔더 레지스트 150-1, 150-1', 150-1" : 금속판

150-2, 150-2',150-3" : 비아 210 : 급전선

311, 312 : 유기티타늄 코팅층 200: 전자기 밴드갭 구조물

210a, 210b, 210c: 금속판 220: 금속층

225: 클리어런스 홀 230: 스티칭 비아

Claims (20)

1. 안테나와 회로칩을 실장하고 있으며, 복수의 금속층과 유전층을 포함하고 있고, 안테나에 신호를 전달하기 위한 한쌍의 전송라인을 구비하고 있는 인쇄회로기판으로서,

   상기 인쇄회로기판의 내부에 상기 안테나와 상기 회로칩 사이에 위치하며, 상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파를 차폐하는 전자기밴드갭 구조물을 포함하며,

   상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 상기 인쇄회로기판의 제1 금속층에 형성되어 상기 안테나에 신호를 전달하며,

   상기 전자기밴드갭 구조물은,

   상기 하나의 전송라인에서 상기 안테나측으로 상기 하나의 전송라인과 이격되어 형성되는 금속판;

   상기 하나의 전송라인과 상기 금속판을 연결하는 비아; 및

   상기 금속판을 둘러싸고 있는 유기티타늄 코팅층을 포함하며,

   상기 금속판과 상기 비아는 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
2. 청구항 1에서

   상기 회로칩은 상기 안테나에 신호를 전달하기 위한 아날로그 회로칩인 것을 특징으로 하며,

   상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파는 동작주파수와 하모닉스 성분들에 의한 전자파인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
3. 청구항 1에서

   상기 회로칩은 디지털 회로칩인 것을 특징으로 하며,

   상기 회로칩에서 상기 안테나측으로 전달되는 전자파는 동작주파수와 하모닉스 성분들에 의한 전자파인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
4. 삭제
5. 청구항 1에서

   상기 한쌍의 전송라인에서 다른 하나의 전송라인은 상기 제1 금속층에서 상기 안테나측으로 이격되어 형성된 제 2 금속층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하고,

   상기 금속판은 상기 제2 금속층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
6. 청구항 5에서

   상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 접지판인 것을 특징으로 하며,

   다른 하나의 전송라인은 급전선인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
7. 청구항 1에서

   상기 한쌍의 전송라인에서 다른 하나의 전송라인은 상기 제1 금속층에서 상기 안테나측으로 이격되어 형성된 제 2 금속층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하고,

   상기 금속판은 상기 제1 금속층과 제2 금속층 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
8. 청구항 7에서

   상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 접지판인 것을 특징으로 하며,

   다른 하나의 전송라인은 급전선인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
9. 청구항 1에서

   상기 한쌍의 전송라인에서 다른 하나의 전송라인은 상기 제1 금속층상에 상기 하나의 전송라인 주위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
10. 청구항 9에서

    상기 한쌍의 전송라인에서 하나의 전송라인은 급전선인 것을 특징으로하며,

    다른 하나의 전송라인은 접지판인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
11. 삭제
12. 청구항 1에서

    상기 인쇄회로기판의 상기 안테나측 표면에 상기 전송라인과 전기적 접속을 제공하기 위한 패드가 구비되어 있으며,

    상기 전자기밴드갭 구조물의 복수의 금속판은 상기 패드를 둘러싸도록 주기적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
13. 삭제
14. 삭제
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17. 삭제
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19. 삭제
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