KR102650018B1 - 전자 장치의 제조 방법 - Google Patents

전자 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102650018B1
KR102650018B1 KR1020220109374A KR20220109374A KR102650018B1 KR 102650018 B1 KR102650018 B1 KR 102650018B1 KR 1020220109374 A KR1020220109374 A KR 1020220109374A KR 20220109374 A KR20220109374 A KR 20220109374A KR 102650018 B1 KR102650018 B1 KR 102650018B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electromagnetic wave
area
forming
electronic component
coating layer
Prior art date
Application number
KR1020220109374A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20240030393A (ko
Inventor
정세영
김윤현
황정우
문병웅
홍현기
윤진호
Original Assignee
엔트리움 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔트리움 주식회사 filed Critical 엔트리움 주식회사
Priority to KR1020220109374A priority Critical patent/KR102650018B1/ko
Publication of KR20240030393A publication Critical patent/KR20240030393A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102650018B1 publication Critical patent/KR102650018B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/02Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
    • B05D1/12Applying particulate materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50Multilayers
    • B05D7/52Two layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

본 발명의 일 관점에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 전자 부품을 제공하는 단계와, 상기 전자 부품의 제 1 영역 상에 선택적으로 전자파 차폐를 위한 전자파 보호층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는 상기 제 1 영역의 적어도 일부분에 대해서 전자파 차폐 잉크를 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 소정 선폭으로 그리는 방식으로 제 1 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

전자 장치의 제조 방법{Method of fabricating electronic device}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자파 보호층을 갖는 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 전기전자 산업과 정보통신기술의 발전으로 생활가전, 산업기기, 정보통신기기 등 다양한 전자 장치가 사용되고 있다. 이러한 전자 장치에서 발생된 전자파(electromagnetic interference, EMI)는 기기들 간에 간섭을 일으키거나 인체에도 유해할 수 있어서 이러한 전자파를 차단하는 기술이 개발되고 있다.
한편, 최근 전자 장치가 휴대화 되면서, 소형화, 박형화, 경량화 되고 있어서, 이러한 소형 전자 장치 내 전자 부품에 전자파를 차단하기 위해 전자파 보호층을 코팅하는 기술이 개발되고 있다. 나아가, 일부 전자 장치에서는 소정 영역에는 전자파 보호층이 형성되지 않도록 전자파 보호층을 선택적으로 형성할 필요가 있다. 다만, 전자 장치가 더욱 소형화되면서, 전자파 보호층 형성 시 선택성이 떨어지고 있다.
1. 공개특허공보 10-2017-0119421 (2017. 10. 27) 2. 공개특허공보 10-2016-0067335 (2016. 06. 14)
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 전자 부품 상에 고정밀도로 선택적인 전자파 보호층을 형성하기 위한 전자 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 전자 부품을 제공하는 단계와, 상기 전자 부품의 제 1 영역 상에 선택적으로 전자파 차폐를 위한 전자파 보호층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는 상기 제 1 영역의 적어도 일부분에 대해서 전자파 차폐 잉크를 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 소정 선폭으로 그리는 방식으로 제 1 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 전자 부품의 상기 제 1 영역과 인접한 제 2 영역은 상기 전자파 보호층으로부터 노출되고, 상기 제 2 영역에 인접한 상기 제 1 영역 내에는 상기 전자파 보호층과 연결되는 접지 패드가 형성되어 있고, 상기 제 2 영역 내에는 상기 접지 패드로부터 200 um 미만의 이격 거리에 상기 전자파 보호층으로부터 노출되는 전극 패드 또는 아웃터 소자가 배치될 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 그리는 소정 선폭은 상기 접지 패드로부터 상기 전극 패드 또는 아웃터 소자 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 그리는 소정 선폭은 20 um 내지 1 mm 사이일 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 코팅층을 형성하는 단계에서 상기 전자 부품의 측벽의 도포시에는 마이크로 에어로졸 스프레이 장치의 각도를 기울이는 틸트 방식을 이용할 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 코팅층을 형성하는 단계 후, 상기 전자파 보호층을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는 상기 제 1 영역의 다른 부분에 대해서 마이크로 에어로졸 스프레이법보다 정밀도가 낮은 다른 방식으로 제 2 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 다른 방식은 스퍼터 증착법 또는 잉크 스프레이법일 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 잉크 스프레이법의 정밀도는 상기 마이크로 에어로졸 스프레이법의 정밀도보다 낮을 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 전자 보호층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 영역의 일부분 및 상기 제 2 영역을 금속 캡으로 보호하는 단계와, 스퍼터 증착법으로 상기 전자 부품 상에 상기 제 2 코팅층을 형성하는 단계와, 상기 전자 부품으로부터 상기 금속 캡을 제거하여, 상기 제 1 영역의 다른 부분 상의 상기 제 2 코팅층을 남기고 상기 제 1 영역의 일부분 및 상기 제 2 영역 상의 상기 제 2 코팅층을 제거하는 단계와, 상기 제 1 영역의 일부분 상에 상기 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 상기 제 1 코팅층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 전자 부품은 안테나 모듈일 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따른 전자 장치의 제조 방법에 따르면, 전자 부품 상에 고정밀도로 선택적인 전자파 보호층 형성이 가능하여 전자 부품의 초소형화가 가능하다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 3의 전자 장치의 제조 방법에서 마이크로 에어로졸 스프레이법을 보여주는 개략도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 개략적인 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 개략적인 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(100)를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(100)는 전자 부품(110) 및 전자 부품(110)의 적어도 일부분 상에 형성된 전자파 보호층(120)을 포함할 수 있다.
전자 부품(110)은 적어도 그 일부분이 전자파에 노출되어 전자파 차단이 필요한 제품들의 어느 하나일 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(110)은 모바일 휴대장치, 예컨대 휴대폰, 스마트폰, 태플릿 장치 등에 사용되는 부품으로, 어플리케이션 프로세서칩, 메모리칩, 통신칩, 모뎀칩, 유심칩, 안테나 모듈 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 부품(110)은 일부가 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)로 봉지된 반도체 패키지 구조를 가질 수도 있다.
보다 구체적으로 보면, 전자 부품(110)은 전자파 차폐가 필요한 제 1 영역(A1) 및 전자파 차폐가 필요하지 않은 제 2 영역(A2)을 포함할 수 있다. 전자 부품(110)은 제 1 영역(A1)에 전자파 차페가 필요한 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(110)은 제 1 영역(A1)에 실장된 적어도 하나의 반도체칩(미도시)을 포함하는 반도체 모듈일 수 있다. 이러한 반도체칩은 전자파 보호층(120)이 코팅될 수 있도록 패키징된 구조를 가질 수 있다.
나아가, 전자 부품(110)은 제 2 영역(A2)에 전자파 보호층(120)으로부터 노출되어야 하는 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)를 포함할 수 있다. 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)의 수는 전자 부품(110)의 종류에 따라서 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(110)은 안테나 모듈일 수 있고, 아웃터 소자(116)는 안테나 소자를 포함할 수 있다. 한편, 전극 패드(114)는 복수로 형성될 수 있고, 이 중 적어도 하나는 전자 부품(110)의 접지부의 역할을 할 수도 있다. 따라서, 접지부의 역할을 하는 전극 패드(114)는 전자파 보호층(120)에 직접 연결되지는 않을 수 있다.
전자파 보호층(120)은 전자 부품(110)의 적어도 일부분 상에 전자 부품(110)을 전자파로부터 보호하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 전자파 보호층(120)은 전자 부품(110)의 제 1 영역(A1) 상에 선택적으로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 보면, 전자파 보호층(120)은 제 1 영역(A1) 내 전자 부품(110)의 상면 및 측면 상에 형성될 수 있다.
전자파 보호층(120)은 전자파가 접지부로 빠질 수 있도록 전자 부품(110)의 접지 패드(112)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 접지 패드(112)는 제 2 영역(A2)에 인접한 제 1 영역(A1) 내에 전자파 보호층(120)과 연결되도록 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 영역(A1)은 전자파 보호층(120)으로부터 노출되어야 하는 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)를 배제하면서 접지 패드(112)를 포함하도록 한정될 수 있다. 예를 들어, 접지 패드(112)와 전극 패드(114)가 인접한 경우, 제 1 영역(A1)과 제 2 영역(A2)의 경계는 접지 패드(112)와 전극 패드(114)의 사이에 위치될 수 있다.
최근 전자 부품(110)이 소형화되면서 배선들이 조밀하게 배치되고, 예컨대 접지 패드(112)와 전극 패드(114)의 이격 거리가 점차 작아지고 있다. 이에 따라, 전자파 보호층(120) 형성 시 정밀성이 더욱 요구되고 있다. 특히, 접지 패드(112)로부터 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)의 이격 거리가 300 um 이내로 작아지면서, 전자 보호층(120)이 접지 패드(112)에는 접촉되면서 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)에 접촉되지 않도록 전자 보호층(120)의 배치 정밀도가 중요해지고 있다. 나아가, 전자 부품(110)이 더욱 소형화되면서 접지 패드(112)로부터 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)의 이격 거리가 200 um 이내, 더욱 엄격하게는 100 um 이내까지 더욱 작아지고 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(100)의 제조 방법을 보여주는 개략적인 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(100)의 제조 방법을 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(100)의 제조 방법은 전자 부품을 제공하는 단계(S10)와 전자 부품(110)의 제 1 영역(A1) 상에 선택적으로 전자파 차폐를 위한 전자파 보호층(120)을 형성하는 단계(S20)를 포함할 수 있다.
전자 부품(110)을 제공하는 단계(S10)에서, 전자 부품(110)은 전술한 바와 같이 적어도 그 일부분이 전자파에 노출되어 전자파 차단이 필요한 제품들의 어느 하나일 수 있다.
전자파 보호층(120)을 형성하는 단계(S20)는 제 1 영역(A1)의 적어도 일부분에 대해서 전자파 차폐 잉크를 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 소정 선폭으로 그리는 방식으로 제 1 코팅층(120a)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자파 보호층(120)은 전체적으로 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 형성할 수 있고, 이 경우 제 1 코팅층(120a)과 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예로, 후술하는 바와 같이, 제 1 코팅층(120a)은 고정밀도 정확도가 필요한 제 1 영역(A1)의 일부분일 수도 있다.
에어로졸은 기체안에 부유하고 있는 고체 또는 액체 형태의 입자를 의미할 수다. 에어로졸이란 용어는 입자들과 부유가스들을 모두 포함하는 것으로 이해될 수 있다. 에어로졸 입자의 크기는 수 마이크로미터부터 수백 마이크로미터 사이에 분포할 수 있고, 마이크로 에어로졸은 수 마이크로미터 또는 그 이하의 입자 크기를 갖는 에어로졸을 지칭할 수 있다.
마이크로 에어로졸 스프레이법은 마이크로 에어로졸 스프레이 장치(50)를 이용하여 전자파 차폐 잉크의 마이크로 에어로졸을 생성하여 분사하는 방법이다. 예를 들어, 마이크로 에어로졸 스프레이 장치(50)는 무화부(52), 노즐 헤드(54) 및 스프레이 노즐(56)을 포함할 수 있다. 전자파 차폐 잉크는 무화부(52)를 통해서 무화되어 노즐 헤드(54) 및 스프레이 노즐(56)에 의해서 마이크로 에어로졸 형태로 분사될 수 있다. 도 3의 마이크로 에어로졸 스프레이 장치(50)에서, 무화부(52)와 노즐 헤드(54)가 분리되어 있으나 하나의 하우징 내에 일체화 될 수도 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 마이크로 에어로졸 스프레이 장치(50)를 이용하면 전자 부품(110) 상에 미세 선폭으로 그리는 방식으로 마이크로 에어로졸을 분사하여 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 별도의 마스크 없이, 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 전자 부품(110)의 소정 영역에만 전자파 보호층(120)을 선택적으로 고정밀도로 형성할 수 있다.
전자파 차폐 잉크는 용매 내에 금속 입자들을 포함할 수 있고, 선택적으로 소정의 전자파 흡수를 위하여 자성 입자들을 더 포함할 수도 있다. 예를 들어, 금속 입자들은 다양한 금속의 입자들, 예컨대 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 니켈(Ni), 코발트(Co), 탄소(C) 등의 하나, 그 복합재, 또는 그 혼합된 입자들을 포함할 수 있다. 자성 입자들은 다양한 자성체의 입자들로 구성될 수 있고, 예컨대 철(Fe), 니켈(Ni), 퍼멀로이(permalloy)를 포함하는 철-니켈 합금, 스틸(steel), 스테인리스 스틸, 철-실리콘계 합금, 코발트(Co), 산화철(Fe2O3, Fe3O4), 산화크롬, 페라이트(ferrite), FeMn계 페라이트, FeZn계 페라이트, 샌더스트(sendust) 등에서 선택된 하나 또는 그 혼합 입자를 포함할 수 있다. 나아가, 전자파 차폐 잉크는 여러 가지 용제를 더 포함할 수도 있다.
일부 실시예에서, 마이크로 에어로졸 스프레이법으로는 30 um 이하의 고정밀 공정 정확도로 정밀 스프레이가 가능하다. 예를 들어, 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 구현하는 소정 선폭은 20 um 내지 1mm 범위일 수 있다. 나아가, 선의 두께는 전자파 차폐를 위해서 필요한 두께 확보를 위해서 2 내지 5 um 범위일 수 있다. 이에 따라, 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 고정밀도로 전자 부품(110)의 소정 영역, 예컨대 제 1 영역(A1)에만 전자파 보호층(120)을 형성하고, 제 2 영역(A2)에는 전자파 보호층(120)이 형성되지 않도록 할 수 있다.
일부 실시예들에서, 전자 부품(110)의 제 1 영역(A1)과 인접한 제 2 영역(A2)은 상기 전자파 보호층(120)으로부터 노출될 수 있다. 나아가, 제 2 영역(A2)에 인접한 제 1 영역(A1) 내에는 전자파 보호층(120)과 연결되는 접지 패드(112)가 형성되고, 제 2 영역(A2) 내에는 접지 패드(112)로부터 200 um 미만의 이격 거리에 전자파 보호층(120)으로부터 노출되는 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116)가 배치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 그리는 소정 선폭은 접지 패드(112)로부터 전극 패드(114) 또는 아웃터 소자(116) 사이의 이격 거리보다 작을 수 있다. 나아가, 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 그리는 소정 선폭은 20 um 내지 1 mm 사이일 수 있다.
일부 실시예들에서, 제 1 코팅층(120a)을 형성하는 단계 후, 전자파 보호층(120)을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 열처리 단계에서, 제 1 코팅층(120a)이 경화될 수 있다. 예를 들어, 열처리 조건은 140 ~ 250 oC에서 10분 내지 8시간 유지하여 수행할 수 있다.
전술한 제조 방법에 따르면, 마이크로 에어로졸 스프레이법을 이용하여 고밀도 배선 구조에서 선택적 영역에만 전자파 보호층(120)을 고정밀도로 형성할 수 있다. 따라서, 기존의 잉크 스프레이법 또는 스퍼터법으로 형성할 수 없는 소형의 고집적 전자 장치(100)를 제조할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 장치(100)의 제조 방법을 개략적인 단면도이다. 이 실시예에 따른 제조 방법은 전술한 도 2 내지 도 4의 제조 방법에서 일부 구성을 변형하거나 부가한 것으로서 실시예들은 서로 참조될 수 있는 바 중복된 설명은 생략된다.
도 5를 참조하면, 제 1 코팅층(120a)을 형성하는 단계에서 전자 부품(110)의 측벽의 도포시에는 마이크로 에어로졸 스프레이 장치의 각도를 기울이는 틸트 방식을 이용할 수 있다. 여기에서, 틸트 각도는 마이크로 에어로졸이 전자 부품(110)의 측벽에 평행하게 조사되지 않고, 전자 부품(110)의 측벽과 일정 각도를 가지며 기울여져 조사되도록 조절될 수 있다. 이러한 틸트 방식을 이용하면 전자 부품(110)의 측벽에도 균일한 두께의 제 1 코팅층(120a), 즉 전자파 보호층(120)을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에서, 틸트 방식 적용 시 마이크로 에어로졸 스프레이 장치(50)를 수직으로 이동하면서 마이크로 에어로졸을 분사함으로써 두께 균일성을 더욱 높일 수 있다
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전자 장치(100)의 제조 방법을 개략적인 단면도들이다. 이 실시예에 따른 제조 방법은 전술한 도 2 내지 도 5의 제조 방법들에서 일부 구성을 변형하거나 부가한 것으로서, 실시예들은 서로 참조될 수 있는 바 중복된 설명은 생략된다.
도 6a 내지 6d를 참조하면, 전자 보호층(120)을 형성하는 단계는 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2)에 대해서 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 제 1 코팅층(120a1)을 형성하고, 제 1 영역(A1)의 다른 부분(A1-1)에 대해서 마이크로 에어로졸 스프레이법보다 정밀도가 낮은 다른 방식으로 제 2 코팅층(120b)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예를 들어, 전자 보호층(120)을 형성하는 단계는 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2) 및 제 2 영역(A2)을 금속 캡(60)으로 보호하는 단계와, 스퍼터 증착법으로 전자 부품(110) 상에 제 2 코팅층(120b)을 형성하는 단계와, 전자 부품(110)으로부터 금속 캡(60)을 제거하여, 제 1 영역(A1)의 다른 부분(A1-1) 상의 제 2 코팅층(120b)을 남기고 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2) 및 제 2 영역(A2) 상의 제 2 코팅층(120b)을 제거하는 단계와, 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2) 상에 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 제 1 코팅층(120a1)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로 보면, 도 6a에 도시된 바와 같이, 금속 캡(60)은 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2) 및 제 2 영역(A2)을 덮도록 전자 부품(110) 상에 형성될 수 있다. 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2)은 적어도 접지 패드(112)를 포함하는 영역일 수 있다. 이러한 금속 캡(60)은 제 2 코팅층(120)이 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2) 및 제 2 영역(A2) 상에 바로 형성되는 것을 막아줄 수 있다. 금속 캡(60)은 금속 소재에 국한되지 않고 세라믹 또는 플라스틱 소재의 캡으로 대체될 수도 있다.
이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 스퍼터 증착법으로 제 1 영역(A1)의 다른 부분(A1-1) 및 금속 캡(60) 상에 제 2 코팅층(120b)을 형성할 수 있다. 한편, 선택적으로, 스퍼터 증착 이후, 틸트 방식의 잉크 스프레이법 또는 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 전자 부품(110)의 측벽 상에 부가 코팅층을 더 형성하여 측벽 도포성을 높일 수도 있다.
이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 전자 부품(110)으로부터 금속 캡(60)을 제거할 수 있다. 이에 따라서, 금속 캡(60) 상에 형성된 제 2 코팅층(120b)도 같이 제거되고, 제 1 영역(A1)의 다른 부분(A1-1) 상의 제 2 코팅층(120b)만 전자 부품(110) 상에 남게 될 수 있다.
이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 제 1 영역(A1)의 다른 부분(A1-1) 및 제 2 영역(A2)을 제외한, 제 1 영역(A1)의 일부분(A1-2) 상에 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 제 1 코팅층(120a1)을 선택적으로 형성할 수 있다. 이러한, 제 1 코팅층(120a1)과 제 2 코팅층(120b)이 전자파 보호층(120)을 형성할 수 있다.
한편, 이 실시예의 변형된 예에서, 고정밀도가 요구되지 않는 부분에는 스퍼터 증착법 대신 통상적인 잉크 스프레이법을 이용하여 제 2 코팅층(120b)을 형성할 수도 있다. 이러한 잉크 스프레이법의 정밀도는 마이크로 에어로졸 스프레이법의 정밀도보다 낮을 수 있다.
전술한 제조 방법에 따르면, 30um 이하의 고정밀도가 요구되는 배선 부분에는 고정밀도의 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 제 1 코팅층(120a1)을 선택적으로 형성하고, 고정밀도가 요구되지 않는 부분에는 스퍼터 증착법 또는 잉크 스프레이법으로 제 2 코팅층(120b)을 형성할 수 있다. 따라서, 기존 공정과 호환성을 가지면서, 고정밀도가 요구되는 부분에 대한 공정 면적을 줄여서 공정 시간을 줄일 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 전자 장치
110: 전자 부품
112: 접지 패드
114: 전극 패드
116: 아웃터 소자
120: 전자파 보호층

Claims (11)

  1. 전자 부품을 제공하는 단계; 및
    상기 전자 부품의 제 1 영역 상에 선택적으로 전자파 차폐를 위한 전자파 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는 상기 제 1 영역의 적어도 일부분에 대해서 전자파 차폐 잉크를 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 소정 선폭으로 그리는 방식으로 제 1 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는 상기 제 1 영역의 다른 부분에 대해서 마이크로 에어로졸 스프레이법보다 정밀도가 낮은 다른 방식으로 제 2 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 전자파 보호층을 형성하는 단계는,
    상기 제 1 영역의 일부분 및 상기 제 2 영역을 금속 캡으로 보호하는 단계:
    스퍼터 증착법으로 상기 전자 부품 상에 상기 제 2 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 전자 부품으로부터 상기 금속 캡을 제거하여, 상기 제 1 영역의 다른 부분 상의 상기 제 2 코팅층을 남기고 상기 제 1 영역의 일부분 및 상기 제 2 영역 상의 상기 제 2 코팅층을 제거하는 단계; 및
    상기 제 1 영역의 일부분 상에 상기 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 상기 제 1 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는,
    전자 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 부품의 상기 제 1 영역과 인접한 제 2 영역은 상기 전자파 보호층으로부터 노출되고,
    상기 제 2 영역에 인접한 상기 제 1 영역 내에는 상기 전자파 보호층과 연결되는 접지 패드가 형성되어 있고,
    상기 제 2 영역 내에는 상기 접지 패드로부터 200 um 미만의 이격 거리에 상기 전자파 보호층으로부터 노출되는 전극 패드 또는 아웃터 소자가 배치되는,
    전자 장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 그리는 소정 선폭은 상기 접지 패드로부터 상기 전극 패드 또는 아웃터 소자 사이의 이격 거리보다 작은, 전자 장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 마이크로 에어로졸 스프레이법으로 그리는 소정 선폭은 20 um 내지 1 mm 사이인, 전자 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층을 형성하는 단계에서 상기 전자 부품의 측벽의 도포시에는 마이크로 에어로졸 스프레이 장치의 각도를 기울이는 틸트 방식을 이용하는, 전자 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅층을 형성하는 단계 후, 상기 전자파 보호층을 열처리하는 단계를 더 포함하는, 전자 장치의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 부품은 안테나 모듈인, 전자 장치의 제조 방법.
KR1020220109374A 2022-08-30 2022-08-30 전자 장치의 제조 방법 KR102650018B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220109374A KR102650018B1 (ko) 2022-08-30 2022-08-30 전자 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220109374A KR102650018B1 (ko) 2022-08-30 2022-08-30 전자 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20240030393A KR20240030393A (ko) 2024-03-07
KR102650018B1 true KR102650018B1 (ko) 2024-03-22

Family

ID=90271948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220109374A KR102650018B1 (ko) 2022-08-30 2022-08-30 전자 장치의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102650018B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258611A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Xerox Corp インクジェット印刷によるワイヤ層、封止層及び遮蔽層の形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101077439B1 (ko) * 2009-06-24 2011-10-26 삼성전기주식회사 전자기밴드갭 구조물을 구비한 인쇄회로기판
KR101800500B1 (ko) 2014-12-04 2017-11-22 주식회사 엘지화학 전자파 차폐 및 방열 복합재 조성물
WO2017164566A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 주식회사 프로텍 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
KR102615926B1 (ko) * 2016-04-08 2023-12-21 삼성전자주식회사 차폐 댐 조형용 노즐, 이를 이용하는 전자파 차폐구조 및 전자파 차폐구조의 제조방법
KR20170119421A (ko) 2016-04-19 2017-10-27 전자부품연구원 전자파 차폐필름 및 그의 제조방법
KR102028027B1 (ko) * 2017-03-14 2019-10-04 (주)잉크테크 반도체 칩의 전자파 차폐막 형성 장치 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258611A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Xerox Corp インクジェット印刷によるワイヤ層、封止層及び遮蔽層の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240030393A (ko) 2024-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8296941B2 (en) Conformal shielding employing segment buildup
CN108735717A (zh) 半导体装置
US8043896B2 (en) Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip and semiconductor chip package including an inclined via hole
JP2008515189A (ja) 半導体パッケージを形成する方法、及びパッケージ構造
US10438901B1 (en) Integrated circuit package comprising an enhanced electromagnetic shield
TW201926590A (zh) 使用具有導電性的模製材料之電子電路封裝
US10541210B2 (en) Electronic device having electromagnetic interference shielding layer and method of manufacturing the same
KR102650018B1 (ko) 전자 장치의 제조 방법
KR102642318B1 (ko) 전자 장치의 제조 방법
KR101527379B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조방법
US20150334885A1 (en) Magnetism suppressing sheet and manufacturing method thereof
KR101999295B1 (ko) 전자파 보호층을 갖는 전자 장치 및 그 제조방법
KR102111378B1 (ko) 전자파 보호층을 갖는 전자 장치의 제조 방법
KR20200049232A (ko) 전자파 보호 조성물, 그 제조방법 및 전자파 보호층을 갖는 전자 장치
KR102240759B1 (ko) 전자 장치 및 그 제조 방법
KR102348624B1 (ko) 반도체 디바이스의 제조 방법 및 장치
KR20190089246A (ko) 반도체 패키지 전자파 차폐
TWI591790B (zh) 於電子元件上製作電磁波干擾之遮蔽層的方法
JPH08255811A (ja) 電子部品の接続装置
KR102424202B1 (ko) 필름 구조체, 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102378155B1 (ko) 패키지 내 구획 차폐물 및 능동 전자기 적합성 차폐물을 갖는 반도체 패키지
JP2005223067A (ja) 電子デバイス及びその製造方法
KR20220122337A (ko) 반도체 디바이스와 그 제조 방법
KR20210002963A (ko) 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 제작하는 방법
KR20210003345A (ko) 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스를 제작하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant