KR20110046551A - 증착 시스템, ａｌｄ 시스템, ｃｖｄ 시스템, 증착 방법, ａｌｄ 방법 및 ｃｖｄ 방법 - Google Patents

증착 시스템, ａｌｄ 시스템, ｃｖｄ 시스템, 증착 방법, ａｌｄ 방법 및 ｃｖｄ 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110046551A
KR20110046551A KR1020117006592A KR20117006592A KR20110046551A KR 20110046551 A KR20110046551 A KR 20110046551A KR 1020117006592 A KR1020117006592 A KR 1020117006592A KR 20117006592 A KR20117006592 A KR 20117006592A KR 20110046551 A KR20110046551 A KR 20110046551A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
precursor
reaction chamber
capture
flow path
unreacted
Prior art date
Application number
KR1020117006592A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101320256B1 (ko
Inventor
유진 피. 마쉬
티모시 에이. 퀵
스테판 울렌브락
브렌다 크라우스
Original Assignee
마이크론 테크놀로지, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크론 테크놀로지, 인크. filed Critical 마이크론 테크놀로지, 인크.
Publication of KR20110046551A publication Critical patent/KR20110046551A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101320256B1 publication Critical patent/KR101320256B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45593—Recirculation of reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

일부 실시예들은 반응 챔버의 하류에 제공된 하나 이상의 포획부들에 의해 비반응 전구체를 재생하도록 구성된 증착 시스템들을 포함한다. 증착 시스템들 중 일부는 서로에 대해 병렬로 연결된 둘 이상의 포획부들을 사용하며, 이 둘 이상의 포획부들은 포획부들이 전구체의 포획을 위해, 그리고, 포획된 전구체를 반응 챔버로 다시 방출하기 위해 교번적으로 사용될 수 있도록 구성된다. 일부 증착 시스템들은 ALD를 위해 구성될 수 있고, 일부는 CVD를 위해 구성될 수 있다.

Description

증착 시스템, ＡＬＤ 시스템, ＣＶＤ 시스템, 증착 방법, ＡＬＳ 방법 및 ＣＶＤ 방법 {DEPOSITION SYSTEMS, ALD SYSTEMS, CVD SYSTEMS, DEPOSITION METHODS, ALS METHODS AND CVD METHODS}
증착 시스템들. 원자 층 증착(ALD) 시스템들, 화학 기상 증착(CVD) 시스템들, 증착 방법들, ALD 방법들 및 CVD 방법들.
집적 회로 제조는 빈번히 반도체 기판을 가로질러 재료들을 증착하는 것을 포함한다. 반도체 기판은 예로서, 단독의 또는 하나 이상의 다른 재료들과 조합한 단결정 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
증착된 재료들은 전도성, 절연성 또는 반전도성일 수 있다. 증착된 재료들은 예로서, 전기적 구성요소들, 전기적 구성요소들을 서로 전기적으로 격리시키는 절연성 재료 및 전기적 구성요소들을 서로 전기적으로 연결하는 배선을 포함하는 집적 회로와 연계된 임의의 다수의 구조체들에 통합될 수 있다.
ALD 및 CVD는 두 가지 일반적으로 사용되는 증착 방법들이다. ALD 처리를 위하여, 기판 위에 단층을 형성하기 위해 서로에 대해 실질적으로 중첩되지 않는 시간들로 반응성 재료들이 순차적으로 반응 챔버 내에 제공된다. 다수의 단층들이 적층되어 원하는 두께로 증착물을 형성한다. ALD 반응들은 증착된 재료가 반응 챔버 전체가 아닌 기판 표면을 따라 형성되도록 제어된다. 대조적으로, CVD 처리는 반응 챔버 내에 다수의 반응성 재료들의 동시적 제공을 포함하며, 그래서, 증착된 재료는 반응 챔버 전체에 형성되고, 그후, 챔버 내의 기판 상에 정착하여 기판을 가로지른 증착물을 형성한다.
ALD 및 CVD를 위해 사용되는 일부 반응성 재료들은 다른 재료들보다 매우 고가이다. 본 내용의 일부 실시예들에서, ALD 및 CVD를 위해 사용되는 고가의 반응성 재료들은 전구체들로서 분류될 수 있으며, 덜 비싼 반응성 재료들은 반응제들로서 분류될 수 있다. 전구체들은 금속들을 포함할 수 있으며, 유기 금속 조성물들 같은 복합체 분자일 수 있다. 대조적으로, 반응제들은 간단한 분자들일 수 있으며, 일반적 반응제들은 산소(O2), 오존, 암모니아 및 염소(Cl2)이다.
전구체들은 그 구성부들보다 더 고가일 수 있다. 예로서, 귀금속들(예를 들어, 금, 백금 등)을 포함하는 전구체들은 종종 귀금속 자체들보다 몇 배 더 비싸다. 또한, 특히 전구체들의 형성에 복잡한 및/또는 저 수율 프로세스들이 사용되는 경우에 비교적 저가의 재료들(예로서, 구리 같은 비-귀금속들)의 전구체들 자체도 고가일 수 있다.
전구체 재료들과 연계된 비용을 감소시키는 시스템들 및 방법들을 개발하는 것이 바람직하다.
도 1은 일 예시적 실시예의 증착 장치의 개략도이다.
도 2는 다른 예시적 실시예의 증착 장치의 개략도이다.
도 3은 도 2의 증착 장치를 사용한 증착물의 형성 동안 사용될 수 있는 일 예시적 펄스, 퍼지, 포획 및 우회 시퀀스의 도식적 예시도이다.
도 4는 다른 예시적 실시예의 증착 장치의 개략도이다.
ALD 및 CVD 양자 모두에 공통적인 한가지 양태는 반응 챔버 내에 도입되는 전구체 재료 중 일부가 비반응 상태로 남아있고 따라서 챔버 내에 진입한 것과 동일한 조성적 형태로 챔버로부터 배기된다는 것이다. 일부 실시예들은 증착 프로세스에 재도입될 수 있도록 비반응 전구체 재료를 재생하기에 적합한 방법들 및 시스템들을 포함한다. 예시적 실시예들은 도 1 내지 도 4를 참조로 설명된다.
도 1을 참조하면, 도 1은 포획된 전구체 재료를 재순환시키도록 구성된 증착 시스템(10)을 예시한다. 시스템(10)은 반응 챔버(14)를 포함한다. 반응 챔버는 ALD 및 CVD(용어 CVD는 본 명세서에서 전형적 CVD를 포함하고 또한 예로서, 펄스형 CVD 같은 전형적 CVD 프로세스들의 파생물들을 포함하도록 사용됨) 중 하나 또는 양자 모두를 위해 구성될 수 있다.
펌프(16)가 반응 챔버 하류에 제공되어 시스템을 통해 다양한 재료들을 견인하기 위해 사용된다. 시스템을 통한 재료들의 유동을 보조하기 위해 펌프(16)에 추가로 또는 그 대신에 다른 구성요소들(미도시)이 제공될 수 있다. 챔버 내로, 그리고, 챔버를 통해 유동하는 재료들은 라인(18)을 따라 챔버로 연장하고, 화살표들(20)에 의해 예시된 바와 같이 챔버를 통해 연장하고, 그후, 챔버로부터 라인(22)을 따라 연장하는 유동 경로를 따라 유동되는 것으로 고려될 수 있다. 챔버를 통한 유동은 연속적일 수 있거나, 챔버에 재료의 펄스를 탑재시키고, 소정 기간 동안 챔버 내에 재료를 보유하고, 그후, 퍼지 사이클에 의해 챔버로부터 재료를 배기하는 것을 포함할 수 있다. ALD가 사용되는 경우, 단층 재료를 형성하기 위해 둘 이상의 순차적 펄스/퍼지 사이클들이 사용될 수 있다.
라인들(18, 22)은 반응 챔버로, 그리고, 반응 챔버로부터 재료들을 이송하기 위한 배관들 또는 다른 적절한 도관들에 대응할 수 있다. 또한, 라인들(18, 22)에 추가로, 시스템은 라인들(24, 26, 28)을 포함한다.
밸브(30)는 라인(28)을 따라 도시되어 있으며, 밸브들(32, 34)은 라인(24)을 따라 도시되어 있고, 밸브들(36, 38)은 라인(26)을 따라 도시되어 있다. 밸브들은 유동 경로를 따른 재료의 유동을 조절하기 위해 사용될 수 있다.
한 쌍의 전구체 포획부들(40, 42)이 각각 라인들(24, 26)을 따라 도시되어 있다. 전구체 포획부들은 제1 조건 하에서 전구체를 포획하고, 제2 조건 하에서 포획된 전구체를 방출하도록 구성된다. 예로서, 전구체 포획부들은 저온 포획부(cold trap)들일 수 있으며, 따라서, 비교적 저온 조건 하에서 전구체를 포획하고 비교적 고온 조건 하에서 전구체를 방출하도록 구성될 수 있다. 용어 "비교적 저온" 및 "비교적 고온"은 서로에 대비하여 사용되며, 그래서, "비교적 저온"은 "비교적 고온"보다 낮은 온도이다.
특정 온도들은 시스템(10)에 의한 증착 동안 사용되는 전구체들을 포획 및 방출하기에 적합한 임의의 온도일 수 있다. 예로서, 일부 실시예들에서, 백금 전구체((CH3)3(CH3C5H4)Pt)가 사용될 수 있다. 이런 전구체는 예로서, ALD 용례들에 대해 약 -10℃ 이하의 온도, 그리고, 가능하게는 CVD 용례들에 대하여 약 -20℃ 이하의 온도 같은 약 0℃ 미만의 온도에서 포획되고, 이런 전구체는 예로서, 약 40℃를 초과한 온도 같은 약 25℃를 초과한 온도에서 포획부로부터 방출될 수 있다. 일부 실시예들에서, 포획 온도는 낮아서 산소 민감성 재료는 포획 라인에서 공기에 노출될때 산화되지 않는다. 일부 실시예들에서, Rh가 포획되는 경우, 포획부를 통과할 수 있는 산소에 의한 Rh의 산화를 피하기 위해 포획부는 Rh의 포획 동안, 그리고, 포획부 상에 Rh를 보유하는 동안 -40℃(여기서, 용어 "-40℃"는 0℃보다 40도 낮은 것을 의미한다) 이하의 온도일 수 있다. 산소 민감성 전구체(일부 용례들에서는 공기 민감성 전구체일 수 있음)의 산화를 방지하기에 충분히 낮은 레벨로 포획 온도를 유지하는 것은 포획 온도가 포획된 재료들에 대해 바람직하지 못한 부차적 반응들이 발생하는 것을 방지하기에 충분히 낮게 유지되는 실시예들의 일 예가 되는 것으로 고려될 수 있다. 이런 실시예들은 CVD 용례들에 대해 포획이 사용될 때 특히 적합할 수 있으며, 그 이유는 포획부들이 원하는 전구체들을 보유하기 위해 사용되는 동안 다수의 반응성 재료들이 포획부들을 통과하기 때문이다.
코일들(44)은 포획부들(40, 42)에 인접하게 개략적으로 예시되어 있다. 코일들은 포획부들이 열적으로 제어될 수 있는 실시예들(예로서, 포획부들이 저온 포획부들인 실시예들)에서 포획부들로부터의 전구체의 방출을 제어하기 위해 포획부들에 인접하게 제공되는 가열/냉각 유닛들을 나타낸다.
포획부들(40, 42)은 반응 챔버(14)와 유체 연동하는 것으로 고려될 수 있으며, 시스템(10) 내의 재료의 유동 경로를 따라 서로에 대해 병렬적으로 연결되는 것으로 고려될 수 있다.
동작시, 포획부들(40, 42) 중 하나는 챔버(14)로의 전구체의 소스로서 사용될 수 있고, 나머지는 챔버(14)로부터의 배기물 내에 존재하는 전구체를 포획하기 위해 사용된다. 도시된 실시예에서, 캐리어 가스 소스(46)는 각각 라인들(48, 50)을 통해 포획부들(40, 42)과 유체 연통하는 것으로 예시되어 있다. 밸브들(52, 56)은 포획부들(40, 42)로의 캐리어 가스의 유동을 제어하기 위해 라인들(48, 50)을 따라 도시되어 있다. 캐리어 가스는 포획부들로부터 전구체를 제거하는 것을 도울 수 있다. 캐리어 가스는 전구체들이 포획부들로부터 방출되는 조건들 하에서 전구체 재료와의 반응에 대해 불활성인 조성물일 수 있으며, 예로서, N2, 아르곤 및 헬륨 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
포획부들(40, 42)은 서로에 대하여 포획 및 방출 모드들 사이에서 교번적으로 사이클링될 수 있으며, 그래서, 포획부들 각각은 궁극적으로 반응 챔버의 상류의 전구체 소스로서 사용되고, 반응 챔버의 하류의 비반응 전구체의 포획을 위해 사용된다.
비록, 두 개의 전구체 포획부들이 예시된 실시예에 예시되어 있지만, 다른 실시예들에서, 두 개보다 많은 전구체 포획부들이 존재할 수 있다. 예로서, 다수의 서로 다른 전구체들이 증착 프로세스 동안 반응 챔버(14)를 통해 유동될 수 있으며, 서로에 대해 별개의 포획부들 상에 서로 다른 전구체들을 포획하는 것이 필요할 수 있다. 일부 실시예들에서, 서로 병렬로 배열된 두 개의 포획부들은 서로 다른 전구체들 각각을 포획 및 방출하기 위해 사용될 수 있다. 예로서, 증착 프로세스가 백금-루테늄-옥사이드 같은 혼합 금속 재료를 형성하는 경우, 각 금속은 별개의 전구체로부터 증착될 수 있다. 서로 다른 금속 함유 전구체들을 서로 별개로 포획하는 것이 바람직할 수 있다. 서로 다른 전구체 재료들을 포획하기 위해 사용되는 포획부들은 서로 동일하면서 서로 다른 조건들 하에서 사용될 수 있거나, 서로에 대해 다른 유형들로 이루어질 수 있다.
전구체에 추가로 반응제가 사용되는 실시예들에서, 전구체를 포획하고(달리 말하면, 고가의 개시 재료를 포획하고), 반응제를 포획하지 않는(달리 말하면, 저가의 개시 재료를 포획하지 않는) 것이 바람직할 수 있다. 증착 프로세스가 ALD 프로세스인 경우, 반응제는 도 2를 참조로 후술된 것과 유사하게 우회로에 의해 시스템으로부터 배기될 수 있고, 증착 프로세스가 CVD 프로세스인 경우, 전구체 포획부는 도 4를 참조로 후술된 것과 유사한 방식으로 전구체가 포획부들 상에 보유되는 반면 반응제는 포획부들을 가로질러 유동하도록 하는 조건 하에서 사용될 수 있다.
도 1의 시스템(10)은 증착 프로세스를 위한 전구체 재료의 소스들로서 포획부들(40, 42)만을 사용한다. 다른 실시예들에서, 추가적 라인들이 제공되고, 그래서, 전구체가 포획부들 이외의 다른 소스들로부터 반응 챔버로 추가로 도입될 수 있다. 이러한 포획부들 이외의 다른 소스들로부터의 전구체의 도입은 포획부들(40, 42)에 의해 제공된 전구체를 보충할 수 있으며 및/또는 증착 프로세스를 개시하기 위해 사용될 수 있다.
도 1의 시스템(10)은 전구체 재료를 연속적으로 재생하도록 구성된다. 다른 실시예들에서, 증착 시스템은 전구체 재료들을 포획하지만 연속적으로 전구체 재료를 재생하지는 않도록 구성될 수 있다. 대신, 시스템은 증착 프로세스 이후에 이루어지는 회수 절차 동안 포획부로부터 재료가 제거되도록 구성될 수 있다. 그후, 재료는 세정이 필요하거나 바람직한 것으로 고려되는 경우 세정되고, 그후 후속 증착 프로세스 동안 소스 재료로서 사용될 수 있다. 증착 프로세스에 후속하여 이루어지는 회수 절차의 사용은 도 1의 연속적 순환 시스템에 사용하기에 비실용적인 기술들이 포획부로부터 전구체 재료를 제거하기 위해 사용될 수 있게 한다. 예로서, 포획부는 증착 시스템으로부터 빼내어지고, 전구체 재료를 제거하기 위해 솔벤트로 세정될 수 있다. 물론, 도 1을 참조로 상술한 유형의 열적 변화들이 솔벤트 추출 방법들에 추가로 또는 그에 대한 대안으로서 사용될 수 있다.
도 1은 도면 부호가 부여되어 있지 않지만 포획부들이 사용될 수 있게 하는(시스템 내의 "데드 레그(dead leg)"가 되는 대신) 한 쌍의 라인들 및 밸브들을 도시한다.
도 2는 증착 프로세스와 별개인, 증착 프로세스에 후속하는 절차로 포획부로부터 전구체 재료를 회수하도록 구성된 ALD 시스템(60)을 도시한다.
시스템(60)은 반응 챔버(62), 개시 재료들을 보유하기 위한 한 쌍의 저장부들(64, 66) 및 시스템을 통해 다양한 재료들을 견인하기 위해 사용되도록 구성된 펌프(68)를 포함한다. 시스템을 통한 재료들의 유동을 보조하기 위해 펌프(68)에 추가로, 또는 펌프(68) 대신에 다른 구성요소들(미도시)이 제공될 수 있다. 챔버내로, 그리고, 챔버를 통해 유동하는 재료들은 라인(65)을 따라 챔버로 연장하고, 화살표들(70)로 예시된 바와 같이 챔버를 통해 연장하고, 그후, 라인(67)을 따라 챔버로부터 연장하는 유동 경로를 따라 유동하는 것으로 고려될 수 있다. 라인(67)은 두 개의 대안적 유동 경로들(72, 74)로 분할된다. 유동 경로(72)는 전구체 포획부(76)를 통해 연장하고, 유동 경로(74)는 전구체 포획부를 우회한다.
반응 챔버로, 그리고, 반응 챔버로부터 연장하는 다양한 유동 경로들을 따른 다양한 재료들의 유동의 조절을 가능하게 하기 위해 복수의 밸브들(80, 82, 84, 86, 88)이 제공되어 있다. 도시된 밸브들에 추가로 또는 그에 대안적으로 다른 밸브들이 사용될 수 있다.
유동 제어 구조체(90)는 유동 경로(74)를 따라 제공되고 유동 경로를 따른 역류를 방지하도록 구성된다. 유동 제어 구조체(90)는 임의의 적절한 구조체일 수 있으며, 예로서, 터보펌프, 저온펌프, 파괴 유닛(destruct unit)(즉, 하나 이상의 화학적 조성물들을 파괴시키는 유닛) 또는 체크 밸브에 대응할 수 있다.
동작시, 전구체 재료는 저장부(64) 내에 제공되고 반응제는 저장부(66) 내에 제공될 수 있다. 밸브들(80, 82)은 임의의 주어진 시간에 반응제 및 전구체 중 단 하나가 챔버(62) 내로 도입되도록 반응제 및 전구체의 유동을 제어하기 위해 사용된다. 따라서, 두 개의 서로 다른 재료들(구체적으로, 전구체 및 반응제)이 서로 다른, 서로에 대해 실질적으로 중첩되지 않는 시간들로 챔버(62) 내에 존재하게 된다. 이는 다른 재료를 챔버 내에 도입하기 이전에 반응 챔버 내부로부터 재료들 중 하나의 재료 실질적 전체를 제거함으로써 이루어질 수 있다. 용어 "실질적 전체"는 반응 챔버 내의 재료의 양이 후속 재료들과의 가스 상 반응들이 재료로부터 기판 상에 형성되는 증착물의 특성들을 열화시키지 않는 레벨로 감소되는 것을 나타낸다. 이는 일부 실시예들에서 제2 재료의 도입 이전에 제1 재료 전체가 반응 챔버로부터 제거되는 것을 나타내거나, 제2 재료가 챔버에 도입되기 이전에 반응 챔버로부터 적어도 모든 측정가능한 양의 제1 재료가 제거되는 것을 나타낸다.
전구체가 챔버(62) 외부로 유동하는 시기들에, 챔버로부터의 배기물은 유동 경로(72)를 따라 유동될 수 있다. 따라서, 전구체는 전구체 포획부(76) 상에 포획될 수 있으며, 이는 후속하여 재생될 수 있다. 전구체는 전구체 재료로 챔버를 충전하기 위한 챔버를 통한 재료의 유동 동안, 그리고, 챔버 내부로부터 전구체 재료를 제거하기 위한 챔버의 세정(flush) 동안 챔버(62) 외부로 쉽게 유동하게 된다.
전구체가 챔버 외부로 유동되지 않고, 대신, 전구체 이외의 재료들이 챔버 외부로 유동되는 시기들에, 챔버로부터의 배기물은 우회 경로(74)를 따라 유동될 수 있다. 우회 경로(74)를 따라 반응제를 유동시키는 장점은 보유된 전구체의 품질을 열화시킬 수 있는 포획부(76)에 의해 보유된 전구체와 반응제의 비의도적 반응을 방지할 수 있다는 것이다.
우회 경로(74)를 따른 유동 제어 구조체(90)의 사용은 챔버(62) 내로의 반응제의 역류를 바람직하게 방지할 수 있다. 반응제가 챔버(62) 내로 역류하는 경우, 이는 후속하여 전구체가 챔버에 도입될 때 챔버 내에 잔류되게 되며, 이는 전구체와 반응제 사이의 비의도적 CVD 반응들을 초래할 수 있다. 반응 챔버가 전구체의 도입 이전에 챔버로부터 실질적 모든 반응제가 제거되는 것을 보증하기 위해 주의 깊게 감시되는 경우라도, 반응제의 역류는 바람직하지 못한 결과들을 초래할 수 있다. 구체적으로, 반응제의 역류는 제어 구조체(90)가 역류를 방지하기 위해 제공되어 있는 도시된 실시예를 사용하여 달성되는 것보다 매우 긴 배기 시간을 초래할 수 있다. 종래 기술 ALD 시스템은 미국 특허 공보 제2005/0016453호에 개시되어 있다. 이런 시스템은 구조체(90)와 유사한 유동 제어 구조체가 없으며, 따라서, 도 2를 참조로 예시 및 설명된 시스템(60)은 이런 종래 기술의 ALD 시스템에 비해 개선을 나타낸다.
밸브(86)는 펌핑 라인으로부터 포획부(76)가 바람직하게 격리될 수 있게 하며, 이는 동적 진공 하에 포획부를 벗어나는 시스템들에 대한 전구체 회수율들을 증가시킬 수 있다.
도 2의 시스템(60)과 함께 사용될 수 있는 일 예시적 펄스/퍼지 시퀀스가 도 3에 개략적으로 예시되어 있다. 전구체의 유동은 최상위 경로(100)로 예시되어 있다. 처음에, 전구체로 챔버를 충전하고 챔버 내에 존재하는 기판(기판은 도 2에는 도시되어 있지 않으나, 예로서, 반도체 웨이퍼일 수 있음)의 표면과 전구체의 반응을 위해 충분한 시간을 제공하도록 전구체의 펄스가 챔버(챔버는 도 2에서 62로 표시되어 있음) 내로 도입된다. 전구체의 펄스는 경로(100)를 따라 101로 표시된 영역으로서 개략적으로 예시되어 있다. 일부 실시예들에서, 전구체는 예로서, 팔라듐, 백금, 이트륨, 알루미늄, 이리듐, 은, 금, 탄탈륨, 로듐, 루테늄 또는 레늄 같은 금속을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전구체는 전이 금속 및/또는 란타나이드 계열 금속(용어 "란타나이드 계열 금속"은 원자 번호 57 내지 71을 갖는 원소들 중 임의의 원소를 지칭함)을 포함할 수 있다. 전구체가 백금을 포함하는 경우, 이는 예로서, (CHa)3(CH3C5H4)Pt의 형태일 수 있다. 일부 실시예들에서, 전구체는 예로서, 실리콘 또는 게르마늄 같은 반도체 재료를 포함할 수 있다.
전구체가 반응 챔버 내에 제공되고, 기판의 표면과 반응하기에 충분한 시간이 주어진 이후, 챔버로부터 전구체를 제거하기 위해 퍼지가 사용된다. 이런 퍼지는 도 3에 경로 102로 예시되어 있다. 퍼지 기간은 경로(102)를 따라 103으로 표시된 영역으로서 예시되어 있다.
챔버(62)(도 2)로부터의 배기물은 도 3에 경로(108)로 예시된 바와 같이 전구체의 펄스 동안, 그리고, 챔버로부터의 전구체의 후속 퍼지 동안 포획부(76)(도 2)를 가로질러 통과되며, 포획부를 통한 유동은 경로(108)를 따라 109로 표시된 영역에 의해 예시된 기간 동안 이루어진다.
전구체가 챔버로부터 퍼지된 이후, 반응제가 도 3의 경로(104)로 표시된 바와 같이 펄스로 챔버 내에 도입된다. 반응제의 펄스는 경로(104)를 따라 105로 표시된 영역에서 발생한다. 이 펄스는 반응제로 챔버를 충전하고, 반응제가 챔버 내의 기판의 표면에 있는 전구체와 반응하기에 충분한 시간을 허용하기에 적합한 기간으로 이루어진다. 일부 실시예들에서, 반응제는 산소(예로서, 반응제는 O2, 물 또는 오존의 형태일 수 있음) 또는 암모니아를 포함할 수 있으며, 전구체와 조합하여 옥사이드 또는 니트라이드를 형성하도록 사용될 수 있다. 예로서, 전구체가 금속을 포함하고, 반응제가 산소 또는 암모니아를 포함하는 경우, 반응제와 전구체의 조합은 금속 옥사이드 또는 금속 니트라이드를 형성할 수 있다.
반응제의 펄스가 반응 챔버 내에 제공된 이후, 퍼지가 사용되어 챔버로부터 반응제를 제거한다. 이런 퍼지는 도 3의 경로(106)에 의해 예시되어 있다. 퍼지의 기간은 경로(106)를 따라 107로 표시된 영역으로서 예시되어 있다.
챔버(62)(도 2)로부터의 배기물은 도 3에 경로(110)로 예시된 바와 같이 반응제의 펄스 동안, 그리고, 챔버로부터의 반응제의 후속 퍼지 동안 우회 유동 경로(도 2의 경로(74))를 따라 통과된다. 우회 경로를 따른 유동은 경로(110)를 따른 영역(111)으로 예시된 기간 동안 이루어진다.
도 3의 펄스/퍼지 시퀀스는 원하는 두께로 증착물을 형성하기 위해 다수회 반복될 수 있다. 따라서, 전구체의 펄스에는 반응제의 펄스가 후속되고, 이 반응제의 펄스에는 순차적으로 전구체의 펄스가 후속되는 등이며, 이는 단일 증착 시퀀스에서 전구체 포획부를 따라 지나가는 다수의 전구체의 펄스들을 초래한다. 전구체 포획부는 임의의 적절한 시간 간격들로 정화될 수 있다. 포획부 상의 전구체의 포화 한계에 도달하여 포획부의 전구체 보유 특성들이 훼손되지 않도록 충분히 규칙적으로 포획부를 정화하는 것이 바람직할 수 있다.
퍼지 사이클들 대신 또는 도 3의 퍼지 사이클 이후에 펌프 사이클들(가스 유동 없음)이 존재할 수 있다는 것을 주의하여야 한다.
도 2의 시스템은 ALD 프로세스를 위해 구성되어 있다. 또한, 하나 이상의 전구체 포획부들이 CVD 전구체들의 회수를 위해 CVD 시스템에 통합될 수 있다. 도 4는 전구체 재료를 회수하도록 구성된 CVD 시스템(120)을 도시한다.
시스템(120)은 반응 챔버(122), 개시 재료들을 보유하기 위한 복수의 저장부들(123, 124, 126) 및 시스템을 통해 다양한 재료들을 견인하기 위해 사용되도록 구성된 펌프(128)를 포함한다. 시스템을 통한 재료들의 유동을 보조하기 위해, 펌프(128)에 추가로 또는 그에 대안적으로 다른 구성요소들(미도시)이 제공될 수 있다. 챔버 내로, 그리고, 챔버를 통해 유동하는 재료들은 라인(125)을 따라 챔버로 연장하고, 화살표들(130)로 예시된 바와 같이 챔버를 통해 연장하고, 그후, 라인(127)을 따라 챔버로부터 연장하는 유동 경로를 따라 유동되는 것으로 고려될 수 있다. 라인(127)은 두 개의 대안적 유동 경로들(132, 134)로 분할된다. 유동 경로(132)는 서로 직렬로 배열된 한 쌍의 전구체 포획부들(136, 138)을 통해 연장하고, 유동 경로(134)는 전구체 포획부들을 우회한다.
시스템(120)은 CVD 프로세스에서 동시적으로 다수의 서로 다른 전구체들을 사용하도록 구성될 수 있으며, 포획부들(136, 138)은 서로에 대해 서로 다른 전구체들을 개별적으로 포획하도록 구성될 수 있다. 예로서, CVD 프로세스가 금속 함유 전구체들의 혼합물을 사용하는 경우, 포획부들(136, 138) 중 하나는 일 유형의 금속 함유 전구체를 포획하도록 구성되고, 포획부들 중 나머지는 다른 유형의 금속 함유 전구체를 포획하도록 구성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 포획부들(136, 138)은 양자 모두 저온 포획부들이며, 포획부들 중 하나는 나머지와는 다른 온도에서 작동되어 각 포획부가 특정 전구체를 선택적으로 보유하게 된다. 예로서, 상류 포획부(136)는 하나의 전구체가 보유되고 나머지가 통과 유동하는 온도에서 사용되고, 하류 포획부(138)는 상류 포획부를 통과해 유동한 전구체를 포획하기에 충분히 낮은 온도에서 사용될 수 있다.
일부 실시예들에서, 포획부들(136, 138)은 서로 다른 유형의 포획부들일 수 있다. 예로서, 하나의 포획부는 저온 포획부일 수 있고, 다른 포획부는 솔벤트 기반 포획부일 수 있다.
비록 두 개의 포획부들이 예시되었지만, 다른 실시예들에서, 단 하나의 포획부가 사용될 수 있으며, 또 다른 실시예들에서, 두 개보다 많은 포획부들이 사용될 수 있다.
반응 챔버로, 그리고, 반응 챔버로부터 연장하는 다양한 유동 경로들을 따라 다양한 재료들의 유동을 조절할 수 있게 하기 위해 복수의 밸브들(140, 141, 142, 144, 146, 148)이 제공된다. 도시된 밸브들에 추가로, 또는 도시된 밸브들에 대한 대안으로서 다른 밸브들이 사용될 수 있다.
동작시, 전구체 재료들은 저장부들(123, 124) 내에 제공되고, 반응제는 저장부(126) 내에 제공될 수 있다. 밸브들(140, 141, 142)은 반응제 및 전구체들의 유동을 그들 모두가 동시에 챔버(122) 내에 존재하게 되도록 제어하기 위해 사용된다. 반응제 및 전구체들은 함께 반응하여 챔버 내에 존재하는 기판(미도시)을 가로지른 증착물을 형성한다. 기판은 예로서, 반도체 웨이퍼일 수 있으며, 증착물은 예로서, 혼합 금속 산화물(즉, 하프늄-알루미늄 옥사이드)일 수 있다.
챔버로부터의 배기물이 비반응 전구체들을 포함하는 경우, 배기물은 유동 경로(132)를 따라 유동될 수 있고, 그래서, 비반응 전구체들이 전구체 포획부들(136, 138) 상에 포획된다. 비반응 전구체들은 그후 후속하여 포획부들로부터 재생된다.
포획부들은 포획된 전구체들이 전구체를 통과 유동하는 반응제와 반응하지 않도록 하는 조건들 하에서 작동될 수 있다. 구체적으로, CVD 프로세스로부터의 배기물은 예로서, 반응제, 반응 부산물들, 부분 반응 전구체 및 비반응 전구체를 포함하는 혼합물일 수 있다. 포획부들은 비반응 전구체를 특정하게 포획하고 그후, 이런 비반응 전구체를 전구체의 열화를 피하는 조건들 하에서 보유하도록 하는 것이 바람직하다. 이런 조건들은 CVD 프로세스로부터의 배기물 내의 다른 재료들과 비반응 전구체의 반응을 방지하고 및/또는 비반응 전구체가 포획부 상에서 열화될 수 있게 하는 다른 메커니즘들을 방지하기에 충분히 낮은, 저온 포획부의 열적 조건들일 수 있다. 예로서, 포획된 전구체들 중 하나는 (CHa)3(CH3C5H4)Pt에 대응할 수 있고, 반응제는 O2를 포함할 수 있으며, (CH3)3(CH3C5H4)Pt는 약 -20℃ 이하의 온도에서 포획부 상에 보유될 수 있다. CVD 용례들 동안 사용되는 포획 온도는 포획된 전구체를 통과 유동하는 다른 재료들과의 포획된 전구체의 비의도적 반응을 방지하고 및/또는 포획된 전구체를 통과 유동하는 다양한 재료들에 의해 포획부로부터 쓸려나가는 것으로부터 포획된 전구체를 유지하기 위한 양자 모두를 위해 상술한 ALD 용례들의 것보다 낮을 수 있다.
시스템(120)은 재료들이 챔버로 유동하는 정화 또는 다른 프로세스들을 받을 수 있으며, 여기서, 재료들은 전구체 포획부들을 가로질러 유동하지 않는 것이 바람직하다. 이때, 챔버로부터의 배기물은 우회 경로(134)를 따라 유동될 수 있다.
포획부들(136, 138) 상에 포획된 전구체들은 임의의 적절한 방법들에 의해 포획부들로부터 제거될 수 있다. 예로서, 하나 이상의 포획부들이 저온 포획부인 경우, 이때, 도 1의 코일들(44)과 유사한 코일들이 제공되어 포획된 전구체를 포획부들로부터 방출하게 하도록 포획부들이 가열될 수 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로, 포획부들 중 하나 또는 양자 모두는 시스템(120)으로부터 쉽게 제거되도록 구성될 수 있으며, 그래서, 전구체는 시스템(120)으로부터 별개의 환경에서 포획부로부터 추출될 수 있다. 추출된 전구체는 그후 필요시 정화될 수 있으며, 그후, 증착 프로세스에 재사용될 수 있다.
도 4의 실시예는 서로 직렬인 다수의 포획부들이 CVD 시스템을 통한 전구체 재료들의 연속적 사이클링을 위해 병렬적 배열로 이중화되도록 도 1의 실시예와 조합될 수 있다.
비용의 절약, 폐기물들의 감소 및 시스템의 배기를 도울 수 있는 비반응 전구체의 제거 메커니즘의 제공을 포함하는 다수의 장점들이 전구체들의 포획에 의해 제공되며, 일부 실시예들에서는 터보 펌프의 활용을 제거할 수 있다. 포획될 수 있는 전구체들 중에는 금속들(귀금속들 또는 비-귀금속들)을 포함하는 전구체들 및 예로서, 테트라에틸오르소실리케이트 같은 저가이지만 대량으로 사용되는 전구체들이 있다.

Claims (30)

  1. 증착 시스템에 있어서,
    반응 챔버와,
    상기 반응 챔버와 유체 연통하면서, 제1 조건 하에서 전구체를 포획하고 포획된 상기 전구체를 제2 조건 하에서 방출하도록 구성된, 복수의 전구체 포획부들과,
    유동 경로로서, 그를 따라 전구체가 상기 챔버로, 상기 챔버를 통해, 그리고, 상기 챔버로부터 유동하게 되는 유동 경로를 포함하고,
    상기 전구체 포획부들 중 적어도 두 개는 상기 유동 경로를 따라 서로에 대해 병렬로 연결되고, 그래서, 상기 상기 적어도 두 개의 상기 전구체 포획부들 중 하나는 상기 챔버 내의 반응들을 위한 전구체의 소스로서 사용되고, 상기 적어도 두 개의 상기 전구체 포획부들 중 나머지는 챔버로부터 배출되는 비반응 전구체를 수집하기 위해 사용되는 증착 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서, ALD 프로세스에 사용하도록 구성되는 증착 시스템.
  3. 청구항 1에 있어서, CVD 프로세스에 사용하도록 구성되는 증착 시스템.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 조건들은 온도가 서로 다른 증착 시스템.
  5. ALD 시스템에 있어서,
    반응 챔버와,
    상기 반응 챔버로부터 배기된 재료들을 위한 한 쌍의 대안적 유동 경로들로서, 상기 대안적 유동 경로들 양자 모두는 공용 주 펌프에 이어지고, 상기 대안적 유동 경로들 중 제1 유동 경로는 비반응 전구체를 수집하도록 구성된 전구체 포획부를 포함하고, 상기 대안적 유동 경로들 중 제2 유동 경로는 전구체 포획부를 우회하는, 한 쌍의 대안적 유동 경로들과,
    상기 대안적 유동 경로들 중 상기 제2 유동 경로를 따른 역류를 방지하도록 구성된, 상기 대안적 유동 경로들 중 상기 제2 유동 경로를 따른 적어도 하나의 유동 제어 구조체를 포함하는 ALD 시스템.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 적어도 하나의 유동 제어 구조체는 터보펌프, 파괴 유닛 또는 저온 펌프를 포함하는 ALD 시스템.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 적어도 하나의 유동 제어 구조체는 체크 밸브를 포함하는 ALD 시스템.
  8. CVD 시스템에 있어서,
    반응 챔버와,
    상기 반응 챔버로부터 배기된, 하나 이상의 비반응 전구체들을 포함하는 재료들의 혼합물을 위한 유동 경로와,
    상기 하나 이상의 비반응 전구체들 중 적어도 하나를 재료들의 상기 혼합물들의 다른 성분들에 대해 선택적으로 포획하도록 구성된, 유동 경로를 따른 적어도 하나의 전구체 포획부를 포함하는 CVD 시스템.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 전구체 포획부는 저온 포획부인 CVD 시스템.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 유동 경로를 따라 직렬로 배열된 다수의 전구체 포획부들을 포함하고, 상기 다수의 전구체 포획부들은 서로에 대해 서로 다른 전구체 조성물들을 포획하도록 구성되는 CVD 시스템.
  11. 증착 방법에 있어서,
    반응 챔버를 통해 전구체를 유동시키는 단계로서, 상기 전구체는 유동 경로를 따라 유동하고, 상기 유동 경로는 상기 반응 챔버의 상류로부터 상기 반응 챔버로 연장하며 상기 반응 챔버로부터 상기 반응 챔버의 하류로 연장하고, 상기 반응 챔버 내에 있는 동안 상기 전구체 중 일부가 반응하고, 상기 반응 챔버 내에 있는 동안 상기 전구체 중 일부는 비반응 상태로 남아 있게 되는, 전구체 유동 단계와,
    상기 비반응 전구체를 재생하기 위해 상기 유동 경로를 따른 복수의 전구체 포획부들을 사용하는 단계로서, 상기 전구체 포획부들은 상기 전구체를 선택적으로 포획 및 방출하도록 구성되는, 복수의 전구체 포획부 사용 단계와,
    상기 전구체 포획부들을 서로에 대하여 포획 및 방출 모드들 사이에서 교번적으로 순환시켜 상기 전구체 포획부들 각각이 상기 반응 챔버의 상류의 전구체 소스로서, 그리고, 반응 챔버 하류의 비반응 전구체의 포획을 위해 교번적으로 사용되게 하는 단계를 포함하는 증착 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 전구체 포획부들은 상기 포획부 내에 존재할 수 있는 임의의 산소에 의한 상기 포획된 비반응 전구체의 산화를 방지하는 온도에서 포획된 비반응 전구체를 보유하는 조건들 하에서 작동되는 증착 방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 포획된 비반응 전구체는 Rh를 포함하고, 상기 조건들은 -40℃ 이하의 포획 온도를 포함하는 증착 방법.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 전구체는 전이 금속 및/또는 란타나이드 계열 금속을 포함하는 증착 방법.
  15. 청구항 11에 있어서, ALD 방법인 증착 방법.
  16. 청구항 11에 있어서, CVD 방법인 증착 방법.
  17. ALD 방법에 있어서,
    반응 챔버 내로 전구체를 유동시키는 단계와,
    상기 반응 챔버 내로 상기 전구체를 유동시킨 이후, 그리고, 반응제가 상기 챔버 내에 존재하지 않는 동안, 제1 유동 경로를 따라 상기 반응 챔버로부터 재료를 배기시키는 단계로서, 제1 유동 경로는 주 펌프로 연장하고, 비반응 전구체를 수집하도록 구성된 전구체 포획부를 포함하는, 제1 유동 경로를 따라 반응 챔버로부터 재료를 배기시키는 단계와,
    상기 반응 챔버 내로 상기 반응제를 유동시킨 이후에, 그리고, 상기 전구체가 상기 반응 챔버 내에 존재하지 않는 동안, 상기 주 펌프로 연장하면서 상기 전구체 포획부를 우회하는 제2 유동 경로를 따라 상기 반응 챔버로부터 재료를 배기시키는 단계와,
    상기 제2 유동 경로를 따른 역류를 방지하도록 상기 제2 유동 경로를 따른 적어도 하나의 유동 제어 구조체를 사용하는 단계를 포함하는 ALD 방법.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 전구체는 금속, 실리콘 또는 게르마늄을 포함하고, 상기 반응제는 산소 또는 질소를 포함하는 ALD 방법.
  19. 청구항 17에 있어서, 상기 전구체는 팔라듐, 백금, 이트륨, 알루미늄, 이리듐, 은, 금, 탄탈륨, 로듐, 루테늄 또는 레늄을 포함하는 ALD 방법.
  20. 청구항 17에 있어서, 상기 전구체는 (CHa)3(CH3C5H4)Pt를 포함하는 ALD 방법.
  21. 청구항 20에 있어서, 상기 반응제는 O2, 물 및 오존 중 하나 이상을 포함하는 ALD 방법.
  22. 청구항 17에 있어서, 상기 전구체는 상기 반응제 이전에 상기 반응 챔버 내로 유동되는 ALD 방법.
  23. 청구항 17에 있어서, 상기 전구체는 상기 반응제 이후에 상기 반응 챔버 내로 유동되는 ALD 방법.
  24. 청구항 17에 있어서, 상기 적어도 하나의 유동 제어 구조체는 터보펌프, 파괴 유닛 또는 저온 펌프를 포함하는 ALD 방법.
  25. 청구항 17에 있어서, 상기 적어도 하나의 유동 제어 구조체는 체크 밸브를 포함하는 ALD 방법.
  26. CVD 방법에 있어서,
    하나 이상의 전구체들 및 하나 이상의 반응제들을 포함하는 재료들의 혼합물을 반응 챔버 내로 유동시키는 단계와,
    증착물을 형성하도록 상기 하나 이상의 전구체들과 상기 하나 이상의 반응제들을 반응시키는 단계로서, 하나 이상의 전구체들 중 일부는 비반응 상태로 남아 있게 되는, 반응 단계와,
    상기 반응 단계 이후, 상기 반응 챔버를 배기시키는 단계로서, 상기 반응 챔버로부터의 상기 배기물은 상기 잔류 비반응 하나 이상의 전구체들을 포함하는, 배기 단계와,
    상기 배기물의 다른 성분들에 대해 상기 하나 이상의 비반응 전구체들 중 적어도 하나를 선택적으로 포획하도록 구성된 적어도 하나의 전구체 포획부를 가로질러 상기 배기물을 유동시키는 단계를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 전구체 포획부는 상기 배기물의 다른 성분들과 상기 포획된 전구체의 반응을 방지하는 조건들 하에서 상기 포획된 전구체를 보유하도록 구성되는 CVD 방법.
  27. 청구항 26에 있어서, 상기 전구체 포획부 중 적어도 하나는 상기 포획부 내에 존재할 수 있는 임의의 산소에 의한 상기 포획된 비반응 전구체의 산화를 방지하는 온도에서 포획된 비반응 전구체를 보유하는 조건들 하에서 작동되는 CVD 방법.
  28. 청구항 27에 있어서, 상기 포획된 비반응 전구체는 Rh를 포함하고, 상기 조건들은 -40℃ 이하의 포획 온도를 포함하는 CVD 방법.
  29. 청구항 26에 있어서, 상기 전구체들은 백금을 포함하고, 상기 반응제들은 산소를 포함하며, 상기 적어도 하나의 전구체 포획부는 약 10℃ 이하의 온도에서 비반응 백금 함유 전구체를 보유하는 CVD 방법.
  30. 청구항 26에 있어서, 상기 배기물의 유동 경로를 따라 직렬로 배열된 복수의 전구체 포획부들을 사용하는 CVD 방법.
KR1020117006592A 2008-09-22 2009-08-05 증착 시스템, ａｌｄ 시스템, ｃｖｄ 시스템, 증착 방법, ａｌｄ 방법 및 ｃｖｄ 방법 KR101320256B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/235,147 2008-09-22
US12/235,147 US20100075037A1 (en) 2008-09-22 2008-09-22 Deposition Systems, ALD Systems, CVD Systems, Deposition Methods, ALD Methods and CVD Methods
PCT/US2009/052829 WO2010033318A2 (en) 2008-09-22 2009-08-05 Deposition systems, ald systems, cvd systems, deposition methods, als methods and cvd methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110046551A true KR20110046551A (ko) 2011-05-04
KR101320256B1 KR101320256B1 (ko) 2013-10-23

Family

ID=42037933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117006592A KR101320256B1 (ko) 2008-09-22 2009-08-05 증착 시스템, ａｌｄ 시스템, ｃｖｄ 시스템, 증착 방법, ａｌｄ 방법 및 ｃｖｄ 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100075037A1 (ko)
KR (1) KR101320256B1 (ko)
CN (1) CN102160148B (ko)
SG (1) SG194365A1 (ko)
TW (1) TWI513847B (ko)
WO (1) WO2010033318A2 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101385593B1 (ko) * 2012-08-02 2014-04-16 주식회사 에스에프에이 원자층 증착장치 및 그 증착방법
US8986794B2 (en) 2011-11-01 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
KR20150079969A (ko) * 2012-11-06 2015-07-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들
KR20180023298A (ko) * 2016-08-25 2018-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법

Families Citing this family (296)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
KR20110004081A (ko) * 2009-07-07 2011-01-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101010196B1 (ko) * 2010-01-27 2011-01-21 에스엔유 프리시젼 주식회사 진공 증착 장비
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
CN102851733B (zh) * 2012-09-04 2016-08-17 苏州晶湛半导体有限公司 氮化镓基材料及器件的制备系统和制备方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11043386B2 (en) 2012-10-26 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Enhanced spatial ALD of metals through controlled precursor mixing
US9230815B2 (en) 2012-10-26 2016-01-05 Appled Materials, Inc. Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten
US20140196664A1 (en) * 2013-01-17 2014-07-17 Air Products And Chemicals, Inc. System and method for tungsten hexafluoride recovery and reuse
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
TWI732846B (zh) * 2016-04-25 2021-07-11 美商應用材料股份有限公司 透過控制前驅物混合來強化金屬的空間ald
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
US10619242B2 (en) 2016-12-02 2020-04-14 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of rhenium containing thin films
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6876479B2 (ja) * 2017-03-23 2021-05-26 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
TWI746592B (zh) * 2017-07-06 2021-11-21 真環科技有限公司 具有回收模組之原子層鍍膜系統與方法
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102627584B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 주기적 증착 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20210154739A (ko) 2020-06-11 2021-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 디칼코지나이드 박막의 원자층 증착 및 식각
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6099649A (en) * 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP4162366B2 (ja) * 2000-03-31 2008-10-08 田中貴金属工業株式会社 Ｃｖｄ薄膜形成プロセス及びｃｖｄ薄膜製造装置
US6998097B1 (en) * 2000-06-07 2006-02-14 Tegal Corporation High pressure chemical vapor trapping system
US6576538B2 (en) * 2001-08-30 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition
US6461436B1 (en) * 2001-10-15 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance
JP3527915B2 (ja) * 2002-03-27 2004-05-17 株式会社ルネサステクノロジ Ｃｖｄ装置およびそれを用いたｃｖｄ装置のクリーニング方法
WO2004094694A2 (en) * 2003-04-23 2004-11-04 Genus, Inc. Collection of unused precursors in ald
KR20070048177A (ko) * 2004-06-28 2007-05-08 캠브리지 나노테크 인크. 증착 시스템 및 방법
US8679287B2 (en) * 2005-05-23 2014-03-25 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps
US20080206445A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 John Peck Selective separation processes
US8137464B2 (en) * 2006-03-26 2012-03-20 Lotus Applied Technology, Llc Atomic layer deposition system for coating flexible substrates

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986794B2 (en) 2011-11-01 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US10125423B2 (en) 2011-11-01 2018-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
KR101385593B1 (ko) * 2012-08-02 2014-04-16 주식회사 에스에프에이 원자층 증착장치 및 그 증착방법
KR20150079969A (ko) * 2012-11-06 2015-07-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들
KR20180023298A (ko) * 2016-08-25 2018-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN102160148A (zh) 2011-08-17
SG194365A1 (en) 2013-11-29
TWI513847B (zh) 2015-12-21
US20100075037A1 (en) 2010-03-25
TW201016879A (en) 2010-05-01
WO2010033318A2 (en) 2010-03-25
KR101320256B1 (ko) 2013-10-23
CN102160148B (zh) 2015-12-16
WO2010033318A3 (en) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101320256B1 (ko) 증착 시스템, ａｌｄ 시스템, ｃｖｄ 시스템, 증착 방법, ａｌｄ 방법 및 ｃｖｄ 방법
US8349283B2 (en) Metal recovery method, metal recovery apparatus, gas exhaust system and film forming device using same
JP5482282B2 (ja) 載置台構造及び成膜装置
WO2010101191A1 (ja) 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法
CN112840063A (zh) 用于沉积钨薄膜或钼薄膜的方法
JP2001527158A (ja) Ｃｖｄ装置用ガストラップ
TWI567220B (zh) Capture device and film forming device
WO2014159888A1 (en) Methods of etching films comprising transition metals
JP2002004054A (ja) 基板上に薄膜を成長させる方法
KR20140138186A (ko) 트랩 기구, 배기계 및 성막 장치
TWI525211B (zh) A dry cleaning method for a substrate processing apparatus
JP2007270355A (ja) 金属カルボニル先駆体を利用した堆積プロセスの初期化方法及びシステム
KR101014240B1 (ko) 루테늄 층 증착 장치 및 방법
KR101434815B1 (ko) 반도체 처리 시스템 및 반도체 처리 유닛의 배기 가스로부터의 부산물 제거 방법
JP5409652B2 (ja) 窒化タンタル膜の形成方法
US20050016453A1 (en) Collection of unused precursors in ALD
WO2006046386A1 (ja) 成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、プログラムおよび記録媒体
EP1561842A2 (en) Apparatus and method for atomic layer deposition
EP3663433A1 (en) Method and system for depositing a p-type oxide layer on a substrate
TWI310967B (en) Method and deposition system for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors
JP2010084156A (ja) 処理ガス供給系及び成膜装置
JP2003100661A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160921

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170920

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 6