KR20110030391A - 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법 - Google Patents

전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 커넥터와 접촉 영역의 접촉을 위한 전자 부품의 기판의 적어도 하나의 국부적인 접촉 영역의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 기판의 접촉 측에 알루미늄층 또는 알루미늄을 포함하는 소결된 다공성 층이 제공된다. 기계적으로 지지 가능한, 결함 없는 전기 납땜 가능한 접촉 영역을 제공하기 위해, 형성될 접촉 영역에 있는 다공성 층은 압축되고 및/또는 제거된다.

Description

전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법{Process for producing a contact area of an electronic component}
본 발명은 커넥터와 접촉 영역의 접촉을 위한 전자 부품의 기판의 적어도 하나의 국부적인 접촉 영역의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 기판의 접촉 측에는 알루미늄으로 이루어지거나 또는 알루미늄을 포함하는 소결된 다공성 층이 제공된다.
반도체 제조 시, 특히 태양 전지 제조 시 제조 비용으로 인해 전지의 전방면 또는 후면에 소결된 금속 접촉점이 사용된다.
일반적으로 실리콘-태양 전지의 후면에 넓은 면의 알루미늄층이 배치되고, 상기 알루미늄층은 태양 전지의 제조 시 열처리에 의해 소결 공정에 노출되고, 이로 인해 동시에 소위 후면 전계(back-surface-field;BSF)에 의해 태양 전지 후면의 패시베이션이 이루어진다.
소결 시 제 1 층이라고 하는 실리콘 기판과 직접 접촉하는 알루미늄층은 실리콘 기판과 알루미늄층 사이의 경계면에서 용융되고, 인접하는 제 1 층과 함께 합금된다. 냉각 시 Al로 고-도핑된 실리콘층은 웨이퍼, 즉 기판의 후면에서 에피텍셜 방식으로 응고된다. 이와 동시에 실리콘으로 농축된(enriched) Al-층이 Al-층 상에 응고되고, 냉각 과정 후에 알루미늄으로 고-도핑된 층과 실리콘으로 농축된 층 사이에 Al-Si-공융물이 응고된다. 태양 전지 후면의 패시베이션은 알루미늄으로 고-도핑된 에피텍셜 성장된 실리콘층이 담당한다. 고도의 Al-도핑에 의해 층의 반도체 재료 내에, 마이너스 전하를 띠고 위치 고정된 과잉의 Al-억셉터가 형성되고, 상기 억셉터들에 의해 소수 캐리어를 밀어내는 전계, 소위 후면 전계가 형성된다.
태양 전지 또는 기판의 전체 후면에 걸쳐 알루미늄층이 연장되는 경우에, 납땜 기술적 문제가 발생하는데, 그 이유는 예컨대 주석 도금된 또는 주석 도금되지 않은 금속 커넥터, 특히 구리 커넥터를 알루미늄 후면에 직접 납땜할 수 없기 때문이다. 그럼에도 불구하고 필요한 전기 접촉을 실시하기 위해, 일반적으로 은 접촉 도체 트랙 또는 납땜점은 스크린 프린팅, 패드 프린팅 또는 다른 적절한 프린팅 방법에 의해 기판 표면에 직접 제공되고, 상기 표면에 주석 도금된 구리 밴드가 납땜된다. 따라서, 납땜 접촉 영역에서 알루미늄층에 리세스가 제공되므로, 상기 영역에 후면 전계가 형성될 수 없고, 따라서 태양 전지 후면은 완전히 전기적으로 패시베이션되지 않고, 이로 인해 부분적으로 더 적은 광 전류가 발생한다.
원료로서 은은 고가의 재료이기 때문에, 제조 비용을 낮추기 위해서는 사용을 포기해야 한다. 따라서 Ag-접촉을 완전히 배제하는 것이 바람직하다.
알루미늄층에 접촉 밴드를 직접 납땜하는 것은 여러가지 이유로 어렵다. 한가지 이유는 Al-입자가 산화된 표면에 존재하기 때문이다. 다른 이유는, 소결 공정으로 인해 알루미늄 상부면이 충분히 연관되어 형성되지 않기 때문이다. 즉, Si 도핑된 합금층에 대한 소결 공정 동안 개별적으로 함께 소결된 볼 형 Al-입자들 형태의 Al-층(소결층)이 형성되고, 상기 층에서 빈틈없는 알루미늄 조성물이 아닌, 비교적 느슨하게 소결된 조성물이 제공되고, 상기 조성물은 알루미늄페이스트의 조성에 따라 또는 소결 시 프로세스 파라미터에 따라 다소 다공성을 갖는다.
그럼에도 불구하고 상기 소결-알루미늄층에서 납땜이 달성되어도, 다공성으로 인해 그리고 이로 인한 층의 불안정성으로 인해 매우 약한 지지력만 제공될 수 있다. 이러한 약한 지지력은 약 2.8 N의 이탈력으로 나타나고, 소결층은 서로 떨어져 나가므로, 분리 위치의 2개의 측면에서 입자의 볼 구조가 나타난다. 알루미늄층 상의 땜납 연결이 작동 조건에서 모듈에 작용하는 인장력에 노출되면 동일한 현상이 발생한다. 납땜점의 지지력을 약화시키고 접촉 저항을 더 높일 수 있는 작은 균열이 나타날 수 있거나, 또는 연결부 전체가 떨어지고, 기계적 및 전기적 접촉점이 완전히 파괴된다.
DE-A-10 2007 012 277 호에는 태양 전지의 제조 방법이 공지되어 있다. 방법 단계에서 알루미늄이 반도체 기판의 후면에 넓은 면으로 제공되고, 상기 반도체 기판 내로 삽입되어 합금된다. 실리콘 내로 삽입되어 합금되지 않은 알루미늄은 에칭 단계에서 적어도 부분적으로 제거된다. 이는, 공정 기술적으로 복잡한 단계를 필요로 하고, 상기 단계는 태양 전지의 제조를 위한 생산 라인 부문에서 부정적으로 작용한다.
EP-A-1 739 690호는 후면 전계의 형성 후에 전술한 바와 같이 형성되어 소결된 알루미늄층이 화학적으로 제거된 태양 전지에 관한 것이다.
태양 전지에 도전 접촉점을 형성하기 위해, US-A-2003/0108644호에 따라 전구체-혼합물이 제공된다. 이것은 알루미늄을 포함할 수 있다. 상기 재료를 소결하기 위해, 펄스식 레이저 빔이 사용될 수 있다.
반도체 기판에 전기 접촉점을 배치하기 위해, DE-B-10 2006 040 352 호에는 반도체 기판에 제공된 금속 분말을 레이저 빔으로 소결하는 것이 제안된다. 소결되지 않은 재료는 그리고 나서 제거된다.
EP-A-2 003 699 호에 따른 금속 반도체 접촉점을 형성하기 위해, 태양 전지 상에 배치된 알루미늄 소결층 내로 납땜 가능한 재료가 소결된다.
본 발명의 목적은, 기계적으로 지지 가능한 전기적으로 완벽하게 연결 가능한, 즉 납땜 가능한 접촉 영역이 제공되도록 전술한 방법을 개선하는 것이다. 또한, 선행기술과 달리, 공정 기술도 간단해야 한다.
본 발명에 따라 상기 목적은, 접촉 영역에서 소결된 다공성 층이 집중적인 전자기 빔, 바람직하게는 레이저 빔에 의해 무접촉으로 압축되고 및/또는 제거됨으로써 달성된다.
특히, 상기 영역에는 집중적인 전자기 빔, 바람직하게 레이저 빔이 제공된다.
본 발명에 따른 사상에 의해, 놀랍게도 집중적인 전자기 빔, 바람직하게는 레이저 빔이 제공됨으로써 그리고 이로 인해, 소결된 다공성 층의 재료가 부분적으로 압축 또는 제거됨으로써 접촉 영역이 형성될 수 있고, 상기 접촉 영역은 공지된 연결 기술, 예컨대 초음파 납땜을 이용한 기계적으로 안정적인 결선을 가능하게 하는 것이 밝혀졌다. 소결된 다공성 알루미늄층에 의해, 상기 층은 우수한 기계적 접착력을 갖는 스크래치 방지 알루미늄 표면이 제공되도록 압축될 수 있다는 장점이 제공된다. 따라서 예를 들어 마스킹 기술에서 기판에 직접 알루미늄이 아닌 다른 재료로 이루어진 납땜 접촉점을 형성할 필요가 없으므로, 부품으로서 태양 전지의 경우, 접촉점의 영역에서 후면 전계가 차단되는 단점이 방지된다.
압축에 의해 동일한 재료의 다공성 층보다 기계적으로 더 안정된 영역이 제공된다.
특히, 소결된 다공성 층에 200 nm ≤λ≤ 11000 nm인 파장 λ를 가진 집중적 전자기 방사선이 작용한다.
바람직하게, 다공성 층의 영역들의 무접촉식 압축 또는 제거를 위해 레이저가 사용되고, 상기 레이저는 λ≥ 800 nm, 바람직하게는 λ≥ 1000 nm, 특히 λ= 1064 nm인, 특히 근적외선 범위의 파장 λ를 갖는 IR-방사선을 방사한다. 바람직하게 Nd:YVO4-레이저 또는 Nd:YAG-레이저와 같은 고체 레이저도 사용된다. λ= 1064 nm인 파장 λ를 가진 레이저 방사선을 방사하는 고체 레이저가 특히 바람직하다.
접촉 영역(들)의 형성 시 레이저는 펄스 모드 또는 큐스위치(Q-switched) 모드로 작동해야 한다. 규정된 범위에 걸쳐 에너지를 포커싱하고 핫 스팟(hot spot)를 방지하기 위해, 후면 전극층의 구조화시 레이저 빔은 버섯 모양 빔 프로파일을 갖는다.
빔 프로파일에 영향을 주기 위해, 대안으로서 또는 보완적으로 레이저와 기판 사이에 굴절 또는 회절 렌즈 또는 조리개와 같은 빔 변환 장치가 배치된다.
특히 다공성 층의 광 흡수가 적어도 0.5%, 특히 적어도 10%인 파장의 레이저 방사선이 사용되어야 한다.
소결된 다공성 층의 가열을 위해 소결된 다공성 층에서, 접촉 영역을 형성하는 레이저 방사선이 작용하는 영역에서 층 재료가 증발할 정도로 흡수되는 파장이 사용되어야 한다.
레이저 방사선 대신에 열 에너지는 렌즈 또는 미러를 통해 포커스된, 임의의 파장의 광 같은 임의의 무접촉 방사 에너지로 사용될 수 있다.
압축의 개념을 보충하여 설명하면, 밀도를 적어도 10% 그리고 최대 100% 높이기 위해 층 재료 또는 성분을 처리하는 것을 의미한다. 밀도의 100% 증가는 에너지 도입 및 다공성을 갖지 않는, 즉 100% 밀도를 갖는, 예를 들어 결정질 층의 형성에 의해 층 또는 상기 층 영역이 완전히 용융되는 것을 의미한다.
제거란, 소결된 다공성 층의 처리를 의미하고, 이러한 제거에 의해 상기 층은 부분적으로 또는 완전히 제거된다. 국부적인 제거는 기본적으로, 소결된 다공성 층의 원래 층 두께의 적어도 10%가 제거되는 것을 포함해야 한다. 완전한 제거란, 처리 후에 기판 상에, 즉 접촉이 이루어져야 하는 영역에 원래 층의 다공성 부분 영역이 남아있지 않은 것을 의미한다. 태양 전지의 경우, 이것은 소결 시 형성된 Al-Si-공융물까지 다공성 층의 제거가 이루어지는 것을 의미할 수 있다.
본 발명에 따른 사상은, 납땜된 또는 납땜 가능한 층이 제공될 수 있는 적절한 표면이 제공되도록 층을 처리하는 것을 목적으로 한다. 이 경우 상기 층은 예를 들어 주석층일 수 있다.
납땜은 재료 결합식 연결을 가능하게 하는 다른 연결 방식, 예컨대 용접 또는 접착으로 대체될 수 있다.
압축 또는 완전한 또는 국부적인 재용융은 완전한 또는 국부적인 상 변태를 포함하므로, 상이한 합금 또는 합금 농도가 나타난다.
특히, 본 발명에 따른 방법에서, 태양 전지는 전자 부품으로서 사용되고, 상기 전자 부품은 기판으로서 반도체 재료로 이루어진 제 1 층, 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 소결된 다공성 층으로서 상기 제 1 층에 연장된 제 2 층, 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 연장되고 제 1 및 제 2 층의 재료들로 형성된 적어도 2개의 중간층, 및 제 1 층과의 도전 접속을 형성하고 제 2 층에서 시작되거나 또는 상기 제 2 층을 관통하고 무접촉 압축 및/또는 제 2 층의 재료 제거에 의해 형성된 도전 접촉 영역을 포함하고, 이 경우 제 2 층을 향한 제 1 중간층은 제 1 층과 제 2 층의 재료로 이루어진 공융 혼합물을 포함할 수 있고, 접촉 영역에서 다공성 층의 재료의 압축 및/또는 제거 후에 상기 접촉 영역은 특히 초음파 납땜과 같은 납땜에 의해 커넥터에 도전 접속된다.
본 발명의 세부사항, 장점들 및 특징들은 제시된 상기 특징들을 개별적으로 및/또는 조합하여 포함하는 청구범위에 제시될 뿐만 아니라, 도면에 제시된 바람직한 실시예의 하기 설명에도 제시된다.
본 발명에 따라, 선행기술에 비해 공정 기술적으로 간단하고, 기계적으로 지지 가능하며 전기적으로 완벽하게 연결 가능한, 즉 납땜 가능한 접촉 영역이 제공된다.
도 1은 반도체 소자의 기본도.
도 2는 제 1 실시예에 따른 처리 후 반도체 소자의 기본도.
도 3은 제 2 실시예에 따른 처리 후 반도체 소자의 기본도.
도 4는 제 3 실시예에 따른 처리 후 반도체 소자의 기본도.
도 5는 제 4 실시예에 따른 처리 후 반도체 소자의 기본도.
도 6은 제 5 실시예에 따른 처리 후 반도체 소자의 기본도.
도면에 반도체 소자의 일부가 기본적으로 도시되고, 상기 반도체 소자는 하기에서 편의상 태양 전지라고 한다. 실리콘 기판(10), 즉 반도체 재료 층 - 하기에서 반도체 층이라고도 함 - 이 도시되고, 상기 기판의 또는 상기 반도체 재료 층의 전방면에 일반적으로 pn-접합과 프런트 접촉점의 형성을 위한 반도체 층들 및 경우에 따라서 패시베이션 층이 제공될 수 있다. 이와 관련해서는 예컨대 태양 전지와 같은 반도체 소자들의 충분히 공지된 구성 또는 구조가 참조되고, 따라서 상세한 설명은 필요 없다.
제 1 층이라고 하는 반도체 층(10)에 예컨대 스크린 프린팅, 패드 프린팅, 열 분무 도장에 의해 알루미늄층 또는 알루미늄을 포함하는 층이 제공된다. 상기 층은 하기에서 알루미늄층 또는 단지 층이라고 한다. 이 층은 태양 전지 제조 시 소결되므로, 외부 알루미늄 소결층(12)은 제 2 층으로서 형성된다. 알루미늄 소결 층(12)과 실리콘 기판(10) 사이에, 제조 시 후면 전계를 형성하는 알루미늄 도핑된 실리콘층(14) 및 실리콘 도핑된, Al-Si-공융물(18)을 포함하는 알루미늄층(16)이 형성된다. 이와 관련해서는 충분히 공지된 선행기술이 참조된다. 실리콘 도핑된 알루미늄층(16)은 제 1 중간층이라고 하고, 알루미늄 도핑된 실리콘층은 제 2 중간층(14)이라고 한다.
외부 또는 제 2 알루미늄층(12)은 소결 공정으로 인해 다공성이고 따라서 다수의 공동부를 갖는다.
공융물(18)을 포함하여 층들(10, 12) 및 중간층들(14, 16)은 기본적으로 도시되고, 실제 크기를 반영하지 않는다.
제 2 층인 알루미늄 소결 층(12)에 접촉을 위한 구리 커넥터 같은 커넥터를 납땜하기 위해, 소결층(12)에 접촉 영역(20)이 형성되고, 상기 접촉 영역은 본 발명에 따라 특히 무접촉 압축 또는 집중된 전자기 방사선을 이용한 알루미늄 재료의 제거에 의해 이루어지고, 상기 알루미늄 재료는 접촉 영역(12)이 형성됨으로써 층(12) 영역에 배치된다.
무접촉 압축 또는 제거를 위해 Nd:YVO4-레이저와 같은 고체 레이저가 사용될 수 있고, 따라서 상기 레이저는 임자 결정으로서 이트륨-바나데이트(yttrium vanadate)를 포함한다. 임자 결정은 이트륨-알루미늄-가닛(YAG)일 수도 있으므로, Nd:YAG-고체 레이저가 사용된다. 도핑을 위해 바람직하게 네오디뮴이 사용되므로, 1064 nm의 파장을 가진 고체 레이저가 이용 가능하다. 경우에 따라서 이테르븀과 같은 에르븀, 또는 다른 원소도 레이저의 도핑을 위해 사용될 수 있다. 네오디뮴 도핑된 이트륨-바나데이트-레이저(Nd:YVO4-레이저) 또는 네오디뮴 도핑된 YAG(Nd:YAG-레이저)가 특히 바람직하다.
레이저 방사선의 소정 프로파일을 얻기 위해, 빔 경로에 조리개의 빔 확장을 위한 광학 장치 또는 굴절 또는 회절 렌즈와 같은 광학 빔 변형 장치가 배치된다.
이와 관련한 조치에 의해 의도대로 다공성 알루미늄층(12)에 접촉 영역(20)이 형성될 수 있고, 상기 알루미늄층은 예컨대 초음파 납땜과 같은 공지된 연결 기술에 의한 기계적으로 안정한 결선을 가능하게 한다. 특히 알루미늄층으로부터 접촉 영역이 제공될 정도로 집중된 전자기 방사선이 작용하고, 상기 접촉 영역은 고압축되거나, 부분적으로 압축되거나 또는 이전의 다공성 층의 밀도에 대한 밀도 구배를 가지며(도 1, 도 4 및 도 5), 경우에 따라서 기계적으로 양호한 접착성을 갖게 하는 스크래치 방지 알루미늄 표면을 갖는다.
그러나, 형성될 접촉 영역에서 경우에 따라서 층들(16, 18)을 포함하는 또는 층(16;도 2 및 도 3)만 포함하는 제 2 층(12)의 재료는 완전히 증발되고 따라서 외부 층(12)에 인접하는 중간 층(16) 바로 아래에서 직접 접촉이 이루어지는 경우도, 본 발명에 포함된다.
본 발명에 따른 사상에 의해 주어진 다양한 가능성들은 기본적으로 도 2 내지 도 6에 제시된다. 본 발명에 따른 방법은 태양 전지를 참고로 다시 설명되므로 동일한 부재들에 동일한 도면부호가 사용된다.
도 2 및 도 3은 접촉 영역(20)을 규정하기 위해 알루미늄 소결층(12;도 2) 또는 상기 층과 함께 인접한 실리콘 도핑된 알루미늄층(16)이 제거될 수 있음을 도시한다(도 3).
도 4 및 도 5는 접촉을 실행하기 위한 소정의 기계적 안정성을 가진 접촉 영역(20)을 형성하기 위해, 소정의 범위에서 알루미늄층(12)의 압축이 이루어질 수 있는 것을 기본적으로 도시한다. 도 4의 실시예에 따라, 상이한 밀도의 영역(22, 24)에서 소결층(12)이 압축된다. 도 5의 실시예에 따라, 접촉 영역(20)에 있는 소결층(12)은 외부에서 내부로 점점 더 많이 압축된다. 밀도 구배가 주어진다.
층 - 실시예에서 알루미늄 소결 층(12) - 의 영역을 제거하고 나머지 부분을 압축하는 방법도 있다. 해당 영역은 도 6에 도면부호 26(제거된 영역) 및 28(압축된 영역)으로 도시된다.
실시예에서 또는 층(12) 내에 또는 하부에 유일한 접촉 영역(20)이 도시되지만, 물론 필요한 연결 범위 내에서 본 발명의 사상에 따른 접촉 영역의 적절한 개수가 형성될 수 있다.
상기 내용과 무관하게, 본 발명에 따른 방법이 반드시 태양 전지와 같은 반도체 소자의 후면에만 적용되는 것은 아니다. 오히려 전방면에도 동일하게 적용된다.
또한, 본 발명에 따른 압축 및/또는 제거 또는 제거 및/또는 압축은 특히 전지 커넥터 같은 커넥터와의 연결 이루어져야 하는 영역에서만 실시된다. 또한, 먼저 형성된 소결된 다공성 알루미늄층은 바람직하게 태양 전지의 전체 후면을 따라 연장된다.
또한, 본 발명에 따른 방법의 적용 후에 보완적으로, 납땜 공정 또는 연결 공정이 실시되기 전에 하나 또는 다수의 층이 처리된 영역에 제공될 수 있다.
압축된 층의 형태(morphology)는, 일반적으로 고려된 알루미늄층의 부분 영역이 처리되지 않은 부분 영역에 비해 높은 밀도 또는 밀도 구배를 갖는 경우에, 어느 정도 본 발명이 적용되었음을 입증한다.
또한, 다공성 층의 생략은, 예를 들어 처리되지 않은 부분 영역과 달리 고려된 알루미늄층의 부분 영역이 완전히 생략되거나 또는 부분적으로 생략된 경우에, 어느 정도 본 발명이 적용되었음을 입증한다.
10 실리콘 기판
12 알루미늄층
14 실리콘층
18 Al-Si-공융물
22 고체 레이저

Claims (17)

  1. 커넥터와 접촉 영역의 접촉을 위한 전자 부품의 기판의 적어도 하나의 국부적인 접촉 영역의 제조 방법으로서, 상기 기판의 접촉 측에 알루미늄층 또는 알루미늄을 포함하는 소결된 다공성 층이 제공되는 방법에 있어서,
    상기 소결된 다공성 층은 형성될 접촉 영역에서 집중된 전자기 빔에 의해 압축 및/또는 제거되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 소결된 다공성 층에 200 nm ≤λ≤ 11000 nm의 파장 λ를 가진 집중된 전자기 방사선이 작용하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 형성될 접촉 영역 내의 다공성 층에 특히 적외선 영역에서 λ≥ 800 nm, 바람직하게는 λ≥ 1000 nm, 특히 근적외선 범위의 파장 λ를 가진 레이저 방사선이 작용하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 집중된 전자기 방사선을 발생시키기 위해 λ= 1064 nm의 파장을 갖는, 네오디뮴 도핑된 고체 레이저(22) 또는 이트륨-알루미늄-가닛- 또는 이트륨-바나데이트-고체 레이저(22), 특히 네오디뮴 도핑된 이트륨-알루미늄-가닛-레이저(22) 또는 네오디뮴 도핑된 이트륨-바나데이트-레이저가 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 레이저(22)는 소결된 다공성 층(12)의 광학 흡수가 적어도 0.5%, 바람직하게는 10% 내지 100%인 파장의 레이저 방사선(24)을 방사하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  6. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 다공성 재료가 레이저 방사선의 작용 범위에서 접촉 영역(20)을 형성하기 위해 증발되도록 다공성 층(12)을 가열하기 위해 상기 다공성 층에 의해 흡수된 파장을 갖는 레이저 방사선(36)을 방사하는 레이저(38)가 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 접촉 영역(20)의 형성을 위해 레이저가 펄스 모드 또는 큐스위치 모드로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  8. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 접촉 영역(20)의 형성을 위해 레이저 빔의 "버섯" 모양 빔 프로파일이 얻어져야 하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  9. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 레이저 빔(24)에 영향을 주기 위해, 레이저(22)와 층(14) 사이에 굴절 또는 회절 렌즈 또는 조리개와 같은 빔 변형 장치가 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 레이저(22)는 광-음향 스위치에 의해 펄스식으로 작동되는 것을 특징으로 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 부품으로서 태양 전지가 사용되고, 상기 전기 부품은 기판으로서 반도체 재료로 이루어진 제 1 층(10), 알루미늄으로 이루어진 또는 알루미늄을 포함하는 소결된 다공성 층으로서 상기 제 1 층 상에 연장된 제 2 층(12), 상기 제 1 층과 제 2 층 사이에 연장되고 상기 제 1 층 및 제 2 층의 재료들로 형성된 적어도 2개의 중간 층들(14, 16) 및 제 1 층의 도전 접속부를 형성하는 접촉 영역(20)을 포함하고, 이 경우 상기 제 2 층(12)을 향한 상기 제 1 중간층(16)은 제 1 및 제 2 층의 재료들로 이루어진 공융 혼합물을 포함할 수 있고, 형성될 접촉 영역에서 상기 소결된 다공성 층의 재료의 압축 및/또는 제거 후에 상기 접촉 영역은 특히 초음파 납땜과 같은 납땜에 의해 커넥터에 도전 접속되는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 소결된 다공성 층은 부분적으로 제거되고 부분적으로 압축되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 소결된 다공성 층은 상이한 밀도의 영역들이 제공되도록 적어도 하나의 영역에서 압축되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 소결된 다공성 층은 밀도 구배가 주어지도록 압축되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 소결된 다공성 층은, 상이한 밀도의 적어도 2개의 층들이 제공되도록 적어도 하나의 영역에서 압축되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 소결된 다공성 층은 형성될 접촉 영역에서 먼저 외부측이 제거된 후에 나머지 영역이 압축되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 다공성 층의 압축 및/또는 제거 후에 해당 영역에 하나 또는 다수의 층들이 제공되고, 상기 층(들)과 접촉이 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 접촉 영역의 제조 방법.
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