KR20110018849A - 금속화용 중합체 함유 기판 제조 - Google Patents

금속화용 중합체 함유 기판 제조 Download PDF

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KR20110018849A
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크리스탈 피. 엘. 리
데니스 케이. 더블유 예
마이클 시와이 탕
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롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨.
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Abstract

저발포성 조성물을 사용하여 기판의 중합체를 팽윤 및 토포그라피적으로 변경하는 방법이 제공된다. 안정하고 균일하며 저발포성인 용매 팽윤제를 중합체를 함유하는 기판에 도포하여 중합체를 팽윤 및 연화시킨 다음에, 산화제를 도포하여 기판 금속화를 위한 준비로 중합체를 토포그라피적으로 변경 및 탈스미어한다.

Description

금속화용 중합체 함유 기판 제조{PREPARING SUBSTRATES CONTAINING POLYMERS FOR METALLIZATION}
본 발명은 금속화용 중합체 함유 기판의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 안정하고 균일하며 저발포성(foaming)인 용매 팽윤제(solvent swells)를 이용하여 금속화용 중합체 함유 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
인쇄 회로 보드를 제조하는데 금속막과 함께 라미네이트된 중합체로 구성된 기판이 이용될 수 있다. 전형적으로는, 중합체를 불활성 충전재와 혼합하여 복합체를 형성한다. 2 이상의 이러한 라미네이트 기판을 함께 연결하여 다층 인쇄 회로 보드를 형성할 수 있다. 다층 인쇄 회로 보드의 각 라미네이트 간 전기 소통은 각 보드에서 비어(via)로서 종종 언급되는 다수의 금속화 관통홀(through-hole)을 관통하는 전기 접속체로 이루어진다. 이러한 라미네이트에서 관통홀 형성 공정으로 관통홀의 내층 구리 및 내벽 또는 배럴 상에 중합체의 스미어링이 일어난다. 중합체 또는 수지 스미어(resin smear)는 주로 관통홀 형성 공정동안 중합체를 분해시키는 것 이상의 온도 발생 또는 이용에 기인할 수 있다. 이 경우, 벽에 적절한 금속화가 이루어지면, 수지 스미어는 관통홀 벽 및 내층 구리로부터 제거되어야 하며, 이는 종종 탈스미어(desmear)로 칭해진다. 스미어 제거 외에, 침착된 금속에 접착이 좀 더 수월하도록 관통홀의 토포그라피(topography)가 변경, 즉 미세조면화(micro-roughened) 또는 조직화(textured)되어야 한다. 보드 작업에 필요한 전기 및 기계적 완전성은 관통홀이 금속 침착물을 수용하기에 적절히 제조되었다는 것이 확인되었을 때 비로소 이루어질 수 있다.
토포그라피를 변경하고, 수지 스미어를 제거하기 위한 다수의 방법이 공지되었다. 예를 들어, 중합체 성분을 휘발시켜 제거하는데 플라즈마가 널리 사용되고 있다. 다른 방법은 관통홀을 통해 마모 입자의 건조 또는 습윤 스트림을 채널링(channeling)하는 것을 포함한다. 유사 방법이 관통홀을 통해 마모 물질의 농후 슬러리를 행사하는데 수압(hydraulic pressure)을 이용한다. 이러한 기계적 방법은 느리고, 제어가 용이치 않으며, 주어진 인쇄 회로에서 관통홀내 수지 스미어의 실질적인 제거를 이루는 것이 어렵다.
토포그라피를 변경하고, 관통홀로부터 중합체 또는 수지 스미어를 제거하기 위해 전형적으로는 화학 방법이 이용된다. 대부분의 일반적인 화학 방법은 퍼망가네이트, 예컨대 과망간산칼륨 또는 과망간산나트륨을 함유하는 산화제 용액으로 관통홀을 처리하는 공정을 포함한다. 퍼망가네이트 처리는 연속적으로 사용되는 세가지 상이한 처리 용액을 포함할 수 있다. 이들은 (1) 용매 팽윤 용액, (2) 퍼망가네이트 수지 제거 또는 탈스미어 용액 및 (3) 중화 용액이다. 인쇄 회로 보드 제조에 사용되는 다수의 관통홀을 함유하는 기판은 이들 각 세 처리 용액에 사용되는 수세척조에 침지되거나, 아니면 각 용액에 노출된다.
U.S. 5,132,038호에 인쇄 회로 보드 제조시 금속화를 위한 준비 공정에서 관통홀로부터 수지 스미어를 제거하기 위한 화학 방법이 기재되어 있다. 이 공정에 사용되는 용매 팽윤은 수불혼화성 유기 액체, 예컨대 에틸렌 및 프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 알칼리 금속 화합물, 예컨대 수산화나트륨, 및 음이온성 계면활성제, 예컨대 디설폰화 알킬 디페닐 옥사이드를 포함한다. 그밖의 다른 계면활성제로는 글루코사이드, 알킬 나프탈렌 소듐 설포네이트, 테트라소듐 N-알킬설포숙시네이트, 유기 포스페이트 에스테르, 벤젠 설폰산 소듐 염, 소듐 N-헥실 디페닐옥사이드 디설포네이트 및 유사 종류의 계면활성제가 포함된다. 용매 팽윤은 관통홀내 중합체 물질을 연화시키거나, 팽윤시켜 후속 퍼망가네이트의 처리 효과를 높인다. 퍼망가네이트 처리 효과란 중합체에 대한 그의 토포그라피 변경 또는 미세조면화능을 가리키며, 또한 관통홀 벽 상에 중합체의 제거 또는 탈스미어, 또는 에치-백능(etch-back capability)을 가리킬 수 있다. 퍼망가네이트 처리에 이어 중화가 행해지며, 그 다음에 기타 통상적인 금속화 제조 단계가 수행된다.
U.S. 5,132,038호에 기재된 제제를 비롯하여 현재 입수가능한 대다수 용매 팽윤 제제의 단점은 이들이 고 발포성이라는 것이다. 고 발포성 제제는 사용중에 중요 제제 성분이 소실되고, 대량 생산시 작업 곤란성으로 이어지기 때문에, 바람직하지 않다. 이와 같은 중요 성분의 소실로 용매 팽윤의 성능이 저하되어 결국에는 제품에 결함이 생긴다. 다시 말해서, 용매 팽윤이 관통홀내 중합체를 적절히 연화 또는 팽윤시키지 못해 미세조면화 및 탈스미어가 관통홀의 금속화에 불충분해 진다. 또한, 작업 배쓰 구성, 공기 교반이 종종 적용되는 세정 또는 수평 조작시 스프레이동안 발생된 기포는 인접 화학 배쓰의 오염을 불러올 수 있다. 이에 따라 관통홀에 침착된 금속의 접착 불량이 일어나거나, 또는 금속이 전혀 침착되지 못해 결국에는 인쇄 회로 보드가 불량으로 된다. 이렇게 결함이 있는 제품은 제조 비용을 증가시킬 뿐만 아니라 소비자에게 인쇄 회로 보드 제품에 드는 비용을 부과시키게 된다.
용매 팽윤 성분이 교체될 수 있지만, 기포로 인한 성분의 반복적이면서 연속적인 교체가 추가 비용을 발생시킬 뿐만 아니라 제조 공정을 비효율적으로 만든다. 용매 팽윤시 고갈된 성분의 양을 결정하고 목적하는 성능을 이루기 위해 정확하게 교체하는 것이 본 과제이다. 기포로 인해 손실된 소정 성분의 양을 정확히 결정하고 동시에 성분을 정확히 교체하는 것은 난제이다.
기포는 용매 팽윤 제제의 하나 이상의 성분에 의해 일어날 수 있다. 이는 미세조면화 또는 탈스미어되는 성분에 기인할 수 있다. 기포는 또한 전형적으로 용매 팽윤시 포함되는 하나 이상의 계면활성제 또는 제제에 포함되는 다른 성분에 의할 수 있다. 저발포성 화합물이 있기는 하지만, 저발포성 외에, 용매 팽윤에 가해지는 화합물은 서로 양립적이어야 하고, 안정하고, 균일하면서 신뢰성있는 제제를 제공하여야 한다. 다시 말해서, 공지된 저발포성 계면활성제는 불안정하고, 비균일 용매 팽윤이 일어나거나, 다른 성분의 성능, 특히 미세조면화 및 탈스미어성이 저하되면 용매 팽윤 제제에 적합하지 않을 수 있다. 용매 팽윤은 고품질의 금속화를 위해 관통홀 벽을 마련하여야 한다.
많은 용매 팽윤제의 또 다른 단점은 연화할 수 있는 중합체 종류가 제한적이라는 것이다. 과거 인쇄 회로 보드 산업은 전형적으로 Tg 값이 150 ℃ 미만으로 비교적 낮은 중합체를 사용하였다. 현재 시판되고 있는 대부분의 용매 팽윤제는 이러한 중합체의 팽윤 및 연화에 적합하나; 보다 최근의 인쇄 회로 보드 산업은 Tg 값이 150 ℃ 이상인 많은 중합체 물질이 인쇄 회로 보드를 제조하는데 더욱 바람직하다는 것을 발견하였다. 불행하게도, 이러한 고 Tg 중합체는 현재 입수가능한 대부분의 용매 팽윤제에 내성적이다. 따라서, 상술된 성질외에, 산업계에서는 고 Tg 중합체를 포함하여, 광범위 Tg 값내의 중합체를 연화시킬 수 있는 용매 팽윤제를 희망하고 필요로 하고 있다.
따라서, 저발포성이면서 안정하고 균일하고, 미세조면화 및 중합체 제거 성능을 저하시키지 않으며, 고 Tg 중합체를 포함하여 광범위 Tg 값내의 중합체를 팽윤 및 연화시키기 위해 사용될 수 있는 용매 팽윤제를 이용한 금속화용 관통홀 또는 비어의 제조 방법이 요망된다.
본 방법은 a) 중합체 및 다수의 비어를 함유하는 기판을 제공하고; b) 하나 이상의 양쪽성(amphoteric) 계면활성제, 하나 이상의 유기 용매 및 하나 이상의 분산제를 함유하는 조성물을 중합체 및 다수의 비어를 함유하는 기판 상에 도포하여 다수의 비어내 중합체를 팽윤시킨 후; c) 산화제를 팽윤 중합체에 도포하여 비어내 중합체를 제거하거나, 토포그라피적으로 변경하는 단계를 포함한다.
본 방법은 기판의 비어 금속화 전에 산화제로 중합체를 제거하거나 토포그라피적으로 변경시키기 위해 제제에 안정하고 균일하며 저발포성이고, 기판의 중합체를 팽윤 및 연화시키는 용매 팽윤제를 포함한다. 용매 팽윤제의 저발포성은 고갈된 중요 성분을 보충해야 할 확률을 감소시킬 뿐 아니라 장비, 인접 화학 배쓰 및 작업 영역의 오염 확률도 감소시킨다. 이는 오염된 화학 배쓰의 기능 불량으로 인한 보드 불량을 방지하고, 또한 일시적 제조 중단의 필요성도 방지한다. 따라서, 이 방법은 비어 금속화에 신뢰성있는 방법을 제공함과 동시에 기존의 많은 방법보다 효과적이면서 비용 효율적인 방법을 제공한다. 본 방법에 사용된 용매 팽윤 조성물은 산화제의 중합체 제거 성능 및 토포그라피적 변경을 저하시키지 않는다.
본 방법은 저 Tg 값에서 고 Tg 값에 이르는 중합체를 포함하는 각종 중합체의 팽윤, 토포그라피적 변경 및 제거에 이용될 수 있다. 본 방법은 인쇄 회로 보드의 수직 및 수평 제조공정 모두에 이용될 수 있다.
본 명세서를 통해 사용된 약어들은 달리 명시되지 않으면, 다음과 같은 의미를 가질 것이다: g = 그램; mg = 밀리그램; mm = 밀리미터; cm = 센티미터; L = 리터; mL = 밀리리터; ℃ = 섭씨 온도; g/L = 리터당 그램; wt% = 중량 퍼센트; SEM = 주사전자현미경사진; 및 Tg = 유리전이 온도.
용어 "인쇄 회로판" 및 "인쇄 배선판"은 본 명세서를 통해 서로 동일한 의미로 사용된다. 용어 "비어"는 관통홀로 알려진 보드를 완전히 관통하는 인쇄 배선판내 오리피스 또는 보드 표면에서 비롯되어 블라인드 비어로 알려진 보드의 제한적인 부분을 통해 연장되는 것을 가리킨다. 용어 "하이드로트로프(hydrotrope)"는 수용액에 소수성 화합물을 가용화시키는 화합물을 의미한다. "중합체 제거"라는 표현은 탈스미어와 동일한 뜻을 갖는다. 달리 언급이 없으면, 모든 양은 중량 퍼센트이다. 모든 수치 범위는 전 범위 일체 값을 포함하며, 어떤 순서로도 조합이 가능하나, 단 이러한 수치 범위는 최대 100%로 제한된다.
하나 이상의 양쪽성 계면활성제, 하나 이상의 유기 용매 및 하나 이상의 분산제를 포함하는 조성물은 토포그라피 변경, 즉 미세조면화 전에 각종 중합체 및 중합체 혼합물을 팽윤 및 연화시키고, 중합체를 제거하는데 이용될 수 있다. 중합체에는 이작용성 및 다작용성 에폭사이드와 같은 에폭사이드, 폴리이미드, 시아네이트 에스테르, 비스말레이미드 트리아진("BT"), 중합체 및 수지 코팅 구리("RCC") 타입 물질, 에폭시/폴리페닐렌 옥사이드 및 이들의 혼합물이 포함되나 이들에 한정되지는 않는다. 조성물은 또한 예컨대, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 폴리카보네이트("PC"), 폴리페닐렌 옥사이드("PPO"), 폴리페닐렌 에테르("PPE"), 폴리페닐렌 설파이드("PPS"), 폴리설폰("PS"), 폴리아미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트("PET") 및 폴리부티렌테레프탈레이트("PBT")와 같은 폴리에스테르, 폴리에테르에테르케톤("PEEK"), 액정 중합체, 폴리우레탄, 폴리에테르이미드 및 이들의 혼합물을 포함하나 이들에 한정되지 않는 중합체를 팽윤시키는데 유용할 수 있다.
중합체에 운모 및 유리와 같은 다양한 무기 물질이 보강될 수 있다. 전형적으로, 중합체는 에폭시계, 예컨대 이작용성 또는 사작용성 에폭시 타입의 유리 충전 에폭시 수지 또는 크레졸 또는 페놀 노볼락, 비스-말레이미드 트리아진 또는 폴리이미드계 수지이다.
용매 팽윤 조성물은 저 Tg 중합체 내지 고 Tg 중합체 및 중합체 혼합물을 팽윤시키는데 이용될 수 있다. 일반적으로, "저 Tg 중합체"의 유리전이 온도는 150 ℃ 미만이고, "고 Tg 중합체"의 유리전이 온도는 150 ℃ 이상이다. 고 Tg 중합체는 전형적으로 인쇄 회로 보드 제조시 일련의 빌드업("SBU") 응용에 이용된다.
전형적으로, 중합체 물질은 중합체의 적어도 한면이 금속막으로 코팅되는 기판의 베이스 성분이다. 이러한 기판은 전형적으로 중합체 물질이 보드의 내층을 형성하는 인쇄 배선 보드 제조에 사용된다. 보드는 단일 또는 다층 보드일 수 있다.
일반적으로, 하나 이상의 양쪽성 계면활성제, 하나 이상의 유기 용매 및 하나 이상의 분산제를 포함하는 조성물은 중합체를 연화 및 팽윤시키기 위해 중합체를 함유하는 기판에 도포된다. 이어서, 연화 및 팽윤된 중합체가 토포그라피적으로 변경되고, 일부 중합체가 산화제를 이용하여 제거될 수 있다. 용매 팽윤 조성물은 임의의 적합한 방법으로 기판에 도포될 수 있다. 예를 들어, 조성물은 조성물을 함유하는 배쓰에 기판을 침지시킴으로써 도포될 수 있거나, 또는 조성물은 기판 상에 스프레이될 수 있다. 용매 팽윤 조성물은 중합체의 팽윤 및 연화가 필요한 곳이라면 어디에도 사용될 수 있다.
전형적으로, 본 방법은 인쇄 회로 보드 제조에 이용된다. 인쇄 회로 보드 제조시, 각 인쇄 회로 기판에 비어가 천공되거나, 드릴된다. 용매 팽윤제가 비어를 침윤하여 비어 내부의 임의의 중합체 또는 스미어를 팽윤 및 연화시키도록 용매 팽윤 조성물이 기판 상에 도포된다. 용매 팽윤 조성물은 수직 또는 수평 시스템에 사용될 수 있다.
일반적으로, 용매 팽윤 조성물은 30 초 내지 15 분간 기판에 도포된다. 전형적으로, 조성물은 1 분 내지 10 분간 기판에 도포된다. 이어서, 기판은 물로 세정된다.
용매 팽윤 조성물에 사용된 양쪽성 계면활성제는 굴수성(hydrotropic) 및 저발포성이다. 양쪽성 계면활성제는 양 및 음의 작용기 둘 다를 형성할 여지를 지니거나 가진다. 저발포성 양쪽성 계면활성제는 또한 전형적으로 어떠한 뚜렷한 발포 활성을 발생하지 않는 양쪽성 계면활성제를 포함한다. 양쪽성 계면활성제는 또한 용매 팽윤제의 다른 성분과 양립성이어서 용매 팽윤 조성물은 안정하고 균일하다. 또한, 양쪽성 계면활성제는 미세조면화 및 중합체 제거 성능을 저하시키지 않아서 접착 품질이 뛰어난 금속 침착물을 제공한다. 이러한 양쪽성 계면활성제는 50 g/L 내지 500 g/L 또는 100 g/L 내지 300 g/L 또는 120 g/L 내지 200 g/L의 양으로 용매 팽윤제에 포함될 수 있다.
상기 양쪽성 계면활성제로는 프로피오네이트 작용기를 함유하는 양쪽성 계면활성제, 예컨대 n-알킬아미노 프로피오네이트 및 n-알킬아미노 디프로피오네이트 및 이들의 혼합물이 포함되나 이들에 한정되지는 않는다. n-알킬아미노 프로피오네이트 및 n-알킬아미노 디프로피오네이트는 하기 일반 구조식의 화합물을 포함하나 이들에 한정되지는 않는다:
R-NH-CH2-CH2-COOX
및
R-N(CH2CH2COOX)2
상기 식에서,
R은 탄소원자수 8 내지 22의 알킬 또는 하이드록시알킬 그룹이고,
X는 수소, 암모늄 또는 알칼리 금속, 예컨대 나트륨 또는 칼륨이다.
전형적으로, 하나 이상의 n-알킬아미노 프로피오네이트가 용매 팽윤 조성물에 포함된다.
유기 용매는 기판의 중합체 물질을 팽윤 및 연화시키는 유기 용매를 포함한다. 또한, 이러한 유기 용매는 안정하고 균일한 용매 팽윤 조성물을 제공한다. 유기 용매는 수불혼화성 또는 수혼화성일 수 있다. 일반적으로, 수불혼화성 유기 용매는 물과 균일 혼합물을 형성하지 않는 유기 액체이며, 수혼화성 유기 용매는 물과 균일 혼합물을 형성하는 유기 액체이다. 유기 용매는 50 g/L 내지 500 g/L, 또는 100 g/L 내지 300 g/L, 또는 120 g/L 내지 200 g/L의 양으로 조성물에 포함된다. 전형적으로, 수불혼화성 유기 용매가 용매 팽윤 조성물에 포함된다.
수불혼화성(water immiscible) 유기 용매는, 이에 제한되지는 않으나, 글리콜 페닐 에테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 페닐 에테르 및 프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 락톤, 예컨대 발레로락톤, 및 말로네이트, 예컨대 디메틸 말로네이트 및 디에틸 말로네이트를 포함한다.
수혼화성(water miscible) 유기 용매는, 이에 제한되지는 않으나, 글리콜 에테르, 예컨대 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 및 락톤, 예컨대 카프로락톤 및 부티로락톤, 및 피롤리돈, 예컨대 1-(2-하이드록시에틸)-2-피롤리돈, N-메틸-피롤리돈 및 2-피롤리돈을 포함한다.
용매 팽윤제 중에 포함되는 분산제는, 굴수성(hydrotropic properties)을 갖고, 100 ℃ 이상의 운점(cloud point)을 갖거나 또는 운점을 갖지 않는다. 이것들은 물 또는 유기용매계 조성물에 용해가능하다. 이러한 분산제들은 반드시 용매 팽윤제 중의 다른 성분들과 양립가능(compatible)해야 하고, 안정하면서 균질한 조성물을 제공해야 하며, 산화제의 토포그라피적 및 탈스미어능을 저해하여서는 안된다. 전형적으로, 분산제는 음이온성 또는 비이온성이며, 보다 전형적으로 분산제는 음이온성이다. 음이온성 분산제의 예로는 알킬 디페닐 옥사이드, 테트라소듐 N-알킬설포숙시네이트, 유기 포스페이트 에스테르 및 폴리에테르 설페이트가 있다. 비이온성 분산제의 예로는 2차 알콜 에톡실레이트, 및 예컨대 종자(seed) 오일 같은 식물성 오일로부터 유도된 계면활성제가 있다. 이러한 분산제는 조성물에 25 g/L 내지 200 g/L, 또는 예컨대 50 g/L 내지 150 g/L의 양으로 포함된다.
선택적으로, 용매 팽윤제 조성물은 또한 하나 이상의 알칼리 금속 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 알칼리 금속 화합물은 알칼리 금속 수산화물, 카보네이트, 실리케이트 및 포스페이트를 포함한다. 전형적으로, 알칼리 금속 화합물은 하나 이상의 알칼리 금속 수산화물, 예컨대 수산화나트륨 또는 수산화칼륨이다. 알칼리 금속 화합물은 조성물에 0.5 g/L 내지 50 g/L, 또는 예컨대 5 g/L 내지 40 g/L의 양으로 포함된다.
전형적으로, 용매 팽윤제 조성물은 수계(aqueous based)이며, 하나 이상의 양쪽성 계면활성제, 하나 이상의 유기 용매 및 하나 이상의 분산제를 필수적으로 포함한다. 보다 전형적으로, 용매 팽윤제 조성물은 하나 이상의 양쪽성 계면활성제, 하나 이상의 수불혼화성 유기 용매 및 하나 이상의 음이온성 분산제를 필수적으로 포함한다. 용매 팽윤제의 성분들은 임의의 순서로 배합되어 안정하고 균질한 수성 용액을 형성할 수 있다. 용매 팽윤제의 성분들은 용액으로부터 침전되지 않으며, 실온 또는 조작 온도 범위 내에서 성분 부분들이 여러 층들로 분리되지 않는다.
용매 팽윤제 적용시 사용되는 온도는 용매 팽윤제에서 사용되는 특정 성분 및 그러한 성분의 농도에 의존한다. 전형적으로, 용매 팽윤제 조성물은 실온 내지 90 ℃, 보다 전형적으로는 60 ℃ 내지 90 ℃에서 사용될 수 있다.
기판을 물로 세척한 후, 예컨대 과망간산나트륨 또는 과망간산칼륨과 같은 퍼망가네이트 이온을 함유하는 알칼리성 용액과 같은 산화제가 관통홀에 적용된다. 퍼망가네이트 화합물 외에, 알칼리 금속 수산화물 또는 알칼리토 금속 수산화물이 수산기 이온 공급원으로서 퍼망가네이트 용액에 포함될 수 있다. 전형적으로, 수산기 이온 공급원은 알칼리 금속 수산화물이다. 이러한 알칼리 금속 수산화물은, 이에 제한되는 것은 아니나, 수산화나트륨 및 수산화칼륨을 포함한다. 수산기 이온 공급원의 혼합물이 또한 사용될 수 있다. 전형적으로, 퍼망가네이트 용액에서 수산기 이온 공급원은, 퍼망가네이트 용액의 pH가 12 내지 14가 되도록 하는 양으로 사용된다. 퍼망가네이트의 농도는 전형적으로 20 g/L 내지 150 g/L이다. 용매 팽윤제 처리에 의해, 산화제가 비어 내의 중합체의 미세조면화에 영향을 주고 일부 중합체 물질을 제거하여, 무전해 금속 침착용 촉매성 화학종의 흡착을 위한 수용적(receptive) 환경 및 비어 벽면 상에 금속의 부착을 제공한다. 당 분야에 잘 알려져 있는 통상적인 조건들이 미세조면화 또는 비어로부터 중합체의 제거에 사용될 수 있다. 다르게는, 이 방법이 에치-백으로 사용될 수 있다. 그러한 에치-백 조건들은 당 분야에서 통상적이며 잘 알려져 있다.
상기 기술된 방법은 비어 표면의 전체적인 제조를 구성하거나, 또는 다중처리 비어 제조 공정의 일 부분을 형성할 수도 있다. 퍼망가네이트 공정을 갖춘 용매 팽윤제 조성물은 비어 표면을 미세조면화하는 데에 의존할 수 있다. 물에 의한 후속 세척은 잔류 퍼망가네이트 및 망간 종들을 충분히 중화할 수 있다. 다음으로 비어의 금속화가 이어진다.
비록 물 세척이 때때로 비어의 벽면상에 남아 있는 충분한 양의 퍼망가네이트 및 망간 종들을 제거 또는 중화하기는 하지만, 전형적으로는 금속화 공정에 중화 단계가 포함된다. 당 분야에는 다수의 통상적인 중화 배합물이 알려져 있으며, 이들은 상업적으로 또는 문헌으로부터 용이하게 얻어질 수 있다. 전형적으로, 하이드록실아민 또는 그의 염과 같은 중화제 또는 환원제가 통상적인 양으로 통상적인 조건 하에서 사용된다. 또한, 황산 및 과산화수소의 묽은 용액이 임의의 잔류물을 중화 또는 제거하기 위해 사용될 수 있다. 중화 후, 다음으로 기판은 물로 세척된다.
금속화의 제조에 포함되는 추가의 단계들은, 이에 제한되는 것은 아니나, 중화에 뒤이은 비어의 컨디셔닝(conditioning)을 포함한다. 컨디셔닝은 비어가 양전하를 띠게 하여 음전하를 띤 촉매가 촉매성 금속을 비어 벽면상에 침착시키도록 하고, 이는 이어서 무전해 금속의 벽면상 침착을 가능하게 한다. 다수의 통상적인 컨디셔너들이 알려져 있으며, 문헌에 개시되어 있음은 물론 상업적으로 입수가능하다. 이러한 컨디셔너들은 통상적인 양으로 통상적인 조건 하에서 적용된다. 상업적으로 입수가능한 컨디셔너의 예는 CIRCUPOSIT™ 컨디셔너 3320 및 3325 용액들이다(Rohm and Haas Electronic Materials, LLC, Marlborough, MA로부터 입수가능). 컨디셔너를 적용하기 위한 통상적인 파라미터들이 사용될 수 있다. 비어를 컨디셔닝한 후, 기판은 물로 세척된다.
컨디셔닝 후, 비어는 전형적으로 미세-에칭화(micro-etched)된다. 미세-에칭화는 통상적인 미세-에칭 배합물 및 공정을 사용하여 행해진다. 예컨대, 비어는 50 g/L 내지 200 g/L의 소듐 퍼설페이트 및 1 중량% 내지 10 중량%의 황산을 함유하는 수성 용액으로 미세-에칭화될 수 있다. 기판이 미세 에칭 용액에 침지될 수 있으며, 또는 용액이 기판상에 스프레이될 수도 있다. 전형적으로, 기판은 그 다음에 물로 세척된다.
비어의 금속화는 통상적인 무전해 도금에 의해 행해질 수 있다. 비어에 활성화제(activator)를 적용함으로써 비어가 전기적으로 전도성을 가지게 된다. 이러한 활성화제는 귀금속 또는 비귀금속의 콜로이드성 촉매일 수 있다. 활성화제로 사용되는 귀금속은, 이에 제한되는 것은 아니나, 금, 은, 백금 및 팔라듐을 포함한다. 전형적으로는 팔라듐이 사용된다. 전형적으로 팔라듐은, 예컨대 상업적으로 입수가능한 활성화제인 CIRCUPOSIT™ 3344 활성화제(Rohm and Haas Electronic Materials, LLC로부터 입수가능)와 같은 주석-팔라듐 콜로이드로서 사용된다. 다른 상업적으로 입수가능한 활성화제로는 CATAPOSIT™ 44 활성화제(Rohm and Haas Electronic Materials, LLC로부터 입수가능)가 있다. 비귀금속 활성화제의 예로는 구리 및 니켈이 있다. 비귀금속이 사용되는 경우, 이는 전형적으로 구리이다. 전형적으로 구리는 구리 산화물로서 콜로이드성 촉매에 사용된다.
선택적으로, 활성화제의 촉매 활성을 증가 내지는 최적화시키기 위해 촉진제(accelerator)가 사용될 수 있다. 통상적인 촉진제가 사용될 수 있다. 많은 것들이 상업적으로 입수가능하거나 문헌에 개시되어 있다. 사용가능한 촉진제의 예로는 플루오로보레이트계 촉진제가 있다. 촉진제는 활성화제의 적용후 포스트-딥(post-dip)으로서 적용된다. 촉진제를 적용하기 위한 통상적인 파라미터들이 사용될 수 있다. 상업적으로 입수가능한 촉진제의 예로는 Accelerator 19(Rohm and Haas Electronic Materials, LLC로부터 입수가능)가 있다. 촉진제와 활성화제의 적용 사이에 기판이 물로 세척된다.
비어 벽면은 통상적인 무전해 도금조 및 공정을 사용하여 도금될 수 있다. 전형적으로 비어는 구리로 무전해 도금된다. 이러한 도금조 내 성분의 종류 및 양은 매우 다양하다. 상업적으로 입수가능하거나 문헌에 개시된 다양한 무전해 구리 도금조들이 있다. 상업적으로 입수가능한 무전해 구리 도금조의 예로는 CIRCUPOSIT™ 3350-1 및 880 무전해 구리 도금조(Rohm and Haas Electronic Materials, LLC로부터 입수가능)가 있다.
일반적으로, 사용가능한 수성 구리 무전해 도금조는, 이에 제한되는 것은 아니나, 하나 이상의 구리 이온 공급원, 하나 이상의 환원제, 하나 이상의 착화제(complexing agent) 및 하나 이상의 완충제(buffering agent)를 포함한다. 전형적으로, 하나 이상의 계면활성제가 도금조에 포함된다.
전형적으로, 구리 이온 공급원은 구리 설페이트 오수화물(pentahydrate)에 의해 공급된다. 다른 구리 염들도 수용성이라면 사용가능하다. 이러한 구리 염 중 다수가 상업적으로 또는 문헌으로부터 활용가능하다. 일반적으로, 이들 구리 염은 도금조에 8 g/L 내지 10 g/L의 양으로 포함된다.
무전해 구리 도금조에 포함될 수 있는 환원제는, 이에 제한되는 것은 아니나, 포름알데히드, 포름알데히드 전구체, 포름알데히드 호모폴리머, 예컨대 파라포름알데히드, 트리옥산 및 글리옥실, 보로하이드라이드, 예컨대 알칼리 금속 보로하이드라이드 및 치환된 보로하이드라이드, 및 하이포포스파이트 환원제를 포함한다. 이러한 환원제는 1 mL/L 내지 6 mL/L의 양으로 사용될 수 있다.
착화제는, 이에 제한되는 것은 아니나, 로셀염(Rochelle salt), 에틸렌 디아민 테트라아세트산(EDTA), EDTA의 염, 니트릴 테트라아세트산 및 그의 알칼리 염, 글루콘산, 글루코네이트, 트리에탄올아민, 글루코노 (감마)-락톤, 개질된 에틸렌 디아민 아세테이트, 예컨대 N-하이드록실 에틸 에틸렌 디아민 트리아세테이트를 포함한다. 이러한 착화제는 도금조에 30 g/L 내지 50 g/L의 양으로 사용될 수 있다.
완충제는, 이에 제한되는 것은 아니나, 수산화나트륨 또는 수산화칼륨을 포함한다. 전형적으로 이들은 pH 10 내지 13을 제공하는 양으로 사용된다.
다양한 계면활성제들, 예컨대 비이온성, 양이온성 또는 음이온성 계면활성제들이 무전해 구리 도금조에 포함될 수 있다. 그 양은 전형적으로 1 g/L 내지 10 g/L이다. 이러한 계면활성제들은 당 분야에 잘 알려져 있으며, 다수가 상업적으로 입수가능하거나 문헌에 개시되어 있다.
비어의 무전해 도금 후, 기판의 선택된 섹션이 전형적으로, 통상의 전기도금방법을 사용하여 추가로 금속화된다. 전형적으로, 전기도금되는 금속은 구리이다. 상업적으로 입수가능한 구리 금속 전기도금조의 적절한 예는 COPPER GLEAM™ 125T-AB 전해질성 구리 도금조(Rohm and Haas Electronic Materials, LLC로부터 입수가능)이다.
일반적으로, 기본 구리 전기도금조는 구리 설페이트 오수화물, 황산 및 하나 이상의 수용성 염소(chlorine) 화합물을 포함할 수 있다. 구리 설페이트 오수화물의 농도는 20 g/L 내지 250 g/L 범위일 수 있다. 황산은 도금조에 30 g/L 내지 400 g/L의 양으로 포함될 수 있다. 수용성 염소 화합물은 10 mg/L 내지 200 mg/L의 양으로 포함될 수 있다. 이러한 수용성 염소 화합물의 예로는 염산, 염화나트륨, 염화칼륨 및 염화암모늄이 있다. 또한, 구리 전기도금조는 이러한 도금조에 전형적으로 사용되는 다른 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 여기에는, 이에 제한되는 것은 아니나, 계면활성제, 완충제, 광택제(brightener), 평탄화제(leveler), 억제제(suppressor) 및 입자미세화제(grain refiner)가 포함된다. 이러한 첨가제들은 통상적인 양으로 포함될 수 있고, 당 분야에 잘 알려져 있으며, 다수가 상업적으로 입수가능하거나 문헌에 개시되어 있다. 구리 전기도금은 통상적인 전류밀도, pH 및 온도에서 행하여진다.
용매 팽윤제의 낮은 발포성은 인접 화학조, 장비 및 작업 영역의 오염 확률을 감소시킬 뿐만 아니라, 사용 도중에 고갈된 성분을 보충해야만 할 확률도 감소시킨다. 이는 이어서, 오염된 화학조의 기능불량으로 인한 인쇄 배선 보드 불량을 방지하며, 일시적 제조 중단의 필요성을 방지한다. 따라서 본 방법은, 다수의 종래 공정보다 더 효과적이고 비용효율적인 공정을 제공함과 동시에, 비어의 금속화를 위한 신뢰할 수 있는 제조방법을 제공한다. 본 방법에서 사용된 용매 팽윤제 조성물은 또한 안정하고, 균질하며, 산화제의 토포그라피적 변경 또는 탈스미어 성능을 저해하지 않는다. 용매 팽윤제 조성물 및 이어서 산화제로 처리된 중합체들은 중합체의 우수한 미세조면화 및 미세조면화된 중합체 상에 도금된 금속의 우수한 부착을 제공한다. 금속 침착층의 탈라미네이션(delamination) 확률은 감소되며, 최종 전자 제품의 신뢰성(reliability)은 향상된다.
본 방법은, 낮은 Tg 값(즉, 150 ℃ 미만) 내지 높은 Tg 값(즉, 150 ℃ 이상)을 갖는 중합체를 포함하여, 다양한 중합체를 팽윤시키고, 연화시키며, 토포그라피적으로 변경시키는 데에 사용될 수 있다. 높은 Tg의 중합체들을 팽윤시키고 연화시키는 데에 사용될 수 있는 용매 팽윤제는 본 산업에서 매우 바람직한데, 이는 이들이 전형적으로 다수의 종래 용매 팽윤제에 대하여 저항성이 있고, 그러한 높은 Tg의 중합체들이 인쇄 회로 기판 산업에서 점점 더 보편화 되어가고 있기 때문이다. 본 방법은 인쇄 회로 기판 제작의 수직적 및 수평적 공정 양자 모두에서 사용될 수 있는데, 여기서 높은 발포는 전형적으로 제작 중단 및 공정 비효율을 일으키며, 이는 용매 팽윤 성분의 고갈, 화학조의 교차 오염 및 작업자들이 공정 재개 전에 엎지른 것들을 청소해야만 하는 필요에 의해 야기된다.
본 방법은 인쇄 회로 기판의 제작에 있어서 금속화를 위한 비어의 제조와 관련하여 기술되었지만, 당 분야의 통상의 기술자는 본 방법과 용매 팽윤제가, 중합체의 팽윤 및 연화가 요구되는 매우 다양한 용도에 있어서 중합체를 포함하는 매우 다양한 기판에 적용될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이하의 실시예는 본 방법 및 용매 팽윤제의 다양한 측면을 예시하기 위한 것이나, 그 범위를 제한하기 위한 것은 아니다.
실시예 1 (비교)
열 개의 수성 용매 팽윤제 샘플에 대해 로스-마일스 기포 높이 시험(Ross-Miles Foam Height Tests; ASTM D1173-53)을 수행하였다. 샘플 1-5 (표 1)는 희석하지 않았다. 샘플 6-10 (표 2)는, 세척을 모방하기 위해, 물로 희석하여 0.5% 용액으로 하였다. 중량% 농도의 각 용매 팽윤제 시험 용액 샘플 200 mL를 실린더를 통해 떨어뜨리고, 동일 용액 50 mL를 충전하였다. 충격으로 인해 기포가 생성되었으며, 그 높이(cm)를 처음과 5분 후에 측정하였다. 시험은 실온에서 수행하였다. 희석하지 않은 용매 팽윤제에 대해서는 2번의 테스트를 시행하였다.
샘플 에틸렌
글리콜
페닐에테르		 디설포네이트
알킬
디페닐
옥사이드		 알킬아미노
프로피오네이트		 시험 1
0분
(초기)		 시험 1
5분
(최종)		 시험 2
0분
(초기)		 시험 2
5분
(최종)
1 150 g/L 220 g/L 0 g/L 12.5 cm 2 cm 12 cm 1.5 cm
2 150 g/L 150 g/L 70g/L 12.5 cm 1.5 cm 11.5 cm 1 cm
3 150 g/L 110 g/L 110 g/L 11.5 cm 1 cm 11.5 cm 1 cm
4 150 g/L 90 g/L 130 g/L 10.5 cm 0 cm 11 cm 1 cm
5 150 g/L 70 g/L 150 g/L 11 cm 0.5 cm 11 cm 0.5 cm
시험 결과 알킬아미노프로피오네이트를 포함하는 샘플이 5분 후 가장 낮은 기포 높이를 나타내었다. 첫번째 시험에서는 샘플 4 및 5가 각각 0 및 0.5 cm의 기포 높이를 나타내어 가장 좋은 결과를 보였으며, 두번째 시험에서는 샘플 5가 0.5 cm의 기포 높이를 나타내어 가장 좋은 결과를 보였다.
샘플 에틸렌글
리콜페닐
에테르(희석전)		 디설포네
이트알킬
디페닐옥
사이드(희석전)		 알킬아미
노프로피
오네이트(희석전)		 0분(초기) 5분(최종)
6 150 g/L 220 g/L 0 g/L 12 cm 11.5 cm
7 150 g/L 150 g/L 70 g/L 10.5 cm 10.5 cm
8 150 g/L 110 g/L 110 g/L 9 cm 8.5 cm
9 15 g/L 90 g/L 130 g/L 4 cm 4 cm
10 15% 70 g/L 150 g/L 4 cm 2 cm
기포 테스트를 시행하기 전에 표 2의 용매 팽윤제 제제를 세척을 모방하기 위해 초기 농도의 0.5 v/v%가 되도록 물로 희석하였다. 시험 결과 알킬아미노프로피오네이트를 포함하는 샘플이 5분 후 가장 낮은 기포 높이를 나타내었다. 첫번째 시험에서는 샘플 9 및 10이 초기에는 4 cm, 5분후 각각 4 cm 및 2 cm를 나타내어 가장 좋은 결과를 나타내었다.
실시예 2 (비교)
스프레이 효과를 모방하기 위해 강한 공기 유속 테스트를 수행하고, 4개의 용매 팽윤제 제제에 대한 기포 높이를 측정하였다. 테스트된 제제에 대한 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
샘플 에틸렌글리콜
페닐
에테르		 디설포네이트
알킬디페닐
옥사이드		 알킬아미노
프로피오
네이트		 1분에서의
기포 높이		 5분에서의
기포 높이		 10분에서의
기포 높이
11 150 g/L 220 g/L 0 g/L 5 cm 11 cm 12 cm
12 150 g/L 88 g/L 132 g/L 3 cm 4 cm 4 cm
500 mL의 용매 팽윤제 용액을 2000 mL 비이커에 가하였다. 인쇄회로기판 제조시 수평공정에 용매 팽윤제를 사용하였을 때의 적용효과를 추정하기 위해, 공기를 유속 1 L/분의 속도로 연속적으로 500 mL 시험용액에 펌핑하였다. 샘플 11 및 12에서 용매 팽윤제에 대한 공기유속은 1 리터/분이었다. 시험 결과, 알킬아미노프로피오네이트를 포함하는 용매 팽윤제는, 기포가 측정된 세 시점 모두에서, 기포 생성이 감소되었다.
세척을 모방하기 위해 용매 팽윤제 시험용액을 0.5 v/v%가 되도록 물로 희석하는 것을 제외하고는 동일하게 상기 테스트를 반복하였다. 공기 유속은 2.5 L/분으로 하였다. 각 샘플에 대한 측정시 기포 높이를 하기 표 4에 나타내었다.
샘플 에틸렌글리콜
페닐에테르
(희석전)		 디설포네이트
알킬디페닐
옥사이드
(희석전)		 알킬아미노
프로피오네이트
(희석전)		 1분에서의
기포 높이		 5분에서의
기포 높이		 10분에서의
기포 높이
13 150 g/L 220 g/L 0 g/L 15 cm 시험한계
초과		 시험한계
초과
14 150 g/L 88 g/L 132 g/L 1 cm 1 cm 1 cm
시험 결과, 알킬아미노프로피오네이트를 포함하는 용매 팽윤제 14는 기포가 측정된 세 시점 모두에서, 기포 생성이 감소되었다. 알킬아미노프로피오네이트가 없는 샘플 13의 경우에는 1분 후부터 기포가 비이커 높이를 초과하여 넘쳐흘러 기포 높이를 측정할 수 없었다. 기포 시험 결과, 알킬아미노프로피오네이트를 첨가할 때, 농축된 형태이건 희석 용액의 형태이건 상관없이 기포가 상당히 감소되는 것을 확인하였다.
실시예 3 (비교)
다수의 관통홀을 갖는 4개의 S1000-2 높이 Tg (170 ℃) 에폭시 보드를 Sheng Yi 사(Dongguan city, Guangdong China)로부터 구입하였다. 한 보드의 단면을 잘라 노출된 관통홀의 표면을 SEM로 검사하였다. 관통홀의 벽표면은 관통홀 드릴과정에서 유발된 스미어를 포함하였다.
제2 보드를 pH 12의 농도 50 g/L의 과망간산칼륨을 포함하는 수성 산화제 용액에 침지하였다. 용액 온도는 80 ℃였다. 보드를 수성 산화제 용액내에 12분간 침지하였다. 보드를 산화제 용액에서 제거한 후, 물로 세척하였다. CIRCUPOSIT TM MLB 중화제 216-5로 중화시킨 후, 보드의 단면을 잘라 다수의 관통홀 벽면을 노출하였다. 관통홀의 벽을 SEM으로 수지 스미어를 검사하였다. SEM 결과, 일부 스미어가 관통홀에서 제거되었음을 보여주었다; 그러나, 대다수의 관통홀 표면은 여전히 수지 스미어에 의해 코팅되어 있었다. 더구나, 벽 표면의 미세조면화가 관찰되지 않았다.
제3 보드를 150 g/L의 에틸렌글리콜페닐에테르와 220 g/L의 디설포네이트알킬 디페닐옥사이드 함유 수성 용매 팽윤제 용액에 침지하였다. 상기 보드를 80 ℃에서 8분간 침지하였다. 보드를 용매 팽윤제에서 제거하고 물로 4분간 세척하고, 이때 순환을 용이하게 하기 위해 공기 교반을 행하였다. 상당한 기포가 세척중 관찰 되었다. 이후 보드를 pH 12의 농도 50 g/L의 과망간산칼륨을 포함하는 산화제 용액내에 12분간 침지하였다. 용액 온도는 80 ℃였다. 보드를 산화제용액에서 제거한 후, 4분간 물로 세척하였다. 중화 단계후, 보드의 단면을 잘라 다수의 관통홀 벽면을 노출하였다. 관통홀의 벽을 SEM으로 수지 스미어를 검사하였다. SEM 결과, 오직 산화제 용액으로만 처리한 제2 보드벽과 대비시 벽표면에서 제거된 레진스미어의 양이 상당히 증가함을 알 수 있었다. 더구나 벽 표면은 미세조면화되었다.
제4 보드를 150 g/L의 에틸렌글리콜페닐에테르, 88 g/L의 디설포네이트알킬 디페닐옥사이드 및 132 g/L의 n-알킬아미노프로피오네이트 함유 수성 용매 팽윤제 용액에 침지하였다. 상기 보드를 80 ℃에서 8분간 침지하였다. 보드를 용매 팽윤제에서 제거하고 물로 4분간 세척하고, 이때 더욱 양호한 순환을 위해 공기 진탕을 가하였다. 세척중 생성된 기포양은 무시할 정도였고, 제3 보드를 처리할 때 사용된 용매 팽윤제보다 훨씬 적었다. 이후 보드를 pH 12의 농도 50 g/L의 과망간산칼륨을 포함하는 산화제 용액내에 12분간 침지하였다. 용액 온도는 80 ℃였다. 보드를 산화제용액에서 제거한 후, 4분간 물로 세척하였다. 중화 단계후, 보드의 단면을 잘라 다수의 관통홀 벽면을 노출하였다. 관통홀의 벽을 SEM으로 수지 스미어를 검사하였다. SEM 결과, 제2 보드벽에 비해, 벽표면에서 제거된 레진스미어의 양이 상당히 증가함을 알 수 있었다. 더구나 벽 표면은 미세조면화되었다.
용매 팽윤제에 n-알킬아미노프로피오네이트를 첨가하는 것은 용매 팽윤제의 팽윤 성능을 손상시키지 않았으며, 이는 차례로, 금속화를 위한 제조에서 산화제가 관통홀벽에서 스미어를 제거하고 벽을 조면화할 수 있게 한다. 또한 n-알킬아미노프로피오네이트는 프로피오네이트가 없는 용매 팽윤제에 비해 기포를 상당히 감소시켰다. 또한 프로피오네이트를 갖는 용매 팽윤제는 안정하고 균일한 것으로 나타났다.
실시예 4 (비교)
4개의 낮은 Tg (140 ℃)값을 나타내는 Sheng Yi 사의 에폭시 보드가 제공된다는 점을 제외하고는 실시예 3에 기재된 공정을 반복하였다. 다수의 관통홀 및 관통홀의 벽을 드릴링한 후 하나의 보드를 횡단면으로 잘라 SEM를 사용하여 스미어를 측정하였다. 측정된 모든 벽은 현저한 수지 스미어를 나타내었다.
이후 남은 3개의 각 보드를 실시예 3에 기재된 3가지 용액 중 하나로 동일한 조건 하에서 처리하였다. 수성 과망간산칼륨 용액만으로 처리된 상기 보드에서는 스미어 제거 또는 관통홀 벽의 미세조면화가 관찰되지 않았다. 벽 표면의 외관은 처리되지 않은 보드와 실질적으로 동일하였다.
에틸렌 글리콜 페닐 에테르 및 디설폰화 알킬 디페닐 옥사이드를 함유한 용매 팽윤제로 처리된 후 산화제로 처리된 상기 보드에서는 관통홀 벽의 허니콤 텍스쳐링(honeycomb texturing) 뿐 아니라 제2 보드와 비교하여 스미어 제거가 증가되었다. 그러나, 실시예 3에서와 같이 용매 팽윤제에서는 기포가 상당량 발생되었다.
에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 디설폰화 알킬 디페닐 옥사이드 및 n-알킬아미노 프로피오네이트를 함유한 용매 팽윤제로 처리된 후 과망간산칼륨 산화제로 처리된 제4 보드에서도 산화제만으로 처리된 보드와 비교하여 스미어 제거가 증가되었다. 또한, 제4 보드의 SEM 분석 결과 제3 보드와 동일한 허니콤 미세조면화가 나타났다. 또한, 용매 팽윤 과정에서 기포가 거의 관찰되지 않았다.
용매 팽윤제에 n-알킬아미노 프로피오네이트를 첨가하여도 성능이 저하되지 않아 여전히 산화제가 금속화 제조시 관통홀 벽 및 미세조면화 벽으로부터 스미어를 제거할 수 있었다. 또한, n-알킬아미노 프로피오네이트는 프로피오네이트를 포함하지 않는 용매 팽윤제와 비교하여 기포를 현저하게 감소시켰다. 또한, 프로피오네이트를 포함하는 상기 용매 팽윤제는 안정하고 균일하였다.
실시예 5
7개의 라미네이트된 구리 클래드 보드(clad boards)가 제공되었다. 3개의 에폭시 라미네이트로 이루어진 제1 그룹은 Tg 값이 170 ℃였다(모델: Isola Laminate Systems Corp. La Crosse Wisconsin사로부터 입수가능한 Polyclad 370 HR, Sheng Yi 사 및 Taiwan Union Technology Corp. Chupei City Hsinchu Hsien(대만)으로 부터 각각 입수 가능한 S1000-2 및 TUC-752). 하나의 에폭시 라미네이트 (모델: ITEQ corp. Ping-Cheng Industrial Zone, Taoyuan 사(대만)로부터 입수가능한 IT-180)의 Tg는 180 ℃였다. 3개의 에폭시 라미네이트는 Tg 값이 150 ℃였다(모델: Nan Ya Plastics Corp. Shu-Lin Villa, Taipei Country 사(대만)사로부터 입수가능한 NPG, Sheng Yi사로부터 입수가능한 S-1000 및 S-1141). 각 보더는 통상적으로 이러한 목적으로 사용되는 드릴을 사용하여 다수의 관통홀로 드릴링되었다. 각각의 보드 및 홀마다 직경 약 1 mm인 500 내지 1000개의 관통홀이 있었다.
수성 용매 팽윤제 조성물의 두 가지 원액이 제조되었다. 제1 용매 팽윤제는 150 g/L의 에틸렌 글리콜 페닐 에테르, 220 g/L의 디설폰화 알킬 디페닐 옥사이드를 포함하도록 하였다. 제2 용매 팽윤제는 150 g/L의 프로필렌 글리콜 페닐 에테르, 88 g/L의 디설폰화 알킬 디페닐 옥사이드 및 132 g/L의 n-알킬이미노 디프로피오네이트를 포함하도록 하였다.
각 유형의 보드 중 하나를 제1 용매 팽윤제에 침지시키고 각 유형의 보드 중 하나를 제2 용매에 침지시켰다. 각각의 보드를 각 해당 용액에 8분동안 방치하였다. 용액의 온도는 80 ℃로 하였다. 상기 용매 팽윤제 용액이 보드의 중합체 성분을 팽윤 및 연화시켰다. 각각의 보드를 팽윤 용매로부터 제거하고 물로 3분간 세척하였고 이 때 순환을 용이하게 하기 위해 공기 교반을 행하였다. 제1 용매 팽윤제의 세척 과정에서 기포가 현저하게 발생한 반면 n-알킬아미노 디프로피오네이트를 포함하는 제2 용매 팽윤제에서의 최소의 기포가 관찰되었다. 제2 용매 팽윤제에서는 기포 발생 동안의 손실에 의한 팽윤 성능을 유지하기 위해서 대체 성분이 필요하지 않았다. 상기 용매 팽윤제 조성물은 반응 과정 내내 안정하고 균일하였다.
이후 각각의 보드를 관통홀 벽을 통해 탈스미어 및 미세조면화시키기 위해 50 g/L 과망간산칼륨을 함유하고 pH 12인 수성 알칼리성 산화제 용액에 침지시켰다. 산화제 용액의 온도는 80 ℃로 하였다. 상기 보드를 침지시키는 동안 용액을 계속적으로 혼합하였다. 상기 보드를 용액 내에 12분 동안 방치시켜 두었다. 이후 상기 보드를 제거하고 물로 4분 동안 세척하였다.
이후 40 ℃의 온도에서 각각의 보드에 중화제 처리를 하였다. 상기 보드를 중화제에 5분 동안 방치해 놓은 후 물로 4분 동안 세척하였다.
중화 후 각각의 보드를 CIRCUPOSIT™ Conditioner 3320 용액으로 처리하였다. 60 ℃에서 5분 동안 컨디셔닝시켰다. 이후 상기 보드를 물로 4분 동안 세척하였다.
관통홀 컨디셔닝 후 마이크로에칭시켰다. 각 보드를 100 g/L의 소듐 퍼설페이트 및 2% 황산을 함유하는 수성 용액에 침지시켰다. 마이크로에칭 도중 상기 용액을 혼합하고 마이크로에칭 배쓰의 온도는 30 ℃로 하였다. 마이크로에칭을 1분 동안 하였다. 각각의 보드를 마이크로에칭으로부터 제거하고 물로 2분 동안 세척하였다.
각각의 보드를 CATAPOSIT™ 404 Predip 용액에 1분 동안 실온에서 침지시켰다. 상기 보드를 제거하고 CATAPOSIT™ 44 Palladium 및 Tin 촉매에 침지시켰다. 상기 보드를 5분 동안 40 ℃에서 촉매 내에 방치시켰다. 이후 이들을 제거하고 물로 2분 동안 세척하였다.
이후 각 보드의 관통홀 벽을 무전해 구리로 금속화하였다. 각각의 보드를 무전해 구리 배쓰 CIRCUPOSIT™ 880 Electroless Copper 무전해 구리 플레이팅(plating) 용액에 15분 동안 30 ℃에 침지시킴으로써 금속화를 수행하였다. 상기 보드를 구리로부터 제거하고 물로 3분 동안 세척하였다.
이후 각각의 보드를 횡단면으로 절단하여 관통홀의 구리 플레이트 벽이 노출되도록 하였다. SEM으로 관찰된 모든 벽은 균일한 구리 침착을 나타내었고 벽에 부착된 구리는 고순도였는 바, 즉 구리 침착물 박리(peeling)가 나타나지 않았다.

Claims (9)

  1. a) 하나 이상의 중합체 및 다수의 비어를 포함하는 기판을 제공하고;
    b) 하나 이상의 양쪽성 계면활성제, 하나 이상의 유기 용매 및 하나 이상의 분산제를 포함하는 조성물을 하나 이상의 중합체 및 다수의 비어를 포함하는 기판 상에 도포하여 하나 이상의 중합체를 팽윤시킨 후;
    c) 산화제를 팽윤된 하나 이상의 중합체에 도포하여 다수의 비어에서 하나 이상의 중합체를 탈스미어하거나, 토포그라피적으로 변경하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 다수의 비어벽을 금속화하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 양쪽성 계면활성제가 n-알킬아미노 프로피오네이트 및 n-알킬아미노 디프로피오네이트 중에서 선택되는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 유기 용매가 수불혼화성 유기 용매 및 수혼화성 유기 용매 중에서 선택되는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 수불혼화성 유기 용매가 글리콜 페닐 에테르인 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 수혼화성 유기 용매가 글리콜 에테르인 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 분산제가 음이온성 계면활성제인 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 분산제가 비이온성 계면활성제인 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 기판이 인쇄 회로 보드인 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104519664B (zh) * 2013-09-27 2018-04-17 北大方正集团有限公司 印制电路板的清洗方法和印制电路板
CN104532215B (zh) * 2014-12-23 2017-03-01 天津大学 一种聚醚醚酮和聚醚醚酮/碳纳米管复合材料的无钯化学镀方法
DE202016008419U1 (de) 2015-12-23 2017-12-20 Apple Inc. Gehäuse mit metallischer lnnenflächenschicht
CN105671526B (zh) * 2016-01-22 2018-05-22 卓达新材料科技集团有限公司 一种镀金属膜的聚合物材料
US10447834B2 (en) 2016-09-21 2019-10-15 Apple Inc. Electronic device having a composite structure
MX2019015038A (es) * 2017-07-10 2020-08-17 Srg Global Llc Sistema de recuperacion de manganeso de grabado libre de cromo hexavalente.
CN115044891B (zh) * 2022-06-22 2024-02-06 江西超洋科技有限公司 一种脂肪族羧酸酯类沉铜溶胀剂及其制备方法和应用

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2227295B1 (ko) * 1973-04-26 1976-11-12 Rhone Poulenc Ind
DE2437090A1 (de) * 1974-08-01 1976-02-19 Hoechst Ag Reinigungsmittel
US4035409A (en) * 1974-12-18 1977-07-12 Texaco Inc. Hydrocarbyl amine substituted propionic ester
US4619741A (en) * 1985-04-11 1986-10-28 Olin Hunt Specialty Products Inc. Process for preparing a non-conductive substrate for electroplating
US4904506A (en) * 1986-01-03 1990-02-27 International Business Machines Corporation Copper deposition from electroless plating bath
US5132038A (en) 1988-04-25 1992-07-21 Macdermid, Incorporated Composition for preparing printed circuit through-holes for metallization
JPH0719959B2 (ja) * 1988-04-25 1995-03-06 マクダーミツド インコーポレーテツド 金属被覆化用プリント回路通し孔の製法及び組成物
US4959121A (en) * 1990-01-05 1990-09-25 General Electric Company Method for treating a polyimide surface for subsequent plating thereon
US5015339A (en) * 1990-03-26 1991-05-14 Olin Hunt Sub Iii Corp. Process for preparing nonconductive substrates
US5476615A (en) * 1994-05-20 1995-12-19 Lonza Inc. Low foam sanitizers
US6284230B1 (en) * 1996-12-30 2001-09-04 The Procter & Gamble Company Hair conditioning shampoo compositions comprising primary anionic surfactant
US5911981A (en) * 1997-10-24 1999-06-15 R.I.T.A. Corporation Surfactant blends for generating a stable wet foam
US6555511B2 (en) * 2000-06-19 2003-04-29 Lance L. Renfrow Stable hydrotropic surfactants comprising alkylamino propionate
US6489281B1 (en) * 2000-09-12 2002-12-03 Ecolab Inc. Cleaning composition comprising inorganic acids, an oxidant, and a cationic surfactant
AU2001291098A1 (en) * 2000-09-19 2002-04-02 Shipley Company, L.L.C. Process for treating adhesion promoted metal surfaces
GB0104503D0 (en) * 2001-02-23 2001-04-11 Shipley Co Llc Solvent swell for texturing resinous material and desmearing and removing resinous material
GB0105718D0 (en) * 2001-03-08 2001-04-25 Shipley Co Llc Compositions containing heterocyclic nitrogen compounds and glycols for texturing resinous material and desmearing and removing resinous material
DE10162024A1 (de) * 2001-12-18 2003-07-03 Cognis Deutschland Gmbh Hochkonzentriert fließfähige Perlglanzkonzentrate
JP2005150552A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
US20060154187A1 (en) * 2004-12-17 2006-07-13 John Wilson Development of radiation-sensitive elements
US8415255B2 (en) * 2005-08-05 2013-04-09 Freescale Semiconductor, Inc. Pore sealing and cleaning porous low dielectric constant structures
CN101238554A (zh) * 2005-08-05 2008-08-06 飞思卡尔半导体公司 孔密封和清洁多孔低介电常数的结构
JP2007100174A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Okuno Chem Ind Co Ltd スチレン系樹脂成形体へのめっき用前処理方法
TW200813255A (en) * 2006-07-07 2008-03-16 Rohm & Haas Elect Mat Environmentally friendly electroless copper compositions
US7858146B2 (en) * 2007-06-29 2010-12-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of electrolessly depositing metal on the walls of through-holes
JP5342258B2 (ja) * 2009-02-06 2013-11-13 上村工業株式会社 デスミア処理方法

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Publication number Publication date
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