KR20110018319A - 유전율이 높은 레이저 직접 구조화 재료 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있는 고유전율 열가소성 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 열가소성 기재 수지, 레이저 직접 구조화용 첨가제, 및 1종 이상의 세라믹 충전제를 포함한다. 이러한 조성물은 높은 유전율, 낮은 손실 탄젠트의 열가소성 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 다양한 용도, 예를 들면 개인용 컴퓨터, 노트북 및 휴대형 컴퓨터, 휴대폰 안테나 및 기타 통신 장비, 의료 용도, RFID 용도 및 자동차 용도에 사용될 수 있다.

Description

유전율이 높은 레이저 직접 구조화 재료{HIGH DIELECTRIC CONSTANT LASER DIRECT STRUCTURING MATERIALS}
본 발명은 열가소성 조성물, 구체적으로 레이저 직접 구조화(laser direct structuring) 방법에 사용될 수 있는, 유전율이 높은 열가소성 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 조성물을 제조하는 방법 및 상기 조성물을 포함하는 물품에 관한 것이다.
전기 부품은, 경우에 따라서 화학 도금이 2형(2-component) 사출 성형에 사용되기 때문에, 마스킹(masking) 방법과 같은 다양한 방법을 사용하여 2형(2-component) 사출 성형 방식으로 후속하는 전기도금(또는 무전해도금)을 이용하여 사출 성형 소자(Molded Injection Devices, MID) 기법으로 제조할 경우에, 소정의 인쇄된 도체를 갖는 MID로서 제공될 수 있다. 유리섬유 강화 플라스틱 등으로 제조된 종래의 회로 보드와는 달리, 이런 식으로 제조된 MID 부품은 집적된 인쇄 도체 레이아웃(layout) 및 어쩌면 추가의 전자 또는 전자기계 부품을 갖는 입체 성형 부품이다. 이러한 유형의 MID 부품을 사용하면, 심지어 당해 부품이 인쇄된 도체만을 갖고 전기 또는 전자 소자 내부의 종래의 배선을 대체하기 위해 사용되는 경우조차도, 공간을 절약하여 관련 소자를 소형화할 수 있으며, 조립 및 접촉 단계의 수를 감소시킴으로써 제조 비용을 낮출 수 있다. 이러한 MID 소자들은 휴대폰, PDA 및 노트북 용도에 매우 유용하다.
기존의 세 가지 MID 제조 기법으로는 금속 스탬핑(stamp metal), 가요성 인쇄 배선반(FPCB) 장착 및 2액(2-shot) 사출 성형 방법이 있다. 그러나, 스탬핑 및 FPCB 장착 방법은 패턴의 기하학적 형태에 제한이 있으며, 공구가 값비싸고, RF 패턴을 변화시킬 경우 공구 세공에 비용과 시간 소모가 많은 개조 작업을 유발한다. 2액 성형(2형 사출 성형) 방법은 실제 입체 구조를 갖는 3D-MID를 생산하는데 사용되어 왔다. 후속하는 화학 부식, 화학 표면 활성화 및 선택적인 금속 코팅을 이용하여 안테나를 제조할 수 있다. 이러한 방법은 많은 초기 비용을 유발하며, 생산 회수가 클 때에만 경제적으로 가치가 있다. 또한, 2액 성형은 친환경적인 방법이 못된다. 이 세 가지 방법은 모두 공구 기반의 기법으로서, 융통성이 제한되고, 개발 사이클이 길며, 시험 작업이 어렵고, 설계 변경에 비용이 많이 들며, 소형화도 제한된다.
따라서, 레이저 직접 구조화(Laser Direct Structuring, LDS) 방법을 사용해서 MID를 제조하는 것이 점점 더 주목을 받고 있다. LDS 방법에서는, 컴퓨터로 제어된 레이저빔이 MID 상에서 이동하여 전도성 경로를 배치하고자 하는 위치에서 플라스틱 표면을 활성화시킨다. 레이저 직접 구조화 방법을 사용하면, 작은 전도성 경로 폭(예: 150 마이크로미터 이하)을 얻을 수 있다. 또한, 전도성 경로 간의 간격도 작아질 수 있다. 그 결과, 이 방법으로 제조된 MID는 최종 용도에서 공간과 중량을 절감하게 된다. 레이저 직접 구조화의 또 다른 장점은 그 융통성이다. 회로의 설계가 변경될 경우에, 레이저를 제어하는 컴퓨터를 다시 프로그래밍하기만 하면 된다.
몇 가지 유형의 용도, 예컨대 안테나에서는, 고유전율(Dk) 및/또는 낮은 손실 탄젠트(loss tangent)(소멸 계수, Df로도 알려져 있음)이 유리한 특성이다. 높은 Dk는 안테나의 크기를 감소시킬 수 있음과 동시에 낮은 Df는 에너지 손실(열)을 극소화시키고/시키거나 방사 에너지를 극대화시킬 수 있다. 종래 기술의 재료들은 아직까지 높은 Dk와 낮은 Df를 갖는 LDS 재료를 제공하지 못하였다.
따라서, 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있는, 유전율이 높고 손실 탄젠트가 낮은 열가소성 조성물을 제공하는 것이 유리하다. 또한, 노트북 용도, 예컨대 노트북 안테나에 사용될 수 있는, 유전율이 높고 손실 탄젠트가 낮은 열가소성 조성물을 제공하는 것이 유리하다. 또한, 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있어서 특정 용도, 예를 들면 노트북 안테나를 제조하는데 현재 사용되는 긴 성형 시간에 대한 해결 수단이 될 수 있는 열가소성 조성물을 제공하는 것이 유리하다. 또한, 유전율이 높고 손실 탄젠트가 낮은 열가소성 조성물을 제조하는 방법을 제공하는 것이 유리하다. 또한, 유전율이 높고 손실 탄젠트가 낮은 열가소성 조성물로부터 제조된 물품을 제공하는 것이 유리하다.
본 발명은 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있는, 유전율이 높고 손실 탄젠트가 낮은 열가소성 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 열가소성 수지, 예컨대 폴리아미드계 수지, 폴리프탈아미드 수지, 폴리페닐렌 옥사이드 수지 등; 레이저 직접 구조화용 첨가제 및 1종 이상의 높은 유전율을 갖는 세라믹 충전제를 포함한다. 본 발명의 조성물은 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있음과 동시에, 높은 유전율을 유지하면서 낮은 손실 탄젠트를 제공할 수 있다. 이러한 조성물은 다양한 제품, 예를 들면 전기 및 전자 부품, 개인용 컴퓨터, 노트북 및 휴대용 컴퓨터, 휴대폰 및 기타 통신 장비에 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%, 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%, 및 1종 이상의 높은 유전율을 갖는 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하는 열가소성 조성물을 제공하며, 본 발명의 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후에 도금될 수 있다.
또한, 본 발명은 압출기에서 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%, 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%, 및 1종 이상의 높은 유전율을 갖는 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하는, 열가소성 조성물의 제조 방법을 제공하며, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후에 도금될 수 있다.
이외에도, 본 발명은 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%, 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%, 및 1종 이상의 높은 유전율을 갖는 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하는 조성물을 포함하는 제품을 제공하며, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용하여 활성화된 후에 도금될 수 있다.
이하, 상세한 설명 및 실시예에 의거하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하고자 하나, 당업자라면 후술하는 실시예에 대한 다수의 개조예 및 변형예를 명확히 파악할 수 있을 것이므로, 하기 실시예는 예시적인 것에 불과하다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어 "포함하는"은 "이루어진" 및 "주성분으로 하는" 실시양태들을 포함할 수 있다. 본 명세서에 기재된 모든 범위는 종점을 포함하는 의미로서 독립적으로 조합이 가능하다. 기재된 범위의 종점 및 그 범위 내의 임의의 값들이 정확한 범위 또는 값에 제한되는 것은 아니며; 해당하는 범위 및/또는 값들의 근사값을 포함할 정도로 충분히 모호한 것이다.
본 명세서에서, 관련된 기본 기능에 변화를 유발하지 않고 변화시킬 수 있는 임의의 정략적인 표현을 축약 언어를 적용하여 변형시킬 수 있다. 따라서, "약" 및 "거의"와 같은 용어(들)에 의해 변형된 값은 경우에 따라서는 명시된 정확한 값에 제한되지 않을 수도 있다. 적어도 일부의 경우에는, 이러한 축약 언어가 해당하는 값을 측정하기 위한 기기의 정밀도에 대응하는 것일 수도 있다.
본 발명은 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있는, 유전율이 높고 손실 탄젠트가 낮은 열가소성 조성물을 제공한다. 본 발명의 조성물은 열가소성 수지, 레이저 직접 구조화용 첨가제 및 1종 이상의 유전율이 높은 세라믹 충전제를 포함한다. 상기 열가소성 수지는 폴리에테르계 수지, 나일론계 수지, 폴리프탈아미드 수지, 폴리페닐렌 옥사이드 수지 또는 이러한 수지들 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다.
한 실시양태에서, 본 발명의 열가소성 조성물은 폴리아미드 수지와 같은 나일론계 수지를 포함한다. 폴리아미드는 일반적으로 탄소 원자 수가 4 내지 12개인 유기 락탐의 중합반응으로부터 유도된다. 한 실시양태에서, 상기 락탐은 하기 화학식 1로 표시된다:
Figure pct00001
상기 식에서 n은 3 내지 11이다. 한 실시양태에서, 상기 락탐은 n이 5인 ε-카프로락탐이다.
또한, 폴리아미드는 탄소 원자 수가 4 내지 12개인 아미노산으로부터 합성될 수도 있다. 한 실시양태에서, 아미노산은 하기 화학식 2로 표시된다:
Figure pct00002
상기 식에서 n은 3 내지 11이다. 한 실시양태에서, 아미노산은 n이 5인 ε-카프로락탐이다.
또한, 폴리아미드는 탄소 원자 수가 4 내지 12인 지방족 디카르복실산 및 탄소 원자 수가 2 내지 12인 지방족 디아민으로부터 중합될 수도 있다. 한 실시양태에서, 상기 지방족 디아민은 하기 화학식 3 으로 표시된다:
Figure pct00003
상기 식에서 n은 약 2 내지 약 12이다. 한 실시양태에서, 지방족 디아민은 헥사메틸렌디아민(H2N(CH2)6NH2)이다. 한 실시양태에서, 디카르복실산 대 디아민의 몰비율은 0.66 내지 1.5이다. 이 범위 내에서, 일반적으로 0.81보다 크거나 같은 몰비율을 갖는 것이 유리하다. 다른 실시양태에서, 상기 몰비율은 0.96보다 크거나 같다. 또 다른 실시양태에서, 상기 몰비율은 1.22보다 작거나 같다. 또 다른 실시양태에서, 상기 몰비율은 1.04보다 작거나 같다. 본 발명에 유용한 폴리아미드의 예로서는, 나일론 6, 나일론 6,6, 나일론 4,6, 나일론 6,12, 나일론 10 등, 또는 이러한 폴리아미드 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있으나, 이들에 제한되는 것은 아니다.
폴리아미드에스테르의 합성은 탄소 원자 수가 4 내지 12개인 지방족 락톤과 탄소 원자 수가 4 내지 12개인 지방족 락탐으로부터 수행될 수도 있다. 지방족 락톤 대 지방족 락탐의 비율은 선택된 최종 공중합체의 조성, 및 락톤과 락탐의 상대적인 반응성에 따라서 크게 달라질 수 있다. 한 실시양태에서, 지방족 락탐 대 지방족 락톤의 초기 몰비율은 0.5 내지 4이다. 이 범위 내에서, 약 1보다 크거나 같은 몰비율이 유리하다. 다른 실시양태에서, 2보다 작거나 같은 몰비율을 사용한다.
전도성 전구체 조성물은 촉매 또는 개시제를 더 포함할 수 있다. 일반적으로, 상응하는 열 중합반응에 적합한 것으로 알려진 촉매 또는 개시제를 사용할 수 있다. 다른 예로서, 중합반응을 촉매 또는 개시제없이 수행할 수 있다. 예를 들면, 지방족 디카르복실산과 지방족 디아민으로부터 폴리아미드를 합성할 때, 소정의 실시양태에서 촉매를 전혀 사용하지 않을 수 있다.
락탐으로부터 폴리아미드를 합성하는데 있어서, 적합한 촉매는 물 및 합성에 사용된 개환된(가수분해된) 락탐에 대응하는 오메가-아미노산을 포함한다. 다른 적당한 촉매로는 금속 알루미늄 알킬레이트(MAl(OR)3H; 식 중 M은 알칼리 금속 또는 알칼리토금속이고, R은 C1-C12 알킬임), 나트륨 디히드로비스(2-메톡시에톡시)알루미네이트, 리튬 디히드로비스(tert-부톡시)알루미네이트, 알루미늄 알킬레이트(Al(OR)2R; 식 중 R은 C1-C12 알킬임), N-나트륨 카프로락탐, ε-카프로락탐의 염화마그네슘 또는 브롬화마그네슘염(MgXC6H10NO, X = Br 또는 Cl), 디알콕시 알루미늄 하이드라이드를 들 수 있다. 적당한 개시제로서는 이소프탈로일비스카프로락탐, N-아세탈카프로락탐, 이소시아네이트 ε-카프로락탐 부가생성물, 알코올(ROH; 식 중 R은 C1-C12 알킬임), 디올(HO-R-OH; 식 중 R은 C1-C12 알킬렌임), ω-아미노카프로인산, 및 나트륨 메톡사이드를 들 수 있다.
락톤과 락탐으로부터 폴리아미드에스테르를 합성하는데 있어서, 적당한 촉매는 금속 하이드라이드 화합물, 예컨대 화학식 LiAl(H)x(R1)y (식 중, x는 1 내지 4이고, y는 0 내지 3이며, x+y는 4와 같고, R1은 C1-C12 알킬 및 C1-C12 알콕시로 이루어진 군 중에서 선택됨)로 표시되는 리튬 알루미늄 하이드라이드 촉매를 포함하며; 매우 유리한 촉매로는 LiAl(H)(OR2)3 (식 중 R2는 C1-C8 알킬로부터 선택됨)를 들 수 있고; 특히 유리한 촉매는 LiAl(H)(OC(CH3)3)3이다. 다른 적당한 촉매 및 개시제로는 폴리(ε-카프로락탐)과 폴리(ε-카프로락톤)의 중합반응에 대해 설명한 것들을 들 수 있다.
또 다른 실시양태에서, 본 발명의 열가소성 조성물은 폴리(아릴렌 에테르) 수지를 포함한다. 본 명세서에서, "폴리(아릴렌 에테르)"라는 용어는 하기 화학식 4로 표시되는 다수의 구조 단위를 포함한다:
Figure pct00004
상기 식에서 각 구조 단위에 대하여, 각각의 Q1은 독립적으로 할로겐, 1차 또는 2차 저급 알킬(예: 탄소 원자 수가 1 내지 7개인 알킬), 페닐, 할로알킬, 아미노알킬, 알케닐알킬, 알키닐알킬, 히드로카르보녹시, 및 2개 이상의 탄소 원자가 할로겐과 산소 원자를 분리시키는 형태의 할로히드로카르보녹시이고; 각각의 Q2는 독립적으로 수소 원자, 할로겐, 1차 또는 2차 저급 알킬, 페닐, 할로알킬, 아미노알킬, 알케닐알킬, 알키닐알킬, 히드로카르보녹시, 2개 이상의 탄소 원자가 할로겐과 산소 원자를 분리시키는 형태의 할로히드로카르보녹시이다. 일부의 실시양태에서, 각각의 Q1은 독립적으로 알킬 또는 페닐, 예를 들면 C1 -4 알킬이고, 각각의 Q2는 독립적으로 수소 원자 또는 메틸이다. 상기 폴리(아릴렌 에테르)는 일반적으로 히드록시기에 대하여 오르토 위치에 존재하는 아미노알킬 함유 말단기(들)을 갖는 분자를 포함할 수 있다. 일반적으로 반응 혼합물로부터 얻어진 4-히드록시비페닐 말단기가 존재하는 경우가 많고, 이 때 부산물인 디페노퀴논이 존재한다.
폴리(아릴렌 에테르)는 단독중합체; 공중합체; 그라프트 공중합체; 이오노머; 블록 공중합체, 예를 들면 아릴렌 에테르 단위 및 알케닐 방향족 화합물로부터 유도된 블록을 포함하는 블록 공중합체; 및 이들 중 1종 이상을 포함하는 혼합물의 형태로 존재할 수 있다. 폴리(아릴렌 에테르)는 임의로 2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌 에테르 단위와 함께 2,6-디메틸-1,4-페닐렌 에테르 단위를 함유하는 폴리페닐렌 에테르를 포함한다.
상기 폴리(아릴렌 에테르)는 2,6-크실레놀 및/또는 2,3,6-트리메틸페놀과 같은 모노히드록시방향족 화합물(들)의 산화성 커플링 반응에 의해 제조될 수 있다. 이와 같은 커플링 반응에 일반적으로 촉매 시스템이 사용되며; 이러한 촉매 시스템은 중금속 화합물(들), 예컨대 구리, 망간 또는 코발트 화합물을 대개는 다양한 다른 물질, 예컨대 2차 아민, 3차 아민, 할라이드 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물과 병합하여 함유할 수 있다.
겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정하였을 때 폴리(아릴렌 에테르)의 수 평균 분자량은 3,000 내지 40,000 원자량 단위(amu)이고 중량 평균 분자량은 5,000 내지 80,000 amu이다. 폴리(아릴렌 에테르)의 고유 점도는 25℃ 하에 클로로포름 중에서 측정하였을 때 0.10 내지 0.60 dl/g, 더욱 구체적으로는 0.29 내지 0.48 dl/g일 수 있다. 높은 고유 점도를 갖는 폴리(아릴렌 에테르)와 낮은 고유 점도를 갖는 폴리(아릴렌 에테르)를 병용할 수도 있다. 두 가지 고유 점도를 사용할 때, 정확한 비율을 결정하는 것은 사용된 폴리(아릴렌 에테르)의 정확한 고유 점도 및 선택된 최종적인 물리적 특성에 따라 어느 정도 좌우될 것이다.
본 발명에 사용될 수 있는 폴리페닐렌 에테르 중합체의 예로서는, 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디에틸-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-메틸-6-프로필-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디프로필-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-에틸-6-프로필-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디라우릴-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디페닐-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디메톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디에톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-메톡시-6-에톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-에틸-6-스테아릴옥시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디클로로-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-메틸-6-페닐-1,5-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디벤질-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-에톡시-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2-클로로-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(2,6-디브로모-1,4-페닐렌)에테르; 폴리(3-브로모-2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르, 이들의 공중합체 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이들에 제한되는 것은 아니다. 소정의 실시양태에서, 본 발명의 조성물에 사용하기 위한 폴리페닐렌 에테르 중합체로는, 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌)에테르, 폴리(2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌)에테르, 이러한 중합체들의 혼합물 및 2,3,6-트리메틸-1,4-페닐렌 에테르 단위와 2,6-디메틸-1,4-페닐렌 에테르 단위를 포함하는 공중합체를 들 수 있다. 이와 같은 중합체 및 공중합체의 예는 미국 특허 제 4,806,297호에 개시되어 있다.
또 다른 실시양태에서, 본 발명의 열가소성 조성물은 폴리프탈아미드 수지를 포함한다. 한 실시양태에서, 폴리프탈아미드는 (i) 헥사메틸렌 디아민 또는 헥사메틸렌 디아민과 트리메틸 헥사메틸렌디아민의 혼합물, 및 (ii) 테레프탈산, 및 임의로 (iii) 이소프탈산 또는 아디프산으로부터 선택된 1종 이상의 산의 반응 생성물을 포함하되, 단, 상기 디아민의 혼합물은 반응물 (iii)이 존재하지 않을 경우에 사용한다는 것을 조건으로 한다. 이러한 폴리프탈아미드는 일반적으로 결정질이며, 개선된 인장 강도 및 높은 열 변형 온도를 나타낸다. 이러한 폴리프탈아미드 및 이의 제조 방법이 미국 특허 제 4,603,166호 및 제 4,617,342호, 및 유럽 특허 출원 제 121,983호, 121,984호, 121,985호, 122,688호 및 395,414호에 개시되어 있다.
예를 들면, 미국 특허 제 4,603,166호 및 유럽 특허 출원 제 121,984호는 헥사메틸렌 디아민, 테레프탈산 및 아디프산으로부터, 그리고 헥사메틸렌 디아민, 테레프탈산, 이소프탈산 및 아디프산으로부터 제조된 폴리프탈아미드를 개시하고 있다. 여기서 사용된 헥사메틸렌 디아민:테레프탈산:이소프탈산:아디프산 몰비율은 대략 100:65~95:25~0:35~5이다. 미국 특허 제 4,617,342호 및 유럽 특허 출원 제 122,688호는 몰비율이 약 98:2 내지 약 60:4인 헥사메틸렌 디아민과 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물 및 몰비율이 적어도 80:20 내지 약 99:1인 테레프탈산과 이소프탈산의 혼합물로부터 제조된 폴리프탈아미드를 개시하고 있다. 유럽 특허 출원 제 121,985호는 몰비율이 약 55/45 내지 약 95/5인 헥사메틸렌 디아민과 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물 및 테레프탈산으로부터 제조된 폴리프탈아미드를 개시하고 있다. 상기 테레프탈산 대 디아민의 몰비율은 1.2:1 내지 1:1.2 범위인 것이 바람직하고, 약 1:1인 것이 더욱 바람직하다. 유럽 특허 출원 제 121,983호는 헥사메틸렌 디아민과 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 혼합물 및 테레프탈산과 아디프산의 혼합물 또는 테레프탈산, 이소프탈산 및 아디프산의 혼합물로부터 제조된 폴리프탈아미드를 개시하고 있다. 상기 헥사메틸렌 디아민 대 트리메틸 헥사메틸렌 디아민의 몰비율은 약 55/45 내지 약 98/2 범위이다. 테레프탈산과 아디프산을 사용할 경우, 디아민, 테레프탈산 및 아디프산의 몰비율은 약 100/61/39 내지 100/95/5이다. 테레프탈산, 이소프탈산 및 아디프산의 혼합물을 사용할 경우, 디아민, 테레프탈산 및 이소프탈산과 아디프산의 혼합물의 몰비율은 약 100/61/39 내지 100/95/5 범위이고, 혼합물 중의 이소프탈산 대 아디프산의 몰비율은 약 38/1 내지 1/38이다. 이러한 결정질 폴리프탈아미드는 본 발명의 조성물에 사용하는데 적합하며, 전술한 포프(Poppe) 등의 미국 특허 및 인용된 유럽 특허 출원의 교시에 따라 제조할 수 있다.
본 발명의 열가소성 조성물에 사용된 열가소성 수지의 양은 열가소성 조성물의 소정의 특성 및 이러한 조성물로부터 제조된 성형품의 소정의 특성에 근거한 양일 수 있다. 다른 요인으로서는, 사용된 LDS 첨가제의 유형 및/또는 양 및/또는 사용된 세라믹 충전제의 유형 및/또는 양을 들 수 있다. 한 실시양태에서, 열가소성 수지는 10 내지 90 중량%의 양으로 존재한다. 다른 실시양태에서, 열가소성 수지는 20 내지 80 중량%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시양태에서, 열가소성 수지는 30 내지 70 중량%의 양으로 존재한다.
열가소성 수지 이외에도, 본 발명의 조성물은 레이저 직접 구조화(LDS) 첨가제를 더 포함한다. LDS 첨가제는 조성물이 레이저 직접 구조화 방법에 사용될 수 있도록 선택된다. LDS 방법에서, LDS 첨가제는 레이저 빔에 노출되어 열가소성 조성물의 표면에 위치하고 LDS 첨가제로 금속 원자를 활성화시킨다. LDS 첨가제는 레이저 빔에 노출시 금속 원자가 활성화되고, 레이저 빔에 의해 노출되지 않은 영역에서는 금속 원자가 전혀 활성화되지 않도록 선택된다. 또한, LDS 첨가제는 레이저 빔에 노출된 후에 에칭 영역이 전도성 구조를 형성하도록 도금될 수 있게끔 선택된다. 본 명세서에 사용한 "도금될 수 있다"라는 표현은 거의 균일한 금속 도금층의 재료가 레이저 에칭된 영역 상에 도금될 수 있고 레이저 파라미터에 대하여 넓은 윈도우(window)를 나타냄을 의미한다.
조성물을 레이저 직접 구조화 방법에 사용 가능하게 하는 것 외에도, 본 발명에 사용되는 LDS 첨가제는 세라믹 충전제와 상승제로서 작용함으로써 유전율을 증가시키고 손실 탄젠트를 낮추는데 도움을 주도록 선택된다. 일반적으로, 세라믹 충전제만을 사용한 높은 Dk, 낮은 Df를 갖는 화합물은 LDS 기법에 의해 안테나를 제조하는데 사용될 수 없다. 그러나, LDS 첨가제, 예컨대 구리 크롬 옥사이드 스피넬을, 세라믹 충전제와 함께 첨가할 경우, LDS 방법에 의해 금속 시드(seed)가 형성될 수 있으며, LDS 방법을 수행하는 동안 레이저에 의해 활성화된 후 후속하는 도금에 의해 이러한 고Dk 저Df 재료 상에 도체 트랙 구조물이 배열될 수 있다. 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 분해되면 LDS 방법을 수행하는 동안 레이저로 활성화시키는 과정에서 중금속 핵이 형성된다. 이러한 핵들은 금속화 공정에서 금속화 층의 접착을 가능하게 함으로써 차후에 재료의 도금을 가능하게 한다. 따라서, 형성되는 재료의 손실 탄젠트는 낮다. 한 실시양태에서, 재료의 손실 탄젠트는 0.01 이하이다.
또한, LDS 첨가제는 재료의 유전율에 상승 효과를 제공하는 것으로 밝혀졌다. LDS 첨가제를 사용하지 않고 세라믹 충전제만을 사용할 경우, 특정한 수준의 유전율을 얻기 위해서는 많은 양의 세라믹 충전제가 필요하다. 따라서, 재료의 비중이 커진다. 그러나, LDS 첨가제를 첨가함으로써, 소량의 LDS 첨가제를 사용하고 세라믹 충전제 함량을 낮추어도 동일한 수준의 유전율을 달성할 수가 있다. 따라서, 보다 낮은 총 충전제 하중량 및 보다 낮은 비중을 달성할 수 있다. 결과적으로, 성형된 부품의 중량이 감소하여 경량의 경제적인 제품을 얻을 수 있다.
본 발명에 유용한 LDS 첨가제의 예로서는 중금속 복합 산화물 스피넬, 예컨대 구리 크롬 옥사이드 스피넬; 구리 염, 예컨대 구리 히드록사이드 포스페이트, 인산구리, 황산구리, 티오시안산제1구리; 또는 이러한 LDS 첨가제들 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있으나, 이들에 제한되는 것은 아니다.
한 실시양태에서, LDS 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 예컨대 구리 크롬 옥사이드 스피넬이다. 중금속 복합 산화물 스피넬을 사용하면, 조성물을 레이저 직접 구조화 방법에 사용할 수 있는 한편 사용되는 세라믹 충전제의 양을 줄일 수 있도록 조성물의 유전율 특성을 증강시킬 수 있으므로, 재료의 비중을 감소시키고 낮은 손실 탄젠트를 갖는 재료를 제공할 수 있다. 한 실시양태에서, LDS 첨가제는 0.1 내지 30 중량%의 양으로 존재한다. 다른 실시양태에서, LDS 첨가제는 0.2 내지 15 중량%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시양태에서, LDS 첨가제는 0.5 내지 10 중량%의 양으로 존재한다.
전술한 바와 같이, LDS 첨가제는 레이저로 활성화된 후에 후속하는 표준 무전해 도금 공정에 의해서 전도성 경로가 형성될 수 있도록 선택된다. LDS 첨가제를 레이저에 노출시킬 경우, 금속 원소가 방출된다. 레이저는 부품 상에 회로 패턴을 그리고, 금속 입자가 매립된 거친 표면을 남긴다. 이러한 입자들은 후속하는 도금 공정, 예컨대 구리 도금 공정에서 결정 성장을 위한 핵으로서 작용한다. 사용 가능한 다른 무전해 도금 공정으로는, 금 도금, 니켈 도금, 은 도금, 아연 도금, 주석 도금 등을 들 수 있으나, 이들에 제한되는 것은 아니다.
전술한 성분들 이외에도, 본 발명의 열가소성 조성물은 1종 이상의 유전율이 높은 세라믹 충전제를 포함한다. 세라믹 충전제는 재료의 유전율을 증가시키는데 도움을 주기 위해서 제공된다. 전술한 바와 같이, LDS 첨가제는 화합물의 유전율을 증가시키는데 도움을 준다. 따라서, 세라믹 충전제와 LDS 첨가제 사이의 상승 효과에 기인하여 동일한 수준의 유전율을 달성하는데 보다 적은 세라믹 충전제가 요구된다. 따라서, 유전율이 높은 재료를 얻을 수 있고/있거나 재료의 비중을 저하시키기 위해 사용되는 세라믹 충전제의 하중량을 감소시킬 수 있으므로, 낮은 손실 탄젠트를 갖는 재료를 제공할 수 있다.
한 실시양태에서, 유전율이 높은 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 이러한 충전제로서는 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체 등, 또는 전술한 바와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제들 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 따라서, 형성되는 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
무기 산화물의 예로는 산화칼슘, 이산화규소 등, 또는 이러한 무기 산화물 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 한 실시양태에서, 세라믹 충전제는 알칼리 금속, 알칼리토금속, 전이 금속, 메탈로이드, 희귀 금속 등의 금속 산화물, 또는 이들 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 포함한다. 금속 산화물의 예로는 지르코네이트, 티타네이트, 알루미네이트, 스타네이트, 니오베이트, 탄탈레이트, 희토류 산화물 등, 또는 이들 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
금속 산화물의 예로는 산화세륨, 산화마그네슘, 산화티타늄, 산화아연, 산화구리, 산화세륨, 산화니오븀, 산화탄탈, 산화이트륨, 산화지르코늄, 산화알루미늄(예: 알루미나 및/또는 발연 알루미나), CaTiO3, MgZrSrTiO6, MgTiO3, MgAl2O4, BaZrO3, BaSnO3, BaNb2O6, BaTa2O6, WO3, MnO2, SrZrO3, SnTiO4, ZrTiO4, CaZrO3, CaSnO3, CaWO4, MgTa2O6, MgZrO3, La2O3, CaZrO3, MgSnO3, MgNb2O6, SrNb2O6, MgTa2O6, Ta2O3 등 또는 이러한 금속 산화물 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
실리케이트의 예로는 Na2SiO3, LiAlSiO4, Li4SiO4, BaTiSi3O9, Al2Si2O7, ZrSiO4, KAlSi3O8, NaAlSi3O8, CaAl2Si2O8, CaMgSi2O6, Zn2SiO4 등, 또는 이러한 실시케이트 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
보라이드의 예로는 란탄 보라이드(LaB6), 세륨 보라이드(CeB6), 스트론튬 보라이드(SrB6), 알루미늄 보라이드, 칼슘 보라이드(CaB6), 티타늄 보라이드(TiB2), 지르코늄 보라이드(ZrB2), 바나듐 보라이드(VB2), 탄탈 보라이드(TaB2), 크롬 보라이드(CrB 및 CrB2), 몰리브덴 보라이드(MoB2, Mo2B5 및 MoB), 텅스텐 보라이드(W2B5) 등, 또는 이러한 보라이드 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
카바이드의 예로는 실리콘 카바이드, 텅스텐 카바이드, 탄탈 카바이드, 철 카바이드, 티타늄 카바이드 등, 또는 이러한 카바이드 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
나이트라이드의 예로는 실리콘 나이트라이드, 보론 나이트라이드, 티타늄 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 몰리브덴 나이트라이드 등, 또는 이러한 나이트라이드 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체의 예로는 바륨 티타네이트(BaTiO3), 스트론튬 티타네이트(SrTiO3), 바륨 스트론튬 티타네이트, 스트론튬 도우핑된 란탄 망가네이트, 란탄 알루미늄 옥사이드(LaAlO3), 칼슘 구리 티타네이트(CaCu3Ti4O12), 카드뮴 구리 티타네이트(CdCu3Ti4O12), Ca1 - xLaxMnO3, (Li,Ti) 도우핑된 NiO, 란탄 스트론튬 구리 옥사이드(LSCO), 이트륨 바륨 구리 옥사이드(YBa2Cu3O7), 납 지르코네이트 티타네이트, 란탄 개질된 납 지르코네이트 티타네이트 등, 또는 이러한 페로브스카이트와 페로브스카이트 유도체 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
본 발명의 열가소성 조성물에 사용되는 세라믹 충전제의 양은 열가소성 조성물 및 그 조성물로부터 제조되는 성형품의 소정의 특성에 근거한 양일 수 있다. 다른 요인으로서는 사용된 LDS 첨가제의 유형 및/또는 양 및/또는 사용된 열가소성 수지의 유형 및/또는 양을 들 수 있다. 한 실시양태에서, 세라믹 충전제는 10 내지 80 중량%의 양으로 존재한다. 다른 실시양태에서, 세라믹 충전제는 20 내지 70 중량%의 양으로 존재한다. 또 다른 실시양태에서, 세라믹 충전제는 30 내지 60 중량%의 양으로 존재한다.
열가소성 수지, LDS 첨가제 및 세라믹 충전제 이외에도, 본 발명의 열가소성 조성물은 이러한 유형의 수지에 통상적으로 혼입되는 다양한 첨가제들을 포함할 수 있다. 첨가제들의 혼합물을 사용할 수도 있다. 이와 같은 첨가제들은 조성물을 형성하기 위한 성분들을 혼합하는 동안에 적당한 시기에 혼합시킬 수 있다. 1종 이상의 첨가제를 열가소성 조성물에 포함시켜서 열가소성 조성물 및 그로부터 제조된 성형품에 한 가지 이상의 소정의 특성을 부여한다. 본 발명에 포함될 수 있는 첨가제의 예로는, 열 안정제, 가공 안정제, 항산화제, 광 안정제, 가소제, 대전방지제, 이형제, UV 흡수제, 윤활제, 안료, 염료, 착색제, 유동 촉진제 또는 이러한 첨가제들 중 1종 이상의 혼합물을 들 수 있으나, 이들에 제한되는 것은 아니다.
적당한 열 안정제의 예로는, 유기 포스파이트, 예컨대 트리페닐 포스파이트, 트리스-(2,6-디메틸페닐)포스파이트, 트리스-(혼합된 모노- 및 디-노닐페닐)포스파이트 등; 포스포네이트, 예컨대 디메틸벤젠 포스포네이트 등; 포스페이트, 예컨대 트리메틸 포스페이트 등, 또는 이러한 열 안정제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 열 안정제는 일반적으로 임의의 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 0.5 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 항산화제의 예로는, 유기 포스파이트, 예컨대 트리스(노닐 페닐)포스파이트, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트, 비스(2,4-디-t-부틸페닐)펜타에리트리톨 디포스파이트, 디스테아릴 펜타에리트리톨 디포스파이트 등; 알킬화 모노페놀 또는 폴리페놀; 폴리페놀과 디엔의 알킬화 반응 생성물, 예컨대 테트라키스[메틸렌(3,5-디-t-부틸-4-히드록시히드로신나메이트)]메탄 등; 파라크레졸 또는 디시클로펜타디엔의 부틸화 반응 생성물; 알킬화 히드로퀴논; 히드록시화 티오디페닐 에테르; 알킬리덴-비스페놀; 벤질 화합물; 베타-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시페닐)프로피온산과 1가 또는 다가 알코올과의 에스테르; 베타-(5-tert-부틸-4-히드록시-3-메틸페닐)프로피온산과 1가 또는 다가 알코올과의 에스테르; 티오알킬 또는 티오아릴 화합물의 에스테르, 예컨대 디스테아릴티오프로피오네이트, 디라우릴티오프로피오네이트, 디트리데실티오디프로피오네이트, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 펜타에리트리틸-테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트 등; 베타-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피온산 등의 아미드, 또는 이러한 항산화제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 항산화제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 0.5 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 광 안정제의 예로는, 벤조트리아졸, 예컨대 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸 및 2-히드록시-4-n-옥톡시벤조페논 등 또는 이러한 광 안정제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 광 안정제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 1.0 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 가소제의 예로는, 프탈산 에스테르, 예컨대 디옥틸-4,5-에폭시-헥사히드로프탈레이트, 트리스-(옥톡시카르보닐에틸)이소시아누레이트, 트리스테아린, 에폭시화 대두유 등, 또는 이러한 가소제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 가소제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.5 내지 3.0 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 대전방지제의 예로는, 글리세롤 모노스테아레이트, 나트륨 스테아릴 설포네이트, 나트륨 도데실벤젠설포네이트 등, 또는 이러한 대전방지제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 한 실시양태에서, 탄소 섬유, 탄소 나노섬유, 탄소 나노튜브, 카본블랙, 또는 이들의 임의의 혼합물을 화학적 대전방지제를 함유하는 중합체 수지에 사용하여 조성물에 정전기 소멸성을 부여할 수 있다.
적당한 이형제의 예로는, 금속 스테아레이트, 스테아릴 스테아레이트, 펜타에리트리톨 테트라스테아레이트, 밀납, 몬탄 왁스, 파라핀 왁스 등, 또는 이러한 이형제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 이형제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 1.0 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 UV 흡수제의 예로는, 히드록시벤조페논; 히드록시벤조트리아졸; 히드록시벤조트리아진; 시아노아크릴레이트; 옥사닐리드; 벤조옥사진온; 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(CYASORBTM 5411); 2-히드록시-4-n-옥틸옥시벤조페논(CYASORBTM 531); 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-(옥틸옥시)페놀(CYASORBTM 1164); 2,2'-(1,4-페닐렌)비스(4H-3,1-벤즈옥사진-4-온)(CYASORBTM UV-3638); 1,3-비스[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴로일)옥시]-2,2-비스[[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴로일)옥시]메틸]프로판(UVINULTM 3030); 2,2'-(1,4-페닐렌)비스(4H-3,1-벤즈옥사진-4-온); 1,3-비스[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴로일)옥시]-2,2-비스[[(2-시아노-3,3-디페닐아크릴로일)옥시]메틸]프로판; 나노 크기 무기 물질, 예컨대 산화티타늄, 산화세륨 및 산화아연(입자 크기가 모두 100 나노미터 미만임) 등, 또는 이러한 UV 흡수제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. UV 흡수제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.01 내지 3.0 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 윤활제의 예로는, 지방산 에스테르, 예컨대 알킬 스테아릴 에스테르(예: 메틸 스테아레이트) 등; 메틸 스테아레이트와 친수성 및 소수성 계면 활성제의 혼합물, 예컨대 폴리에틸렌 글리콜 중합체, 폴리프로필렌 글리콜 중합체 및 이들의 공중합체의 혼합물(예: 적당한 용매 중의 메틸 스테아레이트와 폴리에틸렌-폴리프로필렌 글리콜 공중합체), 또는 이러한 윤활제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 윤활제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 5 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 안료의 예로는, 무기 안료, 예컨대 금속 산화물과 복합 금속 산화물, 예를 들면 산화아연, 이산화티타늄, 산화철 등; 설파이드, 예컨대 황화아연 등; 알루미네이트; 나트륨 설포실리케이트; 설페이트 및 크로메이트; 카본 블랙; 아연 페라이트; 울트라마린 블루; 피그먼트 브라운 24; 피그먼트 레드 101; 피그먼트 옐로우 119; 유기 안료, 예컨대 아조, 디아조, 퀴나크리돈, 페릴렌, 나프탈렌 테트라카르복실산, 플라반트론, 이소인돌린온, 테트라클로로이소인돌린온, 안트라퀴논, 안탄트론, 디옥사진, 프탈로시아닌 및 아조 레이크(lake); 피그먼트 블루 60, 피그먼트 레드 122, 피그먼트 레드 149, 피그먼트 레드 177, 피그먼트 레드 179, 피그먼트 레드 202, 피그먼트 바이올렛 29, 피그먼트 블루 15, 피그먼트 그린 7, 피그먼트 옐로우 147 및 피그먼트 옐로우 150, 또는 이러한 안료 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 안료는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 10 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 염료의 예로는, 유기 염료, 예컨대 쿠마린 460(청색), 쿠마린 6(녹색), 나일 레드 등; 란타나이드 복합체; 탄화수소 및 치환된 탄화수소 염료; 폴리시클릭 방향족 탄화수소; 신틸레이션 염료(바람직하게는 옥사졸 및 옥사디아졸); 아릴- 또는 헤테로아릴-치환된 폴리(2-8 올레핀); 카르보시아닌 염료; 프탈로시아닌 염료 및 안료; 옥사진 염료; 카르보스티릴 염료; 포르피린 염료; 아크리딘 염료; 안트라퀴논 염료; 아릴메탄 염료; 아조 염료; 디아조늄 염료; 니트로 염료; 퀴논 이민 염료; 테트라졸륨 염료; 티아졸 염료; 페릴렌 염료, 페린온 염료; 비스-벤즈옥사졸릴티오펜(BBOT); 및 크산텐 염료; 형광단, 예컨대 근적외선 파장에서 흡수하고 가시선 파장에서 방출하는 반스톡스(anti-stokes) 전이 염료 등; 발광 염료, 예컨대 5-아미노-9-디에틸이미노벤조(a)페녹사조늄 퍼클로레이트; 7-아미노-4-메틸카르보스티릴; 7-아미노-4-메틸쿠마린; 3-(2'-벤즈이미다졸릴)-7-N,N-디에틸아미노쿠마린; 3-(2'-벤조티아졸릴)-7-디에틸아미노쿠마린; 2-(4-비페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 2-(4-비페닐)-6-페닐벤즈옥사졸-1,3; 2,5-비스-(4-비페닐릴)-1,3,4-옥사디아졸; 2,5-비스-(4-비페닐릴)-옥사졸; 4,4'-비스-(2-부틸옥틸옥시)-p-쿼터페닐; p-비스(o-메틸스티릴)-벤젠; 5,9-디아미노벤조(a)페녹사조늄 퍼클로레이트; 4-디시아노메틸렌-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란; 1,1'-디에틸-2,2'-카르보시아나이드 요오다이드; 3,3'-디에틸-4,4',5,5'-디벤조티아트리카르보시아나이드 요오다이드; 7-디에틸아미노-4-메틸쿠마린; 7-디에틸아미노-4-트리플루오로메틸쿠마린; 2,2'-디메틸-p-쿼터페닐; 2,2-디메틸-p-테르페닐; 7-에틸아미노-6-메틸-4-트리플루오로메틸쿠마린; 7-에틸아미노-4-트리플루오로메틸쿠마린; 나일 레드; 로다민 700; 옥사진 750; 로다민 800; IR 125; IR 144; IR 140; IR 132; IR26; IR5; 디페닐헥사트리엔; 디페닐부타디엔; 테트라페닐부타디엔; 나프탈렌; 안트라센; 9,10-디페닐안트라센; 피렌; 크리센; 루브렌; 코로넨; 페난트렌 등, 또는 이러한 염료 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 염료는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 5 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 착색제의 예로는, 이산화티타늄, 안트라퀴논, 페릴렌, 페린온, 인단트론, 퀴나크리돈, 크산텐, 옥사진, 옥사졸린, 티오크산텐, 인디고이드, 티오인디고이드, 나프탈이미드, 시아닌, 크산텐, 메틴, 락톤, 쿠마린, 비스-벤즈옥사졸릴티오펜(BBOT), 나프탈렌테트라카르복실산 유도체, 모노아조 및 디스아조 염료, 트리아릴메탄, 아미노케톤, 비스(스티릴)비페닐 유도체 등뿐만 아니라 이러한 착색제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 착색제는 일반적으로 임의의 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 0.1 내지 5 중량부의 양으로 사용된다.
적당한 발포제의 예로는, 비등점이 낮은 할로탄화수소 및 이산화탄소를 발생하는 발포제; 실온에서 고체이고 그 분해 온도보다 높은 온도로 가열할 경우 질소, 이산화탄소, 암모니아 기체와 같은 기체를 발생하는 발포제, 예를 들면 아조디카본아미드, 아조디카본아미드의 금속염, 4,4'-옥시비스(벤젠설포닐히드라지드), 중탄산나트륨, 탄산암모늄 등, 또는 이러한 발포제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다. 발포제는 일반적으로 충전제를 제외한 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 20 중량부의 양으로 사용된다.
또한, 유동성 및 다른 특성을 향상시키는 물질, 예컨대 저분자량 탄화수소 수지를 조성물에 첨가할 수 있다. 특히 유용한 부류의 저분자량 탄화수소 수지는 석유 C5 내지 C9 공급원료로부터 유도된 것들로서, 이들은 석유 크래킹으로부터 얻은 불포화 C5 내지 C9 단량체로부터 유도된다. 그 예로는, 올레핀, 예컨대 펜텐, 헥센, 헵텐 등; 디올레핀, 예컨대 펜타디엔, 헥사디엔 등; 시클릭 올레핀과 디올레핀, 예컨대 시클로펜탄, 시클로펜타디엔, 시클로헥센, 시클로헥사디엔, 메틸 시클로펜타디엔 등; 시클릭 디올레핀 디엔, 예컨대 디시클로펜타디엔, 메틸시클로펜타디엔 이합체 등; 및 방향족 탄화수소, 예컨대 비닐톨루엔, 인덴, 메틸린덴 등을 들 수 있으나, 이들에 제한되는 것은 아니다. 상기 수지는 또한 부분적으로 또는 완전히 수소첨가된 것일 수 있다.
마지막으로, 다른 실시양태에서, 본 발명의 조성물은 1종 이상의 보강 충전제를 포함한다. 이러한 충전제는 추가적인 충격 강도를 부여하고/하거나 열가소성 조성물의 최종 선택된 특성에 근거할 수 있는 추가적인 특성을 제공하도록 선택될 수 있다. 적당한 충전제 또는 보강제의 예로는, TiO2; 섬유, 예컨대 석면 등; 실리케이트 및 실리카 분말, 예컨대 알루미늄 실리케이트(뮬라이트), 합성 칼슘 실리케이트, 지르코늄 실리케이트, 발연 실리카, 결정질 실리카 그래파이트, 천연 실리카 샌드 등; 붕소 분말, 예컨대 질화붕소 분말, 보론 실리케이트 분말 등; 알루미나; 산화마그네슘(마그네시아); 황산칼슘(무수물, 이수화물 또는 삼수화물 형태); 탄산칼슘, 예컨대 쵸크, 석회석, 대리석, 합성 침전 탄산칼슘 등; 탈크, 예컨대 섬유상, 모듈식, 침상, 층상 탈크 등; 규회석; 표면 처리된 규회석; 유리 구형체, 예컨대 중공형 및 고형 유리구, 실리케이트 구형체, 세노스피어(cenosphere), 알루미노실리케이트(아모스피어) 등; 고령토, 예컨대 경질 고령토, 연질 고령토, 하소된 고령토, 중합체 매트릭스 수지와의 상용성을 도모하기 위해 관련분야에서 공지된 각종 코팅을 포함하는 고령토 등; 단결정 섬유 또는 "휘스커(whisker)", 예컨대 실리콘 카바이드, 알루미나, 보론 카바이드, 철, 니켈, 구리 등; 유리 섬유(연속 섬유 및 절단 섬유 포함), 예컨대 E, A, C, ECR, R, S, D 및 NE 유리 및 석영 등; 설파이드, 예컨대 황화몰리브덴, 황화아연 등; 바륨 화합물, 에컨대 바륨 티타네이트, 바륨 페라이트, 황산바륨, 중섬광석 등; 금속 및 금속 산화물, 예컨대 입자상 또는 섬유상의 알루미늄, 청동, 아연, 구리 및 니켈 등; 박편형 충전제, 예컨대 유리 박편, 실리콘 카바이드 박편, 알루미늄 디보라이드 박편, 알루미늄 박편, 스틸 박편 등; 섬유상 충전제, 예를 들면 무기 단섬유, 예컨대 1종 이상의 알루미늄 실리케이트, 산화알루미늄, 산화마그네슘 및 황산칼슘 반수화물 등; 천연 충전제 및 보강제, 예컨대 목재를 분쇄하여 얻은 목분, 섬유상 생성물, 예컨대 셀룰로오스, 면, 사이잘(sisal), 황마, 전분, 코르크 분말, 리그닌, 분쇄된 견과류 껍질, 옥수수, 벼 낟알 겉껍질 등; 섬유를 형성할 수 있는 유기 중합체, 예컨대 폴리(에테르 케톤), 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸, 폴리(페닐렌 설파이드), 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 아크릴 수지, 폴리(비닐 알코올) 등으로부터 형성된 섬유상 유기 보강 충전제; 및 추가의 충전제 및 보강제, 예컨대 운모, 점토, 장석, 연진, 필라이트, 석영, 규암, 진주암, 트리폴리, 규조토, 카본 블랙 등, 또는 이러한 충전제 또는 보강제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물을 들 수 있다.
충전제 및 보강제를 실란으로 표면 코팅 처리하여 접착력 및 중합체 매트릭스 수지와의 분산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 보강 충전제는 모노필라멘트 또는 멀티필라멘트 섬유 형태로 제공될 수 있으며, 단독으로 또는 다른 유형의 섬유와 함께(예를 들면, 동시 편직 또는 코어/외장, 평행형, 오렌지형 또는 매트릭스 및 소섬유 구성을 통해서, 또는 섬유 제조 분야의 당업자들에게 공지된 다른 방법에 의해서) 사용될 수 있다. 섬유상 충전제는 예를 들면 연방(roving), 섬유 직물 보강제, 예컨대 0~90도 직물 등; 부직 섬유 보강제, 예컨대 연속 스트랜드 매트, 절단 스트랜드 매트, 티슈, 종이 및 펠트 등; 또는 입체 보강제, 예컨대 브레이드(braid)의 형태로 공급될 수 있다. 충전제는 일반적으로 총 조성물 100 중량부를 기준으로 하여 1 내지 50 중량부의 양으로 사용된다.
본 발명의 열가소성 조성물은 열가소성 수지를 형성하기 위해 여러 가지 성분을 화합시키는 공지의 방법을 사용해서 제조할 수 있다. 한 실시양태에서는, 성분들을 먼저 고속 혼합기에서 배합한다. 기타 저전단 방법으로도 이러한 배합 단계를 수행할 수 있으며, 그러한 방법의 예로 수동 혼합을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이어서, 배합물을 호퍼를 통해서 이축 압출기의 네크부(throat) 내로 공급한다. 다른 방법으로서, 1종 이상의 성분을 사이드 충전기를 통해서 네크부 및/또는 하류에서 압출기 내로 직접 공급함으로써 조성물 내로 혼입시킬 수도 있다. 압출기는 일반적으로 조성물을 유동시키는데 필요한 온도보다 높은 온도에서 작동시킨다. 압출물을 즉시 수조에서 급냉시키고 펠릿을 성형한다. 압출물을 절단할 경우에 제조된 펠릿은 필요에 따라 길이가 1/4 인치 이하일 수 있다. 이와 같은 펠릿을 후속하는 주형, 성형, 또는 제조 단계에 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 열가소성 조성물을 포함하는 성형, 제조 또는 주형된 물품도 본 발명에 의해 제공된다. 열가소성 조성물은 여러 가지 수단, 예컨대 사출 성형, 압출, 회전 성형, 블로우 성형 및 열성형에 의해 유용한 성형품으로 성형되ㅇ, 예를 들면 개인용 컴퓨터, 노트북 및 휴대형 검퓨터, 휴대폰 안테나 및 기타 통신 장비, 의료 용도, RFID 용도, 자동차 용도 등과 같은 물품을 제조할 수 있다.
이하에서는 실시예에 의거하여 본 발명을 설명하고자 하나, 후술하는 실시예가 본 발명의 보호범위를 제한하는 것은 결코 아니다.
실시예
실시예에서는, LDS 첨가제(구리 크롬 옥사이드 스피넬)가 중합체/세라믹 충전제 조성물의 유전율 및 도금성에 미치는 영향을 조사하였다. 이러한 실시예에서, 중합체 기재 수지는 폴리(아릴렌 에테르)(NORYL® PPO, 사빅 이노베이티브 플라스틱스에서 시판함)이고, 세라믹 충전제는 BaTiO3(우시 노벨 일렉트로닉스 컴패니 리미티드에서 시판함) 및 TiO2(듀퐁에서 시판함) 및 이들의 혼합물이었다. BaTiO3 대 TiO2의 비율은 39/21이었다. LDS 첨가제는 구리 크롬 스피넬(PK3095, 페로 파 이스트 리미티드에서 시판함)이었다. LDS 첨가제가 도금성 및 비중에 미치는 영향을 하기 표 1에 제시하였다.
정성적 접착 테스트(ASTM D3359-93)를 사용하여 재료가 도금 가능한지 여부를 알아보았다. 테스트 방법(ASTM D3359-93)상 레이저 에칭된 영역에 도포된 전도성 금속의 도금층에 X자 절단부를 형성할 필요가 있었다. 이러한 X자 절단부 상에 도포된 감압성 테이프는 테스트 재료로부터 제거된 위치에서 금속-기재 접착력의 정성적인 척도를 제공한다. 테스트 테이프를 제거한 후에, 금속의 방출 또는 보류를 나타내는 적당한 척도를 사용하여 금속-기재 접착력을 평가할 수 있다. 또한, 표면에 대한 도금된 금속의 접착성 또는 결합성은 표준 테스트 IPC-TM-650에 요약된 절차를 사용해서 측정하였다. 평균 박리 강도는 4.1N이고, 테스트한 평균 접착력은 약 1.4 N/mm이었다.
PPO/BaTiO3/TiO2 화합물의 유전율 및 도금성에 미치는 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 영향
기재수지 유전율
(900 MHz에서)
 LDS 첨가제 및 잔여 PPO 기재의 기재된 양을 사용하여 주어진 유전율을 달성하는데 필요한 세라믹 충전제의 중량% 비중 레이저 에칭 후의 도금성
w/o
PK
3095		 5%
PK
3095		 10%
PK
3095		 20%
PK
3095		 w/o
PK
3095		 5%
PK
3095		 10%
PK
3095		 20%
PK
3095		 w/o
PK
3095		 5%
PK
3095		 10%
PK
3095		 20%
PK
3095
PPO 기재
 4.1 40% 30% 25% 1.38 1.36 1.35 도금 불가 최적화된 레이저 파라미터를 사용해서 도금가능 우수
4.7 50% 35% 32.5% 1.75 1.71 1.69 도금 불가 최적화된 레이저 파라미터를 사용해서 도금가능 우수
6.1 60% 52% 45% 1.85 1.82 1.8 도금불가 최적화된 레이저 파라미터를 사용해서 도금가능 우수
6.7 미달 미달 55% 40% / / 2.06 2.02 / / 우수 우수
상기 표에서 볼 수 있는 바와 같이, 구리 크롬 옥사이드 스피넬 첨가제를 사용하지 않을 경우, 상기 화합물은 레이저 에칭 후에 전혀 도금이 불가능하였다. 그러나, 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 첨가할 경우, 구리는 도금 가능하며, 구리 스트라이크(strike)는 테이프 박리 테스트를 통과할 수 있었다. 또한, 첨가제의 양이 증가함에 따라 재료의 도금성도 증가하였다.
또한, 표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 구리 크롬 옥사이드 스피넬 첨가제를 사용하지 않을 경우 4.1 수준의 유전율을 달성하기 위해서 40%의 세라믹 충전제를 첨가할 필요가 있었다. 그러나, 동일한 수준의 유전율을 달성하기 위해서, 10%의 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 첨가할 경우에는, 단 25 중량%의 세라믹 충전제를 첨가할 필요가 있었다. 결과적으로, LDS 첨가제를 사용하면 동일한 수준의 유전율을 달성하기 위한 충전제 총 하중량(구리 크롬 옥사이드 스피넬 + 세라믹 충전제)이 감소된다. 따라서, 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 첨가하지 않을 경우에 비해서 비중이 낮아진다. 이러한 경향은 유전율이 4.7인 화합물 및 유전율이 6.1인 화합물에서도 확인할 수 있다. 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 존재 하에서, 동일한 수준의 유전율을 달성하기 위해 필요한 세라믹 충전제의 하중량이 감소되므로, 비중이 낮은 조성물을 얻을 수 있다. 또한, 구리 크롬 스피넬을 사용하지 않을 경우에는, PPO/세라믹 충전제 화합물이 6.7까지의 Dk를 달성할 수 없다. 그러나, 상기 표 결과에서 볼 수 있는 바와 같이, 20 중량%의 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함시킬 경우에는 PPO/세라믹 충전제 화합물에 단 40 중량%의 세라믹 충전제를 사용하여도 이러한 높은 수준의 Dk를 달성할 수 있다. 또한, 형성되는 물질은 레이저 에칭 및 도금이 가능하다.
구리 크롬 옥사이드 스피넬 단독으로는 중합체의 유전율을 그다지 증가시킬 수 없다. 5% 및 10% 구리 크롬 옥사이드를 사용할 경우, 단지 2.6(순수한 PPO 수준)의 유전율을 달성할 수 있었다. 그러나, 세라믹 충전제를 첨가할 때 구리 크롬 옥사이드 스피넬 첨가제를 병용 첨가하면 유전율을 증가시킬 수 있음과 동시에, 최종 생성물의 레이저 에칭 후 도금성의 장점도 제공할 수 있다.
극성이 상이한 다른 수지에 대한 추가의 실험, 예컨대 PA66 및 PPA를 사용한 경우의 높은 유전율을 조사하였다. PA66은 바스프 코오포레이션에서 시판하는 A27E01이고, PPA는 솔베이에서 시판하는 Amodel AS-1566HS BK 324이다. 기재 수지로서 PPO를 사용할 경우에, PA66 또는 PPA와 세라믹 충전제만의 화합물은 도금이 전혀 불가능하였다. 그러나, 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 첨가하면, 재료를 쉽게 도금할 수 있었다. 이러한 화합물에서, 이와 같은 도금성을 달성하기 위한 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 하중량은 5% 미만일 수 있다.
PA66/세라믹 충전제 화합물에 대하여, 구리 크롬 옥사이드 스피넬 첨가제의 존재는 또한 하기 표 2에 제시된 바와 같이 유전율 수준에 따라서 상이한 정도로 세라믹 충전제 하중량을 감소시킨다. 이러한 결과는 앞서 거론한 PPO 수지에 대한 결과와 일치한다. PPO계 수지의 경우와 마찬가지로, LDS 첨가제를 사용함으로써 동일한 수준의 유전율을 달성하기 위한 총 충전제 하중량(세라믹 충전제 + 구리 크롬 옥사이드 스피넬)이 감소된다. 이러한 현상은 PPA/세라믹 충전제 화합물에서도 관찰될 수 있다.
PA/BaTiO3/TiO2 화합물의 유전율 및 도금성에 미치는 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 영향
기재 수지
 유전율 (900 MHz에서)
 LDS 첨가제와 잔여 PA 기재의 기재된 양을 사용하여 주어진 유전율을 달성하는데 필요한 세라믹 충전제 중량% 비중 레이저 에칭 후의
도금성
w/o
PK3095		 5%
PK3095		 w/o
PK3095		 5%
PK3095		 w/o
PK3095		 5%
PK3095
PA 기재
 4.1 25% 15% 1.4 1.37 도금불가 우수
4.8 40% 25% 1.62 1.48 도금불가 우수
6 45% 35% 1.77 1.65 도금불가 우수
하기 표 3은 PPO/PA/세라믹 충전제 화합물에서 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 유사한 상승 효과를 보여준다. 하기 표에서 볼 수 있는 바와 같이, PPO와 PA의 혼합물을 사용할 경우에도, PPO 단독 및 PA 단독 실시양태에서 볼 수 있는 것과 유사한 효과를 확인할 수 있다.
PPO/PA/BaTiO3/TiO2 화합물의 유전율 및 도금성에 미치는 구리 크롬 옥사이드 스피넬의 영향
기재 수지
 유전율 (900 MHz에서)
 LDS 첨가제와 잔여 PPO/PA 혼합물의 기재된 양을 사용하여 주어진 유전율을 달성하는데 필요한 세라믹 충전제 중량% 비중 레이저 에칭 후의
도금성
w/o
PK3095		 5%
PK3095		 w/o
PK3095		 5%
PK3095		 w/o
PK3095		 5%
PK3095
PPO/PA
혼합물		 4.3 40 32 1.5 1.41 도금불가 우수
5.4 50 40 1.74 1.61 도금불가 우수
6.8 60 50 1.85 1.78 도금불가 우수
하기 일련의 실시예에서는, 다른 LDS 첨가제의 효과를 조사하였다. 하기 실시예에서, 토칸 매터리얼 테크놀로지 컴패니 리미티드에서 시판하는 구리 몰리브덴 옥사이드(CMO)를 사용하였으며, 상기 첨가제는 중합체/세라믹 충전제 화합물의 Dk 에 미치는 유사한 상승 효과를 나타내었다. PA66/세라믹 충전제 화합물의 경우에, CMO의 존재는 하기 표 4에서 볼 수 있는 바와 같이 유전율 수준에 따라서 상이한 정도로 세라믹 충전제 하중량을 감소시킬 수 있다.
PA/BaTiO3/TiO2 화합물의 유전율 및 도금성에 미치는 구리 몰리브덴 옥사이드의 영향
기재 수지
 유전율 (900 MHz에서)
 LDS 첨가제와 잔여 PA 수지의 기재된 양을 사용하여 주어진 유전율을 달성하는데 필요한 세라믹 충전제 중량% 비중 레이저 에칭 후의
도금성
w/o
CMO		 5%
CMO		 w/o
CMO		 5%
CMO		 w/o
CMO		 5%
CMO
PA 기재
 4.1 25% 10% 1.4 1.32 도금불가 우수
4.8 40% 20% 1.62 1.41 도금불가 우수
6 45% 30% 1.77 1.53 도금불가 우수
요약하자면, 한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 수지 기재는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
요약하자면, 한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 수지 기재는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 갖는다.
요약하자면, 한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 수지 기재는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
요약하자면, 한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 수지 기재는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고(여기서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨), 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
한 실시양태에서, 제품은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하는 열가소성 조성물을 포함하고, 여기서 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 제품은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하는 열가소성 조성물을 포함하고, 여기서 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
한 실시양태에서, 제품은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하는 열가소성 조성물을 포함하고, 여기서 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 제품은 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 휴대형 검퓨터 또는 휴대폰, 의료 장치, 자동차 용도 또는 RFID 용도로부터 선택된다.
다른 실시양태에서, 제품은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%(여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 ㄸ또 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하는 열가소성 조성물을 포함하고, 여기서 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 제품은 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 휴대형 검퓨터 또는 휴대폰, 의료 장치, 자동차 용도 또는 RFID 용도로부터 선택된다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 여기서 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%(여기서, 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 옥사이드 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택됨); 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 열가소성 수지 기재는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다.
다른 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된다. 여기서, 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택될 수 있고; 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택될 수 있으며; 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함할 수 있으며; 및/또는 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및/또는 0.01 이하의 손실 탄젠트를 가질 수 있다. 또한, 제품은 상기 조성물을 포함할 수 있다. 상기 제품은 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 휴대형 컴퓨터 또는 휴대폰, 의료 장치, 자동차 용도, 또는 RFID 용도로부터 선택될 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있다. 상기 조성물은 4 이상의 유전율을 가질 수 있고; 상기 열가소성 기재 수지는 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택될 수 있고; 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택될 수 있으며; 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제는 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함할 수 있고; 상기 1종 이상의 세라믹 충전제는 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택될 수 있으며; 및/또는 상기 조성물은 4 이상의 유전율 및/또는 0.01 이하의 손실 탄젠트를 가질 수 있다.
한 실시양태에서, 열가소성 조성물을 제조하는 방법은 압출기에서 a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%; b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및 c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 열가소성 조성물은 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있으며, 상기 조성물은 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는다.
이상에서는 대표적인 실시양태를 구체적으로 예시하였지만, 본 발명의 보호범위가 이러한 실시양태에 제한되는 것은 결코 아니다. 따라서, 당업자라면 본 발명의 기술사상과 보호범위를 벗어나지 않는 본 발명의 다양한 개조예, 변형예 및 변경예를 명확히 파악할 수 있을 것이다.

Claims (16)

  1. a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%;
    b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및
    c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 포함하고, 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있는 것인, 열가소성 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 열가소성 기재 수지가 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된 것인 열가소성 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제가 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된 것인 열가소성 조성물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제가 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 것인 열가소성 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제가 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된 것인 열가소성 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 4 이상의 유전율을 갖는 열가소성 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는 열가소성 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에서 정의한 조성물을 포함하는 제품.
  9. 제 8 항에 있어서, 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 휴대형 컴퓨터 또는 휴대폰, 의료 장치, 자동차 용도 또는 RFID 용도로부터 선택된 것인 제품.
  10. 압출기에서
    a) 열가소성 기재 수지 10 내지 90 중량%;
    b) 레이저 직접 구조화용 첨가제 0.1 내지 30 중량%; 및
    c) 1종 이상의 세라믹 충전제 10 내지 80 중량% 이하를 혼합하는 단계를 포함하는, 레이저를 사용해서 활성화된 후에 도금될 수 있는 열가소성 조성물을 제조하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 열가소성 기재 수지가 폴리아미드, 폴리(아릴렌 에테르), 폴리프탈아미드 또는 이러한 열가소성 기재 수지 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된 것인 방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제가 중금속 복합 산화물 스피넬, 구리 염, 또는 이러한 레이저 직접 구조화용 첨가제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된 것인 방법.
  13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 레이저 직접 구조화용 첨가제가 구리 크롬 옥사이드 스피넬을 포함하는 것인 방법.
  14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1종 이상의 세라믹 충전제가 900 MHz 이상에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 가지며, 무기 산화물, 금속 산화물, 실리케이트, 보라이드, 카바이드, 나이트라이드, 페로브스카이트 및 페로브스카이트 유도체, 또는 이와 같은 900 MHz에서 측정하였을 때 25 이상의 유전율을 갖는 충전제 중 1종 이상을 포함하는 혼합물로부터 선택된 것인 방법.
  15. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물이 4 이상의 유전율을 갖는 것인 방법.
  16. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물이 0.01 이하의 손실 탄젠트를 갖는 것인 방법.
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