KR20100129155A - 액정 표시 장치의 제작 방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은 안정된 블루상을 나타내는 액정층을 갖는 액정 표시 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
제 1 기판 위에 열 경화형의 제 1 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과, 제 1 기판 위의 제 1 씰재 외측에, 광 및 열 경화형의 제 2 씰재를 형성하는 제 2 공정과, 제 1 씰재 내측에 어느 온도에서 블루상을 나타내는 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과, 감압 분위기에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과, 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 5 공정과, 열 처리에 의하여 제 1 씰재를 경화시키는 제 6 공정을 행한다.

Description

액정 표시 장치의 제작 방법{METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 액정 표시 장치 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
근년에 들어, 브라운관과 비교하여, 박형, 경량화를 도모한 표시 장치(플랫 패널 디스플레이)에 대하여, 개발이 진행되고 있다. 플랫 패널 디스플레이에는, 액정 소자를 갖는 액정 표시 장치, EL(Electro Luminescence) 소자 등의 자기 발광 소자를 갖는 EL 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 등이 존재하고, 시장에 있어서는, 이들이 경합하고 있다.
현시점에서 각각의 플랫 패널 디스플레이에는, 일장일단이 있지만, 액정 표시 장치가 다른 플랫 패널 디스플레이와 비교하여, 떨어진 점 중의 하나에, 소자의 응답 속도(표시의 전환 속도)가 있다. 응답 속도의 결점을 극복하기 위하여, 지금까지도 다양한 기술이 제안되어 왔다. 종래의, 소위 TN(Twisted Nematic) 모드라고 불리는 액정 구동 방식을 채용하는 액정 소자에서는, 그 응답 속도가 10ms 정도였지만, OCB(Optical Compensated Birefringence) 모드나, FLC(Ferroelectric Liquid Crystal) 모드 등의 방식을 사용함으로써, 1ms 정도까지의 응답 속도의 향상이 실현되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
이와 같은 액정의 구동 방식과 함께 주목되는 기술로서, 블루상이라고 불리는 상태를 액정 표시 소자에 사용하는 기술이 있다. 블루상은, 나선 피치가 비교적으로 짧은 키랄 네마틱(Chiral Nematic)상과 등방상 사이에 출현하는 액정상이고, 극히 응답 속도가 높다는 특징을 구비한다. 또한, 블루상을 사용하는 경우, 배향막이 불필요하고, 또 광시야각화를 달성할 수 있으므로, 실용화가 기대된다. 그러나, 블루상은 콜레스테릭(Cholesteric)상과 등방상 사이의 불과 1℃ 내지 3℃의 온도 범위에서만 발현하기 때문에, 소자의 정밀한 온도 제어가 필요하게 되는 것이 문제로 되어 있다.
이 문제를 해결하기 위하여, 고분자 안정화 처리를 행함으로써, 블루상의 온도 범위를 확대하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 고분자 안정화 처리는, 액정 재료 중에 광 경화 수지를 혼합시켜, 블루상이 발현하는 온도에서 광을 조사하여 행한다.
일본특개평7-84254호 공보 일본특개2003-327966호 공보
액정 적하법(또는 ODF(One Drop Filling)법)을 사용하여, 액정 표시 장치를 제작하는 경우에는, 접합 후의 기판끼리의 밀착성을 유지하기 위하여(씰 내를 진공 상태로 유지하기 위하여), 점성이 높은 씰재를 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로는, 점성이 높은, 광 및 열 병용 경화형의 씰재를 사용하여 액정이 적하된 기판을 감압 분위기에서 다른 기판과 접합시킨 후, 씰재에 자외선을 조사함으로써 임시적으로 경화하고, 그 후, 열 처리를 행함으로써, 씰재를 완전히 경화하는 것과 함께, 액정 재료에 자외선을 조사하여 고분자 안정화 처리를 행한다.
그러나, 고분자 안정화 처리를 행하기 전에, 광 및 열 병용 경화형의 씰재에 자외선을 조사하여 씰재를 임시적으로 경화하는 경우에는, 씰재의 내측에 형성된 액정 재료에도 자외선이 조사되어 버린다. 이에 따라, 액정 재료는 실온에서의 상으로, 고분자 안정화 처리가 행해진다. 예를 들어, 실온에서 액정 재료가 콜레스테릭상인 경우에는, 자외선이 조사된 부분은 콜레스테릭상으로 고분자 안정화 처리가 행해짐으로써, 안정된 블루상을 나타내는 액정층이 형성되지 않다는 문제가 있다.
또한, 이 때 액정 재료에 자외선이 조사되지 않도록, 차광 마스크를 형성하는 경우에도, 기판에 형성된 배선 등에 반사된 광이 액정 재료에 조사될 우려가 있다.
한편으로, 광 및 열 병용 경화형의 씰재에 자외선을 조사하기 전에, 액정 재료의 고분자 안정화 처리를 행하는 경우에는, 고분자 안정화 처리시의 온도 상승에 따라, 씰재의 점성이 저하됨으로써, 액정 재료에 접하는 씰재의 폭이 확대되어 버린다는 문제가 생긴다.
개시한 발명의 일 형태는 안정된 블루상을 나타내는 액정층을 갖는 액정 표시 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또한 개시한 발명의 일 형태는, 광 및 열 병용 경화형의 씰재를 사용하는 액정 적하법에 있어서, 고분자 안정화 처리를 행하는 경우에도, 액정 재료를 밀봉하는 씰재의 폭이 확대되는 것을 저감하는 것과 함께, 안정된 블루상을 나타내는 액정층을 갖는 액정 표시 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다. 또한 개시한 발명의 일 형태는, 고속 응답이 가능한 액정층을 갖는 액정 표시 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
개시한 발명의 일 형태는, 액정 적하법(또는 ODF법)을 사용하여 블루상을 갖는 액정 표시 장치를 제작하는 경우에, 액정층에 고분자 안정화 처리를 행하기 전에, 상기 액정 재료에 의도하지 않는 광이 조사되는 것을 억제하는 것이다.
개시한 발명의 일 형태는, 제 1 기판 위에 열 경화형의 제 1 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과, 제 1 기판 위의 제 1 씰재의 외측에 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재를 형성하는 제 2 공정과, 제 1 씰재의 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과, 감압 분위기에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과, 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 5 공정과, 열 처리에 의하여 제 1 씰재를 경화시키는 제 6 공정을 갖는다. 또한, 제 1 공정 내지 제 6 공정까지의 사이에 다른 공정을 가져도 좋다.
개시한 발명의 일 형태는, 제 1 기판 위에 열 경화형의 제 1 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과, 제 1 기판 위의 제 1 씰재의 외측에 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재를 형성하는 제 2 공정과, 제 1 씰재의 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과, 감압 분위기에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과, 열 처리에 의하여 제 1 씰재를 경화시키는 제 5 공정과, 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 6 공정을 갖는다. 또한, 제 1 공정 내지 제 6 공정까지의 사이에 다른 공정을 가져도 좋다.
개시한 발명의 일 형태는, 제 1 기판 위에 광 및 열 병용 경화형의 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과, 자외선을 조사함으로써 씰재를 임시적으로 경화하는 제 2 공정과, 씰재의 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과, 감압 분위기에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과, 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 5 공정과, 열 처리에 의하여 씰재를 완전히 경화시키는 제 6 공정을 갖는다. 또한, 제 1 공정 내지 제 6 공정까지의 사이에 다른 공정을 가져도 좋다.
개시한 발명의 일 형태는, 제 1 기판 위에 광 및 열 병용 경화형의 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과, 자외선을 조사함으로써 씰재를 임시적으로 경화하는 제 2 공정과, 씰재의 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과, 감압 분위기에서 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과, 열 처리에 의하여 씰재를 완전히 경화시키는 제 5 공정과, 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 6 공정을 갖는다. 또한, 제 1 공정 내지 제 6 공정까지의 사이에 다른 공정을 가져도 좋다.
도 1(A) 내지 도 1(F)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 2(A) 내지 도 2(F)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 3(A) 내지 도 3(F)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 4(A) 내지 도 4(F)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 5(A) 내지 도 5(F)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 6(A1), 도 6(A2), 도 6(B)는 액정 표시 장치의 구성의 일례를 도시한 도면.
도 7은 액정 표시 장치의 구성의 일례를 도시한 도면.
도 8은 액정 표시 장치의 사용 형태의 일례를 도시한 도면.
도 9(A) 및 도 9(B)는 액정 표시 장치의 사용 형태의 일례를 도시한 도면.
도 10(A) 및 도 10(B)는 액정 표시 장치의 사용 형태의 일례를 도시한 도면.
도 11(A) 내지 도 11(F)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 12(A) 내지 도 12(G)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 13(A) 및 도 13(B)는 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
이하에, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하에 제시하는 실시형태의 기재 내용에 한정되지 않고, 발명의 취지에서 벗어남이 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자라면 자명하다. 따라서, 본 발명은 이하에 제시하는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되지 않는다. 또한, 상이한 실시형태에 따른 구성은, 적절히 조합하여 실시할 수 있다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일 부호를 사용하고, 구 반복 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 액정 표시 장치의 제작 방법의 일례에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
우선, 제 1 기판(100)을 준비하고, 상기 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102)를 형성한다(도 1(A) 참조).
제 1 기판(100)으로서는 알루미노 실리케이트 유리, 알루미노 보로실리케이트 유리, 바륨 보로실리케이트 유리와 같은 전자 공업용으로 사용되는 유리 기판("무알칼리 유리 기판"이라고도 불림), 석영 기판, 세라믹 기판, 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있다. 이들의 기판 위에 액정 표시 장치의 화소 등을 구성하는 트랜지스터 등의 소자가 형성되어도 좋다.
제 1 씰재(102)는, 열 경화형 수지를 사용하여 형성할 수 있다. 열 경화형 수지는, 열 처리에 의하여 경화하는 수지를 가리킨다. 열 경화형 수지로서는, 에폭시계 수지나 아크릴레이트계(우레탄 아크릴레이트) 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 제 1 씰재(102) 중에, 필러(filler)가 혼입되어도 좋다. 또한, 제 1 씰재(102)를 형성하기 전에 스페이서를 산포(散布)하여도 좋다.
또한, 제 1 씰재(102)는, 프레임 형상(폐쇄 루프형)으로 형성하면 좋다. 여기서는, 제 1 씰재(102)를 직사각형으로 형성하는 경우를 나타낸다. 다만, 제 1 씰재(102)의 형상은, 직사각형에 한정되지 않고, 원형, 타원형, 직사각형 이외의 다각형 형상 등으로 형성하여도 좋다.
또한, 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102)를 형성한 후, 열 처리에 의하여 제 1 씰재(102)를 임시적으로 경화하여도 좋다. 제 1 씰재(102)를 임시적으로 경화함으로써, 후에 액정이 제 1 씰재(102)에 접한 경우에 액정 중에 제 1 씰재(102)로부터 불순물이 혼입하는 것을 저감할 수 있다.
다음에, 제 1 기판(100) 위의 제 1 씰재(102)의 외측에 제 2 씰재(104)를 형성하는 것과 함께, 제 1 씰재(102) 내측(프레임의 내측)에 액정 재료(106)를 적하한다(도 1(B) 참조). 제 2 씰재(104)는, 제 1 씰재(102)와 이격되도록 형성하면 좋다.
제 2 씰재(104)는, 광 및 열 병용 경화형의 수지를 사용하여 형성할 수 있다. 광 및 열 병용 경화형의 수지는, 광을 조사함으로써 임시적으로 경화하고, 그 후, 열 처리를 행함으로써, 씰재를 완전히 경화하는 수지를 가리킨다. 광 및 열 병용 경화형의 수지로서는, 아크릴계 수지와 에폭시계 수지를 혼합한 수지를 사용할 수 있다. 또한, 이들의 수지에 UV 개시제, 열경화제, 커플링제 등을 혼합하여도 좋다. 또한, 제 2 씰재(104) 중에 필러를 혼입하여도 좋다.
제 2 씰재(104)는, 후에 행해지는 기판끼리의 접합에 있어서, 기판끼리의 밀착성을 향상시키는 역할을 한다. 그래서, 제 2 씰재(104)에 사용하는 수지는, 제 1 씰재(102)에 사용하는 수지보다 점성을 높게 한다. 바람직하게는, 점도가 200Pa·sec(25℃) 이상 450Pa·sec(25℃) 이하, 보다 바람직하게는, 250Pa·sec(25℃) 이상 400Pa·sec(25℃) 이하의 수지를 제 2 씰재(104)로서 사용한다. 또한, 여기서 말하는 점성은, 제 1 기판(100)에 다른 기판을 접합하기 전의 점성을 가리킨다. 또한, 씰재의 점성은, 회전 점도계(粘度計), 낙구(落球) 점도계, 모세관 점도계 중 어느 하나를 사용하여 측정할 수 있다.
제 2 씰재(104)는, 제 1 씰재(102)를 둘러싸도록 프레임 형상으로 형성할 수 있다. 제 1 씰재(102)를 둘러싸도록 제 2 씰재(104)를 형성함으로써, 기판끼리의 밀착성을 효과적으로 향상시킬 수 있다. 여기서는, 제 1 씰재(102)와 마찬가지로 제 2 씰재(104)를 직사각형으로 형성하는 경우를 나타내었지만, 이것에 한정되지 않고, 원형, 타원형, 직사각형 형상 이외의 다각형 형상 등으로 형성하여도 좋다.
액정 재료(106)는, 블루상을 나타내는 액정 재료를 사용할 수 있다. 블루상을 나타내는 액정 재료는, 액정, 키랄제, 광 경화 수지 및 광중합 개시제를 포함한다. 키랄제는, 액정을 나선 구조로 배향시켜, 블루상을 발현시키기 위하여 사용한다. 일례로서, 5wt% 이상의 키랄제를 혼합시킨 액정 재료를 사용할 수 있다. 액정은, 서모트로픽(thermotropic) 액정, 저분자 액정, 고분자 액정, 강유전성 액정, 반강유전성 액정 등을 사용할 수 있다. 또한, 블루상을 나타내는 액정 재료는, 제 1 기판(100) 위에 적하한 시점에서 블루상을 나타내는 액정 재료일 필요는 없고, 온도 제어함으로써 어느 온도에서 블루상을 나타내는 액정 재료이면 좋다.
또한, 도 1(B)에서는, 제 1 씰재(102) 내측에 일적(一滴)의 액정 재료(106)를 형성하는 경우(ODF법)를 도시한다. 다만, 이것에 한정되지 않고, 제 1 씰재(102) 내측의 필요한 개소에 복수 적이라도 좋고, 필요한 양만큼 액정 재료를 적하하면 좋다.
도 1(B)에 있어서, 제 2 씰재(104)를 형성하는 공정과 액정 재료(106)를 적하하는 공정의 순서는 한정되지 않지만, 제 2 씰재(104)를 형성한 후에 액정 재료(106)를 적하하는 것이 바람직하다.
다음에, 제 1 기판(100)에 제 2 기판(108)을 접합한다(도 1(C) 참조). 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)은, 제 1 씰재(102)와 제 2 씰재(104)를 사용하여 접합할 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합에 의하여, 적하한 액정 재료(106)가 기판 면내에 확대되어, 액정층(110)이 형성된다. 액정 재료(106)는, 키랄제를 포함하므로 점성이 높게 된다. 그래서, 액정층(110)은 도 1(C)의 단계에서는, 제 1 씰재(102) 내측 전체 면에 확대하지 않는(제 1 씰재(102)에 접하지 않는) 경우가 있다.
제 2 기판(108)은, 제 1 기판(100)과 마찬가지로 알루미노 실리케이트 유리, 알루미노 보로실리케이트 유리, 바륨 보로실리케이트 유리와 같은 전자 공업용으로 사용되는 유리 기판, 석영 기판, 세라믹 기판, 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있다.
또한, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합은, 감압 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. 감압 분위기하에서 접합을 행함으로써, 접합한 후에 대기 개방한 경우에도, 씰재 내측을 진공 상태로 유지하고, 최종적으로 액정을 씰재의 단부까지 확대시킬(씰재에 접하는 영역까지 형성할) 수 있기 때문이다.
다음에, 액정층(110)에 고분자 안정화 처리를 행하고, 액정층(112)을 형성한다(도 1(D) 참조).
고분자 안정화 처리는, 액정, 키랄제 광 경화 수지 및 광 중합 개시제를 포함하는 액정 재료에, 광 경화 수지 및 광중합 개시제가 반응하는 파장의 광을 조사하여 행할 수 있다. 본 실시형태에서는, 액정층(110)의 온도를 제어하여, 블루상을 발현한 상태로 액정층(110)에 광을 조사함으로써 고분자 안정화 처리를 행한다.
다만, 고분자 안정화 처리는 이것에 한정되지 않고, 블루상과 등방상 사이의 상전이 온도로부터 +10℃ 이내, 바람직하게는 +5℃ 이내의 등방상을 발현한 상태에서 액정층(110)에 광을 조사함으로써 고분자 안정화 처리를 행하여도 좋다. 또한, 블루상과 등방상 사이의 상전이 온도란, 승온시에 블루상으로부터 등방상으로 상전이하는 온도 또는 강온시에 등방상으로부터 블루상으로 상전이하는 온도를 말한다.
고분자 안정화 처리의 일례로서는, 액정층(110)을 등방상까지 가열한 후, 서서히 강온시켜 블루상에까지 상전이시켜, 블루상이 발현하는 온도를 보유한 상태로 광을 조사할 수 있다. 이외에도, 액정층(110)을 서서히 가열하여 등방상으로 상전이시킨 후, 블루상과 등방상 사이의 상전이 온도로부터 +10℃ 이내, 바람직하게는 +5℃ 이내의 상태(등방상을 발현한 상태)로 광을 조사할 수 있다. 또한, 액정 재료에 포함되는 광 경화 수지로서 자외선 경화 수지(UV 경화 수지)를 사용하는 경우, 액정층(110)에 자외선을 조사하면 좋다.
또한, 고분자 안정화 처리는, 대기압화에서 행할 수 있다. 이 경우, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 감압 분위기하에서 접합한 후, 대기압 상태로 한 후(대기 개방한 후)에, 고분자 안정화 처리를 행하면 좋다. 블루상을 갖는 액정 표시 장치에서는, 액정층의 막 두께(셀 두께)를 두껍게 하는 경우가 많기 때문에, 점성이 높은 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재(104)를 사용하여 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 접합함으로써, 감압 분위기하에서 대기 개방한 경우에도 기판끼리의 밀착성을 유지하여 씰재 내측을 진공 상태로 유지할 수 있다.
또한, 제 2 씰재(104)를 프레임 형상으로 형성해 둠으로써, 대기 개방한 경우에도 제 1 씰재(102)와 제 2 씰재(104) 사이도 진공 상태로 할 수 있다. 이 경우, 접합 후에 대기 개방할 때에, 제 1 씰재(102)의 점성이 낮고 밀착성이 충분하지 않는 경우에도, 제 1 씰재(102) 내측을 진공 상태로 유지하고, 최종적으로 액정을 제 1 씰재(102)에 접하는 영역까지 확대할 수 있다.
또한, 고분자 안정화 처리를 할 때에, 열 처리를 행함으로써, 액정층(110)의 점성이 저하된다. 그래서, 도 1(C)의 단계에서 액정층(110)이 제 1 씰재(102) 내측의 전체 면에 확대하지 않는 경우에도, 고분자 안정화 처리의 열 처리시에 액정층(110)을 제 1 씰재(102)에 접하는 영역까지 확대시킬 수 있다. 또한, 고분자 안정화 처리의 열 처리를 할 때에, 제 2 씰재(104)의 점성이 저하되고, 제 2 씰재(104)의 폭이 확대할 경우(도 1(D)에 있어서의 제 2 씰재(114))가 있다.
고분자 안정화 처리를 행함으로써, 액정층(112)이 블루상을 나타내는 온도 범위가 확대되도록 개선할 수 있다.
또한, 고분자 안정화 처리의 광 조사 공정에 있어서, 제 2 씰재(114)를 동시에 경화하여도 좋다.
다음에, 열 처리를 행함으로써, 제 1 씰재(102)를 완전히 경화한다(도 1(E) 참조). 상술한 도 1(D)에 있어서, 제 2 씰재(114)에 광을 조사하여 임시적으로 경화하는 경우에는, 이 열 처리에 의하여 제 2 씰재(114)도 동시에 완전히 경화할 수 있다. 그 결과, 완전히 경화한 제 1 씰재(116)와 완전히 경화한 제 2 씰재(118)가 얻어진다.
또한, 고분자 안정화 처리에 있어서의 열 처리에 있어서, 제 1 씰재(102)를 완전히 경화시켜도 좋다. 이 경우, 열 처리 공정(도 1(E)의 공정)을 삭감할 수 있기 때문에, 제작 프로세스를 간략화할 수 있다.
다음에, 접합된 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)을 분단한다(도 1(F) 참조). 여기서는, 완전히 경화한 제 1 씰재(116)와 완전히 경화한 제 2 씰재(118) 사이에서, 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)을 분단할 수 있다. 즉, 본 실시형태에서는, 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재(104)에 자외선을 조사하기 전에 고분자 안정화 처리를 행하는 것에 기인하여, 제 2 씰재(104)의 폭이 확대될 경우에도, 제 2 씰재(104)는 액정층(112)을 직접 밀봉하는 씰재가 아니기 때문에, 제거할 수 있다.
도 1(F)에 도시한 기판의 분단 공정에 있어서, FPC 등의 장착을 고려하여 부분적으로 분단을 행하여도 좋다. 이 경우, 일부분에 제 2 씰재(118)가 형성된 상태로 액정 표시 장치가 형성되는 경우가 있다.
도 1(A) 내지 도 1(F)에 도시한 바와 같이, 열 경화형의 제 1 씰재 외측에 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재를 형성하고, 상기 제 2 씰재를 기판끼리의 밀착성을 향상시키는 씰재로서 기능시킴으로써, 제 2 씰재를 임시적으로 경화하기 위한 자외선 조사가 불필요하게 된다. 이로써, 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하기 전에 제 2 씰재를 임시적으로 경화하기 위한 자외선이 액정 재료에 조사되지 않으므로, 안정된 블루상을 나타내는 액정 표시 장치를 형성할 수 있다. 또한, 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재에 자외선을 조사하기 전에 고분자 안정화 처리를 행하는 경우에도, 액정층과 접하는 제 1 씰재로서 열 경화형의 씰재를 사용하고, 또 제 1 씰재 외측에 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재를 형성함으로써, 감압 분위기에서 대기 개방한 경우에도, 기판끼리의 밀착성을 유지하는(씰재 내측을 진공 상태로 유지하는) 것과 함께, 액정층과 접하는 제 1 씰재의 폭이 확대하는 것을 억제할 수 있다.
[변형 예]
도 1(A) 내지 도 1(F)에서는, 고분자 안정화 처리를 행한 후에 제 1 씰재(102)를 완전히 경화하는 경우를 도시하였지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 2(A) 내지 도 2(F)에 도시한 바와 같이, 제 1 씰재(102), 제 2 씰재(104) 및 액정 재료(106)가 형성된 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)을 접합한 후(도 2(A) 내지 도 2(C) 참조), 열 처리를 행함으로써, 제 1 씰재(102)를 완전히 경화시켜(도 2(D) 참조), 그 후, 고분자 안정화 처리를 행하는 구성(도 2(E) 참조)으로 할 수 있다. 즉, 도 2(A) 내지 도 2(F)는 도 1(A) 내지 도 1(F)의 공정에 있어서, 도 1(D)와 도 1(E)를 교환한 경우를 도시한다.
또한, 도 2(A) 내지 도 2(F)에 있어서, 기판의 분단은 고분자 안정화 처리 후에 행하는 경우(도 2(F) 참조)를 도시하였지만, 제 1 씰재(102)를 완전히 경화시킨 후, 고분자 안정화 처리 전(도 2(D)와 도 2(E)의 공정 사이)에 기판을 분단하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102), 제 2 씰재(104) 및 액정 재료(106)를 형성하는 경우를 나타내지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102) 및 제 2 씰재(104)를 형성하고, 제 2 기판(108) 위에 액정 재료(106)를 형성하여 접합하여도 좋고, 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102) 및 액정 재료(106)를 형성하고, 제 2 기판(108) 위에 제 2 씰재(104)를 형성하여 접합하여도 좋고, 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102)를 형성하고, 제 2 기판(108) 위에 제 2 씰재(104) 및 액정 재료(106)를 형성하여 접합하여도 좋다.
또한, 액정 표시 장치를 구성하는 트랜지스터 등의 소자는, 미리 제 1 기판(100) 또는 제 2 기판(108)에 형성해 두면 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 제 1 씰재(102) 외측에 제 2 씰재(104)를 형성함으로써, 2중의 프레임 형상의 씰재를 형성하는 경우를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않는다. 제 1 씰재(102)와 제 2 씰재(104) 사이에 열 경화형 수지와 광 및 열 병용 경화형의 수지의 한쪽 또는 양쪽을 더 형성함으로써, 3중 이상의 프레임 형상의 씰재를 형성하여도 좋다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 상기 실시형태 1과 상이한 액정 표시 장치의 제작 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 구체적으로는, 1장의 기판으로부터 복수의 패널을 추출하는 공정(다면취(多面取))에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에서 나타내는 제작 방법은, 많은 부분에 있어서 상기 도 1(A) 내지 도 2(F)와 공통적이다. 따라서, 이하에 있어서는, 중복하는 부분은 생략하고, 상이한 점에 대하여 설명한다.
우선, 제 1 기판(100)을 준비하고, 상기 제 1 기판(100) 위에 복수의 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 형성한다(도 3(A) 참조).
제 1 씰재(102a 내지 102d)는, 열 경화형 수지를 사용하여 형성할 수 있다. 제 1 씰재(102a 내지 102d)에 사용하는 재료 등의 자세한 내용에 대해서는, 상기 실시형태 1에서 나타낸 제 1 씰재(102)의 설명을 참조할 수 있으므로, 여기서는 설명을 생략한다.
또한, 제 1 기판(100) 위에 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 형상한 후, 열 처리에 의하여 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 임시적으로 경화하여도 좋다. 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 임시적으로 경화함으로써, 후에 액정이 제 1 씰재(102a 내지 102d)에 접한 경우에 액정 중에 불순물이 혼입되는 것을 저감할 수 있다.
다음에, 제 1 기판(100) 위의 제 1 씰재(102a 내지 102d) 외측에 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재(104)를 형성하는 것과 함께, 제 1 씰재(102a 내지 102d) 내측(프레임의 내측)에 각각 액정 재료(106a 내지 106d)를 적하한다(도 3(B) 참조).
제 2 씰재(104)는, 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 둘러싸도록 프레임 형상으로 형성할 수 있다. 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 둘러싸도록 제 2 씰재(104)를 형성함으로써, 기판끼리의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
제 2 씰재(104)는, 기판끼리의 접합에 있어서, 기판끼리의 밀착성을 향상시키는 역할을 한다. 따라서, 제 2 씰재(104)에 사용하는 수지는 제 1 씰재(102a 내지 102d)에 사용하는 수지보다 점성을 높게 한다.
액정 재료(106a 내지 106d)는, 블루상을 나타내는 액정 재료를 사용할 수 있다. 액정 재료(106a 내지 106d)에 사용하는 재료 등의 자세한 내용에 대해서는, 상기 실시형태 1에서 나타낸 액정 재료(106)의 설명을 참조할 수 있기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
또한, 도 3(B)에서는, 제 1 씰재(102a 내지 102d) 내측에 각각 일적의 액정 재료(106a 내지 106d)를 형성하는 경우를 도시한다. 다만, 이것에 한정되지 않고, 제 1 씰재(102a 내지 102d) 내측의 필요한 개소에 필요한 양만큼 액정 재료를 적하하면 좋다.
또한, 도 3(B)에 있어서, 제 2 씰재(104)를 형성하는 공정과 액정 재료(106a 내지 106d)를 적하하는 공정의 순서는 한정되지 않지만, 제 2 씰재(104)를 형성한 후에 액정 재료(106a 내지 106d)를 적하하는 것이 바람직하다.
다음에, 제 1 기판(100)에 제 2 기판(108)을 접합한다(도 3(C) 참조). 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)은 제 1 씰재(102a 내지 102d)와 제 2 씰재(104)를 사용하여 접합할 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합에 의하여, 적하한 액정 재료(106a 내지 106d)가 기판 면내에 확대되고, 액정층(110a 내지 110d)이 형성된다. 액정 재료(106a 내지 106d)는, 키랄제를 포함하므로 점성이 높게 된다. 그래서, 액정층(110a 내지 110d)은, 제 1 씰재(102a 내지 102d) 내측 전체 면에 확대되지 않는(제 1 씰재(102a 내지 102d)에 접하지 않는) 경우가 있다.
또한, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합은, 감압 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. 감압 분위기하에서 접합을 행함으로써, 접합한 후에 대기 개방한 경우에도, 씰재 내측을 진공 상태로 유지하고, 최종적으로 액정을 씰재에 접하는 영역까지 확대할 수 있기 때문이다.
다음에, 열 처리를 행함으로써, 제 1 씰재(102a 내지 102d)를 완전히 경화한다(도 3(D) 참조). 그 결과, 완전히 경화한 제 1 씰재(116a 내지 116d)가 얻어진다. 열 처리는 감압 분위기하 또는 대기압 분위기하에서 행할 수 있다.
또한, 이 열 처리에 의하여, 액정층(110a 내지 110d)의 점성이 저하하고, 액정층(110a 내지 110d)을 제 1 씰재(116a 내지 116d)에 접하는 영역까지 확대할 수 있다. 또한, 이 열 처리를 행할 때, 제 2 씰재(104)의 점성이 저하되고, 제 2 씰재(104)의 폭이 확대하는 경우(도 3(D)에 있어서의 제 2 씰재(114))가 있다.
다음에, 접합된 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)을 분단한다(도 3(E) 참조). 여기서는, 완전히 경화한 제 1 씰재(116)와 제 2 씰재(114) 사이에서 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)을 분단할 수 있다.
다음에, 분단된 액정 표시 패널(120a 내지 120d)에 형성된 액정층(110a 내지 110d)에 각각 고분자 안정화 처리를 행하고, 액정층(112a 내지 112d)을 형성한다(도 3(F) 참조).
도 3(A) 내지 도 3(F)에 도시한 바와 같이, 다면취를 행하는 경우에는, 기판의 분단 후에 분단된 각각의 기판에 대하여 개별적으로 고분자 안정화 처리를 행할 수 있다. 이로써, 고분자 안정화 처리의 광 조사로 사용하는 장치의 소형화를 도모하는 것과 함께, 액정층에 균일하게 광을 조사하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 안정된 블루상을 나타내는 액정 표시 장치를 제작할 수 있다. 특히, 다면취를 행하는 경우에는, 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)으로서 대형 기판을 사용하기 때문에, 분단 후에 고분자 안정화 처리를 행하는 것이 바람직하다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 상기 실시형태와 상이한 액정 표시 장치의 제작 방법에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
우선, 제 1 기판(100)을 준비하고, 상기 제 1 기판(100) 위에 씰재(202)를 형성한다(도 4(A) 참조).
씰재(202)는, 광 및 열 병용 경화형의 수지를 사용하여 형성할 수 있다. 광 및 열 병용 경화형 수지로서는, 아크릴계 수지와 에폭시계 수지를 혼합한 수지를 사용할 수 있다. 또한, 이들의 수지에 UV 개시제, 열 경화제, 커플링제 등을 혼합하여도 좋다. 또한, 씰재(202) 중에 필러를 혼입하여도 좋다.
또한, 씰재(202)는, 프레임 형상(폐쇄 루프형)으로 형성하면 좋다. 여기서는, 씰재(202)를 직사각형으로 형성하는 경우를 나타낸다. 다만, 씰재(202)의 형상은, 직사각형에 한정되지 않고, 원형, 타원형, 다각형 형상 등으로 형성하여도 좋다.
다음에, 씰재(202)에 자외선을 조사하여 상기 씰재(202)를 임시적으로 경화한다(도 4(B) 참조). 그 결과, 임시적으로 경화한 씰재(204)가 얻어진다. 씰재(202)를 임시적으로 경화해 둠으로써, 후에 액정이 씰재(204)에 접한 경우에 액정 중에 불순물이 혼입하는 것을 저감할 수 있다.
다음에, 임시적으로 경화한 씰재(204) 내측(프레임의 내측)에 액정 재료(106)를 적하한다(도 4(C) 참조). 액정 재료(106)를 형성하기 전에, 씰재(202)에 자외선을 조사하여 임시적으로 경화해 둠으로써, 액정 재료(106)에 의도하지 않는 광이 조사되는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 제 1 기판(100)에 제 2 기판(108)을 접합한다(도 4(D) 참조). 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)은, 씰재(202)를 사용하여 접합할 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합에 의하여, 적하한 액정 재료(106)가 기판 면내에 확대되어, 액정층(110)이 형성된다. 액정 재료(106)는, 키랄제를 포함하므로 점성이 높게 된다. 그래서, 액정층(110)은 임시적으로 경화한 씰재(204) 내측 전체 면에 확대되지 않는(임시적으로 경화한 씰재(204)에 접하지 않는) 경우가 있다.
또한, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합은, 감압 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. 감압 분위기하에서 접합을 행함으로써, 접합한 후에 대기 개방한 경우에도, 씰재 내측을 진공 상태로 유지하고, 최종적으로 액정을 씰재의 단부까지 확대시킬(씰재에 접하는 영역까지 형성할) 수 있기 때문이다.
다음에, 액정층(110)에 고분자 안정화 처리를 행하고, 액정층(112)을 형성한다(도 4(E) 참조).
고분자 안정화 처리를 행할 때, 가열 처리를 행함으로써 액정층(110)의 점성이 저하된다. 그래서, 도 4(D)에 있어서, 액정층(110)이 임시적으로 경화한 씰재(204) 내측의 전체 면에 확대되지 않는 경우에도, 고분자 안정화 처리의 열 처리시에 액정층(110)을 임시적으로 경화한 씰재(204)에 접하는 영역까지 확대시킬 수 있다.
고분자 안정화 처리를 행함으로써, 액정층(112)이 블루상을 나타내는 온도 범위가 확대되도록 개선할 수 있다.
다음에, 열 처리를 행함으로써, 씰재(202)를 완전히 경화한다(도 4(F) 참조). 그 결과, 완전히 경화한 씰재(218)가 얻어진다.
또한, 고분자 안정화 처리에 있어서의 열 처리에서, 임시적으로 경화한 씰재(204)를 완전히 경화시켜도 좋다. 이 경우, 열 처리 공정(도 4(F)에 도시한 공정)을 삭감할 수 있기 때문에, 제작 프로세스의 간략화를 도모할 수 있다.
상술한 공정에 있어서, 블루상을 나타내는 액정 표시 장치를 형성할 수 있다.
또한, 도 4(A) 내지 도 4(F)의 공정에 있어서, 고분자 안정화 처리를 행하기 전에 임시적으로 경화한 씰재(204)에 열 처리를 행하여 완전히 경화시켜도 좋다. 이 경우, 도 4(E)와 도 4(F)를 교환한 구성으로 된다.
또한, 고분자 안정화 처리시의 열 처리와 임시적으로 경화한 씰재(204)를 완전히 경화시키는 열 처리를 동시에 행하여도 좋다. 이 경우, 열 처리 공정을 삭감할 수 있다.
또한, 도 4(A) 내지 도 4(F)에서는 제 1 기판(100) 위에 임시적으로 경화한 씰재(204) 및 액정 재료(106)를 형성하는 경우를 도시하였지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제 1 기판(100) 위에 씰재(202)를 형성하고, 제 2 기판(108) 위에 액정 재료(106)를 형성하여 접합을 행하여도 좋다.
도 4(A) 내지 도 4(F)에 도시한 바와 같이, 광 및 열 병용 경화형의 씰재를 사용하여, 액정 적하법을 행하는 경우에도, 액정 재료(106)를 형성하기 전에 씰재(202)에 자외선을 조사하여 임시적으로 경화해 둠으로써, 액정 재료(106)에 의도하지 않는 광이 조사되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 안정된 블루상을 나타내는 액정 표시 장치를 형성할 수 있다. 또한, 광 및 열 병용 경화형의 씰재에 열이 가해지기 전에 자외선을 조사하여 임시적으로 경화함으로써, 씰재의 폭이 확대되는 것을 억제할 수 있다.
[다면취 공정]
다음에, 도 4(A) 내지 도 4(F)에서 설명한 벙법을 1장의 기판으로부터 복수의 패널을 추출하는 공정(다면취)에 적용하는 경우에 대해서는, 도 5(A) 내지 도 5(F)를 참조하여 설명한다. 또한, 도 5(A) 내지 도 5(F)에서 도시한 제작 방법은, 많은 부분에서 상기 도 4(A) 내지 도 4(F)와 공통적이다. 따라서, 이하에 있어서는 중복하는 부분은 생략하고, 상이한 부분에 대하여 설명한다.
우선, 제 1 기판(100)을 준비하고, 상기 제 1 기판(100) 위에 복수의 씰재(202a 내지 202d)를 형성한다(도 5(A) 참조).
씰재(202a 내지 202d)는, 광 및 열 병용 경화형의 수지를 사용하여 형성할 수 있다. 씰재(202a 내지 202d)에 사용하는 재료 등의 자세한 내용에 대해서는, 상기 도 4(A) 내지 도 4(F)에서 도시한 씰재(202)의 설명을 참조할 수 있기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
다음에, 씰재(202a 내지 202d)에 자외선을 조사하여 상기 씰재(202a 내지 202d)를 임시적으로 경화한 후, 임시적으로 경화된 씰재(204a 내지 204d) 내측(프레임의 내측)에 각각 액정 재료(106a 내지 106d)를 적하한다(도 5(B) 참조).
다음에, 제 1 기판(100)에 제 2 기판(108)을 접합한다(도 5(C) 참조). 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)은, 씰재(202a 내지 202d)를 사용하여 접합할 수 있다.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합에 의하여, 적하한 액정 재료(106a 내지 106d)가 기판 면내에 확대되고, 액정층(110a 내지 110d)이 형성된다. 액정 재료(106a 내지 106d)는, 키랄제를 포함하고, 점성이 높게 된다. 그래서, 액정층(110a 내지 110d)은, 씰재(202a 내지 202d) 내측의 전체 면에 확대하지 않는 경우가 있다.
또한, 제 1 기판(100)과 제 2 기판(108)의 접합은, 감압 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다.
다음에, 열 처리를 행함으로써, 씰재(204a 내지 204d)를 완전히 경화한다(도 5(D) 참조). 그 결과, 완전히 경화한 씰재(218a 내지 218d)가 얻어진다. 열 처리는 감압 분위기하 또는 대기압 분위기하에서 행할 수 있다.
또한, 이 열 처리에 의하여, 액정층(110a 내지 110d)의 점성이 저하되고, 액정층(110a 내지 110d)을 각각 씰재(218a 내지 218d)에 접하는 영역까지 확대시킬 수 있다.
다음에, 접합된 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)을 분단한다(도 5(E) 참조). 여기서는, 완전히 경화된 씰재(218a 내지 218d) 사이에서 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)을 분단할 수 있다.
다음에, 분단된 액정 표시 패널(220a 내지 220d)에 형성된 액정층(110a 내지 110d)에 각각 고분자 안정화 처리를 행하고, 액정층(112a 내지 112d)을 형성한다(도 5(F) 참조).
도 5(A) 내지 도 5(F)에서 도시한 바와 같이, 다면취를 행하는 경우에는, 기판의 분단 후에 고분자 안정화 처리를 행함으로써, 고분자 안정화 처리의 광 조사에서 사용하는 장치의 소형화를 도모하는 것과 함께, 액정층에 균일하게 광을 조사하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 안정된 블루상을 나타내는 액정 표시 장치를 제작할 수 있다. 특히, 다면취를 행하는 경우에는, 제 1 기판(100) 및 제 2 기판(108)으로서 대형 기판을 사용하기 때문에, 분단 후에 고분자 안정화 처리를 행하는 것이 바람직하다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 상기 실시형태에서 제작한 액정 표시 장치의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 6(A1), 도 6(A2)는 제 1 기판(4001) 위에 형성된 트랜지스터(4010, 4011), 및 액정 소자(4013)를 제 2 기판(4006)과의 사이에 씰재(4005)에 의하여 밀봉한 패널의 상면도이며, 도 6(B)는 도 6(A1), 도 6(A2)의 M-N에 있어서의 단면도에 상당한다.
제 1 기판(4001) 위에 형성된 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)를 둘러싸도록, 씰재(4005)가 형성된다. 또한, 화소부(4002)와 주사선 구동회로(4004) 위에 제 2 기판(4006)이 형성되어 있다. 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)는 제 1 기판(4001)과 씰재(4005)와 제 2 기판(4006)에 의하여, 블루상을 나타내는 액정층(4008)과 함께 밀봉되어 있다. 상기 실시형태 1 또는 상기 실시형태 2를 적용하는 경우에는, 씰재(4005)가 열 경화형의 수지로 형성되고, 상기 실시형태 3을 적용하는 경우에는, 씰재(4005)가 광 및 열 병용 경화형 수지로 형성된다.
또한, 도 6(A1)는 제 1 기판(4001) 위의 씰재(4005)에 의하여 둘러싸여 있는 영역과는 다른 영역에, 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4003)가 실장되어 있다. 또한, 도 6(A2)는 신호선 구동 회로의 일부를 제 1 기판(4001) 위에 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터로 형성하는 예이며, 제 1 기판(4001) 위에 신호선 구동 회로(4003b)가 형성되고, 또, 별도 준비된 기판 위에 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 신호선 구동 회로(4003a)가 실장되어 있다.
또한, 별도로 형성한 구동 회로의 접속 방법은 특히 한정되지 않고, COG 방법, 와이어 본딩 방법, 또는 TAB 방법 등을 사용할 수 있다. 도 6(A1)는 COG 방법에 의하여 신호선 구동 회로(4003)를 실장하는 예이며, 도 6(A2)는 TAB 방법에 의하여 신호선 구동 회로(4003)를 실장하는 예이다.
또한, 제 1 기판(4001) 위에 형성된 화소부(4002)와, 주사선 구동 회로(4004)는, 트랜지스터를 복수 갖고 있고, 도 6(B)에서는, 화소부(4002)에 포함되는 트랜지스터(4010)와, 주사선 구동 회로(4004)에 포함되는 트랜지스터(4011)를 예시하고 있다. 트랜지스터(4010, 4011) 위에는 절연층(4020, 4021)이 형성되어 있다.
트랜지스터(4010, 4011)는, 특히 한정되지 않고, 다양한 트랜지스터를 적용할 수 있다. 트랜지스터(4010, 4011)의 채널층은, 실리콘(아모퍼스 실리콘, 미결정 실리콘 또는 폴리실리콘) 등의 반도체나 산화물 반도체를 사용할 수 있다.
또한, 제 1 기판(4001) 위에 화소 전극층(4030) 및 공통 전극층(4031)이 형성되고, 화소 전극층(4030)은 트랜지스터(4010)와 전기적으로 접속되어 있다. 액정 소자(4013)는, 화소 전극층(4030), 공통 전극층(4031), 및 액정층(4008)을 포함한다.
또한, 블루상을 나타내는 액정층(4008)을 갖는 액정 표시 장치에 있어서, 기판에 대략 평행(즉, 기판에 대하여 수평인 방향)인 전계를 발생시켜, 기판과 평행한 면내에서 액정 분자를 움직여, 계조를 제어하는 방식을 사용할 수 있다. 이와 같은 방식으로서, 본 실시형태에서는, 도 6(A1), 도 6(A2), 도 6(B)에 도시한 바와 같은 IPS(In Plane Switching) 모드에서 사용하는 전극 구성을 적용하는 경우를 도시한다. 또한, IPS 모드에 한정되지 않고, FFS(Fringe Field Switching) 모드에서 사용하는 전극 구성을 적용하는 것도 가능하다.
또한, 제 1 기판(4001), 제 2 기판(4006)으로서는, 투광성을 갖는 유리, 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 플라스틱으로서는 폴리에테르 설폰(PES), 폴리이미드, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)판, PVF(폴리비닐 플로라이드) 필름, 폴리에스테르 필름, 또는 아크릴 수지 필름을 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄 호일을 PVF 필름이나 폴리에스테르 필름으로 끼운 구조의 시트를 사용할 수도 있다.
또한, 액정층(4008)의 막 두께(셀 갭)를 제어하기 위하여 설치되어 있는 기둥 형상의 스페이서(4035)는, 절연막을 선택적으로 에칭함으로써 형성할 수 있다. 또한, 기둥 형상의 스페이서(4035)를 대신하여 구(球) 형상의 스페이서를 사용하여도 좋다.
도 6(A1), 도 6(A2), 도 6(B)에 있어서는, 트랜지스터(4010, 4011) 상방을 덮도록 차광층(4034)이 제 2 기판(4006) 측에 형성되어 있다. 차광층(4034)을 형성함으로써, 박막 트랜지스터의 안정화의 효과를 높일 수 있다. 이 차광층(4034)은, 제 1 기판(4001)에 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 제 2 기판(4006) 측에서 자외선을 조사하고, 고분자 안정화를 행하였을 때, 차광층(4034) 위의 액정도 블루상으로 고분자 안정화할 수 있다.
트랜지스터의 보호막으로서 기능하는 절연층(4020)으로 덮는 구성으로 하여도 좋지만, 특히 한정되지 않는다.
또한, 보호막은, 대기 중에 부유하는 유기물이나 금속물, 수증기 등의 오염 불순물의 침입을 방지하기 위한 것이고, 치밀한 막이 바람직하다. 보호막은 스퍼터링법을 사용하여 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 질화 알루미늄막, 산화질화 알루미늄막, 또는 질화산화 알루미늄막의 단층, 또는 적층으로 형성하면 좋다.
또한, 보호막을 형성한 후에, 반도체층의 어닐링(300℃ 내지 400℃)을 행하여도 좋다.
화소 전극층(4030), 공통 전극층(4031)은, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함하는 인듐 아연 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐 산화물, 산화 티타늄을 포함하는 인듐 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물, 산화 실리콘을 첨가한 인듐 주석 산화물 등의 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용할 수 있다.
또한, 화소 전극층(4030), 공통 전극층(4031)으로서, 도전성 고분자(도전성 폴리머라고도 함)를 포함하는 도전성 조성물을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 별도 형성된 신호선 구동 회로(4003)와, 주사선 구동 회로(4004) 또는 화소부(4002)에 주어지는 각종 신호 및 전위는, FPC(4018)로부터 공급되어 있다.
또한, 트랜지스터는 정전기 등으로 인하여 파괴되기 쉬우므로, 게이트선 또는 소스선에 대하여 구동 회로 보호용의 보호 회로를 동일 기판 위에 형성하는 것이 바람직하다. 보호 회로는, 산화물 반도체를 사용한 비선형 소자를 사용하여 구성하는 것이 바람직하다.
도 6(A1), 도 6(A2), 도 6(B)에서는, 접속 단자 전극(4015)이, 화소 전극층(4030)과 같은 도전막으로 형성되어, 단자 전극(4016)은, 트랜지스터(4010, 4011)의 소스 전극층 및 드레인 전극층과 같은 도전막으로 형성되어 있다.
접속 단자 전극(4015)은, FPC(4018)가 갖는 단자와, 이방성 도전막(4019)을 통하여 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 도 6(A1), 도 6(A2), 도 6(B)에 있어서는 신호선 구동 회로(4003)를 별도 형성하여 제 1 기판(4001)에 실장하는 예를 제시하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 주사선 구동 회로를 별도 형성하여 실장하여도 좋고, 신호선 구동 회로의 일부 또는 주사선 구동 회로의 일부만을 별도 형성하여 실장하여도 좋다.
도 7은 액정 표시 장치의 단면 구조의 일례이고, 소자 기판(2600)과 대향 기판(2601)이 씰재(2602)에 의하여 고착되고, 그 사이에 트랜지스터 등을 포함하는 소자층(2603), 액정층(2604)이 형성된다.
컬러 표시를 행하는 경우, 백 라이트부에 복수종의 발광색을 사출하는 발광 다이오드를 배치한다. RGB 방식의 경우는, 적색의 발광 다이오드(2910R), 녹색의 발광 다이오드(2910G), 청색의 발광 다이오드(2910B)를 액정 표시 장치의 표시 영역을 복수로 분할한 분할 영역에 각각 배치한다.
대향 기판(2601)의 외측에는 편광판(2606)이 형성되고, 소자 기판(2600)의 외측에는 편광판(2607), 및 광학 시트(2613)가 배치되어 있다. 광원은 적색의 발광 다이오드(2910R), 녹색의 발광 다이오드(2910G), 청색의 발광 다이오드(2910B)와 반사판(2611)에 의하여 구성되고, 회로 기판(2612)에 설치된 LED 제어 회로(2912)는 플렉시블 배선 기판(2609)에 의하여 소자 기판(2600)의 배선 회로부(2608)와 접속되고, 또한, 컨트롤 회로나 전원 회로 등의 외부 회로가 내장되어 있다.
이 LED 제어 회로(2912)에 의하여 개별적으로 LED를 발광시킴으로써, 필드 시퀀셜 방식의 액정 표시 장치로 할 수 있다.
본 실시형태는, 다른 실시형태에 기재한 구성과 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 5)
본 명세서에 개시한 액정 표시 장치는, 다양한 전자 기기(게임기도 포함함)에 적용할 수 있다. 전자 기기로서는, 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 파친코(pachinko)기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.
도 8은 텔레비전 장치(9600)의 일례를 도시한다. 텔레비전 장치(9600)는 케이스(9601)에 표시부(9603)가 조립된다. 표시부(9603)에 의하여 영상을 표시할 수 있다. 또한, 여기서는 스탠드(9605)에 의하여 케이스(9601)를 지지한 구성을 도시한다.
텔레비전 장치(9600)의 조작은 케이스(9601)가 구비하는 조작 스위치나, 별체의 리모트 컨트롤러(9610)에 의하여 행할 수 있다. 리모트 컨트롤러(9610)가 구비하는 조작 키(9609)에 의하여 채널이나 음량을 조작할 수 있고, 표시부(9603)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다. 또한, 리모트 컨트롤러(9610)에 상기 리모트 컨트롤러(9610)로부터 출력하는 정보를 표시하는 표시부(9607)를 형성하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 텔레비전 장치(9600)는 수신기나 모뎀 등을 구비한 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반의 텔레비전 방송을 수신할 수 있고, 또 모뎀을 통하고 유선 또는 무선에 의한 통신 네트워크에 접속함으로써, 일 방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자간, 또는 수신자끼리 등)의 정보 통신을 행할 수도 있다.
도 9(A)는 휴대형 게임기이고, 케이스(9881)와 케이스(9891)의 2개의 케이스로 구성되어 있고, 연결부(9893)에 의하여, 개폐 가능하게 연결되어 있다. 케이스(9881)에는, 표시부(9882)가 내장되고, 케이스(9891)에는 표시부(9883)가 내장되어 있다. 또한, 도 9(A)에 도시한 휴대형 게임기는, 그 이외에 스피커부(9884), 기록매체 삽입부(9886), LED 램프(9890), 입력 수단(조작키(9885), 접속 단자(9887), 센서(9888; 힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전 수, 거리, 광, 액, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함한 것), 마이크로 폰(9889)) 등을 포함한다. 물론, 휴대용 게임기의 구성은 상술한 것에 한정되지 않고, 적어도 본 명세서에 개시한 액정 표시 장치를 구비한 구성이라면 좋고, 그 이외 부속 설비가 적절히 형성된 구성으로 할 수 있다. 도 9(A)에 도시한 휴대형 게임기는 기록 매체에 기록되는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능이나, 다른 휴대형 게임기와 무선 통신을 행하여 정보를 공유하는 기능을 갖는다. 또한, 도 9(A)에 도시한 휴대형 게임기가 갖는 기능은 이것에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다.
도 9(B)는 대형 게임기인 슬롯 머신(9900)의 일례를 도시한다. 슬롯 머신(9900)은, 케이스(9901)에 표시부(9903)가 내장되어 있다. 또한, 슬롯 머신(9900)은 그 이외에, 스타트 레버나 스톱 스위치 등의 조작 수단, 코인 투입구, 스피커 등을 구비한다. 물론, 슬롯 머신(9900)의 구성은 상술한 내용에 한정되지 않고, 적어도 본 명세서에 개시한 액정 표시 장치를 구비한 구성이라면 좋고, 그 이외의 부속 설비가 적절히 형성된 구성으로 할 수 있다.
도 10(A)는 휴대 전화기(1000)의 일례를 도시한다. 휴대 전화기(1000)는 케이스(1001)에 조립된 표시부(1002) 외에, 조작 버튼(1003), 외부 접속 포트(1004), 스피커(1005), 마이크(1006) 등을 구비한다.
도 10(A)에 도시한 휴대 전화기(1000)는, 표시부(1002)를 손가락 등으로 접촉함으로써, 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나, 또는 문자 메시지를 쓰는 조작은 표시부(1002)를 손가락 등으로 접촉함으로써 행할 수 있다.
표시부(1002)의 화면은 주로 3개의 모드가 있다. 제 1 모드는, 화상의 표시를 주로 하는 표시 모드이며, 제 2 모드는, 문자 등의 정보의 입력을 주로 하는 입력 모드이다. 제 3 모드는 표시 모드와 입력 모드의 2개의 모드가 혼합한 표시+입력 모드이다.
예를 들어, 전화를 거는 경우, 또는 문자 메시지를 작성하는 경우는, 표시부(1002)를 문자의 입력이 주된 문자 입력 모드로 하고, 화면에 표시시킨 문자의 입력 조작을 행하면 좋다. 이 경우, 표시부(1002)의 화면의 대부분에 키보드 또는 번호 버튼을 표시시키는 것이 바람직하다.
또한, 휴대 전화기(1000) 내부에, 자이로스코프(gyroscope), 가속도 센서 등의 기울기를 검출하는 센서를 갖는 검출 장치를 설치함으로써, 휴대 전화기(1000)의 방향(세로 또는 가로)을 판단하여, 표시부(1002)의 화면 표시를 자동적으로 전환하도록 할 수 있다.
또한 화면 모드의 전환은, 표시부(1002)를 만지거나 또는 케이스(1001)의 조작 버튼(1003)의 조작에 의하여 행해진다. 또한 표시부(1002)에 표시되는 화상의 종류에 따라 전환하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 표시부에 표시하는 화상 신호가 동영상 데이터이면 표시 모드, 텍스트 데이터이면 입력 모드로 전환한다.
또한 입력 모드에 있어서, 표시부(1002)의 광 센서로 검출되는 신호를 검지하여, 표시부(1002)의 터치 조작에 의한 입력이 일정 기간 없을 경우에는, 화면의 모드를 입력 모드에서 표시 모드로 전환하도록 제어하여도 좋다.
표시부(1002)는 이미지 센서로서 기능시킬 수도 있다. 예를 들어, 표시부(1002)에 손바닥이나 손가락으로 접촉하여 장문(掌紋)이나 지문(指紋)을 촬상함으로써, 본인 인증을 행할 수 있다. 또한, 표시부에 근적외광을 발광하는 백 라이트 또는 근적외광을 발광하는 검출용 광원을 사용하면, 손가락 정맥, 손바닥 정맥 등을 촬상할 수도 있다.
도 10(B)도 휴대 전화기의 일례이다. 도 10(B)의 휴대 전화기는 케이스(9411)에 표시부(9412), 및 조작 버튼(9413)을 포함하는 표시 장치(9410)와, 케이스(9401)에 조작 버튼(9402), 외부 입력 단자(9403), 마이크(9404), 스피커(9405), 및 착신시에 발광하는 발광부(9406)를 포함하는 통신 장치(9400)를 갖고, 표시 기능을 갖는 표시 장치(9410)는 전화 기능을 갖는 통신 장치(9400)와 화살표로 표시된 2방향으로 탈착할 수 있다. 따라서, 표시 장치(9410)와 통신 장치(9400)의 단축(短軸) 끼리를 부착시킬 수도 있고, 표시 장치(9410)와 통신 장치(9400)의 장축(長軸)끼리를 부착시킬 수도 있다. 또한, 표시 기능만을 필요로 하는 경우, 통신 장치(9400)로부터 표시 장치(9410)를 떼어내어, 표시 장치(9410)를 단독으로 사용할 수도 있다. 통신 장치(9400)와 표시 장치(9410)는 무선 통신 또는 유선 통신에 의하여 화상 또는 입력 정보를 수수할 수 있고, 각각 충전 가능한 배터리를 갖는다.
[실시예 1]
본 실시형태에서는, 액정 적하법을 사용하여 액정 표시 장치를 제작한 경우에 대하여 설명한다.
우선, 5인치의 유리 기판(500)(Corning Inc. 제조: EAGLE2000) 위에 직경 4㎛의 스페이서를 산포한 후, 열 경화형의 제 1 씰재(502a, 502b)를 형성하였다(도 11(A) 참조). 열 경화형의 제 1 씰재(502a, 502b)는 세로 4cm×가로 3cm의 직사각형 형상으로 형성하였다.
열 경화형의 제 1 씰재(502a, 502b)로서는, 점도가 30Pa·sec(25℃)의 에폭시 수지를 사용하여 형성하였다.
다음에, 제 1 씰재(502a, 502b)가 형성된 유리 기판(500)에 열 처리를 행함으로써, 제 1 씰재(502a, 502b)를 임시적으로 경화시켰다. 열 처리는 90℃의 오븐에 3시간 놓고 행하였다.
다음에, 유리 기판(500)을 오븐에서 꺼내고, 실온(25℃)으로 한 후, 제 1 씰재(502a, 502b)를 둘러싸도록, 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재(504)를 형성하였다. 광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재(504)는, 세로 11cm×가로 11cm의 정방형 형상으로 형성하였다.
광 및 열 병용 경화형의 제 2 씰재(504)로서는, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, UV 개시제, 열 경화제 및 커플링제를 갖고, 점도가 300Pa·sec(25℃)의 수지를 사용하여 형성하였다.
다음에, 유리 기판(500) 위의 제 1 씰재(502a, 502b) 내측에 이하의 [표 1]의 시판되는 재료를 갖는 액정 재료(506a, 506b)를 각각 적하하였다(도 11(B) 참조).
재료명 비율(WT%)
액정 JC-1041XX(CHISSO CO.INC 제) 44.9
액정 4-시아노-4-펜틸비페닐
(Tokyo Chemical Industries Co., Ltd 제)
34.6
키랄제 S-1011(Merck Ltd., Japan 제) 10.3
자외선 경화형 수지 RM257(Merck Ltd., Japan 제) 5.0
자외선 경화형 수지 트리메티롤프로판트리아크릴레이트
(Tokyo Chemical Industries Co., Ltd 제)
5.0
광 중합 개시제 2,2-디메톡시-2-페닐아세트페논
(Tokyo Chemical Industries Co., Ltd 제)
0.2
이 때, 액정 재료의 온도를 등방상인 80℃로 하고, 제 1 씰재(502a, 502b) 내측에 각각 4.8mg의 양의 액정 재료를 적하하였다.
다음에, 유리 기판(500)에 유리 기판(508)(Corning Inc. 제조: EAGLE2000)을 접합하였다. 여기서는, 유리 기판(508)을 챔버 내의 상측에 정전 척(chuck)으로 고정하고, 액정 재료가 적하된 유리 기판(500)을 챔버 내의 하측에 설치한 후, 챔버 내를 100Pa까지 감압하여 유리 기판(500)과 유리 기판(508)을 접합하였다. 그 후, 챔버를 대기 개방하였다(도 11(C) 참조).
이 시점에서, 유리 기판(500)과 유리 기판(508)의 간격은, 4㎛ 정도이고, 액정 재료(506a, 506b)가 각각 제 1 씰재(502a, 502b) 내의 9할(割) 정도까지 확대하고, 액정층(510a, 510b)이 형성되었다.
다음에, 액정층(510a, 510b)에 고분자 안정화 처리를 행하여 액정층(512a, 512b)으로 하였다(도 11(D) 참조). 고분자 안정화 처리는, 액정층(510a, 510b)을 50℃까지 가열한 후, 50℃로부터 -1℃/min로 강온시켜, 등방상으로부터 블루상으로 상전이하고, 블루상이 전체 면으로 확대한 36℃에서 온도를 유지하여, 365nm를 주파장으로 하는 자외선(1.5mW/cm2)을 30분 조사하여 행하였다. 또한, 고분자 안정화 처리에 있어서의 열 처리에 의하여 액정층(510a, 510b)이 제 1 씰재(502a, 502b) 내의 전체 면으로 확대하였다.
다음에, 열 처리를 행함으로써, 열 경화형의 제 1 씰재(502a, 502b)의 경화를 행하였다. 그 결과, 완전히 경화한 제 1 씰재(516a, 516b)와, 완전히 경화한 제 2 씰재(518)가 얻어졌다(도 11(E) 참조). 그 후, 유리 기판(500)과 유리 기판(508)을 분단하고(도 11(F) 참조), 분단된 패널에 FPC 등을 형성함으로써, 액정 표시 장치를 제작하였다. 도 13(A)는, FPC 접합 직후의 외관 사진이다. 또한, 본 실시예에 있어서, 완전히 경화하기 위한 열 처리에 의하여, 액정층(512a, 512b)은 한번, 등방상까지 상전이한다. 그러나, 도 13(B)의 편광 현미경 사진(반사, 크로스니콜, 200배)에 도시한 바와 같이, 고분자 안정화 처리 후에 완전히 경화하기 위한 열 처리에 의하여, 한번 액정층의 전체 면을 등방상까지 상전이시킨 경우에도, 다시 실온(25℃)으로 하면, 액정층이 블루상을 유지하는 것이 확인되었다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 씰재로서 광 및 열 병용 경화형의 수지를 사용하여 액정 표시 장치를 제작한 경우에 대하여 설명한다.
우선, 5인치의 유리 기판(600)(Corning Inc. 제조: EAGLE2000) 위에 직경 4㎛의 스페이서를 산포한 후, 광 및 열 경화형의 씰재(602a, 602b, 604)를 형성하였다(도 12(A) 참조). 광 및 열 경화형의 씰재(602a, 602b)는 세로 4cm×가로 3cm의 직사각형 형상으로 형성하였다. 광 및 열 경화형의 씰재(604)는, 세로 11cm×가로 11cm의 정방형 형상으로 형성하였다.
광 및 열 병용 경화형의 씰재(602a, 602b, 604)로서는, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, UV 개시제, 열 경화제 및 커플링제를 갖고, 점도가 300Pa·sec(25℃)의 수지를 사용하여 형성하였다.
다음에, 씰재(602a, 602b, 604)가 형성된 유리 기판(600)에 자외선 조사 처리를 행함으로써, 씰재(602a, 602b, 604)를 임시적으로 경화시켰다. 그 결과, 임시적으로 경화한 씰재(603a, 603b, 605)가 얻어졌다(도 12(B) 참조). 자외선은 250nm 내지 400nm를 주된 파장으로 하는 Deep UV 램프를 사용하고, 365nm의 파장으로 13mW/cm2의 자외선을 0.2sec 조사하여 행하였다.
다음에, 유리 기판(600) 위의 씰재(603a, 603b) 내측에 하기의 시판되는 재료를 갖는 액정 재료(606a, 606b)를 각각 일적 적하하였다(도 12(C) 참조). 또한, 액정 재료는, 실시예 1의 [표 1]과 마찬가지의 재료를 사용하였다.
이 때, 액정 재료의 온도를 등방상인 80℃로 하고, 씰재(603a, 603b) 내측에 각각 4.8mg의 양의 액정 재료를 한방울 적하하였다.
또한, 패널의 경우, 액정 재료를 복수 개소에 여러 방울 적하하면, 액정 재료가 면 내에 있어서 보다 균일하게 확대되기 때문에 바람직하다. 따라서, 액정층에 있어서, 고분자 안정화가 보다 균일하게 행해지고, 표시할 때의 결함을 방지할 수 있다는 효과가 있다.
다음에, 유리 기판(600)에 유리 기판(608)(Corning Inc. 제조: EAGLE2000)을 접합하였다. 여기서는, 유리 기판(608)을 챔버 내의 상측에 정전 척으로 고정하고, 액정 재료가 적하된 유리 기판(600)을 챔버 내의 하측에 설치한 후, 챔버 내를 100Pa까지 감압하여 유리 기판(600)과 유리 기판(608)을 접합하였다. 그 후, 챔버를 대기 개방하였다(도 12(D) 참조).
이 시점에서, 유리 기판(600)과 유리 기판(608)의 간격은 4㎛ 정도이고, 액정 재료(606a, 606b)가 각각 씰재(603a, 603b) 내의 9할 정도까지 확대하고, 액정층(610a, 610b)이 형성되었다.
다음에, 액정층(610a, 610b)에 고분자 안정화 처리를 행하여 액정층(612a, 612b)으로 하였다(도 12(E) 참조). 고분자 안정화 처리는, 액정층(610a, 610b)을 50℃까지 가열한 후, 50℃로부터 -1℃/min로 강온시켜, 등방상으로부터 블루상으로 상전이하고, 블루상이 전체 면으로 확대한 36℃에서 온도를 유지하고, 365nm를 주파장으로 하는 자외선(1.5mW/cm2)을 30분 조사하여 행하였다. 또한, 고분자 안정화 처리에 있어서의 열 처리에 의하여 액정층(610a, 610b)이 씰재(603a, 603b) 내의 전체 면으로 확대하였다.
다음에, 365nm의 파장으로 13mW/cm2의 자외선을 60sec 조사하고, 그 후, 120℃, 60min의 열 처리를 행함으로써, 광 및 열 병용 경화형의 씰재(603a, 603b, 605)의 경화를 행하였다. 그 결과, 완전히 경화한 씰재(616a, 616b, 618)가 얻어졌다(도 12(F) 참조). 그 후, 유리 기판(600)과 유리 기판(608)을 분단하고(도 12(G) 참조), 분단된 패널에 FPC 등을 형성함으로써, 액정 표시 장치를 제작하였다. 또한, 본 실시예에 있어서, 광 및 열 병용 경화형의 씰재(603a, 603b, 605)를 완전히 경화하기 위한 열 처리에 의하여 액정층(612a, 612b)은 한번, 등방상까지 상전이한다. 그러나, 고분자 안정화 처리 후에 완전히 경화하기 위한 열 처리에 의하여, 한번 액정층의 전체 면을 등방상까지 상전이시킨 경우에도, 다시 실온(25℃)으로 하면, 액정층이 블루상을 유지하는 것이 확인될 수 있었다.
100: 기판 102: 씰재
104: 씰재 106: 액정 재료
108: 기판 110: 액정층
112: 액정층 114: 씰재
116: 씰재 118: 씰재

Claims (23)

  1. 제 1 기판 위에 제 1 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과;
    상기 제 1 기판 위의 상기 제 1 씰재보다 외측에 제 2 씰재를 형성하는 제 2 공정과;
    상기 제 1 씰재보다 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과;
    감압 분위기에서 상기 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과;
    상기 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 5 공정과;
    열 처리에 의하여 상기 제 1 씰재를 경화시키는 제 6 공정을 포함하고,
    상기 제 1 씰재는 열 경화형의 씰재이고,
    상기 제 2 씰재는 광 및 열 경화형의 씰재인, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 공정과 상기 제 2 공정 사이에서, 열 처리에 의하여 상기 제 1 씰재를 임시적으로 경화하는 공정을 더 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정 재료로서 어느 온도에서 블루상을 나타내는 재료를 사용하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여 상기 액정 재료가 블루상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여, 상기 액정 재료가 블루상과 등방상간의 상전이 온도로부터 +5℃ 이내의 등방상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 액정 재료는 광 경화 수지를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  7. 제 1 기판 위에 제 1 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과;
    상기 제 1 기판 위의 상기 제 1 씰재보다 외측에 제 2 씰재를 형성하는 제 2 공정과;
    상기 제 1 씰재보다 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과;
    감압 분위기에서 상기 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과;
    열 처리에 의하여 상기 제 1 씰재를 경화시키는 제 5 공정과;
    상기 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 6 공정을 포함하고,
    상기 제 1 씰재는 열 경화형의 씰재이고,
    상기 제 2 씰재는 광 및 열 경화형의 씰재인, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 5 공정과 상기 제 6 공정 사이에서, 상기 제 1 씰재와 상기 제 2 씰재 사이의 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 분단하는 공정을 더 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 공정과 상기 제 2 공정 사이에서, 열 처리에 의하여 상기 제 1 씰재를 임시적으로 경화하는 공정을 더 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 액정 재료로서 어느 온도에서 블루상을 나타내는 재료를 사용하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여 상기 액정 재료가 블루상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여, 상기 액정 재료가 블루상과 등방상간의 상전이 온도로부터 +5℃ 이내의 등방상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 액정 재료는 광 경화 수지를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  14. 제 1 기판 위에 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과;
    자외선을 조사함으로써 상기 씰재를 임시적으로 경화하는 제 2 공정과;
    상기 씰재보다 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과;
    감압 분위기에서 상기 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과;
    상기 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 5 공정과;
    열 처리에 의하여 상기 씰재를 완전히 경화시키는 제 6 공정을 포함하고,
    상기 씰재는 광 및 열 경화형의 씰재인, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 액정 재료로서 어느 온도에서 블루상을 나타내는 재료를 사용하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여 상기 액정 재료가 블루상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여, 상기 액정 재료가 블루상과 등방상간의 상전이 온도로부터 +5℃ 이내의 등방상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 액정 재료는 광 경화 수지를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  19. 제 1 기판 위에 씰재를 프레임 형상으로 형성하는 제 1 공정과;
    자외선을 조사함으로써 상기 씰재를 임시적으로 경화하는 제 2 공정과;
    상기 씰재보다 내측에 액정 재료를 적하하는 제 3 공정과;
    감압 분위기에서 상기 제 1 기판에 제 2 기판을 접합하는 제 4 공정과;
    열 처리에 의하여 상기 씰재를 완전히 경화시키는 제 5 공정과;
    상기 액정 재료에 고분자 안정화 처리를 행하는 제 6 공정을 포함하고,
    상기 씰재는 광 및 열 경화형의 씰재인, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 액정 재료로서 어느 온도에서 블루상을 나타내는 재료를 사용하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여 상기 액정 재료가 블루상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 고분자 안정화 처리는 열 처리에 의하여, 상기 액정 재료가 블루상과 등방상간의 상전이 온도로부터 +5℃ 이내의 등방상이 되는 온도로 한 후, 상기 액정 재료에 자외선을 조사하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 액정 재료는 광 경화 수지를 포함하는, 액정 표시 장치의 제작 방법.
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