KR20100124905A - 폴리이미드를 포함하는 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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KR20100124905A
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Abstract

본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 더 상세하게는 내열 특성이 매우 향상된 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 및 폴리이미드 수지를 포함한 것임을 특징으로 한다. 본 발명의 포토레지스토 조성물은 내열성이 우수하고, 노볼락 수지 및 감광성 화합물과 혼화성이 우수하며, TMAH 현상성이 우수하여 기판과의 접착력, 해상도 및 CD linearity가 우수한 효과가 있다.
포토레지스트, 포토리소그래피, 노볼락, 폴리이미드

Description

폴리이미드를 포함하는 포토레지스트 조성물{PHOTORESIST COMPOSITION COMPRISNG POLYIMIDE RESIN}
본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 더 상세하게는 내열 특성이 매우 향상된 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트 조성물은 도포 균일성, 고감도, 기판과의 접착력, 내열성 등의 물성을 만족시켜야 한다. 특히, 우수한 내열성에 대한 요구가 늘어나고 있지만 만족할 만한 물성을 나타내지 못하고 있다.
내열성이 우수한 포토레지스트 조성물에 관한 종래의 기술은 하기 문헌 1 내지 문헌 3의 것을 예로 들수 있다.
문헌 1은 포지티브형 포토레지스트 조성물의:(A)(a) 페놀, 크레솔류 및 레소르시놀에서 선택된 제1페놀 화합물 중에서 하나 이상, 및 (b) 분자의 헥치환기로서, 알릴옥시, 알릴옥시메틸, 알릴 디메틸실릴, 2-(알릴 디메틸실릴)에톡시, 신나 모일(cinnaamoyl), 아크릴로일 및 메타크릴로일기로부터 선택된 에틸렌적으로 불포화된 기를 갖는 제2페놀 화합물 중에서 하나이상으로 이루어진 페놀 화합물의 두 종류로부터 유도된 페놀부분을 함유한 페놀 노볼락 수지 100중량부; 및 (B) 나프토퀴논 디아지도술폰산 에스테르 20∼60중량부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고내열성 포토레지스트 조성물에 관한 것을 개시하고 있다.
문헌 2는 광활성분, 바인더 레진 및 용제로 이루어진 감광성 수지 조성물에 있어서, 자외선에 노광되고 알카리 수용액에 현상 처리되어 양화상을 형성할 수 있는 적어도 전체 고형분에 대해 10-70 무게%, 더욱 좋게는 20-45 무게%를 차지하는 광활성분, 전체 고형분에 대해 30-90 무게%, 더욱 좋게는 55-80 무게%를 차지하는 것으로 3종의 특정한 페놀계 모노머와 포름알데히드의 축합 고분자 및 바인더 레진, 그리고 에틸락테이트/프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트/디에틸렌글리콜 디메틸에테르 혼합용제로 이루어짐을 특징으로 하는 내열성이 뛰어난 감광성 수지 조성물에 관한 것을 개시하고 있다.
문헌 3은 포토레지스트 조성물에 있어서,(A) 노볼락 수지 10 내지 50 중량%;(B) 에폭시 아크릴레이트 수지 1 내지 20 중량%;(C) 감광제 3 내지 15 중량%; 및(D) 용매 50 내지 80 중량%를 포함하고, 상기 노볼락 수지는 중량평균분자량이 3000 내지 15000인 노볼락 A 수지와 중량평균분자량이 5000 내지 15000인 노볼락 B 수지가 1:1 내지 9로 혼합되어 있는 혼합물인고내열성 포토레지스트 조성물에 관한 것을 개시하고 있다.
[ 문헌 1 ] KR 10-1987-0007789 (1987.07.18)
[ 문헌 2 ] KR 10-1990-0008863 (1990.06.16)
[ 문헌 3 ] KR 10-2001-0064571 (2001.10.19)
상기한 종래기술들은 폴리이미드가 조성물에 포함되지 않은 점에서 본 발명과 큰 차이점이 있다.
종래기술은 포토레지스트 조성물은 내열성 향상을 위해 개질한 노볼락 수지 및 기타 첨가제를 사용해 왔지만 노볼락 수지가 갖는 한계로 인해 내열성 향상에 많은 어려움이 있는 실정이다.
이에 본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하고, 내열성이 우수한 포토레지스트 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서,
알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 및 폴리이미드 수지를 포함한 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 폴리이미드 수지는 산 무수물과 디아민 화합물의 축중합물인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 산 무수물은 3,3'-4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈릭산 무수물 및 5-노보넨-2,3-디카복실산 무수물에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 디아민 화합물은 2,2'-비스[4[(4-아미노페녹시)페닐]헥사플르오로프로판, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 및 4,4'-옥시디아닐린에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 노볼락 수지 및 상기 폴리이미드 수지의 중량비는 노볼락 수지 : 폴리이미드 수지 = 1 : 0.1 ~ 1인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 전체 조성물에 대해 15 ~ 25 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
본 발명에 있어서, 상기 감광성 화합물은 퀴논 디아지드형 화합물인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 감광성 화합물은 전체 조성물에 대해 2 ~ 10 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 용매는 전체 조성물에 대해 65 ~ 80 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 증감제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 증감제는 전체 조성물에 대해 0.1 ~ 4 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 포토레지스토 조성물은 내열성이 우수하고, 노볼락 수지 및 감광성 화합물과 혼화성이 우수하며, TMAH 현상성이 우수하여 기판과의 접착력, 해상도 및 CD linearity가 우수한 효과가 있다.
이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명은,
알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 및 폴리이미드 수지를 포함한 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 상기 폴리이미드 수지는 산 무수물과 디아민 화합물의 축중합으로 얻을 수 있다.
상기 산 무수물은 3,3'-4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈릭산 무수물 및 5-노보넨-2,3-디카복실산 무수물에서 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다.
상기 디아민 화합물은 2,2'-비스[4[(4-아미노페녹시)페닐]헥사플르오로프로 판, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 및 4,4'-옥시디아닐린에서 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 사용되는 알칼리-가용성 노볼락 수지는 일반적으로 페놀성 화합물과 알데히드를 산촉매 존재 하에 축합하여 만들 수 있다. 페놀성 화합물의 예로는, 페놀, o-, m-또는 p-크레솔, 2,3-, 2,5-, 3,4- 또는 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2-, 3- 또는 4-3차-부틸페놀, 2-3차-부틸-4- 또는 5-메틸페놀, 2-, 4- 또는 5-메틸 레조르시놀, 2-, 3- 또는 4-메톡시페놀, 2,3-, 2,5- 또는 3,5-디메톡시페놀, 2-메톡시레조르시놀, 4-3차-부틸 카테콜, 2-, 3- 또는 4-에틸페놀, 2,5- 또는 3,5-디에틸페놀, 2,3,5-트리에틸페놀, 2-나프톨, 1,3-, 1,5- 또는 1,7-디히드록실나프탈렌 및 크실레놀과 히드록시벤즈알데히드를 축합시켜 얻은 폴리히드록시트리페닐 메탄형 화합물이 포함된다. 이들 페놀성 화합물은 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
알데히드의 예로는, 포름알데히드, 아세토알데히드, 프로피온알데히드, n-부틸알데히드, 이소부틸알데히드, 피발알데히드, n-헥실알데히드, 아크롤레인- 및 크로톤알데히드와 같은 지방족 알데히드류; 시클로헥시알데히드,시클로펜탄알데히드, 푸르푸랄 및 푸릴아크롤레인과 같은 지환족 화합물; 벤즈알데히드, o-, m- 또는 p-메틸벤즈알데히드, p-에틸벤즈알데히드, 2,4-, 2,5-, 3,4- 또는 3,5-디메틸벤즈알데히드, o-, m- 또는 p-히드록시벤즈알데히드, o-, m- 또는 p-아니스알데히드 및 바닐린과 같은 방향족 알데히드류; 및 페닐 아세트알데히드 및 신남알데히드와 같 은 방향성지방족 알데히드류가 포함된다. 이들 알데히드는 또한, 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 가운데, 포름알데히드가 산업상 쉽게 입수할 수 있기 때문에 바람직하다.
페놀성 화합물과 알데히드를 축합하는데 사용가능한 산 촉매의 예로는, 염산, 황산, 과염소산 및 인산과 같은 무기산; 포름산, 아세트산, 옥살산, 트리클로로아세트산 및 p-톨루엔술폰산과 같은 유기산; 아연 아세테이트, 아연 클로라이드 및 망간 아세테이트와 같은 2가 금속염을 들 수 있다. 이들 산 촉매는 단독으로 또는 둘 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 축합 반응은 통상의 방법으로, 예를 들면, 온도는 60 내지 200℃, 시간은 2 내지 30 시간 범위 이내에서 수행될 수 있다.
본 발명에 있어서, 알칼리 가용성 수지로서 첨가되는 상기 노볼락 수지 및 상기 폴리이미드 수지의 중량비는 노볼락 수지 : 폴리이미드 수지 = 1 : 0.1 ~ 1 범위 이내인 것이 바람직하다. 폴리이미드 수지가 노볼락 수지 중량대비 0.1 미만으로 첨가되면 내열성 향상에 미미하고, 1 초과하면 해상도에 문제를 야기할 우려가 있다.
본 발명에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 전체 조성물에 대해 15 ~ 25 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 15 중량% 미만인 경우에는 점도가 낮아 원하는 두께를 만들기 어려울 수 있고, 25 중량% 초과인 경우에는 점도가 높아져서 스핀 코팅시 알피엠(RPM)이 증가하는 부담이 따른다.
본 발명에 있어서, 상기 감광성 화합물은 퀴논 디아지드형 화합물인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 퀴논 디아지드형 화합물은 1,2-벤조퀴논 디아지드 - 4 - 술포닐 에스테르, 1,2- 나프로 퀴논 디아지드 -4- 술포닐 에스테르, 1,2 -나프로 퀴논 디아지드 -5- 술포닐 에스테르에서 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다.
상기 감광성 화합물은 전체 조성물에 대해 2 ~ 10 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 2 중량% 미만인 경우에는 잔막을 유지하기 어려우며, 10 중량% 초과인 경우에는 용매에 대한 용해도가 떨어져 조성물의 일부가 석출될 가능성이 있어 좋지 않다.
본 발명에 있어서, 상기 용매는 에틸 셀로솔브 아세테이트, 메틸 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸 셀로솔브, 메틸 셀로솔브, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸 락테이트, 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트, 에틸 피루베이트, 2-헵탄온 및 시클로헥산온, 및 γ-부티로락톤에서 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다.
상기 용매는 전체 조성물에 대해 65 ~ 80 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 65 중량% 미만인 경우에는 조성물이 고점도화되어 필름(film)의 두께가 높아지게 되어 좋지 않고, 80 중량% 초과인 경우 조성물이 저점도화되어 필름의 두 께가 얇아지게 되어 좋지 않다. 즉, 용매가 상기 범위 이내일 경우에 필름 형성하기에 적당한 점도가 된다.
본 발명에 있어서, 감도를 향상시킬 목적으로 증감제(sensititizer)를 더 포함할 수도 있다.
상기 증감제는 4-[[4-비스(4-하이드록시페닐)메틸]페닐]-(4-하이드록시페닐)메틸]페놀, 1,2-나프토퀴논디아지도-5-술폰산, 1,2-나프토퀴논디아지도-4-술폰산, 및 1,2-벤조키논디아지도-4-술폰산으로 구성되는 군으로부터 선택되어지는 하나 이상인 것을 사용할 수 있다.
상기 증감제는 전체 조성물에 대해 0.1 ~ 4 중량% 범위 이내로 포함된 것이 바람직하다. 0.1 중량% 미만인 경우 감도 향상 효과가 적으며, 4 중량% 초과인 경우 현상 후 잔막 손실이 커질 우려가 있다.
본 발명의 상기 조성물은 양성포토레지스트로서 사용되는 것이 바람직하다.
이하 발명의 상세한 설명을 들어 더 상세하게 설명한다. 본 명세서 상의 실시예는 발명의 상세한 설명을 위한 것일뿐, 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
실시예
실시예 1
m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량 6,000인 노볼락 수지 15.2g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1mol과 1,2-디아지도나프토퀴논-4-술포닐클로라이드 3mol을 반응시켜 제조한 감광성 화합물 4.1g; 증감제로서 4-[[4-비스(4-하이드록시페닐)메틸]페닐]-(4-하이드록시페닐)메틸]페놀 1g; 산무수물 성분으로 3,3',4,4'-옥시다이프탈산 무수물 9.3g(0.03mol), 5-노보넨-2,3-디카복실산 무수물 2.5g(0.015mol), 디아민 성분으로 2,2'-비스[4[(4-아미노페녹시)페닐]헥사플르오로프로판 14.52g(0.03mol)과 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 2.24g(0.015mol)을 감마 부티로 락톤 용매에 녹인 후, 180℃에서 1시간 가열하여 얻은 폴리이미드 수지 5.4g 를 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸 락테이트 용매 100g에 용해 후 0.2㎛ 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2
노볼락 수지 11.9g, 폴리이미드 16.1g을 사용하는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 3
m-크레졸과 p-크레졸 중량비 5:5를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평 균분자량 6,000인 노볼락 수지 15.2g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1mol과 1,2-디아지도나프토퀴논-4-술포닐클로라이드 3mol을 반응시켜 제조한 감광성 화합물 4.1g; 증감제로서 4-[[4-비스(4-하이드록시페닐)메틸]페닐]-(4-하이드록시페닐)메틸]페놀 1g; 산무수물 성분으로 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈릭산 무수물 13.33g(0.03mol) 및 5-노보넨-2,3-디카복실산 무수물 2.5g(0.015mol), 디아민 성분으로 4,4'-옥시디아닐린 6.0g(0.03mol)을 180℃에서 1시간 가열하면서 얻은 폴리이미드 수지 5.1g를 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 에틸 락테이트 용매 100g에 용해 후 0.2㎛ 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 4
노볼락 수지 15.5g, 폴리이미드 15.5g을 사용하는 것을 제외하고 실시예 3과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 1
m-크레졸과 p-크레졸 중량비 6:4를 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량 12,000인 노볼락 수지 16.9g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1mol과 1,2-디아지도나프토퀴논-4-술포닐클로라이드 3mol을 반응시켜 제조한 감광성 화합물 4g; 증감제로서 4-[[4-비스(4-하이드록시페닐)메틸]페닐]-(4-하이드록시페닐)메틸]페놀 1g을 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트와 에틸 락테이트에 용해 후 0.2㎛ 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예 2
m-크레졸을 이용하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량 20,000인 노볼락 수지 16.9g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논 1mol과 1,2-디아지도나프토퀴논-4-술포닐클로라이드 3mol을 반응시켜 제조한 감광성 화합물 4g; 증감제로서 4-[[4-비스(4-하이드록시페닐)메틸]페닐]-(4-하이드록시페닐)메틸]페놀 1g을 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트와 에틸 락테이트에 용해 후 0.2㎛ 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물의 물성들을 다음과 같이 평가하였으며, 그 결과 또한 다음 표 1에 나타내었다.
1) 잔막율 평가
먼저 감광성 수지 조성물을 4” 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅한 후 핫플레이트에서 115℃ 145초간 프리베이크하여 2㎛ 두께의 포토레지스트 막을 형성하였다. 프리베이크 완료한 웨이퍼를 I-line 스테퍼(I6)로 20mJ/㎠ 부터 10mJ/㎠ 간격으로 200mJ/㎠까지 순차적으로 노광하였으며, 이때 사용한 마스크에는 1㎛ ~ 10㎛까지 1㎛ 간격으로 라인/스페이스 패턴 및 원형 패턴이 반복되어 있다. 2.38wt% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 23℃ 60초간 현상한 후 초순수로 60초간 세정 및 건조하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 잔막율은 하기 수학식 1의 정의에 따른 다.
Figure 112009030116756-PAT00001
2) 감도 평가
상기와 같은 방법으로 현상 후에 마스크의 라인/스페이스 패턴 6㎛과 동일한 패턴을 전사시키는 최적 노광 에너지를 확인하였다. 노광 에너지가 낮을수록 감도가 우수한 결과를 나타낸다.
3) 내열성 평가
상기와 같은 방법으로 현상 후 얻은 패턴이 있는 시료를 각각 130℃, 140℃, 150℃, 160℃에서 180초간 포스트 베이크를 하였다. 상기 포스트 베이크를 완료한 웨이퍼에 대해 전자현미경 (SE-SEM)으로 단면을 관찰하여 감광 물질 패턴의 흘러내림 정도를 관찰하였다.
알칼리 가용성 수지의 조성 성분(중량%) 물성
노볼락 폴리이미드 감도(mJ/㎠) 잔막율(%) 내열성(℃)*
실시예1 74% 26% 30 99.5 140
실시예2 43% 57% 90 98.5 160
실시예3 75% 25% 20 99.3 140
실시예4 50% 50% 60 98.0 160
비교예1 100% 0% 30 99.0 130
비교예2 100% 0% 20 97.0 130
* 내열성 온도는 패턴이 흘러내리지 않는 임계온도이다.
상기 표 1에 나타난 것과 같이 폴리이미드가 알칼리 가용성 수지로서 포함된 본 발명의 조성물은 감도 , 잔막율 측면에서 우수한 성능을 나타내었다. 특히, 내열성 온도측면에서 비교예에 비해 개선된 특징을 나타내었다.
도 1은 본 발명 실시예3 및 비교예 2의 패턴을 측면 각도에서 촬영한 단면 전자 주사 현미경 사진이다. 도 1에서 알 수 있듯이, 실시예 3이 비교예 2에 비해 패턴 형성이 더 잘되고, CD linearity가 우수함을 알 수 있다. CD linerity 는"Critical Dimension linearity"의 약어이고, Critical Dimension이란 Mask의 Pattern 형상으로 현상된 Photoreisist의 실제 Pattern 크기를 의미하는 것으로, CD linearity는 Photoresist 현상 Pattern이 Mask의 각 Pattern 크기와 같은 정도를 표현하는 용어이다.
도 1은 본 발명 실시예3 및 비교예 2의 패턴을 측면 각도에서 촬영한 단면 전자 주사 현미경 사진이다.

Claims (11)

  1. 알칼리 가용성 수지, 감광성 화합물, 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 및 폴리이미드 수지를 포함한 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지는 산 무수물과 디아민 화합물의 축중합물인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 산 무수물은 3,3'-4,4'-옥시다이프탈산 무수물, 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈릭산 무수물 및 5-노보넨-2,3-디카복실산 무수물에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 디아민 화합물은 2,2'-비스[4[(4-아미노페녹시)페닐]헥사플르오로프로판, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 및 4,4'-옥시디아닐린에서 선택되어지는 하나 이상인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지 스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 노볼락 수지 및 상기 폴리이미드 수지의 중량비는 노볼락 수지 : 폴리이미드 수지 = 1 : 0.1 ~ 1인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지는 전체 조성물에 대해 15 ~ 25 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 퀴논 디아지드형 화합물인 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 화합물은 전체 조성물에 대해 2 ~ 10 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 용매는 전체 조성물에 대해 65 ~ 80 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서, 증감제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 증감제는 전체 조성물에 대해 0.1 ~ 4 중량% 범위 이내로 포함된 것임을 특징으로 하는 내열성 포토레지스트 조성물.
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