KR20100118341A - 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 순차적으로 적층된 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막으로 구성되고, 상기 산화막들은 동종의 산화물로 구성되되, 인접한 산화막들 사이는 조성비를 달리하여 형성된 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 ReRAM 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 산화막과 상기 제3 산화막은 동종이며, 상호간에 동일한 조성비를 가지는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 산화막 및 제3 산화막은 TiO2, MgO, NiO, ZnO 또는 HfO2이고, 상기 제2 산화막은 TiO2 -x, MgO1 -x, NiO1 -x, ZnO1 -x 또는 HfO2 -x인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 산화막은 TiO2, MgO, NiO, ZnO 또는 HfO2이고, 상기 제1 산화막 및 제3 산화막은 TiO2 -x, MgO1 -x, NiO1 -x, ZnO1 -x 또는 HfO2 -x인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 저항 변화층은 두께가 5nm 내지 150nm인 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 저항 변화층을 구성하는 상기 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막의 두께를 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막에서 각기 다른 산소 조성비를 가지는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자.
- 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 제1 산화막을 형성하는 단계;상기 제1 산화막 상에 상기 제1 산화막과 동종이되, 조성비를 달리하는 제2 산화막을 형성하는 단계;상기 제2 산화막 상에 상기 제2 산화막과 동종이되, 조성비를 달리하는 제3 산화막을 형성하는 단계; 및상기 제3 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 ReRAM 소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 산화막과 상기 제3 산화막은 동종이며, 상호간에 동일한 조성비를 가지는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제3 산화막을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판에 대해 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 열처리는 100℃ 내지 1000℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 열처리는 100 Torr 내지 500 Torr의 질소 분압 또는 산소 분압이 인가되는 가스 분위기 또는 진공 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 ReRAM 소자의 제조방법.
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