KR20100114929A

KR20100114929A - 마그네트론 스퍼터링 장치 및 마그네트론 스퍼터링 방법

Info

Publication number: KR20100114929A
Application number: KR1020107020395A
Authority: KR
Inventors: 야스히코 아카마츠; 규조 나카무라; 모토시 고바야시; 준야 기요타; 도미유키 유카와; 마사키 다케이; 유우이치 오이시; 마코토 아라이; 사토루 이시바시
Original assignee: 가부시키가이샤 알박
Priority date: 2008-03-17
Filing date: 2009-03-10
Publication date: 2010-10-26
Also published as: KR101246458B1; WO2009116430A1; US20110048926A1; CN101978094B; JPWO2009116430A1; JP5286351B2; TWI448574B; CN101978094A; US8221594B2; TW200946705A

Abstract

본 발명은, 장기간에 있어서 균일한 막두께 분포의 성막이 가능한 마그네트론 스퍼터링 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치 (1) 는, 진공조 (2) 와 진공조 (2) 내에 형성되고, 그 정면 측에 타깃 (7) 을 유지하고, 또한, 그 배면측에 복수의 마그넷 (12) 을 유지하는 배킹 플레이트 (8) 를 갖는 캐소드부 (6) 와, 캐소드부 (6) 에 대하여 직류 전력을 공급하는 직류 전원 (30) 을 구비한다. 배킹 플레이트 (8) 에 대하여 타깃 (7) 측의 방전 공간에, 독립적으로 전위를 제어할 수 있는 복수의 제어 전극 (21, 22) 이 형성되어 있는 것이다.

Description

마그네트론 스퍼터링 장치 및 마그네트론 스퍼터링 방법{MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND MAGNETRON SPUTTERING METHOD}

본 발명은 진공 중에서 스퍼터링에 의하여 성막을 실시하는 기술에 관한 것으로, 특히 마그네트론 스퍼터링에 의한 성막 기술에 관한 것이다.

종래에 이러한 종류의 마그네트론 스퍼터링 장치 (101) 에서는, 예를 들어 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 진공조 (102) 내에 있어서, 기판 (104) 에 대향하는 타깃 (107) 의 배면 (배킹 플레이트 ; 108) 측에 복수의 막대 형상의 마그넷 (112) 가 배치 형성되도록 되어 있다.

이와 같은 종래 기술에서는, 타깃 (107) 을 장기간 사용하면, 타깃 (107) 의 표면이 파여짐으로써, 복수의 마그넷 (112) 상호 간에 있어서 임피던스에 차이가 발생하고, 그 결과 방전 공간에 있어서의 플라스마의 분포가 불균일해진다는 문제가 있다.

예를 들어, 도 6(a) 에 나타낸 예에 있어서는, 도 6(b)(c) 에 나타내는 바와 같이, 중앙의 마그넷 (112) 에 대응하는 타깃 영역 (107a) 보다 측부 영역이 패임이 진행되고, 그 결과, 기판 (104) 상의 막두께가 중앙 영역이 가장자리부 영역보다 얇게 되어 버린다는 과제가 있다.

이러한 과제에 대하여, 종래에는 타깃 (107) 에 대한 마그넷 (112) 의 거리를 변경하여 자기 회로를 보정함으로써 대응하였으나, 충분한 막두께의 균일성이 얻어지지 못하였다.

일본 공개특허공보 평11-200037호 일본 공개특허공보 평11-302843호

본 발명은, 이와 같은 종래의 기술의 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 그 목적하는 바는, 장기간에 있어서 균일한 막두께 분포의 성막이 가능한 마그네트론 스퍼터링 기술을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 이루어진 본 발명은, 진공조와, 상기 진공조 내에 형성되고, 그 정면측에 타깃을 유지하고, 또한, 그 배면측에 복수의 마그넷을 유지하는 유지 기구를 갖는 캐소드부와, 상기 캐소드부에 대하여 전력을 공급하는 전원을 구비하고, 상기 유지 기구에 대하여 상기 타깃측의 방전 공간에, 독립적으로 전위를 제어할 수 있는 복수의 제어 전극이 형성되어 있는 마그네트론 스퍼터링 장치이다.

또, 본 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 제어 전극이, 상기 복수의 마그넷에 각각 대응하여 형성되어 있는 것이다.

또, 본 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 마그넷이 막대 형상으로 형성되고, 상기 제어 전극이, 상기 유지 기구를 협지하고 상기 마그넷의 단부 (端部) 와 겹치도록 배치되어 있는 것이다.

또, 본 발명은, 상기 제어 전극이, 상기 타깃의 단 가장자리부에 대하여 내방측으로 돌출되도록 배치되어 있는 것이다.

한편, 본 발명은, 진공 중에서 마그네트론 방전을 발생시켜 스퍼터링을 실시하는 마그네트론 스퍼터링 방법으로서, 복수의 제어 전극을 타깃의 방전 공간에 배치하고, 진공 중에서 타깃에 전력을 공급하여 플라스마를 발생시킬 때에, 상기 복수의 제어 전극의 전위를 상이하게 하는 공정을 갖는 것이다.

또, 본 발명은, 상기 발명에 있어서, 진공 중에서 타깃에 전력을 공급하여 플라스마를 발생시킬 때, 상기 복수의 제어 전극 중에서 상기 타깃의 특정 영역에서의 제어 전극의 전위를 상기 타깃의 상기 특정 영역 이외의 영역에서의 제어 전극의 전위보다 높게 하는 것이다.

또, 본 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 타깃의 특정 영역을, 상기 타깃의 중앙 영역으로 한 것이다.

또, 본 발명은, 상기 발명에 있어서, 상기 타깃의 특정 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 플로팅 전위로 하는 한편, 상기 타깃의 특정 영역 이외의 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 접지 전위로 하는 것이다.

본 발명의 경우, 복수의 제어 전극을 타깃의 방전 공간에 배치하고, 진공 중에서 타깃에 전력을 공급하여 플라스마를 발생시킬 때에, 복수의 제어 전극의 전위를 상이하게 함으로써, 각 마그넷에 있어서의 임피던스를 조정할 수 있고, 그 결과, 방전 공간에서의 플라스마 분포의 편향을 보정하여 막두께의 균일화를 도모할 수 있다.

본 발명에 있어서, 복수의 제어 전극 중 타깃의 특정 영역 (예를 들어 중앙 영역) 에 있어서의 제어 전극의 전위 (의 절대치) 를, 타깃의 특정 영역 이외의 영역 (예를 들어 측부 영역) 에 있어서의 제어 전극의 전위 (의 절대치) 보다 높아지도록 하면, 당해 특정 영역에 있어서의 방전 공간의 플라스마 밀도를 상대적으로 크게 할 수 있다. 그 결과, 본 발명에 의하면, 예를 들어 타깃을 장기간 사용하여 타깃 표면의 중앙 영역이 패인 경우에 있어서, 막두께의 균일화를 도모할 수 있다.

이 경우, 복수의 제어 전극 중 타깃의 특정 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 플로팅 전위로 하는 한편, 타깃의 특정 영역 이외의 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 접지 전위로 하면, 타깃의 특정 영역에 있어서의 성막 속도를 더욱 크게 하여 용이하게 막두께의 균일화를 도모할 수 있다.

본 발명 장치에 의하면, 상기 서술한 본 발명을 간소한 구성으로 용이하게 실시할 수 있다.

특히, 예를 들어, 제어 전극이, 상기 복수의 마그넷에 각각 대응하여 형성되어 있는 경우, 또, 마그넷이 막대 형상으로 형성되고, 제어 전극이, 유지 기구를 협지하고 마그넷의 단부와 겹치도록 배치되어 있는 경우, 나아가, 제어 전극이 타깃의 단 가장자리부에 대하여 내방측으로 돌출되도록 배치되어 있는 경우에는, 더욱 효과적으로 타깃의 특정 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를, 타깃의 특정 영역 이외의 영역에 있어서의 제어 전극의 전위보다 높게 할 수 있다.

본 발명에 의하면, 장기간에 있어서 균일한 막두께 분포의 성막이 가능한 마그네트론 스퍼터링 기술을 제공할 수 있다.

도 1 은 본 발명에 관련된 마그네트론 스퍼터링 장치의 실시형태의 내부 구성을 나타낸 단면도이다.
도 2 는 상기 마그네트론 스퍼터링 장치의 캐소드부의 외관 구성을 나타낸 평면도이다.
도 3 은 제어 전극에 흐르는 전류의 크기와 성막 속도의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4 는 제어 전극의 돌출 길이와 막두께의 관계 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 는 제어 전극의 선단부와 측정점 (B⊥0) 간의 거리와 막두께의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 6(a) : 종래의 마그네트론 스퍼터링 장치의 내부 구성을 나타낸 단면도, (b) : 종래 기술의 과제를 설명하기 위한 도면, (c) : 종래 기술의 과제를 설명하기 위한 도면이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 1 은 본 발명에 관련된 마그네트론 스퍼터링 장치의 실시형태의 내부 구성을 나타낸 단면도, 도 2 는 본 발명에 관련된 마그네트론 스퍼터링 장치의 캐소드부의 외관 구성을 나타낸 평면도이다.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 스퍼터링 장치 (1) 는, 도시되지 않은 진공 배기계에 접속된 진공조 (2) 를 갖고 있다. 또한, 이 진공조 (2) 는 전위적으로 접지 상태로 되어 있다.

진공조 (2) 내에서는, 평판 형상의 기판 (성막 대상물 ; 3) 이 기판 홀더 (4) 에 유지되고, 마스크 (5) 를 개재하여 캐소드부 (6) 에 대향하도록 구성되어 있다.

캐소드부 (6) 는, 타깃 (7) 을 유지하는 배킹 플레이트 (유지 기구 ; 8) 를 갖고, 이것에 의하여 타깃 (7) 이 기판 (3) 에 대하여 평행하게 대향하도록 되어 있다. 이 배킹 플레이트 (8) 는 직류 전원 (30) 에 접속되어 있다.

타깃 (7) 주위의 영역에는, 예를 들어 링 형상의 금속으로 이루어지는 내측 실드 부재 (9) 가 배치 형성되어 있다.

또, 배킹 플레이트 (8) 의 주위의 영역에는, 예를 들어 링 형상의 금속으로 이루어지는 외측 실드 부재 (10) 가 형성되어 있다.

여기서, 내측 실드 부재 (9) 는, 전위적으로 플로팅 상태로 되어 있다. 한편, 외측 실드 부재 (10) 는, 내측 실드 부재 (9) 에 대하여 절연되고, 전위적으로 접지 상태로 되어 있다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 배킹 플레이트 (8) 의 배면측에는, 유지부 (11) 에 유지된 영구자석으로 이루어지는 마그넷 (12) 이 복수 (본 예에서는 5 개) 형성되어 있다.

본 실시형태에서는, 각 마그넷 (12a ~ 12e) 은 막대 형상의 것이 이용되고, 소정의 간격을 두어 평행하게 배치되어 있다. 또한, 각 마그넷 (12a ~ 12e) 은, 타깃 (7) 의 영역에서 비어져 나오지 않도록 그 크기 및 위치가 정해져 있다.

나아가, 본 실시형태에서는, 내측 실드 부재 (9) 의 대향하는 1 쌍의 가장자리부 (91, 92) 에는, 제어 전극 (21, 22) 이 배치 형성되어 있다.

제어 전극 (21, 22) 은, 예를 들어 직사각형 판 형상의 부재로 이루어지는 것으로, 예를 들어 스테인리스 등의 금속 재료로 구성되어 있다. 또, 제어 전극 (21, 22) 과 내측 실드 부재 (9) 는 전기적으로 절연되어 있다.

그리고, 각 제어 전극 (21, 22) 은, 내측 실드 부재 (9) 의 각 가장자리부 (91, 92) 로부터 내방측인 타깃 (7) 측으로 돌출되도록 그 크기 및 위치가 정해져 있다.

본 실시형태의 경우, 제어 전극 (21, 22) 은, 각 마그넷 (12a ~ 12e) 에 각각 대응하도록, 각각 5 개의 제어 전극 (21a ~ 21e), 제어 전극 (22a ~ 22e) 으로 구성되어 있다.

제어 전극 (21a ~ 21e) 및 제어 전극 (22a ~ 22e) 은, 각각 마그넷 (12a ~ 12e) 보다 약간 넓은 폭으로 형성되고, 각각 타깃 (7) 측의 선단부가 배킹 플레이트 (8) 및 타깃 (7) 을 협지하고 마그넷 (12a ~ 12e) 의 각 단부와 겹치도록 배치되어 있다.

또, 제어 전극 (21a ~ 21e) 및 제어 전극 (22a ~ 22e) 은, 각 마그넷 (12a ~ 12e) 을 협지하고 대향하는 1 쌍의 제어 전극 (21a 및 22a), 제어 전극 (21b 및 22b), 제어 전극 (21c 및 22c), 제어 전극 (21d 및 22d), 제어 전극 (21e 및 22e) 끼리가, 동전위가 되도록 각각 전기적으로 접속되어 있다.

또한, 제어 전극 (21a ~ 21e) 및 제어 전극 (22a ~ 22e) 은, 진공조 (2) 의 외부에 있어서, 각각 가변 저항기 (23) 를 통하여 접지되어 있다.

이상에서 서술한 본 실시형태에서는, 복수의 제어 전극 (21, 22) 을 타깃 (7) 의 방전 공간에 배치하고, 진공 중에서 타깃 (7) 에 직류 전력을 공급하여 플라스마를 발생시킬 때, 복수의 제어 전극 (21, 22) 중 타깃 (7) 의 예를 들어 중앙 영역에 있어서의 제어 전극 (21c, 22c) 의 전위를 예를 들어 플로팅 전위로 하고, 이로써 타깃 (7) 의 예를 들어 측부 영역에 있어서의 제어 전극 (21a, 21b, 21d, 21e) 그리고 제어 전극 (22a, 22b, 22d, 22e) 의 전위보다 높게 한다.

그 결과, 타깃 (7) 의 예를 들어 중앙 영역에 있어서의 방전 공간의 플라스마 밀도를 상대적으로 크게 할 수 있고, 이로써 타깃 (7) 의 장기간 사용에 의하여 타깃 (7) 표면의 예를 들어 중앙 영역이 파여진 경우에도 막두께의 균일화를 도모할 수 있다.

그리고, 본 실시형태의 마그네트론 스퍼터링 장치 (1) 에 의하면, 상기 서술한 본 발명을 간소한 구성으로 용이하게 실시할 수 있다.

또한, 본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지의 변경을 실시할 수가 있다.

예를 들어, 상기 서술한 실시형태에 있어서는, 복수의 제어 전극 (21, 22) 중 타깃 (7) 의 예를 들어 중앙 영역에 있어서의 제어 전극 (21c, 22c) 의 전위를 다른 제어 전극 (21a, 21b, 21d, 21e) 그리고 제어 전극 (22a, 22b, 22d, 22e) 의 전위보다 높아지도록 하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 다른 제어 전극 (21a, 21b, 21d, 21e) 그리고 제어 전극 (22a, 22b, 22d, 22e) 의 모든 전위를 조정할 수도 있다.

또, 상기 서술한 실시형태에서는, 각 마그넷 (12a ~ 12e) 에 각각 대응하도록 각각 5 개의 제어 전극 (21a ~ 21e), 제어 전극 (22a ~ 22e) 을 형성하도록 하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 특정한 마그넷에만 대응하도록 제어 전극을 형성할 수 있다.

게다가 제어 전극의 형상, 위치에 대해서도 상기 실시형태의 것에는 한정되지 않고, 본 발명의 범위내인 한 적절히 변경할 수 있다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예에 대하여, 비교예와 함께 상세하게 설명한다.

도 1 및 도 2 에 나타낸 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하고, 타깃으로서 알루미늄 (Al) 을 사용하여, 타깃-마그넷 간 거리가 45 ㎜, 타깃-기판 간 거리가 125 ㎜ 인 조건에서 스퍼터링을 실시하였다.

이 경우, 투입 전력은 42.8 kW, 진공조 내에 아르곤 (Ar) 을 100 sccm 유입하여 압력을 0.35 Pa 로 유지하였다.

또, 제어 전극으로는, 스테인리스로 이루어지는 평판 형상의 것 (폭 140 ㎜) 을 사용하고, 타깃의 각 단 가장자리부로부터 타깃 내방측으로 20 ㎜ 돌출시킴과 함께, 타깃과의 갭이 5 ㎜ 가 되도록 설정하였다.

그리고, 각 마그넷을 100 ㎜ 요동시키면서, 56 초간 스퍼터링을 실시하여 기판 상에 성막하였다. 그 결과를 표 1 ~ 표 3 에 나타낸다.

여기서, 표 1 은 모든 제어 전극을 접지 전위로 설정한 경우의 막두께 (조건 1), 표 2 는 중앙의 제어 전극 (21c, 22c) 만을 플로팅 전위로 설정한 경우의 막두께 (조건 2), 표 3 은 조건 2 의 막두께와 조건 1 의 막두께의 차분을 산출한 결과를 나타낸 것이다.

또한, 표 1 ~ 표 3 중의 숫자는, 각 마그넷의 중앙 부분에 대응하는 기판 상의 측정 위치의 막두께로서 (참고적으로 기판 단부로부터의 거리를 기재한다) 단위는 Å 이다.

또, 표 1, 표 2 의 외측에 있어서의 횡렬 및 종렬의 숫자는, 각 표 중의 횡렬 및 종렬의 막두께의 평균치를 나타낸 것이다.

표 1. 모든 제어 전극이 접지 전위 (조건 1 : Å)

표 2. 중앙의 제어 전극이 플로팅 전위 (조건 2 : Å)

표 3. 조건 2 와 조건 1 의 차분 (Å)

표 1 ~ 표 3 에서 이해할 수 있는 바와 같이, 모든 제어 전극을 접지 전위로 설정한 경우와 비교하여, 중앙의 제어 전극 (21c, 22c) 을 플로팅 전위로 설정한 경우에는, 이 중앙의 제어 전극 (21c, 22c) 을 중심으로 하여 그 양측의 영역에서 막두께가 크게 되어 있다 (최대 700 Å).

이것은 플로팅 전위로 설정한 제어 전극 (21c, 22c) 근방에서, 플라스마 밀도가 상승하여 성막 속도가 커진 것으로 생각할 수 있다.

또, 표 4 는 중앙의 제어 전극 (21c, 22c) 에만 100 Ω 의 저항기를 접속한 경우의 막두께 (조건 3), 표 5 는 조건 3 의 막두께와 상기 조건 1 (모든 제어 전극을 접지 전위로 설정한 경우) 의 막두께의 차분을 산출한 결과를 나타낸 것이다.

이 조건 3 의 경우, 중앙의 제어 전극 (21c, 22c) 에 흐르는 전류는 -0.7 이었다.

표 4. 중앙의 제어 전극에 100 Ω 의 저항기를 접속 (조건 3 : Å)

표 5. 조건 3 과 조건 1 의 차분 (Å)

표 1, 표 4, 표 5 에서 이해할 수 있는 바와 같이, 모든 제어 전극을 접지 전위로 설정한 경우와 비교하여, 중앙의 제어 전극에 100 Ω 의 저항기를 접속한 경우에는, 이 중앙의 제어 전극을 중심으로 하여 그 양측의 영역에 있어서 막두께가 크게 되어 있다 (최대 300Å).

이것은 100 Ω 의 저항기를 접속한 제어 전극 근방에서, 플라스마 밀도가 상승하여 성막 속도가 커진 것으로 생각할 수 있다.

도 3 은, 상기 서술한 예에 있어서, 제어 전극에 흐르는 전류의 크기와 성막 속도의 관계를 나타낸 그래프이다.

도 3 에서 이해할 수 있는 바와 같이, 제어 전극에 흐르는 전류의 크기가 0 인 경우, 즉 중앙의 제어 전극이 플로팅 전위에 있는 경우에 성막 속도가 최대로 되고, 제어 전극에 흐르는 전류의 크기가 커지는 것에 수반하여 성막 속도가 작아지는 경향이 있다.

이 경우, 제어 전극에 흐르는 전류가 0 A ~ 2 A 에 있어서 성막 속도가 변화되고, 제어 전극에 흐르는 전류가 2 A 보다 커져도 성막 속도는 변화 (저하) 되지 않는다.

또한, 표 1, 표 2 에서 이해할 수 있는 바와 같이, 제어 전극에 흐르는 전류의 크기를 변화시켰을 경우, 마그넷의 길이 방향에 관해서는 성막 속도가 변화하지 않는 것이 본 발명자들의 실험에 의하여 확인되었다.

또, 내측 실드 부재의 전위를 접지 전위 또는 플로팅 전위로 한 어떠한 경우에도, 성막 속도는 변화하지 않고, 상기 서술한 제어 전극의 전위 변경에 의한 성막 속도를 조정할 수 있다는 것이 본 발명자들의 실험에 의하여 확인되었다.

도 4 는 상기 서술한 예에서, 제어 전극의 돌출 길이와 막두께의 관계를 측정하는 방법을 설명하기 위한 도면, 도 5 는 상기 서술한 예에서, 제어 전극의 선단부와 측정점 (B⊥0) 간의 거리 (Δx) 와 막두께의 관계를 나타낸 그래프이다. 여기서, 측정점 (B⊥0) 은, 타깃 표면에 있어서, 타깃에 대하여 마그넷에 의하여 형성되는 자장 벡터의 직교 성분이 0 이 되는 점이다.

도 4 및 도 5 에서 이해할 수 있는 바와 같이, 제어 전극 (21, 22) 의 선단부와 측정점과의 거리 (Δx) 가 작아지는 것에 수반하여, 즉 제어 전극 (21, 22) 의 타깃 (7) 내방으로의 돌출 길이가 커지는 것에 수반하여, 접지 전위 막두께에 대한 플로팅 전위 막두께의 비가 커지는 경향이 있다.

이것은 상기 서술한 도 3 에 나타낸 결과로부터 분명하듯이, 제어 전극 (21, 22) 의 돌출 길이를 크게 함으로써, 성막 속도가 향상되는 것을 나타낸다.

1 … 스퍼터링 장치,
2 … 진공조,
3 … 기판 (성막 대상물),
6 … 캐소드부,
7 … 타깃,
8 … 배킹 플레이트,
9 … 내측 실드 부재,
10 … 외측 실드 부재,
21 … 제어 전극,
22 … 제어 전극,
23 … 가변 저항기,
30 … 직류 전원

Claims

진공조와,
상기 진공조 내에 형성되고, 그 정면측에 타깃을 유지하고, 또한, 그 배면측에 복수의 마그넷을 유지하는 유지 기구를 갖는 캐소드부와,
상기 캐소드부에 대하여 전력을 공급하는 전원을 구비하고,
상기 유지 기구에 대하여 상기 타깃측의 방전 공간에, 독립적으로 전위를 제어할 수 있는 복수의 제어 전극이 형성되어 있는, 마그네트론 스퍼터링 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 제어 전극이, 상기 복수의 마그넷에 각각 대응하여 형성되어 있는, 마그네트론 스퍼터링 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 마그넷이 막대 형상으로 형성되고, 상기 제어 전극이, 상기 유지 기구를 협지하고 상기 마그넷의 단부와 겹치도록 배치되어 있는, 마그네트론 스퍼터링 장치.
제 3 항에 있어서,
상기 제어 전극이, 상기 타깃의 단 가장자리부에 대하여 내방측으로 돌출되도록 배치되어 있는, 마그네트론 스퍼터링 장치.
진공 중에서 마그네트론 방전을 발생시켜 스퍼터링을 실시하는 마그네트론 스퍼터링 방법으로서,
복수의 제어 전극을 타깃의 방전 공간에 배치하고,
진공 중에서 타깃에 전력을 공급하여 플라스마를 발생시킬 때에, 상기 복수의 제어 전극의 전위를 상이하게 하는 공정을 갖는, 마그네트론 스퍼터링 방법.
제 5 항에 있어서,
진공 중에서 타깃에 전력을 공급하여 플라스마를 발생시킬 때에, 상기 복수의 제어 전극 중에서 상기 타깃의 특정 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 상기 타깃의 상기 특정 영역 이외의 영역에 있어서의 제어 전극의 전위보다 높게 하는, 마그네트론 스퍼터링 방법.
제 6 항에 있어서,
상기 타깃의 특정 영역이, 상기 타깃의 중앙 영역인, 마그네트론 스퍼터링 방법.
제 6 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 타깃의 특정 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 플로팅 전위로 하는 한편, 상기 타깃의 특정 영역 이외의 영역에 있어서의 제어 전극의 전위를 접지 전위로 하는, 마그네트론 스퍼터링 방법.