CN102437004A - 溅射装置 - Google Patents
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Abstract
本发明披露了一种溅射装置。该溅射装置可以包括:室;阴极,其连接于室内的一面;抽气口,其形成于室内的一面;以及护罩,其连接于阴极和抽气口之间的室内的一面,并且设置流动孔。本发明的溅射装置可以给与抽气口相邻的护罩的周围提供畅通的气体的流动环境,使得可以防止质点的发生,并且室的排气得以畅通。
Description
技术领域
本发明涉及一种溅射装置。
背景技术
使用磁控的PVD是将物质沉积在基片上的一种方法。在PVD工艺中靶材被电子偏转,而且该工艺中发生的离子从靶材中获得除去原子的充分的能量,以致对靶材的表面进行轰击。
引起等离子体的产生的靶材的偏转工艺,其使得离子给靶材加以轰击并除去原子,一般被称为溅射(sputtering)。被溅射的原子一般飞向被溅射涂膜的基片而沉积在基片上。
代替地,原子和等离子体内的气体如氮气作反应而将混合物沉积在基片上。为了在基片上形成氮化钛或氮化钽及薄的屏障(barrier),可以使用反应溅射。
直流(DC)溅射以及交流(AC)溅射是将靶材偏转并且引导向靶材的离子的溅射工艺。因为靶材在-100乃至-600V范围可以偏转为负数,为了溅射原子,其可以引导向靶材的惰性气体(例如氩气)的阳离子。通常,为了在溅射沉积时保护室壁面,溅射室的侧面被护罩覆盖。护罩被接地。
在溅射中物质可以被溅射而沉积在室内露出的表面上。在室内露出的表面上沉积的物质可能被脱或污染基片。所以需要减少污染基片的技术。
同时,为了形成真空,在室内可以形成作排气的抽气口。其中,如果抽气口与护罩相邻,护罩可能作为气体的流动障碍物,从而在与护罩相邻的领域可以发生涡流。这种涡流可以成为在室内质点发生的原因。
发明内容
本发明提供了一种溅射装置,其使得可以防止质点的发生,并且在室内排气得以畅通。
本发明的一个方面提供了一种溅射装置,包括:室;阴极,其连接于室内的一面;抽气口,其形成于室内的一面;以及护罩,其连接于阴极和抽气口之间的室内的一面,并且形成流动孔。
其中,所述抽气口形成于所述阴极的两侧,并所述护罩形成于所述阴极的两侧。
而且,所述流动口被彼此隔开并连接的多个条板形成,并且所述多个条板可以被布置为向下倾斜。
本发明的其它方面和优点将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过该描述而显而易见,或者可以通过实施本发明而获知。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的溅射装置的剖面图。
图2是根据本发明的一个实施例的溅射装置的阴极和护罩的透视图。
图3是根据本发明的一个实施例的溅射装置的护罩的透视图。
图4是根据本发明的一个实施例的溅射装置的护罩周围气体流动的示意图。
具体实施方式
由于本发明允许进行各种变化和大量的实施方式,所以在附图中图示说明了特定实施方式并以文字叙述进行了详细描述。然而,这不应该用来将本发明限制于实施的特定模式,并且应当理解成不背离本发明精神和技术范围的所有变化、等同物以及替换都涵盖在本发明中。在本发明的描述中,如果认为相关技术的某些详细解释可能不必要地使本发明主旨模糊时,将其省略。
虽然可能使用如“第一”和“第二”等的术语来描述不同的元件,但这样的元件不必局限于上述术语,上述术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
在本说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式,并且不应用来限制本发明。以单数使用的表达涵盖复数的表达,除非在上下文中清楚地具有不同的含义。在本说明书中,应当理解,术语如“包括”或“具有”等用来表明本说明书中披露的特征、数值(number)、步骤、行为、元件、部件、或它们的组合的存在,而不用来排除可以存在或可以添加一个或多个其他特征、数值、步骤、行为、元件、部件、或它们的组合的可能性。
下面将参照附图更详细地描述根据本发明的某些实施例的溅射装置1000。不管图号是多少,那些相同或相应的元件用相同的附图标号表示,并且省略多余的解释说明。
图1是本发明一个实施例的溅射装置1000的剖面图。如图1所示,溅射装置1000可以包括室100、阴极300、抽气口102、护罩400以及移送件。溅射装置1000的基本结构是众所周知的,所以图1只示出了对该实施例的说明必要的结构。
室100在其内具有空间,并且在其内可以容纳基片10。通过外部和内部的基片10保持气密,室100可以在其内形成真空状态。
在室100的一面可以形成抽气口102。溅射装置1000可以包括真空抽气机,并真空抽气机通过抽气口102可以排出室内的气体。抽气口102可以设在如下所述的阴极300的两侧。
图2是根据本发明的一个实施例的溅射装置1000的阴极300和护罩400的透视图。如图1以及图2所示,阴极300连接于室100的一面的中央。在阴极300的两侧可以设置护罩400。
即,护罩400可以连接于阴极300和抽气口102之间的与阴极300相邻的部分。
图3是根据本发明的一个实施例的溅射装置1000的护罩400的透视图。如图3所示,护罩400可以包括框架410和条板430。框架410可以支持条板430的两侧,而且在框架410的两侧上多个的条板430可以上下彼此隔开并且互相连接。
其中,将条板430设为向下倾斜,使得其下端可以面向室100的一面。因此,在相邻的条板430之间可以设置流动孔,其具有会向左右被延长的形态。
图4是根据本发明的一个实施例的溅射装置1000的护罩400周围的气体的流动的示意图。如图4所示,当通过抽气口102开始排气时,在室100内的一面可以发生气流。此时,护罩400的流动口430可以提供气流的流动渠道,使得将室100内的气体畅通地排除到外部。
结果,具有流动口430的护罩400在排气时可以防止在与护罩400相邻的领域中发生涡流,从而可以防止质点的发生,并且通过抽气口102的排气得以畅通。
尽管本发明已经通过参考具体实施方式进行了描述,但是应该理解成本领域技术人员在不背离如由所附权利要求和它们的等同替换所限定的本发明的精神和范围的前提下,可以进行各种变化及更改。
不同于上文提出的许多实施方式可在所附权利要求中找到。
<图中主要部分的符号说明>
10:基片 100:室
300:阴极 400:护罩
1000:溅射装置
Claims (4)
1.一种溅射装置,包括:
室;
阴极,其连接于所述室内的一面;
抽气口,其形成于所述室内的一面;以及
护罩,其连接于所述阴极和所述抽气口之间的所述室内的一面,并且形成流动孔。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述抽气口形成于所述阴极的两侧,并且所述护罩形成于所述阴极的两侧。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述流动孔被彼此隔开并连接的多数的条板形成。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,将所述多个的条板布置为向下倾斜。
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CN2010102966738A CN102437004A (zh) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | 溅射装置 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1141353A (zh) * | 1995-06-28 | 1997-01-29 | 大宇电子株式会社 | 在基底上喷镀材料用的溅射装置 |
KR20010104524A (ko) * | 2000-05-15 | 2001-11-26 | 윤종용 | 스퍼터링 장치 및 이의 재생방법 |
EP1906433A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | Fujifilm Corporation | Plasma discharge film-forming apparatus and method |
CN101509127A (zh) * | 2008-02-15 | 2009-08-19 | 爱发科材料股份有限公司 | 溅射靶的制造方法、溅射靶的洗涤方法、溅射靶及溅射装置 |
WO2009116430A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法 |
-
2010
- 2010-09-29 CN CN2010102966738A patent/CN102437004A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1141353A (zh) * | 1995-06-28 | 1997-01-29 | 大宇电子株式会社 | 在基底上喷镀材料用的溅射装置 |
KR20010104524A (ko) * | 2000-05-15 | 2001-11-26 | 윤종용 | 스퍼터링 장치 및 이의 재생방법 |
EP1906433A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | Fujifilm Corporation | Plasma discharge film-forming apparatus and method |
CN101509127A (zh) * | 2008-02-15 | 2009-08-19 | 爱发科材料股份有限公司 | 溅射靶的制造方法、溅射靶的洗涤方法、溅射靶及溅射装置 |
WO2009116430A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法 |
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Legal Events
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120502 |