KR20100103694A - Ｌｅｄ용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란 - Google Patents

Ｌｅｄ용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란 Download PDF

Info

Publication number
KR20100103694A
KR20100103694A KR1020107018161A KR20107018161A KR20100103694A KR 20100103694 A KR20100103694 A KR 20100103694A KR 1020107018161 A KR1020107018161 A KR 1020107018161A KR 20107018161 A KR20107018161 A KR 20107018161A KR 20100103694 A KR20100103694 A KR 20100103694A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
ceramic element
light
ceramic
polymer particles
Prior art date
Application number
KR1020107018161A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101500976B1 (ko
Inventor
자코부스 지. 보어캠프
올리버 제이. 스테이젤만
헨리쿠스 에이. 엠 반 할
요하네스 에프. 엠. 실레센
Original Assignee
코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Publication of KR20100103694A publication Critical patent/KR20100103694A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101500976B1 publication Critical patent/KR101500976B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/80—Optical properties, e.g. transparency or reflexibility
    • C04B2111/807—Luminescent or fluorescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 발광 다이오드(101), 및 발광 다이오드(들)(101)로부터 광을 수광하도록 배열되는 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소(102)를 포함하는 발광 장치(100)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 발광 장치(100) 및 다공성 세라믹 요소(102)의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

ＬＥＤ용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란{LIGHT SCATTERING BY CONTROLLED POROSITY IN OPTICAL CERAMICS FOR LEDS}
본 발명은, 적어도 하나의 발광 다이오드, 및 적어도 하나의 파장 변환 재료를 포함하고, 상기 발광 다이오드로부터 광을 수광하도록 배열되는 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치, 및 상기 장치 및 다공성 세라믹 요소의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드들(LEDs)을 포함하는 반도체 발광 장치들은 현재 이용 가능한 가장 효율적이고 강건한 광원들에 속한다. 조명은 백색 광원들, 구체적으로는 높은 컬러 렌더링 특성들을 가진 백색 광원들을 필요로 한다. LED들을 광원으로 사용함으로써 백색 발광 조명 시스템들을 제조하기 위한 다양한 시도들이 이루어졌다.
백색광을 얻는 한 가지 방법은 청색 LED들을 사용하고, 예를 들어 개조된 YAG:Ce 계열의 형광체들과 같은 파장 변환 물질들을 통해 발광 광의 일부를 황색 광(약 580nm의 파장 스펙트럼)으로 변환하는 것이다. 황색 광은 눈의 적색 및 녹색 수용체들을 자극하므로, 청색 및 황색 광의 결과적인 혼합 광은 백색의 양태를 제공한다.
통상적으로, 이것은 LED 위에 형광체 함유 물질, 즉 파장 변환 물질을 배열하여 LED에 의해 방출된 광의 일부가 형광체들에 의해 흡수되고, 흡수된 광의 파장과 다른 파장의 광으로서 방출되게 함으로써 이루어진다.
그러나, 그러한 배열과 관련된 한 가지 문제는 제공되는 광의 컬러 균일성이다. 파장 변환 물질의 변환 강도는 활성제 함량(예를 들어, YAG:Ce 내의 Ce), 및 세라믹 요소를 통과하는 청색 광의 경로 길이에 의해 제어된다. 이 경로는 파장 변환 물질의 두께 및 산란에 의존한다. 통상적으로, 세라믹 요소는 청색 광을 에지들을 향하도록 유도한다. 이 방향에서 경로 길이는 광이 수직 방향으로 출사하는 경우보다 훨씬 더 길므로, 더 높은 변환비가 얻어지고, 결과적으로 더 큰 각도에서 볼 때 소위 "황색 링"을 형성한다.
황색 링의 형성 문제를 해결하고, 균일한 컬러 효과를 얻기 위해, 세라믹 요소에서 산란이 발생해야 한다.
WO 2006/097876은 다결정 세라믹 구조 내의 형광체의 사용, 및 다결정 세라믹 알루미나를 함유하는 매트릭스 내에 형광체 입자들의 합성물 구조가 삽입되는 LED를 포함하는 세라믹 구조를 구비하는 발광 요소를 설명하고 있다.
WO 2006/097876은 광 산란을 유발하는 기공들 및 제2 상들을 도입함으로써 컬러 균일성이 달성될 수 있다고 설명한다. 다공도는 1%를 초과하지 않아야 하며, 기공의 크기는 작게, 예를 들어 300nm보다 작게, 바람직하게는 50nm 이하로 유지되어야 한다.
통상적으로, 세라믹에서는, 안정적이고 충분히 치밀한 세라믹 본체의 형성을 피하기 위하여 프로세스의 중간 단계에서 소결을 중지함으로써 다공성이 얻어진다. 그러한 프로세스에 고유하게, 작은 온도 차이가 컬러 변환 강도, 따라서 컬러 균일성에 대한 영향을 갖는 큰 밀도(및 다공도) 변화를 유발할 수 있으므로, 특정 다공도의 제어는 어렵다. 그러한 세라믹 요소들은 대량 생산에 부적합하다.
따라서, 이 분야에서는, 장치 주위에서 황색 링의 형성을 방지하고, 제조 동안에 원하는 다공도를 달성하기 위한 더 제어되고 강건한 프로세스를 허가하며, 제조가 용이하고 저렴하여 대량 생산을 가능하게 하는 발광 장치를 제공하는 것이 필요하다.
본 발명의 목적은 전술한 요구를 적어도 부분적으로 충족시키고, 높은 컬러 균일성을 갖는 광을 방출하는 발광 장치를 제공하는 것이며, 특히 본 발광 장치에서는 발광 장치 주위에 황색 링의 형성을 유발하는 광의 아웃커플링이 방지된다.
본 발명의 다른 목적은 제조가 쉽고 저렴한 그러한 발광 장치를 제공하는 것이며, 따라서 그러한 발광 장치들의 대량 생산이 가능해진다.
본 발명의 이들 및 다른 목적들은 첨부된 청구항들에 따른 발광 장치 및 그 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 제1 양태에서, 본 발명은 적어도 하나의 발광 다이오드 및 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다. 다공성 세라믹 요소는 적어도 하나의 파장 변환 물질을 포함하며, 발광 다이오드(들)로부터 광을 수광하도록 배열된다. 세라믹 요소는 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는다.
본 발명의 장치에서, LED에 의해 비스듬한 각도로 방출되는 광은 다공성 세라믹 요소에 입사되어, 그 안에 제공된 기공들에 의해 산란된다. 기공들은 산란 중심들로서 기능하며, 결과적으로 청색 1차 광 및 황색 2차 광이 균일하게 혼합된다. 따라서, 균일한 컬러 효과가 얻어지고, 장치의 에지들에서의 황색 링의 형성이 방지된다.
2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경 범위는 원하는 산란을 제공하며, 따라서 균일한 광 방출이 이루어진다. 이러한 평균 기공 직경 범위의 또 하나의 이익은 제조 프로세스의 소결 단계 동안에 제어된 다공도가 얻어질 수 있다는 것이다. 통상적으로, 이것은 중요한 단계인데, 그 이유는 설명되는 범위의 기공들보다 작은 기공들이 소결 후에 세라믹 본체 내에 유지되기가 어렵기 때문이다.
본 발명의 실시예들에서, 세라믹 요소는 5 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 입자 크기를 갖는 세라믹 입자들로부터 형성된다.
전술한 입자 크기를 갖는 세라믹 입자들로부터 형성된 세라믹 요소들에 대해, 평균 기공 직경은 2 ㎛보다 큰 것이 바람직하다. 이것은 약 2 ㎛보다 작은 기공들이 유지되기 어려우므로 소결 동안의 다공성의 유지가 어렵다는 사실에 기인한다. 한편, 평균 직경이 10 ㎛를 초과하는 경우, 광의 많은 부분이 후방으로, 즉 발광 다이오드(들)를 향해 산란되며, 따라서 광 출력 효율이 감소된다.
따라서, 본 발명에 따른 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 기공 평균 직경은 얻어지는 컬러 균일성과 후방 산란으로 인해 감소되는 광 효율 간의 절충을 제공한다.
전술한 평균 직경 범위의 기공들에 의해 얻어지는 산란은 청색 광의 황색 광으로의 향상된 변환을 유발하며, 따라서 각도에 걸친 컬러 균일성 및 발광 효율도 충분하다.
바람직하게는, 상기 세라믹 요소의 기공 직경은 2 ㎛ 내지 5 ㎛이다. 이 범위 내에서, 후방 산란으로 인한 광 손실이 더 감소된다.
본 발명의 일 실시예에서, 세라믹 요소의 다공도는 1.5 내지 5 체적 %의 범위 내이다. 이러한 범위 내의 다공도는 제조 동안 쉽게 유지될 수 있으며, 최종 단계인 소결 동안 일정하게 유지된다. 또한, 1.5 내지 5%의 다공도 간격은 원하는 산란, 및 발광 장치 주위의 황색 링의 방지를 제공한다.
제2 양태에서, 본 발명은 발광 장치를 제조하기 위한 방법으로서,
적어도 하나의 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 폴리머 입자들을 포함하는 슬러리를 제공하는 단계;
상기 슬러리로부터 세라믹 본체를 형성하는 단계;
상기 세라믹 본체로부터 상기 폴리머 입자들을 제거하여, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 다공성 세라믹 요소를 제공하는 단계; 및
적어도 하나의 발광 다이오드로부터 광을 수광하도록 상기 다공성 세라믹 요소를 배열하는 단계
를 포함하는 발광 장치 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법은 수행하기 쉽고 저렴하여, 발광 장치들의 대량 생산을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 방법의 중요한 이익은 소결된 세라믹 본체의 다공도를 제어함으로써 원하는 산란을 타겟화한다는 점이다. 따라서, 제어된 다공도는 최종 단계인 소결에 의해 달성될 수 있으며, 따라서 부분적 소결의 사용에 대한 필요를 없앨 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 다공도(및 산란)를 필요한 양으로 정확히 조정하는 것을 가능하게 한다.
본 발명의 실시예들에서, 세라믹 입자들은 5 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 입자 크기를 갖는다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 폴리머 입자들은 2 ㎛ 내지 5 ㎛의 평균 기공 직경을 가지며, 따라서 본질적으로 동일한 평균 직경을 갖는 기공들을 세라믹 요소 내에 제공한다. 이러한 범위 내에서, 후방 산란으로 인한 광 손실이 적어진다.
실시예들에서, 폴리머 입자들은 예를 들어 폴리스티렌 또는 폴리아크릴레이트를 포함한다. 그러한 폴리머들은 쉽게 분산될 수 있으며, 열처리시에 완전히 제거될 수 있다.
전술한 방법에서, 폴리머 입자들은 상기 세라믹(그린) 본체를 1000℃까지의 온도에서 열처리함으로써 제거된다. 따라서, 폴리머 입자들 및 존재한 경우에 바인더 물질이 세라믹 본체로부터 제거된다.
이어서, 단계 (c)에서 얻어진 다공성 세라믹 요소는 1000℃ 이상의 온도에서 열처리될 수 있으며, 따라서 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 안정적이고 최대로 치밀한 다공성 세라믹 요소가 제공된다. 이러한 프로세스 단계 동안, 세라믹 입자들이 함께 융합되도록 혼합물이 소결된다. 따라서, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 기공들을 포함하는 최종 세라믹 요소가 제공되며, 상기 다공성 세라믹 요소는 강건하고, 최대로 치밀화된다.
따라서, 본 발명은 원하는 다공도를 달성하기 위한 매우 강건한 프로세스를 제공하며, 결과적으로 소결된 세라믹 형광체 내의 조정된 산란도가 실현될 수 있다.
제3 양태에서, 본 발명은 세라믹 요소를 제조하는 방법으로서,
적어도 하나의 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 폴리머 입자들을 포함하는 슬러리를 제공하는 단계;
상기 슬러리로부터 세라믹 본체를 형성하는 단계; 및
상기 세라믹 본체로부터 상기 폴리머 입자들을 제거하여, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 다공성 세라믹 요소를 제공하는 단계
를 포함하는 세라믹 요소 제조 방법에 관한 것이다.
그러한 세라믹 요소는 발광 장치들을 형성하기 위해 발광 다이오드들 상에 배열되기 전에 그리고 후에 제조될 수 있다. 이것은 본 발명의 발광 장치들의 대량 생산을 용이하게 한다.
본 발명의 이들 및 다른 양태들은 아래에 기술되는 실시예(들)로부터 명백할 것이며, 그들을 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 장치를 나타내는 개략도.
도 2는 다공성 세라믹 요소를 포함하는 본 발명의 발광 장치(도 2b)와 비교되는 통상적인 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치(도 2a)에 대한 관측각의 함수로서 컬러 좌표의 미분(v')을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 따른 발광 장치를 제조하는 방법을 나타내는 도면.
도 4a는 본 발명의 제조 방법에 따르지 않은 소결 후의 세라믹 요소의 마이크로 구조를 나타내는 도면.
도 4b는 본 발명의 제조 방법에 따른 소결 후의 세라믹 요소의 마이크로 구조를 나타내는 도면.
도 5a는 폴리머 입자들의 농도에 의존하는 세라믹 다공성 요소의 다공도를 나타내는 도면.
도 5b는 폴리머 입자들의 농도에 의존하는 세라믹 다공성 요소의 투과율을 나타내는 도면.
본 발명은 적어도 하나의 발광 다이오드, 및 적어도 하나의 파장 변환 재료를 포함하는 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치, 및 발광 장치 및 다공성 세라믹 요소의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광 장치(100)의 일 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 발광 장치(100)는 적어도 하나의 발광 다이오드(101) 및 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소(102)를 포함한다. 다공성 세라믹 요소(102)는 발광 다이오드(101)로부터 광을 수광하도록 배열된다. 세라믹 요소(102)는 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경에 의해 특성화되는 세라믹 마이크로 구조를 갖는다.
다공성 세라믹 요소(102)는 발광 다이오드(들)(101)에 의해 방출되는 광을 수광하고, 이를 더 긴 파장의 광으로 변환한다.
다공성 세라믹 요소(102)는 파장 변환 요소로서 작용하며, 자기 지지형이다. 이러한 자기 지지형 세라믹 요소는 벌크 내에 대량 생산될 수 있고, 그 안에 기공들을 포함하도록 완성된 후에, 나중 단계에서 본 발명의 발광 장치 상에 배열될 수 있다. 또한, 세라믹 요소는 온도, 산화 및 광에 안정적이며, 열, 산소 및/또는 광에 노출될 때 열화되지 않을 것이다. 본 발명의 세라믹 요소는 높은 굴절률을 가지며, 따라서 광의 파장 변환 물질로의 커플링을 향상시킨다.
통상적으로, 다공성 세라믹 요소는 본질적으로 반투명하다.
바람직하게는, LED(101)는 청색 발광 LED이며, 세라믹 요소는 청색 광을 흡수하는 반면, 황색 광을 방출하도록 적응된다. 변환되지 않은 청색 LED 방출 및 황색 변환된 광의 결합된 방출은 백색 효과를 제공한다.
세라믹 본체 내의 기공들(103)과의 접촉시, 광은 (도 1의 화살표로 표시된) 상이한 방향들로 산란되며, 출사 광(104)은 다공성 세라믹 요소 내의 파장 변환 물질(103)에 의해 효율적으로 변환되어, 균일한 컬러 효과가 얻어진다.
본 발명의 실시예들에서, 세라믹 요소는 5 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 입자 크기를 갖는 세라믹 입자들로부터 형성된다.
따라서, 기공들(103)의 평균 직경은 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 범위 내이어야 한다. 기공들이 너무 작으면, 즉 약 2 ㎛보다 작으면, 세라믹 요소를 안정적으로 유지하기 어려운데, 즉 고온에서의 소결인 제조 프로세스의 최종 단계 동안 기공들을 유지하기 어렵다. 2 ㎛ 아래의 평균 직경을 갖는 기공들은 이 단계 동안 사라질 가능성이 크다.
그러나, 기공들(103)이 너무 크면, 즉 10 ㎛보다 크면, LED(101)에 의해 방출되는 광은 후방으로, 즉 발광 다이오드(들)(101)를 향하는 방향으로 산란되어, 장치의 광 및 효율 손실을 유발할 수 있다.
따라서, 기공들의 수 및 크기의 증가에 의해 달성되는 컬러 균일성과 후방 산란으로 인해 감소되는 광 효율 사이의 절충점을 찾는 것이 중요하다.
전술한 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 타겟 평균 기공 직경 범위는 이 문제를 해결하며, 제조 동안 세라믹 요소 내의 기공들을 유지하는 동안의 산란에 최적이다. 따라서, 황색 링의 형성이 또한 방지되며, 이는 도 2에 도시되어 있다.
다공성 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치는 관측각에 걸쳐 거의 일정한 값의 컬러 좌표(v')를 제공하는 반면(도 2a), 통상의 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치는 큰 각도에서 더 높은 v'에 의해 특성화된다(컬러가 더 황색으로 보인다).
본 발명에 따른 발광 장치의 다공성 세라믹 요소는 세라믹 제조 절차 동안에 정확히 조정되고 제어될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 다공성 세라믹 요소의 평균 기공 직경은 2 ㎛ 내지 5 ㎛이다. 이 범위 내에서, 후방 산란으로 인한 광 손실이 적어진다.
본 발명의 실시예들에서, 세라믹 요소의 다공도는 1.5 내지 5%이다. 이 범위 내의 다공도는 제조 동안 쉽게 얻어지며, 최종 단계인 소결 동안 일정하게 유지된다. 또한, 1.5 내지 5%의 다공도 간격은 원하는 산란, 및 발광 장치 주변의 황색 링의 방지를 제공한다.
본 명세서에서 사용될 때, "다공도"라는 용어는 기공들에 의해 점유되는 물건의 전체 부피의 비율을 나타내는 단위 없는 수치이다.
본 발명의 세라믹 요소는 이 분야에서 통상적으로 사용되는 임의의 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 통상적으로, Ce3 +로 도핑된 이트륨 알루미늄 가넷(YAG, 기본식: Y3Al5O12) 타입의 형광체가 사용된다. 바람직하게는, 파장 변환 물질은 무기 파장 변환 물질이다. 그 예들은 YAG:Ce, YAG(Gd):Ce(기본 식: (Y,Gd)3Al5O12), LuAG:Ce(기본 식: Lu3Al5O12), Sr-SiNO:Eu(산질화물 형광체) 또는 (BaSr)SiN:Eu(질화물 형광체) 계열의 물질들 및 이들의 둘 이상의 임의 조합을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.
실시예들에서, 세라믹 요소는 둘 이상의 파장 변환 물질을 포함한다.
본 명세서에서 사용될 때 "파장 변환 물질"이라는 용어는 제1 파장의 광을 흡수하여 제2의 더 긴 파장의 광을 방출하는 물질을 말한다. 광의 흡수시, 물질 내의 전자들은 더 높은 에너지 레벨로 여기된다. 더 높은 에너지 레벨들로부터 다시 떨어질 때, 물질로부터 흡수된 파장보다 긴 파장을 갖는 광의 형태로 초과 에너지가 방출된다. 따라서, 이 용어는 형광 및 인광 파장 변환 양자와 관련된다.
본 발명은 또한 발광 장치를 제조하기 위한 방법으로서,
적어도 하나의 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 폴리머 입자들을 포함하는 슬러리를 제공하는 단계;
상기 슬러리로부터 세라믹 본체를 형성하는 단계;
상기 세라믹 본체로부터 상기 폴리머 입자들을 제거하여, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 다공성 세라믹 요소를 제공하는 단계; 및
적어도 하나의 발광 다이오드로부터 광을 수광하도록 상기 다공성 세라믹 요소를 배열하는 단계
를 포함하는 발광 장치 제조 방법과 관련된다.
본 발명에서, 상기 슬러리는 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 직경을 갖는 폴리머 입자들, 및 필요한 경우에 바인더, 분산제, 거품 방지제, 이형제 및/또는 가소제와 같은 임의의 다른 적절한 화학 약품을 혼합함으로써 제공된다. 세라믹 입자들의 평균 크기는 통상적으로 5㎛ 내지 10㎛이다.
전술한 바와 같이, 2 ㎛ 내지 10 ㎛ 범위 내의 평균 기공 직경은 다공성 세라믹 요소 내의 원하는 산란 효과를 제공하고, 제조 동안에 장치의 다공도의 제어를 허가한다는 점에서 바람직하다. 제조 프로세스의 중간 단계에서 소결을 중지시키는 통상의 방법들은 특정 다공도 레벨 또는 특정 평균 기공 직경의 제어를 허가하지 않는다. 이것은 소결 동안의 작은 온도 차이가 컬러 균일성에 대한 영향을 갖는 다공도의 큰 변화를 유발할 수 있다는 사실에 기인한다. 예를 들어 소결 온도의 감소에 의한 부분적 소결은 공업용 소결로들에 일반적인 온도 기울기들로 인해 소결되는 일단의 샘플들에서 그리고 심지어 단일 샘플에 대해 큰 다공도 변화를 유발할 수 있다.
2 ㎛ 내지 5 ㎛의 평균 직경을 갖는 폴리머 입자들은 본 발명의 특히 바람직한 실시예를 형성한다.
본 발명의 실시예들에서, 폴리머 입자들은 폴리스티렌 또는 폴리아크릴레이트를 포함하지만, 본 발명은 그에 한정되지 않는다. 물 또는 유기 용매 내에 부유될 수 있는 임의의 폴리머가 본 발명에서 사용될 수 있다.
이어서, 폴리머 입자들을 포함하는 세라믹 슬러리를 먼저 과립화한 후에 세라믹 본체, 즉 세라믹 파장 변환 물질을 포함하는 웨이퍼를 형성함으로써 세라믹 본체가 형성된다. 그러한 세라믹 웨이퍼를 형성하는 임의의 통상의 방법, 예를 들어 프레싱, 슬립 캐스팅, 테이프 캐스팅, 롤러 프레싱, 압출 또는 사출 성형이 이용될 수 있다.
옵션으로서, 세라믹 웨이퍼를 건조하여, 세라믹 본체 내에 남은 임의의 액체를 제거할 수 있다.
이어서, 세라믹(그린) 본체를 열처리함으로써 폴리머 입자들이 제거된다. 폴리머 입자들의 "제거"라는 용어는 폴리머 입자들이 열처리의 결과로서 분해되거나 산화되는 것을 의미한다. 따라서, 이들은 본질적으로 세라믹 본체로부터 사라져, 그들의 자리에 빈 기공들을 남긴다.
도 3에 도시된 바와 같이, 폴리머 입자들(301)을 포함하는 세라믹 본체, 즉 세라믹 웨이퍼(300)가 열처리되어, 다공성 세라믹 요소(302)가 제공된다. 다공성 세라믹 본체(302)는 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 기공들(303)을 포함한다. 이러한 기공들은 열처리 후에 남는다.
통상적으로, 이러한 열처리는 사용되는 폴리머의 분해 또는 산화 온도에 따라 1000℃까지의 온도에서, 바람직하게는 500℃까지의 온도에서 수행된다. 이 단계 동안, 폴리머 입자들(301) 및 전술한 프로세스에서 추가된 임의의 바인더 물질이 세라믹 본체(300)로부터 제거되어, 2 ㎛ 내지 10 ㎛, 통상적으로는 2 ㎛ 내지 5 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 기공들(303)이 제공된다.
본 발명에 따른 방법은 통상적으로 단계 (c) 후에 상기 다공성 세라믹 요소를 1000℃ 이상의 온도에서 열처리하는 추가 단계를 포함한다. 이러한 열처리시에, 파장 변환 물질을 포함하는 강건하고 최대로 치밀한 다공성 세라믹 요소가 제공된다. 통상적으로, 이러한 열처리는 1000℃ 이상의 온도에서, 예컨대 YAG:Ce에 대해 1600℃ 내지 1700℃의 온도에서 수행된다. 이러한 프로세스 단계 동안, 세라믹 본체가 소결되어, 세라믹 입자들이 함께 융합되며, 따라서 강건하고 그의 최대 값으로 치밀화된 최종 다공성 세라믹 요소가 제공된다. 제2 열처리, 즉 소결은 예를 들어 공기 중에서 또는 질소 분위기에서 또는 임의의 다른 적절한 소결 분위기에서 수행될 수 있다.
도 4는 폴리머 입자들의 이용이 없는 통상의 소결(도 4a)에 비교되는 본 발명의 방법에 따르는 세라믹 요소의 마이크로 구조(도 4b)의 차이를 나타낸다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 기공들은 소결 단계 후에 남는다.
이어서, 웨이퍼들은 원하는 두께로 연마될 수 있으며, 또한 복수의 다공성 세라믹 요소로 다이싱될 수 있다.
이어서, 다공성 세라믹 요소는 적어도 하나의 발광 장치 상에 배열되는데, 즉 발광 다이오드(들)로부터 광을 수광하도록 배열된다. 이것은 전술한 단계들 (a)-(c) 직후에 수행될 수 있다. 대안으로, 제조된 다공성 세라믹 요소들은 이들을 LED 위에 배열하기 전에 소정 시간 동안 보관된다.
도 5a 및 5b를 참조하면, 다공성 세라믹 요소의 다공도, 따라서 투과율도 추가된 폴리머 입자들의 양에 의존한다. 도 5a 및 5b의 그래프는 다공도가 사용되는 템플릿들의 양에 대한 측량 레시피(weighing out recipe)에 의해 정확히 조정되고 제어될 수 있음을 보여준다.
이 분야의 기술자들에게 공지된 바와 같이, 파장 변환 요소는 통상적으로 본딩 층에 의해 LED로부터 광을 수광하도록 배열된다. 본 발명의 추가 양태에서, 세라믹 요소 제조 방법이 제공된다. 그러한 방법은
적어도 하나의 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 폴리머 입자들을 포함하는 슬러리를 제공하는 단계;
상기 슬러리로부터 세라믹 본체를 형성하는 단계; 및
상기 세라믹 본체로부터 상기 폴리머 입자들을 제거하여, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 다공성 세라믹 요소를 제공하는 단계
를 포함한다.
요컨대, 본 발명은 적어도 하나의 발광 다이오드, 및 발광 다이오드(들)로부터 광을 수광하도록 배열되는 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 발광 장치 및 다공성 세라믹 요소의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 도면들 및 전술한 설명에서 도시되고 상세히 설명되었지만, 그러한 도시 및 설명은 제한적이 아니라, 설명적이거나 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 본 발명은 개시된 실시예들로 한정되지 않는다.
도면들, 명세서 및 첨부된 청구항들의 연구로부터, 청구 발명을 실시함에 있어서, 이 분야의 기술자들에 의해 개시된 실시예들의 다른 변형들이 이해되고 수행될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 LED들의 사용으로 한정되지 않는다. 또한, 상이한 컬러 및 파장 조합들을 갖는 다른 타입의 LED들이 사용될 수 있다.
또한, 파장 변환 요소는 특정 LED 타입에 대한 적용으로 한정되는 것이 아니라, 이용 가능한 모든 타입의 LED에 적용될 수 있다.
파장 변환 물질을 포함하는 웨이퍼로부터 파장 변환 요소들을 제조하는 방법은 특정 웨이퍼 두께 또는 크기로 한정되는 것이 아니라, 상이한 응용들에 대해 변경될 수 있다.
또한, 둘 이상의 LED로부터의 광을 변환하기 위해 여러 발광 다이오드 상에 단일 파장 변환 요소가 배열될 수도 있다.

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 발광 다이오드(101); 및
    적어도 하나의 파장 변환 재료를 포함하고, 상기 발광 다이오드(101)로부터 광을 수광하도록 배열되는 적어도 하나의 다공성 세라믹 요소(102)
    를 포함하고,
    상기 세라믹 요소(102)는 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 발광 장치(100).
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 요소(102)의 상기 평균 기공 직경은 2 ㎛ 내지 5 ㎛인 발광 장치(100).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세라믹 요소(102)의 다공도는 1.5 내지 5%인 발광 장치(100).
  4. 발광 장치를 제조하기 위한 방법으로서,
    적어도 하나의 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 폴리머 입자들(301)을 포함하는 슬러리를 제공하는 단계;
    상기 슬러리로부터 세라믹 본체(300)를 형성하는 단계;
    상기 세라믹 본체(300)로부터 상기 폴리머 입자들(301)을 제거하여, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 다공성 세라믹 요소(302)를 제공하는 단계; 및
    적어도 하나의 발광 다이오드로부터 광을 수광하도록 상기 다공성 세라믹 요소(302)를 배열하는 단계
    를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 세라믹 입자들은 5 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 입자 크기를 갖는 발광 장치 제조 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 폴리머 입자들(301)은 2 ㎛ 내지 5 ㎛의 평균 직경을 갖는 발광 장치 제조 방법.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리머 입자들(301)은 폴리스티렌 또는 폴리아크릴레이트를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (c)에서 상기 폴리머 입자들(301)은 상기 세라믹 본체(300)를 1000℃까지의 온도에서 열처리함으로써 제거되는 발광 장치 제조 방법.
  9. 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (c) 후에 상기 다공성 세라믹 요소(302)를 1000℃ 이상의 온도에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.
  10. 다공성 세라믹 요소를 제조하는 방법으로서,
    적어도 하나의 파장 변환 물질의 세라믹 입자들 및 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 폴리머 입자들(301)을 포함하는 슬러리를 제공하는 단계;
    상기 슬러리로부터 세라믹 본체(300)를 형성하는 단계; 및
    상기 세라믹 본체(300)로부터 상기 폴리머 입자들(301)을 제거하여, 2 ㎛ 내지 10 ㎛의 평균 기공 직경을 갖는 다공성 세라믹 요소(302)를 제공하는 단계
    를 포함하는 다공성 세라믹 요소 제조 방법.
KR1020107018161A 2008-01-15 2009-01-09 Ｌｅｄ용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란 KR101500976B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08150250 2008-01-15
EP08150250.2 2008-01-15
PCT/IB2009/050086 WO2009090580A1 (en) 2008-01-15 2009-01-09 Light scattering by controlled porosity in optical ceramics for leds

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100103694A true KR20100103694A (ko) 2010-09-27
KR101500976B1 KR101500976B1 (ko) 2015-03-10

Family

ID=40474645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107018161A KR101500976B1 (ko) 2008-01-15 2009-01-09 Ｌｅｄ용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8728835B2 (ko)
EP (1) EP2245111B1 (ko)
JP (1) JP5670745B2 (ko)
KR (1) KR101500976B1 (ko)
CN (1) CN101910361B (ko)
RU (1) RU2484555C2 (ko)
TW (1) TWI487773B (ko)
WO (1) WO2009090580A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014185562A1 (ko) * 2013-05-13 2014-11-20 주식회사 나노신소재 유기발광소자용 광산란막 및 그 제조방법
KR101877463B1 (ko) * 2011-07-18 2018-07-13 엘지이노텍 주식회사 표시장치

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120123114A (ko) 2010-01-28 2012-11-07 오스람 실바니아 인코포레이티드 발광 세라믹 컨버터 및 이의 제조 방법
JP5749327B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-15 日東電工株式会社 発光装置用ガーネット系蛍光体セラミックシート
EP2378575A1 (de) * 2010-04-19 2011-10-19 EMPA Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt Optisches Element, insbesondere zur Veränderung des von einer LED- Lichtquelle emittierten Lichts, und Verfahren zu dessen Herstellung
US9133392B2 (en) 2010-07-22 2015-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Garnet material, method for its manufacturing and radiation-emitting component comprising the garnet material
JP6096121B2 (ja) 2010-12-01 2017-03-15 日東電工株式会社 ドーパントの濃度勾配を有する放射性セラミック材料、ならびにその製造方法および使用方法
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
JP6133791B2 (ja) 2011-02-24 2017-05-24 日東電工株式会社 蛍光体成分を有する発光複合材
DE102011084961A1 (de) * 2011-10-21 2013-04-25 Osram Gmbh Leuchtstoffrad, Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffrads und Beleuchtungsanordnung
DE102012005654B4 (de) 2011-10-25 2021-03-04 Schott Ag Optischer Konverter für hohe Leuchtdichten
JP2015510954A (ja) 2012-03-06 2015-04-13 日東電工株式会社 発光デバイス用のセラミック体
US8931922B2 (en) * 2012-03-22 2015-01-13 Osram Sylvania Inc. Ceramic wavelength-conversion plates and light sources including the same
WO2013144777A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for led applications
CN103968332B (zh) * 2013-01-25 2015-10-07 深圳市光峰光电技术有限公司 一种波长转换装置、发光装置及投影系统
DE102013100832A1 (de) * 2013-01-28 2014-07-31 Schott Ag Stark streuender keramischer Konverter sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013100821B4 (de) * 2013-01-28 2017-05-04 Schott Ag Polykristalline Keramiken, deren Herstellung und Verwendungen
US9599724B2 (en) 2013-05-08 2017-03-21 Koninklijke Philips N.V. Gamma radiation detection device
US9499740B2 (en) 2013-11-22 2016-11-22 Nitto Denko Corporation Light extraction element
US20160023242A1 (en) * 2014-07-28 2016-01-28 Osram Sylvania Inc. Method of making wavelength converters for solid state lighting applications
KR102203690B1 (ko) * 2014-08-21 2021-01-15 엘지이노텍 주식회사 형광체 플레이트 및 이를 제조하는 방법
WO2016161557A1 (en) * 2015-04-07 2016-10-13 Materion Corporation Optically enhanced solid-state light converters
KR102187150B1 (ko) * 2017-01-13 2021-01-08 심만식 황색링 제거와 배광도 및 균일도를 향상시킨 광학렌즈
CN109467453B (zh) * 2017-09-07 2021-12-07 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种具有特征微观结构的荧光陶瓷及其制备方法和应用
JP7224355B2 (ja) * 2017-12-22 2023-02-17 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光散乱を調整するための多孔質のミクロン・サイズの粒子
US10761246B2 (en) 2017-12-22 2020-09-01 Lumileds Llc Light emitting semiconductor device having polymer-filled sub-micron pores in porous structure to tune light scattering
CN110615679B (zh) * 2019-06-25 2022-07-01 苏州创思得新材料有限公司 一种高光效陶瓷荧光片
CN112420897A (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 群创光电股份有限公司 电子装置
CN113024252A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 上海航空电器有限公司 白光激光照明用多级孔结构陶瓷荧光体及其制备方法
WO2023076349A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Lumileds Llc Patterned deposition mask formed using polymer dispersed in a liquid solvent

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62176970A (ja) * 1985-06-27 1987-08-03 トヨタ自動車株式会社 メカニカルシ−ル用焼結セラミツク製スラストワツシヤ
US20020197456A1 (en) * 1993-06-30 2002-12-26 Pope Edward J. A. Integrated electro-luminescent biochip
US6210612B1 (en) * 1997-03-31 2001-04-03 Pouvair Corporation Method for the manufacture of porous ceramic articles
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
US6613255B2 (en) * 2001-04-13 2003-09-02 The Boeing Company Method of making a permeable ceramic tile insulation
RU2212734C1 (ru) * 2002-07-10 2003-09-20 Закрытое Акционерное Общество "Светлана - Оптоэлектроника" Полупроводниковый источник света
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
CN100347135C (zh) * 2003-02-12 2007-11-07 东亚合成株式会社 制造多孔陶瓷的方法
US7923918B2 (en) * 2003-03-13 2011-04-12 Nichia Corporation Light emitting film, luminescent device, method for manufacturing light emitting film and method for manufacturing luminescent device
JP4429004B2 (ja) * 2003-12-17 2010-03-10 京セラ株式会社 摺動部材用多孔質セラミック焼結体の製造方法とこれにより得られた摺動部材用多孔質セラミック焼結体並びにこれを用いたシールリング
JP5490407B2 (ja) 2005-03-14 2014-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 多結晶セラミック構造の蛍光体、及び前記蛍光体を有する発光素子
JP2007217254A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Hiroshima Industrial Promotion Organization 多孔質リン酸カルシウム系セラミックス及びその製造方法
RU2436829C2 (ru) * 2006-03-21 2011-12-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Электролюминесцентное устройство
JP2009530839A (ja) 2006-03-23 2009-08-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ セラミックガーネット材料を有する発光デバイス
JP2007305844A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置とその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101877463B1 (ko) * 2011-07-18 2018-07-13 엘지이노텍 주식회사 표시장치
WO2014185562A1 (ko) * 2013-05-13 2014-11-20 주식회사 나노신소재 유기발광소자용 광산란막 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009090580A1 (en) 2009-07-23
US8728835B2 (en) 2014-05-20
EP2245111A1 (en) 2010-11-03
KR101500976B1 (ko) 2015-03-10
RU2010133989A (ru) 2012-02-27
TW200944579A (en) 2009-11-01
JP5670745B2 (ja) 2015-02-18
CN101910361B (zh) 2013-08-07
EP2245111B1 (en) 2013-03-27
TWI487773B (zh) 2015-06-11
RU2484555C2 (ru) 2013-06-10
US20100276717A1 (en) 2010-11-04
CN101910361A (zh) 2010-12-08
JP2011510487A (ja) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101500976B1 (ko) Ｌｅｄ용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란
JP5833547B2 (ja) 発光セラミックおよびそれを使用する発光装置
RU2510946C1 (ru) Люминесцентный керамический преобразователь и способ его изготовления
RU2455731C2 (ru) Осветительная система, содержащая монолитный керамический люминесцентный преобразователь
TWI486254B (zh) 發光陶瓷層板及其製造方法
CN101605866B (zh) 包含复合物单片陶瓷发光转换器的照明系统
JP6805243B2 (ja) 安定な赤色セラミック蛍光体およびそれを含む技術
JP2013227481A (ja) セラミックス複合体
JP2008527706A (ja) セラミック・ルミネッセンス変換器を有する照明システム
JP5740017B2 (ja) セラミックス複合体
KR102059425B1 (ko) 희토류 원소가 확산된 산화물 세라믹 형광 재료
CN109837085A (zh) 波长转换构件的制造方法、和波长转换构件
JP2018531413A6 (ja) 安定な赤色セラミック蛍光体およびそれを含む技術
CN110903088B (zh) 一种多孔荧光陶瓷及其制备方法、发光装置和投影装置
TWI614918B (zh) 複合氮氧化物陶瓷轉換器及具有該轉換器的光源
US20220376146A1 (en) Wavelength conversion member, light-emitting element, and light-emitting device
KR20170093320A (ko) 광 확산제를 사용한 형광체 플레이트

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190215

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200214

Year of fee payment: 6