KR20100087264A - 전기 광학 장치, 전자 기기 및 전기 광학 장치의 구동 방법 - Google Patents

전기 광학 장치, 전자 기기 및 전기 광학 장치의 구동 방법 Download PDF

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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

서브 필드 구동 하에서 온도에 기인한 계조의 변화를 저감한다. 구동 회로(30)는, 필드 F 내의 복수의 서브 필드 SF(SFa, SFb) 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드 SFa에서 화소 PX에 온 전압 VON을 인가하고, 복수의 서브 필드 SF 중 온도 보상용 서브 필드 SFa와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드 SFb의 각각에서, 온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나를 화소 PX의 계조 데이터 G에 따라서 해당 화소 PX에 인가한다. 온도 검출부(44)는, 온도 T를 검출한다. 제어 회로(42)는, 온도 검출부(44)가 검출한 온도 T에 따라서 온도 보상용 서브 필드 SFa의 시간 길이를 가변으로 설정한다.

Description

전기 광학 장치, 전자 기기 및 전기 광학 장치의 구동 방법{ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF DRIVING ELECTRO-OPTICAL DEVICE}
본 발명은, 필드 내의 복수의 서브 필드의 각각에서 각 화소에 온 전압 또는 오프 전압을 인가함으로써 계조를 표현하는 기술에 관한 것이다.
필드를 구분한 복수의 서브 필드의 각각에서 온 전압 또는 오프 전압을 선택적으로 전기 광학 소자(예를 들면 액정 소자)에 인가하는 서브 필드 구동이 종래부터 제안되어 있다(예를 들면 특허 문헌 1). 서브 필드 구동에서는, 필드 중 전기 광학 소자에 온 전압이 인가되는 시간의 비율을 지정 계조에 따라서 변화시킴으로써 계조가 표현된다.
[특허문헌1]일본특허제3918536호공보
그런데, 전기 광학 소자의 거동은 온도에 의존하는 경우가 있다. 도 13은 온도가 상위한 복수의 경우에 대하여 전기 광학 소자(액정 소자)의 계조의 경시적인 변화를 도시한 그래프이다. 도 13에서는, 온 전압의 인가 시에 투과율이 최소(흑 표시)로 되는 노멀리 화이트 모드의 액정 소자에, 시점 t1부터 온 전압을 인가함과 함께 시점 t2부터 오프 전압을 인가한 경우의 투과율의 변화가 예시되어 있다.
온도가 낮을수록 액정의 점도는 상승하기 때문에, 도 13으로부터 파악되는 바와 같이, 액정 소자의 온도가 낮을수록, 오프 전압의 인가 후(시점 t2의 경과 후)에 투과율이 상승하는 속도는 저하된다. 따라서, 온 전압의 인가 시간이 동일한 경우라도, 실제로 관찰자가 지각하는 계조는 액정 소자의 온도에 따라서 변화 된다(구체적으로는 액정 소자의 온도가 높을수록 계조가 높아진다)고 하는 문제가 있다. 이상의 사정을 고려하여, 본 발명은, 서브 필드 구동 하에서 온도에 기인한 계조의 변화를 저감하는 것을 목적으로 한다.
이상의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차에 대응하여 배치되며, 주사선의 선택 시에 신호선에 공급되는 온 전압 또는 오프 전압에 따라서 구동되는 복수의 화소와, 필드 내의 복수의 서브 필드의 각각에서 복수의 주사선을 순차적으로 선택하는 주사선 구동 회로와, 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드에서의 주사선의 선택 시에, 복수의 신호선에 온 전압을 출력하고, 복수의 서브 필드 중 온도 보상용 서브 필드와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서의 주사선의 선택 시에, 복수의 신호선의 각각에 대하여, 온 전압 및 오프 전압 중 어느 하나를, 해당 주사선과 해당 신호선에 대응하는 화소의 지정 계조에 따라서 출력하는 신호선 구동 회로와, 온도를 검출하는 온도 검출 수단과, 온도 검출 수단이 검출한 온도에 따라서 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이를 가변으로 설정하는 제어 수단을 구비한다. 제어 수단은, 예를 들면, 온도 검출 수단이 검출한 온도가 높을수록 각 온도 보상용 서브 필드를 긴 시간으로 설정한다.
이상의 구성에서는, 화소에 대하여 강제적으로 온 전압이 인가되는 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이가 온도 검출 수단에 의한 검출 온도에 따라서 가변으로 제어되기 때문에, 화소(예를 들면 액정 소자)의 응답 특성이 온도에 따라서 변화한 경우라도, 각 화소의 계조의 변화를 저감하는 것이 가능하다. 또한, 온도 검출 수단이 검출하는 온도는, 전기 광학 장치의 각 요소나 전기 광학 장치의 주위의 온도이며, 화소 자체의 온도 외에, 화소(전기 광학 소자)의 온도에 연동하여 변화하는 온도도 포함하는 개념이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 필드는 복수의 단위 구간으로 구분되고, 복수의 단위 구간의 각각은, 온도 보상용 서브 필드와 계조 제어용 서브 필드를 포함한다. 이상의 양태에서는, 온도 보상용 서브 필드가 계조 제어용 서브 필드마다 설정되기 때문에, 필드 내에 1개의 온도 보상용 서브 필드만이 설정된 구성과 비교하면, 온도에 따른 각 화소의 계조의 변화를 저감한다고 하는 효과는 각별히 현저해진다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 신호선 구동 회로는, 복수의 신호선에 대응하는 복수의 논리 회로와, 온 전압 또는 오프 전압을 시분할로 지정하는 지시 데이터를 복수의 논리 회로의 각각에 공급하는 신호 출력 회로를 포함하고, 복수의 논리 회로의 각각은, 온도 보상용 서브 필드에서의 주사선의 선택 시에 제1 레벨(도 5에서의 로우 레벨)로 설정되고, 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서의 주사선의 선택 시에 제2 레벨(도 5에서의 하이 레벨)로 설정되는 제어 신호(예를 들면 도 5의 제어 신호 ENB)를 수신하고, 제어 신호가 제1 레벨인 기간 내에서는, 지시 데이터에 상관없이 온 전압을 신호선에 출력하고, 제어 신호가 제2 레벨인 기간 내에서는, 온 전압 또는 오프 전압을 지시 데이터에 따라서 신호선에 출력한다. 이상의 양태에서는, 제어 신호가 제1 레벨인 기간 내에서는, 지시 데이터에 상관없이 각 논리 회로가 신호선에 온 전압을 출력하기 때문에, 제어 신호의 1주기에 상당하는 시간을, 신호 출력 회로가 출력하는 지시 데이터의 주기로서 확보하는 것이 가능하다. 따라서, 신호선 구동 회로의 동작의 속도가 저감된다고 하는 이점이 있다. 각 논리 회로는, 예를 들면, 제어 신호와 지시 데이터가 입력되는 부정 논리곱 회로를 포함하여 구성된다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 주사선 구동 회로는, 개시 펄스를 순차적으로 시프트한 전송 펄스를 배치한 복수의 전송 신호를 생성하는 전송 회로와, 각 전송 펄스의 전연에 대응하는 제1 선택 펄스와 후연에 대응하는 제2 선택 펄스를 생성하여 각 주사선에 출력하는 펄스 생성 회로를 포함하고, 제1 선택 펄스는, 온도 보상용 서브 필드 및 계조 제어용 서브 필드 중 한쪽에서의 주사선의 선택을 지시하고, 제2 선택 펄스는, 온도 보상용 서브 필드 및 계조 제어용 서브 필드 중 다른 쪽에서의 주사선의 선택을 지시하고, 제어 수단은, 온도 검출 수단이 검출한 온도에 따라서 개시 펄스의 펄스 폭을 제어한다. 이상의 양태에서는, 주사선의 선택을 지시하는 제1 선택 펄스와 제2 선택 펄스가 1개의 개시 펄스로부터 생성되기 때문에, 1개의 개시 펄스로부터 1개의 선택 펄스가 생성되는 구성과 비교하여, 주사선의 선택에 필요로 되는 개시 펄스의 개수가 삭감된다고 하는 이점이 있다.
본 발명의 다른 관점에 따른 전기 광학 장치는, 온 전압 또는 오프 전압에 따라서 구동되는 화소와, 필드 내의 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드에서 화소에 온 전압을 인가하고, 복수의 서브 필드 중 온도 보상용 서브 필드와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서, 화소의 지정 계조에 따라서 온 전압 및 오프 전압 중 어느 하나를 해당 화소에 인가하는 구동 회로와, 온도를 검출하는 온도 검출 수단과, 온도 검출 수단이 검출한 온도에 따라서 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이를 가변으로 설정하는 제어 수단을 구비한다. 이상의 양태에서도, 화소에 대하여 강제적으로 온 전압이 인가되는 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이가 온도 검출 수단에 의한 검출 온도에 따라서 가변으로 제어되기 때문에, 화소(예를 들면 액정 소자)의 응답 특성이 온도에 따라서 변화된 경우라도 각 화소의 계조의 변화는 억제된다.
본 발명에 따른 전기 광학 장치는 각종 전자 기기에 이용된다. 전자 기기의 전형예는, 전기 광학 장치를 표시 장치로서 이용한 기기이다. 본 발명에 따른 전자 기기로서는 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화기가 예시된다. 또한, 본 발명의 전기 광학 장치는, 관찰자에게 직접적으로 도달하는 표시광을 출사하는 표시 장치 외에, 표시광을 표시면(예를 들면 스크린)에 투사하는 투사형의 표시 장치로서도 이용된다. 투사형의 표시 장치에서는, 고강도의 조사광이 광원으로부터 조사됨으로써 전기 광학 장치의 온도가 변화되기 쉽다고 하는 경향이 있기 때문에, 온도에 따른 계조의 변화를 억제할 수 있는 본 발명은 각별히 바람직하다.
본 발명은, 전기 광학 장치의 구동 방법으로서도 실현된다. 본 발명에 따른 전기 광학 장치의 구동 방법에서는, 필드 내의 복수의 서브 필드의 각각에서 복수의 주사선을 순차적으로 선택하고, 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드에서의 주사선의 선택 시에, 복수의 신호선에 온 전압을 출력하고, 복수의 서브 필드 중 온도 보상용 서브 필드와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서의 주사선의 선택 시에, 복수의 신호선의 각각에 대하여, 해당 주사선과 해당 신호선에 대응하는 화소의 지정 계조에 따라서 온 전압 및 오프 전압 중 어느 하나를 출력하는 한편, 온도를 검출하고, 검출한 온도에 따라서 각 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이를 가변으로 설정한다. 이상의 방법에 의하면, 본 발명에 따른 전기 광학 장치와 마찬가지의 효과가 실현된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전기 광학 장치의 블록도.
도 2는 화소의 회로도.
도 3은 제1 실시 형태의 서브 필드 구동을 설명하기 위한 개념도.
도 4는 액정 소자의 투과율의 경시적인 변화를 온도마다 도시한 그래프.
도 5는 구동 회로의 동작을 도시하는 타이밍차트.
도 6은 신호선 구동 회로의 블록도.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 전기 광학 장치에서의 주사선 구동 회로의 블록도.
도 8은 주사선 구동 회로의 동작을 도시하는 타이밍차트.
도 9는 펄스 생성 회로를 구성하는 각 단위 회로의 회로도.
도 10은 전자 기기(퍼스널 컴퓨터)의 사시도.
도 11은 전자 기기(휴대 전화기)의 사시도.
도 12는 전자 기기(휴대 정보 단말기)의 사시도.
도 13은 전기 광학 소자(액정 소자)의 투과율의 경시적인 변화를 도시한 그래프.
<A : 제1 실시 형태>
액정 소자를 화소에 이용한 제1 실시 형태의 전기 광학 장치(액정 표시 장치)에 대하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 실시 형태의 전기 광학 장치(100)는, 화소부(표시 영역)(10)와 구동 회로(30)와 제어 회로(42)와 온도 검출부(44)를 구비한다. 구동 회로(30)나 제어 회로(42)는, 화소부(10)가 형성되는 기판의 표면이나 기판에 접합된 배선 기판의 표면에 실장된다.
화소부(10)에는, x 방향으로 연장되는 M개의 주사선(12)과, x 방향에 교차하는 y 방향으로 연장되는 N개의 신호선(14)이 형성된다(M, N은 자연수). 각 주사선(12)과 각 신호선(14)의 교차에 대응한 위치에는 화소 PX가 배치된다. 따라서, 복수의 화소 PX는, 세로 M행×가로 N열의 행렬 형상으로 배열한다.
도 2에는, 제i행(i=1∼M)에 속하는 제j열(j=1∼N)의 화소 PX가 대표적으로 도시되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 각 화소 PX는, 액정 소자(22)와 선택 스위치(24)를 포함하여 구성된다. 액정 소자(22)는, 서로 대향하는 화소 전극(221) 및 대향 전극(223)과, 양자 사이에 협지된 액정(225)으로 구성된다. 예를 들면 TN형의 액정 재료가 액정(225)으로서 바람직하게 채용된다. 선택 스위치(24)(예를 들면 N채널형의 박막 트랜지스터)는, 신호선(14)과 화소 전극(221) 사이에 개재되어 양자간의 전기적인 접속(도통/비도통)을 제어한다. 대향 전극(223)은 소정의 전위로 유지된다.
이상의 구성에서, 선택 스위치(24)가 온 상태로 천이하였을 때의 신호선(14)의 전압이 화소 전극(221)에 인가된다. 액정 소자(22)의 투과율(반사형 표시의 경우에는 반사율)은, 화소 전극(221)과 대향 전극(223) 사이의 전압에 따라서 변화한다. 본 형태의 액정 소자(22)는 노멀리 화이트 모드로 설정된다. 즉, 액정 소자(22)의 투과율은, 액정 소자(22)의 양단간의 전압이 제로인 경우에 최대(100％)로 되고, 액정 소자(22)의 양단간의 전압이 상승할수록 저하된다.
도 1의 제어 회로(42)는, 동기 신호나 각종 제어 신호를 생성 및 출력함으로써 구동 회로(30)를 제어한다. 구동 회로(30)는, 제어 회로(42)에 의한 제어 하에 복수의 화소 PX의 각각을 구동하여 화소부(10)에 화상을 표시한다. 구동 회로(30)에는, 각 화소 PX의 계조를 지정하는 계조 데이터 G가 상위 장치로부터 순차적으로 공급된다.
구동 회로(30)에 의한 각 화소 PX의 구동에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 각 필드 F를 구분한 복수의 서브 필드 SF(SFa, SFb)의 각각에서 각 화소 PX의 액정 소자(22)(화소 전극(221))에 온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나를 인가하는 서브 필드 구동이 채용된다. 서브 필드 구동에서는, 소정 길이의 필드 F 중 액정 소자(22)에 온 전압 VON이 인가되는 시간(또는 오프 전압 VOFF가 인가되는 시간)의 비율이 각 화소 PX의 계조 데이터 G(지정 계조)에 따라서 가변으로 제어된다. 온 전압 VON은, 액정 소자(22)의 투과율을 변화시키는 전압(즉, 대향 전극(223)의 전압과는 상위한 전압)이고, 오프 전압 VOFF는, 액정 소자(22)의 양단간의 전압이 온 전압 VON의 인가 시를 하회하도록(전형적으로는 액정 소자(22)의 양단간의 전압이 제로로 되도록) 설정된 전압이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 1개의 필드 F는 복수의 단위 기간 f로 구분된다. 각 단위 구간 f는 2개의 서브 필드 SF(SFa, SFb)를 포함하여 구성된다. 단위 구간 f 내의 종점측의 서브 필드(이하 「계조 제어용 서브 필드」라고 함) SFb는, 각 화소 PX(액정 소자(22))의 계조를 계조 데이터 G에 따라서 가변으로 제어하기 위해서 이용된다. 즉, 구동 회로(30)는, 필드 F 내의 각 계조 제어용 서브 필드 SFb에서, 온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나를 계조 데이터 G에 따라서 선택적으로 각 화소 PX의 액정 소자(22)에 인가한다.
한편, 단위 구간 f 내의 시점측의 서브 필드(이하 「온도 보상용 서브 필드」라고 함) SFa는, 온도에 기인한 액정(225)의 응답 특성의 변화를 보상하기 위해서 이용된다. 구동 회로(30)는, 필드 F 내의 각 온도 보상용 서브 필드 SFa에서, 계조 데이터 G의 여하에 상관없이 각 화소 PX의 액정 소자(22)에 온 전압 VON을 인가한다.
도 4는 액정(225)의 온도가 상위한 복수의 경우(T0, T1, T2)에 대하여 액정 소자(22)의 투과율의 경시적인 변화를 도시한 그래프이다. 도 4에서는, 필드 F의 시점 t1부터 시점 t2까지에 걸치는 복수의 단위 기간 f의 계조 제어용 서브 필드 SFb에서 액정 소자(22)에 온 전압 VON을 인가하고, 시점 t2부터 필드 F의 종점 t3까지에 걸치는 복수의 단위 기간 f의 계조 제어용 서브 필드 SFb에서 액정 소자(22)에 오프 전압 VOFF를 인가한 경우가 상정되어 있다.
각 계조 제어용 서브 필드 SFb에만 주목하면, 액정 소자(22)의 투과율은, 시점 t1부터 개시하는 온 전압 VON의 인가와 함께 경시적으로 저하되어 최소값에 도달(포화)하고, 시점 t2부터 개시하는 오프 전압 VOFF의 인가와 함께 경시적으로 상승하여 최대값에 도달(포화)한다. 한편, 필드 F 내의 각 온도 보상용 서브 필드 SFa에서는, 강제적으로 온 전압 VON이 인가됨으로써 액정 소자(22)의 투과율은 저하된다. 따라서, 도 4에 도시한 바와 같이, 시점 t2부터 시점 t3까지의 구간 내에서의 액정 소자(22)의 투과율은, 각 온도 보상용 서브 필드 SFa 내에서의 저하와 각 계조 제어용 서브 필드 SFb에서의 상승을 교대로 반복하면서 전체적으로는 경시적으로 상승한다.
도 1의 온도 검출부(44)는, 전기 광학 장치(100)의 각 부(이상적으로는 액정(225))나 전기 광학 장치(100)의 주위의 온도 T를 검출하는 센서이다. 예를 들면, 주위의 온도 T에 따라서 저항이 변화되는 저항체(서미스터)가 온도 검출부(44)로서 바람직하게 채용된다. 제어 회로(42)는, 온도 검출부(44)가 검출한 온도 T에 따라서 필드 F 내의 각 단위 기간 f에서의 온도 보상용 서브 필드 SFa의 시간 길이를 가변으로 제어한다.
구체적으로는, 제어 회로(42)는, 온도 검출부(44)가 검출한 온도 T가 높은 경우일수록, 각 온도 보상용 서브 필드 SFa를 긴 시간으로 설정한다. 즉, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 온도 T가 소정값 T2(예를 들면 60℃)인 경우의 온도 보상용 서브 필드 SFa(도 4의 부호 SFa_T2)의 시간 길이는, 온도 T가 소정값 T2를 하회하는 소정값 T1(예를 들면 50℃)인 경우의 온도 보상용 서브 필드 SFa(도 4의 부호 SFa_T1)와 비교하여 긴 시간으로 설정된다. 따라서, 온도 T가 높은 경우일수록, 온도 보상용 서브 필드 SFa 내에서의 액정 소자(22)의 투과율의 변화량(저하량)은 증가한다. 예를 들면, 도 4에 도시한 바와 같이, 온도 T가 소정값 T2인 경우의 온도 보상용 서브 필드 SFa_T2 내에서의 투과율의 저하량 Δ2는, 온도 T가 소정값 T1인 경우의 온도 보상용 서브 필드 SFa_T1 내에서의 투과율의 저하량 Δ1을 상회한다.
또한, 온도 T가 소정값 T0(예를 들면 40℃) 이하인 경우, 제어 회로(42)는, 온도 보상용 서브 필드 SFa의 시간 길이를 제로로 설정한다. 따라서, 도 4에 쇄선으로 도시되는 바와 같이, 액정 소자(22)의 투과율은, 시점 t2 이후에서 연속적으로(즉 도중에서 저하하지 않고) 상승하여 최대값에 도달한다. 또한, 단위 기간 f의 시간 길이는 고정이기 때문에, 온도 T가 높을수록 각 계조 제어용 서브 필드 SFb는 짧은 시간으로 설정된다.
도 4나 전술한 도 13으로부터 이해되는 바와 같이, 액정(225)의 온도가 높은 경우일수록, 오프 전압 VOFF의 인가에 의해 액정 소자(22)의 투과율이 상승하는 속도는 크다. 제1 실시 형태에서는, 액정(225)의 온도 T가 높을수록(즉, 오프 전압 VOFF의 인가에 의한 투과율의 상승이 빠를수록), 온도 보상용 서브 필드 SFa 내에서의 투과율의 저하량이 증가하기 때문에, 도 4에 도시한 바와 같이, 온도 T가 상위한 경우라도, 시간축 상의 각 시점에서의 액정 소자(22)의 투과율은 접근한다. 따라서, 온도 T에 따른 계조의 변화를 저감하는 것이 가능하다. 또한, 관찰자가 지각하는 계조는 투과율의 시간 적분값에 의존하기 때문에, 도 4와 같이 투과율의 경시적인 변화를 나타내는 곡선의 형상이 상위하여도, 실제로 관찰자가 지각하는 계조의 상위는 유효하게 저감된다.
다음으로, 구동 회로(30)의 구체적인 구성을 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 구동 회로(30)는, 주사선 구동 회로(32)와 신호선 구동 회로(34)와 변환 회로(36)를 포함하여 구성된다. 주사선 구동 회로(32)는, M개의 주사선(12)의 각각을 순차적으로 선택하기 위한 주사 신호 Y[1]∼Y[M]를 생성하여 각 주사선(12)에 출력한다. 구체적으로는, 주사선 구동 회로(32)는, 선택 행의 주사선(12)에 공급하는 주사 신호 Y[i]를, 선택 스위치(24)를 온 상태로 천이시키는 하이 레벨의 전압으로 설정한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 주사선 구동 회로(32)는, 각 필드 F 내의 서브 필드 SF(온도 보상용 서브 필드 SFa, 계조 제어용 서브 필드 SFb)마다 M개의 주사선(12)의 각각을 순차적으로 선택한다. 즉, 1개의 주사선(12)에 대하여 단위 기간 f마다 2회의 선택이 실행된다.
제1 실시 형태의 주사선 구동 회로(32)는, 주사선(12)의 총수에 상당하는 M단의 시프트 레지스터 회로이다. 즉, 주사선 구동 회로(32)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 제어 회로(42)로부터 공급되는 클럭 신호 CLY(주기 p)에 동기하여 개시 펄스(PA, PB)를 순차적으로 시프트한 후에 각 주사선(12)에 출력한다. 도 5에 도시한 바와 같이, 제어 회로(42)는, 개시 펄스 PA와 개시 펄스 PB를 필드 F 내의 단위 기간 f마다 순차적으로 주사선 구동 회로(32)에 출력한다.
따라서, 각 주사 신호 Y[i]에는, 개시 펄스 PA를 전송한 선택 펄스 QA와 개시 펄스 PB를 전송한 선택 펄스 QB가 배치된다. 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QA는, 제i행의 각 화소 PX에 대하여 온도 보상용 서브 필드 SFa의 시점을 규정하고, 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QB는, 제i행의 각 화소 PX에 대하여 계조 제어용 서브 필드 SFb의 시점을 규정한다. 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QA와 다음 행의 주사 신호 Y[i+1]의 선택 펄스 QA와의 간격, 및, 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QB와 주사 신호 Y[i+1]의 선택 펄스 QB와의 간격은, 클럭 신호 CLY의 반주기(p/2)에 상당한다.
도 1의 변환 회로(36)는, 각 화소 PX의 계조 데이터 G를 지시 데이터 D로 변환한다. 지시 데이터 D는, 필드 F 내의 복수의 계조 제어용 서브 필드 SFb의 각각에 대하여 온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나를 지정하는 비트열이다. 계조 데이터 G가 지정하는 계조가 높을수록, 지시 데이터 D가 온 전압 VON을 지정하는 계조 제어용 서브 필드 SFb의 개수가 감소하도록(즉, 필드 F 내 온 전압 VON의 인가에 의해 액정 소자(22)의 투과율이 최소값으로 설정되는 시간 길이가 짧아지도록), 변환 회로(36)는 계조 데이터 G로부터 지시 데이터 D를 생성한다. 예를 들면, 계조 데이터 G의 각 수치와 지시 데이터 D의 각 수치를 대응지은 테이블이 변환 회로(36)로서 채용된다. 또한, 각 온도 보상용 서브 필드 SFa에서의 온 전압 VON의 인가의 지시는 지시 데이터 D에 포함되지 않는다.
신호선 구동 회로(34)는, 주사선 구동 회로(32)에 의한 각 주사선(12)의 선택에 동기하여 각 신호선(14)에 온 전압 VON 또는 오프 전압 VOFF를 공급한다. 필드 F 내의 복수의 계조 제어용 서브 필드 SFb의 각각에서 주사선(12)의 선택 시에 각 신호선(14)에 출력되는 전압은, 지시 데이터 D에 따라서 온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나로 설정된다. 구체적으로는, 각 계조 제어용 서브 필드 SFb에서 제i행의 주사선(12)이 선택되면, 신호선 구동 회로(34)는, 제j열의 신호선(14)에 대하여, 제i행의 제j열에 위치하는 화소 PX의 계조 데이터 G로부터 생성된 지시 데이터 D가 해당 계조 제어용 서브 필드 SFb에 대하여 지정하는 전압(온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나)을 출력한다.
한편, 필드 F 내의 온도 보상용 서브 필드 SFa의 각각에서의 주사선(12)의 선택 시에, 신호선 구동 회로(34)는, 지시 데이터 D의 여하에 상관없이 N개의 신호선(14)에 온 전압 VON을 출력한다. 따라서, 필드 F 내의 복수의 온도 보상용 서브 필드 SFa의 각각에서는, 액정 소자(22)에 대하여 강제적으로 온 전압 VON이 인가된다.
도 6은 신호선 구동 회로(34)의 블록도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 신호선 구동 회로(34)는, 변환 회로(36)로부터 지시 데이터 D가 순차적으로 공급되는 신호 출력 회로(342)와, 각 신호선(14)에 대응하는 N개의 논리 회로(344)를 포함하여 구성된다. 도 5에 도시한 바와 같이, 신호 출력 회로(342)는, 제j열의 각 화소 PX의 지시 데이터 D[j]의 각 비트 B를, 클럭 신호 CLY의 주기 p로 순차적으로 제j열의 논리 회로(344)에 출력한다. 각 열의 화소 PX에 대응한 지시 데이터 D의 각비트 B를 유지하여 소정의 시기에 출력하는 N단의 래치 회로가 신호 출력 회로(342)로서 채용된다.
각 논리 회로(344)에는 제어 회로(42)로부터 제어 신호 ENB가 공급된다. 제어 신호 ENB는, 도 5에 도시한 바와 같이, 각 온도 보상용 서브 필드 SFa에서의 각 주사선(12)의 선택 시에 로우 레벨로 설정되고, 각 계조 제어용 서브 필드 SFb에서의 각 주사선(12)의 선택 시에 하이 레벨로 설정된다. 즉, 제어 신호 ENB가 로우 레벨로 설정되는 구간은 주사 신호 Y[1]∼Y[M] 중 어느 하나의 선택 펄스 QA와 중복되고, 제어 신호 ENB가 하이 레벨로 설정되는 구간은 주사 신호 Y[1]∼Y[M] 중 어느 하나의 선택 펄스 QB와 중복된다.
제j열의 논리 회로(344)는, 제어 회로(42)로부터 공급되는 제어 신호 ENB와 신호 출력 회로(342)로부터 공급되는 지시 데이터 D[j]의 비트 B에 따라서 온 전압 VON 또는 오프 전압 VOFF를 선택하여 제j열의 신호선(14)에 출력한다. 구체적으로는, 논리 회로(344)는, 제어 신호 ENB가 로우 레벨인 기간에서는, 신호 출력 회로(342)로부터 공급되는 지시 데이터 D[j]에 상관없이 온 전압 VON을 제j열의 신호선(14)에 출력하고, 제어 신호 ENB가 하이 레벨인 기간에서는, 신호 출력 회로(342)로부터 공급되는 지시 데이터 D[j]의 비트에 따라서 온 전압 VON 또는 오프 전압 VOFF를 제j열의 신호선(14)에 출력한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제어 신호 ENB와 지시 데이터 D[j]가 입력되는 NAND 회로와 온 전압 VON 또는 오프 전압 VOFF를 출력하는 버퍼 회로의 조합이 논리 회로(344)로서 바람직하다.
이상과 같이, 제어 신호 ENB가 로우 레벨인 기간(온도 보상용 서브 필드 SFa) 내에서는 지시 데이터 D[j]의 비트 B에 상관없이 온 전압 VON이 신호선(14)에 출력된다. 따라서, 클럭 신호 CLY의 반주기(p/2)에 상당하는 시간마다 각 신호선(14)의 전압(VON, VOFF)을 변화시키는 구성에도 불구하고, 클럭 신호 CLY의 주기 p에 상당하는 시간 길이를, 지시 데이터 D의 각 비트 B의 출력의 주기로서 확보하는 것이 가능하다. 따라서, 예를 들면, 계조 제어용 서브 필드 SFb에서의 전압(VON, VOFF)의 지시 외에 온도 보상용 서브 필드 SFa에서의 온 전압 VON의 인가도 지시 데이터 D가 지시하는 구성(즉, 신호 출력 회로(342)가 출력하는 지시 데이터 D의 각 비트 B를 클럭 신호 CLY의 반주기마다 변화시키는 구성)과 비교하여, 신호선 구동 회로(34)에 요구되는 동작의 속도가 저감된다고 하는 이점이 있다. 단, 신호 출력 회로(342)가 출력하는 지시 데이터 D의 각 비트 B를 클럭 신호 CLY의 반주기마다 변화시키는 구성도 본 발명의 범위에 포함된다.
<B : 제2 실시 형태>
다음으로, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한，이하의 각 형태에서 작용이나 기능이 제1 실시 형태와 동등한 요소에 대해서는, 이상과 동일한 부호를 붙이고 각각의 상세한 설명을 적절하게 생략한다.
제2 실시 형태의 전기 광학 장치(100)에서는, 각 주사선(12)의 선택에 도 7의 주사선 구동 회로(32A)가 이용된다. 주사선 구동 회로(32A)에는 제어 회로(42)로부터 개시 펄스 P0이 공급된다. 제1 실시 형태의 주사선 구동 회로(32)는, 개시 펄스 PA로부터 각 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QA를 생성함과 함께 개시 펄스 PB로부터 각 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QB를 생성하였다. 제2 실시 형태의 주사선 구동 회로(32A)는, 1개의 개시 펄스 P0으로부터 각 주사 신호 Y[i]의 선택 펄스 QA 및 선택 펄스 QB의 쌍방을 생성한다. 따라서, 단위 기간 f마다 1개의 개시 펄스 P0이 제어 회로(42)로부터 주사선 구동 회로(32A)에 공급된다.
도 7에 도시한 바와 같이, 주사선 구동 회로(32A)는, 전송 회로(52)와 펄스 생성 회로(54)를 포함하여 구성된다. 전송 회로(52)는, 제어 회로(42)로부터 공급되는 개시 펄스 P0을 순차적으로 시프트(지연)한 (M+1)계통의 전송 신호 S[0]∼S[M]를 생성하는 시프트 레지스터이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 전송 회로(52)는, 제0단부터 제M단까지의 (M+1)단의 단위 회로(플립플롭) UA[0]∼UA[M]로 구성된다. 단위 회로 UA[0]∼UA[M]에는 제어 회로(42)로부터 클럭 신호 CLY가 공급된다.
도 8에 도시한 바와 같이, 제i단째의 단위 회로 UA[i]는, 전단의 단위 회로UA[i-1]가 출력하는 전송 신호 S[i-1](제0단째의 단위 회로 UA[0]에 대해서는 제어 회로(42)로부터의 개시 펄스 P0)를 클럭 신호 CLY의 반주기(p/2)만큼 지연시킴으로써 전송 신호 S[i]를 생성하여 출력한다. 따라서, 전송 신호 S[0]∼S[M]의 각각에는 개시 펄스 P0에 대응한 펄스 폭 W의 전송 펄스 PS가 배치된다. 도 8에는, 전송 펄스 PS의 펄스 폭 W가 클럭 신호 CLY의 4주기분(4p)으로 되도록 개시 펄스 P0의 펄스 폭을 설정한 경우가 편의적으로 예시되어 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 서로 전후하는 각 전송 신호 S[i]의 전송 펄스 PS는 시간축 상에서 중복된다.
도 7의 펄스 생성 회로(54)는, 전송 신호 S[0]∼S[M]로부터 M계통의 주사 신호 Y[1]∼Y[M]를 생성한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 펄스 생성 회로(54)는, 주사선(12)의 총수에 상당하는 M개의 단위 회로 UB[1]∼UB[M]를 포함하여 구성된다. 단위 회로 UB[1]∼UB[M]에는, 논리 레벨이 반대인 제어 신호 EA와 제어 신호 EB가 제어 회로(42)로부터 공급된다. 도 8에 도시한 바와 같이, 제어 신호 EA 및 제어 신호 EB는, 클럭 신호 CLY의 반주기(p/2)로 논리 레벨이 변동되는 주기 신호이다.
도 9에는, 제i단째의 단위 회로 UB[i]의 구성이 대표적으로 도시되어 있다. 도 7 및 도 9에 도시한 바와 같이, 단위 회로 UB[i]는, 자단의 전송 신호 S[i]와 전단의 전송 신호 S[i-1]로부터 제i행의 주사 신호 Y[i]를 생성한다. 도 9에 도시한 바와 같이, 단위 회로 UB[i]는, 논리 회로(61)와 논리 회로(62)와 NAND 회로(63)를 포함하여 구성된다. 논리 회로(61)는 신호 A[i]를 생성하고, 논리 회로(62)는 신호 B[i]를 생성한다.
도 9에 도시한 바와 같이, 논리 회로(61)는, 반전 회로(612)와 NAND 회로(614)로 구성된다. 반전 회로(612)는, 전송 신호 S[i]의 논리 레벨을 반전시킨다. NAND 회로(614)는, 반전 회로(612)의 출력 신호와 전단의 전송 신호 S[i-1]와 제어 신호 EA의 부정 논리곱을 신호 A[i]로서 출력한다. 따라서, 신호 A[i]는, 도 8에 도시한 바와 같이, 전송 신호 S[i]의 전송 펄스 PS의 전연에서 전송 신호 S[i-1]와는 논리 레벨이 반대로 되는 구간(전송 신호 S[i]에서의 전송 펄스 PS의 발생 전의 로우 레벨의 구간) G1 중 제어 신호 EA가 하이 레벨로 되는 구간에서 로우 레벨로 설정되고, 해당 구간 이외에서 하이 레벨을 유지한다. 즉, 신호 A[i]에는, 전송 신호 S[i]의 전송 펄스 PS의 전연에 대응한 펄스 PA0이 발생한다. 이상과 같이 논리 회로(61)는, 전송 펄스 PS의 전연의 검출에 이용된다.
도 9의 논리 회로(62)는, 논리 회로(61)와 마찬가지로, 반전 회로(622)와 NAND 회로(624)로 구성된다. 반전 회로(622)는, 전단의 전송 신호 S[i-1]의 논리 레벨을 반전시킨다. NAND 회로(624)는, 반전 회로(622)의 출력 신호와 자단의 전송 신호 S[i]와 제어 신호 EB의 부정 논리곱을 신호 B[i]로서 출력한다. 따라서, 신호 B[i]는, 도 8에 도시한 바와 같이, 전송 신호 S[i]의 전송 펄스 PS의 후연에서 전송 신호 S[i-1]와는 논리 레벨이 반대로 되는 구간(전송 신호 S[i-1]에서의 전송 펄스 PS의 발생 후의 로우 레벨의 구간) G2 중 제어 신호 EB가 하이 레벨로 되는 구간에서 로우 레벨로 설정되고, 해당 구간 이외에서 하이 레벨을 유지한다. 즉, 신호 B[i]에는, 전송 신호 S[i]의 전송 펄스 PS의 후연에 대응하는 펄스 PB0이 발생한다. 이상과 같이 논리 회로(62)는, 전송 펄스 PS의 후연의 검출에 이용된다.
도 9의 NAND 회로(63)는, 논리 회로(61)(NAND 회로(614))가 출력하는 신호 A[i]와 논리 회로(62)(NAND 회로(624))가 출력하는 신호 B[i]의 부정 논리곱을 주사 신호 Y[i]로서 주사선(12)에 출력한다. 따라서, 주사 신호 Y[i]에는, 도 8에 도시한 바와 같이, 신호 A[i]의 펄스 PA0(즉 개시 펄스 P0의 전연)에 대응한 선택 펄스 QA와 신호 B[i]의 펄스 PB0(즉 개시 펄스 P0의 후연)에 대응한 선택 펄스 QB가 발생한다. 이상의 동작을 M개의 단위 회로 UB[1]∼UB[M]의 각각이 마찬가지로 실행함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지의 파형의 주사 신호 Y[1]∼Y[M]가 생성된다. 신호선 구동 회로(34)나 각 화소 PX의 동작은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
전송 신호 S[i]에서의 전송 펄스 PS의 펄스 폭 W는 개시 펄스 P0의 펄스 폭에 따라서 변화하기 때문에, 전송 펄스 PS의 전연에 대응하는 선택 펄스 QA와 후연에 대응하는 선택 펄스 QB의 시간차(또한 온도 보상용 서브 필드 SFa의 시간 길이)는 개시 펄스 P0의 펄스 폭에 따라서 가변으로 설정된다. 제어 회로(42)는, 온도 검출부(44)가 검출하는 온도 T가 높을수록, 개시 펄스 P0의 펄스 폭(전송 펄스 PS의 펄스 폭 W)을 긴 시간으로 설정한다. 따라서, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 온도 T가 높을수록, 온도 보상용 서브 필드 SFa는 긴 시간으로 설정되고, 온도 보상용 서브 필드 SFa 내에서의 액정 소자(22)의 투과율의 저하량이 증가한다.
제2 실시 형태에서도 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과가 실현된다. 또한, 제2 실시 형태에서는, 주사 신호 Y[1]∼Y[M]의 각각에서의 단위 구간 f 내의 선택 펄스 QA 및 선택 펄스 QB가 1개의 개시 펄스 P0으로부터 생성된다. 따라서, 선택 펄스 QA 및 선택 펄스 QB의 각각의 생성에 별개의 개시 펄스(PA, PB)가 필요한 제1 실시 형태와 비교하면, 주사 신호 Y[1]∼Y[M]의 생성에 필요한 개시 펄스의 개수가 절반으로 삭감된다. 따라서, 개시 펄스의 생성이나 처리에 필요한 전력이 저감된다고 하는 이점이 있다.
<C : 변형예>
이상의 각 형태는 다양하게 변형된다. 각 형태에 대한 변형의 구체적인 양태를 이하에 예시한다. 또한，이하의 예시로부터 임의로 선택된 2 이상의 양태는 적절하게 병합된다.
(1) 변형예 1
이상의 각 형태에서는, 각 필드 F 내의 단위 기간 f마다 온도 보상용 서브 필드 SFa를 설정하였지만(온도 보상용 서브 필드 SFa와 계조 제어용 서브 필드 SFb를 일대일로 설정하였지만), 온도 보상용 서브 필드 SFa와 계조 제어용 서브 필드 SFb의 관계는 본 발명에서 임의이다. 예를 들면, 온도 보상용 서브 필드 SFa의 총수와 계조 제어용 서브 필드 SFb의 총수가 필드 F 내에서 상위한 구성도 채용된다. 또한, 온도 보상용 서브 필드 SFa의 시간축 상의 위치도 임의이다. 단, 도 4나 도 13의 예시로부터 이해되는 바와 같이, 온도 T에 따른 액정(225)의 응답 특성의 상위는 오프 전압 VOFF의 인가 시에 현재화되기 때문에, 필드 F 내의 후방의 기간(예를 들면, 필드 F 내의 중간점부터 종점까지의 기간)에 온도 보상용 서브 필드 SFa를 설정한 구성이 바람직하다.
이상의 설명으로부터 이해되는 바와 같이, 구동 회로(30)는, 필드 F 내의 복수의 서브 필드 SF(SFa, SFb) 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드 SFa에서 화소 PX에 온 전압 VON을 인가하고, 복수의 서브 필드 SF 중 복수의 계조 제어용 서브 필드 SFb의 각각에서, 화소 PX의 계조 데이터 G에 따라서 온 전압 VON 및 오프 전압 VOFF 중 어느 하나를 해당 화소 PX에 인가하는 요소로서 포괄되고, 필드 F 내의 온도 보상용 서브 필드 SFa의 개수나 계조 제어용 서브 필드 SFb의 관계는 본 발명에서 임의이다.
(2) 변형예 2
이상의 각 형태에서는, 필드 F를 구성하는 복수의 단위 기간 f를 동일한 시간 길이로 하였지만, 필드 F 내의 각 단위 기간 f의 시간 길이가 상위한 구성도 채용된다. 또한, 필드 F 내의 각 계조 제어용 서브 필드 SFb의 시간 길이를 상위하게 한 구성도 바람직하다. 예를 들면, 필드 F 내의 복수의 계조 제어용 서브 필드 SFb의 시간 길이를 2진 가중으로 설정한 구성에 의하면, 각 계조 제어용 서브 필드 SFb를 동일한 시간 길이로 설정한 구성과 비교하여, 계조수를 증가시키는 것이 가능하다.
(3) 변형예 3
이상의 각 형태에서는, 노멀리 화이트 모드의 액정 소자(22)를 예시하였지만, 온 전압 VON의 인가 시에 투과율이 최대로 되는 노멀리 블랙 모드의 액정 소자(22)를 이용한 전기 광학 장치에도 본 발명은 적용된다. 또한, 액정 소자(22)에 의한 표시의 방식은, 배면측으로부터의 조사광을 관찰측에 출사하는 투과형에 한정되지 않고, 관찰측으로부터의 입사광을 반사시켜 표시에 이용하는 반사형이나, 투과형 및 반사형의 쌍방에서 화상을 표시하는 반투과 반사형도 채용된다.
단, 액정 소자(22)는 전기 광학 소자의 예시에 불과하다. 본 발명의 전기 광학 장치에 적용되는 전기 광학 소자에 대하여, 자신이 발광하는 자발광형과 외광의 투과율이나 반사율을 변화시키는 비발광형(예를 들면 액정 소자(22))의 구별이나, 전류의 공급에 의해 구동되는 전류 구동형과 전계(전압)의 인가에 의해 구동되는 전압 구동형의 구별은 불문한다. 예를 들면, 무기 EL 소자, 유기 EL 소자, 전계 전자 방출 소자(FE(Field-Emission) 소자), 표면 전도형 전자 방출 소자(SE(Surface conduction Electron emitter) 소자), 탄도 전자 방출 소자(BS(Ballistic electron Emitting) 소자), LED(Light Emitting Diode) 소자, 전기 영동 소자, 일렉트로크로믹 소자 등 다양한 전기 광학 소자를 이용한 전기 광학 장치에 본 발명은 적용된다. 즉, 전기 광학 소자란, 전류의 공급이나 전압(전계)의 인가 등의 전기적인 작용에 따라서 계조(투과율이나 휘도 등의 광학적인 특성)가 변화되는 요소이다.
<D : 응용예>
다음으로，이상의 각 양태에 따른 전기 광학 장치(100)를 이용한 전자 기기에 대하여 설명한다. 도 10은 전기 광학 장치(100)를 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 도시하는 사시도이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는, 각종 화상을 표시하는 전기 광학 장치(100)와, 전원 스위치(2001)나 키보드(2002)가 설치된 본체부(2010)를 구비한다.
도 11은 전기 광학 장치(100)를 적용한 휴대 전화기의 구성을 도시하는 사시도이다. 휴대 전화기(3000)는, 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002)과, 각종 화상을 표시하는 전기 광학 장치(100)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 전기 광학 장치(100)에 표시되는 화면이 스크롤된다.
도 12는 전기 광학 장치(100)를 적용한 휴대 정보 단말기(PDA : Personal Digital Assistants)의 구성을 도시하는 사시도이다. 정보 휴대 단말기(4000)는, 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002)와, 각종 화상을 표시하는 전기 광학 장치(100)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케줄부 등의 다양한 정보가 전기 광학 장치(100)에 표시된다.
또한, 본 발명에 따른 전기 광학 장치가 적용되는 전자 기기로서는, 도 10 내지 도 12에 예시한 기기 외에, 디지털 스틸 카메라, 텔레비전, 비디오 카메라, 카 네비게이션 장치, 페이저, 전자 수첩, 전자 페이퍼, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 영상 전화, POS 단말기, 프린터, 스캐너, 복사기, 비디오 플레이어, 프로젝터, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다.
100 : 전기 광학 장치
10 : 화소부
PX : 화소
12 : 주사선
14 : 신호선
22 : 액정 소자
221 : 화소 전극
223 : 대향 전극
24 : 선택 스위치
30 : 구동 회로
32, 32A : 주사선 구동 회로
34 : 신호선 구동 회로
36 : 변환 회로
42 : 제어 회로
44 : 온도 검출부
342 : 신호 출력 회로
344 : 논리 회로
52 : 전송 회로
54 : 펄스 생성 회로

Claims (9)

  1. 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차에 대응하여 배치되며, 상기 주사선의 선택 시에 상기 신호선에 공급되는 온 전압 또는 오프 전압에 따라서 구동되는 복수의 화소와,
    필드 내의 복수의 서브 필드의 각각에서 상기 복수의 주사선을 순차적으로 선택하는 주사선 구동 회로와,
    상기 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드에서의 상기 주사선의 선택 시에, 상기 복수의 신호선에 상기 온 전압을 출력하고, 상기 복수의 서브 필드 중 상기 온도 보상용 서브 필드와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서의 상기 주사선의 선택 시에, 상기 복수의 신호선의 각각에 대하여, 상기 온 전압 및 상기 오프 전압 중 어느 하나를, 해당 주사선과 해당 신호선에 대응하는 화소의 지정 계조에 따라서 출력하는 신호선 구동 회로와,
    온도를 검출하는 온도 검출 수단과,
    상기 온도 검출 수단이 검출한 온도에 따라서 상기 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이를 가변으로 설정하는 제어 수단
    을 구비하는 전기 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 수단은, 상기 온도 검출 수단이 검출한 온도가 높을수록 상기 온도 보상용 서브 필드를 긴 시간으로 설정하는 전기 광학 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 필드는 복수의 단위 구간으로 구분되고, 상기 복수의 단위 구간의 각각은, 상기 온도 보상용 서브 필드와 상기 계조 제어용 서브 필드를 포함하는 전기 광학 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 신호선 구동 회로는,
    상기 복수의 신호선에 대응하는 복수의 논리 회로와,
    상기 온 전압 또는 상기 오프 전압을 시분할로 지정하는 지시 데이터를 상기 복수의 논리 회로의 각각에 공급하는 신호 출력 회로를 포함하고,
    상기 복수의 논리 회로의 각각은, 상기 온도 보상용 서브 필드에서의 상기 주사선의 선택 시에 제1 레벨로 설정되고, 상기 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서의 상기 주사선의 선택 시에 제2 레벨로 설정되는 제어 신호를 수신하고, 상기 제어 신호가 상기 제1 레벨인 기간 내에서는, 상기 지시 데이터에 상관없이 상기 온 전압을 상기 신호선에 출력하고, 상기 제어 신호가 상기 제2 레벨인 기간내에서는, 상기 온 전압 또는 상기 오프 전압을 상기 지시 데이터에 따라서 상기 신호선에 출력하는 전기 광학 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 논리 회로의 각각은, 상기 제어 신호와 상기 지시 데이터가 입력되는 부정 논리곱 회로를 포함하는 전기 광학 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주사선 구동 회로는,
    개시 펄스를 순차적으로 시프트한 전송 펄스를 배치한 복수의 전송 신호를 생성하는 전송 회로와,
    상기 각 전송 펄스의 전연에 대응하는 제1 선택 펄스와 후연에 대응하는 제2 선택 펄스를 생성하여 상기 각 주사선에 출력하는 펄스 생성 회로를 포함하고,
    상기 제1 선택 펄스는, 상기 온도 보상용 서브 필드 및 상기 계조 제어용 서브 필드 중 한쪽에서의 상기 주사선의 선택을 지시하고, 상기 제2 선택 펄스는, 상기 온도 보상용 서브 필드 및 상기 계조 제어용 서브 필드 중 다른 쪽에서의 상기 주사선의 선택을 지시하고,
    상기 제어 수단은, 상기 온도 검출 수단이 검출한 온도에 따라서 상기 개시 펄스의 펄스 폭을 제어하는 전기 광학 장치.
  7. 온 전압 또는 오프 전압에 따라서 구동되는 화소와,
    필드 내의 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드에서 상기 화소에 상기 온 전압을 인가하고, 상기 복수의 서브 필드 중 상기 온도 보상용 서브 필드와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서, 상기 온 전압 및 상기 오프 전압 중 어느 하나를, 상기 화소의 지정 계조에 따라서 해당 화소에 인가하는 구동 회로와,
    온도를 검출하는 온도 검출 수단과,
    상기 온도 검출 수단이 검출한 온도에 따라서 상기 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이를 가변으로 설정하는 제어 수단
    을 구비하는 전기 광학 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 전기 광학 장치를 구비하는 전자 기기.
  9. 복수의 주사선과 복수의 신호선의 각 교차에 대응하여 배치되며, 상기 주사선의 선택 시에 상기 신호선에 공급되는 온 전압 또는 오프 전압에 따라서 구동되는 복수의 화소를 구비하는 전기 광학 장치의 구동 방법으로서,
    필드 내의 복수의 서브 필드의 각각에서 상기 복수의 주사선을 순차적으로 선택하고,
    상기 복수의 서브 필드 중 적어도 1개의 온도 보상용 서브 필드에서의 상기 주사선의 선택 시에, 상기 복수의 신호선에 상기 온 전압을 출력하고, 상기 복수의 서브 필드 중 상기 온도 보상용 서브 필드와는 상이한 복수의 계조 제어용 서브 필드의 각각에서의 상기 주사선의 선택 시에, 상기 복수의 신호선의 각각에 대하여, 해당 주사선과 해당 신호선에 대응하는 화소의 지정 계조에 따라서 상기 온 전압 및 상기 오프 전압 중 어느 하나를 출력하는 한편,
    온도를 검출하고,
    상기 검출한 온도에 따라서 상기 온도 보상용 서브 필드의 시간 길이를 가변으로 설정하는
    전기 광학 장치의 구동 방법.
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