JP2002311914A

JP2002311914A - 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置、液晶表示装置および電子機器

Info

Publication number: JP2002311914A
Application number: JP2001117250A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Maeda; 強前田; Akira Inoue; 明井上
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-04-16
Filing date: 2001-04-16
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】サブフィールド駆動型の電気光学装置におい
て、高温時における階調反転、階調つぶれを緩和する。【解決手段】周囲温度が高くなると、液晶の粘性が低
下し、液晶分子の動きが速くなる。そこで、温度センサ
１６０によって周囲温度を測定し、電源回路１７０は周
囲温度が高くなるほど、各画素１１０に印加するオン電
圧およびオフ電圧の差を小さくする。これにより、液晶
分子の動きを低下させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種情報の表示に
用いて好適な電気光学装置の駆動方法、電気光学装置の
駆動回路、電気光学装置、液晶表示装置および電子機器
に関する。

【０００２】

【背景技術】電気光学装置、例えば、電気光学材料とし
て液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）に
代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器
の表示部や液晶テレビなどに広く用いられている。ここ
で、従来の電気光学装置は、例えば、次のように構成さ
れている。すなわち、従来の電気光学装置は、マトリク
ス状に配列した画素電極と、この画素電極に接続された
ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）の
ようなスイッチング素子などが設けられた素子基板と、
画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、
これら両基板との問に充填された電気光学材料たる液晶
とから構成される。

【０００３】そして、このような構成において、走査線
を介してスイッチング素子に走査信号を印加すると、当
該スイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の
際に、データ線を介して画素電極に、階調に応じた電圧
の画像信号を印加すると、当該画素電極および対向電極
の間の液晶層に画像信号の電圧に応じた電荷が蓄積され
る。電荷蓄積後、当該スイッチング素子をオフ状態とし
ても、当該液晶層における電荷の蓄積は、画素電極およ
び対向電極の容量性や蓄積容量などによって維持され
る。このように、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積
させる電荷量を階調に応じて制御すると、画素毎に光が
変調され表示される濃度が変化することになる。このた
め、階調を表示することが可能となるのである。

【０００４】この際、各画素の電極に電荷を蓄積させる
のは１画面を表示するための期間に対して、その一部の
期間で良いため、第１に、走査線駆動回路によって、各
走査線を順次選択するとともに、その走査線の選択期間
において、第２に、データ線駆動回路によってデータ線
を順次選択し、第３に、選択されたデータ線に、階調に
応じた電圧の画像信号をサンプリングする構成により、
走査線およびデータ線を複数の画素について共通化した
時分割マルチプレックス駆動が可能となる。

【０００５】しかしながら、データ線に印加される画像
信号は、階調に対応する電圧、すなわちアナログ信号で
ある。このため、電気光学装置の周辺回路には、Ｄ／Ａ
変換回路やオペアンプなどが必要となるので、装置全体
のコスト高を招致してしまう。くわえて、これらのＤ／
Ａ変換回路、オペアンプなどの特性や、各種の配線抵抗
などの不均一性に起因して、表示ムラが発生するので、
高品質な表示が極めて困難である、という問題があり、
特に、高精細な表示を行う場合に顕著となる。さらに、
液晶等の電気光学物質において、印加電圧と透過率との
関係は、電気光学物質の種類に応じて相違する。このた
め、電気光学装置を駆動する駆動回路としては、各種の
電気光学装置に対応できる汎用のものが望まれる。

【０００６】上述した事情により、本出願人は、１フレ
ームを複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド
毎に各画素をオン／オフする技術を開発している。この
技術によれば、各サブフィールド内で画素がオン／オフ
される際の印加電圧は階調に拘らず一定であり、１フレ
ーム内で画素がオン状態になるデューティ比（または電
圧実効値）によって画素の階調が決定される。

【０００７】ここで、デューティ比を０〜１００％の間
で変化させながら電気光学装置の階調特性を観察する
と、デューティ比０％付近において、デューティ比が変
化しているにもかかわらず階調が変化しない領域が存在
する。ここで、階調特性が立ち上がるポイントにおける
電圧実効値を閾値電圧Ｖthと呼ぶ。閾値電圧Ｖthの値は
液晶の組成に応じて異なるが、階調データの値に拘らず
この閾値電圧Ｖthを与えるために、常にオン状態に設定
されるサブフィールドを設ける必要がある。

【０００８】ここで、必要とされる画像の階調数を２^N
とした時、１フレーム内に２^N＋１個のサブフィールド
を設ける方式と、Ｎ＋１個のサブフィールドを設ける方
式とが考えられる。前者の方式においては、各サブフィ
ールド期間はほぼ等しい長さを有するが、電気光学装置
の非線形特性を補償するために、必要に応じてサブフィ
ールド期間は若干づつ増減される。これにより、前者の
方式は電気光学装置の非線形特性を精密に補償できる点
で有利である。

【０００９】一方、後者の方式においては、Ｎ＋１個の
サブフィールド期間のうちＮ個は、階調データの各ビッ
トに対応付けられる。ここで２⁰桁に対応付けられるサ
ブフィールド期間は最短になり、他のサブフィールド
は、対応するビットの桁数Ｍに応じて、最短サブフィー
ルド長のほぼ２^M倍の長さを有する。後者の方式は前者
の方式と比較して、１フレーム内における画素のオン／
オフ回数を少なくすることができ、消費電力を低く抑え
られる点で有利である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置の明るさ（反射型においては反射率、透過型において
は透過率）は、周囲温度が低い場合には画素電圧の実効
値によって決定される。すなわち、液晶の粘性が高くな
るために、その時々の画素電圧に対して液晶分子の追従
が遅くなるため、例えば図９(b)に示すように、明るさ
はほぼ画素電圧の実効値に一定する。このような明るさ
の応答を本明細書では「実効値応答」と呼ぶことにす
る。一方、周囲温度が高くなると、液晶の粘性が低くな
るために、その時々の画素電圧に対する液晶分子の追従
が速くなり、例えば図９(c)に示すように、明るさは画
素電圧に応じて変動する。このような明るさの応答を本
明細書では「パルス応答」と呼ぶことにする。

【００１１】ここで、パルス応答の詳細について、さら
に図１０を参照し説明する。なお、同図(a)はノーマリ
ーホワイトモード、同図(b)はノーマリーブラックモー
ドの液晶をそれぞれ用いた場合の応答特性である。画素
電圧がオフであり液晶がオフ状態に安定している時、オ
ン電圧を印加すると、液晶がオン状態の明るさに徐々に
遷移する。そして、オン電圧を印加した後、オン状態の
明るさの９０％に達する時間を立上がり時間τONと呼
ぶ。また、画素電圧がオンであり液晶がオン状態に安定
している時、オフ電圧を印加すると、液晶がオフ状態の
明るさに徐々に遷移する。そして、オフ電圧を印加した
後、オフ状態の明るさの９０％に達する時間を立下がり
時間τOFFと呼ぶ。ツイストネマティック液晶において
は、

【００１２】 τON＝η・ｄ²／［ε₀・Δε・（Ｖ−Ｖth）］・・・・式(１) τOFF＝η・ｄ²／（Ｋ・π²）

【００１３】によって、立上がり時間τONおよび立下が
り時間τOFFが求められる。ここで、ηは粘性、ｄはセ
ル厚、Ｖthは閾値電圧、Δεは誘電率異方性、Ｋは定数
である。ここで、粘性ηが温度に応じて大きく変化する
結果、立上がり時間τONおよび立下がり時間τOFFは、
図１１に示すように、温度によって大きく変化する。ま
た、式(１)から明らかなように、立上がり時間τONは画
素電圧に応じて決定されるが、立下がり時間τOFFにつ
いては画素電圧は関係しない。これにより、立上がり時
間τONの方が立下がり時間τOFFよりも短くなる傾向が
強くなる。

【００１４】このように、パルス応答時に立上がり時間
τONおよび立下がり時間τOFFがアンバランスになる
と、階調反転（画素電圧の実効値を上昇させているにも
拘らず明るさが低くなること）あるいは階調つぶれ（画
素電圧の実効値を上昇させているにも拘らず明るさが変
化しないこと）が生じ、画像品質が劣化するという問題
が発生する。なお、高温時（６０°Ｃ）および低温時
（２０°Ｃ）における階調レベル（電圧実効値）に対す
る明るさの特性を図９(a)に示す。この発明は上述した
事情に鑑みてなされたものであり、周囲温度に拘らず高
品質な画像を表示できる電気光学装置の駆動方法、電気
光学装置の駆動回路、電気光学装置、液晶表示装置およ
び電子機器を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明にあっては、下記構成を具備することを特徴とす
る。なお、括弧内は例示である。請求項１記載の構成に
あっては、１フレームを複数のサブフィールドに分割
し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該サ
ブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加するこ
とによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法であ
って、周囲温度が高くなるほど前記オン電圧およびオフ
電圧の差を小とすることを特徴とする。さらに、請求項
２記載の構成にあっては、請求項１記載の電気光学装置
の駆動方法において、前記各画素がオフ状態からオン状
態に立上がる立上がり時間τONと、前記各画素がオン状
態からオフ状態に立下がる立下がり時間τOFFとの合計
値が、前記各サブフィールドのうち最長のサブフィール
ドの長さ以下であることを特徴とする。また、請求項３
記載の構成にあっては、１フレームを複数のサブフィー
ルドに分割し、マトリクス状に配設された複数の画素に
対して該サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を
印加することによって階調表示を行う電気光学装置の駆
動方法であって、周囲温度が高くなるほどフレーム周期
を短くする（変形例(１)）ことを特徴とする。また、請
求項４記載の構成にあっては、１フレームを複数のサブ
フィールドに分割し、マトリクス状に配設された複数の
画素に対して該サブフィールド毎にオン電圧またはオフ
電圧を印加することによって階調表示を行う電気光学装
置の駆動方法であって、前記各画素がオフ状態からオン
状態に立上がる立上がり時間τONおよび前記各画素がオ
ン状態からオフ状態に立下がる立下がり時間τOFFのう
ち短い方の長さを他方の長さの５０％乃至１００％にな
るように前記オン電圧および前記オフ電圧を設定するこ
とを特徴とする。また、請求項５記載の構成にあって
は、１フレームを複数のサブフィールドに分割し、マト
リクス状に配設された複数の画素に対して該サブフィー
ルド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加することによっ
て階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、周
囲温度を測定する温度センサ（１６０）と、該周囲温度
が高くなるほど前記オン電圧およびオフ電圧の差を小と
する電源回路（１７０）とを具備することを特徴とす
る。さらに、請求項６記載の構成にあっては、請求項５
記載の電気光学装置の駆動回路において、前記各画素が
オフ状態からオン状態に立上がる立上がり時間τONと、
前記各画素がオン状態からオフ状態に立下がる立下がり
時間τOFFとの合計値が、前記各サブフィールドのうち
最長のサブフィールドの長さ以下であることを特徴とす
る。また、請求項７記載の構成にあっては、１フレーム
を複数のサブフィールドに分割し、マトリクス状に配設
された複数の画素に対して該サブフィールド毎にオン電
圧またはオフ電圧を印加することによって階調表示を行
う電気光学装置の駆動回路であって、周囲温度を測定す
る温度センサ（１６０）と、周囲温度が高くなるほどフ
レーム周期を短くするタイミング信号生成回路（変形例
(１)のタイミング信号生成回路２００）とを具備するこ
とを特徴とする。また、請求項８記載の構成にあって
は、１フレームを複数のサブフィールドに分割し、マト
リクス状に配設された複数の画素に対して該サブフィー
ルド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加することによっ
て階調表示を行う電気光学装置の駆動回路であって、前
記各画素がオフ状態からオン状態に立上がる立上がり時
間τONおよび前記各画素がオン状態からオフ状態に立下
がる立下がり時間τOFFのうち短い方の長さを他方の長
さの５０％乃至１００％になるように前記オン電圧およ
び前記オフ電圧を設定することを特徴とする。また、請
求項９記載の構成にあっては、請求項５乃至８の何れか
に記載の電気光学装置の駆動回路を備えることを特徴と
する。また、請求項１０記載の構成にあっては、請求項
５乃至８の何れかに記載の電気光学装置の駆動回路と、
該駆動回路によって駆動される液晶表示器とを具備する
ことを特徴とする。また、請求項１１記載の構成にあっ
ては、請求項９記載の電気光学装置を備えることを特徴
とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】１．実施形態の構成次に、本発明の一実施形態の電気光学装置の構成を図１
を参照し説明する。図において、タイミング信号生成回
路２００には、図示せぬ上位装置から垂直同期信号Ｖ
ｓ、水平同期信号Ｈｓおよび入力階調データＤ０〜Ｄ３
のドットクロック信号ＤＣＬＫが供給される。また、発
振回路１５０は、読み出しタイミングの基本クロックＲ
ＣＬＫをタイミング信号生成回路２００に供給する。タ
イミング信号生成回路２００は、これらの信号にしたが
って、次に説明する各種のタイミング信号やクロック信
号などを生成するものである。まず、交流化信号ＦＲ
は、１フレーム毎に極性反転する信号である。

【００１７】駆動信号ＬＣＯＭは、対向基板の対向電極
に印加される信号であり、本実施形態においては一定電
位（零電位）になる。また、本実施形態においては、１
フレームが複数のサブフィールドＳＦ０〜ＳＦ４に分割
され、画素がサブフィールド毎にオンオフされることに
よって階調表示が行われる。スタートパルスＤＹは、各
サブフィールドにおいて最初に出力されるパルス信号で
ある。クロック信号ＣＬＹは、走査側（Ｙ側）の水平走
査期間を規定する信号である。ラッチパルスＬＰは、水
平走査期間の最初に出力されるパルス信号であって、ク
ロック信号ＣＬＹのレベル遷移（すなわち、立ち上がり
および立ち下がり）時に出力されるものである。クロッ
ク信号ＣＬＸは、表示用のドットクロック信号である。

【００１８】ここで、サブフィールド駆動の概要を、図
７のスタートパルスＤＹの波形を参照しつつ説明してお
く。まず、フレームの最初にサブフィールドＳＦ０が設
けられる。このサブフィールドの長さは、液晶の透過率
が０％（ノーマリーブラックの場合）から立ち上がる境
界となる長さ、すなわち閾値電圧Ｖthを与える長さに設
定される。

【００１９】また、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４は、
入力階調データＤ０〜Ｄ３の各ビットに対応した重み付
けを有する長さに設定されている。すなわち、サブフィ
ールドＳＦ１は、最下位ビットである階調データＤ０に
対応し、そのオンオフによって、階調データＤ０のオン
オフに対応する透過率の変化を起こす長さに設定されて
いる。サブフィールドＳＦ２，ＳＦ３，ＳＦ４も、それ
ぞれのオンオフによって階調データＤ１，Ｄ２，Ｄ３の
オンオフに対応する透過率の変化を起こす長さに設定さ
れている。すなわち、サブフィールドＳＦ２，ＳＦ３，
ＳＦ４は、各々サブフィールドＳＦ１の２倍，４倍，８
倍程度の長さを有している。

【００２０】図１に戻り、素子基板１０１上における表
示領域１０１ａには、図においてＸ（行）方向に延在し
て複数本の走査線１１２が形成されている。また、複数
本のデータ線１１４が、Ｙ（列）方向に沿って延在して
形成されている。そして、画素１１０は、走査線１１２
とデータ線１１４との各交差に対応して設けられて、マ
トリクス状に配列されている。ここで、走査線１１２の
総本数をｍ本とし、データ線１１４の総本数をｎ本とす
る（ｍ、ｎはそれぞれ２以上の整数）。

【００２１】１．１．＜画素の構成＞画素１１０の具体的な構成としては、例えば、図２
（ａ）に示されるものが挙げられる。この構成では、薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１６のゲートが走査線１１
２に、ソースがデータ線１１４に、ドレインが画素電極
１１８に、それぞれ接続されるとともに、画素電極１１
８と対向電極１０８との間に電気光学材料たる液晶１０
５が挟持されて液晶層が形成されている。ここで、対向
電極１０８は、画素電極１１８と対向するように対向基
板に一面に形成される透明電極である。また、画素電極
１１８と対向電極１０８とに並列して蓄積容量１１９が
形成され、画素電極１１８から電荷がリークすることに
よる表示への影響を小さくしている。なお、この実施形
態では、蓄積容量１１９の一方の電位を対向電極１０８
と同電位としたが、接地電位ＧＮＤやゲート線の電位と
同電位としても良い。

【００２２】ここで、図２（ａ）に示される構成では、
トランジスタ１１６として一方のチャネル型のみが用い
られているために、オフセット電圧が必要となるが、図
２（ｂ）に示されるように、Ｐチャネル型トランジスタ
とＮチャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせた
構成とすれば、オフセット電圧の影響をキャンセルする
ことができる。ただし、この相補型構成では、走査信号
として互いに排他的レベルを供給する必要が生じるた
め、１行の画素１１０に対して走査線１１２ａ，１１２
ｂの２本の走査線が必要となる。

【００２３】１．２．＜走査線駆動回路１３０＞説明を再び図１に戻す。走査線駆動回路１３０は、サブ
フィールドの最初に供給されるスタートパルスＤＹをク
ロック信号ＣＬＹにしたがって転送し、走査線１１２の
各々に走査信号Ｇ1, Ｇ2, Ｇ3, … ,Ｇmとして順次排他
的に供給するものである。

【００２４】１．３．＜データ変換回路３００＞データ変換回路３００は、ドットクロック信号ＤＣＬＫ
に同期して入力される入力階調データＤ０〜Ｄ３を、ク
ロック信号ＣＬＸに同期する二値信号Ｄｓに変換し出力
するものである。ここで、データ変換回路３００の詳細
構成を図３を参照し説明する。図において３２０，３２
１，３２２，３２３はメモリブロックであり、各々階調
データＤ０，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を記憶するために設けら
れ、素子基板１０１の表示領域（ｍ行×ｎ列）に対応し
て各々ｍ×ｎビットのメモリ空間を有する。

【００２５】メモリブロック３２０〜３２３は、書込み
および読出し動作を非同期に、かつ独立して実行できる
ように構成されている。３１０は書込みアドレス制御部
であり、垂直同期信号Ｖｓ、水平同期信号Ｈｓおよびド
ットクロック信号ＤＣＬＫに同期して、ライトイネーブ
ル信号ＷＥおよび書込みアドレスＷＡＤをメモリブロッ
ク３２０〜３２３に供給する。

【００２６】すなわち、書込みアドレス制御部３１０は
ドットクロック信号ＤＣＬＫをカウントアップし、この
カウント結果を書込みアドレスＷＡＤとして出力すると
ともに、書込みアドレスＷＡＤの値が確定する毎にライ
トイネーブル信号ＷＥを出力する。また、書込みアドレ
ス制御部３１０におけるカウント結果は、垂直同期信号
Ｖｓが入力される毎にリセットされる。これにより、各
メモリブロック３２０〜３２３には、そのｍ×ｎビット
のメモリ空間を順次アクセスする書込みアドレスＷＡＤ
が供給され、階調データＤ０〜Ｄ３は対応するメモリブ
ロックの表示位置に応じたアドレスに順次格納されてゆ
くことになる。

【００２７】図３に戻り、表示アドレス制御部３３０
は、上記各サブフィールド期間が開始されると、対応す
る表示行のビットデータをアクセスするアドレス信号Ｒ
ＡＤを出力する。アドレス信号ＲＡＤは、クロック信号
ＣＬＸに同期し表示列数に応じて「ｎ−１」回インクリ
メントされる。これにより、対応する表示行に対して第
１列〜第ｎ列のビットを順次アクセスするようなアドレ
ス信号ＲＡＤが出力される。また、読出し信号ＲＤ０
は、サブフィールドＳＦ１の間、常にイネーブル状態に
なる。但し、他の読出し信号ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３は
サブフィールドＳＦ１においては常にオフ状態にされ
る。これにより、メモリブロック３２０のみが読出し可
能な状態になり、他のメモリブロックは読出し禁止状態
になる。そして、メモリブロック３２０から、対応する
表示行の第１列〜第ｎ列における階調データの最下位ビ
ットの階調データＤ０が読み出される。

【００２８】また、読出し信号ＲＤ１は、サブフィール
ドＳＦ２の間、常にイネーブル状態になる。但し、読出
し信号ＲＤ０，ＲＤ２，ＲＤ３はサブフィールドＳＦ２
においては常にオフ状態にされる。これにより、メモリ
ブロック３２１のみがアクセスされ、階調データの下位
より第２ビットの階調データＤ１が読み出される。同様
に、読出し信号ＲＤ２，ＲＤ３は、サブフィールドＳＦ
３およびＳＦ４の間、各々イネーブル状態になり、他の
読出し信号オフ状態にされる。これにより、メモリブロ
ック３２２，３２３が順次アクセスされ、階調データＤ
２，Ｄ３が順次読み出される。また、サブフィールドＳ
Ｆ０が開始されると、クロック信号ＣＬＸのｎ周期の期
間、オン信号Ｓ_onがＨレベルに固定される。そして、
オア回路３３２は、これら階調データＤ０〜Ｄ３および
オン信号Ｓ_onの論理和を二値信号Ｄｓとして出力す
る。

【００２９】１．４．＜データ線駆動回路１４０＞次に、データ線駆動回路１４０は、ある水平走査期間に
おいて二値信号Ｄｓをデータ線１１４の本数に相当する
ｎ個順次ラッチした後、ラッチしたｎ個の二値信号Ｄｓ
を、次の水平走査期間において、電位選択回路１４４０
を介して、それぞれ対応するデータ線１１４にデータ信
号ｄ1, ｄ2, ｄ3, …ｄnとして一斉に供給するものであ
る。ここで、データ線駆動回路１４０の具体的な構成
は、図４に示される通りである。すなわち、データ線駆
動回路１４０は、Ｘシフトレジスタ１４１０と、第１の
ラッチ回路１４２０と、第２のラッチ回路１４３０と、
電位選択回路１４４０とから構成されている。

【００３０】このうちＸシフトレジスタ１４１０は、水
平走査期間の最初に供給されるラッチパルスＬＰをクロ
ック信号ＣＬＸにしたがって転送し、ラッチ信号Ｓ1,
Ｓ2,Ｓ3, …, Ｓnとして順次排他的に供給するものであ
る。次に、第１のラッチ回路１４２０は、二値信号Ｄｓ
をラッチ信号Ｓ1, Ｓ2, Ｓ3, …, Ｓnの立ち下がりにお
いて順次ラッチするものである。そして、第２のラッチ
回路１４３０は、第１のラッチ回路１４２０によりラッ
チされた二値信号Ｄｓの各々をラッチパルスＬＰの立ち
下がりにおいて一斉にラッチし、電位選択回路１４４０
に転送する。

【００３１】電位選択回路１４４０は、交流化信号ＦＲ
に基づいてこれらのラッチした二値信号を電位に変換
し、データ信号ｄ1, ｄ2, ｄ3, …,ｄnとしてデータ線
１１４に印加するものである。すなわち、交流化信号Ｆ
ＲがＬレベルであれば、データ信号ｄ1, ｄ2, ｄ3, …
ｄnのＨレベルは電位Ｖ1に、Ｌレベルは零電位に変換さ
れる。一方、交流化信号ＦＲがＨレベルであれば、デー
タ信号ｄ1, ｄ2, ｄ3,…ｄnのＨレベルは電位−Ｖ1に、
Ｌレベルは零電位に変換される。

【００３２】１．５．＜温度センサ１６０、電源回路１
７０＞次に、１６０は温度センサであり、電気光学装置１００
の周囲温度を測定する。１７０は電源回路であり、上述
した各構成要素に対して電源電圧を供給する。ここで、
電位選択回路１４４０に供給される電位Ｖ1は、温度セ
ンサ１６０によって測定された周囲温度に応じて、図５
(a)の「電位調整あり」の欄における電位に設定され
る。すなわち、周囲温度が４０°Ｃ以下である場合は30
00ｍＶ、５０°Ｃである場合は2800ｍＶ、６０°Ｃであ
る場合は2600ｍＶ、７０°Ｃである場合は2300ｍＶに設
定される。

【００３３】なお、電位−Ｖ1がこれらの値の負値にな
ることは言うまでもない。また、同図(a)に挙げた以外
の温度に対しては、その前後の温度における電位Ｖ1を
直線補間した値が電位Ｖ1に設定される。同欄において
は、温度が高くなるほど電位Ｖ1が低く設定される。換
言すれば、液晶層に印加されるオン電圧（Ｖ１）とオフ
電圧（零電圧）との差が小さくなる。これにより、式
(１)における粘性ηが低くなったとしても、これに伴っ
て「Ｖ−Ｖth」を低くできるため、立上がり時間τONの
低下が抑制される。従って、高温時においても実効値応
答に近い応答特性を実現することができる。

【００３４】一方、同図(a)の「電圧調整なし」の欄に
は、参考までに電位Ｖ1を3000ｍＶに固定した場合の特
性を示す。この場合には、周囲温度が上昇するとともに
「τON＋τOFF」が急激に大きくなるから、６０°Ｃに
おいて階調つぶれが発生している。一方、本実施形態に
おいては、電圧調整を行ったことにより、階調つぶれが
無い状態を７０°Ｃまで保つことができる。

【００３５】１．６．＜液晶装置の構成＞上述した電気光学装置の構造について、図６(a)，(b)を
参照して説明する。ここで、同図(a)は、電気光学装置
１００の構成を示す平面図であり、同図(b)は、同図(a)
におけるＡ−Ａ´線の断面図である。これらの図に示さ
れるように、電気光学装置１００は、画素電極１１８な
どが形成された素子基板１０１と、対向電極１０８など
が形成された対向基板１０２とが、互いにシール材１０
４によって一定の間隙を保って貼り合わせられるととも
に、この間隙に電気光学材料としての液晶１０５が挟持
された構造となっている。なお、実際には、シール材１
０４には切欠部分があって、ここを介して液晶１０５が
封入された後、封止材により封止されるが、これらの図
においては省略されている。ここで、素子基板１０１お
よび対向基板１０２はガラスや石英などの非晶質基板で
ある。そして、画素電極１１８等は、素子基板１０１に
半導体簿膜を堆積して成るＴＦＴによって形成されてい
る。すなわち、電気光学装置１００は、透過型として用
いられることになる。

【００３６】さて、素子基板１０１において、シール材
１０４の内側かつ表示領域１０１ａの外側領域には、遮
光膜１０６が設けられている。この遮光膜１０６が形成
される領域内のうち、領域１３０ａには走査線駆動回路
１３０が形成され、また領域１４０ａにはデータ線駆動
回路１４０が形成されている。すなわち、遮光膜１０６
は、この領域に形成される駆動回路に光が入射するのを
防止している。この遮光膜１０６には、対向電極１０８
とともに、駆動信号ＬＣＯＭが印加される構成となって
いる。このため、遮光膜１０６が形成された領域では、
液晶層への印加電圧がほほゼロとなるので、画素電極１
１８の電圧無印加状態と同じ表示状態となる。

【００３７】また、素子基板１０１において、データ線
駆動回路１４０が形成される領域１４０ａ外側であっ
て、シール材１０４を隔てた領域１０７には、複数の接
続端子が形成されて、外側からの制御信号や電源などを
入力する構成となっている。一方、対向基板１０２の対
向電極１０８は、基板貼合部分における４隅のうち、少
なくとも１箇所において設けられた導通材（図示省略）
によって、素子基板１０１における遮光膜１０６および
接続端子と電気的な導通が図られている。すなわち、駆
動信号ＬＣＯＭは、素子基板１０１に設けられた接続端
子を介して、遮光膜１０６に、さらに、導通材を介して
対向電極１０８に、それぞれ印加される構成となってい
る。

【００３８】ほかに、対向基板１０２には、電気光学装
置１００の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第
１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状
等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例え
ば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜（ブラックマト
リクス）が設けられる。なお、色光変調の用途の場合に
は、例えば、後述するプロジェクタのライトバルブとし
て用いる場合には、カラーフィルタは形成されない。ま
た、直視型の場合、電気光学装置１００に光を対向基板
１０２側から照射するフロントライト、もしくは素子基
板１０１側から光を照射するバックライトが必要に応じ
て設けられる。くわえて、素子基板１０１および対向基
板１０２の電極形成面には、それぞれ所定の方向にラビ
ング処理された配向膜（図示省略）など設けられて、電
圧無印加状態における液晶分子の配向方向を規定する一
方、素子基板１０１と対向基板１０２には、配向方向に
応じた偏光板（図示省略）が設けられる。ただし、液晶
１０５として、高分子中に微小粒として分散させた高分
子分散型液晶を用いれば、前述の配向膜や偏光子などが
不要となる結果、光利用効率が高まるので、高輝度化や
低消費電力化などの点において有効である。

【００３９】１．７．各種パラメータの設定（１）液晶の「τON＋τOFF」次に、本実施形態における各種パラメータの設定方法に
ついて説明しておく。今日、様々な液晶が知られてお
り、立上がり時間τONおよび立下がり時間τOFFも液晶
に応じて様々異なる。ここで、最長サブフィールド（上
記例ではサブフィールドＳＦ４）のサブフィールド期間
ｔsubmaxを一定値とし、液晶の応答時間（τON＋τOF
F）を変化させ、階調つぶれが生じるか否かを目視で測
定した結果を図５(b)に示す。

【００４０】なお、フレーム周期は１６.６ｍｓｅｃ、
階調数は１６、最長サブフィールド期間ｔsubmaxを８.
３ｍｓｅｃとした。同図(b)によれば、階調つぶれはτO
N＋τOFFが８ｍｓｅｃ未満の時に生じている。このこと
から、τON＋τOFFが最長サブフィールド期間ｔsubmax
以上になる液晶を選択すればよいことが解る。逆に、液
晶が指定されたならば、最長サブフィールド期間ｔsubm
axがその液晶のτON＋τOFF未満になるように、タイミ
ング信号生成回路２００のパラメータを設定すればよ
い。

【００４１】（２）τONとτOFFの差また、液晶、駆動電圧、セル厚等を変化させ、立上がり
時間τONを一定に保つとともに立下がり時間τOFFを変
化させ、階調つぶれが生じるか否かを目視で測定した結
果を図５(c)に示す。同図(c)によれば、τON，τOFFの
うち短い方（通常は立上がり時間τON）の長さが他方の
長さのほぼ５０％未満になれば階調つぶれが生じる。従
って、短い方の長さが他方の長さの５０％以上になるよ
うに液晶、駆動電圧（すなわち電位Ｖ1）、セル厚等を
設定すればよいことが解る。なお、上述した各条件は、
電気光学装置の動作温度範囲、例えば−２０°Ｃ〜６０
°Ｃの範囲で満たされている必要がある。

【００４２】２．実施形態の動作次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の動作につ
いて説明する。図７は、この電気光学装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。まず、交流化信
号ＦＲは、１フレーム（１Ｆ）ごとに極性反転する信号
である。一方、スタートパルスＤＹは、各サブフィール
ドの開始時に供給される。

【００４３】ここで、交流化信号ＦＲがＬレベルとなる
１フレーム（１Ｆ）において、スタートパルスＤＹが供
給されると、走査線駆動回路１３０（図１参照）におけ
るクロック信号ＣＬＹにしたがった転送によって、走査
信号Ｇ1, Ｇ2, Ｇ3, … ,Ｇmが期間（ｔ）に順次排他的
に出力される。なお、期間（ｔ）は、最も短いサブフィ
ールドＳＦ１よりもさらに短い期間に設定されている。

【００４４】さて走査信号Ｇ1, Ｇ2, Ｇ3, … ,Ｇmは、
それぞれクロック信号ＣＬＹの半周期に相当するパルス
幅を有し、また、上から数えて１本目の走査線１１２に
対応する走査信号Ｇ1は、スタートパルスＤＹが供給さ
れた後、クロック信号ＣＬＹが最初に立ち上がってか
ら、少なくともクロック信号ＣＬＹの半周期だけ遅延し
て出力される構成となっている。したがって、スタート
パルスＤＹが供給されてから、走査信号Ｇ1が出力され
るまでに、ラッチパルスＬＰの１ショット（Ｇ0）がデ
ータ線駆動回路１４０に供給されることになる。

【００４５】そこで、このラッチパルスＬＰの１ショッ
ト（Ｇ0）が供給された場合について検討してみる。ま
ず、このラッチパルスＬＰの１ショット（Ｇ0）がデー
タ線駆動回路１４０に供給されると、データ線駆動回路
１４０（図４参照）におけるクロック信号ＣＬＸにした
がった転送によって、ラッチ信号Ｓ1, Ｓ2, Ｓ3, …,Ｓ
nが水平走査期間（１Ｈ）に順次排他的に出力される。
なお、ラッチ信号Ｓ1,Ｓ2, Ｓ3, …, Ｓnは、それぞれ
クロック信号ＣＬＸの半周期に相当するパルス幅を有し
ている。

【００４６】この際、図４における第１のラッチ回路１
４２０は、ラッチ信号Ｓ1の立ち下がりにおいて、上か
ら数えて１本目の走査線１１２と、左から数えて１本目
のデータ線１１４との交差に対応する画素１１０への二
値信号Ｄｓをラッチし、次に、ラッチ信号Ｓ２の立ち下
がりにおいて、上から数えて１本目の走査線１１２と、
左から数えて２本目のデータ線１１４との交差に対応す
る画素１１０への二値信号Ｄｓをラッチし、以下、同様
に、上から数えて１本目の走査線１１２と、左から数え
てｎ本目のデータ線１１４との交差に対応する画素１１
０への二値信号Ｄｓをラッチする。

【００４７】これにより、まず、図１において上から１
本目の走査線１１２との交差に対応する画素１行分の二
値信号Ｄｓが、第１のラッチ回路１４２０により点順次
的にラッチされることになる。なお、データ変換回路３
００は、第１のラッチ回路１４２０によるラッチのタイ
ミングに合わせて、各画素の階調データＤ０〜Ｄ３を二
値信号Ｄｓに変換して出力することはいうまでもない。

【００４８】次に、クロック信号ＣＬＹが立ち下がっ
て、走査信号Ｇ1が出力されると、図１において上から
数えて１本目の走査線１１２が選択される結果、当該走
査線１１２との交差に対応する画素１１０のトランジス
タ１１６がすべてオンとなる。一方、当該クロック信号
ＣＬＹの立ち下がりによってラッチパルスＬＰが出力さ
れる。そして、このラッチパルスＬＰの立ち下がりタイ
ミングにおいて、第２のラッチ回路１４３０は、第１の
ラッチ回路１４２０によって点順次的にラッチされた二
値信号Ｄｓを、電位選択回路１４４０を介して、対応す
るデータ線１１４の各々にデータ信号ｄ1, ｄ2, ｄ3,
…,ｄnとして一斉に供給する。このため、上から数えて
１行目の画素１１０においては、データ信号ｄ1, ｄ2,
ｄ3, …,ｄnの書込が同時に行われることとなる。

【００４９】この書込と並行して、図１において上から
２本目の走査線１１２との交差に対応する画素１行分の
二値信号Ｄｓが、第１のラッチ回路１４２０により点順
次的にラッチされる。そして、以降同様な動作が、ｍ本
目の走査線１１２に対応する走査信号Ｇｍが出力される
まで繰り返される。すなわち、ある走査信号Ｇｉ（ｉ
は、１≦ｉ≦ｍを満たす整数）が出力される１水平走査
期間（１Ｈ）においては、ｉ本目の走査線１１２に対応
する画素１１０の１行分に対するデータ信号ｄ1,ｄ2,
ｄ3, …,ｄnの書込と、（ｉ＋１）本目の走査線１１２
に対応する画素１１０の１行分に対する二値信号Ｄｓの
点順次的なラッチとが並行して行われることになる。な
お、画素１１０に書き込まれたデータ信号は、次のサブ
フィールドにおける書込まで保持される。

【００５０】以下同様な動作が、サブフィールドの開始
を規定するスタートパルスＤＹが供給される毎に繰り返
される。但し、サブフィールドＳＦ０においては、二値
信号Ｄｓのレベルは常にＨレベルである。さらに、１フ
レーム経過後、交流化信号ＦＲがＨレベルに反転した場
合においても、各サブフィールドにおいて同様な動作が
繰り返される。

【００５１】３．電子機器の具体例３．１．＜プロジェクタ＞次に、上述した電気光学装置を具体的な電子機器に用い
た例のいくつかについて説明する。まず、上記実施形態
に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型
表示装置であるプロジェクタ５４００について説明す
る。図８(a)は、投射型表示装置の要部を示す概略構成
図である。図中、５４３１は光源、５４４２，５４４４
はダイクロイックミラー、５４４３，５４４８，５４４
９は反射ミラー、５４４５は入射レンズ、５４４６はリ
レーレンズ、５４４７は出射レンズ、１００Ｒ，１００
Ｇ，１００Ｂは上記電気光学装置による液晶光変調装
置、５４５１はクロスダイクロイックプリズム、５４３
７は投射レンズを示す。光源５４３１はメタルハライド
等のランプ５４４０とランプの光を反射するリフレクタ
５４４１とからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー５４４２は、光源５４３１からの光束のうち
の赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反
射する。透過した赤色光は反射ミラー５４４３で反射さ
れて、赤色光用液晶光変調装置１００Ｒに入射される。
一方、ダイクロイックミラー５４４２で反射された色光
のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー５４
４４によって反射され、緑色光用液晶光変調装置１００
Ｇに入射される。

【００５２】一方、青色光は第２のダイクロイックミラ
ー５４４４も透過する。青色光に対しては、長い光路に
よる光損失を防ぐため、入射レンズ５４４５、リレーレ
ンズ５４４６、出射レンズ５４４７を含むリレーレンズ
系からなる導光手段が設けられ、これを介して青色光が
青色光用液晶光変調装置１００Ｂに入射される。各光変
調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイ
ックプリズム５４５１に入射する。このプリズムは４つ
の直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射
する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十
字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって
３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成さ
れる。合成された光は、投射光学系である投射レンズ５
４３７によってスクリーン５４５２上に投射され、画像
が拡大されて表示される。

【００５３】３．２．＜モバイル型コンピュータ＞次に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコ
ンピュータに適用した例について説明する。図８(b)
は、このパーソナルコンピュータの構成を示す正面図で
ある。図において、モバイル型コンピュータ５２００
は、キーボード５２０２を備えた本体部５２０４と、表
示ユニット５２０６とから構成されている。この表示ユ
ニット５２０６は、先に述べた電気光学装置１００の後
方にバックライトを付加することにより構成されてい
る。

【００５４】３．３．＜携帯電話器＞さらに、上記電気光学装置を、携帯電話器に適用した例
について説明する。図８(c)は、この携帯電話器の構成
を示す斜視図である。図において、携帯電話器５３００
は、複数の操作ボタン５３０２のほか、受話口５３０
４、送話口５３０６とともに、電気光学装置１００を備
えるものである。この電気光学装置１００にも、必要に
応じてその後方にバックライトが設けられる。

【００５５】３．４．＜その他＞電子機器としては、以上説明した他にも、液晶テレビ
や、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープ
レコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等な
どが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対し
て、上述した電気光学装置が適用可能なのは言うまでも
ない。

【００５６】４．変形例本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、
例えば以下のように種々の変形が可能である。（１）上述した実施形態にあっては、τON＋τOFFを最
長サブフィールド期間ｔsubmax以上にするために、温度
センサ１６０の測定結果に応じて電源回路１７０から出
力される電位Ｖ1を増減したが、本発明はこれに限定さ
れるわけではない。すなわち、温度センサ１６０の測定
結果をタイミング信号生成回路２００に供給し、タイミ
ング信号生成回路２００においてフレーム周波数を増減
することによって最長サブフィールド期間ｔsubmaxその
ものを変化させてもよい。

【００５７】例えば、１６階調の時であれば、フレーム
周波数が６０Ｈzであればｔsubmax＝８.３ｍｓｅｃ、１
２０Ｈzであればｔsubmax＝４.２ｍｓｅｃ、２４０Ｈz
であればｔsubmax＝２.１ｍｓｅｃになる。周囲温度が
上昇し、τON＋τOFFが最長サブフィールド期間ｔsubma
x以上になれば、このようにフレーム周波数を次々増大
させるとよい。

【００５８】（２）上述した実施形態にあっては、交流
化信号ＦＲを１フレームの周期で極性反転することとし
たが、本発明は、これに限られず、例えば、２フレーム
以上の周期で極性反転する構成としても良い。ただし、
上述した実施形態において、データ変換回路３００は、
スタートパルスＤＹをカウントするとともに、当該カウ
ント結果を交流化信号ＦＲの遷移によってリセットする
ことで、現状のサブフィールドを認識する構成としたの
で、交流化信号ＦＲを２フレーム以上の周期で極性反転
する場合には、フレームを規定するための何らかの信号
を与える必要が生じる。

【００５９】（３）上記実施形態においては、画素が常
時オンになるオン区間はサブフィールドＳＦ０として１
フレーム期間内に１回設けているが、複数回に分割して
設けてもよい。また、オン区間だけでなく、画素が常に
オフになるオフ区間を併せて設けても良い。このように
オン区間とオフ区間を両方設けることにより、１フレー
ム期間の長さを固定したままでオン区間の長さを調整す
ることができるようになる。

【００６０】（４）上記実施形態において対向電極１０
８に印加する駆動信号ＬＣＯＭは零電位であったが、各
画素に印加される電圧はトランジスタ１１６の特性、蓄
積容量１１９や液晶の容量等によって、電圧がシフトす
る場合がある。この様な場合には、対向電極１０８に印
加する駆動信号ＬＣＯＭのレベルを電圧のシフト量に応
じてずらしてもよい。

【００６１】（５）また、上記実施形態においては、電
気光学装置を構成する素子基板１０１をガラスや石英な
どの非晶質基板とし、ここに半導体簿膜を堆積してＴＦ
Ｔを形成して透過型としたが、本発明は、これに限られ
ない。例えば、素子基板１０１あるいは対向基板１０２
に反射層を設けて反射型としたり、素子基板１０１を不
透明な半導体基板によって構成し、ドット電極１１８を
アルミニウムなどの反射性金属から形成し、対向基板１
０２をガラスなどから構成すると、電気光学装置１００
を反射型として用いることができる。

【００６２】（６）さらに、上記実施形態は本発明を液
晶を用いた電気光学装置に適用した例を説明したが、他
の電気光学装置、特に、オンまたはオフの２値的な表示
を行う画素を用いて、階調表示を行う電気光学装置のす
べてに適用可能である。このような電気光学装置として
はエレクトロルミネッセンス装置やプラズマディスプレ
イなどが考えられる。特に有機エレクトロルミネッセン
ス装置の場合は、液晶のような交流駆動をする必要が無
く、極性反転をしなくて良い。

【００６３】（７）上記実施形態においては、走査信号
Ｇ1, Ｇ2, Ｇ3, … ,Ｇmを順次排他的に出力することに
よって走査線１１２を上から順に選択する例を挙げた
が、走査線１１２の選択順序はこれに限定されるもので
はなく、例えば走査信号を「Ｇ1,Ｇ11, Ｇ21, … ,Ｇ
2, Ｇ12, Ｇ22, … ,Ｇ3, Ｇ13, Ｇ23, … 」の如く、
複数ライン毎に飛ばしながら出力し、１サブフィールド
内で全ラインの走査線１１２を選択するようにしてもよ
い。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、周
囲温度が高くなるほどオン電圧およびオフ電圧の差を小
とし、あるいは周囲温度が高くなるほど１フレームの時
間を短くし、あるいは立上がり時間τONおよび立下がり
時間τOFFのうち短い方の長さを他方の長さの５０％乃
至１００％になるようにオン電圧およびオフ電圧を設定
するから、何れによっても周囲温度に拘らず高品質な画
像を表示できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の電気光学装置の電気的
構成を示すブロック図である。

【図２】上記実施形態における画素の構成例を示す図
である。

【図３】上記実施形態におけるデータ変換回路３００
のブロック図である。

【図４】上記実施形態におけるデータ線駆動回路１４
０のブロック図である。

【図５】上記実施形態における各種実験結果を示す図
である。

【図６】上記実施形態における電気光学装置の構造図
である。

【図７】上記実施形態の電気光学装置のタイミングチ
ャートである。

【図８】同電気光学装置を適用した各種電子機器の例
を示す図である。

【図９】液晶表示装置における階調つぶれおよび階調
反転を説明する図である。

【図１０】立上がり時間τONおよび立下がり時間τOF
Fを示す図である。

【図１１】立上がり時間τONおよび立下がり時間τOF
Fの温度特性図である。

【符号の説明】

１００……電気光学装置１０１……素子基板１０１ａ……表示領域１０２……対向基板１０４……シール材１０５……液晶１０６……遮光膜１０７……領域１０８……対向電極１１０……画素１１２……走査線１１４……データ線１１６……薄膜トランジスタ１１８……画素電極１１９……蓄積容量１３０……走査線駆動回路１４０……データ線駆動回路１５０……発振回路１６０……温度センサ１７０……電源回路２００……タイミング信号生成回路３００……データ変換回路３１０……書込みアドレス制御部３２０〜３２３……メモリブロック３３０……表示アドレス制御部３３２……オア回路１４１０……シフトレジスタ１４２０……第１のラッチ回路１４３０……第２のラッチ回路１４４０……電位選択回路

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｐ６７０６７０Ｌ 3/28 Ｈ０４Ｎ 5/66 １０２ＢＨ０４Ｎ 5/66 １０２Ｇ０９Ｇ 3/28 ＫＦターム(参考） 2H093 NA55 NC02 NC16 NC57 ND02 ND06 ND34 5C006 AA14 AF44 AF54 BB16 BC03 BC12 BF02 BF03 BF04 BF24 BF38 FA19 FA22 GA03 5C058 AA06 BA07 BA08 BB25 5C080 AA05 AA06 AA10 BB05 DD03 DD20 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】１フレームを複数のサブフィールドに分
割し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該
サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加する
ことによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法で
あって、周囲温度が高くなるほど前記オン電圧およびオフ電圧の
差を小とすることを特徴とする電気光学装置の駆動方
法。
【請求項２】前記各画素がオフ状態からオン状態に立
上がる立上がり時間τONと、前記各画素がオン状態から
オフ状態に立下がる立下がり時間τOFFとの合計値が、
前記各サブフィールドのうち最長のサブフィールドの長
さ以下であることを特徴とする請求項１記載の電気光学
装置の駆動方法。
【請求項３】１フレームを複数のサブフィールドに分
割し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該
サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加する
ことによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法で
あって、周囲温度が高くなるほどフレーム周期を短くすることを
特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】１フレームを複数のサブフィールドに分
割し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該
サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加する
ことによって階調表示を行う電気光学装置の駆動方法で
あって、前記各画素がオフ状態からオン状態に立上がる立上がり
時間τONおよび前記各画素がオン状態からオフ状態に立
下がる立下がり時間τOFFのうち短い方の長さを他方の
長さの５０％乃至１００％になるように前記オン電圧お
よび前記オフ電圧を設定することを特徴とする電気光学
装置の駆動方法。
【請求項５】１フレームを複数のサブフィールドに分
割し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該
サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加する
ことによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路で
あって、周囲温度を測定する温度センサと、該周囲温度が高くなるほど前記オン電圧およびオフ電圧
の差を小とする電源回路とを具備することを特徴とする
電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】前記各画素がオフ状態からオン状態に立
上がる立上がり時間τONと、前記各画素がオン状態から
オフ状態に立下がる立下がり時間τOFFとの合計値が、
前記各サブフィールドのうち最長のサブフィールドの長
さ以下であることを特徴とする請求項５記載の電気光学
装置の駆動回路。
【請求項７】１フレームを複数のサブフィールドに分
割し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該
サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加する
ことによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路で
あって、周囲温度を測定する温度センサと、周囲温度が高くなるほどフレーム周期を短くするタイミ
ング信号生成回路とを具備することを特徴とする電気光
学装置の駆動回路。
【請求項８】１フレームを複数のサブフィールドに分
割し、マトリクス状に配設された複数の画素に対して該
サブフィールド毎にオン電圧またはオフ電圧を印加する
ことによって階調表示を行う電気光学装置の駆動回路で
あって、前記各画素がオフ状態からオン状態に立上がる立上がり
時間τONおよび前記各画素がオン状態からオフ状態に立
下がる立下がり時間τOFFのうち短い方の長さを他方の
長さの５０％乃至１００％になるように前記オン電圧お
よび前記オフ電圧を設定することを特徴とする電気光学
装置の駆動回路。
【請求項９】請求項５乃至８の何れかに記載の電気光
学装置の駆動回路を備えることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項１０】請求項５乃至８の何れかに記載の電気
光学装置の駆動回路と、該駆動回路によって駆動される
液晶表示器とを具備することを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項１１】請求項９記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。