KR20240009562A - 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 각각이 복수의 화소들을 포함하고 서로 다른 화소 밀도들을 가지는 복수의 표시 영역들을 포함하는 표시 패널, 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부, 그리고 어드레스 스캔 구간에 화소들에 데이터 전압들을 제공하고 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 표시 영역들에 각각 서로 다른 바이어스 전압들을 제공하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.

Description

표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기{DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 다양한 전자 기기들에 적용되는 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
표시 장치는 광을 방출하는 복수의 화소들을 포함할 수 있고, 화소들에서 방출되는 광에 의해 영상이 표시될 수 있다. 화소들 각각에는 화소들의 발광을 제어하기 위한 전압들이 제공될 수 있다.
표시 장치는 화소 밀도들이 다른 표시 영역들을 포함할 수 있다. 화소들에서 방출되는 광의 휘도가 같더라도, 표시 영역들의 화소 밀도들이 다른 경우에, 표시 영역들의 휘도들이 다를 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 표시 품질이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 화소 밀도들이 다른 표시 영역들을 포함하는 표시 장치의 표시 품질을 개선하는 것이다.
본 발명의 일 목적은 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 각각이 복수의 화소들을 포함하고 서로 다른 화소 밀도들을 가지는 복수의 표시 영역들을 포함하는 표시 패널, 상기 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부, 그리고 어드레스 스캔 구간에 상기 화소들에 데이터 전압들을 제공하고 상기 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 상기 표시 영역들에 각각 서로 다른 바이어스 전압들을 제공하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 화소들과 상기 데이터 구동부를 연결하고 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 화소들에 상기 데이터 전압들을 인가하며 상기 셀프 스캔 구간에 상기 화소들에 상기 바이어스 전압들을 인가하는 데이터 라인들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 전압들에 대응하는 영상 데이터를 저장하는 메모리, 상기 표시 영역들의 위치 정보 및 상기 바이어스 전압들에 대응하는 상기 표시 영역들의 바이어스 전압 값들을 저장하는 룩업 테이블, 상기 룩업 테이블로부터 바이어스 데이터를 결정하는 바이어스 결정부, 상기 어드레스 스캔 구간에는 상기 영상 데이터를 출력 데이터로 선택하고 상기 셀프 스캔 구간에는 상기 바이어스 데이터를 상기 출력 데이터로 선택하는 멀티플렉서, 상기 출력 데이터를 데이터 신호들로 변환하는 디지털-아날로그 변환부, 그리고 상기 데이터 신호들을 상기 데이터 라인들에 각각 출력하는 버퍼들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 룩업 테이블은 상기 표시 영역들의 상기 위치 정보를 저장하는 표시 영역 위치 룩업 테이블, 그리고 상기 표시 영역들의 상기 바이어스 전압 값들을 저장하는 바이어스 전압 룩업 테이블을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 영역들의 상기 위치 정보는 상기 표시 영역들의 형태들, 상기 표시 영역들의 크기들, 및 상기 표시 영역들의 지점들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 영역들의 상기 바이어스 전압 값들은 적색 화소에 대한 적색 바이어스 전압 값들, 녹색 화소에 대한 녹색 바이어스 전압 값들, 및 청색 화소에 대한 청색 바이어스 전압 값들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 데이터 구동부는 화소 행들에 제공되는 상기 바이어스 전압들의 변화에 기초하여 상기 버퍼들에 제공되는 바이어스 전류의 크기를 제어하는 바이어스 전류 제어부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 바이어스 전류 제어부는, 현재 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들이 이전 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들과 같은 경우에 상기 버퍼들에 제1 바이어스 전류를 제공할 수 있고, 상기 현재 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들이 상기 이전 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들과 다른 경우에 상기 버퍼들에 상기 제1 바이어스 전류보다 큰 제2 바이어스 전류를 제공할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소들 중 적어도 하나는 발광 다이오드, 상기 발광 다이오드에 구동 전류를 제공하는 구동 트랜지스터, 그리고 상기 구동 트랜지스터의 제1 전극과 상기 데이터 라인들 중 하나 사이에 연결되고 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 턴온되는 기입 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기입 트랜지스터는 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터 전압들 중 하나를 제공할 수 있고, 상기 셀프 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1 전극에 상기 바이어스 전압들 중 하나를 제공할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소들 중 상기 적어도 하나는 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1 전극과 상기 데이터 라인들 중 상기 하나 사이에 연결되고 상기 제2 게이트 신호에 응답하여 턴온되는 바이어스 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기입 트랜지스터는 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터 전압들 중 하나를 제공할 수 있고, 상기 바이어스 트랜지스터는 상기 셀프 스캔 구간에 상기 제2 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1 전극에 상기 바이어스 전압들 중 하나를 제공할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 표시 장치는 복수의 제1 화소들을 포함하고 제1 화소 밀도를 가지는 제1 표시 영역 및 복수의 제2 화소들을 포함하고 상기 제1 화소 밀도보다 낮은 제2 화소 밀도를 가지는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 제1 및 제2 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부, 그리고 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 및 제2 화소들에 데이터 전압들을 제공하고 상기 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역에 각각 제1 바이어스 전압 및 상기 제1 바이어스 전압과 다른 제2 바이어스 전압을 제공하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 표시 영역은 상기 표시 패널에 입사하는 외광을 투과하는 적어도 하나의 투과부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 복수의 제3 화소들을 포함하고 상기 제2 표시 영역으로부터 이격되며 상기 제1 화소 밀도보다 낮은 제3 화소 밀도를 가지는 제3 표시 영역을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 및 제2 화소들과 상기 데이터 구동부를 연결하고 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 및 제2 화소들에 상기 데이터 전압들을 인가하며 상기 셀프 스캔 구간에 상기 제1 화소들 및 상기 제2 화소들에 각각 상기 제1 바이어스 전압 및 상기 제2 바이어스 전압을 인가하는 데이터 라인들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 전압들에 대응하는 영상 데이터를 저장하는 메모리, 상기 제1 표시 영역의 제1 위치 정보, 상기 제2 표시 영역의 제2 위치 정보, 상기 제1 바이어스 전압에 대응하는 제1 바이어스 전압 값 및 상기 제2 바이어스 전압에 대응하는 제2 바이어스 전압 값을 저장하는 룩업 테이블, 상기 룩업 테이블로부터 바이어스 데이터를 결정하는 바이어스 결정부, 상기 어드레스 스캔 구간에는 상기 영상 데이터를 출력 데이터로 선택하고 상기 셀프 스캔 구간에는 상기 바이어스 데이터를 상기 출력 데이터로 선택하는 멀티플렉서, 상기 출력 데이터를 데이터 신호들로 변환하는 디지털-아날로그 변환부, 그리고 상기 데이터 신호들을 상기 데이터 라인들에 각각 출력하는 버퍼들을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 실시예들에 따른 전자 기기는 영상을 표시하는 표시 장치, 그리고 상기 표시 장치에 중첩하고, 상기 표시 장치를 통해 입사하는 외광을 감지하는 광학 장치를 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 복수의 제1 화소들을 포함하고 제1 화소 밀도를 가지는 제1 표시 영역, 및 복수의 제2 화소들을 포함하고 상기 제1 화소 밀도보다 낮은 제2 화소 밀도를 가지는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 제1 및 제2 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부, 그리고 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 및 제2 화소들에 데이터 전압들을 제공하고, 상기 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역에 각각 제1 바이어스 전압 및 상기 제1 바이어스 전압과 다른 제2 바이어스 전압을 제공하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광학 장치는 상기 제2 표시 영역에 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광학 장치는 카메라 모듈 및 광센서 모듈 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 전자 기기에 있어서, 데이터 구동부가 셀프 스캔 구간에 화소 밀도들이 다른 표시 영역들에 서로 다른 바이어스 전압들을 제공함에 따라, 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 4 및 도 5는 도 3의 화소의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII 영역을 확대한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8의 데이터 구동부에 포함되는 룩업 테이블을 나타내는 블록도이다.
도 10은 도 9의 룩업 테이블에 포함되는 표시 영역 위치 룩업 테이블을 나타내는 표이다.
도 11은 도 9의 룩업 테이블에 포함되는 바이어스 전압 룩업 테이블을 나타내는 표이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 행들에 제공되는 바이어스 전압들의 변화에 따른 바이어스 전류를 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소를 나타내는 회로도이다.
도 15 및 도 16은 도 14의 화소의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 18은 도 17의 전자 기기를 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 전자 기기를 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)를 나타내는 블록도이다. 도 2는 도 1의 표시 장치(100)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 게이트 구동부(120), 데이터 구동부(130), 발광 제어 구동부(140), 타이밍 제어부(150), 및 전원 공급부(160)를 포함할 수 있다.
표시 장치(100)는 표시 장치(100)의 구동 주파수가 변화하는 가변 리프레시 레이트(variable refresh rate, VRR) 방식으로 구동될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(100)는 제1 프레임(frame) 구간(FP1)에서 제1 주파수로 구동될 수 있고, 제2 프레임 구간(FP2)에서 제2 주파수로 구동될 수 있으며, 제3 프레임 구간(FP3)에서 제3 주파수로 구동될 수 있다. 예를 들면, 제1 주파수는 120 Hz일 수 있고, 제2 주파수는 60 Hz일 수 있으며, 제3 주파수는 30 Hz일 수 있다.
프레임 구간은 하나의 어드레스 스캔(address scan) 구간(ASP)만을 포함할 수 있거나, 하나의 어드레스 스캔 구간(ASP) 및 어드레스 스캔 구간(ASP)에 뒤따르는 적어도 하나의 셀프 스캔(self scan) 구간(SSP)을 포함할 수 있다. 표시 장치(100)의 구동 주파수가 최대 구동 주파수(예를 들면, 240 Hz)인 경우에, 표시 장치(100)는 하나의 어드레스 스캔 구간(ASP)만을 포함할 수 있다. 표시 장치(100)의 구동 주파수가 최대 구동 주파수보다 작은 경우에, 표시 장치(100)는 하나의 어드레스 스캔 구간(ASP) 및 적어도 하나의 셀프 스캔 구간(SSP)을 포함할 수 있다.
프레임 구간에 포함되는 셀프 스캔 구간들(SSP)의 개수는 표시 장치(100)의 구동 주파수의 증감에 따라 변화할 수 있다. 표시 장치(100)의 구동 주파수가 증가할수록 프레임 구간에 포함되는 셀프 스캔 구간들(SSP)의 개수는 감소할 수 있고, 표시 장치(100)의 구동 주파수가 감소할수록 프레임 구간에 포함되는 셀프 스캔 구간들(SSP)의 개수는 증가할 수 있다.
어드레스 스캔 구간(ASP)에서 구동 트랜지스터에 데이터 전압(VDATA)이 기입될 수 있고, 발광 다이오드는 데이터 전압(VDATA)에 대응하는 구동 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 셀프 스캔 구간(SSP)에서 바이어스 전압(VBIAS)에 의해 구동 트랜지스터의 특성이 변화할 수 있고, 발광 다이오드는 어드레스 스캔 구간(ASP)에서 기입된 데이터 전압(VDATA)에 대응하는 구동 전류에 기초하여 광을 방출할 수 있다. 표시 장치(100)는 어드레스 스캔 구간(ASP)에 데이터 전압들(VDATA)에 기초하여 영상을 표시할 수 있고, 셀프 스캔 구간(SSP) 동안 구동 트랜지스터의 특성을 변화하면서 어드레스 스캔 구간(ASP)에 표시된 영상을 유지할 수 있다.
제1 프레임 구간(FP1)은 하나의 어드레스 스캔 구간(ASP) 및 하나의 셀프 스캔 구간(SSP)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 주파수는 표시 장치(100)의 최대 구동 주파수의 1/2일 수 있다. 제2 프레임 구간(FP2)은 하나의 어드레스 스캔 구간(ASP) 및 3 개의 셀프 스캔 구간들(SSP)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제2 주파수는 표시 장치(100)의 최대 구동 주파수의 1/4일 수 있다. 제2 프레임 구간(FP2)에서 표시 장치(100)의 구동 주파수는 제1 주파수에서 제2 주파수로 감소할 수 있다. 제3 프레임 구간(FP3)은 하나의 어드레스 스캔 구간(ASP) 및 7 개의 셀프 스캔 구간들(SSP)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제3 주파수는 표시 장치(100)의 최대 구동 주파수의 1/8일 수 있다. 제3 프레임 구간(FP3)에서 표시 장치(100)의 구동 주파수는 제2 주파수에서 제3 주파수로 감소할 수 있다.
표시 패널(110)은 복수의 화소들(PX), 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL), 및 복수의 발광 제어 라인들(EML)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 복수의 화소들(PX)은 적색 광을 방출하는 적색 화소들, 녹색 광을 방출하는 녹색 화소들, 및 청색 광을 방출하는 청색 화소들을 포함할 수 있다. 화소들(PX)에 의해 복수의 화소 행들 및 복수의 화소 열들이 정의될 수 있다. 예를 들면, 화소 행들 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 화소 행들은 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 또한, 화소 열들 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 화소 열들은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다.
게이트 라인들(GL)은 화소들(PX)과 게이트 구동부(120)를 연결할 수 있다. 게이트 라인들(GL) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 게이트 라인들(GL)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 데이터 라인들(DL)은 화소들(PX)과 데이터 구동부(130)를 연결할 수 있다. 데이터 라인들(DL) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 데이터 라인들(DL)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다. 발광 제어 라인들(EML)은 화소들(PX)과 발광 제어 구동부(140)를 연결할 수 있다. 발광 제어 라인들(EML) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 발광 제어 라인들(EML)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다.
게이트 구동부(120)는 게이트 라인들(GL)을 통해 화소들(PX)에 게이트 신호들(GS)을 제공할 수 있다. 화소들(PX) 각각에는 게이트 신호(GS)가 제공될 수 있다. 제m(m은 2 이상의 자연수) 화소 행에는 제(m-1) 화소 행에 제공되는 게이트 신호(GS)가 하나의 수평 시간만큼 시프트된 게이트 신호(GS)가 제공될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 제1 제어 신호(GCS)에 기초하여 게이트 신호들(GS)을 생성할 수 있다. 제1 제어 신호(GCS)는 게이트 개시 신호, 게이트 클록 신호 등을 포함할 수 있다.
게이트 신호(GS)는 제1 게이트 신호(GW), 제2 게이트 신호(GB), 제3 게이트 신호(GC), 및 제4 게이트 신호(GI)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 게이트 신호(GW) 및 제2 게이트 신호(GB)는 표시 장치(100)의 최대 구동 주파수와 같은 주파수를 가질 수 있고, 제3 게이트 신호(GC) 및 제4 게이트 신호(GI)는 표시 장치(100)의 구동 주파수와 같은 주파수를 가질 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제2 게이트 신호(GB)는 표시 장치(100)의 최대 구동 주파수와 같은 주파수를 가질 수 있고, 제1 게이트 신호(GW), 제3 게이트 신호(GC), 및 제4 게이트 신호(GI)는 표시 장치(100)의 구동 주파수와 같은 주파수를 가질 수 있다.
데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL)을 통해 화소들(PX)에 데이터 신호들(DS)을 제공할 수 있다. 화소들(PX) 각각에는 데이터 신호(DS)가 제공될 수 있다. 데이터 구동부(130)는 영상 데이터(IMD) 및 제2 제어 신호(DCS)에 기초하여 데이터 신호들(DS)을 생성할 수 있다. 영상 데이터(IMD)는 화소들(PX)에 대응하는 계조 값들을 포함할 수 있다. 제2 제어 신호(DCS)는 데이터 개시 신호, 데이터 클록 신호, 로드 신호 등을 포함할 수 있다.
데이터 신호(DS)는 어드레스 스캔 구간(ASP)에서 데이터 전압(VDATA)을 포함할 수 있고, 셀프 스캔 구간(SSP)에서 바이어스 전압(VBIAS)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 데이터 구동부(130)는, 어드레스 스캔 구간(ASP)에서 화소들(PX) 각각에 데이터 전압(VDATA)을 제공할 수 있고, 셀프 스캔 구간(SSP)에서 화소들(PX) 각각에 바이어스 전압(VBIAS)을 제공할 수 있다.
발광 제어 구동부(140)는 발광 제어 라인들(EML)을 통해 화소들(PX)에 발광 제어 신호들(EM)을 제공할 수 있다. 화소들(PX) 각각에는 발광 제어 신호(EM)가 제공될 수 있다. 제m 화소 행에는 제(m-1) 화소 행에 제공되는 발광 제어 신호(EM)가 하나의 수평 시간만큼 시프트된 발광 제어 신호(EM)가 제공될 수 있다. 발광 제어 구동부(140)는 제3 제어 신호(ECS)에 기초하여 발광 제어 신호(EM)를 생성할 수 있다. 제3 제어 신호(ECS)는 발광 제어 개시 신호, 발광 제어 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 발광 제어 신호(EM)는 표시 장치(100)의 최대 구동 주파수와 같은 주파수를 가질 수 있다.
타이밍 제어부(150)는 게이트 구동부(120)의 동작, 데이터 구동부(130)의 동작, 및 발광 제어 구동부(140)의 동작을 제어할 수 있다. 타이밍 제어부(150)는 외부로부터 수신한 영상 신호 및 제어 신호에 기초하여 영상 데이터(IMD), 제1 제어 신호(GCS), 제2 제어 신호(DCS), 및 제3 제어 신호(ECS)를 생성할 수 있다.
전원 공급부(160)는 화소들(PX)에 구동 전압(ELVDD), 공통 전압(ELVSS), 제1 초기화 전압들(VINT), 및 제2 초기화 전압들(VAINT)을 제공할 수 있다. 화소들(PX) 각각에는 구동 전압(ELVDD), 공통 전압(ELVSS), 제1 초기화 전압(VINT), 및 제2 초기화 전압(VAINT)이 제공될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)를 나타내는 회로도이다. 도 4 및 도 5는 도 3의 화소(PX)의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 화소(PX)는 복수의 트랜지스터들, 적어도 하나의 커패시터, 및 발광 다이오드(LD)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 복수의 트랜지스터들은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7)를 포함할 수 있고, 적어도 하나의 커패시터는 스토리지 커패시터(CST)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제3 노드(N3)와 제1 노드(N1) 사이의 전압에 기초하여 구동 전류(DC)를 생성할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터로 호칭될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터 신호(DS)를 전송하는 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 게이트 신호(GW)를 전송하는 제1 게이트 라인에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 게이트 신호(GW)에 응답하여 제1 노드(N1)에 데이터 신호(DS)를 기입할 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 기입 트랜지스터로 호칭될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있고, 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제3 게이트 신호(GC)를 전송하는 제3 게이트 라인에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제3 게이트 신호(GC)에 응답하여 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 게이트 전극을 전기적으로 연결할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제1 초기화 전압(VINT)을 전송하는 제1 초기화 전압 라인에 연결될 수 있고, 제4 트랜지스터(T4)의 제2 전극은 제3 노드(N3)에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 제4 게이트 신호(GI)를 전송하는 제4 게이트 라인에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제4 게이트 신호(GI)에 응답하여 제1 초기화 전압(VINT)으로 제3 노드(N3)를 초기화할 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 구동 전압(ELVDD)을 전송하는 구동 전압 라인에 연결될 수 있고, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM)를 전송하는 발광 제어 라인(EML)에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 구동 전압 라인과 제1 노드(N1)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 제2 노드(N2)에 연결될 수 있고, 제6 트랜지스터(T6)의 제2 전극은 제4 노드(N4)에 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 제어 라인(EML)에 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제2 노드(N2)와 제4 노드(N4)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 제2 초기화 전압(VAINT)을 전송하는 제2 초기화 전압 라인에 연결될 수 있고, 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 제4 노드(N4)에 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제2 게이트 신호(GB)를 전송하는 제2 게이트 라인에 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)는 제2 게이트 신호(GB)에 응답하여 제2 초기화 전압(VAINT)으로 제4 노드(N4)를 초기화할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7) 각각은 P형 트랜지스터(예를 들면, PMOS 트랜지스터)일 수 있고, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4) 각각은 N형 트랜지스터(예를 들면, NMOS 트랜지스터)일 수 있다. 상기 실시예에 있어서, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 및 제7 트랜지스터(T7) 각각의 게이트-온 전압은 논리 로우 전압일 수 있고, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4) 각각의 게이트-온 전압은 논리 하이 전압일 수 있다.
스토리지 커패시터(CST)의 제1 전극은 제3 노드(N3)에 연결될 수 있고, 스토리지 커패시터(CST)의 제2 전극은 구동 전압 라인에 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(CST)는 제3 노드(N3)의 전압을 저장할 수 있다.
발광 다이오드(LD)의 제1 전극은 제4 노드(N4)에 연결될 수 있고, 발광 다이오드(LD)의 제2 전극은 공통 전압(ELVSS)을 전송하는 공통 전압 라인에 연결될 수 있다. 발광 다이오드(LD)는 구동 전류(DC)에 기초하여 발광할 수 있다. 발광 다이오드(LD)는 구동 전류(DC)에 대응하는 휘도의 광을 방출할 수 있다.
어드레스 스캔 구간(ASP)은 제1 구간(P1), 제2 구간(P2), 제3 구간(P3), 및 제4 구간(P4)을 포함할 수 있다. 제1 구간(P1)에서 제4 게이트 신호(GI)의 게이트-온 전압에 응답하여 제4 트랜지스터(T4)가 턴온될 수 있고, 제3 노드(N3)에 제1 초기화 전압(VINT)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제1 구간(P1)에서 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이 초기화될 수 있다.
제2 구간(P2)에서 제3 게이트 신호(GC)의 게이트-온 전압에 응답하여 제3 트랜지스터(T3)가 턴온될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)가 다이오드-연결될 수 있다. 또한, 제2 구간(P2)에서 제1 게이트 신호(GW)의 게이트-온 전압에 응답하여 제2 트랜지스터(T2)가 턴온될 수 있고, 제3 노드(N3)에 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상된 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제2 구간(P2)에서 스토리지 커패시터(CST)에 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압이 보상된 데이터 전압(VDATA)이 기입될 수 있다.
제3 구간(P3)에서 제2 게이트 신호(GB)의 게이트-온 전압에 응답하여 제7 트랜지스터(T7)가 턴온될 수 있고, 제4 노드(N4)에 제2 초기화 전압(VAINT)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제3 구간(P3)에서 발광 다이오드(LD)의 제1 전극이 초기화될 수 있다.
제4 구간(P4)에서 발광 제어 신호(EM)의 게이트-온 전압에 응답하여 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴온될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 전극 사이의 전압에 대응하는 구동 전류(DC)가 발광 다이오드(LD)에 흐를 수 있다. 이에 따라, 제4 구간(P4)에서 발광 다이오드(LD)가 구동 전류(DC)에 대응하는 휘도의 광을 방출할 수 있다.
셀프 스캔 구간(SSP)은 제5 구간(P5), 제6 구간(P6), 및 제7 구간(P7)을 포함할 수 있다. 제5 구간(P5)에서 제1 게이트 신호(GW)의 게이트-온 전압에 응답하여 제2 트랜지스터(T2)가 턴온될 수 있고, 제1 노드(N1)에 바이어스 전압(VBIAS)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제5 구간(P5)에서 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 바이어스 전압(VBIAS)이 인가되어 제1 트랜지스터(T1)가 온-바이어스될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 구동 시간이 증가하는 경우에, 제1 트랜지스터(T1)의 특성이 소정의 상태로 고정될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압의 시프트 및 히스테리시스 특성에 의해 발광 다이오드(LD)에서 방출되는 광의 휘도가 증가 또는 감소할 수 있다. 제5 구간(P5)에서 바이어스 전압(VBIAS)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 온-바이어스됨에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 특성이 변화할 수 있고, 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압의 시프트 및 히스테리시스 특성에 의해 발광 다이오드(LD)에서 방출되는 광의 휘도가 증가 또는 감소하는 것을 방지할 수 있다.
제6 구간(P6)에서 제2 게이트 신호(GB)의 게이트-온 전압에 응답하여 제7 트랜지스터(T7)가 턴온될 수 있고, 제4 노드(N4)에 제2 초기화 전압(VAINT)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제6 구간(P6)에서 발광 다이오드(LD)의 제1 전극이 초기화될 수 있다.
제7 구간(P7)에서 발광 제어 신호(EM)의 게이트-온 전압에 응답하여 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴온될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 전극 사이의 전압에 대응하는 구동 전류(DC)가 발광 다이오드(LD)에 흐를 수 있다. 이에 따라, 제7 구간(P7)에서 어드레스 스캔 구간(ASP)에 스토리지 커패시터(CST)에 기입된 데이터 전압(VDATA)에 대응하는 구동 전류(DC)에 기초하여 발광 다이오드(LD)가 광을 방출할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(600)을 나타내는 평면도이다. 도 7은 도 6의 VII 영역을 확대한 평면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 표시 패널(600)은 복수의 표시 영역들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 패널(600)은 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 및 제3 표시 영역(DA3)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 다른 실시예에 있어서, 표시 패널(600)은 2 개 또는 4 개 이상의 표시 영역들을 포함할 수 있다. 이하, 설명의 편의를 위해, 표시 패널(600)이 3 개의 표시 영역들(DA1, DA2, DA3)을 포함하는 것으로 설명한다.
제1 표시 영역(DA1)은 제1 화소들(PX1)을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)은 제1 화소들(PX1)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제2 화소들(PX2) 및 적어도 하나의 투과부(TP)를 포함할 수 있고, 제3 표시 영역(DA3)은 제3 화소들 및 적어도 하나의 투과부를 포함할 수 있다. 투과부(TP)는 표시 패널(600)에 입사하는 외광을 투과할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제2 화소들(PX2)을 통해 영상을 표시할 수 있고, 투과부(TP)를 통해 외광을 투과할 수 있다. 제3 표시 영역(DA3)은 제3 화소들을 통해 영상을 표시할 수 있고, 투과부를 통해 외광을 투과할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 화소들(PX1)은 적색 화소들(PXR1), 녹색 화소들(PXG1), 및 청색 화소들(PXB1)을 포함할 수 있고, 제2 화소들(PX2)은 적색 화소들(PXR2), 녹색 화소들(PXG2), 및 청색 화소들(PXB2)을 포함할 수 있으며, 제3 화소들은 적색 화소들, 녹색 화소들, 및 청색 화소들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 표시 영역(DA2) 및 제3 표시 영역(DA3)은 평면상 제1 표시 영역(DA1) 내에 위치할 수 있고, 제2 표시 영역(DA2)과 제3 표시 영역(DA3)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들면, 제2 표시 영역(DA2)은 소정의 크기의 원형의 평면 형상을 가질 수 있고, 제3 표시 영역(DA3)은 제2 표시 영역(D2)의 크기보다 작은 크기의 원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 표시 영역들(DA1, DA2, DA3)은 서로 다른 화소 밀도들을 가질 수 있다. 화소 밀도는 단위 면적 당 화소들의 개수일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 제1 화소 밀도보다 낮은 제2 화소 밀도를 가질 수 있고, 제3 표시 영역(DA3)은 제1 화소 밀도보다 낮은 제3 화소 밀도를 가질 수 있다. 상기 실시예에 있어서, 단위 면적 당 제2 화소들(PX2)의 개수 및 단위 면적 당 제3 화소들의 개수 각각은 단위 면적 당 제1 화소들(PX1)의 개수보다 작을 수 있다.
제2 화소(PX2) 및 제3 화소가 제1 화소(PX1)의 휘도와 실질적으로 같은 휘도로 발광하는 경우에, 제2 화소 밀도 및 제3 화소 밀도가 제1 화소 밀도보다 낮기 때문에, 제2 표시 영역(DA2)의 휘도 및 제3 표시 영역(DA3)의 휘도가 제1 표시 영역(DA1)의 휘도보다 낮을 수 있다. 이에 따라, 제2 표시 영역(DA2)의 휘도 및 제3 표시 영역(DA3)의 휘도를 제1 표시 영역(DA1)의 휘도와 실질적으로 같도록 하기 위하여, 제2 화소(PX2)에 제공되는 제1 초기화 전압(VINT), 제2 초기화 전압(VAINT) 및 바이어스 전압(VBIAS), 및 제3 화소에 제공되는 제1 초기화 전압(VINT), 제2 초기화 전압(VAINT) 및 바이어스 전압(VBIAS)은 각각 제1 화소(PX1)에 제공되는 제1 초기화 전압(VINT), 제2 초기화 전압(VAINT) 및 바이어스 전압(VBIAS)과 다를 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 구동부(800)를 나타내는 블록도이다. 도 9는 도 8의 데이터 구동부(800)에 포함되는 룩업 테이블(820)을 나타내는 블록도이다. 도 10은 도 9의 룩업 테이블(820)에 포함되는 표시 영역 위치 룩업 테이블(821)을 나타내는 표이다. 도 11은 도 9의 룩업 테이블에 포함되는 바이어스 전압 룩업 테이블(822)을 나타내는 표이다.
도 8, 도 9, 도 10, 및 도 11을 참조하면, 데이터 구동부(800)는 메모리(810), 룩업 테이블(820), 바이어스 결정부(830), 멀티플렉서(840), 제1 래치부(850), 제2 래치부(860), 디지털-아날로그 변환부(870), 및 버퍼부(880)를 포함할 수 있다.
메모리(810)는 타이밍 제어부(150)로부터 제공된 영상 데이터(IMD)를 저장할 수 있다. 영상 데이터(IMD)는 표시 패널(110)에 포함되는 화소들(PX)에 대응하는 계조 값들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 메모리(810)는 RAM(random access memory)으로 구현될 수 있다.
룩업 테이블(820)은 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)(n은 5 이상의 자연수)의 위치 정보 및 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 바이어스 전압 값들을 저장할 수 있다. 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 바이어스 전압 값들은 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)에 각각 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)에 대응할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 룩업 테이블(820)은 RAM, 플립-플롭(flip-flop), 또는 CAM(content addressable memory)으로 구현될 수 있다.
룩업 테이블(820)은 표시 영역 위치 룩업 테이블(821) 및 바이어스 전압 룩업 테이블(822)을 포함할 수 있다. 표시 영역 위치 룩업 테이블(821)은 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 위치 정보(INFO_P1, INFO_P2, INFO_P3, …, INFO_Pn-1, INFO_Pn-1)를 저장할 수 있다. 위치 정보(INFO_P1, INFO_P2, INFO_P3, …, INFO_Pn-1, INFO_Pn-1)는 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 형태들, 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 크기들, 및 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 지점들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제2 표시 영역(DA2)의 제2 위치 정보(INFO_P2)는 제2 표시 영역(DA2)의 형태(원형), 제2 표시 영역(DA2)의 크기(반지름), 및 제2 표시 영역(DA2)의 지점(원점)을 포함할 수 있다. 또한, 예를 들면, 제1 표시 영역(DA1)의 제1 위치 정보(INFO_P1)는 null 값을 포함할 수 있고, 제1 표시 영역(DA1)은 전체 표시 영역 중 제2 내지 제n 표시 영역들(DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)을 제외한 영역으로 정의될 수 있다.
바이어스 전압 룩업 테이블(822)은 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn)의 바이어스 전압 값들(VBIAS_R1, VBIAS_R2, VBIAS_R3, …, VBIAS_Rn-1, VBIAS_Rn, VBIAS_G1, VBIAS_G2, VBIAS_G3, …, VBIAS_Gn-1, VBIAS_Gn, VBIAS_B1, VBIAS_B2, VBIAS_B3, …, VBIAS_Bn-1, VBIAS_Bn)을 저장할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)의 제1 바이어스 전압 값들(VBIAS_R1, VBIAS_G1, VBIAS_B1), 제2 표시 영역(DA2)의 제2 바이어스 전압 값들(VBIAS_R2, VBIAS_G2, VBIAS_B2), 제3 표시 영역(DA3)의 제3 바이어스 전압 값들(VBIAS_R3, VBIAS_G3, VBIAS_B3), 제n-1 표시 영역(DAn-1)의 제n-1 바이어스 전압 값들(VBIAS_Rn-1, VBIAS_Gn-1, VBIAS_Bn-1), 및 제n 표시 영역(DAn)의 제n 바이어스 전압 값들(VBIAS_Rn, VBIAS_Gn, VBIAS_Bn)은 서로 다를 수 있다.
바이어스 전압 값들(VBIAS_R1, VBIAS_R2, VBIAS_R3, …, VBIAS_Rn-1, VBIAS_Rn, VBIAS_G1, VBIAS_G2, VBIAS_G3, …, VBIAS_Gn-1, VBIAS_Gn, VBIAS_B1, VBIAS_B2, VBIAS_B3, …, VBIAS_Bn-1, VBIAS_Bn)은 적색 화소(R)에 대한 적색 바이어스 전압 값들(VBIAS_R1, VBIAS_R2, VBIAS_R3, …, VBIAS_Rn-1, VBIAS_Rn), 녹색 화소(G)에 대한 녹색 바이어스 전압 값들(VBIAS_G1, VBIAS_G2, VBIAS_G3, …, VBIAS_Gn-1, VBIAS_Gn), 및 청색 화소(B)에 대한 청색 바이어스 전압 값들(VBIAS_B1, VBIAS_B2, VBIAS_B3, …, VBIAS_Bn-1, VBIAS_Bn)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 같은 표시 영역 내에서도 화소들이 표시하는 색상에 따라 화소들에 서로 다른 바이어스 전압들이 인가될 수 있다.
바이어스 결정부(830)는 룩업 테이블(820)로부터 바이어스 데이터(BID)를 결정할 수 있다. 바이어스 결정부(830)는 현재 구동될 화소 행 번호(PR_NUM)를 수신할 수 있고, 표시 영역 위치 룩업 테이블(821) 및 바이어스 전압 룩업 테이블(822)을 참조하여 화소 행 번호(PR_NUM)에 대응하는 바이어스 데이터(BID)를 결정할 수 있다. 예를 들면, 바이어스 결정부(830)는, 표시 영역 위치 룩업 테이블(821)을 참조하여 화소 행 번호(PR_NUM)에 대응하는 화소 행의 화소들 각각이 표시 영역들(DA1, DA2, DA3, …, DAn-1, DAn) 중 어느 표시 영역에 포함되는 지를 판단할 수 있고, 바이어스 전압 룩업 테이블(822)을 참조하여 화소 행 번호(PR_NUM)에 대응하는 화소 행의 화소들에 각각 제공되는 바이어스 전압 값들을 결정할 수 있다. 바이어스 데이터(BID)는 화소 행 번호(PR_NUM)에 대응하는 화소 행의 화소들에 각각 제공되는 바이어스 전압 값들을 포함할 수 있다.
멀티플렉서(840)는 제어 신호(CS)에 응답하여 영상 데이터(IMD) 및 바이어스 데이터(BID) 중 하나를 출력 데이터(OD)로 선택할 수 있다. 제어 신호(CS)는 어드레스 스캔 구간(ASP) 및 셀프 스캔 구간(SSP)에서 서로 다른 값들을 가질 수 있다. 예를 들면, 제어 신호(CS)는 어드레스 스캔 구간(ASP)에서 0을 가질 수 있고, 셀프 스캔 구간(SSP)에서 1을 가질 수 있다. 멀티플렉서(840)는, 어드레스 스캔 구간(ASP)에서 0을 가지는 제어 신호(CS)에 응답하여 출력 데이터(OD)로 영상 데이터(IMD)를 선택할 수 있고, 셀프 스캔 구간(SSP)에서 1을 가지는 제어 신호(CS)에 응답하여 출력 데이터(OD)로 바이어스 데이터(BID)를 선택할 수 있다.
제1 래치부(850)는 샘플링 신호들(SS)에 응답하여 하나의 화소 행에 대응하는 출력 데이터(OD)를 순차적으로 샘플링할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 래치부(850)는 샘플링 신호들(SS)에 응답하여 하나의 화소 행에 대응하는 출력 데이터(OD)에 포함되는 계조 값들을 각각 샘플링하는 복수의 제1 래치들을 포함할 수 있다.
제2 래치부(860)는 로드 신호(LS)에 응답하여 제1 래치부(850)에 의해 샘플링된 출력 데이터(OD)를 저장할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 래치부(860)는 복수의 제1 래치들에 각각 대응하는 복수의 제2 래치들을 포함할 수 있다.
디지털-아날로그 변환부(870)는 디지털 형태의 출력 데이터(OD)를 아날로그 형태의 데이터 신호들(DS)로 변환할 수 있다.
버퍼부(880)는 데이터 신호들(DS)을 데이터 라인들(DL)에 출력할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 버퍼부(880)는 데이터 신호들(DS)을 데이터 라인들(DL)에 각각 출력하는 복수의 버퍼들(885)을 포함할 수 있다.
도 8에는 도시되지 않았으나, 데이터 구동부(800)는 시프트 레지스터부를 더 포함할 수 있다. 시프트 레지스터부는 데이터 개시 신호 및 데이터 클록 신호에 응답하여 샘플링 신호들(SS)을 순차적으로 생성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 시프트 레지스터부는 데이터 클록 신호에 응답하여 데이터 개시 신호를 시프트하여 샘플링 신호들(SS)을 순차적으로 생성하는 복수의 직렬 연결된 시프트 레지스터들을 포함할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 데이터 구동부(1200)를 나타내는 블록도이다. 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 행들에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)의 변화에 따른 바이어스 전류(IBIAS)를 나타내는 도면이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 데이터 구동부(1200)는 메모리(1210), 룩업 테이블(1220), 바이어스 결정부(1230), 멀티플렉서(1240), 제1 래치부(1250), 제2 래치부(1260), 디지털-아날로그 변환부(1270), 버퍼부(1280), 및 바이어스 전류 제어부(1290)를 포함할 수 있다. 도 12 및 도 13을 참조하여 설명하는 데이터 구동부(1200)는 바이어스 전류 제어부(1290)를 더 포함하는 것을 제외하고 도 8 내지 도 11을 참조하여 설명한 데이터 구동부(800)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
바이어스 전류 제어부(1290)는 화소 행들에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)의 변화에 기초하여 버퍼들(1285)에 제공되는 바이어스 전류(IBIAS)의 크기를 제어할 수 있다.
바이어스 전류 제어부(1290)는 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 같은 경우에 버퍼들(1285)에 상대적으로 작은 전류인 제1 바이어스 전류(IBIAS1)를 제공할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 같은 경우는 현재 화소 행의 화소들에 각각 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행의 화소들에 각각 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 같은 경우일 수 있다. 예를 들면, 이전 화소 행 및 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 모두 로우 전압(L)이거나 또는 모두 하이 전압(H)인 경우에, 바이어스 전류 제어부(1290)는 버퍼들(1285)에 제1 바이어스 전류(IBIAS1)를 제공할 수 있다. 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 같은 경우에, 데이터 라인들(DL)의 전압들이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 같기 때문에, 버퍼들(1285)에 제공되는 바이어스 전류(IBIAS)의 크기를 감소할 수 있다. 버퍼들(1285)에 상대적으로 작은 전류인 제1 바이어스 전류(IBIAS1)가 제공됨에 따라, 데이터 구동부(1200)의 소비 전력이 감소할 수 있다.
바이어스 전류 제어부(1290)는 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 다른 경우에 버퍼들(1285)에 제1 바이어스 전류(IBIAS1)보다 큰 제2 바이어스 전류(IBIAS2)를 제공할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 다른 경우는 현재 화소 행의 화소들에 각각 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS) 중 적어도 하나가 이전 화소 행의 같은 열에 배치되는 화소에 제공되는 바이어스 전압(VBIAS)과 다른 경우일 수 있다. 예를 들면, 이전 화소 행 및 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 각각 로우 전압(L) 및 하이 전압(H)이거나 또는 각각 하이 전압(H) 및 로우 전압(L)인 경우에, 바이어스 전류 제어부(1290)는 버퍼들(1285)에 제2 바이어스 전류(IBIAS2)를 제공할 수 있다. 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)이 이전 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)과 다른 경우에, 데이터 라인들(DL)에 빠르게 현재 화소 행에 제공되는 바이어스 전압들(VBIAS)을 인가하기 위하여, 버퍼들(1285)에 제공되는 바이어스 전류(IBIAS)의 크기를 증가할 수 있다. 버퍼들(1285)에 상대적으로 높은 전류인 제2 바이어스 전류(IBIAS2)가 제공됨에 따라, 버퍼들(1285)의 응답 속도가 증가할 수 있고, 바이어스 전압들(VBIAS)의 정착 시간(settling time)이 감소할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)를 나타내는 회로도이다. 도 15 및 도 16은 도 14의 화소(PX)의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 14, 도 15, 및 도 16을 참조하면, 화소(PX)는 복수의 트랜지스터들, 적어도 하나의 커패시터, 및 발광 다이오드(LD)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 복수의 트랜지스터들은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 제7 트랜지스터(T7), 및 제8 트랜지스터(T8)를 포함할 수 있고, 적어도 하나의 커패시터는 스토리지 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. 도 14를 참조하여 설명하는 화소(PX)는 제8 트랜지스터(T8)를 더 포함하는 것을 제외하고 도 3을 참조하여 설명한 화소(PX)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성들에 대한 설명은 생략한다.
제8 트랜지스터(T8)의 제1 전극은 데이터 신호(DS)를 전송하는 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있고, 제8 트랜지스터(T8)의 제2 전극은 제1 노드(N1)에 연결될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)의 게이트 전극은 제2 게이트 신호(GB)를 전송하는 제2 게이트 라인에 연결될 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 제2 게이트 신호(GB)에 응답하여 제1 노드(N1)에 데이터 신호(DS)를 기입할 수 있다. 제8 트랜지스터(T8)는 바이어스 트랜지스터로 호칭될 수 있다.
어드레스 스캔 구간(ASP)은 제1 구간(P1), 제2 구간(P2), 제3 구간(P3), 및 제4 구간(P4)을 포함할 수 있고, 셀프 스캔 구간(SSP)은 제6 구간(P6) 및 제7 구간(P7)을 포함할 수 있다. 도 15 및 도 16을 참조하여 설명하는 화소(PX)의 동작은 제5 구간(P5)을 생략하는 것 및 제6 구간(P6)을 제외하고 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 화소(PX)의 동작과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구간들에 대한 설명은 생략한다.
제6 구간(P6)에서 제2 게이트 신호(GB)의 게이트-온 전압에 응답하여 제7 트랜지스터(T7)가 턴온될 수 있고, 제4 노드(N4)에 제2 초기화 전압(VAINT)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제6 구간(P6)에서 발광 다이오드(LD)의 제1 전극이 초기화될 수 있다. 또한, 제6 구간(P6)에서 제2 게이트 신호(GB)의 게이트-온 전압에 응답하여 제8 트랜지스터(T8)가 턴온될 수 있고, 제1 노드(N1)에 바이어스 전압(VBIAS)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제6 구간(P6)에서 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 바이어스 전압(VBIAS)이 인가되어 제1 트랜지스터(T1)가 온-바이어스될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 구동 시간이 증가하는 경우에, 제1 트랜지스터(T1)의 특성이 소정의 상태로 고정될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압의 시프트 및 히스테리시스 특성에 의해 발광 다이오드(LD)에서 방출되는 광의 휘도가 증가 또는 감소할 수 있다. 제6 구간(P6)에서 바이어스 전압(VBIAS)에 의해 제1 트랜지스터(T1)가 온-바이어스됨에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 특성이 변화할 수 있고, 이에 따라, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압의 시프트 및 히스테리시스 특성에 의해 발광 다이오드(LD)에서 방출되는 광의 휘도가 증가 또는 감소하는 것을 방지할 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기(1700)를 나타내는 블록도이다. 도 18은 도 17의 전자 기기(1700)를 나타내는 평면도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 전자 기기(1700)는 프로세서(1710), 메모리 장치(1720), 저장 장치(1730), 입출력 장치(1740), 파워 서플라이(1750), 표시 장치(1760), 및 광학 장치(1770)를 포함할 수 있다. 전자 기기(1700)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트들(ports)을 더 포함할 수 있다.
프로세서(1710)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(1710)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(1710)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(1710)는 주변 구성요소 상호연결(peripheral component interconnect, PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(1720)는 전자 기기(1700)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(1720)는 EPROM(erasable programmable read-only memory), EEPROM(electrically erasable programmable read-only memory), 플래시 메모리(flash memory), PRAM(phase change random access memory), RRAM(resistance random access memory), NFGM(nano floating gate memory), PoRAM(polymer random access memory), MRAM(magnetic random access memory), FRAM(ferroelectric random access memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(dynamic random access memory), SRAM(static random access memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
저장 장치(1730)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive, SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive, HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(1740)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(1750)는 전자 기기(1700)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
표시 장치(1760)는 영상을 표시할 수 있다. 표시 장치(1760)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 표시 장치(1760)는 도 1 내지 도 16을 참조하여 설명한 표시 장치(100)일 수 있다.
광학 장치(1770)는 표시 장치(1760)에 중첩할 수 있고, 표시 장치(1760)를 통해 입사하는 외광을 감지할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 광학 장치(1770)는 표시 장치(1760)의 제2 표시 영역(DA2) 및 제3 표시 영역(DA3) 중 적어도 하나에 중첩할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 광학 장치(1770)는 표시 장치(1760)의 배면 아래에 배치될 수 있다.
광학 장치(1770)는 카메라 모듈(CM) 및 광센서 모듈(LSM) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 광학 장치(1770)는 제2 표시 영역(DA2)에 중첩하는 카메라 모듈(CM) 및 제3 표시 영역(DA3)에 중첩하는 광센서 모듈(LSM)을 포함할 수 있다. 상기 실시예에 있어서, 카메라 모듈(CM)은 제2 표시 영역(DA2)의 투과부를 통해 입사하는 외광을 이용하여 표시 장치(1760)의 전면의 객체를 촬영할 수 있고, 광센서 모듈(LSM)은 제3 표시 영역(DA3)의 투과부를 통해 입사하는 외광을 이용하여 표시 장치(1760)의 전면의 객체를 감지할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등에 포함되는 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 전자 기기에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
110, 600: 표시 패널
120: 게이트 구동부
130, 800, 1200: 데이터 구동부
810, 1210: 메모리
820, 1220: 룩업 테이블
821: 표시 영역 위치 룩업 테이블
822: 바이어스 전압 룩업 테이블
830, 1230: 바이어스 결정부
840, 1240: 멀티플렉서
870, 1270: 디지털-아날로그 변환부
885, 1285: 버퍼
1290: 바이어스 전류 제어부
DA1: 제1 표시 영역
DA2: 제2 표시 영역
DA3: 제3 표시 영역
DL: 데이터 라인
LD: 발광 다이오드
PX: 화소
TP: 투과부
T1: 구동 트랜지스터
T2: 기입 트랜지스터
T8: 바이어스 트랜지스터

Claims (20)

  1. 각각이 복수의 화소들을 포함하고, 서로 다른 화소 밀도들을 가지는 복수의 표시 영역들을 포함하는 표시 패널;
    상기 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부; 및
    어드레스 스캔 구간에 상기 화소들에 데이터 전압들을 제공하고, 상기 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 상기 표시 영역들에 각각 서로 다른 바이어스 전압들을 제공하는 데이터 구동부를 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 화소들과 상기 데이터 구동부를 연결하고, 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 화소들에 상기 데이터 전압들을 인가하고 상기 셀프 스캔 구간에 상기 화소들에 상기 바이어스 전압들을 인가하는 데이터 라인들을 더 포함하는, 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    상기 데이터 전압들에 대응하는 영상 데이터를 저장하는 메모리;
    상기 표시 영역들의 위치 정보 및 상기 바이어스 전압들에 대응하는 상기 표시 영역들의 바이어스 전압 값들을 저장하는 룩업 테이블;
    상기 룩업 테이블로부터 바이어스 데이터를 결정하는 바이어스 결정부;
    상기 어드레스 스캔 구간에는 상기 영상 데이터를 출력 데이터로 선택하고, 상기 셀프 스캔 구간에는 상기 바이어스 데이터를 상기 출력 데이터로 선택하는 멀티플렉서;
    상기 출력 데이터를 데이터 신호들로 변환하는 디지털-아날로그 변환부; 및
    상기 데이터 신호들을 상기 데이터 라인들에 각각 출력하는 버퍼들을 포함하는, 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 룩업 테이블은,
    상기 표시 영역들의 상기 위치 정보를 저장하는 표시 영역 위치 룩업 테이블; 및
    상기 표시 영역들의 상기 바이어스 전압 값들을 저장하는 바이어스 전압 룩업 테이블을 포함하는, 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 표시 영역들의 상기 위치 정보는 상기 표시 영역들의 형태들, 상기 표시 영역들의 크기들, 및 상기 표시 영역들의 지점들을 포함하는, 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 표시 영역들의 상기 바이어스 전압 값들은 적색 화소에 대한 적색 바이어스 전압 값들, 녹색 화소에 대한 녹색 바이어스 전압 값들, 및 청색 화소에 대한 청색 바이어스 전압 값들을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    화소 행들에 제공되는 상기 바이어스 전압들의 변화에 기초하여 상기 버퍼들에 제공되는 바이어스 전류의 크기를 제어하는 바이어스 전류 제어부를 더 포함하는, 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 바이어스 전류 제어부는, 현재 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들이 이전 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들과 같은 경우에 상기 버퍼들에 제1 바이어스 전류를 제공하고, 상기 현재 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들이 상기 이전 화소 행에 제공되는 상기 바이어스 전압들과 다른 경우에 상기 버퍼들에 상기 제1 바이어스 전류보다 큰 제2 바이어스 전류를 제공하는, 표시 장치.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 화소들 중 적어도 하나는,
    발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드에 구동 전류를 제공하는 구동 트랜지스터; 및
    상기 구동 트랜지스터의 제1 전극과 상기 데이터 라인들 중 하나 사이에 연결되고, 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 턴온되는 기입 트랜지스터를 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 기입 트랜지스터는 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터 전압들 중 하나를 제공하고, 상기 셀프 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1 전극에 상기 바이어스 전압들 중 하나를 제공하는, 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 화소들 중 상기 적어도 하나는,
    상기 구동 트랜지스터의 상기 제1 전극과 상기 데이터 라인들 중 상기 하나 사이에 연결되고, 상기 제2 게이트 신호에 응답하여 턴온되는 바이어스 트랜지스터를 더 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 기입 트랜지스터는 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 상기 데이터 전압들 중 하나를 제공하고,
    상기 바이어스 트랜지스터는 상기 셀프 스캔 구간에 상기 제2 게이트 신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 상기 제1 전극에 상기 바이어스 전압들 중 하나를 제공하는, 표시 장치.
  13. 복수의 제1 화소들을 포함하고 제1 화소 밀도를 가지는 제1 표시 영역, 및 복수의 제2 화소들을 포함하고 상기 제1 화소 밀도보다 낮은 제2 화소 밀도를 가지는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널;
    상기 제1 및 제2 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부; 및
    어드레스 스캔 구간에 상기 제1 및 제2 화소들에 데이터 전압들을 제공하고, 상기 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역에 각각 제1 바이어스 전압 및 상기 제1 바이어스 전압과 다른 제2 바이어스 전압을 제공하는 데이터 구동부를 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 표시 영역은 상기 표시 패널에 입사하는 외광을 투과하는 적어도 하나의 투과부를 더 포함하는, 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 복수의 제3 화소들을 포함하고 상기 제2 표시 영역으로부터 이격되며 상기 제1 화소 밀도보다 낮은 제3 화소 밀도를 가지는 제3 표시 영역을 더 포함하는, 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 제1 및 제2 화소들과 상기 데이터 구동부를 연결하고, 상기 어드레스 스캔 구간에 상기 제1 및 제2 화소들에 상기 데이터 전압들을 인가하고 상기 셀프 스캔 구간에 상기 제1 화소들 및 상기 제2 화소들에 각각 상기 제1 바이어스 전압 및 상기 제2 바이어스 전압을 인가하는 데이터 라인들을 더 포함하는, 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    상기 데이터 전압들에 대응하는 영상 데이터를 저장하는 메모리;
    상기 제1 표시 영역의 제1 위치 정보, 상기 제2 표시 영역의 제2 위치 정보, 상기 제1 바이어스 전압에 대응하는 제1 바이어스 전압 값, 및 상기 제2 바이어스 전압에 대응하는 제2 바이어스 전압 값을 저장하는 룩업 테이블;
    상기 룩업 테이블로부터 바이어스 데이터를 결정하는 바이어스 결정부;
    상기 어드레스 스캔 구간에는 상기 영상 데이터를 출력 데이터로 선택하고, 상기 셀프 스캔 구간에는 상기 바이어스 데이터를 상기 출력 데이터로 선택하는 멀티플렉서;
    상기 출력 데이터를 데이터 신호들로 변환하는 디지털-아날로그 변환부; 및
    상기 데이터 신호들을 상기 데이터 라인들에 각각 출력하는 버퍼들을 포함하는, 표시 장치.
  18. 영상을 표시하는 표시 장치; 및
    상기 표시 장치에 중첩하고, 상기 표시 장치를 통해 입사하는 외광을 감지하는 광학 장치를 포함하고,
    상기 표시 장치는,
    복수의 제1 화소들을 포함하고 제1 화소 밀도를 가지는 제1 표시 영역, 및 복수의 제2 화소들을 포함하고 상기 제1 화소 밀도보다 낮은 제2 화소 밀도를 가지는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널;
    상기 제1 및 제2 화소들 각각에 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부; 및
    어드레스 스캔 구간에 상기 제1 및 제2 화소들에 데이터 전압들을 제공하고, 상기 어드레스 스캔 구간에 뒤따르는 셀프 스캔 구간에 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역에 각각 제1 바이어스 전압 및 상기 제1 바이어스 전압과 다른 제2 바이어스 전압을 제공하는 데이터 구동부를 포함하는, 전자 기기.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 광학 장치는 상기 제2 표시 영역에 중첩하는, 전자 기기.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 광학 장치는 카메라 모듈 및 광센서 모듈 중 적어도 하나를 포함하는, 전자 기기.
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