KR20100070372A - 태양 전지용 전극 페이스트 및 페이스트를 사용한 태양 전지 전극 - Google Patents

태양 전지용 전극 페이스트 및 페이스트를 사용한 태양 전지 전극 Download PDF

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Abstract

전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿, 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하며, 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자가 아연 산화물의 총량을 기준으로 10 중량% 이상으로 함유되는 태양 전지용 전극 페이스트가 개시된다.

Description

태양 전지용 전극 페이스트 및 페이스트를 사용한 태양 전지 전극{ELECTRODE PASTE FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL ELECTRODE USING THE PASTE}
본 발명은 태양전지용 전극 페이스트(paste) 및 이 페이스트를 사용한 태양 전지 전극에 관한 것이다.
전류를 모으기 위한 전극이 태양 전지에 형성된다. 전기 전도성 성분을 함유하는 전극 페이스트가 전형적으로 전극을 형성하는 데 사용된다. 전기 전도성 입자, 유리 프릿(glass frit) 및 유기 매질이 전극 페이스트에 함유된다. 다양한 다른 첨가제들이 또한 필요에 따라 함유된다.
소결 특성과 같은 다양한 우수한 특성을 갖는 Pb계 유리 프릿이 유리 프릿으로서 사용되었다. 그러나, 환경에 대한 부담을 감소시키는 관점에서, 프릿은 무연(lead-free)일 것이 요구되게 되었고, Bi계 유리 프릿과 같은 무연 유리가 전극 페이스트에 함유되는 유리 프릿을 위해 사용될 것이 요구된다.
전극 페이스트는 태양 전지 기판 상에 코팅된 후에 소성(firing)되지만, 무연 유리의 소성 조건은 제한을 받게 되는 경향이 있다. 다시 말하면, 무연 유리를 함유하는 전극 페이스트를 소성하는 경우에, 소성가능한 온도 범위가 좁아지는 경향이 있어, 전극 성능, 생산성 및 수율과 같은 다양한 조건을 고려하여 최적의 소성 온도를 설정하는 것을 어렵게 한다. 게다가, 소성가능한 온도 범위가 극히 좁은 경우에, 어떤 이유로든 소성 온도가 설정치로부터 벗어나는 경우 불량품이 발생할 가능성이 증가된다.
아연 산화물은 전극 페이스트를 위한 첨가제인 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 아연 산화물은 일본 특허 출원 공개 제2003-152200호에서 전기적 특성 및 인장 강도를 개선하기 위한 목적으로 첨가된다. 일본 특허 출원 공개 제2005-243500호는 전기적 연속성 및 접착 강도를 개선하기 위한 목적으로 0.001 내지 0.1 ㎛의 평균 입자 직경을 갖는 아연 산화물을 첨가하는 기술을 개시하고 있다. 일본 특허 출원 공개 제2006-302890호는 7 내지 100 ㎚의 아연 산화물을 첨가하는 기술을 개시하고 있다.
넓은 범위의 소성 온도 조건을 갖는, 태양 전지 제조에 사용하기 위한 전극 페이스트를 제공할 필요성이 존재한다.
본 발명은 작은 비표면적(specific surface area), 즉 큰 입자 직경을 갖는 아연 산화물을 사용함으로써 고온에서의 소결 특성을 개선한다.
보다 상세하게는, 본 발명의 일 태양은, 전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿(lead-free glass frit), 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하며, 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자가 아연 산화물의 총량을 기준으로 10 중량% 이상으로 함유되는 태양 전지용 전극 페이스트이다.
본 발명의 다른 태양은, 태양 전지용 전극 페이스트로부터 형성되는 태양 전지 전극으로서, 태양 전지용 전극 페이스트는 전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿, 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하며, 아연 산화물은 아연 산화물의 총량을 기준으로 10 중량% 이상이 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 형태로 함유되는 태양 전지 전극이다.
본 발명의 전극 페이스트의 사용은 소성 조건을 선택하는 것에 대한 자유도를 증가시킨다. 결과적으로, 다양한 요인을 고려하여 소성 조건을 설정함으로써 보다 높은 품질의 태양 전지가 얻어질 수 있다. 게다가, 설정 온도와 소성 온도 사이의 불일치에 의해 야기되는 불량품의 발생을 피할 수 있다.
<도 1>
도 1은 아연 산화물 입자의 총량을 기준으로 작은 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 함량과 직렬 저항값(Rs) 사이의 상관관계를 나타내는 플롯(plot).
<도 2a 내지 도 2d>
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 전기 전도성 페이스트를 사용하여 태양 전지를 제조할 때의 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
<도 3>
도 3은 아연 산화물 분말의 비표면적 대 피크 소결 온도에 대한 Rs값을 그린 그래프.
본 발명은 전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿, 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하는 태양 전지용 전극 페이스트에 관한 것이다.
하기는 본 발명의 전기 전도성 페이스트의 각각의 성분의 설명을 제공한다.
1. 전기 전도성 입자
본 발명의 페이스트에 전기 전도성 입자가 함유된다. 전기 전도성 입자의 예에는 은 입자, 금 입자, 팔라듐 입자, 구리 입자, 알루미늄 입자, 및 이들 금속의 합금의 입자가 포함된다.
본 발명의 전기 전도성 입자는 다양한 공지된 기술을 사용하여 생성될 수 있다. 예를 들어, 은 입자는 분무화(atomizing) 방법 또는 습식 환원 방법에 의해 생성될 수 있다.
전기 전도성 입자의 평균 입자 직경에 대한 특정 제한은 없지만, 입자 직경은 바람직하게는 0.1 내지 14 ㎛, 더 바람직하게는 1.0 내지 8.0 ㎛이다. 평균 입자 직경은 예를 들어 평균 입자 직경(50% 지점)으로서 호리바, 리미티드(Horiba, Ltd.)에 의해 제조된 LA-920 입자 크기 분포 분석기를 이용하여 결정되는 측정값으로부터 계산된다.
전기 전도성 입자는 바람직하게는 고순도(99% 이상)의 것이다. 그러나, 전극 패턴의 전기적 요건에 따라 더 낮은 순도를 갖는 물질이 또한 사용될 수 있다.
페이스트 중의 전기 전도성 입자의 함량에 대한 특정 제한은 없지만, 바람직하게는 페이스트의 중량을 기준으로 70 내지 90 중량%이다.
2. 유리 프릿
본 발명의 전기 전도성 페이스트는 무기 결합제로서 유리 프릿을 함유한다. 납을 실질적으로 함유하지 않는 무연 유리 프릿이 본 발명에 사용된다. 본 명세서에서, "납을 실질적으로 함유하지 않는"은 불순물의 함량 이상의 함량으로 납을 함유하지 않는 것을 말한다. 그러나, 당연히 납이 전혀 검출되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용될 수 있는 유리 결합제는 400℃ 내지 600℃의 연화점을 갖는 유리 프릿이어서, 전기 전도성 페이스트는 600℃ 내지 900℃에서 소성되고, 적합하게 소결 및 습윤되며, 규소 기재(base)에 더 적합하게 부착되게 된다. 연화점이 400℃보다 낮다면, 소결이 과도하게 진행됨으로써, 본 발명의 효과가 충분히 얻어지는 것을 막는다. 한편, 연화점이 600℃를 초과하면, 소성 동안에 충분한 용융 유동이 일어나지 않으므로, 충분한 접착 강도가 입증되지 않고, 은 입자 또는 기타 전기 전도성 입자의 액체 상 소결이 촉진될 수 없다. 본 명세서에서, "연화점"은 ASTM C338-57의 섬유 연신 방법에 따라 얻어진 연화점을 말한다.
전자 재료용 전기 전도성 페이스트에 사용되는 넓은 범위의 무연 프릿이 사용될 수 있다. 예를 들어, 아연 붕규산염 유리와 같은 무연 유리가 사용될 수 있다.
본 발명의 목적이 달성될 수 있게 해줄 수 있도록 제공되는 유리 프릿의 함량에 대한 특정 제한은 없지만, 전기 전도성 페이스트의 중량을 기준으로 바람직하게는 0.5 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 1.0 내지 3.0 중량%이다.
유리 프릿의 양이 0.5 중량% 미만이라면, 접착 강도가 불충분할 수 있다. 유리 프릿의 양이 10 중량%를 초과한다면, 플로팅(floating) 유리 등으로 인해 후속의 납땜 단계에서 문제가 발생할 수 있다.
3. 수지 결합제
본 발명의 전기 전도성 페이스트는 수지 결합제를 함유한다. 본 설명에서, "수지 결합제"는 중합체와 희석제(thinner)의 혼합물을 말한다. 따라서, 유기 액체(희석제로도 불림)가 수지 결합제에 함유될 수 있다. 본 발명에서, 유기 액체를 함유하는 수지 결합제가 바람직하고, 높은 점도의 경우에, 추가적인 유기 액체가 필요에 따라 점도 조절제로서 별도로 첨가될 수 있다.
본 발명에 유용한 수지 결합제는 (폴리메타아크릴레이트와 같은) 수지 또는 에틸 셀룰로오스의 송유(pine oil) 용액, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 모노아세테이트 용액 및 에틸 셀룰로오스의 테르핀올 용액을 포함한다. 본 발명에서는 바람직하게는 에틸 셀룰로오스의 테르핀올 용액(에틸 셀룰로오스 함량 = 5 내지 50 중량%)이 사용된다. 또한, 본 발명에서, 물 또는 유기 액체와 같은 중합체가 없는 용매가 점도 조절제로서 사용될 수 있다. 사용될 수 있는 유기 액체의 예에는 알코올, (아세테이트 또는 프로피오네이트와 같은) 알코올 에스테르, 및 (송유 또는 테르핀올과 같은) 테르펜이 포함된다.
수지 결합제의 함량은 바람직하게는 전기 전도성 페이스트의 중량을 기준으로 5 내지 50 중량%이다.
4. 아연 산화물 입자
아연 산화물 입자가 본 발명의 전기 전도성 페이스트에 함유된다. 작은 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자, 즉 큰 아연 산화물 입자가 본 발명에 포함된다. 본 발명의 효과는 작은 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 수가 커질수록 커지는 경향이 있다. 바람직하게는 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 소정량 이상의 아연 산화물 입자가 함유되며, 바람직하게는 3 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 소정량 이상의 아연 산화물 입자가 함유된다. 비표면적의 하한에 대한 특정 제한은 없지만, 과도하게 큰 아연 산화물 입자는 생성하기 어렵고 전극에 해로운 영향을 미칠 위험을 갖는다. 따라서, 비표면적에 대한 특정 제한은 없지만, 비표면적은 보통 0.1 ㎡/g 이상이다.
아연 산화물 입자의 비표면적은, 예를 들어 BET 방법에 의해 측정된다.
본 발명의 전기 전도성 페이스트 중의 아연 산화물 입자의 총량을 기준으로 소정의 비표면적 이하의 아연 산화물 입자의 최적의 함량은, 아연 산화물 입자의 함량과 직렬 저항 Rs 사이의 관계로부터 추정되었다(도 1 참조). 하기는 그 상관관계의 설명을 제공한다.
도 1은 직렬 저항 Rs 대 아연 산화물 입자의 총량을 기준으로 소정의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 함량의 플롯이다. 도 1에서, X축은 아연 산화물 입자의 총량을 기준으로 3 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 중량 백분율을 나타낸다.
이러한 플롯으로부터 결정될 수 있는 바와 같이, 함량에 관해서는, 소정의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자는 바람직하게는 아연 산화물 입자의 총량을 기준으로 10 중량% 이상으로 함유되고, 더 바람직하게는 아연 산화물 입자의 총량을 기준으로 30 중량% 이상으로 함유된다. 게다가, 함량의 상한에 대한 특정 제한은 없다. 아연 산화물 입자의 전체 양은 경우에 따라 소정의 비표면적 이하를 가질 수 있다.
페이스트 중의 아연 산화물 입자의 함량에 대한 특정 제한은 없지만, 바람직하게는 페이스트의 중량을 기준으로 0.1 내지 10.0 중량%이다. 함량이 이러한 범위 미만이면, 직렬 저항 Rs의 충분한 감소가 얻어질 수 없다. 반대로, 함량이 이러한 범위를 초과하면, 은의 소결이 억제되는 결과로서 전극 저항과 같은 전극 특성이 열화된다.
5. 첨가제
증점제 및/또는 안정제 및/또는 기타 전형적인 첨가제가 본 발명의 전기 전도성 페이스트에 첨가되거나 첨가되지 않을 수 있다. 첨가될 수 있는 기타 전형적인 첨가제의 예에는 분산제 및 점도 조절제가 포함된다. 첨가제의 양은 전기 전도성 페이스트의 궁극적으로 요구되는 특성에 따라 결정된다. 첨가제의 양은 당업자에 의해서 적합하게 결정될 수 있다. 또한, 복수의 유형의 첨가제들이 첨가될 수 있다.
이하에서 설명되는 바와 같이, 본 발명의 전기 전도성 페이스트는 바람직하게는 소정 범위 내의 점도를 갖는다. 전기 전도성 페이스트에 적합한 점도를 부여하도록 점도 조절제가 필요에 따라 첨가될 수 있다. 첨가되는 점도 조절제의 양은 전기 전도성 페이스트의 최종 특성에 따라 변하지만, 이는 당업자에 의해 적합하게 결정될 수 있다.
본 발명의 전기 전도성 페이스트는 3-롤 혼련기(kneader)를 이용해 전술된 성분들 각각을 혼합함으로써 생성될 수 있다. 본 발명의 전기 전도성 페이스트는 바람직하게는 스크린 인쇄에 의해 태양 전지의 수광면의 원하는 부위에 코팅되지만, 전기 전도성 페이트는 바람직하게는 이러한 유형의 인쇄에 의해 코팅될 경우에 소정 범위 내의 점도를 갖는다. 본 발명의 전기 전도성 페이스트의 점도는 #14 스핀들 및 다용도 컵을 사용하여 브룩필드(Brookfield) HBT 점도계에 의해 10 rpm 및 25℃에서 측정하는 경우에 바람직하게는 50 내지 300 PaS이다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 전기 전도성을 갖는 페이스트는, 태양 전지의 수광면 상에 은 입자와 같은 전기 전도성 입자를 그 주성분으로 갖는 전극을 형성하는 데 사용된다. 본 발명의 페이스트는 태양 전지의 수광면 상에 인쇄되어 건조된다. 이와는 별도로, 알루미늄 또는 은 등으로 구성되는 배면 전극이 또한 태양 전지의 배면 상에 형성된다. 이들 전극은 바람직하게 동시에 소성된다.
본 발명의 태양 전지 전극은 태양 전지용 전극 페이스트로부터 형성되는 태양 전지 전극으로서, 태양 전지용 전극 페이스트는 전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿, 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하며, 아연 산화물은 아연 산화물의 총량을 기준으로 10 중량% 이상이 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 형태로 함유되는 태양 전지 전극이다. 전기 전도성 입자, 유리 프릿, 수지 결합제 및 아연 산화물 입자의 설명은 전술된 바와 동일하므로, 이들 설명은 여기에서는 생략된다.
하기는 도 2와 관련하여 본 발명의 전기 전도성 페이스트를 사용한 태양 전지 제조의 일례를 제공한다.
먼저, Si 기판(102)이 준비된다. 납땜 접속을 위한 전기 전도성 페이스트(104)가 이러한 기판의 배면 상에 스크린 인쇄에 의해 코팅되고 건조된다(도 2a). 은 입자, 유리 입자 및 결합제 수지를 함유하는 전기 전도성 은 페이스트와 같은 종래의 전기 전도성 페이스트가 이러한 전기 전도성 페이스트를 위해 사용될 수 있다. 다음으로, 태양 전지의 배면 전극을 위한 알루미늄 페이스트(106)(이 페이스트가 태양 전지에 사용된다면 이에 대한 특정 제한은 없으며, 예에는 PV333 및 PV332 (이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 컴퍼니(E. I. du Pont de Nemours and Company))가 포함됨)가 스크린 인쇄 등에 의해 코팅되고 건조된다(도 2b). 각각의 페이스트의 건조 온도는 바람직하게는 180℃ 이하이다. 게다가, 건조 후의 막 두께로서 태양 전지의 배면 상의 각각의 전극의 막 두께는, 알루미늄 페이스트의 경우 바람직하게는 20 내지 40 ㎛ 이고, 전기 전도성 은 페이스트의 경우 15 내지 30 ㎛ 이다. 게다가, 알루미늄 페이스트와 전기 전도성 은 페이스트의 중첩 부분은 바람직하게는 약 0.5 내지 2.5 ㎜이다.
다음으로, 본 발명에 따른 전기 전도성 페이스트(108)가 스크린 인쇄 등에 의해 Si 기판의 수광면(상부면)에 코팅되어 건조된다(도 2c). 그리고 나서, 예를 들어 적외선 소성로 내에서 약 2 내지 15분 동안 약 600 내지 900℃의 온도에서 알루미늄 페이스트 및 전기 전도성 은 페이스트를 동시에 소성하면서, 생성된 기판이 소성되어, 목표 태양 전지를 얻을 수 있게 한다(도 2d).
도 2d에 도시된 바와 같이, 본 발명의 전기 전도성 페이스트를 사용하여 얻어진 태양 전지는, (Si 기판과 같은) 기판(102)의 수광면(상부면) 상에 형성된 본 발명의 전기 전도성 페이스트로부터 형성되는 전극(110)을 가지며, 기판의 배면 상에서 주로 Al로 구성된 알루미늄 전극(제1 전극)(112) 및 주로 Ag로 구성된 은 전극(제2 전극)(114)을 갖는다.
실시예
1. 전기 전도성 페이스트의 제조
은 입자(평균 입자 직경: 2.5 마이크로미터), SiㆍBㆍO계 유리 프릿(연화점: 540℃), 0.4 ㎡/g의 비표면적을 갖는 아연 산화물 분말, 및 소결 보조제 형태의 첨가제를 함유하는 혼합물을 제조하였다. 20 중량%의 에틸 셀룰로오스를 함유하는 테르핀올 용액 형태의 수지 결합제를 이 혼합물에 첨가하였다. 또한, 테르핀올 형태의 희석제를 첨가하여 점도를 조절하였다.
범용 혼합기를 이용하여 이 혼합물을 예비 혼합한 후에, 예비 혼합한 혼합물을 3-롤 혼련기를 이용해 혼련하여 태양 전지 전극을 위한 페이스트를 얻었다.
2. 실시예 1 내지 실시예 3과 비교예 1 및 비교예 2
전술된 전기 전도성 페이스트 제조 방법에 따라 실시예 1 내지 실시예 3과 비교예 1 및 비교예 2의 전기 전도성 페이스트들을 제조하였다. 각각의 사용된 성분의 양과 아연 산화물 입자의 비표면적이 표 1에 나타나 있다.
Figure pct00001
3. 태양 전지의 제조
얻어진 전기 전도성 페이스트를 사용하여 태양 전지를 제조하였다. 먼저, Si 기판을 준비하였다. 납땜 접속을 위한 전기 전도성 페이스트(은 페이스트)를 스크린 인쇄에 의해 Si 기판의 배면 상에 코팅하여 건조시켰다. 다음으로, 배면 전극을 위한 알루미늄 페이스트 (PV333 (이. 아이. 듀폰 디 네모아 앤드 컴퍼니))를 건조된 은 페이스트의 일부분과 중첩하도록 스크린 인쇄에 의해 코팅하고 나서, 건조시켰다. 각각의 페이스트의 건조 온도는 120℃였다. 게다가, 건조 후의 중량 면에서 배면 상의 각각의 전극의 막 두께는, 알루미늄 페이스트의 경우 35 ㎛이고, 은 페이스트의 경우 20 ㎛였다.
또한, 본 발명의 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 수광면(상부면) 상에 코팅하여 건조시켰다. 프린터의 경우, 프라이스 스크린 프로세스 피티와이. 리미티드(Price Screen Process Pty. Ltd.)에 의해 제조된 프린터를 사용하였고, 마스크의 경우, 20.3 ㎝ (8 인치) × 25.4 ㎝ (10 인치) 프레임을 갖는 250 메쉬(mesh) 스테인레스강 와이어 마스크를 사용하였다. 패턴은 100 마이크로미터의 폭을 갖는 핑거 라인(finger line)과 2 ㎜의 폭을 갖는 버스 바아(bus bar)로 구성된 3.8 cm (1.5 인치) 정사각형 평가 패턴으로 이루어졌고, 소성 후의 막 두께는 13 ㎛였다.
다음으로, 얻어진 기판을 적외선 소성로 내에 배치하였고 약 870℃의 설정 온도 및 약 5분의 입출(IN-OUT)의 조건 하에서 코팅된 페이스트를 동시에 소성하여 목표 태양 전지를 얻었다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 전기 전도성 페이스트를 사용하여 얻어진 태양 전지는, (Si 기판과 같은) 기판(102)의 수광면(상부면) 상의 Ag 전극(110)과, 기판의 배면 상의 주로 Al로 구성된 Al 전극(제1 전극)(112) 및 주로 Ag로 구성된 은 전극(제2 전극)(114)을 갖는다.
4. 전지 평가
얻어진 태양 전지 기판의 전기 특성(I-V 특성)의 평가를 전지 시험기를 이용하여 수행하였다. 전지 시험기의 경우, 니폰 프리시젼 서키츠, 인크.(Nippon Precision Circuits, Inc.)에 의해 제조된 기기 (NCT-M-150AA)를 사용하였다.
직렬 저항 (Rs: mΩㆍ㎠)을 측정하였다. Rs에 대한 낮은 값은 태양 전지에 의한 우수한 전력 발생 성능을 나타낸다. 그 결과가 표 2에 나타나 있다.
Figure pct00002
위에서 나타낸 바와 같이, 작은 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 사용은 얻어진 태양 전지의 특성을 개선시켰다.
5. 아연 산화물 분말의 비표면적 및 설정된 피크 소결 온도의 연구
실시예 및 비교예의 샘플을 사용하여 태양 전지용 전극 페이스트를 생성한 다음, 2개의 설정된 피크 소결 온도(840 및 900℃)에 대한 Rs 값을 측정하고 이들의 평균 값을 계산하였다. 이들 결과가 표 3 및 표 4에 나타나 있는 반면, 이전 섹션으로부터의 870℃에서의 결과와 조합된 결과가 도 3에 나타나 있다.
Figure pct00003
Figure pct00004
상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 비표면적이 작을수록 소성 조건들 중 넓은 온도에 걸쳐 더 낮은 Rs 값이 얻어질 수 있다고 판정되면서, 또한 소성 온도에 대한 자유도가 더 커졌다. 예를 들어, 도 3에서, 2.5 mΩㆍ㎠ 이하의 사양을 가정하면, 실시예 1 내지 실시예 3에서 넓은 소성 온도 범위에 걸쳐 낮은 Rs 값이 실현될 수 있었다. 즉, 소성 동안에 목표 온도와 실제 온도 사이에 작은 불일치가 발생할지라도 불량품의 발생에 대한 가능성이 작다. 게다가, 다른 요인들을 고려하여 제조 조건을 조절하기 위한 자유도가 높았으며, 이에 의해 제조 동안의 최적 조건의 결정을 용이하게 하였다. 이는 실제 제조 설정에 있어서 극히 큰 이점을 제공한다.

Claims (8)

  1. 전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿(lead-free glass frit), 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하며,
    6 ㎡/g 이하의 비표면적(specific surface area)을 갖는 아연 산화물 입자가 아연 산화물의 총량을 기준으로 10 중량% 이상으로 함유되는 태양 전지용 전극 페이스트.
  2. 제1항에 있어서, 3 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자가 아연 산화물의 총량의 10 중량% 이상으로 함유되는 전극 페이스트.
  3. 제1항에 있어서, 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자가 아연 산화물의 총량을 기준으로 30 중량% 이상으로 함유되는 전극 페이스트.
  4. 제2항에 있어서, 3 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자가 아연 산화물의 총량을 기준으로 50 중량% 이상으로 함유되는 전극 페이스트.
  5. 제1항에 있어서, 전기 전도성 입자는 은 입자, 금 입자, 팔라듐 입자, 구리 입자, 알루미늄 입자, 및 이들 금속의 합금의 입자로 이루어진 군으로부터 선택되는 전극 페이스트.
  6. 제5항에 있어서, 전기 전도성 입자는 은 입자인 전극 페이스트.
  7. 제5항에 있어서, 전기 전도성 입자는 입자 직경이 0.1 내지 14인 전극 페이스트.
  8. 태양 전지용 전극 페이스트로부터 형성되는 태양 전지 전극으로서,
    태양 전지용 전극 페이스트는 전기 전도성 입자, 무연 유리 프릿, 수지 결합제, 및 아연 산화물 입자를 포함하며,
    아연 산화물은 아연 산화물의 총량을 기준으로 10 중량% 이상이 6 ㎡/g 이하의 비표면적을 갖는 아연 산화물 입자의 형태로 함유되는 태양 전지 전극.
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