KR20100057702A - 태양 전지셀 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 결정 규소 기판과, 상기 결정 규소 기판의 수광면에 형성되는 외부 전력 취출용의 셀 전극과, 상기 셀 전극에 접속되는 표면 탭선과, 상기 결정 규소 기판의 반수광면에 형성되는 이면 전극과, 상기 이면 전극에 접속되는 이면 탭선을 갖는 태양 전지셀에 있어서, 상기 이면 전극과 이면 탭선의 접속이 수지계의 도전 페이스트 또는 도전 필름을 사용하여, 상기 이면 전극이 상기 결정 규소 기판의 반수광면에 고르게 형성됨으로써 발전 효율을 향상시키고, 부재 비용을 감소시키는 것이 가능한 태양 전지셀을 제공한다.
Description
본 발명은, 태양 전지셀에 관한 것이다.
종래의 규소 결정계의 태양 전지셀은 도 3에 개략도(단면도)를 도시한 바와 같이, 결정 규소 기판은 n층 (102), p층 (103), 알루미늄층 (105)로부터의 알루미늄 원자 확산에 의한 P+층 (104)로 이루어지고, 결정 규소 기판의 수광면에 조사되는 빛의 반사를 억제하기 위해 반사 방지막 (101)을 설치하고, 외부 취출용의 도선으로서 표면 탭선 (201)과 외부로의 전력 취출을 위한 셀 전극 (106)이 땜납 (310)으로 접속되어 설치되고, 결정 규소 기판의 반수광면에 알루미늄층 (105), 이면 은 전극 (107), 이면 탭선 (202)를 설치한 구성이 된다.
태양 전지셀의 반수광면에서는 반수광면측에서 발생한 전기가 저항에 의한 손실로 감소되는 것을 억제하기 위해, 알루미늄층 (105)가 광범위하게 설치되어 있다. 이면 탭선 (202)로서 통상적으로 사용되는 구리와 알루미늄층 (105)는 전기 접속이 곤란하기 때문에, 알루미늄층 (105)에서 발전된 전기를 집전시키기 위해 이면 은 전극 (107)이 배치된다. 그러나, 이면 은 전극은 밀착성 확보를 위해 알루미늄이 없는 부분을 설치하고, 여기에 이면 은 전극 (202)를 형성하게 된다. 이 이면 은 전극 (107)과 이면 탭선 (202)의 접속에는, 땜납 (310)을 사용하고 있다.
박형화된 규소 웨이퍼를 파손시키지 않는 것을 목적으로서, 탭선의 열팽창률을 작게 하기 위해 코어 도체에 피복 도체를 구비한 탭선이 제안되어 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 제2004-204256호 공보 참조). 탭선과의 접속 부분에는, 은 도금 부분이 필요한 구성으로 되어 있다.
한편, 고가 재료의 사용을 감소시키고, 제조 공정을 간략화한 경량 태양 전지 유닛 또는 경량 태양 전지 모듈이 제안되어 있다(예를 들면, 일본 특허 공개 제2005-101519호 공보 참조).
일본 특허 공개 제2004-204256호 공보에는 열팽창이 작고, 내식성이 우수한 탭선으로서, 이면 전극에 은을 사용하는 것이 필수적인 사항으로 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2005-101519호 공보에 기재된 태양 전지셀의 구성에서는, 땜납의 대체로서 이방 도전성을 갖는 필름상 접착제를 사용하고 있지만, 이면 전극에 은을 사용하는 것이 필수적이다.
상기한 종래의 태양 전지셀에서는 도 3에 도시한 바와 같이, 이면 은 전극 (107) 부근에서는 알루미늄층이 없기 때문에 P+층 (104)가 형성되어 있지 않고, 발전 소자로서 불리한 형태가 되어 있다는 점에서 발전 효율에 있어서도 불리하다.
또한, 종래법에서는, 이면 탭선 (202)와 이면 은 전극 (107)의 접속에 땜납 (310)을 사용하고 있고, 260 ℃ 정도의 열을 필요로 한다. 이 때, 결정 규소 기판과 탭선의 재료인 구리의 열팽창률 차이에 의해 셀에 휘어짐이 발생하고, 깨지기 쉬워져, 수율을 낮추게 된다.
또한, 결정 규소 기판의 반수광면에서 고가의 은을 전극 재료로서 사용해야만 한다.
본 발명은 이러한 문제점을 경감시키고자 하는 것이며, 발전 효율을 향상시키고, 부재 비용을 감소시키는 것이 가능한 태양 전지셀을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 한 결과, 이면 전극과 이면 탭선의 접속에 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름을 사용함으로써, P+층이 없는 부분을 없애고, 땜납에 의한 셀의 휘어짐, 균열을 없앰으로써 상기 문제점을 해결할 수 있다는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명은 이하와 같다.
본 발명의 태양 전지는 결정 규소 기판과, 상기 결정 규소 기판의 수광면에 형성되는 외부 전력 취출용의 셀 전극과, 상기 셀 전극에 접속되는 표면 탭선과, 상기 결정 규소 기판의 반수광면에 형성되는 이면 전극과, 상기 이면 전극에 접속되는 이면 탭선을 갖는 태양 전지셀에 있어서, 상기 이면 전극과 이면 탭선의 접속이 수지계의 도전 페이스트 또는 도전 필름에 의해 이루어져 있으며, 상기 이면 전극이 상기 결정 규소 기판의 반수광면에 고르게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 태양 전지는, 상기 표면 탭선과 상기 셀 전극의 접속도 수지계의 도전 페이스트 또는 도전 필름에 의해 이루어져 있는 것이 바람직하다.
소자 구조로서 불필요한 부분을 없앰으로써 발전 효율을 향상시키고, 부재 비용을 감소시키는 것이 가능한 태양 전지셀을 제공하는 것이 가능해진다.
[도 1] 본 발명의 태양 전지셀 및 탭선의 구조도(단면)이다.
[도 2] 본 발명의 태양 전지셀 및 탭선의 구조도(단면)이다.
[도 3] 종래형의 태양 전지셀 및 탭선의 구조도(단면)이다.
[도 2] 본 발명의 태양 전지셀 및 탭선의 구조도(단면)이다.
[도 3] 종래형의 태양 전지셀 및 탭선의 구조도(단면)이다.
본 발명의 태양 전지셀은, 결정 규소 기판을 사용한 태양 전지이다.
본 발명의 태양 전지셀은 도 1에 도시한 바와 같이, 결정 규소 기판으로서의 n층 (102), p층 (103), p+층 (104)를 구비하고, 결정 규소 기판의 수광면(표면)에 형성되는 반사 방지막 (101), 결정 규소 기판의 반수광면(이면)에 형성되는 이면 전극으로서의 알루미늄층 (105)를 구비하고, 이면 전극으로서의 알루미늄층 (105)와 이면 탭선 (202)의 접속에 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름 (301)을 사용하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명에서는, 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름 (301)을 사용하여 이면 탭선 (202)를 알루미늄층 (105)에 직접 접속 가능하게 함으로써, 반수광면에 은 전극을 가질 필요가 없게 되고, 알루미늄층을 한 면에 설치할 수 있게 되기 때문에 P+층도 한 면에 형성되고, 셀의 내부 구조까지도 변경할 수 있다. 또한, 본 발명의 태양 전지셀은, 고가의 은 전극을 반수광면에 설치할 필요가 없게 되기 때문에 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 이면 탭선 (202)와 이면 전극으로서의 알루미늄층 (105)의 접속에 땜납이 아닌 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름 (301)을 사용함으로써, 접속에 필요한 온도를 150 내지 180 ℃로 낮추고, 상기한 셀의 휘어짐, 균열을 감소시킬 수 있어, 고수율화가 가능해진다.
수광면(표면)은, 외부로의 전력 취출을 위한 셀 전극 (106)과 표면 탭선 (201)의 접속에 땜납 (310)을 사용할 수도 있지만, 도 2에 도시한 바와 같이 외부 전력 취출용의 셀 전극 (106)과 표면 탭선 (201)의 접속을 땜납 대신에 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름 (301)을 사용하는 것도 바람직하다.
본 발명의 결정 규소를 사용하는 태양 전지셀은, p층 (103)의 반수광면에 알루미늄 페이스트를 사용한 알루미늄층이 형성된다. 알루미늄층은 이면 전극이며, 본 발명에서는 이면 은 전극을 설치할 필요가 없기 때문에 취출 전극을 위한 패터닝을 행할 필요가 없어, p층 (103)의 반수광면에 고르게 제막할 수 있고, 비패턴막으로 하는 것이 가능하다. 그에 따라, 알루미늄 페이스트를 소성함으로써 알루미늄 페이스트 중의 알루미늄이 결정 규소 기판의 반수광면측의 규소로 확산되어, 발전 능력을 개선하는 BSF(후면 전계; Back Surface Field)층으로서의 P+층 (104)를 p층 (103)의 반수광면 전체에 고르게 형성할 수 있다.
탭선을 알루미늄층 (105)의 면 전체에 설치하는 것도, 저항값이 높아진다는 점에서 바람직하다.
또한, 본 발명의 태양 전지셀은, 태양 전지 모듈 및 그의 제조 방법 등에 적용이 가능하다.
본 발명의 태양 전지셀에 사용하는 수지계의 도전성 페이스트로서는, 금속 입자, 박편상 금속, 금속 도금 플라스틱 입자, 저융점 땜납 입자 등의 도전 물질을 열경화성 에폭시 수지 조성물, 열경화성 아크릴 수지 조성물 등의 수지 100에 대하여 1 내지 1000의 부피비 비율로 혼합한 것을 들 수 있다.
또한, 수지계의 도전성 필름으로서는, 금속 입자, 박편상 금속, 금속 도금 플라스틱 입자, 저융점 땜납 입자, 카본 입자 등의 도전 물질을 열경화성 에폭시 수지 조성물, 열경화성 아크릴 수지 조성물 등의 수지 100에 대하여, 1 내지 1000의 부피비 비율로 혼합한 것을 필름상으로 가공한 것을 들 수 있다.
금속 입자로서는, 니켈, 은, 금 등의 금속의 입자를 들 수 있다. 박편상 금속으로서는, 니켈, 은, 금 등의 금속의 박편을 들 수 있다. 금속 도금 플라스틱 입자의 금속 도금으로서는 니켈, 은, 금 등의 도금을 들 수 있으며, 플라스틱으로서는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리우레탄, 폴리아크릴 등을 들 수 있다.
저융점 땜납 입자란, 융점이 150 ℃ 이하인 SnAgCu 등을 들 수 있다.
이 중에서 바람직한 도전 물질로서는, 금속 입자로서의 니켈 입자 등이다.
상기 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름을 이면 전극과 이면 탭선의 접속에 사용함으로써, 보다 바람직하게는 셀 전극과 표면 탭선의 접속에 사용함으로써 접속에 필요한 온도를 150 내지 180 ℃로 낮추는 것이 가능해지며, 제조 공정 중의 태양 전지셀의 휘어짐, 균열을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 태양 전지셀에 사용되는 수지계의 도전성 페이스트, 수지계의 도전성 필름으로서 입수 가능한 것으로서, 히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조의 다이 본드 페이스트 "에피날" 시리즈, 다이 본드 필름 "하이어터치" 시리즈, 도전성 필름 "CF" 시리즈 등을 들 수 있다.
본 발명의 태양 전지셀은, 이면 전극으로서의 알루미늄층과 이면 탭선의 접속에 상기 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름을 사용함으로써, 집전을 위한 이면 은 전극을 설치할 필요가 없고, 알루미늄층, P+층을 결정 규소 기판의 반수광면 한 면에 설치할 수 있다. 보다 바람직한 구성은, 셀 전극과 표면 탭선의 접속에도 상기 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름을 사용하는 구성이다.
그 이외의 구성은, 통상적인 규소 결정계의 태양 전지셀과 동일한 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 태양 전지셀은, 예를 들면 하기와 같이 제조할 수 있다.
주조 잉곳으로 슬라이스한 두께 100 내지 350 ㎛ 두께의 p형 규소 기판을 사용하여, 규소 표면의 손상층을 수 내지 20 질량％의 수산화나트륨, 탄산수소나트륨 등으로 10 내지 20 ㎛ 두께 제거한 후, 동일한 알칼리 저농도액에 IPA(이소프로필 알코올)를 0.1 내지 20 질량％가 되도록 첨가한 용액으로 이방성 에칭을 행하여, 텍스처 구조를 형성한다. 이어서, 옥시염화인(POCl3), 질소, 산소의 혼합 가스 분위기하에 800 내지 900 ℃에서 수십분의 처리를 행하여, 수광면에 고르게 막 두께 0.01 내지 0.4 ㎛의 n형층을 형성한다.
또한, 반사 방지막으로서, 규소질화막 또는 산화티탄막 등을 n형층의 수광면에 고른 두께(막 두께 50 내지 200 ㎚)로 형성한다. 규소질화막을 형성하는 경우에는, 플라즈마 CVD, 스퍼터링, 진공 증착 등으로 성막 형성하고, 산화티탄막을 형성하는 경우에는, 플라즈마 CVD, 스퍼터링, 진공 증착 등으로 성막 형성한다.
이어서, 수광면(표면)에 셀 전극을 형성하기 위해, 셀 전극용의 은 페이스트를 결정 규소 기판의 수광면에 스크린 인쇄법으로 부착 건조시킨다. 이 경우, 셀 전극용 페이스트가 반사 방지막 위에 형성되어 있으며, 전력 취출용의 비교적 굵은 전극선("버스 바"라고 함)과, 표면 전체에 늘어난 가는 전극선("핑거"라고 함)이 인쇄법에 의해 형성된다.
이어서, 결정 규소 기판의 반수광면(이면)에서도 수광면측과 마찬가지로, 이면 전극용 알루미늄 페이스트를 인쇄 건조시키고, 알루미늄 페이스트를 반수광면에 고르게 제막한다(막 두께 10 내지 200 ㎛).
여기서 사용되는 은 페이스트, 알루미늄 페이스트는, 전극 형성에 사용되는 통상적인 것(예를 들면, 일본 특허 공개 제2008-150597호 공보, 일본 특허 공개 제2008-120990호 공보, 일본 특허 공개 제2008-195904호 공보, 일본 특허 공개 제2008-186590호 공보, 일본 특허 공개 제2007-179682호 공보, 일본 특허 공개 제2008-85469호 공보 등에 예시되는 페이스트)을 사용할 수 있다.
이어서, 셀 전극, 이면 전극을 소성하고, 태양 전지셀로서 완성시킨다. 600 내지 900 ℃의 온도 범위에서 수분간 소성하면, 반수광면측에서는 알루미늄 페이스트 중의 알루미늄이 결정 규소 기판의 반수광면측의 규소로 확산되어, 발전 능력을 개선하는 BSF층으로서의 p+층이 형성된다. 본 발명의 태양 전지셀에서는 이면 은 전극을 설치할 필요가 없기 때문에, BSF층을 최대한 설치하는 것이 가능해진다.
이어서, 모듈 공정에서는 반수광면의 고른 이면 전극(알루미늄층)과 탭선의 접속에, 수지계의 도전성 페이스트 또는 수지계의 도전성 필름을 사용한다. 접속 방법으로서, 미리 반경화 상태의 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름을 탭선에 임시 접착하여 놓고, 셀 전극과 표면 탭선, 이면 전극과 이면 탭선을 표리 양면 동시에 열압착한다. 이 때의 온도는 150 내지 180 ℃이다.
수광면의 셀 전극(은 전극)은 탭선과의 접속에 땜납을 사용할 수도 있지만, 이면 전극과 탭선의 접속과 동일하게 수지계의 도전성 페이스트 또는 도전성 필름을 사용하는 것도 바람직하다.
본 발명의 태양 전지셀에서 사용되는 탭선은, 방식 처리를 실시한 구리 리본 등을 사용할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않는다.
(실시예 1)
이하, 본 발명의 태양 전지셀의 제조 공정을 나타낸다.
주조 잉곳으로 슬라이스한 두께 350 ㎛의 p형 규소 기판을 사용하여, 규소 표면의 손상층을 5 질량％의 수산화나트륨이나 탄산수소나트륨으로 10 ㎛ 두께 제거한 후, 동일한 알칼리 저농도액에 IPA(이소프로필 알코올)를 5 질량％가 되도록 첨가한 용액으로 이방성 에칭을 행하여, 텍스처 구조를 형성하였다.
이어서, 옥시염화인(POCl3), 질소, 산소의 혼합 가스 분위기하에 800 ℃에서 30분간의 처리를 행하여, 수광면에 고르게 막 두께 약 0.2 ㎛의 n형층을 형성하였다.
또한, 플라즈마 CVD법에 의해 규소질화막의 반사 방지막을 n형층의 수광면에 고른 두께(막 두께 0.12 ㎛)로 형성하였다. 이어서, 셀 전극용 은 페이스트를 스크린 인쇄법으로 부착 건조시켰다. 이 경우, 셀 전극용 페이스트가 반사 방지막 위에 형성되어 있으며, 전력 취출용의 비교적 굵은 전극선("버스 바"라고 함)과 수광면 전체에 늘어난 가는 전극선("핑거"라고 함)을 인쇄법에 의해 형성하였다. 이어서, 반수광면측에서도 수광면측과 마찬가지로 이면 전극용 알루미늄 페이스트를 인쇄 건조시키고, 알루미늄 페이스트를 반수광면에 고르게 제막하였다(막 두께 50 ㎛).
이어서, 전극을 소성하여 태양 전지셀로서 완성시킨다. 800 ℃에서 10분간 소성하고, 반수광면측에서는 알루미늄 페이스트 중의 알루미늄이 결정 규소 기판의 반수광면측의 규소로 확산되어, 발전 능력을 개선하는 BSF층으로서의 p+층을 형성하였다.
이어서, 수광면의 셀 전극(은 전극)과 표면 탭선, 반수광면의 고른 이면 전극으로서의 알루미늄층과 이면 탭선의 접속에, 미리 반경화 상태의 수지계의 도전성 필름(히타치 가세이 고교샤 제조, 제품명: CF-105)을 탭선에 임시 접합하여 놓고, 셀 전극과 표면 탭선, 이면 전극과 이면 탭선을 표리 양면 동시에 180 ℃에서 20초분간 열압착하여, 도 2에 도시한 바와 같은 태양 전지셀을 얻었다.
(비교예 1)
주조 잉곳으로 슬라이스한 두께 350 ㎛의 p형 규소 기판을 사용하여, 규소 표면의 손상층을 5 질량％의 수산화나트륨이나 탄산수소나트륨으로 10 ㎛ 두께 제거한 후, 동일한 알칼리 저농도액에 IPA(이소프로필 알코올)를 5 질량％가 되도록 첨가한 용액으로 이방성 에칭을 행하여, 텍스처 구조를 형성하였다.
이어서, 옥시염화인(POCl3), 질소, 산소의 혼합 가스 분위기하에 800 ℃에서 30분간의 처리를 행하여, 수광면에 고르게 막 두께 약 0.2 ㎛의 n형층을 형성하였다.
또한, 플라즈마 CVD법에 의해 규소질화막의 반사 방지막을 n형층의 반수광면에 고른 두께(막 두께 0.12 ㎛)로 형성하였다. 이어서, 표면 셀 전극용 은 페이스트를 스크린 인쇄법으로 부착 건조시켰다. 이 경우, 표면 셀 전극용 페이스트가 반사 방지막 위에 형성되어 있으며, 전력 취출용의 비교적 굵은 전극선("버스 바"라고 함)과 수광면 전체에 늘어난 가는 전극선("핑거"라고 함)이 인쇄법에 의해 형성되었다.
이어서, 반수광면측에서도 수광면측과 마찬가지로 이면 전극용 알루미늄 페이스트를 인쇄 건조시키고, 막 두께 50 ㎛로 제막하였다. 여기서, 이면 탭선과 이면 전극으로서의 알루미늄층의 전기 접속이 곤란하기 때문에, 알루미늄이 없는 부분을 설치하고, 여기에 은 페이스트를 사용하여 은 전극을 형성하였다.
이어서, 전극을 소성하여 태양 전지셀로서 완성시킨다. 800 ℃에서 5분간 소성하면, 반수광면측에서는 알루미늄 페이스트 중의 알루미늄이 결정 규소 기판의 반수광면측의 규소로 확산되어, 발전 능력을 개선하는 BSF층으로서의 p+층을 형성하였다. 그 때문에, 알루미늄이 없는 부분에서는 이 구조가 얻어지지 않게 되고, 그 만큼 효율 저하가 발생하였다.
이어서, 모듈 공정에서는 땜납 피복된 평평한 동선, 즉 표면 탭선을 셀 전극 위에 올려놓고, 램프 히터, 열풍을 이용하여 셀 전극과 표면 탭선을 접속하였다. 이 때의 온도는 260 ℃ 정도이다. 또한, 땜납에서는 이면 탭선과 알루미늄의 접속이 곤란하기 때문에, 반수광면에 은 전극이 필요해진다. 표면 셀 전극과 표면 탭선의 접속과 마찬가지로, 이면 은 전극에 땜납 피복된 평평한 동선(이면 탭선)을 올려놓고, 램프 히터, 열풍을 이용하여 셀 전극과 표면 탭선을 접속하였다.
비교예 1의 결정 규소계의 태양 전지셀에서는, 반수광면의 은 전극 부근에서는 P+층이 형성되어 있지 않고, 발전 소자로서 불리한 형태가 되어 있다. 또한, 전극과 탭선의 접속에 260 ℃ 정도의 열이 필요하기 때문에, 규소와 탭선의 재료인 구리의 열팽창률의 차이에 의해 태양 전지셀에 휘어짐이 발생하고, 깨지기 쉽고, 수율을 낮추게 된다.
그에 비해, 실시예 1에 나타낸 본 발명의 태양 전지셀은 이러한 문제점을 경감시키고자 하는 것이며, 발전 소자 구조로서 불필요한 부분을 없앰으로써 발전 효율을 향상시키고, 부재 비용을 감소시키는 것을 목적으로 한다. 또한, 태양 전지셀의 휘어짐, 균열을 감소시킬 수 있으며, 고수율화가 가능해진다.
본 발명에 따르면, 소자 구조로서 불필요한 부분을 없앰으로써 발전 효율을 향상시키고, 부재 비용을 감소시키는 것이 가능한 태양 전지셀을 제공하는 것이 가능해진다.
Claims (2)
- 결정 규소 기판과, 상기 결정 규소 기판의 수광면에 형성되는 외부 전력 취출용의 셀 전극과, 상기 셀 전극에 접속되는 표면 탭선과, 상기 결정 규소 기판의 반수광면에 형성되는 이면 전극과, 상기 이면 전극에 접속되는 이면 탭선을 갖는 태양 전지셀에 있어서, 상기 이면 전극과 이면 탭선의 접속이 수지계의 도전 페이스트 또는 도전 필름에 의해 이루어져 있으며, 상기 이면 전극이 상기 결정 규소 기판의 반수광면에 고르게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양 전지셀.
- 제1항에 있어서, 상기 표면 탭선과 상기 셀 전극의 접속이 수지계의 도전 페이스트 또는 도전 필름에 의해 이루어져 있는 태양 전지셀.
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| JP6060684B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2017-01-18 | 日立化成株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP5789544B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2015-10-07 | 韓國電子通信研究院Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 伝導性組成物並びにこれを含むシリコン太陽電池及びその製造方法 |
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| JP6113196B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-04-12 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
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| US10309012B2 (en) | 2014-07-03 | 2019-06-04 | Tesla, Inc. | Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing |
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Family Cites Families (28)
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|---|---|---|---|---|
| US4256513A (en) * | 1978-10-19 | 1981-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| DE2944185A1 (de) * | 1979-11-02 | 1981-05-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Solarzelle |
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| JPH11186572A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 光起電力素子モジュール |
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| JP2000286436A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池出力領域の製造方法 |
| JP2002359048A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Canon Inc | 導体の接続方法、導体の接続構造、該接続構造を有する太陽電池モジュール |
| JP2004146464A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Sharp Corp | 太陽電池およびその製造方法、太陽電池用インターコネクター、ストリングならびにモジュール |
| JP3879666B2 (ja) | 2002-12-24 | 2007-02-14 | 日立電線株式会社 | 太陽電池接続用リード線 |
| US20040200522A1 (en) * | 2003-03-17 | 2004-10-14 | Kyocera Corporation | Solar cell element and solar cell module |
| JP4329532B2 (ja) * | 2003-07-15 | 2009-09-09 | 日立電線株式会社 | 平角導体及びその製造方法並びにリード線 |
| JP2005101519A (ja) | 2003-09-05 | 2005-04-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 太陽電池ユニット及び太陽電池モジュール |
| JP4232597B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2009-03-04 | 株式会社日立製作所 | シリコン太陽電池セルとその製造方法 |
| JP2005123349A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP4464708B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-05-19 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2005252062A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池装置 |
| WO2006003830A1 (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-12 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
| JP2007019069A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
| US7718092B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-05-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
| JP5323310B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2013-10-23 | 日立化成株式会社 | 接続構造及びその製造方法 |
| JP2007179682A (ja) | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | ディスク再生装置およびコンテンツ再生方法 |
| CN103360976B (zh) * | 2006-04-26 | 2016-08-03 | 日立化成株式会社 | 粘接带及使用其的太阳能电池模块 |
| JP2008085469A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Epson Toyocom Corp | 導電性接着剤およびこれを利用した圧電デバイス |
| JP2008120990A (ja) | 2006-10-17 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着剤組成物、異方導電性フィルム、回路部材の接続構造、及び、被覆粒子の製造方法 |
| JP5468199B2 (ja) | 2006-11-22 | 2014-04-09 | 日立化成株式会社 | 導電性接着剤組成物、電子部品搭載基板及び半導体装置 |
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