KR20100056640A - 단결정 성장장치 - Google Patents

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문지훈
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Abstract

실리콘 웨이퍼용 단결정 성장장치가 개시된다. 단결정 성장장치는 챔버의 내부에 실리콘 용액을 수용하는 도가니와, 도가니를 가열하는 히터를 구비하고, 단결정 성장 시 네킹 부위의 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있도록 결정에 열을 공급하는 열공급수단을 포함하여 구성될 수 있다. 네킹 공정 시 집열반사판 또는 자체발열체 등과 같은 열공급수단을 이용하여 네킹 부위의 결정에 열을 공급하여 줌으로써, 네킹 공정 시 네킹 부위의 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 네킹 부위의 결정 내 전위 이동 속도를 줄일 수 있다. 따라서, 네킹 공정 시 네킹 부위의 결정 내 전위 이동 속도를 줄일 수 있게 됨으로써, 향후 고중량 대구경의 단결정을 성장할 시에 고중량을 지지하기 위해 보다 큰 직경으로 네킹 공정을 진행할 수 있다.
단결정,실리콘,네킹(Necking),전단응력(Shear stress),전위(Dislocation)

Description

단결정 성장장치{SINGLE CRYSTAL GROWTH APPARATUS}
본 발명은 실리콘 웨이퍼용 단결정 성장장치에 관한 것으로, 네킹 공정 시 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있는 단결정 성장장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 시 기판으로 주로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)는 일반적으로 고순도 다결정 실리콘을 제조한 후, 쵸크랄스키(Czochralski: CZ) 결정성장법 또는 플로팅 존(floating-zone: FZ) 결정성장법 등에 따라 다결정 실리콘으로부터 단결정을 성장시켜 단결정 실리콘 봉을 생산하고 이를 얇게 절단하여 실리콘 웨이퍼를 생산하며, 웨이퍼의 일면을 경면 연마(polishing)하고 세정한 후 최종 검사하여 제조한다.
단결정 성장 시 종자결정(Seed crystal)을 이용해 단결정을 성장시키게 되는데, 이때 저온의 종자결정이 고온의 실리콘 용액에 접촉하게 되면 열충격(Thermal shock)이 발생하게 된다. 이 열충격으로 인해 결정 내에 전단응력(Shear stress)이 발생하게 되고, 이 전단응력으로 인해 단결정 내부에 전위(Dislocation)가 발생하게 된다.
이러한 전위를 제거하기 위해 단결정 성장 시 네킹(Necking)공정을 진행하게 되는데, 네킹 공정은 단결정을 가늘고 길게 뽑아내어 전위를 제거하는 공정기술로서, 현재까지의 공정기술은 네킹 공정 시 결정의 직경을 약 5mm 정도로 진행하고 있다.
향후 고중량 대구경의 단결정을 성장할 시에 고중량을 지지하기 위해 보다 큰 직경으로 네킹 공정을 진행해야 한다. 그러나, 단결정 성장 시 결정의 직경을 크게 하면 전단응력이 증가하게 되고 이에 따라 결정 내부의 전위 이동 속도 역시 증가하게 된다(도 1 참조). 따라서, 결정 내 전위의 이동 속도를 줄이기 위해서는 전단응력을 감소시킬 필요가 있다.
본 발명은 상기와 같은 점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 네킹 공정 시 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄임으로써, 고중량 대구경 단결정 성장 시 필요한 네킹 공정에서 결정의 직경을 증가시킬 수 있는 단결정 성장장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 단결정 성장장치는, 챔버, 상기 챔버의 내부에 구비되며, 실리콘 용액을 수용하는 도가니, 상기 챔버의 내부에 구비되며, 상기 도가니를 가열하는 히터, 및 단결정 성장 시 네킹 부위의 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 상기 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있도록 상기 결정에 열을 공급하는 열공급수단을 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 열공급수단은 상기 실리콘 용액 또는 상기 히터로부터 복사되는 열을 집열하여 상기 결정에 공급하는 제 1 열공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 열공급부는 상기 결정의 외곽을 감싸는 형상으로 형성되는 집열반사판인 것이 바람직하다.
또한, 상기 집열반사판은 원뿔 또는 다각뿔 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 집열반사판의 중앙에는 종자결정을 인상하는 케이블이 관통하도록 케이블 관통홀이 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 집열반사판은 종자결정을 인상하는 인상수단에 의해 상기 종자결정의 인상과 연동하여 이동할 수 있다.
또한, 상기 열공급수단은 자체 발열을 통해 상기 결정에 열을 공급하는 제 2 열공급부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 열공급부는 상기 집열반사판에 적어도 하나 구비되는 발열체인 것이 바람직하다.
또한, 상기 열공급수단은 자체 발열을 통해 상기 결정에 열을 공급하는 발열체이고, 상기 발열체는 상기 결정의 외곽을 감싸도록 원뿔 또는 다각뿔 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 단결정 성장장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 구비되며, 실리콘 용액을 수용하는 도가니, 상기 챔버의 내부에 구비되며, 상기 도가니를 가열하는 히터, 및 상기 챔버의 내부에 구비되며 단결정 성장 시 상기 실리콘 용액 또는 상기 히터로부터 복사되는 열을 집열하여 네킹 부위의 결정에 반사하는 집열반사판, 및 상기 챔버의 내부에 구비되며, 단결정 성장 시 자체 발열을 통해 상기 결정에 열을 공급하는 발열체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 집열반사판 및 상기 발열체는 종자결정을 인상하는 인상수단에 의해 상기 종자결정의 인상과 연동하여 이동할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있 다.
상기한 바와 같은 본 발명의 단결정 성장장치에 따르면, 네킹 공정 시 집열반사판 또는 자체발열체 등과 같은 열공급수단을 이용하여 결정에 열을 공급하여 줌으로써, 네킹 공정 시 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있다.
따라서, 네킹 공정 시 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있게 됨으로써, 향후 고중량 대구경의 단결정을 성장할 시에 고중량을 지지하기 위해 보다 큰 직경으로 네킹 공정을 진행할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 단결정 성장장치를 상세히 설명하기로 한다. 참고로 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 단결정 성장장치를 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 3은 도 2에 나타낸 제 1 열공급부의 사시도이며, 도 4는 도 3의 A-A선에 따른 단면도이다.
도 2 내지 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 실리콘 단결정 성장장치(100)는 챔버(10), 도가니(20), 히터(30), 인상수단(40) 및 열공급수단(50) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
챔버(10)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer)용 단결정 잉곳(Ingot)을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다. 여기서, 실리콘 단결정 잉곳(IG) 성장을 위한 대표적인 제조방법으로는 단결정인 종자결정(seed crystal)(1)을 용융 실리콘에 담근 후 천천히 끌어 올리면서 결정을 성장시키는 쵸크랄스키(Czochralsk.CZ)법이 있다. 이 방법에 따르면, 먼저, 종자결정(1)으로부터 가늘고 긴 결정을 성장시키는 네킹(necking)공정을 거치고 나면, 결정을 직경방향으로 성장시켜 목표직경으로 만드는 솔더링(shouldering)공정을 거치며, 이후에는 일정한 직경을 갖는 결정으로 성장시키는 바디그로잉(body growing)공정을 거치며, 일정한 길이만큼 바디그로잉이 진행된 후에는 결정의 직경을 서서히 감소시켜 결국 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing)공정을 거쳐 단 결정 성장이 마무리된다.
챔버(10)의 내벽에는 후술할 히터(30)의 열이 챔버(10)의 측벽부로 방출되지 못하도록 복사 단열체(11)가 설치될 수 있다.
최근에는 실리콘 단결정 웨이퍼의 주요 품질 항목으로 산소 농도가 큰 부분을 차지하고 있으며, 이러한 실리콘 단결정 성장 시의 산소 농도를 제어하기 위하여 후술할 석영 도가니(20)의 회전 내부의 압력 조건 등 다양한 인자들을 조절하고 있다. 특히, 산소 농도를 제어하기 위하여 실리콘 단결정 성장 장치의 챔버(10) 내부에 아르곤 가스를 주입하여 하부로 배출할 수 있다.
도가니(20)는 실리콘 용액(SM)을 담을 수 있도록 챔버(10)의 내부에 구비되며, 석영 재질로 이루어진다. 석영 도가니(20)의 외부에는 석영 도가니(20)를 지지할 수 있도록 흑연으로 이루어지는 도가니 지지대(21)가 구비될 수 있다. 도가니 지지대(21)는 회전축(23) 상에 고정 설치되고, 이 회전축(23)은 구동수단(미도시)에 의해 회전되어 석영 고가니(20)를 회전 및 승강 운동시키면서 고-액 계면이 동일한 높이를 유지하도록 한다.
히터(30)는 석영 도가니(20)를 가열하도록 챔버(10)의 내부에 구비된다. 보다 상세하게는, 히터(30)는 도가니 지지대(21)를 에워싸는 원통형으로 이루어질 수 있다. 이러한 히터(30)는 석영 도가니(20) 내에 적재된 고순도의 다결정 실리콘 덩어리를 용융하여 실리콘 용액(SM)으로 만들게 된다.
인상수단(40)은 케이블(41)을 감아 인상(引上)할 수 있도록 챔버(10)의 상부에 설치된다. 이 케이블(41)의 하부에는 석영 도가니(20) 내의 실리콘 용액(SM)에 접촉되어 인상되면서 단결정 잉곳(IG)을 성장시키는 종자결정(1)이 설치된다. 인상수단(40)은 단결정 잉곳(IG) 성장 시 케이블(41)을 감아 인상하면서 회전 운동하며, 이 때 실리콘 단결정 잉곳(IG)은 석영 도가니(20)의 회전축(23)과 동일한 축을 중심으로 하여 도가니(20)의 회전방향과 반대방향으로 회전시키면서 끌어 올린다.
열공급수단(50)은 실리콘 단결정 성장 시 열충격(thermal shock)에 따른 네킹 부위(5)의 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있도록 네킹 부위(5)의 결정에 열을 공급한다.
열공급수단(50)은 실리콘 용액(SM) 또는 히터(30)로부터 복사되는 열을 집열하여 네킹 결정에 공급하여 결정의 온도차를 줄이는 제 1 열공급부(51)를 포함할 수 있다.
제 1 열공급부(51)는 네킹 결정의 외곽을 감싸는 형상으로 형성되는 집열반사판(이하, 참조부호 '51'로 설명함)을 포함할 수 있다.
집열반사판(51)은 원뿔 또는 다각뿔 등 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 일반적인 단결정 성장 시 결정 직경을 고려할 때, 300mm 이하의 직경으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 집열반사판(51)은 네킹 공정 시 결정을 향할 수 있도록 경사각도를 15도 내지 75도까지 적용하는 것이 바람직하다.
집열반사판(51)은 열흡수가 우수한 흑연(graphite) 재질 또는 반사율이 높은 몰리브덴(molybdenum) 재질 등 여러 재질이 적용될 수 있다.
집열반사판(51)의 중앙에는 종자결정(1)을 인상하는 케이블(41)이 관통하도 록 케이블 관통홀(50a)이 형성된다.
집열반사판(51)은 종자결정(1)의 상부에 위치하며, 종자결정(1)을 인상하는 인상수단(40)에 의해 종자결정(1)의 인상과 연동하여 이동하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 단결정 성장장치를 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 6 및 7은 도 5에 나타낸 제 1 및 제 2 열공급부의 사시도이며, 도 8은 도 6의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 5 내지 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 단결정 성장장치(200)는 챔버(10), 도가니(20), 히터(30), 인상수단(40) 및 열공급수단(50) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에서는, 열공급수단(50)을 제 1 실시예의 집열반사판과 더불어 자체 발열하는 발열체를 더 포함하는 구성을 제외하고는 도 1 내지 4를 참조하여 설명한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하다. 따라서, 상기 제 1 실시예와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 병기하며, 상세한 설명은 생략한다.
열공급수단(50)은 단결정 성장 시 실리콘 용액(SM) 또는 히터(30)로부터 복사되는 열을 집열하여 네킹 결정에 공급하는 제 1 열공급부(51)와, 자체 발열을 통해 네킹 결정에 열을 공급하는 제 2 열공급부(52)를 구비할 수 있다.
제 1 열공급부(51)는 종자결정(1)의 상부에 네킹 결정의 외곽을 감싸는 형상으로 구비되며, 실리콘 용액(SM) 또는 히터(30)로부터 복사되는 열을 집열하여 네킹 결정에 공급하는 집열반사판(51)을 포함할 수 있다.
제 2 열공급부(52)는 집열반사판(51)에 적어도 하나 구비되며, 자체 발열을 통해 네킹 결정에 열을 공급하는 발열체(이하, 참조부호 '52'로 설명함)이다.
발열체(52)는 집열반사판(51)의 하면에 부착되며 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 발열체(52)는 집열반사판(51)의 하면에 원주면을 따라 일체형으로 구비될 수 있다.
또는, 도 7에 도시된 바와 같이, 발열체(52)는 집열반사판(51)의 하면에 대략 삼각형의 형상으로 다수 분리되어 구비될 수 있다. 본 실시예에서는 발열체(52)의 형상을 다수의 삼각형으로 하는 구성을 예시하였으나, 이에 한정되지 않고 원, 타원 또는 다각형 등 다양한 형상으로 구성할 수 있다.
도면에 도시된 바 없지만, 발열체(52)는 자체 발열을 통해 네킹 결정에 열을 공급하는 구성요소로서, 발열체(52)는 종자결정(1)의 상부에 위치하며, 네킹 결정의 외곽을 감싸도록 원뿔 또는 다각뿔 형상으로 형성될 수도 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 단결정 성장장치(100, 200)는 단결정 성장 시 네킹 부위(5)의 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄임으로써 네킹 공정 시에 결정의 직경을 늘일 수 있다.
네킹 공정 시 결정 내부의 전단 응력을 감소시키기 위해서는 결정의 온도를 낮추거나 온도차를 줄이는 방법으로 개선 안을 도출할 수 있으나, 온도를 낮추는 방법은 결정이 실리콘 용액(SM)과 접촉하고 있으므로 거의 불가능하고, 결정의 온도차를 줄이는 방법으로 접근해야 한다.
즉, 본 발명의 단결정 성장장치(100, 200)는 네킹 공정 시 결정의 온도차를 줄이기 위해 실리콘 용액(SM) 또는 히터(30)의 열을 흡수하여 결정으로 보내거나 자체 발열하여 결정으로 열을 보낸다.
보다 상세하게는, 결정의 외곽을 감싸도록 원뿔 또는 다각뿔 형상으로 집열반사판(51)을 구비하여 네킹 공정 시 실리콘 용액(SM) 또는 히터(30)로부터 복사되는 열을 집열하여 결정에 공급하거나 자체 발열하는 발열체(52)를 통해 결정에 열을 공급하게 된다. 이처럼 네킹 공정 시 결정에 열을 공급하여 줌으로써 결정의 온도차를 줄일 수 있게 된다. 따라서, 결정의 온도차에 따른 열충격(thermal shock)을 줄여 결정 내 전단 응력의 발생을 감소시킴으로써, 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있다.
도 9는 일반적인 단결정 성장장치와 본 발명에 따른 단결정 성장장치를 각각 적용하는 경우에 네킹 공정 시 결정 내부의 전단응력 발생 결과를 보여주는 예시도이다.
실험 결과에 따르면, 도 9(a)는 일반적인 단결정 성장장치를 적용하는 경우, 네킹 공정 시 결정 내부에서 발생하는 전단응력이 2.5E6N/㎡ 정도되는 상태를 보여주고 있다. 이에 반하여, 도 9(b)는 본 발명에 따른 단결정 성장장치(100, 200)를 적용하는 경우, 네킹 공정 시 결정 내부에서 발생하는 전단응력이 1.7E6N/㎡ 정도되는 상태를 보여주고 있다.
즉, 본 발명의 단결정 성장장치(100, 200)는 네킹 공정 시 집열반사판(51) 또는 자체발열체(52) 등과 같은 열공급수단(50)을 이용하여 결정의 온도차에 따른 열충격을 줄일 수 있도록 결정에 열을 공급하여 줌으로써, 기존 대비 0.8E6N/㎡ 정도의 전단응력을 감소시킬 수 있었다. 따라서, 실리콘 단결정 성장 시 네킹 부위(5)의 결정 내 전단 응력의 발생을 감소시킴으로써, 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있다.
또한, 네킹 공정 시 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있게 됨으로써, 향후 고중량 대구경의 단결정을 성장할 시에 고중량을 지지하기 위해 보다 큰 직경으로 네킹 공정을 진행할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 단결정 성장 시 결정 내부에서 발생하는 전단응력과 전위속도의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 단결정 성장장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 3은 도 2에 나타낸 제 1 열공급부의 사시도이다.
도 4는 도 3의 A-A선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 단결정 성장장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 6 및 7은 도 5에 나타낸 제 1 및 제 2 열공급부의 사시도이다.
도 8은 도 6의 B-B선에 따른 단면도이다.
도 9는 일반적인 단결정 성장장치와 본 발명에 따른 단결정 성장장치를 각각 적용하는 경우에 네킹 공정 시 결정 내부의 전단응력 발생 결과를 보여주는 예시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 챔버 20 : 도가니
21 : 도가니 지지대 23 : 회전축
30 : 히터 40 : 인상수단
50 : 열공급수단 51 : 제1열공급부,집열반사판
52 : 제2열공급부,발열체 100,200 : 단결정 성장장치

Claims (12)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 내부에 구비되며, 실리콘 용액을 수용하는 도가니;
    상기 챔버의 내부에 구비되며, 상기 도가니를 가열하는 히터; 및
    단결정 성장 시 네킹 부위의 결정에서 발생하는 전단응력을 감소시켜 상기 결정 내부의 전위 이동 속도를 줄일 수 있도록 상기 결정에 열을 공급하는 열공급수단을 포함하는 단결정 성장장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 열공급수단은 상기 실리콘 용액 또는 상기 히터로부터 복사되는 열을 집열하여 상기 결정에 공급하는 제 1 열공급부를 포함하는 단결정 성장장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 열공급부는 상기 결정의 외곽을 감싸는 형상으로 형성되는 집열반사판인 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 집열반사판은 원뿔 또는 다각뿔 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 집열반사판의 중앙에는 종자결정을 인상하는 케이블 이 관통하도록 케이블 관통홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 집열반사판은 종자결정을 인상하는 인상수단에 의해 상기 종자결정의 인상과 연동하여 이동하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 열공급수단은 자체 발열을 통해 상기 결정에 열을 공급하는 제 2 열공급부를 더 포함하는 단결정 성장장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 열공급부는 상기 집열반사판에 적어도 하나 구비되는 발열체인 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 열공급수단은 자체 발열을 통해 상기 결정에 열을 공급하는 발열체인 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 발열체는 상기 결정의 외곽을 감싸도록 원뿔 또는 다각뿔 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
  11. 챔버;
    상기 챔버의 내부에 구비되며, 실리콘 용액을 수용하는 도가니;
    상기 챔버의 내부에 구비되며, 상기 도가니를 가열하는 히터; 및
    상기 챔버의 내부에 구비되며, 단결정 성장 시 상기 실리콘 용액 또는 상기 히터로부터 복사되는 열을 집열하여 네킹 부위의 결정에 반사하는 집열반사판; 및
    상기 챔버의 내부에 구비되며, 단결정 성장 시 자체 발열을 통해 상기 결정에 열을 공급하는 발열체를 포함하는 단결정 성장장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 집열반사판 및 상기 발열체는 종자결정을 인상하는 인상수단에 의해 상기 종자결정의 인상과 연동하여 이동하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치.
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