CN107881553A - 一种拉晶炉 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种拉晶炉，包括：一用于装纳熔融硅料的坩埚；一可于所述坩埚上方上下移动的籽晶夹头；一位于所述坩埚上方的热屏，所述热屏具有一开口；其中，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8～1.2倍。本发明提供的拉晶炉中，由于用于加持籽晶的籽晶夹头的尺寸与所形成的晶棒的晶体尺寸差异较小，从而在生长晶体的初始阶段，可减小所形成的晶体经由热屏的开口暴露出的面积，进而可有效抑制了热量的大量散失，抑制了所形成的晶冠以及靠近晶冠的晶体中缺陷的形成。

Description

一种拉晶炉

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种拉晶炉。

背景技术

晶棒是用于制造许多电子元件的原硅料，所述晶棒通常是采用拉晶炉制成。图1a为现有的拉晶炉的结构示意图，如图1a所示，所述拉晶炉包括：一用于装纳熔融硅料的坩埚11、一用于夹持籽晶13的籽晶夹头12、一用于减少所述熔融硅料的热量损失的热屏14。

以下参考图1a‐图1c所示的拉晶炉在长晶过程中的结构示意图，解释说明采用现有的拉晶炉生长晶棒的过程。

首先，参考图1a所示，所述籽晶夹头12夹持籽晶13并以朝向所述坩埚11的方向向下移动，使所述籽晶13与熔融硅料接触。

接着，参考图1b和1c所示，将所述籽晶13向上拉起以形成晶棒，所述晶棒的形成过程包括：引晶生长(Neck Growth)、晶冠生长(Grown Growth)、晶体生长(Body Growth)以及尾部生长(Tail Growth)。其中，图1b示出了生长引晶和晶冠的结构示意图，所述晶冠为锥形结构；图1c示出了生长晶体的结构示意图，所述晶体为柱状结构。

然而，发明人在对所形成的晶棒进行品质检测时，常常会发现在紧邻晶冠部分的晶体(图1c中虚线框所示的区域)不符合品质要求，而不得不舍弃该部分晶体，进而造成了大量的资源及加工成本的浪费。

发明内容

本发明的目的在于提供一种拉晶炉，以解决现有的拉晶炉在形成晶棒时，靠近晶冠处的初始形成的晶体质量较差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种拉晶炉，包括：

一坩埚，所述坩埚用于装纳熔融硅料；

一籽晶夹头，所述籽晶夹头用于夹持用来生长晶棒的籽晶，所述籽晶夹头可于所述坩埚的上方上下移动；

一热屏，所述热屏位于所述坩埚上方并具有一开口，在长晶工艺过程中所述籽晶向下移动并经由所述开口与所述坩埚中的熔融硅料接触，以及所形成的晶棒经由所述开口拉出；

其中，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8～1.2倍。

可选的，所述籽晶夹头包括一第一部件以及一可拆卸连接于所述第一部件上的第二部件，所述第一部件和第二部件共同限制一用于夹持所述籽晶的夹持空间。

可选的，所述第一部件和第二部件以沿着所述籽晶夹头的移动方向连接，所述第二部件连接于所述第一部件的下方。

可选的，所述第二部件上具有一贯穿所述第二部件的通孔，所述籽晶通过所述通孔延伸出。

可选的，所述第二部件靠近所述第一部件的一侧上还具有一凹槽，所述凹槽与所述通孔连通，所述第一部件靠近所述第二部件的端面和所述第二部件上的凹槽以及通孔组合形成所述夹持空间。

可选的，所述第一部件靠近所述第二部件的一侧上具有一凹槽，所述凹槽和所述通孔组合形成所述夹持空间。

可选的，所述第一部件和所述第二部件通过螺纹连接。

可选的，所述第一部件在其与所述第二部件的连接处设置有内螺纹，所述第二部件在其与所述第一部件的连接处设置有外螺纹。

可选的，所述籽晶的一端具有一位于所述籽晶夹头内的夹持部件，所述籽晶的另一端从所述籽晶夹头中延伸出以用于和所述坩埚中的熔融硅料接触。

可选的，所述籽晶的夹持部件为T型或I型结构。

可选的，所形成的晶棒包括引晶、晶冠、晶体以及尾部，所述晶体为圆柱体结构。

可选的，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上具有最大截面尺寸的截面形状为圆形。

可选的，所述拉晶炉还包括一拉晶单元，所述拉晶单元设置于所述坩埚上方并连接所述籽晶夹头，用于控制所述籽晶夹头的上下移动。

可选的，所述拉晶单元包括一提拉线以及一控制所述提拉线上升下降的驱动机构，所述提拉线连接所述籽晶夹头。

可选的，所述拉晶炉还包括一加热器，所述加热器围绕所述坩埚设置。

可选的，所述拉晶炉还包括一惰性气体供应系统，所述惰性气体供应系统用于向拉晶炉的炉内通入惰性气体。

可选的，所述惰性气体为氩气。

可选的，所述拉晶炉采用磁场直拉法形成所述晶棒。

本发明提供的拉晶炉中，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8～1.2倍，即由于用于加持籽晶的籽晶夹头的尺寸与所形成的晶棒的晶体尺寸差异较小(即，所述籽晶夹头的尺寸接近或等于晶棒尺寸)，从而在生长晶冠的过程中以及生长晶体的初始阶段，可减小所形成的晶冠或晶体经由热屏的开口暴露出的面积，进而有效抑制了热量从晶体表面大量散失，避免了所形成的晶冠以及靠近晶冠的晶体中会产生大量缺陷的问题。并且，与现有技术相比，本发明提供的拉晶炉中，所述籽晶夹头具有较大的尺寸，因此通过所述籽晶夹头还可对散出的热量进行反射，一方面可进一步减少热量从晶体表面散失，另一方面也可减少熔融硅料的热量流失，进而可改善熔融硅料在各个区域之间的温度差异。即，本发明所述提供的拉晶炉，在生长晶棒的过程中，可使拉晶炉炉内的热场分布更为稳定，不仅避免了靠近晶冠处的晶体产生缺陷，并且还可进一步提高所形成的晶体的品质。

附图说明

图1a为现有的拉晶炉的结构示意图；

图1b～1c为现有的拉晶炉在长晶过程中的结构示意图；

图2a为本发明一实施例中的拉晶炉的结构示意图；

图2b为图2a所示的本发明一实施例中的拉晶炉的局部示意图

图3～4为本发明一实施例中的拉晶炉在长晶过程中的结构示意图；

图5a为本发明一实施例中拉晶炉的籽晶夹头的结构示意图；

图5b为本发明一实施例中拉晶炉的籽晶夹头夹持籽晶的结构示意图；

图6a为本发明另一实施例中拉晶炉的籽晶夹头的结构示意图；

图6b为本发明另一实施例中拉晶炉的籽晶夹头夹持籽晶的结构示意图；

图7为本发明又一实施例中拉晶炉的籽晶夹头的结构示意图；

图8为现有的拉晶炉与本发明中的拉晶炉的固液界面温度梯度的比对图；

图9为现有的拉晶炉与本发明中的拉晶炉的V/G值的比对图；

图10为现有的拉晶炉与本发明中的拉晶炉在生长靠近晶冠处的晶体时热场的温度分布的比对示意图。

具体实施方式

针对背景技术所述的在靠近晶冠处的初始形成的晶体不符合品质要求的问题，本申请的发明人经过多番研究发现，正是由于现有的拉晶炉以及所形成的硅锭的结构特性，进而导致了紧邻晶冠生长的晶体极易产生缺陷。

具体参考图1b和图1c所示，在生长晶体的初始阶段，所形成的晶体从所述热屏14的开口中暴露出，以及使熔融硅料也产生较大的热量损失，由此导致了所形成的晶体表面与熔融硅料产生了较大的温度波动，进而使所形成的晶体产生大量的缺陷；而随着晶体的不断生长，所形成的晶体从所述热屏14的开口中被拉出，进而使靠近熔融硅料的新生长的晶体通过所述开口而暴露出的面积逐渐减小并维持稳定，从而使新生长出的晶体与坩埚中的熔融硅料均维持在稳定的温度范围内，因此在后续所形成的晶体的品质较佳。

为此，本发明提供了一种拉晶炉，包括：

一坩埚，所述坩埚用于装纳熔融硅料；

一籽晶夹头，所述籽晶夹头用于夹持用来生长晶棒的籽晶，所述籽晶夹 头可于所述坩埚的上方上下移动；

一热屏，所述热屏位于所述坩埚上方并具有一开口，在长晶工艺过程中所述籽晶向下移动并经由所述开口与所述坩埚中的熔融硅料接触，以及所形成的晶棒经由所述开口拉出；

其中，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8～1.2倍。

本发明提供的拉晶炉中，所述籽晶夹头与所形成的晶棒在水平剖面上的尺寸差异较小(即，所述籽晶夹头的尺寸接近或等于晶棒尺寸)，从而在晶冠以及晶体的生长阶段，可减小所形成的晶冠或晶体经由热屏的开口暴露出的面积，进而有效抑制了热量的大量散失，避免了在晶冠中以及在靠近晶冠的晶体中产生大量的缺陷。并且，由于所述籽晶夹头具有较大的尺寸，因此通过所述籽晶夹头还可对散出的热量进行反射，进一步缓解了晶体表面的热量损失以及熔融硅料的热量损失，改善熔融硅料在各个区域之间的温度差异。即，本发明所述提供的拉晶炉，在生长晶棒的过程中，可有效维持所述拉晶炉炉内的热场，进而提高所形成的晶体的品质。

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种拉晶炉作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图2a为本发明一实施例中的拉晶炉的结构示意图，图2b为图2a所示的本发明一实施例中的拉晶炉的局部示意图；结合图2a和图2b所示，所述拉晶炉包括：

一坩埚110，所述坩埚110用于装纳熔融硅料；

一籽晶夹头120，所述籽晶夹头120用于夹持用来生长晶棒的籽晶130，所述籽晶夹头120可在所述坩埚110的上方上下移动；

一热屏140，所述热屏140位于所述坩埚110上方并具有一开口，在长晶过程中所述籽晶130向下移动并经由所述开口与所述坩埚110中的熔融硅料接触，以及所形成的晶棒经由所述开口拉出；通过所述热屏可有效减少熔融硅料的热量损失；

其中，所述籽晶夹头120在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸H1为所形成的晶棒200于同一方向上的最大截面尺寸H2的0.8～1.2倍，即，0.8≦H1/H2≦1.2。

图3和图4为本发明一实施例中的拉晶炉在形成晶棒过程中的结构示意图，参考图3‐4并结合图2a‐2b所示，由于所述籽晶夹头120在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸H1与所形成的晶棒200于同一方向上的最大截面尺寸H2的差异较小，从而不论是靠近晶冠的初始生长的晶体(如图3所示)，或是在后续所生长的晶体(如图4所示)，其在生长过程中，所述晶冠、晶体以及坩埚中的熔融硅料通过热屏140的开口暴露出的面积均较小，从而保证了晶体在形成过程中的温度稳定性，并且，通过所述籽晶夹头120还可对散出的热量进行反射，进一步减少了热量的损失，避免了晶冠以及靠近晶冠的晶体出现大量的缺陷。

通常所形成的晶棒包括引晶、晶冠、晶体以及尾部，所述晶体为圆柱体结构。相对应的，所述籽晶夹头120在其移动方向上具有最大截面尺寸H1的截面形状优选为圆形。更优选的，所述籽晶夹头120在垂直于其移动方向上的截面直径H1与所述晶体的截面直径H2相同，从而在生长晶体的整个过程中，各个区域的晶体表面通过热屏140的开口暴露出的空间大小均一致，从而使拉晶炉炉内的热场维持于一稳定的状态，提高所形成的晶体的品质。在具体的实施例中，当需形成的晶棒的直径为300mm时，则所述籽晶夹头120的尺寸优选为250mm～350mm，更优选的，所述籽晶夹头120的尺寸也为300mm。

图5a为本发明一实施例中拉晶炉的籽晶夹头的结构示意图，图5b为本发明一实施例中拉晶炉的籽晶夹头夹持籽晶的结构示意图，结合图5a和图5b所示，本实施例中，所述籽晶夹头120包括一第一部件121和一第二部件122，所述第二部件122为可拆装的连接于所述第一部件121上，通过所述第一部件121和第二部件122的连接，以共同限制出一用于夹持籽晶130的夹持空间。

进一步的，所述第一部件121和所述第二部件122以沿着所述籽晶夹头120的移动方向连接，即，所述第一部件121和所述第二部件122以上 下结构连接，本实施例中，所述第二部件122连接于所述第一部件121的下方。

继续参考图5a所示，所述第二部件122上具有一贯穿所述第二部件122的通孔122a，所述籽晶130即通过所述通孔122a延伸出。进一步的，所述第二部件122靠近所述第一部件121的一侧上还具有一凹槽122b，所述凹槽122b与所述通孔122a连通，进而使所述第一部件121靠近所述第二部件122的端面121a和所述第二部件上的凹槽122b以及通孔122a组合形成用于夹持籽晶130的夹持空间。

进一步的，所述第一部件121和第二部件122通过螺纹连接。具体的，所述第一部件121在其与所述第二部件122的连接处设置有内螺纹121c，所述第二部件122在其与所述第一部件121的连接处设置有外螺纹122c，即，通过第一部件121上的内螺纹121c和所述第二部件122上的外螺纹122c实现两者的固定连接。本实施例中，所述第一部件121和第二部件122通过在各自的连接处均设置有连接螺纹，而不需通过额外的其他紧固件实现第一部件和第二部件的固定连接，不但使所述籽晶夹头的结构更为简单并且还能节省成本。

接着参考图5b所示，与所述籽晶夹头120相对应的，本实施例中，所述籽晶130的一端具有一位于所述籽晶夹头120内的夹持部件131，具体的，所述籽晶130的夹持部件131位于所述籽晶夹头120的夹持空间内。所述籽晶130的另一端从所述籽晶夹头120中延伸出，进而可用于和所述坩埚11中的熔融硅料接触。优选的，所述籽晶130的夹持部件为T型结构。

本实施例中，所述夹持空间由第一部件121的端面121a和第二部件122的凹槽122b及通孔122a构成。在其他实施例中，所述夹持空间也可以是通过其他方式形成，例如参考图6a和图6b所示，所述第一部件121靠近所述第二部件122一侧上具有一凹槽121A，所述第二部件122上具有一贯穿所述第二部件122的通孔122A，所述凹槽121A和所述通孔122A组合形成用于夹持籽晶130的夹持空间，位于所述籽晶130一端的夹持部件131卡合于所述夹持空间内，所述籽晶130的另一端通过所述通孔122A延伸出。除此之外，在其他实施例中，所述第一部件和第二部件也可以是以 垂直于所述籽晶夹头120的移动方向连接的，即，所述第一部件121’和所述第二部件122’以左右结构连接。例如参考图7所示，所述第一部件121’和第二部件122’分别从两侧夹持所述籽晶130’，相对应的，所述籽晶130’的夹持部件可以为I型结构。

继续参考图2a‐2b以及图3‐图4所示，所述拉晶炉还包括一拉晶单元150，所述拉晶单元150设置于所述坩埚110的上方并连接所述籽晶夹头120，用控制所述籽晶夹头120的上下移动。即，在进行长晶的过程中，通过所述拉晶单元150使所述籽晶夹头120向下移动，从而使所述籽晶130可与坩埚110中的熔融硅料接触；以及，通过所述拉晶单元150向上拉出所形成的晶棒。本实施例中，所述拉晶单元150包括一提拉线151以及一控制所述提拉线151上升下降的驱动机构152，所述提拉线151连接所述籽晶夹头。

进一步的，所述拉晶炉还包括一加热器160，所述加热器160位于所述坩埚110的下方，通过所述加热器160对坩埚110进行加热，从而使坩埚110中的原硅料融化，形成熔融硅料，并通过所述加热器160维持坩埚110中的熔融硅料的温度。相对应的，所述拉晶炉还可设置一温度传感器170，通过所述温度传感器170可实时感应坩埚110中的熔融硅料的温度，便于对其进行监控，并且也利于对所述熔融硅料的温度进行控制。

继续参考图2a‐2b以及图3‐图4所示，本实施例中，所述拉晶炉中还包括一惰性气体供应系统(图中未示出)，通过所述惰性气体供应系统可向所述拉晶炉的炉内通入惰性气体。由于在长晶过程中，用于形成晶棒的原硅料在高温下形成熔融硅料，因此，为避免熔融硅料在高温环境下与空气反应，进而对最终产品的品质造成影响，因此，在长晶的过程中，可通过惰性气体对晶棒以及熔融硅料进行全程惰性气体隔离。本实施例中，所述惰性气体在拉晶炉中自上而下通入，当前，在其他实施例中，所述惰性气体还可以从其他方向通入，此处不做限制。具体的，所述惰性气体可以为氩气或氮气等。

此外，本发明提供的拉晶炉可通过外加磁场直拉法(MCZ)工艺形成晶棒。所述外加磁场直拉法，即，在用直拉法生长晶棒时，加上适当的磁 场强度，由于洛伦兹力的作用，可有效抑制熔融硅料的热对流，从坩埚融入熔融硅料中的氧量也可得到控制，从而减小了熔融硅料和石英坩埚发生化学反应。并且，外加磁场会使熔融硅料的粘度增大，阻碍了熔融硅料的流动，从而大大减弱了由于机械振动所引起的熔融硅料的抖动；同时因热对流被抑制，使熔融硅料的温度变化较小。进而使所形成的晶体的生长条纹小，晶体缺陷少。

在本发明提供的拉晶炉中，通过增加籽晶夹头的尺寸，不仅不会对所形成的晶棒的品质造成影响，反而可有效提高所形成的晶棒的品质，并且还能增加所述拉晶炉的使用寿命。以下通过几组具体的实验数据进一步描述本发明中的拉晶炉的有益效果，本次实施中以形成直径为300mm的晶棒为例。

由于晶棒是通过对熔融硅料凝固而形成的，而在固化过程中，其固液界面的温度梯度对所形成的晶棒的品质有着重大的作用，如固液界面的温度梯度过大，极易使所形成的晶棒中产生缺陷，而影响晶棒的品质。图8为现有的拉晶炉与本发明中的拉晶炉的固液界面温度梯度的比对示意图，如图8所示，现有的拉晶炉和本发明中的拉晶炉在生长晶体时的固液界面温度梯度的无明显差异。同时，根据长晶速度(V)与瞬间的固液界面温度梯度(G)成正比的理论，可得出如图9所示的现有的拉晶炉与本发明中的拉晶炉的V/G的比对示意图，结合图8和图9所示，可确定本发明中的拉晶炉在对籽晶夹头进行优化后，并不会对长晶速度造成影响。即，本发明提供的拉晶炉，不仅不会对长晶的速度以及现有的晶体品质造成损害，反而还可进一步改善初始生长的晶体的缺陷。

除了固液界面的温度梯度之外，在直拉法生长晶棒的过程中，晶棒生长的成功与否以及品质的高低受到热场的温度分布所影响。温度分布合适的热场，不仅会使晶棒生长顺利，而且其品质也较高；而如果热场的温度分布不是很合理，则生长晶棒的过程中容易产生各种缺陷，影响品质，情况严重的出现变晶现象。因此，对拉晶炉的热场进行系统的分析，有助于优化晶体生长的工艺流程，提高晶体的成品品质。

图10为现有的拉晶炉与本发明中的拉晶炉在生长靠近晶冠处的晶体 时热场的温度分布的比对示意图，其中，区域A为现有的拉晶炉的热场，区域B为本发明中的拉晶炉的热场，在本发明提供的拉晶炉中籽晶夹头的截面尺寸为300mm。如图10所示，现有的拉晶炉中，所生长的晶冠上温度范围为1600℃～1500℃，在靠近晶冠处的晶体的温度范围为1700℃～1600℃；本发明的拉晶炉中，所生长的晶冠上的温度范围为1700℃～1600℃，在靠近晶冠处的浸提的温度范围为1800℃～1700℃。由此可见，本发明所提供的拉晶炉在生长晶体的初始阶段，可有效抑制晶体的热量损失，进而避免所形成的晶体中产生大量缺陷的问题。继续参考图10所示，现有的拉晶炉中的熔融硅料在各个区域之间的最大温度差异为400℃，而本发明提供的拉晶炉中的熔融硅料在各个区域之间的最大温度差异为300℃，可见，本发明的拉晶炉中，熔融硅料在各个区域之间具有更小的温度差异，并且根据图10可明显发现，本发明中拉晶炉的热场分布更为均匀，各个温度区间的分布梯度较为平缓，如此，可使后续所形成的籽晶具有更好的品质。此外，由于加热器围绕坩埚分布，因此坩埚以及坩埚中的熔融硅料在最靠近加热器区域的温度为2000℃，然而现有拉晶炉中温度为2000℃的区域范围明显大于本发明中拉晶炉的温度为2000℃的区域范围，即，本发明提供的拉晶炉中，通过增加籽晶夹头的尺寸，有效减少了坩埚以及坩埚中的熔融硅料的高温区面积，从而可大大提高所述拉晶炉的使用寿命。

综上所述，本发明提供的拉晶炉中，由于用于加持籽晶的籽晶夹头的尺寸与所形成的晶棒的晶体尺寸差异较小，从而在生长靠近晶冠的晶体的过程中，所述晶体通过热屏的开口暴露出的面积较小，进而有效抑制了热量的散失，提高了所形的晶冠以及靠近晶冠处的晶体的品质。并且，与现有技术相比，本发明提供的籽晶夹头具有较大的尺寸，从而可用于对散出的热量进行反射，一方面可减少热量从晶体表面流失，另一方面也可减少熔融硅料的热量流失，有效减小熔融硅料在各个区域之间的温度差异，使拉晶炉炉内的热场分布更为稳定，进一步提升了所形成的晶体的品质。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰， 均属于权利要求书的保护范围。

Claims (18)

1.一种拉晶炉，包括：

一坩埚，所述坩埚用于装纳熔融硅料；

一籽晶夹头，所述籽晶夹头用于夹持用来生长晶棒的籽晶，所述籽晶夹头可于所述坩埚的上方上下移动；

一热屏，所述热屏位于所述坩埚上方并具有一开口，在长晶工艺过程中所述籽晶向下移动并经由所述开口与所述坩埚中的熔融硅料接触，以及所形成的晶棒经由所述开口拉出；

其特征在于，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8～1.2倍。

2.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述籽晶夹头包括一第一部件以及一可拆卸连接于所述第一部件上的第二部件，所述第一部件和第二部件共同限制一用于夹持所述籽晶的夹持空间。

3.如权利要求2所述的拉晶炉，其特征在于，所述第一部件和第二部件以沿着所述籽晶夹头的移动方向连接，所述第二部件连接于所述第一部件的下方。

4.如权利要求3所述的拉晶炉，其特征在于，所述第二部件上具有一贯穿所述第二部件的通孔，所述籽晶通过所述通孔延伸出。

5.如权利要求4所述的拉晶炉，其特征在于，所述第二部件靠近所述第一部件的一侧上还具有一凹槽，所述凹槽与所述通孔连通，所述第一部件靠近所述第二部件的端面和所述第二部件上的凹槽以及通孔组合形成所述夹持空间。

6.如权利要求4所述的拉晶炉，其特征在于，所述第一部件靠近所述第二部件的一侧上具有一凹槽，所述凹槽和所述通孔组合形成所述夹持空间。

7.如权利要求2所述的拉晶炉，其特征在于，所述第一部件和所述第二部件通过螺纹连接。

8.如权利要求7所述的拉晶炉，其特征在于，所述第一部件在其与所述第二部件的连接处设置有内螺纹，所述第二部件在其与所述第一部件的连接处设置有外螺纹。

9.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述籽晶的一端具有一位于所述籽晶夹头内的夹持部件，所述籽晶的另一端从所述籽晶夹头中延伸出以用于和所述坩埚中的熔融硅料接触。

10.如权利要求9所述的拉晶炉，其特征在于，所述籽晶的夹持部件为T型或I型结构。

11.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所形成的晶棒包括引晶、晶冠、晶体以及尾部，所述晶体为圆柱体结构。

12.如权利要求11所述的拉晶炉，其特征在于，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上具有最大截面尺寸的截面形状为圆形。

13.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括一提拉单元，所述拉晶单元设置于所述坩埚上方并连接所述籽晶夹头，用于控制所述籽晶夹头的上下移动。

14.如权利要求13所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶单元包括一提拉线以及一控制所述提拉线上升下降的驱动机构，所述提拉线连接所述籽晶夹头。

15.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括一加热器，所述加热器围绕所述坩埚设置。

16.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉还包括一惰性气体供应系统，所述惰性气体供应系统用于向拉晶炉的炉内通入惰性气体。

17.如权利要求16所述的拉晶炉，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

18.如权利要求1所述的拉晶炉，其特征在于，所述拉晶炉采用磁场直拉法形成所述晶棒。