KR20100054782A - Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip - Google Patents

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KR20100054782A
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사또시 하야시
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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

Provided is a dicing/die bonding tape for easily and surely picking up a semiconductor chip, in the case of dicing a semiconductor wafer and picking up the semiconductor chip together with a die bonding film. The dicing/die bonding tape is provided with a cohesive/adhesive layer, and a non-cohesive layer laminated on the cohesive/adhesive layer. The non-cohesive layer is formed of a composition containing acrylic ester polymer as a main component, and the non-cohesive layer has a storage elastic modulus of 1-400MPa and a fracture elongation of 5-100% at a temperature when the semiconductor chip is picked up.

Description

다이싱-다이본딩 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법 {DICING/DIE BONDING TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP}Manufacturing method of dicing die-bonding tape and semiconductor chip {DICING / DIE BONDING TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP}

본 발명은 반도체 칩의 제조에 이용되는 다이싱-다이본딩 테이프에 관한 것이고, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼에 접합되어, 다이싱시 및 다이본딩시에 이용되는 다이싱-다이본딩 테이프, 및 상기 다이싱-다이본딩 테이프를 이용한 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding tape used in the manufacture of a semiconductor chip, and more particularly to a dicing die-bonding tape bonded to a semiconductor wafer and used for dicing and die bonding, and the die. A method for manufacturing a semiconductor chip using a sing-die bonding tape.

종래 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩을 잘라내어 기판 등에 실장하기 위해서 다이싱-다이본딩 테이프가 이용되고 있었다. 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 다이본딩 필름의 한쪽면에 반도체 웨이퍼가 첩부되어 있고, 다이본딩 필름의 다른쪽 면에 다이싱 필름이 첩부되어 있다. 다이싱시에는, 반도체 웨이퍼가 다이본딩 필름째 다이싱된다. 다이싱 후에 반도체 칩이 접합된 다이본딩 필름이 다이싱 필름으로부터 박리되고, 다이본딩 필름째 반도체 칩이 취출된다. 또한, 다이본딩 필름측에서 반도체 칩이 기판 상에 실장된다.Conventionally, a dicing die-bonding tape has been used to cut a semiconductor chip from a semiconductor wafer and mount it on a substrate or the like. In a dicing die-bonding tape, a semiconductor wafer is affixed on one side of a die bonding film, and a dicing film is affixed on the other surface of a die bonding film. At the time of dicing, a semiconductor wafer is diced by the die bonding film. After dicing, the die-bonding film to which the semiconductor chip was bonded is peeled from the dicing film, and the die-bonding film-th semiconductor chip is taken out. In addition, a semiconductor chip is mounted on the substrate on the die bonding film side.

다이싱시에는, 다이싱을 안정적으로 행하기 위해서, 반도체 웨이퍼는 다이싱 필름에 견고하게 접합되어 있어야만 한다. 또한, 다이싱 후에 반도체 칩을 픽업할 때는, 반도체 칩이 접합된 다이본딩 필름은 다이싱 필름으로부터 무리하지 않게 박리되어야만 한다. 그 때문에, 기재와, 상기 기재의 표면에 적층되어 있으며, 자외선이나 방사선 등의 조사에 의해 경화되는 점착제로 이루어지는 점착제층을 구비하는 다이싱 필름이 이용되고 있다. 이러한 종류의 다이싱 필름에서는, 다이싱 후에 자외선, 방사선 또는 광 등의 조사에 의해 점착제층이 경화되고, 그에 의해 점착제층의 점착력이 저하된다. 점착제층의 점착력이 저하되면, 반도체 칩이 접합된 다이본딩 필름을 다이싱 필름으로부터 박리하기 쉬워진다.In dicing, in order to perform dicing stably, the semiconductor wafer must be firmly bonded to the dicing film. In addition, when picking up a semiconductor chip after dicing, the die bonding film to which the semiconductor chip is bonded must be peeled off from the dicing film unreasonably. Therefore, the dicing film which has a base material and the adhesive layer which is laminated | stacked on the surface of the said base material, and consists of an adhesive hardened | cured by irradiation of an ultraviolet-ray, a radiation, etc. is used. In this kind of dicing film, after dicing, an adhesive layer hardens by irradiation of an ultraviolet-ray, a radiation, or light, and the adhesive force of an adhesive layer falls by this. When the adhesive force of an adhesive layer falls, it will become easy to peel off the die-bonding film with which the semiconductor chip was bonded from the dicing film.

예를 들면, 하기의 특허문헌 1에는, 필름상 접착제층의 한쪽면에, 방사선 경화형 점착제층을 갖는 다이싱 테이프가 적층된 다이싱-다이본딩 테이프가 개시되어 있다. 필름상 접착제층은 열가소성 수지 및 에폭시 수지를 함유하는 필름상 접착제로 이루어진다. 여기서는, 상기 에폭시 수지로서 3관능 이상의 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지가 이용되고 있다. 상기 필름상 접착제층은 반도체 칩의 한쪽면에 첩부되는 다이본딩 필름에 상당한다.For example, Patent Document 1 below discloses a dicing die-bonding tape in which a dicing tape having a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is laminated on one surface of a film adhesive layer. The film adhesive layer consists of a film adhesive containing a thermoplastic resin and an epoxy resin. Here, the trifunctional or more than trifunctional epoxy resin and liquid epoxy resin are used as said epoxy resin. The said film adhesive layer is corresponded to the die bonding film affixed on one side of a semiconductor chip.

일본 특허 공개 제2004-292821호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-292821

특허문헌 1에 기재된 것과 같이, 방사선이나 자외선의 조사에 의해 경화되는 점착제층을 갖는 다이싱 테이프를 이용한 경우, 점착제에 자외선이나 방사선을 조사하여 점착제의 점착력을 저하시킬 필요가 있었다. 그 때문에, 자외선이나 방사선을 조사하는 공정을 실시해야만 하였다. 또한, 자외선이나 방사선을 조사하기 위한 설비도 준비해야만 하였다. 또한, 자외선 경화형 수지나 방사선 경화형 수지는 비교적 고가였다.As described in Patent Literature 1, when a dicing tape having a pressure-sensitive adhesive layer cured by radiation or ultraviolet irradiation was used, it was necessary to irradiate the pressure-sensitive adhesive with ultraviolet rays or radiation to reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive. Therefore, the process of irradiating an ultraviolet-ray or a radiation must be performed. In addition, facilities for irradiating ultraviolet rays or radiation had to be prepared. Moreover, ultraviolet curable resin and radiation curable resin were comparatively expensive.

또한, 특허문헌 1에 기재된 것과 같은 방사선 경화형 점착제층은 다이싱시에는 미경화이기 때문에 비교적 부드럽다. 그 때문에, 다이싱시의 절삭성이 충분하지 않아서, 다이싱 후에 반도체 칩을 픽업할 때에 수염 형상의 절삭 분진이 발생하기 쉬웠다. 그 때문에, 반도체 칩을 확실하게 픽업할 수 없는 경우가 있었다. 또한, 수염 형상의 절삭 분진이 다이본딩 필름이나 반도체 칩에 부착되면, 픽업된 반도체 칩을 올바른 방향으로 또한 고정밀도로 실장할 수 없는 경우가 있었다.Moreover, since it is uncured at the time of dicing, the radiation curable adhesive layer as described in patent document 1 is comparatively soft. Therefore, the cutting property at the time of dicing was not enough, and beard shape cutting dust was easy to generate | occur | produce when picking up a semiconductor chip after dicing. Therefore, the semiconductor chip may not be picked up reliably in some cases. In addition, when the beard-shaped cutting dust adheres to the die-bonding film or the semiconductor chip, the picked-up semiconductor chip may not be mounted in the correct direction and with high accuracy.

또한, 최근에 반도체 웨이퍼가 얇아져 왔고, 그에 따라서 레이저광에 의한 다이싱이 널리 이용되어 왔다. 레이저광의 조사에 의해 다이싱을 행하는 경우, 자외선이나 방사선의 조사에 의해 경화되는 점착제는, 레이저광의 조사에 의해서도 반응하여 다이본딩 필름에 융착되는 경우가 있었다. 이 경우에는, 다이싱된 반도체 칩을 전혀 픽업할 수 없는 경우도 있었다.In addition, in recent years, semiconductor wafers have been thinned, and accordingly, dicing by laser light has been widely used. When dicing by laser beam irradiation, the adhesive hardened | cured by irradiation of an ultraviolet-ray or a radiation may react by irradiation of a laser beam, and may fuse | melt to a die-bonding film. In this case, the diced semiconductor chip may not be picked up at all.

또한, 방사선을 조사하여도, 방사선 경화형 점착제의 점착력이 충분히 낮아지지 않는 경우가 있었다. 점착력이 충분히 낮아지지 않은 방사선 경화형 점착제층으로부터, 반도체 칩이 접합된 다이본딩 필름을 박리하고자 하는 경우, 반도체 칩에 필요 이상의 힘이 가해진다. 그 때문에, 반도체 칩이 파손될 우려가 있었다.Moreover, even if it irradiated radiation, the adhesive force of a radiation curable adhesive might not become low enough. When the die-bonding film to which the semiconductor chip is bonded is to be peeled from the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer whose adhesive force is not sufficiently lowered, more than necessary force is applied to the semiconductor chip. Therefore, the semiconductor chip may be damaged.

본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 다이본딩 필름째 반도체 칩을 픽업할 때에, 자외선이나 광 등을 조사하는 번잡한 작업을 필요로 하지 않고, 다이본딩 필름째 반도체 칩을 용이하며 확실하게 픽업할 수 있는 다이싱-다이본딩 테이프 및 상기 다이싱-다이본딩 테이프를 이용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to easily and reliably make a die-bonding semiconductor chip without requiring complicated work of irradiating ultraviolet rays or light when dicing the semiconductor wafer to pick up the die-bonding semiconductor chip. The present invention provides a dicing die-bonding tape capable of being picked up and a method of manufacturing a semiconductor chip using the dicing die-bonding tape.

본 발명은, 점접착제층과, 상기 점접착제층에 적층된 비점착층을 구비하는 다이싱-다이본딩 테이프로서, 상기 비점착층이 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물에 의해 형성되어 있고, 반도체 칩의 픽업시 온도에 있어서의, 상기 비점착층의 저장 탄성률이 1 내지 400 MPa이며 파단 신도가 5 내지 100 ％인 것을 특징으로 한다. 점접착제층이 다이본딩 필름으로서 이용되는 부분이다. 즉, 점접착제층이 반도체 칩 픽업시에 반도체 칩과 함께 픽업되는 부분이다.The present invention is a dicing die-bonding tape having an adhesive layer and a non-adhesive layer laminated on the adhesive layer, wherein the non-adhesive layer is formed of a composition containing an acrylic polymer as a main component, and a semiconductor The storage elastic modulus of the non-adhesive layer at a temperature at the time of picking up the chip is 1 to 400 MPa, and the elongation at break is 5 to 100%. An adhesive agent layer is a part used as a die bonding film. That is, an adhesive agent layer is a part picked up with a semiconductor chip at the time of semiconductor chip pick-up.

상기 비점착층은 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물을 가교시킨 가교체에 의해 형성된 것이 바람직하다.It is preferable that the said non-adhesive layer was formed of the crosslinked body which bridge | crosslinked the composition containing an acrylic polymer as a main component.

본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프에서는 바람직하게는, 상기 비점착층과 상기 점접착제층 사이의 박리력이 1 내지 15 N/m이다. 박리력이 이 범위이면, 자외선 등을 조사하지 않아도, 반도체 칩이 접합된 점접착제층을 비점착층으로부터 무리하지 않게 박리하고, 반도체 칩을 점접착제층째 용이하며 확실하게 픽업할 수 있다.In the dicing die-bonding tape according to the present invention, the peeling force between the non-adhesive layer and the adhesive layer is preferably 1 to 15 N / m. If peeling force is this range, even if it does not irradiate an ultraviolet-ray etc., the adhesive agent layer to which the semiconductor chip was bonded can be peeled without force from a non-adhesion layer, and a semiconductor chip can be picked up easily and reliably by an adhesive agent layer.

본 발명에서는, 바람직하게는 상기 조성물은 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합을 가지며 중량 평균 분자량이 100 내지 50000의 범위인 올리고머를 더 함유한다. 이 올리고머는 상온에서 유연성을 갖는다. 이 때문에, 상기 올리고머를 이용함으로써 저장 탄성률 및 파단 신도를 상기 특정 범위 내로 용이하게 설정할 수 있다. 상기 올리고머는 폴리에테르 골격, 폴리에스테르 골격, 부타디엔 골격, 폴리우레탄 골격, 실리케이트 골격, 이소프렌 골격, 폴리알킬 골격, 폴리아크릴로니트릴 골격, 폴리카르보네이트 골격 및 디시클로펜타디엔 골격으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 골격을 갖는 것이 바람직하다. 이들 골격을 갖는 올리고머는 유연하기 때문에, 비점착층의 저장 탄성률 및 파단 신도를 한층 더 용이하게 상기 특정 범위 내로 할 수 있다.In the present invention, preferably, the composition further contains an oligomer having a double bond capable of reacting with an acrylic group and having a weight average molecular weight in the range of 100 to 50000. This oligomer is flexible at room temperature. For this reason, storage elastic modulus and elongation at break can be easily set within the said specific range by using the said oligomer. The oligomer is selected from the group consisting of polyether skeleton, polyester skeleton, butadiene skeleton, polyurethane skeleton, silicate skeleton, isoprene skeleton, polyalkyl skeleton, polyacrylonitrile skeleton, polycarbonate skeleton and dicyclopentadiene skeleton It is preferable to have at least 1 sort (s) of frame | skeleton. Since the oligomers having these skeletons are flexible, the storage elastic modulus and elongation at break of the non-adhesive layer can be more easily brought into the specific range.

상기 비점착층은 바람직하게는 평균 입경 0.1 내지 10 μm의 충전재 분말을 포함한다. 이 경우에는, 다이싱시의 절삭성을 높일 수 있다. 따라서, 반도체 칩이나 반도체 칩과 함께 절삭되는 점접착제층에 대한 절삭 분진의 부착을 억제할 수 있다.The non-adhesive layer preferably comprises filler powder with an average particle diameter of 0.1 to 10 μm. In this case, the cutting property at the time of dicing can be improved. Therefore, adhesion of cutting dust to the adhesive agent layer cut | disconnected with a semiconductor chip or a semiconductor chip can be suppressed.

본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프는, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩에 다이싱할 때 및 다이싱된 반도체 칩을 다이싱된 점접착제층과 함께 픽업하는 과정에 이용된다.The dicing die-bonding tape according to the present invention is used for dicing a semiconductor wafer to a semiconductor chip and for picking up the diced semiconductor chip together with the diced adhesive layer.

본 발명의 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 상기 비점착층이 다이싱시의 다이싱 필름을 겸할 수도 있다. 그 경우에는, 본 발명의 다이싱-다이본딩 테이프에 반도체 웨이퍼를 첩부시켜 다이싱을 행할 수 있다.In the dicing die-bonding tape of this invention, the said non adhesion layer may also serve as the dicing film at the time of dicing. In that case, a dicing can be performed by affixing a semiconductor wafer on the dicing die-bonding tape of this invention.

또한, 본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 상기 비점착층의 상기 점접착제층이 적층된 면과는 반대측의 면에 적층된 다이싱 필름이 더 구비될 수도 있다. 이 경우에는, 다이싱 필름에 의해, 다이싱시의 익스팬드(expand) 등이 확실하게 행해질 수 있다. 따라서, 비점착층에는 다이싱 필름으로서의 기능이 요구되지 않기 때문에, 각종 재료 및 조성에 의해 비점착층을 자유롭게 설계할 수 있다.Moreover, in the dicing die-bonding tape which concerns on this invention, the dicing film laminated | stacked on the surface on the opposite side to the surface where the said adhesive agent layer of the said non-adhesive layer was laminated may further be provided. In this case, an expansion or the like during dicing can be reliably performed by the dicing film. Therefore, since a function as a dicing film is not required for a non adhesion layer, a non adhesion layer can be designed freely with various materials and a composition.

본 발명에 따른 반도체 칩의 제조 방법은 본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프와 반도체 웨이퍼를 준비하는 공정, 다이싱-다이본딩 테이프의 상기 점접착제층의 상기 비점착층이 적층된 면과는 반대측의 면에 상기 반도체 웨이퍼를 접합시키는 공정, 상기 다이싱-다이본딩 테이프에 접합된 반도체 웨이퍼를 상기 점접착제층째 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 분할하는 공정, 및 다이싱 후에 상기 반도체 칩이 접합된 상기 점접착제층을 상기 비점착층으로부터 박리하고, 반도체 칩을 상기 점접착제층째 취출하는 공정을 구비한다.The manufacturing method of the semiconductor chip which concerns on this invention is a process of preparing the dicing die-bonding tape and a semiconductor wafer which differ from the surface in which the said non-adhesive layer of the said adhesive agent layer of a dicing die-bonding tape was laminated | stacked. Bonding the semiconductor wafer to the surface on the opposite side; dicing the semiconductor wafer bonded to the dicing die-bonding tape to divide the adhesive layer into individual semiconductor chips; and dicing the semiconductor chip after dicing. The said adhesive agent layer is peeled from the said non-adhesion layer, and the process of taking out a semiconductor chip on the said adhesive agent layer is provided.

본 발명에 따른 점접착제층 부착 반도체 칩의 제조 방법에서는, 바람직하게는 반도체 칩의 취출은 다이싱 후에 상기 점접착제층과 상기 비점착층 사이의 박리력을 변화시키지 않고 행해진다. 본 발명에서는, 다이싱 후에 박리력을 변화시키지 않아도 점접착제층 부착 반도체 칩을 효율적으로 취출할 수 있다.In the manufacturing method of the semiconductor chip with an adhesive agent layer which concerns on this invention, Preferably, taking out a semiconductor chip is performed without changing the peeling force between the said adhesive agent layer and the said non-adhesion layer after dicing. In this invention, a semiconductor chip with an adhesive agent layer can be taken out efficiently, without changing peeling force after dicing.

본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프는 점접착제층과 비점착층을 구비하기 때문에, 상기 점접착제층의 비점착층이 적층된 측과는 반대측의 면에 반도체 웨이퍼를 접합시키고, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법에 따라서 다이싱 공정을 행하고, 다이싱 후에 반도체 칩이 접합된 점접착제층을 비점착층으로부터 박리하고, 반도체 칩을 점접착제층째 취출함으로써 점접착제층 부착 반도체 칩을 제조할 수 있다.Since the dicing die-bonding tape which concerns on this invention is equipped with an adhesive agent layer and a non-adhesion layer, the semiconductor wafer is bonded to the surface on the opposite side to the side where the non-adhesion layer of the said adhesive agent layer was laminated | stacked, A dicing process is performed according to the manufacturing method of a semiconductor chip, and after a dicing, the adhesive agent layer with which the semiconductor chip was bonded was peeled from a non-adhesion layer, and a semiconductor chip with an adhesive agent layer can be manufactured by taking out a semiconductor chip as an adhesive agent layer. have.

또한, 상기 비점착층이 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물에 의해 형성되어 있고, 또한 비점착층의 반도체 칩의 픽업시 온도에 있어서의, 저장 탄성률이 1 내지 400 MPa이며 파단 신도가 5 내지 100 ％의 범위에 있기 때문에, 다이싱 후에 비점착층의 박리력을 변화시키지 않아도, 반도체 칩이 접합된 점접착제층을 비점착층으로부터 무리하지 않고 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 다이싱시에는 반도체 웨이퍼와 함께 상기 점접착제층을 무리하지 않게 절삭시킬 수 있다. 따라서, 다이싱시에 절삭 분진이 생기기 어렵고, 상기 절삭 분진에 의한 픽업 불량이 생기기 어렵다.In addition, the said non-adhesive layer is formed of the composition containing an acrylic polymer as a main component, Moreover, the storage elastic modulus in the temperature at the time of the pick-up of the semiconductor chip of a non-adhesive layer is 1-400 MPa, and elongation at break is 5-100. Since it is in the range of%, even if it does not change the peeling force of a non-adhesive layer after dicing, the adhesive agent layer with which the semiconductor chip was bonded can be easily peeled from a non-adhesive layer, without unreasonable. In addition, at the time of dicing, the said adhesive agent layer can be cut | disconnected with a semiconductor wafer without difficulty. Therefore, cutting dust hardly occurs during dicing, and pick-up failure due to the cutting dust hardly occurs.

또한, 방사선 경화형 점착제층을 갖는 다이싱 테이프를 이용하는 종래 기술에서는, 방사선을 조사하여도, 다이싱 필름의 점착력이 충분히 낮아지지 않는 경우가 있었다. 이 때문에, 반도체 칩이 접합된 다이본딩 필름의 박리시, 반도체 칩에 필요 이상의 힘이 가해져서 칩에 균열이 생기기 쉬웠다. 이에 대하여, 본 발명의 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 점착력을 저하시키는 처리를 행하지 않고 점접착제층에 접합된 반도체 칩을 무리하지 않게 픽업할 수 있다. 이 때문에, 반도체 칩에 필요 이상의 힘이 가해지기 어려우므로 반도체 칩이 파손되기 어렵다. 따라서, 본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프는 얇은 반도체 웨이퍼의 가공에 이용되는 경우에 특히 유리하다.Moreover, in the prior art which uses the dicing tape which has a radiation-curable adhesive layer, even if it irradiates radiation, the adhesive force of a dicing film may not fall low enough. For this reason, at the time of peeling of the die-bonding film with which the semiconductor chip was bonded, more than the force applied to the semiconductor chip was applied, and the chip was easy to produce a crack. On the other hand, in the dicing die-bonding tape of this invention, the semiconductor chip joined to the adhesive agent layer can be picked up without a force, without performing the process which reduces adhesive force. For this reason, since a force more than necessary is hard to be applied to a semiconductor chip, a semiconductor chip is hard to be damaged. Thus, the dicing die-bonding tape according to the invention is particularly advantageous when used for the processing of thin semiconductor wafers.

상기 비점착층이 광의 조사에 의해 점착력이 저하되도록 구성되지 않은 경우, 레이저광의 조사에 의해 비점착층의 품질이 변화되지 않는다. 따라서, 이 경우에는, 레이저광의 조사에 의한 다이싱에 다이싱-다이본딩 테이프를 바람직하게 사용할 수 있다.When the said non-adhesive layer is not comprised so that adhesive force may fall by irradiation of light, the quality of a non-adhesion layer does not change by irradiation of a laser beam. Therefore, in this case, a dicing die-bonding tape can be used suitably for dicing by irradiation of a laser beam.

도 1(a) 및 (b)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 나타내는 부분 절결 정면 단면도 및 부분 절결 평면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 3은 반도체 칩의 제조에 이용되는 반도체 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 반도체 칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 반도체 웨이퍼가 스테이지 상에 놓인 상태를 나타내는 정면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 반도체 칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 점접착제층에 반도체 웨이퍼를 접합시킬 때의 상태를 나타내는 정면 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 반도체 칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 점접착제층에 반도체 웨이퍼가 접합된 상태를 나타내는 정면 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 반도체 칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 점접착제층 부착 반도체 웨이퍼가 뒤집혀서 다른 스테이지 상에 놓인 상태를 나타내는 정면 단면도이다.
도 8(a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 반도체 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 점접착제층이 접합된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 분할하는 공정을 단계적으로 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 제조된 반도체 칩을 나타내는 정면 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1… 다이싱-다이본딩 테이프
2… 이형 필름
2a… 상면
3… 점접착제층
3a… 표면
4… 비점착층
4a… 한쪽면
4b… 다른쪽 면
5… 다이싱 필름
5a… 기재
5b… 점접착제층
5c… 연장부
6, 7… 보호 시트
11… 다이싱-다이본딩 테이프
15… 다이싱-다이본딩 테이프
16… 다이싱 필름
21… 반도체 웨이퍼
21a… 표면
21b… 이면
21c… 외주 측면
22… 스테이지
23… 다이싱 링
24… 스테이지
31… 반도체 칩
41… 제1 절단날
42… 제1 절단 부분
43… 제2 절단날
44… 제2 절단 부분1 (a) and (b) are partial cutaway front sectional views and partial cutaway plan views showing a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a partially cutaway front sectional view showing a dicing die-bonding tape according to another embodiment of the present invention.
3 is a plan view showing a semiconductor wafer used for manufacturing a semiconductor chip.
4 is a view for explaining a method for manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention. It is front sectional drawing which shows the state which a semiconductor wafer put on the stage.
5 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention. It is a front sectional drawing which shows the state at the time of bonding a semiconductor wafer to an adhesive agent layer.
FIG. 6 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention. FIG. It is front sectional drawing which shows the state in which the semiconductor wafer was bonded by the adhesive agent layer.
7 is a view for explaining a method of manufacturing a semiconductor chip using a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention. It is a front sectional drawing which shows the state which the semiconductor wafer with an adhesive agent layer turned over and laid on another stage.
8A to 8D are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention. It is a partial notch front sectional drawing which shows the process of dicing the semiconductor wafer with which the adhesive agent layer was bonded, and dividing it into individual semiconductor chips in steps.
9 is a front cross-sectional view showing a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding tape according to an embodiment of the present invention.
<Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
One… Dicing-Die Bonding Tape
2… Release film
2a... Top
3 ... Adhesive layer
3a... surface
4… Non-adhesive layer
4a... One side
4b... The other side
5... Dicing film
5a... materials
5b... Adhesive layer
5c... Extension
6, 7... Protection sheet
11 ... Dicing-Die Bonding Tape
15... Dicing-Die Bonding Tape
16... Dicing film
21 ... Semiconductor wafer
21a... surface
21b... Back side
21c... Outer side
22... stage
23 ... Dicing ring
24 ... stage
31... Semiconductor chip
41... 1st cutting blade
42... First cutting part
43.. 2nd cutting blade
44... Second cutting part

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

도 1(a), (b)에 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 부분 절결 정면 단면도 및 부분 절결 평면도로 나타낸다.The dicing die-bonding tape which concerns on one Embodiment of this invention to FIG. 1 (a), (b) is shown by partial notch front sectional drawing and partial notch top view.

도 1(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 다이싱-다이본딩 테이프 (1)은 장척상의 이형 필름 (2)를 갖는다. 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 다이본딩 필름으로서의 점접착제층 (3), 비점착층 (4) 및 다이싱 필름 (5)가 이 순서대로 적층되어 있다. 비점착층 (4)의 한쪽면 (4a)에 점접착제층 (3)이 첩부되어 있다. 비점착층 (4)의 한쪽면과는 반대측의 다른쪽 면 (4b)에 다이싱 필름 (5)가 첩부되어 있다.As shown in Fig. 1 (a), (b), the dicing die-bonding tape 1 has a long release film 2. The adhesive agent layer 3 as a die-bonding film, the non-adhesive layer 4, and the dicing film 5 are laminated | stacked in this order on the upper surface 2a of the release film 2. The adhesive agent layer 3 is affixed on one side 4a of the non-adhesion layer 4. As shown in FIG. The dicing film 5 is affixed on the other surface 4b on the opposite side to the one surface of the non adhesion layer 4.

점접착제층 (3), 비점착층 (4) 및 다이싱 필름 (5)의 평면 형상은 원형이다.The planar shape of the adhesive agent layer 3, the non-adhesive layer 4, and the dicing film 5 is circular.

점접착제층 (3)의 직경은 비점착층 (4)의 직경과 상이할 수도 있다. 상기 비점착층 (4)의 직경은 점접착제층 (3)의 직경보다 큰 것이 바람직하다. 비점착층 (4)의 외주 측면은 점접착제층 (3)의 외주 측면보다 외측으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 점접착제층 (3)에 반도체 웨이퍼를 접합시킬 때에, 비점착층 (4)가 설치되는 위치에 대응하는 부분에 반도체 웨이퍼를 정확하게 위치 정렬시킬 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼를 점접착제층 (3)에 확실하게 접합시킬 수 있다.The diameter of the adhesive layer 3 may differ from the diameter of the non-adhesive layer 4. It is preferable that the diameter of the said non-adhesive layer 4 is larger than the diameter of the adhesive agent layer 3. It is preferable that the outer peripheral side surface of the non-adhesive layer 4 protrudes outward rather than the outer peripheral side surface of the adhesive agent layer 3. In these cases, when bonding a semiconductor wafer to the adhesive agent layer 3, a semiconductor wafer can be correctly aligned in the part corresponding to the position in which the non adhesion layer 4 is provided. In addition, the semiconductor wafer can be reliably bonded to the adhesive agent layer 3.

상기 다이싱 필름 (5)의 직경은 점접착제층 (3) 및 비점착층 (4)의 직경보다 크다. 이와 같이, 다이싱 필름 (5)의 직경은 점접착제층 (3) 및 비점착층 (4)의 직경보다 큰 것이 바람직하다. 다이싱 필름 (5)의 외주 측면은, 점접착제층 (3) 및 비점착층 (4)의 외주 측면보다 외측으로 돌출되어 있는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 다이싱 필름 (5)에 다이싱 링을 첩부시킬 수 있다. 또한, 점접착제층 (3)에 반도체 웨이퍼를 정확하게 위치 정렬하여 첩부시킬 수 있다. 또한, 다이싱 링과 반도체 웨이퍼를 다른 층에 첩부시킬 수 있기 때문에, 점접착제층 (3)과 다이싱 필름을 각각 최적인 재료에 의해 구성할 수 있다. 이 때문에, 절삭성 및 픽업성과, 다이본딩 후의 접합 신뢰성이 높아진다. The diameter of the dicing film 5 is larger than the diameters of the adhesive layer 3 and the non-adhesive layer 4. Thus, it is preferable that the diameter of the dicing film 5 is larger than the diameter of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesion layer 4. As shown in FIG. It is preferable that the outer peripheral side of the dicing film 5 protrudes outward rather than the outer peripheral side of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesive layer 4. As shown in FIG. In these cases, a dicing ring can be stuck to the dicing film 5. In addition, the semiconductor wafer can be accurately aligned and stuck to the adhesive agent layer 3. Moreover, since a dicing ring and a semiconductor wafer can be affixed on another layer, the adhesive agent layer 3 and the dicing film can be comprised with the optimal material, respectively. For this reason, cutting property, pick-up property, and the joining reliability after die-bonding become high.

또한, 비점착층 (4)의 외주 측면은 점접착제층 (3)에 의해 덮여 있지 않은 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the outer peripheral side of the non-adhesive layer 4 is not covered by the adhesive agent layer 3.

점접착제층 (3)의 이형 필름 (2)가 첩부된 표면 (3a)는 반도체 웨이퍼가 첩부되는 면이다.The surface 3a on which the release film 2 of the adhesive agent layer 3 was affixed is a surface to which a semiconductor wafer is affixed.

다이싱 필름 (5)는 기재 (5a)와 기재 (5a)의 한쪽면에 적층된 점착제층 (5b)를 갖는다. 비점착층 (4)의 다른쪽 면 (4b)에, 다이싱 필름 (5)가 점착제층 (5b)측에서 첩부되어 있다. 다이싱 필름 (5)는 비점착층 (4)를 개재하여 점접착제층 (3)에 간접적으로 첩부되어 있다.The dicing film 5 has the adhesive layer 5b laminated | stacked on one side of the base material 5a and the base material 5a. The dicing film 5 is affixed on the other surface 4b of the non adhesion layer 4 by the adhesive layer 5b side. The dicing film 5 is indirectly affixed to the adhesive agent layer 3 via the non-adhesive layer 4.

다이싱 필름 (5)의 연장부 (5c)의 한쪽면이 점착제층 (5b)에 의해 이형 필름의 상면 (2a)에 첩부되어 있다. 즉, 점접착제층 (3) 및 비점착층 (4)의 외주 측면보다 외측 영역에서, 다이싱 필름 (5)가 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 첩부되어 있다.One side of the extension part 5c of the dicing film 5 is affixed on the upper surface 2a of the release film by the adhesive layer 5b. That is, the dicing film 5 is affixed on the upper surface 2a of the release film 2 in the outer side area | region than the outer peripheral side surface of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesion layer 4. As shown in FIG.

다이싱 필름 (5)가 상기 연장부 (5c)를 갖는 것은, 점접착제층 (3)의 표면 (3a)에 반도체 웨이퍼를 접합시킬 때에, 점접착제층 (3)의 외주 측면보다 외측에 위치하는 연장부 (5c)의 점착제층 (5b)에 다이싱 링을 첩부하기 때문이다.The dicing film 5 having the extension part 5c is located outside the outer circumferential side of the adhesive agent layer 3 when the semiconductor wafer is bonded to the surface 3a of the adhesive agent layer 3. This is because the dicing ring is stuck to the pressure-sensitive adhesive layer 5b of the extension part 5c.

도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 장척상의 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에, 점접착제층 (3), 비점착층 (4) 및 다이싱 필름 (5)로 이루어지는 복수개의 적층체가 등간격으로 배치되어 있다. 또한, 이형 필름 (2)의 상면 (2a)에 보호 시트 (6), (7)이 설치되어 있다. 보호 시트 (6), (7)이 설치되는 경우에는, 다이싱-다이본딩 테이프 (1)을 예를 들면 롤형으로 권회한 경우에 다이싱 필름 (5)에 가해지는 압력이 보호 시트 (6), (7)에 의해서 경감된다. 또한, 보호 시트 (6), (7)은 설치되지 않아도 된다.As shown to FIG. 1 (b), in the upper surface 2a of the elongate release film 2, the several laminated body which consists of an adhesive agent layer 3, a non-adhesive layer 4, and a dicing film 5 is It is arranged at equal intervals. In addition, protective sheets 6 and 7 are provided on the upper surface 2a of the release film 2. When the protective sheets 6 and 7 are provided, the pressure applied to the dicing film 5 when the dicing die-bonding tape 1 is wound in a roll shape, for example, is applied to the protective sheet 6. , By (7). In addition, the protective sheets 6 and 7 do not need to be provided.

이형 필름의 두께나 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 정방형의 이형 필름이 이용될 수도 있다. 이형 필름의 상면에, 점접착제층, 비점착층 및 다이싱 필름으로 이루어지는 1개의 적층체만 배치될 수도 있다. 또한, 상기 적층체 및 이형 필름은 롤형으로 권회되지 않아도 좋다. 또한, 점접착제층, 비점착층 및 다이싱 필름의 두께 및 형상도 특별히 한정되지 않는다.The thickness and shape of the release film are not particularly limited. For example, a square release film may be used. Only the one laminated body which consists of an adhesive agent layer, a non adhesion layer, and a dicing film may be arrange | positioned at the upper surface of a release film. In addition, the said laminated body and a release film do not need to be wound in roll shape. Moreover, the thickness and shape of an adhesive agent layer, a non-adhesion layer, and a dicing film are not specifically limited, either.

본 실시 형태의 다이싱-다이본딩 테이프 (1)의 특징은, 비점착층 (4)가 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물에 의해 형성되어 있고, 반도체 칩의 픽업시의 온도에서의 비점착층 (4)의 저장 탄성률이 1 내지 400 MPa이며 파단 신도가 5 내지 100 ％인 것에 있다.The characteristic of the dicing die-bonding tape 1 of this embodiment is formed with the composition in which the non adhesion layer 4 contains an acryl-type polymer as a main component, and the non adhesion layer in the temperature at the time of the pick-up of a semiconductor chip. The storage elastic modulus of (4) is 1 to 400 MPa, and the elongation at break is 5 to 100%.

상기 저장 탄성률이 1 MPa 미만이면, 비점착층 (4)가 너부 부드러워져서, 비점착층 (4) 자체의 취급성이 저하되는 경우가 있다. 상기 저장 탄성률이 400 MPa를 초과하면, 박리 기점이 생기기 어려워지고, 반도체 칩을 양호하게 픽업할 수 없는 경우가 있다. 상기 파단 신도가 5 ％ 미만인 경우에는, 비점착층 (4)의 취급성이 낮아지는 경우가 있다. 상기 파단 신도가 100 ％를 초과하면, 다이싱시에 절삭 분진이 생기기 쉬워지는 경우가 있다. If the storage elastic modulus is less than 1 MPa, the non-adhesive layer 4 may be softened in a nut, and the handleability of the non-adhesive layer 4 itself may decrease. When the said storage elastic modulus exceeds 400 MPa, a peeling origin will become difficult to produce and a semiconductor chip may not be picked up satisfactorily. When the said breaking elongation is less than 5%, the handleability of the non adhesion layer 4 may become low. When the said breaking elongation exceeds 100%, cutting dust may arise easily at the time of dicing.

상기 저장 탄성률은 1 내지 150 MPa의 범위인 것이 바람직하다. 반도체 칩의 픽업시 온도에 있어서의 상기 파단 신도는 10 내지 50 ％의 범위인 것이 바람직하다.The storage modulus is preferably in the range of 1 to 150 MPa. It is preferable that the said breaking elongation in the temperature at the time of the pick-up of a semiconductor chip is 10 to 50% of range.

본 명세서에 있어서 「저장 탄성률」이란, 두께 0.5 mm 및 폭 5 mm의 비점착층 (4)를 3 cm의 폭으로 잘라내고, 아이티 게이소꾸사 제조 DVA-200을 이용하여 10 Hz 및 변형 0.1 ％의 조건에서 측정한 경우의 저장 탄성률의 값을 의미한다.As used herein, the term "storage modulus" refers to a non-adhesive layer 4 having a thickness of 0.5 mm and a width of 5 mm, with a width of 3 cm, and 10 Hz and a strain of 0.1% using DVA-200 manufactured by Haiti Corporation. It means the value of the storage modulus when measured under the condition of.

본 명세서에 있어서 「픽업시의 온도」란, 반도체 칩을 픽업하는 공정에 있어서, 다이싱 후의 반도체 칩을 밀어올림 핀에 의해 밀어올릴 때의 반도체 칩의 온도를 열전대에 의해 측정한 값이다. 픽업시의 온도는 20 내지 25 ℃의 범위 내인 것이 바람직하다.In this specification, "temperature at the time of pick-up" is the value which measured the temperature of the semiconductor chip at the time of pushing up the semiconductor chip after dicing with the pushing pin in the process of picking up a semiconductor chip with a thermocouple. It is preferable that the temperature at the time of pickup exists in the range of 20-25 degreeC.

본 명세서에 있어서 「파단 신도」란, JIS K7127에 준거하여 오리엔텍사 제조 RTC-1310A를 이용하고, 인장 속도 300 mm/분의 조건에서 비점착층 (4) 단체를 인장하여 파단점에서의 신도를 측정함으로써 얻어진 값을 의미한다.As used herein, the term "break elongation" refers to the elongation at break point by tensioning the non-adhesive layer (4) alone under conditions of a tensile speed of 300 mm / min using RTC-1310A manufactured by Orientec Co., Ltd. in accordance with JIS K7127. It means the value obtained by measuring.

다이싱-다이본딩 테이프 (1)에서는, 점접착제층 (3)과 비점착층 (4)의 박리력은 1 내지 15 N/m의 범위 내인 것이 바람직하고, 1 내지 8 N/m의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 점접착제층 (3)과 비점착층 (4)의 박리력이 이들의 바람직한 범위 내에 있으면, 박리력을 저하시키지 않아도 점접착제층 (3)을 비점착층 (4)로부터 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때나 반도체 칩을 취출할 때에 반도체 칩의 파손을 막을 수 있다.In the dicing die-bonding tape 1, it is preferable that the peeling force of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesive layer 4 exists in the range of 1-15 N / m, and is in the range of 1-8 N / m. It is more preferable. If the peeling force of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesive layer 4 exists in these preferable ranges, the adhesive agent layer 3 can be easily peeled from the non-adhesive layer 4, without reducing peeling force. . In addition, breakage of the semiconductor chip can be prevented when dicing the semiconductor wafer or taking out the semiconductor chip.

점접착제층 (3)과 비점착층 (4)의 박리력이 1 N/m 미만이면, 다이싱시에 칩 비산이 발생하기 쉽다. 상기 박리력이 15 N/m을 초과하면, 반도체 칩이 접합된 점접착제층 (3)을 비점착층 (4)로부터 박리하는 것이 곤란해진다.When the peeling force of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesive layer 4 is less than 1 N / m, chip scattering will occur easily at the time of dicing. When the said peeling force exceeds 15 N / m, it will become difficult to peel the adhesive agent layer 3 with which the semiconductor chip was bonded from the non-adhesion layer 4.

상기 박리력은 이하의 방법에 의해 구해진다. 우선, 다이싱-다이본딩 테이프 (1)의 점접착제층 (3)의, 비점착층 (4)가 첩부된 면과 반대측의 면에 스테인리스판을 첩부시킨다. 또한, 점접착제층 (3)과 스테인리스판을 충분히 접합시켜 시험체를 얻는다. 그 후 시험체를, 점접착제층 (3)이 아래에, 비점착층 (4)가 위에 오도록 고정시킨다. 이 상태에서, 점접착제층 (3)과 비점착층 (4)의 계면에 대하여 180도 방향으로 힘을 비점착층 (4)에 가하여, 비점착층 (4)를 점접착제층 (3)으로부터 박리한다. 이 때의 박리에 필요한 힘을 시마즈 세이사꾸쇼 제조 AGS-100D 등을 이용하여 측정하고, 박리력으로 한다.The said peeling force is calculated | required by the following method. First, a stainless steel plate is affixed on the surface on the opposite side to the surface on which the non-adhesive layer 4 was affixed on the adhesive agent layer 3 of the dicing die-bonding tape 1. In addition, the adhesive agent layer 3 and a stainless steel plate are fully bonded together, and a test body is obtained. Thereafter, the test body is fixed so that the adhesive layer 3 is on the bottom and the non-adhesive layer 4 is on the top. In this state, a force is applied to the non-adhesive layer 4 in the direction of 180 degrees with respect to the interface between the adhesive agent layer 3 and the non-adhesive layer 4, and the non-adhesive layer 4 is removed from the adhesive agent layer 3. Peel off. The force required for peeling at this time is measured using Shimadzu Corporation AGS-100D etc., and let it be a peeling force.

다이싱-다이본딩 테이프 (1)에서는, 박리력을 상기 특정 범위 내로 하기 위해서 상기 비점착층 (4)가 이용되고 있다. 즉, 비점착층 (4)는 박리력을 조정하는 박리력 조정 필름으로서 이용되고 있다.In the dicing die-bonding tape 1, the said non adhesion layer 4 is used in order to make peeling force into the said specific range. That is, the non-adhesive layer 4 is used as a peeling force adjustment film which adjusts peeling force.

또한, 상기 저장 탄성률, 파단 신도 및 박리력을 각각 상기 특정 범위 내로 하기 위한 비점착층 (4)의 구체적인 재료에 대해서는, 이후에 상술한다.In addition, the specific material of the non-adhesive layer 4 for making the said storage elastic modulus, breaking elongation, and peeling force into said specific range, respectively, is explained in full detail later.

또한, 본 발명에 따른 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 다이싱 필름 (5)가 생략되고, 상기 비점착층 (4)가 다이싱 필름을 겸할 수도 있다.In addition, in the dicing die-bonding tape which concerns on this invention, the dicing film 5 is abbreviate | omitted and the said non-adhesive layer 4 may also serve as a dicing film.

무엇보다도 다이싱시에 반도체 칩의 비산 등의 발생을 한층 더 효과적으로 방지할 수 있기 때문에, 비점착층 (4)의 점접착제층 (3)이 첩부된 면과는 반대측의 면에 다이싱 필름 (5)가 첩부되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 비점착층 (4)에 다이싱시의 익스팬드성 등이 요구되지 않기 때문에, 비점착층 (4)를 구성하는 재료 및 조성을 보다 넓은 범위에서 선택할 수 있다.Above all, since the generation of the scattering of the semiconductor chip and the like can be prevented more effectively during dicing, the dicing film () is formed on the surface on the side opposite to the surface on which the adhesive agent layer 3 of the non-adhesive layer 4 is stuck. It is preferable that 5) is affixed. In this case, since the expandability at the time of dicing is not required for the non-adhesive layer 4, the material and composition which comprise the non-adhesive layer 4 can be selected in a wider range.

(비점착층 (4)를 구성하는 구체적인 재료)(Specific materials constituting the non-adhesive layer 4)

상기 비점착층 (4)는 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물에 의해 형성되어 있고, 반도체 칩의 픽업시 온도에 있어서의 저장 탄성률이 상기 특정 범위에 있으며, 파단 신도가 상기 특정 범위에 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 비점착층 (4)로서, 각종 아크릴 수지계 필름을 사용할 수 있다.As long as the said non-adhesive layer 4 is formed with the composition containing an acrylic polymer as a main component, the storage elastic modulus in the temperature at the time of the pick-up of a semiconductor chip exists in the said specific range, and elongation at break exists in the said specific range, It is not specifically limited. As the non-adhesive layer 4, various acrylic resin films can be used.

또한, 본 명세서에 있어서 비점착층은 「비점착」의 성질을 갖는다. 「비점착」은, 표면이 점착성을 갖지 않는 경우뿐만 아니라, 손가락으로 만졌을 때에 달라붙지 않는 정도의 미(微)점착성을 갖는 경우도 포함한다.In addition, in this specification, a non adhesion layer has the property of "non adhesion". "Non adhesion" includes not only the case where the surface does not have adhesiveness, but also the case where it has microadhesiveness of the grade which does not stick when touched by a finger.

상기 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물은 수지분으로서 아크릴계 중합체를 50 중량％ 이상 포함한다. 이러한 조성물에 의해 형성된 아크릴 수지계 필름은 폴리올레핀계 필름 등에 비해 부드럽다. 상기 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물을 이용함으로써 저장 탄성률을 비교적 낮게 할 수 있고, 예를 들면 저장 탄성률을 400 MPa 정도로 할 수 있다. 그 때문에, 다이싱에 있어서의 절삭성을 높일 수 있다. 또한, 주성분으로서 이용되는 아크릴계 중합체를 선택함으로써, 비점착층 (4)의 극성을 낮추거나, 저장 탄성률을 낮추거나 파단 신도를 상기 특정 범위로 용이하게 설정할 수 있다.The composition containing the said acrylic polymer as a main component contains 50 weight% or more of an acrylic polymer as resin powder. The acrylic resin film formed by such a composition is softer than a polyolefin film or the like. By using the composition containing the said acrylic polymer as a main component, a storage elastic modulus can be made comparatively low, for example, a storage elastic modulus can be made into about 400 MPa. Therefore, the cutting property in dicing can be improved. In addition, by selecting the acrylic polymer to be used as the main component, the polarity of the non-adhesive layer 4 can be lowered, the storage elastic modulus can be lowered, or the elongation at break can be easily set in the above specific range.

상기 아크릴계 중합체는 특별히 한정되지 않는다. 상기 아크릴계 중합체는 (메트)아크릴산알킬에스테르 중합체인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 중합체로서, 바람직하게는 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 중합체를 이용한다. 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 중합체를 이용한 경우에는, 비점착층 (4)의 극성을 충분히 낮출 수 있고, 비점착층 (4)의 표면 에너지를 낮게 할 수 있으며, 점접착제층 (3)의 비점착층 (4)로부터의 박리성을 높일 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수가 18을 초과하면, 비점착층의 제조가 곤란해지는 경우가 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 6 이상인 것이 바람직하다. 이 경우에는, 비점착층 (4)의 극성을 한층 더 낮출 수 있다.The said acrylic polymer is not specifically limited. It is preferable that the said acrylic polymer is a (meth) acrylic-acid alkylester polymer. As a (meth) acrylic-acid alkylester polymer, The (meth) acrylic-acid alkylester polymer which preferably has a C1-C18 alkyl group is used. When the (meth) acrylic-acid alkylester polymer which has a C1-C18 alkyl group is used, the polarity of the non-adhesive layer 4 can fully be lowered, and the surface energy of the non-adhesive layer 4 can be made low, The peelability from the non-adhesive layer 4 of the adhesive bond layer 3 can be improved. When carbon number of the said alkyl group exceeds 18, manufacture of a non adhesion layer may become difficult. It is preferable that carbon number of the said alkyl group is 6 or more. In this case, the polarity of the non-adhesive layer 4 can be further lowered.

또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴산」이란, 「메타크릴산 또는 아크릴산」을 의미한다.In addition, in this specification, "(meth) acrylic acid" means "methacrylic acid or acrylic acid."

상기 아크릴계 중합체는, 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체를 주단량체로서 이용하여 얻어진 중합체인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 중합체는 상기 주단량체, 관능기 함유 단량체, 및 필요에 따라서 이들과 공중합 가능한 다른 개질용 단량체를 통상법에 의해 공중합시켜 얻어진 (메트)아크릴산알킬에스테르 중합체인 것이 보다 바람직하다. (메트)아크릴산알킬에스테르 중합체의 알킬기의 탄소수는 2 이상인 것이 바람직하고, 6 이상인 것이 특히 바람직하다. 상기 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은 20만 내지 200만 정도이다.It is preferable that the said acryl-type polymer is a polymer obtained using the (meth) acrylic-acid alkylester monomer which has a C1-C18 alkyl group as a main monomer. As for the said acryl-type polymer, it is more preferable that it is the (meth) acrylic-acid alkylester polymer obtained by copolymerizing the said main monomer, the functional group containing monomer, and the other modification monomer copolymerizable with these by a conventional method as needed. It is preferable that carbon number of the alkyl group of a (meth) acrylic-acid alkylester polymer is two or more, and it is especially preferable that it is six or more. The weight average molecular weight of the said acrylic polymer is about 200,000-2 million.

상기 다른 개질용 단량체는 특별히 한정되지 않는다. 상기 다른 개질용 단량체는 카르복실기를 함유하는 단량체가 아닌 것이 바람직하다. 카르복실기를 함유하는 단량체를 사용한 경우, 비점착층 (4)의 극성이 높아지고, 그 결과로 픽업성에 악영향을 미치는 경우가 있다.The said other reforming monomer is not specifically limited. It is preferable that the said other modification monomer is not a monomer containing a carboxyl group. When the monomer containing a carboxyl group is used, the polarity of the non-adhesive layer 4 may become high, and as a result, it may adversely affect pick-up property.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체는 특별히 한정되지 않는다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체는, 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 1급 또는 2급 알킬알코올과 (메트)아크릴산과의 에스테르화 반응에 의해 얻어진 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체인 것이 바람직하다.The said (meth) acrylic-acid alkylester monomer is not specifically limited. It is preferable that the said (meth) acrylic-acid alkylester monomer is a (meth) acrylic-acid alkylester monomer obtained by esterification of the primary or secondary alkyl alcohol which has a C1-C18 alkyl group, and (meth) acrylic acid.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체로서는, 구체적으로는 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 t-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산옥틸 또는 (메트)아크릴산라우릴 등을 들 수 있다.Specifically as said (meth) acrylic-acid alkylester monomer, Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid t-butyl, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

또한, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 단량체는 단독으로 이용될 수도, 2종 이상이 병용될 수도 있다.In addition, the said (meth) acrylic-acid alkylester monomer may be used independently, or 2 or more types may be used together.

상기 관능기 함유 단량체로서는, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 단량체를 들 수 있다.As said functional group containing monomer, (meth) acrylic-acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic-acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic-acid 4-hydroxybutyl, (meth) acrylic-acid 6-hydroxyhexyl, (meth) acrylic acid And hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl, (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl or (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate. have.

또한, 상기 아크릴계 중합체는 반응성 이중 결합을 갖는 경화형 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. 이 경우에는, 상기 경화형 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물을 가교시킨 가교체의 가교 밀도를 높일 수 있다. 상기 경화형 아크릴계 중합체로서는, 반응성 이중 결합을 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 경화형 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 아크릴계 중합체에 반응성 이중 결합을 도입하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 분자 설계가 용이하기 때문에, 상기 반응성 이중 결합은 측쇄에 도입된 것이 바람직하다. 예를 들면, 아크릴계 중합체에 관능기 함유 단량체를 공중합시킨 관능기 함유 아크릴계 중합체를 준비한 후에, 이 관능기(이하, 관능기 A라고도 함)와 반응할 수 있는 관능기(이하, 관능기 B라고도 함), 및 반응성 이중 결합을 둘다 갖는 화합물(이하, 화합물 C라고도 함)을, 반응성 이중 결합이 잔존하도록 상기 관능기 함유 아크릴계 중합체에 축합 반응 또는 부가 반응에 의해서 도입하는 방법을 들 수 있다.In addition, the acrylic polymer is preferably a curable acrylic polymer having a reactive double bond. In this case, the crosslinking density of the crosslinked body which bridge | crosslinked the composition containing the said curable acrylic polymer as a main component can be raised. As said curable acrylic polymer, the curable acrylic polymer etc. which have a reactive double bond in a side chain, a main chain, or a main chain terminal are mentioned. The method of introducing a reactive double bond into the acrylic polymer is not particularly limited. Since the molecular design is easy, the reactive double bond is preferably introduced into the side chain. For example, after preparing the functional group containing acrylic polymer which copolymerized the functional group containing monomer to the acrylic polymer, the functional group (henceforth functional group A hereafter) which can react with this functional group (henceforth functional group B), and a reactive double bond The compound which has both (henceforth a compound C) is introduce | transduced into the said functional group containing acrylic polymer by condensation reaction or addition reaction so that a reactive double bond may remain.

상기 관능기 A와 관능기 B의 조합의 예로서는, 카르복실기와 에폭시기, 카르복실기와 아지리딜기, 또는 수산기와 이소시아네이트기 등의 조합을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도, 반응을 용이하게 제어할 수 있기 때문에 수산기와 이소시아네이트기와의 조합이 바람직하다. 또한, 이들 관능기의 조합에서는, 어떤 관능기를 상기 관능기 함유 아크릴계 중합체가 함유할 수도 있고, 또한 어떤 관능기를 상기 화합물 C가 함유할 수도 있다. 수산기를 갖는 관능기 함유 아크릴계 중합체와 이소시아네이트기를 갖는 상기 화합물과의 조합이 바람직하다. 이소시아네이트기 및 반응성 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 1,1-비스(아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트, 또는 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 상기 수산기를 갖는 관능기 함유 아크릴계 중합체는, 아크릴계 중합체에 상술한 수산기 함유 단량체 또는 수산기 함유 에테르계 화합물을 공중합시킴으로써 얻어진 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. 상기 수산기 함유 에테르계 화합물로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르 또는 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등을 들 수 있다.As an example of the combination of the said functional group A and the functional group B, the combination of a carboxyl group, an epoxy group, a carboxyl group, an aziridyl group, a hydroxyl group, and an isocyanate group is mentioned. Among the combinations of these functional groups, since the reaction can be easily controlled, the combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable. In the combination of these functional groups, the functional group-containing acrylic polymer may contain certain functional groups, and the compound C may contain certain functional groups. The combination of the functional group containing acrylic polymer which has a hydroxyl group, and the said compound which has an isocyanate group is preferable. As an isocyanate compound which has an isocyanate group and a reactive double bond, it is methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate, 1, 1-bis (acryloyloxy methyl) ethyl isocyanate, or m-iso, for example. Propenyl-alpha, alpha-dimethylbenzyl isocyanate etc. are mentioned. Moreover, it is preferable that the functional group containing acrylic polymer which has the said hydroxyl group is an acrylic polymer obtained by copolymerizing the hydroxyl group containing monomer or hydroxyl group containing ether type compound with the acrylic polymer mentioned above. As said hydroxyl-containing ether type compound, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, etc. are mentioned, for example.

상기 비점착층은 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물을 가교시킨 가교체에 의해 형성된 것이 바람직하다. 이 경우, 다이싱에 있어서의 절삭성이나, 다이싱 후의 점접착제층의 비점착층으로부터의 박리성을 높일 수 있다.It is preferable that the said non-adhesive layer was formed of the crosslinked body which bridge | crosslinked the composition containing an acrylic polymer as a main component. In this case, the cutting property in dicing and the peelability from the non-adhesive layer of the adhesive agent layer after dicing can be improved.

상기 비점착층을 제조하는 방법으로서는, 우선 상기 아크릴계 중합체, 광 반응 개시제나 열 반응 개시제, 및 그 밖에 필요에 따라서 배합되는 화합물을 포함하는 조성물을, 이형 필름 상에 도포하여 조성물층을 형성한다. 또한, 광의 조사 및 가열 중 적어도 하나의 처리를 행한다. 이에 따라서, 광 경화 또는 열 경화에 의해 또는 광 경화 및 열 경화에 의해 조성물층이 경화(가교)되고, 경화(가교)된 조성물층으로 이루어지는 비점착층이 얻어진다. 그 중에서도 광 경화를 이용하는 것이 특히 바람직하다.As a method of manufacturing the said non-adhesive layer, the composition containing the said acryl-type polymer, a photoreaction initiator, a thermal reaction initiator, and the compound mix | blended as needed elsewhere, is apply | coated on a release film, and a composition layer is formed. In addition, at least one of light irradiation and heating is performed. Thereby, the non-adhesive layer which consists of a composition layer hardened | cured (crosslinked) and hardened | cured (crosslinked) by photocuring or thermosetting or photocuring and thermosetting is obtained. Especially, it is especially preferable to use photocuring.

열 경화에 의해 비점착층을 제조하는 경우, 경화시의 온도에 따라서는, 조성물층에 적층된 이형 필름이 열 수축된다. 이형 필름이 열 수축되면, 얻어지는 비점착층의 두께 정밀도가 저하되는 경우가 있다. 비점착층의 두께 정밀도가 저하되면, 비점착층과 점접착제층과의 밀착성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 비점착층의 두께 정밀도가 낮으며, 점접착제층과 비점착층이 충분히 밀착되지 않은 경우에는, 점접착제층의 표면 요철이 커지는 경우가 있다. 점접착제층의 표면 요철이 크면, 점접착제층과 반도체 웨이퍼와의 밀착성이 저하되는 경우가 있다. 이 경우, 다이싱시에 칩 비산이 발생하기 쉽다.When manufacturing a non-adhesive layer by thermosetting, depending on the temperature at the time of hardening, the release film laminated | stacked on the composition layer heat-shrinks. When a release film heat-shrinks, the thickness precision of the non-adhesive layer obtained may fall. When the thickness precision of a non-adhesive layer falls, adhesiveness of a non-adhesive layer and an adhesive agent layer may fall. Moreover, when the thickness precision of a non-adhesive layer is low, and an adhesive agent layer and a non-adhesion layer are not in close contact, the surface unevenness of an adhesive agent layer may become large. If the surface irregularities of the adhesive agent layer are large, the adhesiveness of the adhesive agent layer and a semiconductor wafer may fall. In this case, chip scattering easily occurs during dicing.

상기 광 반응 개시제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 광 반응 개시제로서, 예를 들면 광 라디칼 발생제나 광 양이온 발생제 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 열 반응 개시제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 열 반응 개시제로서는, 열 라디칼 발생제 등을 들 수 있다.The photoreaction initiator is not particularly limited. As said photoreaction initiator, an optical radical generator, a photocationic generator, etc. can be used, for example. In addition, the said thermal reaction initiator is not specifically limited. A thermal radical generating agent etc. are mentioned as said thermal reaction initiator.

상기 광 라디칼 발생제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 광 라디칼 발생제의 시판품으로서는, 예를 들면 이르가큐어 184, 이르가큐어 2959, 이르가큐어 907, 이르가큐어 819, 이르가큐어 651, 이르가큐어 369 및 이르가큐어 379(이상, 모두 시바ㆍ스페셜리티 케미칼즈사 제조), 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 루시린 TPO(바스프 재팬(BASF Japan)사 제조) 등을 들 수 있다.The photo radical generator is not particularly limited. As a commercial item of the said optical radical generating agent, Irgacure 184, Irgacure 2959, Irgacure 907, Irgacure 819, Irgacure 651, Irgacure 369, and Irgacure 379 (all are the above) Ciba specialty chemicals company make), benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and a leucine TPO (made by BASF Japan) etc. are mentioned.

상기 광 양이온 발생제로서, 오늄염류 또는 유기 금속 착체류를 이용할 수도 있다. 상기 오늄염류로서는, 방향족 디아조늄염, 방향족 할로늄염 또는 방향족 술포늄염 등을 들 수 있다. 상기 유기 금속 착체류로서는, 철-아렌 착체, 티타노센 착체 또는 아릴실라놀-알루미늄 착체 등을 들 수 있다.As the photocationic generator, onium salts or organometallic complexes may be used. Examples of the onium salts include aromatic diazonium salts, aromatic halonium salts, and aromatic sulfonium salts. Examples of the organometallic complexes include iron-arene complexes, titanocene complexes, and arylsilanol-aluminum complexes.

상기 열 라디칼 발생제로서는, 유기 과산화물 또는 아조 화합물 등을 들 수 있다. 상기 유기 과산화물로서는, 쿠멘하이드로퍼옥시드, 디이소프로필벤젠퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, 라우릴퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 또는 t-아밀퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 등을 들 수 있다. 상기 아조 화합물로서는, 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산카르보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 또는 디메틸 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 등을 들 수 있다.Examples of the thermal radical generator include organic peroxides and azo compounds. Examples of the organic peroxide include cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene peroxide, di-t-butyl peroxide, lauryl peroxide, benzoyl peroxide, t-butyl peroxy isopropyl carbonate, and t-butyl peroxide. Oxy-2-ethylhexanoate, t-amylperoxy-2-ethylhexanoate, and the like. Examples of the azo compound include 2,2'-azobis (isobutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexanecarbonitrile) and 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile). Or dimethyl 2,2'-azobis (2-methylpropionate).

상기 조성물은 상기 주성분으로서의 아크릴계 중합체 외에, 바람직하게는 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합을 가지며 중량 평균 분자량이 500 내지 50000인 올리고머를 더 함유한다. 이러한 올리고머를 함유함으로써, 상기 아크릴계 중합체를 주성분으로 하는 조성물을 가교시킨 가교체에 의해 형성된 비점착제층의 상기 저장 탄성률을, 용이하게 1 내지 400 MPa로 제어할 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체를 주성분으로 하는 조성물을 가교시킨 가교체에 의해 형성된 비점착층의 상기 파단 신도를, 용이하게 5 내지 100 ％로 제어할 수 있다. 상기 올리고머의 중량 평균 분자량이 500 미만이면, 올리고머의 배합에 의한 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 상기 올리고머의 중량 평균 분자량이 50000을 초과하면, 반도체 칩의 픽업성이 저하되는 경우가 있다.In addition to the acrylic polymer as the main component, the composition further contains an oligomer having a double bond capable of reacting with an acrylic group and having a weight average molecular weight of 500 to 50000. By containing such an oligomer, the said storage elastic modulus of the non-adhesive layer formed of the crosslinked body which bridge | crosslinked the composition which has the said acrylic polymer as a main component can be easily controlled to 1-400 MPa. Moreover, the said breaking elongation of the non adhesion layer formed of the crosslinked body which bridge | crosslinked the composition which has an acrylic polymer as a main component can be easily controlled to 5 to 100%. When the weight average molecular weight of the said oligomer is less than 500, the effect by the compounding of an oligomer may not fully be acquired. When the weight average molecular weight of the said oligomer exceeds 50000, the pick-up property of a semiconductor chip may fall.

상기 올리고머는 특별히 한정되지 않는다. 상기 올리고머는 유연성을 갖는 골격을 갖는 것이 바람직하다. 상기 유연성을 갖는 골격으로서는, 예를 들면 폴리에테르 골격, 폴리에스테르 골격, 부타디엔 골격, 폴리우레탄 골격, 실리케이트 골격 또는 디시클로펜타디엔 골격 등을 들 수 있다.The oligomer is not particularly limited. It is preferable that the oligomer has a skeleton having flexibility. As a skeleton which has the said flexibility, a polyether skeleton, a polyester skeleton, butadiene skeleton, a polyurethane skeleton, a silicate skeleton, a dicyclopentadiene skeleton, etc. are mentioned, for example.

상기 올리고머는 폴리에테르 골격 또는 폴리에스테르 골격을 갖는 아크릴 올리고머인 것이 보다 바람직하다. 유연성을 갖는 골격이란, 상기 올리고머의 Tg가 25 ℃ 이하가 되도록 하는 골격을 말하는 것으로 한다. 폴리에테르 골격 또는 폴리에스테르 골격을 갖는 아크릴 올리고머는 유연성이 높다. 상기 폴리에테르 골격 또는 폴리에스테르 골격을 갖는 아크릴 올리고머로서는, 폴리프로필렌옥시드디아크릴레이트 또는 폴리에테르계 우레탄아크릴 올리고머 등을 들 수 있다. 이들 시판품으로서는 M-225(도아 고세이사 제조) 및 UN-7600(네가미 고교사 제조) 등을 들 수 있다.The oligomer is more preferably an acrylic oligomer having a polyether skeleton or a polyester skeleton. The skeleton having flexibility refers to a skeleton such that the Tg of the oligomer is 25 ° C. or less. Acrylic oligomers having a polyether skeleton or a polyester skeleton have high flexibility. As an acryl oligomer which has the said polyether skeleton or a polyester skeleton, polypropylene oxide diacrylate or a polyether urethane acryl oligomer etc. are mentioned. As these commercial items, M-225 (made by Toagosei Co., Ltd.), UN-7600 (made by Negami Kogyo Co., Ltd.), etc. are mentioned.

아크릴기와 반응 가능한 이중 결합은 특별히 한정되지는 않는다. 상기 이중 결합을 포함하는 기로서는, (메트)아크릴기, 비닐기 또는 알릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아크릴기가 바람직하다. 이 경우, 상기 저장 탄성률과 파단 신도를 상기 특정 범위로 제어하기 쉽다.The double bond which can react with an acryl group is not specifically limited. As a group containing the said double bond, a (meth) acryl group, a vinyl group, an allyl group, etc. are mentioned. Especially, an acryl group is preferable. In this case, it is easy to control the said storage elastic modulus and elongation at break in the said specific range.

상기 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합은 상기 올리고머 1 분자 중에 2개 이상 함유된 것이 바람직하다.It is preferable that two or more double bonds which can react with the acryl group are contained in one molecule of the oligomer.

상기 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합을 갖는 올리고머는 가열이나 광의 조사에 의해 상술한 아크릴계 중합체와 가교된다. 이 가교에 의해, 가교체 내에 상기 올리고머에서 유래하는 골격이 취입된다. 이 때문에, 저장 탄성률이나 파단 신도를 원하는 범위로 제어할 수 있다.The oligomer which has a double bond which can react with the said acryl group is bridge | crosslinked with the acrylic polymer mentioned above by heating or irradiation of light. By this bridge | crosslinking, the skeleton derived from the said oligomer is taken in in a crosslinked body. For this reason, storage elastic modulus and elongation at break can be controlled to a desired range.

또한, 상기 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합은 분자의 양쪽 말단에 2개 존재할 수도 있고, 분자쇄 중에 존재할 수도 있다. 그 중에서도, 분자의 양쪽 말단에 2개의 아크릴기가 존재하거나, 또는 분자의 양쪽 말단과 분자쇄 중에 아크릴기가 존재하는 것이 바람직하다.In addition, two double bonds capable of reacting with the acrylic group may be present at both ends of the molecule, or may be present in the molecular chain. Especially, it is preferable that two acrylic groups exist in the both ends of a molecule | numerator, or an acrylic group exists in both ends of a molecule | numerator and a molecular chain.

상기 폴리에테르 골격으로서는, 예를 들면 폴리프로필렌옥시드 골격 또는 폴리에틸렌옥시드 골격 등을 들 수 있다.As said polyether skeleton, a polypropylene oxide skeleton, a polyethylene oxide skeleton, etc. are mentioned, for example.

상기 폴리에테르 골격을 가지며, 분자의 양쪽 말단에만 아크릴기를 갖는 아크릴 올리고머로서는, 폴리프로필렌옥시드디아크릴레이트 또는 폴리에스테르계 우레탄아크릴 올리고머 등을 들 수 있다. 이들 시판품으로서는, UA340P 및 UA4200(신나카무라 가가꾸 고교사 제조), 및 아로닉스 M-1600 및 아로닉스 M-220(도아 고세이사 제조) 등을 들 수 있다.As an acryl oligomer which has the said polyether frame | skeleton, and has an acryl group only in the both terminal of a molecule | numerator, a polypropylene oxide diacrylate or polyester type urethane acryl oligomer etc. are mentioned. As these commercial items, UA340P and UA4200 (made by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), Aronix M-1600, Aronix M-220 (made by Toagosei Co., Ltd.), etc. are mentioned.

상기 아크릴 올리고머로서, 3 내지 10관능의 우레탄아크릴 올리고머가 바람직하게 이용된다. 3관능 미만의 우레탄아크릴 올리고머의 경우에는, 비점착층의 유연성이 높아지고, 다이싱시에 절삭 분진이 생기기 쉬워진다. 10관능을 초과하는 우레탄아크릴 올리고머의 경우에는, 비점착층이 물러져서 다이싱시에 오염이 생기기 쉽다.As said acryl oligomer, the 3-10 functional urethane acryl oligomer is used preferably. In the case of less than trifunctional urethane acryl oligomer, the flexibility of a non-adhesive layer becomes high and it becomes easy to produce cutting dust at the time of dicing. In the case of the urethane acryl oligomer exceeding 10 functionalities, a non-adhesive layer will fall and contamination will likely occur at the time of dicing.

폴리에테르 골격과 폴리우레탄 골격을 갖는 3 내지 10관능의 우레탄아크릴 올리고머로서는, 폴리프로필렌옥시드 주쇄의 우레탄아크릴 올리고머 등을 들 수 있다. 이들 시판품으로서는, U-2PPA, U-4HA, U-6HA, U-15HA, UA-32P, U-324A, U-108A, U-200AX, UA-4400, UA-2235PE, UA-160TM 및 UA-6100(신나카무라 가가꾸 고교사 제조), 및 UN-7600, UN-7700, UN-333 및 UN-1255(네가미 고교사 제조) 등을 들 수 있다.As a 3-10 functional urethane acryl oligomer which has a polyether skeleton and a polyurethane skeleton, the urethane acryl oligomer of a polypropylene oxide main chain, etc. are mentioned. As these commercial items, U-2PPA, U-4HA, U-6HA, U-15HA, UA-32P, U-324A, U-108A, U-200AX, UA-4400, UA-2235PE, UA-160TM and UA- 6100 (manufactured by Shin-Nakamura Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and UN-7600, UN-7700, UN-333, and UN-1255 (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.).

상기 올리고머의 배합량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체 100 중량부에 대하여 상기 올리고머는 1 중량부 이상의 비율로 배합되는 것이 바람직하다. 상기 올리고머의 양이 1 중량부 미만이면, 상기 올리고머의 배합에 의한 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 상기 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 상기 올리고머는 100 중량부 이하의 비율로 배합되는 것이 바람직하다. 상기 올리고머의 양이 너무 많으면, 올리고머가 용해되지 않아서 비점착층의 제조가 곤란한 경우가 있다.The compounding quantity of the said oligomer is not specifically limited. It is preferable that the said oligomer is mix | blended in the ratio of 1 weight part or more with respect to 100 weight part of said (meth) acrylic acid ester polymers. When the amount of the oligomer is less than 1 part by weight, the effect of the blending of the oligomer may not be sufficiently obtained. It is preferable that the said oligomer is mix | blended in the ratio of 100 weight part or less with respect to 100 weight part of said acrylic polymers. When there is too much quantity of the said oligomer, an oligomer may not melt | dissolve and manufacture of a non adhesion layer may be difficult.

양쪽 말단에 아크릴기를 갖는 올리고머의 경우에는, 상기 아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 올리고머는 1 내지 100 중량부의 비율로 배합되는 것이 바람직하고, 1 내지 50 중량부의 비율로 배합되는 것이 보다 바람직하다.In the case of the oligomer which has an acryl group at both ends, it is preferable that an oligomer is mix | blended in the ratio of 1-100 weight part with respect to 100 weight part of said acrylic polymers, and it is more preferable to mix | blend in the ratio of 1-50 weight part.

또한, 다관능 우레탄아크릴 올리고머의 경우에는, 상기 (메트)아크릴산에스테르 중합체 100 중량부에 대하여 올리고머는 1 내지 50 중량부의 비율로 배합되는 것이 바람직하고, 1 내지 30 중량부의 비율로 배합되는 것이 보다 바람직하다.Moreover, in the case of a polyfunctional urethane acryl oligomer, it is preferable that an oligomer is mix | blended in the ratio of 1-50 weight part with respect to 100 weight part of said (meth) acrylic acid ester polymers, and it is more preferable to mix | blend in the ratio of 1-30 weight part. Do.

상기 비점착층 (4)는 충전재 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 충전재 입자를 포함함으로써 절삭성을 높일 수 있다. 이 때문에, 접착제층 (3)이나 반도체 칩에의 절삭 분진의 부착을 억제할 수 있다.It is preferable that the said non adhesion layer 4 contains filler particle | grains. By including a filler particle, cutting property can be improved. For this reason, adhesion of cutting dust to the adhesive bond layer 3 and a semiconductor chip can be suppressed.

상기 충전재 입자의 평균 입경은 바람직하게는 0.1 내지 10 μm, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5 μm이다. 상기 평균 입경이 너무 크면, 비점착층 (4)의 면 내 두께가 변동되는 경우가 있다. 상기 평균 입경이 너무 작으면, 다이싱시의 절삭성을 충분히 높일 수 없는 경우가 있다.The average particle diameter of the filler particles is preferably 0.1 to 10 μm, more preferably 0.1 to 5 μm. If the average particle diameter is too large, the in-plane thickness of the non-adhesive layer 4 may vary. When the said average particle diameter is too small, the cutting property at the time of dicing may not fully be raised.

또한, 본 명세서에 있어서 「평균 입경」이란, 동적 레이저 산란법에 의해서 측정되는 부피 평균 직경을 나타낸다.In addition, in this specification, an "average particle diameter" shows the volume average diameter measured by the dynamic laser scattering method.

상기 충전재 입자는 특별히 한정되지 않는다. 상기 충전재 입자로서, 실리카 또는 알루미나 등을 사용할 수 있다.The filler particles are not particularly limited. As the filler particles, silica or alumina or the like can be used.

상기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들면 SC1050MJD, SC2050MB, SC4050MNA, SC4050MNB 및 SC4050SEJ(이상, 모두 애드마텍스사 제조) 등을 들 수 있다.As a commercial item of the said filler, SC1050MJD, SC2050MB, SC4050MNA, SC4050MNB, and SC4050SEJ (all are manufactured by Admatex Co., Ltd.) etc. are mentioned, for example.

충전재 입자를 제외한 비점착층 (4)를 구성하는 재료의 합계 100 중량부에 대하여, 상기 충전재는 0.1 내지 150 중량부의 비율로 배합되는 것이 바람직하다. 상기 충전재 입자의 양이 너무 많으면, 비점착층 (4)가 익스팬드시에 파단되는 경우가 있다. 상기 충전재 입자의 양이 너무 적으면, 절삭성을 충분히 높일 수 없는 경우가 있다.It is preferable that the said filler is mix | blended in the ratio of 0.1-150 weight part with respect to a total of 100 weight part of the material which comprises the non-adhesive layer 4 except filler particles. If the amount of the filler particles is too large, the non-adhesive layer 4 may break at expansion. If the amount of the filler particles is too small, the machinability may not be sufficiently increased.

상기 비점착층 (4)는 자외선 흡수재를 함유할 수도 있다.The non-adhesive layer 4 may contain an ultraviolet absorber.

상기 비점착층 (4)의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 상기 비점착층 (4)의 두께는 30 내지 100 μm의 범위 내인 것이 바람직하다. 두께가 30 μm 미만이면, 익스팬드성이 부족한 경우가 있다. 두께가 100 μm를 초과하면, 두께가 불균일해지는 경우가 있다. 두께가 불균일하면, 다이싱을 적절하게 행할 수 없는 경우가 있다.The thickness of the said non adhesion layer 4 is not specifically limited. It is preferable that the thickness of the said non adhesion layer 4 exists in the range of 30-100 micrometers. If the thickness is less than 30 µm, the expandability may be insufficient. When thickness exceeds 100 micrometers, thickness may become nonuniform. If thickness is nonuniform, dicing may not be performed suitably.

(이형 필름 (2))(Release film (2))

상기 이형 필름 (2)는 점접착제층 (3)의 반도체 웨이퍼가 첩부되는 면 (3a)를 보호하기 위해서 이용된다. 또한, 이형 필름은 반드시 이용되지 않아도 된다.The release film 2 is used to protect the surface 3a on which the semiconductor wafer of the adhesive agent layer 3 is stuck. In addition, a release film does not necessarily need to be used.

상기 이형 필름 (2)로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리비닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 이들 필름의 한쪽면은 실리콘 이형제, 또는 장쇄 알킬기 등을 갖는 이형제 등을 이용하여 이형 처리될 수도 있다. 이형 필름 (2)는 폴리에틸렌레프탈레이트 필름 등의 합성 수지 필름인 것이 바람직하다. 합성 수지 필름은 평활성 및 두께 정밀도 등이 우수하다.As the release film (2), polyolefin films such as polyester film such as polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, polyvinylacetate film, polychlorinated Plastic films, such as a vinyl film and a polyimide film, etc. are mentioned. One side of these films may be released by using a silicone release agent, a release agent having a long chain alkyl group, or the like. It is preferable that the release film 2 is synthetic resin films, such as a polyethylene lephthalate film. A synthetic resin film is excellent in smoothness, thickness precision, etc.

상기 이형 필름은 단층 필름일 수도 있고, 상기 필름이 2 이상 적층된 적층 필름일 수도 있다. 이형 필름이 적층 필름인 경우, 상기 필름 중 다른 2종 이상이 적층될 수도 있다.The release film may be a single layer film, or may be a laminated film in which two or more films are laminated. When the release film is a laminated film, two or more other kinds of the above films may be laminated.

(점접착제층 (3))(Adhesive Layer 3)

상기 점접착제층 (3)은 반도체 칩을 기판이나 다른 반도체 칩 등에 접합시키기 위해서 이용된다. 상기 점접착제층 (3)은 다이싱시에 반도체 웨이퍼째 절단된다.The adhesive agent layer 3 is used for bonding a semiconductor chip to a substrate, another semiconductor chip, or the like. The adhesive agent layer 3 is cut in the semiconductor wafer at the time of dicing.

상기 점접착제층 (3)은, 예를 들면 적절한 경화성 수지를 포함하는 경화성 수지 조성물이나 열가소성 수지 등에 의해 형성된다. 경화 전의 상기 경화성 수지 조성물은 부드럽기 때문에 외력에 의해 용이하게 변형된다. 또한, 반도체 칩을 얻은 후에 점접착제층 (3)에 열이나 광 에너지를 제공하여 경화시킴으로써, 점접착제층 (3)을 통해 기판이나 등의 피착체에 반도체 칩을 견고하게 접합시킬 수 있다.The adhesive agent layer 3 is formed of, for example, a curable resin composition containing a suitable curable resin, a thermoplastic resin, or the like. Since the said curable resin composition before hardening is soft, it is easily deformed by external force. Moreover, after obtaining a semiconductor chip, by providing heat and light energy to the adhesive agent layer 3 and hardening | curing, a semiconductor chip can be firmly joined to the to-be-adhered bodies, such as a board | substrate, etc. via the adhesive agent layer 3.

상기 경화성 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화성 수지로서는, 열경화성 수지 또는 광 경화성 수지 등을 들 수 있다.The said curable resin is not specifically limited. As said curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, etc. are mentioned.

상기 열가소성 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 열가소성 수지로서는, 예를 들면 폴리(메트)아크릴산에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐알코올 수지 또는 폴리아세트산비닐 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The said thermoplastic resin is not specifically limited. As said thermoplastic resin, a poly (meth) acrylic acid ester resin, a polyester resin, a polyvinyl alcohol resin, a polyvinyl acetate resin, etc. are mentioned, for example. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 열경화성 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 열경화성 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지 또는 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 열경화성 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The said thermosetting resin is not specifically limited. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, etc. are mentioned, for example. These thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 광 경화성 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 광 경화성 수지로서는, 예를 들면 감광성 오늄염 등의 광 양이온 촉매에 의해 중합되는 에폭시 수지, 또는 감광성 비닐기를 갖는 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 이들 광 경화성 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The photocurable resin is not particularly limited. As said photocurable resin, the epoxy resin superposed | polymerized by photocationic catalysts, such as a photosensitive onium salt, the acrylic resin which has a photosensitive vinyl group, etc. are mentioned, for example. These photocurable resins may be used independently and 2 or more types may be used together.

상기 경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지, 메타크릴산메틸 또는 핫 멜트형 접착 수지가 바람직하게 이용된다. 상기 핫 멜트형 접착 수지로서는, 아크릴산부틸 등을 주된 단량체 단위로 하는 폴리(메트)아크릴산에스테르 수지 등을 들 수 있다.As said curable resin, an epoxy resin, a polyester resin, methyl methacrylate, or a hot melt adhesive resin is used preferably. As said hot melt adhesive resin, poly (meth) acrylic acid ester resin etc. which have butyl acrylate etc. as a main monomeric unit are mentioned.

점접착제층 (3)은 에폭시 수지, 에폭시 수지와 반응하는 관능기를 갖는 고형 중합체, 및 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 점접착제층 (3)을 개재하여 접합된 반도체 칩과 기판 사이, 또는 복수개의 반도체 칩 사이의 접합 신뢰성이 높아진다.It is preferable that the adhesive agent layer 3 contains an epoxy resin, the solid polymer which has a functional group which reacts with an epoxy resin, and a hardening | curing agent. In this case, the bonding reliability between the semiconductor chip and the board | substrate joined through the adhesive agent layer 3, or between some semiconductor chip becomes high.

상기 에폭시 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 에폭시 수지는 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지를 이용하면, 경화물은 강직해지고, 분자 운동이 저해된다. 이 때문에, 경화물의 기계적 강도, 내열성 및 내습성이 높아진다. The said epoxy resin is not specifically limited. It is preferable that the said epoxy resin is an epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon backbone in a principal chain. When the epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon backbone in a main chain is used, hardened | cured material becomes rigid and molecular motion is inhibited. For this reason, the mechanical strength, heat resistance, and moisture resistance of hardened | cured material become high.

상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지로서는, 예를 들면 디시클로펜타디엔디옥시드, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 테트라히드록시페닐에탄형 에폭시 수지, 테트라키스(글리시딜옥시페닐)에탄, 또는 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-6-메틸시클로헥산카르보네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 나프탈렌형 에폭시 수지가 바람직하게 이용된다.The epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon backbone in a principal chain is not specifically limited. As an epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon backbone in a principal chain, it is dicyclopentadiene dioxide, a dicyclopentadiene type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a tetrahydroxy phenylethane type epoxy resin, tetrakis (glycis, for example). Dyloxyphenyl) ethane or 3, 4- epoxy-6- methyl cyclohexyl methyl-3, 4- epoxy-6- methyl cyclohexane carbonate etc. are mentioned. Especially, a dicyclopentadiene type epoxy resin or a naphthalene type epoxy resin is used preferably.

상기 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지의 구체적인 예로서는, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀노볼락 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 상기 나프탈렌형 에폭시 수지의 구체적인 예로서는, 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌 또는 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등을 들 수 있다.As a specific example of the said dicyclopentadiene type epoxy resin, the phenol novolak epoxy resin etc. which have a dicyclopentadiene frame | skeleton are mentioned. As a specific example of the said naphthalene type epoxy resin, 1-glycidyl naphthalene, 2-glycidyl naphthalene, 1,2- diglycidyl naphthalene, 1, 5- diglycidyl naphthalene, 1, 6- diglycis Dilnaphthalene, 1,7- diglycidyl naphthalene, 2,7- diglycidyl naphthalene, triglycidyl naphthalene or 1,2,5,6-tetraglycidyl naphthalene, etc. are mentioned.

이들 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다. 또한, 상기 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지는 각각 단독으로 이용될 수도 있고, 양자(兩者)가 병용될 수도 있다.The epoxy resin which has these polycyclic hydrocarbon backbone in a principal chain may be used independently, and 2 or more types may be used together. In addition, the said dicyclopentadiene type epoxy resin and the naphthalene type epoxy resin may be used independently, respectively, and both may be used together.

상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 바람직한 하한은 500이고, 바람직한 상한은 1000이다. 상기 중량 평균 분자량이 500 미만이면, 경화물의 기계적 강도, 내열성 및 내습성 등을 충분히 높일 수 없는 경우가 있다. 상기 중량 평균 분자량이 1000을 초과하면, 경화물이 너무 강직해져서 취약해지는 경우가 있다.The minimum with preferable weight average molecular weight of the epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain is 500, and a preferable upper limit is 1000. When the said weight average molecular weight is less than 500, the mechanical strength, heat resistance, moisture resistance, etc. of hardened | cured material may not fully be raised. When the said weight average molecular weight exceeds 1000, hardened | cured material may become too rigid and weak.

상기 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고분자 중합체는 특별히 한정되지 않는다. 상기 고분자 중합체로서는, 예를 들면 아미노기, 우레탄기, 이미드기, 수산기, 카르복실기 또는 에폭시기 등을 갖는 중합체를 들 수 있다. 그 중에서도 에폭시기를 갖는 고분자 중합체가 바람직하다. 에폭시기를 갖는 고분자 중합체를 이용하면, 경화물의 가요성이 높아진다.The high polymer which has a functional group which reacts with the said epoxy group is not specifically limited. As said high polymer, the polymer which has an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or an epoxy group is mentioned, for example. Especially, the high molecular polymer which has an epoxy group is preferable. When the high polymer which has an epoxy group is used, the flexibility of hardened | cured material becomes high.

또한, 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지와 에폭시기를 갖는 고분자 중합체를 이용하면, 상기 다환식 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지에 의해 경화물의 기계적 강도, 내열성 및 내습성을 높일 수 있음과 동시에, 상기 에폭시기를 갖는 고분자 중합체에 의해 경화물의 가요성이 높아진다.Moreover, when the epoxy resin which has a polycyclic hydrocarbon backbone in a main chain, and the high molecular polymer which has an epoxy group are used, the epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon backbone in a main chain can raise the mechanical strength, heat resistance, and moisture resistance of hardened | cured material, The flexibility of hardened | cured material becomes high by the high molecular polymer which has the said epoxy group.

상기 에폭시기를 갖는 고분자 중합체는 말단 및 측쇄(팬던트 위치) 중 적어도 한쪽에 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the high molecular polymer which has the said epoxy group has an epoxy group in at least one of a terminal and a side chain (pendant position).

상기 에폭시기를 갖는 고분자 중합체로서는, 예를 들면 에폭시기 함유 아크릴 고무, 에폭시기 함유 부타디엔 고무, 비스페놀형 고분자량 에폭시 수지, 에폭시기 함유 페녹시 수지, 에폭시기 함유 아크릴 수지, 에폭시기 함유 우레탄 수지 또는 에폭시기 함유 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 경화물의 기계적 강도나 내열성을 높일 수 있기 때문에, 에폭시기 함유 아크릴 수지가 바람직하게 이용된다. 이들 에폭시기를 갖는 고분자 중합체는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.As a high molecular polymer which has the said epoxy group, an epoxy group containing acrylic rubber, an epoxy group containing butadiene rubber, a bisphenol-type high molecular weight epoxy resin, an epoxy group containing phenoxy resin, an epoxy group containing acrylic resin, an epoxy group containing urethane resin, an epoxy group containing polyester resin, etc. Can be mentioned. Especially, since the mechanical strength and heat resistance of hardened | cured material can be improved, an epoxy-group containing acrylic resin is used preferably. The high molecular polymers having these epoxy groups may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 경화제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화제로서는, 예를 들면 트리알킬테트라히드로무수프탈산 등의 가열 경화형 산무수물계 경화제, 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 디시안디아미드 등의 잠재성 경화제 또는 양이온계 촉매형 경화제 등을 들 수 있다. 이들 경화제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The said hardening | curing agent is not specifically limited. As said hardening | curing agent, latent hardening | curing agents, such as heat-hardening-type acid anhydride type hardening | curing agents, such as trialkyl tetrahydro phthalic anhydride, a phenol type hardening | curing agent, an amine type hardening | curing agent, and dicyandiamide, etc. are mentioned, for example. These curing agents may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

상기 상온에서 액상인 가열 경화형 경화제의 구체적인 예로서는, 예를 들면 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 메틸나스산 무수물 또는 트리알킬테트라히드로무수프탈산 등의 산무수물계 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도 소수화되어 있기 때문에 메틸나스산 무수물 또는 트리알킬테트라히드로무수프탈산이 바람직하게 이용된다. 이들 산무수물계 경화제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.As an example of the heat-hardening type hardening | curing agent which is liquid at normal temperature, acid anhydride type hardening | curing agents, such as methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, a methylnasic anhydride, or a trialkyl tetrahydrophthalic anhydride, are mentioned, for example. Especially, since it is hydrophobized, methylnamic acid anhydride or a trialkyl tetrahydro phthalic anhydride is used preferably. These acid anhydride type hardeners may be used independently and 2 or more types may be used together.

경화 속도나 경화물의 물성 등을 조정하기 위해서, 상기 경화제와 함께 경화 촉진제를 이용할 수도 있다.In order to adjust the hardening rate, the physical property of hardened | cured material, etc., a hardening accelerator can also be used with the said hardening | curing agent.

상기 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화 촉진제로서는, 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 또는 3급 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하게 이용된다. 이미다졸계 경화 촉진제를 이용한 경우, 경화 속도나 경화물의 물성 등을 용이하게 조정할 수 있다. 이들 경화 촉진제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The said hardening accelerator is not specifically limited. As said hardening accelerator, an imidazole series hardening accelerator, a tertiary amine hardening accelerator, etc. are mentioned, for example. Especially, an imidazole series hardening accelerator is used preferably. When imidazole series hardening accelerator is used, the hardening rate, the physical property of hardened | cured material, etc. can be adjusted easily. These hardening accelerators may be used independently and 2 or more types may be used together.

상기 이미다졸계 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면 이미다졸의 1 위치를 시아노에틸기로 보호한 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 또는 이소시아누르산으로 염기성을 보호한 상품명 「2MAOK-PW」(시코쿠 가세이 고교사 제조) 등을 들 수 있다. 이들 이미다졸계 경화 촉진제는 단독으로 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The said imidazole series hardening accelerator is not specifically limited. As said imidazole series hardening accelerator, the brand name "2MAOK- which protected basicity with 1-cyanoethyl- 2-phenylimidazole which protected the 1 position of imidazole by the cyanoethyl group, or isocyanuric acid, for example. PW "(made by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), etc. are mentioned. These imidazole series hardening accelerators may be used independently, and 2 or more types may be used together.

산무수물계 경화제와 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 등의 경화 촉진제를 병용하는 경우에는, 산무수물계 경화제의 첨가량을 에폭시기에 대하여 이론적으로 필요한 당량 이하로 하는 것이 바람직하다. 산무수물계 경화제의 첨가량이 과잉이면, 경화물로부터 수분에 의해 염소 이온이 용출되기 쉬워질 우려가 있다. 예를 들면, 열수를 이용하여 경화물로부터 용출 성분을 추출하였을 때에, 추출수의 pH가 4 내지 5 정도까지 낮아지고, 에폭시 수지로부터 방출된 염소 이온이 다량으로 용출되는 경우가 있다.When using an acid anhydride type hardening | curing agent and hardening accelerators, such as an imidazole series hardening accelerator, for example, it is preferable to make the addition amount of an acid anhydride type hardening | curing agent below the theoretically required equivalent with respect to an epoxy group. When the amount of the acid anhydride curing agent added is excessive, chlorine ions may be easily eluted from the cured product due to moisture. For example, when the elution component is extracted from the cured product using hot water, the pH of the extract water is lowered to about 4 to 5, and the chlorine ions released from the epoxy resin may be eluted in large amounts.

또한, 아민계 경화제와 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 등의 경화 촉진제를 병용하는 경우에는, 아민계 경화제의 첨가량을 에폭시기에 대하여 이론적으로 필요한 당량 이하로 하는 것이 바람직하다. 아민물계 경화제의 첨가량이 과잉이면, 경화성 수지 조성물의 경화물로부터 수분에 의해 염소 이온이 용출되기 쉬워질 우려가 있다. 예를 들면, 열수를 이용하여 경화물로부터 용출 성분을 추출하였을 때에, 추출수의 pH가 높고, 추출수이 염기성이 되며, 에폭시 수지로부터 방출된 염소 이온이 다량으로 용출되는 경우가 있다.In addition, when using an amine hardening | curing agent and hardening accelerators, such as imidazole series hardening accelerators together, it is preferable to make the addition amount of an amine hardening | curing agent into the theoretically required equivalent or less with respect to an epoxy group. When the amount of the amine-based curing agent added is excessive, chlorine ions may be easily eluted by the water from the cured product of the curable resin composition. For example, when the elution component is extracted from the cured product using hot water, the pH of the extraction water is high, the extraction water becomes basic, and a large amount of chlorine ions released from the epoxy resin may be eluted.

(다이싱 필름 (5))(Dicing Film (5))

상기 다이신 필름 (5)는 상술한 바와 같이 기재 (5a)와 기재 (5a)의 한쪽면에 적층된 점착제층 (5b)를 갖는다. 점착제층 (5b)는 다이싱 링이 첩부되는 다이싱 링 첩부용 점착제층이다.The said diesin film 5 has the adhesive layer 5b laminated | stacked on one side of the base material 5a and the base material 5a as mentioned above. The adhesive layer 5b is an adhesive layer for dicing ring sticking on which a dicing ring is stuck.

상기 기재 (5a)는 특별히 한정되지 않는다. 상기 기재 (5a)의 구체적인 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리비닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 그 중에서도 익스팬드성이 우수하고, 환경 부하가 작기 때문에 폴리올레핀계 필름이 바람직하게 이용된다.The said base material 5a is not specifically limited. Specific examples of the substrate 5a include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polyolefin film such as polymethylpentene film and polyvinylacetate film, poly Plastic films, such as a vinyl chloride film and a polyimide film, etc. are mentioned. Among them, polyolefin-based films are preferably used because of their excellent expandability and low environmental load.

상기 점착제층 (5b)는 비점착층 (4)와 다이싱 필름과의 박리력이 점접착제층 (3)과 비점착층 (4)와의 박리력보다 커지도록 구성되면 특별히 한정되지 않는다. 점착제층 (5b)를 구성하는 점착제의 구체적인 예로서는, 아크릴계 점착제, 특수합성 고무계 점착제, 합성 수지계 점착제 또는 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 감압 타입의 아크릴계 점착제가 바람직하다. 감압 타입의 아크릴계 점착제를 이용한 경우, 다이싱 링을 점착제층 (5b)로부터 한층 더 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 점착제층 (5b)의 비용을 낮출 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 5b is not particularly limited as long as the peeling force between the non-adhesive layer 4 and the dicing film is greater than the peeling force between the adhesive agent layer 3 and the non-adhesive layer 4. As an example of the adhesive which comprises the adhesive layer 5b, an acrylic adhesive, a special synthetic rubber adhesive, a synthetic resin adhesive, or a rubber adhesive can be mentioned. Especially, the pressure sensitive type acrylic adhesive is preferable. When the pressure-sensitive acrylic adhesive is used, the dicing ring can be more easily peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 5b. Moreover, the cost of the adhesive layer 5b can be reduced.

도 2에 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱-다이본딩 테이프를 부분 절결 정면 단면도로 나타낸다.In FIG. 2, the dicing die-bonding tape which concerns on other embodiment of this invention is shown by partial notch front sectional drawing.

도 2에 나타내는 다이싱-다이본딩 테이프 (15)는 이형 필름 (2), 점접착제층 (3), 비점착층 (4) 및 다이싱 필름 (16)이 이 순서대로 적층된 적층체이다. 즉, 다이싱-다이본딩 테이프 (15)는 다이싱 필름의 구성이 다른 것 이외에는, 다이싱-다이본딩 테이프 (1)과 동일하게 구성되어 있다. 다이싱-다이본딩 테이프 (15)에서는, 상술한 다이싱 필름 (5)와 달리, 점착제층이 설치되지 않은 다이싱 필름 (16)이 이용되고 있다.The dicing die-bonding tape 15 shown in FIG. 2 is a laminated body in which the release film 2, the adhesive layer 3, the non-adhesive layer 4, and the dicing film 16 were laminated | stacked in this order. That is, the dicing die-bonding tape 15 is comprised similarly to the dicing die-bonding tape 1 except the structure of a dicing film being different. In the dicing die-bonding tape 15, unlike the dicing film 5 mentioned above, the dicing film 16 in which the adhesive layer is not provided is used.

다이싱 필름은 점착제층을 갖지 않아도 좋다. 다이싱 필름이 점착제층을 갖지 않은 경우에는, 다이싱 필름이, 예를 들면 점착력을 갖는 재료에 의해 구성된다.The dicing film does not need to have an adhesive layer. When a dicing film does not have an adhesive layer, a dicing film is comprised, for example with the material which has adhesive force.

다음에, 상술한 다이싱-다이본딩 테이프 (1)을 이용한 경우의 반도체 칩의 제조 방법을 도 3 내지 도 9를 이용하여 이하 설명한다.Next, the manufacturing method of the semiconductor chip at the time of using the above-mentioned dicing die-bonding tape 1 is demonstrated using FIGS.

우선, 상술한 다이싱-다이본딩 테이프 (1)과 반도체 웨이퍼 (21)을 준비한다.First, the dicing die-bonding tape 1 and the semiconductor wafer 21 which were mentioned above are prepared.

도 3에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (21)의 평면 형상은 원형이다. 반도체 웨이퍼 (21)의 표면 (21a)에는 도시하지 않았지만, 스트리트에 의해 매트릭스형으로 구획된 각 영역에, 개개의 반도체 칩을 구성하기 위한 회로가 형성되어 있다. 반도체 웨이퍼 (21)은 소정의 두께가 되도록 이면 (21b)가 연마되어 있다.As shown in FIG. 3, the planar shape of the semiconductor wafer 21 is circular. Although not shown on the surface 21a of the semiconductor wafer 21, circuits for forming individual semiconductor chips are formed in respective regions partitioned in a matrix by streets. The back surface 21b is polished so that the semiconductor wafer 21 may have a predetermined thickness.

반도체 웨이퍼 (21)의 두께는 바람직하게는 30 μm 이상이다. 반도체 웨이퍼 (21)의 두께가 30 μm보다 얇으면, 연삭시나 핸들링시에 균열 등이 발생하여 반도체 칩이 파손되는 경우가 있다.The thickness of the semiconductor wafer 21 is preferably 30 μm or more. If the thickness of the semiconductor wafer 21 is thinner than 30 µm, cracks or the like may occur during grinding or handling, and the semiconductor chip may be damaged.

또한, 후술하는 다이싱시에, 매트릭스형으로 구획된 각 영역마다 반도체 웨이퍼 (21)이 분할된다.In addition, at the time of dicing mentioned later, the semiconductor wafer 21 is divided | segmented into each area | region partitioned in matrix form.

도 4에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (21)을 뒤집고, 뒤집은 반도체 웨이퍼 (21)을 스테이지 (22) 상에 배치한다. 즉, 반도체 웨이퍼 (21)을 표면 (21a)측에서 스테이지 (22) 상에 배치한다. 스테이지 (22) 상에는, 반도체 웨이퍼 (21)의 외주 측면 (21c)로부터 일정 간격을 떨어뜨린 위치에, 원환형의 다이싱 링 (23)이 설치되어 있다. 다이싱 링 (23)의 높이는 반도체 웨이퍼 (21), 점접착제층 (3) 및 비점착층 (4)의 합계 두께와 동일하거나 또는 약간 낮다.As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer 21 is inverted, and the inverted semiconductor wafer 21 is disposed on the stage 22. That is, the semiconductor wafer 21 is arrange | positioned on the stage 22 by the surface 21a side. On the stage 22, the annular dicing ring 23 is provided in the position which separated the fixed space | interval from the outer peripheral side surface 21c of the semiconductor wafer 21. As shown in FIG. The height of the dicing ring 23 is equal to or slightly lower than the total thickness of the semiconductor wafer 21, the adhesive layer 3, and the non-adhesive layer 4.

다음에, 다이싱-다이본딩 테이프 (1)의 점접착제층 (3)의 면 (3a)에 반도체 웨이퍼 (21)을 접합시킨다. 도 5에, 점접착제층 (3)에 반도체 웨이퍼 (21)을 접합시킬 때의 상태를 정면 단면도로 나타낸다.Next, the semiconductor wafer 21 is bonded to the surface 3a of the adhesive agent layer 3 of the dicing die-bonding tape 1. In FIG. 5, the state at the time of bonding the semiconductor wafer 21 to the adhesive agent layer 3 is shown by front sectional drawing.

다이싱 필름 (5)는 점접착제층 (3) 및 비점착층 (4)의 외주 측면보다 외측으로 연장되어 있는 연장부 (5c)를 갖는다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 다이싱-다이본딩 테이프 (1)의 이형 필름 (2)를 박리하고, 점접착제층 (3)의 표면 (3a)와 다이싱 필름 (5)의 연장부 (5c)의 점착제 (5b)를 노출시킨다.The dicing film 5 has the extension part 5c which extends outward rather than the outer peripheral side of the adhesive agent layer 3 and the non-adhesion layer 4. As shown in FIG. As shown in FIG. 5, the release film 2 of the dicing die-bonding tape 1 is peeled off, and the surface 3a of the adhesive agent layer 3 and the extension part 5c of the dicing film 5 are shown. Pressure sensitive adhesive (5b) is exposed.

이형 필름 (2)를 박리한 후, 또는 이형 필름 (2)를 박리하면서, 노출된 다이싱 필름 (5)의 연장부 (5c)의 점접착제층 (5b)를 다이싱 링 (23) 상에 첩부한다. 또한, 노출된 점접착제층 (3)을 반도체 웨이퍼 (21)의 이면 (21b)에 접합시킨다.After peeling the release film 2 or peeling off the release film 2, the adhesive agent layer 5b of the extended part 5c of the exposed dicing film 5 was put on the dicing ring 23. Stick it. In addition, the exposed adhesive layer 3 is bonded to the back surface 21b of the semiconductor wafer 21.

도 6에, 점접착제층 (3)에 반도체 웨이퍼 (21)이 접합된 상태를 정면 단면도로 나타낸다.6, the state by which the semiconductor wafer 21 was bonded to the adhesive agent layer 3 is shown by the front sectional drawing.

반도체 웨이퍼 (21)의 이면 (21b) 전체에 점접착제층 (3)이 접합되어 있다. 반도체 웨이퍼 (21)에 필요 이상의 힘이 가해지지 않도록, 다이싱 필름 (5)의 연장부 (5c)는 다이싱 링 (23)에 지지되어 있다.The adhesive agent layer 3 is bonded by the whole back surface 21b of the semiconductor wafer 21. As shown in FIG. The extension part 5c of the dicing film 5 is supported by the dicing ring 23 so that an unnecessary force may not be applied to the semiconductor wafer 21.

다음에, 도 7에 정면 단면도에서 나타낸 바와 같이, 점접착제층 (3)이 접합된 반도체 웨이퍼 (21)을 스테이지 (22)로부터 취출하여 뒤집는다. 이 때, 다이싱 링 (23)이 다이싱 필름 (5)에 첩부된 상태로 취출된다. 취출된 반도체 웨이퍼 (21)을 표면 (21a)가 상측이 되도록 뒤집어 다른 스테이지 (24) 상에 배치한다.Next, as shown in front sectional drawing in FIG. 7, the semiconductor wafer 21 to which the adhesive agent layer 3 was bonded is taken out from the stage 22, and is inverted. At this time, the dicing ring 23 is taken out in the state affixed on the dicing film 5. The taken out semiconductor wafer 21 is placed upside down so that the surface 21a is on the upper side and placed on another stage 24.

다음에, 점접착제층 (3)이 접합된 반도체 웨이퍼 (21)을 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 분할한다.Next, the semiconductor wafer 21 to which the adhesive agent layer 3 was bonded is diced, and it divides into individual semiconductor chips.

점접착제층 (3)이 접합된 반도체 웨이퍼 (21)을 다이싱하여 개개의 반도체 칩 (31)로 분할하는 공정을, 도 8(a) 내지 (d)를 이용하여 설명한다.The process of dicing the semiconductor wafer 21 to which the adhesive agent layer 3 was bonded, and dividing into individual semiconductor chips 31 is demonstrated using FIG. 8 (a)-(d).

도 8(a) 내지 (d)는 개개의 반도체 칩 (31)로 분할하는 공정을 단계적으로 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.8A to 8D are partial cutaway front cross-sectional views that show a step of dividing into individual semiconductor chips 31 step by step.

도 8(a) 내지 (d)에서는, 다이싱에 의한 반도체 웨이퍼 (21)의 파손을 막기 위해서, 다이싱은 2단계(스텝 컷트)로 행해지고 있다. 도 8(a), (b)에는 다이싱의 1단계째가 나타내어져 있고, 도 8(c), (d)에는 다이싱의 2단계째가 나타내어져 있다. 또한, 다이싱시에 있어서의 반도체 웨이퍼 (21)의 파손을 방지할 수 있으면, 다이싱은 1단계로 행해질 수도 있다.In FIG.8 (a)-(d), dicing is performed in two steps (step cut), in order to prevent the damage of the semiconductor wafer 21 by dicing. The first stage of dicing is shown in Figs. 8A and 8B, and the second stage of dicing is shown in Figs. 8C and 8D. In addition, as long as the damage of the semiconductor wafer 21 at the time of dicing can be prevented, dicing may be performed in one step.

도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 우선 반도체 웨이퍼 (21)의 표면 (21a)로부터, 예를 들면 반도체 웨이퍼 (21)의 이면 (21b)에 이르지 않는 위치까지, 다이싱 장치의 제1 절단날 (41)을 삽입한다. 그 후, 제1 절단날 (41)을 뽑아냄으로써, 도 8(b)에 나타낸 바와 같이 제1 절단 부분 (42)가 형성된다.As shown in FIG. 8A, first, the first cutting edge of the dicing apparatus from the surface 21a of the semiconductor wafer 21 to a position which does not reach, for example, the rear surface 21b of the semiconductor wafer 21. Insert (41). Thereafter, the first cutting edge portion 41 is pulled out to form the first cutting portion 42 as shown in Fig. 8B.

다음에, 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 다이싱 장치의 제1 절단날 (41)보다 얇은 제2 절단날 (43)을 제1 절단 부분 (42)의 중앙에 삽입한다. 제2 절단날 (43)은 제1 절단 부분 (42)보다 더 깊은 위치까지 삽입된다. 제2 절단날 (43)의 삽입 깊이는 점접착제층 (3)을 관통하면 특별히 한정되지 않는다. 제2 절단날 (43)은 비점착층 (4)를 관통하지 않는 위치, 예를 들면 비점착층 (4) 두께의 반 이하의 위치까지 삽입되는 것이 바람직하다.Next, as shown to FIG. 8 (c), the 2nd cutting blade 43 which is thinner than the 1st cutting blade 41 of a dicing apparatus is inserted in the center of the 1st cutting part 42. FIG. The second cutting edge 43 is inserted to a position deeper than the first cutting portion 42. The insertion depth of the second cutting blade 43 is not particularly limited as long as it penetrates the adhesive agent layer 3. It is preferable that the 2nd cutting blade 43 is inserted in the position which does not penetrate the non adhesion layer 4, for example, the position below half of the thickness of the non adhesion layer 4.

제2 절단날 (43)을 뽑아냄으로써, 도 8(d)에 나타낸 바와 같이 제1 절단 부분 (42)보다 더 깊은 위치에, 제1 절단 부분 (42)보다 절단폭이 좁은 제2 절단 부분 (44)가 형성된다.By pulling out the 2nd cutting edge 43, as shown to FIG. 8 (d), in the deeper position than the 1st cutting part 42, the 2nd cutting part whose narrower cutting width than the 1st cutting part 42 ( 44) is formed.

반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 특별히 한정되지 않는다. 다이싱 방법으로서는, 예를 들면 1매의 날로 컷트하는 싱글 컷트, 상술한 2매의 날로 컷트하는 스텝 컷트 또는 2매의 날로 컷트하는 베벨 컷트 등을 들 수 있다. 베벨 컷트에서는, 반도체 웨이퍼의 표면을 절단하기 때문에, 단면이 V자 형상의 날이 이용된다. 그 중에서도, 다이싱시에 반도체 웨이퍼의 파손이 생기기 어렵기 때문에, 스텝 컷트가 바람직하다.The dicing method of a semiconductor wafer is not specifically limited. As a dicing method, the single cut cut by one blade, the step cut cut by the two blades mentioned above, the bevel cut cut by two blades, etc. are mentioned, for example. In the bevel cut, since the surface of a semiconductor wafer is cut | disconnected, the V-shaped blade of a cross section is used. Especially, since the breakage of a semiconductor wafer hardly occurs at the time of dicing, a step cut is preferable.

또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법으로서, 레이저를 조사하는 방법을 이용할 수도 있다. 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼를 점접착제층 (3)째 절단하는 경우, 레이저광은 비점착층 (4)에 이르도록 조사된다. 자외선 경화형 또는 방사선 경화형의 종래 다이싱 필름 등을 이용한 경우에는, 레이저광의 조사에 의해 다이싱을 행하면, 다이싱 필름이 레이저광의 에너지에 의해 반응하여 다른 층에 융착되는 경우가 있었다. 이 경우에는, 반도체 칩을 다이싱 필름으로부터 픽업할 수 없게 된다.Moreover, the method of irradiating a laser can also be used as a dicing method of a semiconductor wafer. When the semiconductor wafer is cut to the third adhesive layer 3 by the irradiation of the laser light, the laser light is irradiated to reach the non-adhesive layer 4. In the case of using a conventional dicing film of ultraviolet curing or radiation curing type or the like, when dicing is performed by laser light irradiation, the dicing film may react with the energy of the laser light and be fused to another layer. In this case, the semiconductor chip cannot be picked up from the dicing film.

이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 비점착층 (4)가 레이저광의 조사에 의해 반응하기 어렵기 때문에, 비점착층 (4)가 점접착제층 (3)에 융착되기 어렵다. 따라서, 레이저광을 이용한 다이싱을 행한 경우에도, 반도체 칩의 픽업을 무리하지 않게 행할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, since the non-adhesive layer 4 hardly reacts by irradiation of a laser beam, the non-adhesive layer 4 is hard to fuse to the adhesive agent layer 3. Therefore, even when dicing using a laser beam can be performed, pickup of a semiconductor chip can be performed unreasonably.

반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 분할한 후, 다이싱 필름을 신장시켜, 분할된 개개의 반도체 칩 사이의 간격을 확장한다. 그 후, 반도체 칩이 접합된 점접착제층 (3)을 비점착층 (4)로부터 박리하고, 도 9에 나타내는 반도체 칩 (31)을 취출한다.After dicing a semiconductor wafer and dividing it into individual semiconductor chips, a dicing film is extended and the space | interval between each divided semiconductor chip is extended. Then, the adhesive agent layer 3 to which the semiconductor chip was bonded is peeled from the non-adhesion layer 4, and the semiconductor chip 31 shown in FIG. 9 is taken out.

또한, 반도체 칩이 접합된 점접착제층 (3)을 비점착층 (4)로부터 박리하는 방법으로서는, 반도체 웨이퍼의 이면측으로부터, 다핀을 이용하여 밀어올리는 방법이나 다단 핀을 이용하여 밀어올리는 방법, 반도체 웨이퍼의 표면측으로부터 진공 필링하는 방법, 또는 초음파 진동을 이용하는 방법 등을 들 수 있다.Moreover, as a method of peeling the adhesive agent layer 3 to which the semiconductor chip was bonded from the non-adhesion layer 4, the method of pushing up using a multi-fin, the method of pushing up using a multistage pin, from the back surface side of a semiconductor wafer, The method of vacuum peeling from the surface side of a semiconductor wafer, the method of using ultrasonic vibration, etc. are mentioned.

[실시예]EXAMPLE

(실시예 1 내지 11 및 비교예 1 내지 5)(Examples 1 to 11 and Comparative Examples 1 to 5)

비점착층을 제조하기 위해서, 하기 표 1에 나타내는 아크릴계 중합체 1 내지 5 중 어떤 것을 이용하였다. 아크릴계 중합체 1 내지 5 중 어떤 것을 주성분으로서 포함하는 조성물에 의해 비점착층을 형성하였다.In order to manufacture a non adhesion layer, any of the acrylic polymers 1-5 shown in following Table 1 was used. A non-adhesive layer was formed with the composition containing any of acrylic polymers 1-5 as a main component.

우선, 이하의 아크릴계 중합체를 합성하였다.First, the following acrylic polymer was synthesize | combined.

(아크릴계 중합체 1)(Acrylic Polymer 1)

2-에틸헥실아크릴레이트 95 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50 ％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부 및 라우릴머캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하여 중합을 행하고, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 3.5 중량부 반응시켜 아크릴 공중합체(아크릴계 중합체 1)을 얻었다. 얻어진 아크릴계 중합체 1의 중량 평균 분자량은 70만이고, 산가는 0.86(mgKOH/g)이었다.95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., Ltd., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator and lauryl mercaptan 0.01 part by weight was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution and superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 3.5 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) were reacted with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer (acrylic polymer 1) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained acrylic polymer 1 was 700,000, and the acid value was 0.86 (mgKOH / g).

(아크릴계 중합체 2)(Acrylic polymer 2)

2-에틸헥실아크릴레이트 94 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 아크릴산 1 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50 ％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부 및 라우릴머캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하여 중합을 행하고, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 3.5 중량부 반응시켜 아크릴 공중합체(아크릴계 중합체 2)를 얻었다. 얻어진 아크릴계 중합체 2의 중량 평균 분자량은 76만이고, 산가는 6.73(mgKOH/g)이었다.0.2 parts by weight of 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 1 part by weight of acrylic acid, Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator And 0.01 part by weight of lauryl mercaptan was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution and superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 3.5 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) were reacted with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer (acrylic polymer 2) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained acrylic polymer 2 was 760,000, and the acid value was 6.73 (mgKOH / g).

(아크릴계 중합체 3)(Acrylic polymer 3)

2-에틸헥실아크릴레이트 97 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 3 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50 ％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부 및 라우릴머캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하여 중합을 행하고, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 1.8 중량부 반응시켜 아크릴 공중합체(아크릴계 중합체 3)을 얻었다. 얻어진 아크릴계 중합체 3의 중량 평균 분자량은 89만이고, 산가는 0.58(mgKOH/g)이었다.97 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., Ltd., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator and lauryl mercaptan 0.01 part by weight was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution and superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 1.8 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) were reacted with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer (acrylic-polymer 3) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained acrylic polymer 3 was 890,000, and the acid value was 0.58 (mgKOH / g).

(아크릴계 중합체 4)(Acrylic polymer 4)

2-에틸헥실아크릴레이트 99 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 1 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50 ％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부 및 라우릴머캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하여 중합을 행하고, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 0.9 중량부 반응시켜 아크릴 공중합체(아크릴계 중합체 4)를 얻었다. 얻어진 아크릴계 중합체 4의 중량 평균 분자량은 73만이고, 산가는 0.34(mgKOH/g)이었다.99 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 1 part by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Co., Ltd. product, 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator and lauryl mercaptan 0.01 part by weight was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution and superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Furthermore, 0.9 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) was reacted with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer (acrylic-polymer 4) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained acrylic polymer 4 was 730,000, and the acid value was 0.34 (mgKOH / g).

(아크릴계 중합체 5)(Acrylic polymer 5)

2-에틸헥실아크릴레이트 95 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 광 라디칼 발생제로서의 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50 ％ 아세트산에틸 용액) 0.2 중량부 및 라우릴머캅탄 0.01 중량부를 아세트산에틸에 용해시켜 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하여 중합을 행하고, 중합체의 아세트산에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI)를 7 중량부 반응시켜 아크릴 공중합체(아크릴계 중합체 5)를 얻었다. 얻어진 아크릴계 중합체 5의 중량 평균 분자량은 92만이고, 산가는 1.00(mgKOH/g)이었다.95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 part by weight of Irgacure 651 (Ciba Gaigi Co., Ltd., 50% ethyl acetate solution) as an optical radical generator and lauryl mercaptan 0.01 part by weight was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. Ultraviolet was irradiated to this solution and superposed | polymerized, and the ethyl acetate solution of the polymer was obtained. Moreover, 7 weight part of 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (Showa Denko Corporation make, Carens MOI) were reacted with respect to 100 weight part of solid content of this solution, and the acrylic copolymer (acrylic-polymer 5) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained acrylic polymer 5 was 920,000, and the acid value was 1.00 (mgKOH / g).

Figure pct00001
Figure pct00001

또한, 비점착층을 형성하기 위한 조성물을 구성하는 재료로서, 이하의 화합물을 준비하였다.Moreover, the following compounds were prepared as a material which comprises the composition for forming a non adhesion layer.

광 중합 개시제: 이르가큐어 651(시바ㆍ케미칼 스페셜리티사 제조)Photoinitiator: Irgacure 651 (made by Shiba Chemical Specialty Company)

(충전재)(filling)

SC4050: 애드마텍스사 제조, 실리카 충전재, 평균 입경: 1 μmSC4050: Made by Admatex, silica filler, average particle size: 1 μm

SC2050: 애드마텍스사 제조, 실리카 충전재, 평균 입경: 0.5 μmSC2050: Made by Admatex, silica filler, average particle size: 0.5 μm

SC1050: 애드마텍스사 제조, 실리카 충전재, 평균 입경: 0.3 μmSC1050: Admatex Co., Ltd., silica filler, average particle size: 0.3 μm

(올리고머)(Oligomer)

U324A: 신나카무라 가가꾸 고교사 제조, 우레탄아크릴 올리고머(10관능의 우레탄아크릴 올리고머), 중량 평균 분자량: 1,300U324A: Shin-Nakamura Chemical Industries, Ltd. urethane acryl oligomer (10 functional urethane acryl oligomer), weight average molecular weight: 1,300

UA340P: 신나카무라 가가꾸 고교사 제조, 우레탄아크릴 올리고머(2관능), 중량 평균 분자량: 12,000UA340P: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. make, urethane acryl oligomer (bifunctional), weight average molecular weight: 12,000

UN7600: 네가미 고교사 제조, 우레탄아크릴 올리고머(2관능), 중량 평균 분자량: 11,500UN7600: Negami Kogyo Co., Ltd., urethane acrylic oligomer (bifunctional), weight average molecular weight: 11,500

N7700: 네가미 고교사 제조, 우레탄아크릴 올리고머(2관능), 중량 평균 분자량: 20,000N7700: Negami Kogyo Co., Ltd. urethane acryl oligomer (bifunctional), weight average molecular weight: 20,000

에베크릴(EBECRYL)12: 다이셀 사이텍사 제조, 폴리프로필렌글리콜트리아크릴레이트, 중량 평균 분자량: 780EBECRYL 12: The product made by Daicel Cytec, polypropylene glycol triacrylate, the weight average molecular weight: 780

(실시예 1)(Example 1)

상기 아크릴계 중합체 1을 100 중량부, 이르가큐어 651을 1 중량부 및 우레탄아크릴 올리고머로서 U324A를 15 중량부를 배합하여 조성물을 얻었다. 얻어진 조성물에, 160 W의 수은등 2등을 이용하여 광을 4000 mJ/cm2의 에너지가 되도록 조사하고, 조성물을 경화시켜 비점착층으로서의 비점착 필름을 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 비점착층의 반도체 칩 픽업시의 온도로서의 23 ℃의 온도에 있어서의 저장 탄성률과, 파단 신도를 이하의 방법으로 측정하였다.100 parts by weight of the acrylic polymer 1, 1 part by weight of Irgacure 651, and 15 parts by weight of U324A as a urethane acryl oligomer were mixed to obtain a composition. The obtained composition was irradiated with light so as to have energy of 4000 mJ / cm 2 using a 160 W mercury lamp 2 lamp, and the composition was hardened and the non-adhesive film as a non adhesion layer was obtained. Thus, the storage elastic modulus and breaking elongation at the temperature of 23 degreeC as the temperature at the time of semiconductor chip pick-up of the non-adhesive layer obtained were measured by the following method.

1) 저장 탄성률의 측정: 두께 0.5 mm 및 폭 5 mm의 완전히 경화된 비점착층을 3 cm의 폭으로 잘라내고, 시험 샘플을 얻었다. 아이티 게이소꾸사 제조 DVA-200을 이용하여 10 Hz 및 변형 0.1 ％의 조건에서 시험 샘플의 23 ℃에 있어서의 저장 탄성률을 구하였다.1) Measurement of Storage Elastic Modulus: The fully cured non-adhesive layer having a thickness of 0.5 mm and a width of 5 mm was cut out to a width of 3 cm to obtain a test sample. The storage elastic modulus at 23 degrees C of a test sample was calculated | required using the DVA-200 by Haiti Keikoku Co., Ltd. on 10 Hz and 0.1% of deformation conditions.

2) 파단 신도: 두께 0.5 mm, 폭 5 mm 및 7 cm의 완전히 경화된 비점착층을 시험 샘플로서 준비하였다. 시마즈 세이사꾸쇼 제조 인장 시험기 AG-IS를 이용하여 시험 샘플을 23 ℃로 300 mm/분의 속도로 인장하고, 파단에 이르렀을 때의 신도를 측정하여 파단 신도로 하였다.2) Elongation at Break: A fully cured, non-stick layer of thickness 0.5 mm, width 5 mm and 7 cm was prepared as a test sample. The test sample was stretched at a speed of 300 mm / min at 23 ° C. using a tensile tester AG-IS manufactured by Shimadzu Corporation, and the elongation at break was measured to obtain elongation at break.

상기 비점착층을 이용하여, 이하의 요령으로 다이싱-다이본딩 테이프를 제조하였다.Using the said non-adhesive layer, the dicing die-bonding tape was manufactured by the following methods.

G-2050M(닛본 유시사 제조, 에폭시 함유 아크릴 중합체, 중량 평균 분자량 Mw 20만) 15 중량부와, EXA-7200HH(다이닛본 잉크사 제조, 디시클로펜타디엔형 에폭시) 70 중량부와, HP-4032D(다이닛본 잉크사 제조, 나프탈렌형 에폭시) 15 중량부와, YH-309(재팬 에폭시 레진사 제조, 산무수물계 경화제) 38 중량부와, 2MAOK-PW(시코쿠 가세이사 제조, 이미다졸) 8 중량부와, S320(칫소사 제조, 아미노실란) 2 중량부와, MT-10(도꾸야마사 제조, 표면 소수화 발연 실리카) 4 중량부를 배합하여 배합물을 얻었다. 얻어진 배합물을 용제로서의 메틸에틸케톤(MEK)에 고형분 60 ％가 되도록 첨가하고, 교반하여 도포액을 얻었다. 얻어진 도포액을 이형 필름 상에 두께 40 μm가 되도록 도포하여 110 ℃의 오븐 내에서 3 분간 가열 건조시키고, 이형 필름 상에 점접착제층을 형성하였다.15 parts by weight of G-2050M (manufactured by Nippon Yushi, epoxy-containing acrylic polymer, weight average molecular weight Mw 200,000), 70 parts by weight of EXA-7200HH (manufactured by Dainippon Ink, Dicyclopentadiene type epoxy), and HP- 15 parts by weight of 4032D (manufactured by Dainippon Ink, Naphthalene type epoxy), 38 parts by weight of YH-309 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., acid anhydride-based curing agent), and 2MAOK-PW (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) 8 By weight, 2 parts by weight of S320 (manufactured by Chisso Corp., aminosilane) and 4 parts by weight of MT-10 (manufactured by Tokuyama Co., Ltd., surface hydrophobized fumed silica) were blended to obtain a blend. The obtained compound was added to methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent so as to have a solid content of 60%, and stirred to obtain a coating liquid. The obtained coating liquid was apply | coated so that it might become thickness of 40 micrometers on a release film, it heat-dried for 3 minutes in 110 degreeC oven, and the adhesive agent layer was formed on the release film.

점접착제층의 이형 필름이 적층된 면과는 반대측의 면에, 상기 비점착층을 60 ℃에서 라미네이팅하여 라미네이트체를 얻었다. 라미네이트체를 원형으로 잘라낸 후, 비점착층의 점접착제층이 적층된 면과는 반대측의 면에 다이싱 필름으로서의 PE 테이프 #6318-B(세끼스이 가가꾸 고교사 제조 점착 필름, 두께 70 μm의 폴리에틸렌 기재의 한쪽면에, 두께 10 μm의 고무계 점착제층이 형성된 점착 필름)을 점착제층측에서 첩부하였다. 그 후, 상기 점접착제층의 직경보다 큰 직경을 갖도록 다이싱 필름을 원형으로 잘라내었다. 이와 같이 하여, 이형 필름/점접착제층 /비점착층/다이싱 필름이 이 순서대로 적층된 4층의 적층 구조를 갖는 다이싱-다이본딩 테이프를 제조하였다.The said non-adhesive layer was laminated at 60 degreeC on the surface on the opposite side to the surface on which the release film of the adhesive agent layer was laminated | stacked, and the laminated body was obtained. PE sheet # 6318-B (adhesive Sekisui Chemical Co., Ltd. adhesion film, 70 micrometers in thickness) as a dicing film on the surface on the opposite side to the surface on which the adhesive agent layer of a non-adhesive layer was laminated | stacked after cutting a laminated body circularly The adhesive film in which the rubber-based adhesive layer of thickness 10 micrometers was formed) on one side of the polyethylene base material was affixed on the adhesive layer side. Then, the dicing film was cut out circularly so that it might have diameter larger than the diameter of the said adhesive agent layer. In this way, a dicing die-bonding tape having a four-layer laminated structure in which a release film / adhesive layer / non-adhesive layer / dicing film was laminated in this order was produced.

(실시예 2 내지 11 및 비교예 1 내지 5)(Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 5)

하기의 표 2, 3에 나타낸 바와 같이, 비점착층을 형성하기 위한 조성물의 재료의 종류 및 배합 비율을 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 비점착층을 얻었다.As shown in following Tables 2 and 3, the non-adhesive layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that the kind and blending ratio of the material of the composition for forming the non-adhesive layer were changed.

(평가)(evaluation)

상기한 바와 같이 하여 비점착층의 23 ℃에 있어서의 저장 탄성률 및 파단 신도를 측정한 결과를 하기의 표 2, 3에 나타내었다.As mentioned above, the result of having measured the storage elastic modulus and breaking elongation at 23 degreeC of a non-adhesive layer is shown in following Tables 2 and 3.

얻어진 다이싱-다이본딩 테이프의, 비점착층과 점접착제층 사이의 박리력을 이하의 요령으로 측정하였다. 결과를 하기의 표 2, 3에 나타내었다.The peeling force between the non-adhesive layer and the adhesive agent layer of the obtained dicing die-bonding tape was measured with the following method. The results are shown in Tables 2 and 3 below.

박리력의 측정: 점접착제층의 한쪽면에 비점착층을 60 ℃에서 라미네이팅하였다. 다음에, 점접착제층의 비점착층이 첩부된 면과는 반대측의 면에 스테인리스 판을 첩부시켰다. 그 후, 점접착제층과 스테인리스판을 충분히 첩부시켜 시험체를 얻었다. 다음에, 점접착제층이 아래에, 비점착층이 위에 오도록 시험체를 고정시켰다. 300 mm/분의 속도로 점접착제층과 비점착층과의 계면에 대하여 180도 방향으로 힘을 비점착층에 가하여, 비점착층을 점접착제층로부터 박리하였다. 이 때 박리에 필요한 힘을 시마즈 세이사꾸쇼 제조 AGS-100D를 이용하여 측정 폭 25 mm의 조건에서 측정하고, 얻어진 값의 평균값을 박리력으로 하였다.Measurement of peeling force: The non-adhesive layer was laminated at 60 degreeC on one side of the adhesive agent layer. Next, the stainless steel plate was affixed on the surface on the opposite side to the surface on which the non-adhesive layer of the adhesive agent layer was affixed. Then, the adhesive agent layer and the stainless steel plate were stuck together enough, and the test body was obtained. Next, the test body was fixed so that an adhesive layer below it and a non-adhesive layer above it. At a speed of 300 mm / min, a force was applied to the non-adhesive layer in the direction of 180 degrees with respect to the interface between the adhesive layer and the non-adhesive layer, and the non-adhesive layer was peeled off from the adhesive layer. At this time, the force required for peeling was measured on the conditions of 25 mm of measurement width using Shimadzu Corporation AGS-100D, and the average value of the obtained value was made into peeling force.

또한, 이하의 요령으로 반도체 칩의 제조시의 평가를 행하였다.Moreover, the evaluation at the time of manufacture of a semiconductor chip was performed with the following points.

다이싱-다이본딩 테이프의 이형 필름을 점접착제층로부터 박리하고, 점접착제층을 노출시켰다. 노출된 점접착제층을 직경 8 인치의 실리콘 웨이퍼(두께 80 μm)의 한쪽면에 60 ℃의 온도에서 라미네이팅하여 평가 샘플을 제조하였다.The release film of the dicing die-bonding tape was peeled from the adhesive agent layer, and the adhesive agent layer was exposed. The exposed adhesive layer was laminated on one side of a 8 inch diameter silicon wafer (thickness 80 μm) at a temperature of 60 ° C. to prepare an evaluation sample.

다이싱 장치 DFD651(디스코사 제조)을 이용하여 이송 속도 50 mm/초로, 평가 샘플을 10 mm×10 mm의 칩 크기로 다이싱하였다. 다이싱시의 칩의 비산 유무를 평가하였다. 또한, 수염 형상의 절삭 분진의 유무, 반도체 칩에서의 균열 유무를 관찰하였다. 표 2, 3에 결과를 나타내었다. 표 2, 3의 평가 기호의 의미는 이하와 같았다.The evaluation sample was diced to the chip size of 10 mm x 10 mm using the dicing apparatus DFD651 (made by Disco Corporation) at the feed rate of 50 mm / sec. The chip scattering at the time of dicing was evaluated. In addition, the presence of beard-shaped cutting dust and the presence of cracks in the semiconductor chip were observed. Tables 2 and 3 show the results. The meanings of the evaluation symbols in Tables 2 and 3 were as follows.

○: 칩 비산, 수염 형상의 절삭 분진 및 균열은 전혀 없음○: no chips scattered, beard-shaped cutting dust and cracks

△: 칩 비산, 수염 형상의 절삭 분진 및 균열 중 어느 하나 있음(Triangle | delta): Any of chip | tip scattering, beard-shaped cutting dust, and a crack exists

×: 칩 비산, 수염 형상의 절삭 분진 및 균열 중 어느 두개 있음×: any two of chip scattering, beard-shaped cutting dust, and cracks

다이싱 후에 다이본더 베스템(bestem) D-02(캐논 머시너리사 제조)를 이용하여, 콜릿 크기 8 mm변(角), 밀어올림 속도 5 mm/초, 픽업 온도 23 ℃의 조건에서 분할된 반도체 칩의 연속 픽업을 행하고, 픽업의 가부(可否)를 평가하였다. 표 2, 3에 결과를 나타내었다. 표 2, 3의 평가 기호의 의미는 이하와 같았다.After dicing, using a die bonder bestem D-02 (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), the collet was divided under conditions of an 8 mm edge size, a lifting speed of 5 mm / sec, and a pick-up temperature of 23 ° C. Continuous pick-up of the semiconductor chip was performed, and the availability of the pick-up was evaluated. Tables 2 and 3 show the results. The meanings of the evaluation symbols in Tables 2 and 3 were as follows.

○: 픽업할 수 없었던 반도체 칩의 비율이 0 ％(Circle): The ratio of the semiconductor chip which could not pick up was 0%.

△: 픽업할 수 없었던 반도체 칩의 비율이 1 내지 15 ％(Triangle | delta): The ratio of the semiconductor chip which could not pick-up was 1 to 15%.

×: 픽업할 수 없었던 반도체 칩의 비율이 16 ％ 이상 X: The ratio of the semiconductor chip which could not pick up was 16% or more.

Figure pct00002
Figure pct00002

Figure pct00003
Figure pct00003

Claims (9)

점접착제층과, 상기 점접착제층에 적층된 비점착층을 구비하는 다이싱-다이본딩 테이프로서,
상기 비점착층이 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물에 의해 형성되어 있고,
반도체 칩의 픽업시 온도에 있어서의, 상기 비점착층의 저장탄성률이 1 내지 400 MPa이며 파단 신도가 5 내지 100 ％인 것을 특징으로 하는 다이싱-다이본딩 테이프.A dicing die-bonding tape having an adhesive layer and a non-adhesive layer laminated on the adhesive layer,
The non-adhesive layer is formed of a composition containing an acrylic polymer as a main component,
Dicing die-bonding tape, characterized in that the storage modulus of the non-adhesive layer at a temperature at the time of pickup of the semiconductor chip is 1 to 400 MPa and the elongation at break is 5 to 100%. 제1항에 있어서, 상기 비점착층이 아크릴계 중합체를 주성분으로서 함유하는 조성물을 가교시킨 가교체에 의해 형성되어 있는 다이싱-다이본딩 테이프.The dicing die-bonding tape of Claim 1 in which the said non-adhesive layer is formed of the crosslinked body which bridge | crosslinked the composition containing an acrylic polymer as a main component. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비점착층과 상기 점접착제층 사이의 박리력이 1 내지 15 N/m의 범위인 다이싱-다이본딩 테이프.The dicing die-bonding tape according to claim 1 or 2, wherein the peeling force between the non-adhesive layer and the adhesive agent layer is in the range of 1 to 15 N / m. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물이, 아크릴기와 반응 가능한 이중 결합을 가지며 중량 평균 분자량이 100 내지 50000인 올리고머를 더 함유하는 다이싱-다이본딩 테이프.The dicing die-bonding tape according to any one of claims 1 to 3, wherein the composition further contains an oligomer having a double bond capable of reacting with an acrylic group and having a weight average molecular weight of 100 to 50000. 제4항에 있어서, 상기 올리고머가 폴리에테르 골격, 폴리에스테르 골격, 부타디엔 골격, 폴리우레탄 골격, 실리케이트 골격, 이소프렌 골격, 폴리알킬 골격, 폴리아크릴로니트릴 골격, 폴리카보네이트 골격 및 디시클로펜타디엔 골격으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 골격을 갖는 다이싱-다이본딩 테이프.The polyolefin skeleton, polyester skeleton, butadiene skeleton, polyurethane skeleton, silicate skeleton, isoprene skeleton, polyalkyl skeleton, polyacrylonitrile skeleton, polycarbonate skeleton and dicyclopentadiene skeleton according to claim 4 A dicing die-bonding tape having at least one skeleton selected from the group consisting of. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비점착층이 평균 입경 0.1 내지 10 μm의 충전재 분말을 포함하는 다이싱-다이본딩 테이프.The dicing die-bonding tape according to any one of claims 1 to 5, wherein the non-adhesive layer comprises filler powder having an average particle diameter of 0.1 to 10 m. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비점착층의 상기 점접착제층이 적층된 면과는 반대측의 면에 적층된 다이싱 필름을 더 구비하는 다이싱-다이본딩 테이프.The dicing die-bonding tape of any one of Claims 1-6 further equipped with the dicing film laminated | stacked on the surface on the opposite side to the surface where the said adhesive agent layer of the said non-adhesive layer was laminated | stacked. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프와 반도체 웨이퍼를 준비하는 공정,
다이싱-다이본딩 테이프의 상기 점접착제층의, 상기 비점착층이 적층된 면과는 반대측의 면에 상기 반도체 웨이퍼를 접합시키는 공정,
상기 다이싱-다이본딩 테이프에 접합된 반도체 웨이퍼를 상기 점접착제층째 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 분할하는 공정, 및
다이싱 후에 상기 반도체 칩이 접합된 상기 점접착제층를 상기 비점착층으로부터 박리하고, 반도체 칩을 상기 점접착제층째 취출하는 공정을 구비하는 반도체 칩의 제조 방법.The process of preparing the dicing die-bonding tape and a semiconductor wafer in any one of Claims 1-7,
Bonding the semiconductor wafer to a surface of the dicing-bonding tape on the side opposite to the surface on which the non-adhesive layer is laminated;
Dicing the semiconductor wafer bonded to the dicing die-bonding tape and dividing the adhesive layer into individual semiconductor chips; and
And a step of peeling the adhesive agent layer on which the semiconductor chip is bonded after the dicing from the non-adhesion layer, and taking out the semiconductor chip in the adhesive agent layer. 제8항에 있어서, 다이싱 후에 상기 점접착제층과 상기 비점착층 사이의 박리력을 변화시키는 것 없이 반도체 칩이 취출되는 반도체 칩의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 8, wherein the semiconductor chip is taken out without changing the peeling force between the adhesive agent layer and the non-adhesive layer after dicing.
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