JP2009231494A - Die-bonding film, adhesive sheet, and manufacturing method of semiconductor chip - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die-bonding film having an average thickness not larger than 10 μm, and hardly causing a void when hardened by heating; and an adhesive sheet using the die-bonding film. <P>SOLUTION: This die-bonding film 3 has an average thickness not larger than 10 μm, and surface roughness Ra not larger than 400 nm, and is formed of a curable resin composition containing a thermosetting resin and a solid-state material 6 incompatible with the thermosetting resin. In the die-bonding film, when the average thickness of the die-bonding film 3 is assumed to be X μm, the average particle diameter of the solid-state material 6 in the curable resin composition measured by a laser diffraction type granularity distribution meter is 0.8X μm; and the number of the solid-state materials 6 each having a particle diameter not smaller than X μm in the curable resin composition which is measured by a number count type granularity distribution meter is not more than 200 pieces/μL. In this adhesive sheet 1, a non-adhesive film 4 is laminated on one surface of the die-bonding film 3. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体チップの製造あるいは実装に用いられるダイボンディングフィルムに関し、より詳細には、例えば半導体ウェーハをダイシングしたり、半導体チップを支持部材にダイボンディングしたりするのに用いられるダイボンディングフィルム並びに該ダイボンディングフィルムを用いた接着シート及び半導体チップの製造方法に関する。   The present invention relates to a die bonding film used for manufacturing or mounting a semiconductor chip, and more specifically, for example, a die bonding film used for dicing a semiconductor wafer or die bonding a semiconductor chip to a support member, and The present invention relates to an adhesive sheet using the die bonding film and a method for manufacturing a semiconductor chip.

従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出したり、半導体チップを基板や他の半導体チップなどの支持部材に実装したりするに際しては、ダイボンディングフィルムが用いられている。   Conventionally, when a semiconductor chip is cut out from a semiconductor wafer or mounted on a supporting member such as a substrate or another semiconductor chip, a die bonding film is used.

上記ダイボンディングフィルムの一例として、下記の特許文献１には、ポリウレタンイミド樹脂を含む接着剤層を備えるダイボンディングフィルムが開示されている。ここでは、ダイボンディングフィルムの片面に、ダイシングフィルムが積層された接着シートも開示されている。ダイシングフィルムは、基材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた構造を有する。ダイシングフィルムは粘着剤層側から、ダイボンディングフィルムに積層されている。ダイシングフィルムの粘着剤層は、放射線硬化型の粘着剤を用いて形成されている。   As an example of the die bonding film, Patent Document 1 below discloses a die bonding film including an adhesive layer containing a polyurethaneimide resin. Here, an adhesive sheet in which a dicing film is laminated on one side of a die bonding film is also disclosed. A dicing film has the structure where the adhesive layer was provided in the single side | surface of the base film. The dicing film is laminated on the die bonding film from the pressure-sensitive adhesive layer side. The pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film is formed using a radiation curable pressure-sensitive adhesive.

上記接着シートを用いて、半導体ウェーハを切り出すに際しては、先ずダイボンディングフィルムのダイシングフィルムが積層されている面とは反対側の面に半導体ウェーハを貼付する。次に、半導体ウェーハをダイボンディングフィルムごとダイシングする。ダイシング後に、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを、ダイシングフィルムから剥離して、取り出す。そして、ダイボンディングフィルムを介して、半導体チップを支持部材上に接着する。しかる後、ワイヤーボンディング工程、封止工程などの各工程を経て、半導体装置が得られている。
特開２００６−２４１１７４号公報 When cutting out a semiconductor wafer using the adhesive sheet, first, the semiconductor wafer is attached to the surface of the die bonding film opposite to the surface on which the dicing film is laminated. Next, the semiconductor wafer is diced together with the die bonding film. After dicing, the semiconductor chip together with the die bonding film is peeled off from the dicing film and taken out. And a semiconductor chip is adhere | attached on a supporting member through a die-bonding film. Thereafter, a semiconductor device is obtained through each process such as a wire bonding process and a sealing process.
JP 2006-241174 A

近年、半導体装置の薄型化が進行している。それに伴って、半導体チップやダイボンディングフィルムの厚みも薄くされてきている。   In recent years, thinning of semiconductor devices has progressed. Accordingly, the thickness of semiconductor chips and die bonding films has been reduced.

特許文献１には、ダイボンディングフィルムを用いて半導体装置を作製した場合に、大きな熱履歴を受けたとしても、ダイボンディングフィルム層におけるボイドが充分に抑制されることが記載されている。しかしながら、特に、このダイボンディングフィルムの厚みが薄くされ、例えば厚み１０μｍ以下とされた場合には、ボイドの抑制効果は充分ではなかった。   Patent Document 1 describes that when a semiconductor device is manufactured using a die bonding film, voids in the die bonding film layer are sufficiently suppressed even if a large thermal history is received. However, in particular, when the thickness of the die bonding film is reduced to, for example, 10 μm or less, the void suppressing effect is not sufficient.

また、特許文献１には、ダイボンディングフィルムの接着剤層にフィラーがさらに含まれてもよく、この場合、ボイドがより一層抑制されることが記載されている。このフィラーの平均粒子径は１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、フィラーの最大粒子径は、２５μｍ以下が好ましいことが記載されている。このように、ダイボンディングフィルムにおいては、該ダイボンディングフィルムに要求されている種々の特性を高めるために、樹脂と相溶しない固体材料が添加されることが多い。固体材料としては、シリカなどのフィラーが用いられることが多いが、貯蔵安定性を向上させるために、固体の硬化剤が用いられることも多い。   Patent Document 1 describes that a filler may be further included in the adhesive layer of the die bonding film, and in this case, voids are further suppressed. The average particle diameter of the filler is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, and the maximum particle diameter of the filler is preferably 25 μm or less. As described above, in order to enhance various properties required for the die bonding film, a solid material that is incompatible with the resin is often added to the die bonding film. As the solid material, a filler such as silica is often used, but a solid curing agent is often used in order to improve storage stability.

しかしながら、特に、上記固体材料を含むダイボンディングフィルムが厚み１０μｍ以下とされた場合に、ダイボンディングフィルムに添加されている固体材料の大きさ等によっては、ボイドが生じ易くなることがあった。   However, in particular, when the die bonding film containing the solid material has a thickness of 10 μm or less, depending on the size of the solid material added to the die bonding film, a void may easily occur.

さらに、特許文献１に記載の接着シートでは、ダイボンディングフィルムに積層されている粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤を用いて形成されている。放射線が照射される前の放射線硬化型粘着剤層の粘着力は比較的高い。そのため、ダイシング後に、半導体チップを取り出すために、放射線硬化型粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させていた。従って、上記放射線を照射する作業を行わなければならなかった。   Furthermore, in the adhesive sheet described in Patent Document 1, the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the die bonding film is formed using a radiation curable pressure-sensitive adhesive. The adhesive force of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer before irradiation with radiation is relatively high. Therefore, in order to take out the semiconductor chip after dicing, the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is cured to reduce the adhesive force. Therefore, the operation of irradiating the radiation has to be performed.

また、放射線硬化型粘着剤層を硬化させても、放射線硬化型粘着剤層の粘着力が充分に低下しないこともあった。粘着力が充分に低下していない状態で放射線硬化型粘着剤層から、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを剥離しようとすると、半導体チップに余計な力が加わり、半導体チップが破損しがちであった。   Moreover, even if the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer is cured, the adhesive strength of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer may not be sufficiently reduced. When the die bonding film with a semiconductor chip is peeled off from the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer in a state where the adhesive force is not sufficiently lowered, an extra force is applied to the semiconductor chip and the semiconductor chip tends to be damaged.

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、平均厚み１０μｍ以下のダイボンディングフィルムであって、加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難いダイボンディングフィルム、並びに該ダイボンディングフィルムを用いた接着シート及び半導体チップの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a die bonding film having an average thickness of 10 μm or less in view of the current state of the prior art described above, which is less likely to cause voids when cured by heating, and uses the die bonding film. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an adhesive sheet and a semiconductor chip.

本発明のより限定的な目的は、上記ボイドが生じ難いだけでなく、例えばダイシング後に光の照射等の作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを容易に剥離して、取り出すことを可能とするダイボンディングフィルム、並びに該ダイボンディングフィルムを用いた接着シート及び半導体チップの製造方法を提供することにある。   A more limited object of the present invention is not only that the above-mentioned voids are difficult to occur, but also that the die bonding film with a semiconductor chip can be easily peeled off and taken out without performing work such as light irradiation after dicing. An object of the present invention is to provide a die bonding film that can be made, and an adhesive sheet and a semiconductor chip manufacturing method using the die bonding film.

本発明によれば、平均厚みが１０μｍ以下のダイボンディングフィルムであって、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料とを含む硬化性樹脂組成物からなり、前記ダイボンディングフィルムの平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物中の前記固体材料の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する前記固体材料の個数が２００個／μＬ以下であることを特徴とする、ダイボンディングフィルムが提供される。   According to the present invention, a die bonding film having an average thickness of 10 μm or less, having a surface roughness Ra of 400 nm or less, and comprising a thermosetting resin and a solid material that is incompatible with the thermosetting resin. When the average thickness of the die bonding film is X μm, the average particle size of the solid material in the curable resin composition measured by a laser diffraction particle size distribution meter is 0.8X μm. The die bonding film is characterized in that the number of the solid materials having a particle diameter of X μm or more in the curable resin composition measured by a number counting particle size distribution meter is 200 / μL or less. Is provided.

本発明に係る接着シートは、本発明のダイボンディングフィルムの片面に、非粘着フィルムが積層されていることを特徴とする。   The adhesive sheet according to the present invention is characterized in that a non-adhesive film is laminated on one side of the die bonding film of the present invention.

本発明に係る接着シートのある特定の局面では、前記非粘着フィルムの主成分は（メタ）アクリル樹脂である。この場合、ダイボンディングフィルム付き半導体チップを非粘着フィルムから、無理なくかつ容易に剥離することができる。しかも、ダイシング時には、半導体ウェーハとともに上記ダイボンディングフィルムを無理なく切削することができ、従って、切削屑が生じ難く、該切削屑によるピックアップ不良が生じ難い。   On the specific situation with the adhesive sheet which concerns on this invention, the main component of the said non-adhesion film is a (meth) acrylic resin. In this case, the semiconductor chip with a die bonding film can be easily and easily peeled from the non-adhesive film. Moreover, at the time of dicing, the die bonding film together with the semiconductor wafer can be cut without difficulty, so that it is difficult for cutting waste to be generated, and pick-up failure due to the cutting waste is unlikely to occur.

本発明に係る接着シートの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが積層されている面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが積層されている。この場合、ダイシングに際し、切削屑がより一層生じ難い。   In another specific aspect of the adhesive sheet according to the present invention, a dicing film is laminated on the surface of the non-adhesive film opposite to the surface on which the die bonding film is laminated. In this case, cutting waste is less likely to occur during dicing.

本発明に係る半導体チップの製造方法は、本発明のダイボンディングフィルムと、非粘着フィルムと、半導体ウェーハとを用意する工程と、前記ダイボンディングフィルムの一方面に、前記非粘着フィルムを接合する工程と、前記ダイボンディングフィルムの前記一方面とは反対側の他方面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする。   The method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes a step of preparing the die bonding film of the present invention, a non-adhesive film, and a semiconductor wafer, and a step of bonding the non-adhesive film to one surface of the die bonding film. And bonding the semiconductor wafer to the other surface opposite to the one surface of the die bonding film, dicing the semiconductor wafer with the die bonding film bonded together with the die bonding film, A step of dividing the semiconductor chip into chips, and a step of separating the die bonding film from the non-adhesive film in a state where the semiconductor chip is bonded after dicing, and taking out the semiconductor chip together with the die bonding film. And

本発明に係る半導体チップの他の製造方法は、本発明のダイボンディングフィルムの片面に非粘着フィルムが積層された接着シートと、半導体ウェーハとを用意する工程と、前記接着シートの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが積層されている面とは反対側の面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする。   Another method of manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes a step of preparing an adhesive sheet in which a non-adhesive film is laminated on one side of a die bonding film of the present invention and a semiconductor wafer, and the die bonding film of the adhesive sheet. Bonding the semiconductor wafer to a surface opposite to the surface on which the non-adhesive film is laminated, dicing the semiconductor wafer to which the die bonding film is bonded together with the die bonding film, A step of dividing the semiconductor chip into chips, and a step of separating the die bonding film from the non-adhesive film in a state where the semiconductor chip is bonded after dicing, and taking out the semiconductor chip together with the die bonding film. And

本発明に係る半導体チップの製造方法のある特定の局面では、ダイシング後に、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される。   In a specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, after dicing, the semiconductor chip is taken out without changing the peeling force between the die bonding film and the non-adhesive film.

なお、本明細書において、剥離力を変化させないとは、例えば、光照射や加熱によりダイボンディングフィルムあるいは非粘着フィルムのいずれかのフィルムを硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる、又は、いずれかのフィルムを収縮させて剥離力を変化させる、あるいは、発泡させて剥離力を変化させる、等の工程をいずれも行わないことを意味する。   In the present specification, not changing the peeling force means, for example, changing the peeling force by lowering the adhesive force by curing either the die bonding film or the non-adhesive film by light irradiation or heating, Alternatively, it means that any of the steps such as shrinking one of the films to change the peeling force or foaming to change the peeling force is not performed.

本発明によれば、ダイボンディングフィルムは、平均厚みが１０μｍであり、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、かつ熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料とを含む硬化性樹脂組成物からなり、さらに、ダイボンディングフィルムの平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料の個数が２００個／μＬ以下であるので、例えば半導体チップを基板や他の半導体チップなどの支持部材に実装するに際し、加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難い。   According to the present invention, the die bonding film has an average thickness of 10 μm, a surface roughness Ra of 400 nm or less, and includes a thermosetting resin and a solid material that is incompatible with the thermosetting resin. The average particle size of the solid material in the curable resin composition measured by a laser diffraction particle size distribution meter when the average thickness of the die bonding film is X μm is 0.8X μm. In addition, since the number of solid materials having a particle size of X μm or more in the curable resin composition measured by a number counting particle size distribution analyzer is 200 pieces / μL or less, for example, a semiconductor chip is used as a substrate or another semiconductor chip When mounted on a support member such as, voids are less likely to occur when cured by heating.

さらに、本発明のダイボンディングフィルムは極めて薄く、平均厚みが１０μｍ以下であるので、該ダイボンディングフィルムを用いて半導体装置を構成した場合に、半導体装置の薄型化を進めることができる。   Furthermore, since the die bonding film of the present invention is extremely thin and has an average thickness of 10 μm or less, the semiconductor device can be made thinner when the semiconductor device is configured using the die bonding film.

本発明に係る接着シートは、ダイボンディングフィルムの片面に、非粘着フィルムが積層されているので、例えばダイシング後に光照射等の作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離し、取り出すことができる。さらに、取り出された半導体チップ付きダイボンディングフィルムが、支持部材に実装されて、ダイボンディングフィルムが加熱により硬化されたときに、ボイドを抑制することができる。   Since the non-adhesive film is laminated on one side of the die bonding film, the adhesive sheet according to the present invention can be used to remove the die bonding film with a semiconductor chip from the non-adhesive film without performing operations such as light irradiation after dicing. It can be easily peeled off and taken out. Furthermore, when the taken-out die bonding film with a semiconductor chip is mounted on a support member and the die bonding film is cured by heating, voids can be suppressed.

本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明のダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後に、例えば光照射等の作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離し、取り出すことができる。しかも、本発明の半導体チップの製造方法により得られた半導体チップを用いることにより、ボイドが抑制された半導体装置を提供することができる。   In the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, the semiconductor chip to which the die bonding film of the present invention is bonded is diced and divided into individual semiconductor chips, for example, without performing light irradiation or the like. The attached die bonding film can be easily peeled off from the non-adhesive film and taken out. Moreover, by using the semiconductor chip obtained by the semiconductor chip manufacturing method of the present invention, a semiconductor device in which voids are suppressed can be provided.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。   1A and 1B are a partially cutaway front sectional view and a partially cutaway plan view showing an adhesive sheet according to an embodiment of the present invention.

図１（ａ），（ｂ）に示すように、接着シート１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順に積層されている。ダイボンディングフィルム３は固体材料８を含む。ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが接合される面である。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the adhesive sheet 1 has a long release film 2. On the upper surface 2a of the release film 2, a die bonding film 3, a non-adhesive film 4 and a dicing film 5 are laminated in this order. The die bonding film 3 includes a solid material 8. The surface 3a to which the release film 2 of the die bonding film 3 is attached is a surface to which the semiconductor wafer is bonded.

ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５は、円形の平面形状を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。   The die bonding film 3, the non-adhesive film 4 and the dicing film 5 have a circular planar shape. The dicing film 5 has a larger diameter than the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4.

ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に塗布された粘着剤５ｂとを有する。図１（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム５は粘着剤５ｂ側から、非粘着フィルム４の片面に貼付されている。   The dicing film 5 has the base material 5a and the adhesive 5b apply | coated to the single side | surface of the base material 5a. As shown in FIG.1 (b), the dicing film 5 is affixed on the single side | surface of the non-adhesive film 4 from the adhesive 5b side.

ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁を超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。該延長部５ｃの一面が、粘着剤５ｂにより離型フィルムの上面２ａに貼付されている。すなわち、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側の領域において、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。   The dicing film 5 has a larger diameter than the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4. The dicing film 5 has an extension portion 5 c that extends so as to exceed the outer peripheral edges of the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4. One surface of the extension portion 5c is attached to the upper surface 2a of the release film with an adhesive 5b. That is, the dicing film 5 is stuck on the upper surface 2 a of the release film 2 in a region outside the outer peripheral edges of the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4.

ダイシングフィルム５がダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するのは、ダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、ダイボンディングフィルム３の外周縁よりも外側に位置する延長部５ｃの粘着剤５ｂにダイシングリングを貼付するためである。   The dicing film 5 has a larger diameter than the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4 when the semiconductor wafer is bonded to the surface 3 a of the die bonding film 3 and is located outside the outer peripheral edge of the die bonding film 3. This is because a dicing ring is attached to the adhesive 5b of the extending portion 5c.

図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の長さ方向において、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。なお、ダイシングフィルム５よりも側方において、必ずしも設ける必要はないが、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。このように、保護シート６，７が設けられている場合には、接着シート１が例えばロール状に巻回されることによってダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６，７の存在により軽減される。   As shown in FIG.1 (b), in the length direction of the elongate release film 2, the several laminated body which consists of the die bonding film 3, the non-adhesive film 4, and the dicing film 5 is arrange | positioned at equal intervals. Yes. Although not necessarily provided on the side of the dicing film 5, the protective sheets 6 and 7 are provided on the upper surface 2 a of the release film 2. Thus, when the protective sheets 6 and 7 are provided, the pressure applied to the die bonding film 3, the non-adhesive film 4 and the dicing film 5 when the adhesive sheet 1 is wound in a roll shape, for example, This is mitigated by the presence of the protective sheets 6 and 7.

なお、離型フィルムの厚みや形状は特に限定されず、例えば正方形の形状の離型フィルムにダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムからなる積層体が１つ配置された構造であってもよく、上述のようにロール状に巻回されていなくてもよい。また、ダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの厚みや形状も特に限定されない。   The thickness and shape of the release film are not particularly limited. For example, the release film may have a structure in which one laminate including a die bonding film, a non-adhesive film, and a dicing film is disposed on a square release film. As described above, it may not be wound into a roll. Further, the thickness and shape of the die bonding film, non-adhesive film and dicing film are not particularly limited.

上記ダイボンディングフィルム３は、ダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断される。ダイボンディングフィルム３は、ダイシング後に半導体チップごと取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる。   The die bonding film 3 is cut along with the semiconductor wafer during dicing. The die bonding film 3 is taken out together with the semiconductor chip after dicing and used for die bonding of the semiconductor chip.

上記ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８とを含む硬化性樹脂組成物からなる。よって、ダイボンディングフィルム３は固体材料８を含む。硬化前のダイボンディングフィルム３は充分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、半導体チップをダイボンディングした後に、ダイボンディングフィルム３を加熱し硬化させることにより、半導体チップを基板や他の半導体チップに強固に接合させることができる。   The die bonding film 3 is made of a curable resin composition including a thermosetting resin and a solid material 8 that is incompatible with the thermosetting resin. Therefore, the die bonding film 3 includes the solid material 8. The die bonding film 3 before curing is sufficiently soft and therefore easily deformed by an external force. However, after the semiconductor chip is die-bonded, the die bonding film 3 is heated and cured, whereby the semiconductor chip can be firmly bonded to the substrate or another semiconductor chip.

本実施例形態の接着シート１の特徴は、ダイボンディングフィルム３が、平均厚み１０μｍ以下であり、表面粗さＲａ４００ｎｍ以下であり、かつ熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８とを含む硬化性樹脂組成物からなり、さらに、ダイボンディングフィルム３の平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料８の平均粒径が０．８Ｘμｍとされており、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数が２００個／μＬ以下とされていることにある。   The feature of the adhesive sheet 1 of the present embodiment is that the die bonding film 3 has an average thickness of 10 μm or less, a surface roughness Ra of 400 nm or less, and a thermosetting resin and a solid that is not compatible with the thermosetting resin. Of the solid material 8 in the curable resin composition measured by a laser diffraction particle size distribution meter when the average thickness of the die bonding film 3 is X μm. The average particle size is 0.8 X μm, and the number of solid materials 8 having a particle size of X μm or more in the curable resin composition measured by a number counting particle size distribution meter is 200 / μL or less. There is to be.

従来、ダイボンディングフィルムの平均厚みは、２０〜６０μｍ程度である。このような厚いダイボンディングフィルムを介して、半導体チップが基板や他の半導体チップ等の支持部材に実装されて、ダイボンディングフィルムが加熱により硬化された場合には、ボイドは比較的生じ難い。   Conventionally, the average thickness of the die bonding film is about 20 to 60 μm. When a semiconductor chip is mounted on a support member such as a substrate or another semiconductor chip via such a thick die bonding film, and the die bonding film is cured by heating, voids are relatively unlikely to occur.

しかしながら、ダイボンディングフィルムの厚みが薄くされ、例えば平均厚み１０μｍ以下とされた場合には、この厚みの薄いダイボンディングフィルムが加熱により硬化されたときに、ボイドが生じがちであった。すなわち、図１１に示すように、従来のダイボンディングフィルムの平均厚みを１０μｍ以下とし、この厚みが薄くされたダイボンディングフィルム１０１を介して、支持部材１０２上に半導体チップ１０３を接着し、該ダイボンディングフィルム１０１を加熱により硬化させた場合には、特にダイボンディングフィルム１０１と支持部材１０２との接着界面あるいはダイボンディングフィルム１０１と半導体チップ１０３との接着界面において、複数のボイド１０４，１０４が生じ易かった。このようなボイド１０４が生じた場合には、該ボイド１０４が起点となって剥離したり、クラックが発生したりすることがあった。このようなボイド１０４は、特に、ダイボンディングフィルム１０１が固体の硬化剤やフィラーなどの固体材料（図示せず）を含む場合に、極めて生じ易かった。   However, when the thickness of the die bonding film is reduced to, for example, an average thickness of 10 μm or less, voids tend to occur when the thin die bonding film is cured by heating. That is, as shown in FIG. 11, an average thickness of a conventional die bonding film is set to 10 μm or less, and a semiconductor chip 103 is bonded onto a support member 102 via a die bonding film 101 having a reduced thickness. When the bonding film 101 is cured by heating, a plurality of voids 104 and 104 are likely to be generated particularly at the bonding interface between the die bonding film 101 and the support member 102 or at the bonding interface between the die bonding film 101 and the semiconductor chip 103. It was. When such a void 104 is generated, the void 104 may be peeled off from the starting point or a crack may be generated. Such a void 104 is very likely to occur particularly when the die bonding film 101 includes a solid material (not shown) such as a solid curing agent or a filler.

これに対して、本実施例形態の接着シート１のダイボンディングフィルム３は、平均厚みが１０μｍ以下であり、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、かつ熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８とを含む硬化性樹脂組成物からなり、さらに、上記固体材料８の平均粒径が０．８Ｘμｍとされており、かつ上記Ｘμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数が２００個／μＬ以下とされているので、ダイボンディングフィルム３が加熱により硬化されたときに、ボイドが生じ難い。さらに、半導体装置が高温に晒された際にも、ボイドが生じ難い。   In contrast, the die bonding film 3 of the adhesive sheet 1 of the present embodiment has an average thickness of 10 μm or less, a surface roughness Ra of 400 nm or less, a thermosetting resin, and the thermosetting resin. Of the solid material 8 including the solid material 8 that is incompatible with the solid material 8, the average particle size of the solid material 8 is 0.8 X μm, and the particle size is not less than X μm. Since the number is set to 200 pieces / μL or less, voids hardly occur when the die bonding film 3 is cured by heating. Furthermore, voids are less likely to occur when the semiconductor device is exposed to high temperatures.

なお、上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数は、硬化性樹脂組成物が加熱により硬化される前に測定される。よって、固体材料８が加熱により溶解あるいは変形するものである場合には、上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数は、加熱される前に測定される値である。また、固体材料８は熱硬化性樹脂と相溶しないものであり、これは、硬化性樹脂組成物が加熱により硬化される前において相溶しないことを意味する。   In addition, the average particle diameter of the solid material 8 and the number of the solid materials 8 having a large particle diameter are measured before the curable resin composition is cured by heating. Therefore, when the solid material 8 is dissolved or deformed by heating, the average particle diameter of the solid material 8 and the number of the large solid particle 8 are values measured before being heated. is there. Further, the solid material 8 is incompatible with the thermosetting resin, which means that it is not compatible before the curable resin composition is cured by heating.

ダイボンディングフィルム３は、平均厚みが１０μｍ以下である。平均厚みのより好ましい上限は８μｍであり、より好ましい下限は６μｍである。ダイボンディングフィルム３が厚すぎると、半導体装置の薄型化に対応することができず、薄すぎると、半導体チップと支持部材との接着に際し、接着信頼性が低下することがある。   The die bonding film 3 has an average thickness of 10 μm or less. A more preferable upper limit of the average thickness is 8 μm, and a more preferable lower limit is 6 μm. If the die bonding film 3 is too thick, it cannot cope with the reduction in thickness of the semiconductor device. If the die bonding film 3 is too thin, the bonding reliability may be lowered when the semiconductor chip and the support member are bonded.

ダイボンディングフィルム３は、表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、より好ましくは、２００ｎｍ以下である。表面粗さＲａが大きすぎると、ダイボンディングフィルム３の接着界面において、ボイドが生じ易くなる。   The die bonding film 3 has a surface roughness Ra of 400 nm or less, and more preferably 200 nm or less. If the surface roughness Ra is too large, voids are likely to occur at the bonding interface of the die bonding film 3.

上記熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８としては、固形ポリマーや、固体の硬化剤、固体の硬化促進剤、フィラー等が挙げられる。   Examples of the solid material 8 that is incompatible with the thermosetting resin include a solid polymer, a solid curing agent, a solid curing accelerator, and a filler.

本実施形態では、ダイボンディングフィルム３の平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物中の固体材料８の平均粒径は、０．８Ｘμｍ以下とされている。上記固体材料８の平均粒径が０．８Ｘμｍを超えると、ボイドが生じ易い。上記固体材料８の平均粒径のより好ましい上限は、０．５Ｘμｍである。   In this embodiment, when the average thickness of the die bonding film 3 is X μm, the average particle size of the solid material 8 in the curable resin composition measured by a laser diffraction particle size distribution meter is 0.8 × μm or less. Has been. If the average particle size of the solid material 8 exceeds 0.8 X μm, voids are likely to occur. The upper limit with the more preferable average particle diameter of the said solid material 8 is 0.5Xmicrometer.

また、本実施形態では、個数カウント式粒度分布計により測定された硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数は、２００個／μＬ以下とされている。上記固体材料８の個数が２００個／μＬを超えると、ボイドが生じ易い。上記固体材料８の個数のより好ましい上限は、１００個／μＬである。   In the present embodiment, the number of solid materials 8 having a particle diameter of X μm or more in the curable resin composition measured by a number counting particle size distribution meter is 200 / μL or less. If the number of the solid materials 8 exceeds 200 / μL, voids are likely to occur. A more preferable upper limit of the number of the solid materials 8 is 100 / μL.

なお、硬化性樹脂組成物中の固体材料８の個数を測定する場合には、通常、レーザー回折式粒度分布計が用いられることが多い。しかし、レーザー回折式粒度分布計を用いた場合には、固体材料８の大まかな分布についてだけしか知ることができない。すなわち、測定された固体材料８のヒストグラムの裾野部分に、どの程度の確率で固体材料８が存在しているのかを充分に知ることはできなかった。ヒストグラムの裾野部分における固体材料８の個数を確実に計測するためには、個数カウント式粒度分布計を用いる必要がある。よって、本発明では、硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料８の個数は、個数カウント式粒度分布計を用いて測定される。   In addition, when measuring the number of the solid materials 8 in the curable resin composition, a laser diffraction particle size distribution analyzer is usually used in many cases. However, when a laser diffraction particle size distribution meter is used, only the rough distribution of the solid material 8 can be known. That is, it was not possible to fully know the probability of the solid material 8 being present at the bottom of the histogram of the measured solid material 8. In order to reliably measure the number of solid materials 8 at the bottom of the histogram, it is necessary to use a number count type particle size distribution meter. Therefore, in the present invention, the number of solid materials 8 having a particle size of X μm or more in the curable resin composition is measured using a number count type particle size distribution meter.

上記個数カウント式粒度分布計としては、ベックマンコールターカウンター型のものと、画像解析型のものとが挙げられる。   Examples of the number counting particle size distribution analyzer include a Beckman Coulter Counter type and an image analysis type.

上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数が上記特定の範囲となるように、添加前に固体材料は適宜の粉砕手法により、粉砕されていることが好ましい。粉砕により、固体材料の平均粒径を小さくすることができ、かつ大粒径の固体粒子の個数を低減することができる。   It is preferable that the solid material is pulverized by an appropriate pulverization method before the addition so that the average particle diameter of the solid material 8 and the number of the solid materials 8 having a large particle diameter are in the specific range. By pulverization, the average particle size of the solid material can be reduced, and the number of solid particles having a large particle size can be reduced.

上記粉砕方法としては、乾式法及び湿式法のいずれを用いてもよい。乾式法においては、ジェットミルにて事前粉砕することが好ましく、さらに、分級機構を付けて粗い固体材料を除去することが好ましい。また、湿式法においては、ボールミル、ビーズミル、湿式のジェットミル等が用いることができる。これらを適宜組み合わせて使用することが好ましい。   As the pulverization method, either a dry method or a wet method may be used. In the dry method, it is preferable to pre-crush with a jet mill, and it is preferable to remove a coarse solid material by attaching a classification mechanism. In the wet method, a ball mill, a bead mill, a wet jet mill or the like can be used. These are preferably used in appropriate combination.

上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂が好ましい。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。   Although it does not specifically limit as said thermosetting resin, For example, an epoxy resin, a polyurethane resin, etc. are mentioned. Among these, an epoxy resin is preferable. These thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化性樹脂組成物としては、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する固形ポリマーとを含む硬化性樹脂組成物が好ましい。この硬化性樹脂組成物からなるダイボンディングフィルム３を介して、半導体チップを支持部材に接合した場合には、接合信頼性が高められる。   The curable resin composition is preferably a curable resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and a solid polymer having a functional group that reacts with the epoxy resin. When the semiconductor chip is bonded to the support member via the die bonding film 3 made of this curable resin composition, the bonding reliability is improved.

上記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いた場合には、硬化性樹脂組成物の硬化物では、剛直で分子の運動が阻害されるので、機械的強度や耐熱性が高められるとともに、耐湿性も高められる。   The epoxy resin is not particularly limited, but an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is preferable. When an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is used, the cured product of the curable resin composition is rigid and hinders the movement of molecules, so that the mechanical strength and heat resistance are improved. At the same time, moisture resistance is improved.

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。   The epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is not particularly limited. For example, an epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton such as dicyclopentadiene dioxide and a phenol novolac epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton. (Hereinafter referred to as “dicyclopentadiene type epoxy resin”), 1-glycidylnaphthalene, 2-glycidylnaphthalene, 1,2-diglycidylnaphthalene, 1,5-diglycidylnaphthalene, 1,6-diglycidylnaphthalene, 1 Epoxy resins having a naphthalene skeleton such as 1,7-diglycidylnaphthalene, 2,7-diglycidylnaphthalene, triglycidylnaphthalene, 1,2,5,6-tetraglycidylnaphthalene (hereinafter referred to as “naphthalene type epoxy resin”) , Tetrahydroxy Eniruetan type epoxy resins, tetrakis (glycidyloxyphenyl) ethane, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexane carbonate, and the like. Of these, dicyclopentadiene type epoxy resins and naphthalene type epoxy resins are preferably used.

これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。   These epoxy resins having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the said dicyclopentadiene type | mold epoxy resin and naphthalene type | mold epoxy resin may each be used independently, and both may be used together.

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、特に限定されるものではないが、重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量が５００未満であると、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度、耐熱性、耐湿性等が充分に向上しないことがあり、重量平均分子量が１０００を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。   Although the epoxy resin which has the said polycyclic hydrocarbon skeleton in a principal chain is not specifically limited, The minimum with a preferable weight average molecular weight is 500, and a preferable upper limit is 1000. If the weight average molecular weight of the epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in the main chain is less than 500, the mechanical strength, heat resistance, moisture resistance, etc. of the cured product of the curable resin composition may not be sufficiently improved. If the weight average molecular weight exceeds 1000, the cured product of the curable resin composition becomes too rigid and may become brittle.

上記エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマーとしては特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いた場合には、硬化性樹脂組成物の硬化物の可撓性が高められる。   Although it does not specifically limit as a solid polymer which has a functional group which reacts with the said epoxy group, For example, the polymer which has an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group etc. is mentioned. Among these, a polymer having an epoxy group is preferable. When a polymer having an epoxy group is used, the flexibility of the cured product of the curable resin composition is enhanced.

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度や耐熱性を高め得ることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。   The polymer having an epoxy group is not particularly limited as long as it is a polymer having an epoxy group at the terminal and / or side chain (pendant position). For example, an epoxy group-containing acrylic rubber, an epoxy group-containing polymer Examples thereof include butadiene rubber, bisphenol type high molecular weight epoxy resin, epoxy group-containing phenoxy resin, epoxy group-containing acrylic resin, epoxy group-containing urethane resin, and epoxy group-containing polyester resin. Especially, since the mechanical strength and heat resistance of the hardened | cured material of curable resin composition can be improved, an epoxy-group-containing acrylic resin is used suitably. These polymer polymers having an epoxy group may be used alone or in combination of two or more.

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの配合量は、全樹脂成分の合計１００重量％中、１０〜６０重量％が好ましい。より好ましくは１０〜３０重量％である。高分子ポリマーが少なすぎると、ダイボンディングフィルム３の保形性が低下することがあり、多すぎると、ダイボンディングフィルム３の接着性が低下することがある。なお、全樹脂成分とは、熱硬化性樹脂、硬化剤及び必要に応じて添加される他の樹脂構成成分の総和をいうものとする。   The blending amount of the polymer having an epoxy group is preferably 10 to 60% by weight in 100% by weight of the total resin components. More preferably, it is 10 to 30% by weight. When there are too few high molecular polymers, the shape retention of the die bonding film 3 may fall, and when too much, the adhesiveness of the die bonding film 3 may fall. The total resin component means the sum of the thermosetting resin, the curing agent, and other resin components added as necessary.

上記高分子ポリマーの重量平均分子量は、１万〜２００万の範囲が好ましく、５万〜１００万の範囲がより好ましい。高分子ポリマーの重量平均分子量が小さすぎると、ダイボンディングフィルム３の保形性が低下することがあり、大きすぎると、溶剤に溶けにくく、均一な塗膜を形成し難いことがある。   The weight average molecular weight of the polymer is preferably in the range of 10,000 to 2,000,000, and more preferably in the range of 50,000 to 1,000,000. If the weight average molecular weight of the high molecular weight polymer is too small, the shape retention of the die bonding film 3 may be reduced. If it is too large, it may be difficult to dissolve in a solvent and it may be difficult to form a uniform coating film.

上記硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。   The curing agent is not particularly limited, but for example, heat curing type acid anhydride curing agents such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, phenolic curing agents, amine curing agents, dicyandiamide and the like. Examples thereof include a curing agent and a cationic catalyst-type curing agent. These curing agents may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化剤のなかでも、常温（２３℃）で液状の加熱硬化型硬化剤が好ましい。この硬化剤を用いた場合には、常温で柔軟であってハンドリング性が良好なダイボンディングフィルム３が得られる。   Among the above curing agents, a thermosetting curing agent that is liquid at normal temperature (23 ° C.) is preferable. When this curing agent is used, a die bonding film 3 that is flexible at room temperature and has good handling properties can be obtained.

上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好ましい。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。   Typical examples of the thermosetting curing agent that is liquid at room temperature include acid anhydrides such as methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, and trialkyltetrahydrophthalic anhydride. System curing agent. Of these, methylnadic acid anhydride and trialkyltetrahydrophthalic anhydride are preferred because they are hydrophobized. These acid anhydride curing agents may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化性樹脂組成物においては、硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに、硬化促進剤を併用しても良い。   In the curable resin composition, a curing accelerator may be used in combination with the curing agent in order to adjust the curing speed and the physical properties of the cured product.

上記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等を調整するための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。   Although it does not specifically limit as said hardening accelerator, For example, an imidazole type hardening accelerator, a tertiary amine type hardening accelerator, etc. are mentioned. Among these, an imidazole-based curing accelerator is preferable because it is easy to control the reaction system for adjusting the curing speed and the physical properties of the cured product. These curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.

上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、マイクロカプセル化されたイミダゾール、アミンアダクト型イミダゾール、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種以上が併用されても良い。   The imidazole curing accelerator is not particularly limited. For example, microencapsulated imidazole, amine adduct type imidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which 1-position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, 2, 4 -Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2 -Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole and the like. These imidazole type hardening accelerators may be used independently and 2 or more types may be used together.

酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化性樹脂組成物の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。   When using an acid anhydride curing agent in combination with a curing accelerator such as an imidazole curing accelerator, the addition amount of the acid anhydride curing agent should be less than or equal to the theoretically required equivalent to the epoxy group. Is preferred. If the addition amount of the acid anhydride curing agent is excessive more than necessary, chlorine ions may be easily eluted by moisture from the cured product of the curable resin composition. For example, when the elution component is extracted from the cured product of the curable resin composition with hot water, the pH of the extracted water is lowered to about 4 to 5, and a large amount of chloride ions extracted from the epoxy resin is eluted. Sometimes.

また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化後の硬化性樹脂組成物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。   In addition, when an amine curing agent and a curing accelerator such as an imidazole curing accelerator are used in combination, the addition amount of the amine curing agent may be less than or equal to the theoretically required equivalent to the epoxy group. preferable. If the addition amount of the amine-based curing agent is excessive more than necessary, chlorine ions may be easily eluted by moisture from the cured product of the curable resin composition. For example, when an elution component is extracted with hot water from a curable resin composition after curing, the pH of the extracted water becomes high and basic, and a large amount of chloride ions extracted from the epoxy resin may be eluted. .

上述した硬化剤及び硬化促進剤のなかでも、固体材料８である、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、及び／又は２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましく用いられる。これらの市販品としては、四国化成工業社製のＯＫシリーズである商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、「２ＰＺ−ＯＫ」や、四国化成工業社製のＨＺシリーズである商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」、「２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ」等が挙げられる。   Among the curing agents and curing accelerators described above, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, which is solid material 8, -Phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and / or 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole are preferably used. As these commercially available products, trade names “2MA-OK” and “2PZ-OK” which are OK series made by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. “2P4MHZ-PW” and the like.

上記固体材料８としてのフィラーは、有機フィラー、無機フィラーのいずれであってもよい。フィラーとしては、具体的には、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び酸化マグネシウムなどが挙げられる。   The filler as the solid material 8 may be either an organic filler or an inorganic filler. Specific examples of the filler include silica, alumina, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, and magnesium oxide.

このようなフィラーの市販品としては、例えば、アドマテックス社製のＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ及びＳＣ４０５０ＳＥＪ等が挙げられる。   Examples of such a commercially available filler include SC1050MJD, SC2050MB, SC4050MNA, SC4050MNB, and SC4050SEJ manufactured by Admatechs.

上記硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に添加剤が添加されていてもよい。添加剤としては、カップリング剤等が挙げられる。   In addition to the components described above, an additive may be added to the curable resin composition. Examples of the additive include a coupling agent.

上記熱硬化性樹脂は、硬化性樹脂組成物１００重量％中に、７０〜１００重量％の範囲で配合されることが好ましく、より好ましくは８０〜１００重量％の範囲である。熱硬化性樹脂が少なすぎると、接着性に劣ったり、一括的に接着できないことがある。尚、上述のように、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂と反応可能な高分子ポリマーとを配合する場合は、エポキシ樹脂及び高分子ポリマーの両者ともを熱硬化性樹脂として扱う。   The thermosetting resin is preferably blended in the range of 70 to 100% by weight and more preferably in the range of 80 to 100% by weight in 100% by weight of the curable resin composition. When there are too few thermosetting resins, it may be inferior to adhesiveness or cannot be bonded collectively. In addition, as mentioned above, when mix | blending an epoxy resin and the high molecular polymer which can react with an epoxy resin, both an epoxy resin and a high molecular polymer are handled as a thermosetting resin.

上記固体材料８の配合量としては、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、０．１〜３０重量部の範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜２０重量部の範囲であり、更に好ましくは０．５〜１０重量部である。固体材料８が少なすぎると、固体材料８を配合することによる効果が充分に得られないことがあり、多すぎると、ボイドの原因となることがある。   As a compounding quantity of the said solid material 8, the range of 0.1-30 weight part is preferable with respect to 100 weight part of thermosetting resins, More preferably, it is the range of 0.5-20 weight part, More preferably Is 0.5 to 10 parts by weight. If the amount of the solid material 8 is too small, the effect of blending the solid material 8 may not be sufficiently obtained. If the amount is too large, a void may be caused.

上記硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料８と、必要に応じて配合される他の成分とを、適宜の方法で混合することにより得られる。各成分が混合された後に、上記固体材料８の平均粒径及び大粒径の上記固体材料８の個数が上記特定の範囲となるように、濾過が行われてもよい。   The curable resin composition is obtained by mixing a thermosetting resin, a solid material 8 that is incompatible with the thermosetting resin, and other components blended as necessary, by an appropriate method. It is done. After the respective components are mixed, filtration may be performed so that the average particle diameter of the solid material 8 and the number of the solid materials 8 having a large particle diameter are within the specific range.

上記濾過に際して用いられるフィルターとしては、表面濾過タイプのフィルターと、深層濾過タイプのフィルターとの２種類がある。前者はクロス折のメッシュタイプのフィルターであり、後者は一般的なろ紙のような不織布の織り込みタイプのフィルターである。固体材料は必須の構成成分であるため、濾過に際して、固体材料は必要以上に取り除かれないことが好ましい。不織布の織り込みタイプのフィルターを用いた場合には、例えば粒径５〜１０μｍの固体材料を取り除こうとしたときに、粒径が５μｍよりも小さな固体材料まで必要以上に取り除かれ易い。よって、表面濾過タイプのフィルターが好ましく用いられ、それによって、選択性の高い濾過を行うことができる。   There are two types of filters used for the filtration, a surface filtration type filter and a depth filtration type filter. The former is a cross-folded mesh type filter, and the latter is a non-woven weave type filter such as general filter paper. Since the solid material is an essential constituent, it is preferable that the solid material is not removed more than necessary during filtration. When a nonwoven fabric weaving type filter is used, for example, when a solid material having a particle size of 5 to 10 μm is to be removed, a solid material having a particle size smaller than 5 μm is easily removed more than necessary. Therefore, a surface filtration type filter is preferably used, whereby highly selective filtration can be performed.

上記硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形し、ダイボンディングフィルム３を得る方法としては、特に限定されないが、ダイコーター、リップコーター、コンマコーター、グラビアコーター等が用いられる。なかでも、ダイボンディングフィルムの厚み精度が高められ、異物が混入したとしても筋状のむらなどが形成され難いので、グラビアコーターが好ましい。   A method of forming the curable resin composition into a film and obtaining the die bonding film 3 is not particularly limited, and a die coater, a lip coater, a comma coater, a gravure coater, or the like is used. Among these, a gravure coater is preferable because the thickness accuracy of the die bonding film is improved and streaks are hardly formed even if foreign matter is mixed.

上記非粘着フィルム４は、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するために設けられている。   The non-adhesive film 4 is provided to peel the die bonding film 3 from the non-adhesive film 4 at the interface between the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4.

上記非粘着フィルム４は、非粘着性を有する。なお、本明細書において、「非粘着性フィルム」とは、表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、表面を指で押してから、指を持ち上げたときに、指にくっついて持ち上がらないフィルムを含むものとする。   The non-adhesive film 4 has non-adhesiveness. In this specification, the “non-adhesive film” is not only a film whose surface is not sticky, but also a film that does not stick to the finger when it is lifted after pressing the surface with a finger. Shall be included.

上記非粘着フィルム４としては特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム：ポリ塩化ビニルフィルム；ポリイミドフィルム；アクリル樹脂系フィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。   The non-adhesive film 4 is not particularly limited, and is a polyester film such as a polyethylene terephthalate film; a polyolefin film such as a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, or a polyvinyl acetate film: polyvinyl chloride Various plastic films, such as a film; a polyimide film; an acrylic resin film, are mentioned.

また、上記非粘着フィルム４は、単一の合成樹脂フィルムからなる必要は必ずしもなく、２層以上を積層してなる積層フィルムであってもよい。   The non-adhesive film 4 is not necessarily formed of a single synthetic resin film, and may be a laminated film in which two or more layers are laminated.

上記ポリオレフィン系フィルムとしては、より具体的には、低密度ポリエチレン（ＬＤＰ）フィルム、ＬＤＰフィルム＋ＰＰフィルムの積層体、ＬＤＰフィルム＋高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルムの積層体、ＬＤＰＥフィルム＋ＨＤＰＥフィルム＋ＬＬフィルムの積層体、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰ）フィルムなどが挙げられる。なかでも、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度を容易に設定することができ、半導体チップのピックアップ時のエキスパンド性が高められるので、ＬＬＤＰＥフィルムが好ましい。   More specifically, the polyolefin film includes a low density polyethylene (LDP) film, a laminate of LDP film + PP film, a laminate of LDP film + high density polyethylene (HDPE) film, LDPE film + HDPE film + LL film. A laminated body, a linear low density polyethylene (LLDP) film, etc. are mentioned. Among these, an LLDPE film is preferable because the peel strength between the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4 can be easily set, and the expandability at the time of picking up a semiconductor chip is enhanced.

また、上記アクリル樹脂系フィルムとしては、様々な（メタ）アクリル樹脂を主成分とする組成物からなるものを用いることができる。アクリル系樹脂フィルムは、ポリオレフィン系フィルムに比べて柔らかい。よって、アクリル系樹脂フィルムを用いた場合には、ダイシングに際しての切削性や、ダイシング後の剥離性が高められる。なお、本発明において「（メタ）アクリル」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。   Moreover, what consists of a composition which has a various (meth) acrylic resin as a main component can be used as said acrylic resin-type film. The acrylic resin film is softer than the polyolefin film. Therefore, when an acrylic resin film is used, the machinability at the time of dicing and the peelability after dicing are improved. In the present invention, “(meth) acryl” means “methacrylic acid or acrylic acid”.

上記非粘着フィルム４は、主成分が（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。この場合、非粘着フィルム４を構成している樹脂分の５０重量％以上が、（メタ）アクリル樹脂とされる。   The non-adhesive film 4 is preferably a (meth) acrylic resin as a main component. In this case, 50% by weight or more of the resin constituting the non-adhesive film 4 is (meth) acrylic resin.

上記（メタ）アクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。非粘着フィルム４の主成分が（メタ）アクリル酸エステルポリマーである場合には、ダイシングに際しての切削性や、ダイシング後の剥離性がより一層高められる。   As the (meth) acrylic resin, a (meth) acrylic acid ester polymer is preferable. When the main component of the non-adhesive film 4 is a (meth) acrylic acid ester polymer, the machinability during dicing and the peelability after dicing are further enhanced.

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合には、極性を充分に低めることができ、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができ、剥離性をより一層高めることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、溶液重合が困難となることがある。アルキル基の炭素数は、より好ましくは６以上であり、それによって極性がより一層低められる。   Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic acid ester polymer, The (meth) acrylic-acid alkylester polymer which has a C1-C18 alkyl group is preferable. When a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is used, the polarity can be lowered sufficiently, the surface energy of the non-adhesive film 4 can be lowered, and the peelability can be reduced. Can be further increased. If the alkyl group has more than 18 carbon atoms, solution polymerization may be difficult. The number of carbon atoms of the alkyl group is more preferably 6 or more, thereby further reducing the polarity.

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものも好ましい。この場合にも、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は６以上が特に好ましい。   As the (meth) acrylic acid ester polymer, a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is used as a main monomer, and this is combined with a functional group-containing monomer and, if necessary, these. Those obtained by copolymerizing other polymerizable monomers capable of polymerization by a conventional method are also preferred. Also in this case, the alkyl group of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms preferably has 6 or more carbon atoms.

上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲が好ましい。   The weight average molecular weight of the (meth) acrylic acid ester polymer is preferably in the range of 200,000 to 2,000,000.

上記他の改質用モノマーとしては特に限定はされないが、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、非粘着フィルム４の極性が高くなり、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。   Although it does not specifically limit as said other monomer for a modification | reformation, It is preferable not to use the monomer containing a carboxyl group. When the monomer containing a carboxyl group is used, the polarity of the non-adhesive film 4 is increased, which may adversely affect the pickup property.

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られたものが好ましい。   Although it does not specifically limit as said (meth) acrylic-acid alkylester monomer, It obtained by esterification reaction of the primary or secondary alkyl alcohol which has a C1-C18 alkyl group, and (meth) acrylic acid. Those are preferred.

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられても、２種以上が併用されてもよい。   Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. Examples include n-butyl, t-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, and lauryl (meth) acrylate. The (meth) acrylic acid alkyl ester monomer may be used alone or in combination of two or more.

上記アクリル樹脂系フィルムの主成分としての上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は、２以下であることが望ましい。酸価が２以下であると、表面エネルギーが小さくなり、剥離性が高められる。   The acid value of the (meth) acrylic acid ester polymer as the main component of the acrylic resin film is desirably 2 or less. When the acid value is 2 or less, the surface energy is reduced and the peelability is improved.

上記酸価を２以下に調整する方法としては特に限定はされないが、上記他のモノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しない方法、反応過程においてエステルの加水分解が生じないように調整する方法が好ましい。   The method for adjusting the acid value to 2 or less is not particularly limited, but as a method for not using a monomer containing a carboxyl group as the other monomer, a method for adjusting the ester so that hydrolysis of the ester does not occur in the reaction process. Is preferred.

尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。   In the present specification, the acid value is the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize the free acid contained in 1 g of (meth) acrylic acid ester polymer.

上記非粘着フィルム４がアクリル系樹脂フィルムである場合、上記主成分としての（メタ）アクリル樹脂の他に、好ましくは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーがさらに含有される。このようなオリゴマーの含有により、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性がより一層高められる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満であると、オリゴマーの配合による効果が得られないことがあり、５００００を超えると、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性が低下することがある。   When the non-adhesive film 4 is an acrylic resin film, in addition to the (meth) acrylic resin as the main component, it preferably has a double bondable group capable of reacting with an acrylic group and has a weight average molecular weight. An oligomer having a glass transition point Tg of 25 ° C. or lower in the range of 500 to 50,000 is further contained. By including such an oligomer, the peelability of the die bonding film 3 with respect to the non-adhesive film 4 is further enhanced. When the weight average molecular weight of the oligomer is less than 500, the effect of blending the oligomer may not be obtained, and when it exceeds 50000, the peelability of the die bonding film 3 from the non-adhesive film 4 may be lowered.

上記オリゴマーは、特に限定されないが、柔軟性を有する骨格、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、ジシクロペンタジエン骨格を有することが好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となる骨格をいうものとする。   The oligomer is not particularly limited, but preferably has a flexible skeleton such as a polyether skeleton, a polyester skeleton, a butadiene skeleton, a polyurethane skeleton, a silicate skeleton, and a dicyclopentadiene skeleton. The skeleton having flexibility means a skeleton having a Tg of 25 ° C. or less.

また、上記オリゴマーとしては、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーがより好ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、Ｍ−２２５（東亜合成社製）、ＵＮ−７６００（根上工業社製）などが挙げられる。   The oligomer is more preferably an acrylic oligomer having a polyether skeleton or a polyester skeleton. Examples of the acrylic oligomer having a polyether skeleton or a polyester skeleton include polypropylene oxide diacrylate and polyether urethane acrylic oligomer. Examples of the commercially available products include M-225 (manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.), UN-7600 (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.), and the like.

上記オリゴマーのアクリル基と反応可能な二重結合性基としては特に限定はされず、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。上記オリゴマーは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を２以上有することが好ましい。   The double bond group capable of reacting with the acrylic group of the oligomer is not particularly limited, and examples thereof include an acrylic group, a methacryl group, a vinyl group, and an allyl group. Of these, an acrylic group is preferable. The oligomer preferably has two or more double bondable groups capable of reacting with an acrylic group.

また、上記アクリル基と反応可能な二重結合性基は、分子の両末端に２個存在してもよく、分子鎖の途中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端のみに上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が２個存在することが好ましく、分子の両末端のみにアクリル基が２個存在することがより好ましい。また、分子の両末端及び分子鎖中に上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が存在することも好ましい。   In addition, two double bond groups capable of reacting with the acrylic group may be present at both ends of the molecule, or may be present in the middle of the molecular chain. Among them, it is preferable that two double bondable groups capable of reacting with the acrylic group exist only at both ends of the molecule, and it is more preferable that two acrylic groups exist only at both ends of the molecule. Moreover, it is also preferable that the double bondable group which can react with the said acrylic group exists in the both terminal and molecular chain of a molecule | numerator.

上記ポリエーテル骨格としては、例えばポリプロピレンオキシド骨格、ポリエチレンオキシド骨格などが挙げられる。   Examples of the polyether skeleton include a polypropylene oxide skeleton and a polyethylene oxide skeleton.

上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、中村化学工業社製のＵＡ３４０Ｐ、ＵＡ４２００；東亜合成社製のアロニックスＭ−１６００、アロニックスＭ−２２０などが挙げられる。   Examples of the acrylic oligomer having the polyether skeleton and having an acrylic group only at both ends of the molecule include polypropylene oxide diacrylate and polyester urethane acrylic oligomer. Examples of the commercial products include UA340P and UA4200 manufactured by Nakamura Chemical Co., Ltd .; Aronix M-1600 and Aronix M-220 manufactured by Toa Gosei Co., Ltd.

また、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。ウレタンアクリルオリゴマーが３〜１０官能であると、骨格が適度な柔軟性を有するものとなる。ウレタンアクリルオリゴマーが３官能未満であると、柔軟性が低すぎてダイボンディングフィルム３の切断時にひげ状の切削屑が生じ易く、１０官能を超えると、柔軟性が高すぎてダイボンディングフィルム３の切断時に汚染の原因となることがある。   Moreover, a 3-10 functional urethane acrylic oligomer is used suitably as said acrylic oligomer. When the urethane acrylic oligomer has 3 to 10 functionalities, the skeleton has appropriate flexibility. When the urethane acrylic oligomer is less than trifunctional, the flexibility is too low, and beard-like cutting waste is easily generated when the die bonding film 3 is cut. May cause contamination during cutting.

上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、新中村化学工業社製のＵ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ、ＵＡ−６１００；根上工業社製のＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３、ＵＮ−１２５５などが挙げられる。   Examples of the 3 to 10 functional urethane acrylic oligomer include a urethane oxide oligomer having a polypropylene oxide main chain. As a commercial item of the said 3-10 functional urethane acrylic oligomer, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. U-2PPA, U-4HA, U-6HA, U-15HA, UA-32P, U-324A U-108A, U -200AX, UA-4400, UA-2235PE, UA-160TM, UA-6100; Ne-7 Industries, Ltd. UN-7600, UN-7700, UN-333, UN-1255, etc. are mentioned.

上記オリゴマーの配合割合は、特に限定されないが、オリゴマーを配合した効果を得るには、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１重量部以上が望ましい。好ましい上限は５０重量部である。また、上記オリゴマーが多すぎると、原料が溶解せず、非粘着フィルム４の製造が不可能となることがある。   The blending ratio of the oligomer is not particularly limited, but is preferably 1 part by weight or more with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic acid ester polymer in order to obtain the effect of blending the oligomer. A preferred upper limit is 50 parts by weight. Moreover, when there are too many said oligomers, a raw material will not melt | dissolve and manufacture of the non-adhesive film 4 may become impossible.

両末端にアクリル基を有するオリゴマーを用いる場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部が好ましく、１〜５０重量部がより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましく、１〜３０重量部がより好ましい。   When using an oligomer having an acrylic group at both ends, the blending ratio of the oligomer is preferably 1 to 100 parts by weight and more preferably 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic acid ester polymer. preferable. In the case of a polyfunctional urethane acrylic oligomer, the blending ratio of the oligomer is preferably 1 to 50 parts by weight and more preferably 1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (meth) acrylic acid ester polymer.

上記非粘着フィルム４は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーを含むことにより、ダイボンディングフィルム３の切断時の切削性が高められ、ダイボンディングフィルム３や半導体チップに切削屑が付着し難い。   The non-adhesive film 4 preferably contains a filler. By including a filler, the machinability at the time of cutting | disconnection of the die bonding film 3 is improved, and it is hard to adhere cutting waste to the die bonding film 3 or a semiconductor chip.

上記フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがあり、小さすぎると、切削性が充分に高められないことがある。   The average particle diameter of the filler is preferably 0.1 to 10 μm, more preferably 0.1 to 5 μm. If the average particle size is too large, the in-plane thickness of the non-adhesive film 4 may vary, and if it is too small, the machinability may not be sufficiently improved.

非粘着フィルムに含まれる上記フィラーとしては、特に限定されず、シリカ、アルミナ等を用いることができる。中でも、合成された球状のシリカフィラーが好ましい。そのようなフィラーの市販品としては例えば、アドマテックス社製のＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ、ＳＣ４０５０ＳＥＪ等が挙げられる。   It does not specifically limit as said filler contained in a non-adhesive film, A silica, an alumina, etc. can be used. Among these, a synthesized spherical silica filler is preferable. Examples of such commercially available fillers include SC1050MJD, SC2050MB, SC4050MNA, SC4050MNB, and SC4050SEJ manufactured by Admatechs.

上記フィラーの配合割合は、フィラーを除く非粘着フィルム４を構成する材料の合計１００重量部に対して、０．１〜１５０重量部が好ましい。フィラーが多すぎると、非粘着フィルム４がエクスパンド時に破断してしまうことがあり、少なすぎると、切削性が充分に高められないことがある。   The blending ratio of the filler is preferably 0.1 to 150 parts by weight with respect to a total of 100 parts by weight of the material constituting the non-adhesive film 4 excluding the filler. When there are too many fillers, the non-adhesive film 4 may break at the time of expansion, and when there are too few, cutting property may not fully be improved.

また、上記非粘着フィルム４は、紫外線吸収剤をさらに含有してもよい。紫外線吸収剤を含有することにより、ダイボンディングフィルム３を容易にレーザーダイシングすることができる。   Moreover, the said non-adhesive film 4 may further contain a ultraviolet absorber. By containing the ultraviolet absorber, the die bonding film 3 can be easily laser-diced.

上記ダイシングフィルム５は、ダイシングリングに貼り付けるために用いられている。また、ダイシングフィルム５は、ダイシングが行われた後のエクスパンド性を高めるために、あるいはダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を高めるために用いられている。上記ダイシングフィルム５は、基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤５ｂとを有する。   The dicing film 5 is used for attaching to a dicing ring. The dicing film 5 is used to increase the expandability after the dicing is performed, or to increase the pickup performance of the semiconductor chip with the die bonding film 3. The dicing film 5 includes a base material 5a and an adhesive 5b configured by applying an adhesive to one side of the base material 5a.

上記基材５ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。   The substrate 5a is not particularly limited, but is a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyolefin film such as a polyvinyl acetate film, or polyvinyl chloride. Examples thereof include plastic films such as films and polyimide films. Of these, polyolefin film is suitably used because of its excellent expandability and low environmental impact.

上記粘着剤５ｂを構成する粘着剤としては、特に限定されないが、アクリル系、特殊合成ゴム系、合成樹脂系、ゴム系などの粘着剤が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてアクリル系の粘着剤が、非粘着フィルム４に対する貼着力、およびダイシングリングからの再剥離性、コスト面に優れているため好適に用いられる。   Although it does not specifically limit as an adhesive which comprises the said adhesive 5b, Adhesives, such as an acrylic type, a special synthetic rubber type | system | group, a synthetic resin type | system | group, a rubber type, are mentioned. Among them, an acrylic pressure-sensitive adhesive as a pressure-sensitive type is preferably used because it has excellent adhesion to the non-adhesive film 4, removability from the dicing ring, and cost.

上記非粘着フィルム４の厚みは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがあり、厚みが１００μｍを超えると、均一な厚みとすることが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、ダイシングを適切に行い得ないことがある。   Although the thickness of the said non-adhesion film 4 is not specifically limited, 30-100 micrometers is preferable. When the thickness is less than 30 μm, sufficient expandability may not be obtained, and when the thickness exceeds 100 μm, it may be difficult to obtain a uniform thickness. If the thickness varies, dicing may not be performed properly.

上記離型フィルム２は、ダイボンディングフィルム３の半導体ウェーハが貼付される表面３ａを保護するために用いられている。もっとも離型フィルムは、必ずしも用いられている必要はない。   The release film 2 is used to protect the surface 3a to which the semiconductor wafer of the die bonding film 3 is attached. However, the release film is not necessarily used.

上記離型フィルム２としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好ましい。   The release film 2 is not particularly limited, but is a polyester film such as a polyethylene terephthalate film, a polytetrafluoroethylene film, a polyethylene film, a polypropylene film, a polymethylpentene film, a polyolefin film such as a polyvinyl acetate film, or a polychlorinated film. Examples of the plastic film such as a vinyl film or a polyimide film that have been subjected to mold release treatment with silicon or the like. Especially, since it is excellent in smoothness, thickness accuracy, etc., synthetic resin films, such as a polyethylene terephthalate film, are preferable.

上記離型フィルムは、一層の上記フィルムで構成されていてもよく、２以上の上記フィルムが積層されて構成されていてもよい。離型フィルムが複数のフィルムが積層された積層フィルムである場合、異なる２種以上の上記フィルムが積層されていてもよい。   The release film may be composed of a single layer of the film, or may be composed of two or more films laminated. When the release film is a laminated film in which a plurality of films are laminated, two or more different types of the above films may be laminated.

図２に、本発明の他の実施形態に係る接着シートを部分切欠正面断面図で示す。   In FIG. 2, the adhesive sheet which concerns on other embodiment of this invention is shown with a partial notch front sectional drawing.

図２に示す接着シート１１では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４がこの順で積層されている。すなわち、接着シート１１は、ダイシングフィルム５が別途設けられていないこと以外は接着シート１と同様に構成されている。このように、ダイシングフィルム５は必ずしも設けられていなくてもよい。   In the adhesive sheet 11 shown in FIG. 2, the release film 2, the die bonding film 3, and the non-adhesive film 4 described above are laminated in this order. That is, the adhesive sheet 11 is configured in the same manner as the adhesive sheet 1 except that the dicing film 5 is not separately provided. Thus, the dicing film 5 does not necessarily need to be provided.

図３に、本発明のさらに他の実施形態に係る接着シートを部分切欠正面断面図で示す。   In FIG. 3, the adhesive sheet which concerns on further another embodiment of this invention is shown with a partial notch front sectional drawing.

図３に示す接着シート１５は、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの構成が異なることを除いては、接着シート１と同様に構成されている。接着シート１５では、離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム１６及びダイシングフィルム１７がこの順で積層されている。   The adhesive sheet 15 shown in FIG. 3 is configured similarly to the adhesive sheet 1 except that the configurations of the non-adhesive film and the dicing film are different. In the adhesive sheet 15, the release film 2, the die bonding film 3, the non-adhesive film 16 and the dicing film 17 are laminated in this order.

上記非粘着フィルム１６は、第１の層１６Ａと第２の層１６Ｂとが積層された２層構造を有する積層フィルムである。非粘着フィルム１６の第１の層１６Ａ側の表面１６ａに、ダイボンディングフィルム３が貼付されている。非粘着フィルム１６の第２の層１６Ｂ側の表面１６ｂに、ダイシングフィルム１７が貼付されている。   The non-adhesive film 16 is a laminated film having a two-layer structure in which a first layer 16A and a second layer 16B are laminated. The die bonding film 3 is attached to the surface 16a of the non-adhesive film 16 on the first layer 16A side. A dicing film 17 is attached to the surface 16b of the non-adhesive film 16 on the second layer 16B side.

上記非粘着フィルム１６は非粘着性を有し、すなわち第１の層１６Ａ及び第２の層１６Ｂは非粘着性を有する。第１，第２の層１２Ａ，１６Ｂを構成する材料については特に限定されず、前述した非粘着フィルム４を構成する様々な合成樹脂フィルムを適宜用いることができる。   The non-adhesive film 16 has non-adhesiveness, that is, the first layer 16A and the second layer 16B have non-adhesive properties. The material constituting the first and second layers 12A and 16B is not particularly limited, and various synthetic resin films constituting the non-adhesive film 4 described above can be used as appropriate.

このように、非粘着フィルムが２つの層が積層された２層構造を有する積層フィルムである場合には、第１の層１６Ａと第２の層１６Ｂとを異ならせることにより、非粘着フィルムの物性を容易に調整することができる。   Thus, when the non-adhesive film is a laminated film having a two-layer structure in which two layers are laminated, the first layer 16A and the second layer 16B are made different from each other, thereby Physical properties can be easily adjusted.

また、上記ダイシングフィルム１６では、上述したダイシングフィルム５と異なり、粘着剤層が設けられていない。ダイシングフィルムは粘着剤層を有していなくてもよい。粘着剤層を有していない場合には、ダイシングフィルムが、例えば粘着力を有する材料により構成される。   Further, unlike the dicing film 5 described above, the dicing film 16 is not provided with an adhesive layer. The dicing film may not have an adhesive layer. When the adhesive layer is not provided, the dicing film is made of, for example, a material having adhesive force.

次に、上述した接着シート１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図４〜図９を用いて以下説明する。   Next, a method for manufacturing a semiconductor chip when the above-described adhesive sheet 1 is used will be described below with reference to FIGS.

先ず上述した接着シート１と、図４に平面図で示す半導体ウェーハ２１とを用意する。   First, the adhesive sheet 1 described above and a semiconductor wafer 21 shown in a plan view in FIG. 4 are prepared.

上記半導体ウェーハ２１は、円形の平面形状を有する。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１では、裏面２１ｂが研磨されて所定の厚みとされている。   The semiconductor wafer 21 has a circular planar shape. On the surface 21a of the semiconductor wafer 21, although not shown, circuits for forming individual semiconductor chips are formed in each region partitioned in a matrix by streets. In the semiconductor wafer 21, the back surface 21b is ground to a predetermined thickness.

半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、破損することがある。   The thickness of the semiconductor wafer 21 is preferably 30 μm or more. If the thickness of the semiconductor wafer 21 is less than 30 μm, cracks or the like may occur during grinding or handling, resulting in damage.

なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。   In addition, the semiconductor wafer 21 is divided | segmented for every area | region divided into matrix form at the time of the dicing mentioned later.

図５に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を、裏返しされた状態でステージ２２上に載置する。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａがステージ２２に接するように、半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載置する。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられて、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低くされている。   As shown in FIG. 5, the prepared semiconductor wafer 21 is placed on the stage 22 in an inverted state. That is, the semiconductor wafer 21 is placed on the stage 22 so that the surface 21 a of the semiconductor wafer 21 is in contact with the stage 22. An annular dicing ring 23 is provided on the stage 22 so as to be spaced apart from the outer peripheral side surface 21 c of the semiconductor wafer 21. The height of the dicing ring 23 is equal to or slightly lower than the total thickness of the semiconductor wafer 21, the die bonding film 3, and the non-adhesive film 4.

次に、図６に示すように、接着シート１のダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。図６に示すように、接着シート１の離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出したダイボンディングフィルム３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。   Next, as shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 21 is bonded to the surface 3 a of the die bonding film 3 of the adhesive sheet 1. The dicing film 5 has an extension portion 5 c that extends so as to exceed the outer peripheral edges of the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4. As shown in FIG. 6, the adhesive 5 b of the extended portion 5 c of the exposed dicing film 5 is stuck on the dicing ring 23 while peeling the release film 2 of the adhesive sheet 1. Further, the exposed die bonding film 3 is bonded to the back surface 21 b of the semiconductor wafer 21.

図７に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合した状態を部分切欠正面断面図で示す。半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、ダイボンディングフィルム３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。   In FIG. 7, the state which joined the semiconductor wafer 21 to the die-bonding film 3 is shown with a partial notch front sectional drawing. The die bonding film 3 is bonded to the entire back surface 21 b of the semiconductor wafer 21. The extension portion 5 c of the dicing film 5 is supported by the dicing ring 23 so that an extra force is not applied to the semiconductor wafer 21.

次に、図８に示すように、ステージ２２からダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１を取り出し、裏返しにする。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。表面２１ａが上方になるように、取り出された半導体ウェーハ２１を別のステージ２４上に載置する。   Next, as shown in FIG. 8, the semiconductor wafer 21 to which the die bonding film 3 is bonded is taken out from the stage 22 and turned upside down. At this time, the dicing ring 23 is taken out while being attached to the dicing film 5. The taken-out semiconductor wafer 21 is placed on another stage 24 so that the surface 21a faces upward.

次に、ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。図８に矢印Ｘを付して示すように、半導体ウェーハ２１側からダイシングが行われる。   Next, the semiconductor wafer 21 to which the die bonding film 3 is bonded is diced and divided into individual semiconductor chips. As shown by the arrow X in FIG. 8, dicing is performed from the semiconductor wafer 21 side.

図９に示すように、ダイシング後に、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３は完全に切断されている。ダイシングは、ダイボンディングフィルム３を貫通するように行われれば特に限定されないが、例えば非粘着フィルム４の厚みの半分以下の位置まで切断刃が挿入される。図９では、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面よりも深く切断刃が挿入され、切り込み部分４１が形成されている。   As shown in FIG. 9, after dicing, the semiconductor wafer 21 and the die bonding film 3 are completely cut. The dicing is not particularly limited as long as it is performed so as to penetrate the die bonding film 3. For example, the cutting blade is inserted to a position not more than half the thickness of the non-adhesive film 4. In FIG. 9, the cutting blade is inserted deeper than the interface between the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4 to form a cut portion 41.

なお、図９では、ダイシングは二段階（ステップカット）で行われている。ダイシング時に半導体ウェーハ２１の破損を防止できれば、ダイシングは一段階で行われてもよい。   In FIG. 9, dicing is performed in two stages (step cut). Dicing may be performed in one step as long as damage to the semiconductor wafer 21 can be prevented during dicing.

半導体ウェーハ２１のダイシング方法としては、特に限定されず、例えば一枚刃でカットするシングルカット、二枚刃でカットするステップカット、さらに２枚の刃でカットを行い半導体ウェーハの表面についてはＶ字形状の刃を使用するベベルカットなどが挙げられる。なかでも、切断時に半導体ウェーハの破損が生じ難いため、ステップカットが好適に行われる。   The dicing method of the semiconductor wafer 21 is not particularly limited. For example, a single cut with a single blade, a step cut with a two blade, and a cutting with two blades, the surface of the semiconductor wafer is V-shaped. For example, a bevel cut using a blade having a shape. In particular, since the semiconductor wafer is unlikely to break during cutting, step cut is preferably performed.

また、上記ダイシングは切断刃ではなく、レーザー光を用いて行われてもよい。すなわち、レーザー光の照射により半導体ウェーハをダイシングしてもよい。この場合、ダイシングは半導体ウェーハ２１だけでなく、ダイボンディングフィルム３を貫通するように行われる。従って、レーザー光はダイボンディングフィルム３を貫通し、非粘着フィルム４の途中に至る。このようなレーザー光の照射によるダイシングを行ったとしても、非粘着フィルム４の溶着は生じ難い。   The dicing may be performed using a laser beam instead of a cutting blade. That is, the semiconductor wafer may be diced by laser light irradiation. In this case, dicing is performed so as to penetrate not only the semiconductor wafer 21 but also the die bonding film 3. Therefore, the laser light penetrates the die bonding film 3 and reaches the middle of the non-adhesive film 4. Even if such dicing by laser light irradiation is performed, the non-adhesive film 4 is hardly welded.

半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。しかる後、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離し、半導体チップをダイボンディングフィルム３ごと取り出す。   After the semiconductor wafer 21 is diced and divided into individual semiconductor chips, the non-adhesive film 4 and the dicing film 5 are stretched to extend the interval between the divided individual semiconductor chips. Thereafter, the die bonding film 3 to which the semiconductor chip is bonded is peeled from the non-adhesive film 4 and the semiconductor chip is taken out together with the die bonding film 3.

なお、半導体チップ付きダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離する方法としては、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ側から、多数のピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハ２１の表面２１ａ側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。   In addition, as a method of peeling the die bonding film 3 with a semiconductor chip from the non-adhesive film 4, the method of pushing up using many pins, the method of pushing up using a multistage pin from the back surface 21b side of the semiconductor wafer 21, the semiconductor wafer 21 The method of vacuum peeling from the surface 21a side of this, the method of utilizing ultrasonic vibration, etc. are mentioned.

ところで、上述した特許文献１のように、放射線硬化型粘着剤層を備えるダイシングフィルムが、放射線硬化型粘着剤層側からダイボンディングフィルムに積層されている接着シートを用いた場合には、レーザー光によりダイシングを行ったときに、ダイシングフィルムが溶着して、その一部がダイボンディングフィルムに付着し、半導体チップのピックアップを確実に行い得ないことがあった。   By the way, when the dicing film provided with the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer uses an adhesive sheet laminated on the die bonding film from the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer side as in Patent Document 1 described above, laser light is used. When the dicing is performed, the dicing film is welded, and a part of the dicing film adheres to the die bonding film, so that the semiconductor chip cannot be reliably picked up.

これに対して、上記非粘着フィルム４は、光の照射により粘着力が低減されるものではいので、レーザー光の照射により溶着が生じ難い。また、非粘着フィルム４の主成分が（メタ）アクリル樹脂である場合に、レーザー光の照射による溶着をより一層抑制することができる。   On the other hand, since the non-adhesive film 4 does not have an adhesive force reduced by light irradiation, it is difficult for welding to occur by laser light irradiation. Moreover, when the main component of the non-adhesive film 4 is a (meth) acrylic resin, welding due to laser light irradiation can be further suppressed.

また、特許文献１のダイボンディングフィルムに積層されている放射線が硬化される前の放射線硬化型粘着剤層の粘着力は、比較的高い。よって、半導体チップごと放射線硬化型粘着剤層を剥離するには、放射線硬化型粘着剤層の粘着力を低下させる必要があり、粘着力を低下させるために放射線を照射する必要があった。さらに、放射線を照射した後に粘着力が充分に低下しないこともあった。   Moreover, the adhesive force of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer before the radiation laminated on the die bonding film of Patent Document 1 is cured is relatively high. Therefore, in order to peel the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer together with the semiconductor chip, it is necessary to reduce the adhesive strength of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer, and it is necessary to irradiate with radiation to reduce the adhesive strength. Furthermore, the adhesive strength may not be sufficiently reduced after irradiation with radiation.

これに対し、本実施形態の接着シート１では、光照射等により剥離力を低下させる煩雑な作業を行わなくても、半導体チップ付きダイボンディングフィルム３を容易に取り出すことができる。すなわち、ダイボンディングフィルム３に積層されている層すなわち非粘着フィルム４は、例えば光照射等により剥離力が低下するように構成されている必要はない。非粘着フィルム４は、光照射等により剥離力が低下するものではないことが好ましい。非粘着フィルム４が光照射等により剥離力が低下するものではない場合には、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくてもよく、半導体チップの製造効率が高められる。なお、光照射とは、自然光下に晒される場合を含まず、紫外線などの光を意図的に照射することをいう。   On the other hand, in the adhesive sheet 1 of this embodiment, the die bonding film 3 with a semiconductor chip can be easily taken out without performing a complicated operation for reducing the peeling force by light irradiation or the like. That is, the layer laminated on the die bonding film 3, that is, the non-adhesive film 4 does not need to be configured such that the peeling force is reduced by, for example, light irradiation. It is preferable that the non-adhesive film 4 does not have a peeling force that is reduced by light irradiation or the like. When the non-adhesive film 4 does not have a peeling force that is reduced by light irradiation or the like, it is not necessary to perform an operation of reducing the peeling force by light irradiation or the like, and the semiconductor chip manufacturing efficiency is improved. In addition, light irradiation does not include the case where it is exposed to natural light, but refers to intentionally irradiating light such as ultraviolet rays.

なお、前述の半導体装置の製造方法では、接着シート１を用いたが、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４とを別々に用意して、半導体装置を製造してもよい。この場合、ダイボンディングフィルム３の一方面３ａに、非粘着フィルム４が接合され、かつダイボンディングフィルム３の一方面３ａとは反対側の他方面に、半導体ウェーハ２１が接合された後、上述したダイシング工程が行われる。   Although the adhesive sheet 1 is used in the method for manufacturing a semiconductor device described above, the die bonding film 3 and the non-adhesive film 4 may be separately prepared to manufacture the semiconductor device. In this case, after the non-adhesive film 4 is bonded to the one surface 3a of the die bonding film 3 and the semiconductor wafer 21 is bonded to the other surface opposite to the one surface 3a of the die bonding film 3, it is described above. A dicing process is performed.

また、半導体チップの大きさとされている上記ダイボディングフィルム３を用意し、該ダイボンディングフィルム３を半導体チップに接合した後、ダイボンディングフィルム３を介して半導体チップを支持部材に接合し、半導体装置を製造してもよい。   Also, the die-bonding film 3 having the size of the semiconductor chip is prepared, the die bonding film 3 is bonded to the semiconductor chip, and then the semiconductor chip is bonded to the support member via the die bonding film 3. May be manufactured.

図１０に、上記接着シート１を用いて製造された半導体装置を模式的に正面断面図で示す。   In FIG. 10, the semiconductor device manufactured using the said adhesive sheet 1 is typically shown with front sectional drawing.

図１０に示す半導体装置５１では、支持部材として基板５２上に、前述のようにして取り出されたダイボンディングフィルム３付き第１の半導体チップ３１Ａが、ダイボンディングフィルム３側から積層されている。さらに、第１の半導体チップ３１Ａ上に、ダイボンディングフィルム３付き第２の半導体チップ３１Ｂが、ダイボンディングフィルム３側から積層されている。   In the semiconductor device 51 shown in FIG. 10, the first semiconductor chip 31A with the die bonding film 3 taken out as described above is laminated on the substrate 52 as a support member from the die bonding film 3 side. Furthermore, the second semiconductor chip 31B with the die bonding film 3 is laminated on the first semiconductor chip 31A from the die bonding film 3 side.

第１の半導体チップ３１Ａ上の外周縁近傍には、外部と電気的な接続を果たすための電気接続端子５３，５４が設けられている。第２の半導体チップ３１Ｂ上の外周縁近傍には、外部と電気的な接続を果たすための電気接続端子５５，５６が設けられている。電気接続端子５３〜５６に、ボンディングワイヤー５７〜６０の一端がそれぞれ接続されている。ボンディングワイヤー５７〜６０の他端は、基板５２の上面５２ａに設けられた電気接続端子６１〜６４にそれぞれ接続されている。第１，第２の半導体チップ３１Ａ，３１Ｂ上には、複数のボンディングワイヤーが接続されている。   In the vicinity of the outer peripheral edge on the first semiconductor chip 31A, electrical connection terminals 53 and 54 are provided for electrical connection with the outside. In the vicinity of the outer peripheral edge on the second semiconductor chip 31B, electrical connection terminals 55 and 56 are provided for electrical connection with the outside. One ends of bonding wires 57 to 60 are connected to the electrical connection terminals 53 to 56, respectively. The other ends of the bonding wires 57 to 60 are connected to electrical connection terminals 61 to 64 provided on the upper surface 52a of the substrate 52, respectively. A plurality of bonding wires are connected on the first and second semiconductor chips 31A and 31B.

基板５２上の第１，第２の半導体チップ３１Ａ，３１Ｂは、樹脂モールド層６５により被覆され、かつ保護されている。   The first and second semiconductor chips 31A and 31B on the substrate 52 are covered and protected by a resin mold layer 65.

上記半導体装置５１では、基板５２と第１の半導体チップ３１Ａ、及び第１の半導体チップ３１Ａと第２の半導体チップ３１Ｂが、厚み１０μｍ以下のダイボンディングフィルム３を介してそれぞれ積層されているので、半導体装置５１の厚みが薄くされている。また、半導体装置５１では、ダイボンディングフィルム３が本発明に従って構成されているため、ボイドの発生が抑制されている。   In the semiconductor device 51, the substrate 52 and the first semiconductor chip 31A, and the first semiconductor chip 31A and the second semiconductor chip 31B are laminated via the die bonding film 3 having a thickness of 10 μm or less, respectively. The thickness of the semiconductor device 51 is reduced. Moreover, in the semiconductor device 51, since the die bonding film 3 is configured according to the present invention, generation of voids is suppressed.

以下、実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is hung up and this invention is demonstrated in more detail, this invention is not limited only to these Examples.

（実施例１）
（１）ダイボンディングフィルムの作製
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）２０重量部と、ＨＰ７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物）８０重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）４０重量部と、固体材料としての２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール系硬化促進剤）５重量部と、ＫＢＭ３０３（信越化学社製、シランカップリング剤）１重量部とを配合し、この配合物をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分６０重量％の溶液を得た。この溶液を、５μｍの開口を有するナイロンメッシュＮＹ５ＨＣ（ＳＥＦＡＲ社製）を用いて遠心濾過し、硬化性樹脂組成物を得た。 Example 1
(1) Production of die bonding film 20 parts by weight of G-2050M (manufactured by NOF Corporation, epoxy-containing acrylic polymer, weight average molecular weight Mw 200,000) and HP7200HH (manufactured by Dainippon Ink, Inc., dicyclopentadiene type epoxy compound) 80 weights Parts, 40 parts by weight of YH-309 (Japan Epoxy Resin, acid anhydride curing agent), 5 parts by weight of 2MAOK-PW (Shikoku Kasei Co., Ltd., imidazole curing accelerator) as a solid material, KBM303 1 part by weight (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., silane coupling agent) was blended, and this blend was dissolved in methyl ethyl ketone to obtain a solution having a solid content of 60% by weight. This solution was subjected to centrifugal filtration using a nylon mesh NY5HC (manufactured by SEFAR) having an opening of 5 μm to obtain a curable resin composition.

得られた硬化性樹脂組成物を、離型フィルムとしてのＰＥＴ５０１１（リンテック社製）上にアプリケーターを用いて塗工し、さらに１１０℃で３分間オーブン中にて乾燥することにより、厚み５μｍのダイボンディングフィルムを得た。   The obtained curable resin composition was coated on PET 5011 (manufactured by Lintec Corporation) as a release film using an applicator, and further dried in an oven at 110 ° C. for 3 minutes to obtain a die having a thickness of 5 μm. A bonding film was obtained.

（２）非粘着フィルムの作製
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部及び２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部を、イルガキュア６５１（チバガイギ社製）を開始剤として、光重合させることによりポリマーを調製した。 (2) Production of non-adhesive film A polymer was prepared by photopolymerizing 95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate and 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate using Irgacure 651 (manufactured by Ciba-Gigi) as an initiator.

得られたポリマー１００重量部と、ウレタンアクリルオリゴマー（新中村化学社製「Ｕ−３２４Ａ」）２重量部と、イルガキュア６５１（チバガイギ社製）１重量部とを酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴフィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。そして、１１０℃のオーブンにて３分間乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。その後、高圧水銀灯下で３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射して架橋させ、非粘着フィルムを得た。   100 parts by weight of the obtained polymer, 2 parts by weight of urethane acrylic oligomer (“U-324A” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), and 1 part by weight of Irgacure 651 (manufactured by Ciba-Gigi) are dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. It was. This solution was applied onto a release PET film using an applicator. And it dried for 3 minutes in 110 degreeC oven, and formed the film of thickness 50 micrometers. Thereafter, UV irradiation of 365 nm was irradiated at 1000 mJ under a high-pressure mercury lamp to crosslink to obtain a non-adhesive film.

（３）接着シートの作製
得られた離型フィルム上のダイボンディングフィルムの表面に、非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。 (3) Production of adhesive sheet A non-adhesive film was laminated at 60 ° C. on the surface of the die bonding film on the obtained release film.

更に、非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが接合された面とは反対側の表面に、ダイシングフィルムとして、アクリル樹脂糊からなる粘着剤層が形成されたダイシングテープ（電気化学工業社製、「エレグリップＵＨＰ−０８０５ＭＣ」）を貼り付けた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／非粘着フィルム／ダイシングフィルムがこの順で積層された接着シートを作製した。   Furthermore, a dicing tape (Electrochemical Industry Co., Ltd., “ELEGRIP” made by forming an adhesive layer made of acrylic resin glue as a dicing film on the surface opposite to the surface of the non-adhesive film bonded to the die bonding film. UHP-0805MC ") was attached. In this way, an adhesive sheet in which a release film / die bonding film / non-adhesive film / dicing film was laminated in this order was produced.

（実施例２）
２ＰＨＺ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール系硬化促進剤）を、ジェットミルを用いて粉砕したものを、固体材料として用意した。２ＭＡＯＫ−ＰＷに代えて、上記２ＰＨＺ−ＰＷの粉砕品を用いたこと以外は実施例１と同様にして、硬化性樹脂組成物を得た。また、得られた硬化性樹脂組成物を用いて、実施例１と同様にしてダイボンディングフィルムを得た。 (Example 2)
2PHZ-PW (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd., imidazole curing accelerator), which was pulverized using a jet mill, was prepared as a solid material. A curable resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the pulverized product of 2PHZ-PW was used instead of 2MAOK-PW. Moreover, the die bonding film was obtained like Example 1 using the obtained curable resin composition.

さらに、得られたダイボンディングフィルムを用いて、実施例１と同様にして接着シートを作製した。   Furthermore, the adhesive sheet was produced like Example 1 using the obtained die bonding film.

（比較例１）
ＭＡＯＫ−ＰＷに代えて、上記２ＰＨＺ−ＰＷの未粉砕品を用いたこと以外は実施例１と同様にして、硬化性樹脂組成物を得た。また、得られた硬化性樹脂組成物を用いて、実施例１と同様にしてダイボンディングフィルムを得た。 (Comparative Example 1)
A curable resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the 2PHZ-PW unground product was used instead of MAOK-PW. Moreover, the die bonding film was obtained like Example 1 using the obtained curable resin composition.

さらに、得られたダイボンディングフィルムの表面に、実施例１及び２と同様に非粘着フィルムを６０℃でラミネートしようと試みたが、ラミネートすることができなかった。   Furthermore, an attempt was made to laminate a non-adhesive film on the surface of the obtained die bonding film at 60 ° C. in the same manner as in Examples 1 and 2, but the lamination could not be performed.

（評価）
（１）ダイボンディングフィルムの表面粗さＲａ
カラー３Ｄレーザー顕微鏡ＶＫ−９７００（キーエンス社製）を用いて、ダイボンディングフィルムの表面粗さＲａを測定した。 (Evaluation)
(1) Surface roughness Ra of die bonding film
The surface roughness Ra of the die bonding film was measured using a color 3D laser microscope VK-9700 (manufactured by Keyence Corporation).

（２）硬化性樹脂組成物中の固体材料の平均粒径
レーザー回折式粒度分布計としてＬＭＳ３０（セイシン企業社製）を用いて、ダイボンディングフィルムを作製する前の硬化性樹脂組成物中の固体材料の平均粒径を測定した。 (2) Average particle size of solid material in curable resin composition Solid material in curable resin composition before producing die bonding film using LMS30 (manufactured by Seishin Enterprise Co., Ltd.) as a laser diffraction particle size distribution meter The average particle size of the material was measured.

（３）硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料の個数
ダイボンディングフィルムを作製する前の上記硬化性樹脂組成物を少量はかりとり、これをメチルエチルケトンを用いて１万倍に希釈した。この希釈液６０ｍＬを測定試料として、個数カウント式粒度分布計としてアキュサイザー７８０ＳＩＳ（インターナショナルビジネス社製）を用いて、固体材料の平均粒径を測定した。また、ブランクのメチルエチルエチルケトンについても同様の測定を行った。得られた測定結果から、硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する固体材料の個数を算出して求めた。 (3) Number of solid materials having a particle size of X μm or more in the curable resin composition A small amount of the curable resin composition before producing the die bonding film is weighed and diluted 10,000 times with methyl ethyl ketone. did. Using 60 mL of this diluted solution as a measurement sample, an average particle size of the solid material was measured using an Accusizer 780SIS (manufactured by International Business Co., Ltd.) as a number counting particle size distribution meter. The same measurement was performed for blank methyl ethyl ethyl ketone. From the obtained measurement results, the number of solid materials having a particle size of X μm or more in the curable resin composition was calculated and determined.

（４）ピックアップの可否
得られた接着シートの離型フィルムを剥離し、露出したダイボンディングフィルムを直径８ｉｎｃｈ、厚み８０μｍのシリコンウェーハの一方面に６０℃でラミネートした。しかる後、ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。 (4) Pickup availability The release film of the obtained adhesive sheet was peeled off, and the exposed die bonding film was laminated at 60 ° C. on one surface of a silicon wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 80 μm. Thereafter, dicing was performed using a dicing apparatus DFD651 (manufactured by Disco Corporation) at a feed rate of 50 mm / sec to a chip size of 10 mm × 10 mm.

ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、エキスパンド４ｍｍ及びボンディング温度１００℃の各条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否について下記の評価基準で評価した。   After dicing, using a die bonder best D-02 (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), continuous pick-up of divided semiconductor chips was performed under the conditions of a collet size of 8 mm square, a push-up speed of 5 mm / second, an expand of 4 mm, and a bonding temperature of 100 ° C. The evaluation was made based on the following evaluation criteria for whether or not pickup was possible.

〔ピックアップ可否の評価基準〕
○：連続ピックアップＮＧの割合０％
△：連続ピックアップＮＧの割合１〜１５％
×：連続ピックアップＮＧの割合１６％以上 [Evaluation criteria for pickup availability]
○: Ratio of continuous pickup NG 0%
Δ: Ratio of continuous pickup NG 1-15%
×: Continuous pickup NG ratio 16% or more

（５）ボイドの発生
上記（４）ピックアップの可否の評価で得られたダイボンディングフィルム付き半導体チップを、ガラスエポキシ基板上に熱プレス機（０．１ＭＰａ、１００℃１秒間）によりダイボンディンディングフィルム側から仮着した。電子部品接合体としての半導体素子接合体を作製した。しかる後、オーブン中で１７０℃、１５分間ダイボンディングフィルムを硬化させることにより、半導体サンプルを得た。得られた１０個の半導体サンプルにおいて、超音波探傷装置（ＳＡＴ）を用いてボイドの発生を下記の評価基準で評価した。 (5) Generation of voids (4) A semiconductor chip with a die bonding film obtained by evaluating whether or not pickup is possible is bonded to a glass epoxy substrate by a hot press machine (0.1 MPa, 100 ° C. for 1 second). Temporarily attached from the side. A semiconductor element assembly as an electronic component assembly was produced. Thereafter, the die bonding film was cured in an oven at 170 ° C. for 15 minutes to obtain a semiconductor sample. In the obtained 10 semiconductor samples, generation of voids was evaluated according to the following evaluation criteria using an ultrasonic flaw detector (SAT).

〔ボイドの発生の評価基準〕
○：ボイドが見られたサンプルが０個
△：ボイドが見られたサンプルが１〜３個
×：ボイドが見られたサンプルが４個以上 [Evaluation criteria for void formation]
○: 0 samples with voids Δ: 1-3 samples with voids ×: 4 or more samples with voids

結果を下記の表１に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 2009231494
Figure 2009231494

（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図。(A) And (b) is a partial notch front sectional view and a partial notch top view which show the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図。The partial notch front sectional drawing which shows the adhesive sheet which concerns on other embodiment of this invention. 本発明のさらに他の実施形態に係る接着シートを示す部分切欠正面断面図。The partial notch front sectional drawing which shows the adhesive sheet which concerns on other embodiment of this invention. 半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図。The top view which shows the semiconductor wafer used for manufacture of a semiconductor chip. 本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に載置された状態を示す部分切欠正面断面図。It is a figure for demonstrating the method to manufacture a semiconductor chip using the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention, and is a partial notch front sectional drawing which shows the state in which the semiconductor wafer was mounted on the stage. 本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合するときの状態を示す部分切欠正面断面図。It is a figure for demonstrating the method to manufacture a semiconductor chip using the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention, and is a partial notch front sectional drawing which shows a state when joining a semiconductor wafer to a die-bonding film. 本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合した状態を示す部分切欠正面断面図。FIG. 4 is a partial cutaway front cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip using the adhesive sheet according to an embodiment of the present invention, and showing a state in which a semiconductor wafer is bonded to a die bonding film. 本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルム付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に載置された状態を示す部分切欠正面断面図。It is a figure for demonstrating the method to manufacture a semiconductor chip using the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention, and shows the state by which the semiconductor wafer with a die-bonding film was reversed and mounted on another stage Partial cutaway front sectional view. 本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す部分切欠正面断面図。It is a figure for demonstrating the method to manufacture a semiconductor chip using the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention, and the state which diced the semiconductor wafer to which the die bonding film was joined, and was divided | segmented into each semiconductor chip. The partial notch front sectional drawing which shows. 本発明の一実施形態に係る接着シートを用いて製造された半導体チップを用いて構成された半導体装置を模式的に示す正面断面図。The front sectional view showing typically the semiconductor device constituted using the semiconductor chip manufactured using the adhesive sheet concerning one embodiment of the present invention. 厚みが薄くされた従来のダイボンディングフィルムを用いて構成された半導体装置を模式的に示す部分切欠正面断面図。The partial notch front sectional drawing which shows typically the semiconductor device comprised using the conventional die-bonding film made thin.

符号の説明Explanation of symbols

１…接着シート
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…非粘着フィルム
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
８…固体材料
１１…接着シート
１５…接着シート
１６…非粘着フィルム
１６Ａ，１６Ｂ…第１，第２の層
１６ａ，１６ｂ…表面
１７…ダイシングフィルム
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２の半導体チップ
４１…切り込み部分
５１…半導体装置
５２…基板
５２ａ…上面
５３〜５６…電気接続端子
５７〜６０…ボンディングワイヤー
６１〜６４…電気接続端子
６５…樹脂モールド層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Adhesive sheet 2 ... Release film 2a ... Upper surface 3 ... Die bonding film 3a ... Surface 4 ... Non-adhesive film 5 ... Dicing film 5a ... Base material 5b ... Adhesive 5c ... Extension part 6, 7 ... Protective sheet 8 ... Solid Material 11 ... Adhesive sheet 15 ... Adhesive sheet 16 ... Non-adhesive film 16A, 16B ... First and second layers 16a, 16b ... Front surface 17 ... Dicing film 21 ... Semiconductor wafer 21a ... Front surface 21b ... Back surface 21c ... Outer peripheral surface 22 ... Stage 23 ... Dicing ring 24 ... Stages 31A, 31B ... First and second semiconductor chips 41 ... Cut portion 51 ... Semiconductor device 52 ... Substrate 52a ... Upper surface 53 to 56 ... Electrical connection terminals 57 to 60 ... Bonding wires 61 to 64 ... Electrical connection terminal 65 ... Resin mold layer

Claims (7)

平均厚みが１０μｍ以下のダイボンディングフィルムであって、
表面粗さＲａが４００ｎｍ以下であり、
熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂と相溶しない固体材料とを含む硬化性樹脂組成物からなり、
前記ダイボンディングフィルムの平均厚みをＸμｍとしたときに、レーザー回折式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物中の前記固体材料の平均粒径が０．８Ｘμｍであり、かつ個数カウント式粒度分布計により測定された前記硬化性樹脂組成物におけるＸμｍ以上の粒径を有する前記固体材料の個数が２００個／μＬ以下であることを特徴とする、ダイボンディングフィルム。 A die bonding film having an average thickness of 10 μm or less,
The surface roughness Ra is 400 nm or less,
A curable resin composition comprising a thermosetting resin and a solid material that is incompatible with the thermosetting resin,
When the average thickness of the die bonding film is X μm, the average particle diameter of the solid material in the curable resin composition measured by a laser diffraction particle size distribution meter is 0.8 X μm, and the number counting type The die bonding film, wherein the number of the solid materials having a particle size of X μm or more in the curable resin composition measured by a particle size distribution meter is 200 pieces / μL or less. 請求項１に記載のダイボンディングフィルムの片面に、非粘着フィルムが積層されていることを特徴とする、接着シート。   An adhesive sheet, wherein a non-adhesive film is laminated on one side of the die bonding film according to claim 1. 前記非粘着フィルムの主成分が（メタ）アクリル樹脂である、請求項２に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 2, wherein a main component of the non-adhesive film is a (meth) acrylic resin. 前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが積層されている面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが積層されている、請求項２または３に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 2 or 3, wherein a dicing film is laminated on a surface of the non-adhesive film opposite to a surface on which the die bonding film is laminated. 請求項１に記載のダイボンディングフィルムと、非粘着フィルムと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
前記ダイボンディングフィルムの一方面に、前記非粘着フィルムを接合する工程と、
前記ダイボンディングフィルムの前記一方面とは反対側の他方面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、
前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。 Preparing a die bonding film according to claim 1, a non-adhesive film, and a semiconductor wafer;
Bonding the non-adhesive film to one surface of the die bonding film;
Bonding the semiconductor wafer to the other surface opposite to the one surface of the die bonding film;
Dicing the semiconductor wafer to which the die bonding film is bonded together with the die bonding film, and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips;
A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: a step of peeling the die bonding film from the non-adhesive film in a state where the semiconductor chip is bonded after dicing, and taking out the semiconductor chip together with the die bonding film. . 請求項１に記載のダイボンディングフィルムの片面に非粘着フィルムが積層された接着シートと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
前記接着シートの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが積層されている面とは反対側の面に、前記半導体ウェーハを接合する工程と、
前記ダイボンディングフィルムが接合された前記半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された状態で前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、前記半導体チップを前記ダイボンディングフィルムごと取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。 A step of preparing an adhesive sheet in which a non-adhesive film is laminated on one side of the die bonding film according to claim 1 and a semiconductor wafer;
Bonding the semiconductor wafer to the surface of the adhesive sheet opposite to the surface on which the non-adhesive film of the die bonding film is laminated;
Dicing the semiconductor wafer to which the die bonding film is bonded together with the die bonding film, and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips;
A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: a step of peeling the die bonding film from the non-adhesive film in a state where the semiconductor chip is bonded after dicing, and taking out the semiconductor chip together with the die bonding film. . ダイシング後に、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される、請求項５または６に記載の半導体チップの製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 5 or 6, wherein the semiconductor chip is taken out without changing the peeling force between the die bonding film and the non-adhesive film after dicing.
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