KR101567131B1 - Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer - Google Patents

Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer Download PDF

Info

Publication number
KR101567131B1
KR101567131B1 KR1020127024309A KR20127024309A KR101567131B1 KR 101567131 B1 KR101567131 B1 KR 101567131B1 KR 1020127024309 A KR1020127024309 A KR 1020127024309A KR 20127024309 A KR20127024309 A KR 20127024309A KR 101567131 B1 KR101567131 B1 KR 101567131B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
point
curable composition
layer
dicing
Prior art date
Application number
KR1020127024309A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130038811A (en
Inventor
요시유끼 다께베
미찌히사 우에다
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20130038811A publication Critical patent/KR20130038811A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101567131B1 publication Critical patent/KR101567131B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/068—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing glycidyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/02—Applications for biomedical use
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

경화 후의 경화물의 접착성이 우수한 경화성 조성물을 제공한다. 본 발명에 관한 경화성 조성물은, 에폭시 수지와, 에폭시 수지용 경화제와, 중량 평균 분자량이 10만 이상 40만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 중량 평균 분자량이 1만 이상 2만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 나노 충전재를 포함한다. 상기 에폭시 수지와 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 10 내지 40 중량％이며, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 1 내지 35 중량％이다.The present invention provides a curable composition having excellent adhesiveness to a cured product after curing. The curable composition according to the present invention is a curable composition comprising an epoxy resin and a curing agent for an epoxy resin, a first epoxy group-containing acrylic resin having a weight average molecular weight of 100,000 or more and 400,000 or less and a glass transition temperature of 60 ° C or more, A second epoxy group-containing acrylic resin having a glass transition temperature of 60 ° C or higher, and a nanofiller. Wherein the content of the first epoxy group-containing acrylic resin in the total of 100% by weight of the epoxy resin, the acrylic resin containing the first epoxy group and the acrylic resin containing the second epoxy group is 10 to 40% by weight, Is 1 to 35% by weight.

Description

경화성 조성물, 다이싱-다이본딩 테이프, 접속 구조체 및 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법 {CURABLE COMPOSITION, DICING-DIE BONDING TAPE, CONNECTING STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR TAPE WITH COHESIVE/ADHESIVE LAYER}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a curable composition, a dicing-die bonding tape, a connection structure, and a method of manufacturing a semiconductor chip having a dicing bonding layer,

본 발명은 에폭시 수지와, 에폭시 수지용 경화제와, 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 충전재를 포함하는 경화성 조성물에 관한 것이며, 보다 상세하게는 예를 들면 반도체 칩의 한쪽면에 상기 반도체 칩을 접착시키기 위한 점접착제층을 형성하는 용도 등에 이용할 수 있는 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물을 이용한 다이싱-다이본딩 테이프, 접속 구조체 및 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a curable composition comprising an epoxy resin, a curing agent for an epoxy resin, an epoxy group-containing acrylic resin, and a filler, and more particularly to a curable composition containing a point for bonding the semiconductor chip to one side of the semiconductor chip And a method for producing a semiconductor chip having a dicing-die bonding tape, a connection structure and a point-adhesive layer using the curable composition.

반도체 장치 등의 전자 기기의 소형화 및 고성능화가 진행되고 있다. 이것에 대응하여 전자 기기용 접착제로서 여러가지 경화성 조성물이 개발되어 있다. 이 경화성 조성물의 재료로서 에폭시 수지가 널리 이용되고 있다.Electronic devices such as semiconductor devices have been made smaller and higher in performance. In response to this, various curable compositions have been developed as adhesives for electronic devices. Epoxy resins are widely used as a material for this curable composition.

에폭시 수지를 포함하는 경화성 조성물의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 에폭시 수지와, 아크릴 고무와, 잠재성 경화제를 포함하는 경화성 조성물이 개시되어 있다.As an example of a curable composition containing an epoxy resin, Patent Document 1 below discloses a curable composition comprising an epoxy resin, an acrylic rubber, and a latent curing agent.

또한, 상기 경화성 조성물은, 구체적으로는 예를 들면 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩에 접착하기 위하여 이용되고 있다. 이 접착 작업을 쉽게 하기 위하여, 선다이싱법이라고 불리고 있는 다이싱법에 의해 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 분할한 후, 경화성 조성물을 이용하여 접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻는 방법이 알려져 있다.In addition, the curable composition is specifically used, for example, for bonding a semiconductor chip to a substrate or another semiconductor chip. In order to facilitate this bonding work, a method of obtaining a semiconductor chip having an adhesive layer by dividing a semiconductor wafer into individual semiconductor chips by a dicing method called a die dicing method and then using a curable composition is known.

상기 선다이싱법에서는, 우선 반도체 웨이퍼의 표면에 상기 반도체 웨이퍼를 분할하지 않도록 절입을 형성한다. 다음에, 절입이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호 시트를 첩부한다. 그 후, 반도체 웨이퍼의 이면을 절입 부분까지 연삭하여 반도체 웨이퍼의 두께를 얇게 하고, 개개의 반도체 칩으로 분할한다. 개개의 반도체 칩으로 분할된 분할 후 반도체 웨이퍼의 표면에는, 일반적으로 보호 시트가 첩부되어 있다.In the above-described die dicing method, the semiconductor wafer is firstly subjected to an infiltration so as not to divide the semiconductor wafer on the surface of the semiconductor wafer. Next, the protective sheet is attached to the surface of the semiconductor wafer on which the infeed is formed. Thereafter, the back surface of the semiconductor wafer is ground to a notch portion to reduce the thickness of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips. A protective sheet is usually pasted on the surface of the divided semiconductor wafer divided into individual semiconductor chips.

선다이싱법에 의해 얻어진 분할 후 반도체 웨이퍼를 이용하여, 접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻기 위하여 다이싱-다이본딩 테이프가 이용되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 2, 3에는 접착 시트와 기재(다이싱 테이프)가 적층된 다이싱-다이본딩 테이프가 개시되어 있다. 이 다이싱-다이본딩 테이프에서의 접착 시트는 다이본딩층이며, 반도체 칩에 접착제층을 적층하여 접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻기 위한 시트이다.A dicing-die bonding tape is used to obtain a semiconductor chip having an adhesive layer by using a post-dividing semiconductor wafer obtained by the die dicing method. For example, Patent Documents 2 and 3 below disclose a dicing-die bonding tape in which an adhesive sheet and a substrate (dicing tape) are laminated. The adhesive sheet in the dicing-die bonding tape is a die bonding layer, and is a sheet for obtaining a semiconductor chip having an adhesive layer by laminating an adhesive layer on a semiconductor chip.

일본 특허 제3342703호 공보Japanese Patent No. 3342703 일본 특허 공개 제2005-260204호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-260204 일본 특허 공개 제2006-080142호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-080142

특허문헌 2, 3에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻을 때에는, 다이싱-다이본딩 테이프를 접착 시트측으로부터 분할 후 반도체 웨이퍼에 첩부한다. 다음에, 레이저광을 조사하거나, 가열 또는 냉각 등을 하여 접착 시트를 개질시킨다. 다음에, 개질된 접착 시트를 당겨 늘려, 상기 접착 시트를 분할 후 반도체 웨이퍼의 절단 부분을 따라 절단하며, 개개의 반도체 칩을 이격하여 반도체 칩의 하면에 절단된 접착제층을 형성한다. 그 후, 접착제층을 갖는 반도체 칩을 기재로부터 박리하여 취출한다. 취출된 접착제층을 갖는 반도체 칩은 접착제층측으로부터 기판 상에 실장된다.In the case of obtaining a semiconductor chip having an adhesive layer by using the dicing-die bonding tape described in Patent Documents 2 and 3, the dicing-die bonding tape is divided from the adhesive sheet side and then attached to the semiconductor wafer. Next, the adhesive sheet is modified by irradiating laser light, heating, cooling, or the like. Next, the modified adhesive sheet is pulled and stretched, the adhesive sheet is cut along the cut portion of the semiconductor wafer after the division, and the individual semiconductor chips are separated from each other to form the cut adhesive layer on the lower surface of the semiconductor chip. Thereafter, the semiconductor chip having the adhesive layer is peeled off from the substrate and taken out. The semiconductor chip having the removed adhesive layer is mounted on the substrate from the adhesive layer side.

특허문헌 2에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 접착 시트를 절단하기 전에 가열 또는 냉각에 의해 접착 시트를 개질시킬 필요가 있다. 특허문헌 3에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 접착 시트를 절단하기 전에 전자파 등의 레이저광을 조사 등을 하여 접착 시트를 개질시킬 필요가 있다. 따라서, 특허문헌 2, 3에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프에서는 접착 시트를 개질시키기 위한 공정을 필요로 한다. 이로 인해, 접착제층을 갖는 반도체 칩을 효율적으로 얻을 수 없다.In the dicing-die bonding tape described in Patent Document 2, it is necessary to modify the adhesive sheet by heating or cooling before cutting the adhesive sheet. In the dicing-die bonding tape described in Patent Document 3, it is necessary to modify the adhesive sheet by irradiating laser light such as electromagnetic waves or the like before cutting the adhesive sheet. Therefore, in the dicing-die bonding tapes described in Patent Documents 2 and 3, a step for modifying the adhesive sheet is required. As a result, a semiconductor chip having an adhesive layer can not be efficiently obtained.

또한, 특허문헌 2, 3에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프에서는, 접착 시트를 당겨 늘렸을 때에 상기 접착 시트가 원하는 위치에서 적절하게 절단되지 않는 경우가 있다. 예를 들면, 반도체 칩의 아래쪽에 접착제층이 확실하게 배치되지 않는 경우가 있다. 이로 인해, 접착제층을 갖는 반도체 칩을 접착 대상 부재에 접착한 경우에, 반도체 칩이 기울거나 반도체 칩이 충분히 접착되지 않기도 한다.In the dicing-die bonding tapes described in Patent Documents 2 and 3, when the adhesive sheet is pulled and stretched, the adhesive sheet may not be suitably cut at a desired position. For example, the adhesive layer may not be reliably disposed under the semiconductor chip. Therefore, when the semiconductor chip having the adhesive layer is bonded to the member to be bonded, the semiconductor chip may not be inclined or the semiconductor chip may not be sufficiently bonded.

또한, 특허문헌 2, 3에 기재된 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 얻어진 접착제층을 갖는 반도체 칩을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에는 접착성이 낮은 경우가 있다. 또한, 접착 후에 반도체 칩에 휨이 생기거나, 경화한 접착제층에 균열이 생기거나 하는 경우가 있다.Further, when the semiconductor chips having the adhesive layer obtained by using the dicing-die bonding tape described in Patent Documents 2 and 3 are laminated and adhered to the members to be bonded, the adhesiveness may be low. Further, after the bonding, the semiconductor chip may be warped, or the cured adhesive layer may be cracked.

본 발명의 목적은, 경화 후의 경화물의 접착성이 우수한 경화성 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a curable composition which is excellent in adhesiveness of a cured product after curing.

본 발명의 한정적인 목적은, 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻는 경우에, 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 적층한 후, 상기 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 점접착제층을 정밀도 좋게 절단할 수 있는 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물을 이용한 다이싱-다이본딩 테이프, 접속 구조체 및 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is a particular object of the present invention to provide a method for producing a semiconductor chip having a pressure-sensitive adhesive layer, which comprises laminating a pressure-sensitive adhesive layer formed of a curable composition on one side of a semiconductor wafer after division, , A curable composition capable of precisely cutting a point-adhesive layer, and a method of producing a semiconductor chip having a dicing-die bonding tape, a connection structure and a point-adhesive layer using the curable composition.

본 발명의 또 한정적인 목적은, 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 이용하여 반도체 칩을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에, 반도체 칩의 휨을 억제할 수 있으며, 경화한 점접착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있는 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물을 이용한 다이싱-다이본딩 테이프, 접속 구조체 및 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.It is another and more specific object of the present invention to provide a semiconductor device which can suppress the warping of a semiconductor chip when a semiconductor chip is laminated and adhered to a member to be bonded by using a point adhesive layer formed of the curable composition, And a method for producing a semiconductor chip having a dicing-die bonding tape, a connection structure and a point-adhesive layer using the curable composition.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 에폭시 수지와, 에폭시 수지용 경화제와, 중량 평균 분자량이 10만 이상 40만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 중량 평균 분자량이 1만 이상 2만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 나노 충전재를 포함하고, 상기 에폭시 수지와 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 10 내지 40 중량％이며, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 1 내지 35 중량％인 경화성 조성물이 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided an epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent for epoxy resin, and a first epoxy group-containing acrylic resin having a weight average molecular weight of 100,000 or more and 400,000 or less and a glass transition temperature of 60 ° C or more, A second epoxy group-containing acrylic resin having a glass transition temperature of 60 ° C or higher, and a nanofiller, wherein the total of the epoxy resin, the first epoxy group-containing acrylic resin and the second epoxy group- Wherein the content of the first epoxy group-containing acrylic resin is 10 to 40% by weight and the content of the second epoxy group-containing acrylic resin is 1 to 35% by weight.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 어느 특정한 국면에서는, 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에, 경화 전의 상기 시트의 23℃에서의 파단 응력이 6MPa 이하이며, 경화 전의 상기 시트의 23℃에서의 파단 신도가 200％ 이하이다.In a specific aspect of the curable composition according to the present invention, when the sheet is obtained by forming the curable composition into a sheet, the breaking stress at 23 캜 of the sheet before curing is 6 MPa or less, The elongation at break is 200% or less.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 다른 특정한 국면에서는, 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에, 경화 전의 상기 시트를 40℃에서부터 승온 속도 5℃/분으로 200℃까지 승온시켰을 때에, 40 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 1000Paㆍs 이상이다.In another specific aspect of the curable composition according to the present invention, when the sheet is obtained by forming the curable composition into a sheet form, the temperature of the sheet before curing is raised from 40 占 폚 to 200 占 폚 at a temperature raising rate of 5 占 폚 / The minimum melt viscosity at 200 캜 is 1000 Pa · s or more.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 또 다른 특정한 국면에서는, 경화 후의 경화물의 180℃에서의 저장 탄성률이 40MPa 이상이다.In another specific aspect of the curable composition according to the present invention, the cured product after curing has a storage elastic modulus at 180 캜 of 40 MPa or more.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 에폭시 수지는 극성기를 갖는 에폭시 수지를 포함한다.In another specific aspect of the curable composition according to the present invention, the epoxy resin includes an epoxy resin having a polar group.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 별도의 특정한 국면에서는, 경화성 조성물은 시트상으로 성형되어 있다.In another specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curable composition is molded into a sheet form.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 또 다른 특정한 국면에서는, 경화성 조성물은 반도체 칩을 접착 대상 부재에 접착하기 위한 점접착제이다.In another specific aspect of the curable composition according to the present invention, the curable composition is a point adhesive for bonding a semiconductor chip to a member to be bonded.

본 발명에 관한 다이싱-다이본딩 테이프는, 본 발명에 따라 구성된 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층과, 상기 점접착제층의 한쪽면에 적층된 기재층을 구비한다.The dicing-die-bonding tape according to the present invention comprises a point-adhesive layer formed from a curable composition constructed according to the present invention and a base layer laminated on one side of the point-adhesive layer.

본 발명에 관한 접속 구조체는, 반도체 칩과, 접착 대상 부재와, 상기 반도체 칩과 상기 접착 대상 부재의 사이에 배치된 경화물층을 구비하고 있고, 상기 경화물층이 본 발명에 따라 구성된 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있다.A connection structure according to the present invention comprises a semiconductor chip, an object to be bonded, and a cured layer disposed between the semiconductor chip and the object to be bonded, wherein the cured layer is a curable composition As shown in Fig.

본 발명에 관한 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법은, 본 발명에 따라 구성된 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층과, 개개의 반도체 칩으로 분할되어 있는 분할 후 반도체 웨이퍼를 이용하여, 상기 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 상기 점접착제층을 적층하는 공정과, 상기 점접착제층을 당겨 늘림으로써, 상기 점접착제층을 상기 분할 후 반도체 웨이퍼의 절단 부분을 따라 절단하며, 상기 분할 후 반도체 웨이퍼에서의 개개의 반도체 칩을 이격시키는 공정과, 상기 점접착제층이 적층된 상태에서 상기 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 취출하는 공정을 구비한다.A method of manufacturing a semiconductor chip having a point adhesive layer according to the present invention is characterized by using a point adhesive layer formed by a curable composition constructed according to the present invention and a post-dividing semiconductor wafer divided into individual semiconductor chips, A step of laminating the point adhesive layer on one surface of a semiconductor wafer; and a step of cutting the point adhesive layer along the cut portion of the after-divided semiconductor wafer by pulling up the point adhesive layer, A step of separating the individual semiconductor chips and a step of taking out the semiconductor chip having the point-adhesive layer in a state in which the point-adhesive layers are laminated.

본 발명에 관한 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 점접착제층과 그 점접착제층의 한쪽면에 적층된 기재층을 구비하는 다이싱-다이본딩 테이프가 이용된다.In another specific aspect of the method for producing a semiconductor chip having a point adhesive layer according to the present invention, a dicing-die bonding tape having the above-mentioned point adhesive layer and a base layer laminated on one surface of the point adhesive layer is used.

본 발명에 관한 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법의 다른 특정한 국면에서는, 상기 점접착제층을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 상기 점접착제층을 개질하지 않는다.In another specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor chip having a point adhesive layer according to the present invention, the point adhesive layer is not modified before stretching or pulling the point adhesive layer.

본 발명에 관한 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 점접착제층을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 상기 점접착제층을 개질하기 위하여 상기 점접착제층을 가열 및 냉각하지 않으며, 레이저광을 조사하지 않는다.In another specific aspect of the method for manufacturing a semiconductor chip having a point adhesive layer according to the present invention, the point adhesive layer is heated and softened to modify the point adhesive layer before or after pulling the point adhesive layer. Does not cool, and does not irradiate laser light.

본 발명에 관한 경화성 조성물은, 에폭시 수지와, 에폭시 수지용 경화제와, 중량 평균 분자량이 10만 이상 40만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 중량 평균 분자량이 1만 이상 2만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 나노 충전재를 포함하고, 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 특정한 범위 내이기 때문에, 경화 후의 경화물의 접착성이 우수하다. 따라서, 예를 들면 본 발명에 관한 경화성 조성물을 이용하여 반도체 칩을 접착 대상 부재에 접착하였을 때에, 반도체 칩과 접착 대상 부재의 접합 신뢰성을 높일 수 있다.The curable composition according to the present invention is a curable composition comprising an epoxy resin and a curing agent for an epoxy resin, a first epoxy group-containing acrylic resin having a weight average molecular weight of 100,000 or more and 400,000 or less and a glass transition temperature of 60 ° C or more, A second epoxy group-containing acrylic resin having a glass transition temperature of 60 ° C or higher and a nanofiller, wherein the content of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is within a specific range, Good adhesion to water. Therefore, for example, when the semiconductor chip is adhered to the object to be adhered by using the curable composition of the present invention, the bonding reliability between the semiconductor chip and the object to be adhered can be enhanced.

또한, 본 발명에 관한 경화성 조성물을 이용하여 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻는 경우에는, 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 적층한 후, 상기 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 분할 후 반도체 웨이퍼의 절단 부분을 따라 점접착제층을 정밀도 좋게 절단할 수 있다.When a semiconductor chip having a pressure-sensitive adhesive layer is obtained by using the curable composition according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition is laminated on one side of the semiconductor wafer after the division, The point adhesive layer can be cut with high precision along the cut portion of the semiconductor wafer after the division.

도 1의 (a) 및 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 다이싱-다이본딩 테이프를 도시하는 부분 절결 평면도 및 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 다이싱-다이본딩 테이프를 도시하는 부분 절결 평면도 및 부분 절결 정면 단면도이다.
도 3의 (a) 내지 (d)는 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 제조할 때에 이용되는 적층체를 얻는 각 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 절결 정면 단면도이다.
도 4의 (a) 내지 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 부분 절결 정면 단면도이다.
도 5의 (a) 내지 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하여 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 제조하는 방법의 일례를 설명하기 위한 부분 절결 정면 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 경화성 조성물을 이용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.1 (a) and 1 (b) are a partial cutaway plan view and a partially cutaway front sectional view showing a dicing-die-bonding tape according to a first embodiment of the present invention.
2 (a) and 2 (b) are a partially cutaway plan view and a partially cutaway front sectional view showing a dicing-die-bonding tape according to a second embodiment of the present invention.
3 (a) to 3 (d) are partial cutaway front sectional views for explaining an example of each step for obtaining a laminate used in manufacturing a semiconductor chip having a point-adhesive layer.
4 (a) to 4 (b) are sectional views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor chip having a point-adhesive layer using the dicing-die-bonding tape according to the first embodiment of the present invention to be.
FIGS. 5A and 5B are partial cutaway front sectional views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor chip having a point-adhesive layer using the dicing-die-bonding tape according to the first embodiment of the present invention; to be.
6 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using a curable composition according to one embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

(경화성 조성물)(Curable composition)

본 발명에 관한 경화성 조성물은, 에폭시 수지와, 에폭시 수지용 경화제와, 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 나노 충전재를 포함한다. 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은 10만 이상 40만 이하이며, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는 60℃ 이상이다. 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은 1만 이상 2만 이하이며, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는 60℃ 이상이다. 상기 에폭시 수지와 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량은 10 내지 40 중량％이며, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량은 1 내지 35 중량％이다. 이러한 조성을 갖기 때문에, 본 발명에 관한 경화성 조성물의 경화 후의 경화물의 접착성은 높다. 또한, 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 적층한 후, 상기 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 점접착제층을 정밀도 좋게 절단하는 것이 가능하게 된다. 또한, 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 이용하여 반도체 칩을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에, 반도체 칩의 휨을 억제할 수 있으며, 경화한 점접착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.The curable composition according to the present invention comprises an epoxy resin, a curing agent for an epoxy resin, an acrylic resin containing a first epoxy group, an acrylic resin containing a second epoxy group, and a nanofiller. The first epoxy group-containing acrylic resin has a weight average molecular weight of 100,000 or more and 400,000 or less, and the glass transition temperature of the first epoxy group-containing acrylic resin is 60 ° C or more. The second epoxy group-containing acrylic resin has a weight average molecular weight of 10,000 or more and 20,000 or less, and the glass transition temperature of the second epoxy group-containing acrylic resin is 60 ° C or more. Wherein the content of the first epoxy group-containing acrylic resin in the total of 100 wt% of the epoxy resin, the first epoxy group-containing acrylic resin and the second epoxy group-containing acrylic resin is 10 to 40 wt%, and the content of the second epoxy group- Is 1 to 35% by weight. Since the composition has such a composition, the cured product after curing of the curable composition according to the present invention has high adhesiveness. Further, it is possible to cut the point-adhesive layer precisely when the point-adhesive layer formed by the above-mentioned curable composition is laminated on one surface of the semiconductor wafer after the division, and then the point-adhesive layer is stretched. In addition, when the semiconductor chip is laminated and adhered to the member to be bonded by using the point adhesive layer formed of the curable composition, the warping of the semiconductor chip can be suppressed and cracks in the cured pressure-sensitive adhesive layer can be suppressed .

[에폭시 수지][Epoxy resin]

본 발명에 관한 경화성 조성물에 포함되어 있는 에폭시 수지는 특별히 한정되지 않는다. 상기 에폭시 수지는 환상 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 환상 탄화수소 골격을 주쇄에 갖는 에폭시 수지의 사용에 의해, 경화성 조성물의 경화 후의 경화물이 강직하게 되어, 경화물 중에서 분자의 운동이 저해된다. 또한, 경화물에서는 우수한 기계적 강도 및 내열성을 발현하며, 흡수성도 낮아지기 때문에 우수한 내습성도 발현된다.The epoxy resin contained in the curable composition according to the present invention is not particularly limited. The epoxy resin is preferably an epoxy resin having a cyclic hydrocarbon skeleton in its main chain. By using an epoxy resin having a cyclic hydrocarbon skeleton in its main chain, the cured composition of the curable composition becomes rigid and the movement of molecules in the cured product is inhibited. In addition, the cured product exhibits excellent mechanical strength and heat resistance, and absorbability is also low, so that excellent moisture resistance is also exhibited.

상기 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 테트라히드록시페닐에탄형 에폭시 수지, 테트라키스(글리시딜옥시페닐)에탄 및 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-6-메틸시클로헥산카보네이트 등을 들 수 있다. 상기 에폭시 수지는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Examples of the epoxy resin include, but are not limited to, dicyclopentadiene type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, tetrahydroxyphenyl ethane type epoxy resins, tetrakis (glycidyloxyphenyl) ethane and 3,4- -6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarbonate, and the like. The epoxy resin may be used alone or in combination of two or more.

상기 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로서는 디시클로펜타디엔디옥시드 및 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀 노볼락 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 상기 나프탈렌형 에폭시 수지로서는 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌 및 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등을 들 수 있다.Examples of the dicyclopentadiene type epoxy resin include dicyclopentadiene dioxide and phenol novolac epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton. Examples of the naphthalene type epoxy resin include 1-glycidyl naphthalene, 2-glycidyl naphthalene, 1,2-diglycidyl naphthalene, 1,5-diglycidyl naphthalene, 1,6-diglycidyl naphthalene, 1,7-diglycidyl naphthalene, 2,7-diglycidyl naphthalene, triglycidyl naphthalene and 1,2,5,6-tetraglycidyl naphthalene.

경화물의 접착성을 한층 더 높이며, 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 적층된 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 점접착제층을 한층 더 정밀도 좋게 절단하는 관점에서는, 상기 에폭시 수지는 극성기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 적층된 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 상기 점접착제층이 절단되는 성질을 할열성(割裂性)이라고 부르는 경우가 있다.From the viewpoint of further increasing the adhesiveness of the cured product and cutting the point-adhesive layer more accurately when the point-adhesive layer laminated on one side of the semiconductor wafer after the division is pulled and stretched, the above- . Further, when the point-adhesive layer laminated on one side of the semiconductor wafer after the division is pulled and stretched, the property of cutting the point-adhesive layer is sometimes referred to as " splittability ".

상기 에폭시 수지는 극성기를 가지며, 환상의 탄화수소 골격을 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.The epoxy resin is preferably an epoxy resin having a polar group and having a cyclic hydrocarbon skeleton.

상기 에폭시 수지에서의 상기 극성기로서는 히드록시기, 아미노기, 이미노기, 아미드기, 니트릴기, 카르복실기 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 점접착제층과 반도체 칩 및 접착 대상 부재와의 접착력을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 극성기는 히드록시기, 이미노기 또는 니트릴기인 것이 바람직하다. 히드록시기, 이미노기 및 니트릴기를 갖는 에폭시 수지의 사용에 의해, 점접착층의 사용 전의 보관시에 경화 반응성이 낮아지고, 보관 후에 극성기가 유지되기 쉽다.Examples of the polar group in the epoxy resin include a hydroxy group, an amino group, an imino group, an amide group, a nitrile group, a carboxyl group and a carbonyl group. From the viewpoint of further increasing the adhesive force between the adhesive layer and the semiconductor chip and the object to be bonded, it is preferable that the polar group is a hydroxy group, an imino group or a nitrile group. The use of an epoxy resin having a hydroxyl group, an imino group and a nitrile group lowers the curing reactivity during storage before use of the pressure-sensitive adhesive layer, and the polar group is easily retained after storage.

상기 에폭시 수지는 프리한 극성기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 「프리」란, 극성기가 주쇄 중의 결합 골격의 일부로서 존재하는 것이 아니라, 측쇄 또는 말단에 존재하는 것을 의미한다.The epoxy resin preferably has a free polar group. The above-mentioned "free" means that the polar group is not present as a part of the bonding skeleton in the main chain but exists in the side chain or terminal.

경화물의 접착성 및 점접착제층의 할열성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 에폭시 수지는 23℃(상온)에서 액상인 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further enhancing the adhesiveness of the cured product and the heat-resisting property of the point-adhesive layer, it is preferable that the epoxy resin includes an epoxy resin which is liquid at 23 占 폚 (room temperature).

경화물의 접착성 및 점접착제층의 할열성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 에폭시 수지는 상기 극성기를 갖는 에폭시 수지와, 상기 23℃에서 액상인 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further enhancing the adhesiveness of the cured product and the heat-shrinking property of the point-adhesive layer, it is preferable that the epoxy resin includes an epoxy resin having the polar group and an epoxy resin in a liquid state at 23 占 폚.

또한, 상기 에폭시 수지의 분자량은 1만 미만인 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지에서의 「분자량」이란, 상기 에폭시 수지가 중합체가 아닌 경우, 및 상기 에폭시 수지의 구조식을 특정할 수 있는 경우에는, 해당 구조식으로부터 산출할 수 있는 분자량을 의미하고, 상기 에폭시 수지가 중합체인 경우에는 중량 평균 분자량을 의미한다.The molecular weight of the epoxy resin is preferably less than 10,000. The "molecular weight" in the epoxy resin means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the epoxy resin is not a polymer and when the structural formula of the epoxy resin can be specified, Quot; means the weight average molecular weight.

상기 에폭시 수지 100 중량％ 중, 상기 극성기를 갖는 에폭시 수지의 함유량은 10 내지 100 중량％인 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 전량이 상기 극성기를 갖는 에폭시 수지일 수도 있다. 상기 에폭시 수지 100 중량％ 중, 상기 극성기를 갖는 에폭시 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 30 중량％, 보다 바람직한 상한은 80 중량％이다. 상기 극성기를 갖는 에폭시 수지의 함유량이 상기 하한 및 상한을 만족하면, 경화물의 접착성 및 점접착제층의 할열성을 한층 더 높일 수 있다.The content of the epoxy resin having a polar group in 100 wt% of the epoxy resin is preferably 10 to 100 wt%. The total amount of the epoxy resin may be an epoxy resin having the polar group. A more preferable lower limit of the content of the epoxy resin having a polar group in 100 wt% of the epoxy resin is 30 wt%, and a more preferable upper limit is 80 wt%. When the content of the epoxy resin having a polar group satisfies the above lower limit and upper limit, the adhesiveness of the cured product and the heat-sealability of the point-adhesive layer can be further enhanced.

상기 에폭시 수지 100 중량％ 중, 상기 23℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량은 10 내지 100 중량％인 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지의 전량이 상기 23℃에서 액상인 에폭시 수지일 수도 있다. 상기 에폭시 수지 100 중량％ 중, 상기 23℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 10 중량％, 보다 바람직한 상한은 40 중량％이다. 상기 23℃에서 액상인 에폭시 수지의 함유량이 상기 하한 및 상한을 만족하면, 경화물의 접착성 및 점접착제층의 할열성을 한층 더 높일 수 있다.It is preferable that the content of the epoxy resin which is liquid at 23 캜 in 100% by weight of the epoxy resin is 10 to 100% by weight. The total amount of the epoxy resin may be an epoxy resin which is liquid at the temperature of 23 占 폚. A more preferable lower limit of the content of the epoxy resin which is liquid at 23 占 폚 in 100% by weight of the epoxy resin is 10% by weight, and a more preferable upper limit is 40% by weight. When the content of the epoxy resin in the liquid state at 23 占 폚 satisfies the lower limit and the upper limit described above, the adhesiveness of the cured product and the quenching property of the pressure-sensitive adhesive layer can be further enhanced.

[제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지][First and second epoxy group-containing acrylic resins]

본 발명에 관한 경화성 조성물에 포함되어 있는 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지는 중량 평균 분자량이 10만 이상 40만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상이면 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 관한 경화성 조성물에 포함되어 있는 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지는 중량 평균 분자량이 1만 이상 2만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지는 에폭시기를 말단에 가질 수도 있고, 측쇄(펜던트 위치)에 가질 수도 있다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지는 각각 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The first epoxy group-containing acrylic resin contained in the curable composition according to the present invention is not particularly limited as long as it has a weight average molecular weight of 100,000 or more and 400,000 or less and a glass transition temperature of 60 占 폚 or more. The second epoxy group-containing acrylic resin contained in the curable composition according to the present invention is not particularly limited as long as the epoxy resin has a weight average molecular weight of 10,000 or more and 20,000 or less and a glass transition temperature of 60 ° C or more. The first and second epoxy group-containing acrylic resins may have an epoxy group at the terminal or a side chain (pendant position). The first and second epoxy group-containing acrylic resins may be used alone or in combination of two or more.

중량 평균 분자량이 비교적 큰 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지에 추가하여, 중량 평균 분자량이 비교적 작은 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지가 더 이용되고 있음으로써, 더불어 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 상기 특정한 범위 내인 것에 의해, 분할 후 반도체 웨이퍼에 첩부된 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 원하는 위치에서 점접착제층을 정밀도 좋게 절단할 수 있다. 상온(23℃)에서 점접착제층을 당겨 늘려도 점접착제층을 정밀도 좋게 절단할 수 있다. 또한, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 사용에 의해, 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에, 접착성을 높일 수 있으며, 반도체 칩에 휨이 생기거나 경화한 점접착제층에 균열이 생기거나 하는 것을 억제할 수 있다.The second epoxy group-containing acrylic resin having a relatively small weight average molecular weight is further used in addition to the above-mentioned first epoxy group-containing acrylic resin having a relatively large weight average molecular weight, so that the content of the first and second epoxy group- By the above-mentioned specific range, the point-adhesive layer can be precisely cut at a desired position when the point-adhesive layer pasted on the semiconductor wafer after the division is stretched. It is possible to cut the point adhesive layer precisely even by pulling the point adhesive layer at room temperature (23 DEG C). When the second epoxy group-containing acrylic resin is used to laminate and adhere the point-adhesive layer formed by the curable composition to the member to be adhered, the adhesiveness can be enhanced, and the semiconductor chip may be warped or hardened It is possible to suppress the occurrence of cracks in the one-point adhesive layer.

또한, 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 사용에 의해, 경화 전의 제막성이 높아지고, 또한 경화물의 기계적 강도, 내열성 및 가요성이 높아진다.Further, the use of the first and second epoxy group-containing acrylic resins improves the film formability before curing and also improves the mechanical strength, heat resistance and flexibility of the cured product.

상기 에폭시기 함유 아크릴 수지는, 예를 들면 에폭시기를 갖는 아크릴 단량체와, 에폭시기를 갖지 않는 아크릴 화합물의 공중합에 의해 얻어진다.The epoxy group-containing acrylic resin is obtained, for example, by copolymerization of an acrylic monomer having an epoxy group and an acrylic compound having no epoxy group.

상기 에폭시기를 갖는 아크릴 단량체로서는 글리시딜아크릴레이트 및 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic monomer having an epoxy group include glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate.

상기 에폭시기를 갖지 않는 아크릴 화합물로서는 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 히드록시에틸아크릴레이트 및 이소보로닐아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the acrylic compound having no epoxy group include ethyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, hydroxyethyl acrylate and isobornyl acrylate.

일반적으로, 아크릴 수지(아크릴계 중합체)는 용제를 매체로 하는 용액 중합법으로 제조되는 경우가 많다. 용액 중합법에서는 고분자량의 아크릴 수지가 생성될 때에, 용액의 점도가 극단적으로 상승하거나, 경우에 따라서는 겔화하기도 할 우려가 있다. 이로 인해, 고분자량의 아크릴 수지를 얻는 것은 어렵다. 또한, 용액 중합법에서는 미반응의 단량체가 잔류하기 쉽기 때문에, 잔류 단량체를 용제와 함께 제거할 필요가 생겨 제조 공정이 번잡해진다.Generally, acrylic resin (acrylic polymer) is often prepared by a solution polymerization method using a solvent as a medium. In the solution polymerization method, when the acrylic resin having a high molecular weight is produced, there is a possibility that the viscosity of the solution increases extremely, or gelation sometimes occurs. As a result, it is difficult to obtain an acrylic resin having a high molecular weight. In addition, unreacted monomers tend to remain in the solution polymerization method, so that it is necessary to remove the residual monomers together with the solvent, and the manufacturing process becomes troublesome.

예를 들면, 에폭시기를 갖는 아크릴계 단량체로서 글리시딜메타크릴레이트(GMA)를 이용하고, 다른 아크릴 단량체 중에 GMA를 다량으로 첨가하여 용액 중합을 행하면, 에폭시기 자체의 응집력에 의해 비교적 저분자량(10000 미만)의 에폭시기 함유 아크릴 수지밖에 얻을 수 없다. 고분자량의 에폭시기 함유 아크릴 수지를 얻고자 하면, 상기와 같은 극도의 점도 상승 또는 겔화가 발생하기 쉬워진다.For example, when glycidyl methacrylate (GMA) is used as the acrylic monomer having an epoxy group and GMA is added to the other acrylic monomer in a large amount to perform solution polymerization, the epoxy group itself has a relatively low molecular weight (less than 10,000 ) Of the epoxy group-containing acrylic resin. If an attempt is made to obtain an acrylic resin containing an epoxy group having a high molecular weight, such an increase in viscosity or gelation tends to occur.

한편, 상기 GMA 등을 이용하여 에폭시기 함유 아크릴 수지의 제조를 물 또는 비용제를 매체로 하는 현탁 중합법으로 행하면, 에폭시기를 많이 포함하고, 분자량 분포가 좁으며, 고분자량인 에폭시기 함유 아크릴 수지를 얻을 수 있다. 이 에폭시기 함유 아크릴 수지는 단량체가 거의 잔류하지 않는 클린한 수지이다. 또한, 이러한 방법에서는 중합계로부터의 분리 조작도 용이하여 제조 공정이 간략해진다.On the other hand, when the epoxy resin-containing acrylic resin is produced by the suspension polymerization method using water or a solvent as a medium by using GMA or the like, an epoxy group-containing acrylic resin containing a large number of epoxy groups and having a narrow molecular weight distribution and a high molecular weight is obtained . This epoxy group-containing acrylic resin is a clean resin which hardly remains a monomer. Further, in this method, the separation operation from the polymerization system is easy, and the production process is simplified.

따라서, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지는 현탁 중합법으로 얻어진 에폭시기 함유 아크릴 수지인 것이 바람직하다. 현탁 중합법으로 얻어진 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 사용에 의해, 경화물의 기계적 강도, 내열성 및 가요성을 한층 더 높일 수 있다.Therefore, the first epoxy group-containing acrylic resin is preferably an epoxy group-containing acrylic resin obtained by the suspension polymerization method. The mechanical strength, heat resistance and flexibility of the cured product can be further increased by using the first epoxy group-containing acrylic resin obtained by the suspension polymerization method.

상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은 10만 이상 40만 이하이다. 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 10만 미만이면, 제막성이 나빠지고, 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층을 시트상인 채로 취급하는 것이 곤란하다. 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 40만을 초과하면, 경화 전의 시트 또는 점접착제층이 지나치게 단단해진다. 이로 인해, 점접착제층의 할열성이 악화된다. 또한, 경화물이 지나치게 단단해져 경화물에 균열이 생기기 쉬워진다. 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량의 바람직한 하한은 20만, 바람직한 상한은 30만이다.The weight average molecular weight of the first epoxy group-containing acrylic resin is 100,000 or more and 400,000 or less. If the weight average molecular weight of the first epoxy group-containing acrylic resin is less than 100,000, film formability deteriorates, and it is difficult to treat the sheet or the adhesive layer formed by the curable composition as a sheet. If the weight average molecular weight of the first epoxy group-containing acrylic resin exceeds 40,000, the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer before curing becomes excessively hard. As a result, the heat resistance of the adhesive layer is deteriorated. Further, the cured product becomes excessively hard and cracks tend to occur in the cured product. The preferred lower limit of the weight average molecular weight of the first epoxy group-containing acrylic resin is 200,000, and the preferred upper limit is 300,000.

상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량은 1만 이상 2만 이하이다. 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 1만 미만이면, 제막성이 나빠지고, 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층을 시트상인 채로 취급하는 것이 곤란하다. 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 2만을 초과하면, 경화 전의 시트 또는 점접착제층이 지나치게 단단해진다. 이로 인해, 점접착제층의 할열성이 악화된다. 또한, 경화물이 지나치게 단단해져 경화물에 균열이 생기기 쉬워진다.The weight average molecular weight of the second epoxy group-containing acrylic resin is 10,000 or more and 20,000 or less. If the weight average molecular weight of the second epoxy group-containing acrylic resin is less than 10,000, film formability is deteriorated, and it is difficult to treat the sheet or the adhesive layer formed by the curable composition as a sheet. If the weight average molecular weight of the second epoxy group-containing acrylic resin exceeds 20,000, the sheet or the adhesive layer before curing becomes excessively hard. As a result, the heat resistance of the adhesive layer is deteriorated. Further, the cured product becomes excessively hard and cracks tend to occur in the cured product.

상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는 60℃ 이상이다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 60℃ 미만이면, 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층의 인장 신도 특성이 저하된다. 구체적으로는, 파단 응력이 지나치게 높아지거나, 파단 신도가 지나치게 높아지기도 한다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도의 바람직한 하한은 70℃이다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는 100℃ 이하인 것이 바람직하다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도가 상기 상한을 만족하면, 상기 시트 또는 점접착제층을 적절하게 당겨 늘려 상기 시트 또는 점접착제층을 절단할 수 있다. 예를 들면, 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 얻는 경우에, 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 적층된 점접착제층을 당겨 늘렸을 때에, 점접착제층을 정밀도 좋게 절단할 수 있다.The glass transition temperature of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is 60 占 폚 or higher. If the glass transition temperature of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is less than 60 占 폚, the tensile elongation properties of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition deteriorate. Specifically, the breaking stress may become excessively high or the breaking elongation may become excessively high. The preferable lower limit of the glass transition temperature of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is 70 캜. The glass transition temperature of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is preferably 100 ° C or lower. When the glass transition temperature of the first and second epoxy group-containing acrylic resins satisfies the upper limit, the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be appropriately stretched to cut the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer. For example, in the case of obtaining a semiconductor chip having a point-adhesive layer, the point-adhesive layer can be cut with high precision when the point-adhesive layer laminated on one side of the semiconductor wafer after pulling is stretched.

상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 에폭시 당량은 200 내지 1000인 것이 바람직하다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 에폭시 당량이 200을 초과하면, 경화물의 가요성이 충분히 높아진다. 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 에폭시 당량이 1000 이하이면, 경화물의 내열성 및 가요성이 한층 더 높아진다.The epoxy equivalent of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is preferably 200 to 1000. When the epoxy equivalent of the first and second epoxy group-containing acrylic resins exceeds 200, the flexibility of the cured product becomes sufficiently high. When the epoxy equivalent of the first and second epoxy group-containing acrylic resins is 1000 or less, the heat resistance and flexibility of the cured product are further enhanced.

상기 에폭시 수지와 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 성분 X의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량은 10 내지 40 중량부이다. 상기 성분 X의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 15 중량％, 보다 바람직한 상한은 35 중량％이다. 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 상기 하한 및 상한을 만족하면, 경화 전의 시트 제막성, 시트의 취급성, 및 경화 후의 경화물의 접착성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 상기 시트 또는 점접착제층을 적절하게 당겨 늘려 상기 시트 또는 점접착제층을 절단할 수 있다. 또한, 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 이용하여 반도체 칩을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에, 반도체 칩이 휘어 박리되기 어려워지고, 경화물의 기계적 강도 및 내열성 및 가요성이 한층 더 높아지고, 경화한 점접착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.The content of the first epoxy group-containing acrylic resin in the total amount of 100% by weight of the component X of the epoxy resin, the first epoxy group-containing acrylic resin and the second epoxy group-containing acrylic resin is 10 to 40 parts by weight. A more preferable lower limit of the content of the first epoxy group-containing acrylic resin in the total of 100% by weight of the component X is 15% by weight, and a more preferable upper limit is 35% by weight. When the content of the first epoxy group-containing acrylic resin satisfies the lower limit and the upper limit described above, the sheet formability before curing, the handleability of the sheet, and the adhesiveness of the cured product after curing can be further increased. In addition, the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be cut by appropriately stretching the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer. Further, when the semiconductor chip is laminated and adhered by using the point adhesive layer formed of the curable composition, the semiconductor chip is hardly warped and peeled, and the mechanical strength, heat resistance and flexibility of the cured product are further increased , It is possible to suppress the generation of cracks in the cured pressure-sensitive adhesive layer.

상기 에폭시 수지와 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 성분 X의 합계 100 중량％ 중, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량은 1 내지 35 중량％이다. 상기 성분 X의 합계 100 중량％ 중, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 5 중량％, 보다 바람직한 상한은 30 중량％이다. 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 상기 하한 및 상한을 만족하면, 경화 전의 시트 제막성, 시트의 취급성, 및 경화 후의 경화물의 접착성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 상기 시트 또는 점접착제층을 적절하게 당겨 늘려 상기 시트 또는 점접착제층을 절단할 수 있다. 또한, 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 이용하여 반도체 칩을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에, 반도체 칩이 휘어 박리되기 어려워지고, 경화물의 기계적 강도 및 내열성 및 가요성이 한층 더 높아지고, 경화한 점접착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.The content of the second epoxy group-containing acrylic resin in the total amount of 100% by weight of the epoxy resin, the first epoxy group-containing acrylic resin and the second epoxy group-containing acrylic resin X is 1 to 35% by weight. A more preferred lower limit of the content of the second epoxy group-containing acrylic resin in the total of 100% by weight of the component X is 5% by weight, and a more preferable upper limit is 30% by weight. When the content of the second epoxy group-containing acrylic resin satisfies the lower limit and the upper limit described above, the sheet formability before curing, the handleability of the sheet, and the adhesiveness of the cured product after curing can be further enhanced. In addition, the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be cut by appropriately stretching the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer. Further, when the semiconductor chip is laminated and adhered by using the point adhesive layer formed of the curable composition, the semiconductor chip is hardly warped and peeled, and the mechanical strength, heat resistance and flexibility of the cured product are further increased , It is possible to suppress the generation of cracks in the cured pressure-sensitive adhesive layer.

[나노 충전재][Nano filler]

본 발명에 관한 경화성 조성물은 나노 충전재를 포함한다. 상기 나노 충전재는 나노 크기이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 나노 충전재는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The curable composition according to the present invention comprises a nanofiller. The nanofiller is not particularly limited as long as it is nano-sized. The nano filler may be used alone or in combination of two or more.

상기 나노 충전재는 증점 작용을 갖고, 증점제로서도 기능한다. 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 사용에 의해, 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층의 가열 용융시에 과도하게 유동하기 쉬워지는 경향이 있다. 본 발명에 관한 경화성 조성물에서는, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지에 추가하여 나노 충전재가 이용되고 있기 때문에, 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층의 가열 용융시의 유동성을 바람직한 범위로 제어할 수 있다. 이로 인해, 경화성 조성물 또는 점접착제층을 이용한 접착시에, 점접착제층의 가열 용융시의 유동성을 바람직한 범위로 제어할 수 있기 때문에, 경화할 때까지의 사이의 반도체 칩의 구속성을 높일 수 있고, 경화 후의 경화물의 접착성을 높일 수 있다.The nanofiller has a thickening action and also functions as a thickener. Use of the second epoxy group-containing acrylic resin tends to cause excessive flow of the curable composition and the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition during heating and melting. In the curable composition of the present invention, since the nanofiller is used in addition to the second epoxy group-containing acrylic resin, the curable composition and the fluidity of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition during heating and melting can be controlled within a preferable range . This makes it possible to control the fluidity of the point-adhesive layer during heating and melting in a preferable range at the time of bonding using the curable composition or the pressure-sensitive adhesive layer, so that the constraint of the semiconductor chip during curing can be increased, The adhesion of the cured product after curing can be enhanced.

상기 나노 충전재로서 실리카, 알루미나 및 탄산칼슘 등을 들 수 있다. 상기 나노 충전재는 알칼리 금속 또는 전이 금속 등 불순물이 적은 실리카인 것이 바람직하다.Examples of the nanofiller include silica, alumina and calcium carbonate. The nano-filler is preferably silica with a small amount of impurities such as alkali metals or transition metals.

상기 나노 충전재의 평균 입경은 1 nm 이상 1000 nm 미만이다. 상기 나노 충전재의 평균 입경의 바람직한 하한은 5 nm, 바람직한 상한은 300 nm, 보다 바람직한 상한은 100 nm, 더욱 바람직한 상한은 50 nm이다. 상기 나노 충전재의 평균 입경은 100 nm 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 나노 충전재의 평균 입경이 상기 하한을 만족하면, 경화성 조성물 또는 점접착제층을 이용한 접착시에, 점접착제층의 가열 용융시의 유동성을 바람직한 범위로 제어할 수 있기 때문에, 경화할 때까지의 사이의 반도체 칩의 구속성을 높일 수 있고, 경화 후의 경화물의 접착성을 높일 수 있다. 상기 나노 충전재의 평균 입경이 상기 상한을 만족하면, 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층의 두께 편차를 적게 할 수 있다. 또한, 상기 나노 충전재의 평균 입경이 300 nm 이하이면 할열성이 한층 더 높아지고, 상기 나노 충전재의 평균 입경이 100 nm 이하이면 할열성이 현저하게 높아진다. 또한, 상기 시트 또는 점접착제층의 박형화에 대응할 수 있다. 예를 들면, 상기 시트 또는 점접착제층의 두께가 1 ㎛ 내지 20 ㎛라도 두께 편차를 적게 할 수 있고, 높은 접착성을 발현시킬 수 있다.The average particle size of the nanofiller is 1 nm or more and less than 1000 nm. A preferable lower limit of the average particle diameter of the nanofiller is 5 nm, a preferable upper limit is 300 nm, a more preferable upper limit is 100 nm, and a more preferable upper limit is 50 nm. The average particle diameter of the nanofiller is particularly preferably 100 nm or less. When the average particle diameter of the nano-filler satisfies the lower limit described above, the fluidity at the time of heat melting of the pressure-sensitive adhesive layer can be controlled within a preferable range at the time of bonding using the curable composition or the pressure-sensitive adhesive layer, The reliability of the semiconductor chip of the cured product can be increased, and the adhesion of the cured product after curing can be enhanced. When the average particle diameter of the nanofiller satisfies the upper limit, the thickness deviation of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition can be reduced. When the average particle diameter of the nanofiller is 300 nm or less, the heat resistance is further increased, and when the average particle diameter of the nanofiller is 100 nm or less, the thermostability is remarkably increased. Further, it can cope with the thinning of the sheet or the adhesive layer. For example, even if the thickness of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer is 1 to 20 占 퐉, the thickness deviation can be reduced and high adhesiveness can be exhibited.

상기 「평균 입경」이란, 투과형 전자 현미경으로 계측된 평균 1차 입경을 나타낸다. 상기 나노 충전재의 「평균 입경」은, 임의의 나노 충전재 1000개를 투과형 전자 현미경으로 관찰하고, 계측된 입경의 개수 평균을 산출함으로써 구해진다. 또한, 투과형 전자 현미경에 의한 관찰에서 계측된 입경은 나노 충전재를 원으로 근사하였을 때의 원 상당 직경(직경)을 의미한다.The "average particle diameter" means an average primary particle diameter measured by a transmission electron microscope. The " average particle diameter " of the nanofiller is obtained by observing 1000 nanofillers of any kind with a transmission electron microscope and calculating the number average of the measured particle diameters. The particle diameter measured in the observation with a transmission electron microscope means a circle equivalent diameter (diameter) when the nanofiller is approximated to a circle.

상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 상기 나노 충전재의 함유량은 1 내지 30 중량부인 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지 100 중량부에 대하여, 상기 나노 충전재의 함유량의 보다 바람직한 하한은 5 중량부, 보다 바람직한 상한은 20 중량부이다. 상기 나노 충전재의 함유량이 상기 하한 및 상한을 만족하면, 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층의 가열 용융시의 유동성을 한층 더 바람직한 범위로 제어할 수 있고, 경화물의 접착성을 한층 더 높일 수 있다. 경화성 조성물 또는 점접착제층을 이용한 접착시에, 점접착제층의 가열 용융시의 유동성을 바람직한 범위로 제어할 수 있기 때문에, 경화할 때까지의 사이의 반도체 칩의 구속성을 높일 수 있고, 경화 후의 경화물의 접착성을 높일 수 있다.The content of the nano-filler is preferably 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. A more preferable lower limit of the content of the nano-filler is 5 parts by weight, and a more preferable upper limit is 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin. When the content of the nano-filler satisfies the lower limit and the upper limit, the fluidity of the curable composition and the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition at the time of heating and melting can be further controlled within a more preferable range, Can be further increased. It is possible to control the fluidity of the point-adhesive layer during heating and melting in a preferable range at the time of bonding using the curable composition or the pressure-sensitive adhesive layer, so that the constraint of the semiconductor chip during the curing can be increased, The adhesion of water can be enhanced.

[에폭시 수지용 경화제][Curing agent for epoxy resin]

상기 에폭시 수지용 경화제로서는, 예를 들면 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산 등의 가열 경화형 산 무수물계 경화제, 페놀계 경화제, 아민계 경화제 및 디시안디아미드 등의 잠재성 경화제 및 양이온계 촉매형 경화제 등을 들 수 있다. 상기 경화제는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.Examples of the curing agent for epoxy resins include latent curing agents such as heat curing type acid anhydride type curing agents such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, phenol type curing agents, amine type curing agents and dicyandiamide, and cationic type catalyst type curing agents. . The curing agent may be used alone or in combination of two or more.

상기 상온에서 액상인 가열 경화형 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 예를 들면 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 메틸헥사히드로 무수 프탈산, 메틸나스산 무수물 및 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산 등의 산 무수물계 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도 소수화되어 있기 때문에, 메틸나스산 무수물 및 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산이 바람직하게 이용된다.Specific examples of the heat curing type acid anhydride type curing agent which is liquid at room temperature include acid anhydride type curing agents such as methyl tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnary acid anhydride and trialkyltetrahydrophthalic anhydride. have. Of these, methylnaphthalic anhydride and trialkyltetrahydrophthalic anhydride are preferably used because they are hydrophobic.

경화 속도 또는 경화물의 물성 등을 조정하기 위하여, 상기 경화제와 경화 촉진제를 병용할 수도 있다.In order to adjust the curing rate or the physical properties of the cured product, the curing agent and the curing accelerator may be used in combination.

상기 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 경화 촉진제로서는, 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 및 3급 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하게 이용된다. 이미다졸계 경화 촉진제를 이용한 경우에는, 경화 속도 및 경화물의 물성 등을 용이하게 조정할 수 있다. 상기 경화 촉진제는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The curing accelerator is not particularly limited. Examples of the curing accelerator include imidazole-based curing accelerators and tertiary amine-based curing accelerators. Among them, an imidazole-based curing accelerator is preferably used. When an imidazole-based curing accelerator is used, the curing rate and physical properties of the cured product can be easily adjusted. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

상기 이미다졸계 경화 촉진제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면 이미다졸의 1위치를 시아노에틸기로 보호한 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 및 이소시아누르산으로 염기성을 보호한 상품명 「2MAOK-PW」(시꼬꾸 가세이 고교사 제조) 등을 들 수 있다. 상기 이미다졸계 경화 촉진제는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.The imidazole-based curing accelerator is not particularly limited. As the imidazole-based curing accelerator, for example, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which one position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, and 2MAOK- PW " (manufactured by Shikoku Chemicals Corporation). The imidazole-based curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

상기 경화제는 에폭시 수지 및 경화제의 종류 및 에폭시 당량 등에 따라 적절한 함유량으로 이용된다. 경화제의 첨가량은, 또한 산 무수물계 경화제와 예를 들면 이미다졸계 경화 촉진제 등의 경화 촉진제를 병용하는 경우의 산 무수물계 경화제의 첨가량은, 바람직하게는 에폭시기에 대하여 이론적으로 필요한 당량의 60 내지 100％, 더욱 바람직하게는 70 내지 90％이다. 산 무수물계 경화제의 첨가량이 필요 이상으로 과잉이면, 경화물로부터 수분에 의해 염소 이온이 용출되기 쉬워질 우려가 있다. 상기 경화제의 함유량을 적절한 범위로 함으로써, 경화성 조성물을 효율적으로 경화시킬 수 있으며, 경화물에 경화제에 유래하는 잔사를 생기기 어렵게 할 수 있다.The curing agent is used in an appropriate amount depending on the kind of the epoxy resin and the curing agent, the epoxy equivalent, and the like. The addition amount of the curing agent is preferably such that the addition amount of the acid anhydride curing agent when the curing accelerator such as an imidazole-based curing accelerator is used in combination with the acid anhydride-based curing agent is preferably 60 to 100 %, More preferably 70 to 90%. If the addition amount of the acid anhydride-based curing agent is excessively larger than necessary, there is a fear that the chloride ion is liable to be eluted from the cured product by moisture. By setting the content of the curing agent in an appropriate range, the curable composition can be efficiently cured, and the residue derived from the curing agent can be hardly generated in the cured product.

상기 경화제 100 중량부에 대하여, 경화 촉진제의 함유량은 0.5 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화성 조성물을 효율적으로 경화시킬 수 있다. 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 촉진제가 잔존하기 어려워져 경화물의 접합 신뢰성을 높일 수 있다.The content of the curing accelerator is preferably 0.5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the curing agent. If the content of the curing accelerator is the lower limit or more, the curable composition can be efficiently cured. If the content of the curing accelerator is not more than the upper limit, the curing accelerator hardly remains and the bonding reliability of the cured product can be enhanced.

[다른 성분][Other Ingredients]

본 발명에 관한 경화성 조성물은, 필요에 따라 고무 입자, 열가소성 수지, 에폭시 수지 이외의 열경화성 수지, 밀착성 향상제, pH 조정제, 이온 포착제, 점도 조정제, 요변성 부여제, 산화 방지제, 열안정제, 광안정제, 자외선 흡수제, 착색제, 탈수제, 난연제, 대전 방지제, 방미제, 방부제 및 용제 등의 각종 첨가제를 포함할 수도 있다.The curable composition according to the present invention can contain, if necessary, rubber particles, a thermoplastic resin, a thermosetting resin other than an epoxy resin, an adhesion improver, a pH adjuster, an ion scavenger, a viscosity adjuster, a thixotropic agent, an antioxidant, , Ultraviolet absorber, colorant, dehydrating agent, flame retardant, antistatic agent, antiseptic agent, preservative and solvent.

[경화성 조성물의 상세][Detailed Description of Curable Composition]

본 발명에 관한 경화성 조성물은 점접착제인 것이 바람직하다. 상기 에폭시 수지와, 상기 에폭시 수지용 경화제와, 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 상기 나노 충전재를 포함하는 경화성 조성물은 경화 전에 점착성을 가지며, 경화 후에 접착성을 발현하는 점접착제인 것이 바람직하다.The curable composition according to the present invention is preferably a point adhesive. The curable composition comprising the epoxy resin, the curing agent for the epoxy resin, the first and second epoxy group-containing acrylic resins, and the nano-filler is a tackifying agent having tackiness before curing and exhibiting adhesiveness after curing desirable.

취급성이 우수하기 때문에, 본 발명에 관한 경화성 조성물은 시트상으로 성형되어 있는 것이 바람직하고, 시트상의 점접착제(점접착제층)인 것이 바람직하다.Since the curable composition of the present invention is excellent in handling properties, it is preferable that the curable composition of the present invention is formed into a sheet form, and it is preferably a sheet-like point adhesive (point-adhesive layer).

본 발명에 관한 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에, 경화 전의 상기 시트의 23℃에서의 파단 응력은 6MPa 이하인 것이 바람직하다. 상기 파단 응력의 보다 바람직한 상한은 4MPa이다. 한편, 상기 파단 응력은 1MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 파단 응력이 상기 상한을 만족하면, 시트 또는 점접착제층의 할열성을 한층 더 높일 수 있다. 상기 파단 응력이 상기 하한을 만족하면, 시트 또는 점접착제층의 제막 효율을 높일 수 있고, 또한 시트 또는 점접착제층의 취급성을 한층 더 높일 수 있다.When the curable composition according to the present invention is molded into a sheet to obtain a sheet, it is preferable that the sheet has a breaking stress at 23 占 폚 of 6 MPa or less before curing. A more preferable upper limit of the breaking stress is 4 MPa. On the other hand, the breaking stress is preferably 1 MPa or more. When the breaking stress satisfies the upper limit, the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be further improved in heat-resisting property. When the breaking stress satisfies the lower limit described above, the film-forming efficiency of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be increased and the handling property of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be further enhanced.

본 발명에 관한 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에, 경화 전의 상기 시트의 23℃에서의 파단 신도는 200％ 이하인 것이 바람직하다. 상기 파단 신도의 보다 바람직한 상한은 100％, 더욱 바람직한 상한은 50％이다. 한편, 상기 파단 신도는 1％ 이상인 것이 바람직하다. 상기 파단 신도가 상기 상한을 만족하면, 시트 또는 점접착제층의 할열성을 한층 더 높일 수 있다. 상기 파단 신도가 상기 하한을 만족하면, 시트 또는 점접착제층의 제막 효율을 높일 수 있고, 또한 시트 또는 점접착제층의 취급성을 한층 더 높일 수 있다.When the curable composition according to the present invention is formed into a sheet to obtain a sheet, the elongation at break of the sheet before curing is preferably 200% or less at 23 캜. A more preferable upper limit of the elongation at break is 100%, and a more preferable upper limit is 50%. On the other hand, the elongation at break is preferably 1% or more. When the elongation at break satisfies the upper limit, the heat resistance of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be further increased. When the elongation at break satisfies the lower limit described above, the film-forming efficiency of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be increased and the handling property of the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer can be further enhanced.

본 발명에 관한 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에, 경화 전의 상기 시트를 40℃에서부터 승온 속도 5℃/분으로 200℃까지 승온시켰을 때에, 40 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 1000Paㆍs 이상인 것이 바람직하다. 상기 40 내지 200℃에서의 최저 용융 점도는 보다 바람직하게는 1500Paㆍs 이상, 더욱 바람직하게는 2000Paㆍs 이상이다. 한편, 상기 최저 용융 점도는 20000Paㆍs 이하인 것이 바람직하다. 상기 최저 용융 점도가 상기 하한을 만족하면, 경화성 조성물 또는 점접착제층을 이용한 접착시에, 경화성 조성물 또는 점접착제층의 가열 용융시의 유동성을 바람직한 범위로 제어할 수 있기 때문에, 경화할 때까지의 사이의 반도체 칩의 구속성을 높일 수 있고, 경화 후의 경화물의 접착성을 높일 수 있다. 특히, 상기 40 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 1500Paㆍs 이상이면, 경화물의 접착성이 상당히 높아진다. 상기 최저 용융 점도가 상기 상한을 만족하면, 경화물의 접착성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 접착 대상 부재가 표면에 요철을 갖는 경우에, 상기 표면의 오목부에, 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층을 충분히 충전시킬 수 있고, 접착 계면에 있어서 공극을 생기기 어렵게 할 수 있다.When the curable composition according to the present invention is formed into a sheet to obtain a sheet, the sheet before curing is heated from 40 占 폚 to 200 占 폚 at a temperature raising rate of 5 占 폚 / min, and the lowest melt viscosity at 40 to 200 占 폚 It is preferably at least 1000 Pa · s. The minimum melt viscosity at 40 to 200 캜 is more preferably not less than 1500 Pa · s, and still more preferably not less than 2000 Pa · s. On the other hand, the lowest melt viscosity is preferably 20,000 Pa · s or less. When the minimum melt viscosity satisfies the lower limit described above, the fluidity of the curable composition or the pressure-sensitive adhesive layer at the time of heating and melting can be controlled within a preferable range at the time of bonding using the curable composition or the pressure-sensitive adhesive layer, It is possible to enhance the reliability of the semiconductor chip between the cured product and the cured product and to improve the adhesiveness of the cured product after curing. Particularly, when the minimum melt viscosity at 40 to 200 ° C is 1500 Pa · s or more, the adhesiveness of the cured product becomes considerably high. When the lowest melt viscosity satisfies the upper limit, the adhesiveness of the cured product can be further increased. Further, in the case where the object to be bonded has irregularities on the surface, a sheet or a point-adhesive layer formed by the curable composition can be sufficiently filled in the concave portion of the surface, and voids can be made less likely to occur in the adhesive interface.

상기 최저 용융 점도는 40 내지 200℃에서의 값이다. 이 온도 범위로 한 것은 경화성 조성물, 및 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 시트 또는 점접착제층을 경화시킬 때에, 이들이 상온에서부터 200℃ 정도까지 가열되기 때문이다.The lowest melt viscosity is a value at 40 to 200 ° C. This temperature range is because the curable composition and the sheet or the pressure-sensitive adhesive layer formed by the curable composition are heated from room temperature to about 200 ° C when they are cured.

본 발명에 관한 경화성 조성물의 경화 후의 경화물의 180℃에서의 저장 탄성률은 40MPa 이상인 것이 바람직하다. 상기 저장 탄성률의 보다 바람직한 하한은 100MPa이다. 한편, 상기 저장 탄성률은 1000MPa 이하인 것이 바람직하다. 상기 저장 탄성률이 상기 상한을 만족하면, 경화물이 지나치게 단단해지지 않고, 가요성과 접합 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다. 상기 저장 탄성률이 상기 하한을 만족하면, 경화물의 고탄성화에 의해 점접착제층의 경화물과 반도체 칩과의 적층체의 강성을 높일 수 있고, 와이어 본딩 공정에서의 초음파 접합을 효율적으로 행할 수 있다.The cured product of the curable composition according to the present invention preferably has a storage elastic modulus at 180 캜 of 40 MPa or more. A more preferred lower limit of the storage elastic modulus is 100 MPa. On the other hand, the storage elastic modulus is preferably 1000 MPa or less. When the storage elastic modulus satisfies the upper limit, the cured product is not excessively hardened, and flexibility and bonding reliability can be further enhanced. When the storage elastic modulus satisfies the lower limit described above, the rigidity of the layered product of the cured product of the viscous adhesive layer and the semiconductor chip can be increased due to the high elasticity of the cured product, and the ultrasonic bonding in the wire bonding process can be efficiently performed.

본 발명에 관한 경화성 조성물은 여러가지 접착 대상 부재를 접착하는 용도에 이용된다. 본 발명에 관한 경화성 조성물은 반도체 칩을 접착 대상 부재에 접착하는 용도에 바람직하게 이용된다.The curable composition of the present invention is used for the purpose of bonding various members to be bonded. The curable composition of the present invention is preferably used for the purpose of bonding a semiconductor chip to a member to be bonded.

상기 접착 대상 부재로서는 기판, 반도체 칩 및 리드 프레임 등을 들 수 있다. 상기 접착 대상 부재는 기판 또는 반도체 칩인 것이 바람직하다. 상기 기판으로서는 세라믹 기판, 수지 기판, 실리콘 기판, 반도체 기판 및 유리 기판 등을 들 수 있다.Examples of the object to be bonded include a substrate, a semiconductor chip, and a lead frame. It is preferable that the object to be bonded is a substrate or a semiconductor chip. Examples of the substrate include a ceramic substrate, a resin substrate, a silicon substrate, a semiconductor substrate, and a glass substrate.

(접속 구조체)(Connection structure)

상기와 같이, 본 발명에 관한 경화성 조성물은 반도체 칩을 접착 대상 부재에 접착하는 용도에 바람직하게 이용된다.As described above, the curable composition according to the present invention is preferably used for the purpose of bonding a semiconductor chip to a member to be bonded.

도 6에 본 발명의 일 실시 형태에 관한 경화성 조성물을 이용한 접속 구조체를 모식적으로 단면도로 도시한다.6 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure using a curable composition according to an embodiment of the present invention.

도 6에 도시하는 접속 구조체(51)는 반도체 칩(52)과, 접착 대상 부재(53)와, 반도체 칩(52)과 접착 대상 부재(53)의 사이에 배치된 경화물층(54)을 구비한다. 경화물층(54)은 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물층(54)에 반도체 칩(52)과 접착 대상 부재(53)가 접착되어 있다. 접속 구조체(51)를 얻을 때에, 상기 경화성 조성물은 시트상으로 성형되어 시트로서 이용될 수도 있고, 액상 또는 시트상의 점접착제로서 이용될 수도 있다.The connection structure 51 shown in Fig. 6 includes a semiconductor chip 52, an object 53 to be bonded, and a cured layer 54 disposed between the semiconductor chip 52 and the object 53 to be bonded Respectively. The cured layer 54 is formed by curing the curable composition. The semiconductor chip 52 and the object to be bonded 53 are adhered to the cured layer 54. When obtaining the connection structure 51, the curable composition may be formed into a sheet and used as a sheet, or as a liquid or a sheet-like point-stick.

접속 구조체(51)에서는 경화물층(54)이 상기 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있고, 경화물층(54)의 접착성이 높기 때문에 접속 신뢰성이 우수하다.In the connection structure 51, the cured layer 54 is formed by curing the curable composition, and the adhesion of the cured layer 54 is high, so that the connection reliability is excellent.

(다이싱-다이본딩 테이프)(Dicing-die bonding tape)

본 발명에 관한 다이싱-다이본딩 테이프는, 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층과, 상기 점접착제층의 한쪽면에 적층된 다이싱층을 구비한다.The dicing-die bonding tape according to the present invention comprises a point adhesive layer formed by the curable composition and a dicing layer laminated on one surface of the point adhesive layer.

도 1의 (a) 및 (b)는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 다이싱-다이본딩 테이프를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 1의 (a)는 부분 절결 평면도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a) 중의 I-I선을 따르는 부분 절결 정면 단면도이다.1 (a) and 1 (b) are diagrams schematically showing a dicing-die bonding tape according to a first embodiment of the present invention. Fig. 1 (a) is a partial cutaway plan view, and Fig. 1 (b) is a partially cut-away front sectional view along the line I-I in Fig.

도 1의 (a) 및 (b)에 도시하는 다이싱-다이본딩 테이프(1)는 긴 형상의 이형층(2)을 갖는다. 이형층(2)의 상면(2a)에 점접착제층(3)과 기재층(4)과 다이싱층(5)이 이 순서대로 적층되어 있다. 점접착제층(3)의 한쪽면인 제1 표면(3a)에 기재층(4)이 적층되어 있다. 기재층(4)의 제1 표면(4a)이 점접착제층(3)에 첩부되어 있고, 기재층(4)의 제1 표면(4a)과는 반대측의 제2 표면(4b)이 다이싱층(5)에 첩부되어 있다. 점접착제층(3)의 제1 표면(3a)과는 반대측의 제2 표면(3b)은 반도체 웨이퍼가 첩부되는 면이다.The dicing-die bonding tape 1 shown in Figs. 1 (a) and 1 (b) has an elongate release layer 2. A viscous adhesive layer 3, a base layer 4 and a dicing layer 5 are laminated in this order on the upper surface 2a of the release layer 2. A base layer (4) is laminated on a first surface (3a) which is one surface of the point-adhesive layer (3). The first surface 4a of the base layer 4 is attached to the point adhesive layer 3 and the second surface 4b of the base layer 4 opposite to the first surface 4a is bonded to the dicing layer 5). The second surface 3b on the side opposite to the first surface 3a of the point-adhesive layer 3 is a surface to which the semiconductor wafer is attached.

긴 형상의 이형층(2)의 상면(2a)에 점접착제층(3), 기재층(4) 및 다이싱층(5)을 갖는 복수의 적층물이 등간격으로 배치되어 있다. 상기 적층물의 측방에 있어서, 이형층(2)의 상면(2a)에 보호 시트가 설치될 수도 있다.A plurality of stacked layers having the adhesive layer 3, the base layer 4 and the dicing layer 5 are arranged on the upper surface 2a of the elongate release layer 2 at regular intervals. A protective sheet may be provided on the upper surface 2a of the release layer 2 on the side of the laminate.

점접착제층(3), 기재층(4) 및 다이싱층(5)의 평면 형상은 원형이다. 평면에서 보아, 점접착제층(3)은 이형층(2), 기재층(4) 및 다이싱층(5)보다도 작다. 평면에서 보아, 기재층(4)은 이형층(2) 및 다이싱층(5)보다도 작다. 평면에서 보아, 다이싱층(5)은 이형층(2)보다도 작다. 이형층(2)은 점접착제층(3), 기재층(4) 및 다이싱층(5)의 외주측면보다도 측방으로 연장되어 있는 영역을 갖는다.The planar shape of the point-adhesive layer (3), the base layer (4) and the dicing layer (5) is circular. The viscous adhesive layer 3 is smaller than the release layer 2, the base layer 4 and the dicing layer 5 in plan view. The base layer 4 is smaller than the release layer 2 and the dicing layer 5 in plan view. From the viewpoint of the plane, the dicing layer 5 is smaller than the release layer 2. The release layer 2 has a region extending laterally than the outer peripheral side faces of the point adhesive layer 3, the base layer 4 and the dicing layer 5. [

본 실시 형태에서는 기재층(4)은 비점착성을 갖는다. 이로 인해, UV 조사하여 점착력을 저하시키는 등의 점접착제층을 개질시키는 공정을 필요로 하지 않고, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 기재층(4)으로부터 용이하게 박리할 수 있다.In the present embodiment, the base layer 4 has non-stickiness. Thus, the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 can be easily peeled off from the base layer 4 without requiring a step of modifying the point-adhesive layer such as lowering the adhesive force by UV irradiation.

상기 「비점착성」에는 표면이 점착성을 갖지 않을 뿐만 아니라, 표면을 손가락으로 만졌을 때에 달라붙지 않을 정도의 점착성을 갖는 경우도 포함되는 것으로 한다. 구체적으로는 「비점착」이란, 기재층의 비점착을 갖는 부분을 스테인리스판에 첩부하여, 기재층을 300 mm/분의 박리 속도로 박리하였을 때에, 점착력이 0.05 N/25 mm 폭 이하인 것을 의미한다.The " non-tacky " includes not only the surface having no tackiness but also the case where the surface has tackiness so as not to stick to the surface when touched with a finger. Specifically, " non-adhesive " means that the adhesive strength of the substrate layer is not more than 0.05 N / 25 mm in width when the base layer is peeled off at a peeling rate of 300 mm / min by attaching the non- do.

다이싱층(5)은 기재(5A)와, 기재(5A)의 한쪽면에 적층된 점착제층(5B)을 갖는다. 다이싱층(5)은 점접착제층(3) 및 기재층(4)의 외주측면보다도 연장되어 있는 영역을 갖는다. 다이싱층(5)은 점착제층(5B)측으로부터 연장되어 있는 영역에 있어서 이형층(2)의 상면(2a)에 첩부되어 있으며, 중앙의 영역에 있어서 기재층(4)의 제2 표면(4b)에 첩부되어 있다. 다이싱시에 다이싱층(5)의 점착제층(5B)에 다이싱 링이 첩부된다.The dicing layer 5 has a substrate 5A and a pressure-sensitive adhesive layer 5B laminated on one side of the substrate 5A. The dicing layer 5 has a region extending beyond the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer 3 and the base layer 4. [ The dicing layer 5 is affixed to the upper surface 2a of the release layer 2 in the region extending from the pressure-sensitive adhesive layer 5B side and the second surface 4b of the base layer 4 ). The dicing ring is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 5B of the dicing layer 5 at the time of dicing.

도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 다이싱-다이본딩 테이프를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 2의 (a)는 부분 절결 평면도이고, 도 2의 (b)는 도 2의 (a) 중의 I-I선을 따르는 부분 절결 정면 단면도이다.2 is a diagram schematically showing a dicing-die bonding tape according to a second embodiment of the present invention. Fig. 2 (a) is a partial cut-away plan view, and Fig. 2 (b) is a partially cutaway front sectional view along the line I-I in Fig.

도 2의 (a) 및 (b)에 도시하는 다이싱-다이본딩 테이프(11)는 기재층 및 다이싱층이 상이한 것 이외에는, 다이싱-다이본딩 테이프(1)와 마찬가지로 구성되어 있다.The dicing-die bonding tape 11 shown in Figs. 2A and 2B is configured similarly to the dicing-die bonding tape 1 except that the base layer and the dicing layer are different.

다이싱-다이본딩 테이프(11)는 기재층(12)과 다이싱층(13)을 구비한다. 이형층(2)의 상면(2a)에 점접착제층(3)과 기재층(12)과 다이싱층(13)이 이 순서대로 적층되어 있다. 점접착제층(3)의 한쪽면인 제1 표면(3a)에 기재층(12)이 적층되어 있다. 기재층(12)의 제1 표면(12a)이 점접착제층(3)에 첩부되어 있고, 기재층(12)의 제1 표면(12a)과는 반대측의 제2 표면(12b)이 다이싱층(13)에 첩부되어 있다.The dicing-die bonding tape 11 comprises a substrate layer 12 and a dicing layer 13. The dicing- A point adhesive layer 3, a base layer 12, and a dicing layer 13 are laminated in this order on the upper surface 2a of the release layer 2. The base layer 12 is laminated on the first surface 3a which is one surface of the point-adhesive layer 3. [ The first surface 12a of the base layer 12 is attached to the point adhesive layer 3 and the second surface 12b of the base layer 12 opposite to the first surface 12a is bonded to the dicing layer 13).

기재층(12) 및 다이싱층(13)의 평면 형상은 원형이다. 평면에서 보아, 점접착제층(3)은 이형층(2), 기재층(12) 및 다이싱층(13)보다도 작다. 평면에서 보아, 기재층(12)의 크기는 다이싱층(13)의 크기와 거의 동등하다. 평면에서 보아, 기재층(12) 및 다이싱층(13)은 이형층(2)보다도 작다. 이형층(2)은 점접착제층(3), 기재층(12) 및 다이싱층(13)의 외주측면보다도 측방으로 연장되어 있는 영역을 갖는다.The planar shape of the substrate layer 12 and the dicing layer 13 is circular. The point adhesive layer 3 is smaller than the release layer 2, the base layer 12, and the dicing layer 13 in plan view. From the viewpoint of the plane, the size of the base layer 12 is approximately equal to the size of the dicing layer 13. The base layer 12 and the dicing layer 13 are smaller than the release layer 2 in plan view. The release layer 2 has a region extending laterally from the outer peripheral side surfaces of the adhesive layer 3, the base layer 12 and the dicing layer 13.

본 실시 형태에서는 기재층(12)은 비점착성을 갖는 비점착부(12A)를 갖는다. 비점착부(12A)는 기재층(12)의 중앙의 영역에 설치되어 있다. 비점착부(12A)는 점접착제층(3)의 반도체 웨이퍼가 첩부되는 위치에 대응하는 부분에 설치되어 있다. 비점착부(12A)의 평면 형상은 원형이다. 평면에서 보아, 비점착부(12A)는 점접착제층(3)보다도 크다. 따라서, 비점착부(12A)는 점접착제층(3)의 외주측면보다도 측방으로 연장되어 있는 영역을 갖는다. 이로 인해, 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 점접착제층(3)을 첩부할 때에, 점접착제층(3)의 비점착부(12A)가 첩부되어 있는 부분에, 분할 후 반도체 웨이퍼를 정확하게 위치 정렬할 수 있다. 첩부 후에는, 분할 후 반도체 웨이퍼에 첩부된 점접착제층(3)의 제2 표면(3b)에 비점착부(12A)를 확실하게 배치할 수 있다. 이로 인해, 점접착제층(3)의 절단 후에, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 UV 조사하여 점착력을 저하시키는 등의 점접착제층을 개질시키는 공정을 필요로 하지 않고, 기재층(12)의 비점착부(12A)로부터 용이하게 박리할 수 있다. 이로 인해, 생산 손실을 감소시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.In the present embodiment, the base layer 12 has a non-adhesive portion 12A having non-sticking property. The non-adhesive portion 12A is provided in the center region of the base layer 12. [ The non-adhesive portion 12A is provided at a portion corresponding to the position where the semiconductor wafer of the point-adhesive layer 3 is pasted. The planar shape of the non-adhesive portion 12A is circular. The non-adhesive portion 12A is larger than the point-adhesive layer 3 in plan view. Therefore, the non-adhesive portion 12A has a region extending laterally than the outer peripheral side face of the point-adhesive layer 3. Therefore, when the point adhesive layer 3 is attached to one surface of the semiconductor wafer after the division, the semiconductor wafer after division is precisely aligned (positioned) on the portion to which the non-adhesive portion 12A of the point adhesive layer 3 is pasted can do. After the application, the non-adhesive portion 12A can be securely arranged on the second surface 3b of the adhesive layer 3 pasted on the semiconductor wafer after the division. This eliminates the need for a step of modifying the pressure-sensitive adhesive layer such as lowering the adhesive force by UV irradiation of the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 after the point-adhesive layer 3 is cut, The non-adhering portion 12A can easily peel off. As a result, the production loss can be reduced and the yield can be improved.

기재층(12)은 비점착부(12A)의 외측 부분의 영역에 점착성을 갖는 점착부(12B)를 갖는다. 점착부(12B)는 환상이다. 기재층(12)은 점접착제층(3)을 피복하고 있다. 기재층(12)의 비점착부(12A)가 점접착제층(3)의 제1 표면(3a)에 첩부되어 있고, 기재층(12)의 점착부(12B)가 이형층(2)의 상면(2a)에 첩부되어 있다. 점접착제층(3)의 표면 전체에 기재층(12)의 비점착부(12A)가 적층되어 있다. 점접착제층(3)의 표면에 점착부(12B)는 적층되어 있지 않다. 다이싱시에 기재층(12)의 점착부(12B)에 다이싱 링이 첩부된다.The base material layer 12 has an adhesive portion 12B having tackiness in a region of the outer portion of the non-adhesive portion 12A. The adhesive portion 12B is annular. The base layer (12) covers the point-adhesive layer (3). The non-adhesive portion 12A of the base layer 12 is attached to the first surface 3a of the point adhesive layer 3 and the adhesive portion 12B of the base layer 12 is bonded to the upper surface of the release layer 2. [ (2a). The non-adhesive portion 12A of the base layer 12 is laminated on the entire surface of the point-adhesive layer 3. The adhesive portion 12B is not laminated on the surface of the point-adhesive layer 3. [ The dicing ring is attached to the adhesive portion 12B of the base layer 12 at the time of dicing.

기재층(12)의 비점착부(12A)와 점착부(12B)는 일체적으로 형성되어 있다. 비점착부(12A)와 점착부(12B)는 동일한 재료에 의해 형성되어 있고, 상이한 재료에 의해 형성되어 있지는 않다.The non-adhesive portion 12A of the base layer 12 and the adhesive portion 12B are integrally formed. The non-adhesive portion 12A and the adhesive portion 12B are formed of the same material and are not formed of different materials.

다이싱층(13)은 기재만으로 구성되어 있고, 점착제층을 갖지 않는다. 다이싱층(13) 대신에 다이싱층(5)을 이용할 수도 있다.The dicing layer 13 is composed only of a base material and does not have a pressure-sensitive adhesive layer. Instead of the dicing layer 13, a dicing layer 5 may be used.

이형층(2)는, 예를 들면 이형 필름이다. 이형층(2)은 점접착제층(3)의 반도체 웨이퍼가 첩부되는 제2 표면(3b)을 보호하기 위하여 이용된다. 또한, 이형층(2)은 반드시 이용되지 않을 수도 있다.The release layer 2 is, for example, a release film. The release layer 2 is used to protect the second surface 3b to which the semiconductor wafer of the point-adhesive layer 3 is pasted. In addition, the release layer 2 may not necessarily be used.

이형층(2)을 구성하는 재료로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리메틸펜텐 수지, 폴리비닐아세테이트 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리염화비닐 수지 및 폴리이미드 수지 등의 플라스틱 수지 등을 들 수 있다.As the material constituting the release layer 2, a polyolefin resin such as a polyester resin such as a polyethylene terephthalate resin, a polytetrafluoroethylene resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a polymethylpentene resin, a polyvinyl acetate resin, And plastic resins such as polyvinyl chloride resin and polyimide resin.

이형층(2)의 표면은 이형 처리되어 있을 수도 있다. 이형층은 단층일 수도 있고 복수층일 수도 있다. 이형층이 복수층인 경우에는, 각 층은 상이한 수지에 의해 형성되어 있을 수도 있다.The surface of the release layer 2 may be subjected to a release treatment. The release layer may be a single layer or a plurality of layers. When the release layer has a plurality of layers, the respective layers may be formed by different resins.

이형층(2)의 취급성 또는 박리성을 한층 더 높이는 관점에서는, 이형층(2)의 두께는 10 내지 100 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 25 내지 50 ㎛의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The thickness of the release layer 2 is preferably in the range of 10 to 100 占 퐉, and more preferably in the range of 25 to 50 占 퐉, from the viewpoint of further enhancing the handling property or the release property of the release layer 2.

점접착제층(3)은 반도체 칩의 다이본딩에 이용되는 층이다. 점접착제층(3)은 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩 등에 접착하기 위하여 이용된다.The point-adhesive layer (3) is a layer used for die bonding of semiconductor chips. The point-adhesive layer 3 is used to adhere the semiconductor chip to a substrate or other semiconductor chip.

점접착제층(3)은 상기 경화성 조성물에 의해 형성되어 있다. 다이싱-다이본딩 테이프(1, 11)는 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 얻기 위하여 이용된다. 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 얻은 후에, 얻어진 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 점접착제층(3)측으로부터 기판 등의 접착 대상 부재에 적층한다. 그 후, 열 또는 광의 에너지를 제공하여 점접착제층(3)을 경화시킴으로써, 점접착제층(3)을 개재하여 접착 대상 부재에 반도체 칩을 견고하게 접합시킬 수 있다.The point-adhesive layer (3) is formed from the curable composition. The dicing-die bonding tapes 1 and 11 are used to obtain a semiconductor chip having a point-adhesive layer 3. After the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 is obtained, the semiconductor chip having the obtained point-adhesive layer 3 is laminated on the member to be bonded such as a substrate from the side of the point- Thereafter, by providing heat or light energy to cure the viscous adhesive layer 3, it is possible to firmly bond the semiconductor chip to the object to be bonded through the point-adhesive layer 3.

점접착제층(3)의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 점접착제층(3)의 두께는 1 내지 100 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 점접착제층(3)의 두께의 보다 바람직한 하한은 3 ㎛, 보다 바람직한 상한은 60 ㎛이다. 점접착제층(3)의 두께가 상기 범위 내에 있으면, 반도체 칩의 첩부가 용이하고, 또한 반도체 장치의 박형화에 대응할 수 있다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not particularly limited. The thickness of the point-adhesive layer (3) is preferably in the range of 1 to 100 mu m. A more preferable lower limit of the thickness of the point-adhesive layer (3) is 3 占 퐉, and a more preferable upper limit is 60 占 퐉. When the thickness of the point-adhesive layer 3 is within the above-mentioned range, the semiconductor chip is easily pasted and the semiconductor device can be made thinner.

기재층(4, 12)은, 예를 들면 활성 에너지선 경화형 또는 열경화형의 점착성을 갖는 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. 활성 에너지선 경화형의 조성물의 경우에는, 조성물에 대한 활성 에너지선의 조사량을 부분적으로 조정함으로써, 기재층(4, 12)의 점착성을 부분적으로 다르게 할 수 있다. 기재층이 비점착성을 갖도록 하기 위해서는, 활성 에너지선의 조사량을 많게 하면 된다. 기재층이 점착성을 갖도록 하기 위해서는, 활성 에너지선을 조사하지 않거나, 활성 에너지선의 조사량을 적게 하면 된다.The base layers 4 and 12 can be formed using, for example, a composition having an adhesive property of active energy ray curing type or thermosetting type. In the case of an active energy ray curable composition, the degree of tackiness of the base layers 4 and 12 can be partially varied by partially adjusting the irradiation amount of the active energy ray for the composition. In order for the substrate layer to have non-tackiness, the irradiation amount of the active energy ray may be increased. In order to make the base layer sticky, the active energy ray may not be irradiated or the irradiation amount of the active energy ray may be decreased.

기재층(4, 12)은 아크릴계 중합체를 포함하는 조성물에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 기재층(4, 12)은 아크릴계 중합체를 포함하는 조성물을 가교시킨 가교체에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우에는 점접착제층의 할열성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 기재층(4, 12)의 극성, 저장 탄성률 또는 파단 신도를 용이하게 제어 및 설계할 수 있다.It is preferable that the base layers 4 and 12 are formed of a composition containing an acrylic polymer. It is preferable that the base layers (4, 12) are formed by a crosslinked product obtained by crosslinking a composition containing an acrylic polymer. In this case, the heat-seal property of the point-adhesive layer can be further enhanced. In addition, the polarity, storage modulus, or elongation at break of the base layers 4 and 12 can be easily controlled and designed.

상기 아크릴계 중합체는 특별히 한정되지 않는다. 상기 아크릴계 중합체는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 중합체인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산 알킬에스테르 중합체로서 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 중합체가 바람직하게 이용된다. 탄소수 1 내지 18의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬에스테르 중합체의 사용에 의해 기재층(4, 12)의 극성을 충분히 낮출 수 있고, 기재층(4, 12)의 표면 에너지를 낮출 수 있으며, 점접착제층(3)의 기재층(4, 12)으로부터의 박리성을 높일 수 있다.The acrylic polymer is not particularly limited. The acrylic polymer is preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer. As the (meth) acrylic acid alkyl ester polymer, a (meth) acrylic acid alkyl ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms is preferably used. The polarity of the base layers 4 and 12 can be sufficiently lowered and the surface energy of the base layers 4 and 12 can be lowered by using the (meth) acrylic acid alkyl ester polymer having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, The peelability of the adhesive layer 3 from the base layers 4 and 12 can be enhanced.

상기 조성물은 활성 에너지선 반응 개시제 및 열 반응 개시제 중 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하며, 활성 에너지선 반응 개시제를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 활성 에너지선 반응 개시제는 광 반응 개시제인 것이 바람직하다.The composition preferably contains at least one of an active energy ray-initiated initiator and a thermal-initiator, more preferably an active energy ray-initiated initiator. It is preferable that the active energy ray reaction initiator is a photoreaction initiator.

상기 활성 에너지선에는 자외선, 전자선, α선, β선, γ선, X선, 적외선 및 가시광선이 포함된다. 이들 활성 에너지선 중에서도 경화성이 우수하며, 경화물이 열화하기 어렵기 때문에 자외선 또는 전자선이 바람직하다.The active energy rays include ultraviolet rays, electron rays,? Rays,? Rays,? Rays, X rays, infrared rays, and visible rays. Among these active energy rays, excellent curability and ultraviolet rays or electron beams are preferable because the cured product is hard to deteriorate.

상기 광 반응 개시제로서, 예를 들면 광 라디칼 발생제 또는 광 양이온 발생제 등을 사용할 수 있다. 상기 열 반응 개시제로서는 열 라디칼 발생제 등을 들 수 있다. 상기 조성물에는 점착력을 제어하기 위하여 이소시아네이트계 가교제를 첨가할 수도 있다.As the photoreaction initiator, for example, a photo radical generator or a photo cation generator may be used. Examples of the thermal reaction initiator include thermal radical generators. An isocyanate crosslinking agent may be added to the composition to control the adhesive force.

기재층(4, 12)의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 기재층(4, 12)의 두께는 1 내지 100 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 기재층(4, 12)의 두께의 보다 바람직한 하한은 5 ㎛, 보다 바람직한 상한은 60 ㎛이다. 기재층(4, 12)의 두께가 상기 바람직한 하한을 만족하면, 다이싱시의 할열성 및 익스팬드성을 한층 더 높일 수 있다. 기재층(4, 12)의 두께가 상기 바람직한 상한을 만족하면, 두께가 한층 더 균일해지고, 다이싱의 정밀도를 한층 더 높일 수 있다.The thickness of the substrate layers 4 and 12 is not particularly limited. The thickness of the substrate layers 4 and 12 is preferably in the range of 1 to 100 mu m. A more preferable lower limit of the thickness of the base layers (4, 12) is 5 占 퐉, and a more preferable upper limit is 60 占 퐉. When the thicknesses of the base layers 4 and 12 satisfy the above preferable lower limit, the heat-shrinking property and the expandability at the time of dicing can be further increased. If the thicknesses of the base layers 4 and 12 satisfy the above preferable upper limit, the thickness becomes more uniform and the dicing accuracy can be further increased.

다이싱층(5, 13)은 예를 들면 다이싱 필름이다. 다이싱층(5)의 기재(5A) 및 다이싱층(13)의 재료로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리메틸펜텐 수지, 폴리비닐아세테이트 수지 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리염화비닐 수지 및 폴리이미드 수지 등의 플라스틱 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도 익스팬드성이 우수하고 환경 부하가 작기 때문에, 폴리올레핀계 수지가 바람직하게 이용된다.The dicing layers 5 and 13 are, for example, dicing films. Examples of the material of the substrate 5A of the dicing layer 5 and the material of the dicing layer 13 include a polyester resin such as polyethylene terephthalate resin, a polytetrafluoroethylene resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, a polymethylpentene resin, Polyolefin resins such as vinyl acetate resins, and plastic resins such as polyvinyl chloride resins and polyimide resins. Among them, a polyolefin resin is preferably used since it has excellent expandability and small environmental load.

다이싱층(5)의 점착제층(5B)의 재료로서는 아크릴계 점착제, 특수 합성 고무계 점착제, 합성 수지계 점착제 또는 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아크릴계 점착제 또는 고무계 점착제가 바람직하고, 아크릴계 점착제가 보다 바람직하고, 감압 타입의 아크릴계 점착제가 더욱 바람직하다. 아크릴계 점착제를 이용한 경우에는, 점착제층(5B)의 기재층(4)에의 점착력, 및 점착제층(5B)의 다이싱 링에의 첩부성 및 다이싱 링으로부터의 재박리성을 높일 수 있다. 또한, 점착제층(5B)의 제조 비용을 낮출 수 있다.As the material of the pressure-sensitive adhesive layer 5B of the dicing layer 5, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a special synthetic rubber pressure-sensitive adhesive, a synthetic resin pressure-sensitive adhesive, or a rubber pressure- Among them, an acrylic pressure sensitive adhesive or a rubber pressure sensitive adhesive is preferable, and an acrylic pressure sensitive adhesive is more preferable, and a pressure sensitive type acrylic pressure sensitive adhesive is more preferable. In the case of using the acrylic pressure-sensitive adhesive, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 5B to the base layer 4 and the adhesive property of the pressure-sensitive adhesive layer 5B to the dicing ring and the re-peeling property from the dicing ring can be enhanced. Further, the production cost of the pressure-sensitive adhesive layer 5B can be lowered.

다이싱층(5, 13)의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 다이싱층(5, 13)의 두께는 10 내지 200 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 다이싱층(5, 13)의 두께의 보다 바람직한 하한은 60 ㎛, 보다 바람직한 상한은 150 ㎛이다. 다이싱층(5, 13)의 두께가 상기 범위 내이면, 이형층(2)으로부터의 박리성 및 다이싱층(5, 13)의 익스팬드성을 한층 더 높일 수 있다. 또한, 다이싱층(5)의 두께는 기재(5A)와 점착제층(5B)의 합계 두께를 나타낸다.The thickness of the dicing layers 5 and 13 is not particularly limited. The thickness of the dicing layers 5 and 13 is preferably in the range of 10 to 200 mu m. A more preferable lower limit of the thickness of the dicing layers 5 and 13 is 60 占 퐉, and a more preferable upper limit is 150 占 퐉. If the thickness of the dicing layers 5 and 13 is within the above range, the peelability from the release layer 2 and the expandability of the dicing layers 5 and 13 can be further increased. The thickness of the dicing layer 5 indicates the total thickness of the substrate 5A and the pressure-sensitive adhesive layer 5B.

다이싱-다이본딩 테이프(1, 11)에서는 다이싱층(5, 13)이 이용되고 있다. 다이싱층(5, 13)이 생략되고 기재층(4, 12)이 다이싱층을 겸할 수도 있다. 특히, 다이싱-다이본딩 테이프(11)에서는 기재층(12)의 점착부(12B)에 다이싱 링을 첩부할 수 있기 때문에, 다이싱층(13)에 다이싱 링을 첩부할 필요가 없다. 다이싱층(13)에 다이싱 링을 첩부할 필요가 없기 때문에, 다이싱층(13)은 점착력을 갖고 있지 않을 수도 있다. 따라서, 다이싱층(13)을 구성하는 재료 및 조성을 보다 넓은 범위에서 선택할 수 있다.In the dicing-die bonding tapes 1 and 11, dicing layers 5 and 13 are used. The dicing layers 5 and 13 may be omitted and the base layers 4 and 12 may also serve as a dicing layer. Particularly, in the dicing-die bonding tape 11, since the dicing ring can be attached to the adhesive portion 12B of the base layer 12, it is not necessary to affix the dicing ring to the dicing layer 13. [ It is not necessary to attach the dicing ring to the dicing layer 13, so that the dicing layer 13 may not have adhesive force. Therefore, the material and composition of the dicing layer 13 can be selected from a wider range.

다이싱시에, 반도체 칩의 비산 등을 한층 더 효과적으로 방지할 수 있기 때문에, 또한 한층 더 균일한 익스팬드성이 얻어지기 때문에, 기재층(4, 12)의 점접착제층(3)이 첩부된 측과는 반대측의 표면에 다이싱층(5)이 첩부되어 있는 것이 바람직하다.Since the scattering of the semiconductor chip can be prevented more effectively at the time of dicing and further more uniform expandability can be obtained, the adhesive layer 3 of the base layer 4 or 12 is adhered It is preferable that the dicing layer 5 is adhered to the surface on the opposite side of the dicing layer 5.

(점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법)(Method of Manufacturing Semiconductor Chip Having Point-Adhesive Layer)

다음에, 도 1의 (a), (b)에 도시하는 다이싱-다이본딩 테이프(1)를 이용한 경우의 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법의 일례를 이하에 설명한다.Next, an example of a method of manufacturing a semiconductor chip having a point-adhesive layer in the case of using the dicing-die bonding tape 1 shown in Figs. 1A and 1B will be described below.

우선, 다이싱-다이본딩 테이프(1)와 적층체(21)를 준비한다.First, the dicing-die bonding tape 1 and the layered product 21 are prepared.

도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 적층체(21)는 보호 시트(22)와, 보호 시트(22)의 한쪽면(22a)에 적층되어 있는 분할 후 반도체 웨이퍼(23)를 갖는다. 보호 시트(22)는, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 한쪽면인 표면(23a)에 적층되어 있다. 분할 후 반도체 웨이퍼(23)는 개개의 반도체 칩으로 분할되어 있다. 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 평면 형상은 원형이다.3 (d), the layered product 21 has a protective sheet 22 and a post-divided semiconductor wafer 23 laminated on one surface 22a of the protective sheet 22. As shown in Fig. The protective sheet 22 is laminated on the surface 23a which is one surface of the semiconductor wafer 23 after division. After the division, the semiconductor wafer 23 is divided into individual semiconductor chips. The planar shape of the semiconductor wafer 23 after the division is circular.

적층체(21)는 도 3의 (a) 내지 (d)에 도시하는 각 공정을 거쳐 이하와 같이 하여 얻을 수 있다.The laminated body 21 can be obtained as follows by way of the respective steps shown in Figs. 3 (a) to 3 (d).

우선, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(23A)를 준비한다. 반도체 웨이퍼(23A)는 분할 전 반도체 웨이퍼이다. 반도체 웨이퍼(23A)의 평면 형상은 원형이다. 반도체 웨이퍼(23A)의 표면(23a)에는, 매트릭스상으로 스트리트에 의해 구획된 각 영역에 개개의 반도체 칩을 구성하기 위한 회로가 형성되어 있다.First, as shown in Fig. 3A, a semiconductor wafer 23A is prepared. The semiconductor wafer 23A is a pre-split semiconductor wafer. The planar shape of the semiconductor wafer 23A is circular. On the surface 23a of the semiconductor wafer 23A, a circuit for constituting individual semiconductor chips is formed in each region partitioned by streets in a matrix.

도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 준비한 반도체 웨이퍼(23A)를 표면(23a)측으로부터 다이싱한다. 다이싱 후, 반도체 웨이퍼(23A)는 분단되어 있지 않다. 반도체 웨이퍼(23A)의 표면(23a)에는 개개의 반도체 칩으로 분할하기 위한 절입(23c)이 형성되어 있다. 다이싱은, 예를 들면 고속 회전하는 블레이드를 구비하는 다이싱 장치 등을 이용하여 행해진다.The prepared semiconductor wafer 23A is diced from the surface 23a side, as shown in Fig. 3 (b). After the dicing, the semiconductor wafer 23A is not divided. The surface 23a of the semiconductor wafer 23A is provided with a notch 23c for dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips. Dicing is performed using, for example, a dicing apparatus having a blade rotating at a high speed.

다음에, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(23A)의 표면(23a)에 보호 시트(22)를 첩부한다. 그 후, 반도체 웨이퍼(23A)의 이면(23b)을 연삭하여, 반도체 웨이퍼(23A)의 두께를 얇게 한다. 여기서는 반도체 웨이퍼(23A)의 이면(23b)은 절입(23c) 부분까지 연삭되어 있다. 이와 같이 하여 도 3의 (d)에 도시하는 적층체(21)를 얻을 수 있다.Next, as shown in Fig. 3 (c), the protective sheet 22 is attached to the surface 23a of the semiconductor wafer 23A. Thereafter, the back surface 23b of the semiconductor wafer 23A is ground to reduce the thickness of the semiconductor wafer 23A. Here, the back surface 23b of the semiconductor wafer 23A is ground to the notch 23c. Thus, the laminate 21 shown in Fig. 3 (d) can be obtained.

반도체 웨이퍼(23A)의 이면(23b)은 절입(23c) 부분까지 연삭하는 것이 바람직하다. 연삭은, 예를 들면 연삭 자석 등을 구비하는 그라인더 등의 연삭기를 이용하여 행해진다. 연삭시에는 반도체 웨이퍼(23A)의 표면(23a)에는 보호 시트(22)가 첩부되어 있기 때문에, 회로에 연삭 쓰레기가 부착되지 않는다. 또한, 연삭 후에 반도체 웨이퍼(23A)가 개개의 반도체 칩으로 분할되어도, 복수의 반도체 칩이 뿔뿔히 흩어지지 않고 보호 시트(22)에 첩부된 채이다.It is preferable that the back surface 23b of the semiconductor wafer 23A is ground to the notch 23c. The grinding is performed by using a grinder such as a grinder equipped with, for example, a grinding magnet or the like. At the time of grinding, since the protective sheet 22 is attached to the surface 23a of the semiconductor wafer 23A, the grinding waste is not attached to the circuit. Even if the semiconductor wafer 23A is divided into individual semiconductor chips after grinding, a plurality of semiconductor chips remain attached to the protective sheet 22 without being scattered.

적층체(21)를 얻은 후, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이 적층체(21)를 보호 시트(22)측으로부터 스테이지(25) 상에 싣는다. 스테이지(25) 상에는, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 외주측면으로부터 일정 간격이 이격된 위치에 원환상의 다이싱 링(26)이 설치되어 있다. 다이싱-다이본딩 테이프(1)의 이형층(2)을 박리하면서 또는 이형층(2)을 박리한 후에, 노출된 점접착제층(3)의 제2 표면(3b)을, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 이면(23b)에 첩부한다. 이에 의해, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 한쪽면인 이면(23b)에 점접착제층(3)을 적층한다. 또한, 노출된 다이싱층(5)의 점착제층(5B)을 다이싱 링(26)에 첩부한다.After the laminate 21 is obtained, the laminate 21 is placed on the stage 25 from the side of the protective sheet 22 as shown in Fig. 4 (a). On the stage 25, an annular dicing ring 26 is provided at a position spaced apart from the outer peripheral side surface of the semiconductor wafer 23 after division. The second surface 3b of the exposed point-adhesive layer 3 is peeled off from the semiconductor wafer 1 after the release of the release layer 2 of the dicing-die bonding tape 1 or after the release layer 2 is peeled off, (23b) of the base plate (23). Thereby, the point-adhesive layer 3 is laminated on the back surface 23b which is one surface of the semiconductor wafer 23 after the division. Further, the pressure-sensitive adhesive layer 5B of the exposed dicing layer 5 is affixed to the dicing ring.

다음에, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 점접착제층(3)이 첩부된 분할 후 반도체 웨이퍼(23)를 스테이지(25)로부터 취출하여 뒤집는다. 이 때, 다이싱 링(26)을 점착제층(5B)에 첩부한 상태에서 취출한다. 취출한 분할 후 반도체 웨이퍼(23)를 표면(23a)이 상측이 되도록 뒤집어 별도의 스테이지(27) 상에 싣는다.Next, as shown in Fig. 4 (b), the divided semiconductor wafer 23 to which the adhesive layer 3 is adhered is removed from the stage 25 and reversed. At this time, the dicing ring 26 is taken out in a state in which it is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 5B. The divided semiconductor wafer 23 is taken out and placed on another stage 27 so that the surface 23a is on the upper side.

다음에, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 표면(23a)으로부터 보호 시트(22)를 박리한다. 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 이면(23b)에 점접착제층(3)을 적층한 후이면서, 점접착제층(3)을 당겨 늘리기 전에, 보호 시트(22)는 박리된다. 보호 시트(22)를 박리할 때에, 박리를 쉽게 하기 위하여 필요에 따라 보호 시트(22)를 가열할 수도 있다. 단, 보호 시트(22)를 가열할 때에 점접착제층(3)을 개질하지 않는 쪽이 바람직하다.Next, as shown in Fig. 5A, the protective sheet 22 is peeled from the surface 23a of the semiconductor wafer 23 after the division. The protective sheet 22 is peeled off after the point adhesive layer 3 is laminated on the back surface 23b of the semiconductor wafer 23 after the division and before the point adhesive layer 3 is stretched. When peeling the protective sheet 22, the protective sheet 22 may be heated as needed to facilitate peeling. However, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not modified when heating the protective sheet (22).

다음에, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 점접착제층(3)을 당겨 늘려 절단한다. 이 때, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 절단 부분(23c)을 따라 절단하며, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)에서의 개개의 반도체 칩을 이격시킨다. 점접착제층(3)은 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 이면(23b)에 첩부되어 있기 때문에, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 절단 부분(23c)을 따라, 즉 다이싱 라인을 따라 점접착제층(3)을 절단할 수 있다. 점접착제층(3)의 절단 후에, 점접착제층(3)에는 절단 부분(3c)이 형성된다.Next, as shown in Fig. 5 (b), the point-adhesive layer 3 is pulled and cut to cut. At this time, the semiconductor wafer 23 is cut along the cut portion 23c of the semiconductor wafer 23 to separate individual semiconductor chips from the semiconductor wafer 23 after the division. The adhesive layer 3 is bonded to the rear surface 23b of the semiconductor wafer 23 after the division so that the adhesive layer 3 is formed along the cut portion 23c of the semiconductor wafer 23 after the division, (3) can be cut. After the point adhesive layer (3) is cut, the cut portion (3c) is formed in the point adhesive layer (3).

또한, 본 명세서에서는 점접착제층(3)을 당겨 늘려 절단하는 것을 할열한다라고도 한다. 점접착제층(3)을 당겨 늘려 절단하는 작업(할열)에는 다이싱도 포함되는 것으로 하고, 다이싱-다이본딩 테이프(1)는 점접착제층(3)을 당겨 늘려 절단하기(할열하기) 위하여 이용할 수 있다. 다이싱-다이본딩 테이프(1)는, 바꿔 말하면 할열-다이본딩 테이프이다.In the present specification, it is also said that the point-adhesive layer 3 is pulled up and cut to cut it. The dicing-die bonding tape 1 is formed by stretching the point-adhesive layer 3 by pulling the die-bonding adhesive layer 3 to cut (heat) the dicing-die bonding tape 1, Can be used. The dicing-die bonding tape 1 is, in other words, a heat-die bonding tape.

점접착제층(3)을 당겨 늘리는 방법으로서는, 예를 들면 점접착제층(3)의 아래쪽으로부터 밀어올려 점접착제층(3), 기재층(4) 및 다이싱층(5)에, 도 5의 (b)에 도시하는 힘(A)을 부여하는 방법을 들 수 있다. 힘(A)의 부여에 의해, 결과적으로 점접착제층(3), 기재층(4) 및 다이싱층(5)에 외측을 향하여 인장되는 힘(B1, B2)이 부여되고, 점접착제층(3)이 당겨 늘려진다.As a method of stretching the point-adhesive layer 3, for example, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is pushed up from the bottom of the pressure-sensitive adhesive layer 3 to form the pressure-sensitive adhesive layer 3, the base layer 4 and the dicing layer 5, (b) shown in Fig. As a result of the application of the force A, the forces B1 and B2 are applied to the outermost layer of the viscous adhesive layer 3, the base layer 4 and the dicing layer 5, ) Is pulled up.

점접착제층(3)은 상기 경화성 조성물에 의해 형성되어 있고, 상기 경화성 조성물은 에폭시 수지와, 에폭시 수지용 경화제와, 특정한 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 특정한 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와, 나노 충전재를 포함하고, 상기 제1, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 상기 특정한 범위 내이다. 따라서, 점접착제층(3)을 당겨 늘림으로써, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 절단 부분(23c)을 따라 점접착제층(3)을 정밀도 좋게 절단할 수 있다. 이로 인해, 반도체 칩의 아래쪽에 있어서 점접착제층(3)의 절결이 생기기 어렵다. 점접착제층(3)을 정밀도 좋게 절단할 수 있기 때문에, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩의 픽업성을 높일 수 있다. 점접착제층(3)의 절결이 생기기 어렵기 때문에, 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 접착 대상 부재에 적층하여 접착시킨 경우에, 반도체 칩이 기우는 것을 억제할 수 있으며, 반도체 칩의 접합 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 접착 후의 반도체 칩에 휨이 생기는 것을 억제할 수 있으며, 경화한 점접착제층에 균열이 생기는 것을 억제할 수 있다.The point adhesive layer (3) is formed of the curable composition, wherein the curable composition comprises an epoxy resin, a curing agent for epoxy resin, a specific first epoxy group-containing acrylic resin, a specific second epoxy group- , And the contents of the first and second epoxy group-containing acrylic resins are within the above specific ranges. Therefore, by stretching the adhesive layer 3, the adhesive layer 3 can be precisely cut along the cut portion 23c of the semiconductor wafer 23 after the division. As a result, it is difficult to cut off the adhesive layer 3 at the bottom of the semiconductor chip. Since the point-adhesive layer 3 can be cut with high precision, the pick-up property of the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 can be enhanced. It is possible to suppress the tilting of the semiconductor chip when the semiconductor chip having the point-adhesive layer is laminated and adhered to the member to be bonded, and the bonding reliability of the semiconductor chip can be improved . In addition, it is possible to suppress the occurrence of warpage of the semiconductor chip after bonding, and it is possible to suppress the occurrence of cracks in the cured pressure-sensitive adhesive layer.

다이싱-다이본딩 테이프(1)의 사용에 의해 점접착제층(3)을 절단할 때에, 점접착제층(3)을 개질하지 않아도 점접착제층(3)을 정밀도 좋게 절단할 수 있다. 예를 들면, 점접착제층(3)을 개질하기 위하여 점접착제층(3)을 가열 및 냉각하지 않으며, 레이저광을 조사하지 않아도 점접착제층(3)을 정밀도 좋게 절단할 수 있다. 점접착제층(3)을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 점접착제층(3)을 개질하지 않는 것이 바람직하다. 점접착제층(3)을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 점접착제층(3)을 개질하기 위하여 점접착제층(3)을 가열 및 냉각하지 않으며, 레이저광을 조사하지 않는 것이 바람직하다. 점접착제층(3)을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 점접착제층(3)을 개질하기 위하여 점접착제층(3)을 가열(보호 시트(22)를 박리하기 위한 가열을 제외함) 및 냉각하지 않으며, 레이저광을 조사하지 않는 것이 바람직하다. 단, 점접착제층(3)을 개질할 수도 있다. 점접착제층(3)을 개질하지 않는 경우에는, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩의 제조 효율을 높일 수 있다.When the dicing-die bonding tape 1 is used to cut the point-adhesive layer 3, the point-adhesive layer 3 can be precisely cut without modifying the point-adhesive layer 3. For example, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is not heated or cooled to modify the pressure-sensitive adhesive layer 3, and the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be cut accurately without irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 3 with laser light. It is preferable that the point-adhesive layer 3 is not modified before the point-adhesive layer 3 is stretched or stretched. It is preferable not to heat or cool the point-adhesive layer 3 to modify the point-adhesive layer 3 before or during stretching the point-adhesive layer 3 and to not irradiate laser light. The pressure-sensitive adhesive layer 3 is heated (except for heating to peel the protective sheet 22) to modify the pressure-sensitive adhesive layer 3 before or after the pulling-out of the pressure-sensitive adhesive layer 3, It is preferable not to cool and to not irradiate laser light. However, the point-adhesive layer 3 may be modified. In the case where the point-adhesive layer 3 is not modified, the manufacturing efficiency of the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 can be increased.

점접착제층(3)을 절단한 후, 점접착제층(3)이 적층된 상태에서 반도체 칩을 점접착제층(3)마다 기재층(4)으로부터 박리하여 취출한다. 이와 같이 하여 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 얻을 수 있다. 다이싱-다이본딩 테이프(1)를 이용한 경우에는, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)가 첩부되어 있는 점접착제층(3) 부분의 아래쪽에는 비점착성을 갖는 기재층(4)이 위치하고 있기 때문에, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩의 픽업성을 높일 수 있다. 다이싱-다이본딩 테이프(11)를 이용한 경우에도, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)가 첩부되어 있는 점접착제층(3) 부분의 아래쪽에는 기재층(12)의 비점착부(12A)가 위치하기 때문에, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩의 픽업성을 높일 수 있다. 점접착제층(3)의 절단 후, 점접착제층(3)을 갖는 반도체 칩을 기재층(4)으로부터 박리하기 전에, 다이싱층(5)을 당겨 늘려 개개의 반도체 칩간의 간격을 더 확장할 수도 있다.After the point-adhesive layer 3 is cut off, the semiconductor chip is peeled off from the base layer 4 for each of the pressure-sensitive adhesive layers 3 in a state in which the point-adhesive layer 3 is laminated. In this manner, a semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 can be obtained. In the case of using the dicing-die bonding tape 1, since the base layer 4 having non-tackiness is located below the portion of the point-adhesive layer 3 to which the semiconductor wafer 23 is bonded after division, The pickup performance of the semiconductor chip having the adhesive layer 3 can be enhanced. Even when the dicing-die bonding tape 11 is used, the non-adhesive portion 12A of the base layer 12 is located below the portion of the adhesive layer 3 to which the semiconductor wafer 23 is bonded after division Therefore, the pick-up property of the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 can be enhanced. After cutting the point-adhesive layer 3, the dicing layer 5 may be stretched to extend the gap between individual semiconductor chips before the semiconductor chip having the point-adhesive layer 3 is peeled from the base layer 4 have.

또한, 다이싱-다이본딩 테이프(1) 대신에 상기 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층을 단체로 이용하는 경우에는, 분할 후 반도체 웨이퍼(23)의 한쪽면에 상기 경화성 조성물에 의해 점접착제층을 적층한 후, 점접착제층에 기재층(4, 12)을 적층할 수도 있다. 필요에 따라, 기재층(4, 12)에 다이싱층(5, 13)을 더 적층할 수도 있다.When a point adhesive layer formed of the above-mentioned curable composition is used instead of the dicing-die bonding tape 1, a point-adhesive layer is laminated on one side of the semiconductor wafer 23 after division by the curable composition The base layers 4 and 12 may be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer. If necessary, the dicing layers 5 and 13 may be further laminated on the base layers 4 and 12.

<실시예><Examples>

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following embodiments.

경화성 조성물을 형성하기 위하여, 이하의 재료를 준비하였다.In order to form the curable composition, the following materials were prepared.

(1) 에폭시 수지(1) Epoxy resin

페녹시계 고형 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸(구 재팬 에폭시 레진)사 제조 「1004F」, 에폭시 당량 925g/eq, 분자량 1만 미만, 프리한 극성기인 히드록실기 있음)1004F "manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent weight: 925 g / eq, molecular weight of less than 10,000, and a hydroxyl group as a free polar group)

디시클로펜타디엔계 고형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-7200HH」, 에폭시 당량 282g/eq, 분자량 1만 미만, 극성기 없음)Dicyclopentadiene-based solid epoxy resin ("HP-7200HH" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent 282 g / eq, molecular weight of less than 10,000, no polarity)

비스페놀 A형 액상 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-850CRP」, 에폭시 당량 172g/eq, 분자량 1만 미만, 극성기 없음)Bisphenol A type liquid epoxy resin ("EXA-850CRP" manufactured by DIC Corporation, epoxy equivalent: 172 g / eq, molecular weight of less than 10,000, no polar group)

(2) 에폭시 수지용 경화제(2) Curing agents for epoxy resins

산 무수물계 경화제(미쯔비시 가가꾸(구 재팬 에폭시 레진)사 제조 「YH-309」)An acid anhydride-based curing agent ("YH-309" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (formerly Japan Epoxy Resin))

(3) 경화 촉진제(3) Curing accelerator

이미다졸계 경화제(시꼬꾸 가세이사 제조 「2MAOK-PW」)An imidazole-based curing agent (&quot; 2MAOK-PW &quot; manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)

(4) 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지(4) The first epoxy group-containing acrylic resin

에폭시 함유 아크릴 수지(니찌유사 제조 「마프루프 G-2050M」, 에폭시 당량 340g/eq, 중량 평균 분자량 20만, 유리 전이 온도 74℃)Epoxy-containing acrylic resin ("Mahropu G-2050M" manufactured by Nichitramine Co., Ltd., epoxy equivalent weight: 340 g / eq, weight average molecular weight: 200,000, glass transition temperature:

에폭시 함유 아크릴 수지(니찌유사 제조 「마프루프 G-1005SA」, 에폭시 당량 3300g/eq, 중량 평균 분자량 10만, 유리 전이 온도 98℃)Epoxy-containing acrylic resin ("Mahropu G-1005SA" manufactured by Nichisan Co., Ltd., epoxy equivalent weight: 3300 g / eq, weight average molecular weight: 100,000, glass transition temperature:

(5) 다른 에폭시기 함유 아크릴 수지(5) Other epoxy group-containing acrylic resin

에폭시 함유 아크릴 수지(나가세 켐텍스사 제조 「SG-80H」, 에폭시 당량 14700g/eq, 중량 평균 분자량 35만, 유리 전이 온도 11℃)Epoxy-containing acrylic resin (&quot; SG-80H &quot; manufactured by Nagase ChemteX Corp., epoxy equivalent: 14700 g / eq, weight average molecular weight:

(6) 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지(6) Second epoxy group-containing acrylic resin

에폭시 함유 아크릴 수지(니찌유사 제조 「마프루프 G-0250S」, 에폭시 당량 310g/eq, 중량 평균 분자량 2만, 유리 전이 온도 74℃)(Epoxy equivalent weight: 310 g / eq, weight average molecular weight: 20,000, glass transition temperature: 74 占 폚) manufactured by Nichi-

에폭시 함유 아크릴 수지(니찌유사 제조 「마프루프 G-0150M」, 에폭시 당량 310g/eq, 중량 평균 분자량 1만, 유리 전이 온도 71℃)(Epoxy equivalent weight: 310 g / eq, weight average molecular weight: 10,000, glass transition temperature: 71 deg. C) manufactured by Nichi-

(7) 나노 충전재(7) Nano filler

무수 초미세 무정형 실리카(도꾸야마사 제조 「MT-10」, 평균 1차 입경 15 nm)(MT-10, manufactured by TOKUYAMA CO., LTD., Average primary particle diameter 15 nm)

무수 초미세 무정형 실리카(도꾸야마사 제조 「DM-10」, 평균 1차 입경 15 nm)(DM-10, manufactured by TOKUYAMA CO., LTD., Average primary particle diameter 15 nm)

SO-C2(애드마텍스사 제조 애드마 파인 실리카, 평균 1차 입경 1000 nm 미만, 평균 입경 0.5 ㎛)SO-C2 (Admafine silica manufactured by Admatechs Co., Ltd., average primary particle size of less than 1000 nm, average particle diameter of 0.5 탆)

SO-C6(애드마텍스사 제조 애드마 파인 실리카, 평균 입경 2.2 ㎛)SO-C6 (Admafine silica manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle diameter 2.2 mu m)

또한, MT-10, DM-10 및 SO-C2의 평균 1차 입경은 투과형 전자 현미경으로 관찰하고, 계측된 입경의 평균치를 산출함으로써 구해진 값이다. 또한, SO-C2 및 SO-C6의 평균 입경은 레이저 회절식 입도 분포계로 측정한 메디안 직경을 나타낸다.The average primary particle diameters of MT-10, DM-10 and SO-C2 are values obtained by observing with a transmission electron microscope and calculating the average value of the measured particle diameters. The average particle diameter of SO-C2 and SO-C6 represents the median diameter measured by a laser diffraction particle size distribution meter.

(8) 다른 성분(8) Other components

아미노 실란 커플링제(칫소사 제조 「S320))Aminosilane coupling agent (S320, manufactured by Chisso Corporation)

(실시예 1)(Example 1)

에폭시 수지로서 페녹시계 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸(구 재팬 에폭시 레진)사 제조 「1004F」) 45 중량부 및 비스페놀 A형 액상 에폭시 수지(DIC사 제조 「EXA-850CRP」) 20 중량부와, 에폭시 수지용 경화제로서 산 무수물계 경화제(미쯔비시 가가꾸(구 재팬 에폭시 레진)사 제조 「YH-309」) 35 중량부와, 에폭시 수지용 경화 촉진제로서 이미다졸계 경화 촉진제(시꼬꾸 가세이사 제조 「2MAOK-PW」) 5 중량부와, 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지로서 마프루프 G-2050M(니찌유사 제조) 15 중량부와, 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지로서 마프루프 G-0150M(니찌유사 제조) 20 중량부와, 나노 충전재로서 무수 초미세 무정형 실리카(도꾸야마사 제조 「MT-10」) 10 중량부와, 아미노 실란 커플링제(칫소사 제조 「S320」) 1 중량부를 배합하여 배합물을 얻었다. 얻어진 배합물을 메틸에틸케톤(MEK)에 고형분 50 중량％가 되도록 첨가하여 교반하고, 점접착제인 경화성 조성물을 얻었다., 45 parts by weight of a phenoxy-clock epoxy resin ("1004F" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (formerly Japan Epoxy Resin)) and 20 parts by weight of a bisphenol A liquid epoxy resin (EXA-850CRP manufactured by DIC Corporation) 35 parts by weight of an acid anhydride-based curing agent ("YH-309" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, formerly Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) as an epoxy resin curing agent, and 35 parts by weight of an imidazole curing accelerator ("2MAOK- 15 parts by weight of a first epoxy group-containing acrylic resin and 15 parts by weight of a second epoxy group-containing acrylic resin, 20 parts by weight of Mafrup G-0150M (manufactured by Nichichi Co., Ltd.) , 10 parts by weight of anhydrous micro-amorphous silica ("MT-10" manufactured by TOKUYAMA CORPORATION) as a nano filler and 1 part by weight of an aminosilane coupling agent ("S320" manufactured by Chisso Corporation) were blended to obtain a blend. The resulting blend was added to methyl ethyl ketone (MEK) to a solid content of 50% by weight and stirred to obtain a curable composition as a point adhesive.

(실시예 2 내지 4 및 비교예 1 내지 3)(Examples 2 to 4 and Comparative Examples 1 to 3)

상기 배합물을 얻을 때에 사용한 재료의 종류 및 배합량을 하기 표 1에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 점접착제인 경화성 조성물을 얻었다.A curable composition as a point adhesive was obtained in the same manner as in Example 1, except that the kinds and blending amounts of the materials used in obtaining the above blend were changed as shown in Table 1 below.

(평가)(evaluation)

(1) 파단 응력, 파단 신도 및 최저 용융 점도의 평가(1) Evaluation of rupture stress, elongation at break and minimum melt viscosity

실시예 및 비교예의 경화성 조성물을, 표면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 시트의 이형 처리면 상에, 건조 후의 두께가 10 ㎛가 되도록 바 코터를 이용하여 도공하였다. 그 후, 100℃에서 3분간 건조하여 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었다. 이 시트를 열 라미네이트에 의해 적층하여, 파단 응력 및 파단 신도 측정용 시험편(세로 50 mm×가로 10 mm×두께 0.1 mm) 및 용융 점도 측정용 시험편(직경 20 mm×두께 0.5 mm)을 제작하였다.The curable compositions of Examples and Comparative Examples were coated on a releasably treated surface of a polyethylene terephthalate (PET) sheet having a thickness of 50 占 퐉 of which surface had been subjected to releasing treatment, using a bar coater so that the thickness after drying was 10 占 퐉. Thereafter, the sheet was dried at 100 DEG C for 3 minutes to form a curable composition into a sheet to obtain a sheet. This sheet was laminated by thermal lamination to prepare a test piece (50 mm in length x 10 mm in width x 0.1 mm in thickness) and a test piece for measuring melt viscosity (20 mm in diameter x 0.5 mm in thickness) for measuring the breaking stress and breaking elongation.

인장 시험기(오리엔텍사 제조 「텐실론 RTC-1310」)를 이용하여 23℃, 표선간 25 mm 및 인장 속도 300 mm/분의 조건에서, 얻어진 시험편의 파단 응력 및 파단 신도를 측정하였다.The fracture stress and elongation at break of the obtained test pieces were measured at 23 ° C, 25 mm between the marked lines and at a tensile rate of 300 mm / min using a tensile tester ("Tensilon RTC-1310" manufactured by ORIENTEC Corporation).

레오미터(레올로지카 인스트루먼트 AB사 제조 「VAR100」)를 이용하여 직경 20 mm 패럴렐 플레이트, 주파수 1Hz, 왜곡 0.1％, 40℃ 내지 200℃ 및 승온 속도 5℃/분의 조건에서 시험편의 점도를 측정하였다. 40℃ 내지 200℃의 범위 내에서 용융 점도의 최저치를 읽고 최저 용융 점도로 하였다.Using a rheometer ("VAR100" manufactured by Rheology Scientific Instruments AB), the viscosity of the test piece was measured under the conditions of a 20 mm diameter parallel plate, a frequency of 1 Hz, a distortion of 0.1%, a temperature of 40 to 200 ° C. and a rate of temperature increase of 5 ° C./minute Respectively. The lowest melt viscosity was read in the range of 40 캜 to 200 캜 to obtain the lowest melt viscosity.

(2) 저장 탄성률의 평가(2) Evaluation of storage elastic modulus

실시예 및 비교예의 경화성 조성물을, 표면이 이형 처리된 두께 50 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 시트의 이형 처리면 상에, 건조 후의 두께가 10 ㎛가 되도록 바 코터를 이용하여 도공하였다. 그 후, 100℃에서 3분간 건조하여 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었다. 이 시트를 열 라미네이트에 의해 적층하여 시험편(세로 50 mm×가로 3 mm×두께 0.5 mm)을 제작하였다. 이 시험편을 170℃에서 60분간 가열함으로써 경화시켜 경화물을 얻었다. 동적 점탄성 장치(아이티 계측 제어사 제조 「DVA-200」)를 이용하여 25 내지 300℃, 5℃/분 및 10Hz의 조건에서, 얻어진 경화물의 180℃에서의 인장 저장 탄성률 E'를 측정하였다.The curable compositions of Examples and Comparative Examples were coated on a releasably treated surface of a polyethylene terephthalate (PET) sheet having a thickness of 50 占 퐉 of which surface had been subjected to releasing treatment, using a bar coater so that the thickness after drying was 10 占 퐉. Thereafter, the sheet was dried at 100 DEG C for 3 minutes to form a curable composition into a sheet to obtain a sheet. This sheet was laminated with a thermal laminate to prepare a test piece (50 mm in length x 3 mm in width x 0.5 mm in thickness). The test piece was cured by heating at 170 DEG C for 60 minutes to obtain a cured product. The tensile storage elastic modulus E 'at 180 ° C of the obtained cured product was measured at 25 to 300 ° C, 5 ° C / min and 10 Hz using a dynamic viscoelastic device ("DVA-200" manufactured by Haitian Instrumentation Control Co., Ltd.).

(3) 다이싱-다이본딩 테이프의 제작(3) Fabrication of dicing-die bonding tape

도 1에 도시하는 형상의 다이싱-다이본딩 테이프를 제작하였다.A dicing-die bonding tape of the shape shown in Fig. 1 was produced.

2-에틸헥실아크릴레이트 95 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부, 광 라디칼 발생제인 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조, 50％ 아세트산 에틸 용액) 0.2 중량부, 및 라우릴머캅탄 0.01 중량부를 아세트산 에틸에 용해시켜 용액을 얻었다. 이 용액에 자외선을 조사하여 중합을 행하여 중합체의 아세트산 에틸 용액을 얻었다. 또한, 이 용액의 고형분 100 중량부에 대하여 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴꼬사 제조, 카렌즈 MOI) 3.5 중량부를 반응시켜 (메트)아크릴 수지 가교체인 아크릴 공중합체를 얻었다. 아크릴 공중합체는 중량 평균 분자량이 70만이고, 산가가 0.86(mgKOH/g)이었다., 95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, 0.2 parts by weight of Irgacure 651 (50% ethyl acetate solution, manufactured by Ciba Geigy Co.) as a photo radical generator, 0.01 part by weight was dissolved in ethyl acetate to obtain a solution. This solution was irradiated with ultraviolet rays to carry out polymerization to obtain an ethyl acetate solution of the polymer. Further, 3.5 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Carlene MOI, manufactured by Showa Denko K.K.) was reacted with 100 parts by weight of the solid content of the solution to obtain an acrylic copolymer crosslinked with a (meth) acrylic resin. The acrylic copolymer had a weight average molecular weight of 700,000 and an acid value of 0.86 (mgKOH / g).

얻어진 아크릴 공중합체 100 중량부, U-324A(신나까무라 가가꾸 고교사 제조, 우레탄 아크릴 올리고머) 2 중량부, 및 광 라디칼 발생제인 이르가큐어 651(시바 가이기사 제조) 1 중량부를 배합하고, 아세트산 에틸에 용해하여 조성물을 얻었다. 이 조성물을 이형 PET 필름 상에 어플리케이터를 이용하여 도공하고, 110℃에서 3분간 가열 건조하여 두께 50 ㎛의 필름상의 조성물층을 형성하였다. 이 조성물층 상에 이형 PET 필름을 첩부하였다. 그 후, 상기 조성물층에 고압 수은등 하에서 365 nm의 자외선을 2000 mJ/cm2로 조사하고, 이형 PET 필름 상에 비점착성을 갖는 기재층(두께 50 ㎛)을 형성하였다.100 parts by weight of the obtained acrylic copolymer, 2 parts by weight of U-324A (urethane acrylic oligomer manufactured by Shin Nakamura Chemical Co., Ltd.) and 1 part by weight of Irgacure 651 (manufactured by Shiba Kagaku Co., Ltd.), which is a photo radical generator, Ethyl to obtain a composition. This composition was coated on a release PET film using an applicator and then heated and dried at 110 캜 for 3 minutes to form a film-like composition layer having a thickness of 50 탆. On this composition layer, a release type PET film was stuck. Subsequently, the composition layer was irradiated with ultraviolet light of 365 nm under a high-pressure mercury lamp at 2000 mJ / cm 2 to form a base layer (thickness 50 탆) having no adhesiveness on the release PET film.

또한, 실시예 및 비교예에서 얻어진 경화성 조성물을 어플리케이터로 두께 40 ㎛가 되도록 린텍사 제조 PET38CS 상에 도포하고, 110℃에서 3분간 가열 건조하여 점접착제층(두께 40 ㎛)을 얻었다.Further, the curable composition obtained in Examples and Comparative Examples was applied to PET38CS manufactured by Lintec Corp. to have a thickness of 40 占 퐉 by an applicator, followed by heating and drying at 110 占 폚 for 3 minutes to obtain a point adhesive layer (thickness: 40 占 퐉).

상기 기재층의 양면에 첩부된 이형 PET 필름의 한쪽을 박리하고, 직경 306.8 mm의 원형의 기재층을 얻었다. 상기 PET38CS 상의 점접착제층을 직경 305.8 mm의 원형으로 가공하였다. 기재층과 점접착제층을 원의 중심이 맞도록 정합하였다. 기재층의 한쪽면에 첩부된 이형 PET 필름을 박리하고, 다이싱층(PE 테이프 #6318-B(세끼스이 가가꾸 고교사 제조 점착 필름, 두께 70 ㎛의 폴리에틸렌 기재의 한쪽면에 두께 10 ㎛의 고무계 점착제층이 형성되어 있는 점착 필름))을 점착제층측으로부터 기재층에 첩부하였다. 또한, 다이싱층의 점접착제층 및 기재층의 외주측면보다도 측방으로 연장되어 있는 영역을 상기 PET38CS 상에 첩부하였다. 이와 같이 하여 이형층과 점접착제층과 기재층과 다이싱층이 이 순서대로 적층된 다이싱-다이본딩 테이프를 얻었다.One side of the release PET film pasted on both sides of the base layer was peeled off to obtain a circular base layer having a diameter of 306.8 mm. The pressure-sensitive adhesive layer on the PET38CS was processed into a circle having a diameter of 305.8 mm. The base layer and the pressure-sensitive adhesive layer were matched so that the center of the circle was matched. A releasing PET film pasted on one side of the base layer was peeled off and a dicing layer (PE tape # 6318-B (an adhesive film manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., thickness: 70 mu m, An adhesive film having a pressure-sensitive adhesive layer formed thereon) was stuck to the base layer from the pressure-sensitive adhesive layer side. Further, the point adhesive layer of the dicing layer and a region extending laterally than the outer peripheral side of the base layer were pasted on the PET38CS. Thus, a dicing-die bonding tape in which a release layer, a pressure-sensitive adhesive layer, a substrate layer and a dicing layer were laminated in this order was obtained.

(4) 할열성, 픽업성 및 접착성의 평가(4) Evaluation of heat resistance, pick-up property and adhesiveness

선다이싱된 분할 후 반도체 웨이퍼를 갖는 재료로서, 보호 시트와, 칩 크기가 한 변이 10 mm인 사각형으로 선다이싱된 반도체 웨이퍼(실리콘 미러 웨이퍼, 직경 300 mm, 두께 40 ㎛)와의 적층체를 이용하였다.A stacked body of a protective sheet and a semiconductor wafer (silicon mirror wafer, 300 mm in diameter, 40 탆 in thickness) pre-diced with a square having a chip size of 10 mm was used as a material having a semiconductor wafer after divided by dicing .

상기 (3) 다이싱-다이본딩 테이프의 제작에서 얻어진 다이싱-다이본딩 테이프의 이형 PET 필름을 점접착제층 및 기재층으로부터 박리하여 점접착제층과 기재층의 외주 부분을 노출시켰다. 적층체의 분할 후 반도체 웨이퍼의 이면에 점접착제층을 60℃의 온도에서 라미네이트하고, 다이싱층의 점착제층을 다이싱 링에 첩부하였다.The release PET film of the dicing-die bonding tape obtained in the above (3) production of the dicing-die bonding tape was peeled from the pressure-sensitive adhesive layer and the base layer to expose the pressure-sensitive adhesive layer and the outer peripheral portion of the base layer. After dividing the laminate, a pressure-sensitive adhesive layer was laminated on the back surface of the semiconductor wafer at a temperature of 60 캜, and the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing layer was attached to the dicing ring.

다음에, 점접착제층이 첩부된 분할 후 반도체 웨이퍼를 스테이지로부터 취출하고 뒤집어 별도의 스테이지 상에 실었다. 그 후, 분할 후 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 60℃에서 보호 시트를 박리하였다. 이 때, 점접착제층은 개질하지 않도록 하였다.Subsequently, the divided semiconductor wafer to which the point-adhesive layer was pasted was taken out from the stage, turned over and put on another stage. Thereafter, the protective sheet was peeled from the surface of the semiconductor wafer after division at 60 ° C. At this time, the point-adhesive layer was not modified.

다음에, 다이본더(캐논 머시너리사 제조 「bestem D-02」)를 이용하여, 23℃ 및 익스팬드량 5 mm의 조건에서 점접착제층과 기재층과 다이싱층을 당겨 늘려 분할 후 반도체 웨이퍼의 절단 부분을 따라 점접착제층을 절단하며, 그 후 반도체 웨이퍼에서의 개개의 반도체 칩을 이격시켰다.Then, the pressure-sensitive adhesive layer, the substrate layer and the dicing layer were pulled and stretched at 23 占 폚 and the expanse amount of 5 mm using a die bonder ("bestem D-02" manufactured by Canon Machinery Inc.) The point adhesive layer was cut along the cut portion, and then the individual semiconductor chips on the semiconductor wafer were separated.

다음에, 고무 콜렛 크기가 한 변이 9 mm인 사각형, 핀 들어올림량 0.3 mm 및 핀 들어올림 속도 4 mm/초의 조건에서 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 연속적으로 20개 픽업한 후, 두께 1 mm의 유리판 상에 100℃, 5N의 조건에서 다이본딩하였다.Subsequently, 20 semiconductor chips having a point adhesive layer were successively picked up on a square having a rubber collet size of 9 mm on one side, a pin lifting amount of 0.3 mm and a pin lifting speed of 4 mm / sec, Bonded to a glass plate at 100 캜 and 5N.

점접착제층의 할열성(절단 상태)을, 다이본딩된 칩의 점접착제층을 유리판 이면측으로부터 광학 현미경(배율 200배)으로 관찰하고, 하기의 판정 기준으로 판정하였다.The quenching property (cut state) of the point-adhesive layer was observed with an optical microscope (magnification: 200x) from the back surface side of the glass plate of the die-bonded chip with the following judgment criteria.

[할열성의 판정 기준][Criteria for enthusiasm]

○○: 반도체 칩의 아래쪽에 있어서 점접착제층에 절결이 없음○○: No peeling in the adhesive layer at the bottom of the semiconductor chip

○: 반도체 칩의 아래쪽에 있어서 점접착제층의 절결이 약간 있음(절결의 최대 길이가 50 ㎛ 미만)?: A small amount of cut out of the adhesive layer at the bottom of the semiconductor chip (the maximum length of the cut is less than 50 占 퐉)

×: 반도체 칩의 아래쪽에 있어서 점접착제층의 절결이 약간 있음(절결의 최대 길이가 50 ㎛ 이상 100 ㎛ 미만)X: The point adhesive layer is slightly cut off at the bottom of the semiconductor chip (the maximum length of the cut is 50 占 퐉 or more and less than 100 占 퐉)

××: 반도체 칩의 아래쪽에 있어서 점접착제층에 절결이 있음(절결의 최대 길이가 100 ㎛ 이상)XX: There is a cut in the adhesive layer at the bottom of the semiconductor chip (the maximum length of the cut is 100 μm or more)

×××: 할열 불가능×××: Non-heatable

또한, 픽업성에 대해서는 하기의 판정 기준으로 판정하였다.The pick-up property was determined based on the following criteria.

[픽업성의 판정 기준][Judgment criteria for pickupability]

○: 픽업할 수 없었던 점접착제층을 갖는 반도체 칩 없음O: No semiconductor chip having a point adhesive layer which could not be picked up

×: 픽업할 수 없었던 점접착제층을 갖는 반도체 칩 있음X: Semiconductor chip having a point adhesive layer which could not be picked up

다음에, 유리 에폭시 기판(다이쇼 덴시사 제조 「TPWB-S02」) 상에, 상기의 방법으로 픽업된 27개의 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 점접착제층측으로부터 100℃, 5N의 조건에서 다이본딩하였다. 그 후, 170℃의 오븐 내에 60분간 넣어 점접착제층을 경화시켜 경화물층을 형성하고, 접속 구조체를 얻었다.Next, on the glass epoxy substrate ("TPWB-S02" manufactured by Taisho Denshin Co., Ltd.), the semiconductor chip having 27 point adhesive layers picked up by the above method was die-bonded from the point adhesive layer side at 100 ° C and 5N . Thereafter, the resultant was placed in an oven at 170 DEG C for 60 minutes to cure the point-adhesive layer to form a cured layer to obtain a connection structure.

얻어진 접속 구조체를 30℃ 및 70％의 항온 항습조에 168시간 방치한 후, 리플로우로(안톰사 제조 「UNI-5016F」)에서 예비가열 160℃, 최고 255℃의 조건에서 접속 구조체의 내리플로우 시험을 행하였다. 그 후, 접속 구조체의 점접착제층의 박리 유무를 초음파 탐상 장치 SAT(히따찌 겐끼 파인텍사 제조 「mi-scope」)로 관찰하고, 박리가 보여진 개수를 계측하였다. 얻어진 접속 구조체에서의 접착성을 하기의 판정 기준으로 판정하였다. 여기서 보여지는 박리에 대하여, 반도체 칩이 휘어 올라간 것에 의한 박리는 반도체 칩의 외주부에서 들떠 있기 때문에 광학 관찰되고, 한편 리플로우 열에 의한 박리는 경화물층의 접착 계면에서 생기기 때문에 상기 SAT에 의해 화상 관찰된다.The obtained connecting structure was allowed to stand in a constant temperature and humidity bath at 30 DEG C and 70% for 168 hours, and then subjected to a bottom flow test of a connecting structure at 160 DEG C and a maximum of 255 DEG C by pre-heating in reflow furnace ("UNI-5016F" . Thereafter, the presence or absence of peeling of the point-adhesive layer of the connection structure was observed with an ultrasonic probe SAT ("mi-scope" manufactured by Hitachi, Ltd.) and the number of peeling was measured. The adhesiveness of the obtained connecting structure was judged by the following criteria. With respect to the peeling shown here, the peeling due to the bending of the semiconductor chip is optically observed because it is excited at the outer peripheral portion of the semiconductor chip, and the peeling due to the reflow heat occurs at the bonding interface of the cured layer, do.

[접착성의 판정 기준][Judgment Criteria of Adhesion]

○: 반도체 칩의 휨 및 경화물층에서의 균열의 발생이 없고, 박리된 점접착제층(경화물층)을 갖는 반도체 칩 없음?: No semiconductor chip having a peeled point-adhesive layer (cured layer) without bending of the semiconductor chip and generation of cracks in the cured layer

×: 반도체 칩의 휨 또는 경화물층에서의 균열의 발생이 있고, 박리된 점접착제층(경화물층)을 갖는 반도체 칩 있음X: A semiconductor chip having a peeled point-adhesive layer (cured layer) was found to have a deflection of the semiconductor chip or a crack in the cured layer

결과를 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 하기 표 1에 있어서 「-」는 평가하지 않은 것을 나타낸다.The results are shown in Table 1 below. In Table 1, &quot; - &quot; indicates that it is not evaluated.

Figure 112012075328899-pct00001
Figure 112012075328899-pct00001

1: 다이싱-다이본딩 테이프
2: 이형층
2a: 상면
3: 점접착제층
3a: 제1 표면
3b: 제2 표면
3c: 절단 부분
4: 기재층
4a: 제1 표면
4b: 제2 표면
5: 다이싱층
5A: 기재
5B: 점착제층
11: 다이싱-다이본딩 테이프
12: 기재층
12A: 비점착부
12B: 점착부
12a: 제1 표면
12b: 제2 표면
13: 다이싱층
21: 적층체
22: 보호 시트
22a: 한쪽면
23: 분할 후 반도체 웨이퍼
23A: 반도체 웨이퍼
23a: 표면
23b: 이면
23c: 절단 부분
25: 스테이지
26: 다이싱 링
27: 스테이지
51: 접속 구조체
52: 반도체 칩
53: 접착 대상 부재
54: 경화물층1: Dicing-die bonding tape
2:
2a: upper surface
3: Point adhesive layer
3a: First surface
3b: second surface
3c: Cutting portion
4: substrate layer
4a: first surface
4b: second surface
5: dicing layer
5A: substrate
5B: pressure-sensitive adhesive layer
11: Dicing-die bonding tape
12: substrate layer
12A: Non-
12B:
12a: first surface
12b: second surface
13: dicing layer
21:
22: Protective sheet
22a: one side
23: Semiconductor wafer after division
23A: Semiconductor wafer
23a: Surface
23b:
23c: Cutting portion
25: stage
26: Dicing ring
27: stage
51: connection structure
52: Semiconductor chip
53: member to be bonded
54: cured layer

Claims (13)

에폭시 수지와,
에폭시 수지용 경화제와,
중량 평균 분자량이 10만 이상 40만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와,
중량 평균 분자량이 1만 이상 2만 이하이며, 유리 전이 온도가 60℃ 이상인 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지와,
나노 충전재를 포함하고,
상기 에폭시 수지와 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지와 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 합계 100 중량％ 중, 상기 제1 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 10 내지 40 중량％이며, 상기 제2 에폭시기 함유 아크릴 수지의 함유량이 1 내지 35 중량％인 경화성 조성물.An epoxy resin,
A curing agent for an epoxy resin,
A first epoxy group-containing acrylic resin having a weight average molecular weight of 100,000 or more and 400,000 or less and a glass transition temperature of 60 ° C or more,
A second epoxy group-containing acrylic resin having a weight average molecular weight of 10,000 or more and 20,000 or less and a glass transition temperature of 60 ° C or more,
Comprising a nanofiller,
Wherein the content of the first epoxy group-containing acrylic resin in the total of 100% by weight of the epoxy resin, the acrylic resin containing the first epoxy group and the acrylic resin containing the second epoxy group is 10 to 40% by weight, Is from 1 to 35% by weight. 제1항에 있어서, 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에,
경화 전의 상기 시트의 23℃에서의 파단 응력이 6MPa 이하이며, 경화 전의 상기 시트의 23℃에서의 파단 신도가 200％ 이하인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein when the curable composition is formed into a sheet to obtain a sheet,
The breaking stress at 23 캜 of the sheet before curing is 6 MPa or less and the breaking elongation at 23 캜 of the sheet before curing is 200% 제1항에 있어서, 경화성 조성물을 시트상으로 성형하여 시트를 얻었을 때에,
경화 전의 상기 시트를 40℃에서부터 승온 속도 5℃/분으로 200℃까지 승온시켰을 때에, 40 내지 200℃에서의 최저 용융 점도가 1000Paㆍs 이상인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein when the curable composition is formed into a sheet to obtain a sheet,
Wherein a minimum melt viscosity at a temperature of 40 to 200 占 폚 is 1000 Pa 占 퐏 or more when the sheet before curing is heated from 40 占 폚 to a heating rate of 5 占 폚 / min to 200 占 폚. 제1항에 있어서, 경화 후의 경화물의 180℃에서의 저장 탄성률이 40MPa 이상인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein the cured product after curing has a storage elastic modulus at 180 캜 of 40 MPa or more. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 극성기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein the epoxy resin comprises an epoxy resin having a polar group. 제1항에 있어서, 시트상으로 성형되어 있는 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, wherein the curable composition is formed into a sheet. 제1항에 있어서, 반도체 칩을 접착 대상 부재에 접착하기 위한 점접착제인 경화성 조성물.The curable composition according to claim 1, which is a point adhesive for bonding the semiconductor chip to a member to be bonded. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층과,
상기 점접착제층의 한쪽면에 적층된 기재층을 구비하는 다이싱-다이본딩 테이프.A pressure-sensitive adhesive composition comprising a point-adhesive layer formed from the curable composition according to any one of claims 1 to 7,
And a base layer laminated on one surface of the point-adhesive layer. 반도체 칩과, 접착 대상 부재와, 상기 반도체 칩과 상기 접착 대상 부재의 사이에 배치된 경화물층을 구비하고,
상기 경화물층이 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물을 경화시킴으로써 형성되어 있는 접속 구조체.A semiconductor device comprising: a semiconductor chip; a member to be bonded; and a cured layer disposed between the semiconductor chip and the member to be bonded,
Wherein the cured layer is formed by curing the curable composition according to any one of claims 1 to 7. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 조성물에 의해 형성된 점접착제층과, 개개의 반도체 칩으로 분할되어 있는 분할 후 반도체 웨이퍼를 이용하여,
상기 분할 후 반도체 웨이퍼의 한쪽면에 상기 점접착제층을 적층하는 공정과,
상기 점접착제층을 당겨 늘림으로써, 상기 점접착제층을 상기 분할 후 반도체 웨이퍼의 절단 부분을 따라 절단하며, 상기 분할 후 반도체 웨이퍼에서의 개개의 상기 반도체 칩을 이격시키는 공정과,
상기 점접착제층이 적층된 상태에서 상기 점접착제층을 갖는 반도체 칩을 취출하는 공정을 구비하는, 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a pressure-sensitive adhesive layer formed of the curable composition according to any one of claims 1 to 7 and a semiconductor wafer after division divided into individual semiconductor chips;
A step of laminating the point-adhesive layer on one side of the semiconductor wafer after the division,
A step of cutting the point-adhesive layer along a cut-away portion of the after-divided semiconductor wafer by stretching the point-adhesive layer to separate the individual semiconductor chips in the after-divided semiconductor wafer;
And a step of taking out the semiconductor chip having the point-adhesive layer in a state in which the point-adhesive layer is laminated. 제10항에 있어서, 상기 점접착제층과 그 점접착제층의 한쪽면에 적층된 기재층을 구비하는 다이싱-다이본딩 테이프를 이용하는, 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 10, wherein the dicing-die bonding tape is provided with the adhesive layer and a base layer laminated on one surface of the adhesive layer. 제10항에 있어서, 상기 점접착제층을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 상기 점접착제층을 개질하지 않는, 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor chip according to claim 10, wherein the point-adhesive layer is not modified before or during pulling-out of the point-adhesive layer. 제10항에 있어서, 상기 점접착제층을 당겨 늘리기 전 또는 당겨 늘리는 사이에, 상기 점접착제층을 개질하기 위하여 상기 점접착제층을 가열 및 냉각하지 않으며, 레이저광을 조사하지 않는, 점접착제층을 갖는 반도체 칩의 제조 방법.The method of manufacturing a pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 10, wherein the point-adhesive layer is not heated or cooled to modify the pressure-sensitive adhesive layer before or after pulling the pressure-sensitive adhesive layer, Wherein the step of forming the semiconductor chip comprises the steps of:
KR1020127024309A 2010-03-19 2011-03-16 Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer KR101567131B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010064492 2010-03-19
JPJP-P-2010-064492 2010-03-19
PCT/JP2011/056179 WO2011115159A1 (en) 2010-03-19 2011-03-16 Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130038811A KR20130038811A (en) 2013-04-18
KR101567131B1 true KR101567131B1 (en) 2015-11-06

Family

ID=44649243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127024309A KR101567131B1 (en) 2010-03-19 2011-03-16 Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5740303B2 (en)
KR (1) KR101567131B1 (en)
CN (1) CN102812066B (en)
TW (1) TWI490262B (en)
WO (1) WO2011115159A1 (en)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5411774B2 (en) * 2010-03-30 2014-02-12 ナミックス株式会社 Pre-feed type liquid semiconductor encapsulating resin composition
JP2013067726A (en) * 2011-09-22 2013-04-18 Negami Kogyo Kk Adhesive composition for electronic material
JP5841237B2 (en) * 2012-03-30 2016-01-13 大阪有機化学工業株式会社 Resin composition, cured product thereof, and reflecting material for optical semiconductor using the same
CN104508069B (en) * 2012-08-02 2017-03-29 琳得科株式会社 Film-like adhesive, semiconductor interface share the manufacture method of adhesive sheet and semiconductor device
JP6049075B2 (en) * 2012-11-22 2016-12-21 日本化薬株式会社 Photosensitive resin composition, resist laminate and cured product thereof
JP6066414B2 (en) * 2012-11-22 2017-01-25 日本化薬株式会社 Photosensitive resin composition, resist laminate and cured product thereof
JP6049076B2 (en) * 2012-11-22 2016-12-21 日本化薬株式会社 Photosensitive resin composition, resist laminate and cured product thereof
JP6066413B2 (en) * 2012-11-22 2017-01-25 日本化薬株式会社 Photosensitive resin composition, resist laminate and cured product thereof
JP6429103B2 (en) * 2013-06-19 2018-11-28 大日本印刷株式会社 Adhesive composition and adhesive film using the same
JP6320239B2 (en) * 2013-09-24 2018-05-09 日東電工株式会社 Semiconductor chip sealing thermosetting resin sheet and semiconductor package manufacturing method
JP6967506B2 (en) * 2016-02-23 2021-11-17 リンテック株式会社 Method for manufacturing film-like adhesive composite sheet and semiconductor device
JP2017171817A (en) * 2016-03-25 2017-09-28 日立化成株式会社 Adhesive for semiconductor, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
DE102016207540A1 (en) * 2016-05-02 2017-11-02 Tesa Se Water-vapor-blocking adhesive with highly functionalized poly (meth) acrylate
EP3376297A1 (en) * 2017-03-13 2018-09-19 TIGER Coatings GmbH & Co. KG Curable coating material for non-impact printing
JP6905579B1 (en) * 2019-12-27 2021-07-21 株式会社有沢製作所 Adhesive tape
KR102338424B1 (en) * 2021-06-03 2021-12-13 주식회사 유인 Eco-friendly composition for flooring comprising grephene oxide and its construction method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006022194A (en) 2004-07-07 2006-01-26 Sekisui Chem Co Ltd Curable resin film, adhesive epoxy resin film, non-conductive film and die-attach film
JP2006022195A (en) 2004-07-07 2006-01-26 Sekisui Chem Co Ltd Curable resin composition, adhesive epoxy resin sheet an circuit board joint product

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101016402A (en) * 2003-01-07 2007-08-15 积水化学工业株式会社 Curing resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component joined body
JP4238124B2 (en) * 2003-01-07 2009-03-11 積水化学工業株式会社 Curable resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component assembly
CN101669194A (en) * 2007-04-19 2010-03-10 积水化学工业株式会社 Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006022194A (en) 2004-07-07 2006-01-26 Sekisui Chem Co Ltd Curable resin film, adhesive epoxy resin film, non-conductive film and die-attach film
JP2006022195A (en) 2004-07-07 2006-01-26 Sekisui Chem Co Ltd Curable resin composition, adhesive epoxy resin sheet an circuit board joint product

Also Published As

Publication number Publication date
CN102812066A (en) 2012-12-05
JPWO2011115159A1 (en) 2013-07-04
JP5740303B2 (en) 2015-06-24
CN102812066B (en) 2014-08-06
TWI490262B (en) 2015-07-01
TW201137020A (en) 2011-11-01
WO2011115159A1 (en) 2011-09-22
KR20130038811A (en) 2013-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101567131B1 (en) Curable composition, dicing-die bonding tape, connecting structure and method for producing semiconductor tape with cohesive/adhesive layer
TWI699420B (en) Tape for semiconductor processing
KR101488047B1 (en) Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip
JP5580631B2 (en) Curable composition, dicing die-bonding tape, connection structure, and method for producing semiconductor chip with adhesive layer
JPWO2014030699A1 (en) Dicing sheet with protective film forming layer and chip manufacturing method
JPWO2014155756A1 (en) Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for producing chip with protective film
WO2014157520A1 (en) Protective film formation composite sheet, protective film-equipped chip, and method for fabricating protective film-equipped chip
JP6562172B2 (en) Resin film forming sheet and resin film forming composite sheet
JP6335173B2 (en) Composite sheet for forming protective film, chip with protective film, and method for manufacturing chip with protective film
JP6833083B2 (en) Manufacturing method for film-like adhesives, adhesive sheets and semiconductor devices
JP6423458B2 (en) Composite sheet for forming resin film and method for manufacturing chip with resin film
JPWO2014084357A1 (en) Sheet with curable resin film forming layer and method for manufacturing semiconductor device using the sheet
JP6334197B2 (en) Composite sheet for forming protective film, chip with protective film, and method for manufacturing chip with protective film
CN111417513B (en) Composite sheet for forming protective film and method for manufacturing semiconductor chip with protective film
TW202030287A (en) Resin film-forming sheet, resin film-forming composite sheet, and silicon wafer regeneration method
WO2019008898A1 (en) Resin film forming film and resin film forming composite sheet
JP2016135856A (en) Adhesive composition, film shape adhesive and manufacturing method of laminate
JP7453208B2 (en) Method for manufacturing workpiece with first protective film
JP2010067772A (en) Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip
TW202348756A (en) Protective film-forming film, composite sheet for forming protective film, method of manufacturing semiconductor device, and use of protective film-forming film having desirable storage elastic modulus for a test piece formed by multiple pieces of the protective films
TW202141598A (en) Film-like adhesive and dicing attach chip characterized by preventing the film-like adhesive from remaining on the support piece or the dicing piece, so as to prevent step failures and lower the semiconductor manufacturing cost
WO2020175421A1 (en) Thermosetting resin film and first protective film formation sheet
JP2021147479A (en) Film adhesive and dicing die bonding sheet
WO2020175423A1 (en) Thermosetting resin film and sheet for forming first protective film
CN115109370A (en) Protective film forming film, composite sheet for protective film formation, workpiece processed product with protective film, and method for producing workpiece with protective film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181023

Year of fee payment: 4